KR20220141386A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220141386A
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김인배
남동헌
심창우
안수민
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치를 개시한다. 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 반도체층과, 상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층과, 상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 박막 봉지층에 충격이 가해질 때, 중립면(Neutral Plane)은 상기 층간절연층 내부에 배치되거나 상기 층간절연층의 하부에 배치된다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시 장치를 포함한다. 최근, 표시 장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
이러한 경우 이미지가 구현되는 표시 장치의 상면에서 물건이 낙하하는 경우 표시 장치의 각 층 중 일부 층이 파손되거나 손상될 수 있다.
물건이 낙하하여 표시 장치의 상면에 충돌하는 경우 내부의 층 중 일부가 파손되거나 손상됨으로써 표시 장치의 화소 중 일부가 작동하지 않아 암점이 발생할 수 있다. 특히 이러한 문제는 자유롭게 변형이 가능한 표시 장치에서 특히 많이 발생한다. 본 발명의 실시예들은 외부에서 충격이 가해진 후에도 선명한 이미지를 구현하는 것이 가능한 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 반도체층과, 상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층과, 상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 박막 봉지층에 충격이 가해질 때, 중립면(Neutral Plane)은 상기 층간절연층 내부에 배치되거나 상기 층간절연층의 하부에 배치되는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판의 저면으로부터 상기 층간절연층의 저면까지의 거리는 상기 층간절연층의 상면에서 상기 박막 봉지층의 상면까지의 거리보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 유기 봉지층을 포함하고, 상기 유기 봉지층의 두께는 상기 기판의 저면으로부터 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.16배이상이면서 0.26배 이하의 범위일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 층간절연층은, 제1층간절연층과, 상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층간절연층의 두께는 상기 제2층간절연층의 두께보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층간절연층은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 층간절연층 상에 배치되는 충격흡수층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 충격흡수층은 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층 상에 배치되는 입력감지부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 반도체층과, 상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층과, 상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 기판의 두께는 상기 기판의 하면에서 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.5배를 초과하면서 0.76배이하인 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 유기 봉지층을 포함하고, 상기 유기 봉지층의 두께는 상기 기판의 저면으로부터 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.16배이상이면서 0.26배 이하의 범위일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 층간절연층은, 제1층간절연층과, 상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층간절연층의 두께는 상기 제2층간절연층의 두께보다 클 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1층간절연층은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 층간절연층 상에 배치되는 충격흡수층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 충격흡수층은 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층 상에 배치되는 입력감지부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 반도체층과, 상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층과, 상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 박막 봉지층에 충격이 가해지면 상기 층간절연층에는 압축력이 발생하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 층간절연층은, 제1층간절연층과, 상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 외부에서 가해지는 충격에 의하여 암점이 발생하지 않을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 자유롭게 변형이 가능하면서 변형 시 내부의 일부 층이 파손되거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는 외부의 충격을 효과적으로 처리하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 두께는 도면의 z축 방향으로 측정한 것이며, 임의의 지점에서 하나의 층의 일면에서 다른 하나의 층의 일면까지의 거리를 의미할 수 있다. 이때, 이하의 실시예에서 각 층의 두께는 임의의 지점에서 측정한 값 이외에 각 층의 전면에서의 산술적 평균의 두께로 해석되는 것도 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 A-A′선을 따라 취한 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 표시 장치(10)는 표시 영역(DA)과 주변 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화소(P)들이 배치되는 영역이다. 표시 영역(DA)은 각 화소(P)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 화소(P)는 x방향으로 연장된 스캔선(SL) 및 y방향으로 연장된 데이터선(DL)과 같은 신호선과 연결될 수 있다. 도 1에 도시되지는 않았으나, 화소(P)는 구동전원선, 공통전원선 등의 직류 신호를 전달하는 전원선들과 연결될 수 있다. 표시 영역(DA)은 기판(100)과 중첩하는 박막 봉지층(400)으로 커버될 수 있다.
화소(P)는 전술한 신호선 및 전원선과 전기적으로 연결된 화소회로 및 화소회로에 표시요소, 예컨대 유기 발광 소자(Organic light emitting diode: OLED)를 포함할 수 있다. 화소(P)는 유기 발광 소자를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
주변 영역(NDA)은 제1스캔 드라이버(11), 제2스캔 드라이버(12), 단자부(20), 구동전압공급선(30), 공통전압공급선(40) 및 배선층(50)을 포함할 수 있다. 이러한 주변 영역(NDA)은 화소가 배치되지 않는 영역일 수 있다.
제1스캔 드라이버(11) 및 제2스캔 드라이버(12)는 주변 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제1스캔 드라이버(11) 및 제2스캔 드라이버(12)는 표시 영역(DA)을 사이에 두고 상호 이격될 수 있다. 제1스캔 드라이버(11) 및/또는 제2스캔 드라이버(12)는 스캔선(SL)을 통해 각 화소(P)에 스캔 신호를 생성하여 전달할 수 있다. 도 1에는 2개의 스캔 드라이버가 배치된 경우를 도시하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 하나의 스캔 드라이버가 표시 영역(DA)의 일 측에 배치될 수 있다.
단자부(20)는 주변 영역(NDA)의 일 단부에 배치될 수 있으며, 단자(21, 22, 23, 24)들을 포함한다. 단자부(20)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 드라이버 IC(13)에 접속될 수 있다. 드라이버 IC(13)는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다.
구동전압공급선(30)은 구동전압을 화소(P)들에게 제공할 수 있다. 구동전압공급선(30)은 표시 영역(DA)의 일 측에 인접하도록 주변 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
공통전압공급선(40)은 공통전압을 화소(P)들에게 제공할 수 있다. 공통전압은 유기 발광 소자의 캐소드전극에 인가되는 전압이며, 공통전압공급선(40)은 표시 영역(DA)을 부분적으로 둘러싸도록 주변 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
제1배선(51), 제2배선(52), 제3배선(53) 및 제4배선(54)은 표시 영역(DA)의 일 단부와 단자부(20) 사이에 배치되며, y방향을 따라 연장될 수 있다. 제1배선(51)은 표시 영역(DA)의 신호선 및 단자부(20)를 전기적으로 연결하고, 제2배선(52)은 구동전압공급선(30) 및 단자부(20)를 전기적으로 연결한다. 제3배선(53)은 제1스캔 드라이버(11) 및 제2스캔 드라이버(12) 각각을 단자부(20)와 전기적으로 연결하고, 제4배선(54)은 공통전압공급선(40) 및 단자부(20)를 전기적으로 연결한다.
도 1에서는 단자부(20)의 단자(21, 22, 23, 24)들을 제1배선(51), 제2배선(52), 제3배선(53) 및 제4배선(54)과 다른 부재번호로 설명하고 있으나, 단자(21, 22, 23, 24)들 각각은, 제1배선(51), 제2배선(52), 제3배선(53) 및 제4배선(54)의 일 부분으로 이해될 수 있다. 즉, 제1배선(51)의 말단 부분이 단자(21)에 해당하고, 제2배선(52)의 말단 부분이 단자(22)에 해당하며, 제3배선(53)의 말단 부분이 단자(23)에 해당하고, 제4배선(54)의 말단 부분이 단자(24)에 해당할 수 있다.
기판(100) 상에는 표시층(200)이 배치된다. 표시층(200)은 복수의 화소들을 포함한다. 각 화소는 표시요소 및 표시요소의 동작을 위한 화소회로를 포함할 수 있기에, 표시층(200)에는 복수의 표시요소들 및 각 표시요소에 연결된 화소회로들을 포함할 수 있다.
표시층(200)은 박막 봉지층(400)으로 차폐될 수 있다. 박막 봉지층(400)은 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층은 교번적으로 적층될 수 있다. 박막 봉지층(400) 상에는 입력감지부재(TSL) 및 광학적 기능부재(OFL)가 배치될 수 있다.
입력감지부재(TSL)는 터치스크린 기능을 위한 다양한 패턴의 터치전극(TD)을 포함한다. 터치전극(TD)은 제1방향(x 방향)을 따라 서로 연결된 제1터치전극들(TD1)과, 제1방향과 교차하는 제1방향(y 방향)을 따라 서로 연결된 제2터치전극들(TD2)을 포함한다.
이러한 터치전극(TD)은 입력감지부재(TSL) 하부에 배치되는 화소들의 발광영역으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 투명전극물질로 구비될 수 있다. 또는, 터치전극(TD)은 화소들의 발광영역으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 메쉬(mesh) 형상으로 구비될 수 있다. 이 경우, 터치전극(TD)은 투명전극물질로 한정되지 않는다. 예컨대, 터치전극(TD)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다.
터치전극(TD)은 상기 터치전극(TD)에 감지되는 신호를 전달하기 위한 터치배선(TL)과 연결되며, 터치배선(TL)은 박막 봉지층(400) 상부에서부터 박막 봉지층(400)의 일측면을 따라 상기 주변 영역(NDA)으로 연장될 수 있다.
터치배선(TL)은 표시 영역(DA)의 입력감지부재(TSL)의 터치전극(TD)과 연결되며, 박막 봉지층(400)의 상부에서부터 연장될 수 있다. 터치배선(TL)은 단자부(20)의 터치 단자(25)와 연결되어 입력감지부재(TSL)과 전기적 신호를 주고 받을 수 있다.
광학적 기능부재(OFL)는 외부로부터 표시 장치(10)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시 장치(10)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예로, 광학적 기능부재(OFL)는 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능부재(OFL)는 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 장치(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능부재(OFL)는 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제1반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제1반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제1반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 4를 참고하면, 기판(100)의 기판(100) 상에 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200)은 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기 발광 소자(220)를 포함한다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 예컨대 기판(100)은 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 상술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예컨대 기판(100)은 상술한 고분자 수지를 포함하는 두 층들 및 그 사이에 개재된 무기 배리어층을 포함할 수 있다.
구체적으로 기판(100)은 제1기판(100-1), 제2기판(100-3) 및 무기 배리어층(100-2)을 포함할 수 있다. 이때, 제1기판(100-1)과 제2기판(100-3)은 상기에서 설명한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 경우 제1기판(100-1)과 제2기판(100-3)은 서로 동일한 물질을 포함하거나 서로 상이한 물질을 포함하는 것도 가능하다.
상기와 같은 제1기판(100-1)의 제1-1두께(D1-1)와 제2기판(100-3)의 제1-2두께(D1-2)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 하나는 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 다른 하나 이상일 수 있다.
무기 배리어층(100-2)은 제1기판(100-1)과 제2기판(100-3) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 무기 배리어층(100-2)은 제1기판(100-1)과 제2기판(100-3)을 통하여 수분이 유기 발광 소자(220)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
일반적으로 표시 장치(10)에 물체가 낙하하여 표시 장치(10)의 상면에 물체가 충돌하는 경우 표시 장치(10)의 다양한 층에서는 변형이 발생할 수 있다. 구체적으로 물체가 표시 장치(10)의 상면에 충돌하면 표시 장치(10)의 두께 방향으로 배치된 층들은 오목하게 되고, 이러한 부분을 기준으로 표시 장치(10)는 벤딩이 발생할 수 있다. 이때, 표시 장치(10)의 일지점은 중립면(NP, Neutral plane)이 되고 이러한 중립면(NP)을 기준으로 표시 장치(10) 중 중립면(NP)의 상부에는 압축력이 발생하고, 표시 장치(10) 중 중립면(NP)의 하부는 인장력이 발생할 수 있다. 이때, 인장력이 발생하는 부분에 무기물을 포함하는 층이 배치되는 경우 무기물을 포함하는 층이 파손될 수 있다. 특히 후술할 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손되는 경우 표시 장치(10)의 일부분이 작동하지 않음으로써 암점이 발생할 수 있다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 기판(100)의 제1두께(D1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 약 0.5배를 초과하면서 0.76배 이하의 범위일 수 있다.
이러한 경우 제1두께(D1)가 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.5배 미만인 경우 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 중립면(NP)이 층간절연층의 상부에 배치됨으로써 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 층간절연층의 파손이 발생할 수 있다. 반면, 제1두께(D1)가 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.76배를 초과하는 경우 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 기판(100) 자체가 굴곡이 발생하거나 곡면을 형성하지 못함으로써 표시 장치(10)의 벤딩이나 변형을 과도하게 저감시킬 수 있다.
또한, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있다. 이러한 경우 제1두께(D1)가 제2두께(D2)보다 크게 형성됨으로써 중립면(NP)은 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나의 하면에 배치될 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 기판(100)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 버퍼층(201)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일 층 또는 다층을 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 트랜지스터(130) 및 스토리지 커패시터(140)를 포함한다. 트랜지스터(130)는 반도체층(134) 및 게이트전극(136)을 포함한다. 반도체층(134)은 예컨대 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(134)은 게이트전극(136)과 중첩하는 채널영역(131) 및 채널영역(131)의 양측에 배치되되 채널영역(131)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(132) 및 드레인영역(133)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역(132)과 드레인영역(133), 그리고 소스영역(132)과 드레인영역(133)에 각각 연결된 금속들은 각각 트랜지스터(130)의 소스전극(미도시)과 드레인전극(DR)으로 이해할 수 있다. 이때, 상기 소스전극과 드레인전극(DR)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 소스전극과 드레인전극(DR)은 후술할 충격흡수층(208) 상에 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 드레인영역(133)에 드레인전극(DR)이 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 다른 실시예로, 반도체층(134)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다.
게이트전극(136)은 저 저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(136)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 게이트전극(136)은 몰리브데넘(Mo)을 포함하는 금속층일 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(136) 사이에는 게이트절연층(203)이 배치될 수 있다. 게이트절연층(203)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일 층 또는 다층을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(140)는 서로 중첩하는 제1전극(144) 및 제2전극(146)을 포함할 수 있다. 제1전극(144) 및 제2전극(146) 사이에는 제1층간절연층(205)이 배치될 수 있다. 제1층간절연층(205)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일 층 또는 다층을 포함할 수 있다. 제2전극(146)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제2전극(146)은 몰리브데넘(Mo)을 포함하는 금속층일 수 있다.
도 4는 스토리지 커패시터(140)가 트랜지스터(130)와 중첩하며, 제1전극(144)이 트랜지스터(130)의 게이트전극(136)인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 스토리지 커패시터(140)는 트랜지스터(130)와 중첩하지 않을 수 있다. 제1전극(144)은 트랜지스터(130)의 게이트전극(136)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.
스토리지 커패시터(140)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다. 제2층간절연층(207)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일 층 또는 다층을 포함할 수 있다.
상기와 같은 경우 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207)은 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1층간절연층(205)은 실리콘옥사이드 및 실리콘옥사이드나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 제2층간절연층(207)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다.
제1층간절연층(205)의 제3두께(D3)는 제2층간절연층(207)의 제4두께(D4)와 상이할 수 있다. 이러한 경우 제3두께(D3)는 제4두께(D4)보다 클 수 있다.
상기와 같은 경우 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 중립면(NP)이 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 사이에 배치되는 경우 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 상에는 압축력이 발생하는 영역과 인장력이 발생하는 영역이 형성될 수 있다. 이러한 경우 중립면(NP)의 하부 부분은 인장력이 발생하고, 중립면(NP)의 상부 부분은 압축력이 발생할 수 있다. 이러한 경우 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 중 인장력이 발생하는 부분이 제1층간절연층(205)에 배치되거나 인장력이 발생하는 영역이 최소의 두께를 갖는 것이 좋다.
상기와 같이 제1층간절연층(205)이 실리콘옥사이드 및 실리콘옥사이드나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는 경우 제1층간절연층(205) 상에 중립면(NP)이 배치되거나 제2층간절연층(207) 내부에 중립면(NP)이 배치되는 경우 주로 제1층간절연층(205) 내부에 중립면(NP)이 배치되거나 제2층간절연층(207)의 내부에 중립면(NP)이 배치되더라도 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 인장력을 많이 받는 부분은 주로 제1층간절연층(205)일 수 있다.
상기와 같은 경우 실리콘옥사이드 및 실리콘옥사이드나이트라이드 중 적어도 하나는 실리콘나이트라이드보다 인장력을 더 잘 견딤으로써 이러한 인장력의 발생 시 제1층간절연층(205)은 제2층간절연층(207)보다 인장력에 의해 파손되지 않을 수 있다.
또한, 제3두께(D3)가 제4두께(D4)보다 큰 경우 중립면(NP)은 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되거나 제2층간절연층(207) 내부에 배치될 수 있다. 이러한 경우 제2층간절연층(207)의 인장되는 영역의 두께가 최소화됨으로써 물체가 표시 장치(10)에 충돌 시 제2층간절연층(207)의 파손을 방지할 수 있다.
제2층간절연층(207) 상에는 충격흡수층(208)이 배치될 수 있다. 이러한 충격흡수층(208)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 충격흡수층(208)은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 연결유기물층(61) 내지 제2유기물층(64)은 은 서로 동일한 물질을 포함하거나, 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기와 같은 충격흡수층(208)은 표시 장치(10)의 상부에서 낙하는 물체에 의한 충격이 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 표시 장치(10)의 상부에서 물체가 낙하하여 표시 장치(10)와 충돌하는 경우 표시 장치(10)의 두께 방향으로 진동이나 힘이 전달될 수 있다. 이러한 힘으로 인하여 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손되는 경우가 발생할 수 있다. 그러나 충격흡수층(208)은 제2층간절연층(207) 상에 배치됨으로써 상기와 같은 충격이 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나에 전달되는 것을 방지할 수 있다.
데이터선(DL)은 제2층간절연층(207) 또는 충격흡수층(208) 상에 배치될 수 있으며, 제1유기절연층(211)으로 커버될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 데이터선(DL)은 충격흡수층(208) 상에 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
데이터선(DL)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 데이터선(DL)은 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층이 순차적으로 적층된 다층(Ti/Al/Ti)으로 형성될 수 있다. 제1유기절연층(211)은 유기절연물을 포함한다. 예컨대, 제1유기절연층(211)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1유기절연층(211) 아래에는 패시베이션층으로서, 제3층간절연층(209)이 배치될 수 있다. 이때, 제1유기절연층(211)은 상기에서 설명한 충격흡수층(208)과 동일하거나 유사한 재질일 수 있다. 제3층간절연층(209)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일 층 또는 다층을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 제3층간절연층(209)은 구비되지 않는 것도 가능하다.
제1유기절연층(211) 상에는 트랜지스터(130)와 유기 발광 소자(220)의 화소전극(221)을 전기적으로 연결하는 콘택메탈층(CM)이 배치될 수 있다. 콘택메탈층(CM)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 콘택메탈층(CM)은 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층이 순차적으로 적층된 다층(Ti/Al/Ti)으로 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 콘택메탈층(CM)은 생략될 수 있다.
유기 발광 소자(220)는 제2유기절연층(213) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로 화소전극(221)은 제2유기절연층(213) 상에 위치할 수 있다. 이때, 제2유기절연층(213)은 상기에서 설명한 제1유기절연층(211)과 동일 또는 유사한 재질일 수 있다. 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr)등을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소정의막(215)은 화소전극(221) 상에 위치하며, 화소전극(221)의 중심 부분을 노출하는 개구를 갖는다. 화소정의막(215)은 화소전극(221)의 단부와 대향전극(또는 공통전극, 223) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(215)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)와 같은 유기물로 형성될 수 있다. 또는/및 화소정의막(215)은 무기물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층을 포함한다. 중간층(222)은 발광층의 아래에 배치된 제1기능층 및/또는 발광층의 위에 배치된 제2기능층을 더 포함할 수 있다. 중간층(222)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 제1기능층은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및/또는 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 중간층(222)을 이루는 층들 중 적어도 어느 하나는 표시 영역(DA)에서 일체(一體, single body)로 형성될 수 있다. 예컨대, 중간층(222)은 중 발광층은 화소전극 각각에 중첩하도록 위치하는데 반해, 제1기능층 및/또는 제2기능층은 복수개의 화소들에 대응하도록 일체로 형성되는 공통층일 수 있다.
대향전극(223)은 중간층(222) 상에 배치된다. 대향전극(223)은 복수개의 화소들을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다. 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 투광성의 도전막일 수 있다. 대향전극(223) 상에는 LiF를 포함하거나, 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물을 포함하는 캐핑층이 더 배치될 수 있다.
배선층(50)은 앞서 설명한 바와 같이 표시층(200)으로 신호 또는/및 전원을 인가하기 위한 배선들을 포함한다. 배선층(50)은 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 데이터선(DL)과 동일한 층(충격흡수층(208)) 상에 위치할 수 있으며, 데이터선(DL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
배선층(50)은 표시 영역(DA)에서 주변 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 배선층(50)은 제3층간절연층(209)으로 커버될 수 있다.
전압배선(PL)은 구동전압공급선(30) 또는 공통전압공급선(40)일 수 있다. 이때, 전압배선(PL)은 제2유기절연층(213)의 상부에 배치되는 상부배선층(PL1)과, 상부배선층(PL1)과 연결되며 충격흡수층(208) 상부에 배치된 하부배선층(PL2)를 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(220)는 박막 봉지층(400)으로 커버될 수 있다. 일 실시예로, 박막 봉지층(400)은 제1무기봉지층(410), 유기봉지층(420), 및 제2무기봉지층(430)을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(410) 및 제2무기봉지층(430)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다.
유기봉지층(420)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
상기와 같은 유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.16배이상이면서 0.26배이하의 범위일 수 있다. 유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)가 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.16배 미만인 경우 유기봉지층(420)의 상면이 평탄화되지 못하거나 유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)가 너무 얇음으로써 봉지 성능이 저하될 수 있다. 또한, 유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)가 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.26배를 초과하는 경우 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 상부에 형성됨으로서 표시 장치(10)의 상면에 물체가 낙하하는 경우 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손되는 경우가 발생할 수 있다.
상기와 같은 표시 장치(10)에서 기판(100)의 두께인 제1두께(D1)와 제2층간절연층(207)의 상면에서 박막 봉지층(400)의 상면까지의 제2두께(D2)는 서로 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있다. 제2두께(D2)가 제1두께(D1)보다 큰 경우 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 상부에 배치됨으로써 박막 봉지층(400)에 충격이 가해지는 경우 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손될 수 있다.
반면, 상기와 같이 제1두께(D1)보다 제2두께(D2)가 큰 경우 표시 장치(10)의 중립면(NP)은 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 내부에 배치되거나 제1층간절연층(205)의 하부에 배치될 수 있다. 이러한 경우 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나에 인장력이 가해지는 두께가 최소화되거나 인장력이 가해지는 부분이 존재하지 않음으로써 표시 장치(10)의 상면에서 낙하하는 물체로 인한 표시 장치(10)의 파손을 저감시키는 것이 가능하다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 5를 참고하면, 기판(100) 상에는 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200)의 구체적 구조는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다. 표시층(200) 상에 박막 봉지층(400)이 배치될 수 있다.
상기와 같은 경우 콘택메탈층(CM)은 제4층간절연층(212)으로 커버될 수 있다. 이때, 제4층간절연층(212)는 상기 도 4에서 설명한 제3층간절연층(209)과 동일하거나 유사한 물질일 수 있다. 다른 실시예로서 콘택메탈층(CM) 상에는 제4층간절연층(212)이 배치되지 않고, 제2유기절연층(213)이 배치되는 것도 가능하다.
상기와 같은 경우 중립면(NP)은 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나의 내부에 배치되거나 제2층간절연층(207)의 하부에 배치될 수 있다.
또한, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있으며, 제1두께(D1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.5배를 초과하면서 0.76배이하의 범위 내에 있을 수 있다. 또한, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있다. 상기와 같은 제1기판(100-1)의 제1-1두께(D1-1)와 제2기판(100-3)의 제1-2두께(D1-2)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 하나는 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 다른 하나 이상일 수 있다.
유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.16배이상이면서 0.26배이하의 범위일 수 있다.
상기와 같은 제2층간절연층(207) 상에는 충격흡수층(208)이 배치될 수 있다. 이때, 충격흡수층(208)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 제1층간절연층(205)의 제3두께(D3)와 제2층간절연층(207)의 제4두께(D4)보다 클 수 있다. 제1층간절연층(205)은 실리콘옥사이드 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하고 제2층간절연층(207)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 6을 참고하면, 기판(100) 상에는 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200)의 구체적 구조는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
표시 장치(10)는 박막 봉지층(400) 상에 배치되는 입력감지부재(TSL)를 포함한다. 입력감지부재(TSL)의 제5두께(D5)는 기판(100)의 하면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)에 대해서 0.1배 이하의 범위일 수 있다. 이러한 경우 제5두께(D5)가 기판(100)의 하면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.1배를 초과하는 경우 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 상부에 형성되는 경우가 발생함으로써 입력감지부재(TSL)의 상부에 물체가 충돌하는 경우 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손되는 문제가 발생할 수 있다.
입력감지부재(TSL)는 제1터치 도전층(711), 제1절연층(712), 제2터치 도전층(713), 제2절연층(714)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 터치전극(TD)은 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 제2터치 도전층(713)은 접촉 여부를 감지하는 센서부로 작용하고, 제1터치 도전층(711)은 패터닝된 제2터치 도전층(713)을 일 방향으로 연결하는 연결부의 역할을 할 수 있다.
일부 실시예에서, 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713) 모두 센서부로 작용할 수 있다. 예컨대, 제1절연층(712)은 상기 제1터치 도전층(711)의 상면을 노출 시키는 비아홀을 포함하고, 상기 비아홀을 통해서 제1터치 도전층(711)과 상기 제2터치 도전층(713)이 연결될 수 있다. 이와 같이 제1터치 도전층(711)과 제2터치 도전층(713)을 사용함에 따라서, 터치전극(TD)의 저항이 감소하여, 입력감지부재(TSL)의 응답 속도가 향상될 수 있다.
일부 실시예에서, 터치전극(TD)은 유기 발광 소자(220)로부터 방출되는 빛이 통과할 수 있도록 메쉬구조로 형성될 수 있다. 이에 따라, 터치전극(TD)의 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)은 유기 발광 소자(220)의 발광영역과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.
제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)은 각각 전도성이 좋은 도전물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 예를 들어, 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)은 각각 투명 도전층, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 단일막 또는 다층막일 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그래핀 등을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)은 각각 Ti/Al/Ti의 적층 구조를 가질 수 있다.
제1절연층(712) 및 제2절연층(714)는 각각 무기물 또는 유기물로 구비될 수 있다. 상기 무기물은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 또는 실리콘 산화질화물 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 유기물은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
입력감지부재(TSL)는 박막 봉지층(400) 상에 증착 등에 의해 직접 형성되므로, 박막 봉지층(400) 상에 별도의 접착층을 필요로 하지 않는다. 따라서, 표시 장치(10)의 두께가 감소할 수 있다.
상기와 같은 경우 중립면(NP)은 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나의 내부에 배치되거나 제2층간절연층(207)의 하부에 배치될 수 있다.
또한, 제1두께(D1)는 제2두께보다 클 수 있으며, 제1두께(D1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.5배를 초과하면서 0.76배이하의 범위 내에 있을 수 있다. 또한, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있다. 상기와 같은 제1기판(100-1)의 제1-1두께(D1-1)와 제2기판(100-3)의 제1-2두께(D1-2)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 하나는 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 다른 하나 이상일 수 있다.
유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.16배이상이면서 0.26배이하의 범위일 수 있다.
상기와 같은 제2층간절연층(207) 상에는 충격흡수층(208)이 배치될 수 있다. 이때, 충격흡수층(208)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 제1층간절연층(205)의 제3두께(D3)와 제2층간절연층(207)의 제4두께(D4)보다 클 수 있다. 제1층간절연층(205)은 실리콘옥사이드 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하고 제2층간절연층(207)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 7을 참고하면, 기판(100) 상에는 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200)의 구체적 구조는 앞서 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
표시 장치(10)는 박막 봉지층(400) 상에 배치되는 입력감지부재(TSL)를 포함한다. 입력감지부재(TSL)의 제5두께(D5)는 기판(100)의 하면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)에 대해서 0.1배 이하의 범위일 수 있다. 이러한 경우 제5두께(D5)가 기판(100)의 하면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.1배를 초과하는 경우 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 상부에 형성되는 경우가 발생함으로써 입력감지부재(TSL)의 상부에 물체가 충돌하는 경우 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나가 파손되는 문제가 발생할 수 있다.
입력감지부재(TSL)는 제1터치 도전층(711), 제1절연층(712), 제2터치 도전층(713), 제2절연층(714)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 터치전극(TD)은 제1터치 도전층(711) 및 제2터치 도전층(713)을 포함할 수 있다. 이때, 제1터치 도전층(711), 제1절연층(712), 제2터치 도전층(713), 제2절연층(714) 상기 도 6을 참조하여 설명한 바와 같다.
입력감지부재(TSL)는 박막 봉지층(400)과 제1절연층(712) 사이에는 터치 버퍼층(716)이 더 구비될 수 있다. 터치 버퍼층(716)은 박막 봉지층(400)의 손상을 방지하며, 입력감지부재(TSL)의 구동시 발생할 수 있는 간섭 신호를 차단하기 위한 역할을 할 수 있다. 터치 버퍼층(716)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
상기와 같은 경우 중립면(NP)은 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나의 내부에 배치되거나 제2층간절연층(207)의 하부에 배치될 수 있다.
또한, 제1두께(D1)는 제2두께보다 클 수 있으며, 제1두께(D1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.5배를 초과하면서 0.76배이하의 범위 내에 있을 수 있다. 또한, 제1두께(D1)는 제2두께(D2)보다 클 수 있다. 상기와 같은 제1기판(100-1)의 제1-1두께(D1-1)와 제2기판(100-3)의 제1-2두께(D1-2)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 하나는 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 중 다른 하나 이상일 수 있다.
유기봉지층(420)의 제2-1두께(D2-1)는 기판(100)의 저면으로부터 박막 봉지층(400)의 상면까지의 두께(D)의 0.16배이상이면서 0.26배이하의 범위일 수 있다.
상기와 같은 제2층간절연층(207) 상에는 충격흡수층(208)이 배치될 수 있다. 이때, 충격흡수층(208)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 제1층간절연층(205)의 제3두께(D3)와 제2층간절연층(207)의 제4두께(D4)보다 클 수 있다. 제1층간절연층(205)은 실리콘옥사이드 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하고 제2층간절연층(207)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 8을 참고하면, 표시 장치(10)는 기판(100), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215) 및 박막 봉지층(400)을 포함할 수 있다. 이때, 버퍼층(201), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215) 및 박막 봉지층(400)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제1트랜지스터(130a)는 제1반도체층(134a) 및 제1게이트전극(136a)을 포함할 수 있다. 이때, 제1반도체층(134a)은 제1소스영역(132a), 제1드레인영역(133a) 및 제1채널영역(131a)을 포함할 수 있다. 이때, 도면에 도시되어 있지 않지만 제1소스영역(132a)과 제1드레인영역(133a)은 각각 금속들과 연결될 수 있으며, 이러한 금속들은 제1트랜지스터(130a)의 제1소스전극과 제1드레인전극일 수 있다. 제1게이트전극(136a)은 저 저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(140)는 서로 중첩하는 제1전극(144) 및 제2전극(146)을 포함할 수 있다. 이러한 경우 제1트랜지스터(130a), 제1게이트전극(136a) 및 스토리지 커패시터(140)은 상기 도 4에서 설명한 트랜지스터(130), 게이트전극(136) 및 스토리지 커패시터(140)과 동일 또는 유사한 형태일 수 있다.
제2트랜지스터(130b)는 제2반도체층(134b) 및 제2게이트전극(136b)을 포함할 수 있다. 이때, 제2반도체층(134b)은 제2소스영역(132b), 제2드레인영역(133b) 및 제2채널영역(131b)을 포함할 수 있다. 이러한 경우 제2소스영역(132b), 제2드레인영역(133b) 및 제2채널영역(131b)은 상기에서 설명한 제1소스영역(132a), 제1드레인영역(133a) 및 제1채널영역(131a)와 각각 연결될 수 있다.
연결전극(CM)은 화소전극(221)과 제2드레인영역(133b)을 서로 연결할 수 있다. 이때, 제2소스영역(132b)과 제2드레인영역(133b)에는 별도의 금속이 연결될 수 있으며, 이러한 금속은 제2소스전극(SR2)과 제2드레인전극(DR2)일 수 있다. 이때, 제2소스전극(SR2) 또는 제2드레인전극(DR2) 중 하나와 연결전극(CM)이 서로 연결될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 연결전극(CM)은 제2드레인전극(DR2)을 통하여 제2드레인영역(133b)에 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제2게이트전극(136b)은 제2반도체층(134b) 상에 배치될 수 있다. 이때, 제2게이트전극(136b)과 제2반도체층(134b) 사이에는 게이트절연층(203)이 배치될 수 있다. 이러한 경우 제2게이트전극(136b)은 제1게이트전극(136a)과 동일 또는 유사할 수 있다.
한편, 상기와 같은 경우 도 4에 도시된 바와 같이 제1두께(D1), 제2두께(D2), 제3두께(D3), 제4두께(D4) 및 두께(D) 사이의 관계는 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 사이의 관계 및 제2-1두께(D2-1)와 두께(D) 사이의 관계도 상기에서 설명한 것과 동일하게 적용하는 것이 가능하다.
상기와 같은 경우 중립면(NP)의 위치는 제1층간절연층(205)과 제2층간절연층(207) 사이에 배치되거나 제1층간절연층(205)의 하부에 배치될 수 있다.
따라서 표시 장치(10)는 물체의 낙하 시 충격을 효과적으로 흡수함으로써 표시 장치(10)에 물체가 낙하하는 경우에도 표시 장치(10)가 파손되거나 손상되지 않을 수 있다. 또한, 표시 장치(10)는 물체와 충돌 시 인장력이 발생되는 부분이 존재하지 않거나 인장력이 발생하는 부분에 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 부분이 적게 배치됨으로써 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나의 파손을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 9를 참고하면, 표시 장치(10)는 기판(100), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215), 박막 봉지층(400) 및 입력 감지부재(TSL)를 포함할 수 있다. 이때, 기판(100), 버퍼층(201), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215) 및 박막 봉지층(400)은 상기 도 8에서 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.
입력 감지부재(TSL)는 박막 봉지층(400)의 상면에 배치될 수 있다. 이때, 입력 감지부재(TSL)는 제1터치 도전층(711), 제1절연층(712), 제2터치 도전층(713), 제2절연층(714)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우 입력 감지부재(TSL)는 상기 도 6에서 설명한 바와 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같은 경우 제1두께(D1), 제2두께(D2), 제3두께(D3), 제4두께(D4) 및 두께(D) 사이의 관계는 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 사이의 관계, 제2-1두께(D2-1)와 두께(D) 사이의 관계 및 제5두께(D)와 두께(D) 사이의 관계도 상기 도 4 및 도 6에서 설명한 것과 동일하게 적용하는 것이 가능하다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 10을 참고하면, 표시 장치(10)는 기판(100), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215), 박막 봉지층(400) 및 입력 감지부재(TSL)를 포함할 수 있다. 이때, 기판(100), 버퍼층(201), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215) 및 박막 봉지층(400)은 상기 도 8에서 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.
입력 감지부재(TSL)는 박막 봉지층(400)의 상면에 배치될 수 있다. 이때, 입력 감지부재(TSL)는 제1터치 도전층(711), 제1절연층(712), 제2터치 도전층(713), 제2절연층(714) 및 버퍼층(716)이 순차 적층된 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우 입력 감지부재(TSL)는 상기 도 7에서 설명한 바와 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같은 경우 제1두께(D1), 제2두께(D2), 제3두께(D3), 제4두께(D4) 및 두께(D) 사이의 관계는 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 사이의 관계, 제2-1두께(D2-1)와 두께(D) 사이의 관계 및 제5두께(D)와 두께(D) 사이의 관계도 상기 도 4 및 도 7에서 설명한 것과 동일하게 적용하는 것이 가능하다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 11을 참고하면, 표시 장치(10)는 기판(100), 버퍼층(201), 제1게이트절연층(203-1), 제1트랜지스터(130a), 제2트랜지스터(130b), 스토리지 커패시터(140), 제1층간절연층(205), 차폐층(150), 제2층간절연층(207), 제2게이트절연층(203-2), 충격흡수층(208), 제3층간절연층(209), 제1유기절연층(211), 유기 발광 소자(220), 화소정의막(215), 박막 봉지층(400) 및 입력 감지부재(TSL)를 포함할 수 있다. 이때, 기판(100), 버퍼층(201)은 상기 도 8에서 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.
제1트랜지스터(130a)는 제1반도체층(134a) 및 제1게이트전극(136a)을 포함할 수 있다. 이때, 제1반도체층(134a)은 버퍼층(201) 상에 배치될 수 있으며, 제1게이트절연층(203-1)으로 덮일 수 있다. 이러한 경우 제1반도체층(134a)은 제1소스영역(132a), 제1채널영역(131a) 및 제1드레인영역(133a)을 포함할 수 있다. 이때, 제1소스영역(132a) 또는 제1드레인영역(133a) 중 하나는 연결전극(CM)을 통하여 화소전극(221)과 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1소스영역(132a)이 화소전극(221)과 연결되는 경우 제1소스영역(132a)에 연결되는 제1소스전극(SR1)을 통하여 연결전극(CM)과 연결되고, 연결전극(CM)이 화소전극(221)과 연결될 수 있다. 다른 실시예로서 제1드레인전극(DR1) 및 연결전극(CM)을 통하여 제1드레인영역(133a)이 화소전극(221)과 연결될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1소스영역(132a)이 화소전극(221)과 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1게이트절연층(203-1)은 산화물 또는 질화물을 포함하는 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1게이트절연층(203-1)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
제1게이트절연층(203-1) 상에는 제1게이트전극(136a)이 배치될 수 있다. 이때, 제1게이트전극(136a)은 스토리지 커패시터(140)의 제1전극(144)으로도 기능할 수 있다.
제1게이트전극(136a) 상에는 제1층간절연층(205)이 배치될 수 있다. 이때, 제1층간절연층(205)은 상기 도 8에서 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.
상기와 같은 제1층간절연층(205) 상에는 차폐층(150)이 배치될 수 있다. 이때, 차폐층(150)은 제2트랜지스터(130b) 하부에 배치되어 적적한 전압을 인가함으로써 외광 및 기판(100)의 전위에 의해 제2트랜지스터(130b)가 영향을 받지 않도록 할 수 있다. 이때, 차폐층(150)은 도면에 도시되어 있지 않지만 제1트랜지스터(130a) 하부에도 배치되는 것도 가능하다. 상기와 같은 차폐층(150)은 금속을 포함하고 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 차폐층(150)은 몰리브데넘(Mo)을 포함하는 단층 구조일 수 있다. 다른 실시예에서, 차폐층(150)은 버퍼층(201) 상부에 순차적으로 Ti를 갖는 제1층, Al를 갖는 제2층, 및 Ti를 갖는 제3층을 갖는 3층 구조일 수 있다.
상기와 같은 제1층간절연층(205) 상에는 스토리지 커패시터(140)의 제2전극(146)이 배치될 수 있다.
차폐층(150)과 제2전극(146) 상에는 제2층간절연층(207)이 배치될 수 있다. 이때, 제2층간절연층(207)은 상기 도 8에서 설명한 것과 동일 또는 유사할 수 있다.
제2층간절연층(207) 상에는 제2트랜지스터(130b)의 제2반도체층(134b)이 배치될 수 있다. 이때, 제2반도체층(134b)은 제2소스영역(132b), 제2채널영역(131b) 및 제2드레인영역(133b)을 포함하며, 제2소스영역(132b) 및 제2드레인영역(133b)은 금속층과 연결될 수 있으며, 이러한 금속층은 제2소스전극(SR2)과 제2드레인전극(DR2) 역할을 수행할 수 있다.
상기와 같은 제2반도체층(134b) 상에는 제2게이트절연층(203-2)이 배치될 수 있다. 이때, 제2게이트절연층(203-2)은 상기 제1게이트절연층(203-1)과 동일 또는 유사할 수 있다.
제2게이트절연층(203-2) 상에는 제2게이트전극(136b)이 배치될 수 있다. 이때, 제2게이트전극(136b)은 상기 도 8에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제2게이트전극(136b)은 제3층간절연층(209)으로 덮일 수 있다. 이때, 제3층간절연층(209)은 상기에서 설명한 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 중 적어도 하나와 동일 또는 유사할 수 있다.
제3층간절연층(209) 상에는 충격흡수층(208)이 배치될 수 있다. 이때, 충격흡수층(208)은 유기물을 포함할 수 있으며, 상기 도 8에서 설명한 것과 동일 또는 유사할 수 있다.
상기와 같은 충격흡수층(208) 상에는 연결전극(CM)이 배치될 수 있다. 또한, 연결전극(CM) 상에는 순차적으로 제1유기절연층(211)과 제2유기절연층(213)이 배치될 수 있다. 이때, 제1유기절연층(211)과 제2유기절연층(213)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
유기 발광 소자(220)는 화소전극(221), 중간층(222) 및 대향전극(223)을 포함할 수 있다. 화소전극(221)은 연결전극(CM)을 통하여 제1트랜지스터(130a)의 제1소스영역(132a) 또는 제1드레인영역(133a)에 연결되거나 제2트랜지스터(130b)의 제2소스영역(132b) 또는 제2드레인영역(133b)으로 연결될 수 있다. 이때, 유기 발광 소자(220)는 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1소스영역(132a)이 화소전극(221)과 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
유기 발광 소자(220) 상에는 박막 봉지층(400)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(400)은 순차적으로 적층되는 제1무기봉지층(410), 유기봉지층(420) 및 제2무기봉지층(430)을 포함할 수 있다. 이때, 박막 봉지층(400)은 상기 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같은 경우 제1두께(D1), 제2두께(D2), 제3두께(D3), 제4두께(D4) 및 두께(D) 사이의 관계는 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 제1-1두께(D1-1)와 제1-2두께(D1-2) 사이의 관계, 제2-1두께(D2-1)와 두께(D) 사이의 관계는 상기 도 4 및 도 7에서 설명한 것과 동일하게 적용하는 것이 가능하다.
한편, 도면에 도시되어 있지는 않지만 표시 장치(10)는 입력 감지부재(미도시)를 더 포함하는 것도 가능하다. 이러한 경우 상기 입력감지부재는 도 9 및 도 10에 도시된 형태와 같이 박막 봉지층(400) 상에 배치될 수 있다. 이러한 경우 도면에 도시되어 있지는 않지만 제5두께와 두께(D) 사이의 관계는 도 9 및 도 10에 도시된 것과 같은 관계를 가질 수 있다.
따라서 표시 장치(10)는 표시 장치(10)의 상면에서 물체가 낙하하여 박막 봉지층(400)에 충격이 전해지는 경우에도 중립면(NP)을 기준으로 인장력이 발생하는 제2층간절연층(207)의 두께를 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는 중립면(NP)이 제2층간절연층(207)의 하부에 배치되는 경우 박막 봉지층(400)에 충격이 전달되더라도 인장력을 잘 견디는 제1층간절연층(205)을 구비함으로써 제1층간절연층(205)이 파손되지 않을 수 있다.
표시 장치(10)는 충격흡수층(208)를 포함함으로써 표시 장치(10)의 두께 방향으로 전달되는 힘이 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)으로 전달되는 것을 저감시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
100: 기판
130: 트랜지스터
140: 스토리지 커패시터
20: 단자부
200: 표시층
211: 제1유기절연층
220: 유기 발광 소자
400: 박막 봉지층
410: 제1무기봉지층
420: 유기봉지층
430: 제2무기봉지층

Claims (22)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 반도체층;
    상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층;
    상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극;
    상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자; 및
    상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층;을 포함하고,
    상기 박막 봉지층에 충격이 가해질 때, 중립면(Neutral Plane)은 상기 층간절연층 내부에 배치되거나 상기 층간절연층의 하부에 배치되는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 저면으로부터 상기 층간절연층의 저면까지의 거리는 상기 층간절연층의 상면에서 상기 박막 봉지층의 상면까지의 거리보다 큰 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층은 유기 봉지층을 포함하고,
    상기 유기 봉지층의 두께는 상기 기판의 저면으로부터 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.16배이상이면서 0.26배 이하의 범위인 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 층간절연층은,
    제1층간절연층; 및
    상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층;을 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1층간절연층의 두께는 상기 제2층간절연층의 두께보다 큰 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조인 표시 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1층간절연층은 실리콘 산화물을 포함하는 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 층간절연층 상에 배치되는 충격흡수층;을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 충격흡수층은 유기물을 포함하는 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 배치되는 입력감지부재;를 포함하는 표시 장치.
  11. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 반도체층;
    상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층;
    상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극;
    상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자; 및
    상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층;을 포함하고,
    상기 기판의 두께는 상기 기판의 하면에서 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.5배를 초과하면서 0.76배이하인 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층은 유기 봉지층을 포함하고,
    상기 유기 봉지층의 두께는 상기 기판의 저면으로부터 상기 박막 봉지층의 상면까지의 두께의 0.16배이상이면서 0.26배 이하의 범위인 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 층간절연층은,
    제1층간절연층; 및
    상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층;을 포함하는 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1층간절연층의 두께는 상기 제2층간절연층의 두께보다 큰 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조인 표시 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1층간절연층은 실리콘 산화물을 포함하는 표시 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 층간절연층 상에 배치되는 충격흡수층;을 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 충격흡수층은 유기물을 포함하는 표시 장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 배치되는 입력감지부재;를 포함하는 표시 장치.
  20. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 반도체층;
    상기 반도체층 상에 배치되는 층간절연층;
    상기 층간절연층 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 연결되는 소스전극 또는 드레인전극;
    상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결되는 유기 발광 소자; 및
    상기 유기 발광 소자 상에 배치되는 박막 봉지층;을 포함하고,
    상기 박막 봉지층에 충격이 가해지면 상기 층간절연층에는 압축력이 발생하는 표시 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 층간절연층은,
    제1층간절연층; 및
    상기 제1층간절연층 상에 배치되는 제2층간절연층;을 포함하는 표시 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제2층간절연층은 무기물과 유기물이 순차적으로 적층된 구조인 표시 장치.
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