KR102339866B1 - 레벨링제 및 이를 포함하는 유리비아홀 기판 도금을 위한 전기도금 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레벨링제 및 이를 포함하는 전기도금 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기도금 조성물로 유리기판의 비아홀을 도금할 경우, 딤플 또는 보이드가 형성되는 것을 최소화하면서 비아홀 내부를 도금할 수 있다.

Description

레벨링제 및 이를 포함하는 유리비아홀 기판 도금을 위한 전기도금 조성물{LEVELER AND ELECTROPLATING COMPOSITIOR PLATING THROUGH GLASS VIA SUBSTRATE}
본 발명은 유리비아홀 기판(TGV 기판)에 형성된 비아홀(또는 관통홀)의 내부가 효율적으로 도금되도록 할 수 있는 레벨링제 및 이를 포함하는 전기도금 조성물에 관한 것이다.
유리비아홀 기판(TGV 기판)은 높은 열안정성과 낮은 표면 거칠기 특성으로 인해 다양한 전자기기의 부품 소재로 주목을 받고 있다. 이러한 유리비아홀 기판에 반도체 칩을 결합하거나 회로배선을 형성하기 위해서는 비아 금속화(via metallization)에 의한 전극 형성 기술이 중요한 요소로 작용한다.
종래에는 유리비아홀 기판의 비아 금속화(via metallization)를 위해 무전해 도금으로 측면 금속 시드층(Side Seed Metal layer)을 형성하고, 전해 도금으로 비아홀을 채우는 도금 방법이 적용된 바 있다.
그러나 이러한 도금 방법에서는 비아홀의 종횡비(Aspect Ratio), 홀 크기(Hole Diameter) 및 도금액의 첨가 물질(Additive)에 영향을 받아 틈새 결함(Void)이나 경계 결함(Seam)이 비아홀 내에 형성되어 유리비아홀 기판의 전기적 특성 또는 소자 패키지의 신뢰성 저하의 원인이 되는 문제가 발생하고 있다.
따라서 유리비아홀 기판의 비아 금속화를 위한 도금 과정에서 틈새 결함(Void)이나 경계 결함(Seam)이 발생하는 것을 제어할 수 있는 기술 개발이 요구되고 있는 실정이다.
대한민국공개특허공보 제2019-0003050호
본 발명은 유리비아홀 기판에 형성된 비아홀(또는 관통홀)의 내부가 효율적이면서 균일하게 도금되도록 할 수 있는 레벨링제를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기 레벨링제를 포함하는 전기도금 조성물을 제공하고자 한다.
또 본 발명은 상기 전기도금 조성물로 유리비아홀 기판의 비아홀을 도금하는 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것인 레벨링제를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112021089866284-pat00001
[화학식 2]
Figure 112021089866284-pat00002
[화학식 3]
Figure 112021089866284-pat00003
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1 및 R6은 각각 독립적으로, 설폰산기(-SO3H), 수산기(-OH), C1 내지 C10의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수산기(-OH), C2 내지 C20의 헤테로아릴기, -NR7R8 및 -NR9-L3-R10으로 이루어진 군에서 선택되고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 산소(0) 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,
n은 1 내지 10의 정수이고,
상기 R7 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소(H), 수산기(-OH), C6 내지 C20의 아릴기 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 L3은 C1 내지 C5의 알킬렌기이고,
상기 R1 및 R6 각각의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기와, 상기 L1 및 L2 각각의 헤테로아릴렌기는 각각 독립적으로 수산기(-OH), 아미노기(-NH2), 할로겐기 및 C1 내지 C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
한편 본 발명은, 금속 이온 공급원; 및 상기 레벨링제를 포함하는 전기도금 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은, 유리기판에 비아홀을 형성하는 단계; 상기 비아홀이 형성된 유리기판에 무전해 도금을 수행하여 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 무전해 도금층이 형성된 유리기판에 전해 도금을 수행하여 전해 도금층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전해 도금이 상기 전기도금 조성물로 이루어지는 것인 유리비아홀 기판의 비아홀 도금방법을 제공한다.
본 발명에 따른 레벨링제는 전기도금 조성물에 포함되는 첨가제(예를 들어, 광택제, 캐리어, 가속화제)의 분해 속도 및 농도 등이 도금 과정에서 일정하게 유지되도록 할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 레벨링제를 포함하는 전기도금 조성물로 유리비아홀 기판에 형성된 비아홀(또는 관통홀)의 도금(충진)을 진행할 경우, 틈새 결함(Void)이나 경계 결함(Seam)이 발생하는 것을 최소화할 수 있으며, 이로 인해 유리비아홀 기판 또는 소자 패키지의 신뢰성, 안정성 등을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리비아홀 기판의 비아홀 도금 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유리비아홀 기판의 비아홀 도금 과정에서 전해 도금 시 인가되는 전류밀도 파형을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실험예 1에 따른 실험 결과를 나타낸 것이다.
본 발명의 설명 및 청구범위에서 사용된 용어나 단어는, 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명은 유리기판에 형성된 비아홀(또는 관통홀) 내부가 효율적으로 도금(충진)되도록 할 수 있는 레벨링제, 및 이를 포함하는 전기도금 조성물에 관한 것으로, 이에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 레벨링제는 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112021089866284-pat00004
[화학식 2]
Figure 112021089866284-pat00005
[화학식 3]
Figure 112021089866284-pat00006
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 설폰산기(-SO3H), 수산기(-OH), C1 내지 C10의 알킬기(구체적으로 C1 내지 C5의 알킬기), C6 내지 C20의 아릴기(구체적으로 C6 내지 C10의 아릴기) 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기(구체적으로 C3 내지 C10의 헤테로아릴기)로 이루어진 군에서 선택되고,
R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수산기(-OH), C2 내지 C20의 헤테로아릴기(구체적으로 C3 내지 C10의 헤테로아릴기), -NR7R8 및 -NR9-L3-R10으로 이루어진 군에서 선택되고,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 산소(0) 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기(구체적으로 C3 내지 C10의 헤테로아릴렌기)로 이루어진 군에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고, n은 1 내지 10의 정수이고,
상기 R7 내지 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소(H), 수산기(-OH), C6 내지 C20의 아릴기(구체적으로 C6 내지 C10의 아릴기) 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기(구체적으로 C3 내지 C10의 헤테로아릴기)로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 L3은 C1 내지 C5의 알킬렌기(구체적으로 C1 내지 C3의 알킬렌기)이고,
상기 R1의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기와, 상기 R6의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기와, 상기 L1의 헤테로아릴렌기와, 상기 L2의 헤테로아릴렌기는 각각 독립적으로 수산기(-OH), 아미노기(-NH2), 할로겐기 및 C1 내지 C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
구체적으로 레벨링제와 전기도금 조성물에 첨가되는 첨가제(예를 들어, 광택제, 캐리어, 가속화제 등) 간의 상호작용을 고려할 때, 상기 R1 및 R6은 각각 독립적으로 설폰산기(-SO3H), 수산기(-OH),
Figure 112021089866284-pat00007
,
Figure 112021089866284-pat00008
,
Figure 112021089866284-pat00009
및
Figure 112021089866284-pat00010
로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또한 상기 R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수산기(-OH),
Figure 112021089866284-pat00011
,
Figure 112021089866284-pat00012
,
Figure 112021089866284-pat00013
,
Figure 112021089866284-pat00014
및
Figure 112021089866284-pat00015
로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또 상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 산소(O) 및
Figure 112021089866284-pat00016
로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또한 상기 a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1의 정수일 수 있다.
구체적으로 본 발명에 따른 레벨링제는 하기 C-1 내지 C-4로 표시되는 화합물로 구체화될 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112021089866284-pat00017
Figure 112021089866284-pat00018
Figure 112021089866284-pat00019
Figure 112021089866284-pat00020
본 발명에서의 헤테로아릴기는 N, O, S, F 등과 같은 헤테로 원자를 하나 이상 포함하는 1가의 방향족 고리기를 의미할 수 있다.
본 발명에서의 할로겐기는 플루오르기, 브롬기, 클로로기, 아이오드기 등을 의미할 수 있다.
한편 본 발명에 따른 레벨링제를 합성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 합성효율을 높이기 위해 용매 존재 하에 알킬화제(alkylation agent) 화합물과 아민계 화합물을 반응시키는 방법이 적용될 수 있다. 구체적으로 제1 알킬화제 화합물과 아민계 화합물을 용매에 투입하고 반응시킨 후, 제2 알킬화제 화합물을 첨가 및 반응시키는 과정을 거쳐 본 발명에 따른 레벨링제를 합성할 수 있다.
상기 제1 알킬화제 화합물은 특별히 한정되지 않으나, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르(1,4-Butanediol Diglycidyl Ether), 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르(Neopentyl Glycol Diglycidyl Ether) 및 1,2-비스(2-클로로에톡시)에탄(1,2-Bis(2-chloroethoxy)ethane)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 제2 알킬화제 화합물은 특별히 한정되지 않으나, 1,3-프로판설톤(1,3-propanesultone), 에피클로로히드린(Epichlorohydrin), 벤질클로라이드(Benzyl chloride), 아닐린(Aniline), 3-(클로로메틸)피리딘(3-(Chloromethyl)pyridine), 프로필렌옥사이드(Propylene oxide), 무수벤조산(Benzoic anhydride), 2-메틸아지리딘(2-Methyl aziridine), 피리딘(Pyridine), 테트라메틸티오우레아(Tetramethylthiourea) 및 벤즈이미다졸(Benzimidazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 아민계 화합물은 특별히 한정되지 않으나, 이미다졸(Imidazole), 4-아미노피리딘(4-Amino pyridine), 피페라진(Piperazine), 모노에탄올아민(Mono ethanol amine), 아닐린(Aniline), 2-니트로이미다졸(2-Nitro imidazole), 우레아(Urea), 피라진(Pyrazine) 및 피리미딘(Pyrimidine)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 제1 알킬화제 화합물과 아민계 화합물의 반응 조건은 특별히 한정되지 않으나, 이들의 반응은 50 내지 170 ℃에서 6 내지 24 시간 동안 이루어질 수 있다. 또한 제2 알킬화제 화합물 첨가 후의 반응 조건은 특별히 한정되지 않으나, 제2 알킬화제 화합물의 첨가 후의 반응은 50 내지 100 ℃에서 3 내지 12 시간 동안 이루어질 수 있다.
상기 제1 알킬화제 화합물, 제2 알킬화제 화합물 및 아민계 화합물의 각 반응비율은 특별히 한정되지 않으나, 제1 알킬화제 화합물과 아민계 화합물의 반응비율은 1:1 내지 3:1의 중량비일 수 있고, 제1 알킬화제 화합물과 제2 알킬화제 화합물의 반응비율은 1:1 내지 4:1의 중량비일 수 있다.
상기 제1 알킬화제 화합물, 제2 알킬화제 화합물 및 아민계 화합물의 반응에 사용되는 용매는 통상적으로 공지된 용매라면 특별히 한정되지 않으나, 용해성 및 합성 효율 등을 고려하여 수성 용매(물, 정제수, 탈이온수 등), 알코올계 용매(에탄올, 메탄올 등) 및 유기계 용매(디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드 등)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 레벨링제는 상기 합성 방법을 통해 얻어진 단량체(n=1인 경우) 그 자체이거나 얻어진 단량체를 이용하여 통상적인 중합 반응을 진행하여 얻은 중합체(n=2 내지 10인 경우)일 수 있다.
본 발명은 상기 레벨링제를 포함하는 전기도금 조성물을 제공한다. 구체적으로 본 발명에 따른 전기도금 조성물은 레벨링제와 금속 이온 공급원을 포함한다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 레벨링제에 대한 설명은 상기에서 설명한 바와 동일하므로 생략하도록 한다. 이러한 레벨링제의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 회로패턴의 균일성 및 도금 효율 등을 고려할 때, 3 내지 50 ml/l일 수 있고, 구체적으로는 5 내지 20 ml/l일 수 있다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 금속 이온 공급원은 조성물 내에 금속 이온을 공급하는 것으로, 통상적으로 공지된 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 금속 이온 공급원은 구리 이온 공급원일 수 있다. 이러한 금속 이온 공급원의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 회로패턴의 균일성 및 밀도 등을 고려할 때, 100 내지 300 g/L일 수 있고, 구체적으로는 200 내지 250 g/L일 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 전기도금 조성물은 그 물성을 높이기 위해 강산, 할로겐 이온 공급원, 광택제 및 캐리어(억제제)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 강산은 pH 조절과 더불어 전해질 역할을 하는 것으로, 통상적으로 공지된 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 강산은 황산, 염산, 메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 설폰산, 브롬화수소산 및 플루오로붕산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 이러한 강산의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 전기도금 조성물의 pH 등을 고려할 때, 50 내지 150 g/L일 수 있고, 구체적으로는 90 내지 110 g/L일 수 있다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 할로겐 이온 공급원은 조성물 내에 할로겐 이온을 공급하는 것으로, 통상적으로 공지된 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 할로겐 이온 공급원은 염소 이온 공급원일 수 있다. 이러한 할로겐 이온 공급원의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 회로패턴의 균일성 및 밀도 등을 고려할 때, 30 내지 60 mg/L일 수 있고, 구체적으로는 40 내지 50 mg/L일 수 있다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 광택제(brightener)는 금속 이온의 환원속도를 증가시켜 도금을 촉진시키는 것으로, 통상적으로 공지된 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 광택제는 비스-(3-설포프로필) 디설파이드(나트륨염)(bis-(3-sulfopropyl)disulfide, sodium salt), 3-머캅토-1-프로판설폰산(나트륨염)(3-mercapto-1-propanesulfonic acid, sodium salt), 3-아미노-1-프로판설폰산(3-Amino-1-propanesulfonic acid), O-에틸-S-(3-설포프로필)디티오카보네이트(나트륨염)(O-Ethyl-S-(3-sulphopropyl) dithiocarbonate, sodium salt), 3-(2-벤즈티아졸일-1-티오)-1-프로판설폰산(나트륨염)(3-(2-Benzthiazoly-1-thio)-1-propanesulfonic acid, sodium salt) 및 N,N-디메틸디티오카르밤산-(3-설포프로필)에스테르(나트륨염)(N,N-Dimethyldithiocarbamic acid-(3-sulfopropyl)ester, sodium salt)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 이러한 광택제의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 도금 속도 등을 고려할 때, 0.5 내지 5 ml/L일 수 있고, 구체적으로는 1 내지 3.5 ml/L일 수 있다.
본 발명에 따른 전기도금 조성물에 포함되는 캐리어는 회로패턴의 표면 평탄도를 높이기 위한 것으로, 통상적으로 공지된 물질이 사용될 수 있다. 이러한 캐리어의 농도(함유량)는 특별히 한정되지 않으나, 회로패턴의 균일성 및 도금 효율 등을 고려할 때, 5 내지 15 ml/L일 수 있고, 구체적으로는 8 내지 12 ml/L일 수 있다.
본 발명은 상기 전기도금 조성물로 유리비아홀 기판의 비아홀을 도금하는 방법을 제공한다. 구체적으로 본 발명에 따른 유리비아홀 기판의 비아홀 도금방법은, 유리기판에 비아홀을 형성하는 단계; 상기 비아홀이 형성된 유리기판에 무전해 도금을 수행하여 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 무전해 도금층이 형성된 유리기판에 전해 도금을 수행하여 전해 도금층을 형성하는 단계를 포함하는데, 이에 대해 도 1을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유리기판(201)에 비아홀(H)을 형성한다. 상기 비아홀(H)은 통상적으로 공지된 방법으로 형성할 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 테이퍼 형태를 갖도록 형성될 수 있다.
다음, 비아홀(H)이 형성된 유리기판(201)에 무전해 도금을 수행하여 비아홀(H) 내부와 유리기판(201)의 표면에 무전해 도금층(202)을 형성한다. 상기 무전해 도금을 수행하기 위한 도금액 조성물로는 통상적으로 공지된 것을 사용할 수 있다. 일례로, 구리 이온, 구리 이온 착화제, 구리 이온 환원제, pH 조절제 및 첨가제를 포함하는 도금액 조성물을 사용할 수 있다. 또한 무전해 도금 조건은 특별히 한정되지 않으나, 20-40 ℃ 온도 범위에서 두께 1 ㎛ 이하의 무전해 도금층(202)이 형성되도록 이루어질 수 있다.
그 다음, 무전해 도금층(202)이 형성된 유리기판(201)에 전해 도금을 수행하여 전해 도금층(203)을 형성하는 과정을 거쳐 비아홀(H)의 도금(충진)을 완료한다. 상기 전해 도금을 수행하기 위한 도금액 조성물로는 상기에서 설명한 전기도금 조성물을 사용할 수 있다.
여기서 전기도금 조성물로 전해 도금 시 인가되는 전류밀도는 특정 파형으로 인가될 수 있다. 즉, 도 2를 참조하면 't1+t2+t3+t4+t5+t6'의 주기를 갖는 계단식 펄스(+전류 인가)-리벌스(-전류 인가) 파형의 전류밀도와 't7'의 주기를 갖는 직류 파형(+전류 인가)의 전류밀도가 순차적으로 인가될 수 있다. 구체적으로 플러스 전류 I1을 시간 t1동안 유지하고, 이어서 플러스 전류 I2를 시간 t2동안 유지하고, 이어서 플러스 전류 I1을 시간 t3동안 유지하고, 이어서 마이너스 전류 I3을 시간 t4동안 유지하고, 이어서 마이너스 전류 I4를 시간 t5동안 유지하고, 이어서 마이너스 전류 I6을 시간 t6동안 유지하는 파형을 주기적으로 소정의 시간 동안 인가한 후, 플러스 전류 I7(직류 전류)을 시간 t7동안 인가하여 전해 도금을 수행하는 것이다.
여기서 비아홀(H) 내부를 도금함에 있어, 딤플 및 보이드가 형성되는 것을 최소화하기 위해 상기 I1은 0.5 내지 3 ASD, 상기 I2는 0.75 내지 4.5 ASD, 상기 I3은 -0.1 내지 -1 ASD, 상기 I4는 -1 내지 -9 ASD, 상기 I5는 1 내지 6 ASD 일 수 있다. 또한 t1, t2, t3는 각각 10 내지 300 ms일 수 있고, t4, t5, t6는 각각 2 내지 20 ms일 수 있고, t7은 10 내지 60 min일 수 있다.
이와 같이 전해 도금 시 't1+t2+t3+t4+t5+t6'의 주기를 나타내는 계단식 펄스-리벌스 파형(PR)으로 전류밀도를 인가한 후, t7의 주기를 나타내는 직류 파형(DC)으로 전류밀도가 인가됨에 따라 딤플 및 보이드의 형성을 최소화하면서 비아홀의 도금이 효율적으로 이루어지도록 할 수 있다.
이하, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어서 명백한 것이며, 이들 만으로 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1]
1,4-부탄디올디글리시딜에테르(1,4-Butanediol Diglycidyl Ether)와 4-아미노피리딘(4-Amino pyridine)을 디메틸포름아미드(DMF)에 투입한 후 120 내지 150 ℃에서 용해시키고 10 내지 15 시간 동안 반응시켰다. 다음, 벤질클로라이드(Benzyl chloride)를 첨가하고 5 내지 8 시간 동안 반응시키는 과정을 거쳐 레벨링제 화합물을 합성하였다. 이때, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르와 4-아미노피리딘의 사용비율은 2:1의 중량비로, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르와 벤질클로라이드의 사용비율은 2:1의 중량비로 하였다.
[ 실시예 2 내지 실시예 9]
1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 4-아미노피리딘, 벤질클로라이드 대신에 하기 표 1과 같은 반응원료를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 레벨링제 화합물을 합성하였다.
구분 제1 화합물 제2 화합물 제3 화합물
실시예 1 1,4-부탄디올디글리시딜에테르 4-아미노피리딘 벤질클로라이드
실시예 2 1,4-부탄디올디글리시딜에테르 피페라진 아닐린
실시예 3 1,4-부탄디올디글리시딜에테르 모노에탄올아민 3-(클로로메틸)피리딘
실시예 4 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르 아닐린 프로필렌옥사이드
실시예 5 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르 2-니트로이미다졸 무수벤조산
실시예 6 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르 우레아 2-메틸아지리딘
실시예 7 1,2-비스(2-클로로에톡시)에탄 우레아 피리딘
실시예 8 1,2-비스(2-클로로에톡시)에탄 피라진 테트라메틸티오우레아
실시예 9 1,2-비스(2-클로로에톡시)에탄 피리미딘 벤즈이미다졸
[ 제조예 1]
황산구리 5수화물 230 g/L, 황산 100 g/L, 염산 40 내지 50 mg/L, 비스-(소듐 설포프로필)-디설페이드(Bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide) 1 내지 3.5 ml/L, 캐리어 10 ml/L, 실시예 1의 레벨링제 10 ml/l을 포함하는 전기도금 조성물을 준비하였다.
[ 제조예 2]
실시예 1의 레벨링제 대신에 실시예 2의 레벨링제를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 과정으로 전기도금 조성물을 준비하였다.
[ 비교제조예 1]
실시예 1의 레벨링제 대신에 종래에 공지된 레벨링제(dicolloy社, KDY2)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 과정으로 전기도금 조성물을 준비하였다.
[ 실험예 1]
두께 400 ㎛의 유리기판에 상단폭이 150 ㎛이고 하단폭이 20 ㎛인 테이퍼 형태의 비아홀을 형성하였다. 다음, 25% NaOH에 5 분 동안 유리기판을 침적시켜 클리닝을 진행하였다. 이후 구리 이온, 구리 이온 착화제, 구리 이온 환원제, pH 조절제 및 첨가제를 포함하는 도금액 조성물에 비아홀이 형성된 유리기판을 투입하고 34 ℃에서 무전해 도금을 진행하여 두께가 약 0.5-0.8 ㎛인 무전해 도금층을 형성하였다. 그 다음, 제조예 1, 2와 비교제조예 1에서 각각 준비된 전기도금 조성물로 도금을 진행하여 비아홀 내부를 도금하였다. 상기 전기도금 조성물로 도금 시 도금 조건은 다음과 같이 설정하였다.
- 전기도금 조성물 온도: 21 내지 24 ℃
- 교반: 0.5 내지 1.5 LPM/con.
- 전극: 불용성 전극
- 전류밀도: 하기 표 2 조건으로 계단식 펄스-리펄스 파형 적용 후 직류 파형 적용
전류밀도(ASD) 각 펄스
인가시간(ms)		 각 리벌스
인가시간(ms)		 펄스-리벌스
총 인가시간(분)		 직류(DC)
총 인가시간(분)
I1 I2 I3 I4 I5 10-300 2-20 45 30
1 3 -0.5 -3 2
비아홀 내부 도금을 완료한 후, 유리기판의 단면을 광학현미경으로 확인하였으며, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 전기도금 조성물인 제조예 1 및 2로 전해 도금이 이루어진 경우, 기판의 기저면부터 도금이 단계적으로 이루어지면서 보이드 형성이 최소화된 것을 확인할 수 있었다. 반면에 비교제조예 1로 전해 도금이 이루어진 경우, 중앙 부분에서 보이드가 크게 형성된 것을 확인할 수 있었다.
[ 실험예 2]
실험예 1에서 제조예 1의 전기도금 조성물로 전해 도금 시 전류밀도 인가조건을 하기 표 3과 같이 조정하여 비아홀 내부 도금을 진행하였다. 도금 완료 후 유리기판의 단면에 보이드가 형성되었는지를 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
구분 전류밀도(ASD) 각 펄스
인가시간
(ms)		 각 리벌스
인가시간
(ms)		 펄스-리벌스
총 인가시간
(분)		 직류(DC)
총 인가시간
(분)
I1 I2 I3 I4 I5
조건 1
(PR->DC)		 1 3 -0.5 -3 2 10-300 2-20 45 30
조건 2(PR->DC) 1 3 -0.5 -3 2 10-300 2-20 60 30
조건 3
(DC->PR->DC)		 1 3 -0.5 -3 2 10-300 2-20 60 40
(1차 DC: 10
2차 DC: 30)
구분 Void 발생 여부
조건 1 미발생(기저면부터 단계적으로 도금이 잘 이루어짐)
조건 2 미발생(기저면부터 단계적으로 도금이 잘 이루어짐)
조건 3 중앙부분 발생
상기 표 4를 참조하면, 본 발명에 따른 전기도금 조성물로 비아홀 도금 시 계단식 펄스-리벌스 파형과 직류 파형을 순차적으로 적용함에 따라 보이드 발생 없이 비아홀 도금이 잘 이루어진다는 것을 확인할 수 있었다.
201: 유리기판
202: 무전해 도금층
203: 전해 도금층

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전기도금 조성물용 레벨링제:
    [화학식 1]
    Figure 112021108140607-pat00021

    [화학식 2]
    Figure 112021108140607-pat00022

    [화학식 3]
    Figure 112021108140607-pat00023

    상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
    R1 및 R6은 각각 독립적으로, 설폰산기(-SO3H), 수산기(-OH), C1 내지 C10의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
    R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수산기(-OH), C2 내지 C20의 헤테로아릴기, -NR7R8 및 -NR9-L3-R10으로 이루어진 군에서 선택되고,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 산소(0) 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,
    n은 1 내지 10의 정수이고,
    상기 R7 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소(H), 수산기(-OH), C6 내지 C20의 아릴기 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
    상기 L3은 C1 내지 C5의 알킬렌기이고,
    상기 R1 및 R6 각각의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기와, 상기 L1 및 L2 각각의 헤테로아릴렌기는 각각 독립적으로 수산기(-OH), 아미노기(-NH2), 할로겐기 및 C1 내지 C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 R1 및 R6은 각각 독립적으로 설폰산기(-SO3H), 수산기(-OH),
    Figure 112021108140607-pat00024
    ,
    Figure 112021108140607-pat00025
    ,
    Figure 112021108140607-pat00026
    및
    Figure 112021108140607-pat00027
    로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전기도금 조성물용 레벨링제.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수산기(-OH),
    Figure 112021108140607-pat00028
    ,
    Figure 112021108140607-pat00029
    ,
    Figure 112021108140607-pat00030
    ,
    Figure 112021108140607-pat00031
    및
    Figure 112021108140607-pat00032
    로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전기도금 조성물용 레벨링제.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 산소(O) 및
    Figure 112021108140607-pat00033
    로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전기도금 조성물용 레벨링제.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,
    상기 n은 1의 정수인 것인 전기도금 조성물용 레벨링제.
  6. 금속 이온 공급원; 및
    청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 레벨링제를 포함하는 전기도금 조성물.
  7. 유리기판에 비아홀을 형성하는 단계;
    상기 비아홀이 형성된 유리기판에 무전해 도금을 수행하여 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및
    상기 무전해 도금층이 형성된 유리기판에 전해 도금을 수행하여 전해 도금층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전해 도금은 청구항 6에 따른 전기도금 조성물로 이루어지는 것인 유리비아홀 기판의 비아홀 도금방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 전해 도금에 계단식 펄스-리벌스 파형의 전류밀도와 직류 파형의 전류밀도가 순차적으로 인가되는 것인 유리비아홀 기판의 비아홀 도금방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110103894A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 도금조 및 방법
KR20180051865A (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 솔브레인 주식회사 레벨링제 및 이를 포함하는 전기도금 조성물
KR20190003050A (ko) 2017-06-30 2019-01-09 한국과학기술원 관통형 ｔｇｖ 금속 배선 형성 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2788080T3 (es) * 2009-09-08 2020-10-20 Atotech Deutschland Gmbh Polímeros con grupos terminales amino y su uso como aditivos para baños galvanoplásticos de zinc y de aleaciones de zinc
EP2735627A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-28 ATOTECH Deutschland GmbH Copper plating bath composition
KR102023363B1 (ko) * 2016-07-15 2019-09-24 한국생산기술연구원 니켈 도금용 평탄제 및 이를 포함하는 니켈 도금액
KR102339866B1 (ko) * 2021-08-04 2021-12-16 와이엠티 주식회사 레벨링제 및 이를 포함하는 유리비아홀 기판 도금을 위한 전기도금 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110103894A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 도금조 및 방법
KR20180051865A (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 솔브레인 주식회사 레벨링제 및 이를 포함하는 전기도금 조성물
KR20190003050A (ko) 2017-06-30 2019-01-09 한국과학기술원 관통형 ｔｇｖ 금속 배선 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023013987A1 (en) * 2021-08-04 2023-02-09 Corning Precision Materials Co., Ltd A leveling agent and an electroplating composition including the same

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