KR102300481B1 - 기판을 접합하기 위한 방법 및 샘플 홀더 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판(4o, 4u)의 서로 마주보는 접촉면(4k)에서, 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법 및 장치에 관한 것이다.

Description

기판을 접합하기 위한 방법 및 샘플 홀더
본 발명은, 본 발명의 독립 청구항들에 따른 제1 기판과 제2 기판을 접합하기 위한 방법 및 이에 상응하는 장치에 관한 것이다.
반도체 산업에서 기판은 수십 년 동안 소위 접합 공정(bonding process)에 의해 접합되어 왔다. 접합 전에, 이러한 기판은 가능한 최대한 정밀하게 서로 정렬되어야 하며, 나노미터 범위의 편차(divergence) 조차도 매우 중요한 요인으로 작용한다. 기판의 정렬은 일반적으로 정렬 마크(alignment mark)에 의해 구현된다. 정렬 마크 외에도, 접합 공정 동안에 서로 정렬되어야 하는, 특히, 기능적인 요소들이 기판에 제공된다. 개별 기능적 요소들 간의 정렬 정확성이 전체 기판 표면에 걸쳐 요구된다. 따라서, 예를 들어, 정렬 정확성이 기판의 중심에는 매우 우수하지만 에지(edge)를 향해 갈수록 감소되는 것은 바람직하지 못하다.
종래 기술에서, 가령, 예를 들어, 문헌 EP2656378B1호, WO201419-1033A1호 또는 PCT/EP2016056249호에, 접합 공정에 상당한 영향을 미치는 다수의 방법 및 시스템들이 기술되어 있다.
접합에 있어서, 가장 어려운 것 중 하나는 접합 공정 자체로서 즉 접합 공정 동안, 기판의 접촉면들이 완벽하게 접촉되어야 한다는 사실이다. 본 발명에서, 2개의 기판이 서로에 대해 정렬되는 것은 종래 기술의 정렬 방법에 비해 여전히 중요한 역할을 담당할 수 있다. 만약 2개의 기판 표면이 접합될 때, 이론적으로는 분리도 가능하지만, 고-비용과, 낮은 수율 및 쉽게 에러가 날 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 특히 전체 영역에 걸쳐 접합 정확성(bonding accuracy)이 우수한, 2개의 기판(substrate)을 접합하는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 청구범위에 기재된 독립 청구항들의 특징들로 해결된다. 본 발명의 바람직한 변형예들은 종속항들에 제공된다. 본 발명의 상세한 설명, 청구항, 및/또는 도면들에 제공된 특징들 중 2개 이상의 특징들의 모든 조합은 본 발명의 범위 내에 있다. 본 발명에 기재된 값 범위에서, 한계값들 내에 있는 값들은 한계값으로 간주될 수 있으며 임의의 조합도 청구될 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판의 서로 마주보는 접촉면(contact face)에서, 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은:
제1 기판을 제1 고정 장치(holding device)의 제1 고정 표면(holding surface)에 고정하는 단계 및 제2 기판을 제2 고정 장치의 제2 고정 표면에 고정하는 단계;
고정 요소(fixing element)에 의해 기판들을 고정 표면에 고정하는 단계; 및
접촉면과 접촉하기 전에 접촉면들 중 한 접촉면을 만곡하는 단계를 포함하며,
접촉면과 접촉되고 난 후에, 단일의 접촉 축(contacting axis)을 따라 단축으로 배열되는(uniaxially arranged) 고정 요소들만이 작동이 중지되고(switched-off) 나머지 고정 요소들은 작동된 상태로 유지되어, 기판들은 접촉 축을 따라 오직 단축으로만 접합되며,
그 후에, 나머지 고정 요소들의 작동이 중지되어, 기판들은 전체 영역에 걸쳐 접합된다.
본 발명에 따른 방법으로 인해, 기판들을 접합하는 동안, 비틀림(distortion)을 줄일 수 있는데, 이는 접합이 오직 접촉 축을 따라서만 수행되며 그에 따라 오직 단축 비틀림(uniaxial distortion)만이 생성될 수 있기 때문이다.
한 바람직한 실시예에서, 고정 요소들은 그리드(grid) 형태로 배열되며, 인접한 고정 요소들 사이의 거리는 균일한 것이 바람직하다. 바람직하게는, 고정 요소들은, 접촉 축을 따라 접합 공정을 더 잘 모니터링(monitoring) 할 수 있도록, 보다 균일하게 분포될 수 있다.
추가적인 실시예에서, 고정 요소들은 직사각형 형태로 구성되거나 및/또는 서로 합동이 되게 하는 구조물(structure) 형태를 가지는데, 상기 구조물들은 기판들의 표면에 제공된다. 고정 요소들은 특히, 원형의 링(ring) 형태로 형성될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 고정 요소들은 순차적으로, 바람직하게는, 내부로부터 외부를 향해 및/또는 동일한 시간 주기(time interval)로 작동이 중지된다. 바람직하게는, 고정 장치로부터 기판이 릴리스(release) 되는 것이 잘 조절 될 수 있어서, 비틀림이 현저하게 감소될 수 있다.
한 바람직한 대안의 실시예에서, 고정 요소들은 곡선(curve)을 따라, 특히, 직선 라인(straight line)을 따라 동시에 작동이 중지된다. 바람직하게는, 특히, 기판이 일정하게 릴리스될 수 있으며, 그 결과 곡선을 따라 일정한 비틀림이 형성된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 곡률(curvature)은 접촉 축을 따라 배열된 복수의 변형 요소(deformation element) 및/또는 접촉 축을 따라 기다랗게(elongated) 구성된 변형 요소에 의해 생성된다. 바람직하게는, 변형 요소 또는 복수의 변형 요소들이 접촉 축에 꼭 맞게 될 수 있다(adapt). 특히 바람직하게는, 비틀림이 접촉 축을 따라 일정하게 형성될 수 있다. 특히, 기판의 중심과 접촉할 수 있는 단일의 변형 요소의 사용도 고려해 볼 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 곡률은 서로 맞은편에 배열된 기판으로부터 바라보았을 때 볼록하게 형성된다. 바람직하게는, 볼록한 곡률 때문에, 기판은 서로 맞은편에 배열된 기판 방향으로 만곡될 수 있다. 특히, 기판들이 정확하게 접촉할 수 있으며, 그에 따라 접촉 축을 따라 비틀림의 집중도(concentration) 또는 비틀림이 현저하게 감소될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 두 기판의 곡률은 서로에 대해 뒤집힌 거울 형태로(mirror-inverted) 형성된다. 여기서, 용어 "뒤집힌 거울 형태로"는 기판들 사이에 배열된 평면에 대한 반사(reflection)를 의미한다. 평면은 특히 접합 후에 발생되는 접합 평면(bonding plane)과 평행하다. 2개의 기판이 서로에 대해 만곡된 뒤집힌 거울 형태로(curved mirror-inverted) 형성되는 경우, 특히 정확한 접촉하는 것이 바람직한데, 이는 기판들이 각각 돌출된 지점(raised point)들에서 정확하게 접촉할 수 있기 때문이다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 접촉 축은 기판들 중 한 기판의 중심을 통해 배열되며, 바람직하게는 두 기판의 중심을 통해 배열된다. 바람직하게는, 상기 실시예는 접촉 축이 기판들을 통과하여 중앙에 배열될 수 있게 한다. 이는 비틀림의 중앙 경로(central course)를 형성하여, 비틀림이 균일하게 형성될 수 있게 한다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 기판은 기판의 중심에서 접촉되기 시작하며, 이러한 기판의 접촉은 접촉 축을 따라 기판의 외측 에지들까지 수행된다. 기판의 접촉이 접촉 축을 따라 기판의 외측 에지들까지 수행되기 때문에, 단축 접촉(uniaxial contacting)이 기판의 전체 폭을 따라 수행될 수 있다. 따라서, 비틀림은 접촉 축을 따라 가능한 최대한 정확하게 형성될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 기판은 기판의 외측 에지들에만 고정된다. 이에 따라, 기판의 중심에서의 고정이 필요하지 않으며, 그 결과 고정 과정이 현저하게 간단하게 될 수 있다. 뿐만 아니라, 기판의 릴리스 과정도 용이하게 되는데, 이는 중심에서의 릴리스 과정은 조절할 필요가 없거나 또는 단지 약간만 조절하면 되기 때문이다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 고정 요소들은 복수의 영역에 그룹으로 배열되며(grouped), 상기 영역들은 개별적으로 작동되고(switched on) 작동이 중지되거나(switched off) 및/또는 기판의 외측 에지들에 배열되고, 상기 영역들은 기판의 외측 에지들에 배열되며 서로로부터 균일하게 이격되어 분포된다. 그 결과, 바람직하게는, 상대적으로 큰 영역들이 작동되고 작동이 중지될 수 있다. 따라서, 고정 요소들의 릴리스 과정을 조절하는 것도 간단하게 할 수 있다. 영역들이 서로로부터 균일하게 이격되어 분포된 상태로 기판의 외측 에지에 배열되면, 릴리스 과정은 영역들의 작동이 중지되도록 적절하게 선택함으로써, 특히 바람직하게 영향을 끼칠 수 있다. 특히, 영역들의 작동이 중지되어 기판의 중심에 대해 서로 맞은편에 배열되면, 기판의 단축 릴리스(uniaxial release)가 수행될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 서로 마주보는 접촉면에서, 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 장치가 제공되는데, 상기 장치는:
제1 기판을 제1 고정 표면에 고정하기 위한 제1 고정 장치와 제2 기판을 제2 고정 표면에 고정하기 위한 제2 고정 장치; 및
접촉면과 접촉하기 전에 접촉면들 중 한 접촉면을 만곡하기 위한 곡률 변경 수단을 포함하며,
상기 장치는, 접촉면과 접촉되고 난 후에, 단일의 접촉 축을 따라 단축으로 배열되는 고정 요소들만이 작동이 중지되고 나머지 고정 요소들은 작동된 상태로 유지되어, 기판이 접촉 축을 따라 오직 단축으로만 접합되도록 하는 조절 수단을 포함하되,
그 후에, 나머지 고정 요소들의 작동이 중지되어, 기판은 전체 영역에 걸쳐 접합될 수 있다.
본 발명에 따른 개념은, 고정 요소, 특히 흡입 요소(suction element)의 작동을 중지시켜, 기판이 처음에는 단일의 축 또는 단일 방향으로만 릴리스되도록 하는 것이다. 따라서, 기판은 상기 축 또는 상기 방향을 따라서만 변형하게 된다. 접합파는 실질적으로 직사각형 형태로 형성된다. 기판은 오직 상기 축 또는 상기 방향을 따라서만, 특히, 중심으로부터 기판의 외측 에지들까지 접합된다. 그에 따라, 기판의 비틀림은 최소화될 수 있으며, 그 결과 접합 정확도(bonding accuracy)도 현저하게 향상될 수 있다.
본 발명에 적용된 특징, 실시예, 정의 및 양태들은 상기 장치에도 적용될 수 있으며 그 반대도 마찬가지이다.
한 바람직한 실시예에서 및/또는 본 발명의 독립적인 양태에서, 고정 요소들을 가진 영역들은, 기판 또는 기판들이 편향되어(deflection) 표적(targeted) 방식으로 영향을 미칠 수 있도록, 작동되고 작동이 중지될 수 있다. 이 영역들은 특히 기판의 외측 에지들에만 배열된다.
특히, 편향은, 기판의 대칭 편향(symmetrical deflection)으로 편차(deviation)가 야기되도록, 영역들을 스위칭(switching) 함으로써 영향을 받는다. 특히, 편향의 대칭성이 감소된다. 복수의 영역들의 작동이 중지되면, 기판의 편향이 수행되는데, 이러한 기판은, 선형 또는 단축(uniaxial) 혹은, n-형태의, 특히, 삼각형, 직사각형, 오각형, 육각형, 칠각형, 팔각형, 별(star) 형태의 대칭을 가진다. 편향 대칭은 접합파가 전진할 때 발생하는 런-아웃 에러가 최소가 되도록 조절될 수 있다.
또한, 본 발명의 개념은, 기판들 중 하나 이상의 기판이 만곡되는데, 특히, 기판과 접촉하거나 접합하기 전에, 단축 방향으로 만곡되며, 접합 동안, 또는 접합파의 진행 동안, 바람직하게는, 융합 접합에서, 곡률을 조절함으로써, 2개의 기판들 중 하나 이상의 기판의 곡률이 변경되는 것이다. 다른 기판(바람직하게는, 상측 기판)의 곡률도 변경되지만, 곡률 변화를 정확하게 조절하지 않고도, 기판의 자동 접촉에 의해 변경된다. 이러한 자동 접촉은 기판에 작용하는 중력 및/또는 기판들 사이의 그 밖의 다른 견인력들에 의해 수행된다. 한 기판(특히, 하측 기판)의 곡률 변화 조절은, 바람직하게는, 곡률 변화에 따라(바람직하게는, 측정 및 조절에 의해), 다른 기판(특히, 상측 기판)의 곡률 변화 조절과 비슷하게 수행될 수 있다. 2개의 기판 중 한 기판, 특히 하측 기판이 다른 기판, 특히 상측 기판에 대해 뒤집힌 거울 형태의 곡률을 가지지 않으며, 특히, 완전히 평평하게 고정되지 않는다.
특히, 곡률 변화는 기판의 초기 상태(특히, 접촉 전에 곡률이 조절되는)로부터 벗어난 상태로 이해하면 된다. 본 발명에 따르면, 접합 과정은, 접촉면들이 접촉한 후에, 기판의 고정 조절을 모니터링 함으로써 조절된다. 본 장치에 따라 상응하는 고정 수단이 제공된다.
특히, 본 발명의 독립적 양태는, 특히 개별적으로 스위칭 고정 수단을 사용하는 방법으로 구성되는데, 이 고정 수단을 이용하여 접촉면들 사이에 접합파 진행이 모니터링 되어 조절되거나 조정될 수 있다.
특히, 접합파가 기판의 에지들의 모든 지점들에 동시에 도달할 때 특히, 우수한 결과가 얻어진다. 특히, 상기 결과가 수행되는 스위칭 영역 및 고정 방법이 사용된다.
복수의 스위칭 고정 수단이 바람직하게는, 기판이 단축으로 만곡되도록, 사전결정된 곡선, 특히, 일직선 라인을 따라 동시에 작동이 중지된다.
곡률은 하나 이상의 변형 요소 및/또는 중력에 의해 생성될 수 있다.
본 발명의 추가적인 독립적인 양태, 또는 위에서 언급한 개념들을 조합한 양태는, 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단, 특히 가스 배출구(gas outlet opening)로서 구성된 하나 이상의 변형 요소를 사용하는 방법이다. 따라서, 기판과 기계적으로 접촉되는 것이 방지된다. 곡률의 모니터링은 위에서 언급한 특징들의 조합에 의해 보다 정확하게 수행된다.
본 발명에 따르면, 기판이 단축으로 만곡되기 때문에, 변형 요소는 본 발명에 따라 기다랗게 형성될 수 있다. 기판을 점 형태로(punctiform) 로딩할 수 있는(load) 변형 수단을 사용하는 것도 고려할 수 있다. 곡선, 특히, 일직선 라인을 따라 샘플 홀더에 일체형으로 구성된 복수의 변형 수단도 가능하다.
특히, 본 발명은 서로 정렬된 2개의 기판이 최적 방식으로 접합될 수 있는 방법 및 장치를 기술한다. 이러한 개념은, 주로, 곡률을 표적 방식으로 모니터링하고, 조절하거나 또는 조정함으로써 접합파 진행을 모니터링하고, 조절하거나 또는 조정하며, 2개의 기판 중 하나 이상의 기판을 고정하거나 및/또는 릴리스하여, 특히 한 방향 따라 진행되는 접촉면을 따라, 2개의 기판이 최적으로 순차적으로 접촉되는 것이다. 종래 기술과는 달리, 고정 수단은 기판이 단축 방향으로만 만곡되도록 스위칭된다. 최적 접촉은, 2개의 기판 사이의 접촉 경계면(contact interface)의 모든 지점에서 런-아웃 에러가 최소가 되거나 또는 최적의 경우에서는 심지어 사라지는 것을 의미하는 것으로 이해하면 된다.
한 실시예에 따르면, 기판의 고정은 특히, 영역들로 분리된 복수의 고정 수단에 의해 제공된다.
추가적인 실시예에 따르면, 기판들 중 하나 이상의 기판의 곡률은 초과 압력(excess pressure)에 의해 제공된다.
초기 상태에서, 기판들은, 특히 접촉면에서, 접촉면 상에 돌출된 임의의 구조물(마이크로칩, 기능적 구성요소), 및 기판 허용오차(substrate tolerance), 가령, 접합 및/또는 두께 변화로부터, 보통 다소 평평하다. 하지만, 초기 상태에서, 대부분의 경우, 기판은 0(zero)과는 다른 곡률은 가진다. 300mm 웨이퍼의 경우, 100 μm 미만의 곡률이 일반적이다. 수학적 측면에서 보면, 곡률은 평면 상태로부터 한 곡선의 국지적 편차를 측정하는 것으로 간주될 수 있다. 특정 경우에서, 기판은 두께가 직경에 비해 작은 것으로 간주된다. 따라서, 이를 수학적으로 훌륭하게 근사화(approximation)하기 위해서는, 평면 곡률이 바람직할 수 있다. 평면 경우에서, 처음에 언급한 평면 상태(plane state)는 곡률이 관측되는 지점에서 곡선의 접선 평면(tangential plane)이다. 일반적으로 말하면, 몸체(body), 특정 경우에서는 기판은 균일한 곡률을 가지지 않으며, 그에 따라 곡률은 위치에 좌우된다. 따라서, 예를 들어, 비-평면 기판(non-plane substrate)은, 중앙에서는 오목한 곡률을 가지지만, 그 밖의 다른 지점들에서는 볼록한 곡률을 가질 수 있다. 본 발명에 따르면, 곡률 또는 곡률 변화는, 그 밖에 달리 기술되지 않는 한, 전체 기판 또는 접촉면에 대한 미세 곡률 또는 곡률 변화를 의미하는 것으로 이해하면 된다.
단축 곡률은, 기판이 한 방향 또는 한 축을 따라서만 만곡되는 곡률을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 단순하게는, 특히, 단축 팽창 및 응력 상태(uniaxial expansion and stress state)가 그로부터 상응하게 야기된다(기판의 수직 방향으로 작용하는 응력 상태는 무시된다). 특히, 기판의 직사각형 구조물의 경우, 단축 팽창 상태는 런-아웃 에러를 줄이는 데 현저한 영향을 미치는데 그 이유는 런-아웃 에러가 일 차원(dimension)을 따라서만 보정되어야 하기 때문이다.
본 발명에 따르면, 각각의 경우, 서로 맞은편에 배열된 기판으로부터 바라보았을 때, 볼록한 곡률이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 2개의 기판의 곡률은 서로에 대해 뒤집힌 거울 형태로 형성된다.
한 지점에서 곡률을 가리키는 또 다른 가능한 방법은, 곡률반경을 나타내는 방법이다. 곡률반경이란, 해당 표면 지점을 포함하며 표면의 형태에 꼭 맞은 원의 반경을 말한다.
특히, 본 발명에 따른 실시예들 중 대부분의 실시예에 대한 개념은, 서로 접합되어야 하는 2개의 기판의 곡률반경이 동일하거나, 또는 적어도 서로로부터 단지 약간만 벗어나거나, 적어도 기판의 접촉 영역 즉 접합파의 접합 전방에 또는 접합 라인(bonding line)에 있는 것이다. 기판의 접합 라인/접합 전방에 있는 2개의 곡률반경 사이의 차이는 10m 미만, 바람직하게는 1m 미만, 보다 바람직하게는 1cm 미만, 가장 바람직하게는 1mm 미만, 최고로 바람직하게는 0.01mm 미만, 그 중에서도 가장 최고로 바람직하게는 1μm 미만이다. 일반적으로 말하면, 본 발명에 따라, 곡률반경(R1, R2)을 최소화하는 모든 실시예들이 바람직하다.
본 발명에 따른 위에서 언급된 실시예들에 대한 추가적으로 중요한 개념은, 특히, 선형 라인(linear line)을 따라 고정 수단의 작동이 중지되어, 기판의 다축 응력 또는 팽창 상태(multiaxial stress or expansion state)가 단축 응력 또는 팽창 상태로 변환된다(transform)는 것이다. 다축 응력 또는 팽창 상태가 단축 응력 또는 팽창 상태로 변환되기 때문에, 이제, 런-아웃 에러는 오직 일 차원으로만 보정되어야 한다.
달리 말하면, 본 발명은, 런-아웃 에러로 지칭되는 국부적 정렬 에러(local alignment error)가 최소가 되도록 2개의 기판을 함께 접합할 수 있는 시스템 방법에 관한 것이다. 상이한 런-아웃 에러는 국제 특허출원 WO2014191033A1호에 포괄적으로 기술되어 있다.
특히, 본 발명은, 넓은 표면 영역들에 걸쳐 조절될 수 있도록 고정시킴으로써, 서로 접합되어야 하는 2개의 기판의 곡률 변화 및 곡률을 조절하는 개념에 따르며, 2개의 기판이 국부적으로 이동되지 않도록 즉 접합 동안에 서로에 대해 정확하게 정렬된 상태로 유지되도록, 접합파를 형성하는 요인들이 선택되도록 한다. 또한, 본 발명은, 본 발명에 따라 런-아웃 에러가 감소되어, 서로 접합된 2개의 기판을 포함하는 물품(article)을 기술하고 있다.
접합, 특히 영구 접합, 바람직하게는 융합 접합 동안, 본 발명에 따른 특정 공정은, 최고로 곡선 형태로, 특히 선형으로 기판의 2개의 접촉면들이 접촉된다. 접촉 라인 또는 접촉 축은 기판들 중 하나 이상의 기판의 중앙에서 만나는 것이 바람직할 것이다. 본 발명에 따르면, 기판들 또는 기판의 중심과 접촉 축 또는 접촉 라인 사이의 거리는, 특히 100mm 미만, 바람직하게는 10mm 미만, 보다 바람직하게는 1mm 미만, 가장 바람직하게는 0.1mm 미만, 최고로 바람직하게는 0.01mm 미만이다. 밑의 기술되는 설명에서, 접촉이라는 것은 선형 접촉을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 라인은 임의의 일 차원의 윤곽(contour)을 의미하는 것으로 이해하는 것이 바람직하다.
선형 접촉이 시작되도록 하기 위하여, 본 발명에 따르면, 중앙 홀(central hole) 및 그 내부에서 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단으로서 병진운동 방식으로 움직이는 핀(pin)이 제공된 고정 장치(기판 홀더)가 제공된다. 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단으로서, 핀 대신에, 특히, 기판의 직접 유체 가압을 위해(유체 가압 수단), 유체, 바람직하게는 가스를 이용하여 노즐(nozzle)을 사용하는 방법도 고려할 수 있다. 또한, 상기 장치에서, 병진운동으로 인해 2개의 기판이 서로를 향해 접근될 수 있게 되면, 이러한 요소들을 사용할 필요가 없으며, 두 기판은 중력 및/또는 사전하중(preloading)에 의해, 다른 기판의 방향으로 가압된 곡률(impressed curvature)을 가지게 된다. 기판은, 병진운동 접근 동안, 상응하는 제2 기판에 대해 충분히 작은 공간을 가진 상태로, 자동으로 접촉하게 된다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 고정 요소들에는 진공 홀(vacuum hole), 하나 이상의 원형 진공 립(vacuum lip) 또는 이에 상응하는 진공 요소(vacuum element)가 제공되는데, 이들을 사용하여 웨이퍼가 고정될 수 있다. 복수의 정전식 고정 요소(고정 수단)를 사용하는 방법도 고려할 수 있다. 고정된 기판의 편향을 조절하기 위해(곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단), 유입된 가스에 의해 기판과 기판 홀더 사이에 초과 압력이 생성될 수 있는 라인 또는 중앙 홀 내의 핀이 사용된다.
2개의 기판의 중심의 접촉이 수행되고 난 뒤, 고정 장치의 고정 수단은, 기판들 중 하나 이상의 기판의 모니터링된 변형/곡률 변화가 수행되도록 조절된다. 본 발명에 따르면, 고정 요소들의 작동은, 단축 응력 또는 팽창 상태가 발생하도록, 특히 일직선 라인을 따라 중지된다. 상측 기판은, 한 편으로는 중력으로 인해, 다른 한 편으로는 기판들 사이에서 접합파를 따라 작용하는 접합력(bonding force)에 의해 조절되어 끌어 내려진다(pulled down). 따라서, 상측 기판은 스위치-오프 고정 수단(switched-off fixing means)에 의해 형성된 라인을 따라 중심으로부터 하측 기판과 결합된다. 본 발명에 따르면, 일반적으로 비-반경 방향으로 대칭의(non-radially symmetrical) 접합파 배열이 발생되며, 특히 중심으로부터 시작된다. 접합 공정 동안, 2개의 기판은 가스, 특히, 접합파 앞에 있는 기판들 사이에 존재하는 공기를 가압하며, 가스가 포함되지 않고도, 접합 경계면(bonding interface)을 보장한다. 그러면, 상측 기판은, 완전히 떨어질 수만 있다면, 실질적으로 일종의 가스 쿠션(gas cushion)에 배열된다. 정해진 시간 지점으로부터, 기판 홀더의 모든 고정요소들의 작동은 중지되며, 상측 기판 자체는 기판들 사이에 작용하는 견인력 및/또는 중력의 영향 하에 유지된다. 이때, 상측 기판의 곡률 변화는 더 이상 조절되거나 조정되지 않지만, 계속하여 모니터링 방식으로는 진행되는데, 그 이유는 경계 조건들이 알려져 있거나 또는 실험적으로 결정되기 때문이다. 하측 기판의 곡률 변화는 접합파의 진행 및 상기 모니터링되는 곡률 변환에 따라 조절되거나 조정된다. 하지만, 본 발명에 따른 바람직한 실시예는, 상측 기판을 떨어뜨리는 것이 아니라, 접합파가 기판 영역의 적어도 10% 이상, 바람직하게는 20% 이상, 보다 바람직하게는 30% 이상, 가장 바람직하게는 50% 이상, 가장 최고로 바람직하게는 75% 이상 전파될 때까지, 2개의 기판을 완전하게 모니터링하는 것이다.
상측 고정 장치의 모든 고정 요소들의 작동이 중지되는 앞에서 언급한 시간 지점으로부터, 어떠한 추가적인 고정도 필요하지 않다. 접합 개시 지점(bond initiation point)을 고정하는 것 외에도, 상측 기판은 자유롭게 이동될 수 있으며 따라서 비틀리게 된다. 본 발명에 따르면, 접합파가 진행되기 때문에, 응력 상태가 접합파 전방에 발생되고 기하학적 경계 조건들이 발생하여, 반경방향 두께에 비해 극소로 작은 각각의 원 단편(circle segment)에는 비틀림이 발생한다. 하지만, 기판은 강체(rigid body)로 형성되기 때문에, 비틀림은 중심으로부터 거리에 따라 증가한다. 이에 따라, 런-아웃 에러가 발생되는데, 이러한 런-아웃 에러는 본 발명에 따른 방법 및 장치에 의해 해결될 수 있다. 또한, 상측 기판이 접합파가 진행되는 전체 시간 동안에 고정된 상태로 유지되는 것도 고려할 수 있는데, 접합파가 진행될 때, 특히, 기판 홀더 내부의 고정 요소들로부터 시작하여, 고정 요소들이 일련적으로 작동 중지됨으로써, 접합파의 진행이 전파될 수 있다. 특히, 접합파의 진행은, 접합파가 진행되는 동안, 2개의 기판 홀더가 서로에 대해 상대적으로 접근하는 개념에 따를 수 있다. 접촉 전에, 기판들 사이의 거리는, 0 내지 10mm 사이, 바람직하게는 0 내지 1000μm 사이, 보다 바람직하게는 0 내지 500μm 사이, 최고로 바람직하게는 0 내지 100μm 사이이다.
본 발명에 따른 추가적인 실시예에서, 상측 기판은 특히 영역들로부터 본 발명에 따른 고정 요소들에 의해 유한 개수를 가진 위치에서만 고정되며, 변형 요소 및/또는 중력에 의해, 반경방향 대칭으로부터 현저하게 벗어나고 약한 수준의 대칭을 가진 편향이 발생된다. 이 경우, 거리는 기판들 사이의 가능한 최대한 작은 거리를 의미한다고 이해하면 된다.
본 발명은, 접합 동안, 특히 열역학적 및/또는 기계적 상쇄 메커니즘(compensation mechanism)에 의해, 2개의 접합된 기판들 사이에 런-아웃 에러를 줄이거나 심지어는 완전히 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 장치 및 방법으로 제작된 상응하는 물품에 관한 것이다.
고정 장치/기판 홀더(Holding device/substrate holder)
본 발명에 따른 기판 홀더는 고정 수단, 특히 복수의 고정 요소들을 포함한다. 이 고정 요소들은 영역들에 그룹으로 배열될 수 있다. 고정 요소들이 영역들에 그룹으로 배열되는 것은, 기하학적인 광학 임무(geometrical optical task) 뿐만 아니라 기능적인 임무(functional task)를 위해 수행될 수 있다. 기능적인 임무란, 예를 들어, 한 영역의 모든 고정 요소들이 동시에 스위칭될 수 있다는 것을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 한 영역 내의 모든 고정 요소들은 개별적으로 스위칭될 수 있다고 고려할 수도 있다. 따라서 복수의 고정 요소들은 기판을 고정하거나 릴리스하기 위해 영역 내에 동시에 트리거될(triggered) 수 있거나 혹은 개별적으로 트리거될 수도 있지만, 이들은 그들 영역에 기판의 매우 개별적인 변형 특성(deformation property을 형성할 수도 있다.
상기 영역은, 특히, 다음과 같이: 단일 표면, 원 단편, 타일(tile) 형태의, 특히 삼각형, 직사각형 또는 육각형 형태, 및 원형의 링 단편(ring segment)의 기하학적 형상을 가질 수 있다.
특히, 고정 요소들이 없는 영역들이 영역들 사이에 존재할 수 있다. 이러한 영역들 사이의 공간은, 특히 150mm 미만, 바람직하게는 50mm 미만, 보다 바람직하게는 20mm 미만, 가장 바람직하게는 10mm 미만, 최고로 바람직하게는 5mm 미만이다. 상기 영역들이 원 단편으로서 형성되면, 공간은 내측 원 단편의 외측의 원형 링과 외측 원 단편의 내측의 원형 링 사이의 거리일 수 있다.
중심에 가깝게 배열된 원형의 링 단편은, 에지에서, 원형의 링 단편보다 더 작게 구성되는 것이 바람직하다.
한 영역당 고정 요소들의 개수는 임의의 숫자이다. 특히, 1 이상의 고정 요소, 바람직하게는 10 이상, 보다 바람직하게는 50 이상, 그보다 더 바람직하게는 100 이상, 가장 바람직하게는 200 이상, 최고로 바람직하게는 500 이상의 고정 요소가 한 영역에 위치된다.
본 발명의 한 바람직한 실시예에 따르면, 제1 고정 장치 및/또는 제2 고정 장치는 링 형태로 배열되고, 바람직하게는, 기판을 특히 기판의 측면 에지(side edge) 영역에만 고정하기 위하여, 제1 고정 장치 및/또는 제2 고정 장치의 고정 표면의 주변(periphery)에 원형의 링 형태로 배열된 고정 수단을 포함한다.
고정 수단은, 영역들로 나뉘어지며, 바람직하게는 동축 배열되고, 특히, 고정 표면들에서 균일하게 분포된, 개별적으로 조절가능한 고정 요소들로서 구성된다. 고정 수단은 고정 표면의 에지 영역에 배열되는 것이 바람직하다. 에지 영역은 고정 표면의 반경의 절반까지 연장되며, 바람직하게는 고정 표면의 반경의 1/4까지 연장된다.
한 영역에 고정 요소를 반경 방향으로 대칭으로 배열할 때, 횡단면당 고정 요소의 개수도 고려할 수 있다. 횡단면에서의 고정 요소의 개수는, 20 미만, 바람직하게는 10 미만, 보다 바람직하게는 5 미만, 가장 바람직하게는 3 미만이거나, 최고로 바람직하게는 1이다.
고정을 위해서, 고정 요소들에는 언더프레셔가 제공될 수 있으며, 기판의 릴리스를 위해서는 초과 압력이 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 실시예에서, 고정 요소는 드릴링(drilling) 또는 스파크 부식(spark erosion)에 의해 형성된 홀(hole)을 포함한다. 특정 실시예에서, 고정 요소들은 링 형태로 형성되며, 특히 밀링 공정에 의해 형성된 원형의 링 형태의 슬롯(slot)으로 구성된다. 한 변형예에서, 고정 요소에는 진공 립들이 제공될 수 있다. 고정 요소들에 진공 요소들이 제공되면, 이들은 200 mbar 미만, 바람직하게는 100 mbar 미만, 보다 바람직하게는 50 mbar 미만, 가장 바람직하게는 10 mbar 미만, 최고로 바람직하게는 1 mbar 미만의 압력을 생성할 수 있다.
압력의 조절 외에도, 질량 흐름(mass flow)이 진공 요소들에 의해 조절될 수 있다. 질량 흐름은 단위시간당 횡단면을 통과하는 질량이다. 질량은 진공 요소들에 의해 공급되거나 및/또는 흡입되는 원자 및 분자의 개별 질량들로 구성된다. 개별 진공 요소에 대한 질량 흐름은, 0kg/s 내지 1kg/s 사이, 바람직하게는 0kg/s 내지 0.5kg/s 사이, 보다 바람직하게는 0kg/s 내지 0.1kg/s 사이, 가장 바람직하게는 0kg/s 내지 0.01 kg/s 사이, 최고로 바람직하게는 0kg/s 내지 0.001kg/s 사이에 있다.
본 발명에 따른 제2 실시예에서, 고정 요소는 정전식 고정부(electrostatic fixing)로서 사용되는 전도성 플레이트(conductive plate)를 포함한다. 전도성 플레이트는 단극 형태로(unipolar) 연결될 수 있지만, 바람직하게는 쌍극 형태로(bipolar) 연결된다. 쌍극 회로(bipolar circuit)의 경우, 2개의 플레이트가 왕복 포텐셜(reciprocal potential)에 위치된다. 본 발명에 따른 기판 홀더는, 플레이트의 개수에 따라, 고-용해된(highly resolved) 정전식 고정부를 가진 정전 기판 홀더로서 영역들에 작용한다.
단위 면적당 고정 요소의 개수가 크면 클수록, 기판을 위한 기판 홀더의 고정 특성이 더 잘 조절될 수 있다.
제1 고정 표면 및/또는 제2 고정 표면은, 특히, 제1 고정 표면의 제1 고정 평면을 형성하며 제2 고정 표면의 제2 고정 평면을 형성하는 입면(elevation)으로부터 형성되는 것이 바람직하다.
특히, 나선 형태로 배열된 트랙(track)이 상기 입면들로 구성된다.
2개의 추가적인 실시예들에 따르면, 입면을 가진 고정 장치, 특히, 스터드 기판 홀더(stud substrate holder)가 기술된다. 이러한 기판 홀더는 복수의, 특히 대칭 배열된 필라(pillar)를 포함하는 기판 홀더를 의미하는 것으로 이해하면 된다. 필라는, 특히, 스터드로 구성된다. 스터드는 임의의 형태를 가질 수 있다. 특히, 스터드는 다음과 같이: 피라미드(pyramid), 특히 3개 변 또는 4개 변을 가진 피라미드, 실린더, 특히 평평한 또는 둥근 헤드(head)를 가진 실린더, 직평행육면체(cuboid), 원뿔(cone), 구형 쉘(spherical shell)의 형태로 제공된다.
구형 쉘 형태의 스터드, 원뿔형 스터드 및 원통형 스터드는 제작하기에 비싸지만, 피라미드 형태 또는 직평행육면체 형태의 스터드는 에칭(etching) 및/또는 밀링 공정에 의해 상대적으로 단순하게 제작될 수 있어서 본 발명에서 바람직하게 사용된다.
앞에서 언급한 스터드 기판 샘플 홀더는 에지 요소에 의해 그 주변에서 끝을 이룰 수 있으며(terminated), 스터드 사이의 공간 영역들은 리세스(recess)로 간주될 수 있다. 하지만, 스터드는, 모든 스터드가 배열되는 스터드 평면에 대한 개별 입면을 나타낼 수도 있다.
본 발명에 따른 바람직한 제3 실시예에서, 기판 홀더는 웹(web)을 가진 스터드 기판 홀더로 구성된다. 여기서, 개별 영역들은 웹으로 제공된다. 하나 이상의 라인은 각각의 영역 내에서 끝을 이루며(end), 상기 라인은 스터드 사이의 공간을 진공화(evacuation)시킬 수 있다. 복수의, 특히, 개별적으로 조절가능한 채널(channel)을 사용하기 때문에, 상이한 강도의 공간의 진공화도 가능하다.
본 발명의 보다 바람직한 제4 실시예에서, 기판 홀더는 완전한 스터드 기판 홀더로서, 즉 웹이 없는 상태로 구성된다.
입면, 특히 스터드의 직경 또는 폭은, 특히, 5mm 미만, 바람직하게는 1mm 미만, 보다 바람직하게는 500μm 미만, 가장 바람직하게는 200μm 미만이다.
입면, 특히 스터드의 높이는, 특히 2mm 미만, 바람직하게는 1mm 미만, 보다 바람직하게는 500μm 미만, 가장 바람직하게는 200μm 미만이다.
특히, 입면의 직경 또는 폭과 입면의 높이 사이의 비율은, 0.01 이상, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상, 가장 바람직하게는 10 이상, 최고로 바람직하게는 20 이상이다.
본 발명에 따른 모든 실시예들은 서로 임의적으로 조합될 수 있다. 따라서, 제1 영역이 정전식으로 작동되는 고정 요소를 포함할 수도 있으며, 제2 영역이 진공 고정부를 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 기판 홀더는 기판 홀더의 뒷면으로부터 상기 고정된 기판 표면을 볼 수 있게 해 주는 홀을 포함할 수 있는데, 이 홀은 이제부터 특히 측정 홀(measurement hole)로 지칭된다. 이제, 상기 영역에서, 고정된 기판 표면을 측정할 수 있다. 또한, 측정 홀은 커버(cover)에 의해 밀폐될 수 있다. 한 특정의 바람직한 실시예에서, 측정 홀들은 커버로 완전 자동으로 개방되거나 밀폐될 수 있다.
본 발명의 한 바람직한 실시예에 따르면, 고정 장치는 곡률을 측정하기 위한 곡률 측정 수단을 포함한다.
대안으로 또는 그 외에도, 본 발명에 따른 기판 홀더는 기판 샘플 홀더와 고정된 기판 사이에서 물리적 및/또는 화학적 특성이 측정될 수 있는 센서를 포함할 수 있다. 이러한 센서들은, 온도 센서 및/또는 압력 센서 및/또는 거리 센서인 것이 바람직하다.
곡률 측정 수단으로서, 기판의 곡률이 고정 장치와 기판 사이의 거리로부터 결정되고, 특히, 필라 사이에서 해석되거나 및/또는 계산된다는 점에서, 특히, 거리 센서가 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 곡률 및/또는 곡률 변화를 더 잘 조절하거나 조정하기 위하여, 거리 센서, 특히 고정 표면을 따라 분포된 거리 센서가 사용되는 것이 바람직하다.
특히 바람직한 실시예에서, 복수의 센서는 접합 공정 이전 및/또는 접합 공정 동안 평면에 대해 기판의 거리를 측정하기 위하여 거리 센서로서 구성된다. 평면은 고정 표면이거나 및/또는 입면을 통해 형성된 평면인 고정 표면인 것이 바람직하다.
이 센서들이 상이한 평면에 위치되는 것도 고려해 볼 수 있다. 센서는, 평면 및/또는 복수의 평면에 대한 기준이 상관없도록, 거리, 특히 접촉면에 수직인 거리를 측정하는 것이 바람직하다. 이 경우, 기판의 거리에 있어 오직 상대적 변화, 특히, 국부적으로 상이한 변화가 탐지되어야 한다.
거리 측정은 주로 공정 조절을 위해 사용된다. 기판/기판들의 정확한 곡률 상태를 앎으로써, 본 발명에 따른 기판의 최적의, 특히, 점진적인 릴리스를 위한, 고정 요소들의 조절/조정이 특히 효율적으로 수행된다.
또한, 몇몇 상이한 타입의 센서를 일체형으로 구성하는(incorporated) 것도 고려할 수 있다. 특히 바람직한 실시예에서, 거리 및 압력 측정을 위한 센서는 기판 홀더, 특히, 대칭으로 균일하게 분포된 기판 홀더에 일체형으로 구성된다. 불연속적이지만(discrete) 전체 표면에 걸친 거리 측정 및 압력 측정도 가능하다. 압력 측정은, 변형 요소가 유체, 특히, 라인을 통해 유입되는 가스 또는 가스 혼합물일 때가 특히 바람직하다.
하나 또는 두 고정 장치가 곡률 측정 수단 없이 및/또는 센서 없이 구성되는 한, 곡률 및/또는 곡률 변화의 조절 및/또는 조정은 실험적으로 결정된 변수들에 따라 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 및 제2 기판 홀더는 하나 이상의, 특히 동심 구성된, 기판의 곡률 및/또는 곡률 변화를 위한 변형 요소(곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단)를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 곡률 요소는 핀이다. 이러한 핀은 하나 이상의, 바람직하게는 고정 표면 또는 고정 평면에 대해 수직이며 병진운동을 하는 1 자유도를 가진다. 또한, x-방향 및/또는 y-방향으로도 측정할 수 있도록 하기 위해, 핀이 고정 표면을 따라 수 개의 자유도를 가지게 하는 것도 고려해 볼 수 있다. 핀은, 바람직하게는, x-방향 및/또는 y-방향으로 고정될 수 있다. 핀은, 0.01N-1000N, 바람직하게는 0.1N-500N, 가장 바람직하게는 0.25N-100N, 최고로 바람직하게는 0.5-10N의 힘을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 제2 실시예에서, 곡률 및/또는 곡률 변화를 위한 변형 요소는, 유체, 특히, 가스 혼합물 중 가스가 기판과 고정 표면(유체 가압 수단) 사이에 공급될 수 있는 유체 배출구이다. 본 발명에 따른 매우 바람직한 실시예에서, 유체 배출구는, 유체 배출구가 x-방향 및/또는 y-방향으로 위치될 수 있도록, 특히, x-방향 및/또는 y-방향에서 이동가능한 자체적인 부분 요소에 일체형으로 구성된다. 따라서, 유체 배출구의 위치는 정확하게 배치될 수 있으며, 따라서 본 발명에 따라 최적의 접합 결과가 구현될 수 있다. 가장 간단한 경우, 유체 배출구는 라인의 단부(end)를 나타내는 개구(opening)이다. 특히 바람직한 실시예에서, 유체 배출구는 노즐이다. 노즐은, 임의의 시간에서 유체 압력 및/또는 배출되는 유체의 유체 속도가 조절/조정될 수 있도록, 전자적으로 조절될 수 있다. 기판과 기판 샘플 홀더 사이의 몇몇 지점들에서 축적되는 압력을 변화시키기 위하여, 복수의 노즐을 사용하는 것도 고려할 수 있다. 노즐에 관한 모든 개념은 복수의 노즐에도 똑같이 적용된다. 유체 배출구, 특히 노즐을 통해, 기판과 기판 홀더 사이에는, 1 mbar 이상, 바람직하게는 10 mbar 이상, 가장 바람직하게는 100 mbar 이상, 보다 바람직하게는 200 mbar 이상, 최고로 바람직하게는 500 mbar 이상의 압력이 축적될 수 있다.
본 발명에 따른 모든 기판 홀더는 로딩 핀(loading pin)을 포함할 수 있다. 로딩 핀은 기판으로 본 발명에 따른 기판 홀더를 로딩하도록 사용된다. 로딩 핀은 고정 장치 내의 관통 홀을 통과하는데, 이 홀들은 로딩 핀에 대해 밀봉된 상태로 구성된다.
로딩 핀은 제1 공정 단계에서 연장된다. 기판이, 제2 공정 단계에서 로딩 핀 상에, 특히 완전 자동으로 위치된다. 로딩 핀이 철회되고(retracted), 제3 공정 단계에서 기판은 고정 표면과 접촉하게 된다. 기판은 제4 공정 단계에서 고정 요소들에 의해 고정된다. 또한, 로딩 핀은 접합된 기판 스택의 언로딩(unloading)을 위해서도 사용된다. 이제, 공정 단계의 순서는 위와 상응하게 반대로 된다. 로딩 핀은, 로딩 핀이 움직이는 홀에 대해 밀봉되지 않는 한, 압력 강하(pressure sink)를 나타낼 수 있다. 이 경우, 진공 고정 요소에 의해 언더프레셔를 정전식으로 유지하거나 및/또는 가스 배출구를 통해 초과 압력을 정전식으로 유지하는 것은 가능하지 않다. 가스 배출구를 통해 연속적인 초과 압력 생성 및/또는 진공 고정 요소를 통한 연속적인 진공화가 기재되는데, 이는 정상류(stationary flow), 특히 층류(laminar flow)에 의해 특정 지어진다. 하지만, 흐름이 발생하지 않고도 정압(static pressure)이 축적될 수 있도록, 밀봉부(seal)를 이용하는 것도 고려할 수 있다.
기판 홀더는 기본적으로 임의의 재료로 제작될 수 있다. 특히, 하기 재료들 중 하나 이상의 재료가 바람직한데, 이 재료들은 다음과 같다:
금속, 특히,
순금속, 특히,
알루미늄
합금, 특히,
강철, 특히,
저-합금 강철
세라믹, 특히,
유리 세라믹, 특히,
제로더(Zerodur),
니트라이드 세라믹, 특히,
실리콘 니트라이드,
카바이드 세라믹, 특히,
실리콘 카바이드,
폴리머, 특히,
고온 폴리머, 특히,
테플론(Teflon),
폴리에테르 에테르 케톤(PEEK).
특히 바람직한 실시예에서, 본 발명에 따른 스터드 기판 샘플 홀더는 유럽 특허공보 EP2655006B1호에 기술된 방법을 이용하여 제작된다. 사용되는 재료는 실리콘 카바이드 또는 실리콘 니트라이드가 바람직하다. 이 경우, 바람직한 스터드 구조는 4개의 변을 가진 피라미드 구조이다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 고정 장치는 가열성(heatable) 및/또는 냉각성(coolable)을 지니도록 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 온도 조절 메커니즘은, 기판의 온도를 -50℃ 내지 500℃ 사이, 바람직하게는 -25℃ 내지 300℃ 사이, 가장 바람직하게는 0℃ 내지 200℃ 사이, 최고로 바람직하게는 10℃ 내지 100℃ 사이로 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 추가적인 실시예에서, 기판 홀더는, 접촉 전에 가열 및/또는 냉각 수단에 의해 표적 방식으로, 그리고, 런-아웃 에러가 발생되는 것을 가능한 최대한, 이상적으로는, 완벽하게 상쇄하기 위해 추후의 접촉 단계에서 필요한 크기만큼 보다 정확하게, 기판이 변형될 수 있도록, 특히, 횡방향으로 압축되거나 또는 연장될 수 있도록 구성된다. 상기 실시예에서 하측/제1 기판을 고정하는 것은, 그에 상응하는 변형 후에, 하측/제1 고정 장치와 하측/제1 기판의 열팽창계수에 중요한 변화가 나타나기 전까지는 발생되지 않는다. 본 발명에 따른 스터드 기판 홀더의 특히 바람직한 실시예에서, 기판은 스터드 사이의 공간 영역에 의해 가열된/냉각된 가스와 접촉될 수 있다. 고정 요소의 성능을 유지하기 위해서는, 가열된 가스의 압력은 영역들에서 기판을 기판 홀더에 가압하는 주변 압력보다 작아야 한다.
접합제( Bonder )
본 발명에 따른 장치는 2개의 고정 장치/기판 홀더를 포함한다. 적어도, 상측 기판 홀더는 바람직하게는 측정 홀들을 포함한다. 측정 홀들은 밀폐 및/또는 밀봉 가능하도록 구성된다.
본 발명에 따른 실시예들은, 정해진, 특히, 조절가능한 대기(atmosphere), 특히, 정상 압력(normal pressure) 하에서 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 모든 언급된 실시예들은, 상기 실시예의 한 변형예에서, 저-진공에서, 보다 바람직하게는 고-진공에서, 그보다 더 바람직하게는 초고-진공에서, 특히 100 mbar 미만, 바람직하게는 10-1 mbar 미만, 보다 바람직하게는 10-3 mbar 미만, 그보다 더 바람직하게는 10-5 mbar 미만, 최고로 바람직하게는 10-8 mbar 미만의 주변 압력에서 수행될 수 있다. 주변에서 압력이 낮으면 낮을수록 또는 진공이 크면 클수록, 본 발명에 따라, 진공 홀을 이용하여 기판을 고정하고 기판의 곡률을 조절 및/또는 조정하는 것이 점점더 어려울 것이다.
공정(Process)
본 발명에 따른 제1 공정의 제1 공정 단계에서, 제1 기판은 제1 기판 홀더에 로딩되고(loaded) 제2 기판은 제2 기판 홀더에 로딩되며, 특히, 주변 부분(peripheral part)에 고정된다. 이러한 고정은, 오직 수 개의, 특히, 10개 미만, 보다 바람직하게는 5개 미만, 가장 바람직하게는 3개, 최고로 바람직하게는 2개 영역들이 작동되도록(switched on) 수행된다. 스위치-온 영역(switched-on zone)들은 원형 링을 따라 대칭으로 분포된다.
본 발명에 따른 제1 공정의 제2 공정 단계에서, 2개의 기판이 서로 정렬된다. 기판의 정렬은 본 명세서에서는 상세하게 기술되지 않는다. 기판 정렬 문제에 관해서는 공보 US6214692B1호, WO2015082020A1호, 및 WO2014202106A1호를 참조하면 된다. 접합 공정 전에, 기판은 기판 표면 상에서 상응하는 구조물의 합동(정확한 정렬, 정확도가 특히 2μm 미만, 바람직하게는 250nm 미만, 그보다 더 바람직하게는 150nm 미만, 가장 바람직하게는 100nm 미만, 최고로 바람직하게는 50nm 미만)을 보장하기 위하여 서로 정렬된다.
본 발명에 따른 제1 공정의 선택적인 제3 공정 단계에서, 2개의 기판은 2개의 기판 홀더를 서로를 향하도록 상대적으로 이동시킴으로써 접근된다. 따라서, 기판 표면 사이에, 신중하게 정해진 틈(gap)이 형성된다. 또한, 이러한 틈은, 정렬 공정 전에 또는 정렬 공정 동안, 조절될 수 있도록 고려할 수도 있다. 이러한 틈의 크기는, 특히 1000μm 미만, 바람직하게는 500μm 미만, 보다 바람직하게는 250μm 미만, 최고로 바람직하게는 100μm 미만이다.
본 발명에 따르면, 특히 접합 전방에서의 2개의 기판의 곡률반경은, 서로로부터 15% 미만, 바람직하게는 10% 미만, 보다 바람직하게는 5% 미만, 그보다 더 바람직하게는 2% 미만만큼 벗어나거나, 최고로 바람직하게는 똑같은 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 제1 공정의 제4 공정 단계에서, 제1 및/또는 제2 기판의 만곡이 발생한다. 그와 동시에, 제1 및/또는 제2 기판의 곡률은 센서를 이용하여 측정되고 모니터링될 수 있다. 특히, 하측 및/또는 상측 기판에서 원하는 곡률은 컨트롤 루프(control loop)에 의해 자동으로 조절될 수 있다. 설정점 값(setpoint value)이 미리 설정된다. 그러면, 컨트롤 루프는, 원하는 곡률 프로파일과 같이 시간이 조절될 때까지, 고정 요소 및/또는 변형 요소를 조절한다. 중력이 한 방향으로 작용하고 따라서 기판의 변형에 상이하게 영향을 미친다는 사실에 유의해야 한다. 상측의 고정된 기판이 중력에 의해 원하는 접촉 지점 방향으로 더 많이 변형되지만, 중력은 하측 기판의 곡률에 대해서 작용한다. 하지만, 중력의 영향은 무시할 수 있다. 본 발명에 따라, 자동으로 조절되거나 조정되는 곡률 수단 또는 곡률 변경 수단, 고정 요소 및 센서를 사용함으로써, 원하는 곡률 프로파일은 각각의 2개의 기판에 대해, 특히, 컨트롤 루프의 일부분으로서 조절될 수 있다. 2개의 기판이 서로 충분히 가깝게 접근되고 나면, 2개의 기판이 접촉된다. 이러한 접촉은, 곡률을 일정하게 증가시키거나 및/또는 2개의 기판 홀더가 서로를 향해 상대적으로 접근함으로써 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 접합 공정에서, 기판들은 서로의 위에 평평하게 배열되는 것이 아니라, 중심(M)(접합 개시 지점)에서 서로 접촉하게 되는데, 2개의 만곡 기판들 중 한 기판은 제2 기판에 대해 약간 가압되거나 또는 맞은편에 배열된 기판 방향으로 상응하게 변형된다. 변형되어(맞은편 기판의 방향으로) 편향된 기판이 릴리스된 후, 접합파가 진행될 때 접합 전방을 따라, 가능한 최소의 가능한 힘과 가능한 최소의 수평방향 비틀림으로, 연속적이며 보다 균일한, 특히 적어도 부분적으로는, 주로 자동 접합이 수행된다.
특히, 영역들은, 기판의 대칭 편향(symmetrical deflection)으로 인한 편차(deviation)가 발생하도록, 작동되고 작동이 중지된다. 특히, 편향의 대칭이 감소된다. 복수의 영역들의 작동이 중지될 때, 기판의 편향이 수행되는데, 이러한 기판은, 선형 또는 단축(uniaxial) 혹은, n-형태의, 특히, 삼각형, 직사각형, 오각형, 육각형, 칠각형, 팔각형, 별(star) 형태의 대칭을 가진다. 편향 대칭은 접합파가 전진할 때 발생하는 런-아웃 에러가 최소가 되도록 조절될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 공정의 제5 공정 단계에서, 접합파를 전진시키고, 모니터링하며 조절하는 과정이 수행된다. 접합 개시 지점이 기판들의 접촉면의 중심에 배열되고, 중심에 대해 서로 맞은편에 배열된 오직 2개의 영역들이 고정을 위해 사용되는 한, 보다 균일한 접합파의 선형 경로가 형성될 수 있다. 이상적인 경우, 한 면에 하나씩, 정확하게 2개의 접합파가 존재한다.
제1 및/또는 제2 기판 및/또는 제2 기판의 변형, 바람직하게는 곡률이 볼록하게 및/또는 오목하게 형성되며, 그보다 더 바람직하게는 거울-대칭으로(mirror-symmetrical) 구성된다. 달리 말하면, 본 발명에 따르면, 변형은 제1 기판 및/또는 제2 기판의 곡률 및/또는 압축 및/또는 연장에 의해 수행된다.
기판은, 바람직하게는, 대략적으로 똑같은 직경(D1, D2)을 가지는데, 이 직경들은 서로 특히, 5mm 미만, 바람직하게는 3mm 미만, 그보다 더 바람직하게는 1mm 미만만큼 서로 벗어나 있다.
본 발명의 추가적인, 특히 독립적인 양태에 따르면, 변형, 바람직하게는 곡률은 변형 수단 또는 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단에 의해 및/또는 제1 및/또는 제2 고정 장치의 온도 조절에 의해 수행된다.
본 발명의 추가적인 독립적인 양태에서, 고정 장치 자체는 공보 WO2014191033A1호에 기술된 실시예와 비슷하게, 만곡될 수 있도록 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 변형/곡률/곡률 변화는, 제1 기판 및/또는 제2 기판이 제1 및/또는 제2 기판 혹은 제1 및/또는 제2 기판 홀더의 주변(periphery) 또는 외주(circumference) 영역에서만 고정된다는 점에서, 보다 용이하게 구현될 수 있다.
이러한 고정은, 특히, 서로 접합된 기판의 각각의 위치에서, 런-아웃 에러를 최소화시키는 원하는 편향 대칭을 얻기 위하여, 여러 상태들에 따라 스위칭되는 영역들에 의해 수행된다.
특히, 변형 수단 또는 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단 및/또는 고정 수단의 앞에서 기술된 단계 및/또는 이동 및/또는 순서의 조절, 서로를 향하는 기판의 접근, 온도, 압력 및 가스 조성 컨트롤 등은, 중앙 컨트롤 유닛, 특히, 컨트롤 소프트웨어를 가진 컴퓨터로 수행되는 것이 바람직하다. 위에서 기술된 센서는 조절 및/또는 조정을 위해 사용된다.
기판은, 기판에 가능한 최대 가요성(flexibility) 및 고정부 내에서 팽창 자유도를 제공하기 위하여, 측면 에지(side edge)에서, 가능한 최대한 외부를 향해 멀리 배열된 원 단편(circle segment)에 고정되는 것이 바람직하다.
제1 및/또는 제2 기판은 바람직하게는 반경 방향으로 대칭이다. 기판이 임의의 직경을 가질 수 있지만, 기판 직경은, 특히 1인치, 2인치, 3인치, 4인치, 5인치, 6인치, 8인치, 12인치, 18인치, 또는 18인치 이상의 직경이 바람직하다. 제1 및/또는 제2 기판의 두께는, 1μm 내지 2000μm 사이, 바람직하게는 10μm 내지 1500μm 사이, 보다 바람직하게는 100 μm 내지 1000 μm 사이에 있다.
특정 실시예들에서, 기판은 직사각형 형태 또는 적어도 원형 형태로부터 벗어난 형태를 가질 수 있다. 웨이퍼는 기판으로서 사용되는 것이 바람직하다.
특히 바람직하게는, 모든 가변적인 변수들은, 접합파가 초기 조건 및 경계 조건들에 대해 가능한 최적의 속도로 전파되도록 선택된다. 대기(atmosphere), 특히 정상 압력이 존재할 때, 접합파의 속도는 가능한 최대한 느린 것이 바람직하다. 접합파의 평균 속도는, 특히 200cm/s 미만, 보다 바람직하게는 100cm/s 미만, 보다 바람직하게는 50cm/s 미만, 가장 바람직하게는 10cm/s 미만, 최고로 바람직하게는 1cm/s 미만이다. 특히, 접합파의 속도는 0.1cm/s 이상이다. 특히, 접합파의 속도는 접합 전방을 따라 균일하다. 접합파의 속도는 진공 상태에서는 자동으로 더 빨라지는데, 그 이유는 접합 라인을 따라 결합되는 기판들이 가스로 인해 임의의 저항(resistance)을 극복할 필요가 없기 때문이다.
본 발명의 추가적인, 특히 독립적인 양태는, 가능한 최대한 조정된 상태로 접촉하며, 그와 동시에, 실질적으로 자동으로 접촉하는 것으로서, 기판들 중 하나 이상의 기판은, 기판의 접촉면의 중심(M)에 대해 반경 방향으로 외부를 향해, 특히 동심 방향으로 제공되는 사전하중(preloading)에 의해 작동되고, 오직 접촉의 시작부가 영향을 받으며, 한 섹션, 특히 기판의 중심(M)의 접촉 후에, 기판은 자유로운 상태로 유지되고 사전하중에 의해 조절된 방식으로 맞은편 기판과 자동으로 접합된다. 사전하중은, 변형 수단, 특히 곡률 수단 및/또는 곡률 변경 수단에 의해, 제1 기판의 변형, 특히 만곡에 의해 구현되는데, 변형 수단은, 특히 그 형태로 인해, 접합면으로부터 멀어지는 방향을 향하는 면에 작용하며, 변형은 상이한(특히, 교체가능한) 변형 수단을 이용하여 상응하게 조절될 수 있다. 조절은, 변형 요소가 기판에 작용되는 힘 또는 압력을 통해 수행된다. 기판을 이용하여 기판 홀더의 고정 영역을 줄여서, 기판이 단지 고정 장치에 의해서 지지되도록 하는 것이 바람직하다. 이런 방식으로, 접촉 영역이 작아지면 작아질수록 기판 홀더와 기판 사이의 결합이 점점더 작아진다. 본 발명에 따른 고정은, 기판의 특히 주변 영역에 제공되며, 기판과 기판 홀더의 고정 윤곽(holding contour) 사이에 가능한 최소의 고정 영역이 제공된다. 따라서, 기판을 릴리스하는 데 필요한 릴리스 힘(release force)이 가능한 최소가 되기 때문에, 기판을 조심스러우면서도 안정성있게 릴리스하는 것이 가능하다. 이러한 릴리스는 고정 표면에서 언더프레셔를 감소시킴으로써 특히 조절 가능하다. 조절가능한 수단은, 기판을 제2 기판과 접촉한 후에, 기판이 샘플 홀더에 고정된 상태로 유지되고, 샘플 홀더(고정 장치)로부터 기판(웨이퍼)의 릴리스는, 고정 표면에서 언더프레셔를 표적(조절) 방식으로 감소시킴으로써, 내부로부터 외부를 향해 수행된다. 본 발명에 따른 실시예의 효과는, 특히, 기판의 이러한 릴리스가 매우 작은 힘으로도 수행될 수 있다는 점이다. 다음과 같이, 특히, 복수의 상이한 릴리스 방법이 기술되는데, 이러한 방법은:
변형 수단이 비활성(inactive) 상태에 있는 동안, 기판의 완전하고 신속한 릴리스 방법,
변형 수단이 즉각적으로 초기 상태가 되고 그에 따라 기판에 작용되는 것이 즉시 중지되는 동안, 기판의 완전하고 신속한 릴리스 방법,
변형 수단이 점차로 중지되지만 기판에는 지속적으로 작용하는 동안, 기판의 완전하고 신속한 릴리스 방법,
변형 수단이 기판에 작용하는 동안, 고정부의 점차적인 스위칭-오프(progressive switching-off)에 의해, 내부로부터 외부를 향해 수행되며 특히 각각의 영역마다 제공되는, 기판의 점진적인 릴리스 방법,
위에서 기술된 릴리스 방법들의 임의의 조합을 포함한다.
본 발명에 따른 실시예는 2개의 기판이 만곡된 최적 형태의 접합 공정을 기술한다. 하지만, 일반적으로 말하면, 하나 이상의 기판은 변형되지 않을 수도 있다. 하기 표는 위에서 기술된 릴리스 메커니즘과의 조합의 결과이다:
실시예 번호 상부 변형 바닥 변형 상부 릴리스 바닥 릴리스
1 아니오 예 아니오 예
2 아니오 예 예 아니오
3 예 예 아니오 예
4 예 예 예 아니오
5 예 아니오 아니오 예
6 예 아니오 예 아니오
기판 상의 모든 구조물들은, 본 발명에 따른 방법 및 시스템이 런-아웃 에러를 최적으로 상쇄할 수 있도록, 구성되고 계산되며 제작될 수 있다. 예를 들어, 런-아웃 에러가 구조물을 비트는 방향으로 작은 인수(factor)만큼 형성되도록 직사각형의 구조물을 고려할 수 있다. 이러한 인수는, 특히 0 내지 3 사이, 바람직하게는 0 내지 2 사이, 그보다 더 바람직하게는 0 내지 1 사이, 가장 바람직하게는 0 내지 0.1 사이, 최고로 바람직하게는 0 내지 0.001 사이에 있다. 예를 들어, 측정값 및/또는 계산값들로부터, 정해진 기판 위치에서, 런-아웃 에러가 x-방향으로 1.021배만큼 비틀리는 것이 알려져 있으며, 구조물은 x-방향으로 상기 인수만큼 컴퓨터에서 확대된다. 따라서, 인수 1은 구조물의 수치가 비틀리지 않는다는 것을 의미한다. 1보다 작은 인수는 구조물의 크기를 특정 수치로 감소시킬 것이며, 1보다 큰 인수는 그에 상응하게 확대시킬 것이다. 구조물이 제작되면, x-방향으로 상기 인수만큼 더 크게 될 것이다.
배수 인수(multiplicative factor)를 사용하는 대신, 덧셈 또는 뺄셈에 의해 기판의 방향의 수치 변화를 특정하기 위하여, 양 및 음의 가수(positive and negative summand)를 사용할 수도 있다. 본 명세서에서는, 값의 범위를 표시하지는 않을 것이다.
또한, 구조물을 컴퓨터에서 정상 상태로 구성할 수 있는데, 가령, 이전에 계산된 및/또는 결정된 인수에 상응하는 수치로 구조물을 제작하기 위한 제작 장치, 가령, 예를 들어, 리소그라피 시스템도 고려할 수 있다. 특히, 다음의 장치가 제작 장치로서 언급된다:
리소그라피 시스템, 특히,
포토리소그라피 시스템, 특히,
스테퍼(stepper),
임프린트 리소그라피 시스템, 특히,
스테퍼,
방사선 리소그라피 시스템, 특히,
전자 빔 리소그라피,
이온 빔 리소그라피,
레이저 리소그라피.
본 발명에 따른 방법 및 시스템들은, 구조물들이 정확하게 접합될 수 있도록 하기 위해, 정확한 디자인 및/또는 계산 및/또는 제작 공정과 조합되며, 그에 따라 최적화된 접합 품질이 생성되며 우수한 결과가 야기된다. 따라서, 만약, 본 발명에 따른 방법 및 시스템들에 의해 접합파에 끼치는 영향을 더 이상 줄이지 않고도, 발생되는 런-아웃 에러가 계산되거나 측정될 수 있으면, 런-아웃 에러를 추가로 줄이기 위해 상기 방법이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 장치에 적용된 모든 특징들은 본 발명에 따른 방법에 상응하게 적용될 수 있으며, 그 반대로, 본 발명에 따른 방법에 적용된 모든 특징들도 본 발명에 따른 장치에 상응하게 적용될 수 있다.
본 발명의 추가적인 이점, 특징, 및 세부사항들은 첨부도면들을 참조하여 밑에서 본 발명의 바람직한 실시예들을 기술한 설명으로부터 자명해 질 것이다. 도면에서:
도 1a는 본 발명에 따른 고정 장치의 제1 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 1b는 본 발명에 따른 고정 장치의 제2 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 1c는 본 발명에 따른 고정 장치의 제3 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 1d는 본 발명에 따른 고정 장치의 제4 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 1e는 본 발명에 따른 고정 장치의 곡률 (변경) 수단의 제1 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 1f는 본 발명에 따른 고정 장치의 곡률 (변경) 수단의 제2 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님),
도 2는 본 발명에 따른 고정 장치의 제5 실시예의 개략도(실측 아님),
도 2b는 본 발명에 따른 고정 장치의 제6 실시예의 개략도(실측 아님),
도 2c는 본 발명에 따른 고정 장치의 제7 실시예의 개략도(실측 아님),
도 2d는 본 발명에 따른 고정 장치의 제8 실시예의 개략도(실측 아님),
도 2e는 본 발명에 따른 고정 장치의 제9 실시예의 개략도(실측 아님),
도 3a-3e는 본 발명에 따른 실시예들의 개략적인 측면도 및 평면도(실측 아님),
도 4a는 본 발명에 따른 접합제의 한 실시예의 개략적인 횡단면도(실측 아님)로서, 압력 및 거리 다이어그램이 본 발명에 따른 공정의 제1 공정 단계에 있으며,
도 4b는 도 4a에 따른 실시예가 추가적인 공정 단계에 있는 개략적인 횡단면도(실측 아님),
도 4c는 도 4a에 따른 실시예가 추가적인 공정 단계에 있는 개략적인 횡단면도(실측 아님),
도 4d는 도 4a에 따른 실시예가 추가적인 공정 단계에 있는 개략적인 횡단면도(실측 아님),
도 4e는 도 4a에 따른 실시예가 추가적인 공정 단계에 있는 개략적인 횡단면도(실측 아님),
도 5a는 제1 고정 형상에서 상측 샘플 홀더의 밑으로부터 바라본 개략도,
도 5b는 제2 고정 형상에서 상측 샘플 홀더의 밑으로부터 바라본 개략도,
도 6a는 이상적이지 않은 정렬 상태에 있는 2개의 기판의 개략적인 평면도,
도 6b는 보다 이상적인 정렬 상태에 있는 2개의 기판의 개략적인 평면도,
도 7a는 제1 벡터장에 있는 2개의 기판의 개략적인 평면도,
도 7b는 제2 벡터장에 있는 2개의 기판의 개략적인 평면도.
동일한 구성요소 및 똑같은 기능을 가진 구성요소들은 도면에서 동일한 도면부호로 표시된다.
X-축은 기판 홀더(1o 및 1u)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 형성된다. X-축에 수직인 Y-축도 기판 홀더(1o 및 1u)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 형성된다. X-축 및 Y-축에 수직인 Z-축은 기판 홀더(1o 및 1u)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 수직으로 형성된다.
도 1a는 본 발명에 따른 고정 장치(1)(대안으로, 기판 홀더로도 지칭됨)의 제1 실시예의 개략적인 부분도(실측 아님)로서, 고정 요소(2)(고정 수단)를 가진 에지 영역(R) 만이 도시된다.
고정 장치(1)는 복수의 영역(Zi), 바람직하게는, 에지 영역(R)에 위치된 복수의 영역(Zi)을 포함한다. 각각의 영역(Zi)들은 복수의 고정 요소(2)를 포함할 수 있다. 한 예로서, 2개의 영역(Z1 및 Z2)들이 도 1a에 도시된다. 제1 영역(Z1)의 횡단면에 4개의 고정 요소(2)들이 도시되고, 제2 영역(Z2)에는 2개의 고정 요소(2)가 도시된다. 특히, 영역(Zi)들은 기판 홀더(1)의 에지 영역(R)에 제한되거나 또는 전체 기판 홀더(1)에 걸쳐 분포될 수 있다(distributed).
제1, 특히 상측 기판(1o) 또는 제2, 특히 하측 기판(1u)의 기판 고정 표면(4a)을 고정하기 위하여, 고정 요소(2)들이 사용된다.
복수의 센서(3, 3'), 특히 거리 센서들이 고정 표면(1s)들에 위치되는 것이 바람직하다. 고정된 기판(4)과 고정 표면(1s)들 사이에서 물리적 및/또는 화학적 특성들을 측정하기 위해 상기 센서들이 사용된다. 특히, 센서(3, 3')들은 기판 고정 표면(4a)과 고정 표면(1s)들 사이의 거리가 측정될 수 있는 거리 센서이다.
바람직하게는, 기판 홀더(1)는 기판 홀더(1)에 고정된 기판(4o, 4u)이 만곡될 수 있는 곡률 요소(5, 5')(곡률 수단)가 중심(C)에 위치되도록 구성된다(도 1e 및 1f 참조). 특히 바람직하게는, 곡률 요소(5)는 가스, 특히 압축공기가 기판 홀더(1)와 기판(4) 사이에서 공급될 수 있는(pumped) 유체 배출구이다. 기판(4)은 초과 압력에 의해 만곡되며, 이와 동시에, 고정 요소(2)들에 의해 고정되거나 혹은 조절 방식으로 릴리스된다(released).
본 발명의 도 1f에 따른 대안의 실시예에서, 곡률 요소(5')는 고정 장치(1)를 통해 연장되며 고정 장치(1)(곡률 수단 또는 곡률 변경 수단)에 수직으로 이동될 수 있도록 구성된 핀(pin)이다.
도 1e 및 1f에 대한 실시예들에도, 도 1a 내지 1d에 따른 실시예가 비슷하게 적용된다.
본 발명에 따른 제2 실시예의 기판 홀더(1')가 도 1b에 도시된다. 기판 홀더(1')는 복수의 영역(Zi), 바람직하게는, 에지 영역(R)에 위치된 복수의 영역(Zi)을 포함한다. 각각의 영역(Zi)들은 일반적으로 복수의 고정 요소(2')를 포함할 수 있다. 고정 요소(2')들은 정전식 고정부(정전 fixing)의 전극들이다. 한 예로서, 도 1b에 2개의 영역(Z1 및 Z2)들이 도시된다. 제1 영역(Z1)의 횡단면에 2개의 고정 요소(2')들이 도시되고, 제2 영역(Z2)의 횡단면에는 3개의 고정 요소(2')가 도시된다. 특히, 영역(Zi)들은 기판 홀더(1')의 외측 에지에 제한되거나 또는 전체 기판 홀더(1')에 걸쳐 분포될 수 있다.
복수의 센서(3, 3'), 특히 거리 센서들이 고정 표면(1s')들에 위치되는 것이 바람직하다. 고정된 기판(4)과 고정 표면(1s')들 사이에서 물리적 및/또는 화학적 특성들을 측정하기 위해 센서(3, 3')들이 사용된다. 특히, 센서(3, 3')들은 기판 고정 표면(4a)과 고정 표면(1s')들 사이의 거리가 측정될 수 있는 거리 센서이다.
본 발명에 따른 제3 실시예의 기판 홀더(1'')가 도 1c에 도시된다. 기판 홀더(1'')는 복수의 영역(Zi), 바람직하게는, 전적으로 에지 영역(R)에만 위치된 복수의 영역(Zi)을 포함한다. 각각의 영역(Zi)들은 복수의 고정 요소(2'')를 포함할 수 있다.
고정 요소(2'')들은 기판 고정 표면(1a), 인접한 웹(8)들 또는 에지 요소(10)와 웹(8)들 및 라인(6)에 의해 관통되는 바닥 사이의 공간 영역(9)이다. 흡입(suction)에 의해 기판(4o, 4u)을 결합하여 고정시키기 위하여 압력이 라인(6)에서 조절된다.
기판(4o, 4u)이 배열되는 복수의 스터드(7)들이 특히 공간 영역(9)에 위치된다. 특히, 과잉 오염을 방지하기 위하여 스터드(7)들이 사용된다. 스터드(7)들은 명확성을 향상하기 위하여 도 1c에서 평균 크기 이상으로 도시된다. 실제로는, 스터드(7)들은 기판 홀더(1'')의 두께에 비해 훨씬 작다.
한 예로서, 도 1c에 2개의 영역(Z1 및 Z2)들이 도시된다. 제1 영역(Z1)의 횡단면에 3개의 고정 요소(2'')들이 도시되고, 제2 영역(Z2)의 횡단면에는 3개의 고정 요소(2'')가 도시된다. 특히, 영역(Zi)들은 기판 홀더(1'')의 외측 에지에 제한되거나 또는 전체 기판 홀더(1'')에 걸쳐 분포될 수 있다.
복수의 센서(3, 3'), 특히 거리 센서들이 스터드(7)들에 위치되며, 특히, 만곡되지 않은 상태로 기판 고정 표면(1a)과 접촉하는 스터드(7)들의 스터드 표면(7o)에 위치되는 것이 바람직하다. 주변 에지 요소(10)와 스터드 표면(7o)에 의해 형성된 고정 표면(1s)과 고정된 기판(4) 사이에서 물리적 및/또는 화학적 특성들을 측정하기 위해 상기 센서들이 사용된다. 특히, 센서(3, 3')들은 기판 표면(4o)과 스터드 표면(7o) 사이의 거리가 측정될 수 있는 거리 센서이다.
도 1d는 본 발명에 따른 제4 실시예의 기판 홀더(1''')를 도시한다. 기판 홀더(1''')는 특히 복수의 영역(Zi), 바람직하게는 에지 영역(R)에 위치되는 복수의 영역(Zi)을 포함한다. 각각의 영역(Zi)들은 복수의 고정 요소(2''')들을 포함할 수 있다.
고정 요소(2''')들은, 압력이 조절될 수 있는 2개의 인접한 라인(6)들 사이의 공간 영역(9)들이다. 공간 영역(9)들은 주변 에지 요소(10)에 의해 고정 장치(1''')의 주변으로 제한되며, 기판(1o, 1u)은 에지 요소(10) 외주(circumference)에 배열되고 스터드 표면(7o)과 함께 고정 표면(1s'')들을 형성한다.
복수의 스터드(7)들이 특히 공간 영역(9)에 위치되며, 스터드 표면(7o) 상에는 기판(4o, 4u)이 고정될 수 있다. 특히, 과잉 오염을 방지하기 위하여 스터드(7)들이 사용된다. 스터드(7)들은 명확성을 향상하기 위하여 도 1c에서 평균 크기 이상으로 도시된다. 실제로는, 스터드들은 기판 홀더(1''')의 두께에 비해 훨씬 작다.
한 예로서, 도 1d에 2개의 영역(Z1 및 Z2)들이 도시된다. 제1 영역(Z1)의 횡단면에 한 고정 요소(2''')가 도시되고, 제2 영역(Z2)의 횡단면에는 한 고정 요소(2''')가 도시된다. 특히, 영역(Zi)들은 기판 홀더(1''')의 외측 에지에 제한되거나 또는 전체 기판 홀더(1''')에 걸쳐 분포될 수 있다.
복수의 센서(3, 3'), 특히 거리 센서들이 스터드(7)들 사이의 공간 영역(9)들의 바닥에 위치되는 것이 바람직하다. 바닥과 고정된 기판(4) 사이에서 물리적 및/또는 화학적 특성들을 측정하기 위해 센서(3, 3')들이 사용된다. 특히, 센서(3, 3')들은 기판 고정 표면(4a)과 바닥 사이의 거리가 측정될 수 있는 거리 센서이다. 스터드 표면(7o)으로부터 기판 고정 표면(1a)의 거리는 공지의 스터드(7)의 높이에 의해 계산될 수 있다.
도 2a는 고정 요소(2)들이 4개의 동심 영역(Z1-Z4)들에 배열되는 고정 장치(1IV)를 도시한다. 곡률 요소(5, 5')가 고정 장치(1IV)의 중심(C)에 위치된다(도 1e 또는 1f 참조). 복수의 영역들의 상응하는 각각의 고정 요소(2)들이 반경 방향으로 배열된 라인(L)들을 따라 위치된다.
도 2b는 고정 요소(2)들이 4개의 동심 영역(Z1-Z4)들에 배열되는 고정 장치(1V)를 도시한다. 곡률 요소(5, 5')가 고정 장치(1V)의 중심에 위치된다(도 1e 또는 1f 참조). 복수의 영역들의 상응하는 각각의 고정 요소(2)들이 곡률 요소(5)를 통해 배열되지 않는, 특히, 중심(C)을 통해 배열되지 않는 라인(L')을 따라 위치된다. 특히, 라인(L')은 일직선 라인일 필요가 없다. 각각의 경우에서, 맞은편에 배열된 상응하는 고정 요소(2)들은 중심(C)에 대해 점-거울상 방식으로 배열된다(arranged point-mirrored).
도 2c는 도 1c에 따른 실시예와 비슷한 에지 요소(10)에 의해 둘러싸인 복수의 스터드(7)들을 가진 고정 장치(1VI)를 도시한다. 공간 영역(9)들은 스터드(7)들 사이에 위치되며, 상기 공간 영역들은 진공화(evacuation) 동안 고정 요소(2IV)들로서 작용한다. 진공화 단계는 라인(6)들을 통해 수행된다. 본 발명에 따른 상기 실시예에서는 공간 영역(9)들을 서로로부터 분리시키는(separate) 웹(8)이 없기 때문에, 곡률 요소(5)(도 1e 참조)를 통해 유입되는 유체가 채널(6)을 통해 직접 흡입에 의해 제거된다. 따라서, 본 발명에 따른 상기 실시예는 기판 홀더의 한 예이며, 정지 상태에 있는(stationary) 층류(laminar flow)가 기판 홀더(1VI)와 기판(4o, 4u) 사이에 축적된다(built up).
도 2d는 복수의 영역(Z)들에 복수의 고정 요소(2)들이 제공되는 본 발명에 따른 한 실시예를 도시한다. 상기 영역(Z)들은 샘플 홀더(1VII)의 주변에 위치되며 기판(4)을 최대 위치(6)에 고정시킬 수 있다. 기판(4o)을 영역(Z1, Z3 및 Z5) 위에 고정시키기 때문에, 중력으로 인해, 기판이 다소 예를 들어 삼각형 형태로 편향될 수 있다(triangular deflection). 이와 비슷하게, 영역들은 직사각형 또는 그 밖의 형태로도 변환될 수 있다.
도 2e는 고정 요소(2)들이 나선(spiral)을 따라 배열되는 본 발명에 따른 한 실시예를 도시한다. 이 경우, 전체 고정 표면(1s)은 단일의 영역(Z)을 나타낸다. 고정 요소를 독립적으로 제공하거나 그룹으로 제공하는 것도 고려할 수 있다. 곡률 요소(5, 5')는 나선의 끝부분(end)과 중심(C)에 배열된다.
도 2a-2e에 따른 모든 실시예들은 언더프레셔 고정부(underpressure fixing) 또는 진공 고정부(vacuum fixing)로서 구성되는 고정 장치들을 도시한다. 단순하게, 정전식 고정부(정전 fixing)를 가진 상응하는 기판 홀더도 구현될 수 있다. 명확성을 위해, 센서(3, 3')들은, 도시되지 않았지만, 도 1a 내지 1d에 따른 실시예들에 상응하도록 구성될 수 있다.
도 3a-3e는 입면(7, 7', 7'', 7''', 7'''') 형태의 실시예들을 도시한다. 도 3a에 따른 형태는 둥근 헤드(head)를 가진 원통형 베이스 몸체(base body)를 포함한다. 도 3b에 따른 형태는 평평한 헤드를 가진 원통형 베이스 몸체를 포함한다. 도 3c에 따른 형태는 반구형 베이스 몸체를 포함한다. 도 3d에 따른 형태는 3개 변(side)을 가진 피라미드(pyramid)를 포함한다. 도 3e에 따른 형태는 4개 변을 가진 피라미드를 포함한다.
다음 도면들에 대한 설명 내용에서는, 본 발명에 따른 접합 공정(bonding process)이 도시되는데, 곡률 수단(5)에 의해 기판(4o 및 4u)이 단축 만곡(uniaxial curvature)된다.
도 4a는 본 발명에 따라 제2/하측 기판(4u)과 제1/상측 기판(4o)의 접촉면(4k)들을 접촉시켜 접합하기 위한 접합제(13)를 도시하는데, 상기 접촉면들은 서로 맞은편에 배열된다. 접합제(13)는 하측 기판 홀더(1u)와 상측 기판 홀더(1o)를 포함한다. 기판 홀더(1u, 1o)들은 특히 제1/상측 기판(4o) 및 제2/하측 기판(4u)을 고정하기 위해 위에 기술된 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1V1)로서 구성될 수 있으며, 하측 기판 홀더(1u)는 상측 기판 홀더(1o)와는 상이하게 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상측 기판 홀더(1o)는 기판 홀더(1o)의 후방으로부터 기판(4o)을 측정할 수 있는 측정 홀(12)들을 포함한다. 대안으로, 센서들이 측정 홀 내에 배열될 수 있다. 측정 홀(12)들은 특히 곡률 변경 수단과 고정 수단 사이에 배열된다. 대안으로 또는 그 외에도, 하측 기판 홀더(1u)도 그에 상응하는 측정 홀(12)들을 포함할 수 있다. 상기 측정 홀들은 고정 장치(1)를 통과하며 고정 표면(1s)들에 수직으로 형성된다. 바람직하게는, 측정 홀(12)들은 서로 120° 또는 180°의 거리에 배열된다.
기판 홀더(1u, 1o)들은 복수의 고정 요소(2)들과 센서(3, 3')들을 가진 고정 표면(1s)들을 포함한다. 고정 요소(2)들은 라인(6)에 의해 진공화되며(evacuated) 기판(4u, 4o)을 고정한다. 기판 홀더(1u, 1o) 위아래의 다이어그램이 도시되는데, 상기 다이어그램은 주어진 x-위치에 대해 x-방향(기판 직경)을 따라 기판(4u, 4o)과 거리 센서로서 구성된 센서(3) 사이의 거리를 보여준다. 거리 센서는 고정 수단까지 분포된 곡률 변경 수단(5)에 직접 배열된다. 따라서, 거리 센서는 고정 표면(1s)들의 부분 영역 위로 연장된다.
압력 센서로서 구성된 센서(3')들은 기판 홀더(1u, 1o)들과 기판(4u, 4o) 사이에서 센서(3')들의 x-위치를 따라 센서 압력(p1)이 측정되는 고정 수단 영역에 배열된다.
특히 소프트웨어에 의해 설정된 원하는 설정점 곡률(15u, 15o), 뿐만 아니라 거리 센서들에 의해 측정된 실제 곡률(14u, 14o)들도 거리 다이어그램에 도시된다. 상측 기판(4o)은 중력으로 인한 실제 곡률(14o)을 가지며, 하측 기판(1u)은 평평하게 배열되어 그에 따라, 본 발명에 따르면, 실제 곡률(14u)(실제로는, 매우 작은)을 가질 필요가 없다. 하지만, 중력에 의한 실제 곡률(14o)이 무시할 정도로 작다고 볼 수 있다. 상기 기술된 예에서는, 원하는 곡률(15u, 15o)들이 거울-대칭이다. 임의로, 곡률(15u, 15o)이 특정될 수 있다. 압력 경로(16u 및 16o)는 활성화된 고정 요소(2) 영역에서 압력 강하(pressure drop)를 보여준다. 이는 기판(4u, 4o)의 고정이 활성화된 것을 보여준다.
서로에 대한 2개의 기판(1u, 1o)들의 정렬 공정 단계는 도시되지 않는다.
도 4b는 추가적인 공정 단계에 있는 접합제(13)를 도시한다. 2개의 기판(4u 및 4o)은 2개의 기판 홀더(1u, 1o)들의 상대 운동에 의해 서로 가까이 근접하게 된다. 그 외의 경우, 도 4a에 따른 상황에 비해 아무런 변화가 없다.
도 4c는 추가적인 공정 단계에 있는 접합제(13)를 도시한다. 2개의 기판(1u, 1o)들은 곡률 요소(5), 도면에 도시된 경우에서는, 가스가 압력(p2)에서 흐르는 가스 배출구를 사용하여 설정점 곡률로 오게 되는데, 상기 압력은 거리 센서에 의해 조절되는 것이 바람직하다. 또한, 고정 요소(2)들은, 고정 요소(2)들이 곡률 수단(5, 5') 또는 곡률 변경 수단(5, 5')의 기능(task)을 수행하도록 압력을 조절/조정하도록 사용될 수 있다.
이를 위해, 도시된 예에서, 고정 요소(2'')들 중 한 고정 요소는, 기판(4o, 4u)들이 접촉하기 전에, 원하는 곡률을 구현하기 위해 압력 p1으로부터 압력 p0로 재설정된다(reset). 간단하게 하기 위하여, 오직 3개의 압력 값(p0, p1, 및 p2)이 도시된다. 이러한 압력 값들은 특히 연속으로 및/또는 일정하게 조절/조정될 수 있다.
도 4d는 추가적인 공정 단계에 있는 접합제(13)를 도시한다. 2개의 기판(4u, 4o)들은, 이 기판(4u, 4o)들이 서로 접근하기 때문에, 반경 방향으로 외부를 향해 전파되는(propagate) 접합파(bonding wave)를 형성하며, 기판(4u, 4o)의 곡률은 지속적으로 변경된다(곡률 변경 수단). 하측 기판(1u)의 곡률 및 상측 기판(1o)의 곡률 변화는 거리 센서들에 의해 지속으로 모니터링되며, 필요 시에는, 곡률 요소(5) 및/또는 고정 요소(2)들에 의해 보정되어, 각각의 경우, 원하는 설정점 곡률 또는 설정이 구현된다(곡률 변경 수단). 상측 기판(4o)의 곡률반경(R1)과 하측 기판(4u)의 곡률반경(R2)은 접합파 지점에서 중요한 변수를 나타낸다.
고정 요소(2)들의 4개의 내측 주변 열(row)의 압력은 상측 고정 장치(1o)와 하측 고정 장치(1u)의 경우에 동시에 압력 p0으로 감소된다. 따라서, 기판(1u, 1o)들은, 특히 내부로부터 외부 방향을 향해 고정 표면(1o)에 대한 고정력을 잃게 되며, 그 결과, 곡률 요소(5)로부터의 압력 p2은 더 멀리 퍼진다(spread).
이에 따라, 곡률 및 기판의 곡률 변화가 조절되며, 런-아웃 에러(run-out error)가 최소화된다.
도 4e는 추가적인 공정 단계에 있는 접합제(13)를 도시한다. 2개의 기판(1u, 1o)들은 조절 방식으로 접합되며, 상측 고정 장치(1o)의 고정 요소(2)들의 최외측 열의 압력은 p0로 감소된다.
도 5a는 완전히 고정된 기판(4o)을 가진 상측 샘플 홀더(1o)의 밑으로부터 바라본 도면이다. X-축은 기판 홀더(1o)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 형성된다. Y-축은 X-축에 대해 수직으로 위치되며 기판 홀더(1o)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 형성된다. Z-축은 X-축과 Y-축에 수직으로 형성되며 기판 홀더(1o)의 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 수직이다.
도 5b는 복수의 고정된 기판(4o)을 가진 상측 샘플 홀더(1o)의 밑으로부터 바라본 도면으로서, 즉 도 5a 도면을 도시한 후에 상측 샘플 홀더(1o)를 도시한 도면이다. 중앙의 고정 수단은 X-축 또는 접촉 축 X를 따라 기판(4o)의 중앙으로부터 기판(4o)의 외측 에지까지 비활성화되어(deactivated), 기판(4o)은 X-축을 따라 편향된다(deflected). 그 밖의 고정 요소들은 활성화된(activated) 상태로 유지된다. 기판(4o)의 편향은 실측으로 도시되지 않고, 명확성을 위해, 확대되어 도시된다.
화살표의 길이로 표시되는 런-아웃 에러는 명확성을 위해 도 6a 및 6b에서 과장되어 도시된다.
도 6a는, 종래 기술에 따른 방법에 이용하여 2개의 기판(4o, 4u)들이 접합된 후에, 상측 기판(4o)의 기판 표면(4k)의 상측 구조물(17o)과 하측 기판(4u)의 기판 표면(4k)의 하측 구조물(17u)을 도시한 평면도이다. 상기 도면에서는, x-방향과 y-방향으로 표시된 화살표에 의해, 일반적으로 다차원의 런-아웃 에러를 명확하게 볼 수 있다.
특히 바람직하게는, 웨이퍼에 칩 구조물 디자인을 위하여, 비틀림 벡터(distortion vector)의 단축 특성(uniaxial nature)이 사용될 수 있다. 구조물(17u, 17o)들, 예컨대, 접촉 패드(contact pad)들은, 작은 비틀림이 발생하는 방향으로 상기 구조물들이 작게 형성되거나 및/또는 작은 공간에 형성되도록 구성되는데, 이는 작은 비틀림으로 인해 접합 공정 후에 패드가 더 잘 중첩되기(better overlap) 때문이다. 특히 바람직하게는, 비틀림이 큰 방향으로 발생하는 비틀림은, 이미, 칩 레이아웃(chip layout) 단계에서 고려할 수 있다. 이에 따라, 접합 공정 후에, 구조물들이 상기 방향으로 더 잘 중첩될 수 있게 된다. 따라서, 비틀림의 단축 특성으로 인해, 종래 기술에 비해, 정밀도가 향상되며 비용이 낮아진다.
도 6b는 본 발명에 따른 방법에 이용하여 2개의 기판(4o, 4u)들이 접합된 후에, 상측 기판(4o)의 기판 표면(4k)의 상측 구조물(17o)과 하측 기판(4u)의 기판 표면(4k)의 하측 구조물(17u)을 도시한 평면도이다. 상기 도면에서는, y-방향으로 표시된 화살표에 의해, 일반적으로 다차원의 런-아웃 에러를 명확하게 볼 수 있다. 도 6b는 런-아웃 에러가 적어도 x-방향으로는 완전히 사라진 것을 보여준다. 실제로는, x-방향에서의 경우인 도 6a보다 훨씬 작은 런-아웃 에러가 존재할 것이다. 상기 구조물은 특히 y-방향에서 매우 작은 런-아웃 에러를 보여준다. 하지만, 모든 경우에서도, 중첩은 향상되었다. 이는, 정사각형의 구조물(17u, 17o)의 경우, 비틀림 벡터의 절대 길이가 대략 1.41(즉
Figure 112019004977506-pct00001
)만큼 작아질 것이라고 추정할 수 있다. 대개, 구조물(17u, 17o)들은 보통 직사각형으로 구성되는데 즉 길이와 폭이 상이하게 형성된다. 바람직하게는, 구조물(17u, 17o)들은 구조물(17u, 17o)들의 긴 변(broad side)이 가장 큰(특히, 단축) 비틀림이 예상되는 방향에 대해 평행하게 형성되도록 배열될 수 있다. 따라서, 구조물(17u, 17b)들 위에 발생될 것으로 예측되는 비틀림 벡터는 최소화될 수 있다. 뿐만 아니라, 구조물(17u, 17o)을 기판에 배치시키는 것은, 레이아웃 단계 동안에 비틀림이 이미 고려되도록 구성될 수 있다. 바람직하게는, 구조물(17u, 17o)을 위치시키는 것은, 구조물(17u, 17o)의 긴 변의 중간 위치에서 비틀림으로 인한 중첩 에러(overlap error)가 사라지고 중간의 한 변에서는 비틀림 에러에 플러스(+) 값을 가지며 다른 변에서는 마이너스(-) 값을 가지도록, 구성된다.
도 7a는 벡터가 런-아웃 에러를 보여주는 기판(4o, 4u)을 포함하는 기판 스택(substrate stack)의 벡터장 차트(vector field chart)를 도시한다. 반경 방향으로 대칭(radially symmetry) 구성도 볼 수 있는데, 중앙으로부터 에지로 갈수록 런-아웃 에러가 커진다.
도 7b는 벡터가 런-아웃 에러를 보여주는 기판(4o, 4u)을 포함하는 기판 스택의 벡터장 차트를 도시한다. 중앙으로부터 에지로 갈수록 런-아웃 에러가 커지는 단축 대칭(uniaxial symmetry) 구성도 볼 수 있다. 본 발명에 따른 기판의 단축 만곡(uniaxial bending) 방법으로 인해, 런-아웃 에러는 적어도 x-축을 따라서는 무시할 만할 정도로 작아질 수 있다. 이상적인 경우에서는, y-축을 따라서도, 런-아웃 에러가 무시할 만할 정도로 작게 된다. 하지만, 모든 방향에서 매우 작은 런-아웃 에러를 가진 기판 스택은, 추가적인 도면에서는 존재하지 않는데, 그 이유는 이러한 도면으로부터 어떠한 새로운 정보를 얻을 수 없기 때문이다.
1, 1', 1'', 1''' : 고정 장치/기판 홀더
1IV, 1V, 1VI, 1VII : 고정 장치/기판 홀더
1o : 제1 고정 장치/상측 기판 홀더
1u : 제2 고정 장치/하측 기판 홀더
1s, 1s', 1s'', 1s''' : 고정 표면 2, 2', 2'', 2''' : 고정 요소
2o''' : 고정 요소 표면 3, 3' : 센서
4o : 제1/상측 기판 4u : 제2/하측 기판
4a: 기판 고정 표면 5, 5': 변형 요소/곡률 요소
6 : 선
7, 7', 7'', 7''', 7'''' : 입면/스터드 7o : 스터드 표면
8 : 웹 9 : 공간 영역
10 : 에지 요소 11 : 스터드 평면
12 : 측정 홀 13 : 접합제
14u, 14o: 실제 곡률 15u, 15o: 설정점 곡률
16u, 16o: 압력 경로 17u, 17o : 구조물
L, L' : 선 x : 위치
d : 거리 p : 압력
R1, R2: 곡률반경 X : 접촉 축
Y, Z : 축 Z1-Z6: 영역

Claims (12)

  1. 기판(4o, 4u)의 서로 마주보는 접촉면(4k)에서, 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법으로서, 상기 방법은:
    제1 기판(4o)을 제1 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI, 1VII)의 제1 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 고정하는 단계 및 제2 기판(4u)을 제2 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI, 1VII)의 제2 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 고정하는 단계;
    고정 요소(2, 2', 2'', 2''')에 의해 기판(4o, 4u)을 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 고정하는 단계; 및
    접촉면(4k)과 접촉하기 전에 접촉면(4k)들 중 한 접촉면을 만곡하는 단계를 포함하는, 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법에 있어서,
    접촉면(4k)과 접촉되고 난 후에, 단일의 접촉 축(X)을 따라 단축으로 배열되는 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들만이 작동이 중지되고(switched-off) 나머지 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 작동된 상태로 유지되어, 기판(4o, 4u)은 접촉 축(X)을 따라 오직 단축으로만 접합되며,
    그 후에, 나머지 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들의 작동이 중지되어, 기판(4o, 4u)은 전체 영역에 걸쳐 접합되며,
    상기 제1 및 제2 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI, 1VII)의 표면은 평평하며,
    상기 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 직사각형 패턴으로 배열되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')는 그리드 형태로 배열되며, 인접한 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들 사이의 거리는 균일한 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 순차적으로, 내부로부터 외부를 향해 및/또는 동일한 시간 주기로 작동이 중지되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 곡선을 따라 동시에 작동이 중지되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 곡률은 접촉 축(X)을 따라 배열된 복수의 변형 요소(5, 5') 및/또는 접촉 축(X)을 따라 기다랗게 구성된 변형 요소(5, 5')에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 곡률은 서로 맞은편에 배열된 기판(4o, 4u)으로부터 바라보았을 때 볼록하게 형성되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 두 기판의 곡률은 서로에 대해 뒤집힌 거울 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접촉 축(X)은 기판(4o, 4u) 중 한 기판의 중심을 통해 배열되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판(4o, 4u)은 기판(4o, 4u)의 중심에서 접촉되기 시작하며, 이러한 기판(4o, 4u)의 접촉은 접촉 축(X)을 따라 기판(4o, 4u)의 외측 에지들까지 수행되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판(4o, 4u)은 기판의 외측 에지들에만 고정되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 복수의 영역(Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6)에 그룹으로 배열되며(grouped), 상기 영역(Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6)들은 개별적으로 작동되고 작동이 중지되거나 및/또는 기판(4o, 4u)의 외측 에지들에 배열되고, 상기 영역(Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6)들은 기판(4o, 4u)의 외측 에지들에 배열되며 서로로부터 균일하게 이격되어 분포되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 방법.
  12. 기판(4o, 4u)의 서로 마주보는 접촉면(4k)에서, 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 장치로서, 상기 장치는:
    제1 기판(4o)을 제1 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 고정하기 위한 제1 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1V1, 1VII)와 제2 기판(4u)을 제2 고정 표면(1s, 1s', 1s'', 1s''')에 고정하기 위한 제2 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI, 1VII); 및
    접촉면(4k)과 접촉하기 전에 접촉면(4k)들 중 한 접촉면을 만곡하기 위한 곡률 변경 수단을 포함하는, 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 장치에 있어서,
    상기 장치는, 접촉면(4k)과 접촉되고 난 후에, 단일의 접촉 축(X)을 따라 단축으로 배열되는 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들만이 작동이 중지되고 나머지 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 작동된 상태로 유지되어, 기판(4o, 4u)이 접촉 축(X)을 따라 오직 단축으로만 접합되도록 하는 조절 수단을 포함하되,
    그 후에, 나머지 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들의 작동이 중지되어, 기판(4o, 4u)은 전체 영역에 걸쳐 접합되며,
    상기 제1 및 제2 고정 장치(1, 1', 1'', 1''', 1IV, 1V, 1VI, 1VII)의 표면은 평평하며,
    상기 고정 요소(2, 2', 2'', 2''')들은 직사각형 패턴으로 배열되는 것을 특징으로 하는 제1 기판(4o)과 제2 기판(4u)을 접합하는 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3590130A1 (de) 2017-03-02 2020-01-08 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum bonden von chips
AT525156B1 (de) * 2019-05-13 2023-02-15 Suss Microtec Lithography Gmbh Bondvorrichtung sowie Verfahren zum Bonden von Substraten
AT525844A1 (de) * 2019-05-13 2023-07-15 Suss Microtec Lithography Gmbh Bondvorrichtung sowie Verfahren zum Bonden von Substraten
JP2022552053A (ja) 2019-08-23 2022-12-15 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板をアライメントする方法および装置
KR20220167376A (ko) 2020-06-29 2022-12-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판 접합 방법 및 장치
CN115605987A (zh) 2020-06-29 2023-01-13 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司（At） 基底保持器以及用于固定和键合基底的方法
CN116457916A (zh) 2021-02-01 2023-07-18 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 基底支架以及制造用于接合的基底支架的方法
WO2024002494A1 (de) * 2022-07-01 2024-01-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum bonden eines ersten substrats mit einem zweiten substrat, vorrichtung zum bonden und anordnung aus erstem und zweitem substrat
WO2024046577A1 (de) 2022-09-02 2024-03-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum beeinflussen einer bondwelle beim bonden

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186245A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101521971B1 (ko) * 2013-12-11 2015-05-20 주식회사 휴템 플라즈마 활성화 처리를 이용한 웨이퍼 본더, 웨이퍼 접합 장치, 및 웨이퍼 접합 방법
WO2016093284A1 (ja) * 2014-12-10 2016-06-16 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4752180A (en) 1985-02-14 1988-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for handling semiconductor wafers
JPH0766092B2 (ja) 1988-09-30 1995-07-19 富士通株式会社 モード変換コード
JPH0744135B2 (ja) * 1989-08-28 1995-05-15 株式会社東芝 半導体基板の接着方法及び接着装置
US5149827A (en) * 1990-01-10 1992-09-22 Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co., Ltd. Method for handling maleimides
JPH0766092A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウエーハの接着方法および接着治具
JPH0766093A (ja) 1993-08-23 1995-03-10 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウエーハの貼り合わせ方法およびその装置
JPH1174164A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
KR100744183B1 (ko) * 2006-02-16 2007-08-01 삼성전자주식회사 디스플레이장치의 제조장치 및 제조방법
US7682933B1 (en) * 2007-09-26 2010-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Wafer alignment and bonding
KR101866622B1 (ko) 2010-12-20 2018-06-11 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단
DE102010055288A1 (de) 2010-12-21 2012-06-21 Ev Group Gmbh Vorrichtung zum spanenden Bearbeiten eines Werkstücks
WO2014191033A1 (de) * 2013-05-29 2014-12-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten
JP6258479B2 (ja) 2013-06-17 2018-01-10 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 複数の基板を位置合わせする装置及び方法
JP6120749B2 (ja) * 2013-10-25 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
KR20150080449A (ko) 2013-12-06 2015-07-09 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질들을 정렬하기 위한 장치 및 방법
JP2014150266A (ja) * 2014-03-13 2014-08-21 Tokyo Electron Ltd 接合装置及び接合システム
JP6177739B2 (ja) * 2014-08-07 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6271404B2 (ja) * 2014-11-27 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
EP3433875B1 (de) 2016-03-22 2022-05-04 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren zum bonden von substraten

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186245A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101521971B1 (ko) * 2013-12-11 2015-05-20 주식회사 휴템 플라즈마 활성화 처리를 이용한 웨이퍼 본더, 웨이퍼 접합 장치, 및 웨이퍼 접합 방법
WO2016093284A1 (ja) * 2014-12-10 2016-06-16 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法

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