KR102411044B1 - Gate driver and organic light emitting display device including the same - Google Patents

Gate driver and organic light emitting display device including the same Download PDF

Info

Publication number
KR102411044B1
KR102411044B1 KR1020170103704A KR20170103704A KR102411044B1 KR 102411044 B1 KR102411044 B1 KR 102411044B1 KR 1020170103704 A KR1020170103704 A KR 1020170103704A KR 20170103704 A KR20170103704 A KR 20170103704A KR 102411044 B1 KR102411044 B1 KR 102411044B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
voltage
node
transistor
scan signal
Prior art date
Application number
KR1020170103704A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190018932A (en
Inventor
허승호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170103704A priority Critical patent/KR102411044B1/en
Publication of KR20190018932A publication Critical patent/KR20190018932A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102411044B1 publication Critical patent/KR102411044B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266Details of drivers for scan electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00Details of flat display driving waveforms
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404Matrix technologies
    • G09G2300/0408Integration of the drivers onto the display substrate
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 출원의 일 예는 동일한 개수의 스캔 신호들을 생성하면서도 스테이지들의 개수를 감소시켜 면적을 감소시킨 게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치에 관한 것이다. 본 출원의 일 예에 따른 게이트 구동부는 2가지의 상이한 스캔 신호를 출력하는 복수의 스테이지들을 구비한다. 각각의 스테이지는 복수의 게이트 클럭 신호들을 공급받아 내부의 Q 노드의 전압의 크기를 설정하고, Q 노드의 전압에 따라 설정되는 제 1 스캔 신호를 출력하는 GIP 회로, 복수의 클럭 신호들 중 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 제 1 스캔 신호를 공급받아 P 노드의 전압을 설정하는 제 1 트랜지스터, 및 P 노드의 전압에 따라 복수의 클럭 신호들 중 제 2 게이트 클럭 신호를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함한다.An example of the present application relates to a gate driver in which an area is reduced by reducing the number of stages while generating the same number of scan signals, and an organic light emitting diode display including the same. The gate driver according to an example of the present application includes a plurality of stages for outputting two different scan signals. Each stage receives a plurality of gate clock signals to set the voltage of the internal Q node, and a GIP circuit for outputting a first scan signal set according to the voltage of the Q node, a first of the plurality of clock signals The first transistor receives the first scan signal according to the gate clock signal to set the voltage of the P node, and receives the second gate clock signal from among the plurality of clock signals according to the voltage of the P node to output the second scan signal and a second transistor to

Description

게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치{GATE DRIVER AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}A gate driver and an organic light emitting display including the same

본 출원은 게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present application relates to a gate driver and an organic light emitting display device including the same.

정보화 사회에서 시각 정보를 영상 또는 화상으로 표시하기 위한 표시장치 분야 기술이 많이 개발되고 있다. 표시장치 중 유기발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 화상을 표시한다. 유기발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 자발광에 따라 저계조 표현력이 가능하여 차세대 디스플레이로 각광받고 있다.In the information society, many technologies in the field of display devices for displaying visual information as images or images are being developed. Among display devices, an organic light emitting diode display displays an image using an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes. The organic light emitting display device has a fast response speed and at the same time is able to express low grayscale according to self-luminescence, so it is in the spotlight as a next-generation display.

유기발광 표시장치는 화상을 표시하는 화소들이 마련된 표시영역과 표시영역의 외곽에 배치되어 화상을 표시하지 않는 비표시영역을 갖는 표시패널을 포함한다. 화소들 각각은 스캔 신호에 의해 구동하며, 데이터 전압의 크기에 대응하는 밝기로 발광한다.An organic light emitting diode display includes a display panel having a display area in which pixels displaying an image are provided and a non-display area disposed outside the display area to not display an image. Each of the pixels is driven by a scan signal and emits light with a brightness corresponding to the size of the data voltage.

유기발광 표시장치는 데이터 라인들, 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들에 접속된 다수의 화소들을 포함하는 표시패널, 게이트 라인들에 스캔 신호들을 공급하는 게이트 구동부, 및 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부를 구비한다. 게이트 구동부는 표시패널의 비표시영역에 게이트 드라이버가 내장된 패널(gate driver in panel, 이하 “GIP”라 한다) 회로로 형성될 수 있다. 게이트 구동부는 복수의 스테이지들을 포함한다. 각각의 스테이지는 게이트 라인들에 게이트하이전압과 게이트로우전압 사이를 스윙하는 스캔 신호들을 공급한다.An organic light emitting diode display includes data lines, gate lines, a display panel including a plurality of pixels connected to the data lines and gate lines, a gate driver supplying scan signals to the gate lines, and data to the data lines. A data driver for supplying voltages is provided. The gate driver may be formed of a gate driver in panel (hereinafter referred to as “GIP”) circuit in which a gate driver is embedded in a non-display area of the display panel. The gate driver includes a plurality of stages. Each stage supplies scan signals swinging between a gate high voltage and a gate low voltage to gate lines.

기존의 GIP 회로의 경우, 하나의 스캔 신호들을 생성하기 위해서는 하나의 스테이지가 필요하였다. 각각의 스테이지는 복수의 트랜지스터들로 이루어진다. 따라서, 화소열의 개수가 증가한 고해상도 모델의 경우 스캔 신호들의 개수 역시 증가하게 된다. 이에 따라, 스테이지의 개수 역시 증가하게 되어, 게이트 구동부의 면적이 증가하게 된다. 게이트 구동부의 면적이 증가하는 경우, 비표시영역의 두께를 감소시키는 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현하기 어렵게 된다.In the case of the conventional GIP circuit, one stage is required to generate one scan signal. Each stage consists of a plurality of transistors. Accordingly, in the case of a high-resolution model in which the number of pixel columns is increased, the number of scan signals also increases. Accordingly, the number of stages also increases, thereby increasing the area of the gate driver. When the area of the gate driver increases, it becomes difficult to implement a narrow bezel that reduces the thickness of the non-display area.

본 출원의 일 예는 동일한 개수의 스캔 신호들을 생성하면서도 스테이지들의 개수를 감소시켜 면적을 감소시킨 게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치를 제공하고자 한다.An example of the present application is to provide a gate driver in which the area is reduced by reducing the number of stages while generating the same number of scan signals, and an organic light emitting display device including the same.

본 출원의 일 예에 따른 게이트 구동부는 2가지의 상이한 스캔 신호를 출력하는 복수의 스테이지들을 구비한다. 각각의 스테이지는 복수의 게이트 클럭 신호들을 공급받아 내부의 Q 노드의 전압의 크기를 설정하고, Q 노드의 전압에 따라 설정되는 제 1 스캔 신호를 출력하는 GIP 회로, 복수의 클럭 신호들 중 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 제 1 스캔 신호를 공급받아 P 노드의 전압을 설정하는 제 1 트랜지스터, 및 P 노드의 전압에 따라 복수의 클럭 신호들 중 제 2 게이트 클럭 신호를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함한다.The gate driver according to an example of the present application includes a plurality of stages for outputting two different scan signals. Each stage receives a plurality of gate clock signals to set the voltage of the internal Q node, and a GIP circuit for outputting a first scan signal set according to the voltage of the Q node, a first of the plurality of clock signals The first transistor receives the first scan signal according to the gate clock signal to set the voltage of the P node, and receives the second gate clock signal from among the plurality of clock signals according to the voltage of the P node to output the second scan signal and a second transistor to

본 출원의 일 예에 따른 유기발광 표시장치는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들에 접속되는 화소들, 및 게이트 라인들에 스캔 신호들을 출력하는 스테이지들을 포함하는 게이트 구동부를 포함하는 표시패널 및 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 구비한다. 본 출원에 따른 스테이지는 제 1 스캔 신호를 출력하는 GIP 회로, 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 제 1 스캔 신호를 공급받아 P 노드의 전압을 설정하는 제 1 트랜지스터, 및 P 노드의 전압에 따라 제 2 게이트 클럭 신호를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함한다.An organic light emitting display device according to an example of the present application includes data lines, gate lines crossing the data lines, pixels connected to the data lines and the gate lines, and a stage for outputting scan signals to the gate lines A display panel including a gate driver including The stage according to the present application includes a GIP circuit for outputting a first scan signal, a first transistor receiving a first scan signal according to a first gate clock signal to set a voltage of a P node, and a second transistor according to the voltage of the P node and a second transistor receiving the gate clock signal and outputting a second scan signal.

본 출원의 일 예는 동일한 개수의 스캔 신호들을 생성하면서도 스테이지들의 개수를 감소시켜 면적을 감소시킨 게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치를 구현할 수 있다.An example of the present application may implement a gate driver in which the area is reduced by reducing the number of stages while generating the same number of scan signals, and an organic light emitting display device including the same.

도 1은 본 출원에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 출원의 일 예에 따른 화소의 내부 회로도이다.
도 3은 60Hz의 프레임 주파수에서의 액티브 기간과 블랭크 기간을 보여주는 파형도이다.
도 4는 1Hz의 프레임 주파수에서의 액티브 기간과 블랭크 기간을 보여주는 파형도이다.
도 5는 본 출원의 일 예에 따른 제 1 게이트 구동부에 포함된 스테이지를 상세히 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 출원의 일 예에 따른 유기발광 표시장치의 제 1 및 제 2 게이트 구동부 내의 GIP 회로의 배치 관계를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 출원의 일 예에 따른 스테이지의 이전 출력 신호, 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호, Q 노드 전압, 제 1 스캔 신호, P 노드 전압, 및 제 2 스캔 신호를 나타낸 파형도이다.
도 8은 본 출원의 다른 예에 따른 스테이지의 블록도이다.
도 9는 본 출원의 다른 예에 따른 GIP 회로를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 10은 본 출원의 다른 예에 따른 스타트 단자, 전단 출력신호 입력 단자에 입력되는 신호들, 클럭 신호들, 풀-업 노드의 전압, 및 게이트 신호들을 보여주는 파형도이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to the present application.
2 is an internal circuit diagram of a pixel according to an example of the present application.
3 is a waveform diagram showing an active period and a blank period at a frame frequency of 60 Hz.
4 is a waveform diagram showing an active period and a blank period at a frame frequency of 1 Hz.
5 is a detailed circuit diagram illustrating a stage included in the first gate driver according to an example of the present application.
6 is a plan view illustrating an arrangement relationship of GIP circuits in first and second gate drivers of an organic light emitting diode display according to an example of the present application.
7 is a waveform diagram illustrating a previous output signal, first and second gate clock signals, a Q node voltage, a first scan signal, a P node voltage, and a second scan signal of a stage according to an example of the present application.
8 is a block diagram of a stage according to another example of the present application.
9 is a circuit diagram showing in detail a GIP circuit according to another example of the present application.
10 is a waveform diagram showing signals input to a start terminal, a previous stage output signal input terminal, clock signals, voltages of a pull-up node, and gate signals according to another example of the present application.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present application, and a method for achieving them will become apparent with reference to examples described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present application is not limited to the examples disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only examples of the present application allow the disclosure of the present application to be complete, and common knowledge in the technical field to which this application belongs It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present application is only defined by the scope of the claims.

본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining an example of the present application are exemplary, and thus the present application is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present application, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present application, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우, '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present application.

"제1 수평 축 방향", "제2 수평 축 방향" 및 "수직 축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 출원의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다."First horizontal axis direction", "second horizontal axis direction" and "vertical axis direction" should not be construed only as a geometric relationship in which the relationship between each other is vertical, and the range in which the configuration of the present application can function functionally It may mean to have a broader direction than within.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first, second, and third items” means that each of the first, second, or third items as well as two of the first, second and third items It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various examples of the present application may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each example may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. .

도 1은 본 출원에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2는 본 출원의 일 예에 따른 화소(P)의 내부 회로도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to the present application. 2 is an internal circuit diagram of a pixel P according to an example of the present application.

도 1를 참조하면, 본 출원에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 및 타이밍 제어부(30)를 구비한다.Referring to FIG. 1 , the organic light emitting display device according to the present application includes a display panel 10 , a data driver 20 , and a timing controller 30 .

본 출원에 따른 유기발광 표시장치는 스캔 신호들을 게이트 라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하는 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 데이터 전압들을 공급한다.The organic light emitting diode display according to the present application supplies data voltages to pixels through line sequential scanning in which scan signals are sequentially supplied to the gate lines G1 to Gn.

표시패널(10)은 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 게이트 라인들(G1~Gn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 데이터 라인들(D1~Dm)과 게이트 라인들(G1~Gn)에 접속된 화소(P)들, 제 1 및 제 2 게이트 구동부들(11, 12)을 포함한다.The display panel 10 includes data lines D1 to Dm, where m is a positive integer greater than or equal to 2), gate lines G1 to Gn, and n is a positive integer greater than or equal to 2), and data lines D1 to Dm; It includes pixels P connected to the gate lines G1 to Gn, and first and second gate drivers 11 and 12 .

화소(P)는 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나와 게이트 라인들(G1~Gn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 이로 인해, 화소(P)는 게이트 라인에 스캔 신호가 공급될때 데이터 라인의 데이터 전압을 공급받으며, 공급된 데이터 전압에 따라 소정의 밝기로 발광한다.The pixel P may be connected to any one of the data lines D1 to Dm and to any one of the gate lines G1 to Gn. Accordingly, the pixel P receives the data voltage of the data line when the scan signal is supplied to the gate line, and emits light with a predetermined brightness according to the supplied data voltage.

화소(P)들 각각은 게이트 라인들(GL1~GLp) 중 어느 하나, 데이터 라인들(DL1~DLq) 중 어느 하나 및 센싱 라인들(SL1~SLq) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 도 2에서 나타난 바와 같이, 본 출원의 일 예에 따른 화소(P)는 구동 트랜지스터(DT), 발광소자(EL), 스토리지 커패시터(Cst), 및 제 1 내지 제 6 스위칭 트랜지스터(ST1~ST6)들을 포함한다. 이하의 설명에서, 본 출원의 일 예에 다른 구동 트랜지스터(DT) 및 제 1 내지 제 6 스위칭 트랜지스터(ST1~ST6)는 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극, 및 드레인(drain) 전극을 갖는 P형 MOSFET으로 구현되는 것으로 가정하기로 한다.Each of the pixels P may be connected to any one of the gate lines GL1 to GLp, any one of the data lines DL1 to DLq, and any one of the sensing lines SL1 to SLq. As shown in FIG. 2 , the pixel P according to an example of the present application includes a driving transistor DT, a light emitting device EL, a storage capacitor Cst, and first to sixth switching transistors ST1 to ST6. include those In the following description, the driving transistor DT and the first to sixth switching transistors ST1 to ST6 according to an example of the present application include a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. It is assumed that it is implemented with a P-type MOSFET having

구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일 측 전극, 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 드레인 전극, 및 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)의 드레인 전극이 연결된 제 1 노드(Node)(N1)에 접속된다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 화소 구동 전원(ELVDD)을 소스 전극으로 공급받는 제 3 스위칭 트랜지스터(ST3)의 드레인 전극과 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극은 제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)의 소스 전극과 연결된다.The gate electrode of the driving transistor DT is a first node (Node) to which one electrode of the storage capacitor Cst, the drain electrode of the first switching transistor ST1, and the drain electrode of the fifth switching transistor ST5 are connected connected to N1). The source electrode of the driving transistor DT is connected to the drain electrode of the third switching transistor ST3 receiving the pixel driving power ELVDD as the source electrode. The drain electrode of the driving transistor DT is connected to the source electrode of the fourth switching transistor ST4 .

구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 문턱 전압보다 큰 전압이 공급되는 경우 턴-온 된다. 턴-온 된 구동 트랜지스터(DT)는 소스 전극에서 드레인 전극으로 구동 전류를 흘린다.When a voltage greater than the threshold voltage is applied to the gate electrode of the driving transistor DT, it is turned on. The turned-on driving transistor DT flows a driving current from the source electrode to the drain electrode.

발광소자(EL)는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함한다. 발광소자(EL)는 애노드 전극으로부터 캐소드 전극으로 구동 전류를 흘린다. 발광소자(EL)의 애노드 전극은 제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)의 드레인 전극이 연결된 제 2 노드(N2)에 접속된다. 발광소자(EL)의 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 형성된 접지 라인에 캐소드 전극이 연결된다. 발광소자(EL)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 흐르는 구동 전류에 대응하는 밝기로 발광한다.The light emitting device EL includes an anode electrode and a cathode electrode. The light emitting device EL flows a driving current from the anode electrode to the cathode electrode. The anode electrode of the light emitting device EL is connected to the second node N2 to which the drain electrode of the fourth switching transistor ST4 is connected. The cathode electrode of the light emitting device EL is connected to a ground line on which the low potential power voltage ELVSS is formed. The light emitting element EL emits light with a brightness corresponding to the driving current flowing from the driving transistor DT.

스토리지 커패시터(Cst)는 양 측 전극을 갖는다. 스토리지 커패시터(Cst)의 일 측 전극은 제 1 노드(N1)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 타 측 전극은 화소 구동 전원(ELVDD) 라인에 연결된다.The storage capacitor Cst has both electrodes. One electrode of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1 . The other electrode of the storage capacitor Cst is connected to the pixel driving power supply ELVDD line.

스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)에 연결된 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)가 턴-온 된 경우 화소 구동 전원(ELVDD)과 제 1 노드(N1)의 차전압을 저장한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)가 턴-오프 된 경우 제 1 노드(N1)에 저장한 차전압을 유지한다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)는 저장되어 유지한 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DT)의 구동을 제어할 수 있다.The storage capacitor Cst stores the difference voltage between the pixel driving power ELVDD and the first node N1 when the fifth switching transistor ST5 connected to the first node N1 is turned on. The storage capacitor Cst maintains the differential voltage stored in the first node N1 when the fifth switching transistor ST5 is turned off. In addition, the storage capacitor Cst may control the driving of the driving transistor DT using the stored and maintained voltage.

제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극은 제 2 스캔 신호(Scan2)를 공급받는다. 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 소스 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 연결된다. 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 드레인 전극은 제 1 노드(N1)와 연결된다. 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제 2 스캔 신호(Scan2)에 의해 턴-온 되어, 제 1 노드(N1)의 전압을 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vtp)의 합인 Vdata+Vtp까지 상승시킨다.The gate electrode of the first switching transistor ST1 receives the second scan signal Scan2 . The source electrode of the first switching transistor ST1 is connected to the drain electrode of the driving transistor DT. A drain electrode of the first switching transistor ST1 is connected to the first node N1 . The first switching transistor ST1 is turned on by the second scan signal Scan2 so that the voltage of the first node N1 is the sum of the data voltage Vdata and the threshold voltage Vtp of the driving transistor DT. Increase to Vdata+Vtp.

제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극은 제 2 스캔 신호(Scan2)를 공급받는다. 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 연결되어 데이터 전압(Vdata)을 공급받는다. 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 연결된다. 제 2 스위칭 트랜지스터(T2)는 제 2 스캔 신호(Scan2)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 데이터 전압(Vdata)을 공급한다.The gate electrode of the second switching transistor ST2 receives the second scan signal Scan2. The source electrode of the second switching transistor ST2 is connected to the data line DL to receive the data voltage Vdata. The drain electrode of the second switching transistor ST2 is connected to the source electrode of the driving transistor DT. The second switching transistor T2 is turned on by the second scan signal Scan2 to supply the data voltage Vdata to the source electrode of the driving transistor DT.

제 3 스위칭 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM)를 공급받는다. 제 3 스위칭 트랜지스터(ST3)의 소스 전극은 화소 구동 전원(ELVDD)을 공급받는다. 제 3 스위칭 트랜지스터(ST3)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 연결된다. 제 3 스위칭 트랜지스터(ST3)는 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DT)에 화소 구동 전원(ELVDD)을 공급하여 구동 트랜지스터(DT)가 구동 전류를 흐르게 한다.The gate electrode of the third switching transistor ST3 receives the emission control signal EM. The source electrode of the third switching transistor ST3 receives the pixel driving power ELVDD. The drain electrode of the third switching transistor ST3 is connected to the source electrode of the driving transistor DT. The third switching transistor ST3 is turned on by the emission control signal EM to supply the pixel driving power ELVDD to the driving transistor DT so that the driving transistor DT flows a driving current.

제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM)를 공급받는다. 제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)의 소스 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 연결된다. 제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)의 드레인 전극은 제 2 노드(N2)와 연결된다. 제 4 스위칭 트랜지스터(ST4)는 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 되어, 구동 전류가 발광소자(EL)를 흐르게 하여 발광소자(EL)를 발광시킨다.The gate electrode of the fourth switching transistor ST4 receives the emission control signal EM. The source electrode of the fourth switching transistor ST4 is connected to the drain electrode of the driving transistor DT. The drain electrode of the fourth switching transistor ST4 is connected to the second node N2 . The fourth switching transistor ST4 is turned on by the light emission control signal EM, and a driving current flows through the light emitting device EL to emit light.

제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)의 게이트 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받는다. 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)의 소스 전극은 초기화 전압(Vinit)을 공급받는다. 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)의 드레인 전극은 제 1 노드(N1)와 연결된다. 제 5 스위칭 트랜지스터(ST5)는 제 1 스캔 신호(Scan1)에 의해 턴-온 되어, 제 1 노드(N1)의 전압을 초기화 전압(Vinit)으로 초기화시킨다.The gate electrode of the fifth switching transistor ST5 receives the first scan signal Scan1 . The source electrode of the fifth switching transistor ST5 is supplied with the initialization voltage Vinit. A drain electrode of the fifth switching transistor ST5 is connected to the first node N1 . The fifth switching transistor ST5 is turned on by the first scan signal Scan1 to initialize the voltage of the first node N1 to the initialization voltage Vinit.

제 6 스위칭 트랜지스터(ST6)의 게이트 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받는다. 제 6 스위칭 트랜지스터(ST6)의 소스 전극은 초기화 전압(Vinit)을 공급받는다. 제 6 스위칭 트랜지스터(ST6)의 드레인 전극은 제 2 노드(N2)와 연결된다. 제 6 스위칭 트랜지스터(ST6)는 제 1 스캔 신호(Scan1)에 의해 턴-온 되어, 제 2 노드(N2)의 전압을 초기화 전압(Vinit)으로 초기화시킨다.The gate electrode of the sixth switching transistor ST6 receives the first scan signal Scan1 . The source electrode of the sixth switching transistor ST6 is supplied with the initialization voltage Vinit. A drain electrode of the sixth switching transistor ST6 is connected to the second node N2 . The sixth switching transistor ST6 is turned on by the first scan signal Scan1 to initialize the voltage of the second node N2 to the initialization voltage Vinit.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소(P)는 7개의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)와 1개의 커패시터(Capacitor)로 이루어져 있어 7T1C 보상 회로로 통칭한다. 또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소(P)는 2종류의 스캔 신호(Scan)와 1종류의 발광 제어 신호(EM)로 동작한다.The pixel P according to the first embodiment of the present invention consists of seven thin film transistors (TFTs) and one capacitor, and is therefore collectively referred to as a 7T1C compensation circuit. Also, the pixel P according to the first embodiment of the present invention operates with two types of scan signals and one type of emission control signal EM.

제 1 게이트 구동부(11)는 기수 게이트 라인들(G1, G3, …, Gn-1)에 접속되어 기수 스캔 신호들을 공급한다. 제 2 게이트 구동부(12)는 우수 게이트 라인들(G2, G4, …, Gn)에 접속되어 우수 스캔 신호들을 공급한다.The first gate driver 11 is connected to the odd gate lines G1, G3, ..., Gn-1 to supply odd scan signals. The second gate driver 12 is connected to the even gate lines G2, G4, ..., Gn to supply even scan signals.

구체적으로, 제1 게이트 구동부(11)는 타이밍 제어부(30)로부터 제1 게이트 제어신호(GCS1)를 입력받는다. 제 1 게이트 구동부(11)는 제 1 게이트 제어신호(GCS1)에 따라 기수 스캔 신호들을 생성하여 기수 게이트 라인들(G1, G3, …, Gn-1)에 공급한다. 제 2 게이트 구동부(12)는 타이밍 제어부(30)로부터 제 2 게이트 제어신호(GCS2)를 입력받는다. 제 2 게이트 구동부(12)는 제 2 게이트 제어신호(GCS2)에 따라 우수 스캔 신호들을 생성하여 우수 게이트 라인들(G2, G4, …, Gn)에 공급한다. 즉, 제 1 및 제 2 게이트 구동부들(11, 12)은 인터레이스(interlace) 방식으로 구동될 수 있다.Specifically, the first gate driver 11 receives the first gate control signal GCS1 from the timing controller 30 . The first gate driver 11 generates odd scan signals according to the first gate control signal GCS1 and supplies the generated odd scan signals to the odd gate lines G1, G3, ..., Gn-1. The second gate driver 12 receives the second gate control signal GCS2 from the timing controller 30 . The second gate driver 12 generates even scan signals according to the second gate control signal GCS2 and supplies them to the even gate lines G2, G4, ..., Gn. That is, the first and second gate drivers 11 and 12 may be driven in an interlace manner.

그러나, 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)들은 인터레이스 방식으로 구동되는 것에 한정되지 않는다. 제 1 게이트 구동부(11)는 표시패널(10)의 일부 게이트 라인들에 스캔 신호들을 공급하고, 제 2 게이트 구동부(12)는 표시패널(10)의 나머지 게이트 라인들에 스캔 신호들을 공급할 수 있다.However, the first and second gate drivers 11 and 12 are not limited to being driven in an interlaced manner. The first gate driver 11 may supply scan signals to some gate lines of the display panel 10 , and the second gate driver 12 may supply scan signals to the remaining gate lines of the display panel 10 . .

또는, 제 1 게이트 구동부(11)는 표시패널(10)의 모든 게이트 라인들에 스캔 신호들을 공급하고, 제 2 게이트 구동부(12) 역시 표시패널(10)의 모든 게이트 라인들에 스캔 신호들을 공급할 수 있다. 이 경우, 동일한 게이트 라인에는 동일한 파형의 스캔 신호가 공급된다.Alternatively, the first gate driver 11 supplies scan signals to all gate lines of the display panel 10 , and the second gate driver 12 also supplies scan signals to all gate lines of the display panel 10 . can In this case, scan signals of the same waveform are supplied to the same gate line.

표시패널(10) 내부에는 배선 및 화소를 구성하는 층들의 저항 및 커패시터 성분으로 인한 RC 로드(load)가 발생한다. RC 로드로 인하여, 표시패널(10)의 일 측에서만 스캔 신호가 공급되는 경우 스캔 신호가 공급되는 쪽의 반대 측에서는 스캔 신호가 지연(delay)되거나, 스캔 신호의 파형이 왜곡되는 현상이 발생한다. 스캔 신호의 지연 또는 왜곡을 방지하기 위해 표시패널(10)의 좌우 양 측에 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)를 배치하고, 좌우 양측의 GIP 회로에서 동일한 게이트 라인에 동일한 스캔 신호를 공급한다. 즉, 동일한 게이트 라인의 양 쪽에서 신호를 공급하는 구조인 더블 피딩(Double Feeding) 구조를 적용하여 스캔 신호의 지연 또는 왜곡을 최대한 방지한다.An RC load is generated inside the display panel 10 due to resistance and capacitor components of wirings and layers constituting the pixel. Due to the RC load, when the scan signal is supplied from only one side of the display panel 10 , the scan signal is delayed or the waveform of the scan signal is distorted at the opposite side of the side to which the scan signal is supplied. In order to prevent delay or distortion of the scan signal, the first and second gate drivers 11 and 12 are disposed on both left and right sides of the display panel 10, and the same scan signal is applied to the same gate line in the GIP circuits on the left and right sides. supply That is, the delay or distortion of the scan signal is prevented as much as possible by applying a double feeding structure, which is a structure in which signals are supplied from both sides of the same gate line.

표시패널(10)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)은 화소(P)들이 마련되어 화상이 표시되는 영역이다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 주변에 마련되는 영역으로, 화상이 표시되지 않는 영역이다. 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)는 게이트 드라이브 인 패널(gate driver in panel, GIP) 방식으로 비표시영역(NDA)에 마련될 수 있다. 도 1에서는 제 1 게이트 구동부(11)가 표시패널(10)의 좌 측 비표시영역(NDA)에 마련되고 제 2 게이트 구동부(12)가 표시패널(10)의 우 측 비표시영역(NDA)에 마련된 것을 예시하였다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)는 표시패널(10)의 비표시영역(NDA) 내에서 필요에 따라 다른 방향의 측면에 배치될 수도 있으며, 비표시영역(NDA)을 벗어나지 않고 중첩되지 않는 경우 동일한 측면 상에 배치될 수도 있다.The display panel 10 may be divided into a display area DA and a non-display area NDA. The display area DA is an area in which pixels P are provided and an image is displayed. The non-display area NDA is an area provided around the display area DA and is an area in which no image is displayed. The first and second gate drivers 11 and 12 may be provided in the non-display area NDA using a gate driver in panel (GIP) method. In FIG. 1 , the first gate driver 11 is provided in the left non-display area NDA of the display panel 10 , and the second gate driver 12 is provided in the right non-display area NDA of the display panel 10 . has been exemplified in However, the present invention is not limited thereto, and the first and second gate drivers 11 and 12 may be disposed on sides of the non-display area NDA of the display panel 10 in different directions, if necessary, and may be disposed in the non-display area. It may be disposed on the same side if it does not deviate from (NDA) and does not overlap.

데이터 구동부(20)는 데이터 라인들(D1~Dm)에 접속된다. 데이터 구동부(20)는 타이밍 제어부(30)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 입력받고, 데이터 제어신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터 전압들로 변환한다. 데이터 구동부(20)는 아날로그 데이터 전압들을 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(20)는 하나의 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함) 또는 복수의 소스 드라이브 IC들을 포함할 수 있다.The data driver 20 is connected to the data lines D1 to Dm. The data driver 20 receives digital video data DATA and a data control signal DCS from the timing controller 30 , and converts the digital video data DATA into analog data voltages according to the data control signal DCS. do. The data driver 20 supplies analog data voltages to the data lines D1 to Dm. The data driver 20 may include one source drive integrated circuit (hereinafter, referred to as “IC”) or a plurality of source drive ICs.

타이밍 제어부(30)는 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들(TS)을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(30)는 타이밍 신호에 기초하여 제1 및 제2 게이트 구동부(11, 12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제1 및 제2 게이트 제어신호(GCS1, GCS2)과 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 생성한다. 제 1 및 제 2 게이트 제어신호(GCS1)는 스타트 신호들, 클럭 신호들, 및 리셋 신호 등을 포함할 수 있다.The timing controller 30 receives digital video data DATA and timing signals TS from an external system board. The timing signals may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock. The timing controller 30 includes first and second gate control signals GCS1 and GCS2 for controlling operation timings of the first and second gate drivers 11 and 12 and the data driver 20 based on the timing signal. A data control signal DCS for controlling the operation timing is generated. The first and second gate control signals GCS1 may include start signals, clock signals, and a reset signal.

타이밍 제어부(30)는 디지털 비디오 데이터(DATA)와 데이터 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)에 공급한다. 타이밍 제어부(30)는 제1 게이트 제어신호(GCS1)를 제1 게이트 구동부(11)에 공급하고, 제2 게이트 제어신호(GCS2)를 제2 게이트 구동부(12)에 공급한다.The timing controller 30 supplies digital video data DATA and a data control signal DCS to the data driver 20 . The timing controller 30 supplies the first gate control signal GCS1 to the first gate driver 11 and the second gate control signal GCS2 to the second gate driver 12 .

한편, 타이밍 제어부(30)는 디지털 비디오 데이터(DATA)의 비디오 영상이 정지영상인 경우, 표시장치를 저전력으로 구동하기 위해, 표시장치를 낮은 프레임 주파수로 구동하도록 제어할 수 있다. 즉, 타이밍 제어부(30)는 표시장치를 로우 리프레쉬 레이트(low refresh rate, LRR) 또는 가변 리프레쉬 레이트(variable refresh rate, VRR)로 구동하도록 제어할 수 있다.Meanwhile, when the video image of the digital video data DATA is a still image, the timing controller 30 may control the display device to be driven at a low frame frequency in order to drive the display device with low power. That is, the timing controller 30 may control the display device to be driven at a low refresh rate (LRR) or a variable refresh rate (VRR).

예를 들어, 타이밍 제어부(30)는 디지털 비디오 데이터(DATA)의 비디오 영상이 동영상인 경우 도 3과 같이 표시장치를 60Hz의 프레임 주파수로 구동하도록 제어할 수 있다. 반면, 디지털 비디오 데이터(DATA)의 비디오 영상이 정지영상인 경우 도 4와 같이 표시장치를 1Hz의 프레임 주파수로 구동하도록 제어할 수 있다. 60Hz의 프레임 주파수의 경우 도 3과 같이 1초(1s) 동안 60개의 프레임 기간들(FR1~FR60)이 존재하고, 1Hz의 프레임 주파수의 경우 도 4와 같이 1초(1s) 동안 1개의 프레임 기간(FR1)이 존재한다. 프레임 기간들 각각은 액티브 기간(AP)과 블랭크 기간(BP)을 포함한다. 액티브 기간(AP)은 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)가 스캔 신호들을 출력하고 데이터 구동부(20)가 데이터 전압들을 출력하여, 화소(P)들에 데이터 전압들을 공급하는 기간이다. 블랭크 기간(BP)은 액티브 기간(AP)들 사이에 삽입되는 휴지 기간이다. 따라서, 블랭크 기간(BP) 동안 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)가 스캔 신호들을 출력하지 않고, 데이터 구동부(20)는 데이터 전압들을 출력하지 않는다. 도 4와 같이 유기발광 표시장치를 1Hz의 프레임 주파수로 구동하는 경우, 블랭크 기간(BP)이 액티브 기간(AP)에 비해 매우 길어지므로, 유기발광 표시장치의 소비전력을 절감시킬 수 있다.For example, when the video image of the digital video data DATA is a moving picture, the timing controller 30 may control the display device to be driven at a frame frequency of 60 Hz as shown in FIG. 3 . On the other hand, when the video image of the digital video data DATA is a still image, as shown in FIG. 4 , the display device may be controlled to be driven at a frame frequency of 1 Hz. In the case of a frame frequency of 60Hz, 60 frame periods FR1 to FR60 exist for 1 second (1s) as shown in FIG. 3, and in the case of a frame frequency of 1Hz, one frame period for 1 second (1s) as shown in FIG. 4 (FR1) exists. Each of the frame periods includes an active period AP and a blank period BP. The active period AP is a period in which the first and second gate drivers 11 and 12 output scan signals and the data driver 20 outputs data voltages to supply data voltages to the pixels P. The blank period BP is an idle period inserted between the active periods AP. Accordingly, during the blank period BP, the first and second gate drivers 11 and 12 do not output scan signals, and the data driver 20 does not output data voltages. As shown in FIG. 4 , when the organic light emitting diode display is driven at a frame frequency of 1 Hz, the blank period BP becomes much longer than that of the active period AP, so that power consumption of the organic light emitting display apparatus can be reduced.

또한, 타이밍 제어부(30)는 표시장치를 스톱&스타트 구동하도록 제어할 수 있다. 스톱&스타트 구동은 표시패널(10)을 N(N은 2 이상의 양의 정수) 개의 블록들로 분할하고, 표시패널(10)의 N 개의 블록들에 대응되도록 제1 및 제2 게이트 구동부(11, 12) 각각의 스테이지들 역시 N 개의 블록들로 분할한 후, 화상이 표시되는 표시패널(10)의 블록에 대응되는 제1 및 제2 게이트 구동부들(11, 12) 각각의 블록에 포함된 스테이지들이 스캔 신호들을 출력하도록 제어하고, 화상이 비표시되는 표시패널(10)의 블록에 대응되는 제1 및 제2 게이트 구동부들(11, 12) 각각의 블록에 포함된 스테이지들이 스캔 신호들을 출력하지 않도록 제어하는 구동 방법이다. 스톱&스타트 구동을 하는 경우 화상이 비표시되는 영역에 불필요한 스캔 신호들을 출력하지 않으므로 표시장치의 소비전력을 절감시킬 수 있다.In addition, the timing controller 30 may control the display device to stop and start. The stop & start driving divides the display panel 10 into N (N is a positive integer greater than or equal to 2) blocks, and the first and second gate drivers 11 to correspond to the N blocks of the display panel 10 . , 12) After each stage is also divided into N blocks, the first and second gate drivers 11 and 12 corresponding to the block of the display panel 10 on which an image is displayed are included in each block. Stages are controlled to output scan signals, and stages included in each block of the first and second gate drivers 11 and 12 corresponding to a block of the display panel 10 on which an image is not displayed output scan signals. It is a driving method to control not to do so. When the stop & start driving is performed, unnecessary scan signals are not output to an area where an image is not displayed, so power consumption of the display device can be reduced.

도 5는 본 출원의 일 예에 따른 제 1 게이트 구동부(11)에 포함된 스테이지(STA)를 상세히 나타낸 회로도이다. 도 6은 본 출원의 일 예에 따른 유기발광 표시장치의 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12) 내의 GIP 회로(GIP)의 배치 관계를 나타낸 평면도이다. 도 7은 본 출원의 일 예에 따른 스테이지(STA)의 이전 출력 신호(Scan_PRE), 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2), Q 노드 전압(VQ), 제 1 스캔 신호(Scan1), P 노드 전압(VP), 및 제 2 스캔 신호(Scan2)를 나타낸 파형도이다.5 is a detailed circuit diagram illustrating a stage STA included in the first gate driver 11 according to an example of the present application. 6 is a plan view illustrating an arrangement relationship of the GIP circuits GIP in the first and second gate drivers 11 and 12 of the organic light emitting diode display according to an example of the present application. 7 illustrates a previous output signal Scan_PRE, first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2, a Q node voltage VQ, and a first scan signal Scan1 of the stage STA according to an example of the present application. , the P-node voltage VP, and the second scan signal Scan2 are waveform diagrams.

본 출원의 일 예에 따른 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)는 복수의 스테이지(STA)들을 갖는다. 스테이지(STA) 각각은 하나의 GIP 회로(GIP)와, 그 GIP 회로(GIP)에 연결된 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)로 이루어진다. 스테이지(STA)는 전단 스테이지의 제 2 스캔 신호(Scan2)인 이전 스캔 신호(Scan_PRE), 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2), 및 직류 전원 전압인 게이트 하이 전압(VGH), 및 게이트 로우 전압(VGL)을 공급받는다. 스테이지(STA)는 제 1 및 제 2 스캔 신호(Scan1, Scan2)를 출력한다. 이하의 설명에서 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)는 P형 MOS 트랜지스터인 것을 가정하여 설명하기로 한다.The first and second gate drivers 11 and 12 according to an example of the present application have a plurality of stages STA. Each of the stages STA includes one GIP circuit GIP and first and second transistors T1 and T2 connected to the GIP circuit GIP. The stage STA includes a previous scan signal Scan_PRE that is a second scan signal Scan2 of the previous stage, first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2, and a gate high voltage VGH that is a DC power supply voltage, and A gate low voltage VGL is supplied. The stage STA outputs the first and second scan signals Scan1 and Scan2. In the following description, it will be assumed that the first and second transistors T1 and T2 are P-type MOS transistors.

또한, 이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 임의의 스테이지의 앞에 위치한 스테이지를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 임의의 스테이지의 뒤에 위치한 스테이지를 지시한다.In addition, in the following description, a "front stage stage" indicates a stage located in front of any stage serving as a reference. A "rear stage" indicates a stage located behind any stage serving as a reference.

본 출원의 일 예에 따른 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)에 포함된 스테이지(STA)는 2가지의 상이한 스캔 신호를 출력한다. 기존의 경우, 하나의 스테이지에는 하나의 GIP 회로(GIP)가 존재하고, 하나의 스캔 신호만을 출력할 수 있었다. 따라서, 표시패널(10) 상의 스캔 라인의 개수와 동일한 개수의 스테이지(STA)가 필요하였다. 즉, 스캔 라인의 개수와 동일한 개수의 GIP 회로(GIP)가 필요하였다.The stage STA included in the first and second gate drivers 11 and 12 according to an example of the present application outputs two different scan signals. In the conventional case, one GIP circuit (GIP) exists in one stage, and only one scan signal can be output. Accordingly, the number of stages STA equal to the number of scan lines on the display panel 10 is required. That is, the number of GIP circuits (GIPs) equal to the number of scan lines was required.

고해상도의 유기발광 표시장치의 경우 화소열의 개수 역시 증가하게 된다. 스캔 라인은 각각의 화소열마다 배치되어야 화소들에 스캔 신호를 공급할 수 있다. 이에 따라, 고해상도의 유기발광 표시장치에서는 스캔 라인의 개수가 증가한다. 표시패널(10) 상의 스캔 라인의 개수가 증가하는 경우 스테이지(STA)의 개수 및 GIP 회로(GIP)의 개수 역시 증가하게 된다. GIP 회로(GIP)는 표시패널(10)의 비표시영역에 배치된다. GIP 회로(GIP)는 다수의 트랜지스터들로 이루어져 있으므로, GIP 회로(GIP)의 개수가 증가하게 되면, 비표시영역의 면적 또한 증가하게 된다. 이에 따라, 내로우 베젤(Bezel)을 구현하기가 용이하지 않게 된다.In the case of a high-resolution organic light emitting display device, the number of pixel columns also increases. A scan line must be arranged for each pixel column to supply a scan signal to the pixels. Accordingly, the number of scan lines increases in the high-resolution organic light emitting diode display. When the number of scan lines on the display panel 10 increases, the number of stages STA and the number of GIP circuits GIP also increase. The GIP circuit GIP is disposed in a non-display area of the display panel 10 . Since the GIP circuit GIP consists of a plurality of transistors, when the number of the GIP circuits GIP increases, the area of the non-display area also increases. Accordingly, it is not easy to implement a narrow bezel.

본 출원의 일 예에 따른 스테이지(STA)는 2가지의 상이한 스캔 신호를 2개의 게이트 라인들에 공급할 수 있다. 따라서, 기존에 비해 유기발광 표시장치에 사용되는 스테이지(STA)의 개수를 1/2로 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 일 예에 따를 경우 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11, 12)의 배치 면적을 감소시킬 수 있다. 이 경우 내로우 베젤을 보다 용이하게 구현할 수 있다.The stage STA according to an example of the present application may supply two different scan signals to two gate lines. Accordingly, the number of stages STAs used in the organic light emitting diode display can be reduced by half compared to the conventional one. Accordingly, according to an example of the present application, the arrangement area of the first and second gate drivers 11 and 12 may be reduced. In this case, the narrow bezel can be more easily implemented.

본 출원의 일 예에 따른 스테이지(STA)는 GIP 회로(GIP), 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)로 이루어진다.The stage STA according to an example of the present application includes a GIP circuit GIP and first and second transistors T1 and T2.

GIP 회로(GIP)는 이전 스캔 신호(Scan_PRE), 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2), 및 직류 전원 전압인 게이트 하이 전압(VGH), 및 게이트 로우 전압(VGL)을 공급받는다. 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2)은 타이밍 제어부(30)로부터 공급되며, 전원 전압은 전원 공급원으로부터 공급될 수 있다.The GIP circuit GIP receives the previous scan signal Scan_PRE, the first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2 , and a gate high voltage VGH that is a DC power supply voltage, and a gate low voltage VGL. The first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2 may be supplied from the timing controller 30 , and a power voltage may be supplied from a power supply.

GIP 회로(GIP)는 내부의 Q 노드(Q)의 전압의 크기를 설정한다. Q 노드(Q)는 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승하여 풀-업 되거나 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)에 의해 게이트 로우 전압(VGL)으로 풀-다운 되는 노드이다.The GIP circuit (GIP) sets the magnitude of the voltage of the internal Q node (Q). The Q node Q is pulled up by rising to the gate high voltage VGH by the first gate clock signal GCLK1 or pulled down to the gate low voltage VGL by the second gate clock signal GCLK2. is a node.

GIP 회로(GIP)는 Q 노드(Q)의 전압에 따라 설정되는 제 1 스캔 신호(Scan1)를 출력한다. 제 1 스캔 신호(Scan1)는 Q 노드(Q)의 전압이 일정 전압 레벨 이상으로 변화하는 경우 변화한다.The GIP circuit GIP outputs a first scan signal Scan1 set according to the voltage of the Q node Q. The first scan signal Scan1 changes when the voltage of the Q node Q changes to a predetermined voltage level or more.

제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)에 따라 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받아 P 노드(P)의 전압을 설정한다.The first transistor T1 receives the first scan signal Scan1 according to the first gate clock signal GCLK1 to set the voltage of the P node P.

제 2 트랜지스터(T2)는 P 노드(P)의 전압에 따라 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력한다.The second transistor T2 receives the second gate clock signal GCLK2 according to the voltage of the P node P and outputs a second scan signal.

이 경우, 본 출원의 일 예에 따른 스테이지(STA)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)를 이용하여 하나의 GIP 회로(GIP)를 추가한 것과 동일하게 제 2 스캔 신호(Scan2)를 생성할 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 일 예에 따른 게이트 구동부에서는 스테이지(STA)의 개수가 기존에 비해 1/2로 감소하고, 하나의 스테이지(STA)를 대체하여 2개의 트랜지스터만을 이용하여 면적을 감소시킨 게이트 구동부를 구현할 수 있다. 이에 따라, 게이트 구동부가 배치되는 비표시영역의 면적 역시 감소하여, 내로우 베젤(Bezel)을 용이하게 구현할 수 있다.In this case, the stage STA according to an example of the present application transmits the second scan signal Scan2 in the same manner as adding one GIP circuit GIP using the first and second transistors T1 and T2. can create Accordingly, in the gate driver according to an example of the present application, the number of stages STA is reduced by half compared to the conventional one, and the gate area is reduced by using only two transistors by replacing one stage STA. A driving unit can be implemented. Accordingly, the area of the non-display area in which the gate driver is disposed is also reduced, so that a narrow bezel can be easily implemented.

본 출원의 제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)를 게이트 전극으로 공급받는다. 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)는 GIP회로(GIP)를 경유하여 공급할 수도 있고, 제 1 게이트 클럭 신호 라인에서 곧바로 공급할 수도 있다.The first transistor T1 of the present application receives the first gate clock signal GCLK1 as a gate electrode. The first gate clock signal GCLK1 may be supplied via the GIP circuit GIP or may be supplied directly from the first gate clock signal line.

제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 스캔 신호(Scan1)를 소스 전극으로 공급받는다. 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받기 위하여 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 QIP 회로(GIP) 내에서 제 1 스캔 신호(Scan1)를 출력하는 노드와 연결되거나, 출력하는 노드에서 분기된 라인과 연결된다.The first transistor T1 receives the first scan signal Scan1 as a source electrode. In order to receive the first scan signal Scan1, the source electrode of the first transistor T1 is connected to a node outputting the first scan signal Scan1 in the QIP circuit GIP, or a line branched from the output node is connected with

제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 P 노드(P)와 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극으로 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)가 인가되는 경우 소스 전극으로 공급된 제 1 스캔 신호(Scan1)의 크기 변화는 드레인 전극으로 전달된다. 이에 따라, 제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 스캔 신호(Scan1)를 이용하여 P 노드(P)의 전압을 설정할 수 있다.The drain electrode of the first transistor T1 is connected to the P node P. When the first gate clock signal GCLK1 is applied to the gate electrode of the first transistor T1 , a change in the magnitude of the first scan signal Scan1 supplied to the source electrode is transmitted to the drain electrode. Accordingly, the first transistor T1 may set the voltage of the P node P using the first scan signal Scan1 .

이와 같이 제 1 트랜지스터(T1)를 설정하는 경우, 제 1 트랜지스터(T1)를 구동하기 위해서 별도의 전압을 생성할 필요가 없다. 따라서, 제 1 트랜지스터(T1) 이외의 회로적으로 부가하는 구성 요소를 최소화할 수 있어, 스테이지의 면적을 최소화할 수 있다.When the first transistor T1 is set in this way, there is no need to generate a separate voltage to drive the first transistor T1. Accordingly, components other than the first transistor T1 can be minimized in terms of circuitry, and thus the area of the stage can be minimized.

본 출원에 따른 제 2 트랜지스터(T2)는 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극의 전압을 게이트 전극으로 공급받는다. 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극이 P 노드(P)에 연결되어 있기 때문에 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 동일한 전압을 갖는다.The second transistor T2 according to the present application receives the voltage of the drain electrode of the first transistor T1 to the gate electrode. Since the gate electrode of the second transistor T2 and the drain electrode of the first transistor T1 are connected to the P node P, the gate electrode of the second transistor T2 and the drain electrode of the first transistor T1 are have the same voltage.

제 2 트랜지스터(T2)는 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 소스 전극으로 공급받는다. 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 공급받기 위하여 제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 출력하는 외부의 라인과 직접 연결된다.The second transistor T2 receives the second gate clock signal GCLK2 as a source electrode. In order to receive the second gate clock signal GCLK2 , the source electrode of the second transistor T2 is directly connected to an external line outputting the second gate clock signal GCLK2 .

제 2 트랜지스터(T2)는 드레인 전극으로 제 2 스캔 신호(Scan2)를 출력한다. 제 2 트랜지스터(T2)가 P 노드(P)의 전압에 따라 턴-온 된 경우, 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)의 전압이 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극으로 전달된다. 따라서, 제 2 트랜지스터(T2)는 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)에 따라 제 2 스캔 신호(Scan2)를 생성하여 게이트 라인으로 출력한다.The second transistor T2 outputs the second scan signal Scan2 to the drain electrode. When the second transistor T2 is turned on according to the voltage of the P node P, the voltage of the second gate clock signal GCLK2 is transferred to the drain electrode of the second transistor T2. Accordingly, the second transistor T2 generates the second scan signal Scan2 according to the second gate clock signal GCLK2 and outputs it to the gate line.

이에 따라, 제 2 스캔 신호(Scan2)를 생성하기 위해서 제 2 트랜지스터(T2)를 배치하는 것 이외에, 별도의 신호 또는 전원을 추가로 생성할 필요가 없다. 따라서, 스테이지(STA) 상에서 별도의 신호를 생성하기 위한 구성 요소들을 부가하지 않아도 된다. 이 경우 게이트 구동부의 면적 증가를 최소화할 수 있다.Accordingly, there is no need to additionally generate a separate signal or power other than disposing the second transistor T2 to generate the second scan signal Scan2 . Accordingly, it is not necessary to add components for generating a separate signal on the stage STA. In this case, an increase in the area of the gate driver may be minimized.

본 출원의 GIP 회로(GIP)는 제 3-1 및 3-2 트랜지스터(T3-1, T3-2), 제 4 내지 제 9 트랜지스터(T4~T9), 브릿지 전압 트랜지스터(Tbv), Q 노드 커패시터(CB), 및 QB 노드 커패시터(CQB)를 포함한다. 제 3-1 및 제 3-2 트랜지스터(T3-1, T3-2) 및 제 4 내지 제 9 트랜지스터(T4~T9)는 모두 P형 MOS 트랜지스터인 것으로 가정한다.The GIP circuit GIP of the present application includes 3-1 and 3-2 transistors T3-1 and T3-2, fourth to ninth transistors T4 to T9, a bridge voltage transistor Tbv, and a Q node capacitor. (CB), and a QB node capacitor (CQB). It is assumed that all of the 3-1 and 3-2 transistors T3-1 and T3-2 and the fourth to ninth transistors T4 to T9 are P-type MOS transistors.

제 3-1 및 제 3-2 트랜지스터(T3-1, T3-2)의 게이트 전극은 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 공급받는다. 제 3-1 트랜지스터(T3-1)의 소스 전극은 이전 스캔 신호(Scan_PRE)를 공급받는다. 제 3-1 트랜지스터(T3-1)의 드레인 전극은 제 3-2 트랜지스터(T3-2)의 소스 전극과 연결된다. 제 3-2 트랜지스터(T3-2)의 드레인 전극은 Q' 노드(Q')와 연결된다. Q' 노드(Q')는 Q 노드(Q)와 실질적으로 동일한 전압 상태를 유지한다.The gate electrodes of the 3-1 and 3-2 transistors T3-1 and T3-2 receive the second gate clock signal GCLK2. The source electrode of the 3-1 th transistor T3 - 1 receives the previous scan signal Scan_PRE. The drain electrode of the 3-1 th transistor T3-1 is connected to the source electrode of the 3-2 th transistor T3-2. The drain electrode of the 3-2 th transistor T3 - 2 is connected to the Q′ node Q′. The Q' node Q' maintains substantially the same voltage state as the Q node Q.

제 4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)를 공급받는다. 제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극은 Q' 노드(Q')와 연결된다. 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 제 5 트랜지스터(T5)와 연결된다.The gate electrode of the fourth transistor T4 receives the first gate clock signal GCLK1 . The source electrode of the fourth transistor T4 is connected to the Q' node Q'. The drain electrode of the fourth transistor T4 is connected to the fifth transistor T5 .

제 5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)와 연결된다. QB 노드(QB)는 Q 노드(Q)와 반대의 로직 레벨을 갖는다. 제 5 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 게이트 하이 전압(VGH)과 연결된다. 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 Q' 노드(Q')와 연결된다.The gate electrode of the fifth transistor T5 is connected to the QB node QB. The QB node QB has a logic level opposite to that of the Q node Q. The source electrode of the fifth transistor T5 is connected to the gate high voltage VGH. The drain electrode of the fifth transistor T5 is connected to the Q' node Q'.

제 6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 공급받는다. 제 6 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 게이트 로우 전압(VGL)과 연결된다. 제 6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 QB 노드(QB)와 연결된다.The gate electrode of the sixth transistor T6 receives the second gate clock signal GCLK2 . The source electrode of the sixth transistor T5 is connected to the gate low voltage VGL. The drain electrode of the sixth transistor T6 is connected to the QB node QB.

제 7 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 Q' 노드(Q')와 연결된다. 제 7 트랜지스터(T7)의 소스 전극은 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)을 공급받는다. 제 7 트랜지스터(T67의 드레인 전극은 QB 노드(QB)와 연결된다.The gate electrode of the seventh transistor T6 is connected to the Q′ node Q′. The source electrode of the seventh transistor T7 receives the second gate clock signal GCLK2 . The drain electrode of the seventh transistor T67 is connected to the QB node QB.

제 8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)와 연결된다. 제 8 트랜지스터(T8)의 소스 전극은 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)를 공급받는다. 제 8 트랜지스터(T8)의 드레인 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 출력한다.The gate electrode of the eighth transistor T8 is connected to the Q node Q. The source electrode of the eighth transistor T8 receives the first gate clock signal GCLK1 . The drain electrode of the eighth transistor T8 outputs the first scan signal Scan1 .

제 9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)와 연결된다. 제 9 트랜지스터(T9)의 소스 전극은 게이트 하이 전압(VGH)과 연결된다. 제 9 트랜지스터(T9)의 드레인 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 출력한다.The gate electrode of the ninth transistor T9 is connected to the QB node QB. The source electrode of the ninth transistor T9 is connected to the gate high voltage VGH. The drain electrode of the ninth transistor T9 outputs the first scan signal Scan1 .

브릿지 전압 트랜지스터(Tbv)의 게이트 전극은 게이트 로우 전압(VGL)을 공급받는다. 이에 따라 브릿지 전압 트랜지스터(Tbv)는 항상 턴-온 상태이다. 브릿지 전압 트랜지스터(Tbv)의 소스 전극은 Q' 노드(Q')과 연결되고, 드레인 전극은 Q 노드(Q)와 연결된다. 브릿지 전압 트랜지스터(Tbv)는 Q' 노드(Q')와 Q 노드(Q)의 전압을 실질적으로 동일하게 유지한다. 브릿지 전압 트랜지스터(Tbv)는 Q' 노드(Q')에 가해진 정전기(ESD)가 Q 노드(Q)에 전달되는 것을 방지한다.The gate electrode of the bridge voltage transistor Tbv is supplied with the gate low voltage VGL. Accordingly, the bridge voltage transistor Tbv is always turned on. A source electrode of the bridge voltage transistor Tbv is connected to the Q' node Q', and a drain electrode of the bridge voltage transistor Tbv is connected to the Q node Q. The bridge voltage transistor Tbv maintains the voltages of the Q' node Q' and the Q node Q substantially the same. The bridge voltage transistor Tbv prevents static electricity ESD applied to the Q' node Q' from being transferred to the Q node Q.

Q 노드 커패시터(CB)는 Q 노드(Q)와 제 1 스캔 신호(Scan1)의 출력 노드 사이에 연결된다. Q 노드 커패시터(CB)는 Q 노드(Q)의 전압을 저장한다.The Q node capacitor CB is connected between the Q node Q and the output node of the first scan signal Scan1 . The Q node capacitor CB stores the voltage of the Q node Q.

QB 노드 커패시터(CQB)는 QB 노드(QB)와 게이트 하이 전압(VGH)의 입력 노드 사이에 연결된다. QB 노드 커패시터(CQB)는 QB 노드(QB)의 전압을 저장한다.The QB node capacitor CQB is connected between the QB node QB and the input node of the gate high voltage VGH. The QB node capacitor CQB stores the voltage of the QB node QB.

도 6을 참고하여 본 출원의 스테이지(STA)에 따른 GIP 회로(GIP)의 배치 구조를 설명하기로 한다. 본 좌우 양측의 GIP 회로에서 동일한 게이트 라인에 동일한 스캔 신호를 공급한다. 즉, 동일한 게이트 라인의 양 쪽에서 신호를 공급하는 구조인 더블 피딩(Double Feeding) 구조를 적용한다.An arrangement structure of the GIP circuit GIP according to the stage STA of the present application will be described with reference to FIG. 6 . The same scan signal is supplied to the same gate line in the left and right GIP circuits. That is, a double-feeding structure, which is a structure in which signals are supplied from both sides of the same gate line, is applied.

이를 정리하면, 본 출원에 따른 스테이지(STA)는 임의의 게이트 라인의 양 측에 배치되고, 양 측에서 동일한 게이트 라인에 동일한 스캔 신호를 공급한다. 이 경우 표시패널(10) 내의 화소(P)들 중 양 측에 배치된 화소들 간의 스캔 신호 지연 또는 왜곡 현상을 최소화할 수 있다.In summary, the stage STA according to the present application is disposed on both sides of an arbitrary gate line, and supplies the same scan signal to the same gate line from both sides. In this case, a scan signal delay or distortion between pixels disposed on both sides of the pixels P in the display panel 10 may be minimized.

이 때, 본 출원에 따른 유기발광 표시장치는 임의의 게이트 라인의 일 측에 배치된 스테이지에 GIP 회로(GIP1~GIP4)가 배치된 경우, 그 게이트 라인의 타 측에 배치된 스테이지에는 제 2 트랜지스터(T21~T23)가 배치된다.At this time, in the organic light emitting display device according to the present application, when the GIP circuits GIP1 to GIP4 are disposed on a stage disposed on one side of an arbitrary gate line, the second transistor is disposed on the stage disposed on the other side of the gate line. (T21 to T23) are arranged.

즉, 비표시영역(NDA) 중 좌측에 배치된 제 1 게이트 구동부(11)의 최상부에는 제 1 GIP 회로(GIP1)가 배치되고, 그와 연결된 제 21 트랜지스터(T21)가 배치될 것이고, 그 하부에는 제 3 GIP 회로(GIP3)가 배치되고, 다시 제 3 GIP 회로(GIP3)과 연결된 제 23 트랜지스터(T23)가 배치된다.That is, the first GIP circuit GIP1 is disposed on the uppermost portion of the first gate driver 11 disposed on the left side of the non-display area NDA, and the 21st transistor T21 connected thereto is disposed, and a lower portion thereof is disposed. A third GIP circuit GIP3 is disposed on the , and a twenty-third transistor T23 connected to the third GIP circuit GIP3 is disposed again.

이 때, 비표시영역(NDA) 중 제 21 트랜지스터(T21)가 연결된 게이트 라인의 타 측에 제 2 GIP 회로(GIP2)가 배치된다. 또한, 제 3 GIP 회로(GIP3)가 연결된 게이트 라인의 타 측에는 제 2 GIP 회로(GIP2)와 연결된 제 2 트랜지스터(T22)가 배치된다. 또한, 제 23 트랜지스터(T23)가 연결된 게이트 라인의 타 측에 제 4 GIP 회로(GIP4)가 배치된다.In this case, the second GIP circuit GIP2 is disposed on the other side of the gate line to which the twenty-first transistor T21 is connected in the non-display area NDA. In addition, the second transistor T22 connected to the second GIP circuit GIP2 is disposed on the other side of the gate line to which the third GIP circuit GIP3 is connected. Also, a fourth GIP circuit GIP4 is disposed on the other side of the gate line to which the twenty-third transistor T23 is connected.

본 출원에 따른 유기발광 표시장치는 GIP 회로(GIP)와, GIP 회로(GIP) 대신 면적을 감소시키기 위해 대체적으로 배치한 제 2 트랜지스터(T2)를 양 측에서 교대로 배치되도록 한다. 이에 따라, 본 출원에 따른 유기발광 표시장치는 양 측의 게이트 구동부의 면적을 동일하게 하고, GIP 회로(GIP)가 중첩되게 배치되거나 양 측 모두 GIP 회로(GIP)가 배치된 부분이 발생하여 비표시영역(NDA)의 면적이 특정 부분에서 증가하게 되는 문제를 방지할 수 있다.In the organic light emitting display device according to the present application, the GIP circuit GIP and the second transistor T2 generally arranged to reduce an area instead of the GIP circuit GIP are alternately arranged on both sides. Accordingly, in the organic light emitting display device according to the present application, the area of the gate driver on both sides is the same, and the GIP circuits GIP are disposed overlappingly, or portions in which the GIP circuits GIP are disposed on both sides occur. A problem in which the area of the display area NDA increases in a specific portion may be prevented.

도 7을 참고하여 스테이지(STA)의 구동을 설명하기로 한다. 상술한 바와 같이, 스테이지(STA)를 구성하는 모든 트랜지스터들은 P 형 MOS 트랜지스터들이다. 이에 따라, 하이 로직 레벨인 제 1 로직 레벨(L1)을 게이트 전극에 입력받는 경우 트랜지스터들은 턴-오프 된다. 또한, 로우 로직 레벨인 제 2 로직 레벨(L2)을 게이트 전극에 입력받는 경우, 트랜지스터들은 턴-온 된다.The operation of the stage STA will be described with reference to FIG. 7 . As described above, all transistors constituting the stage STA are P-type MOS transistors. Accordingly, when the first logic level L1, which is a high logic level, is input to the gate electrode, the transistors are turned off. Also, when the second logic level L2, which is a low logic level, is input to the gate electrode, the transistors are turned on.

제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2)는 교번하면서 입력된다. 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)가 제 2 로직 레벨일 때, 이전 스캔 신호(Scan_PRE)가 제 2 로직 레벨(L2)로 변화하는 경우, 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)에 의하여 Q 노드(Q)의 전압(VQ)이 제 2 로직 레벨(L2)로 변화한다. 이는 제 3-1 트랜지스터 및 제 3-2 트랜지스터(T3-1, T3-2)가 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)에 의해 턴-온 된 상태에서 이전 스캔 신호(Scan_PRE)를 Q 노드(Q)에 전달하였기 때문이다.The first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2 are alternately input. When the previous scan signal Scan_PRE changes to the second logic level L2 when the second gate clock signal GCLK2 is at the second logic level, the Q node Q by the second gate clock signal GCLK2 voltage VQ changes to the second logic level L2. In this case, the previous scan signal Scan_PRE is applied to the Q node Q while the 3-1 th transistor and the 3-2 th transistor T3-1 and T3-2 are turned on by the second gate clock signal GCLK2. because it has been forwarded to

본 출원의 제 3-1 및 제 3-2 트랜지스터(T3-1, T3-2)는 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)와 이전 스캔 신호(Scan_PRE)를 공급받고 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)에 의해 턴-온 되어 Q 노드(Q)의 전압(VQ)을 이전 스캔 신호(Scan_PRE)와 동일하게 설정할 수 있다. 이 경우 이전 스테이지의 출력을 이용하여 Q 노드(Q)의 전압(VQ)을 설정하여 현재 스테이지의 출력을 제어할 수 있어, 순차적인 스캔 신호의 출력이 가능하게 할 수 있다.The 3-1 and 3-2 transistors T3-1 and T3-2 of the present application receive the second gate clock signal GCLK2 and the previous scan signal Scan_PRE, and receive the second gate clock signal GCLK2. The voltage VQ of the Q node Q may be set to be the same as the previous scan signal Scan_PRE. In this case, the output of the current stage may be controlled by setting the voltage VQ of the Q node Q using the output of the previous stage, thereby enabling the sequential output of the scan signal.

본 출원의 제 1 스캔 신호(Scan1)는 Q 노드(Q)의 전압을 제 2 로직 레벨(L2) 보다 낮은 제 3 로직 레벨(L3)로 변화시키는 시점과 동시에 출력된다. 이에 따라, 본 출원의 제 8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)와 연결되어, 제 3 로직 레벨(L3)을 공급받았을 때 제 1 게이트 클럭 신호(GCLK1)를 더욱 강하게 드레인 전극으로 전달하여 제 1 스캔 신호(Scan1)를 보다 확실하게 출력할 수 있다. 제 1 및 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK1, GCLK2)가 교번하면서 이와 같이 Q 노드(Q)의 전압이 추가적으로 하강하는 것이다. 이와 같이, 트랜지스터의 게이트 전압을 보다 낮게 하여 드레인 전극으로 출력을 상승시키는 방법은 부트스트랩(Bootstrap)이라고 통칭한다.The first scan signal Scan1 of the present application is output at the same time the voltage of the Q node Q is changed to the third logic level L3 lower than the second logic level L2. Accordingly, the gate electrode of the eighth transistor T8 of the present application is connected to the Q node Q to more strongly transmit the first gate clock signal GCLK1 to the drain electrode when the third logic level L3 is supplied. It is possible to more reliably output the first scan signal Scan1. As the first and second gate clock signals GCLK1 and GCLK2 alternate, the voltage of the Q node Q is further decreased as described above. As described above, the method of increasing the output to the drain electrode by lowering the gate voltage of the transistor is commonly referred to as bootstrap.

이와 동일한 원리로, 본 출원의 제 2 스캔 신호(Scan2)는 P 노드(P)의 전압을 제 2 로직 레벨(L2) 보다 낮은 제 3 로직 레벨(L3)로 변화시키는 시점과 동시에 출력된다. 이에 따라, 본 출원의 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 P 노드(P)와 연결되어, 제 3 로직 레벨(L3)을 공급받았을 때 제 2 게이트 클럭 신호(GCLK2)를 더욱 강하게 드레인 전극으로 전달하여 제 2 스캔 신호(Scan2)를 보다 확실하게 출력할 수 있다.According to the same principle, the second scan signal Scan2 of the present application is output at the same time when the voltage of the P node P is changed to the third logic level L3 lower than the second logic level L2. Accordingly, the gate electrode of the second transistor T2 of the present application is connected to the P node P, and when the third logic level L3 is supplied, the second gate clock signal GCLK2 is more strongly applied to the drain electrode. It is possible to more reliably output the second scan signal Scan2.

본 출원에서 사용하는 GIP 회로(GIP)의 구조는 도 5 내지 도 7을 결부하여 설명한 GIP 회로(GIP)에 한정되지 않는다. 본 출원은 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)를 여러 가지 방식으로 구현된 GIP 회로(GIP)와 연결하여, 2개의 GIP 회로(GIP)들을 배치한 것과 동일한 신호를 출력할 수 있다.The structure of the GIP circuit (GIP) used in the present application is not limited to the GIP circuit (GIP) described in connection with FIGS. 5 to 7 . In the present application, the first and second transistors T1 and T2 may be connected to the GIP circuit GIP implemented in various ways to output the same signal as the arrangement of the two GIP circuits GIP.

도 8은 본 출원의 다른 예에 따른 스테이지(STA)의 블록도이다. 본 출원의 다른 예에 따른 제 1 및 제 2 게이트 구동부(11)는 복수의 스테이지(STA)들을 갖는다. 스테이지(STA) 각각은 하나의 GIP 회로(GIP)와, 그 GIP 회로(GIP)에 연결된 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)로 이루어진다. 스테이지(STA)는 스타트 신호, 리셋 신호, 및 제 1 내지 제 3 클럭 신호들을 입력받는다. 스테이지(STA)는 제 1 및 제 2 스캔 신호(Scan1, Scan2)를 출력한다. 이하의 설명에서 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)는 P형 MOS 트랜지스터인 것을 가정하여 설명하기로 한다.8 is a block diagram of a stage STA according to another example of the present application. The first and second gate drivers 11 according to another example of the present application have a plurality of stages STAs. Each of the stages STA includes one GIP circuit GIP and first and second transistors T1 and T2 connected to the GIP circuit GIP. The stage STA receives a start signal, a reset signal, and first to third clock signals. The stage STA outputs the first and second scan signals Scan1 and Scan2. In the following description, it will be assumed that the first and second transistors T1 and T2 are P-type MOS transistors.

또한, 이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 임의의 스테이지의 앞에 위치한 스테이지를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 임의의 스테이지의 뒤에 위치한 스테이지를 지시한다.In addition, in the following description, a "front stage stage" indicates a stage located in front of any stage serving as a reference. A "rear stage" indicates a stage located behind any stage serving as a reference.

GIP 회로(GIP)에는 스타트 신호가 공급되는 스타트 신호 라인(STL), 리셋 신호가 공급되는 리셋 라인(RL), 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들이 공급되는 제 1 내지 제 3 클럭 라인들(CL1~CL3), 직류 전원 전압이 공급되는 전원 전압 라인(VSSL)이 연결된다. 스타트 신호, 리셋 신호, 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들은 타이밍 제어부(30)로부터 공급되며, 전원 전압은 전원 공급원으로부터 공급될 수 있다.The GIP circuit GIP includes a start signal line STL to which a start signal is supplied, a reset line RL to which a reset signal is supplied, and first to third clock lines CL1 to which first to third gate clock signals are supplied. ~CL3), a power supply voltage line (VSSL) to which a DC power voltage is supplied is connected. The start signal, the reset signal, and the first to third gate clock signals may be supplied from the timing controller 30 , and a power voltage may be supplied from a power supply.

GIP 회로(GIP)는 스타트 단자(ST), 리셋 단자(RT), 전단 캐리 신호 입력 단자(PT), 후단 캐리 신호 입력 단자(NT), 제 1 내지 제 3 클럭 단자들(CT1~CT3), 전원 전압 단자(VSST), 및 출력 단자(OT)를 포함한다.The GIP circuit GIP includes a start terminal ST, a reset terminal RT, a previous carry signal input terminal PT, a rear carry signal input terminal NT, first to third clock terminals CT1 to CT3, and a power supply voltage terminal VSST and an output terminal OT.

스타트 단자(ST)는 스타트 신호 라인(STL) 또는 전단 스테이지의 출력 단자(OT)에 접속된다. 스타트 단자(ST)는 스타트 신호 라인(STL)의 스타트 신호, 또는 전단 스테이지에서 출력한 제 1 스캔 신호(Scan1)를 입력받는다.The start terminal ST is connected to the start signal line STL or the output terminal OT of the previous stage. The start terminal ST receives the start signal of the start signal line STL or the first scan signal Scan1 output from the previous stage.

리셋 단자(RT)는 리셋 신호 라인(RL)에 접속된다. 리셋 단자(RT)는 리셋 신호를 입력받는다.The reset terminal RT is connected to the reset signal line RL. The reset terminal RT receives a reset signal.

전단 캐리 신호 입력 단자(PT)는 전단 캐리 신호 라인(PL)에 접속될 수 있다. 전단 캐리 신호 라인은 전단 스테이지의 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극에서 연장된 라인이다. 전단 캐리 신호 입력 단자(PT)는 전단 스테이지에서 출력한 제 2 스캔 신호(Scan2)를 입력받는다.The previous carry signal input terminal PT may be connected to the previous carry signal line PL. The previous carry signal line is a line extending from the drain electrode of the second transistor T2 of the previous stage. The previous carry signal input terminal PT receives the second scan signal Scan2 output from the previous stage.

후단 캐리 신호 입력 단자(NT)는 후단 캐리 신호 라인(NL)에 접속될 수 있다. 후단 캐리 신호 라인은 후단 스테이지의 출력 단자(OT)에서 연장된 라인이다. 후단 캐리 신호 입력 단자(NT)는 후단 스테이지에서 출력한 제 1 스캔 신호(Scan1)를 입력받는다.The rear carry signal input terminal NT may be connected to the rear carry signal line NL. The rear-end carry signal line is a line extending from the output terminal OT of the rear-stage stage. The rear carry signal input terminal NT receives the first scan signal Scan1 output from the rear stage.

제 1 내지 제 3 클럭 단자들(CT1-CT3) 각각은 제 1 내지 3 클럭 라인들(CL1-CL3)에 접속된다. 제 1 내지 3 클럭 라인들(CL1-CL3) 각각에는 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들이 공급된다. 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들은 고속 구동시 충분한 충전시간 확보를 위해 순차적으로 위상이 지연되는 i(i는 4 이상의 자연수) 상 클럭 신호들로 구현되는 것이 바람직하다. 본 출원에서는 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들이 소정의 기간만큼 중첩되고 순차적으로 위상이 지연되는 8상 클럭 신호들의 일부인 것으로 가정하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들 각각은 소정의 주기를 갖고 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다.Each of the first to third clock terminals CT1 to CT3 is connected to the first to third clock lines CL1 to CL3 . First to third gate clock signals are supplied to each of the first to third clock lines CL1 to CL3 . Preferably, the first to third gate clock signals are implemented as i (i is a natural number equal to or greater than 4) phase clock signals whose phases are sequentially delayed in order to secure sufficient charging time during high-speed driving. In the present application, it is assumed that the first to third gate clock signals are part of the eight-phase clock signals that overlap by a predetermined period and are sequentially delayed in phase, but it should be noted that the present application is not limited thereto. Each of the first to third gate clock signals has a predetermined period and swings between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL.

전원 전압 단자(VSST)는 전원 전압 라인(VSSL)에 접속된다. 전원 전압 단자(VSST)는 직류 전압인 전원 전압을 공급받는다.The power supply voltage terminal VSST is connected to the power supply voltage line VSSL. The power voltage terminal VSST is supplied with a power voltage that is a DC voltage.

출력 단자(OT)는 제 1 게이트 라인에 접속된다. 출력 단자(OT)는 제 1 게이트 라인으로 제 1 스캔 신호(Scan1)를 출력한다. 또한, 출력 단자(OT)는 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속된다.The output terminal OT is connected to the first gate line. The output terminal OT outputs the first scan signal Scan1 to the first gate line. Also, the output terminal OT is connected to the source electrode of the first transistor T1 .

제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 1 클럭 라인(CL1)과 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 1 게이트 클럭 신호를 입력받는다. 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 GIP 회로(GIP)의 출력 단자(OT)와 접속된다. 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 입력받는다. 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 연결된 P 노드(P)에 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 제 1 스캔 신호(Scan1)를 이용하여 P 노드(P)의 전압의 크기를 설정한다.The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the first clock line CL1 . The gate electrode of the first transistor T1 receives the first gate clock signal. The source electrode of the first transistor T1 is connected to the output terminal OT of the GIP circuit GIP. The source electrode of the first transistor T1 receives the first scan signal Scan1. The drain electrode of the first transistor T1 is connected to the P node P connected to the gate electrode of the second transistor T2 . The first transistor T1 sets the voltage of the P node P by using the first scan signal Scan1 according to the first gate clock signal.

제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 P 노드(P)와 연결된다. 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 P 노드(P)의 전압을 입력받는다. 제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 제 2 클럭 라인(CL2)과 연결된다. 제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 제 2 게이트 클럭 신호를 입력받는다. 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 제 2 스캔 신호(Scan2)를 출력한다. 제 2 트랜지스터(T2)는 P 노드(P)의 전압에 따라 제 2 게이트 클럭 신호를 이용하여 제 2 스캔 신호(Scan2)를 출력한다.The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the P node P. The gate electrode of the second transistor T2 receives the voltage of the P node P. The source electrode of the second transistor T2 is connected to the second clock line CL2 . The source electrode of the second transistor T2 receives the second gate clock signal. The drain electrode of the second transistor T2 outputs the second scan signal Scan2. The second transistor T2 outputs the second scan signal Scan2 using the second gate clock signal according to the voltage of the P node P.

도 9는 본 출원의 다른 예에 따른 GIP 회로(GIP)를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 10은 도 9의 GIP 회로(GIP)의 스타트 단자, 전단 출력신호 입력 단자에 입력되는 신호들, 클럭 신호들, 풀-업 노드의 전압, 및 게이트 신호들을 보여주는 파형도이다. 도 9 및 도 10을 결부하여 GIP 회로(GIP)의 구조 및 구동에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.9 is a detailed circuit diagram illustrating a GIP circuit (GIP) according to another example of the present application. FIG. 10 is a waveform diagram showing signals input to a start terminal, a previous output signal input terminal, clock signals, voltages of a pull-up node, and gate signals of the GIP circuit GIP of FIG. 9 . The structure and driving of the GIP circuit GIP will be described in more detail with reference to FIGS. 9 and 10 .

도 9에서는 설명의 편의를 위해 풀-업 노드는 Q 노드(NQ)이고, 풀-다운 노드는 QB 노드(NQB)인 것을 중심으로 설명하였다. 도 9을 참조하면, GIP 회로(GIP)는 풀-업 트랜지스터(TU), 풀-다운 트랜지스터(TD), 제1 노이즈 제거부(100), 제2 노이즈 제거부(200), Q 노드 충방전부(300), Q 노드 리셋부(400), 출력단자 노이즈 제거부(500), 및 부스팅 커패시터(CB)를 포함한다. 또한, 이하의 설명에서 풀-업 트랜지스터(TU) 및 풀-다운 트랜지스터(TD)는 N형 MOS 트랜지스터인 것을 가정하여 설명하기로 한다.In FIG. 9 , for convenience of explanation, it has been mainly described that the pull-up node is a Q node (NQ) and the pull-down node is a QB node (NQB). Referring to FIG. 9 , the GIP circuit GIP includes a pull-up transistor TU, a pull-down transistor TD, a first noise removing unit 100 , a second noise removing unit 200 , and a Q node charging/discharging unit. 300 , a Q node reset unit 400 , an output terminal noise removing unit 500 , and a boosting capacitor CB. In addition, in the following description, it will be assumed that the pull-up transistor TU and the pull-down transistor TD are N-type MOS transistors.

풀-업 트랜지스터(TU)의 게이트 전극은 Q 노드(NQ)에 접속되고, 드레인 전극은 제 1 클럭 단자(CT1)에 접속되고, 소스 전극은 출력 단자(OT)에 접속된다. 풀-업 트랜지스터(TU)는 Q 노드(NQ)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 제 1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭 신호를 출력 단자(OT)로 공급한다. 풀-업 트랜지스터(TU)가 Q 노드(NQ)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되고 게이트 온 전압의 클럭 신호가 제 1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 경우, 게이트 온 전압의 게이트 신호가 출력 단자(OT)로 출력될 수 있다.The gate electrode of the pull-up transistor TU is connected to the Q node NQ, the drain electrode is connected to the first clock terminal CT1, and the source electrode is connected to the output terminal OT. The pull-up transistor TU is turned on by the gate-on voltage of the Q node NQ and supplies a clock signal input to the first clock terminal CT1 to the output terminal OT. When the pull-up transistor TU is turned on by the gate-on voltage of the Q node NQ and a clock signal of the gate-on voltage is input to the first clock terminal CT1, the gate signal of the gate-on voltage is output It may be output to the terminal OT.

풀-다운 트랜지스터(TD)의 게이트 전극은 제 3 클럭 단자(CT3)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속되며, 소스 전극은 출력 단자(OT)에 접속될 수 있다. 풀-다운 트랜지스터(TD)는 QB 노드(NQB)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 전원 전압 단자(VSST)로 입력되는 전원 전압을 출력 단자(OT)로 공급한다. 풀-다운 트랜지스터(TD)가 QB 노드(NQB)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되는 경우, 게이트 오프 전압의 게이트 신호가 출력 단자(OT)로 출력될 수 있다. 이하에서는, 전원 전압 단자(VSST)로 입력되는 전원 전압이 게이트 오프 전압인 것으로 설명한다. 게이트 오프 전압은 게이트 라인들(G1~Gn)에 접속된 화소(P)들의 트랜지스터들을 턴-오프 시킬 수 있는 전압이고, 게이트 온 전압은 트랜지스터들을 턴-온 시킬 수 있는 전압이다. 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정될 수 있고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 설정될 수 있다.A gate electrode of the pull-down transistor TD may be connected to the third clock terminal CT3 , a drain electrode may be connected to the power supply voltage terminal VSST, and a source electrode may be connected to the output terminal OT. The pull-down transistor TD is turned on by the gate-on voltage of the QB node NQB and supplies the power voltage input to the power voltage terminal VSST to the output terminal OT. When the pull-down transistor TD is turned on by the gate-on voltage of the QB node NQB, a gate signal of the gate-off voltage may be output to the output terminal OT. Hereinafter, it will be described that the power voltage input to the power voltage terminal VSST is the gate-off voltage. The gate-off voltage is a voltage that can turn off the transistors of the pixels P connected to the gate lines G1 to Gn, and the gate-on voltage is a voltage that can turn on the transistors. The gate-on voltage may be set as the gate high voltage VGH, and the gate-off voltage may be set as the gate low voltage VGL.

제1 노이즈 제거부(100)는 제 1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭 신호에 따라 Q 노드(NQ)의 노이즈를 제거한다. 제 1 노이즈 제거부(100)는 제 1 내지 제 4 스위칭 소자들(SW1-SW4)을 포함할 수 있다. 이하의 설명에서, GIP 회로(GIP) 내에 마련된 스위칭 소자들은 모두 N형 MOS 트랜지스터들로 구현되는 것을 가정하여 설명하기로 한다.The first noise removing unit 100 removes the noise of the Q node NQ according to the clock signal input to the first clock terminal CT1 . The first noise removing unit 100 may include first to fourth switching elements SW1-SW4. In the following description, it is assumed that all of the switching elements provided in the GIP circuit GIP are implemented with N-type MOS transistors.

제 1 스위칭 소자(SW1)의 게이트 전극은 제 1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(NQ)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속될 수 있다. 제 1 스위칭 소자(SW1)는 제 1 노드(N1)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 Q 노드(NQ)를 전원 전압 단자(VSST)에 접속시킨다. 제 1 스위칭 소자(SW1)가 턴-온 되는 경우 Q 노드(NQ)에는 게이트 오프 전압이 공급되므로, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-오프 될 수 있다.The gate electrode of the first switching element SW1 may be connected to the first node N1 , the source electrode may be connected to the Q node NQ , and the drain electrode may be connected to the power supply voltage terminal VSST. The first switching element SW1 is turned on by the gate-on voltage of the first node N1 to connect the Q node NQ to the power supply voltage terminal VSST. When the first switching element SW1 is turned on, a gate-off voltage is supplied to the Q node NQ, so that the pull-up transistor TU may be turned off.

제 2 스위칭 소자(SW2)의 게이트 전극과 드레인 전극은 제 1 클럭 단자(CT1)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 즉, 제 2 스위칭 소자(SW2)는 다이오드(diode) 접속될 수 있다. 제 2 스위칭 소자(SW2)는 제 1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 클럭 신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 제 1 노드(N1)에 게이트 온 전압을 공급한다. 제 2 스위칭 소자(SW2)가 턴-온 되는 경우 제 1 노드(N1)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 제 1 스위칭 소자(SW1)는 턴-온 될 수 있다.A gate electrode and a drain electrode of the second switching element SW2 may be connected to the first clock terminal CT1 , and a source electrode may be connected to the first node N1 . That is, the second switching element SW2 may be diode-connected. The second switching element SW2 is turned on by the gate-on voltage of the clock signal input to the first clock terminal CT1 to supply the gate-on voltage to the first node N1 . When the second switching element SW2 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the first node N1 , so that the first switching element SW1 may be turned on.

제 3 스위칭 소자(SW3)의 게이트 전극은 Q 노드(NQ)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 제 3 스위칭 소자(SW3)는 Q 노드(NQ)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 제 1 노드(N1)를 전원 전압 단자(VSST)에 접속시킨다. 제 3 스위칭 소자(SW3)가 턴-온 되는 경우 제 1 노드(N1)에 게이트 오프 전압이 공급되며, 이로 인해 제 1 트랜지스터(SW1)는 턴-오프될 수 있다.A gate electrode of the third switching element SW3 may be connected to the Q node NQ, a drain electrode may be connected to the power supply voltage terminal VSST, and a source electrode may be connected to the first node N1 . The third switching element SW3 is turned on by the gate-on voltage of the Q node NQ to connect the first node N1 to the power supply voltage terminal VSST. When the third switching element SW3 is turned on, a gate-off voltage is applied to the first node N1 , thereby turning off the first transistor SW1 .

제 4 스위칭 소자(SW4)의 게이트 전극은 QB 노드(NQB)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속되며, 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 제 4 스위칭 소자(SW4)는 QB 노드(NQB)의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 제 1 노드(N1)를 전원 전압 단자(VSST)에 접속시킨다. 제 4 스위칭 소자(SW4)가 턴-온 되는 경우 제 1 노드(N1)에 게이트 오프 전압이 공급되며, 이로 인해 제 1 스위칭 소자(SW1)는 턴-오프 될 수 있다.A gate electrode of the fourth switching element SW4 may be connected to the QB node NQB, a drain electrode may be connected to the power voltage terminal VSST, and a source electrode may be connected to the first node N1 . The fourth switching element SW4 is turned on by the gate-on voltage of the QB node NQB to connect the first node N1 to the power supply voltage terminal VSST. When the fourth switching element SW4 is turned on, a gate-off voltage is applied to the first node N1 , whereby the first switching element SW1 may be turned off.

제 2 노이즈 제거부(200)는 제 2 클럭 단자(CT2)로 입력되는 클럭 신호에 따라 Q 노드(NQ)의 노이즈를 제거한다. 제 2 노이즈 제거부(200)는 제 5 스위칭 소자(SW5)를 포함할 수 있다.The second noise removing unit 200 removes the noise of the Q node NQ according to the clock signal input to the second clock terminal CT2 . The second noise removing unit 200 may include a fifth switching element SW5 .

제 5 스위칭 소자(SW5)의 게이트 전극은 제 2 클럭 단자(CT2)에 접속되고, 드레인 전극은 전단 출력 신호 입력 단자(PT)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(NQ)에 접속될 수 있다. 제 5 스위칭 소자(SW5)는 제 2 클럭 단자(CT2)로 입력되는 클럭 신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온되어 Q 노드(NQ)를 전단 출력 신호 입력 단자(PT)에 접속시킨다. 제 5 스위칭 소자(SW5)가 턴-온 되는 경우, Q 노드(NQ)에 전단 출력 신호 입력 단자(PT)로부터 입력되는 전단 스테이지의 제 2 스캔 신호(Scan2)의 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압이 공급될 수 있다. 제 5 스위칭 소자(SW5)가 턴-온 되어 Q 노드(NQ)에 게이트 오프 전압이 공급되는 경우, Q 노드(NQ)의 노이즈는 제거될 수 있다.A gate electrode of the fifth switching element SW5 may be connected to the second clock terminal CT2 , a drain electrode may be connected to the previous output signal input terminal PT, and a source electrode may be connected to the Q node NQ. . The fifth switching element SW5 is turned on by the gate-on voltage of the clock signal input to the second clock terminal CT2 to connect the Q node NQ to the previous stage output signal input terminal PT. When the fifth switching element SW5 is turned on, the gate-on voltage or gate-off voltage of the second scan signal Scan2 of the previous stage input from the previous stage output signal input terminal PT to the Q node NQ is can be supplied. When the fifth switching element SW5 is turned on and the gate-off voltage is supplied to the Q node NQ, noise of the Q node NQ may be removed.

Q 노드 충방전부(300)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호에 따라 Q 노드(NQ)를 게이트 온 전압으로 충전하거나, 후단 출력 신호 입력 단자(NT)로 입력되는 후단 출력 신호에 따라 Q 노드(NQ)를 게이트 오프 전압으로 방전한다. Q 노드 충방전부(300)는 제 6 및 제 7 스위칭 소자들(SW6, SW7)을 포함할 수 있다.The Q node charging/discharging unit 300 charges the Q node NQ to a gate-on voltage according to a start signal input to the start terminal ST, or Q according to the output signal input to the rear output signal input terminal NT. The node NQ is discharged to a gate-off voltage. The Q node charging/discharging unit 300 may include sixth and seventh switching elements SW6 and SW7.

제 6 스위칭 소자(SW6)의 게이트 전극과 드레인 전극은 스타트 단자(ST)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(NQ)에 접속될 수 있다. 즉, 제6 스위칭 소자(SW6)는 다이오드 접속될 수 있다. 제 6 스위칭 소자(SW6)는 스타트 단자(ST)로 입력되는 스타트 신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 Q 노드(NQ)에 게이트 온 전압을 공급한다. 제 6 스위칭 소자(SW6)가 턴-온 되는 경우 Q 노드(NQ)에는 게이트 온 전압이 공급되므로, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-온 될 수 있다.The gate electrode and the drain electrode of the sixth switching element SW6 may be connected to the start terminal ST, and the source electrode may be connected to the Q node NQ. That is, the sixth switching element SW6 may be diode-connected. The sixth switching element SW6 is turned on by the gate-on voltage of the start signal input to the start terminal ST to supply the gate-on voltage to the Q node NQ. When the sixth switching element SW6 is turned on, the gate-on voltage is supplied to the Q node NQ, so that the pull-up transistor TU may be turned on.

제 7 스위칭 소자(SW7)의 게이트 전극은 후단 출력 신호 입력 단자(NT)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속되며, 소스 전극은 Q 노드(NQ)에 접속될 수 있다. 제 7 스위칭 소자(SW7)는 후단 출력 신호 입력 단자(NT)로 입력되는 후단 출력 신호의 게이트 온 전압에 의해 턴-온 되어 Q 노드(NQ)에 게이트 오프 전압을 공급한다. 제 7 스위칭 소자(SW7)가 턴-온 되는 경우 Q 노드(NQ)에는 게이트 오프 전압이 공급되므로, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-오프될 수 있다.A gate electrode of the seventh switching element SW7 may be connected to the rear output signal input terminal NT, a drain electrode may be connected to a power supply voltage terminal VSST, and a source electrode may be connected to the Q node NQ. The seventh switching element SW7 is turned on by the gate-on voltage of the rear-end output signal input to the rear-end output signal input terminal NT to supply the gate-off voltage to the Q node NQ. When the seventh switching element SW7 is turned on, a gate-off voltage is supplied to the Q node NQ, so that the pull-up transistor TU may be turned off.

Q 노드 리셋부(400)는 리셋 단자(RT)로 입력되는 리셋 신호에 따라 Q 노드(NQ)를 게이트 오프 전압으로 리셋한다. Q 노드 리셋부(400)는 제 8 스위칭 소자(SW8)를 포함할 수 있다.The Q node reset unit 400 resets the Q node NQ to a gate-off voltage according to a reset signal input to the reset terminal RT. The Q node reset unit 400 may include an eighth switching element SW8.

제 8 스위칭 소자(SW8)의 게이트 전극은 리셋 단자(RT)에 접속되고, 드레인 전극은 전원 전압 단자(VSST)에 접속되며, 소스 전극은 Q 노드(NQ)에 접속될 수 있다. 제 8 스위칭 소자(SW8)는 리셋 단자(RT)로 입력되는 리셋 신호의 게이트 온 전압에 따라 Q 노드(NQ)를 전원 전압 단자(VSST)에 접속시킨다. 제 8 스위칭 소자(SW8)가 턴-온 되는 경우 Q 노드(NQ)는 게이트 오프 전압으로 리셋될 수 있다.The gate electrode of the eighth switching element SW8 may be connected to the reset terminal RT, the drain electrode may be connected to the power supply voltage terminal VSST, and the source electrode may be connected to the Q node NQ. The eighth switching element SW8 connects the Q node NQ to the power supply voltage terminal VSST according to the gate-on voltage of the reset signal input to the reset terminal RT. When the eighth switching element SW8 is turned on, the Q node NQ may be reset to a gate-off voltage.

출력 단자 노이즈 제거부(500)는 출력 단자(OT)의 전압에 따라 출력 단자(OT)를 제 1 클럭 단자(CT1)에 접속시켜 출력 단자(OT)의 노이즈를 제거한다. 출력 단자 노이즈 제거부(500)는 제 9 스위칭 소자(SW9)를 포함할 수 있다.The output terminal noise removing unit 500 removes the noise of the output terminal OT by connecting the output terminal OT to the first clock terminal CT1 according to the voltage of the output terminal OT. The output terminal noise removing unit 500 may include a ninth switching element SW9.

제 9 스위칭 소자(SW9)의 게이트 전극과 소스 전극이 출력 단자(OT)에 접속되고, 드레인 전극이 제 1 클럭 단자(CT1)에 접속된다. 즉, 제 9 스위칭 소자(SW9)는 다이오드 접속될 수 있다. 제 9 스위칭 소자(SW9)는 출력 단자(OT)의 전압이 제 1 클럭 단자(CT1)로 입력되는 제 1 게이트 클럭 신호의 전압과 제 9 스위칭 소자(SW9)의 문턱 전압의 합보다 높아지는 경우, 출력 단자(OT)를 제 1 클럭 단자(CT1)에 접속시킨다. 따라서, 출력 단자(OT)에 노이즈가 발생하여 출력 단자(OT)의 전압이 제 1 클럭 단자(OT)로 입력되는 제 1 게이트 클럭 신호의 게이트 오프 전압과 제 9 스위칭 소자(SW9)의 문턱 전압의 합보다 높아지는 경우, 출력 단자(OT)의 노이즈는 제 1 클럭 단자(OT)로 방전될 수 있다.A gate electrode and a source electrode of the ninth switching element SW9 are connected to the output terminal OT, and a drain electrode of the ninth switching element SW9 is connected to the first clock terminal CT1 . That is, the ninth switching element SW9 may be diode-connected. When the voltage of the output terminal OT of the ninth switching element SW9 is higher than the sum of the voltage of the first gate clock signal input to the first clock terminal CT1 and the threshold voltage of the ninth switching element SW9, The output terminal OT is connected to the first clock terminal CT1. Accordingly, the gate-off voltage of the first gate clock signal input to the first clock terminal OT and the threshold voltage of the ninth switching element SW9 due to noise generated at the output terminal OT When it is higher than the sum of , the noise of the output terminal OT may be discharged to the first clock terminal OT.

부스팅 캐패시터(CB)는 출력 단자(OT)와 Q 노드(NQ) 사이에 접속된다. 부스팅 커패시터(CB)는 출력 단자(OT)와 Q 노드(NQ)의 차전압을 유지한다.The boosting capacitor CB is connected between the output terminal OT and the Q node NQ. The boosting capacitor CB maintains a voltage difference between the output terminal OT and the Q node NQ.

본 출원에 따른 유기발광 표시장치가 소비전력을 절감하기 위해 표시장치를 로우 리프레쉬 레이트 또는 가변 리프레쉬 레이트로 구동하거나, 스톱&스타트 구동하는 경우, 블랭크 기간(BP)이 길어질 수 있다. 이 경우, 본 출원에 따른 풀-업 트랜지스터(TU), 풀-다운 트랜지스터(TD), 및 제 1 내지 제 9 스위칭 소자(SW1~SW9)의 반도체 층은 산화물(oxide)로 구현되는 것이 바람직하다. 하지만, 풀-업 트랜지스터(TU), 풀-다운 트랜지스터(TD), 및 제 1 내지 제 9 스위칭 소자(SW1~SW9)의 반도체 층은 산화물에 한정되지 않으며, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 또는 폴리 실리콘(poly silicon, Poly-Si)으로도 형성될 수 있다.When the organic light emitting diode display according to the present application drives the display device at a low refresh rate or a variable refresh rate or stops and starts to reduce power consumption, the blank period BP may be increased. In this case, the semiconductor layers of the pull-up transistor TU, the pull-down transistor TD, and the first to ninth switching elements SW1 to SW9 according to the present application are preferably implemented with oxide. . However, the semiconductor layers of the pull-up transistor TU, the pull-down transistor TD, and the first to ninth switching elements SW1 to SW9 are not limited to oxide, and amorphous silicon (a-Si) ) or polysilicon (Poly-Si).

도 10에는 도 9의 GIP 회로(GIP)의 스타트 단자(ST)에 입력되는 스타트 신호(VST), 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들(CLK1~CLK3), Q 노드의 전압(VQ), 제 1 노드(N1)의 전압(VN1), 제 1 내지 제 3 스캔 신호(Scan1~Scan3)이 나타나 있다. 제 3 스캔 신호(Scan3)는 후단 스테이지의 제 1 스캔 신호이다.10 shows the start signal VST input to the start terminal ST of the GIP circuit GIP of FIG. 9 , the first to third gate clock signals CLK1 to CLK3 , the voltage VQ of the Q node, and the second The voltage VN1 of the first node N1 and the first to third scan signals Scan1 to Scan3 are shown. The third scan signal Scan3 is a first scan signal of a later stage.

스타트 신호(VST)는 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff) 사이에서 스윙한다. 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들(CLK1~CLK3)은 소정의 기간만큼 중첩되고 순차적으로 위상이 지연되는 4상 이상의 상을 갖는 클럭 신호들 중 일부의 신호로써 구현될 수 있다.The start signal VST swings between the gate-on voltage Von and the gate-off voltage Voff. The first to third gate clock signals CLK1 to CLK3 may be implemented as some of the clock signals having four or more phases overlapping by a predetermined period and sequentially delayed in phase.

제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들(CLK1~CLK3)은 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff) 사이에서 스윙한다. 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들(CLK1~CLK3) 각각은 2 단위 기간(t) 동안 게이트 온 전압(Von)을 갖고, 2 단위 기간(t) 동안 게이트 오프 전압(Voff)을 가질 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제 3 게이트 클럭 신호들(CLK1~CLK3) 각각은 1 단위 길이(t)만큼 서로 중첩될 수 있다. 1 단위 기간(t)은 표시패널(10)의 어느 한 게이트 라인에 접속된 화소들에 데이터 전압들이 공급되는 시간인 1 수평 라인 스캐닝 기간을 정의한다.The first to third gate clock signals CLK1 to CLK3 swing between the gate-on voltage Von and the gate-off voltage Voff. Each of the first to third gate clock signals CLK1 to CLK3 may have a gate-on voltage Von for two unit periods t and a gate-off voltage Voff for two unit periods t. In this case, each of the first to third gate clock signals CLK1 to CLK3 may overlap each other by one unit length t. One unit period t defines one horizontal line scanning period, which is a time during which data voltages are supplied to pixels connected to one gate line of the display panel 10 .

풀-업 기간(put)에는 GIP 회로(GIP)의 풀-업 노드인 Q 노드(NQ)가 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 풀-업 기간(put)에는 Q 노드(NQ)가 게이트 온 전압(Von)을 출력한다. 풀-다운 기간(pdt)에는 Q 노드(NQ)가 게이트 오프 전압(Voff)으로 방전된다. 풀-다운 기간(pdt)에는 풀-다운 노드인 QB 노드(NQB)가 게이트 온 전압(Von)으로 충전된다. 풀-다운 기간(pdt)에는 GIP 회로(GIP)가 게이트 오프 전압(Voff)을 출력한다. 풀-업 기간(put)은 제 1 내지 제 6 기간들(t1~t6)을 포함하고, 풀-다운 기간(pdt)은 제 7 내지 제 10 기간들(t7~t10)을 포함할 수 있다.During the pull-up period put, the Q node NQ, which is the pull-up node of the GIP circuit GIP, is charged with the gate-on voltage Von. During the pull-up period put, the Q node NQ outputs the gate-on voltage Von. During the pull-down period pdt, the Q node NQ is discharged to the gate-off voltage Voff. During the pull-down period pdt, the pull-down node QB node NQB is charged with the gate-on voltage Von. During the pull-down period pdt, the GIP circuit GIP outputs the gate-off voltage Voff. The pull-up period put may include first to sixth periods t1 to t6 , and the pull-down period pdt may include seventh to tenth periods t7 to t10 .

이러한 경우, 제 1 스캔 신호(Scan1) 제 2 스캔 신호(Scan2)가 이상 없이 생성됨을 알 수 있다. 기존의 경우 하나의 스캔 신호를 생성하기 위해서는 하나의 GIP 회로(GIP)가 필요하였다. 이에 따라 다수의 스캔 신호의 생성하기 위해서 스캔 신호의 개수와 동일한 개수의 GIP 회로(GIP)를 배치하였다.In this case, it can be seen that the first scan signal Scan1 and the second scan signal Scan2 are generated without abnormality. In the conventional case, one GIP circuit (GIP) is required to generate one scan signal. Accordingly, in order to generate a plurality of scan signals, the same number of GIP circuits as the number of scan signals is disposed.

그러나 본 출원의 경우, GIP 회로(GIP)와, 그 GIP 회로(GIP)에 연결된 제 1 및 제 2 트랜지스터(T1, T2)를 이용하여 2개의 스캔 신호를 생성할 수 있다. 즉, 본 출원은 2개의 GIP 회로(GIP)를 1개의 GIP 회로(GIP)와 2개의 트랜지스터로 대체할 수 있어, 다수의 트랜지스터들로 구성된 GIP 회로(GIP)의 개수를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 출원은 스캔 신호의 개수가 증가하는 고해상도 유기발광 표시장치에서도 GIP 회로(GIP)의 개수를 감소시킴으로써 배치 면적을 감소시킨 게이트 구동부를 구현할 수 있어, 게이트 구동부가 배치된 비표시영역의 면적을 감소시켜 내로우 베젤(Bezel)을 용이하게 구현할 수 있다.However, in the case of the present application, two scan signals may be generated using the GIP circuit GIP and the first and second transistors T1 and T2 connected to the GIP circuit GIP. That is, the present application can replace two GIP circuits (GIP) with one GIP circuit (GIP) and two transistors, thereby reducing the number of GIP circuits (GIP) including a plurality of transistors. Accordingly, the present application can implement a gate driver having a reduced arrangement area by reducing the number of GIP circuits (GIP) even in a high-resolution organic light emitting display device in which the number of scan signals is increased, so that the non-display area in which the gate driver is disposed can be realized. By reducing the area, it is possible to easily implement a narrow bezel.

본 출원의 일 예는 동일한 개수의 스캔 신호들을 생성하면서도 스테이지들의 개수를 감소시켜 면적을 감소시킨 게이트 구동부와 이를 포함한 유기발광 표시장치를 구현할 수 있다.An example of the present application may implement a gate driver in which the area is reduced by reducing the number of stages while generating the same number of scan signals and an organic light emitting display device including the same.

이상 설명한 내용을 통해 이 분야의 통상의 기술자는 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 11: 제1 게이트 구동부
12: 제2 게이트 구동부 20: 데이터 구동부
30: 타이밍 제어부 P: 화소
DT: 구동 트랜지스터 EL: 발광소자
Cst: 스토리지 커패시터 ST1~ST6: 제 1 내지 제 6 트랜지스터
100: 제1 노이즈 제거부 200: 제2 노이즈 제거부
300: 풀-업 노드 충방전부 400: 풀-업 노드 리셋부
500: 출력 노드 노이즈 제거부 600: 풀-다운 노드 충방전부
10: display panel 11: first gate driver
12: second gate driver 20: data driver
30: timing control unit P: pixel
DT: driving transistor EL: light emitting element
Cst: storage capacitors ST1 to ST6: first to sixth transistors
100: first noise removing unit 200: second noise removing unit
300: pull-up node charge/discharge unit 400: pull-up node reset unit
500: output node noise removing unit 600: pull-down node charging/discharging unit

Claims (9)

2가지의 상이한 스캔 신호를 출력하는 복수의 스테이지들을 구비하고,
상기 각각의 스테이지는,
복수의 게이트 클럭 신호들에 따라 이전 스테이지에서 출력된 스캔 신호인 이전 스캔 신호를 공급받아 내부의 Q 노드의 전압의 크기를 설정하고, 상기 Q 노드의 전압에 따라 설정되는 제 1 스캔 신호를 출력하는 GIP 회로;
상기 복수의 게이트 클럭 신호들 중 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 상기 제 1 스캔 신호를 공급받아 P 노드의 전압을 설정하는 제 1 트랜지스터; 및
상기 P 노드의 전압에 따라 상기 복수의 게이트 클럭 신호들 중 제 2 게이트 클럭 신호를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동부.
A plurality of stages for outputting two different scan signals,
Each stage is
According to the plurality of gate clock signals, the previous scan signal, which is the scan signal output from the previous stage, is supplied, sets the voltage of the internal Q node, and outputs a first scan signal set according to the voltage of the Q node GIP circuit;
a first transistor configured to receive the first scan signal according to a first gate clock signal among the plurality of gate clock signals to set a voltage of the P node; and
and a second transistor configured to receive a second gate clock signal from among the plurality of gate clock signals according to the voltage of the P node and output a second scan signal.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 트랜지스터는,
상기 제 1 게이트 클럭 신호를 게이트 전극으로 공급받고, 상기 제 1 스캔 신호를 소스 전극으로 공급받아 드레인 전극의 전압을 설정하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The first transistor is
A gate driver configured to receive the first gate clock signal to a gate electrode and receive the first scan signal to a source electrode to set a voltage of the drain electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 트랜지스터는,
상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전극의 전압을 게이트 전극으로 공급받고, 상기 제 2 게이트 클럭 신호를 소스 전극으로 공급받아 드레인 전극으로 제 2 스캔 신호를 출력하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The second transistor is
A gate driver configured to receive the voltage of the drain electrode of the first transistor to the gate electrode and the second gate clock signal to the source electrode to output a second scan signal to the drain electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 GIP 회로는,
상기 제 2 게이트 클럭 신호에 의해 턴-온 되어, 상기 이전 스캔 신호를 공급받아 상기 Q 노드의 전압을 설정하는 제 3-1 및 제 3-2 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The GIP circuit is
and 3-1 and 3-2 transistors turned on by the second gate clock signal to receive the previous scan signal to set the voltage of the Q node.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 스캔 신호는 상기 Q 노드의 전압을 로우 로직 레벨인 제 2 로직 레벨 보다 낮은 제 3 로직 레벨로 변화시키는 시점과 동시에 출력하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The gate driver outputs the first scan signal at the same time when the voltage of the Q node is changed to a third logic level lower than a second logic level that is a low logic level.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 스캔 신호는 상기 P 노드의 전압을 로우 로직 레벨인 제 2 로직 레벨 보다 낮은 제 3 로직 레벨로 변화시키는 시점과 동시에 출력하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The second scan signal is output at the same time when the voltage of the P node is changed to a third logic level lower than a second logic level that is a low logic level.
데이터 라인들, 상기 데이터 라인들과 교차되는 게이트 라인들, 상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들에 접속되는 화소들, 및 상기 게이트 라인들에 스캔 신호들을 출력하는 스테이지들을 포함하는 게이트 구동부를 포함하는 표시패널; 및
상기 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 구비하고,
상기 스테이지는,
복수의 게이트 클럭 신호들에 따라 이전 스테이지에서 출력된 스캔 신호인 이전 스캔 신호를 공급받아 내부의 Q 노드의 전압의 크기를 설정하고, 상기 Q 노드의 전압에 따라 설정되는 제 1 스캔 신호를 출력하는 GIP 회로;
상기 복수의 게이트 클럭 신호들 중 제 1 게이트 클럭 신호에 따라 상기 제 1 스캔 신호를 공급받아 P 노드의 전압을 설정하는 제 1 트랜지스터; 및
P 노드의 전압에 따라 상기 복수의 게이트 클럭 신호들 중 제 2 게이트 클럭 신호를 공급받아 제 2 스캔 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치.
a gate driver including data lines, gate lines crossing the data lines, pixels connected to the data lines and the gate lines, and stages for outputting scan signals to the gate lines display panel; and
a data driver supplying data voltages to the data lines;
The stage is
According to the plurality of gate clock signals, the previous scan signal, which is the scan signal output from the previous stage, is supplied, sets the voltage of the internal Q node, and outputs a first scan signal set according to the voltage of the Q node GIP circuit;
a first transistor configured to receive the first scan signal according to a first gate clock signal among the plurality of gate clock signals to set a voltage of the P node; and
and a second transistor receiving a second gate clock signal from among the plurality of gate clock signals according to a voltage of a P node and outputting a second scan signal.
제 7 항에 있어서,
상기 게이트 라인들 중 어느 하나의 게이트 라인의 일 측에 상기 GIP 회로가 배치되고, 상기 어느 하나의 게이트 라인의 타 측에 상기 제 2 트랜지스터가 배치된 유기발광 표시장치.
8. The method of claim 7,
The organic light emitting diode display device in which the GIP circuit is disposed on one side of any one of the gate lines, and the second transistor is disposed on the other side of the one of the gate lines.
제 8 항에 있어서,
상기 임의의 게이트 라인의 일 측에 배치된 스테이지에 GIP 회로가 배치된 경우, 상기 임의의 게이트 라인의 타 측에 배치된 스테이지에는 제 2 트랜지스터가 배치된 유기발광 표시장치.
9. The method of claim 8,
When a GIP circuit is disposed on a stage disposed on one side of the arbitrary gate line, a second transistor is disposed on a stage disposed on the other side of the arbitrary gate line.
KR1020170103704A 2017-08-16 2017-08-16 Gate driver and organic light emitting display device including the same KR102411044B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103704A KR102411044B1 (en) 2017-08-16 2017-08-16 Gate driver and organic light emitting display device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103704A KR102411044B1 (en) 2017-08-16 2017-08-16 Gate driver and organic light emitting display device including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190018932A KR20190018932A (en) 2019-02-26
KR102411044B1 true KR102411044B1 (en) 2022-06-17

Family

ID=65562686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170103704A KR102411044B1 (en) 2017-08-16 2017-08-16 Gate driver and organic light emitting display device including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102411044B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110853591A (en) * 2019-11-11 2020-02-28 福建华佳彩有限公司 GIP driving circuit and control method thereof
KR20210080781A (en) 2019-12-23 2021-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and display device including the same
KR20220000023A (en) 2020-06-24 2022-01-03 삼성디스플레이 주식회사 Scan driving circuit and display device igcuding the same
KR20220068326A (en) 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 Scan driver and display device having the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101549248B1 (en) * 2008-07-16 2015-09-14 엘지디스플레이 주식회사 Shift Register and Flat Panel Display using the same
KR101542509B1 (en) * 2008-12-24 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving device and liquid crystal display comprising therein
KR101589751B1 (en) * 2009-09-18 2016-01-28 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display
KR102001890B1 (en) * 2012-09-28 2019-07-22 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device
KR102191977B1 (en) * 2014-06-23 2020-12-18 엘지디스플레이 주식회사 Scan Driver and Display Device Using the same
KR102167140B1 (en) * 2014-07-01 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 Display Device With Narrow Bezel
KR102172387B1 (en) * 2014-10-14 2020-11-02 엘지디스플레이 주식회사 Display Panel With Narrow Bezel And Display Device Including The Same
KR102266207B1 (en) * 2014-10-22 2021-06-17 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and flat panel display using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190018932A (en) 2019-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE48358E1 (en) Emission control driver and organic light emitting display device having the same
US10614732B2 (en) Stage circuit and scan driver using the same
TWI739462B (en) Display device
US9454935B2 (en) Organic light emitting diode display device
US9330593B2 (en) Stage circuit and organic light emitting display using the same
US8629889B2 (en) Display device and driving method thereof
US10204544B2 (en) Display panel driver and display apparatus having the same
US9277622B2 (en) Emission control line driver
US8497855B2 (en) Scan driving apparatus and driving method for the same
KR102411044B1 (en) Gate driver and organic light emitting display device including the same
US20130207956A1 (en) SCAN DRIVING DEVICE FOR a DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF
US20110273418A1 (en) Emission driver, light emitting display device using the same, and driving method of emission control signals
US9053669B2 (en) Apparatus for scan driving including scan driving units
US8810552B2 (en) Scan driving device and driving method thereof
US8912996B2 (en) Scan driver and driving method thereof
US9324269B2 (en) Scan driving device and method of driving the same
US11594174B2 (en) Stage and display device including the same
KR101725212B1 (en) Emission driving apparatus and organic light emitting diode display using the same
US11798482B2 (en) Gate driver and organic light emitting display device including the same
US11205389B2 (en) Scan driver and display device having same
US20130127809A1 (en) Scan driver, display device comprising the same, and driving method of scan driver
KR102290820B1 (en) Gate driver and display device including the same
CN113707096A (en) Emission driver, display device including the same, and method of driving the display device
KR102662343B1 (en) Light emitting display device
KR20190009218A (en) Gate shift register and organic light emitting display device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant