KR102327644B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102327644B1
KR102327644B1 KR1020140156114A KR20140156114A KR102327644B1 KR 102327644 B1 KR102327644 B1 KR 102327644B1 KR 1020140156114 A KR1020140156114 A KR 1020140156114A KR 20140156114 A KR20140156114 A KR 20140156114A KR 102327644 B1 KR102327644 B1 KR 102327644B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
process chamber
gas
process gas
sidewall
Prior art date
Application number
KR1020140156114A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160056124A (ko
Inventor
배근희
김명철
김도형
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020140156114A priority Critical patent/KR102327644B1/ko
Publication of KR20160056124A publication Critical patent/KR20160056124A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102327644B1 publication Critical patent/KR102327644B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는 측벽 및 상기 측벽을 커버하는 덮개를 가지며 기판상에 반도체 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버, 공정 챔버의 측벽에 설치되며 공정 챔버 내로 제1 방향으로 제1 공정 가스를 분사하기 위한 제1 노즐, 공정 챔버의 측벽에 제1 노즐과 인접하게 설치되며 공정 챔버 내로 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제2 공정 가스를 분사하기 위한 제2 노즐, 및 제1 노즐 및 제2 노즐로부터 분사되는 제1 및 제2 공정 가스들의 유량을 제어하기 위한 제어부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 더 자세하게 본 발명은, 공정 챔버 내의 웨이퍼 상에 공정 가스를 분사하기 위한 노즐을 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서는 피쳐 크기(feature size)가 작아짐에 따라 공정 난이도가 증가할 수 있다. 특히, 트랜지스터의 게이트 패턴 폭이 작아지면 소스와 드레인간의 누설 전류도 증가할 수 있다. 누설 전류의 증가는 과다한 전력 소모를 야기하고 트랜지스터의 성능을 떨어뜨리므로, 최근에는 FinFET 트랜지스터가 많이 사용되고 있다.
FinFET 트랜지스터의 경우, 게이트 프로파일이 트랜지스터의 성능에 직접적인 영향을 줄 수 있다. 따라서, 원하는 성능의 트랜지스터를 구현하기 위해서는 게이트 프로파일을 정밀하게 제어할 수 있어야 한다.
게이트 프로파일을 제어하기 위해서는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)의 온도를 조절하는 방법이 사용될 수 있다. 그러나, 정전척의 온도는 가변 범위가 한정적이고, 너무 낮은 온도에서는 정전척이 파손될 수 있다는 문제점이 있다. 또한, FinFET 트랜지스터와 같이 게이트가 3D 구조로 형성되는 경우에는 기존의 방법으로 게이트 프로파일을 제어하는데 한계가 있다.
본 발명의 일 과제는 기판에 공급되는 공정 가스의 방향을 제어할 수 있는 반도체 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 기판에 공급되는 공정 가스의 방향을 제어하여 반도체 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 기판 처리 장치는 측벽 및 상기 측벽을 커버하는 덮개를 가지며 기판상에 반도체 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 상기 측벽에 설치되며 상기 공정 챔버 내로 제1 방향으로 제1 공정 가스를 분사하기 위한 제1 노즐, 상기 공정 챔버의 상기 측벽에 상기 제1 노즐과 인접하게 설치되며 상기 공정 챔버 내로 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제2 공정 가스를 분사하기 위한 제2 노즐, 및 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제1 및 제2 공정 가스들의 유량을 제어하기 위한 제어부를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 측벽의 내부면을 따라 다수개가 서로 이격 설치되고, 상기 제2 노즐은 상기 측벽의 내부면을 따라 다수개가 서로 이격 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐들은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 제1 높이에 설치되고, 상기 제2 노즐들은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 상기 측벽에서 수직 방향으로 서로 이격될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 상기 측벽에서 수평 방향으로 서로 이격될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 공정 챔버의 수평 방향으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도로 상기 제1 공정 가스를 분사하고, 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 수평 방향으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 공정 가스의 제1 유량은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 공정 가스의 제2 유량과 같거나 다를 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 공정 가스들은 식각 가스일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제어부는 가스 공급부로부터 공정 가스를 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로 분배하기 위한 가스 분배기를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버의 상기 덮개에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부로 제3 공정 가스를 분사하기 위한 적어도 하나의 상부 노즐을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는, 반도체 기판에 분사되는 공정 가스의 방향을 조절함으로써 식각 프로파일을 제어할 수 있다. 특히, 반도체 기판 가장자리 부분의 프로파일을 보다 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 반도체 기판의 중심부와 가장자리 부분 간의 공정 산포를 줄일 수 있고, 반도체의 성능도 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 6은 유량에 따른 공정 가스의 분사 방향을 나타내는 도면들이다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8 내지 도 14는 도 7의 기판 처리 방법을 사용하여 게이트 구조물을 형성하는 과정을 나타내는 도면들이다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 15의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 제1 노즐(200), 제2 노즐(300), 상부 노즐(400), 제어부(500), 및 가스 공급부들(600, 610)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 측벽(110) 및 측벽(110)을 커버하는 덮개(120)를 포함하며, 반도체 기판(10)상에 반도체 공정을 수행하기 위한 밀폐된 공간(S)을 제공할 수 있다. 예를 들면, 상기 공정 챔버의 저면은 XY 평면과 평행하고, 측벽(110)은 상기 XY 평면에 수직한 Z 방향으로 연장할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)은 원판 형상을 가지고, 공정 챔버(100)는 원통형 형상일 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 기판은 웨이퍼를 포함할 수 있고, 상기 반도체 공정은 식각 공정, 증착 공정, 및 세정 공정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 다르게, 반도체 기판(10)은 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display) 등의 평판 표시 장치(Flat Panel Display, FPD)를 포함할 수 있고, 공정 챔버(100)는 직육면체 형상일 수 있다.
공정 챔버(100)의 덮개(120)는 측벽(110)으로부터 분리될 수 있다. 따라서, 공정 챔버(100)는 측벽(110)과 덮개(120) 사이의 기밀을 유지하기 위한 오링(도시되지 않음) 및 상기 반도체 공정이 진행되는 과정에서 상기 오링의 열변형을 막기 위한 냉각 부재(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 공정 챔버(100) 내부로 반도체 기판(10)을 반입하기 위한 반입부(140), 상기 반도체 공정 동안 반도체 기판(10)이 놓여지는 기판 지지부(130), 및 공정 챔버(100) 내부의 미반응 가스 등을 외부로 배출시키기 위한 배기부(150)를 더 포함할 수 있다.
반입부(140)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 형성될 수 있고, 공정 챔버(100) 내부로 반도체 기판(10)을 반입하거나 또는 공정 챔버(100) 외부로 반도체 기판(10)을 반출할 수 있다. 반도체 기판(10)은 로봇 암 등의 이송 장치(도시되지 않음)에 의해 반입부(140)를 통해 공정 챔버(100) 내부로 제공될 수 있다.
기판 지지부(130)는 상기 반도체 공정이 수행되는 동안 반도체 기판(10)을 지지하고 고정할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 지지부는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있다. 상기 정전척은 정전기력을 이용하여 반도체 기판(10)을 고정시킬 수 있다.
기판 지지부(130)는 기판 지지부(130)를 승강시키거나 하강시키기 위한 구동부(132)를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 구동부는 상기 기판 지지부를 하강시켜 상기 공정 챔버의 저면으로부터 상기 반입부보다 더 낮은 높이에 위치하도록 할 수 있다. 이 때, 반도체 기판(10)은 반입부(140)를 통해 공정 챔버(100) 내부로 반입되거나 또는 외부로 반출될 수 있다.
이와 다르게, 구동부(132)는 기판 지지부(130)를 승강시키거나 하강시킴으로써 반도체 기판(10)과 후술하는 노즐들(200, 300, 400) 간의 거리를 제어할 수도 있다.
배기부(150)는 공정 챔버(100)의 측벽(110) 또는 저면에 형성될 수 있고, 상기 반도체 공정에서 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스 등을 외부로 배출시킬 수 있다. 배기부(150)는 드레인 펌프(도시되지 않음)와 연결될 수 있다.
제1 노즐(200)은 공정 챔버(100)의 측벽에 설치되며, 공정 챔버(100) 내로 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 제1 노즐(200)과 인접하게 설치되며, 공정 챔버(100) 내부로 제2 공정 가스를 분사할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 노즐은 상기 공정 챔버의 수평 방향인 XY 평면으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도(θ1)로 제1 공정 가스를 분사할 수 있고, 상기 제2 노즐은 상기 XY 평면으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도(θ2)로 제2 공정 가스를 분사할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 다수개의 제1 노즐들(200)은 측벽(110)의 내부면을 따라 서로 이격 설치될 수 있다. 제1 노즐들(200a, 200b)은 측벽(110)의 내부면 상에 반도체 기판(10)을 향하도록 설치될 수 있다. 제1 노즐들(200a, 200b)로부터 분사된 상기 제1 공정 가스는 반도체 기판(10) 상으로 공급될 수 있다. 이 경우에 있어서, 제1 노즐(200)은 필요에 따라 다양한 개수로 설치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만 다수개의 제2 노즐들(300)은 제1 노즐들(200)에 대응하여 측벽(110)의 내부면을 따라 서로 이격 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 수직 방향으로 서로 이격되도록 설치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 노즐은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 수직한 방향(Z축 방향)으로 제1 높이(H1)에 설치되고, 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 수직한 방향(Z축 방향)으로 제2 높이(H2)에 설치될 수 있다. 이 경우에 있어서, 제2 높이(H2)는 제1 높이(H1)보다 낮을 수 있다.
상부 노즐(400)은 공정 챔버(100)의 덮개(120)에 설치되며, 공정 챔버(100) 내부로 제3 공정 가스를 분사할 수 있다. 상부 노즐(400)에서 분사된 제3 공정 가스는 기판 지지부(130) 상의 기판(10)에 공급될 수 있다.
가스 공급부들(600, 610)은 노즐들(200, 300, 400)로 공정 가스들을 공급할 수 있다. 제1 가스 공급부(600)는 제1 가스 라인(602)을 통해 제1 노즐(200)로 제1 공정 가스를 공급할 수 있고, 제2 가스 라인(604)을 통해 제2 노즐(300)로 제2 공정 가스를 공급할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스는 서로 같은 공정 가스를 포함할 수 있고, 이와 다르게 서로 다른 공정 가스를 포함할 수도 있다.
제2 가스 공급부(610)는 제3 가스 라인(612)을 통해 상부 노즐(400)로 제3 공정 가스를 공급할 수 있다. 이와 다르게, 제1 및 제2 노즐들(200, 300)과 상부 노즐(400)은 하나의 가스 공급부로부터 동일한 공정 가스를 공급받을 수도 있다. 제1 및 제2 가스 공급부들(600, 610)은 다수개의 가스 공급부들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서 제1 가스 공급부(600)는 제1 및 제2 노즐들(200, 300)로 식각 가스를 공급할 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 가스는 불산가스(HF)일 수 있다. 이와 다르게, 제1 가스 공급부(600)는 제1 및 제2 노즐들(200, 300)로 증착 가스 또는 세정 가스를 공급할 수 있다.
제어부(500)는 제1 가스 공급부(600)로부터 공정 가스를 공급받아 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)로 공급되는 유량을 제어할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제어부(500)는 제1 및 제2 가스 라인들(602, 604)에 각각 설치된 제1 및 제2 제어 밸브들(510, 512)을 포함할 수 있다. 제1 제어 밸브(510)는 제1 가스 공급부(600)와 제1 노즐(200)을 연결하는 제1 가스라인(602)에 설치될 수 있고, 제2 제어 밸브(512)는 제1 가스 공급부(600)와 제2 노즐(300)을 연결하는 제2 가스라인(604)에 설치될 수 있다. 제1 및 제2 제어 밸브들(510, 512)은 각각 제1 및 제2 가스라인들(602, 604)을 개폐하여 제1 및 제2 노즐들(200, 300)로 상기 공정 가스가 공급되는 것을 제어할 수 있다.
제어부(500)는 제1 가스 공급부(600)로부터 공정 가스를 공급받아 제1 및 제2 노즐들(200, 300)로 분배하는 가스 분배기(520)를 더 포함할 수 있다. 분배된 상기 공정 가스들은 제1 및 제2 가스 라인들(602, 604)을 통해 각각 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)로 공급될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 유량에 따른 공정 가스의 분사 방향을 나타내는 도면들이다.
먼저 도 3을 참조하면, 제어부(500)는 제1 가스 공급부(600)로부터 공정 가스를 공급 받아 제1 가스 라인(602) 및 제2 가스 라인(604)으로 분배되는 유량을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어부(500)는 제1 가스 라인(602)으로만 유량을 분배함으로써, 제1 가스 라인(602)으로는 제1 공정 가스를 공급하고 제2 가스 라인(604)으로는 제2 공정 가스가 공급되지 않도록 제어할 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐(200)만 상기 제1 공정 가스를 공정 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다.
제1 노즐(200)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도(θ1)로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제1 노즐들(200a, 200b)은 동일한 방향으로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 제2 노즐(300)로부터는 분사되는 공정 가스가 없기 때문에, 공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 제1 노즐(200)로부터 분사되는 상기 제1 공정 가스의 방향(F1)과 동일할 수 있다.
도 4를 참조하면, 제어부(500)는 제2 가스 라인(604)으로만 유량을 분배함으로써, 제1 가스 라인(602)으로는 제1 공정 가스가 공급되지 않고 제2 가스 라인(604)으로는 제2 공정 가스가 공급되도록 제어할 수 있다. 이에 따라, 제2 노즐(300)만 상기 제2 공정 가스를 공정 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다.
제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도(θ2)로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제2 노즐들(300a, 300b)은 동일한 방향으로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 제1 노즐(200)로부터는 분사되는 공정 가스가 없기 때문에, 공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 제2 노즐(300)로부터 분사되는 상기 제2 공정 가스의 방향(F2)과 동일할 수 있다.
도 5를 참조하면, 제어부(500)는 제1 가스 라인(602)으로 공급되는 제1 공정 가스 및 제2 가스 라인(604)으로 공급되는 제2 공정 가스의 유량을 동일하게 분배할 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 동일한 유량으로 각각 공정 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다.
제1 노즐(200)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 양의 값을 갖는 제3 분사 각도(θ3)로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제1 노즐들(200a, 200b)은 동일한 방향으로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 음의 값을 갖는 제3 분사 각도(θ3)로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제2 노즐들(300a, 300b)은 동일한 방향으로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다.
제1 노즐(200)로부터는 분사되는 제1 공정 가스와 제2 노즐(300)로부터 분사되는 제2 공정 가스는 유량은 같고 방향은 상기 XY 평면에 대하여 대칭일 수 있다. 따라서, 공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 공정 챔버(100)의 저면과 수평한 방향(F3)일 수 있다.
도 6을 참조하면, 제어부(500)는 제1 가스 라인(602)으로 공급되는 제1 공정 가스 및 제2 가스 라인(604)으로 공급되는 제2 공정 가스의 유량을 서로 다르게 분배할 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 서로 다른 유량으로 각각 공정 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 노즐에서 분사되는 상기 제1 공정 가스의 유량(V1)이 상기 제2 노즐에서 분사되는 상기 제2 공정 가스의 유량(V2)보다 적을 수 있다.
제1 노즐(200)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도(θ1)로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제1 노즐들(200a, 200b)은 동일한 방향으로 상기 제1 공정 가스를 분사할 수 있다. 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도(θ2)로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 측벽(110)의 내부면을 따라 이격 설치된 다수개의 제2 노즐들(300a, 300b)은 동일한 방향으로 상기 제2 공정 가스를 분사할 수 있다.
제1 노즐(200)로부터는 분사되는 제1 공정 가스와 제2 노즐(300)로부터 분사되는 제2 공정 가스는 유량과 분사 방향이 서로 다를 수 있다. 따라서, 공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스들의 유량 및 분사 방향의 조합에 따라 결정된 방향(F4)일 수 있다.
상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 서로 인접하게 설치된 복수개의 노즐들(200, 300)로부터 분사되는 공정 가스의 유량을 제어할 수 있다. 상기 복수개의 노즐들(200, 300)은 각각 서로 다른 방향으로 상기 공정 가스를 분사할 수 있다. 따라서, 반도체 기판(10)으로 분사되는 상기 공정 가스들의 평균적인 방향은 상기 복수개의 노즐들(200, 300)로부터 분사되는 상기 공정 가스의 유량 및 분사 방향의 조합에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
이를 통하여, 식각 공정을 수행할 때 반도체 기판(10)에 분사되는 식각 가스의 방향을 조절함으로써 식각 프로파일을 제어할 수 있다. 특히, 반도체 기판(10) 가장자리 부분의 프로파일을 보다 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 반도체 기판(10)의 중심부와 가장자리 부분 간의 공정 산포를 줄일 수 있고, 반도체의 성능도 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 도 8 내지 도 14는 도 7의 기판 처리 방법을 사용하여 게이트 구조물을 형성하는 방법을 나타내는 도면들이다. 이 때, 도 9는 도 8의 A-A'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 10은 도 8의 C-C'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 12는 도 11의 A-A'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 13은 도 11의 B-B'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 14는 도 11의 C-C'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 공정 챔버(100) 내에 반도체 기판(10)을 로딩한다(S100).
기판 이송 장치(도시되지 않음)는 반입부(140)를 통해 반도체 기판(10)을 공정 챔버(100) 내부로 이송하고, 기판 지지부(130) 상에 안착시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 기판은 FinFET 구조를 가질 수 있다.
공정 챔버(100)의 측벽(110)에는 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)이 서로 인접하게 설치될 수 있다. 제1 노즐(200)은 공정 챔버(100) 내로 제1 방향으로 제1 공정 가스를 분사할 수 있고, 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100) 내로 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 공정 가스들은 식각 가스일 수 있다.
반도체 기판(10)에 공정 가스를 분사한다(S110).
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공정 가스를 분사하는 단계는 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)로 공정 가스를 분배하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제어부(500)의 가스 분배기(520)는 제1 가스 공급부(600)로부터 공정 가스를 공급받아 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)로 공급되는 유량을 제어할 수 있다. 분배된 상기 공정 가스들은 제1 및 제2 가스 라인들(602, 604)을 통해 각각 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)로 공급될 수 있다.
제1 노즐(200)은 공정 챔버(100) 내부로 제1 공정 가스를 분사할 수 있고, 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100) 내부로 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스는 서로 다른 방향으로 분사될 수 있고, 서로 다른 유량으로 분사될 수 있다. 따라서, 공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스들의 유량 및 분사 방향의 조합에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공정 가스를 분사하는 단계는 반도체 기판(10)에 식각 가스를 분사하여 게이트 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 기판(10) 상부를 부분적으로 식각하여 트렌치(20)를 형성하고, 트렌치(20) 하부를 채우는 소자 분리막 패턴(30)을 형성한다.
기판(10)은 예를 들어, 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 실리콘-게르마늄 기판, 실리콘 온 인슐레이터(Silicon-On-Insulator: SOI) 기판, 게르마늄 온 인슐레이터(Germanium-On-Insulator: GOI) 기판 등일 수 있다. 기판(10)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 영역(I)은 엔모스(Negative channel Metal Oxide Semiconductor: NMOS) 트랜지스터가 형성되는 NMOS 영역일 수 있고, 제2 영역(II)은 피모스(Positive channel Metal Oxide Semiconductor: PMOS) 트랜지스터가 형성되는 PMOS 영역일 수 있다. 도 8에는 예시적으로, 기판(10) 상면에 평행한 제3 방향을 따라 제1 및 제2 영역들(I, II)이 교대로 반복적으로 배치된 것이 도시되어 있지만, 제1 및 제2 영역들(I, II)은 상기 배치에 한정되지 않으며, 이와 다른 다양한 배치를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 소자 분리막 패턴(30)은 트렌치(20)를 충분히 채우는 소자 분리막을 기판(10) 상에 형성하고, 기판(10) 상면이 노출될 때까지 상기 소자 분리막을 평탄화한 후, 트렌치(20) 상부가 노출되도록 상기 소자 분리막 상부를 제거함으로써 형성될 수 있다. 상기 소자 분리막은, 예를 들어, 실리콘 산화물과 같은 산화물을 포함하도록 형성될 수 있다.
소자 분리막 패턴(30)이 형성됨에 따라, 기판(10)에는 상면이 소자 분리막 패턴(30)에 의해 커버된 필드 영역 및 상면이 소자 분리막 패턴(30)에 의해 커버되지 않으며 소자 분리막 패턴(30)으로부터 상부로 돌출된 액티브 영역이 정의될 수 있다. 이때, 상기 액티브 영역은 상부로 돌출된 핀(fin) 형상을 가지므로, 액티브 핀(active fin)으로 불릴 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브 영역은 상기 제3 방향 및 이에 실질적으로 수직하며 기판(10) 상면에 평행한 제4 방향을 따라 각각 복수 개로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 각각에는 복수 개의 액티브 영역들이 형성될 수 있다. 이하에서는, 제1 영역(I)에 형성된 상기 액티브 영역들은 제1 액티브 영역들(12)로, 제2 영역(II)에 형성된 상기 액티브 영역들은 제2 액티브 영역들(14)로 부르기로 한다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 기판(10) 및 소자 분리막 패턴(30) 상에 제1 게이트 구조물을 형성한다.
상기 제1 게이트 구조물은 기판(10)의 제1 및 제2 액티브 영역들(12, 14) 및 소자 분리막 패턴(30) 상에 게이트 절연막, 더미 게이트 전극막 및 게이트 마스크막을 순차적으로 형성하고, 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 사용하는 사진 식각 공정을 통해 상기 게이트 마스크막을 패터닝하여 게이트 마스크(60)를 형성한 후, 이를 식각 마스크로 사용하여 상기 더미 게이트 전극막 및 상기 게이트 절연막을 순차적으로 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 기판 처리 방법을 사용하여 상기 패터닝을 위하여 분사되는 식각 가스들의 방향을 정밀하게 제어할 수 있고, 상기 제1 게이트 구조물의 프로파일을 정밀하게 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 게이트 구조물은 기판(10) 및 소자 분리막 패턴(30) 상에 순차적으로 적층된 게이트 절연막 패턴(40), 더미 게이트 전극(50) 및 게이트 마스크(60)를 포함하도록 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막은 예를 들어, 실리콘 산화물과 같은 산화물을 포함하도록 형성될 수 있고, 상기 더미 게이트 전극막은 예를 들어, 폴리실리콘을 포함하도록 형성될 수 있으며, 상기 게이트 마스크막은 예를 들어, 실리콘 질화물과 같은 질화물을 포함하도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 게이트 구조물은 기판(10)의 제1 및 제2 액티브 영역들(12, 14) 및 소자 분리막 패턴(30) 상에 상기 제3 방향으로 연장되도록 형성될 수 있으며, 상기 제4 방향을 따라 복수 개로 형성될 수 있다. 이때, 각 제1 및 제2 액티브 영역들(12, 14)에는 하나의 상기 제1 게이트 구조물이 형성될 수 있다.
이와는 달리, 상기 제1 게이트 구조물은 소자 분리막 패턴(30) 상에는 형성되지 않고, 기판(10)의 제1 및 제2 액티브 영역들(12, 14)에만 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 복수개의 노즐들로부터 분사되는 공정 가스의 유량 및 방향을 제어할 수 있다. 이를 통하여, 식각 공정을 수행할 때 반도체 기판(10)에 분사되는 식각 가스의 방향을 조절함으로써 식각 프로파일을 제어할 수 있다. 특히, 반도체 기판(10) 가장자리 부분의 게이트 프로파일을 보다 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 반도체 기판(10)의 중심부와 가장자리 부분 간의 공정 산포를 줄일 수 있고, 반도체의 성능도 향상시킬 수 있다.
도 15는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 16은 도 15의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 상기 기판 처리 장치는 제1 노즐 및 제2 노즐이 설치되는 위치를 제외하고는 도 1을 참조로 설명한 기판 처리 장치와 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 참조부호를 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 수평 방향으로 서로 이격 설치될 수 있다.
제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 저면으로부터 수직한 방향(Z축 방향)으로 동일한 높이(H3)에 설치될 수 있다. 이 경우에 있어서, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 공정 챔버(100)의 저면과 수평한 평면상에 서로 인접하게 각각 설치될 수 있다. 또한, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 측벽(110)의 내부면을 따라 다수개가 서로 이격 설치될 수도 있다. 이 때, 제1 노즐(200) 및 제2 노즐(300)은 필요에 따라 다양한 개수가 설치될 수 있다.
제1 노즐들(200c, 200d)은 공정 챔버(100)의 수평 방향인 XY 평면으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도(θ1)로 제1 공정 가스를 분사하고, 제2 노즐들(300c, 300d)은 상기 평면으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도(θ2)로 제2 공정 가스를 분사할 수 있다. 이 때, 제어부(500)는 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스의 유량을 제어할 수 있다.
공정 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스들의 평균적인 분사 방향은 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스들의 유량 및 분사 방향의 조합에 따라 다양하게 결정될 수 있다. 이를 통하여 반도체 기판(10)에 분사되는 식각 가스의 방향을 조절할 수 있고, 반도체 기판(10)의 식각 프로파일을 제어할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 반도체 기판 12: 제1 액티브 영역
14: 제2 액티브 영역 20: 트렌치
30: 소자 분리막 패턴 40: 게이트 절연막 패턴
50: 더미 게이트 전극 60: 게이트 마스크
100: 공정 챔버 110: 측벽
120: 덮개 130: 기판 지지부
132: 구동부 140: 반입부
150: 배기부
200, 200a, 200b, 200c, 200d: 제1 노즐
300, 300a, 300b, 300c, 300d: 제2 노즐
400: 상부 노즐 500: 제어부
510: 제1 제어 밸브 512: 제2 제어 밸브
520: 분배기 600: 제1 가스 공급부
602: 제1 가스 라인 604: 제2 가스 라인
610: 제2 가스 공급부 612: 제3 가스 라인
S: 밀폐 공간

Claims (10)

  1. 측벽 및 상기 측벽을 커버하는 덮개를 가지며, 기판상에 반도체 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 상기 측벽에 설치되며, 상기 공정 챔버 내로 제1 방향으로 제1 공정 가스를 분사하기 위한 제1 노즐;
    상기 공정 챔버의 상기 측벽에 상기 제1 노즐과 인접하게 설치되며, 상기 공정 챔버 내로 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제2 공정 가스를 분사하기 위한 제2 노즐; 및
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제1 및 제2 공정 가스들의 유량을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
    상기 제1 노즐은 상기 측벽의 내부면을 따라 다수개가 서로 이격 설치되고,
    상기 제2 노즐은 상기 측벽의 내부면을 따라 다수개가 서로 이격 설치되고,
    상기 제1 노즐들은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 제1 높이에 설치되고, 상기 제2 노즐들은 상기 공정 챔버의 저면으로부터 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 설치되고,
    상기 제1 노즐은 상기 공정 챔버의 수평 방향으로부터 양의 값을 갖는 제1 분사 각도로 상기 제1 공정 가스를 분사하고, 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 수평 방향으로부터 음의 값을 갖는 제2 분사 각도로 상기 제2 공정 가스를 분사하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 상기 측벽에서 수직 방향으로 서로 이격되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 공정 챔버의 상기 측벽에서 수평 방향으로 서로 이격되는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 공정 가스의 제1 유량은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 공정 가스의 제2 유량과 같거나 다른 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 공정 가스들은 식각 가스를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는 가스 공급부로부터 공정 가스를 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐로 분배하기 위한 가스 분배기를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 공정 챔버의 상기 덮개에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부로 제3 공정 가스를 분사하기 위한 적어도 하나의 상부 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020140156114A 2014-11-11 2014-11-11 기판 처리 장치 KR102327644B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140156114A KR102327644B1 (ko) 2014-11-11 2014-11-11 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140156114A KR102327644B1 (ko) 2014-11-11 2014-11-11 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160056124A KR20160056124A (ko) 2016-05-19
KR102327644B1 true KR102327644B1 (ko) 2021-11-17

Family

ID=56103283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140156114A KR102327644B1 (ko) 2014-11-11 2014-11-11 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102327644B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248364A (ja) 1999-03-02 2000-09-12 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
US20040224090A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. HDP-CVD uniformity control

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493684B1 (ko) * 1996-06-28 2005-09-12 램 리서치 코포레이션 고밀도플라즈마화학기상증착장치및그방법
KR100443905B1 (ko) * 2001-03-23 2004-08-09 삼성전자주식회사 화학 기상 증착장치
KR100611665B1 (ko) * 2004-11-23 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유도결합 플라즈마 화학기상증착 장치
KR20060077668A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트 분사노즐 세척장치 및 이를 이용한 세척방법
KR100930096B1 (ko) * 2006-10-24 2009-12-07 삼성전자주식회사 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
KR100855875B1 (ko) * 2006-12-22 2008-09-03 세메스 주식회사 가스 분사 노즐과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20080097505A (ko) * 2007-05-02 2008-11-06 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치
KR20090117470A (ko) * 2008-05-09 2009-11-12 세메스 주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR20100004304A (ko) * 2008-07-03 2010-01-13 세메스 주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248364A (ja) 1999-03-02 2000-09-12 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
US20040224090A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. HDP-CVD uniformity control

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160056124A (ko) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101805256B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101422621B1 (ko) 화학 물질 분사 방법 및 장치
KR200496457Y1 (ko) 불-균일한 가스 유동 간극을 갖는 기판 지지 조립체
JP6915002B2 (ja) シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ
KR200491450Y1 (ko) 에지 균일성을 개선하기 위한 가스 확산기 홀 설계
JP6660464B2 (ja) 改良されたクリーニングのための不均一なガスフロークリアランスを備えたフレーム
US20190180981A1 (en) Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves
KR102505154B1 (ko) 에칭 방법
KR20070055384A (ko) 플라즈마 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US8187980B2 (en) Etching method, etching apparatus and storage medium
KR102327644B1 (ko) 기판 처리 장치
CN105789132B (zh) 一种侧墙的形成方法
CN105940341B (zh) 用于改进分布均匀性的拐角式扰流件
TW201921479A (zh) 內壁及基板處理裝置
US20140011303A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR20090106729A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US11251022B2 (en) Gas supply assembly and substrate processing apparatus including the same
US20230298929A1 (en) Thin shadow ring for low-tilt trench etching
US9576812B2 (en) Partial etch memorization via flash addition
KR101909989B1 (ko) 평판 디스플레이 소자 제조용 식각 장치
KR101469547B1 (ko) 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치
KR20170000175U (ko) 멀티-피스 기판하 커버 프레임

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant