KR102303877B1 - Sensor circuit - Google Patents

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KR102303877B1
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미노루 아리야마
히로노리 야노
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에이블릭 가부시키가이샤
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Abstract

노이즈 등의 외부 입력에 대해 테스트 모드로 잘 오투입되지 않는 센서 회로이며, 센서 회로는, 물리량 검출부에 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와, 출력 단자의 전위를 검출하여 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와, 검출 신호를 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비한다.It is a sensor circuit that is not easily input into test mode with respect to external input such as noise, and the sensor circuit includes a clock generator circuit that outputs a control signal for controlling intermittent operation to a physical quantity detection unit and outputs a sampling signal during a rest period; , a potential detection circuit that detects the potential of the output terminal and outputs a detection signal, and a mode switching signal that switches the clock generator circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled based on the sampling signal A clock control circuit for outputting is provided.

Description

센서 회로{SENSOR CIRCUIT}sensor circuit {SENSOR CIRCUIT}

본 발명은 센서 회로에 관한 것으로, 특히 테스트 회로를 갖는 센서 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor circuit, and more particularly to a sensor circuit having a test circuit.

종래부터 여러 가지 물리량을 검출하는 센서 회로가 전자 기기에 탑재되어 활용되고 있다. 센서 회로는, 전원 단자, 접지 단자, 출력 단자의 3 단자의 패키지에 탑재되는 경우가 있다. 이와 같이 단자수가 적은 패키지에 탑재된 센서 회로는, 테스트 모드로 전환하기 위한 전용 단자를 형성할 수 없는 경우가 많다. 이 때문에, 단자수가 적은 센서 회로에서는, 출력 단자를 테스트 단자로서 겸용하고 있다.Conventionally, sensor circuits for detecting various physical quantities have been installed and utilized in electronic devices. A sensor circuit may be mounted in the package of 3 terminals of a power supply terminal, a ground terminal, and an output terminal. In many cases, the sensor circuit mounted in a package having a small number of terminals cannot form a dedicated terminal for switching to the test mode as described above. For this reason, in a sensor circuit with a small number of terminals, the output terminal is also used as a test terminal.

종래의 센서 회로는, 검출부의 출력 신호의 전위 레벨을 출력하는 제 1 반전부와, 검출부의 출력 신호의 전위 레벨을 반전하여 출력 단자에 출력하는 제 2 반전부와, 제 1 반전부의 전위 레벨과 제 2 반전부의 전위 레벨에 따라 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 회로를 구비하고 있다. 그리고, 출력 단자로부터 강제적으로 전압을 입력함으로써, 모드 전환 회로는, 통상적으로 일어날 수 없는 전위 상태 (동 (同) 전위) 를 검출하여 테스트 모드로 전환하고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).A conventional sensor circuit includes a first inverting unit for outputting the potential level of the output signal of the detection unit, a second inversion unit for inverting the potential level of the output signal of the detection unit and outputting the potential level to the output terminal, and the potential level of the first inversion unit and A mode switching circuit for switching to the test mode according to the potential level of the second inverting unit is provided. Then, by forcibly inputting a voltage from the output terminal, the mode switching circuit detects a potential state that cannot normally occur (the same potential) and switches to the test mode (see, for example, Patent Document 1). .

일본 공개특허공보 2009-31225호Japanese Patent Laid-Open No. 2009-31225

그러나, 특허문헌 1 의 자기 센서 회로는, 출력 단자로부터 중첩한 노이즈 등의 의도하지 않은 외부 입력에 대해, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 있었다. 또, 출력 단자의 부하 용량이 큰 경우에도, 검출 결과에 따른 통상적인 출력 단자의 전위 레벨의 변화가 지연됨으로써, 의도치 않게 테스트 모드로 전환될 가능성이 있었다.However, the magnetic sensor circuit of Patent Document 1 may be erroneously switched to the test mode with respect to an unintended external input such as noise superimposed from the output terminal. Further, even when the load capacitance of the output terminal is large, the change in the potential level of the normal output terminal according to the detection result is delayed, so that there is a possibility that the test mode is switched unintentionally.

본 발명의 센서 회로는, 물리량 검출부에 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와, 출력 단자의 전위를 검출하여 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와, 검출 신호를 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.The sensor circuit of the present invention includes a clock generation circuit that outputs a control signal for controlling intermittent operation to a physical quantity detection unit and outputs a sampling signal during a rest period, and a potential detection circuit that detects the potential of an output terminal and outputs a detection signal and a clock control circuit that outputs a mode switching signal for switching the clock generation circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled from the detection signal based on the sampling signal.

본 발명의 센서 회로에 의하면, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 낮아, 안정적인 동작이 가능하다.According to the sensor circuit of the present invention, the possibility of erroneous switching to the test mode is low, and stable operation is possible.

도 1 은 제 1 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 2 는 제 1 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 3 은 제 2 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 4 는 제 2 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 5 는 제 3 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 6 은 제 3 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 7 은 제 4 실시형태의 센서 회로의 블록도이다.
도 8 은 제 4 실시형태의 센서 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
1 is a block diagram of a sensor circuit of a first embodiment;
Fig. 2 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the first embodiment.
Fig. 3 is a block diagram of a sensor circuit of the second embodiment.
Fig. 4 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the second embodiment.
Fig. 5 is a block diagram of a sensor circuit according to a third embodiment.
Fig. 6 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the third embodiment.
Fig. 7 is a block diagram of a sensor circuit of the fourth embodiment.
Fig. 8 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit of the fourth embodiment.

이하, 본 발명의 센서 회로에 대해, 홀 소자의 출력 전압을 기준 전압과 비교한 결과를 2 치 출력하는 자기 스위치를 예로 설명한다.Hereinafter, with respect to the sensor circuit of the present invention, a magnetic switch that outputs a result of comparing the output voltage of the Hall element with a reference voltage will be described as an example.

<제 1 실시형태><First embodiment>

도 1 은, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 블록도이다.1 is a block diagram of a sensor circuit 100 according to a first embodiment.

제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 물리량 검출부 (10) 와, 클록 발생 회로 (20) 와, 출력 드라이버 (30) 와, 전위 검출 회로 (40) 와, 클록 제어 회로 (50) 로 구성되어 있다.The sensor circuit 100 of the first embodiment includes a physical quantity detection unit 10 , a clock generation circuit 20 , an output driver 30 , a potential detection circuit 40 , and a clock control circuit 50 . has been

물리량 검출부 (10) 는, 인가되는 물리량에 따라 2 개의 상이한 전위 레벨의 물리량 검출 신호 (12) 를 출력한다.The physical quantity detection unit 10 outputs the physical quantity detection signals 12 of two different potential levels in accordance with the applied physical quantity.

출력 드라이버 (30) 는, 입력이 물리량 검출부 (10) 의 출력에 접속되고, 출력이 출력 단자 (31) 에 접속된다. 출력 드라이버 (30) 는, 물리량 검출부 (10) 의 물리량 검출 신호 (12) 의 전위 레벨을 반전하여, 출력 단자 (31) 에 센서 회로 (100) 의 출력 논리 신호 (32) 를 출력한다.The output driver 30 has an input connected to an output of the physical quantity detection unit 10 and an output connected to an output terminal 31 . The output driver 30 inverts the potential level of the physical quantity detection signal 12 of the physical quantity detection unit 10 , and outputs the output logic signal 32 of the sensor circuit 100 to the output terminal 31 .

전위 검출 회로 (40) 는, 입력이 출력 단자 (31) 에 접속되고, 출력 단자 (31) 의 전위에 기초하여 2 치의 전위 검출 신호 (41) 를 출력한다.The potential detection circuit 40 has an input connected to the output terminal 31 , and outputs a binary potential detection signal 41 based on the potential of the output terminal 31 .

클록 발생 회로 (20) 는, 물리량 검출부 (10) 에 검출 동작을 제어하기 위한 제어 신호 (21) 를 출력하고, 휴지 기간에 있어서 클록 제어 회로 (50) 에 샘플링 신호 (22) 를 출력한다.The clock generation circuit 20 outputs a control signal 21 for controlling the detection operation to the physical quantity detection unit 10 , and outputs a sampling signal 22 to the clock control circuit 50 in the idle period.

클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 와 샘플링 신호 (22) 와 물리량 검출 신호 (12) 가 입력되고, 클록 발생 회로 (20) 에 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.The clock control circuit 50 receives the potential detection signal 41 , the sampling signal 22 , and the physical quantity detection signal 12 , and outputs the mode switching signal 51 to the clock generation circuit 20 .

물리량 검출부 (10) 는, S 극 또는 N 극의 자계를 검출하는 자기 스위치이며, 외부로부터 인가된 자속 밀도의 대소에 따라 물리량 검출 신호 (12) 의 전위 레벨을 전환한다. 또, 물리량 검출부 (10) 는, 제어 신호 (21) 에 따라 물리량의 검출 혹은 검출의 해제를 실시하는 동작 기간과, 내부 회로의 동작 전류의 대부분을 차단하는 휴지 기간을 갖는 간헐 구동을 실시한다.The physical quantity detection unit 10 is a magnetic switch that detects a magnetic field of S pole or N pole, and switches the potential level of the physical quantity detection signal 12 according to the magnitude of the magnetic flux density applied from the outside. Further, the physical quantity detecting unit 10 performs intermittent driving having an operation period for detecting or canceling detection of the physical quantity according to the control signal 21 and a rest period for cutting off most of the operating current of the internal circuit.

클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 동기하여 전위 검출 신호 (41) 를 샘플링하고, 시프트 레지스터 등에 그 데이터를 유지한다. 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 로부터 소정의 신호 패턴 (여기서는, LHHL, HLLH 로 한다) 이 얻어진 경우에, 모드 전환 신호 (51) 를 테스트 모드에 대응하는 레벨로 전환한다. 또, 클록 제어 회로 (50) 는, 물리량 검출 신호 (12) 가 변화되면, 모드 전환 신호 (51) 를 통상 모드에 대응하는 레벨로 전환한다.The clock control circuit 50 samples the potential detection signal 41 in synchronization with the sampling signal 22, and holds the data in a shift register or the like. The clock control circuit 50 switches the mode switching signal 51 to a level corresponding to the test mode when a predetermined signal pattern (herein referred to as LHHL and HLLH) is obtained from the potential detection signal 41 . Further, when the physical quantity detection signal 12 changes, the clock control circuit 50 switches the mode switching signal 51 to a level corresponding to the normal mode.

물리량 검출부 (10) 는, 예를 들어 이하에 나타내는 동작을 하도록 구성되어 있다.The physical quantity detection part 10 is comprised so that the operation|movement shown below may be performed, for example.

물리량 검출부 (10) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨일 때에 동작 기간이 되며, 홀 소자의 출력 전압을 기준 전압과 비교하여, 제어 신호 (21) 가 L 레벨일 때에 휴지 기간이 되고, 인가된 자속 밀도가 소정의 값보다 작으면 L 레벨, 소정의 값보다 크면 H 레벨의 물리량 검출 신호 (12) 를 출력한다.The physical quantity detection unit 10 becomes an operating period when the control signal 21 is at the H level, compares the output voltage of the Hall element with a reference voltage, and becomes a rest period when the control signal 21 is at the L level, and is applied When the obtained magnetic flux density is smaller than a predetermined value, an L level physical quantity detection signal 12 is output if it is greater than a predetermined value, and an H level physical quantity detection signal 12 is output.

출력 드라이버 (30) 는, 예를 들어 CMOS 드라이버가 사용된다. 출력 드라이버 (30) 는, 인가되는 물리량이 작을 때, 예를 들어, 입력인 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨일 때, Nch 드라이버가 오프되고 Pch 드라이버가 온되어, H 레벨의 출력 논리 신호 (32) 를 출력 단자 (31) 에 출력한다. 인가되는 물리량이 클 때, 예를 들어 입력인 물리량 검출 신호 (12) 가 H 레벨일 때, Nch 드라이버가 온되고 Pch 드라이버가 오프되어, L 레벨의 출력 논리 신호 (32) 를 출력 단자 (31) 에 출력한다.As the output driver 30, a CMOS driver is used, for example. The output driver 30 generates an output logic signal ( 32) is output to the output terminal 31 . When the applied physical quantity is large, for example, when the input physical quantity detection signal 12 is at H level, the Nch driver is turned on and the Pch driver is turned off, so that the L level output logic signal 32 is output to the output terminal 31 . output to

전위 검출 회로 (40) 는, 예를 들어, 시미트 트리거 회로나, 차동쌍과 기준 전압 회로에 의한 컴퍼레이터 등으로 구성된다. 전위 검출 회로 (40) 는, 출력 단자 (31) 의 전위가 H 레벨일 때에 H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 를 출력하고, 출력 단자 (31) 의 전위가 L 레벨일 때에 L 레벨의 전위 검출 신호 (41) 를 출력한다.The electric potential detection circuit 40 is comprised, for example with a smit trigger circuit, a comparator by a differential pair and a reference voltage circuit, etc. The potential detection circuit 40 outputs an H-level potential detection signal 41 when the potential of the output terminal 31 is at the H level, and detects the L-level potential when the potential of the output terminal 31 is at the L level. A signal 41 is output.

다음으로, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the sensor circuit 100 of the first embodiment will be described.

도 2 는, 제 1 실시형태의 센서 회로 (100) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.2 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit 100 of the first embodiment.

도 2 에 있어서, 센서 회로 (100) 에 인가되는 자속 밀도를 Bin, 물리량 검출 신호 (12) 의 전압을 V12, 출력 단자 (31) 의 전압을 V31, 전위 검출 신호 (41) 의 전압을 V41, 제어 신호 (21) 의 전압을 V21, 샘플링 신호 (22) 의 전압을 V22, 모드 전환 신호 (51) 의 전압을 V51 로 한다. 또, 물리량 검출부 (10) 가 물리량을 검출하는 임계값을 BOP, 검출을 해제하는 임계값을 BRP 로 한다.In Fig. 2, the magnetic flux density applied to the sensor circuit 100 is Bin, the voltage of the physical quantity detection signal 12 is V12, the voltage of the output terminal 31 is V31, the voltage of the potential detection signal 41 is V41, The voltage of the control signal 21 is V21, the voltage of the sampling signal 22 is V22, and the voltage of the mode switching signal 51 is V51. Moreover, let BOP be the threshold value at which the physical quantity detection part 10 detects a physical quantity, and let BRP be the threshold value which cancel|releases detection.

센서 회로 (100) 에는, 타이밍도에 나타내는 바와 같은 자속 밀도 (Bin) 가 인가된다. 자속 밀도 (Bin) 는, 시각 t0 이전에서는 임계값 (BRP) 보다 낮기 때문에, 물리량 검출 신호 (12) 는 L 레벨, 출력 단자 (31) 및 전위 검출 신호 (41) 의 전압은 H 레벨이다.A magnetic flux density Bin as shown in the timing diagram is applied to the sensor circuit 100 . Since the magnetic flux density Bin is lower than the threshold value BRP before time t0, the physical quantity detection signal 12 is at the L level, and the voltages of the output terminal 31 and the potential detection signal 41 are at the H level.

센서 회로 (100) 는, 시각 t1 까지는 통상 동작시의 휴지 기간이고, 모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨을 유지하여, 클록 발생 회로 (20) 로부터 샘플링 신호 (22) 가 출력된다. 시각 t1 전까지의 샘플링 신호 (22) 에 있어서, 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 연속해서 유지하고 있기 때문에, 통상 동작 (모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨) 을 유지한다. 여기서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 의 상승 에지에서 전위 검출 신호 (41) 의 전위를 판독 입력하는 것으로 한다.The sensor circuit 100 is a rest period during normal operation until the time t1, the mode switching signal 51 maintains the L level, and the sampling signal 22 is output from the clock generator circuit 20 . In the sampling signal 22 before the time t1, the clock control circuit 50 continuously maintains the H level of the potential detection signal 41, so that the normal operation (mode switching signal 51 is L level) to keep Here, it is assumed that the clock control circuit 50 reads out the potential of the potential detection signal 41 at the rising edge of the sampling signal 22 .

센서 회로 (100) 는, 시각 t1 에서 시각 t2 사이는 통상 동작시의 동작 기간이며, 클록 발생 회로 (20) 는 제어 신호 (21) 를 H 레벨로 한다. 물리량 검출부 (10) 는, 동작 기간 중에 자속 밀도 (Bin) 가 임계값 (BOP) 보다 높은 것을 검출하여 신호 처리를 실시하고, 제어 신호 (21) 가 L 레벨이 되었을 때에 물리량 검출 신호 (12) 를 H 레벨로 한다. 그에 따라, 출력 단자 (31) 및 전위 검출 신호 (41) 의 전압은 L 레벨이 된다. 그리고, 센서 회로 (100) 는, 다시 통상 동작시의 휴지 기간이 되고, 모드 전환 신호 (51) 는 L 레벨을 유지하여, 클록 발생 회로 (20) 로부터 샘플링 신호 (22) 가 출력된다.The sensor circuit 100 is an operation period during normal operation between time t1 and time t2, and the clock generation circuit 20 sets the control signal 21 to H level. The physical quantity detection unit 10 detects that the magnetic flux density Bin is higher than the threshold value BOP during the operation period and performs signal processing, and when the control signal 21 becomes L level, the physical quantity detection signal 12 is H level. Accordingly, the voltages of the output terminal 31 and the potential detection signal 41 become L level. Then, the sensor circuit 100 again becomes a rest period during normal operation, the mode switching signal 51 maintains the L level, and the sampling signal 22 is output from the clock generator circuit 20 .

클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t3 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 L 레벨을 판독 입력한다.The clock control circuit 50 reads and inputs the L level of the potential detection signal 41 by the sampling signal 22 at time t3.

여기서, 시각 t4 에서 시각 t7 에 있어서, 출력 단자 (31) 에 외부로부터 강제적으로 H 레벨이 입력되면, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t5, t6 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하고, 또한, 시각 t8 에 있어서, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 L 레벨을 판독 입력한다.Here, from time t4 to time t7, when H level is forcibly inputted to the output terminal 31 from the outside, the clock control circuit 50 detects a potential by the sampling signal 22 at times t5 and t6. The H level of the signal 41 is read and input, and the L level of the potential detection signal 41 is read and inputted by the sampling signal 22 at time t8.

따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 입력된 신호 패턴이 LHHL 의 레벨이 되기 때문에, 시각 t8 에서 시각 t9 사이에 있어서 테스트 모드 입력 신호라고 판단하여, 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환하고, H 레벨의 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.Therefore, the clock control circuit 50 judges that it is a test mode input signal between time t8 and time t9 because the input signal pattern is at the LHHL level, and switches from the normal operation to the test mode, A mode switching signal 51 is output.

센서 회로 (100) 는, 시각 t10 까지 테스트 모드를 유지한 후, 자속 밀도 (Bin) 가 해제 임계값 (BRP) 이하가 된 것을 물리량 검출부 (10) 가 검출하면, 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨로 변화된다. 클록 제어 회로 (50) 는, 물리량 검출 신호 (12) 가 L 레벨로 변화된 것을 받아, 테스트 모드로부터 통상 동작으로 전환하고, L 레벨의 모드 전환 신호 (51) 를 출력한다.After the sensor circuit 100 maintains the test mode until time t10, when the physical quantity detection unit 10 detects that the magnetic flux density Bin has become equal to or less than the release threshold value BRP, the physical quantity detection signal 12 is L change to level. The clock control circuit 50 receives that the physical quantity detection signal 12 has changed to the L level, switches from the test mode to the normal operation, and outputs the L level mode switching signal 51 .

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 통상 동작시의 휴지 기간에 있어서, 출력 단자 (31) 에 외부로부터 강제적으로 소정의 신호 패턴을 갖는 전압을 입력하여, 그것을 검출함으로써 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환하고, 물리량 검출 신호 (12) 의 레벨이 변화된 것을 받아, 테스트 모드로부터 통상 동작으로 전환하는 구성으로 하였다. 따라서, 본 실시형태의 센서 회로 (100) 는, 테스트 모드로 잘못해서 전환될 가능성이 낮아, 안정적인 동작이 가능하다.As described above, the sensor circuit 100 of the present embodiment performs a normal operation by forcibly inputting a voltage having a predetermined signal pattern to the output terminal 31 from the outside and detecting it in the idle period during normal operation. It was set as the structure which switches from operation|movement to a test mode, receives the change of the level of the physical quantity detection signal 12, and switches from a test mode to a normal operation|movement. Accordingly, the sensor circuit 100 of the present embodiment is unlikely to be accidentally switched to the test mode, and stable operation is possible.

또한, 도 2 의 타이밍도에서는, 자속 밀도 (Bin) 가 검출 임계값 (BOP) 보다 높은 상태로부터 테스트 모드로 전환하는 설명을 했지만, 자속 밀도 (Bin) 가 해제 임계값 (BRP) 보다 낮은 상태로부터 테스트 모드로 전환하는 경우에도 동일하다. 이 경우에는, 출력 단자 (31) 를 강제적으로 L 레벨의 전위로 하여, 신호 패턴을 HLLH 로 함으로써, 클록 제어 회로 (50) 는 테스트 모드 입력 신호라고 판단하고, 통상 동작으로부터 테스트 모드로 전환할 수 있다.In addition, in the timing diagram of FIG. 2, although the description was made for switching to the test mode from the state in which the magnetic flux density Bin is higher than the detection threshold value BOP, from the state in which the magnetic flux density Bin is lower than the release threshold value BRP. The same is true for switching to test mode. In this case, by forcibly setting the output terminal 31 to the L level potential and setting the signal pattern to HLLH, the clock control circuit 50 determines that it is a test mode input signal, and can switch from the normal operation to the test mode. have.

또, 신호 패턴을 LHHL 이나 HLLH 로 하여 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 더욱 복잡한 신호 패턴이나 짧은 신호 패턴이어도 된다.Moreover, although the signal pattern was demonstrated as LHHL or HLLH, it is not limited to this, A more complex signal pattern or a short signal pattern may be sufficient.

<제 2 실시형태><Second embodiment>

도 3 은, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 블록도이다. 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 타임아웃 시간을 계수하는 카운터 (60) 를 구비하였다. 또, 제 2 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 카운터 (60) 가 출력하는 타임아웃 신호 (61) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.3 is a block diagram of a sensor circuit 200 according to the second embodiment. The sensor circuit 200 of the second embodiment was provided with a counter 60 for counting the timeout time in addition to the sensor circuit 100 of FIG. 1 . Further, the clock control circuit 50 in the second embodiment is configured to receive the timeout signal 61 output from the counter 60 . About the other structure, since it is the same as that of the sensor circuit 100 of FIG. 1, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and description is abbreviate|omitted.

카운터 (60) 는, 전위 검출 회로 (40) 로부터 출력되는 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 타임아웃 신호 (61) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 타임아웃 신호 (61) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크한다.The counter 60 receives the potential detection signal 41 output from the potential detection circuit 40 , and outputs a timeout signal 61 to the clock control circuit 50 . When the clock control circuit 50 receives the H level timeout signal 61 , it masks the sampling signal 22 .

다음으로, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the sensor circuit 200 of the second embodiment will be described.

도 4 는, 제 2 실시형태의 센서 회로 (200) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.4 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit 200 according to the second embodiment.

도 4 에 있어서, 타임아웃 신호 (61) 의 전압을 V61 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 4, the voltage of the timeout signal 61 is V61. In addition, about the same operation|movement as the timing diagram of FIG. 2, the description is abbreviate|omitted.

시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 단자 (31) 의 전압은 L 레벨이 된다.At time t1, the physical quantity detection signal 12 becomes H level, and the voltage of the output terminal 31 becomes L level.

시각 t2 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되면, 도면에 나타내는 바와 같이 전압 (V31) 이 변동되고, H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 가 출력된다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력한다.At time t2, when noise from the outside is superimposed on the output terminal 31, as shown in the figure, the voltage V31 fluctuates, and an H-level potential detection signal 41 is output. Accordingly, the clock control circuit 50 reads and inputs the H level of the potential detection signal 41 by the sampling signal 22 .

카운터 (60) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 변동을 받아 계수를 개시하고, 시각 t3 에 있어서 타임아웃 시간에 도달하면, 타임아웃 신호 (61) 를 L 레벨로부터 H 레벨로 한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 타임아웃 신호 (61) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크하기 때문에, 시각 4 에 있어서의 외부로부터의 노이즈에 의한 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하지 않는다.The counter 60 starts counting in response to the fluctuation of the potential detection signal 41, and when the timeout time is reached at the time t3, the timeout signal 61 is changed from the L level to the H level. When the clock control circuit 50 receives the timeout signal 61 of H level, since it masks the sampling signal 22, the H level of the potential detection signal 41 due to noise from the outside at time 4 do not read input

따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t2 이후의 신호 패턴을 HLLH 로 인식하지 않기 때문에, 도 4 와 같이 노이즈가 있었다고 해도, 잘못해서 테스트 모드로 전환하는 일이 없다.Therefore, since the clock control circuit 50 does not recognize the signal pattern after time t2 as HLLH, even if there is noise as in FIG. 4, it does not accidentally switch to the test mode.

이상 설명한 바와 같이, 제 2 실시형태의 센서 회로에서는, 타임아웃 신호 (61) 를 출력하는 카운터 (60) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, in the sensor circuit of the second embodiment, since the counter 60 for outputting the timeout signal 61 is provided, it is possible to more reliably prevent a malfunction of accidentally switching to the test mode.

또한, 카운터 (60) 는, 플립플롭에 의한 논리 회로를 사용한 디지털 회로로 구성해도 되고, 정전류원과 용량 소자에 의한 아날로그 계시 회로로 구성해도 된다. 또, 타임아웃 신호 (61) 는, 예를 들어, 시각 t5 또는 t6 에 있어서, 제어 신호 (21) 에 의해 H 레벨로부터 L 레벨로 리셋되도록 하면 된다.In addition, the counter 60 may be comprised by the digital circuit using the logic circuit by a flip-flop, and may be comprised by the analog clock circuit by the constant current source and a capacitor element. The timeout signal 61 may be reset from the H level to the L level by the control signal 21, for example, at time t5 or t6.

<제 3 실시형태><Third embodiment>

도 5 는, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 블록도이다. 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 제어 신호 (21) 를 받아 데드 타임 신호 (71) 를 출력하는 데드 타임 제어 회로 (70) 를 구비하였다. 또, 제 3 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 데드 타임 제어 회로 (70) 가 출력하는 데드 타임 신호 (71) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.5 is a block diagram of a sensor circuit 300 according to the third embodiment. The sensor circuit 300 of the third embodiment includes a dead time control circuit 70 that receives the control signal 21 and outputs the dead time signal 71 in addition to the sensor circuit 100 of FIG. 1 . Moreover, the clock control circuit 50 in 3rd Embodiment was set as the structure which receives the dead-time signal 71 outputted from the dead-time control circuit 70. As shown in FIG. About the other structure, since it is the same as that of the sensor circuit 100 of FIG. 1, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and description is abbreviate|omitted.

데드 타임 제어 회로 (70) 는, 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 데드 타임 신호 (71) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 데드 타임 신호 (71) 를 받으면, 샘플링 신호 (22) 를 마스크한다.The dead time control circuit 70 receives the potential detection signal 41 and outputs the dead time signal 71 to the clock control circuit 50 . The clock control circuit 50 masks the sampling signal 22 upon receiving the H-level dead time signal 71 .

다음으로, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the sensor circuit 300 of the third embodiment will be described.

도 6 은, 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.6 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit 300 according to the third embodiment.

도 6 에 있어서, 데드 타임 신호 (71) 의 전압을 V71 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 6, the voltage of the dead time signal 71 is V71. In addition, about the same operation|movement as the timing diagram of FIG. 2, the description is abbreviate|omitted.

시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 드라이버 (30) 는 출력을 L 레벨로 한다. 여기서, 출력 단자 (31) 의 용량 부하가 큰 경우, 출력 단자 (31) 의 전압 (V31) 은, 출력 단자 (31) 의 용량 부하와 출력 드라이버 (30) 의 온 저항으로 정해지는 시정수에 따라 비교적 긴 시간을 들여 정정 (靜定) 한다.At time t1, the physical quantity detection signal 12 is at the H level, and the output driver 30 sets the output to the L level. Here, when the capacitive load of the output terminal 31 is large, the voltage V31 of the output terminal 31 depends on a time constant determined by the capacitive load of the output terminal 31 and the on-resistance of the output driver 30 . It takes a relatively long time to correct.

데드 타임 제어 회로 (70) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아, 즉 휴지 기간으로의 천이 후의 소정 기간, H 레벨의 데드 타임 신호 (71) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, 데드 타임 신호 (71) 가 H 레벨을 유지하는 시각 t3 까지, 샘플링 신호 (22) 를 마스크하여 샘플링 동작을 실시하지 않는다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t1 로부터 시각 t3 까지의 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력하지 않는다.The dead time control circuit 70 receives that the control signal 21 has reached the H level, that is, outputs the H level dead time signal 71 for a predetermined period after the transition to the idle period. The clock control circuit 50 masks the sampling signal 22 and does not perform the sampling operation until the time t3 at which the dead time signal 71 maintains the H level. Therefore, the clock control circuit 50 does not read and input the H level of the potential detection signal 41 from time t1 to time t3.

시각 t2 에 있어서, 출력 단자 (31) 의 전압 (V31) 은 전위 검출 회로 (40) 의 판정 임계값 (Vth) 을 밑돌기 때문에, 전위 검출 신호 (41) 는 L 레벨이 된다. 따라서, 데드 타임 신호 (71) 가 H 레벨을 유지하는 시간은, 전압 (V31) 이 판정 임계값 (Vth) 을 밑도는 시간보다 길게 하면 된다.At time t2, since the voltage V31 of the output terminal 31 is less than the determination threshold value Vth of the potential detection circuit 40, the potential detection signal 41 becomes L level. Therefore, the time during which the dead time signal 71 maintains the H level may be longer than the time during which the voltage V31 becomes less than the determination threshold value Vth.

따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 시각 t4 에 있어서 출력 단자 (31) 에 노이즈가 중첩되었다고 해도, 시각 t1 이후의 신호 패턴을 HLLH 로 인식하지 않기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환하는 일이 없다.Therefore, since the clock control circuit 50 does not recognize the signal pattern after time t1 as HLLH even if noise is superimposed on the output terminal 31 at time t4, it does not accidentally switch to the test mode. .

이와 같이 제 3 실시형태의 센서 회로 (300) 는, 클록 제어 회로 (50) 에 데드 타임 신호 (71) 를 출력하는 데드 타임 제어 회로 (70) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, since the sensor circuit 300 of the third embodiment includes the dead-time control circuit 70 that outputs the dead-time signal 71 to the clock control circuit 50, a malfunction of erroneously switching to the test mode can be prevented more reliably.

또한, 데드 타임 제어 회로 (70) 는, 플립플롭에 의한 논리 회로로 구성해도 되고, 정전류원과 용량 소자와 임계값 회로에 의한 계시 회로로 구성해도 된다.In addition, the dead time control circuit 70 may be comprised by the logic circuit by a flip-flop, and may be comprised by the clock circuit by a constant current source, a capacitor|capacitance element, and a threshold value circuit.

또, 데드 타임 신호 (71) 는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아 H 레벨을 출력한다고 설명했지만, 발명의 취지에 맞으면 어떠한 신호를 기점으로 해도 된다.In addition, although it has been described that the dead time signal 71 outputs the H level when the control signal 21 has reached the H level, any signal may be used as the starting point as long as it meets the gist of the invention.

<제 4 실시형태><Fourth embodiment>

도 7 은, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 블록도이다. 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 는, 도 1 의 센서 회로 (100) 에 추가하여 리셋 신호 (81) 를 출력하는 리셋 회로 (80) 를 구비하였다. 또, 제 4 실시형태에 있어서의 클록 제어 회로 (50) 는, 리셋 회로 (80) 가 출력하는 리셋 신호 (81) 를 받는 구성으로 하였다. 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 의 센서 회로 (100) 와 동일하기 때문에, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다.7 is a block diagram of a sensor circuit 400 according to the fourth embodiment. The sensor circuit 400 of the fourth embodiment includes a reset circuit 80 that outputs a reset signal 81 in addition to the sensor circuit 100 of FIG. 1 . Further, the clock control circuit 50 in the fourth embodiment is configured to receive the reset signal 81 output from the reset circuit 80 . About the other structure, since it is the same as that of the sensor circuit 100 of FIG. 1, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and description is abbreviate|omitted.

리셋 회로 (80) 는, 전위 검출 신호 (41) 가 입력되고, 클록 제어 회로 (50) 에 리셋 신호 (81) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 받으면, 신호 패턴을 유지하는 시프트 레지스터를 리셋한다.The reset circuit 80 receives the potential detection signal 41 and outputs the reset signal 81 to the clock control circuit 50 . When the clock control circuit 50 receives the reset signal 81 of the H level, it resets the shift register holding the signal pattern.

다음으로, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the sensor circuit 400 of the fourth embodiment will be described.

도 8 은, 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 의 동작을 나타내는 타이밍도이다.8 is a timing diagram showing the operation of the sensor circuit 400 according to the fourth embodiment.

도 8 에 있어서, 리셋 신호 (81) 의 전압을 V81 로 한다. 또, 도 2 의 타이밍도와 동일한 동작에 대해서는 그 설명을 생략한다.In Fig. 8, the voltage of the reset signal 81 is V81. In addition, about the same operation|movement as the timing diagram of FIG. 2, the description is abbreviate|omitted.

시각 t1 에 있어서, 물리량 검출 신호 (12) 는 H 레벨이 되고, 출력 드라이버 (30) 는 출력을 L 레벨로 한다. 리셋 신호 (81) 는, 휴지 기간이 되면 L 레벨로 리셋된다.At time t1, the physical quantity detection signal 12 is at the H level, and the output driver 30 sets the output to the L level. The reset signal 81 is reset to the L level when the rest period is reached.

시각 t2 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되면, 도면에 나타내는 바와 같이 전압 (V31) 이 변동되고, H 레벨의 전위 검출 신호 (41) 가 출력된다. 따라서, 클록 제어 회로 (50) 는, 샘플링 신호 (22) 에 의해 전위 검출 신호 (41) 의 H 레벨을 판독 입력한다.At time t2, when noise from the outside is superimposed on the output terminal 31, as shown in the figure, the voltage V31 fluctuates, and an H-level potential detection signal 41 is output. Accordingly, the clock control circuit 50 reads and inputs the H level of the potential detection signal 41 by the sampling signal 22 .

여기서, 리셋 회로 (80) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 신호의 폭을 검출하는 기능을 갖는다. 예를 들어, 도 8 의 시각 t2 와 같이 폭이 작은 것을 검출하면, 예를 들어 시각 t3 에 있어서, 클록 제어 회로 (50) 에 H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 출력한다. 클록 제어 회로 (50) 는, H 레벨의 리셋 신호 (81) 를 받으면, 신호 패턴을 유지하는 시프트 레지스터를 리셋한다. 즉, 시각 t2 에서 시프트 레지스터에 판독 입력된 H 레벨은 리셋된다.Here, the reset circuit 80 has a function of detecting the signal width of the potential detection signal 41 . For example, when detecting that the width is small as in time t2 in FIG. 8 , the reset signal 81 of H level is output to the clock control circuit 50 at time t3, for example. When the clock control circuit 50 receives the reset signal 81 of the H level, it resets the shift register holding the signal pattern. That is, the H level read and input into the shift register at time t2 is reset.

따라서, 시각 t4 에 있어서, 외부로부터의 노이즈가 출력 단자 (31) 에 중첩되었다고 해도, 클록 제어 회로 (50) 는, 전위 검출 신호 (41) 의 패턴을 잘못해서 HLLH 로 인식하는 일이 없어진다.Therefore, even if noise from the outside is superimposed on the output terminal 31 at time t4, the clock control circuit 50 does not mistake the pattern of the potential detection signal 41 and recognizes it as HLLH.

이와 같이 제 4 실시형태의 센서 회로 (400) 는, 클록 제어 회로 (50) 에 리셋 신호 (81) 를 출력하는 리셋 회로 (80) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, since the sensor circuit 400 of the fourth embodiment is provided with the reset circuit 80 for outputting the reset signal 81 to the clock control circuit 50, a malfunction of erroneously switching to the test mode is more reliably confirmed. can be prevented

또한, 리셋 신호 (81) 는, 도 8 에서는, 제어 신호 (21) 가 H 레벨이 된 것을 받아 L 레벨로 되어 있지만, 예를 들어 원숏 펄스로 해도 된다.In addition, although the reset signal 81 is L level in response to the control signal 21 becoming H level in FIG. 8, it is good also as a one-shot pulse, for example.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 센서 회로는, 샘플링 신호 (22) 에 동기하여 전위 검출 신호 (41) 를 샘플링하는 클록 제어 회로 (50) 와, 휴지 기간에 있어서 샘플링 신호 (22) 를 출력하는 클록 발생 회로 (20) 를 구비하였기 때문에, 잘못해서 테스트 모드로 전환된다는 오동작을 보다 확실하게 방지할 수 있다.As described above, the sensor circuit of the present invention includes a clock control circuit 50 that samples the potential detection signal 41 in synchronization with the sampling signal 22, and a clock that outputs the sampling signal 22 in the idle period. Since the generator circuit 20 is provided, it is possible to more reliably prevent a malfunction of accidentally switching to the test mode.

또한, 실시형태에 있어서, 물리량 검출부 (10) 를 자기 센서 회로로서 설명했지만, 물리량의 검출 결과를 출력 단자 (31) 로부터 2 치 신호로서 출력하는 구성이면, 이것에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 물리량 검출부 (10) 는, 온도 센서 회로나 광 센서 회로여도 된다.In addition, in embodiment, although the physical quantity detection part 10 was demonstrated as a magnetic sensor circuit, if it is a structure which outputs the detection result of a physical quantity as a binary signal from the output terminal 31, it will not restrict to this. For example, the physical quantity detection unit 10 may be a temperature sensor circuit or an optical sensor circuit.

또, 본 발명의 센서 회로는, 반드시 이 구성이나 센서 소자에 제한되는 것은 아니며, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이나 조합 등이 가능하다. 예를 들어, 각 실시형태의 회로를 적절히 조합해도 된다. 또한, 물리량 검출부 (10) 와 출력 단자 (31) 와 클록 제어 회로 (50) 의 조합을 복수 구비하고, 각각의 출력 단자에 강제적으로 전압을 인가하여, 그 조합으로 테스트 모드로 전환하는 구성으로 해도 된다.In addition, the sensor circuit of this invention is not necessarily limited to this structure or a sensor element, Various changes, combinations, etc. are possible in the range which does not deviate from the meaning of invention. For example, you may combine the circuits of each embodiment suitably. In addition, even with a configuration in which a plurality of combinations of the physical quantity detection unit 10, the output terminal 31, and the clock control circuit 50 are provided, a voltage is forcibly applied to each output terminal, and the combination switches to the test mode. do.

10 : 물리량 검출부
20 : 클록 발생 회로
30 : 출력 드라이버
31 : 출력 단자
40 : 전위 검출 회로
50 : 클록 제어 회로
60 : 카운터
70 : 데드 타임 제어 회로
80 : 리셋 회로
100, 200, 300, 400 : 센서 회로
10: physical quantity detection unit
20: clock generation circuit
30: output driver
31: output terminal
40: potential detection circuit
50: clock control circuit
60 : counter
70: dead time control circuit
80: reset circuit
100, 200, 300, 400: sensor circuit

Claims (5)

동작 기간과 휴지 기간을 구비한 간헐 동작을 하는 센서 회로로서,
인가되는 물리량에 따라 2 개의 상이한 전위 레벨의 물리량 검출 신호를 출력하는 물리량 검출부와,
상기 물리량 검출 신호를 받아 논리 신호를 출력 단자에 출력하는 출력 드라이버와,
상기 물리량 검출부에 상기 간헐 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하고, 상기 휴지 기간에 샘플링 신호를 출력하는 클록 발생 회로와,
상기 출력 단자의 전위를 검출하고, 검출 신호를 출력하는 전위 검출 회로와,
상기 샘플링 신호와 상기 검출 신호가 입력되고, 상기 클록 발생 회로에 모드 전환 신호를 출력하는 클록 제어 회로를 구비하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 검출 신호를 상기 샘플링 신호에 기초하여 샘플링한 데이터에 소정의 신호 패턴을 검출하면, 상기 클록 발생 회로를 테스트 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
A sensor circuit for intermittent operation having an operation period and an idle period, the sensor circuit comprising:
a physical quantity detection unit for outputting physical quantity detection signals of two different potential levels according to the applied physical quantity;
an output driver receiving the physical quantity detection signal and outputting a logic signal to an output terminal;
a clock generation circuit for outputting a control signal for controlling the intermittent operation to the physical quantity detection unit and outputting a sampling signal during the idle period;
a potential detection circuit for detecting the potential of the output terminal and outputting a detection signal;
a clock control circuit receiving the sampling signal and the detection signal and outputting a mode switching signal to the clock generator circuit;
wherein the clock control circuit outputs a mode switching signal for switching the clock generation circuit to a test mode when a predetermined signal pattern is detected in data sampled from the detection signal based on the sampling signal. .
제 1 항에 있어서,
상기 클록 제어 회로는, 추가로 상기 물리량 검출부가 출력하는 상기 물리량 검출 신호가 입력되고,
상기 테스트 모드에 있어서 상기 물리량 검출 신호가 변화되면, 통상 모드로 전환하는 모드 전환 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
The method of claim 1,
The clock control circuit further receives the physical quantity detection signal output by the physical quantity detection unit;
and outputting a mode switching signal for switching to a normal mode when the physical quantity detection signal changes in the test mode.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
추가로 카운터를 구비하고,
상기 카운터는, 상기 검출 신호의 변동을 받아 계수를 개시하고, 타임아웃 시간에 도달하면 상기 클록 제어 회로에 타임아웃 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 타임아웃 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
3. The method according to claim 1 or 2,
In addition, a counter is provided,
the counter starts counting in response to a change in the detection signal, and outputs a timeout signal to the clock control circuit when a timeout time is reached;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the timeout signal.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
추가로 데드 타임 제어 회로를 구비하고,
상기 데드 타임 제어 회로는, 상기 휴지 기간으로의 천이 후의 소정 기간에 상기 클록 제어 회로에 데드 타임 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 데드 타임 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a dead time control circuit,
the dead time control circuit outputs a dead time signal to the clock control circuit in a predetermined period after the transition to the idle period;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the dead time signal.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
추가로 리셋 회로를 구비하고,
상기 리셋 회로는, 상기 검출 신호의 폭이 소정 값보다 작은 것을 검출하면 상기 클록 제어 회로에 리셋 신호를 출력하고,
상기 클록 제어 회로는, 상기 리셋 신호에 의해 상기 샘플링 신호를 마스크하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a reset circuit,
the reset circuit outputs a reset signal to the clock control circuit when detecting that the width of the detection signal is smaller than a predetermined value;
and the clock control circuit masks the sampling signal by the reset signal.
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