KR102290820B1 - Gate driver and display device including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커질수록 클럭신호의 라이징이 딜레이(delay)되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 멀티 파형을 쉽게 구현할 수 있는 게이트 구동부와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부는 복수의 스테이지들을 구비하고, 상기 스테이지는 제1 및 제2 풀-업 트랜지스터들과, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터들을 포함한다. 제1 풀-업 트랜지스터는 제1 풀-업 노드의 전압에 따라 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제1 풀-다운 트랜지스터는 제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 제1 전원전압 단자로 입력되는 제1 전원전압을 상기 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제2 풀-업 트랜지스터는 제2 풀-업 노드의 전압에 따라 제2 전원전압 단자로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자로 공급한다. 제2 풀-다운 트랜지스터는 제2 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 출력단자로 공급한다.An embodiment of the present invention provides a gate driver capable of easily implementing multi-waveforms and a display device including the same, as well as preventing a delay in rising of a clock signal as the resolution of the display device increases and the area of the display device increases. it's about The gate driver according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages, wherein the stage includes first and second pull-up transistors and first and second pull-down transistors. The first pull-up transistor supplies a clock signal input to the first clock terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-up node. The first pull-down transistor supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal according to the voltage of the first pull-down node to the second pull-up node. The second pull-up transistor supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal to the output terminal according to the voltage of the second pull-up node. The second pull-down transistor supplies the first power voltage to the output terminal according to the voltage of the second pull-down node.

Description

게이트 구동부와 이를 포함한 표시장치{GATE DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Gate driver and display device including the same

본 발명의 실시예는 게이트 구동부와 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.
Embodiments of the present invention relate to a gate driver and a display device including the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러 가지 평판표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. Accordingly, various flat panel displays (FPDs) capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, have recently been developed and marketed. For example, various flat panel displays such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) are being used. .

이러한 평판 표시장치는 데이터라인들, 게이트라인들, 데이터라인들과 게이트라인들에 접속된 다수의 화소들을 포함하는 표시패널, 게이트라인들에 게이트신호들을 공급하는 게이트 구동부, 및 데이터라인들에 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부를 구비한다. 게이트 구동부는 표시패널의 비표시영역에 형성될 수 있으며, 다수의 트랜지스터(transistor)들을 갖는 스테이지들을 포함하여 게이트라인들에 게이트하이전압과 게이트로우전압을 스윙하는 게이트신호들을 공급한다.Such a flat panel display includes data lines, gate lines, a display panel including a plurality of pixels connected to the data lines and gate lines, a gate driver supplying gate signals to the gate lines, and a data line to the data lines. A data driver for supplying voltages is provided. The gate driver may be formed in a non-display area of the display panel, and includes stages having a plurality of transistors and supplies gate signals swinging a gate high voltage and a gate low voltage to gate lines.

도 1a는 제1 타입의 스테이지를 간략히 보여주는 일 예시도면이다. 도 1b는 제2 타입의 스테이지를 간략히 보여주는 일 예시도면이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 스테이지는 풀-업 노드(NQ), 풀-다운 노드(NQB), 풀-업 노드(NQ)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 턴-온되는 풀-업 트랜지스터(TU), 풀-다운 노드(NQB)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 턴-온되는 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 및 풀-업 노드(TU)와 풀-다운 노드(TD)의 충방전을 제어하기 위한 노드 제어부(NC)를 포함한다. 노드 제어부(NC)는 스테이지의 출력을 안정적으로 제어하기 위해 풀-업 노드(NQ)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 풀-다운 노드(NQB)를 게이트로우전압으로 방전시키며, 풀-다운 노드(NQB)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 풀-업 노드(NQ)를 게이트로우전압으로 방전시킨다.1A is an exemplary diagram briefly illustrating a stage of a first type. 1B is an exemplary diagram briefly illustrating a second type of stage. 1A and 1B , the stage is a pull-up transistor that is turned on when the pull-up node NQ, the pull-down node NQB, and the pull-up node NQ are charged to a gate high voltage. TU, the first pull-down transistor TD1 turned on when the pull-down node NQB is charged to the gate high voltage, and the pull-up node TU and the pull-down node TD and a node controller (NC) for controlling charging and discharging. The node controller NC discharges the pull-down node NQB to a gate-low voltage when the pull-up node NQ is charged to the gate-high voltage in order to stably control the output of the stage, and the pull-down node ( When NQB) is charged to the gate high voltage, the pull-up node NQ is discharged to the gate low voltage.

도 1a와 같이 제1 타입의 스테이지(STT1)의 풀-업 트랜지스터(TU)는 풀-업 노드(NQ)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 클럭 단자(CT)로 입력되는 클럭신호를 게이트신호로 출력한다. 제1 타입의 스테이지(STT1)는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커질수록, 클럭 단자(CT)로 입력되는 클럭신호의 로드(load)가 증가되므로, 클럭신호의 라이징이 딜레이(delay)되는 단점이 있다. 이 경우, 제1 타입의 스테이지(STT1)의 출력 단자로 출력되는 게이트신호의 라이징이 딜레이되는 문제가 발생할 수 있다.As shown in FIG. 1A , the pull-up transistor TU of the first type stage STT1 converts the clock signal input to the clock terminal CT to the gate signal when the pull-up node NQ is charged to the gate high voltage. print out In the first type stage STT1, as the resolution of the display device increases and the area of the display device increases, the load of the clock signal input to the clock terminal CT increases, so that the rising of the clock signal is delayed. ) has its drawbacks. In this case, a problem in that the rising of the gate signal output to the output terminal of the first type stage STT1 is delayed may occur.

도 1b와 같이 제2 타입의 스테이지(STT2)의 풀-업 트랜지스터(TU)는 풀-업 노드(NQ)가 게이트하이전압으로 충전되는 경우 게이트하이전압 단자(VGHT)로 입력되는 게이트하이전압을 게이트신호로 출력한다. 제2 타입의 스테이지(STT2)는 도 2와 같이 복수의 게이트하이전압(VGH)들의 펄스들(P1, P2)을 갖는 멀티 파형의 게이트신호(GS)를 출력하기 어려운 단점이 있다.As shown in FIG. 1B , the pull-up transistor TU of the second type stage STT2 applies the gate high voltage input to the gate high voltage terminal VGHT when the pull-up node NQ is charged to the gate high voltage. output as a gate signal. The second type stage STT2 has a disadvantage in that it is difficult to output a multi-waveform gate signal GS having pulses P1 and P2 of a plurality of gate high voltages VGH as shown in FIG. 2 .

그러므로, 최근에는 제1 타입의 스테이지(STT1)의 단점과 제2 타입의 스테이지(STT2)의 단점을 모두 개선할 수 있는 새로운 스테이지가 요구되고 있다.
Therefore, recently, a new stage capable of improving both the disadvantages of the first type stage STT1 and the disadvantages of the second type stage STT2 is required.

본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커질수록 클럭신호의 라이징 딜레이(delay)로 인해 게이트신호의 라이징이 딜레이되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 멀티 파형을 쉽게 구현할 수 있는 게이트 구동부와 이를 포함한 표시장치를 제공한다.
According to the embodiment of the present invention, as the resolution of the display device increases and the area of the display device increases, the gate signal not only prevents the delay of the rising of the gate signal due to the rising delay of the clock signal, but also can easily implement a multi-waveform gate. A driving unit and a display device including the same are provided.

본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부는 복수의 스테이지들을 구비하고, 상기 스테이지는 제1 및 제2 풀-업 트랜지스터들과, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터들을 포함한다. 제1 풀-업 트랜지스터는 제1 풀-업 노드의 전압에 따라 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제1 풀-다운 트랜지스터는 제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 제1 전원전압 단자로 입력되는 제1 전원전압을 상기 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제2 풀-업 트랜지스터는 제2 풀-업 노드의 전압에 따라 제2 전원전압 단자로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자로 공급한다. 제2 풀-다운 트랜지스터는 제2 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 출력단자로 공급한다.The gate driver according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages, wherein the stage includes first and second pull-up transistors and first and second pull-down transistors. The first pull-up transistor supplies a clock signal input to the first clock terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-up node. The first pull-down transistor supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal according to the voltage of the first pull-down node to the second pull-up node. The second pull-up transistor supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal to the output terminal according to the voltage of the second pull-up node. The second pull-down transistor supplies the first power voltage to the output terminal according to the voltage of the second pull-down node.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 데이터라인들, 상기 데이터라인들과 교차되는 게이트라인들, 상기 데이터라인들과 상기 게이트라인들에 접속되는 화소들, 및 상기 게이트라인들에 게이트신호들을 출력하는 스테이지들을 포함하는 게이트 구동부를 포함하는 표시패널을 구비하고, 상기 스테이지는 제1 및 제2 풀-업 트랜지스터들과, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터들을 포함한다. 제1 풀-업 트랜지스터는 제1 풀-업 노드의 전압에 따라 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제1 풀-다운 트랜지스터는 제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 제1 전원전압 단자로 입력되는 제1 전원전압을 상기 제2 풀-업 노드에 공급한다. 제2 풀-업 트랜지스터는 제2 풀-업 노드의 전압에 따라 제2 전원전압 단자로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자로 공급한다. 제2 풀-다운 트랜지스터는 제2 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 출력단자로 공급한다.
A display device according to an embodiment of the present invention outputs gate signals to data lines, gate lines crossing the data lines, pixels connected to the data lines and the gate lines, and the gate lines. A display panel including a gate driver including stages to The first pull-up transistor supplies a clock signal input to the first clock terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-up node. The first pull-down transistor supplies the first power voltage input to the first power supply voltage terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-down node. The second pull-up transistor supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal to the output terminal according to the voltage of the second pull-up node. The second pull-down transistor supplies the first power voltage to the output terminal according to the voltage of the second pull-down node.

본 발명의 실시예는 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 이용하여 제2 풀-업 노드를 제어한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커지더라도 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호의 로드 증가를 최소화할 수 있으며, 또한 클럭신호가 게이트신호로 출력되는 것이 아니므로, 게이트신호의 라이징 딜레이를 방지할 수 있다.An embodiment of the present invention controls the second pull-up node using a clock signal input to the first clock terminal. As a result, according to the embodiment of the present invention, the increase in the load of the clock signal input to the first clock terminal can be minimized even if the resolution of the display device is increased and the area of the display device is increased, and the clock signal is output as the gate signal. Therefore, it is possible to prevent the rising delay of the gate signal.

또한, 본 발명의 실시예는 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호에 의해 제2 풀-업 노드를 제어하므로, 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호의 파형에 따라 게이트신호를 공급할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예는 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 멀티 파형으로 구현하는 경우, 멀티 파형의 게이트신호를 출력할 수 있다.
In addition, since the embodiment of the present invention controls the second pull-up node by the clock signal input to the first clock terminal, the gate signal can be supplied according to the waveform of the clock signal input to the first clock terminal. That is, in the embodiment of the present invention, when the clock signal input to the first clock terminal is implemented as a multi-waveform, a multi-waveform gate signal may be output.

도 1a는 제1 타입의 스테이지를 간략히 보여주는 일 예시도면.
도 1b는 제2 타입의 스테이지를 간략히 보여주는 일 예시도면.
도 2는 멀티 파형의 일 예를 보여주는 파형도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 블록도.
도 4는 도 3의 화소를 보여주는 일 예시도면.
도 5는 도 3의 화소를 보여주는 또 다른 예시도면.
도 6은 도 3의 게이트 구동부를 상세히 보여주는 블록도.
도 7은 제q 스테이지의 일 예를 상세히 보여주는 회로도.
도 8은 클럭신호들, 제q-2, 제q 및 제q+2 게이트신호들, 도 7의 제q 스테이지의 제1 풀-업 노드의 전압, 제1 풀-다운 노드의 전압, 제2 풀-업 노드의 전압, 제2 풀-다운 노드의 전압, 및 제1 노드의 전압을 보여주는 파형도.
도 9a 내지 도 9e는 제1 내지 제5 기간들 동안 도 7의 제q 스테이지의 동작을 보여주는 회로도.
1A is an exemplary view briefly showing a stage of a first type;
1B is an exemplary diagram briefly illustrating a second type of stage;
2 is a waveform diagram showing an example of a multi-waveform;
3 is a block diagram illustrating a display device according to an embodiment of the present invention;
4 is an exemplary view showing the pixel of FIG. 3;
FIG. 5 is another exemplary view showing the pixel of FIG. 3;
6 is a block diagram illustrating the gate driver of FIG. 3 in detail;
7 is a circuit diagram showing an example of a q-th stage in detail;
8 shows clock signals, q-2, q-th and q+2 gate signals, the voltage of the first pull-up node of the q-th stage of FIG. 7, the voltage of the first pull-down node, and the second A waveform diagram showing the voltage at the pull-up node, the voltage at the second pull-down node, and the voltage at the first node.
9A to 9E are circuit diagrams showing the operation of the q-th stage of FIG. 7 during first to fifth periods;

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. The component names used in the following description may be selected in consideration of the ease of writing the specification, and may be different from the component names of the actual product.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 및 타이밍 제어부(30)를 구비한다.3 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3 , a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10 , a data driver 20 , and a timing controller 30 .

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 게이트신호들을 게이트라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하는 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 데이터전압들을 공급하는 어떠한 표시장치도 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중에 어느 하나로 구현될 수도 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may include any display device that supplies data voltages to pixels through line sequential scanning in which gate signals are sequentially supplied to the gate lines G1 to Gn. For example, a display device according to an embodiment of the present invention includes a liquid crystal display, an organic light emitting display, a field emission display, and an electrophoresis display. display) may be implemented as any one of them.

표시패널(10)은 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 게이트라인들(G1~Gn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 접속된 화소(P)들, 제1 및 제2 게이트 구동부들(11, 12)을 포함한다.The display panel 10 includes data lines D1 to Dm, where m is a positive integer greater than or equal to 2), gate lines G1 to Gn, and n is a positive integer greater than or equal to 2), and data lines D1 to Dm; It includes pixels P connected to the gate lines G1 to Gn, and first and second gate drivers 11 and 12 .

화소(P)는 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나와 게이트라인들(G1~Gn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)는 게이트라인에 게이트신호가 공급될때 데이터라인의 데이터전압을 공급받으며, 공급된 데이터전압에 따라 소정의 밝기로 발광한다.The pixel P may be connected to any one of the data lines D1 to Dm and to any one of the gate lines G1 to Gn. Accordingly, the pixel P receives the data voltage of the data line when the gate signal is supplied to the gate line, and emits light with a predetermined brightness according to the supplied data voltage.

표시장치가 액정표시장치로 구현되는 경우, 화소(P)들 각각은 도 4와 같이 트랜지스터(T), 화소전극(11), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(T)는 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 게이트라인(Gk)의 게이트신호에 응답하여 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj)의 데이터전압을 화소전극(11)에 공급한다. 이로 인해, 화소(P)들 각각은 화소전극(11)에 공급된 데이터전압과 공통전극(12)에 공급된 공통전압의 전위차에 의해 발생되는 전계에 의해 액정층(13)의 액정을 구동하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛의 투과량을 조정할 수 있다. 공통전극(12)은 공통전압라인(VcomL)으로부터 공통전압을 공급받으며, 백라이트 유닛은 표시패널(10)의 아래에 배치되어 표시패널(10)에 균일한 빛을 조사한다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)는 화소전극(11)과 공통전극(12) 사이에 마련되어 화소전극(11)과 공통전극(12) 간의 전압차를 일정하게 유지한다.When the display device is implemented as a liquid crystal display, each of the pixels P may include a transistor T, a pixel electrode 11, and a storage capacitor Cst as shown in FIG. 4 . Transistor T responds to the gate signal of the kth (k is a positive integer satisfying 1≤k≤n) gate line Gk (j is a positive integer satisfying 1≤j≤m) of the transistor T The data voltage of the data line Dj is supplied to the pixel electrode 11 . For this reason, each of the pixels P drives the liquid crystal of the liquid crystal layer 13 by an electric field generated by a potential difference between the data voltage supplied to the pixel electrode 11 and the common voltage supplied to the common electrode 12 . It is possible to adjust the amount of transmission of light incident from the backlight unit. The common electrode 12 receives a common voltage from the common voltage line VcomL, and the backlight unit is disposed under the display panel 10 to radiate light uniformly to the display panel 10 . In addition, the storage capacitor Cst is provided between the pixel electrode 11 and the common electrode 12 to maintain a constant voltage difference between the pixel electrode 11 and the common electrode 12 .

표시장치가 유기발광표시장치로 구현되는 경우, 화소(P)들 각각은 도 5와 같이 유기발광다이오드(OLED), 스캔 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 제k 게이트라인(Gk)의 게이트신호에 응답하여 제j 데이터라인(Dj)의 데이터전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급한다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극에 공급되는 데이터전압에 따라 고전위전압라인(VDDL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 구동전류를 제어한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)와 저전위전압라인(VSSL) 사이에 마련되어, 구동전류에 따라 소정의 밝기로 발광한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압을 일정하게 유지하기 위해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 고전위전압라인(VDDL) 사이에 마련될 수 있다.When the display device is implemented as an organic light emitting diode display, each of the pixels P includes an organic light emitting diode OLED, a scan transistor ST, a driving transistor DT, and a storage capacitor Cst as shown in FIG. 5 . can do. The scan transistor ST supplies the data voltage of the j-th data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT in response to the gate signal of the k-th gate line Gk. The driving transistor DT controls a driving current flowing from the high potential voltage line VDDL to the organic light emitting diode OLED according to the data voltage supplied to the gate electrode. The organic light emitting diode OLED is provided between the driving transistor DT and the low potential voltage line VSSL, and emits light with a predetermined brightness according to the driving current. The storage capacitor Cst may be provided between the gate electrode of the driving transistor DT and the high potential voltage line VDDL to keep the voltage of the gate electrode of the driving transistor DT constant.

게이트 구동부(11)는 게이트라인들(G1, G2, G3, …, Gn-1, Gn)에 접속되어 게이트신호들을 공급한다. 구체적으로, 게이트 구동부(11)는 타이밍 제어부(30)로부터 게이트 제어신호(GCS)를 입력받고, 게이트 제어신호(GCS)에 따라 게이트신호들을 생성하여 게이트라인들(G1, G2, G3, …, Gn-1, Gn)에 공급한다. 게이트 구동부(11)에 대한 자세한 설명은 도 6을 결부하여 후술한다.The gate driver 11 is connected to the gate lines G1, G2, G3, ..., Gn-1, and Gn to supply gate signals. Specifically, the gate driver 11 receives the gate control signal GCS from the timing controller 30 , and generates gate signals according to the gate control signal GCS to form the gate lines G1, G2, G3, ..., Gn-1, Gn). A detailed description of the gate driver 11 will be described later with reference to FIG. 6 .

표시패널(10)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)은 화소(P)들이 마련되어 화상이 표시되는 영역이다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 주변에 마련되는 영역으로, 화상이 표시되지 않는 영역이다. 게이트 구동부(11)는 게이트 드라이브 인 패널(gate driver in panel, GIP) 방식으로 비표시영역(NDA)에 마련될 수 있다. 도 3에서는 게이트 구동부(11)가 표시패널(10)의 일측 비표시영역에 마련된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 복수의 게이트 구동부들이 표시패널(10)의 비표시영역(NDA)에 마련될 수 있다. 예를 들어, 어느 한 게이트 구동부가 표시패널(10)의 일측 비표시영역에 마련되고, 다른 게이트 구동부가 표시패널(10)의 타측 비표시영역에 마련될 수 있다.The display panel 10 may be divided into a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area in which pixels P are provided and an image is displayed. The non-display area NDA is an area provided around the display area DA and is an area in which no image is displayed. The gate driver 11 may be provided in the non-display area NDA using a gate driver in panel (GIP) method. 3 illustrates that the gate driver 11 is provided in the non-display area on one side of the display panel 10 , but it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, a plurality of gate drivers may be provided in the non-display area NDA of the display panel 10 . For example, one gate driver may be provided in one non-display area of the display panel 10 , and the other gate driver may be provided in the other non-display area of the display panel 10 .

데이터 구동부(20)는 데이터라인들(D1~Dm)에 접속된다. 데이터 구동부(20)는 타이밍 제어부(30)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 입력받고, 데이터 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터전압들로 변환한다. 데이터 구동부(20)는 아날로그 데이터전압들을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(20)는 하나의 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함) 또는 복수의 소스 드라이브 IC들을 포함할 수 있다.The data driver 20 is connected to the data lines D1 to Dm. The data driver 20 receives digital video data DATA and a data control signal DCS from the timing controller 30 , and converts the digital video data DATA into analog data voltages according to the data control signal DCS. do. The data driver 20 supplies analog data voltages to the data lines D1 to Dm. The data driver 20 may include one source drive integrated circuit (hereinafter, referred to as “IC”) or a plurality of source drive ICs.

타이밍 제어부(30)는 외부의 시스템 보드(미도시)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들(TS)을 입력받는다. 타이밍 신호들(TS)은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(30)는 타이밍 신호들(TS)에 기초하여 게이트 구동부(11)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 생성한다. 게이트 제어신호(GCS)는 도 8과 같이 스타트 신호와 클럭신호들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4) 등을 포함할 수 있다.The timing controller 30 receives digital video data DATA and timing signals TS from an external system board (not shown). The timing signals TS may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock. The timing controller 30 includes a gate control signal GCS for controlling the operation timing of the gate driver 11 and a data control signal for controlling the operation timing of the data driver 20 based on the timing signals TS. DCS) is created. The gate control signal GCS may include a start signal and clock signals CLK1, CLK2, CLK3, CLK4, and the like, as shown in FIG. 8 .

타이밍 제어부(30)는 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)에 공급한다. 타이밍 제어부(30)는 게이트 제어신호(GCS)를 게이트 구동부(11)에 공급한다.
The timing controller 30 supplies the digital video data DATA and the data control signal DCS to the data driver 20 . The timing controller 30 supplies the gate control signal GCS to the gate driver 11 .

도 6은 도 3의 게이트 구동부를 상세히 보여주는 블록도이다. 도 6을 참조하면, 게이트 구동부(11)에는 스타트 신호가 공급되는 스타트 신호라인(STL), 제1 내지 제4 클럭신호들이 공급되는 제1 내지 제4 클럭라인들(CL1, CL2, CL3, CL4), 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원전압라인(VINT1), 제2 전원전압이 공급되는 제2 전원전압라인(VINT2)이 마련된다. 스타트 신호와 제1 내지 제4 클럭신호들은 도 3의 타이밍 제어부(30)로부터 공급되며, 제1 및 제2 전원전압들은 전원 공급원(미도시)으로부터 공급될 수 있다.6 is a detailed block diagram of the gate driver of FIG. 3 . Referring to FIG. 6 , the gate driver 11 includes a start signal line STL to which a start signal is supplied, and first to fourth clock lines CL1 , CL2 , CL3 and CL4 to which first to fourth clock signals are supplied. ), a first power voltage line VINT1 to which the first power voltage is supplied, and a second power voltage line VINT2 to which the second power voltage is supplied are provided. The start signal and the first to fourth clock signals may be supplied from the timing controller 30 of FIG. 3 , and the first and second power voltages may be supplied from a power supply source (not shown).

게이트 구동부(11)는 게이트라인들(G1, G2, G3, …, Gn-1, Gn)에 접속된 스테이지들(STA1~STAn)을 포함한다. 게이트 구동부(11)의 제q(q는 1≤q≤n를 만족하는 양의 정수) 스테이지(STAq)는 제q 게이트라인(Gq)에 접속되어 게이트신호를 출력한다. 도 6에서는 설명의 편의를 위해 제1 내지 제4 게이트라인들(G1~G4)에 접속된 제1 내지 제4 스테이지들(STA1~STA4)만을 도시하였다.The gate driver 11 includes stages STA1 to STAn connected to the gate lines G1, G2, G3, ..., Gn-1, and Gn. The qth (q is a positive integer satisfying 1≤q≤n) stage STAq of the gate driver 11 is connected to the qth gate line Gq and outputs a gate signal. In FIG. 6 , only the first to fourth stages STA1 to STA4 connected to the first to fourth gate lines G1 to G4 are illustrated for convenience of description.

이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 앞에 위치한 스테이지를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 뒤에 위치한 스테이지를 지시한다. 예를 들어, 제3 스테이지(STA3)의 전단 스테이지들은 제1 및 제2 스테이지들(STA1, STA2)을 지시하고, 제3 스테이지(STA3)의 후단 스테이지들은 제4 내지 제n 스테이지들(STA4~STAn)을 지시한다.In the following description, "front stage" indicates a stage located in front of a stage serving as a reference. A "rear stage" indicates a stage located behind a stage serving as a reference. For example, the front stages of the third stage STA3 indicate the first and second stages STA1 and STA2 , and the rear stages of the third stage STA3 indicate the fourth to nth stages STA4 to . STAn) is indicated.

스테이지들(STA1~STAn) 각각은 스타트 단자(ST), 리셋 단자(RT), 제1 및 제2클럭 단자들(CT1, CT2), 제1 전원전압 단자(VINT1), 제2 전원전압 단자(VINT2), 및 출력단자(OT)를 포함한다.Each of the stages STA1 to STAn includes a start terminal ST, a reset terminal RT, first and second clock terminals CT1 and CT2, a first power voltage terminal VINT1, and a second power voltage terminal RT. VINT2), and an output terminal OT.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 스타트 단자(ST)는 스타트 신호라인(STL) 또는 두 번째 전단 스테이지의 출력 단자(OT)에 접속될 수 있다. 제q 스테이지(STAq)의 두 번째 전단 스테이지는 제q-2 스테이지(STAq-2)를 지시한다. 즉, 제q 스테이지(STAq)의 스타트 단자(ST)는 스타트 신호라인(STL) 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력단자(OT)에 접속될 수 있다. 이 경우, 제q 스테이지(STAq)의 스타트 단자(ST)에는 스타트 신호라인(STL)의 스타트 신호 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력신호가 입력될 수 있다. 예를 들어, 도 6과 같이 제1 및 제2 스테이지들(STA1, STA2)은 두 번째 전단 스테이지가 없기 때문에, 제1 및 제2 스테이지들(STA1, STA2) 각각의 스타트 단자(ST)는 스타트 신호라인(STL)에 접속되어 스타트 신호를 입력받을 수 있다. 또한, 도 6과 같이 제3 내지 제n 스테이지들(STA3~STAn) 각각의 스타트 단자(ST)는 두 번째 전단 스테이지의 출력단자(OT)에 접속되어 두 번째 전단 스테이지의 출력신호를 입력받을 수 있다.The start terminal ST of each of the stages STA1 to STAn may be connected to the start signal line STL or the output terminal OT of the second previous stage. The second previous stage of the q-th stage STAq indicates the q-2 th stage STAq-2. That is, the start terminal ST of the q-th stage STAq may be connected to the start signal line STL or the output terminal OT of the q-2 th stage STAq-2. In this case, the start signal of the start signal line STL or the output signal of the q-2 th stage STAq-2 may be input to the start terminal ST of the q-th stage STAq. For example, as shown in FIG. 6 , since the first and second stages STA1 and STA2 do not have a second front stage, the start terminal ST of each of the first and second stages STA1 and STA2 is a start It may be connected to the signal line STL to receive a start signal. In addition, as shown in FIG. 6 , the start terminal ST of each of the third to nth stages STA3 to STAn is connected to the output terminal OT of the second previous stage to receive the output signal of the second previous stage. have.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 리셋 단자(RT)는 두 번째 후단 스테이지의 출력 단자(OT)에 접속될 수 있다. 제q 스테이지(STAq)의 두 번째 후단 스테이지는 제q+2 스테이지(STAq+2)를 지시한다. 즉, 제q 스테이지(STAq)의 리셋 단자(RT)는 제q+2 스테이지(STAq+2)의 출력단자(OT)에 접속되어 제q+2 스테이지(STAq+2)의 출력신호를 입력받을 수 있다.A reset terminal RT of each of the stages STA1 to STAn may be connected to an output terminal OT of a second subsequent stage. The second rear stage of the q-th stage STAq indicates the q+2 stage STAq+2. That is, the reset terminal RT of the q+2th stage STAq is connected to the output terminal OT of the q+2th stage STAq+2 to receive the output signal of the q+2th stage STAq+2. can

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제1 및 제2 클럭 단자들(CT1, CT2) 각각은 제1 내지 제4 클럭 라인들(CL1~CL4) 중 어느 하나에 접속된다. 클럭신호들은 고속 구동시 충분한 충전시간 확보를 위해 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 4 이상의 양의 정수)상 클럭신호들인 것이 바람직하다. 본 발명의 실시 예에서는 도 8과 같이 클럭신호들(CLK1~CLK4)이 1 수평기간마다 순차적으로 위상이 지연되는 4 상 클럭신호들인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 클럭 신호들 각각은 도 8과 같이 소정의 주기를 갖고 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff) 사이에서 스윙한다.Each of the first and second clock terminals CT1 and CT2 of each of the stages STA1 to STAn is connected to any one of the first to fourth clock lines CL1 to CL4 . It is preferable that the clock signals are i-phase clock signals whose phases are sequentially delayed in order to secure sufficient charging time during high-speed driving (i is a positive integer greater than or equal to 4). In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 8 , the clock signals CLK1 to CLK4 have been mainly described as four-phase clock signals whose phases are sequentially delayed for each horizontal period, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. Each of the clock signals has a predetermined period as shown in FIG. 8 and swings between the gate-on voltage Von and the gate-off voltage Voff.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제1 및 제2 클럭 단자들(CT1, CT2)은 서로 다른 클럭 라인들에 접속된다. 따라서, 스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제1 및 제2 클럭 단자들(CT1, CT2)에는 서로 다른 클럭 신호들이 입력된다. 예를 들어, 도 6과 같이 제1 스테이지(STA1)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제1 클럭 라인(CL1)에 접속되고, 제2 클럭 단자(CT2)는 제2 클럭 라인(CL2)에 접속될 수 있으며, 제2 스테이지(STA2)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제2 클럭 라인(CL2)에 접속되고, 제2 클럭 단자(CT2)는 제3 클럭 라인(CL3)에 접속될 수 있다.The first and second clock terminals CT1 and CT2 of each of the stages STA1 to STAn are connected to different clock lines. Accordingly, different clock signals are input to the first and second clock terminals CT1 and CT2 of each of the stages STA1 to STAn. For example, as shown in FIG. 6 , the first clock terminal CT1 of the first stage STA1 is connected to the first clock line CL1 , and the second clock terminal CT2 is connected to the second clock line CL2 . may be connected, the first clock terminal CT1 of the second stage STA2 may be connected to the second clock line CL2 , and the second clock terminal CT2 may be connected to the third clock line CL3 . have.

스테이지들(STA1~STAn)의 제1 및 제2 클럭 단자들(CT1, CT2) 각각에는 클럭 신호들이 순차적으로 공급된다. 예를 들어, 도 6과 같이 제1 스테이지(STA1)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제1 클럭 라인(CL1)에 접속되어 제1 클럭신호를 입력받고, 제2 스테이지(STA2)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제2 클럭 라인(CL2)에 접속되어 제2 클럭신호를 입력받으며, 제3 스테이지(STA3)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제3 클럭 라인(CL3)에 접속되어 제3 클럭신호를 입력받고, 제4 스테이지(STA4)의 제1 클럭 단자(CT1)는 제4 클럭 라인(CL4)에 접속되어 제4 클럭신호를 입력받을 수 있다. 또한, 도 6과 같이 제1 스테이지(STA1)의 제2 클럭 단자(CT2)는 제2 클럭 라인(CL2)에 접속되어 제2 클럭신호를 입력받고, 제2 스테이지(STA2)의 제2 클럭 단자(CT2)는 제3 클럭 라인(CL3)에 접속되어 제3 클럭신호를 입력받으며, 제3 스테이지(STA3)의 제2 클럭 단자(CT2)는 제4 클럭 라인(CL4)에 접속되어 제4 클럭신호를 입력받고, 제4 스테이지(STA4)의 제2 클럭 단자(CT2)는 제1 클럭 라인(CL1)에 접속되어 제1 클럭신호를 입력받을 수 있다.Clock signals are sequentially supplied to each of the first and second clock terminals CT1 and CT2 of the stages STA1 to STAn. For example, as shown in FIG. 6 , the first clock terminal CT1 of the first stage STA1 is connected to the first clock line CL1 to receive the first clock signal, and the first clock terminal CT1 of the second stage STA2 is The clock terminal CT1 is connected to the second clock line CL2 to receive the second clock signal, and the first clock terminal CT1 of the third stage STA3 is connected to the third clock line CL3 to receive the second clock signal. The third clock signal may be input, and the first clock terminal CT1 of the fourth stage STA4 may be connected to the fourth clock line CL4 to receive the fourth clock signal. Also, as shown in FIG. 6 , the second clock terminal CT2 of the first stage STA1 is connected to the second clock line CL2 to receive the second clock signal, and the second clock terminal of the second stage STA2 . CT2 is connected to the third clock line CL3 to receive a third clock signal, and the second clock terminal CT2 of the third stage STA3 is connected to the fourth clock line CL4 to receive a fourth clock signal. A signal may be received, and the second clock terminal CT2 of the fourth stage STA4 may be connected to the first clock line CL1 to receive the first clock signal.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제1 전원전압 단자(VINT1)는 제1 전원전압라인(VINL1)에 접속된다. 따라서, 스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제1 전원전압 단자(VINT1)에는 제1 전원전압이 공급된다.The first power supply voltage terminal VINT1 of each of the stages STA1 to STAn is connected to the first power supply voltage line VINL1 . Accordingly, the first power voltage is supplied to the first power voltage terminal VINT1 of each of the stages STA1 to STAn.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제2 전원전압 단자(VINT2)는 제2 전원전압라인(VINL2)에 접속된다. 따라서, 스테이지들(STA1~STAn) 각각의 제2 전원전압 단자(VINT2)에는 제2 전원전압이 공급된다.The second power supply voltage terminal VINT2 of each of the stages STA1 to STAn is connected to the second power supply voltage line VINL2 . Accordingly, the second power voltage is supplied to the second power voltage terminal VINT2 of each of the stages STA1 to STAn.

스테이지들(STA1~STAn) 각각의 출력단자(OT)는 게이트라인에 접속되어 게이트신호를 출력한다. 또한, 스테이지들(STA1~STAn) 각각의 출력단자(OT)는 두 번째 후단 스테이지의 스타트 단자(ST), 두 번째 전단 스테이지의 리셋 단자(RT)에 접속된다. 제q 스테이지(STAq)의 두 번째 전단 스테이지는 제q-2 스테이지(STAq-2)를 지시하고, 두 번째 후단 스테이지는 제q+2 스테이지(STAq+2)를 지시한다. 즉, 제q 스테이지(STAq)의 출력단자(OT)는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 리셋 단자(RT)와 제q+2 스테이지(STAq+2)의 스타트 단자(ST)에 접속된다.
An output terminal OT of each of the stages STA1 to STAn is connected to a gate line to output a gate signal. In addition, the output terminal OT of each of the stages STA1 to STAn is connected to the start terminal ST of the second rear stage and the reset terminal RT of the second previous stage. The second preceding stage of the q-th stage STAq indicates the q-2 th stage STAq-2, and the second rear stage indicates the q+2 th stage STAq+2. That is, the output terminal OT of the q-th stage STAq is connected to the reset terminal RT of the q-2 th stage STAq-2 and the start terminal ST of the q+2 stage STAq+2. do.

도 7은 제q 스테이지의 일 예를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 7에서는 설명의 편의를 위해 제1 풀-업 노드는 제1 Q 노드(NQ1)이고, 제1 풀-다운 노드는 제1 QB 노드(NQB1)이며, 제2 풀-업 노드는 제2 Q 노드(NQ2)이고, 제2 풀-다운 노드는 제2 QB 노드(NQB2)인 것을 중심으로 설명하였다.7 is a circuit diagram illustrating an example of a q-th stage in detail. In FIG. 7 , for convenience of explanation, the first pull-up node is the first Q node (NQ1), the first pull-down node is the first QB node (NQB1), and the second pull-up node is the second Q The node NQ2 and the second pull-down node have been mainly described as the second QB node NQB2.

도 7을 참조하면, 제q 스테이지(STAq)는 제1 풀-업 트랜지스터(TU1), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 제2 풀-업 트랜지스터(TU2), 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2), 제1 노드 제어부(100), 제2 노드 제어부(200), 및 커패시터(C)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the q-th stage STAq includes a first pull-up transistor TU1 , a first pull-down transistor TD1 , a second pull-up transistor TU2 , and a second pull-down transistor TU1 . TD2), a first node control unit 100, a second node control unit 200, and a capacitor (C).

제1 풀-업 트랜지스터(TU1)는 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭신호를 제2 Q 노드(NQ2)로 공급한다. 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되고 게이트 온 전압의 클럭신호가 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 경우, 제2 Q 노드(NQ2)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-온될 수 있다. 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)의 게이트 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속되고, 제1 전극은 제2 Q 노드(NQ2)에 접속되며, 제2 전극은 제1 클럭 단자(CT1)에 접속될 수 있다.The first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage of the first Q node NQ1 and supplies a clock signal input to the first clock terminal CT1 to the second Q node NQ2 . When the first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage of the first Q node NQ1 and a clock signal of the gate-on voltage is input to the first clock terminal CT1, the second Q node Since the gate-on voltage is supplied to NQ2 , the second pull-up transistor TU2 may be turned on. The gate electrode of the first pull-up transistor TU1 is connected to the first Q node NQ1 , the first electrode is connected to the second Q node NQ2 , and the second electrode is connected to the first clock terminal CT1 . can be connected to

제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제2 Q 노드(NQ2)로 공급한다. 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)가 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되는 경우, 제2 Q 노드(NQ2)에는 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프될 수 있다. 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)의 게이트 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제2 Q 노드(NQ2)에 접속될 수 있다.The first pull-down transistor TD1 is turned on by the gate-on voltage of the first QB node NQB1 and applies the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the second Q node NQ2. supplied with When the first pull-down transistor TD1 is turned on by the gate-on voltage of the first QB node NQB1 , the gate-off voltage is supplied to the second Q node NQ2 , and thus the second pull-up transistor (TU2) may be turned off. The gate electrode of the first pull-down transistor TD1 is connected to the first QB node NQB1 , the first electrode is connected to the first power voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the second Q node NQ2 ) can be connected.

제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 제2 Q 노드(NQ2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제2 전원전압 단자(VIN2)로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자(OT)로 공급한다. 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)가 제2 Q 노드(NQ2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되는 경우 출력단자(OT)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 게이트 온 전압의 게이트신호가 게이트라인으로 출력될 수 있다. 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)의 게이트 전극은 제2 Q 노드(NQ2)에 접속되고, 제1 전극은 출력단자(OT)에 접속되며, 제2 전극은 제2 전원전압 단자(VINT2)에 접속될 수 있다.The second pull-up transistor TU2 is turned on by the gate-on voltage of the second Q node NQ2 and supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal VIN2 to the output terminal OT. do. When the second pull-up transistor TU2 is turned on by the gate-on voltage of the second Q node NQ2, the gate-on voltage is supplied to the output terminal OT, and thus the gate signal of the gate-on voltage is applied to the gate line. can be output as The gate electrode of the second pull-up transistor TU2 is connected to the second Q node NQ2, the first electrode is connected to the output terminal OT, and the second electrode is connected to the second power supply voltage terminal VINT2. can be connected.

제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 제2 QB 노드(NQB2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 출력단자(OT)로 공급한다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)가 제2 QB 노드(NQB2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되는 경우 출력단자(OT)에는 게이트 오프 전압이 공급되므로, 게이트 오프 전압의 게이트신호가 게이트라인으로 출력될 수 있다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 게이트 전극은 제2 QB 노드(NQB2)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 출력단자(OT)에 접속될 수 있다.The second pull-down transistor TD2 is turned on by the gate-on voltage of the second QB node NQB2 and supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the output terminal OT. do. When the second pull-down transistor TD2 is turned on by the gate-on voltage of the second QB node NQB2 , the gate-off voltage is supplied to the output terminal OT, and thus the gate signal of the gate-off voltage is applied to the gate line. can be output as The gate electrode of the second pull-down transistor TD2 is connected to the second QB node NQB2 , the first electrode is connected to the first power voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the output terminal OT. can be connected.

본 발명의 실시예에서 게이트 오프 전압은 표시패널(10)에 마련된 트랜지스터들을 턴-오프시킬 수 있는 전압이고, 게이트 온 전압은 상기 트랜지스터들을 턴-온시킬 수 있는 전압이다. 상기 트랜지스터들이 도 4, 도 5, 및 도 7과 같이 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 게이트 온 전압은 대략 20V 이상의 게이트하이전압, 게이트 오프 전압은 대략 -3V 이하의 게이트로우전압으로 설정될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압은 게이트 오프 전압이고, 제2 전원전압 단자(VINT2)로 입력되는 제2 전원전압은 게이트 온 전압이다.In the exemplary embodiment of the present invention, the gate-off voltage is a voltage capable of turning off transistors provided in the display panel 10 , and the gate-on voltage is a voltage capable of turning on the transistors. When the transistors are formed of an N-type MOSFET as shown in FIGS. 4, 5, and 7, the gate-on voltage may be set to a gate-high voltage of about 20V or more, and the gate-off voltage may be set to a gate-low voltage of about -3V or less. . Further, in the embodiment of the present invention, the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 is a gate-off voltage, and the second power voltage input to the second power voltage terminal VINT2 is a gate-on voltage.

제1 노드 제어부(100)는 제2 QB 노드(NQB2)의 충방전을 제어한다. 제1 노드 제어부(100)는 제2 Q 노드(NQ2)가 게이트 온 전압(Von)으로 충전되는 경우 제2 QB 노드(NQB2)를 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전하고, 제2 Q 노드(NQ2)가 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되는 경우 제2 QB 노드(NQB2)를 게이트 온 전압(Von)으로 충전하는 역할을 한다. 제1 노드 제어부(100)는 제2 QB 노드 방전부(110)와 제2 QB 노드 충전부(120)를 포함할 수 있다.The first node controller 100 controls charging and discharging of the second QB node NQB2. When the second Q node NQ2 is charged with the gate-on voltage Von, the first node controller 100 discharges the second QB node NQB2 to the gate-off voltage Voff, and the second Q node NQ2 ) serves to charge the second QB node NQB2 to the gate-on voltage Von when it is discharged to the gate-off voltage Voff. The first node controller 100 may include a second QB node discharging unit 110 and a second QB node charging unit 120 .

제2 QB 노드 방전부(110)는 제2 Q 노드(NQ2)의 전압에 따라 제2 QB 노드(NQB2)를 게이트 오프 전압으로 방전한다. 제2 QB 노드 방전부(110)는 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다.The second QB node discharge unit 110 discharges the second QB node NQB2 to a gate-off voltage according to the voltage of the second Q node NQ2 . The second QB node discharge unit 110 may include a first transistor T1 .

제1 트랜지스터(T1)는 제2 Q 노드(NQ2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제2 QB 노드(NQB2)에 공급한다. 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되는 경우 제2 QB 노드(NQB2)에 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-오프될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제2 Q 노드(NQ2)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제2 QB 노드(NQB2)에 접속될 수 있다.The first transistor T1 is turned on by the gate-on voltage of the second Q node NQ2 and supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the second QB node NQB2. . When the first transistor T1 is turned on, the gate-off voltage is applied to the second QB node NQB2 , so that the second pull-down transistor TD2 may be turned off. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the second Q node NQ2 , the first electrode is connected to the first power supply voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the second QB node NQB2 . can be

제2 QB 노드 충전부(120)는 제2 클럭 단자(CT2)로 입력되는 클럭신호와 제1 QB 노드(NQB1)의 전압에 따라 제2 QB 노드(NQB2)를 게이트 오프 전압으로 충전하는 제2 QB 노드 충전부(120)를 포함한다. 제2 QB 노드 충전부(120)는 제2 및 제3 트랜지스터들(T2, T3)을 포함할 수 있다.The second QB node charging unit 120 charges the second QB node NQB2 with a gate-off voltage according to the clock signal input to the second clock terminal CT2 and the voltage of the first QB node NQB1 . and a node charging unit 120 . The second QB node charging unit 120 may include second and third transistors T2 and T3 .

제2 트랜지스터(T2)는 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제2 전원전압 단자(VINT2)로 입력되는 제2 전원전압을 제2 QB 노드(NQB2)에 공급한다. 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되는 경우 제2 QB 노드(NQB2)에 게이트 온 전압이 공급되므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-온될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속되고, 제1 전극은 제2 QB 노드(NQB2)에 접속되며, 제2 전극은 제2 전원전압 단자(VINT2)에 접속될 수 있다.The second transistor T2 is turned on by the gate-on voltage of the first QB node NQB1 and supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal VINT2 to the second QB node NQB2. . When the second transistor T2 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the second QB node NQB2 , so that the second pull-down transistor TD2 may be turned on. The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the first QB node NQB1 , the first electrode is connected to the second QB node NQB2 , and the second electrode is connected to the second power supply voltage terminal VINT2 . can be

제3 트랜지스터(T3)는 제2 클럭 단자(CT2)의 게이트 온 전압의 클럭신호에 의해 턴-온되어 제2 QB 노드(NQB2)에 게이트 온 전압을 공급한다. 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되는 경우, 제2 QB 노드(NQB2)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-온될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극과 제2 전극은 제2 클럭 단자(CT2)에 접속되고, 제1 전극은 제2 QB 노드(NQB2)에 접속될 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 다이오드 접속될 수 있다.The third transistor T3 is turned on by the clock signal of the gate-on voltage of the second clock terminal CT2 to supply the gate-on voltage to the second QB node NQB2. When the third transistor T3 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the second QB node NQB2 , so that the second pull-down transistor TD2 may be turned on. The gate electrode and the second electrode of the third transistor T3 may be connected to the second clock terminal CT2 , and the first electrode may be connected to the second QB node NQB2 . That is, the third transistor T3 may be diode-connected.

제2 노드 제어부(200)는 제1 Q 노드(NQ1)와 제1 QB 노드(NQB1)의 충방전을 제어한다. 제2 노드 제어부(200)는 제1 Q 노드 충방전부(210)와 제1 QB 노드 충방전부(220)를 포함할 수 있다.The second node controller 200 controls charging and discharging of the first Q node NQ1 and the first QB node NQB1. The second node control unit 200 may include a first Q node charging/discharging unit 210 and a first QB node charging/discharging unit 220 .

제1 Q 노드 충방전부(210)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력신호에 따라 제1 Q 노드(NQ1)를 게이트 온 전압으로 충전하고, 리셋 단자(RT)로 입력되는 제q+2 스테이지(STAq+2)의 출력신호에 따라 제1 Q 노드(NQ1)를 게이트 오프 전압으로 방전한다. 제1 Q 노드 충방전부(210)는 제4 내지 제6 트랜지스터들(T4~T6)을 포함할 수 있다.The first Q node charging/discharging unit 210 charges the first Q node NQ1 with a gate-on voltage according to a start signal input to the start terminal ST or an output signal of the q-2 th stage STAq-2, and , the first Q node NQ1 is discharged to a gate-off voltage according to an output signal of the q+2 th stage STAq+2 input to the reset terminal RT. The first Q node charging/discharging unit 210 may include fourth to sixth transistors T4 to T6 .

제4 트랜지스터(T4)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제2 전원전압 단자(VINT2)로 입력되는 제2 전원전압을 제1 Q 노드(NQ1)에 공급한다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되는 경우 제1 Q 노드(NQ1)에 게이트 온 전압이 공급되므로, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)는 턴-온될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 스타트 단자(ST)에 접속되고, 제1 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속되며, 제2 전극은 제2 전원전압 단자(VINT2)에 접속될 수 있다.The fourth transistor T4 is turned on by the gate-on voltage of the start signal input to the start terminal ST or the output signal of the q-2 th stage STAq - 2 to the second power supply voltage terminal VINT2 . The input second power voltage is supplied to the first Q node NQ1. When the fourth transistor T4 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the first Q node NQ1 , so that the first pull-up transistor TU1 may be turned on. The gate electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the start terminal ST, the first electrode may be connected to the first Q node NQ1 , and the second electrode may be connected to the second power supply voltage terminal VINT2. have.

제5 트랜지스터(T5)는 리셋 단자(RT)로 입력되는 제q+2 스테이지(STAq+2)의 출력신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제1 Q 노드(NQ1)에 공급한다. 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되는 경우 제1 Q 노드(NQ1)에 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)는 턴-오프될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 리셋 단자(RT)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속될 수 있다.The fifth transistor T5 is turned on by the gate-on voltage of the output signal of the q+2th stage STAq+2 input to the reset terminal RT, and the fifth transistor T5 is turned on by the first power voltage terminal VINT1. One power voltage is supplied to the first Q node NQ1. When the fifth transistor T5 is turned on, a gate-off voltage is applied to the first Q node NQ1 , so that the first pull-up transistor TU1 may be turned off. The gate electrode of the fifth transistor T5 may be connected to the reset terminal RT, the first electrode may be connected to the first power supply voltage terminal VINT1 , and the second electrode may be connected to the first Q node NQ1 . have.

제6 트랜지스터(T6)는 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제1 Q 노드(NQ1)에 공급한다. 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온되는 경우 제1 Q 노드(NQ1)에 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)는 턴-오프될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속될 수 있다.The sixth transistor T6 is turned on by the gate-on voltage of the first QB node NQB1 and supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the first Q node NQ1 . . When the sixth transistor T6 is turned on, a gate-off voltage is supplied to the first Q node NQ1 , so that the first pull-up transistor TU1 may be turned off. The gate electrode of the sixth transistor T6 is connected to the first QB node NQB1 , the first electrode is connected to the first power voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the first Q node NQ1 . can be

제1 QB 노드 충방전부(220)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력신호에 따라 제1 QB 노드(NQB1)를 게이트 오프 전압으로 방전하고, 제1 Q 노드(NQ1)가 게이트 오프 전압으로 방전되는 경우 제1 QB 노드(NQB1)를 게이트 온 전압으로 충전한다. 제1 QB 노드 충방전부(220)는 제7 내지 제11 트랜지스터들(T4~T11)을 포함할 수 있다.The first QB node charging/discharging unit 220 discharges the first QB node NQB1 to a gate-off voltage according to a start signal input to the start terminal ST or an output signal of the q-2 th stage STAq-2, and , when the first Q node NQ1 is discharged to the gate-off voltage, the first QB node NQB1 is charged to the gate-on voltage. The first QB node charging/discharging unit 220 may include seventh to eleventh transistors T4 to T11 .

제7 트랜지스터(T7)는 제1 노드(N1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제2 전원전압 단자(VINT2)로 입력되는 제2 전원전압을 제1 QB 노드(NQB1)에 공급한다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되는 경우 제1 QB 노드(NQB1)에 게이트 온 전압이 공급되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-온될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 제1 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속되며, 제2 전극은 제2 전원전압 단자(VINT2)에 접속될 수 있다.The seventh transistor T7 is turned on by the gate-on voltage of the first node N1 and supplies the second power voltage input to the second power voltage terminal VINT2 to the first QB node NQB1 . When the seventh transistor T7 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the first QB node NQB1 , so that the first pull-down transistor TD1 may be turned on. The gate electrode of the seventh transistor T7 is connected to the first node N1, the first electrode is connected to the first QB node NQB1, and the second electrode is connected to the second power supply voltage terminal VINT2. can

제8 트랜지스터(T8)는 제2 전원전압 단자(VINT2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 노드(N1)에 게이트 온 전압을 공급한다. 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극과 제2 전극은 제2 전원전압 단자(VINT2)에 접속되고, 제1 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 즉, 제8 트랜지스터(T8)는 다이오드 접속될 수 있다.The eighth transistor T8 is turned on by the gate-on voltage of the second power voltage terminal VINT2 to supply the gate-on voltage to the first node N1 . The gate electrode and the second electrode of the eighth transistor T8 may be connected to the second power supply voltage terminal VINT2 , and the first electrode may be connected to the first node N1 . That is, the eighth transistor T8 may be diode-connected.

제9 트랜지스터(T9)는 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다.The ninth transistor T9 is turned on by the gate-on voltage of the first Q node NQ1 and supplies the first power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the first node N1 . The gate electrode of the ninth transistor T9 is connected to the first Q node NQ1 , the first electrode is connected to the first power supply voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the first node N1 . can

제8 트랜지스터(T8)가 턴-온되고 제9 트랜지스터(T9)가 턴-오프되는 경우, 제1 노드(N1)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-온될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)가 턴-온되더라도 제9 트랜지스터(T9)가 턴-오프되는 경우, 제1 노드(N1)에는 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-오프될 수 있다.When the eighth transistor T8 is turned on and the ninth transistor T9 is turned off, the gate-on voltage is supplied to the first node N1 , and thus the seventh transistor T7 may be turned on. . Even when the eighth transistor T8 is turned on, when the ninth transistor T9 is turned off, the gate-off voltage is supplied to the first node N1, and thus the seventh transistor T7 may be turned off. have.

제10 트랜지스터(T10)는 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제2 전원전압을 제1 QB 노드(NQB1)에 공급한다. 제10 트랜지스터(T10)가 턴-온되는 경우 제1 QB 노드(NQB1)에 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-오프될 수 있다. 제10 트랜지스터(T10)의 게이트 전극은 제1 Q 노드(NQ1)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속될 수 있다.The tenth transistor T10 is turned on by the gate-on voltage of the first Q node NQ1 and supplies the second power voltage input to the first power voltage terminal VINT1 to the first QB node NQB1 . When the tenth transistor T10 is turned on, a gate-off voltage is applied to the first QB node NQB1 , so that the first pull-down transistor TD1 may be turned off. The gate electrode of the tenth transistor T10 is connected to the first Q node NQ1 , the first electrode is connected to the first power supply voltage terminal VINT1 , and the second electrode is connected to the first QB node NQB1 . can be

제11 트랜지스터(T11)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호 또는 제q-2 스테이지(STAq-2)의 출력신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 전원전압 단자(VINT1)로 입력되는 제1 전원전압을 제1 QB 노드(NQB1)에 공급한다. 제11 트랜지스터(T11)가 턴-온되는 경우 제1 QB 노드(NQB1)에 게이트 오프 전압이 공급되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TU1)는 턴-오프될 수 있다. 제11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극은 스타트 단자(ST)에 접속되고, 제1 전극은 제1 전원전압 단자(VINT1)에 접속되며, 제2 전극은 제1 QB 노드(NQB1)에 접속될 수 있다.The eleventh transistor T11 is turned on by the gate-on voltage of the start signal input to the start terminal ST or the output signal of the q-2 th stage STAq-2 to be turned on to the first power supply voltage terminal VINT1. The input first power voltage is supplied to the first QB node NQB1. When the eleventh transistor T11 is turned on, a gate-off voltage is supplied to the first QB node NQB1 , so that the first pull-down transistor TU1 may be turned off. The gate electrode of the eleventh transistor T11 may be connected to the start terminal ST, the first electrode may be connected to the first power supply voltage terminal VINT1, and the second electrode may be connected to the first QB node NQB1. have.

커패시터(C)는 제1 Q 노드(NQ1)와 제2 Q 노드(NQ2) 사이에 접속된다. 커패시터(CB)는 제1 Q 노드(NQ1)와 제2 Q 노드(NQ2)의 차전압을 유지한다.The capacitor C is connected between the first Q node NQ1 and the second Q node NQ2. The capacitor CB maintains a voltage difference between the first Q node NQ1 and the second Q node NQ2.

제1 풀-업 트랜지스터(TU1), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 제2 풀-업 트랜지스터(TU2), 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2), 및 제1 내지 제11 트랜지스터들(T1~T11)의 제1 전극은 소스 전극, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 제2 풀-업 트랜지스터(TU2), 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2), 및 제1 내지 제11 트랜지스터들(T1~T11)의 제1 전극은 드레인 전극, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.The first pull-up transistor TU1 , the first pull-down transistor TD1 , the second pull-up transistor TU2 , the second pull-down transistor TD2 , and the first to eleventh transistors T1 . To T11), the first electrode may be a source electrode, and the second electrode may be a drain electrode, but is not limited thereto. That is, the first pull-up transistor TU1 , the first pull-down transistor TD1 , the second pull-up transistor TU2 , the second pull-down transistor TD2 , and the first to eleventh transistors The first electrode of (T1 to T11) may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.

또한, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 제2 풀-업 트랜지스터(TU2), 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2), 및 제1 내지 제11 트랜지스터들(T1~T11) 각각의 반도체 층은 산화물(oxide), 아모포스 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 또는 폴리 실리콘(poly silicon, Poly-Si)으로 형성될 수 있다.In addition, the first pull-up transistor TU1 , the first pull-down transistor TD1 , the second pull-up transistor TU2 , the second pull-down transistor TD2 , and the first to eleventh transistors Each of the semiconductor layers (T1 to T11) may be formed of oxide, amorphous silicon (a-Si), or poly silicon (Poly-Si).

한편, 도 7에서는 설명의 편의를 위해 제q 스테이지(STAq)만을 예시하였으나, 게이트 구동부(11)의 스테이지들(STA1~STAn) 각각은 도 7에 도시된 제q 스테이지(STAq)와 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다.Meanwhile, although only the q-th stage STAq is illustrated in FIG. 7 for convenience of explanation, each of the stages STA1 to STAn of the gate driver 11 is substantially the same as the q-th stage STAq shown in FIG. 7 . can be formed.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제1 풀-업 노드(NQ1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드(NQ2)로 공급하여 제2 풀-업 노드(NQ2)를 제어하는 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제2 풀-업 노드(NQ2)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제2 전원전압 단자(VINT2)로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자(OT)로 출력한다. 즉, 본 발명의 실시예에서 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호는 게이트신호로 출력되는 것이 아니라, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)의 턴-온을 제어하는 역할을 한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커지더라도 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭신호의 로드 증가를 최소화할 수 있으며, 또한 클럭신호가 게이트신호로 출력되는 것이 아니므로, 게이트신호의 라이징 딜레이를 방지할 수 있다.As described above, the q-th stage STAq according to the embodiment of the present invention is turned on by the gate-on voltage of the first pull-up node NQ1 and the clock input to the first clock terminal CLK1 and a first pull-up transistor TU1 for supplying a signal to the second pull-up node NQ2 to control the second pull-up node NQ2. In addition, the q-th stage STAq according to the embodiment of the present invention is turned on by the gate-on voltage of the second pull-up node NQ2 and the second power voltage input to the second power voltage terminal VINT2 is output to the output terminal (OT). That is, in the embodiment of the present invention, the clock signal input to the first clock terminal CLK1 is not output as a gate signal, but serves to control the turn-on of the second pull-up transistor TU2. As a result, according to the embodiment of the present invention, the increase in the load of the clock signal input to the first clock terminal CT1 can be minimized even if the resolution of the display device is increased and the area of the display device is increased, and the clock signal is converted to the gate signal. Since it is not output, a rising delay of the gate signal can be prevented.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호에 의해 제2 풀-업 노드(NQ2)를 제어하므로, 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호의 파형에 따라 게이트신호를 공급할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호가 도 2와 같이 멀티 파형을 갖는 경우, 멀티 파형의 게이트신호를 출력할 수 있다.In addition, since the q-th stage STAq according to an embodiment of the present invention controls the second pull-up node NQ2 by the clock signal input to the first clock terminal CLK1, the first clock terminal CLK1 The gate signal may be supplied according to the waveform of the clock signal input to the . That is, when the clock signal input to the first clock terminal CLK1 has multiple waveforms as shown in FIG. 2 , the q-th stage STAq according to an embodiment of the present invention may output a multi-waveform gate signal.

결국, 본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커질수록 클럭신호의 라이징 딜레이(delay)로 인해 게이트신호의 라이징이 딜레이되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 멀티 파형을 쉽게 구현할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)의 동작에 대한 자세한 설명은 도 8 및 도 9a 내지 도 9e를 결부하여 후술한다.
As a result, the embodiment of the present invention not only prevents the delay of the rising of the gate signal due to the rising delay of the clock signal as the resolution of the display device increases and the area of the display device increases, but also makes it possible to easily implement multi-waveforms. have. A detailed description of the operation of the q-th stage STAq according to an embodiment of the present invention will be described later with reference to FIGS. 8 and 9A to 9E .

도 8은 클럭신호들, 제q-2, 제q 및 제q+2 게이트신호들, 도 7의 제q 스테이지의 제1 풀-업 노드의 전압, 제1 풀-다운 노드의 전압, 제2 풀-업 노드의 전압, 제2 풀-다운 노드의 전압, 및 제1 노드의 전압을 보여주는 파형도이다. 도 8에는 제1 내지 제4 클럭신호들(CLK1~CLK4), 제q 스테이지(STAq)의 스타트 단자(ST)에 입력되는 제q-2 게이트신호(GSq-2), 제q 스테이지(STAq)의 출력단자(OT)로 출력되는 제q 게이트신호(GSq), 제q 스테이지(STAq)의 리셋 단자(RT)로 입력되는 제q+2 게이트신호(GSq+2)가 나타나 있다. 또한, 도 8에는 제1 Q 노드(NQ1)의 전압(VQ1), 제1 QB 노드(NQB1)의 전압(VQB1), 제2 Q 노드(NQ2)의 전압(VQ2), 제2 QB 노드(NQB2)의 전압(VQB2), 및 제1 노드(N1)의 전압(VN1)이 나타나 있다. 제q 스테이지(STAq)의 스타트 단자(ST)에는 제q-2 게이트신호(GSq-2) 대신에 스타트 신호가 입력될 수 있다. 도 8에서는 클럭신호들(CLK1~CLK4)이 순차적으로 위상이 지연되는 4상 클럭신호들인 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.8 shows clock signals, q-2, q-th and q+2 gate signals, the voltage of the first pull-up node of the q-th stage of FIG. 7, the voltage of the first pull-down node, and the second It is a waveform diagram showing the voltage of the pull-up node, the voltage of the second pull-down node, and the voltage of the first node. In FIG. 8 , first to fourth clock signals CLK1 to CLK4 , a q-2 th gate signal GSq - 2 input to the start terminal ST of the q th stage STAq, and a q th stage STAq A qth gate signal GSq output to the output terminal OT of , and a q+2th gate signal GSq+2 inputted to the reset terminal RT of the qth stage STAq are shown. Also, in FIG. 8 , the voltage VQ1 of the first Q node NQ1, the voltage VQB1 of the first QB node NQB1, the voltage VQ2 of the second Q node NQ2, and the second QB node NQB2 ) voltage VQB2 and the voltage VN1 of the first node N1 are shown. A start signal may be input to the start terminal ST of the qth stage STAq instead of the q-2th gate signal GSq-2. 8 illustrates that the clock signals CLK1 to CLK4 are four-phase clock signals whose phases are sequentially delayed, but it should be noted that the present invention is not limited thereto.

클럭 신호들(CLK1~CLK4)은 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff) 사이에서 스윙한다. 클럭 신호들(CLK1~CLK4) 각각은 1 수평 기간 동안 게이트 온 전압(Von)을 갖고, 3 수평 기간 동안 게이트 오프 전압(Voff)을 가질 수 있다. 1 수평기간은 표시패널(10)의 어느 한 게이트 라인에 접속된 화소들에 데이터 전압들이 공급되는 1 수평 라인 스캐닝 기간을 지시한다.The clock signals CLK1 to CLK4 swing between the gate-on voltage Von and the gate-off voltage Voff. Each of the clock signals CLK1 to CLK4 may have a gate-on voltage Von for one horizontal period and a gate-off voltage Voff for three horizontal periods. One horizontal period indicates one horizontal line scanning period in which data voltages are supplied to pixels connected to one gate line of the display panel 10 .

제q 스테이지(STAq)의 동작 기간은 도 8과 같이 제1 내지 제6 기간들(t1~t6)로 구분될 수 있다. 제1 내지 제4 기간들(t1~t4)은 제q 스테이지(STAq)의 제1 풀-업 노드(NQ1)가 게이트 온 전압(Von)으로 충전됨으로써, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-온되는 기간인 풀-업 기간이다. 제5 및 제6 기간들(t5, t6)은 제q 스테이지(STAq)의 제1 풀-업 노드(NQ1)가 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되고 제1 풀-다운 노드(NQB1)가 게이트 온 전압(Von)으로 충전됨으로써, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)가 턴-온되는 기간인 풀-다운 기간이다. 제q 스테이지(STAq)는 풀-업 기간 내에서 게이트 온 전압(Von)의 게이트신호를 출력하고, 풀-다운 기간 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 게이트신호를 출력한다.The operation period of the qth stage STAq may be divided into first to sixth periods t1 to t6 as shown in FIG. 8 . In the first to fourth periods t1 to t4 , the first pull-up node NQ1 of the q-th stage STAq is charged to the gate-on voltage Von, so that the first pull-up transistor TU1 is This is the pull-up period, which is the turn-on period. In the fifth and sixth periods t5 and t6 , the first pull-up node NQ1 of the q-th stage STAq is discharged to the gate-off voltage Voff and the first pull-down node NQB1 is gated The pull-down period is a period in which the first pull-down transistor TD1 is turned on by being charged to the on voltage Von. The q-th stage STAq outputs the gate signal of the gate-on voltage Von during the pull-up period and outputs the gate signal of the gate-off voltage Voff during the pull-down period.

한편, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1), 제2 풀-업 트랜지스터(TU2), 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2), 및 제1 내지 제11 트랜지스터들(T1~T11)이 P 타입 MOS-FET으로 구현되는 경우, P 타입 MOS-FET의 특성에 맞도록 도 8의 신호들은 수정되어야 할 것이다. 이하에서, 도 9a 내지 도 9e를 결부하여 제1 내지 제6 기간들(t1~t6) 동안 제q 스테이지(STAq)의 동작을 상세히 설명한다.
Meanwhile, the first pull-up transistor TU1 , the first pull-down transistor TD1 , the second pull-up transistor TU2 , the second pull-down transistor TD2 , and the first to eleventh transistors When (T1 to T11) is implemented as a P-type MOS-FET, the signals of FIG. 8 will have to be modified to match the characteristics of the P-type MOS-FET. Hereinafter, the operation of the q-th stage STAq during the first to sixth periods t1 to t6 will be described in detail with reference to FIGS. 9A to 9E .

도 9a 내지 도 9e는 제1 내지 제5 기간들 동안 도 7의 제q 스테이지의 동작을 보여주는 회로도이다. 이하에서, 도 8 및 도 9a 내지 도 9e를 결부하여 제1 내지 제6 기간들(t1~t6) 동안 제q 스테이지(STAq)의 동작을 구체적으로 설명한다.9A to 9E are circuit diagrams illustrating the operation of the q-th stage of FIG. 7 during first to fifth periods. Hereinafter, the operation of the q-th stage STAq during the first to sixth periods t1 to t6 will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 9A to 9E .

도 9a 내지 도 9e에서는 제q 스테이지(STAq)의 스타트 단자(ST)에는 제q-2 게이트신호(GSq-2)가 입력되고, 리셋 단자(RT)에는 제q+2 게이트신호(GSq+2)가 입력되며, 제1 전원전압 단자(VINT1)에 공급되는 제1 전원전압은 게이트 오프 전압(Voff)이고, 제2 전원전압 단자(VINT2)에 공급되는 제2 전원전압은 게이트 온 전압(Von)인 것을 중심으로 설명하였다. 또한, 제1 클럭 단자(CT1)에는 제3 클럭신호(CLK3)가 입력되고, 제2 클럭 단자(CT2)에는 제4 클럭신호(CLK4)가 입력되는 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 클럭 단자(CT1)에 제r(r은 양의 정수) 클럭신호가 입력되는 경우 제2 클럭 단자(CT2)에는 제r 클럭신호보다 위상이 지연된 제r+a(a는 i보다 작은 양의 정수) 클럭신호가 입력될 수 있다.9A to 9E , the q-2th gate signal GSq-2 is input to the start terminal ST of the qth stage STAq, and the q+2th gate signal GSq+2 is input to the reset terminal RT. ) is input, the first power supply voltage supplied to the first power supply voltage terminal VINT1 is the gate-off voltage Voff, and the second power supply voltage supplied to the second power supply voltage terminal VINT2 is the gate-on voltage Von. ) was mainly explained. In addition, although it has been mainly described that the third clock signal CLK3 is input to the first clock terminal CT1 and the fourth clock signal CLK4 is input to the second clock terminal CT2, the present invention is not limited thereto. Care should be taken. That is, when the r-th clock signal (r is a positive integer) is input to the first clock terminal CT1, the r+a (a is greater than i), the phase is delayed from the r-th clock signal, to the second clock terminal CT2. A small positive integer) clock signal may be input.

첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 스타트 단자(ST)에는 게이트 온 전압(Von)의 제q-2 게이트신호(GSq-2)가 입력된다. 이로 인해, 제1 기간(t1) 동안 제4 및 제11 트랜지스터들(T4, T11)이 턴-온된다. 제4 트랜지스터(T4)의 턴-온으로 인해, 도 9a와 같이 제1 Q 노드(NQ1)는 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 제11 트랜지스터(T11)의 턴-온으로 인해, 도 9a와 같이 제1 QB 노드(NQB1)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다.First, the q-2 th gate signal GSq-2 of the gate-on voltage Von is input to the start terminal ST during the first period t1. Accordingly, the fourth and eleventh transistors T4 and T11 are turned on during the first period t1. Due to the turn-on of the fourth transistor T4 , the first Q node NQ1 is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9A . Due to the turn-on of the eleventh transistor T11, the first QB node NQB1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9A .

제1 기간(t1) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-온된다. 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)의 턴-온으로 인해 제2 Q 노드(NQ2)는 도 9a와 같이 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 제3 클럭신호(CLK3)의 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 따라서, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프된다.During the first period t1 , the first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . Due to the turn-on of the first pull-up transistor TU1, the second Q node NQ2 has a gate-off voltage Voff of the third clock signal CLK3 input to the first clock terminal CT1 as shown in FIG. 9A . ) is discharged. Accordingly, the second pull-up transistor TU2 and the first transistor T1 are turned off.

또한, 제1 기간(t1) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제9 및 제10 트랜지스터들(T9, T10)이 턴-온된다. 제9 트랜지스터(T9)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 도 9a와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-오프된다. 제10 트랜지스터(T10)의 턴-온으로 인해 제1 QB 노드(NQB1)는 도 9a와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-오프된다.Also, during the first period t1 , the ninth and tenth transistors T9 and T10 are turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . As the ninth transistor T9 is turned on, the first node N1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9A , and thus the seventh transistor T7 is turned off. Since the first QB node NQB1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9A due to the turn-on of the tenth transistor T10, the first pull-down transistor TD1 is turned off.

나아가, 제1 기간(t1) 동안 제2 QB 노드(NQB2)는 앞선 제6 기간(t6) 동안 공급된 게이트 온 전압(Von)을 유지하므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-온된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 턴-온으로 인해, 출력단자(OT)는 도 9a와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 즉, 제1 기간(t1) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 오프 전압(Voff)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력한다.Furthermore, since the second QB node NQB2 maintains the gate-on voltage Von supplied during the previous sixth period t6 during the first period t1, the second pull-down transistor TD2 is turned on. do. Due to the turn-on of the second pull-down transistor TD2 , the output terminal OT is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9A . That is, during the first period t1 , the q-th stage STAq outputs the q-th gate signal GSq of the gate-off voltage Voff to the output terminal OT.

제1 기간(t1) 동안 제1 내지 제3 및 제5 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T5, T6, T7), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1) 및 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프된다.During the first period t1, the first to third and fifth to seventh transistors T1, T2, T3, T5, T6, and T7, the first pull-down transistor TD1, and the second pull-up transistor (TU2) is turned off.

두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 제1 Q 노드(NQ1)는 커패시터(C)에 의해 게이트 온 전압(Von)을 유지한다.Second, the first Q node NQ1 maintains the gate-on voltage Von by the capacitor C during the second period t2.

제2 기간(t2) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-온된다. 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)의 턴-온으로 인해 제2 Q 노드(NQ2)는 도 9b와 같이 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 제3 클럭신호(CLK3)의 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 따라서, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프된다.During the second period t2 , the first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . Due to the turn-on of the first pull-up transistor TU1, the second Q node NQ2 has a gate-off voltage Voff of the third clock signal CLK3 input to the first clock terminal CT1 as shown in FIG. 9B . ) is discharged. Accordingly, the second pull-up transistor TU2 and the first transistor T1 are turned off.

또한, 제2 기간(t2) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제9 및 제10 트랜지스터들(T9, T10)이 턴-온된다. 제9 트랜지스터(T9)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 도 9b와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-오프된다. 제10 트랜지스터(T10)의 턴-온으로 인해 제1 QB 노드(NQB1)는 도 9b와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-오프된다.Also, during the second period t2 , the ninth and tenth transistors T9 and T10 are turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . As the ninth transistor T9 is turned on, the first node N1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9B , and thus the seventh transistor T7 is turned off. Since the first QB node NQB1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9B due to the turn-on of the tenth transistor T10, the first pull-down transistor TD1 is turned off.

나아가, 제2 기간(t2) 동안 제2 QB 노드(NQB2)는 앞선 제6 기간(t6) 동안 공급된 게이트 온 전압(Von)을 유지하므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-온된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 턴-온으로 인해, 출력단자(OT)는 도 9b와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 즉, 제2 기간(t2) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 오프 전압(Voff)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력한다.Furthermore, since the second QB node NQB2 maintains the gate-on voltage Von supplied during the previous sixth period t6 during the second period t2, the second pull-down transistor TD2 is turned on. do. Due to the turn-on of the second pull-down transistor TD2 , the output terminal OT is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9B . That is, during the second period t2 , the q-th stage STAq outputs the q-th gate signal GSq of the gate-off voltage Voff to the output terminal OT.

제2 기간(t2) 동안 제1 내지 제7 및 제11 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T11), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1) 및 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프된다.During the second period t2 , the first to seventh and eleventh transistors T1 , T2 , T3 , T4 , T5 , T6 , T7 , and T11 , the first pull-down transistor TD1 and the second pull-up transistor TD1 . Transistor TU2 is turned off.

세 번째로, 제3 기간(t3) 동안 제1 클럭 단자(CT1)에는 게이트 온 전압(Von)의 제3 클럭신호(CLK3)가 입력된다. 특히, 제3 기간(t3) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-온된 상태에서 제1 클럭 단자(CT1)에 게이트 온 전압(Von)의 제3 클럭신호(CLK3)가 입력되는 경우, 제1 Q 노드(NQ1)는 커패시터(C)의 부트스트래핑(bootstrapping)에 의해 도 8과 같이 게이트 온 전압(Von)보다 높은 레벨 전압(Von')으로 충전되므로, 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)는 완전히 턴-온될 수 있다. 이로 인해, 제3 기간(t3) 동안 제2 Q 노드(NQ2)에 도 9c와 같이 게이트 온 전압(Von)이 공급된다. 따라서, 제3 기간(t3) 동안 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온된다.Third, the third clock signal CLK3 of the gate-on voltage Von is input to the first clock terminal CT1 during the third period t3 . In particular, in a state in which the first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 during the third period t3, the gate is turned on to the first clock terminal CT1. When the third clock signal CLK3 of the voltage Von is input, the first Q node NQ1 has a higher level than the gate-on voltage Von as shown in FIG. 8 by bootstrapping the capacitor C. Since it is charged with the voltage Von', the first pull-up transistor TU1 may be completely turned on. For this reason, as shown in FIG. 9C , the gate-on voltage Von is supplied to the second Q node NQ2 during the third period t3 . Accordingly, the second pull-up transistor TU2 and the first transistor T1 are turned on during the third period t3 .

제3 기간(t3) 동안 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)의 턴-온으로 인해 출력단자(OT)는 도 9c와 같이 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 즉, 제3 기간(t3) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 온 전압(Von)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력한다. 또한, 제3 기간(t3) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 턴-온으로 인해 제2 QB 노드(NQB2)는 도 9c와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-오프된다.Due to the turn-on of the second pull-up transistor TU2 during the third period t3, the output terminal OT is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9C . That is, during the third period t3 , the q-th stage STAq outputs the q-th gate signal GSq of the gate-on voltage Von to the output terminal OT. In addition, since the second QB node NQB2 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9C due to the turn-on of the first transistor T1 during the third period t3, the second pull-down transistor ( TD2) is turned off.

또한, 제3 기간(t2) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von) 보다 높은 레벨 전압(Von')에 의해 제9 및 제10 트랜지스터들(T9, T10)이 턴-온된다. 제9 트랜지스터(T9)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 도 9c와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-오프된다. 제10 트랜지스터(T10)의 턴-온으로 인해 제1 QB 노드(NQB1)는 도 9c와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-오프된다.Also, during the third period t2 , the ninth and tenth transistors T9 and T10 are turned on by a level voltage Von′ higher than the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . . As the ninth transistor T9 is turned on, the first node N1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9C , and thus the seventh transistor T7 is turned off. Since the first QB node NQB1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9C due to the turn-on of the tenth transistor T10, the first pull-down transistor TD1 is turned off.

제3 기간(t3) 동안 제2 내지 제7 및 제11 트랜지스터들(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T11), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1) 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-오프된다.During the third period t3, the second to seventh and eleventh transistors T2, T3, T4, T5, T6, T7, and T11, the first pull-down transistor TD1 and the second pull-down transistor ( TD2) is turned off.

네 번째로, 제4 기간(t4) 동안 제2 클럭 단자(CT2)에는 게이트 온 전압(Von)의 제4 클럭신호(CLK4)가 입력된다. 이로 인해, 제4 기간(t4) 동안 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온된다. 제3 트랜지스터(T3)의 턴-온으로 인해, 도 9d와 같이 제2 QB 노드(NQB2)는 게이트 온 전압(Von)으로 충전되므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)는 턴-온된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 턴-온으로 인해, 출력단자(OT)는 도 9d와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 그 결과, 제4 기간(t4) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 오프 전압(Voff)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력할 수 있다.Fourth, the fourth clock signal CLK4 of the gate-on voltage Von is input to the second clock terminal CT2 during the fourth period t4 . Accordingly, the third transistor T3 is turned on during the fourth period t4. Due to the turn-on of the third transistor T3 , the second QB node NQB2 is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9D , and thus the second pull-down transistor TD2 is turned on. Due to the turn-on of the second pull-down transistor TD2 , the output terminal OT is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9D . As a result, during the fourth period t4 , the q-th stage STAq may output the q-th gate signal GSq of the gate-off voltage Voff to the output terminal OT.

제4 기간(t4) 동안 제1 클럭 단자(CT1)에는 게이트 오프 전압(Voff)의 제3 클럭신호(CLK3)가 입력되므로, 커패시터(C)에 의해 제1 Q 노드(NQ1)는 게이트 온 전압(Von)으로 하강하며, 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-온된다. 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)의 턴-온으로 인해 제2 Q 노드(NQ2)는 도 9d와 같이 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 제3 클럭신호(CLK3)의 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 따라서, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프된다.Since the third clock signal CLK3 of the gate-off voltage Voff is input to the first clock terminal CT1 during the fourth period t4, the first Q node NQ1 is gated-on voltage by the capacitor C It falls to (Von), and the first pull-up transistor TU1 is turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . Due to the turn-on of the first pull-up transistor TU1, the second Q node NQ2 has a gate-off voltage Voff of the third clock signal CLK3 input to the first clock terminal CT1 as shown in FIG. 9D . ) is discharged. Accordingly, the second pull-up transistor TU2 and the first transistor T1 are turned off.

또한, 제4 기간(t4) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제9 및 제10 트랜지스터들(T9, T10)이 턴-온된다. 제9 트랜지스터(T9)의 턴-온으로 인해, 제1 노드(N1)는 도 9d와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-오프된다. 제10 트랜지스터(T10)의 턴-온으로 인해 제1 QB 노드(NQB1)는 도 9d와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)는 턴-오프된다.Also, during the fourth period t4 , the ninth and tenth transistors T9 and T10 are turned on by the gate-on voltage Von of the first Q node NQ1 . As the ninth transistor T9 is turned on, the first node N1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9D , and thus the seventh transistor T7 is turned off. Since the first QB node NQB1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9D due to the turn-on of the tenth transistor T10, the first pull-down transistor TD1 is turned off.

제4 기간(t4) 동안 제1, 제2, 제4 내지 제7 및 제11 트랜지스터들(T2, T3, T4, T5, T6, T7, T11), 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1) 및 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프된다.During the fourth period t4 , the first, second, fourth to seventh and eleventh transistors T2 , T3 , T4 , T5 , T6 , T7 , T11 , the first pull-down transistor TD1 and the first 2 The pull-up transistor TU2 is turned off.

다섯 번째로, 제5 기간(t5) 동안 리셋 단자(RT)에는 게이트 온 전압(Von)의 제q+2 게이트신호(GSq+2)가 입력된다. 이로 인해, 제5 기간(t5) 동안 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온된다. 제5 트랜지스터(T5)의 턴-온으로 인해, 도 9e와 같이 제1 Q 노드(NQ1)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다.Fifth, the q+2th gate signal GSq+2 of the gate-on voltage Von is input to the reset terminal RT during the fifth period t5. Accordingly, the fifth transistor T5 is turned on during the fifth period t5. Due to the turn-on of the fifth transistor T5, the first Q node NQ1 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9E .

제5 기간(t5) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)가 턴-오프된다. 또한, 제5 기간(t5) 동안 제1 Q 노드(NQ1)의 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 제9 및 제10 트랜지스터들(T9, T10)이 턴-오프된다.During the fifth period t5 , the first pull-up transistor TU1 is turned off by the gate-off voltage Voff of the first Q node NQ1 . Also, during the fifth period t5 , the ninth and tenth transistors T9 and T10 are turned off by the gate-off voltage Voff of the first Q node NQ1 .

제9 트랜지스터(T9)의 턴-오프로 인해 제1 노드(N1)는 도 9e와 같이 게이트 온 전압(Von)으로 충전되므로, 제7 트랜지스터(T7)는 턴-온된다. 제7 트랜지스터(T7)의 턴-온으로 인해 제1 QB 노드(NQB1)는 도 9e와 같이 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 그러므로, 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)가 턴-온된다. 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)의 턴-온으로 인해, 제2 Q 노드(NQ2)는 도 9e와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프된다.As the ninth transistor T9 is turned off, the first node N1 is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9E , and thus the seventh transistor T7 is turned on. Due to the turn-on of the seventh transistor T7 , the first QB node NQB1 is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9E . Therefore, the first pull-down transistor TD1 is turned on. Due to the turn-on of the first pull-down transistor TD1 , the second Q node NQ2 is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9E , so that the second pull-up transistor TU2 and the first Transistor T1 is turned off.

또한, 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제2 및 제6 트랜지스터(T2, T6)들이 턴-온된다. 제2 트랜지스터(T2)의 턴-온으로 인해 제2 QB 노드(NQB2)는 도 9e와 같이 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 그러므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)가 턴-온된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 턴-온으로 인해, 출력단자(NO)는 도 9e와 같이 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 즉, 제4 기간(t4) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 오프 전압(Voff)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력한다. 제6 트랜지스터(T6)의 턴-온으로 인해 제1 Q 노드(NQ1)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다.Also, the second and sixth transistors T2 and T6 are turned on by the gate-on voltage Von of the first QB node NQB1. Due to the turn-on of the second transistor T2 , the second QB node NQB2 is charged to the gate-on voltage Von as shown in FIG. 9E . Therefore, the second pull-down transistor TD2 is turned on. Due to the turn-on of the second pull-down transistor TD2 , the output terminal NO is discharged to the gate-off voltage Voff as shown in FIG. 9E . That is, during the fourth period t4 , the q-th stage STAq outputs the q-th gate signal GSq of the gate-off voltage Voff to the output terminal OT. Due to the turn-on of the sixth transistor T6 , the first Q node NQ1 is discharged to the gate-off voltage Voff.

제5 기간(t5) 동안 제1, 제3, 제4, 제9 내지 제11 트랜지스터들(T1, T3, T4, T9, T10, T11), 제1 풀-업 트랜지스터(TU1) 및 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프된다.During the fifth period t5 , the first, third, fourth, ninth to eleventh transistors T1 , T3 , T4 , T9 , T10 , T11 , the first pull-up transistor TU1 and the second pull-up transistor TU1 . The -up transistor TU2 is turned off.

여섯 번째로, 제6 기간(t6) 동안 제1 QB 노드(NQB1)는 제7 트랜지스터(T7)의 턴-온으로 인해 게이트 온 전압(Von)을 유지한다.Sixth, during the sixth period t6 , the first QB node NQB1 maintains the gate-on voltage Von due to the turn-on of the seventh transistor T7 .

제6 기간(t6) 동안 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)가 턴-온된다. 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)의 턴-온으로 인해, 제2 Q 노드(NQ2)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전되므로, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)와 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프된다.During the sixth period t6 , the first pull-down transistor TD1 is turned on by the gate-on voltage Von of the first QB node NQB1 . Due to the turn-on of the first pull-down transistor TD1 , the second Q node NQ2 is discharged to the gate-off voltage Voff, and thus the second pull-up transistor TU2 and the first transistor T1 is turned off.

또한, 제6 기간(t6) 동안 제1 QB 노드(NQB1)의 게이트 온 전압(Von)에 의해 제2 및 제6 트랜지스터(T2, T6)들이 턴-온된다. 제2 트랜지스터(T2)의 턴-온으로 인해 제2 QB 노드(NQB2)는 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 그러므로, 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)가 턴-온된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 턴-온으로 인해, 출력단자(NO)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 즉, 제6 기간(t6) 동안 제q 스테이지(STAq)는 게이트 오프 전압(Voff)의 제q 게이트신호(GSq)를 출력단자(OT)로 출력한다. 제6 트랜지스터(T6)의 턴-온으로 인해 제1 Q 노드(NQ1)는 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다.Also, during the sixth period t6 , the second and sixth transistors T2 and T6 are turned on by the gate-on voltage Von of the first QB node NQB1 . Due to the turn-on of the second transistor T2 , the second QB node NQB2 is charged to the gate-on voltage Von. Therefore, the second pull-down transistor TD2 is turned on. Due to the turn-on of the second pull-down transistor TD2 , the output terminal NO is discharged to the gate-off voltage Voff. That is, during the sixth period t6 , the q-th stage STAq outputs the q-th gate signal GSq of the gate-off voltage Voff to the output terminal OT. Due to the turn-on of the sixth transistor T6 , the first Q node NQ1 is discharged to the gate-off voltage Voff.

또한, 제6 기간(t6) 동안 제2 클럭 단자(CT2)로 게이트 온 전압(Von)의 제4 클럭신호(CLK4)가 공급될때마다 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온된다. 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되는 경우, 제2 QB 노드(NQB2)는 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다.Also, whenever the fourth clock signal CLK4 of the gate-on voltage Von is supplied to the second clock terminal CT2 during the sixth period t6, the third transistor T3 is turned on. When the third transistor T3 is turned on, the second QB node NQB2 is charged to the gate-on voltage Von.

제6 기간(t6) 동안 제1, 제3, 제4, 제5, 제9 내지 제11 트랜지스터들(T1, T3, T4, T5, T9, T10, T11), 제1 풀-업 트랜지스터(TU1) 및 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)는 턴-오프된다.During the sixth period t6, the first, third, fourth, fifth, ninth to eleventh transistors T1, T3, T4, T5, T9, T10, T11, and the first pull-up transistor TU1 ) and the second pull-up transistor TU2 are turned off.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 내지 제4 기간들(t1~t4) 동안 제1 풀-업 노드(NQ1)를 게이트 온 전압(Von)으로 충전함으로써 제1 풀-업 트랜지스터(TU1)를 턴-온시킬 수 있으므로, 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭신호에 의해 제2 풀-업 노드(NQ2)를 제어할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 제3 기간(t3) 동안 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭신호에 의해 제2 풀-업 노드(NQ2)를 게이트 온 전압(Von)으로 충전함으로써 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)를 턴-온시킬 수 있으므로, 제2 전원전압 단자(VIN2)로 입력되는 게이트 온 전압(Von)을 출력단자(OT)로 출력할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에서 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 게이트 온 전압의 클럭신호는 게이트신호로 출력되는 것이 아니라, 제2 풀-업 트랜지스터(TU2)의 턴-온을 제어하는 역할을 한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커지더라도 제1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭신호의 로드 증가를 최소화할 수 있으며, 또한 클럭신호가 게이트신호로 출력되는 것이 아니므로, 게이트신호의 라이징 딜레이를 방지할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the first pull-up transistor is charged by charging the first pull-up node NQ1 to the gate-on voltage Von during the first to fourth periods t1 to t4. Since TU1 can be turned on, the second pull-up node NQ2 can be controlled by the clock signal input to the first clock terminal CT1 . In addition, in the embodiment of the present invention, the second pull-up node NQ2 is charged to the gate-on voltage Von by the clock signal input to the first clock terminal CT1 during the third period t3. Since the pull-up transistor TU2 may be turned on, the gate-on voltage Von input to the second power supply voltage terminal VIN2 may be output to the output terminal OT. That is, in the embodiment of the present invention, the clock signal of the gate-on voltage input to the first clock terminal CLK1 is not output as a gate signal, but serves to control the turn-on of the second pull-up transistor TU2. do As a result, according to the embodiment of the present invention, the increase in the load of the clock signal input to the first clock terminal CT1 can be minimized even if the resolution of the display device is increased and the area of the display device is increased, and the clock signal is converted to the gate signal. Since it is not output, a rising delay of the gate signal can be prevented.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호에 의해 제2 풀-업 노드(NQ2)를 제어하므로, 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호의 파형에 따라 게이트신호를 공급할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 제q 스테이지(STAq)는 제1 클럭 단자(CLK1)로 입력되는 클럭신호가 도 2와 같이 멀티 파형을 갖는 경우, 멀티 파형의 게이트신호를 출력할 수 있다.In addition, since the q-th stage STAq according to an embodiment of the present invention controls the second pull-up node NQ2 by the clock signal input to the first clock terminal CLK1, the first clock terminal CLK1 The gate signal may be supplied according to the waveform of the clock signal input to the . That is, when the clock signal input to the first clock terminal CLK1 has multiple waveforms as shown in FIG. 2 , the q-th stage STAq according to an embodiment of the present invention may output a multi-waveform gate signal.

결국, 본 발명의 실시예는 표시장치의 해상도가 높아지고 표시장치의 면적이 커질수록 클럭신호의 라이징 딜레이(delay)로 인해 게이트신호의 라이징이 딜레이되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 멀티 파형을 쉽게 구현할 수 있다.As a result, the embodiment of the present invention not only prevents the delay of the rising of the gate signal due to the rising delay of the clock signal as the resolution of the display device increases and the area of the display device increases, but also makes it possible to easily implement multi-waveforms. have.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 게이트 구동부
20: 데이터 구동부 30: 타이밍 제어부
100: 제1 노드 제어부 110: 제2 QB 노드 방전부
120: 제2 QB 노드 충전부 200: 제2 노드 제어부
210: 제1 Q 노드 충방전부 220: 제1 QB 노드 충방전부
10: display panel 11: gate driver
20: data driver 30: timing controller
100: first node control unit 110: second QB node discharge unit
120: second QB node charging unit 200: second node control unit
210: first Q node charging/discharging unit 220: first QB node charging/discharging unit

Claims (10)

복수의 스테이지들을 구비하고,
상기 스테이지는,
제1 풀-업 노드의 전압에 따라 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드에 공급하는 제1 풀-업 트랜지스터;
제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 제1 전원전압 단자로 입력되는 제1 전원전압을 상기 제2 풀-업 노드에 공급하는 제1 풀-다운 트랜지스터;
제2 풀-업 노드의 전압에 따라 제2 전원전압 단자로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자로 공급하는 제2 풀-업 트랜지스터; 및
제2 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 출력단자로 공급하는 제2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동부.
having a plurality of stages,
The stage is
a first pull-up transistor for supplying a clock signal input to a first clock terminal to a second pull-up node according to the voltage of the first pull-up node;
a first pull-down transistor configured to supply a first power supply voltage input to a first power supply voltage terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-down node;
a second pull-up transistor for supplying a second power voltage input to the second power voltage terminal to the output terminal according to the voltage of the second pull-up node; and
and a second pull-down transistor configured to supply the first power voltage to the output terminal according to a voltage of a second pull-down node.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 풀-다운 노드의 충방전을 제어하는 제1 노드 제어부를 더 포함하고,
상기 제1 노드 제어부는,
상기 제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제2 전원전압을 상기 제2 풀-다운 노드에 공급하는 제1 트랜지스터; 및
상기 제2 풀-업 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 제2 풀-다운 노드에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The second pull-down node further comprises a first node control unit for controlling the charging and discharging,
The first node control unit,
a first transistor for supplying the second power supply voltage to the second pull-down node according to the voltage of the first pull-down node; and
and a second transistor configured to supply the first power voltage to the second pull-down node according to the voltage of the second pull-up node.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 노드 제어부는,
제2 클럭 단자로 입력되는 클럭신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 상기 제2 클럭 단자로 입력되는 클럭신호의 게이트 온 전압을 상기 제2 풀-다운 노드에 공급하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 게이트 구동부.
3. The method of claim 2,
The first node control unit,
a third transistor turned on by the gate-on voltage of the clock signal input to the second clock terminal and supplying the gate-on voltage of the clock signal input to the second clock terminal to the second pull-down node; gate driver.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는,
상기 제1 풀-업 노드와 상기 제2 풀-업 노드 사이에 접속된 커패시터를 더 포함하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The stage is
and a capacitor connected between the first pull-up node and the second pull-up node.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 풀-업 노드와 상기 제1 풀-다운 노드의 충방전을 제어하는 제2 노드 제어부를 더 포함하고,
상기 제2 노드 제어부는,
상기 제1 풀-업 노드에 상기 제1 전원전압을 공급하는 경우 상기 제1 풀-다운 노드에 상기 제2 전원전압을 공급하고, 상기 제1 풀-다운 노드에 상기 제1 전원전압을 공급하는 경우 상기 제1 풀-업 노드에 상기 제2 전원전압을 공급하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
Further comprising a second node control unit for controlling the charging and discharging of the first pull-up node and the first pull-down node,
The second node control unit,
When the first power supply voltage is supplied to the first pull-up node, the second power supply voltage is supplied to the first pull-down node, and the first power supply voltage is supplied to the first pull-down node. a gate driver supplying the second power voltage to the first pull-up node.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 풀-업 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 풀-업 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 제2 풀-업 노드에 접속되며, 제2 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고,
상기 제1 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 풀-다운 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 제1 전원전압 단자에 접속되며, 제2 전극은 상기 제2 풀-업 노드에 접속되고,
상기 제2 풀-업 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 풀-업 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 출력 단자에 접속되며, 제2 전극은 상기 제2 전원전압 단자에 접속되고,
상기 제2 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 풀-다운 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 제1 전원전압 단자에 접속되며, 제2 전극은 상기 출력 단자에 접속되는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
a gate electrode of the first pull-up transistor is connected to the first pull-up node, a first electrode is connected to the second pull-up node, and a second electrode is connected to the first clock terminal;
A gate electrode of the first pull-down transistor is connected to the first pull-down node, a first electrode is connected to the first power supply voltage terminal, a second electrode is connected to the second pull-up node, and ,
a gate electrode of the second pull-up transistor is connected to the second pull-up node, a first electrode is connected to the output terminal, and a second electrode is connected to the second power supply voltage terminal;
A gate electrode of the second pull-down transistor is connected to the second pull-down node, a first electrode is connected to the first power supply voltage terminal, and a second electrode is connected to the output terminal.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 풀-다운 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 제2 풀-다운 노드에 접속되며, 제2 전극은 상기 제2 전원전압 단자에 접속되고,
상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 풀-업 노드에 접속되고, 제1 전극은 상기 제1 전원전압 단자에 접속되며, 제2 전극은 상기 제2 풀-다운 노드에 접속되는 게이트 구동부.
3. The method of claim 2,
a gate electrode of the first transistor is connected to the first pull-down node, a first electrode is connected to the second pull-down node, and a second electrode is connected to the second power supply voltage terminal;
A gate electrode of the second transistor is connected to the second pull-up node, a first electrode is connected to the first power supply voltage terminal, and a second electrode is connected to the second pull-down node.
제 3 항에 있어서,
상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극은 상기 제2 클럭 단자에 접속되고, 제1 전극은 상기 제2 풀-다운 노드에 접속되는 게이트 구동부.
4. The method of claim 3,
A gate electrode and a second electrode of the third transistor are connected to the second clock terminal, and a first electrode of the third transistor is connected to the second pull-down node.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 클럭 단자에 제r(r은 양의 정수) 클럭신호가 입력되는 경우, 상기 제2 클럭 단자에는 상기 제r 클럭신호보다 위상이 지연된 제r+a(a는 양의 정수) 클럭신호가 입력되는 게이트 구동부.
4. The method of claim 3,
When an r-th clock signal (r is a positive integer) is input to the first clock terminal, an r+a (a is a positive integer) clock signal delayed in phase from the r-th clock signal to the second clock terminal The gate driver to which is input.
데이터라인들, 상기 데이터라인들과 교차되는 게이트라인들, 상기 데이터라인들과 상기 게이트라인들에 접속되는 화소들, 및 상기 게이트라인들에 게이트신호들을 출력하는 스테이지들을 포함하는 게이트 구동부를 포함하는 표시패널을 구비하고,
상기 스테이지는,
제1 풀-업 노드의 전압에 따라 제1 클럭 단자로 입력되는 클럭신호를 제2 풀-업 노드에 공급하는 제1 풀-업 트랜지스터;
제1 풀-다운 노드의 전압에 따라 제1 전원전압 단자로 입력되는 제1 전원전압을 상기 제2 풀-업 노드에 공급하는 제1 풀-다운 트랜지스터;
제2 풀-업 노드의 전압에 따라 제2 전원전압 단자로 입력되는 제2 전원전압을 출력단자로 공급하는 제2 풀-업 트랜지스터; 및
제2 풀-다운 노드의 전압에 따라 상기 제1 전원전압을 상기 출력단자로 공급하는 제2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
and a gate driver including data lines, gate lines crossing the data lines, pixels connected to the data lines and the gate lines, and stages outputting gate signals to the gate lines. A display panel is provided,
The stage is
a first pull-up transistor for supplying a clock signal input to a first clock terminal to a second pull-up node according to the voltage of the first pull-up node;
a first pull-down transistor configured to supply a first power supply voltage input to a first power supply voltage terminal to the second pull-up node according to the voltage of the first pull-down node;
a second pull-up transistor for supplying a second power voltage input to the second power voltage terminal to the output terminal according to the voltage of the second pull-up node; and
and a second pull-down transistor configured to supply the first power voltage to the output terminal according to a voltage of a second pull-down node.
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