KR102339795B1 - Movable Masking Element - Google Patents

Movable Masking Element Download PDF

Info

Publication number
KR102339795B1
KR102339795B1 KR1020207001887A KR20207001887A KR102339795B1 KR 102339795 B1 KR102339795 B1 KR 102339795B1 KR 1020207001887 A KR1020207001887 A KR 1020207001887A KR 20207001887 A KR20207001887 A KR 20207001887A KR 102339795 B1 KR102339795 B1 KR 102339795B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
masking element
substrate
deposition source
distance
Prior art date
Application number
KR1020207001887A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200020868A (en
Inventor
랄프 린덴베르크
유르겐 그릴마이어
린 캔
존 엠. 화이트
마르쿠스 하니카
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20200020868A publication Critical patent/KR20200020868A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102339795B1 publication Critical patent/KR102339795B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Abstract

증착 장치가 제공된다. 증착 장치는 기판 수용 영역에서 재료를 증착시키도록 구성된 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 포함한다. 증착 장치는 마스킹 엘리먼트를 포함한다. 마스킹 엘리먼트는 제1 방향으로 연장되는 기판 에지 구역을 마스킹하도록 구성된다. 마스킹 엘리먼트는 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 제1 방향으로 이동되도록 구성된다.A deposition apparatus is provided. The deposition apparatus includes a first deposition source and a second deposition source configured to deposit material in the substrate receiving region. The deposition apparatus includes a masking element. The masking element is configured to mask the substrate edge region extending in the first direction. The masking element is configured to move in at least a first direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element.

Description

이동가능 마스킹 엘리먼트Movable Masking Element

[0001] 본 명세서에 설명되는 실시예들은 기판 상에 재료를 증착시키기 위한 증착 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판의 에지 구역을 마스킹하기 위한 마스킹 엘리먼트를 포함하는 증착 장치에 관한 것이다.[0001] Embodiments described herein relate to a deposition apparatus for depositing material on a substrate, and more particularly to a deposition apparatus comprising a masking element for masking an edge region of a substrate.

[0002] 기판 상에 재료를 증착시키기 위한 수 개의 방법들이 알려져 있다. 예컨대, 기판들은 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스 등에 의해 코팅될 수 있다. 통상적으로, 프로세스는, 코팅될 기판이 위치되는 프로세스 장치 또는 프로세스 챔버에서 수행된다. 증착 재료가 장치에 제공된다. PVD 프로세스가 수행되는 경우, 증착 재료는, 예컨대 가스 상(gaseous phase)일 수 있다. 복수의 재료들이 기판 상에서의 증착을 위해 사용될 수 있다. 그들 중에서, 여러 다양한 금속들 뿐만 아니라 산화물들, 질화물들 또는 탄화물들이 사용될 수 있다. 통상적으로, PVD 프로세스가 박막 코팅들에 적합하다.[0002] Several methods are known for depositing material on a substrate. For example, the substrates may be coated by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, or the like. Typically, the process is performed in a process apparatus or process chamber in which the substrate to be coated is located. A deposition material is provided to the apparatus. When a PVD process is performed, the deposition material may be, for example, a gaseous phase. A plurality of materials may be used for deposition on the substrate. Among them, many different metals as well as oxides, nitrides or carbides can be used. Typically, the PVD process is suitable for thin film coatings.

[0003] 코팅된 재료들이 수 개의 애플리케이션들에서 그리고 수 개의 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 애플리케이션은 반도체 디바이스들을 생성하는 것과 같이 마이크로일렉트로닉스(microelectronics)의 분야에 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들은 종종 PVD 프로세스에 의해 코팅된다. 추가적인 애플리케이션들은, 절연 패널들, 유기 발광 다이오드(OLED) 패널들 뿐만 아니라 하드 디스크들, CD들, DVD들 등을 포함한다.[0003] Coated materials may be used in several applications and in several technical fields. An application is, for example, in the field of microelectronics, such as creating semiconductor devices. Also, substrates for displays are often coated by a PVD process. Additional applications include insulated panels, organic light emitting diode (OLED) panels as well as hard disks, CDs, DVDs, and the like.

[0004] 코팅 프로세스들에서, 예컨대 코팅될 영역을 더 양호하게 정의하기 위해 마스크들을 사용하는 것이 유용할 수 있다. 일부 애플리케이션들에서, 기판의 일부들만이 코팅되어야 하며, 코팅되지 않을 부분들은 마스크에 의해 커버된다. 일부 애플리케이션들, 이를테면 대면적 기판 코팅 장치들에서, 기판의 에지가 코팅되는 것을 배제하는 것이 바람직하다. 에지 배제를 하면, 코팅 없는 기판 에지들을 제공하고 기판의 후면측의 코팅을 방지하는 것이 가능하다.In coating processes, it can be useful, for example, to use masks to better define the area to be coated. In some applications, only portions of the substrate need to be coated, and portions that will not be coated are covered by a mask. In some applications, such as large area substrate coating apparatuses, it is desirable to exclude the edge of the substrate from being coated. With edge exclusion, it is possible to provide substrate edges without coating and to prevent coating of the back side of the substrate.

[0005] 그러나, 재료 증착 프로세스에서 마스크는 또한, 기판 전방의 마스크의 위치로 인해 증착 재료에 노출된다. 따라서, 증착 재료는 프로세싱 동안 마스크의 표면 상에 누적된다. 이것은 마스크 상에 증착되는 재료로 인한 마스크의 변형된 형상을 초래할 수 있다. 예컨대, 마스크 애퍼처의 주변부 또는 경계부는 마스크 상에 증착 재료 층이 상장함에 따라 감소될 수 있다. 종종, 마스크에 의해 커버되는 영역의 정확한 치수들을 확인하기 위해 마스크의 세정 절차가 수행된다. 이러한 세정 절차는 재료 증착 프로세스를 중단시키고, 따라서 시간 및 비용 집약적이다.However, in the material deposition process the mask is also exposed to the deposition material due to the position of the mask in front of the substrate. Thus, deposition material accumulates on the surface of the mask during processing. This can result in a deformed shape of the mask due to the material being deposited on the mask. For example, the perimeter or boundary of the mask aperture may be reduced as a layer of deposition material is deposited on the mask. Often, a cleaning procedure of the mask is performed to ascertain the exact dimensions of the area covered by the mask. This cleaning procedure interrupts the material deposition process and is therefore time and cost intensive.

[0006] 위의 관점에서, 당업계의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것이 본 개시내용의 목적이다.[0006] In view of the above, it is an object of the present disclosure to provide a deposition apparatus and a deposition method that overcome at least some of the problems in the art.

[0007] 일 실시예에 따르면, 증착 장치가 제공된다. 증착 장치는 기판 수용 영역에서 재료를 증착시키도록 구성된 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 포함한다. 증착 장치는 마스킹 엘리먼트를 포함한다. 마스킹 엘리먼트는 제1 방향으로 연장되는 기판 에지 구역을 마스킹하도록 구성된다. 마스킹 엘리먼트는 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 제1 방향으로 이동되도록 구성된다.According to one embodiment, a deposition apparatus is provided. The deposition apparatus includes a first deposition source and a second deposition source configured to deposit material in the substrate receiving region. The deposition apparatus includes a masking element. The masking element is configured to mask the substrate edge region extending in the first direction. The masking element is configured to move in at least a first direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element.

[0008] 추가적인 실시예에 따르면, 증착 방법이 제공된다. 증착 방법은, 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 사용하여 기판 상에 재료를 증착시키는 단계를 포함한다. 기판은 제1 방향으로 연장되는 기판 에지 구역을 포함한다. 증착 방법은 제1 포지션에 배열된 마스킹 엘리먼트를 사용하여 기판 에지 구역을 마스킹하는 단계를 포함한다. 증착 방법은 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 제1 포지션으로부터 제2 포지션으로 마스킹 엘리먼트를 이동시키는 단계를 포함하며, 여기서 제2 포지션은 제1 포지션으로부터 제1 방향으로 일정 거리에 있다.According to a further embodiment, a deposition method is provided. The deposition method includes depositing a material on a substrate using a first deposition source and a second deposition source. The substrate includes a substrate edge region extending in a first direction. The deposition method includes masking a substrate edge region using a masking element arranged in a first position. The deposition method includes moving the masking element from a first position to a second position to compensate for accumulation of deposition material on the masking element, wherein the second position is a distance from the first position in a first direction. .

[0009] 당업자에게 완전하고 실시가능하게 하는 개시내용은 첨부한 도면들에 대한 참조를 포함하는 본 명세서의 나머지에서 더 구체적으로 기재되어 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치를 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 이동되도록 구성된 마스킹 엘리먼트를 예시한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 이동되도록 구성된 마스킹 엘리먼트를 예시한다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 이동되도록 구성된 마스킹 엘리먼트를 예시한다.
도 5a 및 도 5b는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 복수의 증착 소스들을 포함하는 증착 장치를 도시한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The disclosure, which is complete and enabling one of ordinary skill in the art, is more particularly set forth in the remainder of this specification, including reference to the accompanying drawings.
1A-1C illustrate a deposition apparatus according to embodiments described herein.
2A and 2B illustrate a masking element configured to be moved in accordance with embodiments described herein.
3A-3D illustrate a masking element configured to be moved in accordance with embodiments described herein.
4A and 4B illustrate a masking element configured to be moved in accordance with embodiments described herein.
5A and 5B illustrate a deposition apparatus including a plurality of deposition sources, in accordance with embodiments described herein.

[0010] 이제, 다양한 실시예들에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시되어 있다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명에 의해 제공되며, 제한을 의미하지 않는다. 추가로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예들에 대해 또는 그들과 함께 사용될 수 있다. 설명이 그러한 수정들 및 변경들을 포함한다는 것이 의도된다.Reference will now be made in detail to various embodiments, one or more examples of which are illustrated in the drawings. Within the following description of the drawings, like reference numbers refer to like components. In general, only differences to individual embodiments are described. Each example is provided by way of illustration and not limitation. Additionally, features illustrated or described as part of one embodiment may be used with or with other embodiments to yield a still further embodiment. It is intended that the description cover such modifications and variations.

[0011] 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "증착"이라는 용어는 더 구체적으로 층 증착을 지칭할 수 있다. 층 증착 프로세스 또는 코팅 프로세스는, 재료가 기판 상에 증착되어 기판 상에 증착된 재료의 층을 형성하는 프로세스이다. 예컨대, 층 증착 프로세스는 스퍼터링 프로세스, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스 등을 지칭할 수 있다. 층 증착 프로세스는, 코팅될 기판이 위치되는 프로세스 챔버에서, 특히 진공 프로세스 챔버에서 수행될 수 있다.[0011] As used herein, the term “deposition” may more specifically refer to layer deposition. A layer deposition process or coating process is a process in which material is deposited on a substrate to form a layer of material deposited on the substrate. For example, the layer deposition process may refer to a sputtering process, a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, or the like. The layer deposition process may be performed in a process chamber in which the substrate to be coated is located, in particular in a vacuum process chamber.

[0012] 일 실시예에 따르면, 증착 장치가 제공된다. 증착 장치는 기판 수용 영역에서 재료를 증착시키도록 구성된 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 포함한다. 증착 장치는 마스킹 엘리먼트를 포함한다. 마스킹 엘리먼트는 제1 방향으로 연장되는 기판 에지 구역을 마스킹하도록 구성된다. 마스킹 엘리먼트는 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 제1 방향으로 이동되도록 구성된다.According to one embodiment, a deposition apparatus is provided. The deposition apparatus includes a first deposition source and a second deposition source configured to deposit material in the substrate receiving region. The deposition apparatus includes a masking element. The masking element is configured to mask the substrate edge region extending in the first direction. The masking element is configured to move in at least a first direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element.

[0013] 도 1a 내지 도 1c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치(100)를 도시한다. 도 1a 내지 도 1c에 도시된 예시적인 증착 장치(100)는 수직으로 배향된 기판(160)을 프로세싱하기 위한 것이다. 그러나, 본 명세서에 설명되는 실시예들은 수직으로 배향되는 기판들로 제한되지 않으며, 기판(160)의 다른 배향들이 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 또한 고려될 수 있다.1A-1C show a deposition apparatus 100 according to embodiments described herein. The exemplary deposition apparatus 100 shown in FIGS. 1A-1C is for processing a vertically oriented substrate 160 . However, embodiments described herein are not limited to vertically oriented substrates, and other orientations of substrate 160 are also contemplated in accordance with embodiments described herein.

[0014] 도 1a는 증착 장치(100)의 평면도를 도시한다. 증착 장치(100)는 기판 수용 영역에서 기판(160)을 코팅하기 위한 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)를 포함한다. 도 1a에 예시된 실시예에서, 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)는 각각 회전식 타겟을 포함한다. 제1 증착 소스(110)는 회전 축(112)을 갖는다. 제2 증착 소스(120)는 회전 축(122)을 갖는다. 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)는 회전식 타겟들로 제한되지 않으며, 다른 타입들의 증착 소스들이 또한 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 고려될 수 있다.1A shows a top view of a deposition apparatus 100 . The deposition apparatus 100 includes a first deposition source 110 and a second deposition source 120 for coating the substrate 160 in the substrate receiving area. In the embodiment illustrated in FIG. 1A , first deposition source 110 and second deposition source 120 each include a rotatable target. The first deposition source 110 has a rotation axis 112 . The second deposition source 120 has a rotation axis 122 . The first deposition source 110 and the second deposition source 120 are not limited to rotational targets, and other types of deposition sources are also contemplated in accordance with the embodiments described herein.

[0015] 도 1a는 제1 방향(102)을 도시한다. 도 1a에서, 제1 방향(102)은 양방향 화살표에 의해 표시된 바와 같이 페이지의 평면에 평행하다. 도시된 바와 같이, 기판(160)은 제1 방향(102)에 평행하다.1A shows a first direction 102 . 1A , the first direction 102 is parallel to the plane of the page as indicated by the double-headed arrow. As shown, the substrate 160 is parallel to the first direction 102 .

[0016] 도 1a는 제2 방향(104)을 도시한다. 도 1a에서, 제2 방향(104)은 페이지의 평면에 수직하다. 도시된 바와 같이, 기판(160)은 제2 방향(104)에 평행하다. 제1 증착 소스(110)의 회전 축(112) 및 제2 증착 소스(120)의 회전 축(122)은 제2 방향(104)으로 연장된다. 기판(160)이 수직으로 배향되는 도 1a에 도시된 예시적인 실시예에서, 제1 방향(102)은 수평 방향이고, 제2 방향(104)은 수직 방향이다.1A shows a second direction 104 . 1A , the second direction 104 is perpendicular to the plane of the page. As shown, the substrate 160 is parallel to the second direction 104 . The rotation axis 112 of the first deposition source 110 and the rotation shaft 122 of the second deposition source 120 extend in the second direction 104 . In the exemplary embodiment shown in FIG. 1A in which the substrate 160 is oriented vertically, the first direction 102 is the horizontal direction and the second direction 104 is the vertical direction.

[0017] 도 1a에 도시된 증착 장치(100)는 마스킹 엘리먼트(150)를 포함한다. 마스킹 엘리먼트(150)가 또한, 증착 장치(100)의 측면도를 제공하는 도 1b에 도시된다. 마스킹 엘리먼트(150)는, 제1 증착 소스(110) 및/또는 제2 증착 소스(120)에 의해 방출된 재료가 기판 에지 구역(162) 상에 증착되는 것을 방지하거나 감소시키도록 기판(160)의 기판 에지 구역(162)을 커버한다.The deposition apparatus 100 shown in FIG. 1A includes a masking element 150 . A masking element 150 is also shown in FIG. 1B , which provides a side view of the deposition apparatus 100 . The masking element 150 is configured to prevent or reduce material emitted by the first deposition source 110 and/or the second deposition source 120 from being deposited on the substrate edge region 162 on the substrate 160 . of the substrate edge region 162 .

[0018] 도 1b의 측면도에서, 제2 방향(104)은 양방향 화살표에 의해 표시된 바와 같이 페이지의 평면에 평행하고, 제1 방향(102)은 페이지의 평면에 수직하다.In the side view of FIG. 1B , the second direction 104 is parallel to the plane of the page, as indicated by the double-headed arrow, and the first direction 102 is perpendicular to the plane of the page.

[0019] 도 1c는 증착 장치(100)의 정면도를 제공한다. 제시의 용이함을 위해, 증착 장치(100)의 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)는 도 1c에 도시되지 않는다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 기판 에지 구역(162)은 제1 방향(102)으로 연장된다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 연장된다.1C provides a front view of the deposition apparatus 100 . For ease of presentation, the first deposition source 110 and the second deposition source 120 of the deposition apparatus 100 are not shown in FIG. 1C . 1C , the substrate edge region 162 extends in a first direction 102 . The masking element 150 extends in the first direction 102 .

[0020] 도 1c의 정면도에서, 제1 방향(102) 및 제2 방향(104) 둘 모두는 페이지의 평면에 평행하다.In the front view of FIG. 1C , both the first direction 102 and the second direction 104 are parallel to the plane of the page.

[0021] 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 제1 방향(102)으로 이동되도록 구성된다.According to embodiments described herein, the masking element 150 is configured to move in at least the first direction 102 to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 .

[0022] 도 2a는 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 마스킹 엘리먼트(150)는 특정한 시간 기간 동안, 예컨대 증착 사이클의 일부 동안 제1 포지션에 유지될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)가 제1 포지션(202)에 있는 동안, 재료는, 기판(160) 상에서의 증착을 위하여 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)(도 2a에 도시되지 않음)에 의해 방출된다. 마스킹 엘리먼트(150)가 제1 포지션(202)에 있으므로, 기판 에지 구역(162)은 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된다.2A shows the masking element 150 in a first position 202 . The masking element 150 may be held in the first position for a specific period of time, such as a portion of a deposition cycle. While the masking element 150 is in the first position 202 , material is deposited on the first deposition source 110 and the second deposition source 120 (not shown in FIG. 2A ) for deposition on the substrate 160 . ) is emitted by Since the masking element 150 is in the first position 202 , the substrate edge region 162 is masked by the masking element 150 .

[0023] 마스킹 엘리먼트(150)가 기판 에지 구역(162)을 마스킹할 때, 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)에 의해 방출되는 증착 재료가 마스킹 엘리먼트(150) 상에 누적된다. 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 성장은 마스킹 엘리먼트(150)의 유효 형상(effective shape)에 영향을 준다. 예컨대, 마스킹 엘리먼트(150)의 에지 부분 상에 형성된 재료의 두께는 그러한 에지 부분의 유효 형상을 변화시킬 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)가 더 긴 시간 기간 동안 제1 포지션(202)에 유지된다면, 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된 기판(160)의 구역의 형상은, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착된 증착 재료의 누적으로 인해 증착 프로세스의 과정에서 변화될 것이다. 이것은, 예컨대 기판(160) 상에 증착된 층의 불균일성들을 유발할 수 있다.When the masking element 150 masks the substrate edge region 162 , deposition material emitted by the first deposition source 110 and the second deposition source 120 accumulates on the masking element 150 . do. The growth of deposition material on the masking element 150 affects the effective shape of the masking element 150 . For example, the thickness of the material formed on edge portions of the masking element 150 may change the effective shape of such edge portions. If the masking element 150 is held in the first position 202 for a longer period of time, then the shape of the area of the substrate 160 masked by the masking element 150 will depend on the deposition deposited on the masking element 150 . It will change over the course of the deposition process due to the accumulation of material. This may cause, for example, non-uniformities in the layer deposited on the substrate 160 .

[0024] 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해, 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 이동되도록 구성된다. 마스킹 엘리먼트(150)는 도 2b에 도시된 바와 같이 기판(160)에 대해 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동된다. 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리(220)에 있다.To compensate for the accumulation of deposition material on the masking element 150 , according to embodiments described herein, the masking element 150 is configured to move in the first direction 102 . The masking element 150 is moved from the first position 202 to the second position 204 relative to the substrate 160 as shown in FIG. 2B . The second position 204 is at a distance 220 from the first position 202 in the first direction 102 .

[0025] 도 2a 및 도 2b에 도시된 예시적인 실시예에서, 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로의 이동은 도 2a의 화살표(292)에 의해 표시된 바와 같이, 제1 방향(102)으로의 측방향 이동이다. 도 2a 및 도 2b에 예시된 바와 같은 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 제1 방향(102)에 평행한 이동이다. 그러나, 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 또한, 제2 포지션(204)이 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 오프셋되는 한, 상이한 방향, 예컨대 제1 방향(102)을 따른 컴포넌트 및 제2 방향(104)을 따른 컴포넌트 둘 모두를 갖는 경사진 방향으로 이루어질 수 있다.In the exemplary embodiment shown in FIGS. 2A and 2B , the movement from the first position 202 to the second position 204 is in a first direction, as indicated by arrow 292 in FIG. 2A . lateral movement to (102). The movement of the masking element 150 as illustrated in FIGS. 2A and 2B is a movement parallel to the first direction 102 . However, movement of the masking element 150 is also a component along a different direction, such as the first direction 102 , as long as the second position 204 is offset from the first position 202 in the first direction 102 . and an oblique direction having both components along the second direction 104 .

[0026] 도 2b는 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)는 파선들을 이용하여 도 2b에 표시된다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리(220)만큼 제2 포지션(204)으로 이동된다. 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)는 도 2b에 예시된 바와 같이, 기판 에지 구역(162)의 적어도 일부를 마스킹할 수 있다.2B shows the masking element 150 in the second position 204 . The masking element 150 in the first position 202 is indicated in FIG. 2B using dashed lines. The masking element 150 is moved from the first position 202 to the second position 204 by a distance 220 in the first direction 102 . The masking element 150 in the second position 204 may mask at least a portion of the substrate edge region 162 , as illustrated in FIG. 2B .

[0027] 마스킹 엘리먼트(150)는 특정한 시간 기간 동안, 예컨대 증착 사이클의 일부 동안 제2 포지션(204)에 유지될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)가 제2 포지션(204)에 있는 동안, 재료는, 기판(160) 상에서의 증착을 위하여 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)(도 2b에 도시되지 않음)에 의해 방출된다.The masking element 150 may be held in the second position 204 for a particular period of time, such as part of a deposition cycle. While the masking element 150 is in the second position 204 , the material is transferred from the first deposition source 110 and the second deposition source 120 (not shown in FIG. 2B ) for deposition on the substrate 160 . ) is emitted by

[0028] 마스킹 엘리먼트(150)가 도 2a에 도시된 바와 같이 제1 포지션(202)에 있는 경우, 증착 소스들 중 하나, 예컨대 제1 증착 소스(110) 또는 제2 증착 소스(120)를 바로 향하는 마스킹 엘리먼트(150)의 구역은, 증착 소스들로부터 일정 거리에 있는 마스킹 엘리먼트(150)의 구역들과 비교하여 더 높은 레이트로 증착 재료를 수용할 수 있다. 따라서, 증착 재료는, 증착 소스들로부터 일정 거리에 있는 마스킹 엘리먼트(150)의 구역과 비교하여, 증착 소스들 중 하나를 바로 향하는 마스킹 엘리먼트(150)의 구역에서 더 빨리 누적될 수 있다. 예컨대, 증착 재료는, 증착 소스들을 향하는 포지션들에서 하나 이상의 피크(peak)들을 갖고 증착 소스들로부터 제1 방향으로 멀리있는 포지션들에서 하나 이상의 밸리(valley)들을 갖는 증착 프로파일에 따라 마스킹 엘리먼트(150) 상에 누적될 수 있다. 그에 의해, 마스킹 엘리먼트(150)의 유효 형상, 즉 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 고려할 경우의 마스킹 엘리먼트의 형상은 제1 방향(102)에 대해 불균일한 방식으로 변한다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 ― 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리에 있음 ― 제1 방향(102)을 따른 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 불균일한 누적을 보상한다.When the masking element 150 is in the first position 202 as shown in FIG. 2A , one of the deposition sources, such as the first deposition source 110 or the second deposition source 120 , is directly A region of the masking element 150 that faces may receive deposition material at a higher rate compared to regions of the masking element 150 that are at a distance from the deposition sources. Accordingly, deposition material may accumulate more quickly in a region of the masking element 150 directly facing one of the deposition sources compared to a region of the masking element 150 at a distance from the deposition sources. For example, the deposition material may include the masking element 150 according to a deposition profile having one or more peaks at positions facing the deposition sources and one or more valleys at positions remote from the deposition sources in a first direction. ) can be accumulated on the Thereby, the effective shape of the masking element 150 , ie the shape of the masking element when taking into account the accumulation of deposition material on the masking element 150 , changes in a non-uniform manner with respect to the first direction 102 . The movement of the masking element 150 from the first position 202 to the second position 204 according to embodiments described herein is - the second position 204 is the first position from the first position 202 . At a distance in direction 102 - compensates for non-uniform accumulation of deposition material on masking element 150 along first direction 102 .

[0029] 위의 관점에서, 본 명세서에 설명된 실시예들은, 증착 재료가 마스킹 엘리먼트 상에 누적됨으로써 야기되는, 기판 상에 증착된 층의 불균일성들을 감소시키는 것을 허용한다. 따라서, 개선된 층 균일성, 예컨대 특히 기판 에지들에서의 층 두께 및/또는 비저항(resistivity)의 균일성이 본 명세서에 설명된 실시예들에 의해 제공된다. 따라서, 층 균일성이 후속 프로세스들, 이를테면 예컨대 에칭 뿐만 아니라, 코팅된 기판이 사용되는 디바이스(예컨대, 디스플레이 패널)의 성능에 영향을 주므로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 디바이스의 개선된 성능을 제공한다. 더 추가적으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 또한, 마스킹 엘리먼트 상에 증착되는 재료의 층의 피크들 및 밸리들을 평준화(average out)하는 것을 허용한다. 따라서, 마스킹 엘리먼트의 증가된 수명이 제공된다.[0029] In view of the above, embodiments described herein allow for reducing non-uniformities in a layer deposited on a substrate, caused by deposition of deposition material on the masking element. Accordingly, improved layer uniformity, such as uniformity of layer thickness and/or resistivity, particularly at substrate edges, is provided by embodiments described herein. Accordingly, as layer uniformity affects the performance of subsequent processes, such as eg etching, as well as the performance of the device (eg, display panel) in which the coated substrate is used, embodiments described herein provide improved performance of the device. to provide. Still further, embodiments described herein also allow for averaging out the peaks and valleys of a layer of material deposited on the masking element. Thus, an increased lifetime of the masking element is provided.

[0030] 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 마스킹 엘리먼트(150)는 증착 프로세스에서 기판(160) 상에서의 재료의 증착을 제어하도록 구성된다. 기판(160)의 기판 에지 구역(162)에 증착 재료가 없거나 또는 실질적으로 없게 유지되어야 할 경우, 마스킹 엘리먼트(150)가 바람직하다. 이것은, 코팅된 기판의 나중의 적용 및/또는 핸들링으로 인해 기판(160)의 정의된 영역만이 코팅되어야 할 경우일 수 있다. 예컨대, 디스플레이 파트(part)로서 사용될 기판(160)은 미리 정의된 치수들을 가져야 한다. 대면적 기판들은, 기판의 기판 에지 구역(162)을 마스킹하고 그리고/또는 기판(160)의 후면측 코팅을 방지하기 위해 마스킹 엘리먼트들을 사용하여 코팅된다. 이러한 접근법은 기판들 상에서의 신뢰할 수 있고 일정한 코팅을 허용한다.Masking element 150 according to embodiments described herein is configured to control deposition of material on substrate 160 in a deposition process. A masking element 150 is preferred when the substrate edge region 162 of the substrate 160 is to be kept free or substantially free of deposition material. This may be the case when only a defined area of the substrate 160 needs to be coated due to later application and/or handling of the coated substrate. For example, the substrate 160 to be used as a display part should have predefined dimensions. Large area substrates are coated using masking elements to mask the substrate edge region 162 of the substrate and/or to prevent backside coating of the substrate 160 . This approach allows for reliable and consistent coating on substrates.

[0031] 마스킹 엘리먼트(150)는 기판의 구역, 예컨대 기판 에지 구역(162)을 마스킹하도록 적응된다. 기판(160)의 구역을 "마스킹"한다는 개념은 기판(160)의 구역 상에서의 재료의 증착을 감소시키는 것 및/또는 방해하는 것을 포함할 수 있다.The masking element 150 is adapted to mask a region of the substrate, such as the substrate edge region 162 . The concept of “masking” an area of the substrate 160 may include reducing and/or impeding deposition of material on the area of the substrate 160 .

[0032] 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 마스크 재료, 이를테면 탄소 섬유 재료, 또는 알루미늄, 티탄, 스테인리스 스틸, 인바(Invar) 등과 같은 금속의 피스(piece)이거나 이를 포함할 수 있다.According to embodiments, the masking element 150 may be or include a mask material, such as a carbon fiber material, or a piece of metal such as aluminum, titanium, stainless steel, Invar, or the like.

[0033] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 에지 배제 마스크 또는 그의 일부이거나 이를 포함할 수 있다. 에지 배제 마스크는 프레임을 형성할 수 있는 수 개의 파트들 또는 부분들로 구성될 수 있다. 마스크의 프레임도 또한, 수 개의 프레임 부분들 또는 프레임 파트들을 가질 수 있다. 이것은, 상이한 파트들로부터 어셈블리된 프레임들이 일체형 프레임들보다 생성하는 데 더 비용 효율적이라고 믿어지기 때문에 유리할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 마스킹 엘리먼트(150)는 에지 배제 마스크 또는 그의 일부, 예컨대 에지 배제 마스크의 프레임 부분을 지칭할 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150), 예컨대 에지 배제 마스크의 프레임 부분은 에지 배제 마스크의 다른 파트들, 예컨대 다른 프레임 부분들과 독립적으로 이동되도록 구성될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be or include an edge exclusion mask or part thereof. An edge exclusion mask may be composed of several parts or parts that may form a frame. The frame of the mask may also have several frame parts or frame parts. This can be advantageous because frames assembled from different parts are believed to be more cost-effective to produce than integral frames. Masking element 150 according to embodiments described herein may refer to an edge exclusion mask or a portion thereof, such as a frame portion of an edge exclusion mask. The masking element 150 , such as a frame portion of the edge exclusion mask, may be configured to move independently of other parts of the edge exclusion mask, such as other frame portions.

[0034] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 연장되는 기판 에지 구역(162)을 마스킹하도록 구성될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 연장될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 세장형(elongated) 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 연장되고 제1 단부 및 제2 단부를 갖는 세장형 엘리먼트일 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 길이 및 폭을 가질 수 있으며, 여기서 길이는 폭보다 훨씬 더 크다. 제1 방향(102)은 마스킹 엘리먼트(150)의 종방향(longitudinal direction), 예컨대 길이 방향일 수 있다. 제1 방향(102)의 마스킹 엘리먼트(150)의 길이는 마스킹 엘리먼트(150)의 폭, 예컨대 제2 방향(104)의 폭보다 훨씬 더 클 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be configured to mask the substrate edge region 162 extending in the first direction 102 . have. The masking element 150 may extend in the first direction 102 . The masking element 150 may have an elongated shape. For example, the masking element 150 may be an elongate element extending in a first direction 102 and having a first end and a second end. The masking element 150 may have a length and a width, where the length is much greater than the width. The first direction 102 may be a longitudinal direction of the masking element 150 , such as a longitudinal direction. The length of the masking element 150 in the first direction 102 may be much greater than the width of the masking element 150 , eg, the width in the second direction 104 .

[0035] 기판 에지 구역, 예컨대 기판 에지 구역(162)은 기판의 얇은 주변 영역을 지칭한다. 기판 에지 구역은 길이 및 폭을 가질 수 있으며, 여기서 기판 에지 구역의 길이는 기판 에지 구역의 폭보다 훨씬 더 클 수 있다. 기판 에지 구역은 제1 방향(102)으로 연장될 수 있다. 기판 에지 구역은 기판 에지 구역의 폭, 예컨대 제2 방향(104)의 폭보다 훨씬 더 큰 제1 방향(102)의 길이를 가질 수 있다. 기판 에지 구역은 기판의 단일 측에 배열될 수 있다.A substrate edge region, such as substrate edge region 162 , refers to a thin peripheral region of a substrate. The substrate edge region may have a length and a width, wherein the length of the substrate edge region may be much greater than the width of the substrate edge region. The substrate edge region may extend in a first direction 102 . The substrate edge region may have a length in the first direction 102 that is much greater than a width of the substrate edge region, eg, a width in the second direction 104 . The substrate edge region may be arranged on a single side of the substrate.

[0036] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판의 기판 에지 구역은 기판(160)의 영역의 약 5% 또는 그 미만, 더 특정하게는 약 2% 또는 그 미만, 보다 더 특정하게는 기판의 영역의 약 1‰ 내지 약 2%의 영역을 가질 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate edge region of the substrate is about 5% or less, more specifically about 2% of the area of the substrate 160 . or less, and more specifically about 1% to about 2% of the area of the substrate.

[0037] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판 에지 구역의 폭은 8mm 또는 그 미만, 더 특정하게는 6mm 또는 그 미만일 수 있다. 기판 에지 구역의 폭은, 기판(160)에 대해 고려되는 애플리케이션에 의존하여, 제1 방향(102)의 기판의 길이를 따라 대칭적일 수 있지만 또한 그러한 길이를 따라 변할 수 있다. 예컨대, 기판 에지 구역의 중간 부분에서 기판 에지 구역의 폭은 3mm 내지 6mm일 수 있다. 기판 에지 구역의 코너 영역에서 기판 에지 구역의 폭은, 예컨대 0mm 내지 6mm일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the width of the substrate edge region may be 8 mm or less, more specifically 6 mm or less. The width of the substrate edge region may be symmetrical along the length of the substrate in the first direction 102 , but may also vary along the length, depending on the application being considered for the substrate 160 . For example, the width of the substrate edge region in the middle portion of the substrate edge region may be between 3 mm and 6 mm. The width of the substrate edge region in the corner region of the substrate edge region may be, for example, between 0 mm and 6 mm.

[0038] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 방향(102)의 기판 에지 구역의 길이는 제1 방향(102)의 기판의 길이와 동일할 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 기판(160)의 전체 길이를 따라 연장되는 기판 에지 구역을 마스킹하도록 구성될 수 있다. 그러한 실시예는 도 1c에 예시된다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the length of the substrate edge region in the first direction 102 may be equal to the length of the substrate in the first direction 102 . have. The masking element 150 may be configured to mask a substrate edge region extending along the entire length of the substrate 160 in the first direction 102 . Such an embodiment is illustrated in FIG. 1C .

[0039] 대안적으로, 제1 방향(102)의 기판 에지 구역의 길이는 제1 방향(102)의 기판의 길이보다 작을 수 있다. 마스킹 엘리먼트는 제1 방향(102)으로 기판의 길이의 일부에 걸쳐 연장되는 기판 에지 구역을 마스킹하도록 구성될 수 있다. 마스킹 엘리먼트는, 가능하게는 생산 기능 또는 제조 프로세스에 의존하여, 기판 에지의 하나 이상의 섹션들 또는 부분들을 마스킹하도록 구성될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹되는 기판 에지 구역의 길이는 제1 방향(102)의 기판(160)의 길이의 80% 내지 100%, 특정하게는 90% 내지 100%일 수 있다.Alternatively, the length of the substrate edge region in the first direction 102 may be less than the length of the substrate in the first direction 102 . The masking element may be configured to mask a substrate edge region extending over a portion of the length of the substrate in the first direction 102 . The masking element may be configured to mask one or more sections or portions of the substrate edge, possibly depending on the production function or manufacturing process. The length of the substrate edge region masked by the masking element 150 may be 80% to 100%, specifically 90% to 100% of the length of the substrate 160 in the first direction 102 .

[0040] 도 3a 내지 도 3d는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치(100)를 도시한다.3A-3D show a deposition apparatus 100 according to embodiments described herein.

[0041] 도 3a는 증착 프로세스의 초기 스테이지에서 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 도 3a에 도시된 마스킹 엘리먼트(150) 상에 어떠한 재료도 아직 증착되지 않았다.3A shows the masking element 150 in a first position 202 at an initial stage of the deposition process. No material has yet been deposited on the masking element 150 shown in FIG. 3A .

[0042] 도 3b는 도 3a와 비교하여 증착 프로세스의 나중의 스테이지에서 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 증착 재료(300)의 층이 마스킹 엘리먼트(150) 상에 누적되었다. 마스킹 엘리먼트(150) 상의 증착 재료는 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)를 각각 향하는 포지션들에서 피크들(310 및 320)을 포함한다. 증착 재료(300)의 층의 밸리들은 증착 소스들로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리에 있는 위치들에 형성될 수 있다. 예컨대, 밸리(330)는 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 위치에 형성된다.FIG. 3B shows the masking element 150 in a first position 202 at a later stage of the deposition process compared to FIG. 3A . A layer of deposition material 300 was deposited on masking element 150 . The deposition material on the masking element 150 includes peaks 310 and 320 at positions facing the first deposition source 110 and the second deposition source 120 , respectively. The valleys of the layer of deposition material 300 may be formed at locations at a distance from the deposition sources in the first direction 102 . For example, the valley 330 is formed at a position between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 .

[0043] 도 3c는, 마스킹 엘리먼트(150)가 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동된 직후에, 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 예시적인 실시예에서, 제1 포지션(202)과 제2 포지션(204) 사이의 거리(220)는 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 거리(350)의 약 1/2이다. 피크들(310 및 320)은 더 이상 증착 소스들을 향하지 않고, 증착 소스들로부터 제1 방향(102)으로 이격된 포지션들에 위치된다. 예컨대, 피크(310)는 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 위치에 있다. 결국, 밸리(330)는 제2 증착 소스(120)를 향한다. 재료가 제2 포지션(204)에서 마스킹 엘리먼트(150) 상에 계속 증착됨에 따라, 증착 재료는, 증착 소스들로부터 더 멀리 옮겨진 마스킹 엘리먼트(150)의 구역들, 예컨대 피크들(310 및 320)과 비교하여, 증착 소스들을 향하는 마스킹 엘리먼트(150)의 구역들, 예컨대 밸리(330)에서 더 빠르게 누적될 수 있다.3C shows the masking element 150 in the second position 204 immediately after the masking element 150 has been moved from the first position 202 to the second position 204 . In an exemplary embodiment, the distance 220 between the first position 202 and the second position 204 is approximately one of the distance 350 between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 . /2. Peaks 310 and 320 are located at positions spaced from the deposition sources in the first direction 102 no longer toward the deposition sources. For example, the peak 310 is at a location between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 . As a result, the valley 330 faces the second deposition source 120 . As the material continues to deposit on the masking element 150 at the second position 204 , the deposition material moves with regions of the masking element 150 displaced further away from the deposition sources, such as peaks 310 and 320 . In comparison, regions of the masking element 150 that face the deposition sources can accumulate more quickly, such as in the valley 330 .

[0044] 도 3d는 도 3c와 비교하여 증착 프로세스의 나중의 스테이지에서 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 도시된 바와 같이, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착된 증착 재료(300)의 층의 두께는 제1 방향(102)을 따라 실질적으로 평준화되고, 즉 균일해진다. 따라서, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같은 피크들 및 밸리들을 포함하는 불균일한 증착 프로파일은 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시킴으로써 보상되었다.FIG. 3D shows the masking element 150 in the second position 204 at a later stage of the deposition process compared to FIG. 3C . As shown, the thickness of the layer of deposition material 300 deposited on the masking element 150 is substantially leveled, ie, uniformed, along the first direction 102 . Accordingly, the non-uniform deposition profile comprising peaks and valleys as shown in FIGS. 3B and 3C was compensated for by moving the masking element 150 from the first position 202 to the second position 204 .

[0045] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착된 재료의 증착 프로파일을 보상, 예컨대 평준화하기 위해 제1 방향(102)으로 이동되도록 구성될 수 있다. 증착 프로파일은 하나 이상의 피크들 및 하나 이상의 밸리들을 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is configured to compensate, eg, level, a deposition profile of a material deposited on the masking element 150 . It may be configured to move in a first direction 102 . The deposition profile may include one or more peaks and one or more valleys.

[0046] 예컨대, 마스크가 제1 방향(102)으로 이동되지 않는 시스템에서, 전체 타겟 수명에서의 마스크 상의 증착 프로파일의 피크들은, 예컨대 약 60mm의 최대 두께를 가질 수 있다. 전체 타겟 수명에서의 증착 프로파일의 밸리들은, 예컨대 약 45mm의 최소 두께를 가질 수 있다. 반대로, 마스킹 엘리먼트(150)가 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 제1 방향(102)으로 이동되는 경우, 예컨대, 증착 소스들 사이의 피치(pitch) 또는 거리(350)의 약 50%의 거리만큼 이동되는 경우, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 누적되는 증착 재료의 두께는, 예컨대 약 52.5mm로 평준화될 수 있다. 따라서, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착되는 재료의 피크 두께가 감소된다. 그에 의해, 기판 상에 증착되는 층의 층 균일성이 개선된다. 부가적으로, 최소-최대 증착 두께 비율이 증가될 수 있다. 더 추가적으로, 마스킹 엘리먼트의 수명이 증가되며, 예컨대 14% 또는 그 초과의 수명의 증가가 본 명세서에 설명된 실시예들에 의해 제공될 수 있다.For example, in a system where the mask is not moved in the first direction 102 , the peaks of the deposition profile on the mask over the entire target lifetime may have a maximum thickness of, for example, about 60 mm. The valleys of the deposition profile over the entire target lifetime may have a minimum thickness of, for example, about 45 mm. Conversely, if the masking element 150 is moved in the first direction 102 according to embodiments described herein, for example, about 50% of the pitch or distance 350 between the deposition sources. When moved the distance, the thickness of the deposition material that accumulates on the masking element 150 may be leveled to, for example, about 52.5 mm. Accordingly, the peak thickness of the material deposited on the masking element 150 is reduced. Thereby, the layer uniformity of the layer deposited on the substrate is improved. Additionally, the min-maximum deposition thickness ratio may be increased. Still further, the lifetime of the masking element is increased, eg, an increase in lifetime of 14% or more can be provided by embodiments described herein.

[0047] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 거리(350)에 의존하는 거리만큼 제1 방향(102)으로 이동되도록 구성될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is a distance 350 between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 . may be configured to move in the first direction 102 by a distance dependent on .

[0048] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 증착 소스(110)는 제2 증착 소스(120)로부터 제1 거리, 예컨대 도 3a 내지 도 3d에 도시된 거리(350)에 배열된다. 제1 거리는 제1 방향(102)의 거리일 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 제2 거리, 예컨대 도 3c에 도시된 거리(220)만큼 이동되도록 구성될 수 있다. 제2 거리는 제1 거리의 30% 내지 70%, 더 특정하게는 40% 내지 60%, 예컨대 50%일 수 있다. 제2 거리가 제1 거리의 50%에 더 가까워짐에 따라, 마스킹 엘리먼트(150) 상에서 증착 프로파일의 피크들 및 밸리들을 평준화하는 효과가 추가로 향상된다. 실시예들에 따르면, 제2 거리는, 증착 소스로부터 인접한 증착 소스들까지의 또는 증착 소스들 또는 다른 파트들의 기능에 영향을 줄 수 있는 시스템 내의 다른 파트들까지의 최소의 요구되는 거리에 의존하거나 또는 그에 의해 결정될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first deposition source 110 is located at a first distance from the second deposition source 120 , such as in FIGS. 3A-3D . It is arranged at the street 350 shown. The first distance may be a distance in the first direction 102 . The masking element 150 may be configured to be moved in the first direction 102 by a second distance, such as the distance 220 shown in FIG. 3C . The second distance may be between 30% and 70%, more specifically between 40% and 60%, such as 50% of the first distance. As the second distance approaches 50% of the first distance, the effect of leveling the peaks and valleys of the deposition profile on the masking element 150 is further enhanced. According to embodiments, the second distance depends on a minimum required distance from the deposition source to adjacent deposition sources or to other parts in the system that may affect the function of the deposition sources or other parts or can be determined by it.

[0049] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 제1 거리, 예컨대 거리(350)는 250mm 내지 350mm, 더 특정하게는 280mm 내지 320mm, 예컨대 약 300mm이다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first distance between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 , such as distance 350 , is 250 mm to 350 mm, more specifically 280 mm to 320 mm, such as about 300 mm.

[0050] 도 3a 내지 도 3d에 예시된 바와 같이, 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 제1 거리는 제1 증착 소스(110)의 중심으로부터 제2 증착 소스(120)의 중심까지의 거리(350)일 수 있다. 제1 거리는 제1 증착 소스(110)의 중심 축 또는 회전 축으로부터 제2 증착 소스(120)의 중심 축 또는 회전 축까지의 거리(350)일 수 있다. 중심간 거리는 제1 방향의 증착 소스들의 치수, 예컨대 폭에 의존할 수 있다. 제1 증착 소스의 주변부로부터 제2 증착 소스의 주변부까지의 거리는 약 0mm 내지 3mm 내지 최대 수 백 mm, 특정하게는 0mm 내지 300mm, 더 특정하게는 3mm 내지 300mm일 수 있다. 제1 증착 소스의 주변부로부터 소스들에 영향을 줄 수 있는 인접한 파트까지의 거리는 동일한 범위에 있을 수 있다.3A to 3D , the first distance between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 is from the center of the first deposition source 110 to the second deposition source 120 . ) may be the distance 350 to the center. The first distance may be a distance 350 from the central axis or rotation axis of the first deposition source 110 to the central axis or rotation axis of the second deposition source 120 . The center-to-center distance may depend on a dimension, such as a width, of the deposition sources in the first direction. The distance from the periphery of the first deposition source to the perimeter of the second deposition source may be from about 0 mm to 3 mm up to several hundred mm, specifically from 0 mm to 300 mm, and more specifically from 3 mm to 300 mm. The distance from the periphery of the first deposition source to an adjacent part that may affect the sources may be in the same range.

[0051] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 제2 방향(104)으로 이동되도록 구성된다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is positioned in at least a second direction 104 to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 . ) is configured to move to

[0052] 도 4a 및 도 4b는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치(100)를 도시한다. 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)는 제시의 용이함을 위해 도시되지 않는다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 마스킹 엘리먼트(150)는 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 제1 방향(102) 및 제2 방향(104)으로 이동되도록 구성된다.4A and 4B show a deposition apparatus 100 according to embodiments described herein. The first deposition source 110 and the second deposition source 120 are not shown for ease of presentation. The masking element 150 shown in FIGS. 4A and 4B is configured to move in the first direction 102 and the second direction 104 to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 .

[0053] 도 4a는 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 도 4b는 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리(220)에 있다. 제2 포지션은 제1 포지션(202)으로부터 제2 방향(104)으로 일정 거리(420)에 있다. 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)와 비교하여, 도 4b에 도시된 마스킹 엘리먼트(150)는 측방향으로(제1 방향(102)으로) 그리고 상방으로(제2 방향(104)으로) 이동되었다.4A shows the masking element 150 in a first position 202 . 4B shows the masking element 150 in the second position 204 . The second position 204 is at a distance 220 from the first position 202 in the first direction 102 . The second position is at a distance 420 from the first position 202 in a second direction 104 . Compared to the masking element 150 in the first position 202 , the masking element 150 shown in FIG. 4B is laterally (in the first direction 102 ) and upward (in the second direction 104 ). ) has been moved.

[0054] 도 4a 및 도 4b에 도시된 증착 장치(100)는 제1 방향(102) 및 제2 방향(104)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시키기 위한 액추에이터(410)를 포함한다.The deposition apparatus 100 shown in FIGS. 4A and 4B includes an actuator 410 for moving the masking element 150 in a first direction 102 and a second direction 104 .

[0055] 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 착수된다. 마스킹 엘리먼트(150)가 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 포지션(202)에 있는 동안, 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)에 의해 방출되는 증착 재료가 마스킹 엘리먼트(150) 상에 누적된다. 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 성장은 마스킹 엘리먼트(150)의 유효 형상에 영향을 준다. 예컨대, 마스킹 엘리먼트(150)의 에지 상에 형성된 재료의 두께는 제2 방향(104)의 마스킹 엘리먼트(150)의 유효 폭을 증가시킬 수 있다. 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시킴으로써 ― 제2 포지션은 제1 포지션(202)으로부터 제2 방향(104)으로 일정 거리(420)에 있음 ―, 마스킹 엘리먼트(150)의 증가한 유효 폭이 보상될 수 있다. 따라서, 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된 기판(160)의 구역의 폭이, 증착 재료의 두께가 마스킹 엘리먼트(150)의 에지 상에 누적될 때, 실질적으로 일정하게 유지되는 것이 보장될 수 있다.According to embodiments described herein, movement of the masking element 150 in the second direction 104 is undertaken to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 . While the masking element 150 is in the first position 202 as shown in FIG. 4A , the deposition material emitted by the first deposition source 110 and the second deposition source 120 is applied to the masking element 150 . accumulated on the The growth of deposition material on the masking element 150 affects the effective shape of the masking element 150 . For example, the thickness of the material formed on the edge of the masking element 150 may increase the effective width of the masking element 150 in the second direction 104 . by moving the masking element 150 from the first position 202 to the second position 204 , the second position being at a distance 420 from the first position 202 in the second direction 104 ; The increased effective width of the masking element 150 may be compensated for. Accordingly, it can be ensured that the width of the region of the substrate 160 masked by the masking element 150 remains substantially constant as the thickness of the deposition material accumulates on the edge of the masking element 150 . .

[0056] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는, 0mm 내지 30mm, 특정하게는 10mm 내지 30mm, 더 특정하게는 15mm 내지 30mm, 예컨대 약 20mm의 거리만큼 제2 방향(104)으로 이동되도록 구성될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는, 제1 방향(102)의 기판(160)의 에지 길이의 0.03% 내지 3%, 더 특정하게는 0.2% 내지 2%, 예컨대 0.5% 내지 1%의 범위에서 제2 방향(104)으로 이동되도록 구성될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be 0 mm to 30 mm, specifically 10 mm to 30 mm, more specifically 15 mm to 30 mm, such as It may be configured to move in the second direction 104 by a distance of about 20 mm. The masking element 150 may be disposed in a range of 0.03% to 3%, more specifically 0.2% to 2%, such as 0.5% to 1% of the length of the edge of the substrate 160 in the first direction 102 in the second direction. may be configured to move to 104 .

[0057] 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 기판(160) 또는 기판 수용 영역에 대해 외향 이동일 수 있다.Movement of the masking element 150 in the second direction 104 may be an outward movement relative to the substrate 160 or the substrate receiving area.

[0058] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는, 제2 방향(104)으로 증분적으로, 예컨대 매 분마다 수 미크론씩 이동되도록 구성될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is moved in the second direction 104 incrementally, eg, by a few microns every minute. can be configured.

[0059] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 포지션으로부터 제2 포지션(204)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 제1 포지션(202)으로부터 중간 포지션으로의 제1 이동 및/또는 중간 포지션으로부터 제2 포지션(204)으로의 제2 이동을 포함할 수 있다. 제1 이동은 제1 방향(102)에 실질적으로 평행할 수 있고, 제2 이동은 제2 방향(104)에 실질적으로 평행할 수 있으며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 대안적으로 또는 부가적으로, 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 경사진 방향(angled direction)을 따른 이동을 포함할 수 있다. 경사진 방향 또는 대각 방향은 제1 방향(102)에 대해 그리고 제2 방향(104)에 대해 일정 각도를 이룰 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, movement of the masking element 150 from the first position to the second position 204 is from the first position 202 . It may include a first movement to the intermediate position and/or a second movement from the intermediate position to the second position 204 . The first movement may be substantially parallel to the first direction 102 , the second movement may be substantially parallel to the second direction 104 , and vice versa. Alternatively or additionally, movement of the masking element 150 from the first position 202 to the second position 204 may include movement along an angled direction. The oblique or diagonal direction may be angled relative to the first direction 102 and to the second direction 104 .

[0060] 예컨대, 도 4a 및 도 4b에 도시된 마스킹 엘리먼트(150)는 대각 방향 화살표(490)에 의해 표시된 바와 같이, 경사진 방향 또는 대각 방향을 따라 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시킴으로써 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동될 수 있다. 대안적으로, 마스킹 엘리먼트(150)는, 예컨대 먼저 제1 방향(102)에 평행한 직선을 따라 우측을 향해 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시키고, 이어서 제2 방향(104)에 평행한 직선을 따라 마스킹 엘리먼트(150)를 상방으로 이동시킴으로써 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동될 수 있으며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 추가적인 옵션으로서, 마스킹 엘리먼트(150)는 이전의 대안들의 조합에 의해 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동할 수 있다.For example, the masking element 150 shown in FIGS. 4A and 4B may be moved to a first position by moving the masking element 150 along an oblique or diagonal direction, as indicated by diagonal arrow 490 . It can be moved from 202 to a second position 204 . Alternatively, the masking element 150 may first move the masking element 150 toward the right along a straight line parallel to the first direction 102 , for example, and then along a straight line parallel to the second direction 104 . It can be moved from the first position 202 to the second position 204 by moving the masking element 150 upward, and vice versa. As a further option, the masking element 150 may move from the first position 202 to the second position 204 by a combination of the previous alternatives.

[0061] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 예컨대 제1 방향(102) 및/또는 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은, 재료가 기판(160) 상에 그리고/또는 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착되는 동안 착수된다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, for example, movement of the masking element 150 in the first direction 102 and/or the second direction 104 may include: It is undertaken while material is deposited on the substrate 160 and/or on the masking element 150 .

[0062] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 기판(160)에 대해 이동될 수 있다. 기판(160)은, 마스킹 엘리먼트(150)가 이동되는 동안, 실질적으로 고정된 포지션에 유지될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be moved relative to the substrate 160 . The substrate 160 may remain in a substantially fixed position while the masking element 150 is moved.

[0063] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120) 및/또는 증착 장치(100)의 임의의 추가적인 증착 소스에 대해 이동될 수 있다. 증착 소스는, 마스킹 엘리먼트(150)가 이동되는 동안, 실질적으로 고정된 포지션에 유지될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may include a first deposition source 110 , a second deposition source 120 and/or a deposition apparatus ( 100) for any additional deposition source. The deposition source may be held in a substantially fixed position while the masking element 150 is moved.

[0064] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 기판(160) 또는 기판 수용 영역에 평행하거나 실질적으로 평행한 평면에서 이동될 수 있다. 2개의 평면들 사이에 0 내지 15°, 더 특정하게는 0 내지 10°의 작은 각도가 존재할 경우, 그러한 2개의 평면들은 실질적으로 평행한 것으로 고려될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be moved in a plane parallel or substantially parallel to the substrate 160 or substrate receiving area. . If there is a small angle between two planes of 0 to 15°, more particularly 0 to 10°, then those two planes can be considered substantially parallel.

[0065] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 예컨대 제1 방향(102) 및/또는 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 병진 이동이다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, for example, movement of the masking element 150 in the first direction 102 and/or the second direction 104 is translational. it is move

[0066] 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트는 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해, 예컨대 제1 방향(102) 및/또는 제2 방향(104)으로 이동된다. 그러한 타입의 이동은 일반적으로, 단지 마스킹 엘리먼트(150)를 정렬시키려는 목적, 예컨대 기판(160)에 대한 정렬만을 위해 착수되는 마스킹 엘리먼트(150)의 이동과 상이하다. 특히, 정렬의 목적을 위한 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착된 증착 재료의 양과 관계없이 착수될 수 있다. 반대로, 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 증착 프로세스 동안 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적에 의존하며, 마스킹 엘리먼트(150)는 그러한 누적을 보상하기 위해 이동된다.According to embodiments described herein, the masking element is positioned to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 , such as in the first direction 102 and/or the second direction 104 . is moved This type of movement differs from movement of the masking element 150 that is generally undertaken solely for the purpose of aligning the masking element 150 , such as with respect to the substrate 160 . In particular, movement of the masking element 150 for alignment purposes may be undertaken regardless of the amount of deposition material deposited on the masking element 150 . Conversely, according to embodiments described herein, movement of masking element 150 is dependent on accumulation of deposition material on masking element 150 during the deposition process, and masking element 150 is configured to compensate for such accumulation. is moved for

[0067] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 방향(102)은 기판(160) 또는 기판 수용 영역에 평행하거나 실질적으로 평행할 수 있다. "실질적으로 평행하다"는 개념은 제1 방향(102)이 기판 또는 기판 수용 영역에 대해 작은 각도를 이룬다는 것을 포함할 수 있으며, 여기서 각도는 0도 내지 15도, 더 특정하게는 0도 내지 10도일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first direction 102 may be parallel or substantially parallel to the substrate 160 or the substrate receiving area. The concept of “substantially parallel” may include that the first direction 102 makes a small angle with respect to the substrate or substrate receiving area, wherein the angle is between 0 degrees and 15 degrees, more particularly between 0 degrees and 0 degrees. It can be 10 degrees.

[0068] 기판이 증착 프로세스에서 실질적으로 수직으로 배향되는 실시예들에서, 제1 방향은 실질적으로 수평 방향일 수 있다. 실질적으로 수평 방향은, 수직 방향에 대해 75도 내지 90도, 더 특정하게는 80도 내지 90도의 각도를 이루는 방향을 포함할 수 있다.[0068] In embodiments in which the substrate is oriented substantially vertically in the deposition process, the first direction may be a substantially horizontal direction. The substantially horizontal direction may include a direction at an angle of 75 degrees to 90 degrees, more particularly 80 degrees to 90 degrees, with respect to the vertical direction.

[0069] 본 명세서에 설명된 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 소스, 이를테면 예컨대, 제1 증착 소스(110) 및/또는 제2 증착 소스(120)는 제2 방향(104)으로 연장될 수 있다. 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120) 및/또는 임의의 추가적인 증착 소스는 세장형 형상, 예컨대 실질적으로 원통형 형상을 가질 수 있다. 세장형 형상은 제2 방향으로 연장될 수 있다. 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120) 및/또는 임의의 추가적인 증착 소스는 종축, 예컨대 회전 축을 포함할 수 있다. 종축 또는 회전 축은 제2 방향(104)으로 연장될 수 있다.[0069] According to embodiments that may be combined with the embodiments described herein, a deposition source, such as, for example, first deposition source 110 and/or second deposition source 120 may move in a second direction ( 104) can be extended. The first deposition source 110 , the second deposition source 120 , and/or any additional deposition source may have an elongated shape, such as a substantially cylindrical shape. The elongate shape may extend in the second direction. The first deposition source 110 , the second deposition source 120 , and/or any additional deposition source may include a longitudinal axis, such as an axis of rotation. The longitudinal axis or axis of rotation may extend in the second direction 104 .

[0070] 제2 방향(104)은 제1 방향(102)과 상이하다. 제2 방향(104)은 제1 방향(102)에 수직하거나 실질적으로 수직할 수 있다. 실질적으로 수직한 2개의 방향들은 75도 내지 90도, 더 특정하게는 80도 내지 90도의 각도를 이루는 방향들을 포함할 수 있다.The second direction 104 is different from the first direction 102 . The second direction 104 may be perpendicular or substantially perpendicular to the first direction 102 . The two substantially perpendicular directions may include directions that form an angle between 75 degrees and 90 degrees, more particularly between 80 degrees and 90 degrees.

[0071] 제2 방향(104)은 증착 장치의 기판 또는 기판 수용 영역에 평행하거나 실질적으로 평행할 수 있다.The second direction 104 may be parallel or substantially parallel to the substrate or substrate receiving area of the deposition apparatus.

[0072] 기판이 증착 프로세스에서 실질적으로 수직으로 배향되는 실시예들에서, 제2 방향(104)은 실질적으로 수직 방향일 수 있다. 실질적으로 수직 방향은 작은 각도, 예컨대 0도 내지 15도의 각도, 특정하게는 0도 내지 10도의 각도만큼, 정확한 수직으로부터 벗어나는 방향을 포함할 수 있다.[0072] In embodiments in which the substrate is oriented substantially vertically in the deposition process, the second direction 104 may be a substantially vertical direction. A substantially vertical direction may include a direction deviating from the exact vertical by a small angle, such as an angle of 0 degrees to 15 degrees, particularly an angle of 0 degrees to 10 degrees.

[0073] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치(100)는 2개, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개, 8개, 9개, 10개, 11개, 12개, 13개, 14개, 16개 또는 훨씬 더 많은 증착 소스들을 포함할 수 있다.[0073] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition apparatus 100 may include 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, It may include 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16 or even more deposition sources.

[0074] 도 5a 및 도 5b는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치(100)를 도시한다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 예시적인 증착 장치(100)는 6개의 증착 소스들(110, 120, 530, 540, 550 및 560)을 포함하는 증착 어레이를 포함한다. 증착 소스들 각각은 제2 방향(104)으로 연장되는 회전 축을 갖는다. 증착 어레이는 피치(510)를 갖는다.5A and 5B show a deposition apparatus 100 according to embodiments described herein. The exemplary deposition apparatus 100 shown in FIGS. 5A and 5B includes a deposition array including six deposition sources 110 , 120 , 530 , 540 , 550 and 560 . Each of the deposition sources has an axis of rotation extending in the second direction 104 . The deposition array has a pitch 510 .

[0075] 증착 어레이의 피치는 증착 어레이의 인접한 증착 소스들 사이의 거리, 특히 제1 방향(102)의 거리를 지칭할 수 있다. 더 구체적으로, 증착 어레이의 피치는 증착 어레이의 인접한 증착 소스들의 회전 축들 사이의 거리를 지칭할 수 있다.The pitch of the deposition array may refer to the distance between adjacent deposition sources of the deposition array, particularly in the first direction 102 . More specifically, the pitch of the deposition array may refer to the distance between the axes of rotation of adjacent deposition sources of the deposition array.

[0076] 도 5a는 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트를 도시한다. 도 5b는 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)를 도시한다. 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리(220)에 있다. 거리(220)는, 예컨대 피치(510)의 약 50%일 수 있다. 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시킴으로써, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착된 증착 재료의 피크들은 증착 어레이의 인접한 증착 소스들 사이의 위치들로 시프팅될 수 있다. 따라서, 위에서 논의된 바와 같이, 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로의 이동은 마스킹 엘리먼트(150) 상에서 누적되는 증착 재료의 증착 프로파일을 평준화하는 것을 허용한다.5A shows a masking element in a first position 202 . 5B shows the masking element 150 in the second position 204 . The second position 204 is at a distance 220 from the first position 202 in the first direction 102 . Distance 220 may be, for example, about 50% of pitch 510 . By moving the masking element 150 from the first position 202 to the second position 204 , the peaks of deposition material deposited on the masking element 150 shift to positions between adjacent deposition sources of the deposition array. can be ticked Accordingly, as discussed above, moving from the first position 202 to the second position 204 allows for leveling the deposition profile of deposition material accumulating on the masking element 150 .

[0077] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치(100)는 기판 수용 영역에서 재료를 증착시키기 위한 복수의 증착 소스들을 포함할 수 있다. 복수의 증착 소스들은 기판 또는 기판 수용 영역의 동일한 측에 배열될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition apparatus 100 may include a plurality of deposition sources for depositing material in the substrate receiving area. A plurality of deposition sources may be arranged on the same side of the substrate or substrate receiving area.

[0078] 복수의 증착 소스들은 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120), 제3 증착 소스, 선택적으로는 제4 증착 소스, 및 선택적으로는 훨씬 더 많은 증착 소스들을 포함할 수 있다. 복수의 증착 소스들의 인접한 증착 소스들은 서로 실질적으로 일정한 거리에 제1 방향(102)으로 배열될 수 있다.The plurality of deposition sources may include a first deposition source 110 , a second deposition source 120 , a third deposition source, optionally a fourth deposition source, and optionally even more deposition sources. have. Adjacent deposition sources of the plurality of deposition sources may be arranged in the first direction 102 at a substantially constant distance from each other.

[0079] 복수의 증착 소스들은 증착 어레이일 수 있다. 제1 증착 소스(110)와 제2 증착 소스(120) 사이의 제1 거리, 이를테면 예컨대, 도 3a 내지 도 3d에 도시된 거리(350)는 증착 어레이의 피치, 예컨대 도 5a 및 도 5b에 도시된 피치(510)와 동일할 수 있다.[0079] The plurality of deposition sources may be a deposition array. A first distance between the first deposition source 110 and the second deposition source 120 , such as, for example, the distance 350 illustrated in FIGS. 3A-3D , is the pitch of the deposition array, such as illustrated in FIGS. 5A and 5B . It may be the same as the used pitch 510 .

[0080] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동되도록 구성되며, 여기서 제1 포지션으로부터 제1 방향(102)으로 제2 포지션까지의 거리는 증착 어레이의 피치의 30% 내지 70%, 더 특정하게는 40% 내지 60%, 예컨대 약 50%이다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is configured to move from a first position 202 to a second position 204 , wherein the The distance from the first position to the second position in the first direction 102 is between 30% and 70%, more specifically between 40% and 60%, such as about 50% of the pitch of the deposition array.

[0081] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 어레이의 피치는 250mm 내지 350mm, 더 특정하게는 280mm 내지 320mm, 예컨대 약 300mm일 수 있다. 이 때문에, 본 명세서에 설명된 실시예들은 당업계에 알려진 시스템들에 대한 것보다 더 긴 피치를 제공한다. 피치가 더 길어짐에 따라, 스퍼터 코일 중첩이 감소된다. 따라서, 마스킹 엘리먼트 상에 증착되는 재료의 증착 프로파일의 피크들의 최대 높이가 추가로 감소될 수 있다. 결국, 이것은 마스킹 엘리먼트의 수명을 증가시킨다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the pitch of the deposition array may be between 250 mm and 350 mm, more specifically between 280 mm and 320 mm, such as about 300 mm. To this end, the embodiments described herein provide a longer pitch than for systems known in the art. As the pitch becomes longer, the sputter coil overlap is reduced. Accordingly, the maximum height of the peaks of the deposition profile of the material deposited on the masking element can be further reduced. In turn, this increases the lifetime of the masking element.

[0082] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치는 마스킹 엘리먼트를 이동시키기 위한 하나 이상의 액추에이터들, 예컨대 액추에이터(410)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 액추에이터들은 제1 방향(102)으로 그리고/또는 제2 방향(104)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시키도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 액추에이터들은 마스킹 엘리먼트(150)에 연결될 수 있다. 액추에이터는, 예컨대 모터 또는 선형 액추에이터를 포함할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 증착 장치(100)는 하나 이상의 액추에이터들에 전력을 제공하기 위한 하나 이상의 전력 공급부들, 이동 제어기, 및/또는 마스킹 엘리먼트의 이동을 트리거링하기 위한 신호를 수신하기 위한 수단을 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition apparatus may include one or more actuators for moving the masking element, such as actuator 410 . The one or more actuators may be configured to move the masking element 150 in the first direction 102 and/or in the second direction 104 . One or more actuators may be coupled to the masking element 150 . The actuator may include, for example, a motor or a linear actuator. Deposition apparatus 100 according to embodiments described herein is configured to receive one or more power supplies for providing power to one or more actuators, a movement controller, and/or a signal for triggering movement of a masking element. It may include means for

[0083] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치는 마스킹 엘리먼트(150)의 이동을 제어하기 위한 제어 유닛을 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition apparatus may include a control unit for controlling movement of the masking element 150 .

[0084] 제어 유닛은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 하나 이상의 액추에이터들을 제어하도록 구성될 수 있다.[0084] The control unit may be configured to control one or more actuators according to embodiments described herein.

[0085] 제어 유닛은, 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착되는 증착 재료의 특성에 의존하여, 제1 방향(102) 및/또는 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트(150)의 이동을 제어하도록 구성될 수 있다.The control unit controls the movement of the masking element 150 in the first direction 102 and/or the second direction 104 depending on the properties of the deposition material deposited on the masking element 150 . can be configured to

[0086] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는, 예컨대 재료를 증착시키는 미리 결정된 시간 기간 이후 제어 유닛의 제어 하에서 이동될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)를 구동시키는 속도, 또는 마스킹 엘리먼트(150)가 이동되는 순간(moment in time)은 미리 결정된 증착 레이트 및/또는 측정된 데이터에 기반하여 제어 유닛에 의해 계산될 수 있다. 예컨대, 특정한 프로세스의 파라미터들은 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 레이트 및 그에 따른, 예컨대 마스킹 엘리먼트(150)가 이동될 속도를 결정하는 데 사용될 수 있다. 룩업 테이블은, 예컨대 마스킹 엘리먼트(150)의 이동의 속력, 또는 마스킹 엘리먼트(150)가 이동될 순간을 결정하는 데 사용될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 may be moved under the control of a control unit, eg, after a predetermined period of time to deposit the material. The speed at which the masking element 150 is driven, or the moment in time at which the masking element 150 is moved, may be calculated by the control unit based on a predetermined deposition rate and/or measured data. For example, parameters of a particular process may be used to determine the rate of deposition on the masking element 150 and thus the rate at which, for example, the masking element 150 is moved. The lookup table may be used, for example, to determine the speed of movement of the masking element 150 , or the instant at which the masking element 150 is to be moved.

[0087] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)의 이동은 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착된 재료 층의 측정들에 기반하여 제어될 수 있다. 증착 장치(100)는 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착된 재료의 양 또는 증착 프로파일을 측정하기 위한 하나 이상의 센서들을 포함할 수 있다. 예컨대, 마스킹 엘리먼트 상의 재료 층의 두께와 같은 특성이 측정될 수 있고, 마스킹 엘리먼트의 이동은 측정에 기반하여 제어 유닛에 의해 제어될 수 있다. 제어 유닛은 제1 방향(102) 및/또는 제2 방향(104)으로의 마스킹 엘리먼트의 이동을 제어하기 위한 하나 이상의 룩업 테이블들을 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the movement of the masking element 150 is to be controlled based on measurements of the deposited material layer on the masking element 150 . can The deposition apparatus 100 may include one or more sensors for measuring a deposition profile or amount of material deposited on the masking element 150 . For example, a property such as a thickness of a material layer on the masking element may be measured, and movement of the masking element may be controlled by the control unit based on the measurement. The control unit may comprise one or more lookup tables for controlling movement of the masking element in the first direction 102 and/or the second direction 104 .

[0088] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치(100)의 증착 소스는, 예컨대 스퍼터링 프로세스, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스 등을 수행하도록 적응될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source of the deposition apparatus 100 may be, for example, a sputtering process, a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process. ) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, and the like.

[0089] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120) 및/또는 본 명세서에 설명된 임의의 추가적인 증착 소스가 진공 증착을 위해 구성될 수 있다. 증착 장치(100)는 진공 증착 장치일 수 있다. 증착 소스는 진공 프로세싱 챔버에 배열될 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first deposition source 110 , the second deposition source 120 , and/or any additional deposition described herein The source may be configured for vacuum deposition. The deposition apparatus 100 may be a vacuum deposition apparatus. The deposition source may be arranged in a vacuum processing chamber.

[0090] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 소스는 캐소드 어셈블리이거나 이를 포함할 수 있다. 증착 소스는 타겟, 특히 회전식 타겟을 포함할 수 있다. 회전식 타겟은 증착 소스의 회전 축, 예컨대 도 1a에 도시된 바와 같은 제1 증착 소스(110)의 회전 축(112)을 중심으로 회전가능할 수 있다. 회전식 타겟은 곡선형 표면, 예컨대 원통형 표면을 가질 수 있다. 회전식 타겟은 원통 또는 튜브의 축인 회전 축을 중심으로 회전될 수 있다. 회전식 타겟은 백킹 튜브(backing tube)를 포함할 수 있다. 코팅 프로세스 동안 기판 상으로 증착될 재료를 함유할 수 있는, 타겟을 형성하는 타겟 재료가 백킹 튜브 상에 탑재될 수 있다.[0090] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source may be or include a cathode assembly. The deposition source may comprise a target, particularly a rotary target. The rotatable target may be rotatable about an axis of rotation of the deposition source, such as axis of rotation 112 of the first deposition source 110 as shown in FIG. 1A . The rotatable target may have a curved surface, such as a cylindrical surface. The rotatable target may be rotated about an axis of rotation, which is the axis of the cylinder or tube. The rotary target may include a backing tube. A target material forming a target, which may contain material to be deposited onto the substrate during the coating process, may be mounted on the backing tube.

[0091] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 증착 소스(110), 제2 증착 소스(120) 및/또는 임의의 추가적인 증착 소스는, 제2 방향(104)으로 연장되는 회전 축을 갖는 회전식 타겟을 각각 포함할 수 있다.[0091] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first deposition source 110 , the second deposition source 120 and/or any additional deposition source may include a second Each may include a rotatable target having an axis of rotation extending in direction 104 .

[0092] 증착 소스는 자석 어셈블리를 포함할 수 있다. 자석 어셈블리는 증착 소스의 회전식 타겟에 배열될 수 있다. 자석 어셈블리는, 증착 소스에 의해 스퍼터링된 타겟 재료가 기판을 향해 스퍼터링되도록 배열될 수 있다. 자석 어셈블리는 자기장을 생성할 수 있다. 자기장은 하나 이상의 플라즈마 구역들이 스퍼터 증착 프로세스 동안 자기장 부근에 형성되게 할 수 있다. 회전식 타겟 내의 자석 어셈블리의 포지션은, 스퍼터 증착 프로세스 동안 타겟 재료가 캐소드 어셈블리로부터 떨어져 스퍼터링되는 방향에 영향을 준다.[0092] The deposition source may include a magnet assembly. The magnet assembly may be arranged on a rotatable target of the deposition source. The magnet assembly may be arranged such that the target material sputtered by the deposition source is sputtered towards the substrate. The magnet assembly may generate a magnetic field. The magnetic field may cause one or more plasma regions to form in the vicinity of the magnetic field during the sputter deposition process. The position of the magnet assembly within the rotating target affects the direction in which the target material is sputtered away from the cathode assembly during the sputter deposition process.

[0093] 추가적인 실시예에 따르면, 증착 방법이 제공된다. 증착 방법은, 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)를 사용하여 기판(160) 상에 재료를 증착시키는 단계를 포함한다. 기판(160)은 제1 방향(102)으로 연장되는 기판 에지 구역(162)을 포함한다. 방법은 제1 포지션(202)에 배열된 마스킹 엘리먼트(150)를 사용하여 기판 에지 구역(162)을 마스킹하는 단계를 포함한다. 방법은, 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시키는 단계를 포함한다. 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제1 방향(102)으로 일정 거리에 있다.[0093] According to a further embodiment, a deposition method is provided. The deposition method includes depositing a material on a substrate 160 using a first deposition source 110 and a second deposition source 120 . The substrate 160 includes a substrate edge region 162 extending in a first direction 102 . The method includes masking the substrate edge region 162 using the masking element 150 arranged in the first position 202 . The method includes moving the masking element 150 from a first position 202 to a second position 204 to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 . The second position 204 is a distance from the first position 202 in the first direction 102 .

[0094] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 증착 소스(110)는 제2 증착 소스(120)로부터 제1 거리, 예컨대 거리(350)로 배열될 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)는 제1 방향(102)으로 제2 거리, 예컨대 거리(220)만큼 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동될 수 있다. 제2 거리는 제1 거리의 30% 내지 70%, 더 특정하게는 40% 내지 60%, 예컨대 50%일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first deposition source 110 is arranged at a first distance from the second deposition source 120 , such as a distance 350 . can be The masking element 150 may be moved from the first position 202 to the second position 204 by a second distance, eg, a distance 220 in the first direction 102 . The second distance may be between 30% and 70%, more specifically between 40% and 60%, such as 50% of the first distance.

[0095] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 마스킹 엘리먼트(150)는 마스킹 엘리먼트(150) 상에 증착되는 재료의 증착 프로파일을 보상하기 위해 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동될 수 있다. 증착 프로파일은 하나 이상의 피크들 및 하나 이상의 밸리들을 포함할 수 있다. 마스킹 엘리먼트가 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동되기 전에, 예컨대 직전에, 증착 프로파일은 제1 증착 소스를 향하는 제1 피크, 제2 증착 소스를 향하는 제2 피크, 및/또는 제1 증착 소스와 제2 증착 소스 사이의 위치를 향하는 제1 밸리를 포함할 수 있다. 마스킹 엘리먼트(150)가 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동된 이후, 예컨대 직후, 제1 밸리는 제1 증착 소스 또는 제2 증착 소스를 향할 수 있다. 제1 피크 및/또는 제2 피크는 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스로부터 제1 방향으로 일정 거리의 위치에 있을 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the masking element 150 is positioned in a first position ( 202 to the second position 204 . The deposition profile may include one or more peaks and one or more valleys. Before, such as immediately before, the masking element is moved from the first position 202 to the second position 204 , the deposition profile has a first peak directed towards the first deposition source, a second peak directed toward the second deposition source, and/or Alternatively, it may include a first valley facing a position between the first deposition source and the second deposition source. After, eg, immediately after, the masking element 150 is moved from the first position 202 to the second position 204 , the first valley may face the first deposition source or the second deposition source. The first peak and/or the second peak may be located at a distance from the first deposition source and the second deposition source in the first direction.

[0096] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 포지션(204)은 제1 포지션(202)으로부터 제2 방향(104)으로 일정 거리에 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the second position 204 is a distance from the first position 202 in the second direction 104 .

[0097] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 방법은 제2 포지션(204)에 배열된 마스킹 엘리먼트(150)를 사용하여 기판 에지 구역(162)의 적어도 일부를 마스킹하는 단계를 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition method uses a masking element 150 arranged in the second position 204 to remove the substrate edge region 162 . It may include masking at least a portion.

[0098] 예컨대, 기판 에지 구역(162)의 일부만이 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹될 수 있다. 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트에 의해 마스킹된 기판(160)의 구역은 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된 기판 에지 구역(162)과 상이한 추가적인 기판 에지 구역일 수 있다. 예컨대, 제1 방향(102)의 추가적인 기판 에지 구역의 길이는 제1 방향(102)의 기판(160)의 길이와 동일할 수 있다. 대안적으로, 제1 방향(102)의 추가적인 기판 에지 구역의 길이는 제1 방향(102)의 기판(160)의 길이보다 작을 수 있다.For example, only a portion of the substrate edge region 162 may be masked by the masking element 150 in the second position 204 . The region of the substrate 160 masked by the masking element in the second position 204 may be an additional substrate edge region different from the substrate edge region 162 masked by the masking element 150 in the first position 202 . have. For example, the length of the additional substrate edge region in the first direction 102 may be equal to the length of the substrate 160 in the first direction 102 . Alternatively, the length of the additional substrate edge region in the first direction 102 may be less than the length of the substrate 160 in the first direction 102 .

[0099] 대안적으로, 전체 기판 에지 구역(162)은 제2 포지션(204)에 배열된 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹될 수 있다. 제2 포지션(204)의 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된 기판(160)의 구역은 제1 포지션(202)의 마스킹 엘리먼트(150)에 의해 마스킹된 기판(160)의 구역과 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다.Alternatively, the entire substrate edge region 162 may be masked by a masking element 150 arranged in the second position 204 . The area of the substrate 160 masked by the masking element 150 in the second position 204 is equal to or substantially equal to the area of the substrate 160 masked by the masking element 150 in the first position 202 . can be the same.

[00100] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 방법은 마스킹 엘리먼트(150) 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 제2 포지션(204)으로부터 제3 포지션으로 마스킹 엘리먼트(150)를 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 제3 포지션은 제2 포지션(204)으로부터 제1 방향(102)으로 그리고/또는 제2 방향(104)으로 일정 거리에 있을 수 있다. 제1 방향(102)의 거리는 제1 증착 소스와 제2 증착 소스 사이의 제1 거리의 30% 내지 70%, 더 특정하게는 40% 내지 60%, 예컨대 50%일 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition method comprises a third from the second position 204 to compensate for accumulation of deposition material on the masking element 150 . moving the masking element 150 into position. The third position may be a distance from the second position 204 in the first direction 102 and/or in the second direction 104 . The distance in the first direction 102 may be 30% to 70%, more specifically 40% to 60%, such as 50% of the first distance between the first deposition source and the second deposition source.

[00101] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 대면적 기판이다.[00101] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate is a large area substrate.

[00102] 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "기판"이라는 용어는 비가요성 기판들(예컨대, 유리 기판, 웨이퍼, 투명 결정의 슬라이스들, 이를테면 사파이어 등, 또는 유리 플레이트) 및 가요성 기판들(이를테면, 웹(web) 또는 포일) 둘 모두를 포괄한다. 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 본 명세서에 설명된 실시예들은 디스플레이 PVD, 즉 디스플레이 시장을 위한 대면적 기판들 상에서의 스퍼터 증착을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 대면적 기판들 또는 개개의 캐리어들 ― 캐리어들은 하나의 기판 또는 복수의 기판들을 운반할 수 있음 ― 은 적어도 0.67m2의 사이즈를 가질 수 있다. 사이즈는 약 0.67m2(0.73×0.92m - Gen 4.5) 내지 약 8m2, 더 구체적으로는 약 2m2 내지 약 9m2 또는 심지어 최대 12m2일 수 있다. 기판들 또는 캐리어들 ― 이들에 대해, 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 구조들, 장치들, 이를테면 캐소드 어셈블리들, 및 방법들이 제공됨 ― 은 본 명세서에 설명된 바와 같이 대면적 기판들일 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는 약 0.67m2 기판들(0.73×0.92m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4m2 기판들(1.1m×1.3m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29m2 기판들(1.95m×2.2m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7m2 기판들(2.2m×2.5m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7m2 기판들(2.85m×3.05m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 훨씬 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[00102] As used herein, the term "substrate" refers to inflexible substrates (eg, a glass substrate, wafer, slices of transparent crystal, such as sapphire, etc., or a glass plate) and flexible substrates (eg, a glass plate). , web or foil). According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the embodiments described herein may be used for sputter deposition on display PVD, ie large area substrates for the display market. have. According to some embodiments, large area substrates or individual carriers, wherein carriers may carry one substrate or a plurality of substrates, may have a size of at least 0.67 m 2 . The size may be from about 0.67 m 2 (0.73×0.92 m - Gen 4.5) to about 8 m 2 , more specifically from about 2 m 2 to about 9 m 2 , or even up to 12 m 2 . Substrates or carriers, for which structures, devices, such as cathode assemblies, and methods according to embodiments described herein are provided, can be large area substrates as described herein. . For example, the large area substrate or carrier may be GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73×0.92 m), GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 m×1.3 m), about 4.29 m 2 substrate Corresponds to GEN 7.5 corresponding to s (1.95m×2.2m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7m 2 substrates (2.2m×2.5m), or even about 8.7m 2 substrates (2.85m×3.05m). It can be GEN 10 to do. Even larger generations, such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas, can be implemented similarly.

[00103] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 장치는 기판을 수용하기 위한 기판 수용 영역을 포함할 수 있다. 기판 수용 영역은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 고려되는 기판의 사이즈 및/또는 형상에 대응하는 사이즈 및/또는 형상을 가질 수 있다.[00103] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition apparatus may include a substrate receiving area for receiving a substrate. The substrate receiving area may have a size and/or shape corresponding to the size and/or shape of a substrate contemplated in accordance with embodiments described herein.

[00104] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 방법은 정적 증착 방법이다.[00104] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition method is a static deposition method.

[00105] 정적 증착과 동적 증착 사이의 구별은 다음과 같으며, 특히 대면적 기판 프로세싱, 이를테면 수직으로 배향된 대면적 기판들의 프로세싱에 대해 적용된다. 동적 스퍼터링은, 기판이 증착 소스에 인접하게 연속적으로 또는 준-연속적으로 이동되는 인라인(inline) 프로세스이다. 동적 스퍼터링은, 스퍼터링 프로세스가, 기판들이 증착 영역 내로 이동되기 전에 안정화되고, 이어서 기판들이 증착 소스를 지나갈 때 일정하게 유지될 수 있다는 장점을 갖는다. 그러나, 동적 증착은, 예컨대 입자 생성과 관련하여 단점들을 가질 수 있다. 이것은 특히, TFT 백플레인(backplane) 증착에 대해 적용될 수 있다. 동적 증착 프로세스들과 비교하여 상이한 정적 증착 프로세스라는 용어가 당업자에 의해 인식될 바와 같이 기판의 모든 각각의 이동을 배제하지 않음을 유의해야 한다. 정적 증착 프로세스는, 예컨대 증착 동안의 정적 기판 포지션, 증착 동안의 발진 기판 포지션, 증착 동안 본질적으로 일정한 평균 기판 포지션, 증착 동안 디더링(dithering) 기판 포지션, 증착 동안의 워블링(wobbling) 기판 포지션, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 따라서, 정적 증착 프로세스는 정적 포지션을 갖는 증착 프로세스, 본질적으로 정적인 포지션을 갖는 증착 프로세스, 또는 기판의 부분적으로 정적인 포지션을 갖는 증착 프로세스로서 이해될 수 있다. 그에 의해, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 정적 증착 프로세스는, 증착 동안 정적 증착 프로세스를 위한 기판 포지션에서 기판 또는 캐소드 어셈블리들의 어떠한 이동도 완전히 없어야 한다는 조건을 만족시킬 필요 없이, 동적 증착 프로세스와 명확하게 구별될 수 있다.[00105] The distinction between static deposition and dynamic deposition is as follows, and particularly applies to large area substrate processing, such as processing of vertically oriented large area substrates. Dynamic sputtering is an inline process in which a substrate is moved continuously or quasi-continuously adjacent to a deposition source. Dynamic sputtering has the advantage that the sputtering process can be stabilized before the substrates are moved into the deposition area and then held constant as the substrates pass the deposition source. However, dynamic deposition can have drawbacks, for example with regard to particle generation. This is particularly applicable for TFT backplane deposition. It should be noted that the term static deposition process, which is different as compared to dynamic deposition processes, does not exclude every respective movement of the substrate as will be appreciated by one of ordinary skill in the art. A static deposition process may include, for example, a static substrate position during deposition, an oscillating substrate position during deposition, an essentially constant average substrate position during deposition, a dithering substrate position during deposition, a wobbling substrate position during deposition, or combinations thereof may be included. Accordingly, a static deposition process may be understood as a deposition process having a static position, a deposition process having an essentially static position, or a deposition process having a partially static position of a substrate. Thereby, as described herein, the static deposition process is distinct from the dynamic deposition process, without having to satisfy the condition that there be completely no movement of the substrate or cathode assemblies in the substrate position for the static deposition process during deposition. can be distinguished.

[00106] 전술한 것이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.[00106] While the foregoing relates to embodiments of the present disclosure, other and additional embodiments may be devised without departing from the basic scope of the disclosure, the scope of which is defined by the claims that follow. is decided

Claims (15)

기판 수용 영역에서 재료를 증착시키도록 구성된 제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120); 및
마스킹 엘리먼트(150)를 포함하며,
상기 마스킹 엘리먼트는 제1 방향(102)으로 연장되는 기판 에지 구역(162)을 마스킹하도록 구성되고,
상기 마스킹 엘리먼트는 적어도 상기 제1 증착 소스(110)와 상기 제2 증착 소스(120)에 의해 상기 마스킹 엘리먼트 상에 증착된 증착 재료의 하나 이상의 피크(peak)들(310, 320) 및 하나 이상의 밸리(valley)들(330)을 포함하는 증착 프로파일을 보상하기 위해 적어도 상기 제1 방향으로 이동되도록 구성되는, 증착 장치(100).a first deposition source 110 and a second deposition source 120 configured to deposit material in the substrate receiving region; and
It includes a masking element 150,
the masking element is configured to mask a substrate edge region (162) extending in a first direction (102);
The masking element includes at least one or more peaks 310 , 320 and one or more valleys of deposition material deposited on the masking element by the first deposition source 110 and the second deposition source 120 . and to be moved in at least the first direction to compensate for a deposition profile comprising valleys (330). 제1항에 있어서,
상기 제1 증착 소스는 상기 제2 증착 소스로부터 제1 거리(350)에 배열되고,
상기 마스킹 엘리먼트는 상기 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 상기 제1 방향으로 제2 거리(220)만큼 이동되도록 구성되며,
상기 제2 거리는 상기 제1 거리의 30% 내지 70%인, 증착 장치(100).According to claim 1,
the first deposition source is arranged at a first distance 350 from the second deposition source;
the masking element is configured to be moved a second distance 220 in the first direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element;
The second distance is 30% to 70% of the first distance, the deposition apparatus 100 . 제1항 또는 제2항에 있어서,
적어도 상기 제1 방향으로 상기 마스킹 엘리먼트를 이동시키기 위한 하나 이상의 액추에이터들(410)을 더 포함하는, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
and one or more actuators (410) for moving the masking element in at least the first direction. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마스킹 엘리먼트는 상기 제1 방향으로 연장되는, 상기 기판 수용 영역의 에지와 중첩되는 세장형(elongated) 엘리먼트이며,
상기 증착 장치는, 적어도 상기 제1 방향으로 상기 세장형 엘리먼트를 이동시키기 위해 상기 세장형 엘리먼트에 연결된 하나 이상의 액추에이터들(410)을 포함하는, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
wherein the masking element is an elongated element extending in the first direction and overlapping an edge of the substrate receiving area;
The deposition apparatus (100) comprising one or more actuators (410) coupled to the elongate element for moving the elongate element at least in the first direction. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마스킹 엘리먼트 상에 증착되는 상기 증착 재료의 특성에 의존하여, 상기 제1 방향으로의 상기 마스킹 엘리먼트의 이동을 제어하기 위한 제어 유닛을 더 포함하는, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
and a control unit for controlling movement of the masking element in the first direction depending on a characteristic of the deposition material deposited on the masking element. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 증착 소스 및 상기 제2 증착 소스는 제2 방향으로 연장되는, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
The deposition apparatus 100, wherein the first deposition source and the second deposition source extend in a second direction. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 증착 소스 및 상기 제2 증착 소스는 제2 방향(104)으로 연장되는 회전 축(112, 122)을 갖는 회전식 타겟을 각각 포함하는, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
wherein the first deposition source and the second deposition source each comprise a rotatable target having an axis of rotation (112,122) extending in a second direction (104). 제6항에 있어서,
상기 마스킹 엘리먼트는 상기 마스킹 엘리먼트 상에서의 증착 재료의 누적을 보상하기 위해 적어도 상기 제2 방향으로 이동되도록 구성되는, 증착 장치(100).7. The method of claim 6,
and the masking element is configured to move in at least the second direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element. 제1항 또는 제2항에 있어서,
증착 소스들(110, 120, 530, 540, 550, 560)의 어레이를 포함하며,
상기 증착 소스들의 어레이는 상기 어레이의 인접한 증착 소스들 사이의 피치(pitch)(510)를 갖고,
상기 마스킹 엘리먼트는 제1 포지션(202)으로부터 제2 포지션(204)으로 이동되도록 구성되며,
상기 제1 포지션으로부터 상기 제1 방향으로 상기 제2 포지션까지의 거리(220)는 상기 피치의 30% 내지 70%인, 증착 장치(100).3. The method of claim 1 or 2,
an array of deposition sources (110, 120, 530, 540, 550, 560);
wherein the array of deposition sources has a pitch (510) between adjacent deposition sources of the array;
the masking element is configured to move from a first position (202) to a second position (204);
A distance 220 from the first position to the second position in the first direction is 30% to 70% of the pitch. 증착 방법으로서,
제1 증착 소스(110) 및 제2 증착 소스(120)를 사용하여 기판(160) 상에 재료를 증착시키는 단계 ― 상기 기판은 제1 방향(102)으로 연장되는 기판 에지 구역(162)을 포함함 ―;
제1 포지션(202)에 배열된 마스킹 엘리먼트(150)를 사용하여 상기 기판 에지 구역을 마스킹하는 단계; 및
적어도 상기 제1 증착 소스와 상기 제2 증착 소스에 의해 상기 마스킹 엘리먼트 상에 증착된 증착 재료의 하나 이상의 피크들 및 하나 이상의 밸리들을 포함하는 증착 프로파일을 보상하기 위해 상기 제1 포지션으로부터 제2 포지션(204)으로 상기 마스킹 엘리먼트를 이동시키는 단계를 포함하며,
상기 제2 포지션은 상기 제1 포지션으로부터 상기 제1 방향으로 일정 거리(220)에 있는, 증착 방법.A deposition method comprising:
depositing material on a substrate 160 using a first deposition source 110 and a second deposition source 120 , the substrate including a substrate edge region 162 extending in a first direction 102 Ham ―;
masking the substrate edge region using a masking element (150) arranged in a first position (202); and
a second position from the first position to compensate for a deposition profile comprising at least one or more peaks and one or more valleys of deposition material deposited on the masking element by the first deposition source and the second deposition source; moving the masking element to 204);
and the second position is a distance (220) from the first position in the first direction. 제10항에 있어서,
상기 제1 증착 소스는 상기 제2 증착 소스로부터 제1 거리(350)에 배열되고,
상기 마스킹 엘리먼트는 상기 제1 방향으로 제2 거리(220)만큼 상기 제1 포지션으로부터 상기 제2 포지션으로 이동되며,
상기 제2 거리는 상기 제1 거리의 30% 내지 70%인, 증착 방법.11. The method of claim 10,
the first deposition source is arranged at a first distance 350 from the second deposition source;
the masking element is moved from the first position to the second position by a second distance 220 in the first direction;
and the second distance is between 30% and 70% of the first distance. 삭제delete 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 제2 포지션은 상기 제1 포지션으로부터 제2 방향(104)으로 일정 거리(420)에 있는, 증착 방법.12. The method of claim 10 or 11,
wherein the second position is a distance (420) in a second direction (104) from the first position. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 제2 포지션에 배열된 상기 마스킹 엘리먼트를 사용하여 상기 기판 에지 구역의 적어도 일부를 마스킹하는 단계를 더 포함하는, 증착 방법.12. The method of claim 10 or 11,
and masking at least a portion of the substrate edge region using the masking element arranged in the second position. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 증착 방법은 정적 증착 방법인, 증착 방법.12. The method of claim 10 or 11,
wherein the deposition method is a static deposition method.
KR1020207001887A 2017-06-26 2017-06-26 Movable Masking Element KR102339795B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/065710 WO2019001682A1 (en) 2017-06-26 2017-06-26 Movable masking element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200020868A KR20200020868A (en) 2020-02-26
KR102339795B1 true KR102339795B1 (en) 2021-12-15

Family

ID=59215789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207001887A KR102339795B1 (en) 2017-06-26 2017-06-26 Movable Masking Element

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102339795B1 (en)
CN (1) CN110785512A (en)
WO (1) WO2019001682A1 (en)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61281865A (en) * 1986-06-09 1986-12-12 Toshiba Corp Thin film forming device
NL2003514C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-21 Otb Solar Bv Thin film deposition apparatus and method for the same.
EP2437280A1 (en) * 2010-09-30 2012-04-04 Applied Materials, Inc. Systems and methods for forming a layer of sputtered material
KR20140059225A (en) * 2011-08-09 2014-05-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Adjustable mask
EP2855727A1 (en) * 2012-06-01 2015-04-08 Applied Materials, Inc. Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma
KR200489874Y1 (en) * 2014-05-15 2019-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate edge masking system
JP2018532890A (en) * 2015-10-25 2018-11-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking a substrate during vacuum deposition

Also Published As

Publication number Publication date
CN110785512A (en) 2020-02-11
KR20200020868A (en) 2020-02-26
WO2019001682A1 (en) 2019-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494969B (en) Method for coating a substrate and coater
US7981263B2 (en) Sputtering apparatus, method of driving the same, and method of manufacturing substrate using the same
KR20130100325A (en) Systems and methods for forming a layer of sputtered material
US20150004312A1 (en) Adjustable mask
US8052850B2 (en) Sputtering apparatus, method of operating the same, and method of manufacturing substrate using the same
JP6073383B2 (en) Small rotatable sputter device for sputter deposition
KR101942011B1 (en) Flat edge design for better uniformity and increased edge life
KR100882059B1 (en) Cooled anodes
KR102339795B1 (en) Movable Masking Element
KR20160001886A (en) Substrate Tiltable Aligner
KR20200014170A (en) Film formation apparatus and manufacturing method of electronic device
CN214361638U (en) Deposition apparatus
CN109708602B (en) Measuring device
KR20170003587U (en) Carrier for supporting a substrate and apparatus therefor
KR102217879B1 (en) Method for processing a substrate, apparatus for vacuum processing, and vacuum processing system
WO2020164685A1 (en) Cathode drive unit, sputtering cathode and method for assembling a cathode drive unit
CN215163072U (en) Deposition apparatus and deposition system
KR102632430B1 (en) Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device
WO2017088212A1 (en) Magnetron sputter coating apparatus and target device therefor
JP2017115215A (en) Manufacturing apparatus for organic el display device
WO2017059888A1 (en) Edge exclusion mask
WO2019233601A1 (en) Static evaporation source, vacuum processing chamber, and method of depositing material on a substrate
JP2020535304A (en) Sedimentation equipment with a mask aligner, masking equipment for masking substrates, and methods for masking substrates
CN114641589A (en) Idle shield, deposition apparatus, deposition system and methods of assembly and operation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant