KR102293940B1 - 마이크로폰 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크론 패키지에 관한 것으로서, 상기 마이크로폰 패키지는 상기 기판, 상기 기판 위에 위치하고 외부로부터 인가되는 음향을 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서, 상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호 처리부 및 상기 MEMS 트랜듀서를 상기 기판에 접착시키고 내부에 복수 개의 첨가물을 함유하고 있는 제1 접착부를 포함하고, 상기 MEMS 트랜듀서는 상기 복수 개의 첨가물 위에 위치한다.

Description

마이크로폰 패키지{MICROPHONE PACKAGE}
본 발명은 마이크로폰 패키지에 관한 것이다.
최근 휴대폰, 스마트폰 등의 이동 통신용 단말기나, 태블릿PC, MP3 플레이어 등과 같은 전자 장치는 보다 소형화되고 있다.
이에 따라 전자 장치의 부품 또한 더욱 소형화되고 있다. 따라서, 부품의 물리적 한계를 해결할 수 있는 멤스[MEMS(Micro Electro Mechanical System)] 기술 개발이 진행되고 있다.
MEMS 기술은, 집적 회로 기술을 응용한 마이크로 머시닝(micro machining) 기술을 이용하여 마이크로 단위의 초소형 센서, 액츄에이터(actuator) 또는 전기 기계적 구조체를 제작하는데 응용될 수 있다. 이와 같은 MEMS 기술이 적용된 마이크로폰 패키지(microphone package)는 초소형의 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 웨이퍼(wafer) 상에 복수 개의 마이크로폰 패키지를 제조할 수 있어 대량 생산이 가능하다.
이처럼 MEMS 기술이 적용된 마이크로폰 패키지는 적어도 하나의 MEMS 트랜듀서(MEMS transducer)를 구비하고 있고, 이러한 MEMS 트랜듀서는 일반적으로 에폭시 접착제를 이용하여 기판에 부착된다.
따라서, 에폭시 접착제를 도포한 그 위에 MEMS 트랜듀서를 장착한 후 경화시키는 과정에서 MEMS 트랜듀서의 무게와 액상 상태의 접착제로 인해, MEMS 트랜듀서에 어느 한 방향으로 경사지게 위치하는 문제가 발생하고, 이로 인해, 기판과의 접착력에 악영향을 미치게 된다.
또한, 기판과 MEMS 트랜듀서 사이의 빈 공간이 백 챔버(back chamber)로 기능하는 경우, 백 챔버는 기판 상에 돌출되는 MEMS 트랜듀서의 높이에 따라 그 크기가 한정되는 문제가 발생한다.
대한민국 등록특허 제10-1141176호(공고일자: 2012년 05월 02일, 발명의 명칭: 복수의 개별 마이크로폰 팩키지를 제작하는 방법)
본 발명이 해결하려는 과제는 기판과 MEMS 트랜듀서의 접착력을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 마이크로폰 패키지의 백 챔버의 영역을 증가시켜 마이크로폰 패키지의 성능을 향상시키기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 마이크로폰 패키지는 기판, 상기 기판 위에 위치하고 외부로부터 인가되는 음향을 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서, 상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호 처리부 및 상기 MEMS 트랜듀서를 상기 기판에 접착시키고 내부에 복수 개의 첨가물을 함유하고 있는 제1 접착부를 포함하고, 상기 MEMS 트랜듀서는 상기 복수 개의 첨가물 위에 위치한다.
각 첨가물은 볼(ball) 형태로 이루어질 수 있다.
복수 개의 첨가물은 중첩되지 않게 기판 상에 평탄하게 위치할 수 있다.
상기 제1 접착부는 수지부를 더 포함할 수 있고, 상기 복수 개의 첨가물은 상기 수지부 속에 내포될 수 있다.
상기 MEMS 트랜듀서의 일부는 상기 수지부로 덮여질 수 있다.
각 첨가물의 지름은 25㎛ 내지 35㎛의 크기를 가질 수 있다.
상기 제1 접착부의 두께는 35㎛ 내지 45㎛일 수 있다.
상기 MEMS 트랜듀서는 와이어를 통해 상기 신호 처리부와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 특징에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 기판 위에 위치하고 내부에 상기 MEMS 트랜듀서와 상기 신호 처리부가 위치하는 케이스를 더 포함할 수 있다.
상기 특징에 따른 마이크로폰 패키지는 상기 케이스를 상기 기판에 접착시키는 제2 접착부를 더 포함할 수 있고, 상기 제2 접착부는 땜납으로 이루어질 수 있다.
상기 케이스는 음향홀을 포함할 수 있다.
상기 기판은 위치에 무관하게 동일한 두께는 가질 수 있다.
상기 기판은 상부면에서 하부면 쪽으로 함몰되어 있는 함몰부를 더 포함할 수 있다.
상기 MEMS 트랜듀서는 상기 함몰부 내에 위치할 수 있다.
상기 함몰부의 함몰 깊이는 상기 첨가물의 지름과 동일하거나 클 수 있다.
이러한 특징에 따르면, 제1 접착부 속에 내장되어 있는 첨가물로 인해, 접착부에 위치하여 경화되는 MEMS 트랜듀서의 기울어짐 현상이나 뒤틀림 현상이 방지된다.
이로 인해, MEMS 트랜듀서의 기울어짐 현상으로 인한 기판과의 접착력이 약화되지 현상이 발생하지 않고 접착력이 향상되므로, MEMS 트랜듀서는 안정적으로 기판 상에 견고히 접착 상태를 유지한다.
또한, 제1 접착부 속에 위치하는 첨가물의 지름만큼 MEMS 트랜듀서에 의해 에워싸여지는 공간의 크기가 증가하므로, MEMS 트랜듀서에 의해 에워싸여져 있는 백 챔버의 크기 역시 증가한다. 이로 인해, 마이크로폰 패키지의 성능이 향상된다.
더욱이, 기판의 일부에 함몰부를 형성한 후 함몰부 내에 MEMS 트랜듀서를 장착하므로, 케이스로 에워싸여진 공간이 증가하여 MEMS 트랜듀서의 설계의 여유도가 증가하고 백 챔버의 크기 또한 증가한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지를 나타낸 일 방향에서의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
아울러, 이하에서 어떤 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 동일하다는 의미는 공정 상의 오차를 고려하여, 어떤 제1 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이가 다른 제2 구성 요소의 두께나 폭 또는 길이와 비교하여, 10%의 오차 범위에 있는 경우를 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지에 대해서 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰 패키지(1)는 기판(100), 기판(100) 위에 위치하는 MEMS 트랜듀서(200), 기판(100) 위에 위치하는 신호처리부(300), 기판(100) 위에 위치하는 케이스(400), 기판(100)에 MEMS 트랜듀서(200)를 접착하는 제1 접착부(501) 및 기판(100)에 케이스(400)를 접착하는 제2 접착부(502)를 구비한다.
기판(100)은 본 예의 마이크로폰 패키지(10)의 하부를 이루는 구성으로, 판(plate) 형태로 형성된다. 기판(100)은 인쇄회로기판으로 형성될 수 있다. 기판(100)은 구체적으로 경성의 인쇄회로기판, 반도체기판, 세라믹 기판 등으로 형성될 수 있다.
기판(100) 위에 위치하고 MEMS 트랜듀서(200)는 외부로부터 입력되는 음향을 전기 신호로 변환하는 소자로서, 와이어 본딩 공정(wire bonding)을 통한 와이어(W) 등을 통해 신호처리부(300)와 전기적으로 연결되어 있다.
MEMS 트랜듀서(200)는 도 1에 도시한 것처럼, 가운데 빈 공간을 구비하고 있고 측면과 상부면은 막혀 있고 하부는 개방되어 있는 캔(can) 형태로 이루어져 있다.
MEMS 트랜듀서(200)는 제1 접착부(501)를 통해 측면 하단이 기판(100)에 빈틈없이 접착되므로, MEMS 트랜듀서(200) 내부에는 기판(100)과 MEMS 트랜듀서(200)의 측면과 상부면으로 에워싸여져 있는 공간(S200)이 형성되고, 이 공간(S200)는 마이크로폰 패키지(1)에서 소리의 울림 현상 등을 위한 백 챔버(back chamber)로서 기능한다.
이러한 MEMS 트랜듀서(200)는 변환된 전기 신호를 신호 처리부(300)로 출력하여, 입력된 음향에 대한 전기 신호를 이용한 동작과 스피커 등으로 출력이 이루어질 수 있도록 한다.
MEMS 트랜듀서(200)의 한 예는 진동판 및 이 진동판과 이격되게 위치하는 백플레이트(back plat)를 구비하고 있다. 이때, 진동판과 백플레이트 사이에는 커패시터(capacitor)가 형성된다.
따라서, 외부로부터 유입되는 음향(즉, 소리)에 따른 음압에 의해, 진동판이 진동하면, MEMS 트랜듀서(200)는 진동판과 백플레이트 사이에 형성된 커패시턴스(capacitance)를 측정하여 음향신호를 감지해 신호 처리부(300)로 출력하게 된다.
본 예의 제1 접착부(501)는, 도 1에 도시한 것처럼, 첨가물(5011)을 함유할 수 있다.
따라서 제1 첩착부(501)는 수지부(5011)와 수지부(5011) 내에 함유된 첨가물(5012)을 구비할 수 있다.
제1 접착부(501)는 에폭시를 이용한 에폭시 접착제에 의해 형성될 수 있으므로, 수지부(5011)는 에폭시 수지를 함유할 수 있다,
첨가물(5012)은 볼(ball) 형태로 이루어질 수 있고, 외부로부터 인가되는 힘이나 무게에 의해 쉽게 휘거나 변경되지 않는 양호한 견고성(stiffness)을 갖고 있다. 예를 들어, 첨가물(5012)는 강화 플라스틱이나 금속으로 이루어질 수 있다.
이러한 첨가물(5012)은 수지부(5011) 내에 수직 방향으로 서로 중첩되지 않고 기판(100)의 상부면에 평탄하고 배열될 수 있다.
본 예서, 각 첨가물(5012)의 지름(D11)은 25㎛ 내지 35㎛의 크기를 가질 수 있다. 이때, 수지부(5011)는 평탄하게 한 층으로 배열되어 있는 복수 개의 첨가물(5012)을 완전히 덮을 수 있으므로, 수지부(5011)의 최소 두께(D12)는 첨가물(5012)의 지름(D11)보다 크고, 예를 들어, 35㎛ 내지 45㎛일 수 있다.
이와 같이, 수지부(5011)의 하단에 평탄하게 한 층으로 복수 개의 첨가물(5012)이 배열되어 있으므로, 제1 접착부(501)와 접착되는 MEMS 트랜듀서(200)의 하단은 복수 개의 첨가물(5012)이 평탄하게 배열되어 있는 하나의 첨가물층 위에 위치하고, MEMS 트랜듀서(200)의 측면 일부는 수지부(5011) 속에 매몰되어 있다.
이로 인해, 기판(100) 위에 위치하는 MEMS 트랜듀서(200)의 높이는 첨가물(5011)을 포함하지 않는 경우에 비해 적어도 첨가물(5012)의 지름(D11)만큼 높아지게 되고, 이에 따라, MEMS 트랜듀서(200)에 의해 형성되는 공간(S200) 역시 증가한 MEMS 트랜듀서(200)의 높이에 비례하게 증가하게 된다.
이와 같이, 볼 형태의 첨가물(5012) 위에 MEMS 트랜듀서(200)를 위치시킨 후 기판(100)과의 접착 동작이 이루어지므로, MEMS 트랜듀서(200)는 기울어짐 현상 없이 안정적으로 기판(100) 위에 위치하게 된다.
즉, 제1 접착부가 첨가물을 함유하지 않는 에폭시 접착제로 이루어지는 경우, 기판(100)의 해당 부분에 도포된 에폭시 접착제 위에 MEMS 트랜듀서(200)의 하단이 위치하게 된다.
하지만, 이런 경우, 도포된 에폭시 접착제의 도포 두께, 에폭시 접착제 위에 위치하는 MEMS 트랜듀서(200)의 위치 상태에 따라 MEMS 트랜듀서(200)는 기판(100)의 상부면과 평행하게 위치하지 못하고 어느 한 방향으로 기울어지게 위치하는 경우가 많다.
이와 같이, 액상 상태의 에폭시 접착제 위에 어느 한 방향으로 기울어진 상태에서 에폭시 접착제의 경화 동작이 이루어지면, 경화 과정 후 제1 접착부를 통해 기판(100)에 접착되게 위치하는 MEMS 트랜듀서(200)는 어느 한 방향으로 기울어지게 위치하거나 뒤틀리는 현상이 발생하게 된다.
따라서, MEMS 트랜듀서(200)에 의해 제1 접착부로 인가되는 힘의 세기가 일정하지 않아, 힘이 덜 가는 부분의 접착력, 예를 들어, 기울어진 부분의 반대편에 위치하는 제1 접착부 부분의 접착력이 약해져, MEMS 트랜듀서(200)의 일부가 기판(100)에서 떨어지는 문제가 발생하게 된다.
하지만, 본 예의 경우, 제1 접착부(501) 내에 복수 개의 첨가물(5012)이 기판(100) 위에 배열된 상태에서 그 위에 MEMS 트랜듀서(200)가 위치하므로, MEMS 트랜듀서(200) 아래에 위치하는 복수 개의 첨가물(5012)은 MEMS 트랜듀서(200)를 지지하고 지탱하는 역할을 수행하게 된다.
따라서, MEMS 트랜듀서(200)의 모든 하단은 첨가물(5012) 위에 균일하게 위치하므로, MEMS 트랜듀서(200)는 어느 한 방향으로 기울어지지 않고 안정적으로 첨가물(5012) 위에 위치하게 된다.
이런 상태에서 경화 동작을 통해 기판(100)과 접착된 MEMS 트랜듀서(200) 역시 기울어짐 현상없이 기판(100)과 평행하게 위치하므로, 제1 접착부(501)로 인가되는 무게 역시 위치에 무관하게 균일해 진다. 따라서, 제1 접착부(501)로 인가되는 힘의 불균형으로 인해 제1 접착부(501)가 기판(100)에서 떨어지거나 접착 상태가 불량인 현상이 방지된다.
또한, 이미 기술한 것처럼, 첨가물(5012)의 지름(D11)에 비례하게 백 챔버로 기능하는 MEMS 트랜듀서(200)의 내부 공간(S200)이 증가하게 된다.
마이크로폰 패키지에서 백 챔버(S200)의 크기가 증가함에 따라 신호대 잡음비[SNR(signal to noise ratio)]가 향상되므로, 본 예에 따른 마이크로폰 패키지(1)의 성능이 향상된다.
이러한 제1 접착부(501)를 이용하여 기판(100)에 MEMS 트랜듀서(200)를 부착하는 과정의 한 예는 다음과 같다.
먼저, 기판(100)의 해당 위치에 첨가물(5012)을 함유하고 있는 에폭시 접착제를 도포하고, 도포된 에폭시 접착제 위에 MEMS 트랜듀서(200)를 위치시킨다.
그런 다음, MEMS 트랜듀서(200)가 위치한 기판(100)을 좌우 방향으로 정해진 속도로 흔들어 MEMS 트랜듀서(200) 하부에 위치하는 볼 형태의 첨가물(5012)이 수직 방향으로 중첩되지 않고 기판(100) 상에 평탄하게 하나의 층으로 위치하도록 한다.
그런 다음, 경화 동작을 실시하여, 하나의 첨가물 층 위에 MEMS 트랜듀서(200)의 하단이 접하게 위치하며 MEMS 트랜듀서(200)의 측면 일부가 수지부(5011) 속에 매몰되게 MEMS 트랜듀서(200)를 기판(100)에 부착한다.
신호 처리부(300)는 표면실장 기술[SMT(surface mounting technology)]과 와이어 본딩 기술 등을 통해 기판(100)에 실장되어 있고, 이미 기술한 것처럼, 와이어 본딩 동작 등으로 통해 MEMS 트랜듀서(200)와 전기적으로 연결되어 있다.
따라서, 신호 처리부(300)는 MEMS 트랜듀서(200)로부터 입력되는 전기 신호를 해당 상태로 처리하여 외부 장치로 출력한다.
케이스(400)는 기판(100)을 커버하도록 형성된다.
구체적으로, 케이스(400)은 MEMS 트랜듀서(200)와 유사하게 상부면(410)과 측면(420)을 구비하고 있고 하부는 개방되어 있으며, 내부에 빈 공간을 갖는 캔 형태로 이루어질 수 있다.
더욱 구체적으로, 도 1에 도시한 것처럼, 케이스(400)는 기판(100)과 이격되어 대향하는 상부면(410)과 상부면(410)의 테두리 부분에서 하측으로 연장되는 측면(420)을 포함하며, 제2 접착부(502)를 통해 측면(420)의 하단이 기판(100)과 결합되어 있다.
본 예에서, 기판(100)과의 결합을 용이하게 하고 기판(100)과의 접착력을 높이기 위해, 측면(420)의 하단은 기판(100)과 평행하게 외측으로 연장된 연장 부분(421)을 구비할 수 있다.
케이스(400)는 납땜 공정을 통해 기판(100)에 접착될 수 있고, 이런 경우, 제2 접착부(502)는 땜납으로 이루어진다.
따라서, 케이스(400)의 개방된 하부는 기판(100)으로 덮여지므로, 케이스(400) 내부에는 기판(100)과 케이스(400)로 에워싸여진 빈 공간(S400)이 형성되므로, 이 빈 공간(S400) 내에 MEMS 트랜듀서(200)와 신호 처리부(300)가 위치할 수 있다.
도 1에 도시한 것처럼, 케이스(40)에는 음향홀(H400)이 위치한다.
음향홀(H400)은 케이스(400)의 일부인 해당 부분(예, 상부면 일부)을 완전히 관통하는 형태로 형성된다.
본 예에서, 음향홀(H400)은 하나의 홀로 이루어져 있지만 경우에 따라서는 복수의 홀이 밀집하게 위치하여 하나의 음향홀을 구성할 수도 있다.
따라서, 이러한 음향홀(H400)을 통해 외부의 음향이 케이스(400) 내부로 입력되어 MEMS 트랜듀서(200)로 유입되도록 한다.
본 예의 마이크로폰 패키지(1)는 케이스(400)에 위치한 음향홀(H400)의 외측으로부터 마이크로폰 패키지(1) 쪽으로 진행하는 음향을 주된 수신 음향으로 수신하는 프론트 타입(front type)에 해당한다.
하지만, 이에 한정되지 않고 본 예의 마이크로폰 패키지(1)는 케이스(400)의 반대 방향인 기판(100)에 음향홀이 위치하여 음향홀의 외측으로부터 마이크로폰 패키지(1) 쪽으로 진행하는 음향을 주된 수신 음향으로 수신하는 리어 타입(rear type)일 수도 있다.
이러한 케이스(400)는 금속이나 플라스틱 등으로 이루어질 수 있고, 사출 공정을 통해 제조될 수 있다. 경우에 따라, 케이스(400)은 기판(100)과 동일한 재료로 이루어질 수 있다.
도면에는 도시되지 않았지만, 기판(100)에는 접지 전위를 가지는 접지부가 형성되어 있고, 금속과 같은 도전성 재료로 이루어진 케이스(400)는 기판(100)의 접지부와 전기적으로 연결되어 결합될 수 있다.
하지만, 케이스(400)는 플라스틱과 같은 다른 재료로 이루어질 수 있으며, 경우에 따라 기판(100)과 동일한 소재 등으로 형성될 수도 있다.
본 예의 케이스(400)는 사출 공정을 통해 제조될 수 있다.
다음, 도 2를 참고로 하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로폰 패키지(1a)를 설명한다.
도 1과 비교할 때, 동일한 구조를 갖고 같은 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 도 1과 같은 도면 부호를 부여하였고 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 2를 참고하면, 본 예의 마이크로폰 패키지(1a)는 도 1과 유사한 구조를 갖고 있다.
즉, 기판(100a), 기판(100) 위에 위치하는 MEMS 트랜듀서(200), 기판(100) 위에 위치하는 신호처리부(300) 및 기판(100) 위에 위치하는 케이스(400)를 구비한다.
이때, MEMS 트랜듀서(200)는 수지부(5011)와 볼 형태의 첨가물(5012)을 함유하고 있는 제1 접착부(501)를 통해 기판(100a)과 접착될 수 있고, 케이스(400)는 제2 접착부(502)를 통해 기판(100a)과 접착될 수 있다.
하지만, 도 1과 달리, 본 예의 기판(110a)은 상부면에서 하부면 쪽으로 정해진 깊이(D13)만큼 함몰된 함몰부(101)를 구비하고 있고, MEMS 트랜듀서(200)는 제1 접착부(501)를 이용하여 함몰부(101) 안의 상부면에 위치할 수 있다.
이때, 함몰부(101)의 함몰 깊이(D13)은 첨가물(5012)의 지름(D11)보다 같거나 클 수 있다.
이로 인해, 도 1에 도시한 기판(100)의 두께는 위치에 무관하게 동일한 반면, 본 예의 기판(100a)의 두께는 함몰부(101)가 위치한 부분이 그렇지 않은 부분보다 얇게 된다.
이와 같이, 함몰부(101) 속에 MEMS 트랜듀서(200)가 위치함에 따라, 도 1에 비해 서로 마주보고 있는 MEMS 트랜듀서(200)의 외측 상부면과 케이스(100)의 내측 상부면 사이의 거리를 함몰 깊이(D13)만큼 증가하게 된다.
따라서, 첨가물(5012)로 인해 높아진 MEMS 트랜듀서(200)의 최대 높이 증가가 증가함에도 불구하고, MEMS 트랜듀서(200)의 외측 상부면과 케이스(100)의 내측 상부면 사이의 공간적인 여유도가 감소하지 않으므로 와이어 본딩 동작 등이 좀더 용이하게 이루어지는 추가적인 효과가 발생한다.
추가적으로, 함몰부의 함몰 깊이(D13)가 제1 접착부(501)의 두께(D12)보다 크게 조정하면, 챔 챔버(S100)의 공간을 증가시키면서도 MEMS 트랜듀서(200)의 초대 설치 높이를 감소시킬 수 있으므로, 마이크로폰 패키지(1a)의 전체 두께를 감소시켜 마이크로폰 패키지(1a)의 부피를 감소시키게 된다.
이상, 본 발명의 마이크로폰 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. 또한, 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 해당 실시예에만 한정되는 것은 아니고, 각 실시예에 기재된 기술적 특징들은 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 서로 다른 실시예에 병합되어 적용될 수 있다.
1, 1a: 마이크로폰 패키지 100, 100a: 기판
101: 함몰부 200: MEMS 트랜듀서
300: 신호 처리부 400: 케이스
501: 제1 접착부 5011: 수지부
5012: 첨가물 502: 제2 접착부
D11: 첨가물의 지름 D12: 제1 접착부의 두께
D13: 함몰부의 함몰 깊이

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 위치하고 외부로부터 인가되는 음향을 전기 신호로 변환하는 MEMS 트랜듀서;
    상기 기판 상에 위치하여, 상기 MEMS 트랜듀서로부터 입력되는 상기 전기 신호를 처리하여 출력하는 신호 처리부; 및
    수지부 및 상기 수지부 속에서 상기 기판의 상부면에 중첩되지 않게 평탄하게 배열되어 상기 수지부에 내포되어 있는 복수 개의 첨가물을 구비하고 있고, 상기 MEMS 트랜듀서를 상기 기판에 접착시키는 제1 접착부
    를 포함하고,
    각 첨가물의 지름은 25㎛ 내지 35㎛의 크기를 갖고 있고,
    상기 MEMS 트랜듀서는 평탄하게 배열되어 있는 상기 복수 개의 첨가물 위에 위치하는
    마이크로폰 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    각 첨가물은 볼(ball) 형태로 이루어져 있는 마이크로폰 패키지.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 MEMS 트랜듀서의 일부는 상기 수지부로 덮여져 있는 마이크로폰 패키지.
  6. 삭제
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 접착부의 두께는 35㎛ 내지 45㎛인 마이크로폰 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 MEMS 트랜듀서는 와이어를 통해 상기 신호 처리부와 전기적으로 연결되어 있는 마이크로폰 패키지.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 위에 위치하고 내부에 상기 MEMS 트랜듀서와 상기 신호 처리부가 위치하는 케이스
    를 더 포함하는 마이크로폰 패키지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 케이스를 상기 기판에 접착시키는 제2 접착부
    를 더 포함하고,
    상기 제2 접착부는 땜납으로 이루어져 있는 마이크로폰 패키지.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 케이스는 음향홀을 포함하는 마이크로폰 패키지.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 위치에 무관하게 동일한 두께는 갖는 마이크로폰 패키지.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 상부면에서 하부면 쪽으로 함몰되어 있는 함몰부를 더 포함하는 마이크로폰 패키지.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 MEMS 트랜듀서는 상기 함몰부 내에 위치하는 마이크로폰 패키지.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 함몰부의 함몰 깊이는 상기 첨가물의 지름과 동일하거나 큰 마이크로폰 패키지.
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