KR102605471B1 - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들과, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체층들과, 상기 복수의 형광체층들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 파장 변환층, 및 청색, 녹색 및 적색을 필터링하는 복수의 필터링부들을 구비하며, 상기 파장 변환층을 덮도록 배치되는 컬러 필터를 포함하며, 상기 복수의 필터링부들 중 적어도 하나는 다른 필터링부와 폭이 다르도록 형성된다.The present invention relates to a display device, and particularly to a display device using a semiconductor light emitting device. A display device according to the present invention includes a substrate on which wiring electrodes are formed, a plurality of semiconductor light-emitting elements electrically connected to the wiring electrodes, a plurality of phosphor layers that convert the wavelength of light, and the plurality of phosphor layers. It has a plurality of partitions formed between the plurality of partition walls, a wavelength conversion layer arranged to cover the plurality of semiconductor light emitting devices, and a plurality of filtering parts for filtering blue, green, and red, and the wavelength conversion layer It includes a color filter arranged to cover the filter, and at least one of the plurality of filtering units is formed to have a different width from the other filtering units.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and particularly to a display device using a semiconductor light emitting device.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박막형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. 그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.Recently, in the field of display technology, display devices with excellent characteristics such as thin film and flexible have been developed. In contrast, currently commercialized major displays are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes). However, in the case of LCD, there are problems such as a slow response time and difficulty in implementing flexibility, and in the case of AMOLED, there are vulnerabilities such as short lifespan, poor mass production yield, and weak flexibility.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. Meanwhile, Light Emitting Diode (LED) is a well-known semiconductor light-emitting device that converts current into light. Starting with the commercialization of red LEDs using GaAsP compound semiconductors in 1962, green LEDs of the GaP:N series have been used since then. It has been used as a light source for display images in electronic devices, including communication devices. Accordingly, a method to solve the above problems can be proposed by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device.
상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이에는 파장 변환층을 이용하여 상기 반도체 발광 소자에서 발광되는 빛을 여기하고, 컬러 필터를 이용하여 적색이나 녹색의 파장으로 필터링하는 구조가 적용될 수 있다. 이러한 구조에서는, 상대적으로 청색보다 녹색이나 적색의 광량이 부족한 문제가 있다. 따라서, 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하는 메커니즘에 대하여 제시한다.A structure that uses a wavelength conversion layer to excite light emitted from the semiconductor light emitting device and filters it to a red or green wavelength using a color filter can be applied to a flexible display using the semiconductor light emitting device. In this structure, there is a problem that the amount of green or red light is relatively insufficient compared to blue. Therefore, the present invention presents a mechanism to solve this problem.
본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 녹색이나 적색의 광량을 보다 확보할 수 있으면서도 구조적 신뢰성이 향상될 수 있는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.One object of the present invention is to provide a display device that can secure a greater amount of green or red light while improving structural reliability.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 형광체의 충전공간을 보다 확대하면서 컬러 필터를 비대칭 구조로 형성하여, 녹색이나 적색의 휘도를 증가시킨다. The display device according to the present invention increases the luminance of green or red by forming a color filter in an asymmetric structure while expanding the charging space of the phosphor.
구체적인 예로서, 상기 디스플레이 장치는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들과, 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체층들과, 상기 복수의 형광체층들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 파장 변환층, 및 청색, 녹색 및 적색을 필터링하는 복수의 필터링부들을 구비하며, 상기 파장 변환층을 덮도록 배치되는 컬러 필터를 포함하며, 상기 복수의 필터링부들 중 적어도 하나는 다른 필터링부와 폭이 다르도록 형성된다.As a specific example, the display device includes a substrate on which wiring electrodes are formed, a plurality of semiconductor light-emitting elements electrically connected to the wiring electrodes, a plurality of phosphor layers that convert the wavelength of light, and the plurality of phosphors. It has a plurality of partition walls formed between the layers, a wavelength conversion layer arranged to cover the plurality of semiconductor light emitting devices, and a plurality of filtering parts for filtering blue, green, and red colors, and the wavelength conversion layer and a color filter arranged to cover, wherein at least one of the plurality of filtering units is formed to have a different width from the other filtering units.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되며, 상기 복수의 필터링부들 중 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 격벽부에 해당하는 필터링부는 다른 필터링부와 폭이 달라질 수 있다.In an embodiment, at least one of the plurality of partition parts overlaps with at least one of the plurality of semiconductor light-emitting devices along the thickness direction of the phosphor layer, and one of the plurality of semiconductor light-emitting devices among the plurality of filtering parts The filtering portion corresponding to the partition wall portion overlapping at least one may have a different width from the other filtering portions.
상기 복수의 필터링부들은 청색 필터링부, 녹색 필터링부 및 적색 필터링부를 구비하고, 상기 청색 필터링부는 상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부 중 적어도 하나와 폭이 달라질 수 있다. 상기 복수의 격벽부들은, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 제1격벽부와, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮는 제2격벽부를 구비하며, 상기 청색 필터링부는 상기 제2격벽부와 중첩될 수 있다.The plurality of filtering units include a blue filtering unit, a green filtering unit, and a red filtering unit, and the blue filtering unit may have a different width from at least one of the green filtering unit and the red filtering unit. The plurality of partition walls includes a first partition wall part disposed to cover a space between the plurality of semiconductor light emitting devices, and a second partition wall part that covers at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices, and the blue filtering unit It may overlap with the second partition wall.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 필터링부들의 사이에는 각각 블랙 매트릭스가 배치되며, 상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부의 사이에 배치되는 제1 블랙 매트릭스는 상기 제1격벽부와 동일선상에 얼라인될 수 있다. 상기 청색 필터링부의 양측에 배치되는 제2 및 제3 블랙 매트릭스는 각각 상기 제2격벽부와 오버랩되는 부분이 미오버랩되는 부분보다 더 크도록 형성될 수 있다.In an embodiment, a black matrix is disposed between the plurality of filtering units, and the first black matrix disposed between the green filtering unit and the red filtering unit may be aligned on the same line as the first partition wall unit. there is. The second and third black matrices disposed on both sides of the blue filtering unit may be formed such that a portion that overlaps the second partition wall portion is larger than a portion that does not overlap.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 컬러 필터를 비대칭으로 구성함에 따라, 녹색 또는 적색의 휘도를 증가시킬 수 있다. 또한, 복수의 격벽부들 중 적어도 하나가 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩됨에 따라, 형광체가 충전되는 공간이 보다 확보될 수 있다. In the display device according to the present invention, the luminance of green or red can be increased by configuring the color filter asymmetrically. Additionally, as at least one of the plurality of partition walls overlaps with at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices, more space in which the phosphor is charged can be secured.
나아가, 컬러 필터에서 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 격벽부에 해당하는 부분의 폭을 다른 부분에 비하여 적게 구성함에 따라, 녹색 및 적색의 휘도가 향상될 수 있다. 또한, 청색의 픽셀에서 청색의 색이 누수되는 것이 완화 및 방지됨에 따라 색 순도가 향상될 수 있다.Furthermore, by making the width of the portion corresponding to the partition portion overlapping with at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices in the color filter smaller than that of other portions, green and red luminance can be improved. Additionally, color purity can be improved as leakage of blue color from blue pixels is alleviated and prevented.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using a semiconductor light-emitting device of the present invention.
FIG. 2 is a partial enlarged view of portion A of FIG. 1, and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2.
FIG. 4 is a conceptual diagram showing the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
Figure 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Figure 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light-emitting device of the invention.
Figure 8 is a cross-sectional view taken along line DD in Figure 7.
FIG. 9 is a conceptual diagram showing the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8.
FIG. 10 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device of a new structure is applied.
Figure 11a is a cross-sectional view taken along line EE in Figure 10.
Figure 11b is a cross-sectional view taken along line FF in Figure 11.
FIG. 12 is a conceptual diagram showing the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 11A.
Figure 13 is an enlarged view of portion A of Figure 1 for explaining another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view taken along GG in FIG. 13, and FIG. 15 is a cross-sectional view taken along HH in FIG. 13.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes “module” and “part” for components used in the following description are given or used interchangeably only for the ease of preparing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed descriptions will be omitted. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in this specification by the attached drawings.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Additionally, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another component, it is to be understood that it may be present directly on the other element or that there may be intermediate elements in between. There will be.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.Display devices described in this specification include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, and slate PCs. , Tablet PC, Ultra Book, digital TV, desktop computer, etc. However, those skilled in the art will easily understand that the configuration according to the embodiments described in this specification can be applied to devices capable of displaying, even if they are new product types that are developed in the future.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using a semiconductor light-emitting device of the present invention.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustration, information processed by the control unit of the
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.Flexible displays include displays that can be bent, bent, twisted, folded, or rolled by external force. For example, a flexible display can be a display manufactured on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded, or rolled like paper, while maintaining the display characteristics of a conventional flat panel display.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.When the flexible display is not bent (for example, a state with an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as the first state), the display area of the flexible display becomes flat. In the first state, when the display area is bent by an external force (for example, a state with a finite radius of curvature, hereinafter referred to as the second state), the display area may become a curved surface. As shown, information displayed in the second state may be visual information output on a curved surface. This visual information is implemented by independently controlling the light emission of unit pixels (sub-pixels) arranged in a matrix form. The unit pixel refers to the minimum unit for implementing one color.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.A unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light-emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as a type of semiconductor light emitting device that converts current into light. The light emitting diode is formed in a small size, and through this, it can function as a unit pixel even in the second state.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the flexible display implemented using the light emitting diode will be described in more detail with reference to the drawings.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partially enlarged view of portion A of FIG. 1, FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines B-B and C-C of FIG. 2, and FIG. 4 is a conceptual diagram showing the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3A. FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.According to the illustrations of FIGS. 2, 3A, and 3B, a
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.According to the illustration, the insulating
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, a conductive
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As such an example, the conductive
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion becomes conductive due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, it will be explained that heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, but other methods are also possible to make the anisotropic conductive film partially conductive. This method can be, for example, application of either heat or pressure alone, UV curing, etc.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.Additionally, the anisotropic conductive medium may be, for example, conductive balls or conductive particles. According to the figure, in this example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion becomes conductive due to the conductive balls. An anisotropic conductive film may contain a plurality of particles in which the core of a conductive material is covered by an insulating film made of polymer. In this case, the area where heat and pressure are applied becomes conductive due to the core as the insulating film is destroyed. . At this time, the shape of the core can be modified to form layers that contact each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied entirely to the anisotropic conductive film, and an electrical connection in the Z-axis direction is partially formed due to a height difference between the objects adhered by the anisotropic conductive film.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, an anisotropic conductive film may contain a plurality of particles coated with a conductive material in an insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) in the area where heat and pressure are applied and becomes conductive in the direction of the thickness of the film. As another example, it is possible for the conductive material to penetrate the insulating base member in the Z-axis direction and be conductive in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the figure, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (fixed array ACF) in which a conductive ball is inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is made of an adhesive material, and the conductive balls are concentrated on the bottom of the insulating base member, and are deformed together with the conductive balls when heat and pressure are applied to the base member. It becomes conductive in the vertical direction.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and the anisotropic conductive film has a form in which conductive balls are randomly mixed into an insulating base member, or a form in which conductive balls are arranged in one layer (double-layer) consisting of a plurality of layers. ACF), etc. are all possible.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.Anisotropic conductive paste is a combination of paste and conductive balls, and can be a paste in which conductive balls are mixed with an insulating and adhesive base material. Additionally, solutions containing conductive particles may be solutions containing conductive particles or nano particles.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring to the drawing again, the
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After forming the conductive
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A, and 3B, the
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light-emitting
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. Additionally, the plurality of semiconductor
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.A light emitting device array may include a plurality of semiconductor light emitting devices having different luminance values. Each semiconductor
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Additionally, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, semiconductor light emitting devices grown on a transparent dielectric substrate can be used. Additionally, the semiconductor light emitting devices may be, for example, nitride semiconductor light emitting devices. Since the semiconductor
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the illustration, a
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Additionally, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, a reflective partition may be separately provided as the
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, at a position forming a red unit pixel, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can be implemented by combining the semiconductor
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. Additionally, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited to this, and other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 5A, each semiconductor
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device (W) in which a yellow phosphor layer is provided for each individual device. In this case, a
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a structure in which a
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Looking at this example again, the semiconductor
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.In addition, even if a square semiconductor
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.A display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured using a new type of manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.Figure 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. Referring to this figure, first, a conductive
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.Next, the
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in a wafer unit, it can be effectively used in a display device by having a gap and size that can form a display device.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Next, the wiring board and the
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Next, the
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Additionally, the step of forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method or structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. As an example, a vertical semiconductor light emitting device may also be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In addition, in the modified examples or embodiments described below, the same or similar reference numbers are assigned to the same or similar components as the previous example, and the description is replaced with the first description.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the invention, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line D-D of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual diagram showing the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. am.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) type vertical semiconductor light emitting device.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.The conductive
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.After placing the anisotropic conductive film with the
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is created because the anisotropic conductive film becomes partially conductive in the thickness direction when heat and pressure are applied. Therefore, the anisotropic conductive film is divided into a conductive portion 231 and a non-conductive portion 232 in the thickness direction.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.Additionally, because the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.In this way, the semiconductor
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.Between the vertical semiconductor light emitting devices, a plurality of
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Referring to FIG. 9, this vertical semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring again to FIG. 8, a
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, at a position forming a red unit pixel, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited to this, and as described above, in a display device using a flip chip type light emitting device, other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. Looking at this embodiment again, the
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. Since the distance between the semiconductor
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.Additionally, the
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the illustration, the
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used to place the
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the illustration, a
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Additionally, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, a reflective partition may be separately provided as the
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. Additionally, according to the illustration, a
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 플립 칩 타입이 적용된 경우에는 동일평면상에 제1 및 제2전극이 배치되므로 고정세(파인 피치)의 구현이 어려운 문제가 있다. 이하, 이러한 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 타입의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.When the flip chip type display device using the semiconductor light emitting device of the present invention described above is applied, there is a problem in that it is difficult to implement high definition (fine pitch) because the first and second electrodes are arranged on the same plane. Hereinafter, a display device using a flip chip type light emitting device according to another embodiment of the present invention that can solve this problem will be described.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.FIG. 10 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device of a new structure is applied, FIG. 11A is a cross-sectional view taken along line E-E of FIG. 10, and FIG. 11B is a FIG. It is a cross-sectional view taken along line F-F of 11, and FIG. 12 is a conceptual diagram showing the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 11A.
도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. According to the illustrations of FIGS. 10, 11A, and 11B, a
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.The
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.The
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.Between the semiconductor light emitting devices, a plurality of
도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.According to the illustration, the
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.By the structure described above, a plurality of semiconductor
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.In some cases, a transparent insulating layer (not shown) containing silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.As shown, the plurality of semiconductor
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.Furthermore, the
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.Meanwhile, in order to improve the contrast of the
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다. Again, looking at the semiconductor
도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.Referring to FIG. 12, for example, the semiconductor
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.More specifically, the first
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.More specifically, the first
이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다. In this case, the second conductive electrode is disposed on one side of the second
도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.Referring to FIG. 12 together with FIGS. 10 to 11B, one side of the second conductive semiconductor layer may be the side closest to the wiring board, and the other side of the second conductive semiconductor layer may be closest to the wiring board. It can be far away.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다. In addition, the first
상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.Using the height difference, the second
보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.More specifically, the semiconductor light emitting device extends from the second
상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.The structure provided with the
상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다. 이에, 본 발명에서는, 형광체의 충진공간이 보다 넓어질 수 있는 형광체층의 구조나 플렉서블이 가능한 종래와 다른 새로운 형태의 격벽 구조를 제시한다. 또한, 이 경우에, 상대적으로 녹색과 적색의 광량이 저하되는 문제를 해결할 수 있는 메커니즘에 대하여 함께 제시한다.According to the display device described above, light output from semiconductor light emitting devices is excited using a phosphor to implement red (R) and green (G) colors. In addition, the
이하, 본 발명의 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이다.Hereinafter, the structure of the display device of the present invention will be examined in detail with the attached drawings. FIG. 13 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention, FIG. 14 is a cross-sectional view taken along G-G of FIG. 13, and FIG. 15 is a cross-sectional view taken along H-H of FIG. 13. .
도 13, 도 14 및 도 15의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광소자에서 새로운 형광체층의 구조가 적용된 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다. 13, 14, and 15, the
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 기판(2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 제2전극(2040) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. 따라서, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(2030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 기판(2010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(2020)이 기판(2010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다. In this example described below, the same or similar reference numerals are assigned to components that are the same or similar to each component of the example previously described with reference to FIGS. 10 to 12, and the description is replaced with the first description. For example, the
상기 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
전술한 바와 같이, 디스플레이 장치(2000)는, 복수의 반도체 발광소자(2050)를 덮도록 배치되는 파장 변환층(20WL)을 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(2050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 파장 변환층(20WL)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키거나, 황색이나 백색의 색상으로 변환하는 기능을 수행한다. As described above, the
도시에 의하면, 상기 파장 변환층(20WL)은 빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체층들(2080)과, 상기 복수의 형광체층들(2080)의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들(2090)을 구비한다.According to the figure, the wavelength conversion layer 20WL includes a plurality of
복수의 형광체층들(2080)은 적색 형광체를 구비하는 적색 형광체층(2080a)와 녹색 형광체를 구비하는 녹색 형광체층(2080b)을 포함할 수 있다. 적색의 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(2051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체층(2080a)이 적층 될 수 있고, 녹색의 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(2051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체층(2080b)이 적층될 수 있다.The plurality of
한편, 적색 형광체층(2080a)와 녹색 형광체층(2080b)의 사이에는 하나의 격벽부(2090)가 배치된다. 이 경우에, 상기 복수의 격벽부들(2090) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩된다. 또한, 상기 복수의 격벽부들(2090) 중 적어도 하나는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향을 따라 빛을 투과하도록 이루어진다. 보다 구체적으로, 청색의 화소를 이루는 부분에서 청색 반도체 발광 소자(2051c) 상에는 하나의 격벽부(2091)가 배치되며, 상기 청색 반도체 발광 소자(2051c)에서 발광되는 빛을 색의 변환없이 외부로 투과한다.Meanwhile, a
이 경우에, 제1전극(2020)의 각 라인을 따라 형광체층이나 격벽부가 형성될 수 있다. 따라서, 제1전극(2020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 또한, 제2전극(2040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 퀀텀닷(QD)이 상기 형광체층에 충전되어, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.In this case, a phosphor layer or a partition may be formed along each line of the
한편 도시에 의하면, 컬러 필터(2CF)가 상기 파장 변환층(20WL)을 덮도록 배치된다. 보다 구체적으로, 접착층(20BL)에 의하여 상기 컬러 필터(20CF)와 상기 파장 변환층(20WL)이 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 접착층(20BL)이 상기 컬러 필터(20CF)와 상기 파장 변환층(20WL)의 사이에 배치됨에 따라, 상기 컬러 필터(20CF)가 상기 파장 변환층(20WL)에 부착될 수 있다.Meanwhile, according to the figure, the color filter 2CF is arranged to cover the wavelength conversion layer 20WL. More specifically, the color filter 20CF and the wavelength conversion layer 20WL may be combined by the adhesive layer 20BL. For example, as the adhesive layer 20BL is disposed between the color filter 20CF and the wavelength conversion layer 20WL, the color filter 20CF may be attached to the wavelength conversion layer 20WL. .
이 경우에, 상기 컬러 필터(20CF)는 빛을 선택적으로 투과하여 적색, 녹색 및 청색을 구현하도록 이루어진다. 컬러 필터(20CF)는 적색 파장, 녹색 파장 및 청색 파장을 필터링하는 복수의 필터링부들을 구비하며, 상기 복수의 필터링부들(20CF1, 20CF2, 20CF3)이 반복 배치되는 구조를 가질 수 있다. 이 때에, 적색 형광체층(2080a)와 녹색 형광체층(2080b)의 상측에는 적색 및 녹색을 필터링하는 적색 필터링부(20CF1) 및 녹색 필터링부(20CF2)가 각각 배치되고, 청색의 화소를 이루는 부분의 격벽부(2092)를 덮도록 청색 필터링부(20CF3)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 필터링부들(20CF1, 20CF2, 20CF3)의 사이에는 블랙 매트릭스(20BM1, 20BM2,20BM3)가 배치될 수 있다.In this case, the color filter 20CF is configured to selectively transmit light to implement red, green, and blue colors. The color filter 20CF includes a plurality of filtering units that filter red, green, and blue wavelengths, and may have a structure in which the plurality of filtering units 20CF1, 20CF2, and 20CF3 are repeatedly arranged. At this time, a red filtering unit 20CF1 and a green filtering unit 20CF2 for filtering red and green are disposed on the upper side of the
이 경우에, 형광체층(2080)과 격벽부(2090)는 컬러 필터(20CF)와 조합되어 적색, 녹색, 및 청색의 단위화소를 구현하게 된다. In this case, the
다른 예로서, 모든 형광체층에는 적색이나 녹색이 아니라, 황색 형광체가 충전되고, 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터(CF)가 상기 형광체층(2080)을 덮도록 배치될 수 있다. As another example, all phosphor layers may be filled with yellow phosphor, not red or green, and a color filter (CF) that repeats red, green, and blue may be arranged to cover the
한편, 상기 복수의 격벽부들(2090)은 제1격벽부(2091)와 제2격벽부(2092)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the plurality of
상기 제1격벽부(2091)는 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치된다. 따라서, 상기 복수의 형광체층들(2080) 중 적어도 일부는 상기 제1격벽부(2091)를 사이에 두고 배치된다. 이 경우에, 상기 적어도 일부의 형광체층들(2080)은 적색 형광체, 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1격벽부(2091)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체층(2080a)와 녹색 형광체층(2080b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되지 않는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제1격벽부(2091)의 하부에는 반도체 발광소자가 미배치된다.The
한편, 상기 제2격벽부(2092)는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮도록 이루어진다. 이 경우에, 상기 제2격벽부(2092)에 의하여 덮이는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는 청색 반도체 발광소자(2051c)를 포함한다. 즉, 상기 제2격벽부(2092)는 반복적으로 형성되는 적색 형광체층(2080a)과 녹색 형광체층(2080b)의 사이 공간 중에서 청색의 화소가 배치되는 부분에 위치하게 된다. 따라서, 제2격벽부(2092)의 하부에는 청색 반도체 발광소자(2051c)가 배치된다.Meanwhile, the second
상기에서 설명된 구조의 구현을 위하여, 또한, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소내에서는 상기 제1격벽부(2091)와 상기 제2격벽부(2092)가 각각 하나씩 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1격벽부(2091)와 상기 제2격벽부(2092)는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향과 수직한 방향을 따라 형성되는 폭(W)의 크기가 서로 다르도록 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1격벽부(2091)는 상기 제2격벽부(2092)보다 상기 폭의 크기가 작도록 이루어진다. 상기 제2격벽부(2092)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 크거나 같도록 이루어지며, 따라서 상기 제1격벽부(2091)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 작도록 형성될 수 있다. In order to implement the structure described above, in a unit pixel that emits red (R), green (G), and blue (B), the
이 경우에, 상기 제2격벽부(2092)의 폭은 아이솔레이션된 청색 반도체 발광소자(2051c)의 폭(양단의 거리)으로부터, 적색 화소에 해당하는 아이솔레이션된 청색 반도체 발광 소자(2051a)의 단부와 녹색 화소에 해당하는 아이솔레이션된 청색 반도체 발광소자(2051b)의 단부까지의 거리(이하)까지 될 수 있다. 또한, 상기 형광체층(2080)의 폭은 상기 반도체 발광소자(2050)의 폭보다 크도록 이루어질 수 있다. In this case, the width of the
도시에 의하면, 단위 화소내에 격벽부가 2개만이 존재하고, 상기 2개 중에서 하나(예를 들어, 제1격벽부)의 폭이 작아지므로, 상기 형광체층(2080)의 폭은 보다 증가할 수 있게 된다. 이와 같이, 상기 형광체층(2080)의 폭이 커지므로 기존보다 형광체층의 충전 공간이 보다 확보될 수 있으며, 따라서 충전되는 형광체의 양이 보다 증가될 수 있다. According to the illustration, there are only two partition walls in a unit pixel, and the width of one of the two (for example, the first partition wall part) is reduced, so that the width of the
도 14 및 도 15를 참조하여, 상기 격벽부들(2090)의 구조에 대하여 보다 상세히 설명하면, 상기 복수의 격벽부들(2090) 중 적어도 하나는, 가장자리에 형성되는 하나 또는 하나 이상의 금속 박막들(2093)을 구비하며, 상기 금속 박막들(2093)의 사이 공간에는 광투과성 물질(2094)이 채워지도록 형성된다.Referring to FIGS. 14 and 15 , if the structure of the
상기 광투과성 물질(2094)은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 예를 들어 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다. 이러한 재질들은 고온에서 견고해지는 성질이 없기에 플렉서블 디스플레이에 적용되는 격벽부의 재질로서 적합하다.The light-transmitting
예를 들어, 상기 금속 박막들(2093)은 빛이 반사되도록 상기 형광체층(2080)의 측면을 덮도록 이루어진다. For example, the metal
상기 금속 박막들(2093)은 격벽부들(2090)의 일측 가장자리에 배치되는 제1금속박막(2093a)과, 타측 가장자리에 배치되는 제2금속박막(2093b)을 구비할 수 있다. 상기 제1금속박막(2093a) 및 제2금속박막(2093b)은 각각, 50 내지 1000 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1금속박막(2093a) 및 제2금속박막(2093b)은 각각, 100 내지 200 나노미터로 이루어질 수 있다.The metal
상기 금속 박막들(2093)은 상기 격벽부의 상하단에는 존재하지 않게 된다. 즉, 상기 제1금속박막(2093a)과 제2금속박막(2093b)은 상기 격벽부의 폭방향을 따라 서로 분리되도록 이루어진다. 이러한 구조를 통하여 광투과성 재질을 투과하는 빛이 상기 격벽부의 상단에서 외부로 출력될 수 있게 된다.The metal
상기 제1금속박막(2093a)과 제2금속박막(2093b)은 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성되어 빛을 반사하며, 이를 통하여 형광체층들의 사이에서 혼색을 방지하게 된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 금속 박막은 TiOx, CrOx 등의 산화박막으로 대체되거나, 분산 브레그 반사경(DBR)의 구조가 적용될 수 있다.The first metal
상기 금속 박막들(2093)은 도시된 바와 같이, 단일 금속 박막으로 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 금속 박막들(2093)은 다층 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 금속 박막(2093)과 상기 광투과성 물질의 사이에는 절연막이 형성될 수 있다. 상기 절연막은 불투광성 재질로 형성되며, 이러한 예로서 SiO2, SiNx 등이 이용될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 절연막은 블랙 매트릭스가 될 수 있다. 이 경우에, 상기 블랙 매트릭스는 대비비(contrast) 향상을 가져오는 추가적인 효과를 발휘할 수 있다.As shown, the metal
한편, 본 도면들을 참조하면, 상기 컬러 필터(20CF)와 상기 파장 변환층(20WL)의 사이에 배치되는 상기 접착층(20BL)이 상기 금속 박막들(2093)의 사이 공간의 적어도 일부를 채우도록 형성될 수 있다. 이러한 구조의 구현을 위하여, 격벽부 내의 광투과성 물질(2094)의 높이가 조절되며, 이를 통하여 파장 변환층(20WL)과 컬러 필터(20CF)의 접착력이 보완될 수 있다. Meanwhile, referring to the drawings, the adhesive layer 20BL disposed between the color filter 20CF and the wavelength conversion layer 20WL is formed to fill at least a portion of the space between the metal
보다 구체적으로, 상기 광투과성 물질(2094)은 상기 금속 박막들(2093)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 여기서 높이는 반도체 발광소자나 전도성 접착층로부터의 거리로 정의될 수 있다. 상기 광투과성 물질(2094)이 상기 금속 박막들(2093)보다 낮은 높이이므로, 금속 박막들(2093)의 사이 공간에는 상기 광투과성 물질(2094)이 미배치되는 부분이 형성되며, 상기 미배치되는 부분에 상기 접착층(20BL)의 접착성 물질이 충전된다. 이와 같은 구조에 의하면 상기 접착성 물질이 상기 금속 박막들(2093)의 사이 공간 중 적어도 일부를 채우게 되며, 따라서 접착공간이 증대되어 파장 변환층(20WL)과 컬러 필터(20CF)의 접착력이 보완될 수 있다. More specifically, the light-
한편, 본 예시의 컬러 필터(20CF)는, 상기 복수의 필터링부들(20CF1, 20CF2, 20CF3) 중 적어도 하나가 다른 필터링부와 폭이 다르도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층(2080)의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되며, 상기 복수의 필터링부들(20CF1, 20CF2, 20CF3) 중 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 격벽부에 해당하는 필터링부(20CF3)는 다른 필터링부(20CF1, 20CF2)와 폭이 다르도록 이루어진다.Meanwhile, in the color filter 20CF of this example, at least one of the plurality of filtering units 20CF1, 20CF2, and 20CF3 may be formed to have a different width from the other filtering units. For example, at least one of the plurality of partition walls overlaps with at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices along the thickness direction of the
보다 구체적으로, 녹색과 적색의 형광체의 충전공간을 보다 확보함에 연동하여, 녹색과 적색의 필터링부(20CF1, 20CF2) 중 적어도 하나의 폭을 청색 필터링부(20CF3)의 폭과 다르도록 하여, 비대칭의 컬러 필터를 형성한다. 이 경우에, 상기 청색 반도체 발광소자를 덮는 제2격벽부(2092)와 청색 필터링부(20CF3)가 오버랩되며, 상기 청색 필터링부(20CF3)의 폭(W)이 녹색과 적색의 필터링부(20CF1, 20CF2)의 폭보다 좁도록 이루어질 수 있다. 이러한 예로서, 상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부(20CF1, 20CF2)의 폭은 상기 청색 필터링부(20CF3)보다 5 내지 50 % 로 커질 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 상기 청색 필터링부(20CF3)의 폭(W)에 대비 상기 녹색 필터링부(20CF1) 및 적색 필터링부(20CF2)의 폭은 5% 이상이 될 수 있다. 청색 반도체 발광소자를 광원으로 이용하는 경우에, 청색의 픽셀은 화이트 밸런스를 맞추기에 광속이 크며, 시감각상 적색 및 녹색의 휘도 개선이 필요한 문제가 있다. 본 예시에서는 컬러 필터에서 청색 필터링부(20CF3)의 폭(W) 대비 상기 녹색 필터링부(20CF1) 및 적색 필터링부(20CF2)의 폭을 5% 이상 크게하여 이러한 문제를 해결한다.More specifically, in conjunction with securing more filling space for the green and red phosphors, the width of at least one of the green and red filtering units (20CF1 and 20CF2) is set to be different from the width of the blue filtering unit (20CF3), resulting in asymmetric forms a color filter. In this case, the second
한편, 상기 복수의 필터링부들(20CF1, 20CF2, 20CF3)의 사이의 블랙 매트릭스들(20BM1, 20BM2, 20BM3)은 상기 격벽부를 기준으로 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. Meanwhile, the black matrices 20BM1, 20BM2, and 20BM3 between the plurality of filtering units 20CF1, 20CF2, and 20CF3 may be arranged at different positions with respect to the partition wall.
이러한 예로서, 상기 녹색 필터링부(20CF1) 및 적색 필터링부(20CF2)의 사이에 배치되는 제1블랙 매트릭스(20BM1)는 상기 제1격벽부(2091)와 동일선상에 얼라인된다. 보다 구체적으로, 상기 제1블랙 매트릭스(20BM1)의 수직 중심선은 상기 제1격벽부(2091)의 수직 중심선 상에 위치할 수 있다. In this example, the first black matrix 20BM1 disposed between the green filtering unit 20CF1 and the red filtering unit 20CF2 is aligned on the same line as the first
또한, 상기 청색 필터링부(20CF3)의 양측에 배치되는 제2 및 제3 블랙 매트릭스(20BM2, 20BM3)는 각각 상기 제2격벽부(2092)와 오버랩되는 부분이 미오버랩되는 부분보다 더 크도록 형성된다. 예를 들어, 제2 및 제3 블랙 매트릭스(20BM2, 20BM3)는 상기 제2격벽부(2092)의 일측 가장자리를 기준으로 상기 청색 필터링부(20CF3)에 가까운 부분이 보다 크도록 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 및 제3 블랙 매트릭스(20BM2, 20BM3)는 상기 금속 박막(2093)을 기준으로 청섹 픽셀 방향으로 50% 이상이 길도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 및 제3 블랙 매트릭스(20BM2, 20BM3)에서 금속 박막을 기준으로 청색 필터링부에 가까운 부분의 폭(PW)은 상기 제2 및 제3 블랙 매트릭스(20BM2, 20BM3)의 폭(TW)의 50% 이상이 될 수 있다.In addition, the second and third black matrices 20BM2 and 20BM3 disposed on both sides of the blue filtering unit 20CF3 are formed so that the overlapping portion with the second
상기에서 설명된 구조에 의하면, 컬러 필터가 하부 격벽부 구조에 맞도록 각 픽셀의 개구가 조절되며, 이를 통하여 적색 및 녹색의 휘도가 향상되고 청색의 색 누수가 감소되어 색순도가 향상될 수 있다.According to the structure described above, the aperture of each pixel is adjusted so that the color filter fits the lower partition structure, and through this, red and green luminance is improved and blue color leakage is reduced, thereby improving color purity.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The display device using the semiconductor light emitting device described above is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, and the embodiments may be configured by selectively combining all or part of each embodiment so that various modifications can be made. It may be possible.
Claims (8)
상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들;
빛의 파장을 변환하는 복수의 형광체층들과, 상기 복수의 형광체층들의 사이에 형성되는 복수의 격벽부들을 구비하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되는 파장 변환층; 및
청색, 녹색 및 적색을 필터링하는 복수의 필터링부들과 상기 복수의 필터링부들 사이에 배치된 블랙 매트릭스를 구비하며, 상기 파장 변환층을 덮도록 배치되는 컬러 필터를 포함하며,
상기 복수의 격벽부들은, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이를 덮도록 배치되는 제1격벽부와, 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나를 덮는 제2격벽부를 구비하며,
상기 복수의 필터링부들은 청색 필터링부, 녹색 필터링부 및 적색 필터링부를 구비하고,
상기 청색 필터링부는 상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부 중 적어도 하나와 폭이 다르도록 이루어지고, 상기 제2격벽부와 중첩되고,
상기 블랙 매트릭스는 상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부의 사이에 배치되는 상기 제1격벽부와 동일선상에 얼라인되는 제1 블랙 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.A substrate on which wiring electrodes are formed;
a plurality of semiconductor light emitting devices electrically connected to the wiring electrode;
A wavelength conversion layer comprising a plurality of phosphor layers that convert the wavelength of light and a plurality of partitions formed between the plurality of phosphor layers, and arranged to cover the plurality of semiconductor light emitting devices; and
It has a plurality of filtering units for filtering blue, green, and red colors and a black matrix disposed between the plurality of filtering units, and includes a color filter arranged to cover the wavelength conversion layer,
The plurality of partition walls includes a first partition wall part disposed to cover between the plurality of semiconductor light emitting devices, and a second partition wall part covering at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices,
The plurality of filtering units include a blue filtering unit, a green filtering unit, and a red filtering unit,
The blue filtering part has a different width from at least one of the green filtering part and the red filtering part, and overlaps the second partition wall part,
The black matrix is a display device characterized in that it includes a first black matrix aligned on the same line as the first partition disposed between the green filtering unit and the red filtering unit.
상기 복수의 격벽부들 중 적어도 하나는 상기 형광체층의 두께 방향을 따라 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되며,
상기 복수의 필터링부들 중 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나와 중첩되는 격벽부에 해당하는 필터링부는 다른 필터링부와 폭이 다른 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
At least one of the plurality of partition walls overlaps with at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices along the thickness direction of the phosphor layer,
A display device, wherein among the plurality of filtering parts, the filtering part corresponding to the partition wall overlapping at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices has a different width from the other filtering parts.
상기 녹색 필터링부 및 적색 필터링부의 폭은 상기 청색 필터링부보다 5 내지 50 % 로 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to paragraph 2,
A display device wherein the width of the green filtering unit and the red filtering unit is 5 to 50% larger than that of the blue filtering unit.
상기 청색 필터링부의 양측에 배치되는 제2 및 제3 블랙 매트릭스는 각각 상기 제2격벽부와 오버랩되는 부분이 미오버랩되는 부분보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
A display device, wherein the second and third black matrices disposed on both sides of the blue filtering unit are formed such that a portion that overlaps the second partition is larger than a portion that does not overlap.
상기 제2격벽부에 의하여 덮이는 상기 복수의 반도체 발광소자들 중 적어도 하나는 청색 반도체 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
A display device, wherein at least one of the plurality of semiconductor light emitting devices covered by the second barrier rib portion includes a blue semiconductor light emitting device.
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