KR102332623B1 - 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치 - Google Patents

표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102332623B1
KR102332623B1 KR1020150000606A KR20150000606A KR102332623B1 KR 102332623 B1 KR102332623 B1 KR 102332623B1 KR 1020150000606 A KR1020150000606 A KR 1020150000606A KR 20150000606 A KR20150000606 A KR 20150000606A KR 102332623 B1 KR102332623 B1 KR 102332623B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
adhesive layer
display device
acrylate
electrode
Prior art date
Application number
KR1020150000606A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160084536A (ko
Inventor
황현득
김수경
주소연
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150000606A priority Critical patent/KR102332623B1/ko
Priority to US14/727,087 priority patent/US9985208B2/en
Publication of KR20160084536A publication Critical patent/KR20160084536A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102332623B1 publication Critical patent/KR102332623B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L27/3244—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/7531—Shape of other parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Abstract

표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치가 제공된다. 표시장치 제조방법은 서로 대향하는 베이스 기판과 봉지층, 베이스 기판의 일면과 봉지층 사이에 형성된 유기발광소자를 포함하는 표시패널을 준비하는 단계, 베이스 기판의 타면에 접착층을 개재하여 지지층을 부착하는 단계, 자외선을 조사하여 접착층을 경화하는 단계, 및 표시패널의 일면에 구동칩을 실장하는 단계를 포함하되, 접착층은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있다.

Description

표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치{MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME}
본 발명은 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 최근 스마트 폰과 같은 소형 모바일 기기에 사용되고 있으며, 이외에도 대면적의 화면을 가진 대형 TV에도 적용되고 있다.
유기발광 표시장치는 빛을 방출하는 유기발광소자에 의해 화상을 표시하는 자발광형 표시장치이다. 유기발광 표시장치는 제 1전극과 제 2전극에 의해 정공과 전자가 주입되고, 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 발광층에서 주입된 정공과 전자가 결합하게 되고, 결합에 의해 형성된 여기자(exiton)가 기저 상태로 떨어질 때 발생되는 에너지에 의해 빛이 발생하게 된다.
한편, 최근에는 경량화 및 박형화가 가능하고, 휴대성을 높일 수 있는 가요성(flexible) 표시장치가 개발되고 있다. 가요성 표시 장치는 가요성 기판을 사용하여 곡면 형태를 유지 또는 곡면 형태로 변형 가능한 디스플레이를 의미한다.
이에 따라, 가요성 기판을 적용하면서도, 고해상도를 구현할 수 있는 가요성 표시 장치를 제조하려는 연구가 진행되고 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고해상도를 구현할 수 있는 표시장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 표시장치를 제공하는데 있다.
또한, 표시장치의 제조과정에서의 열변형을 방지할 수 있는 표시장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 표시장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치 제조방법은 서로 대향하는 베이스 기판과 봉지층, 베이스 기판의 일면과 봉지층 사이에 형성된 유기발광소자를 포함하는 표시패널을 준비하는 단계, 베이스 기판의 타면에 접착층을 개재하여 지지층을 부착하는 단계, 자외선을 조사하여 접착층을 경화하는 단계, 및 표시패널의 일면에 구동칩을 실장하는 단계를 포함하되, 접착층은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있다.
또한, 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate), 에틸아크릴레이트(ethylacrylate), 아크릴산(acrylic acid), 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
또한, 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 에틸아크릴레이트(ethylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 아크릴산(acrylic acid) 0.1중량% 내지 20중량%, 및 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 0.1중량% 내지 20중량%를 포함할 수 있다.
또한, 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate), 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA), 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
또한, 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate) 5중량% 내지 50중량%, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA) 5중량% 내지 50중량%, 및 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 5중량% 내지 50중량%를 포함할 수 있다.
또한, 아크릴계 화합물과 자외선 경화형 화합물의 혼합비는 95.5:0.5 내지 70:30의 범위일 수 있다.
또한, 접착층은 내열성 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한, 내열성 첨가제는 헥사플루오로 디메타크릴레이트 이미드(Hexa-fluoro Di-methacrylate Imide; 6FDAI)를 포함하는 이미드 수지; 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)를 포함하는 멜라민 아크릴레이트계 수지, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 내열성 첨가제는 접착층 전체 조성물에 대하여 0.1중량% 내지 30중량%의 범위로 포함될 수 있다.
또한, 접착층을 경화하는 단계는 지지층에서 베이스 기판을 향하여 자외선을 조사함으로써 수행될 수 있다.
또한, 접착층의 경화 후 저장 탄성율(storage modulus)은 106 내지 107 Pa 범위일 수 있다.
또한, 베이스 기판은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
또한, 표시패널은 표시부와 패드부를 포함하고, 구동칩은 패드부에 실장될 수 있다.
또한, 구동칩을 실장하는 단계는 스테이지 상에 표시패널을 안착하는 단계, 및 가압헤드를 이용하여 구동칩을 패드부에 실장하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 구동칩은 패드부에 직접 실장되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 구동칩은 범프 전극을 포함하고, 실장하는 단계는 범프 전극과 패드부 사이에 이방 전도성 필름은 개재한 상태로 수행될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 표시장치는 베이스 기판, 베이스 기판과 대향하는 봉지층, 베이스 기판의 일면과 봉지층 사이에 개재되는 유기발광소자, 베이스 기판의 타면에 형성된 지지층, 베이스 기판과 지지층 사이에 개재되는 접착층, 및 베이스 기판 상에 실장된 구동칩을 포함하되, 접착층은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있다.
또한, 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 에틸아크릴레이트(ethylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 아크릴산(acrylic acid) 0.1중량% 내지 20중량%, 및 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 0.1중량% 내지 20중량%를 포함할 수 있다.
또한, 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate) 5중량% 내지 50중량%, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA) 5중량% 내지 50중량%, 및 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 5중량% 내지 50중량%를 포함할 수 있다.
또한, 접착층은 헥사플루오로 디메타크릴레이트 이미드(Hexa-fluoro Di-methacrylate Imide; 6FDAI)를 포함하는 이미드 수지; 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)를 포함하는 멜라민 아크릴레이트계 수지, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 첨가제를 0.1중량% 내지 30중량% 범위로 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 표시장치의 제조방법에 따르면, 고해상도를 구현할 수 있는 표시장치를 제조할 수 있다.
또한, 제조 과정에서 열변형을 방지할 수 있는 표시장치를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1 내지 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 12에서 A부분을 확대한 단면도이다.
도 14는 도 13에서 B부분을 확대한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1 내지 12에는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조과정을 개략적으로 나타낸 단면도가 도시되어 있으며, 이하에서는 도 1 내지 12를 참조하여 표시장치의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
표시장치 제조방법은 서로 대향하는 베이스 기판(50)과 봉지층(200), 베이스 기판(50)의 일면과 봉지층(200) 사이에 형성된 유기발광소자(100)를 포함하는 표시패널을 준비하는 단계, 베이스 기판(50)의 타면에 접착층(400)을 개재하여 지지층(500)을 부착하는 단계, 자외선을 조사하여 접착층(400)을 경화하는 단계 및 표시패널의 일면에 구동칩(600)을 실장하는 단계를 포함할 수 있다.
한편, 상기한 표시 패널을 준비하는 단계로는 우선, 도 1과 같은 희생 기판(10) 상에 도 2와 같이 베이스 기판(50)을 형성할 수 있다. 베이스 기판(50)은 가요성(Flexible) 재료로 형성될 수 있으며, 예시적인 실시예로 폴리이미드(polyimide; PI)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니며, 베이스 기판(50)은 절연성과 유연성을 갖는 재료일 수 있다. 이에 의해 가요성 표시장치를 구현할 수 있다.
상기 베이스 기판(50)의 두께는 1㎛ 내지 50㎛의 범위일 수 있다.
상기한 베이스 기판(50)을 형성하는 방법으로는 상기와 같은 베이스 기판(50)을 구성하는 수지 조성물들을 희생 기판(10) 상에 도공, 코팅한 후에 이를 경화, 건조하는 방식으로 형성할 수 있다.
희생 기판(10)은 유리로 형성된 기판일 수 있으며, 수지 조성물들을 희생 기판(10) 상에 도공, 코팅하는 방법으로는 예를 들어, 그라비아 롤 코팅, 캐스트 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 다이 코팅, 오프셋 인쇄법 등의 방식을 이용할 수 있으며, 이에 대해서는 당해 기술분야에 널리 알려져 있는바, 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
희생 기판(10) 상에 형성된 베이스 기판(50) 상에 도 3과 같이, 유기발광소자(100)층을 형성하는 과정을 거칠 수 있다. 유기발광소자(100)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
다음으로, 도 4와 같이, 유기 발광 소자(100)를 베이스 기판(50)과 밀봉층(200)의 사이에 개재한 상태로 밀봉할 수 있다. 밀봉층(200)은 유기 발광 소자(100)를 외부로부터의 수분, 가스 등이 유입되는 것을 방지하여 소자를 보호하도록 한다. 밀봉층(200)은 외부로 투과되는 광의 손실을 방지하고, 유기발광소자(100)로 침투하는 수분 및 산소를 차폐하도록, 투광성 및 내습성이 높은 절연성 물질로 형성될 수 있다.
한편, 후술하겠으나, 밀봉층(200)은 표시 패널의 일부 영역에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 표시 패널은 표시부와 패드부를 포함할 수 있고, 밀봉층(200)은 표시부에 형성되고 패드부의 일부에는 형성되지 않아, 패드부를 노출시킬 수 있다. 이에 의해 표시 패널 상의 유기 발광 소자로부터 연장된 신호 배선이 패드부에 실장되는 구동칩과 전기적으로 연결될 수 있다.
다음으로, 도 5와 같이, 밀봉층(200) 상에 편광판(300)을 부착할 수 있다. 편광판(300)은 외광에 의한 반사를 방지하기 위한 것이며, 예시적인 실시예에서 요오드 또는 이색성 염료가 염착, 배향된, 폴리비닐알코올계 필름을 포함할 수 있다. 한편, 도 5에서는 밀봉층(200) 형성 후에 편광판(300)을 형성하였으나, 편광판(300)을 부착하는 것은, 필요에 따라, 생략하거나, 적절히 순서를 변경하여 적용할 수 있다.
다음으로, 도 6과 같이, 희생 기판(10)을 제거하는 단계를 거칠 수 있다. 상기 희생 기판(10)을 제거하는 단계는 희생 기판(10)과 베이스 기판(50) 사이에 일정한 박리력을 가하거나, 희생기판(10)과 베이스 기판(50) 사이의 점착력을 약화시킴으로써 수행될 수 있다.
상기 도 1 내지 6의 과정을 거쳐 표시패널을 준비할 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이, 베이스 기판(50)과 지지층(500)을 부착하는 단계를 거칠 수 있으며, 이는 베이스 기판(50)과 지지층(500) 사이에 접착층(400)을 개재한 상태로 수행될 수 있다. 즉, 베이스 기판(50)을 기준으로 일면에는 유기 발광 소자(100)가 형성되고, 타면에는 접착층(400)이 개재된 상태로 지지층(500)이 부착될 수 있다.
지지층(500)은 절연성 및 유연성을 띄는 재료로 형성될 수 있으며, 그 일 예로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 형성될 수 있다. 지지층(500)은 베이스 기판(50)의 얇은 두께로 인한 내구성 저하를 보조하기 위한 것으로, 그 두께는 100㎛ 내지 250㎛의 범위일 수 있다.
접착층(400)은 자외선 경화형 조성물을 포함하며, 도 8과 같이, 자외선을 조사함으로써, 접착층(400)은 경화될 수 있다. 접착층을 경화하는 단계는 지지층(500)에서 베이스 기판(50)을 향하여 자외선을 조사함으로써 수행될 수 있다.
이하에서는 상기 접착층(400)을 구성하는 재료들에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
접착층(400)은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있으며, 이에 의해 자외선을 조사함으로써, 경화되도록 할 수 있다.
상기 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate), 에틸아크릴레이트(ethylacrylate), 아크릴산(acrylic acid), 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 에틸아크릴레이트(ethylacrylate) 30중량% 내지 60중량%, 아크릴산(acrylic acid) 0.1중량% 내지 20중량%, 및 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 0.1중량% 내지 20중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate), 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA), 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate) 5중량% 내지 50중량%, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA) 5중량% 내지 50중량%, 및 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 5중량% 내지 50중량%를 포함할 수 있다.
상기의 아크릴계 화합물과 자외선 경화형 화합물 함량 범위에서 접착층(400)이 경화 전 저장 모듈러스는 103 Pa 이하로 낮으면서, 경화 후의 저장 모듈러스가 106 내지 107 Pa 범위를 만족하여, 접착층(400)의 단차를 줄이면서도 경화 후에 후술할 구동칩이 실장될 때, 열 변형, 뒤틀어짐 등을 방지할 수 있으며, 이에 의해 미세한 피치를 가지는 구동칩의 범프 전극을 사용하더라도 신뢰성이 우수한 표시장치를 제조할 수 있다. 따라서, 고해상도의 표시장치를 제조할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 아크릴계 화합물과 상기 자외선 경화형 화합물의 혼합비는 95.5:0.5 내지 70:30의 범위를 만족할 수 있다. 상기 범위에서 접착층(400)이 경화 전 저장 모듈러스는 103 Pa 이하로 낮으면서, 경화 후의 저장 모듈러스가 106 내지 107 Pa 범위를 만족할 수 있다.
상기 광 개시제는 하이드록시 다이메틸 아세토페논(hydroxy dimethyl acetophenone, Micure HP-8)을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 당업계에서 자외선 경화형 수지 조성물 내에 사용되는 광 개시제를 사용할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 광 개시제는 상기 접착층(400)의 전체 조성물 대비하여 0.1중량% 내지 5중량%의 범위로 포함될 수 있다. 상기 광 개시제가 0.1중량% 미만일 경우, 광 개시 효과가 미미할 수 있다.
한편, 상기 접착층은 내열 특성을 보다 강화하기 위해 내열성 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 내열성 첨가제는 헥사플루오로 디메타크릴레이트 이미드(Hexa-fluoro Di-methacrylate Imide; 6FDAI)를 포함하는 이미드 수지; 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)를 포함하는 멜라민 아크릴레이트계 수지, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 내열성 첨가제는 실리카 에어로겔(silica arogel), 페놀릭 스프레이 폼(Phenolic spray foam), 우레아 폼(Urea foam), 유리섬유(fiberglass) 및 폴리에틸렌 폼(Polyethylene foam)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 내열성 첨가제는 접착층(400) 전체 조성물에 대하여 0.1중량% 내지 30중량%의 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 접착층(400)이 우수한 내열 특성을 발휘하면서도 자외선 경화 후에 우수한 저장 탄성률을 만족할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 내열성 첨가제는 헥사플루오로 디메타크릴레이트 이미드(Hexa-fluoro Di-methacrylate Imide; 6FDAI)를 포함하는 이미드 수지를 접착층(400)의 전체 조성물 대비 1중량% 내지 30중량%의 범위로 포함할 수 있다.
또한, 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)를 포함하는 멜라민 아크릴레이트계 수지를 접착층(400) 전체 조성물 대비 1중량% 내지 30중량%의 범위로 포함할 수 있다. 상기한 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)는 각각 하기 화학식 1 내지 4로 표시될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112015000536295-pat00001
<화학식 2>
Figure 112015000536295-pat00002
<화학식 3>
Figure 112015000536295-pat00003
<화학식 4>
Figure 112015000536295-pat00004

또한, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 접착층(400) 전체 조성물 대비 0.1중량% 내지 15중량%의 범위로 포함할 수 있다.
또한, 실리카 에어로겔(silica arogel), 페놀릭 스프레이 폼(Phenolic spray foam), 우레아 폼(Urea foam), 유리섬유(fiberglass) 및 폴리에틸렌 폼(Polyethylene foam)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 내열성 첨가제를 접착층(400) 전체 조성물 대비 0.1중량% 내지 15중량%의 범위로 포함할 수 있다.
상기 접착층(400)을 구성하는 재료들은 자외선 경화 전에는 저장 모듈러스(storage modulus)가 낮아, 유동성이 뛰어나고, 이에 의해 베이스 기판(50)의 타면에 균일하게 도포되도록 할 수 있다. 자외선을 경화하기 전 저장 모듈러스(storage modulus)는 예를 들어, 103 이하일 수 있다.
한편, 접착층(400)은 자외선을 조사하여 경화한 후에는 저장 탄성률이 106 내지 107 Pa 의 범위를 만족할 수 있다. 본 발명에 따른 접착층을 구성하는 성분의 경우, 자외선 경화 전에는 저장 모듈러스가 낮아 유동성이 뛰어나, 접착층을 구성하는 면에서의 단차를 줄일 수 있고, 자외선 조사 후에는 저장 모듈러스가 높기 때문에 내구성이 우수하고, 표시패널 상에 구동칩을 직접 실장하더라도 접착층(400)에 열변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 9와 같이, 상기 표시 패널의 일면에 구동칩(600)을 실장하는 단계를 거칠 수 있다. 구동칩(600)은 유기 발광 소자를 구동하기 위한 것으로 구동 IC(Integrated Circuit)(620)와 표시 패널 상으로 전기적 접속을 하기 위한 범프 전극(610)을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로 표시 패널은 표시부(DA)와 패드부(PA)를 포함하고, 구동칩(600)은 패드부(PA)상에 실장될 수 있다. 표시부(DA)는 인가되는 신호에 따라 영상을 표시하는 영역이며, 패드부(PA)는 구동칩(600) 등이 실장되기 위한 영역이다.
본 발명에 따르면, 구동칩(600)을 직접 표시 패널 상으로 실장되기 때문에, 공정이 간소화할 수 있다. 또한, 상기 접착층(400)의 경화 후의 우수한 저장 모듈러스에 의해 구동칩(600)의 범프 전극(610)을 미세하게 하여 표시 패널 상으로 실장하더라도, 접착층(400)에서 열변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해 고해상도의 표시장치를 구현할 수 있다.
구동칩(600)을 실장하는 단계는 스테이지(680) 상에 준비된 표시 패널을 안착하는 단계, 및 가압헤드(650)를 이용하여 구동칩(600)을 가압함으로써, 패드부(PA)에 실장하는 단계를 거칠 수 있다. 보다 구체적으로, 스테이지(680)와 가압헤드(650) 사이에 표시 패널의 패드부(PA)가 놓이도록 한 뒤에 구동칩(600)의 범프전극(610)과 표시 패널의 패드부(PA) 사이에는 이방 전도성 필름을 개재할 수 있다. 그 다음으로, 도 10과 같이 가압헤드(650)를 하강시켜, 구동칩(600)을 실장할 수 있다.
이방 전도성 필름(630)은 절연성 몸체와 상기 절연성 몸체 내에 분산되고 각기 절연된 복수의 전도성 입자를 구비한다. 상기 전도성 입자에 의해 표시 패널의 유기발광소자(100)로부터 인출된 배선과 구동칩(600)의 범프 전극(610)은 수직 방향으로의 절연이 파괴되어 전기적으로 연결될 수 있다.
스테이지(680)와 가압헤드(650)를 이용하여 표시패널 상으로 구동칩(600)을 직접 실장하는 경우, 열과 압력의 발생에 의해 지지층(500)과 베이스 기판(50) 사이에 위치하는 접착층(400)에 변형이 발생할 수 있다. 본 발명의 접착층(400)의 경우, 우수한 저장 모듈러스에 의해 상기와 같은 열과 압력에 의해 접착층이 변형되는 것을 방지할 수 있고, 이에 의해 고해상도의 표시장치를 구현할 수 있다.
다음으로, 가압헤드(650)를 상승시키면, 도 11과 같이, 표시 패널 상으로 구동칩(600)이 직접 실장된 표시 패널이 완성될 수 있다.
추가적으로, 도 12와 같이, 표시 패널의 편광판(300) 상부에 터치 패드(700)와 레진(미도시) 개재한 상태로 윈도우 커버(800)를 부착할 수 있다. 이에 대해서는 당해 기술분야에서 널리 알려져 있는바 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
한편, 본 발명에 따르면, 상기한 제조방법에 의해 제조된 표시장치를 제공할 수 있으며, 이하에서는 도 12 내지 14를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명하기로 한다.
도 12에는 상기에서 설명한 바와 같이, 구동칩이 실장된 표시패널의 개략적인 단면도가 도시되어 있으며, 도 13에는 도 12에서 A부분인 유기발광소자(100) 부분을 확대한 단면도가 도시되어 있다. 또한, 도 14에는 도 13에서 B부분을 확대한 단면도가 도시되어 있다.
도 12를 참조하면, 표시장치는 베이스 기판(50), 베이스 기판(50)과 대향하는 봉지층(200), 베이스 기판(50)의 일면과 봉지층(200) 사이에 개재되는 유기발광소자(100), 베이스 기판(50)의 타면에 형성된 지지층(500), 베이스 기판(50)과 지지층(500) 사이에 개재되는 접착층(400) 및 베이스 기판(50) 상에 실장된 구동칩(600)을 포함할 수 있다. 또한, 접착층(400)은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있다.
한편, 상기 접착층(400)을 구성하는 재료들 및 구동칩(600) 등에 대해서는 이미 상기에서 설명하였는바, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 도 13을 참조하여, 표시장치를 구성하는 유기발광소자(100)에 대해 설명하기로 한다.
유기발광소자(100)는 베이스 기판(50) 상에서 행과 열로 구분된 복수의 화소로 구분될 수 있으며, 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화 패턴(130), 제1 전극(140), 화소 정의막(150), 유기층(160) 및 제2 전극(170)을 포함할 수 있다.
활성층(111)은 베이스 기판(50) 상에 배치될 수 있으며, 채널 영역(112)과, 채널 영역(112)의 양측에 위치하는 소스 영역(113) 및 드레인 영역(114)을 포함할 수 있다. 활성층(111)은 실리콘, 예를 들어 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 소스 영역(113) 및 드레인 영역(114)에는 p형 또는 n형 불순물이 도핑될 수 있다. 활성층(111)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
하부 전극(115)은 베이스 기판(50) 상에서 활성층(111)과 동일한 층에 배치될 수 있으며, 활성층(111)과 이격되게 형성될 수 있다. 하부 전극(115)은 소스 영역(113) 또는 드레인 영역(114)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 하부 전극(115)은 은 실리콘으로 형성되며, p형 또는 n형 불순물을 포함할 수 있다. 하부 전극(115)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
게이트 절연막(116)은 활성층(111)과 하부 전극(115)을 덮도록 베이스 기판(50) 상에 형성된다. 게이트 절연막(116)은 게이트 전극(117)과 활성층(111)을 전기적으로 절연할 수 있다. 게이트 절연막(116)은 절연 물질, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 금속 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(116)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
게이트 전극(117)은 게이트 절연막(116) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(117)은 채널 영역(112)의 상부, 즉 게이트 절연막(116) 상에서 채널 영역(112)과 중첩하는 위치에 형성될 수 있다. 게이트 전극(117)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 게이트 전극(117)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상부 전극(118)은 게이트 전극(117)과 동일한 층에 형성되며, 게이트 전극(117)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상부 전극(118)은 하부 전극(115)의 상부, 즉 게이트 절연막(116) 상에서 하부 전극(115)과 중첩하는 위치에 형성될 수 있다. 이러한 상부 전극(118)은 하부 전극(115) 및 게이트 절연막(116)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(117)에 인가되는 전압을 충전할 수 있다. 상부 전극(117)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
층간 절연막(119)은 게이트 전극(117)과 상부 전극(118)을 덮도록 게이트 절연막(116) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(119)은 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(119)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함할 수 있다. 층간 절연막(119)은 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)으로부터 게이트 전극(117)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다. 층간 절연막(119)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 층간 절연막(119) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(120)은 활성층(111)의 소스 영역(113)와 연결되도록 층간 절연막(119)과 게이트 절연막(116)을 관통하며, 드레인 전극(121)은 드레인 영역(114)과 연결되도록 층간 절연막(119)과 게이트 절연막(116)을 관통할 수 있다.
소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(120) 및 드레인 전극(121)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
이러한 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 활성층(111) 및 게이트 전극(117)과 함께 박막트랜지스터(TFT)를 형성할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 구동 트랜지스터일 수 있으며, 게이트 전극(117)에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 발광 다이오드(140, 160, 170으로 이루어진 부분)로 공급할 수 있다. 별도로 도시하진 않았으나, 박막트랜지스터(TFT)는 스위칭 트랜지스터와 연결될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터는 게이트 라인(미도시)을 통해 공급되는 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(미도시)을 통해 공급되는 데이터 신호에 대응하는 전압을 박막트랜지스터(TFT)에 인가할 수 있다.
평탄화 패턴(130)은 소스 전극(120) 및 드레인 전극(121)을 덮도록 층간 절연막(119) 상에 형성될 수 있다. 평탄화 패턴(130)은 평평판 표면을 가질 수 있다. 평탄화 패턴(130)은 각 화소(P) 단위로 배치될 수 있다. 즉, 인접한 화소들의 경계부와 인접한 평탄화 패턴들(130) 사이의 이격 영역이 중첩할 수 있다. 또한, 평탄화 패턴(130)은 층간 절연막(119) 상에 일체로 형성될 수 있다.
제1 전극(140)은 베이스 기판(50) 상에 각 화소 별로 형성될 수 있다. 제1 전극(140)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(121)에 인가된 신호를 받아 유기층(160)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극(140)은 투명 전극 또는 반사 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(140)이 투명 전극으로 사용될 때 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(ITO Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(140)이 반사 전극으로 사용될 때 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(140)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
화소 정의막(150)은 베이스 기판(50) 상에 각 화소를 구획하며, 제1 전극(140)을 노출하는 개구부(151)를 가질 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(150)은 개구부(151)를 통해 제1 전극(140) 상에 유기층(160)이 형성되게 할 수 있다. 화소 정의막(150)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 화소 정의막(150)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또, 다른 예로, 화소 정의막(150)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(150)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
제2 전극(170)은 유기층(160) 상에 형성되며, 유기층(160)으로 전자를 전자를 제공하는 캐소드 전극 또는 정공을 제공하는 애노드 전극일 수 있다. 제2 전극(170)도 제1 전극(110)과 마찬가지로 투명 전극 또는 반사 전극으로 사용될 수 있다. 제2 전극(190)은 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
도 14에는 도 13의 B부분을 확대한 단면도가 도시되어 있으며, 도 14를 참조하여, 상기 유기층(160)에 대해 설명하기로 한다.
유기층(160)은 유기 발광층(164)을 포함하고, 유기 발광층(164)은 제 1전극(140)과 제 2전극(170) 사이에 배치될 수 있다. 제 1전극(140)과 유기 발광층(164) 사이에는 제 1전하 전달 영역(163)이 배치될 수 있다. 또한, 유기 발광층(164)과 제 2전극(170) 사이에는 제 2전하 전달 영역(167)이 배치될 수 있다.
유기 발광층(164)을 사이에 두고 서로 대향하는 제 1전극(140)과 제 2전극(170) 중 어느 하나는 애노드 전극이고, 다른 하나는 캐소드 전극일 수 있다. 또한, 제 1전하 전달 영역(163)과 제 2전하 전달 영역(167) 중 어느 하나는 정공의 전달을 담당하고, 다른 하나는 전자의 전달을 담당할 수 있다.
본 실시예에서는 제 1전극(140)이 애노드 전극이고, 제 2전극(170)이 캐소드 전극인 경우를 예시한다. 그에 따라, 애노드 전극에 인접한 제 1전하 전달 영역(163)은 정공 전달 영역이고, 캐소드 전극에 인접한 제 2전하 전달 영역(167)은 전자 전달 영역인 것으로 예시된다.
제 1전극(140) 상에는 제 1전하 전달 영역(163)이 배치될 수 있다. 제 1전하 전달 영역(163)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 필요에 따라 제 1전하 전달 영역(163)은 버퍼층 및 제 1전하 저지층을 더 포함할 수 있다. 도면에서는 제 1전하 전달 영역(163)이 제 1전하 주입층(161)과 제 1전하 수송층(162)을 포함하는 경우를 예시하지만, 제 1전하 주입층(161)과 제 1전하 수송층(162) 중 어느 하나가 생략되거나, 이들이 하나의 층으로 구성될 수도 있다.
제 1전하 주입층(161)은 제 1전극(140) 상에 배치되며, 제 1전극(140)으로부터 유기 발광층(164) 측으로의 정공 주입 효율을 높이는 역할을 한다. 구체적으로, 제 1전하 주입층(161)은 에너지 장벽을 낮추어 정공이 보다 효과적으로 주입되도록 할 수 있다.
제 1전하 주입층(161)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine: CuPc), 등과 같은 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA(4,4',4''-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine), TDATA(4,4',4''-tris(diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4''-tris[2-naphthyl(phenyl)-amino]triphenyl-amine), Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/Polystyrene sulfonate), PANI/CSA (Polyaniline/Camphorsulfonic acid) 또는 PANI/PSS (Polyaniline/Polystyrene sulfonate) 등을 포함할 수 있다.
제 1전하 수송층(162)은 제 1전하 주입층(161) 상에 배치되며, 제 1전하 주입층(161)으로 주입된 정공을 유기 발광층(164)으로 수송하는 역할을 한다. 제 1전하 수송층(162)은 최고점유 분자 궤도 에너지(highest occupied molecular energy HOMO)가 제 1전극(140)을 구성하는 물질의 일함수(work function)보다 실질적으로 낮고, 제 1유기 발광층(164)의 최고 점유 분자 궤도 에너지(HOMO)보다 실질적으로 높은 경우에 정공 수송 효율이 최적화될 수 있다. 제 1전하 수송층(162)은 예를 들어, NPD(4,4'-bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino] biphenyl), TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis[3-methylphenyl]-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), s-TAD(2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-diphenylamino)-9,9′-spirobifluoren), m-MTDATA(4,4',4''-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1전하 전달 영역(163)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 생성 물질은 제 1전하 전달 영역(163) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 상기 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 제 1전하 전달 영역(163)은 버퍼층 및 제 1전하 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 유기 발광층(164)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다. 상기 버퍼층에 포함되는 물질로는 제 1전하 전달 영역(163)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 상기 제 1전하 저지층은 제 2전하 전달 영역(167)으로부터 제 1전하 전달 영역(163)으로의 전하 주입을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제 1전하 전달 영역(163) 상에는 유기 발광층(164)이 배치된다. 유기 발광층(164)은 발광층으로 통상 사용되는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있다. 유기 발광층(164) 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 유기 발광층(164)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 호스트로서는 예를 들어, Alq3(tris-(8-hydroyquinolato) aluminum(III)), CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Bis(2-naphthalenyl)anthracene), TCTA(4,4',4''-tris(Ncarbazolyl)triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimiazole-2-yl)benzene), TBADN(2-(t-butyl)-9, 10-bis (20-naphthyl) anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-Bis(9-carbazolyl)-2,2′-Dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
상기 도펀트로는 형광 도펀트와 공지의 인광 도펀트를 모두 사용할 수 있다. 유기 발광층(164)의 발광 색상에 따라 도펀트의 종류가 달라질 수 있다.
적색 도펀트로는 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(2-biphenyl-4-yl-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole:Tris(dibenzoylmethane) mono(1,10-phenanthroline)europium(lll)) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광물질에서 선택할 수 있다. 또는, 인광물질로서 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
녹색 도펀트로는 예를 들어, Alq3(tris-(8-hydroyquinolato) aluminum(III))을 포함하는 형광물질에서 선택할 수 있다. 또는 인광물질로서, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium), Ir(ppy)2(acac)(Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(mpyp)3(2-phenyl-4-methyl-pyridine iridium) 등이 예시될 수 있다.
청색 도펀트로는 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-4,'-bis(2,2'-diphenylvinyl)1,1'-biphenyl), 스피로-6P(spiro-sixphenyl), DSB(distyrylbenzene), DSA(distyrylarylene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly p-phenylene vinylene))계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질에서 선택할 수 있다. 또는, 인광물질로서 F2Irpic(bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinato-N,C2']iridium picolinate), (F2ppy)2Ir(tmd)(bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinato-N,C2']iridium 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione), Ir(dfppz)3(tris[1-(4,6-difluorophenyl)pyrazolate-N,C2']iridium) 등이 예시될 수 있다.
유기 발광층(164) 상에는 제 2전하 전달 영역(167)이 배치될 수 있다. 제 2전하 전달 영역(167)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 필요에 따라 제 2전하 전달 영역(167)은 제 2전하 저지층을 더 포함할 수 있다. 도면에서는 제 2전하 전달 영역(167)이 제 2전하 수송층(165)과 제 2전하 주입층(166)을 포함하는 경우를 예시하지만, 제 2전하 수송층(165)과 제 2전하 주입층(166) 중 어느 하나가 생략되거나, 이들이 하나의 층으로 구성될 수도 있다.
제 2전하 수송층(165)은 유기 발광층(164) 상에 배치되고, 제 2전하 주입층(166)으로부터 주입된 전자를 유기 발광층(164)으로 수송하는 역할을 할 수 있다.
제 2전하 수송층(150)은 Alq3(tris-(8-hydroyquinolato) aluminum(III)), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimiazole-2-yl)benzene), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium), ADN(9,10-bis(2-naphthyl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제 2전하 주입층(166)은 제 2전하 수송층(165) 상에 배치되며, 제 2전극(170)으로부터 유기 발광층(164) 측으로의 전자 주입 효율을 높이는 역할을 할 수 있다.
제 2전하 주입층(166)은 LiF, LiQ(리튬 퀴놀레이트), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제 2전하 주입층(166)은 또한 상기 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 적용되는 상기 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상인 물질일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
제 2전하 전달 영역(167)은 앞서 언급한 바와 같이, 제 2전하 저지층을 더 포함할 수 있다. 제 2전하 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 유기층(160)을 구성하는 각각의 층을 형성하는 방법으로는 노즐 프린팅 방식, 잉크젯 프린팅 방식, 증착, 스퍼터링 등의 방식을 사용할 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 당해 기술분야에 널리 알려져 있는바 생략하기로 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 희생 기판
50: 베이스 기판
100: 유기발광소자
110: 기판
111: 활성층
115: 하부전극
116: 게이트 절연막
117: 게이트 전극
118: 상부전극
119: 층간 절연막
120: 소스 전극
121: 드레인 전극
130: 평탄화 패턴
140: 제 1전극
150: 화소 정의막
160: 유기층
161: 제 1전하 주입층
162: 제 1전하 수송층
163: 제 1전하 전달 영역
164: 유기 발광층
165: 제 2전하 수송층
166: 제 2전하 주입층
167: 제 2전하 전달 영역
170: 제 2전극
200: 봉지층
300: 편광필름
400: 접착층
500: 지지층
600: 구동칩
610: 범프전극
630: 이방 전도성 필름
650: 가압헤드
680: 스테이지
700: 터치패드
800: 윈도우 커버
DA: 표시부
PA: 패드부
TFT: 박막트랜지스터
CST: 스토리지 커패시터

Claims (20)

  1. 서로 대향하는 베이스 기판과 봉지층, 상기 베이스 기판의 일면과 상기 봉지층 사이에 형성된 유기발광소자를 포함하는 표시패널을 준비하는 단계;
    상기 베이스 기판의 타면에 접착층을 개재하여 가요성을 갖는 지지층을 부착하는 단계;
    상기 지지층의 하측에서 상기 접착층을 향해 자외선을 조사하여 상기 접착층을 경화하는 단계; 및
    상기 자외선을 조사하여 상기 접착층을 경화하는 단계를 거친 후 상기 표시패널의 일면에 구동칩을 실장하는 단계;를 포함하되,
    상기 접착층은 아크릴계 화합물, 자외선 경화형 화합물 및 광 개시제를 포함하고,
    상기 지지층은 상기 접착층과 접촉하는 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 포함하고,
    상기 자외선은 상기 지지층의 상기 제2면 및 상기 제1면을 투과하여 상기 접착층에 제공되고,
    상기 구동칩을 실장하는 단계는,
    스테이지 상에 상기 표시패널을 안착하는 단계 및 가압헤드를 이용하여 상기 구동칩을 상기 표시패널의 일면에 실장하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 아크릴계 화합물은 부틸아크릴레이트(buthylacrylate), 에틸아크릴레이트(ethylacrylate), 아크릴산(acrylic acid), 아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 표시장치 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 아크릴계 화합물은
    부틸아크릴레이트(buthylacrylate) 30중량% 내지 60중량%;
    에틸아크릴레이트(ethylacrylate) 30중량% 내지 60중량%;
    아크릴산(acrylic acid) 0.1중량% 내지 20중량%; 및
    아조비스이소부티로나이트릴(2,2'-azobissiobutyronitrile, AIBN) 0.1중량% 내지 20중량%를 포함하는 표시장치 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate), 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA), 헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 표시장치 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 자외선 경화형 화합물은 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Aliphatic urethane acrylate) 5중량% 내지 50중량%;
    트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate, TMPTA) 5중량% 내지 50중량%; 및
    헥산다이올 다이아크릴레이트(1,6 hexanediol diacrylate, HDDA) 5중량% 내지 50중량%를 포함하는 표시장치 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 아크릴계 화합물과 상기 자외선 경화형 화합물의 혼합비는 95.5:0.5 내지 70:30의 범위인 표시장치 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 접착층은 내열성 첨가제를 더 포함하는 표시장치 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 내열성 첨가제는 헥사플루오로 디메타크릴레이트 이미드(Hexa-fluoro Di-methacrylate Imide; 6FDAI)를 포함하는 이미드 수지; 멜라민 트리아크릴레이트(melamine tri-acrylate), 멜라민 부타아크릴레이트(melamine buta-acrylate), 멜라민 펜타아크릴레이트(melamine penta-acrylate) 및 멜라민 헥사아크릴레이트(melamine hexa-acrylate)를 포함하는 멜라민 아크릴레이트계 수지, 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 표시장치 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 내열성 첨가제는 상기 접착층 전체 조성물에 대하여 0.1중량% 내지 30중량%의 범위로 포함되는 표시장치 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 접착층의 경화 후 저장 탄성율(storage modulus)은 106 내지 107 Pa 범위인 표시장치 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 폴리이미드를 포함하는 표시장치 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 표시패널은 표시부와 패드부를 포함하고, 상기 구동칩은 상기 패드부에 실장되는 표시장치 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 구동칩은 상기 패드부에 직접 실장되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 구동칩은 범프 전극을 포함하고,
    상기 실장하는 단계는 상기 범프 전극과 상기 패드부 사이에 이방 전도성 필름은 개재한 상태로 수행되는 표시장치 제조방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020150000606A 2015-01-05 2015-01-05 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치 KR102332623B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000606A KR102332623B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치
US14/727,087 US9985208B2 (en) 2015-01-05 2015-06-01 Method for manufacturing display device using UV curable adhesive and display device manufactured by the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000606A KR102332623B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160084536A KR20160084536A (ko) 2016-07-14
KR102332623B1 true KR102332623B1 (ko) 2021-11-30

Family

ID=56286962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150000606A KR102332623B1 (ko) 2015-01-05 2015-01-05 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9985208B2 (ko)
KR (1) KR102332623B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102559841B1 (ko) 2016-08-18 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102555446B1 (ko) * 2018-04-26 2023-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110164874B (zh) * 2019-06-04 2021-06-22 上海天马微电子有限公司 柔性显示模组、显示装置及柔性显示模组的制作方法
KR20230041969A (ko) * 2020-07-29 2023-03-27 엘지전자 주식회사 이동 단말기
WO2023120474A1 (ja) * 2021-12-21 2023-06-29 日本製紙株式会社 ハードコートフィルム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080165139A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Apple Inc. Touch screen stack-up processing
CN102250578A (zh) * 2011-05-23 2011-11-23 天津大学 一种硅橡胶粘合剂及其制备方法
JP2012523485A (ja) * 2009-04-10 2012-10-04 ピクセルオプティクス， インコーポレイテッド 硬化可能な接着剤組成物
US20120327319A1 (en) * 2010-03-10 2012-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and method for producing same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070114810A (ko) * 2005-03-12 2007-12-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 조명 장치 및 이를 제조하는 방법
KR100953654B1 (ko) * 2008-06-26 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100965251B1 (ko) * 2008-10-24 2010-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011133847A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Canon Inc 透光性基板の接着方法及びディスプレイの製造方法
KR101240916B1 (ko) * 2011-02-01 2013-03-11 도레이첨단소재 주식회사 반사시트용 점착필름 및 그를 이용한 반사시트
KR20120133848A (ko) 2011-06-01 2012-12-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널
JP5891693B2 (ja) 2011-10-05 2016-03-23 Jsr株式会社 基板の製造方法および基板
JP6067405B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤、放射線硬化型粘着剤層、放射線硬化型粘着シートおよび積層体
JP2014084360A (ja) 2012-10-22 2014-05-12 Toagosei Co Ltd 活性エネルギー線硬化型アンダーコート用組成物及び積層体
US20140255709A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Laminate, method for producing the same, and method for forming conductive pattern
KR102129543B1 (ko) 2013-07-03 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 점착 필름 및 그 제조 방법과 상기 점착 필름을 포함하는 표시 장치
KR20150043078A (ko) 2013-10-14 2015-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102161313B1 (ko) 2013-11-01 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조방법
KR20150086969A (ko) 2014-01-21 2015-07-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102104626B1 (ko) 2014-01-22 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080165139A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Apple Inc. Touch screen stack-up processing
JP2012523485A (ja) * 2009-04-10 2012-10-04 ピクセルオプティクス， インコーポレイテッド 硬化可能な接着剤組成物
US20120327319A1 (en) * 2010-03-10 2012-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and method for producing same
CN102250578A (zh) * 2011-05-23 2011-11-23 天津大学 一种硅橡胶粘合剂及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160197300A1 (en) 2016-07-07
US9985208B2 (en) 2018-05-29
KR20160084536A (ko) 2016-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3188272B1 (en) Blue organic light emitting device and display device including the same
CN106560935B (zh) 有机电致发光装置
KR102332623B1 (ko) 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치
US9755171B2 (en) Organic light-emitting diode including an interlayer to maintain a hole-electron balance in the emitting layer and display panel including the same
US9673413B2 (en) Organic light-emitting device and display apparatus including the same
US9515127B2 (en) Organic electroluminescent display apparatus
US9991446B2 (en) Organic light emitting device and display device having the same
US10256434B2 (en) Display device
CN107565036B (zh) 有机发光装置
US9818954B2 (en) Organic light emitting device and display device including the same
CN106920823B (zh) 有机发光显示器
US9735396B2 (en) White organic light emitting diode
US10020468B2 (en) Organic electroluminescence display device
US20160343992A1 (en) Organic light-emitting display device
US10944069B2 (en) Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, and display device including the same
US10020453B2 (en) Organic light emitting display device
KR102177215B1 (ko) 표시 장치
KR102357440B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
EP2713399A2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20160204371A1 (en) Organic light-emitting device and display apparatus including the same
US20160285034A1 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20180035512A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20110056715A (ko) 유기전계발광소자
US9899625B2 (en) Display device
KR102599469B1 (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant