KR102335618B1 - 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법, 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 쉴딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법 - Google Patents

반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법, 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 쉴딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법, 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 쉴딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법에 관한 것이다. 일 구체예에서 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법은 기재층의 일면에 제1 점착층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 점착층의 일면에 광경화성 점착조성물을 도포하여, 제2 점착층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상 포함하며, 상기 제1 점착층은 제2 점착층보다 점착강도가 크다.

Description

반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법, 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 쉴딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING SHIELDING FILM FOR SPUTTERING FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, SHIELDING FILM THEREOF AND METHOD FOR SPUTTERING FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법, 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 쉴딩필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
최근, 전자기기는 소형화 및 고주파수 동작화가 이루어지고 있으며, 이에 따라 전자기기에 탑재되는 반도체 패키징 기술의 중요성이 부각되고 있다. 한편 반도체 패키징 기술은, 반도체 패키지의 소형화와 함께, 반도체 패키지 실장시 작업성과, 반도체 실장 후의 기계적 및 전기적 신뢰성이 요구된다.
볼 그리드 배열(Ball Grid Array, BGA)은 집적회로에서 사용되는 표면 실장 패키지의 한 종류이다. 일반적으로 볼 그리드 배열은 금속회로배선이 형성된 기판의 상면에, 반도체 칩이 부착되며, 상기 반도체 칩의 본딩패드와 기판 절연체의 회로배선이 도전성 와이어로 와이어 본딩되어 전기적으로 연결되고, 기판의 하면에 외부 접속단자로서 복수 개의 솔더 볼이 격자형태로 배열된다. 볼 그리드 배열형태의 반도체 패키지에서는, 격자형으로 배열된 솔더 볼이 전기적 신호를 전달하는 역할을 하게 된다.
한편, 최근 전자기기의 다기능화, 고주파화, 고용량화 및 고속화됨에 따라 전자기파의 방출량이 증가하고 있으며, 전자파 간섭을 방지하기 위해 전자기기의 반도체 패키지의 전자파 차폐 중요성이 더욱 증가하고 있다.
일반적으로 반도체 패키지 제조시 스퍼터링(sputtering)을 통해 전자파 차폐층을 형성하게 된다. 스퍼터링을 이용한 차폐층은, 볼 그리드가 위치한 반도체 패키지 하면을 제외한 부위에 형성된다. 이를 위해 반도체 패키지의 하면에 점착성 테이프를 밀착하여 부착시킨 후, 이를 제외한 부위에 스퍼터링을 실시하여 차폐층을 형성하게 된다.
종래 점착성 테이프는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 재질의 기재필름 표면에 실리콘계 점착제를 도포하고 열경화하여 제조하였다. 그러나 실리콘계 점착제의 경화온도는 약 180℃에서 이루어지기 때문에, 제조과정에서 기재필름이 늘어나게 되어, 반도체 패키지 하면과 점착성 테이프 사이에 완전한 밀착이 되지 않고 들뜨는 현상이 발생하였다. 이에 따라, 반도체 패키지 하면의 볼 그리드에 금속이 증착되어, 반도체 패키지의 품질이 나빠지고 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.
이와 같이 점착성 테이프의 기재필름이 늘어나는 문제를 해결하기 위해, 기재의 표면에 광경화성 점착제를 도포한 점착성 테이프를 이용하는 방법이 사용되고 있다. 이는, 점착성 테이프의 광경화성 점착제가 도포된 면과 반도체 패키지의 볼 그리드가 형성된 표면을 밀착하고, 스퍼터링하여 차폐층을 형성한 다음, 점착성 테이프를 디마운트하여 이루어진다. 그러나, 광경화성 점착제와 기재필름 사이의 부착력이 낮은 경우, 점착성 테이프의 디마운트시 상기 반도체 패키지 볼 그리드 형성면에 광경화성 점착제가 함께 기재필름으로부터 이형되는 문제가 있었다.
본 발명과 관련한 배경기술은 일본 등록특허공보 제4674070호(2011.04.20. 공고, 발명의 명칭: 반도체 칩 제조 방법)에 개시되어 있다.
본 발명의 하나의 목적은 밀착력과 치수안정성이 우수하며, 차폐층 형성 이후 반도체 패키지로부터 용이하게 제거될 수 있는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 점착 성분이 반도체 패키지 하부에 전사되어 잔류하는 현상을 방지할 수 있는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 패키지의 불량률을 최소화하며, 생산성 및 경제성이 우수한 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 관점은 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 관한 것이다. 일 구체예에서 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법은 기재층의 일면에 제1 점착층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 점착층의 일면에 광경화성 점착조성물을 도포하여, 제2 점착층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상 포함하며, 상기 제1 점착층은 제2 점착층보다 점착강도가 크다.
일 구체예에서 상기 기재층은 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프랄레이트 중 하나 이상 포함할 수 있다.
일 구체예에서 상기 기재층은 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하며, 상기 기재층의 적어도 일 표면은 에칭(etching) 처리된 것일 수 있다.
일 구체예에서 상기 제1 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온 점착강도가 500 gf/25mm 이상이며, 상기 제2 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온(25℃) 점착강도가 300 gf/25mm 이상이며, 광조사 이후 점착강도가 200 gf/25mm 이하일 수 있다.
일 구체예에서 상기 기재층은 두께가 10~100㎛ 이고, 상기 제1 점착층은 두께가 10~100㎛ 이고, 그리고, 상기 제2 점착층은 두께가 10~400㎛ 일 수 있다.
일 구체예에서 상기 제1 점착층 및 제2 점착층은 1:5~1:25의 두께비로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 관점은 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법에 관한 것이다. 일 구체예에서 상기 반도체 패키지 스퍼터링 방법은 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 형성된 일면과, 제6항의 쉴딩필름의 제2 점착층을 합지하여, 적층체를 제조하는 단계; 상기 적층체의 쉴딩필름에 광조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시키는 단계; 상기 적층체를 쏘잉하여, 단위 적층체를 제조하는 단계; 상기 단위 적층체의 기재층을 스퍼터링용 로딩기기의 점착성 부재의 표면에 로딩하는 단계; 상기 단위 적층체에 스퍼터링을 실시하는 단계; 및 상기 단위 적층체로부터 상기 쉴딩필름을 제거하는 단계;를 포함한다.
일 구체예에서 상기 점착성 부재와 기재층 사이의 점착 강도는, 상기 제2 점착층과 상기 반도체 패키지 일면 사이의 점착 강도보다 큰 것일 수 있다.
다른 구체예에서 상기 반도체 패키지 스퍼터링 방법은 스퍼터링용 로딩기기의 프레임에 쉴딩필름을 라미네이션하는 단계; 반도체 패키지를 쏘잉하여 형성된, 단위 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 형성된 일면을 상기 쉴딩필름의 제2 점착층 표면에 로딩하고 가압하여, 상기 제2 점착층에 상기 단위 반도체 패키지의 볼 그리드 배열을 디핑(dipping) 시키는 단계; 상기 단위 반도체 패키지의 쉴딩필름에 광조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시키는 단계; 상기 단위 반도체 패키지에 스퍼터링을 실시하는 단계; 및 상기 단위 반도체 패키지로부터 상기 쉴딩필름을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법과, 이에 의해 제조된 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 적용시, 밀착력과 고온 치수안정성이 우수하며, 차폐층 형성 이후 반도체 패키지에 잔류하지 않고 용이하게 제거될 수 있고, 이형성이 우수하여 점착제 성분이 반도체 패키지 하부에 잔류하는 현상을 방지할 수 있으며, 반도체 패키지의 품질 저하를 방지할 수 있고, 반도체 패키지의 불량률을 최소화하며, 생산성 및 경제성이 우수할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 발명을 설명하는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 명세서에서 “상면”과 “하면”은 도면을 기준으로 정의한 것으로서, 시 관점에 따라 “상면”이 “하면”으로, “하면”이 “상면”으로 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 위(on)” 또는 “상(on)”으로 지칭되는 것은 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 구조를 개재한 경우도 포함할 수 있다.
반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법
본 발명의 하나의 관점은 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 관한 것이다.
상기 도 1을 참조하면, 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법은 (S1) 제1 점착층 형성단계; 및 (S2) 제2 점착층 형성단계;를 포함한다. 보다 구체적으로, 상기 쉴딩필름 제조방법은 (S1) 기재층의 일면에 제1 점착층을 형성하는 단계; 및 (S2) 상기 제1 점착층의 일면에 광경화성 점착조성물을 도포하여, 제2 점착층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상 포함하며, 상기 제1 점착층은 제2 점착층보다 점착강도가 크다.
이하, 본 발명의 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법을 단계별로 상세히 설명하도록 한다.
(S10) 제1 점착층 형성단계
상기 단계는, 기재층의 일 표면에 제1 점착층을 형성하는 단계이다. 일 구체예에서 기재층은 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoro ethylene, PTFE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 및 폴리에틸렌 나프랄레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 중 하나 이상 포함할 수 있다. 상기 종류의 수지를 적용시 투명성이 우수하고, 후술할 제1 점착층과의 부착력이 우수하여, 반도체 패키지의 스퍼터링시 볼 그리드 배열에 증착되는 현상을 용이하게 방지할 수 있다.
일 구체예에서 기재층은 두께가 10~100㎛ 일 수 있다. 상기 조건에서 볼 그리드를 커버할 수 있으며, 후술할 적층체 쏘잉시, 반도체 패키지에 버(burr) 발생을 최소화할 수 있다.
일 구체예에서 기재층이 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 경우 두께가 10~50㎛ 일 수 있다.
일 구체예에서 상기 기재층이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프랄레이트를 포함하는 경우 두께가 12~100㎛ 일 수 있다.
일 구체예에서 상기 기재층은 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하며, 상기 기재층의 적어도 일 표면은 에칭(etching) 처리된 것일 수 있다. 상기 조건에서 폴리테트라플루오로에틸렌의 표면 에너지가 증가하여, 기재층과 제1 점착층 사이의 부착력이 증가하여, 분리를 방지할 수 있며, 후술할 반도체 패키지 스퍼터링 이후, 점착성 부재 또는 디마운팅 테이프를 이용하여 용이하게 제거시킬 수 있다. 예를 들면 제1 점착층이 형성되는 기재층의 일면을 에칭처리할 수 있다. 예를 들면, 상기 에칭은 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)를 포함하는 에칭제를 이용하여 기재층의 표면을 처리하여 실시할 수 있다.
일 구체예에서 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상 포함할 수 있다. 상기 종류의 점착제를 적용시 투명성과 내화학성 등이 우수할 수 잇다. 예를 들면, 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상을 포함하는 제1 점착 조성물을 도포 및 경화하여 형성하거나, 기재층의 일면에 필름 형태의 제1 점착층을 라미네이션하여 형성할 수 있다.
일 구체예에서 상기 제1 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 기재층과의 상온(25℃) 점착강도가 500 gf/25mm 이상일 수 있다. 상기 조건에서 점착물질이 잔류하지 않고 기재층으로부터 용이하게 제거될 수 있다. 예를 들면 500~900 gf/25mm 일 수 있다.
일 구체에에서 상기 제1 점착층은 두께가 10~100㎛ 일 수 있다. 상기 조건에서 반도체 패키지의 디마운트시, 후술할 제2 점착층 성분이 반도체 패키지에 잔류하지 않고 용이하게 제거될 수 있다. 예를 들면 상기 제1 점착층은 두께가 3~30 ㎛ 일 수 있다.
일 구체예에서 상기 제1 점착층 형성 후, 상기 제1 점착층의 일 표면에 이형필름을 이용하여 제1 이형층을 형성할 수 있으며, 상기 제1 이형층을 제거하고 제2 점착층을 형성할 수 있다.
(S2) 제2 점착층 형성단계
상기 단계는, 상기 제1 점착층의 일 표면에 광경화성 점착조성물을 도포하여, 제2 점착층을 형성하는 단계이다.
일 구체예에서 상기 광경화성 점착조성물은 아크릴계 공중합체, 아크릴계 올리고머 및 광개시제를 포함할 수 있다.
일 구체예에서 상기 아크릴계 공중합체는 광(UV)경화성의 아크릴계 단량체 및 아크릴산의 공중합체를 포함할 수 있다. 상기 아크릴계 단량체는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 알릴(메타)아크릴레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 중 하나 이상 포함할 수 있다.
일 구체예에서 상기 아크릴계 올리고머는, 광(UV)경화성의 2관능 이상의 다관능성 아크릴계 올리고머를 포함할 수 있다.
상기 광개시제는 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-페논, 1-하이드록시싸이클로헥실페닐케톤, 벤조 페논, 1-(4-이소프로필페닐) 2-하이드록시 2-메틸 1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-하이드록시-2-메틸 프로판 1-온, α,α-다이에톡시아세토페논, 2,2-디에톡시 1-페닐 에타논 및 비스(2,4,6-트리메틸 벤조일)-페닐포스핀 옥사이드 중 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 조건에서 내화학성과 투명성 및 점착력이 우수하며, 쉴딩필름의 기계적 물성과 작업성이 우수할 수 있다. 또한 종래 열경화 방식이 가지는 기재층의 열변형을 방지하여, 반도체 패키지 하면과 쉴딩필름 사이에 들뜸 현상을 용이하게 방지할 수 있다.
일 구체예에서 상기 제2 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된, 제1 점착층과의 상온(25℃) 점착강도가 300 gf/25mm 이상이며, 광조사 이후 제1 점착층과의 점착강도가 200 gf/25mm 이하일 수 있다.
일 구체예에서 제2 점착층은 제1 점착층 보다 점착 강도가 낮으며, 상기 제2 점착층의 점착 강도는 300~500 gf/25mm 일 수 있다. 상기 조건에서 반도체 패키지와의 점착 강도가 우수하면서, 쉴딩필름의 제거시 제2 점착층의 성분이 반도체 패키지에 전사되지 않고 용이하게 제거될 수 있다 .
예를 들면, 상기 제2 점착층은 광조사 이후 제1 점착층과의 점착강도가 100~200 gf/25mm 일 수 있다. 상기 조건에서, 스퍼터링 공정 이후 쉴딩필름의 이형시 제1 점착층과 제2 점착층이 서로 분리되지 않으면서, 제2 점착층이 반도체 패키지에 전사되지 않고 용이하게 제거될 수 있다.
일 구체예에서 상기 제2 점착층은 두께가 10~400㎛ 일 수 있다. 상기 조건에서 스퍼터링시 반도체 패키지 하면에 금속 성분이 증착되는 현상을 방지하면서, 적층체 쏘잉시 버(burr) 발생을 방지하면서, 반도체 패키지 하면의 손상을 방지할 수 있다.
다른 구체예에서 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은, 반도체 패키지에 형성된 볼 그리드의 높이 이상일 수 있다. 상기 볼 그리드의 높이는, 반도체 패키지 면을 기준으로, 돌출된 볼 그리드의 높이를 의미할 수 있다. 상기 조건에서 반도체 패키지를 상기 제2 점착층에 디핑하여, 볼 그리드가 외부로 노출되지 않아 스퍼터링 공정시 볼 그리드의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들면 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은 50㎛ 이상일 수 있다. 다른 예를 들면 50~300㎛ 일 수 있다.
일 구체예에서 제2 점착층의 두께를 100㎛ 이상으로 형성하는 경우, 제2 점착층을 구성하는 광경화성 점착조성물을 복수 회 도포하여 형성할 수 있다. 상기 조건에서 제2 점착층의 평활성과 균질성이 우수할 수 있다.
일 구체예에서 상기 제2 점착층은, 겔(gel) 형태로 형성되며, 반도체 패키지 볼 그리드와 점착된 이후, 광조사하여 경화시킬 수 있다.
일 구체예에서, 상기 제1 점착층 및 제2 점착층은 1:5~1:25의 두께 비율로 형성될 수 있다. 상기 범위로 형성시, 반도체 패키지와 점착력이 우수하면서, 쉴딩필름의 내구성 및 기계적 물성이 우수하고, 스퍼터링 공정 후 이형시 반도체 패키지에 제2 점착층 성분이 전사되는 현상을 방지할 수 있다. 예를 들면 1:8~1:12 두께비율로 형성될 수 있다.
상기 제2 점착층 형성 후, 상기 제2 점착층의 일 표면에 이형필름을 이용하여 제2 이형층을 형성하여 상기 제2 점착층이 광에 노출되는 것을 차단할 수 있으며, 반도체 패키지 스퍼터링 공정시 상기 제2 이형층을 제거하여 사용할 수 있다.
반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름
본 발명의 다른 관점은 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 나타낸 것이다. 상기 도 1을 참조하면, 쉴딩필름(100)은 기재층(102); 기재층(102)의 일 표면에 형성된 제1 점착층(104); 및 제1 점착층(104)의 일면에 형성된 제2 점착층(106)을 포함한다.
상기 쉴딩필름은, 전술한 바와 동일한 구성 요소를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법
본 발명의 또 다른 관점은 상기 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다. 상기 도 2를 참조하면, 본 발명의 반도체 패키지 스퍼터링 방법은 (S10) 적층체 제조단계; (S11) 제2 점착층 경화단계; (S12) 단위 적층체 제조단계; (S13) 단위 적층체 로딩단계; (S14) 스퍼터링 단계; 및 (S15) 쉴딩필름 제거단계;를 포함한다.
이하, 상기 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 단계별로 상세히 설명하도록 한다.
(S10) 적층체 제조단계
상기 단계는 도 2(a)와 같이 반도체 패키지(200)의 볼 그리드(210) 배열이 형성된 일면과, 쉴딩필름(100)의 제2 점착층(미도시)을 합지하여 적층체(300)를 제조하는 단계이다.
(S11) 제2 점착층 경화단계
상기 단계는 도 2(b)와 같이 적층체(300)의 쉴딩필름(100)의 표면에 광(UV)조사하여, 제2 점착층을 경화시키는 단계이다. 상기 제2 점착층의 경화시 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 제1 점착층과의 점착강도가 200 gf/25mm 이하로 형성될 수 있다. 상기 조건에서, 스퍼터링 공정 이후 쉴딩필름의 이형시 제1 점착층과 제2 점착층이 서로 분리되지 않으면서, 제2 점착층이 반도체 패키지에 전사되지 않고 용이하게 제거될 수 있으며, 쏘잉하여 단위 적층체 제조시 점착층에 버(burr) 등이 발생하지 않아 작업성이 우수할 수 있다. 예를 들면 100~200 gf/25mm 일 수 있다.
(S12) 단위 적층체 제조단계
상기 단계는 도 2(c)와 같이 적층체(300)를 쏘잉하여, 단위 적층체(310)를 제조하는 단계이다. 상기 쏘잉은, 통상의 방법으로 실시할 수 있다.
(S13) 단위 적층체 로딩단계
상기 단계는, 도 2(c)와 같이 단위 적층체(310)에 형성된, 쉴딩필름(100)의 기재층(미도시)을, 스퍼터링용 로딩기기의 점착성 부재(400) 표면에 로딩하는 단계이다. 에를 들면 점착성 부재는, 폴리이미드(polyimide) 필름을 사용할 수 있다.
일 구체예에서 점착성 부재(400)는 점착 강도는 40~2,500 gf/25mm 일 수 있다.
일 구체예에서 점착성 부재(400)와 쉴딩필름의 기재층 사이의 점착 강도는, 상기 쉴딩필름의 제2 점착층과 상기 반도체 패키지(200) 일면 사이의 점착 강도보다 클 수 있다.
(S14) 스퍼터링 단계
상기 단계는 단위 적층체(310)에 스퍼터링을 실시하는 단계이다. 상기 스퍼터링은 통상의 조건으로 실시될 수 있다. 상기 스퍼터링시, 쉴딩필름과 합지된 반도체 패키지 면을 제외한, 나머지 부위에 금속이 증착되어 차폐층이 형성된다.
(S15) 쉴딩필름 제거단계
상기 단계는 도 2(e)와 같이 단위 적층체로부터 쉴딩필름(100)을 제거하는 단계이다. 일 구체예에서 도 2(e)와 같이 점착성 부재(400)와 기재층(미도시) 사이의 점착 강도가, 반도체 패키지(200)와 제2 점착층(미도시)보다 점착 강도가 강한 경우, 이젝트 핀(eject pin) 등의 분리용 부재를 사용하여, 점착성 부재(400)에 쉴딩필름(100)이 부착된 채로, 반도체 패키지(200)만 분리할 수 있다.
일 구체예에서 점착성 부재의 점착 강도는 40~2,500 gf/25mm 일 수 있다. 상기 범위로 형성시 점착성 부재(400)에 쉴딩필름(100)이 부착된 채로, 반도체 패키지(200)만 용이하게 분리할 수 있다. 예를 들면, 상기 점착성 부재와 쉴딩필름의 기재층 사이의 점착 강도는 40~2,500 gf/25mm 일 수 있다.
다른 구체예에서 점착성 부재와 쉴딩필름의 기재층 사이의 점착 강도는, 상기 쉴딩필름의 제2 점착층과 상기 반도체 패키지 일면 사이의 점착 강도보다 작을 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다. 도 3(e)와 같이 점착성 부재(410)와 기재층 사이의 점착 강도가, 쉴딩필름(100)의 제2 점착층과 반도체 패키지 사이의 점착 강도보다 약한 경우, 쉴딩필름(100)이 반도체 패키지(200)로부터 분리되지 않고 이형되며, 도 3(f)와 같이 디마운트 필름(600) 등을 이용하여 쉴딩필름(100)과 반도체 패키지(200)를 분리할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 구체예에 따른 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 모식적으로 나타낸 것이다. 상기 도 4를 참조하면, 상기 반도체 패키지 스퍼터링 방법은 (S20) 쉴딩필름 라미네이션 단계; (S21) 단위 반도체 패키지 디핑단계; (S22) 제2 점착층 경화단계; (S23) 스퍼터링 단계; 및 (S24) 쉴딩필름 제거단계;를 포함한다.
이하, 상기 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 단계별로 설명하도록 한다.
(S20) 쉴딩필름 라미네이션 단계
상기 단계는 상기 도 4(a)와 같이, 스퍼터링용 로딩기기의 프레임(10)에 쉴딩필름(100)을 라미네이션하는 단계이다. 상기 라미네이션은, 통상적인 방법으로 실시할 수 있다.
(S21) 단위 반도체 패키지 디핑단계
상기 단계는 상기 도 4(b)와 같이, 반도체 패키지(200)를 쏘잉하여 형성된, 단위 반도체 패키지(202)의 볼 그리드 배열이 형성된 일면을 쉴딩필름(100)의 제2 점착층(106) 표면에 로딩하고 가압하여, 제2 점착층(106)에 단위 반도체 패키지(202)의 볼 그리드 배열을 디핑(dipping) 시키는 단계이다.
다른 구체예에서 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은, 반도체 패키지에 형성된 볼 그리드의 높이 이상일 수 있다. 상기 볼 그리드의 높이는, 반도체 패키지 면을 기준으로, 돌출된 볼 그리드의 높이를 의미할 수 있다. 상기 조건에서 반도체 패키지를 상기 제2 점착층에 디핑하여, 볼 그리드가 외부로 노출되지 않아 스퍼터링 공정시 볼 그리드의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들면 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은 50㎛ 이상일 수 있다. 다른 예를 들면 50~300㎛ 일 수 있다.
예를 들면, 진공 프레스 또는 롤러 등의 가압 수단을 이용하여 상기 반도체 패키지를 디핑시킬 수 있다.
(S22) 제2 점착층 경화단계
상기 단계는 상기 도 4(c)와 같이 단위 반도체 패키지(202)의 쉴딩필름(100)에 광조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시키는 단계이다. 예를 들면, 상기 로딩된 쉴딩필름(100)의 하부에서 광조사하여, 기재층(102) 및 제1 점착층(104)를 투과하여 제2 점착층(106)을 경화시킬 수 있다.
(S23) 스퍼터링 단계
상기 단계는 상기 도 4(d)와 같이 상기 단위 반도체 패키지에 스퍼터링을 실시하는 단계이다.
(S24) 쉴딩필름 제거단계
상기 단계는 상기 도 4(e)와 같이 상기 단위 반도체 패키지로부터 상기 쉴딩필름을 제거하는 단계이다. 예를 들면, 상기 쉴딩필름(100)의 하부면을 디마운트 수단(20)을 이용하여, 단위 반도체 패키지를 취출하여 쉴딩필름을 제거할 수 있다.
본 발명의 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법과, 이에 의해 제조된 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링 방법을 적용시, 밀착력과 고온 치수안정성이 우수하며, 차폐층 형성 이후 반도체 패키지에 잔류하지 않고 용이하게 제거될 수 있고, 이형성이 우수하여 점착제 성분이 반도체 패키지 하부에 잔류하는 현상을 방지할 수 있으며, 반도체 패키지의 품질 저하를 방지할 수 있고, 반도체 패키지의 불량률을 최소화하며, 생산성 및 경제성이 우수할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예 및 비교예
실시예 1
(1) 스퍼터링용 쉴딩필름 제조: 두께: 20~40㎛인 기재층(PTFE, 듀폰사 제조, 테플론(teflon))의 양면을 에칭액 처리하였다. 그 다음에, 기재층 하면에, 상기 기재층과의 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온 점착 강도가 500~900 gf/25mm이며, 10~30㎛ 두께의 제1 점착층(아크릴계 및 실리콘계 점착제중 하나 이상 포함)을 형성하였다. 그 다음에 기재층의 상면에 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴계 올리고머 및 광개시제를 포함하는 광경화성 점착조성물을 2~3회 도포하고 건조하여 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온(25℃) 점착 강도가 300 gf/25mm 이상 500 gf/25mm 미만이고, 100~300㎛ 두께의 제2 점착층을 형성하여, 도 1과 같은 구조의 쉴딩필름(100)을 제조하였다. 이때 상기 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께는 1:8~1:15의 두께비로 형성하였다.
(2) 스퍼터링용 쉴딩필름을 이용한 반도체 패키지 스퍼터링: 도 2와 같이 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 형성된 일면(하면)과, 상기 쉴딩필름의 제2 점착층을 합지하여 적층체를 제조하였다. 그 다음에, 적층체의 쉴딩필름으로 광(UV) 조사하여, 제2 점착층을 경화시킨 후, 쏘잉하여 단위 적층체를 제조하였다.
이때, 경화된 제2 점착층과 제1 점착층 사이의 상온 점착강도(ASTM D 3330 규격에 의거)는 100~200 gf/25mm로 측정되었다. 그 다음에, 단위 적층체의 기재층을 점착 강도 1000gf/in인 폴리이미드 재질의 스퍼터링용 로딩기기의 점착성 부재의 표면에 로딩하고, 단위 적층체에 스퍼터링을 실시하여 차폐층을 형성하였다. 그 다음에 이젝트 핀을 이용하여 점착성 부재의 하면을 눌러, 상기 적층체로부터 상기 쉴딩필름을 제거하였다.
실시예 2
기재층으로 50~100㎛ 두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 적용하되, 에칭을 실시하지 않은 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 쉴딩필름을 제조하였다.
상기 도 3과 같은 공정으로 반도체 패키지 스퍼터링을 실시하였다. 구체적으로 상기 도 3(d)와 같이 점착 강도 40gf/25mm인 폴리이미드 재질의 스퍼터링용 로딩기기의 점착성 부재(410)의 표면에 상기 단위 적층체(310)를 로딩하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 단위 적층체에 스퍼터링을 실시하여 차폐층(500)을 형성하였다. 그 다음에 상기 점착성 부재로부터 단위 적층체를 제거한 다음, 도 5(f)와 같이 디마운트 필름(600)을 이용하여 적층체로부터 쉴딩필름(100)과 반도체 패키지(200)를 분리하여 쉴딩필름을 제거하였다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 쉴딩필름을 사용하여, 상기 도 4와 같은 공정으로 반도체 패키지 스퍼터링을 실시하였다. 구체적으로 스퍼터링용 로딩기기의 프레임(10)에 쉴딩필름(100)을 라미네이션하고, 반도체 패키지를 쏘잉하여 형성된, 단위 반도체 패키지(202)의 볼 그리드 배열이 형성된 일면을, 쉴딩필름(100)의 제2 점착층(106) 표면에 로딩하고 가압하여, 제2 점착층(106)에 단위 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 외부에 노출되지 않도록, 디핑(dipping) 시켰다. 그 다음에, 상기 단위 반도체 패키지의 쉴딩필름에 광(UV)조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시킨 후, 단위 반도체 패키지에 스퍼터링을 실시하여 차폐층(500)을 형성하였다. 그 다음에, 이젝트 핀(20)을 이용하여 쉴딩필름(100)으로부터 반도체 패키지(200)를 분리하여, 단위 반도체 패키지로부터 상기 쉴딩필름을 제거하였다.
비교예 1
제1 점착층을 미적용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 쉴딩필름을 제조하여 반도체 패키지를 스퍼터링 하였다.
비교예 2
ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 기재층과의 상온 점착강도가 300gf/25mm인 제1 점착층 및 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상기 제1 점착층과의 상온 점착강도가 450gf/25mm인 제2 점착층을 적용한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 쉴딩필름을 제조하여 반도체 패키지를 스퍼터링 하였다.
비교예 3
기재층의 일 표면에 열경화형 실리콘 조성물을 도포하고, 180℃에서 열경화하여 제2 점착층을 형성한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 쉴딩필름을 제조하여 반도체 패키지를 스퍼터링 하였다.
실험예
상기 실시예 1~3 및 비교예 1~3에 대하여, 반도체 패키지 하면의 금속 증착여부, 쉴딩필름 제거된 이후, 반도체 패키지 하면에 점착 성분의 전사 여부와 적층체 쏘잉시 반도체 패키지에 버 발생여부를 육안으로 관찰하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112020006091338-pat00001
상기 표 1의 결과를 참조하면, 본 발명에 따른 쉴딩필름을 이용하여 반도체 패키지 스퍼터링을 실시한 실시예 1~3의 경우, 반도체 패키지 하면 에금속이 증착되지 않았으며, 쉴딩필름 제거시 패키지에 이물이 전사되지 않았다.
그러나, 본 발명의 제1 점착층을 형성하지 않은 비교예 1 및 제2 점착층보다 낮은 점착 강도를 갖는 제1 점착층을 적용한 비교예 2의 경우, 쉴딩필름의 이형시 제2 점착층이 패키지 볼 그리드 형성면에서 완전히 제거되지 않고, 이물이 발생하였으며, 열경화성 실리콘 조성물을 적용한 비교예 3의 경우, 열경화 과정에서 기재층의 늘어남이 발생하여 반도체 패키지와 밀착력이 저하되어 스퍼터링시 볼 그리드 형성면 일부에 금속이 증착되었으며, 쉴딩필름의 이형시 완전히 제거되지 않아 이물이 발생하는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
10: 프레임 20: 디마운트 수단
100: 쉴딩필름 102: 기재층
104: 제1 점착층 106: 제2 점착층
200: 반도체 패키지 202: 단위 반도체 패키지
210: 볼 그리드 300: 적층체
310: 단위 적층체 400, 410: 점착성 부재
500: 차폐층 600: 디마운트 필름

Claims (10)

  1. 기재층의 일면에 제1 점착층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 점착층의 일면에 광경화성 점착조성물을 도포하여, 제2 점착층을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 제1 점착층은 아크릴계 및 실리콘계 점착제 중 하나 이상 포함하는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법이며,
    상기 기재층은 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하며, 상기 기재층의 적어도 일 표면은 에칭(etching) 처리되고,
    상기 제1 점착층은 제2 점착층보다 점착강도가 크고,
    상기 제1 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온(25℃) 점착강도가 500~900 gf/25mm 이며,
    상기 제2 점착층은 ASTM D 3330 규격에 의거하여 측정된 상온(25℃) 점착강도가 300~500 gf/25mm 이며, 광조사 이후 점착강도가 100~200 gf/25mm인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기재층은 두께가 10~100㎛ 이고,
    상기 제1 점착층은 두께가 10~100㎛ 이고, 그리고,
    상기 제2 점착층은 두께가 10~400㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 점착층 및 제2 점착층은 1:5~1:25의 두께비로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법.
  7. 제1항, 제5항 및 제6항중 어느 한 항의 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름 제조방법에 의해 제조된 반도체 패키지 스퍼터링용 쉴딩필름.
  8. 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 형성된 일면과, 제7항의 쉴딩필름의 제2 점착층을 합지하여, 적층체를 제조하는 단계;
    상기 적층체의 쉴딩필름에 광조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시키는 단계;
    상기 적층체를 쏘잉하여, 단위 적층체를 제조하는 단계;
    상기 단위 적층체의 기재층을 스퍼터링용 로딩기기의 점착성 부재의 표면에 로딩하는 단계;
    상기 단위 적층체에 스퍼터링을 실시하는 단계; 및
    상기 단위 적층체로부터 상기 쉴딩필름을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 점착성 부재와 기재층 사이의 점착 강도는,
    상기 제2 점착층과 상기 반도체 패키지 일면 사이의 점착 강도보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링 방법.
  10. 스퍼터링용 로딩기기의 프레임에 제7항의 쉴딩필름을 라미네이션하는 단계;
    반도체 패키지를 쏘잉하여 형성된, 단위 반도체 패키지의 볼 그리드 배열이 형성된 일면을 상기 쉴딩필름의 제2 점착층 표면에 로딩하고 가압하여, 상기 제2 점착층에 상기 단위 반도체 패키지의 볼 그리드 배열을 디핑(dipping) 시키는 단계;
    상기 단위 반도체 패키지의 쉴딩필름에 광조사하여, 상기 제2 점착층을 경화시키는 단계;
    상기 단위 반도체 패키지에 스퍼터링을 실시하는 단계; 및
    상기 단위 반도체 패키지로부터 상기 쉴딩필름을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 스퍼터링 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674322B1 (ko) * 2015-11-18 2016-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
WO2019017225A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674322B1 (ko) * 2015-11-18 2016-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
WO2019017225A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法

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