JP2007118011A - Laser beam machining apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining apparatus capable of accurately forming laser-machined grooves on a plurality of machining areas designed on a workpiece. <P>SOLUTION: The laser beam machining apparatus is provided with a laser beam irradiation means, which has a pulse laser beam oscillator and has a repetition frequency setting means and a condenser, and with a machining feed means, which subjects the chuck table to machining feed. Further, the laser beam machining apparatus is provided with a storing means, which stores an X, Y coordinate value of each position of starting and ending points in the machining areas designed on the workpiece and with a controlling means, which controls the laser beam irradiation means and the machining feed means. The controlling means sets a value (V/H) so as to satisfy a relation: d+(V/H)n=L, wherein the length of the condensation spot in the machining feed direction is (d) mm, the repetition frequency is (H) Hz, the machining feed speed is (V) mm/sec, the length between the positions of the starting and ending points is (L) mm, and the number of the spots of the pulse laser beam irradiated in the length (L) mm is (n) piece, and controls the laser beam irradiation means and the machining feed means. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、被加工物に設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that forms laser processing grooves in a plurality of processing regions set on a workpiece.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面にフォトダイオード等の受光素子やレーザーダイオード等の発光素子等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers in which light-receiving elements such as photodiodes and light-emitting elements such as laser diodes are stacked on the surface of the sapphire substrate are also divided into optical devices such as individual photodiodes and laser diodes by cutting along the streets. And widely used in electrical equipment.

上述したウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された砥石ブレードを備えた切削工具および回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。このような切削装置においては、切削工具を２００００〜４００００rpmの回転速度で回転しつつ、切削工具とチャックテーブルに保持された被加工物を相対的に切削送りする。しかるに、切削装置による切断は、加工速度を速くすることができず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。   The above-described cutting along the wafer street is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece such as a wafer, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting for relatively moving the chuck table and the cutting means. And feeding means. The cutting means includes a cutting tool including a rotating spindle and a grindstone blade mounted on the spindle, and a spindle unit including a drive mechanism for driving the rotating spindle to rotate. In such a cutting apparatus, the cutting tool and the work piece held on the chuck table are relatively cut and fed while rotating the cutting tool at a rotational speed of 20000 to 40000 rpm. However, cutting with a cutting device cannot increase the processing speed, and is not always satisfactory in terms of productivity.

また、上述したウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ポイントスクライバーによりストリートに沿って傷（スクライブライン）を付けた後、ストリートに沿って外力を付与して破断する方法も実用化されている。しかるに、この方法は、加工速度は速いが、ポイントスクライバーに形成される傷が浅いためストリートに沿って確実に破断することができない場合がある。   Also, as a method of dividing the wafer along the street, a method of applying an external force along the street and then breaking it after applying a scratch (scribe line) along the street with a point scriber has been put into practical use. . However, although this method has a high processing speed, there are cases where the flaws formed on the point scriber are shallow and cannot be reliably broken along the street.

一方、近年上述したウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開平１０−３０５４２０号公報 On the other hand, in recent years, as a method of dividing the wafer along the street, there is a method of forming a laser processing groove by irradiating a pulse laser beam along the street formed on the wafer and breaking along the laser processing groove. Proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP-A-10-305420

上述したレーザー加工方法によれば、比較的速い加工速度でレーザー加工溝を形成することができる。しかるに、ストリートに沿って形成されたレーザー加工溝の壁面は荒れているために、個々に分割されるデバイスがレーザーダイオードの場合には、輝度が低下するという問題がある。   According to the laser processing method described above, the laser processing groove can be formed at a relatively high processing speed. However, since the wall surface of the laser processing groove formed along the street is rough, there is a problem that the brightness is lowered when the device to be individually divided is a laser diode.

そこで、デバイスとしてレーザーダイオードが形成されたウエーハを分割する場合に、輝度に影響しない一方の方向に形成されたストリートに対してはレーザー加工装置を用いてレーザー加工溝を形成し、輝度に影響を及ぼす他方の方向に形成されたストリートに対してはポイントスクライバーを用いて傷（スクライブライン）を付ける方法が提案されている。   Therefore, when a wafer on which a laser diode is formed as a device is divided, a laser processing groove is formed on the street formed in one direction that does not affect the brightness using a laser processing device, and the brightness is affected. There has been proposed a method of making a scribe line on a street formed in the other direction using a point scriber.

而して、ポイントスクライバーによって傷（スクライブライン）が付けられたストリートとの交差点にレーザー加工溝が形成されると、レーザーダイオードの輝度が低下することが判った。   Thus, it has been found that when the laser processing groove is formed at the intersection with the street where the scratch (scribe line) is made by the point scriber, the brightness of the laser diode is lowered.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、被加工物に設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を正確に形成することができるレーザー加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is to provide a laser processing apparatus capable of accurately forming laser processing grooves in a plurality of processing regions set in a workpiece. That is.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、該レーザー光線照射手段がパルスレーザー光線発振器および該パルスレーザー光線発振器から発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段と、該ルスレーザー光線発振器から発振されるパルスレーザー光線を集光する集光器とを備えているレーザー加工装置において、
被加工物に設定された複数の加工領域における各始点位置と終点位置のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する制御手段を具備しており、
該制御手段は、該集光器によって集光されるパルスレーザー光線の集光スポットの加工送り方向の長さを(d)mm、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を(H)Hz、該加工送り手段による加工送り速度を(V)mm/秒、該被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間の長さを(L)mm、該被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間 (L)mmに照射するパルスレーザー光線のスポット数を(n)個とした場合、
d＋(V/H)n＝L
を満足するように(V/H)を設定し、該繰り返し周波数設定手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。 In order to solve the above main technical problems, according to the present invention, a chuck table for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for irradiating a workpiece with a laser beam to the workpiece, a chuck table, and the chuck table A processing feed means for relatively moving the laser beam irradiation means in the processing feed direction, and the laser beam irradiation means sets a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillator and the pulse laser beam oscillator. And a laser processing apparatus comprising a condenser for condensing a pulsed laser beam oscillated from the laser beam oscillator,
A storage means for storing the X and Y coordinate values of the start point position and the end point position in a plurality of processing regions set on the workpiece; and a control means for controlling the laser beam irradiation means and the processing feed means. And
The control means has a processing feed direction length of the focused spot of the pulse laser beam condensed by the condenser (d) mm, a repetition frequency of the pulse laser beam is (H) Hz, and processing by the processing feed means The feed rate is (V) mm / sec, the length between the start point position and the end point position at which the workpiece is irradiated with the pulse laser beam is (L) mm, the start point position and the end point position at which the workpiece is irradiated with the pulse laser beam When the number of spots of the pulse laser beam irradiated to (L) mm is (n),
d + (V / H) n = L
(V / H) is set so as to satisfy, and the repetition frequency setting means and the processing feed means are controlled.
A laser processing apparatus is provided.

本発明によれば、パルスレーザー光線の集光スポットの加工送り方向の長さを(d)mm、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を(H)Hz、加工送り手段による加工送り速度を(V)mm/秒、被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間の長さを(L)mm、被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間 (L)mmに照射するパルスレーザー光線のスポット数を(n)個とした場合、d＋(V/H)n＝Lを満足するように(V/H)を設定し、繰り返し周波数設定手段および加工送り手段を制御するので、被加工物に設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を形成することができる。この場合、加工される範囲が終点位置より僅かにオーバーまたは手前となることがあるが、許容範囲に収めることができる。   According to the present invention, the length in the machining feed direction of the focused spot of the pulse laser beam is (d) mm, the repetition frequency of the pulse laser beam is (H) Hz, and the machining feed speed by the machining feed means is (V) mm / sec. The length between the start point and end point position where the workpiece is irradiated with the pulse laser beam is (L) mm, and the length of the pulse laser beam irradiated between the start point and end point position where the workpiece is irradiated with the pulse laser beam (L) mm When the number of spots is (n), (V / H) is set so that d + (V / H) n = L is satisfied, and the repetition frequency setting means and machining feed means are controlled. The laser processing grooves can be formed in a plurality of processing regions set to. In this case, the range to be processed may be slightly over or near the end point position, but can be within the allowable range.

以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   Hereinafter, a laser processing apparatus configured according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線照射ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。   FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2, a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction indicated by an arrow X, and holds a workpiece. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 is movably disposed in the indexing feed direction indicated by the arrow Y perpendicular to the direction indicated by the arrow X in FIG. 2, and is movable in the direction indicated by the arrow Z to the laser beam irradiation unit support mechanism 4 And a laser beam irradiation unit 5 disposed in the.

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31, 31 arranged in parallel along the machining feed direction indicated by the arrow X on the stationary base 2, and the arrow X on the guide rails 31, 31. A first slide block 32 movably disposed in the processing feed direction; a second slide block 33 disposed on the first slide block 32 movably in the index feed direction indicated by an arrow Y; A support table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 formed of a porous material, and holds, for example, a disk-shaped semiconductor wafer, which is a workpiece, on the suction chuck 361 by suction means (not shown). . The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame described later.

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。   The first sliding block 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and in the index feed direction indicated by an arrow Y on the upper surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel with each other are provided. The first sliding block 32 configured in this way is processed by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. It is configured to be movable in the feed direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a machining feed means 37 for moving the first sliding block 32 along the pair of guide rails 31 and 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, when the male screw rod 371 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31, 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a processing feed amount detecting means 374 for detecting the processing feed amount of the chuck table 36. The processing feed amount detection means 374 includes a linear scale 374a disposed along the guide rail 31, and a read head disposed along the linear scale 374a along with the first sliding block 32 disposed along the first sliding block 32. 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the feed amount detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means to be described later detects the machining feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signals. When the pulse motor 372 is used as the drive source of the machining feed means 37, the machining feed amount of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 372. Can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the machining feed means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to a control means described later, and the pulse signal input by the control means. By counting, the machining feed amount of the chuck table 36 can also be detected.

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the indexing and feeding direction indicated by the arrow Y. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for moving the second slide block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first slide block 32 in the index feed direction indicated by the arrow Y. First index feeding means 38 is provided. The first index feed means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. It is out. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, when the male screw rod 381 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41, 41 arranged in parallel along the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the stationary base 2, and the arrow Y on the guide rails 41, 41. The movable support base 42 is provided so as to be movable in the direction indicated by. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. The mounting portion 422 is provided with a pair of guide rails 423 and 423 extending in the direction indicated by the arrow Z on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 43 for moving the movable support base 42 along the pair of guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y. is doing. The second index feed means 43 includes a male screw rod 431 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, 41, and a drive source such as a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. It is out. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, when the male screw rod 431 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 432, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記レーザー光線照射ユニット支持機構４の可動支持基台４２の割り出し送り量を検出するための割り出し送り量検出手段４３３を備えている。割り出し送り量検出手段４３３は、案内レール４１に沿って配設されたリニアスケール４３３aと、可動支持基台４２に配設されリニアスケール４３３aに沿って移動する読み取りヘッド４３３bとからなっている。この送り量検出手段４３３の読み取りヘッド４３３bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出する。なお、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてパルスモータ４３２を用いた場合には、パルスモータ４３２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記第２の割り出し送り手段４３の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、レーザー光線照射ユニット５の割り出し送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes index feed amount detection means 433 for detecting the index feed amount of the movable support base 42 of the laser beam irradiation unit support mechanism 4. The index feed amount detecting means 433 includes a linear scale 433a disposed along the guide rail 41 and a read head 433b disposed on the movable support base 42 and moving along the linear scale 433a. In the illustrated embodiment, the read head 433b of the feed amount detection means 433 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. And the control means mentioned later detects the index feed amount of the laser beam irradiation unit 5 by counting the input pulse signal. In the case where the pulse motor 432 is used as the drive source of the second index sending means 43, the laser beam irradiation unit 5 is counted by counting the drive pulses of the control means described later that outputs a drive signal to the pulse motor 432. It is also possible to detect the index feed amount. Further, when a servo motor is used as the drive source of the second index sending means 43, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs it. The index feed amount of the laser beam irradiation unit 5 can also be detected by counting the number of pulse signals.

図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and laser beam irradiation means 52 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 is provided with a pair of guided grooves 511 and 511 that are slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 provided in the mounting portion 422. By being fitted to the guide rails 423 and 423, the guide rails 423 and 423 are supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

上記レーザー光線照射手段５２は、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段５２２および伝送光学系５２３と、ケーシング５２１の先端に配設されパルスレーザー光線発振手段５２２によって発振されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器５３を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段５２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段５２２ｂとから構成されている。この繰り返し周波数設定手段５２２ｂは、後述する制御手段によって制御される。上記伝送光学系５２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。   As shown in FIG. 2, the laser beam irradiation means 52 is oscillated by the pulse laser beam oscillation means 522 disposed at the tip of the casing 521 and the pulse laser beam oscillation means 522 and the transmission optical system 523 disposed in the casing 521. A condenser 53 for irradiating a workpiece held on the chuck table 36 with a pulsed laser beam is provided. The pulse laser beam oscillation means 522 is composed of a pulse laser beam oscillator 522a composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 522b attached thereto. This repetition frequency setting means 522b is controlled by the control means described later. The transmission optical system 523 includes an appropriate optical element such as a beam splitter.

上記集光器５３は、上記パルスレーザー光線発振手段５２２によって発振されたパルスレーザー光線を図３に示すように楕円形状のスポットSに集光し、上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する。この楕円形状のスポットSは、長軸(d)が図１においてXで示す加工送り方向に向けて照射される。このスポットSは、長軸(d)が０．０５〜０．５mm、短軸(e)が０．００５〜０．０１５mmの範囲が望ましく、図示の実施形態においては長軸(d)が０．２mm、短軸(e)が０．００５mmに設定されている。なお、楕円形状のスポットSは、例えば集光器５３における図示しない対物集光レンズの上流側に２個のシリンドリカルレンズを光軸が交差するように直列に配設し、この２個のシリンドリカルレンズの間隔を調整することによりスポットの長軸と短軸の長さを適宜調整してスポットの形状を楕円形にしたり円形にすることができる。   The condenser 53 condenses the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillation means 522 into an elliptical spot S as shown in FIG. 3, and irradiates the workpiece held on the chuck table 36. . The elliptical spot S is irradiated so that the long axis (d) is directed in the machining feed direction indicated by X in FIG. The spot S preferably has a major axis (d) of 0.05 to 0.5 mm and a minor axis (e) of 0.005 to 0.015 mm. In the illustrated embodiment, the major axis (d) is 0. .2mm, short axis (e) is set to 0.005mm. Note that the elliptical spot S is formed by arranging, for example, two cylindrical lenses in series so that the optical axes cross each other on the upstream side of an objective condenser lens (not shown) in the condenser 53, and the two cylindrical lenses. By adjusting the distance between the spots, the lengths of the major and minor axes of the spots can be appropriately adjusted to make the spot shape elliptical or circular.

また、レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、上記レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   An imaging means 6 for detecting a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation means 52 is disposed at the front end of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52. The imaging unit 6 includes an illuminating unit that illuminates the workpiece, an optical system that captures an area illuminated by the illuminating unit, an imaging device (CCD) that captures an image captured by the optical system, and the like. The captured image signal is sent to a control means (not shown).

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザー光線照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a moving means 53 for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z. The moving means 53 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423, and a drive source such as a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. By driving the male screw rod (not shown) in the forward and reverse directions by the motor 532, the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 52 are moved along the guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z. In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 52 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward, and the laser beam irradiation means 52 is moved downward by driving the pulse motor 532 in reverse. Yes.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段１０を具備している。制御手段１０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、後述する被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点と終点のX,Y座標値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、カウンター１０４と、入力インターフェース１０５および出力インターフェース１０６とを備えている。制御手段１０の入力インターフェース１０５には、上記加工送り量検出手段３７４、割り出し送り量検出手段４３３および撮像手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段１０の出力インターフェース１０６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３は、後述する被加工物における加工領域の始点位置と終点位置のX,Y座標値のデータを記憶する第１の記憶領域１０３aや、後述する検出値のデータを記憶する第２の記憶領域１０３bおよび他の記憶領域を備えている。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 10. The control means 10 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 101 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 102 that stores a control program and the like, and a pulse laser beam on a workpiece to be described later. A readable / writable random access memory (RAM) 103 that stores data of X and Y coordinate values of the irradiation start point and end point, calculation results, and the like, a counter 104, an input interface 105, and an output interface 106 are provided. Detection signals from the machining feed amount detection means 374, the index feed amount detection means 433, the imaging means 6 and the like are input to the input interface 105 of the control means 10. A control signal is output from the output interface 106 of the control means 10 to the pulse motor 372, pulse motor 382, pulse motor 432, pulse motor 532, laser beam irradiation means 52, and the like. The random access memory (RAM) 103 includes a first storage area 103a for storing data of X and Y coordinate values of a start point and an end point of a processing area on a workpiece to be described later, and a detection value to be described later. A second storage area 103b for storing data and another storage area are provided.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４には、レーザー加工される被加工物としての光デバイスウエーハ２０が、環状のフレーム２１に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ２２に表面２００ａを上側にして貼着された状態が示されている。光デバイスウエーハ２０は、窒化ガリウム(GaN)基板２００の表面２００ａに第１の方向に形成された複数の第１のストリート２０１と該第１のストリート２０１と直交する方向に形成された複数の第２のストリート２０２によって複数の領域が区画され、この区画された領域にレーザーダイオードからなる光デバイス２０３が形成されている。この各光デバイス２０３は、全て同一の構成をしている。このように構成された光デバイスウエーハ２０は、第１のストリート２０１に沿って上述したレーザー加工装置を用いてレーザー加工溝を形成しても光デバイス２０３の輝度に影響を及ぼすことがなく、第２のストリート２０２に沿ってレーザー加工溝を形成すると光デバイス２０３の輝度が低下する。従って、図示の光デバイスウエーハ２０には、第１のストリート２０１に沿ってはレーザー加工溝を形成し、第２のストリート２０２に沿ってはポイントスクライバーを用いて傷（スクライブライン）を付けた後に、該両ストリートに沿って外力を付与することにより個々の光デバイス２０３に分割する。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
In FIG. 4, an optical device wafer 20 as a workpiece to be laser-processed is attached to a protective tape 22 made of a synthetic resin sheet such as polyolefin mounted on an annular frame 21 with the surface 200a facing upward. The state is shown. The optical device wafer 20 includes a plurality of first streets 201 formed in a first direction on a surface 200 a of a gallium nitride (GaN) substrate 200 and a plurality of first streets formed in a direction orthogonal to the first streets 201. A plurality of regions are partitioned by two streets 202, and an optical device 203 made of a laser diode is formed in the partitioned regions. Each optical device 203 has the same configuration. The thus configured optical device wafer 20 does not affect the brightness of the optical device 203 even if the laser processing groove is formed along the first street 201 using the laser processing apparatus described above. When the laser processing groove is formed along the second street 202, the luminance of the optical device 203 is lowered. Accordingly, the illustrated optical device wafer 20 is formed with a laser processing groove along the first street 201 and a scratch (scribe line) is formed along the second street 202 using a point scriber. The optical device 203 is divided into individual optical devices 203 by applying an external force along the both streets.

上記のように形成された光デバイスウエーハ２０においては、図５に示すように第１のストリート２０１の各行(A1,A2,A3,A4,A5)毎に加工領域の始点位置(B)と終点位置(C)が設定されている。この各始点位置(B)と終点位置(C)のX,Y座標値および始点位置(B)と終点位置(C)間（加工領域）の距離(L)は、その設計値のデータが上記制御手段１０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第１に記憶領域１０３aに格納されている。なお、図５には、第１のストリート２０１のA1行およびA5行以外は両端を除いてX,Y座標値を省略して示してある。   In the optical device wafer 20 formed as described above, as shown in FIG. 5, the start point position (B) and the end point of the processing region for each row (A1, A2, A3, A4, A5) of the first street 201. Position (C) is set. The X and Y coordinate values of each start point position (B) and end point position (C) and the distance (L) between the start point position (B) and end point position (C) (processing area) are the values of the design values above. First stored in the storage area 103 a of the random access memory (RAM) 103 of the control means 10. In FIG. 5, the X and Y coordinate values of the first street 201 other than the A1 and A5 lines are omitted except for both ends.

上述したレーザー加工装置を用い、上記光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１に沿って上記始点位置(B)と終点位置(C)間（加工領域）にレーザー加工溝を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
上記のように構成された光デバイスウエーハ２０は、図４に示すように環状のフレーム２１に装着された保護テープ２２に表面２００ａを上側にして貼着された状態で、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープ２２を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより光デバイスウエーハ２０は、保護テープ２２を介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレーム２１は、クランプ３６２によって固定される。 Laser that forms a laser processing groove between the start point position (B) and the end point position (C) (processing region) along the first street 201 formed on the optical device wafer 20 using the laser processing apparatus described above. An embodiment of processing will be described.
The optical device wafer 20 configured as described above has the laser processing shown in FIG. 1 in a state where the surface 200a is attached to the protective tape 22 attached to the annular frame 21 as shown in FIG. The protective tape 22 is placed on the chuck table 36 of the apparatus. Then, by operating a suction means (not shown), the optical device wafer 20 is sucked and held on the chuck table 36 via the protective tape 22. The annular frame 21 is fixed by a clamp 362.

上述したように光デバイスウエーハ２０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段６の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上の光デバイスウエーハ２０は、図５に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持された光デバイスウエーハ２０に形成されている第１のストリート２０１と第２のストリート２０２がX方向とY方向に平行に配置されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段６によってチャックテーブル３６に保持された光デバイスウエーハ２０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。なお、上記加工領域の始点位置(B)と終点位置(C)のX,Y座標値は、チャックテーブル３６上に光デバイスウエーハ２０を保持した状態で撮像手段６によってそれぞれ検出し、そのX,Y座標の検出値を上述した設計値に代えて上記制御手段１０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第１に記憶領域１０３aに格納してもよい。   As described above, the chuck table 36 that sucks and holds the optical device wafer 20 is positioned directly below the imaging unit 6 by the processing feeding unit 37. When the chuck table 36 is positioned directly below the imaging means 6, the optical device wafer 20 on the chuck table 36 is positioned at the coordinate position shown in FIG. In this state, an alignment operation is performed to determine whether or not the first street 201 and the second street 202 formed on the optical device wafer 20 held on the chuck table 36 are arranged parallel to the X direction and the Y direction. carry out. In other words, the optical device wafer 20 held on the chuck table 36 is imaged by the imaging means 6 and image processing such as pattern matching is executed to perform alignment work. The X and Y coordinate values of the start point position (B) and end point position (C) of the machining area are detected by the image pickup means 6 while holding the optical device wafer 20 on the chuck table 36, and the X, Y The detected value of the Y coordinate may be stored in the first storage area 103a of the random access memory (RAM) 103 of the control means 10 instead of the design value described above.

次に、チャックテーブル３６を移動して、光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１における最上位のA1行の図５において最左端の第１の始点B１(x1,y1)を、図６の(a)に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５３の下方に位置付ける。このとき、図示の実施形態においては集光器５３から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットS（図３参照）が長軸(d)が２００μmに設定されているので、集光スポットSにおける長軸(d)の端部が最左端の第１の始点B１(x1,y1)と対応させるために、最左端の第１の始点B1(x1,y1)より図６の(a)において１００μm右側の位置が集光器５３の直下となるように位置付ける。そして、集光器５３から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットSを光デバイスウエーハ２０の表面２０a（上面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器５３から窒化ガリウム(GaN)基板２００に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー光線照射工程）。   Next, the chuck table 36 is moved so that the leftmost first start point B1 (x1, y1) in FIG. 5 of the uppermost A1 row in the first street 201 formed on the optical device wafer 20 is shown in FIG. 6 (a), the laser beam irradiation means 52 is positioned below the condenser 53. At this time, in the illustrated embodiment, the condensing spot S (see FIG. 3) of the pulse laser beam irradiated from the condensing device 53 is set to have a long axis (d) of 200 μm. In order for the end of the axis (d) to correspond to the leftmost first start point B1 (x1, y1), the leftmost first start point B1 (x1, y1) is 100 μm right in FIG. Is positioned directly below the condenser 53. Then, the condensing spot S of the pulse laser beam irradiated from the condenser 53 is matched with the vicinity of the surface 20 a (upper surface) of the optical device wafer 20. Next, the chuck table 31 is indicated by an arrow X1 in FIG. 6A while irradiating the gallium nitride (GaN) substrate 200 with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength from the condenser 53 of the laser beam irradiation means 52. Move in the direction at a predetermined processing feed rate (laser beam irradiation process).

なお、上記レーザー光線照射工程は、例えば次に示す加工条件で実施することができる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：２〜７Ｗ
繰り返し周波数 ：５００〜５００００Ｈｚ
加工送り速度 ：１０〜５００ｍｍ／秒 In addition, the said laser beam irradiation process can be implemented on the processing conditions shown, for example.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Average output: 2-7W
Repetition frequency: 500 to 50,000 Hz
Processing feed rate: 10 to 500 mm / sec

ここで、レーザー光線照射工程においてレーザー光線照射手段５２の集光器５３から照射されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )と加工送り速度をV(mm/秒)の設定について説明する。
パルスレーザー光線を被加工物に照射して形成するレーザー加工溝の加工精度は、パルスレーザー光線のスポット間隔によって影響される。即ち、パルスレーザー光線のスポット間隔によって、被加工物に照射されるパルスレーザー光線の集光スポットの重なり率が決まるからである。パルスレーザー光線の繰り返し周波数をH(Hz )とし、加工送り速度をV(mm/秒)とすると、パルスレーザー光線のスポット間隔(s)は (V/H)である。そして、集光スポットSの加工送り方向の長さをd(mm)、上記光デバイスウエーハ２０の第１のストリート２０１に設定されたパルスレーザー光線を照射する加工領域の始点位置(B)と終点位置(C)間の距離をL(mm)、始点位置(B)と終点位置(C)間に照射するパルスレーザー光線のスポット数をn(個)とした場合、始点位置(B)と終点位置(C)間の距離をL(mm)即ち加工領域にパルスレーザー光線を照射するためには、次式を満足するようにパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )と加工送り速度をV(mm/秒)を設定すればよい。
d＋(V/H)n＝L
但し、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz
)およびスポット数n(個)は、整数となるようにする必要がある。 Here, the setting of the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam irradiated from the condenser 53 of the laser beam irradiation means 52 and the processing feed speed V (mm / sec) in the laser beam irradiation step will be described.
The processing accuracy of a laser processing groove formed by irradiating a workpiece with a pulsed laser beam is affected by the spot interval of the pulsed laser beam. That is, the overlapping rate of the focused spots of the pulse laser beam irradiated onto the workpiece is determined by the spot interval of the pulse laser beam. If the repetition frequency of the pulse laser beam is H (Hz) and the processing feed rate is V (mm / sec), the spot interval (s) of the pulse laser beam is (V / H). The length of the focused spot S in the processing feed direction is d (mm), and the start point position (B) and end point position of the processing region to which the pulse laser beam set on the first street 201 of the optical device wafer 20 is irradiated. When the distance between (C) is L (mm) and the number of spots of the pulse laser beam irradiated between the start point position (B) and the end point position (C) is n (pieces), the start point position (B) and end point position ( In order to irradiate the machining area with a pulse laser beam, the distance between C) is L (mm), and the repetition frequency H (Hz) and machining feed rate of the pulse laser beam are V (mm / sec) so as to satisfy the following equation: Should be set.
d + (V / H) n = L
However, pulse laser beam repetition frequency H (Hz
) And the number of spots n (pieces) must be integers.

例えば、集光スポットSの加工送り方向の長さをdを０．２(mm)、集光スポットSの重なり率を８５％とすると、スポット間隔(s＝(V/H))は０．０３(mm)となる。そして、上記光デバイスウエーハ２０の第１のストリート２０１に設定されたパルスレーザー光線を照射する始点位置(B)と終点位置(C)間の距離（加工領域）Lを５ (mm)とすると、加工領域Lに照射するパルスレーザー光線のスポット数n(個)は、n＝(L−d)/ (V/H)＝(５−０．２)/( ０．０３) ＝１６０(個)となる。即ち、スポット間隔(s)＝(V/H))を０．０３(mm)と設定した場合、パルスレーザー光線のスポット数n(個)を１６０(個)とすることにより上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域L（５mm)にパルスレーザー光線を照射することができる。従って、スポット間隔(s)＝(V/H))を０．０３(mm)と設定した場合、(V/H))が０．０３(mm)となるようにパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )と加工送り速度V(mm/秒)を設定すればよい。例えば、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００００(Hz )とすると、加工送り速度Vは、V＝０．０３×１００００＝３００(mm/秒)となる。一方、加工送り速度V(mm/秒)を３００(mm/秒)に設定すると、パルスレーザー光線の繰り返し周波数Hは、H＝３００÷０．０３＝１００００(Hz )となる。   For example, when the length of the focused spot S in the processing feed direction is d (0.2 mm) and the overlapping rate of the focused spots S is 85%, the spot interval (s = (V / H)) is 0. 03 (mm). When the distance (processing area) L between the starting point position (B) and the ending point position (C) irradiating the pulse laser beam set on the first street 201 of the optical device wafer 20 is 5 (mm), the processing is performed. The number n (pieces) of the pulse laser beams irradiated to the region L is n = (L−d) / (V / H) = (5-0.2) / (0.03) = 160 (pieces). . That is, when the spot interval (s) = (V / H)) is set to 0.03 (mm), the starting point position (B) is set by setting the number of spots n (pieces) of the pulse laser beam to 160 (pieces). And a processing region L (5 mm) between the end point position (C) and the pulse laser beam can be irradiated. Accordingly, when the spot interval (s) = (V / H)) is set to 0.03 (mm), the repetition frequency H (of the pulse laser beam so that (V / H)) becomes 0.03 (mm). Hz) and machining feed rate V (mm / sec) may be set. For example, if the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is 10000 (Hz), the processing feed speed V is V = 0.03 × 10000 = 300 (mm / sec). On the other hand, when the processing feed speed V (mm / sec) is set to 300 (mm / sec), the repetition frequency H of the pulse laser beam is H = 300 ÷ 0.03 = 10000 (Hz).

なお、上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域の長さによっては、加工領域Lに照射するパルスレーザー光線のスポット数n(個)が整数とならない場合がある。例えば、集光スポットSの加工送り方向の長さdを０．２(mm)、スポット間隔(s)＝(V/H))を０．０３(mm)、加工領域Lを５．１ (mm)とすると、加工領域Lに照射するパルスレーザー光線のスポット数n(個)は、n＝(L−d)/ (V/H)＝(５．１−０．２)/( ０．０３) ＝１６３．３(個)となる。パルスレーザー光線のスポット数n(個)は整数以外ありえないので、この場合小数点以下を切り上げるか切り下げ、スポット数n(個)を１６４または１６３とする。例えば、スポット数n(個)を１６４とすると、スポット間隔(s)＝(V/H))が０．０３(mm)では加工範囲(L0)が、加工範囲(L0)＝０．０３×１６４＋０．２＝５．１２(mm)となり加工領域Lの終点位置(C)より０．０２(mm)だけオーバーして加工されることになるので、スポット間隔(s)＝(V/H))を変更する必要がある。即ち、上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域L（５．１ mm）に１６４個のスポットを照射するには、スポット間隔(s)＝(V/H))は、(V/H))＝(５．１−０．２)/１６４≒０．０２９８８となる。従って、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００００(Hz )とすると、加工送り速度V(mm/秒)は、V＝０．０２９８８×１００００＝２９８．８(mm/秒)となる。このようにパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００００(Hz )とし、加工送り速度V(mm/秒)を２９８．８(mm/秒)に設定することにより、上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域L（５．１ mm）に１６４個のスポットを照射することができる。一方、加工送り速度V(mm/秒)を３００(mm/秒)に設定すると、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )は、H(Hz )＝３００÷０．０２９８８≒１００４０．１６(Hz )となる。繰り返し周波数H(Hz
)は整数以外ありえないので、この場合小数点以下を切り上げるか切り下げ、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００４１(Hz )または１００４０(Hz )とする。パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００４１(Hz )に設定すると、加工範囲(L0)が、加工範囲(L0)＝(３００÷１００４１)×１６４＋０．２≒５．０９９９１(mm)となり、加工領域Lの終点位置(C)より約０．００００９ｍｍだけ手前で加工が終了する。また、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００４０(Hz )に設定すると、加工範囲(L0)が、加工範囲(L0)＝(３００÷１００４０)×１６４＋０．２≒５．１００３９８(mm)となり、加工領域Lの終点位置(C)より約０．０００３９８ｍｍオーバーして加工される。このように、上述した例においては加工領域Lの始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域Lより僅かに短くまたはオーバーして加工されるが、許容範囲を例えば±０．００５ｍｍとすると許容範囲に収めることができる。 Depending on the length of the processing area between the start position (B) and the end position (C), the number of spots (pulses) of the pulsed laser beam applied to the processing area L may not be an integer. For example, the length d of the focused spot S in the processing feed direction is 0.2 (mm), the spot interval (s) = (V / H)) is 0.03 (mm), and the processing region L is 5.1 ( mm), the number of spots (number) of the pulse laser beam irradiated to the processing region L is n = (L−d) / (V / H) = (5.1−0.2) / (0.03). ) = 163.3 (pieces). Since the number of spots n (pieces) of the pulse laser beam can be other than an integer, in this case, the number after the decimal point is rounded up or down, and the number of spots n (pieces) is set to 164 or 163. For example, when the number of spots n (pieces) is 164, when the spot interval (s) = (V / H)) is 0.03 (mm), the machining range (L0) is equal to the machining range (L0) = 0.03 ×. Since 164 + 0.2 = 5.12 (mm) and the machining is performed by 0.02 (mm) over the end position (C) of the machining area L, the spot interval (s) = (V / H) ) Need to be changed. That is, in order to irradiate 164 spots on the processing region L (5.1 mm) between the start point position (B) and the end point position (C), the spot interval (s) = (V / H)) is: (V / H)) = (5.1-0.2) /164≈0.02988. Accordingly, when the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is 10,000 (Hz), the machining feed rate V (mm / second) is V = 0.02988 × 10000 = 298.8 (mm / second). Thus, by setting the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam to 10000 (Hz) and the processing feed speed V (mm / second) to 298.8 (mm / second), the start point position (B) and It is possible to irradiate 164 spots on the processing region L (5.1 mm) between the end point positions (C). On the other hand, when the machining feed rate V (mm / sec) is set to 300 (mm / sec), the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is H (Hz) = 300 ÷ 0.02988≈10040.16 (Hz). It becomes. Repetition frequency H (Hz
) Can be anything other than an integer. In this case, the fractional part is rounded up or down, and the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is set to 10041 (Hz) or 10040 (Hz). When the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is set to 10041 (Hz), the machining range (L0) becomes the machining range (L0) = (300 ÷ 10041) × 164 + 0.2≈5.09991 (mm). Machining is completed approximately 0.00009 mm before the end position (C) of the region L. When the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is set to 10040 (Hz), the processing range (L0) becomes processing range (L0) = (300 ÷ 10040) × 164 + 0.2≈5.100398 (mm). Then, the machining is performed about 0.000398 mm over the end position (C) of the machining area L. Thus, in the above-described example, the machining area L is machined slightly shorter or longer than the machining area L between the start point position (B) and the end point position (C), but the allowable range is, for example, ± 0.005 mm. Then, it can be within the allowable range.

また、上記の例において、スポット数n(個)を１６３とすると、スポット間隔(s)＝(V/H))が０．０３(mm)では５．０９ (mm)となり終点位置(C)より０．０１(mm)だけ手前で加工が終了することになるので、スポット間隔(s)＝(V/H))を変更する必要がある。即ち、上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域L（５．１ mm）に１６３個のスポットを照射するには、スポット間隔(s)は、(V/H))＝(５．１−０．２)/１６３≒０．０３００６となる。従って、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００００(Hz )とすると、加工送り速度V(mm/秒)は、V＝０．０３００６×１００００≒３００．６(mm/秒)となる。このようにパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を１００００(Hz )とし、加工送り速度V(mm/秒)を３００．６(mm/秒)に設定することにより、上記始点位置(B)と終点位置(C)間の加工領域L（５．１ mm）に１６３個のスポットを照射することができる。一方、加工送り速度V(mm/秒)を３００(mm/秒)に設定すると、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )は、H＝３００÷０．０３００６≒９９８０．００４となる。繰り返し周波数H(Hz )は整数以外ありえないので、この場合、小数点以下が２桁まで零（０）であるためパルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を９９８０(Hz )とする。従って、パルスレーザー光線の繰り返し周波数H(Hz )を９９８０(Hz )に設定すると、加工範囲(L0)＝(３００÷９９８０)×１６３＋０．２≒５．０９９８(mm)となり、加工領域Lの終点位置(C)より約０．０００２ｍｍだけ手前で加工が終了することになるが、許容範囲を例えば±０．００５ｍｍとすると許容範囲に収めることができる。   In the above example, if the number of spots n (pieces) is 163, the spot interval (s) = (V / H)) is 0.09 (mm) and is 5.09 (mm), and the end point position (C) Further, since the processing is finished before 0.01 (mm), it is necessary to change the spot interval (s) = (V / H)). That is, in order to irradiate 163 spots on the machining area L (5.1 mm) between the start point position (B) and the end point position (C), the spot interval (s) is (V / H)) = (5.1-0.2) /163≈0.03006. Therefore, if the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is 10,000 (Hz), the machining feed speed V (mm / second) is V = 0.003006 × 10000≈300.6 (mm / second). In this way, by setting the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam to 10,000 (Hz) and the processing feed speed V (mm / second) to 300.6 (mm / second), the start point position (B) and It is possible to irradiate 163 spots on the processing region L (5.1 mm) between the end point positions (C). On the other hand, when the machining feed rate V (mm / sec) is set to 300 (mm / sec), the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is H = 300 ÷ 0.03006≈998.004. Since the repetition frequency H (Hz) can only be an integer, the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is assumed to be 9980 (Hz) in this case because the decimal places are zero (0) up to two digits. Accordingly, if the repetition frequency H (Hz) of the pulse laser beam is set to 9980 (Hz), the processing range (L0) = (300 ÷ 9980) × 163 + 0.2≈5.0998 (mm), and the end position of the processing region L From (C), the processing is finished before about 0.0002 mm. However, if the allowable range is, for example, ± 0.005 mm, it can be within the allowable range.

上述したように加工領域L( mm)について加工送り速度V(mm/秒)、繰り返し周波数H(Hz )およびスポット数n(個)が設定されたならば、制御手段１０は上述した加工条件に基づいてレーザー光線照射手段５２の繰り返し周波数設定手段５２２ｂおよび加工送り手段３７を制御する。即ち、制御手段１０は、上述したように最左端の第１の始点B1(x1,y1)より図６の(a)において１００μm右側の位置が集光器５３の直下となるようにチャックテーブル３６を位置付ける。そして、制御手段１０は、上述した加工条件に基づいてレーザー光線照射手段５２および加工送り手段３７を制御するとともに、レーザー光線照射手段５２から照射されたパルスレーザー光線のスポット数n(個)（パルス数）をカウンター１０４によってカウントし、上述したように設定されたスポット数n(個)（パルス数）に達したら、レーザー光線照射手段５２を制御してパルスレーザー光線の照射を停止する。その後、制御手段１０は、加工送り量検出手段３７４からの検出信号に基づいて、図６の(a)において第２の始点位置B2(x3,y1)より１００μm右側の位置が集光器５３の直下に達したら、レーザー光線照射手段５２を制御してパルスレーザー光線を照射する。そして、制御手段１０は、レーザー光線照射手段５２から照射されたパルスレーザー光線のスポット数n(個)（パルス数）をカウンター１０４によってカウントし、上述したように設定されたスポット数n(個)（パルス数）に達したら、レーザー光線照射手段５２を制御してパルスレーザー光線の照射を停止する。以後図５に示す第３の始点位置B3(x5,y1)から第３の終点位置C3(x6,y1)間および第４の始点位置B4(x7,y1)から第４の終点位置C4x8,y1)間に上述したと同様にパルスレーザー光線を照射する。この結果、光デバイスウエーハ２０には、第１のストリート２０１における最上位のA1行には図６の(b)に示すように上記各始点位置から終点位置間にレーザー加工溝２１０が形成される。この場合、加工される範囲が終点位置より僅かにオーバーまたは手前となることがあるが、上述したように許容範囲に収めることができる。従って、レーザー加工溝２１０が第２のストリート２０２に形成されることはない。   As described above, if the processing feed speed V (mm / second), the repetition frequency H (Hz), and the number of spots n (pieces) are set for the processing region L (mm), the control means 10 satisfies the processing conditions described above. Based on this, the repetition frequency setting means 522b and the processing feed means 37 of the laser beam irradiation means 52 are controlled. That is, as described above, the control means 10 controls the chuck table 36 so that the position on the right side of 100 μm from the first leftmost start point B1 (x1, y1) in FIG. Position. The control means 10 controls the laser beam irradiation means 52 and the machining feed means 37 based on the above-described processing conditions, and calculates the number of spots (number) (number of pulses) of the pulse laser beam emitted from the laser beam irradiation means 52. When the number of spots n (pieces) (number of pulses) set as described above is reached, the laser beam irradiation means 52 is controlled to stop the irradiation of the pulsed laser beam. After that, the control means 10 is based on the detection signal from the machining feed amount detection means 374, and the position on the right side of 100 μm from the second start position B2 (x3, y1) in FIG. When it reaches just below, the laser beam irradiation means 52 is controlled to irradiate the pulse laser beam. Then, the control means 10 counts the number of spots n (number) (number of pulses) of the pulse laser beam emitted from the laser beam irradiation means 52 by the counter 104, and sets the number of spots n (number) (pulse) set as described above. When the number reaches, the laser beam irradiation means 52 is controlled to stop the irradiation of the pulsed laser beam. Thereafter, the third start point position B3 (x5, y1) to the third end point position C3 (x6, y1) and the fourth start point position B4 (x7, y1) to the fourth end point position C4x8, y1 shown in FIG. ) Is irradiated with a pulsed laser beam in the same manner as described above. As a result, in the optical device wafer 20, a laser processing groove 210 is formed between the start point position and the end point position as shown in FIG. 6B in the uppermost A1 row in the first street 201. . In this case, the processed range may be slightly over or near the end point position, but can be within the allowable range as described above. Therefore, the laser processing groove 210 is not formed on the second street 202.

以上のようにして、光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１における最上位のA1行に対してレーザー光線照射工程を実施したならば、制御手段１０は加工送り手段３７および第２の割り出し送り手段４３を作動し、図５に示す光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１におけるA２行の第１の始点位置B1(x1,y2)を レーザー光線照射手段５２の集光器５３の下方に位置付け、第１のストリート２０１におけるA２行に対して上述したレーザー光線照射工程を実施する。そして、更に光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１におけるA3、A4、A5、に対しても同様に上述したてレーザー光線照射工程を実施する。   As described above, when the laser beam irradiation process is performed on the uppermost A1 row in the first street 201 formed in the optical device wafer 20, the control means 10 performs the processing feeding means 37 and the second indexing. The feeding means 43 is operated, and the first starting point position B1 (x1, y2) of the A2 line in the first street 201 formed in the optical device wafer 20 shown in FIG. Positioned below, the laser beam irradiation process described above is performed on the A2 row in the first street 201. Further, the above-described laser beam irradiation process is similarly performed on A3, A4, and A5 in the first street 201 formed on the optical device wafer 20.

光デバイスウエーハ２０に形成された第１のストリート２０１に対してレーザー光線照射工程を実施する前または後に、光デバイスウエーハ２０に形成された複数の第２のストリート２０２に沿ってポイントスクライバーによりスクライブラインを形成する。そして、光デバイスウエーハ２０に上記レーザー加工溝２１０が形成された複数の第１のストリート２０１およびスクライブラインが形成された複数の第２のストリート２０２に沿って外力を付与することにより、光デバイスウエーハ２０は個々の光デバイス２０３に分割される。このようにして分割された光デバイス２０３は、輝度に影響がある第２のストリート２０２に対してはスクライブラインを形成して破断するので、輝度が低下することはない。一方、輝度に影響が少ない第１のストリート２０１に対しては上記レーザー光線照射工程を実施してレーザー各溝２１０を形成するので、加工速度を速くすることができ生産性を向上することができる。なお、上記レーザー光線照射工程においては、第１のストリート２０１における上記各始点位置から終点位置間に正確にレーザー加工溝２１０が形成されるので、レーザー加工溝２１０が第２のストリート２０２に形成されることはなく、光デバイス２０３の輝度を低下させることはない。   Before or after the laser beam irradiation step is performed on the first street 201 formed on the optical device wafer 20, a scribe line is formed by a point scriber along the plurality of second streets 202 formed on the optical device wafer 20. Form. Then, an external force is applied to the optical device wafer 20 along the plurality of first streets 201 in which the laser processing grooves 210 are formed and the plurality of second streets 202 in which scribe lines are formed. 20 is divided into individual optical devices 203. Since the optical device 203 divided in this way is broken by forming a scribe line with respect to the second street 202 having an influence on the luminance, the luminance is not lowered. On the other hand, the laser beam irradiation process is performed on the first street 201 having little influence on the luminance to form the laser grooves 210, so that the processing speed can be increased and the productivity can be improved. In the laser beam irradiation step, since the laser processing groove 210 is accurately formed between the start point position and the end point position in the first street 201, the laser processing groove 210 is formed in the second street 202. The brightness of the optical device 203 is not lowered.

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus comprised according to this invention. 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック図。The block diagram of the laser beam irradiation means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示すレーザー光線照射手段から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットの形状を示す説明図。Explanatory drawing which shows the shape of the condensing spot of the pulse laser beam irradiated from the laser beam irradiation means shown in FIG. 本発明によるレーザー加工装置によって加工される光デバイスウエーハを環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed the optical device wafer processed with the laser processing apparatus by this invention to the protective tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 図４に示す光デバイスウエーハに設定されるか広範囲の始点位置と終点位置のX,Y座標値を示す説明図。Explanatory drawing which shows the X and Y coordinate value of the starting point position and end point position which are set to the optical device wafer shown in FIG. 図１に示すレーザー加工装置を用いて図４に示す光デバイスウエーハに実施するレーザー光線照射工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the laser beam irradiation process implemented to the optical device wafer shown in FIG. 4 using the laser processing apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：加工送り量検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段
４３３：割り出し送り量検出手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
５３：集光器
６：撮像手段
１０：制御手段
２０：光デバイスウエーハ
２０１：第１のストリート
２０２：第２のストリート
２０３：デバイス
２１０：レーザー加工溝
２１：環状のフレーム
２２：保護テープ 2: Stationary base 3: Chuck table mechanism 31: Guide rail 36: Chuck table 37: Work feed means 374: Work feed amount detection means 38: First index feed means
4: Laser beam irradiation unit support mechanism 41: Guide rail 42: Movable support base 43: Second index feed means 433: Index feed amount detection means 5: Laser beam irradiation unit 51: Unit holder 52: Laser beam processing means 53: Light collection Device 6: Imaging means 10: Control means 20: Optical device wafer 201: First street 202: Second street 203: Device 210: Laser processing groove 21: Ring frame 22: Protective tape

Claims (1)

被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、該レーザー光線照射手段がパルスレーザー光線発振器および該パルスレーザー光線発振器から発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段と、該パルスレーザー光線発振器から発振されるパルスレーザー光線を集光する集光器とを備えているレーザー加工装置において、
被加工物に設定された複数の加工領域における各始点位置と終点位置のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する制御手段を具備しており、
該制御手段は、該集光器によって集光されるパルスレーザー光線の集光スポットの加工送り方向の長さを(d)mm、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を(H)Hz、該加工送り手段による加工送り速度を(V)mm/秒、該被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間の長さを(L)mm、該被加工物にパルスレーザー光線を照射する始点位置と終点位置間 (L)mmに照射するパルスレーザー光線のスポット数を(n)個とした場合、
d＋(V/H)n＝L
を満足するように(V/H)を設定し、該繰り返し周波数設定手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 A chuck table for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for irradiating a workpiece held on the chuck table with a laser beam, and a process feed for moving the chuck table and the laser beam irradiation means relative to the machining feed direction A laser beam irradiating means for setting a repetition frequency of a pulse laser beam oscillator and a repetition frequency of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillator, and condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillator. In a laser processing apparatus equipped with a condenser
A storage means for storing the X and Y coordinate values of the start point position and the end point position in a plurality of processing regions set on the workpiece; and a control means for controlling the laser beam irradiation means and the processing feed means. And
The control means has a processing feed direction length of the focused spot of the pulse laser beam condensed by the condenser (d) mm, a repetition frequency of the pulse laser beam is (H) Hz, and processing by the processing feed means The feed rate is (V) mm / sec, the length between the start point position and end point position where the workpiece is irradiated with the pulse laser beam is (L) mm, the start position and end point position where the workpiece is irradiated with the pulse laser beam When the number of spots of the pulse laser beam irradiated to (L) mm is (n),
d + (V / H) n = L
(V / H) is set so as to satisfy, and the repetition frequency setting means and the processing feed means are controlled.
Laser processing equipment characterized by that.
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