KR102303131B1 - Laser machining apparatus - Google Patents

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Abstract

레이저 광선의 출력을 제어하는 일없이 균일한 깊이의 레이저 가공홈을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공한다.
피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단을 구비하는 레이저 가공 장치로서, 레이저 광선 조사 수단은, 펄스 레이저 광선 발진 수단과, 펄스 레이저 광선을 집광하는 집광기와, 펄스 레이저 광선 발진 수단과 집광기 사이에 배치되어 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 스캔하여 집광기에 유도하는 스캐닝 미러로 구성되어 있고, 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물의 가공 깊이를 검출하는 가공 깊이 검출 수단을 구비하며, 가공 깊이 검출 수단은, 스캐닝 미러를 향하여 미리 정해진 파장 대역을 갖는 검사광을 내는 검사 광원과, 검사 광원과 스캐닝 미러 사이에 배치되어 검사광의 파장에 대응하여 분광하여 검사광의 확산각을 파장마다 약간 변경하는 색수차 렌즈와, 검사 광원과 색수차 렌즈 사이에 배치되어 피가공물에 조사된 검사광의 반사광을 반사광 검출 경로에 분기하는 빔 스플리터와, 반사광 검출 경로에 배치되어 피가공물과 초점이 일치한 파장의 반사광을 통과시키는 파장 선별 수단과, 파장 선별 수단을 통과한 반사광의 파장을 검출하는 파장 검출 수단과, 파장 검출 수단에 의해 검출된 파장에 기초하여 피가공물의 가공 깊이를 구하는 제어 수단으로 구성되어 있다.A laser processing apparatus capable of forming a laser processing groove of a uniform depth without controlling the output of a laser beam is provided.
A laser processing apparatus comprising: a workpiece holding means for holding a work; , a condenser for condensing the pulsed laser beam, and a scanning mirror disposed between the pulsed laser beam oscillation means and the condenser to scan the pulsed laser beam oscillated from the laser beam oscillation means and guide it to the condenser, and a machining depth detecting means for detecting a machining depth of the workpiece, wherein the machining depth detecting means is disposed between an inspection light source that emits inspection light having a predetermined wavelength band toward the scanning mirror, and the inspection light source and the scanning mirror a chromatic aberration lens that is divided according to the wavelength of the inspection light and slightly changes the diffusion angle of the inspection light for each wavelength; , a wavelength sorting means disposed in the reflected light detection path to pass reflected light having a wavelength coincident with that of the workpiece; a wavelength detecting means for detecting the wavelength of the reflected light passing through the wavelength sorting means; based on the control means for calculating the processing depth of the workpiece.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}Laser processing equipment {LASER MACHINING APPARATUS}

본 발명은 척 테이블에 유지된 반도체 웨이퍼 등의 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for performing laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer held on a chuck table.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다.In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by scheduled division lines arranged in a grid on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. And by cutting a semiconductor wafer along a street, the area|region in which the device was formed is divided|segmented, and each semiconductor device is manufactured.

최근에 있어서는, IC, LSI 등의 반도체 칩의 처리 능력을 향상시키기 위해, 실리콘 등의 기판의 표면에 SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막으로 이루어지는 저유전율 절연체 피막(Low-k막)이 적층된 기능층에 의해 반도체 디바이스를 형성시킨 형태의 반도체 웨이퍼가 실용화되어 있다.In recent years, in order to improve the processing capability of semiconductor chips such as IC and LSI, an inorganic film such as SiOF, BSG (SiOB), or a polymer film such as polyimide or parylene is used on the surface of a substrate such as silicon. A semiconductor wafer of a form in which a semiconductor device is formed by a functional layer on which a low-k insulator film (Low-k film) made of an organic material is laminated has been put to practical use.

이러한 반도체 웨이퍼의 스트리트를 따른 분할은, 통상, 다이서라고 불리고 있는 절삭 장치에 의해 행해지고 있다. 이 절삭 장치는, 피가공물인 반도체 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 반도체 웨이퍼를 절삭하기 위한 절삭 수단과, 척 테이블과 절삭 수단을 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있다. 절삭 수단은, 고속 회전되는 회전 스핀들과 상기 스핀들에 장착된 절삭 블레이드를 포함하고 있다. 절삭 블레이드는 원반형의 베이스와 상기 베이스의 측면 외주부에 장착된 환형의 절삭날로 이루어져 있고, 절삭날은 예컨대 입경 3 ㎛ 정도의 다이아몬드 지립을 전기 주조에 의해 고정하여 형성되어 있다.The division|segmentation along the street of such a semiconductor wafer is normally performed by the cutting device called a dicer. This cutting device includes a chuck table holding a semiconductor wafer as a workpiece, cutting means for cutting the semiconductor wafer held on the chuck table, and moving means for relatively moving the chuck table and the cutting means. The cutting means includes a high-speed rotating spindle and a cutting blade mounted on the spindle. The cutting blade consists of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer peripheral portion of the side of the base, and the cutting edge is formed by, for example, fixing diamond abrasive grains having a particle diameter of about 3 μm by electroforming.

그런데, 전술한 Low-k막은, 절삭 블레이드에 의해 절삭하는 것이 곤란하다. 즉, Low-k막은 운모와 같이 매우 취약하기 때문에, 절삭 블레이드에 의해 분할 예정 라인을 따라 절삭하면, Low-k막이 박리하여, 이 박리가 회로에까지 달하여 디바이스에 치명적인 손상을 부여한다고 하는 문제가 있다.However, it is difficult to cut the aforementioned Low-k film with a cutting blade. In other words, since the low-k film is very fragile like mica, when it is cut along the dividing line with a cutting blade, the low-k film peels off, and this peeling reaches the circuit, causing fatal damage to the device. .

또한, 분할 예정 라인 상의 기능층에 디바이스의 기능을 테스트하기 위한 테스트 엘리멘트 그룹(TEG)이라고 칭하는 테스트용의 금속막이 배치되어 있는 반도체 웨이퍼에 있어서는, 절삭 블레이드에 의해 절삭하면 버어가 생겨 디바이스의 품질을 저하시키며, 절삭 블레이드의 드레싱을 빈번하게 실시할 필요가 있어 생산성이 저하한다고 하는 문제가 있다.In addition, in a semiconductor wafer in which a test metal film called a test element group (TEG) for testing a device function is disposed on a functional layer on a line to be divided, burrs are generated when cutting with a cutting blade, which improves the quality of the device. There is a problem that it is necessary to frequently dress the cutting blade, thereby reducing productivity.

상기 문제를 해소하기 위해, 반도체 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라 레이저 광선을 조사함으로써 Low-k막으로 이루어지는 적층체에 레이저 가공홈을 형성하여 기능층을 분단하고, 이 기능층을 분단한 레이저 가공홈에 절삭 블레이드를 배치하여 절삭 블레이드와 반도체 웨이퍼를 상대 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 절단하는 웨이퍼의 분할 방법이 하기 특허문헌 1에 개시되어 있다.In order to solve the above problem, by irradiating a laser beam along a line to be divided on a semiconductor wafer, a laser processing groove is formed in a laminate made of a low-k film to divide a functional layer, and laser processing in which the functional layer is divided The following patent document 1 discloses a wafer division method in which a semiconductor wafer is cut along a line to be divided by arranging a cutting blade in a groove to relatively move the cutting blade and the semiconductor wafer.

그런데, 분할 예정 라인 상의 기능층에 디바이스의 기능을 테스트하기 위한 테스트 엘리멘트 그룹(TEG)이라고 칭하는 테스트용의 금속막이 배치되어 있는 반도체 웨이퍼에 있어서는, 분할 예정 라인을 따라 균일한 깊이의 레이저 가공홈을 형성할 수 없다고 하는 문제가 있다. 이 문제를 해소하기 위해, 테스트용의 금속막이 배치되어 있는 영역을 검출하여 좌표를 작성하여 기억하고, 기억된 좌표에 기초하여 레이저 광선의 출력을 조정하면서 분할 예정 라인을 따라 레이저 광선을 조사하는 기술이 하기 특허문헌 2에 개시되어 있다.However, in a semiconductor wafer in which a test metal film called a test element group (TEG) for testing device functions is disposed in a functional layer on a line to be divided, a laser processing groove of a uniform depth is formed along the line to be divided. There is a problem that it cannot be formed. To solve this problem, a technology that detects the area where the metal film for testing is arranged, creates and stores the coordinates, and irradiates the laser beam along the line to be divided while adjusting the output of the laser beam based on the stored coordinates This is disclosed in Patent Document 2 below.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-64231호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2005-64231 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2005-118832호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2005-118832

그렇게 하여, 상기 특허문헌 2에 개시된 기술과 같이 테스트용의 금속막이 배치되어 있는 영역을 검출하여 좌표를 작성하기 위해서는 상당한 시간을 요하여 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있으며, 좌표에 기초하여 레이저 광선의 출력을 타이밍 좋게 제어하는 것이 반드시 용이하지 않다.In this way, as in the technique disclosed in Patent Document 2, it takes a considerable amount of time to detect the area where the metal film for testing is arranged and create coordinates, so there is a problem that productivity is poor, and the output of the laser beam based on the coordinates It is not necessarily easy to timely control the

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 레이저 광선의 출력을 제어하는 일없이 균일한 깊이의 레이저 가공홈을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical object is to provide a laser processing apparatus capable of forming a laser processing groove of a uniform depth without controlling the output of a laser beam.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단을 포함하는 레이저 가공 장치로서,In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, laser processing comprising a workpiece holding means for holding a workpiece, and a laser beam irradiation means for irradiating a laser beam to the workpiece held by the workpiece holding means As a device,

상기 레이저 광선 조사 수단은, 펄스 레이저 광선을 발진하는 펄스 레이저 광선 발진 수단과, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하여 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 조사하는 집광기와, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단과 상기 집광기 사이에 배치되어 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 스캔하여 상기 집광기에 유도하는 스캐닝 미러로 구성되어 있고,The laser beam irradiating means includes: pulsed laser beam oscillation means for oscillating a pulsed laser beam; and a scanning mirror disposed between the pulsed laser beam oscillation means and the condenser to scan the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means and guide it to the condenser,

상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물의 가공 깊이를 검출하는 가공 깊이 검출 수단을 구비하며,a processing depth detection means for detecting a processing depth of the workpiece held by the workpiece holding means;

상기 가공 깊이 검출 수단은, 상기 스캐닝 미러를 향하여 미리 정해진 파장 대역을 갖는 검사광을 내는 검사 광원과, 상기 검사 광원과 상기 스캐닝 미러 사이에 배치되어 검사광의 파장에 대응하여 분광하여 검사광의 확산각을 파장마다 약간 변경하는 색수차 렌즈와, 상기 검사 광원과 상기 색수차 렌즈 사이에 배치되어 상기 검사 광원으로부터 나와 상기 스캐닝 미러 및 상기 집광기를 통해 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 조사된 검사광의 반사광을 반사광 검출 경로에 분기하는 빔 스플리터와, 상기 반사광 검출 경로에 배치되어 반사광의 파장 대역 중에서 피가공물과 초점이 일치한 파장의 검사광의 반사광을 통과시키는 파장 선별 수단과, 상기 파장 선별 수단을 통과한 검사광의 반사광의 파장을 검출하는 파장 검출 수단과, 상기 파장 검출 수단에 의해 검출된 파장에 기초하여 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물의 가공 깊이를 구하는 제어 수단으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다.The processing depth detecting means includes: an inspection light source emitting inspection light having a predetermined wavelength band toward the scanning mirror; a chromatic aberration lens that slightly changes for each wavelength, and the inspection light that is disposed between the inspection light source and the chromatic aberration lens and is emitted from the inspection light source and irradiated to the workpiece held by the workpiece holding means through the scanning mirror and the light condenser. a beam splitter branching to the reflected light detection path; a wavelength sorting means disposed in the reflected light detecting path to pass the reflected light of the inspection light having the same focus as the workpiece in the wavelength band of the reflected light; A laser characterized by comprising: wavelength detection means for detecting the wavelength of the reflected light of light; and control means for obtaining a processing depth of the workpiece held by the workpiece holding means based on the wavelength detected by the wavelength detection means A processing device is provided.

본 발명에 따른 레이저 가공 장치는 전술한 바와 같이 구성되고, 레이저 광선 조사 수단을 작동시켜 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하면서 가공 깊이 검출 수단에 의해 가공되는 레이저 가공홈의 깊이를 검출하며, 레이저 가공홈이 미리 정해진 두께에 달하였다면 피가공물에의 레이저 광선의 조사를 정지하기 때문에, 피가공물에 이종의 재료가 존재하고 있어도, 레이저 광선의 출력을 제어하는 일없이 균일한 깊이의 레이저 가공홈을 형성할 수 있다. 따라서, 이종의 재료가 존재하는 영역을 검출하여 좌표를 작성할 필요가 없기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.The laser processing apparatus according to the present invention is configured as described above, and operates the laser beam irradiation means to irradiate the laser beam to the workpiece held by the workpiece holding means while irradiating the laser beam to the depth of the laser processing groove processed by the processing depth detecting means. When the laser processing groove reaches a predetermined thickness, the laser beam irradiation to the workpiece is stopped, so even if a different material is present in the workpiece, the laser beam output is not controlled and the laser beam output is not controlled. of laser processing grooves can be formed. Therefore, since there is no need to create coordinates by detecting regions in which different materials exist, productivity can be improved.

도 1은 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 레이저 광선 조사 수단 및 가공 깊이 검출 수단의 블록 구성도이다.
도 3은 도 2에 나타내는 가공 깊이 검출 수단의 검사광의 각 파장의 집광점을 나타내는 설명도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 제어 수단의 블록 구성도이다.
도 5는 검사광의 파장(㎚)과 가공 깊이(㎛)의 관계를 나타내는 제어 맵이다.
도 6은 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도이다.
도 7은 도 6에 나타내는 반도체 웨이퍼를 환형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치에 의해 실시하는 레이저 가공홈 형성 공정 및 이송 공정의 설명도이다.1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed in accordance with the present invention;
FIG. 2 is a block configuration diagram of a laser beam irradiation means and a processing depth detection means equipped in the laser processing apparatus shown in FIG. 1 .
It is explanatory drawing which shows the condensing point of each wavelength of the inspection light of the processing depth detection means shown in FIG.
Fig. 4 is a block diagram of a control means equipped with the laser processing apparatus shown in Fig. 1;
5 is a control map showing the relationship between the wavelength (nm) of inspection light and the processing depth (μm).
6 is a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer as a to-be-processed object.
Fig. 7 is a perspective view showing a state in which the semiconductor wafer shown in Fig. 6 is adhered to the surface of a dicing tape mounted on an annular frame.
It is explanatory drawing of the laser processing groove|channel formation process and the conveyance process implemented by the laser processing apparatus shown in FIG.

이하, 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the laser processing apparatus comprised according to this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 레이저 가공 장치의 사시도를 나타내고 있다. 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치는, 정지 베이스(2)와, 상기 정지 베이스(2)에 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 배치되어 피가공물을 유지하는 척 테이블 기구(3)와, 베이스(2) 상에 배치된 레이저 광선 조사 수단으로서의 레이저 광선 조사 유닛(4)을 구비하고 있다.Fig. 1 shows a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. The laser processing apparatus shown in FIG. 1 is a stationary base 2 and a chuck table which is arrange|positioned movably in the processing feed direction (X-axis direction) indicated by the arrow X on the stationary base 2, and holds a to-be-processed object. A mechanism 3 is provided, and a laser beam irradiation unit 4 as a laser beam irradiation means disposed on the base 2 is provided.

상기 척 테이블 기구(3)는, 정지 베이스(2) 상에 X축 방향을 따라 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(31, 31)과, 상기 안내 레일(31, 31) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 배치된 제1 슬라이딩 블록(32)과, 상기 제1 슬라이딩 블록(32) 상에 가공 이송 방향(X축 방향)과 직교하는 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 제2 슬라이딩 블록(33)과, 상기 제2 슬라이딩 블록(33) 상에 원통 부재(34)에 의해 지지된 지지 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척 테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착 척(361)을 구비하고 있고, 흡착 척(361)의 상면인 유지면 상에 피가공물인 예컨대 원 형상의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척 테이블(36)은, 원통 부재(34) 내에 배치된 도시하지 않는 펄스 모터에 의해 회전된다. 또한, 척 테이블(36)에는, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 보호 테이프를 통해 지지하는 환형의 프레임을 고정하기 위한 클램프(362)가 배치되어 있다.The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 arranged in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and on the guide rails 31 and 31 in the X-axis direction. In the indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by the arrow Y orthogonal to the machining feed direction (X-axis direction) on the first sliding block 32 , which is movably arranged, A second sliding block 33 arranged movably, a support table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33, and a chuck table 36 as a workpiece holding means is provided. This chuck table 36 is provided with a suction chuck 361 formed of a porous material, and is formed by a suction means, not shown, of a circular semiconductor wafer as a workpiece on a holding surface which is an upper surface of the suction chuck 361. is meant to be maintained. The chuck table 36 configured in this way is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34 . In addition, a clamp 362 is disposed on the chuck table 36 for fixing an annular frame that supports a workpiece such as a semiconductor wafer via a protective tape.

상기 제1 슬라이딩 블록(32)은, 그 하면에 상기 한쌍의 안내 레일(31, 31)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(321, 321)이 마련되어 있으며, 그 상면에 Y축 방향을 따라 평행하게 형성된 한쌍의 안내 레일(322, 322)이 마련되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 슬라이딩 블록(32)은, 피안내홈(321, 321)이 한쌍의 안내 레일(31, 31)에 감합함으로써, 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제1 슬라이딩 블록(32)을 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동시키기 위한 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 가공 이송 수단(37)은, 상기 한쌍의 안내 레일(31과 31) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(371)와, 상기 수나사 로드(371)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(371)는, 제1 슬라이딩 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해 수나사 로드(371)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제1 슬라이딩 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라 X축 방향으로 이동된다.The first sliding block 32 is provided with a pair of guide grooves 321 and 321 fitted with the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and parallel along the Y-axis direction on the upper surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed are provided. The first sliding block 32 configured in this way moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31 and 31 by fitting the guide grooves 321 and 321 to the pair of guide rails 31 and 31 . configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes machining feed means 37 for moving the first sliding block 32 along the pair of guide rails 31 and 31 in the X-axis direction, have. The machining transport means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31 and a driving source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371 . contains The male screw rod 371 is rotatably supported at one end by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2 , and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 372 . Further, the male screw rod 371 is screwed into a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided to protrude from the lower surface of the central portion of the first sliding block 32 . Accordingly, by driving the external screw rod 371 in forward rotation and reverse rotation by the pulse motor 372 , the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31 and 31 in the X-axis direction.

상기 제2 슬라이딩 블록(33)은, 그 하면에 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 마련된 한쌍의 안내 레일(322, 322)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(331, 331)이 마련되어 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 한쌍의 안내 레일(322, 322)에 감합함으로써, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 도시된 실시형태에 있어서의 척 테이블 기구(3)는, 제2 슬라이딩 블록(33)을 제1 슬라이딩 블록(32)에 마련된 한쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동시키기 위한 인덱싱 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 인덱싱 이송 수단(38)은, 상기 한쌍의 안내 레일(322와 322) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(381)와, 상기 수나사 로드(381)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(381)는, 그 일단이 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(381)는, 제2 슬라이딩 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해 수나사 로드(381)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제2 슬라이딩 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라 Y축 방향으로 이동된다.The second sliding block 33 is provided with a pair of guide grooves 331 and 331 fitted with a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof, , By fitting the guide grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, they are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for moving the second sliding block 33 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 322 and 322 provided in the first sliding block 32 . Indexing conveyance means (38) is provided. The indexing transfer means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322 , and a driving source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381 . contains The external threaded rod 381 is rotatably supported at one end by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32 , and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 382 . has been Further, the male screw rod 381 is screwed into a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided to protrude from the lower surface of the central portion of the second sliding block 33 . Accordingly, by driving the external screw rod 381 in forward rotation and reverse rotation by the pulse motor 382 , the second sliding block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction.

상기 레이저 광선 조사 유닛(4)은, 상기 베이스(2) 상에 배치된 지지 부재(41)와, 상기 지지 부재(41)에 의해 지지되어 실질 상 수평으로 연장되는 케이싱(42)과, 상기 케이싱(42)에 배치된 레이저 광선 조사 수단(5)과, 케이싱(42)의 전단부에 배치되어 레이저 가공하여야 하는 가공 영역을 검출하는 촬상 수단(6)을 구비하고 있다. 또한, 촬상 수단(6)은, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 상기 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하며, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 disposed on the base 2 , a casing 42 supported by the support member 41 and extending substantially horizontally, and the casing A laser beam irradiating means 5 disposed at 42, and an imaging device 6 disposed at the front end of the casing 42 for detecting a processing region to be laser processed are provided. In addition, the imaging means 6 includes an illuminating means for illuminating the object to be processed, an optical system for capturing the area illuminated by the illuminating means, and an imaging device (CCD) or the like for imaging the image captured by the optical system. and sends the captured image signal to a control means to be described later.

상기 레이저 광선 조사 수단(5)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다.The said laser beam irradiation means 5 is demonstrated with reference to FIG.

레이저 광선 조사 수단(5)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)과, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하여 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 조사하는 집광기(52)와, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)과 집광기(52) 사이에 배치되어 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)으로부터 발진된 레이저 광선을 스캔하여 집광기(52)에 유도하는 스캐닝 미러(53)로 구성되어 있다. 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)은, 펄스 레이저 광선 발진기(511)와, 이것에 부설된 반복 주파수 설정 수단(512)으로 구성되어 있다. 또한, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)의 펄스 레이저 광선 발진기(511)는, 도시된 실시형태에 있어서는 파장이 355 ㎚인 펄스 레이저 광선(LB)을 발진한다. 상기 집광기(52)는, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)을 집광하는 fθ 렌즈(521)를 구비하고 있다. 또한, 집광기(52)는, 도시하지 않는 집광점 위치 조정 수단에 의해 척 테이블(36)의 유지면에 대하여 수직인 집광점 위치 조정 방향[도 1에 있어서 화살표(Z)로 나타내는 Z축 방향]으로 이동되도록 되어 있다.The laser beam irradiating means 5 condenses the pulsed laser beam oscillating means 51 and the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 and holds the workpiece W held by the chuck table 36 . Scanning for scanning a condenser 52 irradiating to the light, and disposed between the pulsed laser beam oscillation means 51 and the condenser 52 to scan the laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 51 and guide it to the condenser 52 . It is composed of a mirror (53). The pulsed laser beam oscillation means 51 is composed of a pulsed laser beam oscillator 511 and a repetition frequency setting means 512 attached thereto. In addition, the pulsed laser beam oscillator 511 of the pulsed laser beam oscillation means 51 oscillates the pulsed laser beam LB whose wavelength is 355 nm in the illustrated embodiment. The condenser 52 is provided with an fθ lens 521 for condensing the pulsed laser beam LB oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 51 . In addition, the condenser 52 is positioned in a converging point position adjustment direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 36 (the Z-axis direction indicated by an arrow Z in FIG. 1 ) by a light converging point position adjusting means (not shown). is intended to be moved to

상기 스캐닝 미러(53)는, 도시된 실시형태에 있어서는 폴리곤 미러로 이루어져 있고, 스캔 모터(530)에 의해 도 2에 있어서 화살표(53a)로 나타내는 방향으로 회전함으로써, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)을 LB1부터 LBn의 범위에서 X축 방향을 따라 fθ 렌즈(521)에 유도한다. 또한, 스캐닝 미러(53)로서는 갈바노 미러를 이용하여도 좋다. 또한, 상기 fθ 렌즈(521)에 의해 집광되는 펄스 레이저 광선(LB1부터 LBn)의 범위는, 도시된 실시형태에 있어서는 과장하여 그리고 있지만 예컨대 2 ㎜로 설정되어 있다.The said scanning mirror 53 consists of a polygon mirror in the illustrated embodiment, and is rotated by the scanning motor 530 in the direction indicated by the arrow 53a in FIG. 2, The pulse laser beam oscillation means 51 The pulse laser beam LB oscillated from LB1 is guided to the fθ lens 521 along the X-axis direction in the range LB1 to LBn. In addition, as the scanning mirror 53, you may use a galvanometer mirror. In addition, although the range of the pulsed laser beams LB1 to LBn condensed by the said fθ lens 521 is exaggerated in the illustrated embodiment, it is set to, for example, 2 mm.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 광선 조사 수단(5)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)과 스캐닝 미러(53) 사이에 배치되고, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)의 광축을 편향시키는 광축 변경 수단(54)을 구비하고 있다. 이 광축 변경 수단(54)은, 도시된 실시형태에 있어서는 음향 광학 소자(AOD)로 이루어지고, 소정 주파수의 RF(radio frequency)가 인가된 경우에, 도 2에 있어서 파선으로 나타내는 바와 같이 펄스 레이저 광선(LB)의 광축을 레이저 광선 흡수 수단(55)을 향하여 변경한다.The laser beam irradiating means 5 in the illustrated embodiment is arranged between the pulsed laser beam oscillation means 51 and the scanning mirror 53, and a pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 51 ( Optical axis changing means 54 for deflecting the optical axis of LB) is provided. This optical axis changing means 54 is made of an acoustooptical element (AOD) in the illustrated embodiment, and when RF (radio frequency) of a predetermined frequency is applied, as indicated by a broken line in FIG. 2 , a pulse laser The optical axis of the light beam LB is changed toward the laser light absorption means 55 .

이상과 같이 구성된 레이저 광선 조사 수단(5)의 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)과 스캐닝 미러(53)의 스캔 모터(530) 및 광축 변경 수단(54)은, 후술하는 제어 수단에 의해 제어된다.The pulse laser beam oscillation means 51 of the laser beam irradiation means 5 configured as described above, the scan motor 530 and the optical axis change means 54 of the scanning mirror 53 are controlled by a control means described later.

도 2를 참조하여 설명을 계속하면, 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치는, 피가공물 유지 수단으로서의 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)의 가공 깊이를 검출하는 가공 깊이 검출 수단(7)을 구비하고 있다. 가공 깊이 검출 수단(7)은, 상기 레이저 광선 조사 수단(5)의 스캐닝 미러(53)를 향하여 미리 정해진 파장 대역을 갖는 검사광을 내는 검사 광원(71)과, 검사 광원(71)과 스캐닝 미러(53) 사이에 배치되어 검사광의 파장에 대응하여 분광하여 검사광의 확산각을 파장마다 약간 변경하는 색수차 렌즈(72)와, 검사 광원(71)과 색수차 렌즈(72) 사이에 배치되어 검사 광원(71)으로부터 나와 스캐닝 미러(53) 및 집광기(52)의 fθ 렌즈(521)를 통해 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 조사된 검사광의 반사광을 반사광 검출 경로(73)에 분기하는 빔 스플리터(74)와, 반사광 검출 경로(73)에 배치되어 반사광의 파장 대역 중에서 피가공물과 초점이 일치한 파장의 검사광의 반사광을 통과시키는 파장 선별 수단(75)과, 상기 파장 선별 수단(75)을 통과한 검사광의 반사광의 파장을 검출하는 파장 검출 수단(76)을 구비하고 있다.Continuing the description with reference to Fig. 2, the laser processing apparatus in the illustrated embodiment is a processing depth detecting means for detecting the processing depth of the workpiece W held by the chuck table 36 as the workpiece holding means. (7) is provided. The processing depth detecting means 7 includes an inspection light source 71 that emits inspection light having a predetermined wavelength band toward the scanning mirror 53 of the laser beam irradiating means 5, and the inspection light source 71 and the scanning mirror. A chromatic aberration lens 72 disposed between 53 and splitting corresponding to the wavelength of the inspection light to slightly change the diffusion angle of the inspection light for each wavelength, and the inspection light source 71 and the chromatic aberration lens 72 disposed between the inspection light source ( The reflected light of the inspection light irradiated from the scanning mirror 53 and the fθ lens 521 of the condenser 52 to the workpiece W held on the chuck table 36 through the scanning mirror 53 and the condenser 52 is branched into the reflected light detection path 73 a beam splitter 74, which is disposed in the reflected light detection path 73 and passes the reflected light of the inspection light having the same focus as the workpiece in the wavelength band of the reflected light; A wavelength detecting means 76 for detecting the wavelength of the reflected light of the inspection light passing through 75 is provided.

검사 광원(71)은, 슈퍼 루미네선스 다이오드(SLD)나 플래시 램프 등으로 이루어지며, 도시된 실시형태에 있어서는 800 ㎚∼900 ㎚의 파장 대역을 가지고 있다. 색수차 렌즈(72)는, 검사 광원(71)이 낸 800 ㎚∼900 ㎚의 파장 대역을 갖는 검사광을 파장에 대응하여 분광하여 검사광의 확산각을 파장마다 약간 변경하여 스캐닝 미러(53)에 유도한다. 따라서, 스캐닝 미러(53)에서 반사되어 fθ 렌즈(521)에 유도된 800 ㎚∼900 ㎚의 파장 대역을 갖는 검사광은, 도 3에 나타내는 바와 같이 800 ㎚의 광은 P1에 집광되고, 파장이 900 ㎚의 광은 P2에 집광되도록 되어 있다. 또한, 도시된 실시형태에 있어서는, 파장이 800 ㎚의 집광점(P1)과 파장이 900 ㎚의 집광점(P2)의 간격은 50 ㎛로 설정되어 있다. 따라서, 도시된 실시형태에 있어서는 도 5에 나타내는 검사광의 파장(㎚)과 가공 깊이(㎛)의 관계를 나타내는 제어 맵이 작성되고, 이 제어 맵이 후술하는 제어 수단의 메모리에 저장된다.The inspection light source 71 is made of a super-luminescence diode (SLD), a flash lamp, or the like, and has a wavelength band of 800 nm to 900 nm in the illustrated embodiment. The chromatic aberration lens 72 divides the inspection light having a wavelength band of 800 nm to 900 nm emitted by the inspection light source 71 according to the wavelength, and slightly changes the diffusion angle of the inspection light for each wavelength, and guides it to the scanning mirror 53 do. Therefore, the inspection light having a wavelength band of 800 nm to 900 nm reflected by the scanning mirror 53 and guided to the fθ lens 521, as shown in FIG. 3, the 800 nm light is focused on P1, and the wavelength is 900 nm light is focused on P2. In addition, in the illustrated embodiment, the interval between the light-converging point P1 having a wavelength of 800 nm and the light-converging point P2 having a wavelength of 900 nm is set to 50 µm. Accordingly, in the illustrated embodiment, a control map indicating the relationship between the wavelength (nm) of the inspection light and the processing depth (μm) shown in FIG. 5 is created, and this control map is stored in a memory of a control means to be described later.

상기 빔 스플리터(74)는, 검사 광원(71)이 낸 800 ㎚∼900 ㎚의 파장 대역을 갖는 검사광을 색수차 렌즈(72)를 향하여 통과하지만, 척 테이블(36)에 조사된 검사광의 반사광은 반사광 검출 경로(73)를 향하여 분기한다. 반사광 검출 경로(73)에 배치된 파장 선별 수단(75)은, 집광 렌즈(751)와, 상기 집광 렌즈(751)의 하류측에 있어서 집광 렌즈(751)의 초점 위치에 배치되어 핀홀(752a)을 구비한 핀홀 마스크(752)와, 상기 핀홀 마스크(752)의 하류측에 배치되어 핀홀(752a)을 통과한 반사광을 평행광으로 형성하는 콜리메이션 렌즈(753)로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 파장 선별 수단(75)은, 척 테이블(36)에 유지된 피가공물(W)에 조사된 검사광이 집광점에서 반사된 파장의 반사광이 핀홀 마스크(752)의 핀홀(752a)을 통과하도록 되어 있다. 상기 파장 검출 수단(76)은, 회절 격자(761)와 집광 렌즈(762) 및 라인 이미지 센서(763)로 이루어져 있다. 상기 회절 격자(761)는, 콜리메이션 렌즈(753)에 의해 평행광으로 형성된 반사광을 회절하고, 각 파장에 대응하는 회절 신호를 집광 렌즈(762)를 통해 라인 이미지 센서(763)에 보낸다. 라인 이미지 센서(763)는, 회절 격자(761)에 의해 회절한 반사광의 각 파장에 있어서의 광 강도를 검출하고, 검출 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다.The beam splitter 74 passes the inspection light having a wavelength band of 800 nm to 900 nm emitted from the inspection light source 71 toward the chromatic aberration lens 72, but the reflected light of the inspection light irradiated to the chuck table 36 is It branches toward the reflected light detection path 73 . The wavelength sorting means 75 disposed in the reflected light detection path 73 is disposed at the focal position of the condenser lens 751 and the condenser lens 751 on the downstream side of the condensing lens 751 and has a pinhole 752a. and a collimation lens 753 disposed on the downstream side of the pinhole mask 752 to form reflected light passing through the pinhole 752a into parallel light. The wavelength sorting means 75 configured as described above uses the reflected light of the wavelength of the inspection light irradiated on the workpiece W held by the chuck table 36 to be reflected at the converging point through the pinhole 752a of the pinhole mask 752. is meant to pass. The wavelength detecting means 76 includes a diffraction grating 761 , a condensing lens 762 , and a line image sensor 763 . The diffraction grating 761 diffracts the reflected light formed as parallel light by the collimation lens 753 and transmits a diffraction signal corresponding to each wavelength to the line image sensor 763 through the condensing lens 762 . The line image sensor 763 detects the light intensity at each wavelength of the reflected light diffracted by the diffraction grating 761 , and sends a detection signal to a control unit to be described later.

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치는, 도 4에 나타내는 제어 수단(8)을 구비하고 있다. 제어 수단(8)은 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(81)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(82)와, 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(83)와, 입력 인터페이스(84) 및 출력 인터페이스(85)를 구비하고 있다. 제어 수단(8)의 입력 인터페이스(84)에는, 상기 촬상 수단(6), 라인 이미지 센서(763) 등으로부터의 검출 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(8)의 출력 인터페이스(85)로부터는, 상기 가공 이송 수단(37), 인덱싱 이송 수단(38), 펄스 레이저 광선 발진 수단(51), 스캐닝 미러(53)의 스캔 모터(530), 광축 변경 수단(54), 가공 깊이 검출 수단(7)의 검사 광원(71) 등에 제어 신호를 출력한다. 또한, 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(83)에는, 도 5에 나타내는 검사광의 파장(㎚)과 가공 깊이(㎛)의 관계를 나타내는 제어 맵이 저장되어 있다.The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is provided with the control means 8 shown in FIG. The control means 8 is constituted by a computer and includes a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, and an operation result. It has a write-and-read random access memory (RAM) 83 for storing and the like, and an input interface 84 and an output interface 85 . A detection signal from the image pickup means 6 , the line image sensor 763 or the like is input to the input interface 84 of the control means 8 . Then, from the output interface 85 of the control means 8 , the processing transfer means 37 , the indexing transfer means 38 , the pulse laser beam oscillation means 51 , and the scan motor 530 of the scanning mirror 53 . ), the optical axis changing means 54 , the inspection light source 71 of the machining depth detecting means 7 , and the like. In addition, the random access memory (RAM) 83 stores a control map showing the relationship between the wavelength (nm) of the inspection light and the processing depth (μm) shown in FIG. 5 .

도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다.The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and its operation will be described below.

도 6의 (a) 및 (b)에는, 피가공물로서의 반도체 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도를 나타내고 있다.6A and 6B, a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer as a to-be-processed object are shown.

도 6의 (a) 및 (b)에 나타내는 반도체 웨이퍼(10)는, 두께가 150 ㎛인 실리콘 등의 기판(110)의 표면(110a)에 절연막과 회로를 형성하는 기능막이 적층된 기능층(120)이 형성되어 있고, 이 기능층(120)에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(121)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(122)가 형성되어 있다. 또한, 도시된 실시형태에 있어서는, 기능층(120)을 형성하는 절연막은, SiO2막 또는, SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막으로 이루어지는 저유전율 절연체 피막(Low-k막)으로 이루어져 있고, 두께가 10 ㎛로 설정되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(121)에는 디바이스(122)의 기능을 테스트하기 위한 테스트 엘리멘트 그룹(TEG)으로 불리는 구리(Cu)나 알루미늄(Al)으로 이용되는 테스트용의 금속막(123)이 부분적으로 복수 배치되어 있다.The semiconductor wafer 10 shown in FIGS. 6A and 6B has a functional layer in which an insulating film and a functional film for forming a circuit are laminated on the surface 110a of a substrate 110 such as silicon having a thickness of 150 µm ( 120 is formed, and devices 122 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines 121 formed in a grid shape on the functional layer 120 . In addition, in the illustrated embodiment, the insulating film forming the functional layer 120 is an SiO2 film, an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB), or an organic material such as a polyimide film or a parylene film. It is made of a low dielectric constant insulator film (Low-k film) made of a film of In addition, in the line 121 to be divided of the semiconductor wafer 10 , a test metal film used as a test element group (TEG) for testing the function of the device 122 is made of copper (Cu) or aluminum (Al). (123) is partially arranged in plurality.

전술한 반도체 웨이퍼(10)를 분할 예정 라인을 따라 가공하기 위해서는, 반도체 웨이퍼(10)를 환형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 점착하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 즉, 도 7에 나타내는 바와 같이 환형의 프레임(F)에 장착된 폴리올레핀 등의 합성 수지 시트로 이루어지는 다이싱 테이프(T)의 표면에 반도체 웨이퍼(10)를 구성하는 기판(110)의 이면(110b)을 점착한다. 따라서, 다이싱 테이프(T)의 표면에 점착된 반도체 웨이퍼(10)는, 기능층(120)의 표면(120a)이 상측이 된다.In order to process the above-mentioned semiconductor wafer 10 along the division|segmentation line, the wafer support process of sticking the semiconductor wafer 10 to the dicing tape attached to the annular frame is implemented. That is, as shown in Fig. 7, the back surface 110b of the substrate 110 constituting the semiconductor wafer 10 on the surface of the dicing tape T made of a synthetic resin sheet such as polyolefin mounted on the annular frame F. ) is attached. Therefore, in the semiconductor wafer 10 adhered to the surface of the dicing tape T, the surface 120a of the functional layer 120 becomes the upper side.

전술한 웨이퍼 지지 공정을 실시하였다면, 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치의 척 테이블(36) 상에 반도체 웨이퍼(10)의 다이싱 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(10)를 척 테이블(36) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(36) 상에 다이싱 테이프(T)를 통해 유지된 반도체 웨이퍼(10)는, 기능층(120)의 표면(120a)이 상측이 된다.If the above-mentioned wafer support process is performed, the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 is arrange|positioned on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. Then, the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the dicing tape T by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Accordingly, in the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 via the dicing tape T, the surface 120a of the functional layer 120 is the upper side.

전술한 바와 같이 척 테이블(36) 상에 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지하였다면, 제어 수단(8)은 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 반도체 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(36)을 촬상 수단(6)의 직하에 배치한다. 이와 같이 하여 척 테이블(36)을 촬상 수단(6)의 직하에 배치하였다면, 제어 수단(8)은 촬상 수단(6)을 작동시켜 반도체 웨이퍼(10)의 레이저 가공하여야 하는 가공 영역을 검출하는 얼라이먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(6) 및 제어 수단(8)은, 반도체 웨이퍼(10)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(121)과, 분할 예정 라인(121)을 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(5)을 구성하는 집광기(52)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라이먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 상기 미리 정해진 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(121)에 대해서도, 동일하게 레이저 광선 조사 위치의 얼라이먼트가 수행된다.If the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 through the dicing tape T as described above, the control means 8 operates the processing transfer means 37 to move the semiconductor wafer 10 . The held chuck table 36 is disposed directly under the imaging means 6 . In this way, if the chuck table 36 is disposed directly under the imaging means 6 , the control means 8 operates the imaging means 6 to detect the processing area of the semiconductor wafer 10 to be laser processed. run the job That is, the imaging means 6 and the control means 8 are a division plan line 121 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and a laser beam irradiating a laser beam along the division plan line 121 . Image processing such as pattern matching for performing alignment of the condenser 52 constituting the light irradiation means 5 is performed to perform alignment of the laser light irradiation position. In addition, alignment of the laser beam irradiation position is performed similarly for the division|segmentation line 121 which is formed in the semiconductor wafer 10 and extended in the direction orthogonal to the said predetermined direction.

전술한 얼라이먼트 공정을 실시하였다면, 제어 수단(8)은 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 도 8의 (a)에서 나타내는 바와 같이 척 테이블(36)을 레이저 광선 조사 수단(5)의 집광기(52)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 미리 정해진 분할 예정 라인(121)을 집광기(52)의 직하에 배치한다. 이때, 도 8의 (a)에서 나타내는 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)는, 분할 예정 라인(121)의 일단[도 8의 (a)에 있어서 좌단]보다 1 ㎜만큼 내측의 위치가 집광기(52)의 직하에 위치하도록 배치한다. 그리고, 제어 수단(8)은, 도시하지 않는 집광점 위치 조정 수단을 작동시켜 펄스 레이저 광선에 있어서의 800 ㎚의 파장의 집광점이 분할 예정 라인(121)의 표면 위치가 되도록 집광기(52)를 배치한다.If the above-described alignment process has been performed, the control means 8 operates the processing transfer means 37 to move the chuck table 36 to the condenser 52 of the laser beam irradiating means 5 as shown in Fig. 8(a). ) is moved to the laser beam irradiation area where the predetermined division line 121 is arranged directly under the condenser 52 . At this time, as shown in Fig. 8(a), the semiconductor wafer 10 has a position inside the light collector 52 by 1 mm from one end of the division scheduled line 121 (the left end in Fig. 8(a)). placed directly under the Then, the control means 8 operates the converging point position adjustment means (not shown) to arrange the condenser 52 so that the converging point of the wavelength of 800 nm in the pulsed laser beam becomes the surface position of the dividing line 121 . do.

다음에, 제어 수단(8)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(51)을 작동시키며 스캔 모터(530)를 작동시켜 스캐닝 미러(53)를 미리 정해진 회전 속도로 회전시킨다. 이 결과, 레이저 광선 조사 수단(5)의 집광기(52)로부터 반도체 웨이퍼(10)에는 펄스 레이저 광선이 X축 방향을 따라 LB1부터 LBn의 2 ㎜의 범위에서 조사된다(레이저 가공홈 형성 공정). 한편, 제어 수단(8)은 가공 깊이 검출 수단(7)을 작동시켜, 상기 펄스 레이저 광선(LB1∼LBn)의 조사에 의해 가공된 레이저 가공홈의 깊이를 검출하고 있다. 가공 깊이 검출 수단(7)의 라인 이미지 센서(763)는, 가공 개시 시에 있어서는 800 ㎚의 파장의 광 강도가 가장 높은 값을 나타내고 있으며, 가공이 진행됨에 따라 광 강도가 가장 높은 값의 파장이 900 ㎚에 근접해 간다. 그리고, 가공하는 레이저 가공홈의 깊이를 30 ㎛로 설정한 경우에는, 도 5에 나타내는 제어 맵으로부터 제어 기준이 되는 파장은 860 ㎚로 설정된다. 따라서, 라인 이미지 센서(763)로부터의 검출 신호에 기초하여 광 강도가 가장 높은 값의 파장이 860 ㎚가 되었을 때, 제어 수단은 레이저 가공홈의 깊이가 30 ㎛에 달하였다고 판단하여, 가공 이송 수단(37)을 작동시켜 척 테이블(36)을 도 8의 (a)에 있어서 화살표(X1)로 나타내는 방향으로 2 ㎜ 이동한다(이송 공정).Next, the control means 8 operates the pulsed laser beam oscillation means 51 and operates the scan motor 530 to rotate the scanning mirror 53 at a predetermined rotation speed. As a result, a pulsed laser beam is irradiated to the semiconductor wafer 10 from the condenser 52 of the laser beam irradiating means 5 in a range of 2 mm from LB1 to LBn along the X-axis direction (laser processing groove forming step). On the other hand, the control means 8 operates the processing depth detection means 7, and detects the depth of the laser processing groove|channel processed by irradiation of the said pulsed laser beam LB1-LBn. The line image sensor 763 of the processing depth detecting means 7 shows the highest value of the light intensity of the wavelength of 800 nm at the start of processing, and the wavelength of the highest value of the light intensity as processing progresses. It approaches 900 nm. And when the depth of the laser processing groove to be machined is set to 30 µm, the wavelength used as the control standard from the control map shown in FIG. 5 is set to 860 nm. Therefore, based on the detection signal from the line image sensor 763, when the wavelength of the highest value of light intensity becomes 860 nm, the control means determines that the depth of the laser processing groove has reached 30 µm, and the processing transfer means (37) is actuated, and the chuck table 36 is moved 2 mm in the direction shown by the arrow X1 in Fig.8 (a) (transfer process).

전술한 레이저 가공홈 형성 공정과 이송 공정을 반복 실시하여, 도 8의 (b)에서 나타내는 바와 같이 분할 예정 라인(121)의 타단[도 8의 (b)에 있어서 우단]이 집광기(52)의 직하 위치에 있어서 상기 레이저 가공홈 형성 공정을 실시하였다면, 제어 수단(8)은 음향 광학 소자(AOD)로 이루어지는 광축 변경 수단(54)에 미리 정해진 주파수의 RF(radio frequency)를 인가하여 펄스 레이저 광선(LB)의 광축을 레이저 광선 흡수 수단(55)을 향하게 함으로써 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)에의 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하며 가공 이송 수단(37)의 작동을 정지하여 척 테이블(36)의 이동을 정지한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(10)에는 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 기능층(120)의 두께보다 깊은, 즉 기판(110)에 이르는 깊이가 30 ㎛인 레이저 가공홈(130)이 형성되고, 상기 금속막(123)이 제거되며 기능층(120)이 분단된다. 그리고, 전술한 레이저 가공홈 형성 공정 및 이송 공정을 반도체 웨이퍼(10)에 형성된 모든 분할 예정 라인(121)을 따라 실시한다.The above-described laser processing groove forming process and the transfer process are repeated, and as shown in FIG. 8(b), the other end of the division scheduled line 121 (the right end in FIG. If the laser processing groove forming process is performed at a position directly below, the control means 8 applies a radio frequency (RF) of a predetermined frequency to the optical axis changing means 54 made of an acousto-optical element (AOD) to pulse laser beams. By directing the optical axis of LB toward the laser beam absorbing means 55, the irradiation of the pulsed laser beam to the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is stopped, and the operation of the processing transfer means 37 is stopped and the chuck The movement of the table 36 is stopped. As a result, a laser processing groove 130 having a depth of 30 µm to reach the substrate 110 is formed in the semiconductor wafer 10, which is deeper than the thickness of the functional layer 120 as shown in FIG. , the metal film 123 is removed and the functional layer 120 is divided. In addition, the above-described laser processing groove forming process and transfer process are performed along all the division schedule lines 121 formed on the semiconductor wafer 10 .

또한, 상기 레이저 가공홈 형성 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건에서 행해진다.In addition, the said laser processing groove|channel formation process is performed, for example under the following processing conditions.

레이저 광선의 파장: 355 ㎚(YAG 레이저)Wavelength of laser beam: 355 nm (YAG laser)

평균 출력: 10 WAverage power: 10 W

반복 주파수: 10 ㎒Repetition frequency: 10 MHz

이상과 같이, 도시된 실시형태에 있어서의 레이저 가공홈 형성 공정은, 분할 예정 라인(121)을 따라 펄스 레이저 광선을 조사하면서 가공 깊이 검출 수단(7)에 의해 가공되는 레이저 가공홈의 깊이를 검출하고, 레이저 가공홈이 미리 정해진 두께에 달하였다면 광축 변경 수단(54)을 작동시켜 펄스 레이저 광선(LB)의 광축을 레이저 광선 흡수 수단(55)을 향하게 함으로써 척 테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)에의 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하기 때문에, 분할 예정 라인(121) 상에 테스트용의 금속막(123)이 부분적으로 복수 배치되어 있는 경우라도, 펄스 레이저 광선의 출력을 제어하는 일없이 균일한 깊이의 레이저 가공홈을 형성할 수 있다.As described above, the laser processing groove forming step in the illustrated embodiment detects the depth of the laser processing groove to be processed by the processing depth detecting means 7 while irradiating a pulsed laser beam along the dividing line 121 . When the laser processing groove reaches a predetermined thickness, the optical axis changing means 54 is actuated to direct the optical axis of the pulsed laser beam LB toward the laser beam absorbing means 55, thereby holding the semiconductor wafer held by the chuck table 36. Since irradiation of the pulsed laser beam to (10) is stopped, even when a plurality of test metal films 123 are partially disposed on the dividing line 121, the output of the pulsed laser beam is not controlled. Laser processing grooves of uniform depth can be formed.

이상과 같이, 분할 예정 라인(121)을 따라 형성된 레이저 가공홈(130)에 의해 기능층(120)이 분단된 반도체 웨이퍼(10)는, 기능층(120)이 분단된 분할 예정 라인(121)을 따라 분할하는 분할 공정에 반송된다.As described above, the semiconductor wafer 10 in which the functional layer 120 is divided by the laser processing groove 130 formed along the division scheduled line 121 is the division scheduled line 121 in which the functional layer 120 is divided. It is conveyed to the division process of dividing along the

2: 정지 베이스
3: 척 테이블 기구
36: 척 테이블
37: 가공 이송 수단
38: 인덱싱 이송 수단
4: 레이저 광선 조사 유닛
5: 레이저 광선 조사 수단
51: 펄스 레이저 광선 발진 수단
52: 집광기
521: fθ 렌즈
53: 스캐닝 미러
6: 촬상 수단
7: 가공 깊이 검출 수단
71: 검사 광원
72: 색수차 렌즈
73: 반사광 검출 경로
74: 빔 스플리터
75: 파장 선별 수단
76: 파장 검출 수단
8: 제어 수단
10: 반도체 웨이퍼
F: 환형의 프레임
T: 다이싱 테이프2: Stop base
3: chuck table mechanism
36: chuck table
37: machining feed means
38: indexing transport means
4: laser beam irradiation unit
5: means of irradiating laser beams
51: pulsed laser beam oscillation means
52: light collector
521: fθ lens
53: scanning mirror
6: imaging means
7: Machining depth detection means
71: inspection light source
72: chromatic aberration lens
73: reflected light detection path
74: beam splitter
75: wavelength screening means
76: wavelength detection means
8: control means
10: semiconductor wafer
F: annular frame
T: dicing tape

Claims (2)

피가공물을 유지하는 피가공물 유지 수단과, 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과, 가공 이송 수단을 포함하는 레이저 가공 장치로서,
상기 레이저 광선 조사 수단은, 펄스 레이저 광선을 발진하는 펄스 레이저 광선 발진 수단과, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하여 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 조사하는 집광기와, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단과 상기 집광기 사이에 배치되어 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 스캔하여 상기 집광기에 유도하는 스캐닝 미러로 구성되어 있고,
상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물의 가공 깊이를 검출하는 가공 깊이 검출 수단을 구비하며,
상기 가공 깊이 검출 수단은, 상기 스캐닝 미러를 향하여 미리 정해진 파장 대역을 갖는 검사광을 내는 검사 광원과, 상기 검사 광원과 상기 스캐닝 미러 사이에 배치되어 검사광의 파장에 대응하여 분광하여 검사광의 확산각을 파장마다 달라지도록 변경하는 색수차 렌즈와, 상기 검사 광원과 상기 색수차 렌즈 사이에 배치되어 상기 검사 광원으로부터 나와 상기 스캐닝 미러 및 상기 집광기를 통해 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물에 조사된 검사광의 반사광을 반사광 검출 경로에 분기하는 빔 스플리터와, 상기 반사광 검출 경로에 배치되어 반사광의 파장 대역 중에서 피가공물과 초점이 일치한 파장의 검사광의 반사광을 통과시키는 파장 선별 수단과, 상기 파장 선별 수단을 통과한 검사광의 반사광의 파장을 검출하는 파장 검출 수단과, 상기 파장 검출 수단에 의해 검출된 파장에 기초하여 상기 피가공물 유지 수단에 유지된 피가공물의 가공 깊이를 구하는 제어 수단으로 구성되어 있고,
상기 제어 수단에는 검사광의 파장과 가공 깊이와의 관계를 나타내는 제어 맵이 저장되고,
상기 제어 수단은, 스캐닝 미러로 펄스 레이저 광선을 X축 방향을 따라 조사하여 레이저 가공 홈을 형성하면서 상기 가공 깊이 검출 수단으로 상기 제어 맵을 바탕으로 상기 레이저 가공 홈의 깊이를 검출하는 공정과,
상기 가공 홈의 깊이가 미리 정해진 깊이에 도달한 경우에 상기 가공 이송 수단으로 상기 피가공물 유지 수단을 상기 X축 방향으로 이동시키는 공정을 반복 실시하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
A laser processing apparatus comprising: a workpiece holding means for holding a workpiece; a laser beam irradiating means for irradiating a laser beam on the workpiece held by the workpiece holding means;
The laser beam irradiating means includes: pulsed laser beam oscillation means for oscillating a pulsed laser beam; and a scanning mirror disposed between the pulsed laser beam oscillation means and the condenser to scan the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means and guide it to the condenser,
a processing depth detection means for detecting a processing depth of the workpiece held by the workpiece holding means;
The processing depth detecting means includes: an inspection light source emitting inspection light having a predetermined wavelength band toward the scanning mirror; A chromatic aberration lens changing to be different for each wavelength, and the inspection light disposed between the inspection light source and the chromatic aberration lens and irradiated from the inspection light source to the workpiece held by the workpiece holding means through the scanning mirror and the condenser. a beam splitter that branches into the reflected light detection path, and a wavelength sorting means disposed in the reflected light detecting path to pass the reflected light of the inspection light having the same focus as the workpiece in the wavelength band of the reflected light; wavelength detection means for detecting the wavelength of the reflected light of the inspection light, and control means for obtaining a processing depth of the workpiece held by the workpiece holding means based on the wavelength detected by the wavelength detection means
A control map indicating the relationship between the wavelength of the inspection light and the processing depth is stored in the control means,
The control means includes a step of irradiating a pulse laser beam along the X-axis direction with a scanning mirror to form a laser processing groove, and detecting the depth of the laser processing groove based on the control map by the processing depth detecting means;
When the depth of the processing groove reaches a predetermined depth, the process of moving the workpiece holding means in the X-axis direction by the processing transfer means is repeatedly performed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018098441A (en) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社ディスコ Die bonder
JP6917727B2 (en) * 2017-02-15 2021-08-11 株式会社ディスコ Laser processing equipment
JP6781649B2 (en) * 2017-03-13 2020-11-04 株式会社ディスコ Laser processing equipment
CN107378255B (en) * 2017-07-14 2019-03-15 中国科学院微电子研究所 A kind of method and device laser machining wafer
JP6998177B2 (en) * 2017-11-02 2022-01-18 株式会社ディスコ Laser processing equipment
JP6998178B2 (en) * 2017-11-07 2022-01-18 株式会社ディスコ Laser processing equipment
JP7290449B2 (en) * 2019-04-03 2023-06-13 株式会社ディスコ Ultra-high-speed imaging device
JP7270216B2 (en) * 2019-08-23 2023-05-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 LASER PROCESSING DEVICE, LASER PROCESSING METHOD, AND CORRECTION DATA GENERATION METHOD
JP7339086B2 (en) * 2019-09-11 2023-09-05 株式会社ディスコ Measuring device
JP7144110B1 (en) * 2021-03-04 2022-09-29 国立大学法人 名古屋工業大学 Laser processing device and relationship determination method
WO2023084681A1 (en) * 2021-11-11 2023-05-19 ギガフォトン株式会社 Laser machining system, laser machining method, and method for manufacturing electronic device

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005526386A (en) 2002-05-17 2005-09-02 ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション Method, system for marking semiconductor wafer workpieces, and laser markers used therein
JP2006305608A (en) 2005-04-28 2006-11-09 Toshiba Corp Apparatus and method for laser beam machining
JP2008046079A (en) 2006-08-21 2008-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd Surface position detector and laser processing machine
JP2008170366A (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd Device of measuring workpiece held by chuck table, and laser beam processing machine
JP2009063446A (en) 2007-09-06 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Device for detecting height position of workpiece held on chuck table
JP2011033383A (en) * 2009-07-30 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd Measuring device of workpiece held on chuck table, and laser beam machine
JP2012028734A (en) * 2010-06-24 2012-02-09 Toshiba Mach Co Ltd Dicing method
JP4885658B2 (en) 2006-09-01 2012-02-29 株式会社ディスコ Drilling hole depth detection device and laser processing machine
KR101252874B1 (en) 2006-08-04 2013-04-09 가부시기가이샤 디스코 Laser machine
JP2013226590A (en) 2012-04-26 2013-11-07 Toshiba Corp Laser cutting apparatus and laser cutting method
KR101364389B1 (en) 2007-11-21 2014-02-17 가부시기가이샤 디스코 Laser machining apparatus
JP2014528852A (en) 2011-07-25 2014-10-30 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト Apparatus and method for executing and monitoring plastic laser conductive welding process

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3880242B2 (en) * 1998-05-20 2007-02-14 キヤノン株式会社 Through hole formation method
JP2005064231A (en) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing method of plate-shaped article
JP4473550B2 (en) 2003-10-17 2010-06-02 株式会社ディスコ Laser processing method and laser processing apparatus
JP4349075B2 (en) * 2003-10-28 2009-10-21 パナソニック電工株式会社 Laser processing method and processing state judgment method
JP2007095952A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing equipment and laser dicing method
JP2009140958A (en) * 2007-12-03 2009-06-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing device and dicing method
JP5199789B2 (en) * 2008-08-25 2013-05-15 株式会社ディスコ Laser processing apparatus and laser processing method
JP5483084B2 (en) * 2010-02-09 2014-05-07 三菱マテリアル株式会社 Laser processing equipment
CN201645045U (en) * 2010-04-08 2010-11-24 深圳市大族激光科技股份有限公司 Laser processing system
JP5721377B2 (en) * 2010-09-09 2015-05-20 株式会社ディスコ Split method
JP5912293B2 (en) * 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ Laser processing equipment
JP2013230478A (en) * 2012-04-27 2013-11-14 Disco Corp Laser machining apparatus and laser machining method

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005526386A (en) 2002-05-17 2005-09-02 ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション Method, system for marking semiconductor wafer workpieces, and laser markers used therein
JP2006305608A (en) 2005-04-28 2006-11-09 Toshiba Corp Apparatus and method for laser beam machining
KR101252874B1 (en) 2006-08-04 2013-04-09 가부시기가이샤 디스코 Laser machine
JP2008046079A (en) 2006-08-21 2008-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd Surface position detector and laser processing machine
JP4885658B2 (en) 2006-09-01 2012-02-29 株式会社ディスコ Drilling hole depth detection device and laser processing machine
JP2008170366A (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd Device of measuring workpiece held by chuck table, and laser beam processing machine
JP2009063446A (en) 2007-09-06 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Device for detecting height position of workpiece held on chuck table
KR101364389B1 (en) 2007-11-21 2014-02-17 가부시기가이샤 디스코 Laser machining apparatus
JP2011033383A (en) * 2009-07-30 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd Measuring device of workpiece held on chuck table, and laser beam machine
JP2012028734A (en) * 2010-06-24 2012-02-09 Toshiba Mach Co Ltd Dicing method
JP2014528852A (en) 2011-07-25 2014-10-30 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト Apparatus and method for executing and monitoring plastic laser conductive welding process
JP2013226590A (en) 2012-04-26 2013-11-07 Toshiba Corp Laser cutting apparatus and laser cutting method

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