KR102303877B1 - Sensor circuit - Google Patents
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Abstract
노이즈 등의 외부 입력에 대해 테스트 모드로 잘 오투입되지 않는 센서 회로이며, 센서 회로는, 물리량 검출부에 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와, 출력 단자의 전위를 검출하여 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와, 검출 신호를 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비한다.It is a sensor circuit that is not easily input into test mode with respect to external input such as noise, and the sensor circuit includes a clock generator circuit that outputs a control signal for controlling intermittent operation to a physical quantity detection unit and outputs a sampling signal during a rest period; , a potential detection circuit that detects the potential of the output terminal and outputs a detection signal, and a mode switching signal that switches the clock generator circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled based on the sampling signal A clock control circuit for outputting is provided.
Description
본 발명은 센서 회로에 관한 것으로, 특히 테스트 회로를 갖는 센서 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor circuit, and more particularly to a sensor circuit having a test circuit.
종래부터 여러 가지 물리량을 검출하는 센서 회로가 전자 기기에 탑재되어 활용되고 있다. 센서 회로는, 전원 단자, 접지 단자, 출력 단자의 3 단자의 패키지에 탑재되는 경우가 있다. 이와 같이 단자수가 적은 패키지에 탑재된 센서 회로는, 테스트 모드로 전환하기 위한 전용 단자를 형성할 수 없는 경우가 많다. 이 때문에, 단자수가 적은 센서 회로에서는, 출력 단자를 테스트 단자로서 겸용하고 있다.Conventionally, sensor circuits for detecting various physical quantities have been installed and utilized in electronic devices. A sensor circuit may be mounted in the package of 3 terminals of a power supply terminal, a ground terminal, and an output terminal. In many cases, the sensor circuit mounted in a package having a small number of terminals cannot form a dedicated terminal for switching to the test mode as described above. For this reason, in a sensor circuit with a small number of terminals, the output terminal is also used as a test terminal.
종래의 센서 회로는, 검출부의 출력 신호의 전위 레벨을 출력하는 제 1 반전부와, 검출부의 출력 신호의 전위 레벨을 반전하여 출력 단자에 출력하는 제 2 반전부와, 제 1 반전부의 전위 레벨과 제 2 반전부의 전위 레벨에 따라 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 회로를 구비하고 있다. 그리고, 출력 단자로부터 강제적으로 전압을 입력함으로써, 모드 전환 회로는, 통상적으로 일어날 수 없는 전위 상태 (동 (同) 전위) 를 검출하여 테스트 모드로 전환하고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).A conventional sensor circuit includes a first inverting unit for outputting the potential level of the output signal of the detection unit, a second inversion unit for inverting the potential level of the output signal of the detection unit and outputting the potential level to the output terminal, and the potential level of the first inversion unit and A mode switching circuit for switching to the test mode according to the potential level of the second inverting unit is provided. Then, by forcibly inputting a voltage from the output terminal, the mode switching circuit detects a potential state that cannot normally occur (the same potential) and switches to the test mode (see, for example, Patent Document 1). .
그러나, 특허문헌 1 의 자기 센서 회로는, 출력 단자로부터 중첩한 노이즈 등의 의도하지 않은 외부 입력에 대해, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 있었다. 또, 출력 단자의 부하 용량이 큰 경우에도, 검출 결과에 따른 통상적인 출력 단자의 전위 레벨의 변화가 지연됨으로써, 의도치 않게 테스트 모드로 전환될 가능성이 있었다.However, the magnetic sensor circuit of Patent Document 1 may be erroneously switched to the test mode with respect to an unintended external input such as noise superimposed from the output terminal. Further, even when the load capacitance of the output terminal is large, the change in the potential level of the normal output terminal according to the detection result is delayed, so that there is a possibility that the test mode is switched unintentionally.
본 발명의 센서 회로는, 물리량 검출부에 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와, 출력 단자의 전위를 검출하여 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와, 검출 신호를 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.The sensor circuit of the present invention includes a clock generation circuit that outputs a control signal for controlling intermittent operation to a physical quantity detection unit and outputs a sampling signal during a rest period, and a potential detection circuit that detects the potential of an output terminal and outputs a detection signal and a clock control circuit that outputs a mode switching signal for switching the clock generation circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled from the detection signal based on the sampling signal.
본 발명의 센서 회로에 의하면, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 낮아, 안정적인 동작이 가능하다.According to the sensor circuit of the present invention, the possibility of erroneous switching to the test mode is low, and stable operation is possible.
도 1 은 제 1 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 2 는 제 1 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 3 은 제 2 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 4 는 제 2 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 5 는 제 3 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 6 은 제 3 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 7 은 제 4 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 8 은 제 4 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.1 is a block diagram of a sensor circuit of a first embodiment;
Fig. 2 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the first embodiment.
Fig. 3 is a block diagram of a sensor circuit of the second embodiment.
Fig. 4 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the second embodiment.
Fig. 5 is a block diagram of a sensor circuit according to a third embodiment.
Fig. 6 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the third embodiment.
Fig. 7 is a block diagram of a sensor circuit of the fourth embodiment.
Fig. 8 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the fourth embodiment.
이하, 본 발명의 센서 회로에 대해, 홀 소자의 출력 전압을 기준 전압과 비교한 결과를 2 치 출력하는 자기 스위치를 예로 설명한다.Hereinafter, with respect to the sensor circuit of the present invention, a magnetic switch that outputs a result of comparing the output voltage of the Hall element with a reference voltage will be described as an example.
<제 1 실시형태><First embodiment>
도 1 은, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 블록도이다.1 is a block diagram of a
제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 물리량 검출부 (10) 와, 클록 발생 회로 (20) 와, 출력 드라이버 (30) 와, 전위 검출 회로 (40) 와, 클록 제어 회로 (50) 로 구성되어 있다.The
물리량 검출부 (10) 는, 인가되는 물리량에 따라 2 개의 상이한 전위 레벨의 물리량 검출 신호 (12) 를 출력한다.The physical
출력 드라이버 (30) 는, 입력이 물리량 검출부 (10) 의 출력에 접속되고, 출력이 출력 단자 (31) 에 접속된다. 출력 드라이버 (30) 는, 물리량 검출부 (10) 의 물리량 검출 신호 (12) 의 전위 레벨을 반전하여, 출력 단자 (31) 에 센서 회로 (100) 의 출력 논리 신호 (32) 를 출력한다.The
전위 검출 회로 (40) 는, 입력이 출력 단자 (31) 에 접속되고, 출력 단자 (31) 의 전위에 기초하여 2 치의 전위 검출 신호 (41) 를 출력한다.The
클록 발생 회로 (20) 는, 물리량 검출부 (10) 에 검출 동작을 제어하기 위한 제어 신호 (21) 를 출력하고, 휴지 기간에 있어서 클록 제어 회로 (50) 에 샘플링 신호 (22) 를 출력한다.The
클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 와 샘플링 신호 (22) 와 물리량 검출 신호 (12) 가 입력되고, 클록 발생 회로 (20) 에 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.The
물리량 검출부 (10) 는, S 극 또는 N 극의 자계를 검출하는 자기 스위치이며, 외부로부터 인가된 자속 밀도의 대소에 따라 물리량 검출 신호 (12) 의 전위 레벨을 전환한다. 또, 물리량 검출부 (10) 는, 제어 신호 (21) 에 따라 물리량의 검출 혹은 검출의 해제를 실시하는 동작 기간과, 내부 회로의 동작 전류의 대부분을 차단하는 휴지 기간을 갖는 간헐 구동을 실시한다.The physical
클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 동기하여 전위 검출 신호 (41) 를 샘플링하고, 시프트 레지스터 등에 그 데이터를 유지한다. 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 로부터 소정의 신호 패턴 (여기서는, LHHL, HLLH 로 한다) 이 얻어진 경우에, 모드 전환 신호 (51) 를 테스트 모드에 대응하는 레벨로 전환한다. 또, 클록 제어 회로 (50) 는, 물리량 검출 신호 (12) 가 변화되면, 모드 전환 신호 (51) 를 통상 모드에 대응하는 레벨로 전환한다.The
물리량 검출부 (10) 는, 예를 들어 이하에 나타내는 동작을 하도록 구성되어 있다.The physical
물리량 검출부 (10) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨일 때에 동작 기간이 되며, 홀 소자의 출력 전압을 기준 전압과 비교하여, 제어 신호 (21) 가 L 레벨일 때에 휴지 기간이 되고, 인가된 자속 밀도가 소정의 값보다 작으면 L 레벨, 소정의 값보다 크면 H 레벨의 물리량 검출 신호 (12) 를 출력한다.The physical
출력 드라이버 (30) 는, 예를 들어 CMOS 드라이버가 사용된다. 출력 드라이버 (30) 는, 인가되는 물리량이 작을 때, 예를 들어, 입력인 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨일 때, Nch 드라이버가 오프되고 Pch 드라이버가 온되어, H 레벨의 출력 논리 신호 (32) 를 출력 단자 (31) 에 출력한다. 인가되는 물리량이 클 때, 예를 들어 입력인 물리량 검출 신호 (12) 가 H 레벨일 때, Nch 드라이버가 온되고 Pch 드라이버가 오프되어, L 레벨의 출력 논리 신호 (32) 를 출력 단자 (31) 에 출력한다.As the
전위 검출 회로 (40) 는, 예를 들어, 시미트 트리거 회로나, 차동쌍과 기준 전압 회로에 의한 컴퍼레이터 등으로 구성된다. 전위 검출 회로 (40) 는, 출력 단자 (31) 의 전위가 H 레벨일 때에 H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 를 출력하고, 출력 단자 (31) 의 전위가 L 레벨일 때에 L 레벨의 전위 검출 신호 (41) 를 출력한다.The electric
다음으로, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the
도 2 는, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.2 is a timing diagram showing the operation of the
도 2 에 있어서, 센서 회로 (100) 에 인가되는 자속 밀도를 Bin, 물리량 검출 신호 (12) 의 전압을 V12, 출력 단자 (31) 의 전압을 V31, 전위 검출 신호 (41) 의 전압을 V41, 제어 신호 (21) 의 전압을 V21, 샘플링 신호 (22) 의 전압을 V22, 모드 전환 신호 (51) 의 전압을 V51 로 한다. 또, 물리량 검출부 (10) 가 물리량을 검출하는 임계값을 BOP, 검출을 해제하는 임계값을 BRP 로 한다.In Fig. 2, the magnetic flux density applied to the
센서 회로 (100) 에는, 타이밍도에 나타내는 바와 같은 자속 밀도 (Bin) 가 인가된다. 자속 밀도 (Bin) 는, 시각 t0 이전에서는 임계값 (BRP) 보다 낮기 때문에, 물리량 검출 신호 (12) 는 L 레벨, 출력 단자 (31) 및 전위 검출 신호 (41) 의 전압은 H 레벨이다.A magnetic flux density Bin as shown in the timing diagram is applied to the
센서 회로 (100) 는, 시각 t1 까지는 통상 동작시의 휴지 기간이고, 모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨을 유지하여, 클록 발생 회로 (20) 로부터 샘플링 신호 (22) 가 출력된다. 시각 t1 전까지의 샘플링 신호 (22) 에 있어서, 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 연속해서 유지하고 있기 때문에, 통상 동작 (모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨) 을 유지한다. 여기서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 의 상승 에지에서 전위 검출 신호 (41) 의 전위를 판독 입력하는 것으로 한다.The
센서 회로 (100) 는, 시각 t1 에서 시각 t2 사이는 통상 동작시의 동작 기간이며, 클록 발생 회로 (20) 는 제어 신호 (21) 를 H 레벨로 한다. 물리량 검출부 (10) 는, 동작 기간 중에 자속 밀도 (Bin) 가 임계값 (BOP) 보다 높은 것을 검출하여 신호 처리를 실시하고, 제어 신호 (21) 가 L 레벨이 되었을 때에 물리량 검출 신호 (12) 를 H 레벨로 한다. 그에 따라, 출력 단자 (31) 및 전위 검출 신호 (41) 의 전압은 L 레벨이 된다. 그리고, 센서 회로 (100) 는, 다시 통상 동작시의 휴지 기간이 되고, 모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨을 유지하여, 클록 발생 회로 (20) 로부터 샘플링 신호 (22) 가 출력된다.The
클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t3 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 L 레벨을 판독 입력한다.The
여기서, 시각 t4 에서 시각 t7 에 있어서, 출력 단자 (31) 에 외부로부터 강제적으로 H 레벨이 입력되면, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t5, t6 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하고, 또한, 시각 t8 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 L 레벨을 판독 입력한다.Here, from time t4 to time t7, when H level is forcibly inputted to the
따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 입력된 신호 패턴이 LHHL 의 레벨이 되기 때문에, 시각 t8 에서 시각 t9 사이에 있어서 테스트 모드 입력 신호라고 판단하여, 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환하고, H 레벨의 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.Therefore, the
센서 회로 (100) 는, 시각 t10 까지 테스트 모드를 유지한 후, 자속 밀도 (Bin) 가 해제 임계값 (BRP) 이하가 된 것을 물리량 검출부 (10) 가 검출하면, 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨로 변화된다. 클록 제어 회로 (50) 는, 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨로 변화된 것을 받아, 테스트 모드로부터 통상 동작으로 전환하고, L 레벨의 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.After the
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 통상 동작시의 휴지 기간에 있어서, 출력 단자 (31) 에 외부로부터 강제적으로 소정의 신호 패턴을 갖는 전압을 입력하여, 그것을 검출함으로써 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환하고, 물리량 검출 신호 (12) 의 레벨이 변화된 것을 받아, 테스트 모드로부터 통상 동작으로 전환하는 구성으로 하였다. 따라서, 본 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 낮아, 안정적인 동작이 가능하다.As described above, the
또한, 도 2 의 타이밍도에서는, 자속 밀도 (Bin) 가 검출 임계값 (BOP) 보다 높은 상태로부터 테스트 모드로 전환하는 설명을 했지만, 자속 밀도 (Bin) 가 해제 임계값 (BRP) 보다 낮은 상태로부터 테스트 모드로 전환하는 경우에도 동일하다. 이 경우에는, 출력 단자 (31) 를 강제적으로 L 레벨의 전위로 하여, 신호 패턴을 HLLH 로 함으로써, 클록 제어 회로 (50) 는 테스트 모드 입력 신호라고 판단하고, 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환할 수 있다.In addition, in the timing diagram of FIG. 2, although the description was made for switching to the test mode from the state in which the magnetic flux density Bin is higher than the detection threshold value BOP, from the state in which the magnetic flux density Bin is lower than the release threshold value BRP. The same is true for switching to test mode. In this case, by forcibly setting the
또, 신호 패턴을 LHHL 이나 HLLH 로 하여 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 더욱 복잡한 신호 패턴이나 짧은 신호 패턴이어도 된다.Moreover, although the signal pattern was demonstrated as LHHL or HLLH, it is not limited to this, A more complex signal pattern or a short signal pattern may be sufficient.
<제 2 실시형태><Second embodiment>
도 3 은, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 블록도이다. 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 타임아웃 시간을 계수하는 카운터 (60) 를 구비하였다. 또, 제 2 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 카운터 (60) 가 출력하는 타임아웃 신호 (61) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.3 is a block diagram of a
카운터 (60) 는, 전위 검출 회로 (40) 로부터 출력되는 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 타임아웃 신호 (61) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 타임아웃 신호 (61) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크한다.The counter 60 receives the
다음으로, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the
도 4 는, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.4 is a timing diagram showing the operation of the
도 4 에 있어서, 타임아웃 신호 (61) 의 전압을 V61 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 4, the voltage of the
시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 단자 (31) 의 전압은 L 레벨이 된다.At time t1, the physical
시각 t2 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되면, 도면에 나타내는 바와 같이 전압 (V31) 이 변동되고, H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 가 출력된다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력한다.At time t2, when noise from the outside is superimposed on the
카운터 (60) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 변동을 받아 계수를 개시하고, 시각 t3 에 있어서 타임아웃 시간에 도달하면, 타임아웃 신호 (61) 를 L 레벨로부터 H 레벨로 한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 타임아웃 신호 (61) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크하기 때문에, 시각 4 에 있어서의 외부로부터의 노이즈에 의한 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하지 않는다.The counter 60 starts counting in response to the fluctuation of the
따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t2 이후의 신호 패턴을 HLLH 로 인식하지 않기 때문에, 도 4 와 같이 노이즈가 있었다고 해도, 잘못해서 테스트 모드로 전환하는 일이 없다.Therefore, since the
이상 설명한 바와 같이, 제 2 실시형태의 센서 회로에서는, 타임아웃 신호 (61) 를 출력하는 카운터 (60) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, in the sensor circuit of the second embodiment, since the counter 60 for outputting the
또한, 카운터 (60) 는, 플립플롭에 의한 논리 회로를 사용한 디지털 회로로 구성해도 되고, 정전류원과 용량 소자에 의한 아날로그 계시 회로로 구성해도 된다. 또, 타임아웃 신호 (61) 는, 예를 들어, 시각 t5 또는 t6 에 있어서, 제어 신호 (21) 에 의해 H 레벨로부터 L 레벨로 리셋되도록 하면 된다.In addition, the counter 60 may be comprised by the digital circuit using the logic circuit by a flip-flop, and may be comprised by the analog clock circuit by the constant current source and a capacitor element. The
<제 3 실시형태><Third embodiment>
도 5 는, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 블록도이다. 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 제어 신호 (21) 를 받아 데드 타임 신호 (71) 를 출력하는 데드 타임 제어 회로 (70) 를 구비하였다. 또, 제 3 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 데드 타임 제어 회로 (70) 가 출력하는 데드 타임 신호 (71) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.5 is a block diagram of a
데드 타임 제어 회로 (70) 는, 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 데드 타임 신호 (71) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 데드 타임 신호 (71) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크한다.The dead
다음으로, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the
도 6 은, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.6 is a timing diagram showing the operation of the
도 6 에 있어서, 데드 타임 신호 (71) 의 전압을 V71 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 6, the voltage of the
시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 드라이버 (30) 는 출력을 L 레벨로 한다. 여기서, 출력 단자 (31) 의 용량 부하가 큰 경우, 출력 단자 (31) 의 전압 (V31) 은, 출력 단자 (31) 의 용량 부하와 출력 드라이버 (30) 의 온 저항으로 정해지는 시정수에 따라 비교적 긴 시간을 들여 정정 (靜定) 한다.At time t1, the physical
데드 타임 제어 회로 (70) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아, 즉 휴지 기간으로의 천이 후의 소정 기간, H 레벨의 데드 타임 신호 (71) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, 데드 타임 신호 (71) 가 H 레벨을 유지하는 시각 t3 까지, 샘플링 신호 (22) 를 마스크하여 샘플링 동작을 실시하지 않는다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t1 로부터 시각 t3 까지의 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하지 않는다.The dead
시각 t2 에 있어서, 출력 단자 (31) 의 전압 (V31) 은 전위 검출 회로 (40) 의 판정 임계값 (Vth) 을 밑돌기 때문에, 전위 검출 신호 (41) 는 L 레벨이 된다. 따라서, 데드 타임 신호 (71) 가 H 레벨을 유지하는 시간은, 전압 (V31) 이 판정 임계값 (Vth) 을 밑도는 시간보다 길게 하면 된다.At time t2, since the voltage V31 of the
따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t4 에 있어서 출력 단자 (31) 에 노이즈가 중첩되었다고 해도, 시각 t1 이후의 신호 패턴을 HLLH 로 인식하지 않기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환하는 일이 없다.Therefore, since the
이와 같이 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 는, 클록 제어 회로 (50) 에 데드 타임 신호 (71) 를 출력하는 데드 타임 제어 회로 (70) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, since the
또한, 데드 타임 제어 회로 (70) 는, 플립플롭에 의한 논리 회로로 구성해도 되고, 정전류원과 용량 소자와 임계값 회로에 의한 계시 회로로 구성해도 된다.In addition, the dead
또, 데드 타임 신호 (71) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아 H 레벨을 출력한다고 설명했지만, 발명의 취지에 맞으면 어떠한 신호를 기점으로 해도 된다.In addition, although it has been described that the
<제 4 실시형태><Fourth embodiment>
도 7 은, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 블록도이다. 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 리셋 신호 (81) 를 출력하는 리셋 회로 (80) 를 구비하였다. 또, 제 4 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 리셋 회로 (80) 가 출력하는 리셋 신호 (81) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.7 is a block diagram of a
리셋 회로 (80) 는, 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 리셋 신호 (81) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 받으면, 신호 패턴을 유지하는 시프트 레지스터를 리셋한다.The
다음으로, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the
도 8 은, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.8 is a timing diagram showing the operation of the
도 8 에 있어서, 리셋 신호 (81) 의 전압을 V81 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 8, the voltage of the
시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 드라이버 (30) 는 출력을 L 레벨로 한다. 리셋 신호 (81) 는, 휴지 기간이 되면 L 레벨로 리셋된다.At time t1, the physical
시각 t2 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되면, 도면에 나타내는 바와 같이 전압 (V31) 이 변동되고, H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 가 출력된다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력한다.At time t2, when noise from the outside is superimposed on the
여기서, 리셋 회로 (80) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 신호의 폭을 검출하는 기능을 갖는다. 예를 들어, 도 8 의 시각 t2 와 같이 폭이 작은 것을 검출하면, 예를 들어 시각 t3 에 있어서, 클록 제어 회로 (50) 에 H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 받으면, 신호 패턴을 유지하는 시프트 레지스터를 리셋한다. 즉, 시각 t2 에서 시프트 레지스터에 판독 입력된 H 레벨은 리셋된다.Here, the
따라서, 시각 t4 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되었다고 해도, 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 패턴을 잘못해서 HLLH 로 인식하는 일이 없어진다.Therefore, even if noise from the outside is superimposed on the
이와 같이 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 는, 클록 제어 회로 (50) 에 리셋 신호 (81) 를 출력하는 리셋 회로 (80) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, since the
또한, 리셋 신호 (81) 는, 도 8 에서는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아 L 레벨로 되어 있지만, 예를 들어 원숏 펄스로 해도 된다.In addition, although the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 센서 회로는, 샘플링 신호 (22) 에 동기하여 전위 검출 신호 (41) 를 샘플링하는 클록 제어 회로 (50) 와, 휴지 기간에 있어서 샘플링 신호 (22) 를 출력하는 클록 발생 회로 (20) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, the sensor circuit of the present invention includes a
또한, 실시형태에 있어서, 물리량 검출부 (10) 를 자기 센서 회로로서 설명했지만, 물리량의 검출 결과를 출력 단자 (31) 로부터 2 치 신호로서 출력하는 구성이면, 이것에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 물리량 검출부 (10) 는, 온도 센서 회로나 광 센서 회로여도 된다.In addition, in embodiment, although the physical
또, 본 발명의 센서 회로는, 반드시 이 구성이나 센서 소자에 제한되는 것은 아니며, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이나 조합 등이 가능하다. 예를 들어, 각 실시형태의 회로를 적절히 조합해도 된다. 또한, 물리량 검출부 (10) 와 출력 단자 (31) 와 클록 제어 회로 (50) 의 조합을 복수 구비하고, 각각의 출력 단자에 강제적으로 전압을 인가하여, 그 조합으로 테스트 모드로 전환하는 구성으로 해도 된다.In addition, the sensor circuit of this invention is not necessarily limited to this structure or a sensor element, Various changes, combinations, etc. are possible in the range which does not deviate from the meaning of invention. For example, you may combine the circuits of each embodiment suitably. In addition, even with a configuration in which a plurality of combinations of the physical
10 : 물리량 검출부
20 : 클록 발생 회로
30 : 출력 드라이버
31 : 출력 단자
40 : 전위 검출 회로
50 : 클록 제어 회로
60 : 카운터
70 : 데드 타임 제어 회로
80 : 리셋 회로
100, 200, 300, 400 : 센서 회로10: physical quantity detection unit
20: clock generation circuit
30: output driver
31: output terminal
40: potential detection circuit
50: clock control circuit
60 : counter
70: dead time control circuit
80: reset circuit
100, 200, 300, 400: sensor circuit
Claims (5)
인가되는 물리량에 따라 2 개의 상이한 전위 레벨의 물리량 검출 신호를 출력하는 물리량 검출부와,
상기 물리량 검출 신호를 받아 논리 신호를 출력 단자에 출력하는 출력 드라이버와,
상기 물리량 검출부에 상기 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 상기 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와,
상기 출력 단자의 전위를 검출하고, 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와,
상기 샘플링 신호와 상기 검출 신호가 입력되고, 상기 클록 발생 회로에 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 검출 신호를 상기 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면, 상기 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.A sensor circuit for intermittent operation having an operation period and an idle period, the sensor circuit comprising:
a physical quantity detection unit for outputting physical quantity detection signals of two different potential levels according to the applied physical quantity;
an output driver receiving the physical quantity detection signal and outputting a logic signal to an output terminal;
a clock generation circuit for outputting a control signal for controlling the intermittent operation to the physical quantity detection unit and outputting a sampling signal during the idle period;
a potential detection circuit for detecting the potential of the output terminal and outputting a detection signal;
a clock control circuit receiving the sampling signal and the detection signal and outputting a mode switching signal to the clock generator circuit;
wherein the clock control circuit outputs a mode switching signal for switching the clock generation circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled from the detection signal based on the sampling signal. .
상기 클록 제어 회로는, 추가로 상기 물리량 검출부가 출력하는 상기 물리량 검출 신호가 입력되고,
상기 테스트 모드에 있어서 상기 물리량 검출 신호가 변화되면, 통상 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.The method of claim 1,
The clock control circuit further receives the physical quantity detection signal output by the physical quantity detection unit;
and outputting a mode switching signal for switching to a normal mode when the physical quantity detection signal changes in the test mode.
추가로 카운터를 구비하고,
상기 카운터는, 상기 검출 신호의 변동을 받아 계수를 개시하고, 타임아웃 시간에 도달하면 상기 클록 제어 회로에 타임아웃 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 타임아웃 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.3. The method according to claim 1 or 2,
In addition, a counter is provided,
the counter starts counting in response to a change in the detection signal, and outputs a timeout signal to the clock control circuit when a timeout time is reached;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the timeout signal.
추가로 데드 타임 제어 회로를 구비하고,
상기 데드 타임 제어 회로는, 상기 휴지 기간으로의 천이 후의 소정 기간에 상기 클록 제어 회로에 데드 타임 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 데드 타임 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a dead time control circuit,
the dead time control circuit outputs a dead time signal to the clock control circuit in a predetermined period after the transition to the idle period;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the dead time signal.
추가로 리셋 회로를 구비하고,
상기 리셋 회로는, 상기 검출 신호의 폭이 소정 값보다 작은 것을 검출하면 상기 클록 제어 회로에 리셋 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 리셋 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a reset circuit,
the reset circuit outputs a reset signal to the clock control circuit when detecting that the width of the detection signal is smaller than a predetermined value;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the reset signal.
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