KR102328944B1 - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자들, 및 상기 반도체 발광소자들이 결합되는 배선기판을 구비하고, 상기 배선기판은, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들과, 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들, 및 상기 배선기판의 일면에 장착되어 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a semiconductor light emitting device. A display device according to the present invention includes semiconductor light emitting devices and a wiring board to which the semiconductor light emitting devices are coupled, wherein the wiring board is configured to transmit a scan driving signal to the semiconductor light emitting devices and is parallel to each other. a plurality of scan lines disposed to cross the plurality of scan lines to transmit a data driving signal to the semiconductor light emitting devices, and a plurality of data lines disposed on one surface of the wiring board to transmit a data driving signal and a driver connected to the data lines and the data lines and configured to provide the scan driving signal and the data driving signal.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE} Display device using semiconductor light emitting device {DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a flexible display device using a semiconductor light emitting device.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.Recently, in the field of display technology, display devices having excellent characteristics, such as thin and flexible, have been developed. In contrast, currently commercialized main displays are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).

그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.However, in the case of LCD, there are problems in that the response time is not fast and it is difficult to implement flexibility, and in the case of AMOLED, the lifespan is short, the mass production yield is not good, and there are weaknesses in that the degree of flexibility is weak.

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. On the other hand, a light emitting diode (Light Emitting Diode: LED) is a well-known semiconductor light emitting device that converts electric current into light. It has been used as a light source for display images of electronic devices including communication devices. Accordingly, a method for solving the above problems by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device may be proposed.

상기 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이는 상기 반도체 발광 소자를 고밀도 및 고정세로 배치시킬 필요성이 존재한다. 이러한 경우에, 디스플레이 패널부와 드라이버 IC의 배선연결이 어려워지는 문제가 있으며, 따라서 이러한 문제들을 해결할 수 있는 새로운 형태의 메커니즘이 고려될 수 있다.In a flexible display using the semiconductor light emitting device, there is a need to dispose the semiconductor light emitting device with high density and high definition. In this case, there is a problem in that wiring between the display panel unit and the driver IC becomes difficult, and therefore, a new type of mechanism that can solve these problems can be considered.

본 발명의 일 목적은 반도체 발광 소자를 고밀도 및 고정세로 배치되는 플렉서블 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION One object of the present invention is to provide a flexible display device in which semiconductor light emitting devices are arranged with high density and high definition.

본 발명의 다른 일 목적은, 반도체 발광 소자와 구동부가 동일한 기판 상에 배치될 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 구현하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to realize a display device in which a semiconductor light emitting device and a driver may be disposed on the same substrate and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자들, 및 상기 반도체 발광소자들이 결합되는 배선기판을 구비한다. 상기 배선기판은, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들과, 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들, 및 상기 배선기판의 일면에 장착되어 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부를 포함한다.A display device according to the present invention includes semiconductor light emitting devices and a wiring board to which the semiconductor light emitting devices are coupled. The wiring board may include a plurality of scan lines configured to transmit a scan driving signal to the semiconductor light emitting devices and disposed in parallel to each other, and a plurality of scan lines configured to transmit a data driving signal to the semiconductor light emitting devices. and a plurality of data lines intersecting with the plurality of data lines, and a driver mounted on one surface of the wiring board to be connected to the scan lines and data lines, and to provide the scan driving signal and the data driving signal.

실시 예에 있어서, 상기 배선기판은, 상기 반도체 발광소자들이 장착되는 제1영역과, 상기 구동부가 배치되는 제2영역, 및 상기 복수의 스캔 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 상기 제1영역에서 연장되어 상기 제2영역으로 이어지도록 배치되는 제3영역을 구비한다.In an embodiment, in the wiring board, a first region in which the semiconductor light emitting devices are mounted, a second region in which the driver is disposed, and the plurality of scan lines and a plurality of data lines extend from the first region and a third area arranged so as to be connected to the second area.

실시 예에 있어서, 상기 제2영역에는 솔더레지스트가 도포되어 보호층이 형성되고, 상기 제1영역과 상기 제3영역에는 상기 솔더레지스트가 도포되지 않도록 이루어진다.In an embodiment, a solder resist is applied to the second region to form a protective layer, and the solder resist is not applied to the first region and the third region.

실시 예에 있어서, 상기 제1영역의 경계에서 상기 구동부까지의 거리는 상기 제2영역에서 상기 제1영역의 양측에 형성되는 부분들의 폭들보다 더 크도록 형성될 수 있다. 상기 제1영역의 중심에서 상기 구동부까지의 거리는 상기 반도체 발광소자가 성장한 성장기판의 길이의 반보다 크도록 형성될 수 있다.In an embodiment, a distance from the boundary of the first region to the driving unit may be greater than widths of portions formed on both sides of the first region in the second region. A distance from the center of the first region to the driver may be greater than half the length of the growth substrate on which the semiconductor light emitting device is grown.

실시 예에 있어서, 상기 배선기판은, 상기 구동부와 전기적으로 연결되며, 외부단자와 접속되도록 상기 배선기판으로부터 돌출되는 인터페이스부를 포함할 수 있다.In an embodiment, the wiring board may include an interface unit electrically connected to the driving unit and protruding from the wiring board to be connected to an external terminal.

상기 데이터 라인들은 상기 배선기판의 일면에 형성되고, 상기 스캔 라인들은 상기 배선기판의 일면으로부터 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되는 제1부분과, 상기 배선기판의 일면에 형성되는 제2부분을 구비할 수 있다.The data lines are formed on one surface of the wiring board, and the scan lines are a first part connected to the semiconductor light emitting device at a position spaced apart from the one surface of the wiring board, and a second part formed on one surface of the wiring board. can be provided.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 배선기판에 구동부가 장착됨에 따라, 구동부가 형성되는 별도의 구동기판이 필요 없게 된다. 특히, 구동부와 디스플레이 패널간의 거리나 보호층의 크기를 조절하여, 구동부가 배선기판에 장착될 수 있는 메커니즘을 구현한다. 이를 통하여, 구동기판과 배선기판간의 합착공정이 생략될 수 있으며, 따라서 합착 불량이 발생하지 않게 되며, 나아가 합착 불량에 의한 디스플레이 라인간 오픈 및 쇼트 발생이 방지될 수 있다.In the display device according to the present invention, as the driving unit is mounted on the wiring board, a separate driving board on which the driving unit is formed is not required. In particular, by adjusting the distance between the driving unit and the display panel or the size of the protective layer, a mechanism in which the driving unit can be mounted on the wiring board is implemented. Through this, the bonding process between the driving substrate and the wiring board can be omitted, and thus bonding failure does not occur, and further, open and short circuit between display lines due to bonding failure can be prevented.

또한, 본 발명은, 반도체 발광소자의 도전형 전극을 복수의 층을 구비하는 연결부에 연결함에 따라, 배선기판의 동일면상에 데이터 라인과 스캔 라인을 배치시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, the data line and the scan line can be arranged on the same surface of the wiring board by connecting the conductive electrode of the semiconductor light emitting device to the connector having a plurality of layers.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 디스플레이 장치의 개념도이다.
도 14는 도 13의 G 부분의 확대도이다.
도 15 및 도 16은 각각 도 13의 라인 H-H 및 라인 I-I를 따라 취한 단면도들이다.1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1 , and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2 .
4 is a conceptual diagram illustrating the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3 .
5A to 5C are conceptual views illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip-chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view illustrating another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 7 ;
9 is a conceptual diagram illustrating the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8 .
10 is an enlarged view of part A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device having a new structure is applied.
11A is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 10 .
11B is a cross-sectional view taken along line FF of FIG. 11 .
12 is a conceptual diagram illustrating the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 11A .
13 is a conceptual diagram of a display device for explaining another embodiment of the present invention to which the structure of a wiring board of the present invention is applied.
14 is an enlarged view of part G of FIG. 13 .
15 and 16 are cross-sectional views taken along line HH and line II of FIG. 13 , respectively.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for the components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have a meaning or role distinct from each other by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, it should be noted that the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also understood that when an element, such as a layer, region, or substrate, is referred to as being “on” another component, it may be directly on the other element or intervening elements in between. There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation system, and a slate PC. , Tablet PC, Ultra Book, digital TV, desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiment described in this specification may be applied to a display capable device even in a new product form to be developed later.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. As illustrated, information processed by the control unit of the display apparatus 100 may be displayed using a flexible display.

플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, bent, twisted, folded, or rolled by an external force. For example, the flexible display may be a display manufactured on a thin and flexible substrate that can be bent, bent, folded, or rolled like paper while maintaining the display characteristics of a conventional flat panel display.

상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state in which the flexible display is not bent (eg, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display becomes a flat surface. In a state bent by an external force in the first state (eg, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state), the display area may be a curved surface. As shown, the information displayed in the second state may be visual information output on the curved surface. Such visual information is implemented by independently controlling the light emission of sub-pixels arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for realizing one color.

상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as a type of a semiconductor light emitting device that converts current into light. The light emitting diode is formed to have a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1, FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2, and FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3A, 5A to 5C are conceptual views illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip-chip type semiconductor light emitting device.

도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B , the display device 100 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device is exemplified as the display device 100 using a semiconductor light emitting device. However, the examples described below are also applicable to an active matrix (AM) type semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The display device 100 includes a substrate 110 , a first electrode 120 , a conductive adhesive layer 130 , a second electrode 140 , and a plurality of semiconductor light emitting devices 150 .

기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 110 may be a flexible substrate. For example, to implement a flexible display device, the substrate 110 may include glass or polyimide (PI). In addition, any material such as polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene terephthalate (PET) may be used as long as it has insulating properties and is flexible. Also, the substrate 110 may be made of either a transparent material or an opaque material.

상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The substrate 110 may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed, and thus the first electrode 120 may be located on the substrate 110 .

도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.As shown, the insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is positioned, and the auxiliary electrode 170 may be positioned on the insulating layer 160 . In this case, a state in which the insulating layer 160 is laminated on the substrate 110 may be a single wiring board. More specifically, the insulating layer 160 is made of an insulating and flexible material such as polyimide (PI, Polyimide), PET, or PEN, and is integrally formed with the substrate 110 to form a single substrate.

보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150 , is located on the insulating layer 160 , and is disposed to correspond to the position of the first electrode 120 . For example, the auxiliary electrode 170 may have a dot shape and may be electrically connected to the first electrode 120 by an electrode hole 171 penetrating the insulating layer 160 . The electrode hole 171 may be formed by filling the via hole with a conductive material.

본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to the drawings, the conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160 , but the present invention is not limited thereto. For example, a layer performing a specific function is formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130 , or the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160 . is also possible In a structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 , the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.

상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity, and for this purpose, a material having conductivity and a material having adhesiveness may be mixed in the conductive adhesive layer 130 . In addition, the conductive adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling a flexible function in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).For this example, the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The conductive adhesive layer 130 may be configured as a layer that allows electrical interconnection in the Z direction penetrating through the thickness, but has electrical insulation in the horizontal X-Y direction. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (however, hereinafter referred to as a 'conductive adhesive layer').

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion has conductivity by the anisotropic conductive medium. Hereinafter, it will be described that heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, but other methods are also possible in order for the anisotropic conductive film to have partial conductivity. In this method, for example, only one of the heat and pressure may be applied or UV curing may be performed.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conductive medium may be, for example, conductive balls or conductive particles. As shown, in this example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion has conductivity by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be in a state in which the core of the conductive material contains a plurality of particles covered by an insulating film made of a polymer material. . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the counterpart adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which an insulating core contains a plurality of particles coated with a conductive material. In this case, the conductive material is deformed (pressed) in the portion to which heat and pressure are applied, so that it has conductivity in the thickness direction of the film. As another example, a form in which the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction to have conductivity in the thickness direction of the film is also possible. In this case, the conductive material may have a pointed end.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.As shown, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of the insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having an adhesive property, and the conductive balls are intensively disposed on the bottom of the insulating base member, and when heat and pressure are applied from the base member, it is deformed together with the conductive balls. It has conductivity in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the anisotropic conductive film has a form in which conductive balls are randomly mixed in an insulating base member, or is composed of a plurality of layers and conductive balls are arranged on one layer (double- ACF) are all possible.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. Also, a solution containing conductive particles may be a solution containing conductive particles or nano particles.

다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring back to the drawing, the second electrode 140 is spaced apart from the auxiliary electrode 170 and is positioned on the insulating layer 160 . That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 in which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are located.

절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive adhesive layer 130 is formed in the state where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned on the insulating layer 160 , the semiconductor light emitting device 150 is connected in a flip-chip form by applying heat and pressure. In this case, the semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140 .

도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.

예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156 , a p-type semiconductor layer 155 on which the p-type electrode 156 is formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155 , an active layer ( It includes an n-type semiconductor layer 153 formed on the 154 , and an n-type electrode 152 spaced apart from the p-type electrode 156 in the horizontal direction on the n-type semiconductor layer 153 . In this case, the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 and the conductive adhesive layer 130 , and the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140 .

다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring back to FIGS. 2 , 3A and 3B , the auxiliary electrode 170 is formed to be elongated in one direction, so that one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150 . For example, p-type electrodes of left and right semiconductor light emitting devices with respect to the auxiliary electrode may be electrically connected to one auxiliary electrode.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light emitting device 150 is press-fitted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, and through this, between the p-type electrode 156 and the auxiliary electrode 170 of the semiconductor light emitting device 150 . Only a portion and a portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 have conductivity, and there is no press-fitting of the semiconductor light emitting device in the remaining portion, so that the semiconductor light emitting device does not have conductivity. As described above, the conductive adhesive layer 130 not only interconnects the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and between the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140 , but also forms an electrical connection.

또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting device array, and the phosphor layer 180 is formed on the light emitting device array.

발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device array may include a plurality of semiconductor light emitting devices having different luminance values. Each semiconductor light emitting device 150 constitutes a unit pixel and is electrically connected to the first electrode 120 . For example, there may be a plurality of first electrodes 120 , the semiconductor light emitting devices may be arranged in, for example, several columns, and the semiconductor light emitting devices in each column may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.

또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.In addition, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, semiconductor light emitting devices grown on a transparent dielectric substrate can be used. In addition, the semiconductor light emitting devices may be, for example, nitride semiconductor light emitting devices. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. As illustrated, a barrier rib 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 . In this case, the partition wall 190 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130 . For example, by inserting the semiconductor light emitting device 150 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the partition wall.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.In addition, when the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier rib 190 may have reflective properties and increase contrast even without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, a reflective barrier rib may be separately provided as the barrier rib 190 . In this case, the barrier rib 190 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device. When the barrier ribs made of a white insulator are used, reflectivity may be increased, and when the barrier ribs made of a black insulator are used, it is possible to have reflective properties and increase contrast.

형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150 . For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor layer 180 functions to convert the blue (B) light into a color of a unit pixel. The phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting an individual pixel.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 151 at a position forming a unit pixel of red color, and a position constituting a unit pixel of green color In , a green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 151 . In addition, only the blue semiconductor light emitting device 151 may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel. More specifically, a phosphor of one color may be stacked along each line of the first electrode 120 . Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. That is, red (R), green (G), and blue (B) may be sequentially disposed along the second electrode 140 , thereby realizing a unit pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and instead of the phosphor, the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot (QD) are combined to implement unit pixels of red (R), green (G), and blue (B). have.

또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers to improve contrast. That is, the black matrix 191 may improve contrast of light and dark.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.

도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 5A , each semiconductor light emitting device 150 mainly uses gallium nitride (GaN), and indium (In) and/or aluminum (Al) are added together to emit a variety of light including blue light. It can be implemented as a device.

이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a sub-pixel, respectively. For example, red, green, and blue semiconductor light emitting devices R, G, and B are alternately disposed, and unit pixels of red, green, and blue are formed by the red, green, and blue semiconductor light emitting devices. The pixels form one pixel, through which a full-color display can be realized.

도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B , the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W in which a yellow phosphor layer is provided for each individual device. In this case, a red phosphor layer 181 , a green phosphor layer 182 , and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting device W to form a unit pixel. In addition, a unit pixel may be formed on the white light emitting device W by using a color filter in which red, green, and blue are repeated.

도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C , a structure in which a red phosphor layer 181 , a green phosphor layer 182 , and a blue phosphor layer 183 are provided on the ultraviolet light emitting device UV is also possible. In this way, the semiconductor light emitting device can be used in the entire region not only for visible light but also for ultraviolet (UV) light, and can be extended to the form of a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of the upper phosphor. .

본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Referring back to this example, the semiconductor light emitting device 150 is positioned on the conductive adhesive layer 130 to constitute a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 150 may have a side length of 80 μm or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20X80㎛ or less.

또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.In addition, even when a square semiconductor light emitting device 150 having a side length of 10 μm is used as a unit pixel, sufficient brightness to form a display device appears. Accordingly, for example, when the unit pixel is a rectangular pixel having one side of 600 μm and the other side of 300 μm, the distance between the semiconductor light emitting devices is relatively large. Accordingly, in this case, it is possible to implement a flexible display device having HD image quality.

상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a new type of manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6 .

도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.

본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. Referring to this figure, first, the conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned. An insulating layer 160 is laminated on the first substrate 110 to form one substrate (or wiring board), and the wiring substrate includes a first electrode 120 , an auxiliary electrode 170 , and a second electrode 140 . this is placed In this case, the first electrode 120 and the second electrode 140 may be disposed in a mutually orthogonal direction. In addition, in order to implement a flexible display device, the first substrate 110 and the insulating layer 160 may each include glass or polyimide (PI).

상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer 130 may be implemented by, for example, an anisotropic conductive film, and for this purpose, the anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is located.

다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.Next, the second substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrodes 140 and on which the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constituting individual pixels are located is formed with the semiconductor light emitting device 150 . ) is disposed to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 .

이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the second substrate 112 is a growth substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is grown, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in a wafer unit, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size that can form a display device.

그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring board and the second board 112 are thermocompression-bonded. For example, the wiring substrate and the second substrate 112 may be thermocompression-bonded by applying an ACF press head. The wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermocompression bonding. Due to the properties of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression bonding, only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity, and through this, the electrodes and the semiconductor light emitting. The device 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and through this, a barrier rib may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 .

그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 112 is removed. For example, the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off (LLO) method or a chemical lift-off (CLO) method.

마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the second substrate 112 is removed to expose the semiconductor light emitting devices 150 to the outside. If necessary, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating silicon oxide (SiOx) or the like on the wiring board to which the semiconductor light emitting device 150 is coupled.

또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.In addition, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150 . For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red phosphor or a green phosphor for converting the blue (B) light into the color of the unit pixel is the blue semiconductor light emitting device. A layer may be formed on one surface of the device.

이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method or structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above may be modified in various forms. As an example, a vertical semiconductor light emitting device may also be applied to the display device described above. Hereinafter, a vertical structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6 .

또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In addition, in the modification or embodiment described below, the same or similar reference numerals are assigned to the same or similar components as in the previous example, and the description is replaced with the first description.

도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 7 , and FIG. 9 is a conceptual view showing the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8 am.

본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to the drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) type vertical semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a substrate 210 , a first electrode 220 , a conductive adhesive layer 230 , a second electrode 240 , and a plurality of semiconductor light emitting devices 250 .

기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 210 is a wiring substrate on which the first electrode 220 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any material that has insulating properties and is flexible may be used.

제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 220 is positioned on the substrate 210 and may be formed as a bar-shaped electrode long in one direction. The first electrode 220 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.The conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is positioned. Like a display device to which a flip chip type light emitting element is applied, the conductive adhesive layer 230 is an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, and a solution containing conductive particles. ), and so on. However, in this embodiment as well, a case in which the conductive adhesive layer 230 is implemented by an anisotropic conductive film is exemplified.

기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.After the anisotropic conductive film is positioned on the substrate 210 in a state where the first electrode 220 is positioned, when the semiconductor light emitting device 250 is connected by applying heat and pressure, the semiconductor light emitting device 250 becomes the first It is electrically connected to the electrode 220 . In this case, the semiconductor light emitting device 250 is preferably disposed on the first electrode 220 .

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.The electrical connection is created because, as described above, the anisotropic conductive film has conductivity in the thickness direction when heat and pressure are applied in part. Accordingly, the anisotropic conductive film is divided into a conductive portion 231 and a non-conductive portion 232 in the thickness direction.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 230 implements not only electrical connection but also mechanical bonding between the semiconductor light emitting device 250 and the first electrode 220 .

이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230 and constitutes individual pixels in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 250 may have a side length of 80 μm or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20X80㎛ or less.

상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of second electrodes 240 disposed in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are positioned between the vertical semiconductor light emitting devices.

도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Referring to FIG. 9 , the vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256 , a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256 , and an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 . ), an n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 , and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253 . In this case, the lower p-type electrode 256 may be electrically connected to the first electrode 220 and the conductive adhesive layer 230 , and the upper n-type electrode 252 may be a second electrode 240 to be described later. ) can be electrically connected to. The vertical semiconductor light emitting device 250 has a great advantage in that it is possible to reduce the chip size because electrodes can be arranged up and down.

다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring back to FIG. 8 , a phosphor layer 280 may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device 250 . For example, the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 280 for converting the blue (B) light into a color of a unit pixel is provided. can be In this case, the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 251 at a position constituting a unit pixel of red color, and a position constituting a unit pixel of green color In , a green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 251 . In addition, only the blue semiconductor light emitting device 251 may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and as described above in a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, other structures for realizing blue, red, and green may be applied.

다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. Referring back to this embodiment, the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250 and is electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250 . For example, the semiconductor light emitting devices 250 may be arranged in a plurality of columns, and the second electrode 240 may be located between the columns of the semiconductor light emitting devices 250 .

개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. Since the distance between the semiconductor light emitting devices 250 constituting individual pixels is sufficiently large, the second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 .

제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode 240 may be formed as a bar-shaped electrode long in one direction, and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.

또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected to each other by a connection electrode protruding from the second electrode 240 . More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 . For example, the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a portion of the ohmic electrode by printing or deposition. Through this, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected.

도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.As illustrated, the second electrode 240 may be positioned on the conductive adhesive layer 230 . In some cases, a transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed. When the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 240 may be formed to be spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.

만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO) is used to position the second electrode 240 on the semiconductor light emitting device 250 , the ITO material has a problem of poor adhesion to the n-type semiconductor layer. have. Accordingly, the present invention has the advantage of not using a transparent electrode such as ITO by locating the second electrode 240 between the semiconductor light emitting devices 250 . Therefore, it is possible to improve light extraction efficiency by using a conductive material having good adhesion to the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being constrained by selection of a transparent material.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. As illustrated, a barrier rib 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 . That is, a barrier rib 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 constituting individual pixels. In this case, the partition wall 290 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 230 . For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the partition wall.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.In addition, when the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier rib 290 may have reflective properties and increase contrast even without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, as the barrier rib 190 , a reflective barrier rib may be separately provided. The barrier rib 290 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device.

만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the second electrode 240 is directly positioned on the conductive adhesive layer 230 between the semiconductor light emitting devices 250 , the barrier rib 290 is formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 . can be located between Accordingly, individual unit pixels can be configured even with a small size by using the semiconductor light emitting device 250 , and the distance between the semiconductor light emitting devices 250 is relatively large enough to connect the second electrode 240 to the semiconductor light emitting device 250 . ), and there is an effect of realizing a flexible display device having HD picture quality.

또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. Also, as illustrated, a black matrix 291 may be disposed between each phosphor in order to improve a contrast ratio. That is, the black matrix 291 may improve contrast of light and dark.

상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230 and constitutes individual pixels in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. Accordingly, a full-color display in which unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) constitute one pixel may be implemented by the semiconductor light emitting device.

상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 플립 칩 타입이 적용된 경우에는 동일평면상에 제1 및 제2전극이 배치되므로 고정세(파인 피치)의 구현이 어려운 문제가 있다. 이하, 이러한 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 타입의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.When the flip chip type is applied to the display device using the semiconductor light emitting device of the present invention described above, since the first and second electrodes are disposed on the same plane, it is difficult to implement high definition (fine pitch). Hereinafter, a display device to which a flip-chip type light emitting device according to another embodiment of the present invention capable of solving such a problem is applied will be described.

도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.FIG. 10 is an enlarged view of part A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device of a new structure is applied, FIG. 11A is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 10, and FIG. 11B is FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line FF, and FIG. 12 is a conceptual diagram illustrating the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 11A.

도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. 10, 11A, and 11B , as the display device 1000 using a semiconductor light emitting device, the display device 1000 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device is exemplified. However, the examples described below are also applicable to an active matrix (AM) type semiconductor light emitting device.

디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.The display apparatus 1000 includes a substrate 1010 , a first electrode 1020 , a conductive adhesive layer 1030 , a second electrode 1040 , and a plurality of semiconductor light emitting devices 1050 . Here, the first electrode 1020 and the second electrode 1040 may each include a plurality of electrode lines.

기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 1010 is a wiring substrate on which the first electrode 1020 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any material that has insulating properties and is flexible may be used.

제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 1020 is positioned on the substrate 1010 and may be formed as a bar-shaped electrode long in one direction. The first electrode 1020 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.The conductive adhesive layer 1030 is formed on the substrate 1010 on which the first electrode 1020 is positioned. Like the display device to which the above-described flip chip type light emitting device is applied, the conductive adhesive layer 1030 is an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, and a solution containing conductive particles. (solution), etc. However, in this embodiment, the conductive adhesive layer 1030 may be replaced with an adhesive layer. For example, if the first electrode 1020 is not positioned on the substrate 1010 and is formed integrally with the conductive electrode of the semiconductor light emitting device, the adhesive layer may not need to be conductive.

상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.A plurality of second electrodes 1040 disposed in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 1020 and electrically connected to the semiconductor light emitting device 1050 are positioned between the semiconductor light emitting devices.

도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.As illustrated, the second electrode 1040 may be positioned on the conductive adhesive layer 1030 . That is, the conductive adhesive layer 1030 is disposed between the wiring board and the second electrode 1040 . The second electrode 1040 may be electrically connected to the semiconductor light emitting device 1050 by contact.

상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.With the structure described above, the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 are coupled to the conductive adhesive layer 1030 and electrically connected to the first electrode 1020 and the second electrode 1040 .

경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.In some cases, a transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) may be formed on the substrate 1010 on which the semiconductor light emitting device 1050 is formed. When the second electrode 1040 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 1040 is positioned on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 1040 may be formed to be spaced apart from the conductive adhesive layer 1030 or the transparent insulating layer.

도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.As illustrated, the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 may form a plurality of columns in a direction parallel to a plurality of electrode lines provided in the first electrode 1020 . However, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 may form a plurality of columns along the second electrode 1040 .

나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.Furthermore, the display apparatus 1000 may further include a phosphor layer 1080 formed on one surface of the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 . For example, the semiconductor light emitting device 1050 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor layer 1080 converts the blue (B) light into a color of a unit pixel. The phosphor layer 1080 may be a red phosphor 1081 or a green phosphor 1082 constituting individual pixels. That is, a red phosphor 1081 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 1051a at a position constituting a unit pixel of red color, and a position constituting a unit pixel of green color In , a green phosphor 1082 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 1051b. In addition, only the blue semiconductor light emitting device 1051c may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel. More specifically, a phosphor of one color may be stacked along each line of the first electrode 1020 . Accordingly, one line in the first electrode 1020 may be an electrode for controlling one color. That is, red (R), green (G), and blue (B) may be sequentially disposed along the second electrode 1040 , thereby realizing a unit pixel. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and instead of a phosphor, a unit pixel emitting red (R), green (G) and blue (B) is formed by combining the semiconductor light emitting device 1050 and quantum dots (QD). can be implemented

한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.Meanwhile, in order to improve the contrast ratio of the phosphor layer 1080, the display device may further include a black matrix 1091 disposed between the respective phosphors. The black matrix 1091 may be formed in such a way that a gap is formed between the phosphor dots, and a black material fills the gap. Through this, the black matrix 1091 may absorb external light reflection and improve contrast of light and dark. The black matrix 1091 is positioned between the respective phosphor layers along the first electrode 1020 in the direction in which the phosphor layers 1080 are stacked. In this case, the phosphor layer is not formed at a position corresponding to the blue semiconductor light emitting device 1051 , but the black matrix 1091 is formed with a space without the phosphor layer therebetween (or the blue semiconductor light emitting device 1051c is interposed therebetween). to) can be formed on both sides.

다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다. Again, looking at the semiconductor light emitting device 1050 of this example, the semiconductor light emitting device 1050 in this example has a great advantage of reducing the chip size because electrodes can be arranged up and down. However, although the electrodes are arranged vertically, the semiconductor light emitting device of the present invention may be a flip chip type light emitting device.

도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.Referring to FIG. 12 , for example, the semiconductor light emitting device 1050 includes a first conductive electrode 1156 and a first conductive semiconductor layer 1155 on which the first conductive electrode 1156 is formed; The active layer 1154 formed on the first conductivity type semiconductor layer 1155, the second conductivity type semiconductor layer 1153 formed on the active layer 1154, and the second conductivity type semiconductor layer 1153 formed on the second conductivity type semiconductor layer 1153 A conductive electrode 1152 is included.

보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.More specifically, the first conductivity type electrode 1156 and the first conductivity type semiconductor layer 1155 may be a p-type electrode and a p-type semiconductor layer, respectively, and the second conductivity type electrode 1152 and the second conductivity type semiconductor layer 1152 , respectively. The conductive semiconductor layer 1153 may be an n-type electrode and an n-type semiconductor layer, respectively. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and examples in which the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type are also possible.

보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.More specifically, the first conductivity type electrode 1156 is formed on one surface of the first conductivity type semiconductor layer 1155 , and the active layer 1154 is formed on the other surface of the first conductivity type semiconductor layer 1155 and the It is formed between one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 , and the second conductivity type electrode 1152 is formed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 .

이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다. In this case, the second conductivity type electrode is disposed on one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 , and an undoped semiconductor layer 1153a is formed on the other surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 . ) can be formed.

도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.Referring to FIG. 12 together with FIGS. 10 to 11B , one surface of the second conductivity type semiconductor layer may be the surface closest to the wiring board, and the other surface of the second conductivity type semiconductor layer is closest to the wiring board. It can be on the far side.

또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다. In addition, the first conductive electrode 1156 and the second conductive electrode 1152 have a height difference from each other in the width direction and the vertical direction (or thickness direction) at positions spaced apart from each other along the width direction of the semiconductor light emitting device. made to have

상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.The second conductive electrode 1152 is formed on the second conductive semiconductor layer 1153 using the height difference, but is disposed adjacent to the second electrode 1040 positioned above the semiconductor light emitting device. . For example, at least a portion of the second conductivity type electrode 1152 is in the width direction from the side surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 (or the side surface of the undoped semiconductor layer 1153a). protrudes along As described above, since the second conductive electrode 1152 protrudes from the side surface, the second conductive electrode 1152 may be exposed to the upper side of the semiconductor light emitting device. Through this, the second conductive electrode 1152 is disposed at a position overlapping with the second electrode 1040 disposed on the upper side of the conductive adhesive layer 1030 .

보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.More specifically, the semiconductor light emitting device has protrusions 1152a that extend from the second conductive electrode 1152 and protrude from side surfaces of the plurality of semiconductor light emitting devices. In this case, when viewed with respect to the protrusion 1152a, the first conductive electrode 1156 and the second conductive electrode 1152 are disposed at positions spaced apart along the protrusion direction of the protrusion 1152a, It can be expressed as being formed to have a height difference from each other in a direction perpendicular to the protrusion direction.

상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. The protrusion 1152a extends laterally from one surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 , and is an upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 1153 , more specifically, an undoped semiconductor layer. (1153a). The protrusion 1152a protrudes along the width direction from the side surface of the undoped semiconductor layer 1153a. Accordingly, the protrusion 1152a may be electrically connected to the second electrode 1040 on the opposite side of the first conductivity type electrode with respect to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.The structure including the protrusion 1152a may be a structure that can utilize the advantages of the above-described horizontal type semiconductor light emitting device and vertical type semiconductor light emitting device. Meanwhile, in the undoped semiconductor layer 1153a, microgrooves may be formed on the top surface furthest from the first conductive electrode 1156 by roughing.

또한, 상기 반도체 발광소자(1050)는 상기 제2도전형 전극(1152)을 덮도록 형성되는 절연부(1158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(1158)는 상기 제2도전형 전극(1152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. In addition, the semiconductor light emitting device 1050 may include an insulating portion 1158 formed to cover the second conductive electrode 1152 . The insulating portion 1158 may be formed to cover a portion of the first conductivity type semiconductor layer 1155 together with the second conductivity type electrode 1152 .

이 경우에, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 상기 활성층(1154)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성되며, 상기 절연부(1158)를 사이에 두고 일방향으로 이격 배치된다. 여기에서, 일방향(또는 수평방향)은 상기 반도체 발광소자의 폭방향이 되며, 수직방향은 상기 반도체 발광소자의 두께방향이 될 수 있다. In this case, the second conductive electrode 1152 and the active layer 1154 are formed on one surface of the second conductive semiconductor layer 1153 , and are spaced apart in one direction with the insulating part 1158 interposed therebetween. do. Here, one direction (or horizontal direction) may be a width direction of the semiconductor light emitting device, and a vertical direction may be a thickness direction of the semiconductor light emitting device.

또한, 상기 제1도전형 반도체층(1155)에서 상기 절연부(1158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(1156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 절연부(1158)를 관통하여 외부로 노출된다.In addition, the first conductivity type electrode 1156 may be formed in a portion of the first conductivity type semiconductor layer 1155 that is not covered by the insulating portion 1158 and is exposed. Accordingly, the first conductive electrode 1156 penetrates the insulating portion 1158 and is exposed to the outside.

이와 같이, 상기 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극(1156, 1152)은, 상기 절연부(1058)에 의해 이격되므로, 반도체 발광 소자의 n형 전극 및 p형 전극은 절연될 수 있다.As described above, since the first conductive electrode and the second conductive electrode 1156 and 1152 are spaced apart by the insulating part 1058, the n-type electrode and the p-type electrode of the semiconductor light emitting device may be insulated.

또한, 디스플레이 장치(1000)는 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080, 도 11b 참조)를 더 구비할 수 있다. 이 경우에, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다. In addition, the display apparatus 1000 may further include a phosphor layer 1080 (refer to FIG. 11B ) formed on one surface of the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 . In this case, the light output from the semiconductor light emitting devices is excited using a phosphor to realize red (R) and green (G). In addition, the aforementioned black matrices 191 , 291 , and 1091 (see FIGS. 3B , 8 and 11B ) serve as barrier ribs that prevent color mixing between phosphors.

한편, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들로 구동신호를 전달하기 위하여, 배선기판 상에 서로 교차하는 배선라인들이 배치된다. 이러한, 배선라인들 중 어느 일방향으로 연장되는 일부 배선라인들은 스캔 전극을 구성하고, 상기 배선라인들 중 상기 일방향과 수직하는 다른 일방향으로 연장되는 배선라인들은 데이터 전극을 구성한다. 한편, 상기 스캔 전극 및 데이터 전극에 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 각각 제공하기 위해서는, 상기 배선라인들에 상기 구동 신호들을 제공하는 구동부, 예를 들어 디스플레이 드라이버 IC가 전기적으로 연결된다. Meanwhile, according to the display device described above, in order to transmit a driving signal to the semiconductor light emitting devices, wiring lines crossing each other are disposed on the wiring board. Among these wiring lines, some wiring lines extending in one direction constitute a scan electrode, and among the wiring lines, wiring lines extending in another direction perpendicular to the one direction constitute a data electrode. Meanwhile, in order to provide the scan driving signal and the data driving signal to the scan electrode and the data electrode, respectively, a driving unit that provides the driving signals to the wiring lines, for example, a display driver IC, is electrically connected.

이 경우에, 디스플레이 드라이버 IC가 실장되는 COF와 디스플레이 패널부를 따로 구성하여 각각 합착 패드를 형성하고, ACF, NCF 등을 이용하여 합착한다면, 고밀도 및 고정세 해상도 구성시에 합착 패드간 피치가 협소하여 합착 불량을 발생시킬 수 있다. 또한, 합착 불량으로 인하여 디스플레이 라인의 오픈이나 쇼트가 발생할 가능성이 존재하게 된다. 이에, 본 발명에서는, 구동부가 배선기판에 장착될 수 있는 메커니즘을 제시한다. In this case, if the COF on which the display driver IC is mounted and the display panel part are separately configured to form bonding pads, and bonding using ACF, NCF, etc., the pitch between the bonding pads is narrow when configuring high-density and high-resolution resolution. It may cause bonding failure. In addition, there is a possibility that an open or short circuit of the display line may occur due to poor bonding. Accordingly, in the present invention, a mechanism by which a driving unit can be mounted on a wiring board is provided.

이하, 본 발명의 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 13은 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 디스플레이 장치의 개념도이고, 도 14는 도 13의 G 부분의 확대도이며, 도 15 및 도 16은 각각 도 13의 라인 H-H 및 라인 I-I를 따라 취한 단면도들이다.Hereinafter, the structure of the display device of the present invention will be described in detail with the accompanying drawings. 13 is a conceptual diagram of a display device for explaining another embodiment of the present invention to which the structure of a wiring board of the present invention is applied, FIG. 14 is an enlarged view of a portion G of FIG. 13, and FIGS. 15 and 16 are respectively FIG. 13 are cross-sectional views taken along line HH and line II.

도 13, 도 14, 도 15 및 도 16의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광소자에서 휘도는 증가되는 메커니즘이 부가된 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다. 13, 14, 15 and 16 , a display device 2000 using the flip chip type semiconductor light emitting device described with reference to FIGS. 10 to 12 is exemplified as a display device using a semiconductor light emitting device. More specifically, in the flip chip type semiconductor light emitting device described with reference to FIGS. 10 to 12 , a case in which a mechanism for increasing luminance is added is exemplified. However, the examples described below are also applicable to display devices using the other types of semiconductor light emitting devices described above.

이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In this example to be described below, the same or similar reference numerals are assigned to the same or similar components as those of the examples described with reference to FIGS. 10 to 12 above, and the description is replaced with the first description.

예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함한다. 상기 반도체 발광 소자(2050)는 제1도전형 전극(2156)과, 제1도전형 전극(2156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(2155)과, 제1도전형 반도체층(2155) 상에 형성된 활성층(2154)과, 상기 활성층(2154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(2153) 및 제2도전형 반도체층(2153)에 형성되는 제2도전형 전극(2152)을 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. For example, the display apparatus 2000 includes a plurality of semiconductor light emitting devices 2050 . The semiconductor light emitting device 2050 includes a first conductivity type electrode 2156 , a first conductivity type semiconductor layer 2155 on which the first conductivity type electrode 2156 is formed, and a first conductivity type semiconductor layer 2155 . It includes an active layer 2154 formed in the active layer 2154, a second conductivity type semiconductor layer 2153 formed on the active layer 2154, and a second conductivity type electrode 2152 formed on the second conductivity type semiconductor layer 2153, A description of these is replaced with the description with reference to FIG. 12 above.

또한, 도 12를 참조하여 전술한 바와 같이, 돌출부(2152a)가 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)으로 연장된다. 따라서, 상기 돌출부(2152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(2040)과 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, as described above with reference to FIG. 12 , the protrusion 2152a extends from one surface of the second conductivity type semiconductor layer 2153 to the side, and to the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 2153 , more Specifically, it extends to the undoped semiconductor layer 2153a. Accordingly, the protrusion 2152a may be electrically connected to the second electrode 2040 on the opposite side of the first conductivity type electrode with respect to the second conductivity type semiconductor layer.

또한, 상기 반도체 발광소자(2050)는 상기 제2도전형 전극(2152)을 덮도록 형성되는 절연부(2158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(2158)는 상기 제2도전형 전극(2152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(2155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. In addition, the semiconductor light emitting device 2050 may include an insulating portion 2158 formed to cover the second conductive electrode 2152 . The insulating portion 2158 may be formed to cover a portion of the first conductivity type semiconductor layer 2155 together with the second conductivity type electrode 2152 .

또한, 상기 제1도전형 반도체층(2155)에서 상기 절연부(2158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(2156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(2156)은 상기 절연부(2158)를 관통하여 외부로 노출된다.In addition, the first conductivity type electrode 2156 may be formed in a portion of the first conductivity type semiconductor layer 2155 that is not covered by the insulating portion 2158 and is exposed. Accordingly, the first conductive electrode 2156 penetrates the insulating portion 2158 and is exposed to the outside.

또한, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 반도체 발광소자(2050)의 일면에 형성되는 형광체층(2080)을 더 구비할 수 있다. In addition, the display apparatus 2000 may further include a phosphor layer 2080 formed on one surface of the plurality of semiconductor light emitting devices 2050 .

도시에 의하면, 디스플레이 장치(2000)는 기판(배선기판, 2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 제2전극(2040)를 포함하며, 이들에 대한 기본적인 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. As shown, the display device 2000 includes a substrate (wiring board, 2010), a first electrode 2020, a conductive adhesive layer 2030, and a second electrode 2040. A basic description of these is shown in FIG. 10 above. The description will be replaced with reference to FIG. 12 .

또한, 본 실시예에서도 상기 전도성 접착층(2030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 배선기판(2010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(2020)이 배선기판(2010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다. Also in this embodiment, the conductive adhesive layer 2030 is replaced with an adhesive layer, a plurality of semiconductor light emitting devices are attached to the adhesive layer disposed on the wiring board 2010, and the first electrode 2020 is the wiring board 2010 ), and may be formed integrally with the conductive electrode of the semiconductor light emitting device.

상기 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판(2010)과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)의 돌출부(2152a)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 2040 may be positioned on the conductive adhesive layer 2030 . That is, the conductive adhesive layer 2030 is disposed between the wiring board 2010 and the second electrode 2040 . The second electrode 2040 may be electrically connected to the protrusion 2152a of the semiconductor light emitting device 2050 by contact.

상기 제1전극(2020)은 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하는 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 또한, 상기 제2전극(2040)은 반도체 발광소자의 상부 배선으로서, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하는 복수의 스캔 라인들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 상기 복수의 데이터 라인들은 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치된다.The first electrode 2020 includes a plurality of data lines that transmit data driving signals to the semiconductor light emitting devices. In addition, the second electrode 2040 is an upper wiring of the semiconductor light emitting device, and includes a plurality of scan lines for transmitting a scan driving signal to the semiconductor light emitting device. As illustrated, the plurality of data lines are disposed to cross the plurality of scan lines.

본 도면들을 참조하면, 상기 배선기판(2010)의 일면에는 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부(2071)가 장착된다. 보다 구체적으로, 상기 배선기판(2010)은 상기 반도체 발광소자들이 장착되는 제1영역(2011)과, 상기 구동부(2071)가 배치되는 제2영역(2012)으로 구획될 수 있다. 여기서 상기 제1영역(2011)은 디스플레이 패널부의 영역이 될 수 있다.Referring to the drawings, a driving unit 2071 connected to the scan lines and data lines and providing the scan driving signal and the data driving signal is mounted on one surface of the wiring board 2010 . More specifically, the wiring board 2010 may be divided into a first region 2011 in which the semiconductor light emitting devices are mounted and a second region 2012 in which the driver 2071 is disposed. Here, the first area 2011 may be an area of the display panel unit.

상기 배선기판(2010)은, 상기 구동부(2071)와 전기적으로 연결되며, 외부단자와 접속되도록 상기 배선기판(2010)으로부터 돌출되는 인터페이스부(2072)를 포함할 수 있다. 즉, 인터페이스부(2072)가 상기 제2영역(2012)의 단부에 배치될 수 있다.The wiring board 2010 may include an interface unit 2072 electrically connected to the driving unit 2071 and protruding from the wiring board 2010 to be connected to an external terminal. That is, the interface unit 2072 may be disposed at an end of the second region 2012 .

도시에 의하면, 상기 제1영역(2011)의 중심과 구동부(2071)와의 이격거리는 패널이 성장한 성장기판(원판 글래스)의 사이즈를 고려하여 설정된다. 상기 제1영역(2011)의 중심에서 상기 구동부(2071)까지의 거리는 상기 반도체 발광소자가 성장한 성장기판의 길이의 반보다 크도록 형성될 수 있다. 구체적인 예로서 반도체 발광소자의 성장기판의 크기가 2인치인 경우에, 상기 제1영역(2011)의 중심으로부터 반지름이 1인치 이상인 원의 외부에 구동부(2071)가 배치된다. 이는 성장기판으로부터 반도체 발광소자를 제1영역(2011)으로 전사(transfer)시에 구동부(2071)의 높이에 의하여 구동부(2071)와 성장기판이 서로 간섭되는 것을 방지하기 위함이다.As shown, the separation distance between the center of the first region 2011 and the driving unit 2071 is set in consideration of the size of the growth substrate (original glass) on which the panel is grown. The distance from the center of the first region 2011 to the driver 2071 may be greater than half the length of the growth substrate on which the semiconductor light emitting device is grown. As a specific example, when the size of the growth substrate of the semiconductor light emitting device is 2 inches, the driving unit 2071 is disposed outside the circle having a radius of 1 inch or more from the center of the first region 2011 . This is to prevent the driver 2071 and the growth substrate from interfering with each other due to the height of the driver 2071 when the semiconductor light emitting device is transferred from the growth substrate to the first region 2011 .

또한, 도시에 의하면, 상기 배선기판(2010)에는 상기 복수의 스캔 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 상기 제1영역(2011)에서 연장되어 상기 제2영역(2012)으로 이어지도록 배치되는 제3영역(2013)이 형성된다. Also, as illustrated, in the wiring board 2010 , the plurality of scan lines and the plurality of data lines extend from the first area 2011 to a third area arranged to lead to the second area 2012 . (2013) is formed.

상기 제3영역(2013)은 제1영역(2011)내에서 상기 반도체 발광소자와 연결된 데이터 라인들과 스캔 라인들이 상기 구동부(2071)와 전기적으로 연결되기 위하여 연장되는 베이스를 제공하게 된다.The third region 2013 provides a base from which data lines and scan lines connected to the semiconductor light emitting device in the first region 2011 extend to be electrically connected to the driving unit 2071 .

이 경우에, 상기 데이터 라인들은 상기 배선기판(2010)의 일면에 형성되어, 제1영역(2011)에서 제3영역(2013)을 거쳐서 상기 구동부(2071)와 전기적으로 연결된다. In this case, the data lines are formed on one surface of the wiring board 2010 and are electrically connected to the driving unit 2071 from the first region 2011 through the third region 2013 .

이에 반해, 상기 스캔 라인들은 상기 배선기판(2010)의 일면으로부터 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되는 제1부분(2041)과, 상기 배선기판(2010)의 일면에 형성되는 제2부분(2042)을 구비한다. 상기 제1부분(2041)은 상기 제1영역(2011)에서 상기 반도체 발광소자의 n형 전극, 예를 들어 돌출부와 연결되어 상부배선을 형성하게 된다. 따라서, 상기 데이터 라인들은 상기 반도체 발광소자의 p형 전극에 연결된다.In contrast, the scan lines include a first portion 2041 connected to the semiconductor light emitting device at a position spaced apart from one surface of the wiring board 2010, and a second portion formed on one surface of the wiring board 2010 ( 2042) is provided. The first portion 2041 is connected to an n-type electrode of the semiconductor light emitting device, for example, a protrusion in the first region 2011 to form an upper wiring. Accordingly, the data lines are connected to the p-type electrode of the semiconductor light emitting device.

상기 제2부분(2042)은 상기 데이터 라인들과 같이 상기 배선기판(2010)의 일면에서 상기 구동부(2071)를 향하여 연장된다. 이 경우에, 상기 제1부분(2041)은 상기 배선기판으로부터 디스플레이 장치의 두께방향으로 이격되므로, 상기 제1부분(2041)과 제2부분(2042)은 서로 높이차를 가지게 된다. 상기 높이차를 해결하기 위하여, 상기 제3영역(2013)에는 연결부(2043)가 배치되어 상기 제1부분(2041)과 제2부분(2042)을 서로 연결한다.The second portion 2042 extends from one surface of the wiring board 2010 toward the driver 2071 like the data lines. In this case, since the first part 2041 is spaced apart from the wiring board in the thickness direction of the display device, the first part 2041 and the second part 2042 have a height difference from each other. In order to solve the height difference, a connection part 2043 is disposed in the third region 2013 to connect the first part 2041 and the second part 2042 to each other.

상기 연결부(2043)는 상기 제3영역(2013)에서 상기 제1영역(2011)의 양측에 형성되는 부분들 중 적어도 한 부분에 배치될 수 있다. 상기 연결부와 상기 반도체 발광소자 사이의 거리에는 제약이 없다. 따라서, 상기 제1영역(2011)의 경계에서 상기 구동부(2071)까지의 거리는 상기 제3영역(2013)에서 상기 제1영역(2011)의 양측에 형성되는 부분들의 폭들보다 더 크도록 이루어진다. The connection part 2043 may be disposed in at least one of the portions formed on both sides of the first region 2011 in the third region 2013 . There is no restriction on a distance between the connection part and the semiconductor light emitting device. Accordingly, a distance from the boundary of the first region 2011 to the driving unit 2071 is greater than widths of portions formed on both sides of the first region 2011 in the third region 2013 .

도시에 의하면, 상기 연결부(2043)는 복수의 층들을 구비할 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 상기 연결부(2043)는 반도체층(2043a), 제1도전층(2043b) 및 제2도전층(2043c)을 구비한다. 상기 반도체층(2043a)은 상기 제2도전형 반도체층(2153, n형 반도체층)과 동일재질로 형성되어, 성장기판상에서 함께 성장할 수 있다.As illustrated, the connection part 2043 may include a plurality of layers. For example, the connection part 2043 includes a semiconductor layer 2043a, a first conductive layer 2043b, and a second conductive layer 2043c. The semiconductor layer 2043a may be formed of the same material as the second conductivity type semiconductor layer 2153 (n-type semiconductor layer) and grown together on a growth substrate.

또한, 상기 제1도전층(2043b)은 상기 제1도전형 전극(2156)과 동일재질로 형성되며, 상기 제2도전층(2043c)은 상기 제2도전형 전극(2152)과 동일재질로 형성될 수 있다. 이를 통하여, 상기 연결부(2043)는 상기 반도체 발광소자들과 함께 성장됨으로써 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 연결부(2043)에는 반도체 발광소자의 절연부(2158)와 동일재질로 형성되는 연결 절연부(2043d)가 형성될 수 있다.In addition, the first conductive layer 2043b is formed of the same material as the first conductive electrode 2156 , and the second conductive layer 2043c is formed of the same material as the second conductive electrode 2152 . can be Through this, the connection part 2043 may be formed by growing together with the semiconductor light emitting devices. In this case, the connection insulating part 2043d made of the same material as the insulating part 2158 of the semiconductor light emitting device may be formed in the connection part 2043 .

한편, 도시에 의하면, 상기 제2영역(2012)에는 솔더레지스트가 도포되어 보호층(2073)이 형성되고, 상기 제1영역(2011)과 상기 제3영역(2013)에는 상기 솔더레지스트가 도포되지 않도록 이루어진다. 그 이유는 제3영역(2013)에 솔더레지스트가 도포되는 경우에, 제1영역과 솔더레지스트가 도포되는 층간의 높이차에 의해서 반도체 발광소자를 성장한 성장기판로부터 상기 제1영역으로 전사시에 높이차에 의한 합착불량을 완화 또는 방지하기 위함이다. 따라서, 배선기판(2010)은 일부 영역, 본 예시에서는 제2영역(2012)에서만 솔더레지스트가 도포된 보호층(2073)을 구비하게 된다.On the other hand, as shown, the second region 2012 is coated with a solder resist to form a protective layer 2073 , and the solder resist is not applied to the first region 2011 and the third region 2013 . done so as not to The reason is that when the solder resist is applied to the third region 2013, the height difference between the first region and the layer to which the solder resist is applied occurs when transferring the semiconductor light emitting device from the growth substrate to the first region. This is to alleviate or prevent the failure of cementation caused by the car. Accordingly, the wiring board 2010 is provided with the protective layer 2073 coated with solder resist only in a partial region, in this example, the second region 2012 .

상기에서 설명된 새로운 배선연결 구조를 통하여, 시제품으로서 30 um 이하의 배선 피치가 구현될 수 있었다. 디스플레이 패널부와 드라이버 IC COF부를 ACF로 합착하는 방식에서는 양산성을 위하여 100 um 이상의 피치가 요구되는 것이 현재의 수준이다. 그러나, 본 발명에서 제시한 메커니즘에 의하면,30um 이하의 배선 피치 구성이 가능하게 된 것이다.Through the new wiring connection structure described above, a wiring pitch of 30 um or less could be realized as a prototype. The current level is that in the method of bonding the display panel part and the driver IC COF part with ACF, a pitch of 100 um or more is required for mass production. However, according to the mechanism presented in the present invention, it is possible to configure a wiring pitch of 30 μm or less.

이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The display device using the semiconductor light emitting device described above is not limited to the configuration and method of the above-described embodiments, but all or part of each embodiment may be selectively combined so that various modifications may be made. may be

Claims (9)

반도체 발광소자들;
상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들;
상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들; 및
상기 스캔 라인들 및 상기 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부를 포함하는 배선기판을 구비하고,
상기 배선기판은,
상기 반도체 발광소자들이 장착되는 제1영역;
상기 구동부가 배치되는 제2영역; 및
상기 복수의 스캔 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 상기 제1영역에서 연장되어 상기 제2영역으로 이어지도록 배치되는 제3영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.semiconductor light emitting devices;
a plurality of scan lines configured to transmit a scan driving signal to the semiconductor light emitting devices and disposed parallel to each other;
a plurality of data lines configured to transmit a data driving signal to the semiconductor light emitting devices and disposed to cross the plurality of scan lines; and
and a wiring board connected to the scan lines and the data lines and including a driver providing the scan driving signal and the data driving signal;
The wiring board is
a first region in which the semiconductor light emitting devices are mounted;
a second region in which the driving unit is disposed; and
and a third area in which the plurality of scan lines and the plurality of data lines extend from the first area to the second area. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2영역에는 솔더레지스트가 도포되어 보호층이 형성되고, 상기 제1영역과 상기 제3영역에는 상기 솔더레지스트가 도포되지 않는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to claim 1,
A display device, characterized in that the second region is coated with a solder resist to form a protective layer, and the solder resist is not applied to the first region and the third region. 제1항에 있어서,
상기 제1영역의 경계에서 상기 구동부까지의 거리는 상기 제3영역에서 상기 제1영역의 양측에 형성되는 부분들의 폭들보다 더 큰 것 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to claim 1,
A distance from the boundary of the first region to the driving unit is greater than widths of portions formed on both sides of the first region in the third region. 제1항에 있어서,
상기 제1영역의 중심에서 상기 구동부까지의 거리는 상기 반도체 발광소자가 성장한 성장기판의 길이의 반보다 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to claim 1,
A distance from the center of the first region to the driver is greater than half the length of the growth substrate on which the semiconductor light emitting device is grown. 제1항에 있어서,
상기 배선기판은,
상기 구동부와 전기적으로 연결되며, 외부단자와 접속되도록 상기 배선기판으로부터 돌출되는 인터페이스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to claim 1,
The wiring board is
and an interface part electrically connected to the driving part and protruding from the wiring board to be connected to an external terminal. 제1항에 있어서,
상기 데이터 라인들은 상기 배선기판의 일면에 형성되고,
상기 스캔 라인들은 상기 배선기판의 일면으로부터 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되는 제1부분과, 상기 배선기판의 일면에 형성되는 제2부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to claim 1,
the data lines are formed on one surface of the wiring board;
The display device according to claim 1, wherein the scan lines include a first portion connected to the semiconductor light emitting device at a position spaced apart from one surface of the wiring board, and a second portion formed on one surface of the wiring board. 제7항에 있어서,
상기 스캔 라인들은 상기 반도체 발광소자의 n형 전극과 연결되고, 상기 데이터 라인들은 상기 반도체 발광소자의 p형 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The scan lines are connected to the n-type electrode of the semiconductor light emitting device, and the data lines are connected to the p-type electrode of the semiconductor light emitting device. 제7항에 있어서,
상기 제1부분 및 제2부분은 복수의 층들을 구비하는 연결부에 의하여 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The first part and the second part are electrically connected to each other by a connection part having a plurality of layers.
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