KR102288154B1 - 광전 변환 효율 향상 가능한 perc 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

광전 변환 효율 향상 가능한 perc 태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 출원은 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 태양전지는 아래에서 위로 순차적으로 배치되는 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2), 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4), P 형 실리콘(5), N 형 실리콘(6), 정면 질화규소 막(7) 및 프론트 실버 전극(8)을 포함하고, 알루미늄 배면 전계(2)는 백 알루미늄 스트립(10)을 통해 P 형 실리콘(5)에 연결되며, P 형 실리콘(5)은 전지의 실리콘 웨이퍼이며, N 형 실리콘(6)은 실리콘 웨이퍼의 정면에서 확산하여 형성된 N 형 에미터이고, 정면 질화규소 막(7)은 실리콘 웨이퍼의 정면에 증착되며, 배면 산화 알루미늄 막(4)은 실리콘 웨이퍼의 배면에 증착되고, 실리콘 웨이퍼에 정면 질화규소 막(7)을 증착시킨 후 배면 산화 알루미늄 막(3)을 다시 증착시키고, 또한 배면 산화 알루미늄 막(3)을 증착시키기 전에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝한다. 이러한 전지는 배면 산화 알루미늄 막의 패시베이션 효과를 현저하게 향상시키고 전지의 개방전압과 단락전류를 높이는 것으로, 전지의 광전 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.

Description

광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지 및 그 제조방법
본 발명은 태양전지의 기술분야에 관한 것으로, 특히, 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
결정질 실리콘 태양전지는 태양복사 에너지를 효율적으로 흡수하고, 광기전 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로서, 태양광이 반도체의 P-N 접합에 조사될 경우, 새로운 정공-전자쌍이 형성되고, P-N 접합 전계에 의해 정공은 N 영역에서 P 영역으로 흐르고, 전자는 P 영역에서 N 영역으로 흘러 회로를 턴 온시켜 전류가 형성된다.
기존의 결정질 실리콘 태양전지는 기본적으로 정면 패시베이션 기술만을 사용하고 있는데, PECVD 방법에 의해 실리콘 웨이퍼의 정면에 질화규소를 한층 증착시켜, 소수 캐리어가 앞 표면에서의 복합속도를 낮추고, 결정질 실리콘 전지의 개방전압과 단락전류를 대폭적으로 상승시킴으로써, 결정질 실리콘 태양전지의 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
결정질 전지의 광전 변환 효율에 대한 요구가 점점 높아짐에 따라 사람들은 배면 패시베이션 태양전지 기술을 연구하기 시작했다.
본 발명의 목적 중 하나는, 배면 산화 알루미늄 막의 패시베이션 효과를 현저하게 향상시켜 전지의 오염을 줄이고, 전지의 개방전압과 단락전류를 높이는 것으로 전지의 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있는 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 이러한 목적은 하기의 기술수단에 의해 실현된다. 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지에 있어서, 상기 전지는 아래에서 위로 순차적으로 배치되는 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막, P 형 실리콘, N 형 실리콘, 정면 질화규소 막 및 프론트 실버 전극을 포함하되, 상기 태양전지는 배면에 상기 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막을 개구하여 P 형 실리콘까지 도달하는 다수개의 레이저 그루빙 영역이 더 개설되어 있으며, 다수개의 레이저 그루빙 영역이 평행하게 설치되고, 각 레이저 그루빙 영역에는 백 알루미늄 스트립이 모두 충전되어 있으며, 상기 백 알루미늄 스트립과 상기 알루미늄 배면 전계는 알루미늄 페이스트에 의해 일체로 인쇄 성형 되고, 알루미늄 배면 전계는 백 알루미늄 스트립을 통해 P 형 실리콘에 연결되며, 상기 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막, P 형 실리콘, N 형 실리콘, 정면 질화규소 막 및 프론트 실버 전극은 아래에서 위로 순차적으로 연결되고, 상기 P 형 실리콘은 전지의 실리콘 웨이퍼이며, N 형 실리콘은 실리콘 웨이퍼의 정면에서 확산하여 형성된 N 형 에미터이고, 상기 정면 질화규소 막은 실리콘 웨이퍼의 정면에 증착되며, 상기 배면 산화 알루미늄 막은 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 증착되고, 실리콘 웨이퍼에 상기 정면 질화규소 막을 증착시킨 후 상기 배면 산화 알루미늄 막을 다시 증착시키고, 또한 상기 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키기 전에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 태양전지는 상기 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키기 전에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하여 실리콘 웨이퍼 배면의 산화층과 오물을 제거하고, 전지의 오염을 저감하여 배면 산화 알루미늄 막의 증착에 유리하며, 해당 전지는 배면 산화 알루미늄 막의 패시베이션 효과를 현저하게 향상시키고 전지의 개방전압과 단락전류를 높이는 것으로, 전지의 광전 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
바람직한 실시예로서, 본 발명에 있어서, 상기 정면 질화규소 막의 두께는 50~300미크론이며, 가장 바람직한 두께는 60~90미크론이다.
상기 배면 질화규소 막의 두께는 80~300미크론이며, 가장 바람직한 두께는 100~200미크론이다.
상기 배면 산화 알루미늄 막의 두께는 2~50nm이며, 가장 바람직한 두께는 5~30nm이다.
본 발명의 목적 중 다른 하나는, 상기 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 이러한 목적은 하기의 기술수단에 의해 실현된다. 상기 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법에 있어서,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 상기 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘 인 단계;
(2) 상기 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘, 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역을 형성시키는 단계;
(9) 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립과 알루미늄 배면 전계는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 상기 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계 및 프론트 실버 전극을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 단계(3) 이후, 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부가 결정된다. 단계(3) 이후 배면 연마가 수행되지 않을 경우, 본 발명의 단계(5)의 클리닝 단계는 수요에 따라 KOH 또는 NaOH의 농도 및 클리닝 시간을 조정함으로써, 백 연마의 기능을 실현 할 수 있다.
본 발명에서 단계(1)~단계(8)는 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
본 발명에서, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 상기 단계(5)는 순차적으로 수행되는 하기 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%~6%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%~5%이며, 혼합 용액의 온도는 60~99도이고, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30~300s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 KOH 용액에 넣고, KOH의 질량 분율은 0.3%~18%이며, 온도는 60~99도이며, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%~6%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%~5%이며, 혼합 용액의 온도는 60~99도이고, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30~300s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액 또는 HCL 용액 또는 HF와 HCL의 혼합 용액에 넣고, 온도는 60~90도이고, 방치 시간은 5~300s이며, 그 중 HF 용액에서 HF의 질량 분율은 0.2%~6%이며, HCL 용액에서 HCL의 질량 분율은 0.2%~5%이며, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 0.2%~6%이며, HCL의 질량 분율은 0.2%~5% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하며, 온도는 60~99도이고, 린스하는 시간은 30~300s이며, 린스 완료 된 후 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함한다.
상기 단계(51)와 단계(54)는 실리콘 웨이퍼의 유기 불순물 또는 알칼리와 반응 후 부착 된 부산물을 클리닝하는 것을 목적으로 한다. 단계(53)는 실리콘 웨이퍼의 배면을 식각하는 것을 목적으로 한다.
그 중, 상기 단계(5)에서는 모든 KOH를 NaOH로 전부 대체할 수 있다.
산성 용액을 넣는 상기 단계(56)는 실리콘 웨이퍼가 앞의 단계에서 생성된 잔류 알칼리 액을 중화시키고, 금속 이온을 제거하며, 실리콘 웨이퍼 배면의 산화층을 제거하기 위한 것이다.
상기 단계(57)에서, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅(Slow-lifting) 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼낸다. 슬로우 리프팅 기술을 이용하여, 즉 실리콘 웨이퍼를 뜨거운 탈이온수에 잠긴 후 수면에서 천천히 꺼내는 것으로, 실리콘 웨이퍼의 소수성에 유리하다.
본 발명의 제조방법에 있어서, 정면에 정면 질화규소 막을 증착 한 후 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하며, 그 후 꺼낸후, 배면에 배면 산화 알루미늄 막이 증착 된다. 배면의 클리닝에 의해 실리콘 웨이퍼의 배면의 산화층과 오물을 제거하고 전지의 오염을 저감 할 수 있어 배면 산화 알루미늄 막의 증착에 유리하고, 배면 산화 알루미늄 막의 패시베이션 효과를 현저하게 향상시키고 전지의 개방전압과 단락전류를 높일 수 있어 전지의 광전 변환 효율을 크게 향상시킨다. 또한, 기기의 투입 비용이 낮고, 공정이 간단하고, 현재의 생산 라인과의 호환성이 좋다.
이하에서는, 첨부된 도면 및 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 결합하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 전체 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법에서의 단계(5)를 나타내는 흐름도이다.
실시예 1
도 1에 나타낸 바와 같이, 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지에 있어서, 아래에서 위로 순차적으로 배치되는 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2), 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4), P 형 실리콘(5), N 형 실리콘(6), 정면 질화규소 막(7) 및 프론트 실버 전극(8)을 포함하되, 태양전지는 배면에 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 개구하여 P 형 실리콘(5)까지 도달하는 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)이 더 개설되어 있으며, 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)이 평행하게 설치되고, 각 레이저 그루빙 영역(9)에는 백 알루미늄 스트립(10)이 모두 충전되어 있으며, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 알루미늄 페이스트에 의해 일체로 인쇄 성형되고, 알루미늄 배면 전계(2)는 백 알루미늄 스트립(10)을 통해 P 형 실리콘(5)에 연결되며, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2), 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4), P 형 실리콘(5), N 형 실리콘(6), 정면 질화규소 막(7) 및 프론트 실버 전극(8)은 아래에서 위로 순차적으로 연결되고, P 형 실리콘(5)은 전지의 실리콘 웨이퍼이며, N 형 실리콘(6)은 실리콘 웨이퍼의 정면에서 확산하여 형성된 N 형 에미터이고, 정면 질화규소 막(7)은 실리콘 웨이퍼의 정면에 증착되며, 배면 산화 알루미늄 막(4)은 실리콘 웨이퍼의 배면에 증착되고, 실리콘 웨이퍼에 정면 질화규소 막(7)을 증착시킨 후 배면 산화 알루미늄 막(4)을 다시 증착시키고, 또한 배면 산화 알루미늄 막(4)을 증착시키기 전에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝한다.
본 실시예의 배면 산화 알루미늄 막(4)의 소재는 산화 알루미늄(Al2O3)이고, 배면 질화규소 막(3) 및 정면 질화규소 막(7)의 소재는 동일하며, 전부 질화규소(Si3N4)이다.
본 실시예에 있어서, 정면 질화규소 막(7)의 두께는 75미크론이고, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 150미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 8nm이다. 정면 질화규소 막(7)의 두께는 50~300미크론의 범위에서 취해도 되고, 가장 바람직한 두께는 60~90미크론이며, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 80~300미크론의 범위에서 취해도 되고, 가장 바람직한 두께는 100~200미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 2~50nm의 범위에서 취해도 되고, 예를 들면, 10nm, 20nm, 30nm, 40nm이며, 가장 바람직한 두께는 5~30nm이다.
상기 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법은 하기의 단계를 포함하고, 구체적으로는,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘(5) 인 단계;
(2) 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘(6), 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키고, 단계(3) 이후 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부를 결정하는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막(7)을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계; 도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계는 순차적으로 수행되는 하기의 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%이며, 혼합 용액의 온도는 99도이고, 방치 시간은 300s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 KOH 용액에 넣고, KOH의 질량 분율은 0.3%이며, 온도는 99도이며, 방치 시간은 300s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%이며, 혼합 용액의 온도는 99도이고, 방치 시간은 300s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액에 넣고, 온도는 90도이고, 방치 시간은 300s이며, HF의 질량 분율은 0.2%이며, 이 단계에서 HF 용액을 HCL 용액으로 대체할 수 있고, 이때 HCL의 질량 분율은 0.2%이며, 또는 HF 용액을 HF와 HCL의 혼합 용액으로 대체할 수 있고, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 0.2%이고, HCL의 질량 분율은 0.2% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣고 린스하며, 온도는 60도이고, 린스하는 시간은 300s이며, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막(4)을 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막(3)을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)을 형성시키는 단계;
(9) 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계(2)를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계(2)를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역(9) 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립(10)을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2) 및 프론트 실버 전극(8)을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID(Light Induced Degradation) 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 단계(5)에서는 모든 KOH를 NaOH로 전부 대체할 수 있다.
본 실시예에서의 단계(1)~단계(8)는 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
실시예 2
본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 실시예 2와 실시예 1의 차이는 하기와 같다. 실시예 2에 있어서, 정면 질화규소 막(7)의 두께는 180미크론이고, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 200미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 9nm이다.
본 실시예의 PERC 태양전지의 제조방법은 하기의 단계를 포함하고, 구체적으로는,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘(5) 인 단계;
(2) 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘(6), 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키고, 단계(3) 이후 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부를 결정하는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막(7)을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계; 도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계는 순차적으로 수행되는 하기의 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 NaOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 NaOH의 질량 분율은 1.5%이고, H2O2의 질량 분율은 1.3%이며, 혼합 용액의 온도는 90도이고, 방치 시간은 240s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 240s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 NaOH 용액에 넣고, NaOH의 질량 분율은 4.5%이며, 온도는 90도이며, 방치 시간은 240s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 NaOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 NaOH의 질량 분율은 1.5%이고, H2O2의 질량 분율은 1.3%이며, 혼합 용액의 온도는 90도이고, 방치 시간은 250s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 250s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액에 넣고, 온도는 80도이고, 방치 시간은 240s이며, HF의 질량 분율은 1.5%이며, 이 단계에서 HF 용액을 HCL 용액으로 대체할 수 있고, 이때 HCL의 질량 분율은 1.2%이며, 또는 HF 용액을 HF와 HCL의 혼합 용액으로 대체할 수 있고, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 1.5%이고, HCL의 질량 분율은 1.2% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣고 린스하며, 온도는 90도이고, 린스하는 시간은 250s이며, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막(4)를 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막(3)을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)을 형성시키는 단계;
(9) 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계(2)를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계(2)를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역(9) 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립(10)을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2) 및 프론트 실버 전극(8)을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 단계(5)에서는 모든 NaOH를 KOH로 전부 대체할 수 있다.
본 실시예에서의 단계(1)~단계(8)는 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
실시예 3
본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 실시예 3과 실시예 1의 차이는 하기와 같다. 실시예 3에 있어서, 정면 질화규소 막(7)의 두께는 260미크론이고, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 250미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 16nm이다.
본 실시예의 PERC 태양전지의 제조방법은 하기의 단계를 포함하고, 구체적으로는,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘(5) 인 단계;
(2) 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘(6), 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키고, 단계(3) 이후 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부를 결정하는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막(7)을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계; 도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계는 순차적으로 수행되는 하기의 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 3%이고, H2O2의 질량 분율은 2.5%이며, 혼합 용액의 온도는 80도이고, 방치 시간은 150s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 150s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 KOH 용액에 넣고, KOH의 질량 분율은 9%이며, 온도는 80도이며, 방치 시간은 160s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 3%이고, H2O2의 질량 분율은 2.5%이며, 혼합 용액의 온도는 82도이고, 방치 시간은 160s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 150s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액에 넣고, 온도는 75도이고, 방치 시간은 150s이며, HF의 질량 분율은 3%이며, 이 단계에서 HF 용액을 HCL 용액으로 대체할 수 있고, 이때 HCL의 질량 분율은 2.5%이며, 또는 HF 용액을 HF와 HCL의 혼합 용액으로 대체할 수 있고, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 3%이고, HCL의 질량 분율은 2.5% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣고 린스하며, 온도는 80도이고, 린스하는 시간은 160s이며, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막(4)를 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막(3)을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)을 형성시키는 단계;
(9) 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계(2)를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계(2)를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역(9) 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립(10)을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2) 및 프론트 실버 전극(8)을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 단계(5)에서는 모든 KOH를 NaOH로 전부 대체할 수 있다.
본 실시예에서의 단계(1)~단계(8)은 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
실시예 4
본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 실시예 4와 실시예 1의 차이는 하기와 같다. 실시예 4에 있어서, 정면 질화규소 막(7)의 두께는 300미크론이고, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 300미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 23nm이다.
본 실시예의 PERC 태양전지의 제조방법은 하기의 단계를 포함하고, 구체적으로는,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘(5) 인 단계;
(2) 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘(6), 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키고, 단계(3) 이후 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부를 결정하는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막(7)을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계; 도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계는 순차적으로 수행되는 하기의 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 NaOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 NaOH의 질량 분율은 4.5%이고, H2O2의 질량 분율은 3.8%이며, 혼합 용액의 온도는 70도이고, 방치 시간은 60s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 100s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 NaOH 용액에 넣고, NaOH의 질량 분율은 14%이며, 온도는 70도이며, 방치 시간은 60s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 NaOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 NaOH의 질량 분율은 4.5%이고, H2O2의 질량 분율은 3.8%이며, 혼합 용액의 온도는 70도이고, 방치 시간은 60s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 90s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액에 넣고, 온도는 70도이며, 방치 시간은 40s이며, HF의 질량 분율은 4.5%이며, 이 단계에서 HF 용액을 HCL 용액으로 대체할 수 있고, 이때 HCL의 질량 분율은 3.8%이며, 또는 HF 용액을 HF와 HCL의 혼합 용액으로 대체할 수 있고, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 4.5%이며, HCL의 질량 분율은 3.8% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣고 린스하며, 온도는 65도이고, 린스하는 시간은 250s이며, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막(4)를 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막(3)을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)을 형성시키는 단계;
(9) 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계(2)를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계(2)를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역(9) 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립(10)을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2) 및 프론트 실버 전극(8)을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 단계(5)에서는 모든 NaOH를 KOH로 전부 대체할 수 있다.
본 실시예에서의 단계(1)~단계(8)은 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
실시예 5
본 발명에 따른 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 실시예 5와 실시예 1의 차이는 하기와 같다. 실시예 5에 있어서, 정면 질화규소 막(7)의 두께는 80미크론이고, 배면 질화규소 막(3)의 두께는 80미크론이며, 배면 산화 알루미늄 막(4)의 두께는 30nm이다.
본 실시예의 PERC 태양전지의 제조방법은 하기의 단계를 포함하고, 구체적으로는,
(1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘(5) 인 단계;
(2) 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘(6), 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
(3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키고, 단계(3) 이후 실제 상황에 따라 실리콘 웨이퍼의 배면을 연마 할 필요가 있는지 여부를 결정하는 단계;
(4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막(7)을 증착시키는 단계;
(5) 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계; 도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계는 순차적으로 수행되는 하기의 단계(51)~(58)를 포함하고, 구체적으로는,
(51) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 6%이고, H2O2의 질량 분율은 5%이며, 혼합 용액의 온도는 60도이고, 방치 시간은 30s 인 단계;
(52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 300s 인 단계;
(53) 실리콘 웨이퍼를 KOH 용액에 넣고, KOH의 질량 분율은 18%이며, 온도는 60도이며, 방치 시간은 30s 인 단계;
(54) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 6%이고, H2O2의 질량 분율은 5%이며, 혼합 용액의 온도는 60도이고, 방치 시간은 30s 인 단계;
(55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 300s 인 단계;
(56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액에 넣고, 온도는 90도이며, 방치 시간은 5s이며, HF의 질량 분율은 6%이며, 이 단계에서 HF 용액을 HCL 용액으로 대체할 수 있고, 이때 HCL의 질량 분율은 5%이며, 또는 HF 용액을 HF와 HCL의 혼합 용액으로 대체할 수 있고, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 6% 이며, HCL의 질량 분율은 5% 인 단계;
(57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣고 린스하며, 온도는 99도이고, 린스하는 시간은 30s이며, 린스 완료 된 후 슬로우 리프팅 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
(58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 단계;
(6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막(4)를 증착시키는 단계;
(7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막(3)을 증착시키는 단계;
(8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막(3), 배면 산화 알루미늄 막(4)을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역(9)을 형성시키는 단계;
(9) 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(10) 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계(2)를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계(2)를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역(9) 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립(10)을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립(10)과 알루미늄 배면 전계(2)는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
(11) 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
(12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극(1), 알루미늄 배면 전계(2) 및 프론트 실버 전극(8)을 형성시키는 단계; 및
(13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 단계(5)에서는 모든 KOH를 NaOH로 전부 대체할 수 있다.
본 실시예에서의 단계(1)~단계(8)은 반드시 순서대로 수행되는 것은 아니며, 당업자라면 실제 상황에 따라 각 단계 사이의 선후 순서를 조정할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 본 발명의 보호범위를 제한하고자 하는 것이 아니며, 본 발명의 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 상기 내용에 따라, 본 분야의 일반적인 기술지식과 관용 수단에 기초하여, 본 발명의 상기 기본적인 기술사상을 벗어나지 않고, 본 발명의 상기 구성에 대한 다양한 변형, 대채 및 변경은 모두 본 발명의 보호범위 내에 있다.
1. 백 실버 전극
2. 알루미늄 배면 전계
3. 배면 질화규소 막
4. 배면 산화 알루미늄 막
5. P 형 실리콘
6. N 형 실리콘
7. 정면 질화규소 막
8. 프론트 실버 전극
9. 레이저 그루빙 영역
10. 백 알루미늄 스트립

Claims (8)

  1. 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법에 있어서,
    상기 태양전지는 아래에서 위로 순차적으로 배치되는 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막, P 형 실리콘, N 형 실리콘, 정면 질화규소 막 및 프론트 실버 전극을 포함하되,
    상기 태양전지는 배면에 상기 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막을 개구하여 P 형 실리콘까지 도달하는 다수개의 레이저 그루빙 영역이 더 개설되어 있으며, 다수개의 레이저 그루빙 영역이 평행하게 설치되고, 각 레이저 그루빙 영역에는 백 알루미늄 스트립이 모두 충전되어 있으며, 상기 백 알루미늄 스트립과 상기 알루미늄 배면 전계는 알루미늄 페이스트에 의해 일체로 인쇄 성형되고, 알루미늄 배면 전계는 백 알루미늄 스트립을 통해 P 형 실리콘에 연결되며, 상기 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막, P 형 실리콘, N 형 실리콘, 정면 질화규소 막 및 프론트 실버 전극은 아래에서 위로 순차적으로 연결되고, 상기 P 형 실리콘은 전지의 실리콘 웨이퍼이며, N 형 실리콘은 실리콘 웨이퍼의 정면에서 확산하여 형성된 N 형 에미터이고, 상기 정면 질화규소 막은 실리콘 웨이퍼의 정면에 증착되며, 상기 배면 산화 알루미늄 막은 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 증착되고, 실리콘 웨이퍼에 상기 정면 질화규소 막을 증착시킨 후 상기 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키고, 또한 상기 정면 질화규소 막을 증착시킨 후 상기 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키기 전에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 것을 특징으로 하며,
    (1) 실리콘 웨이퍼의 정면에 텍스처를 형성시키고, 상기 실리콘 웨이퍼는 P 형 실리콘 인 단계;
    (2) 상기 실리콘 웨이퍼의 정면에 확산을 수행하여 N 형 실리콘, 즉 N 형 에미터를 형성시키는 단계;
    (3) 실리콘 웨이퍼 주변의 PN 접합 및 확산 과정에서 형성된 정면 포스포-실리케이트 글라스를 제거하고, 실리콘 웨이퍼의 정면을 오존 산화 처리시키는 단계;
    (4) 실리콘 웨이퍼의 정면에 정면 질화규소 막을 증착시키는 단계;
    (5) 상기 정면 질화규소 막을 증착시킨 후에 실리콘 웨이퍼의 배면을 클리닝하는 단계로서, 순차적으로 수행되는 하기 단계를 포함하고, 구체적으로는,
    (51) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%~6%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%~5%이며, 혼합 용액의 온도는 60~99도이고, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
    (52) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30~300s 인 단계;
    (53) 실리콘 웨이퍼를 KOH 용액에 넣고, KOH의 질량 분율은 0.3%~18%이며, 온도는 60~99도이며, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
    (54) 실리콘 웨이퍼를 KOH와 H2O2의 혼합 용액에 넣고, 이 혼합 용액에서 KOH의 질량 분율은 0.1%~6%이고, H2O2의 질량 분율은 0.1%~5%이며, 혼합 용액의 온도는 60~99도이고, 방치 시간은 30~300s 인 단계;
    (55) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하고, 린스하는 시간은 30~300s 인 단계;
    (56) 실리콘 웨이퍼를 HF 용액 또는 HCL 용액 또는 HF와 HCL의 혼합 용액에 넣고, 온도는 60~90도이고, 방치 시간은 5~300s이며, 그 중 HF 용액에서 HF의 질량 분율은 0.2%~6%이며, HCL 용액에서 HCL의 질량 분율은 0.2%~5%이며, HF와 HCL의 혼합 용액에서 HF의 질량 분율은 0.2%~6%이며, HCL의 질량 분율은 0.2%~5% 인 단계;
    (57) 실리콘 웨이퍼를 탈이온수에 넣어 린스하며, 온도는 60~99도이고, 린스하는 시간은 30~300s이며, 린스 완료 된 후 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 단계; 및
    (58) 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계;
    (6) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 산화 알루미늄 막을 증착시키는 단계;
    (7) 실리콘 웨이퍼의 배면에 배면 질화규소 막을 증착시키는 단계;
    (8) 실리콘 웨이퍼의 배면에 레이저 그루빙을 수행하되, 배면 질화규소 막, 배면 산화 알루미늄 막을 실리콘 웨이퍼까지 도달하도록 개구하여 다수개의 레이저 그루빙 영역을 형성시키는 단계;
    (9) 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 백 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
    (10) 상기 실리콘 웨이퍼의 배면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 알루미늄 배면 전계를 형성시키고, 알루미늄 배면 전계를 인쇄 함과 동시에 레이저 그루빙 영역 내에 알루미늄 페이스트를 인쇄하여 백 알루미늄 스트립을 형성시켜, 백 알루미늄 스트립과 알루미늄 배면 전계는 일체로 인쇄 성형되며, 인쇄된 후 건조시키는 단계;
    (11) 상기 실리콘 웨이퍼의 정면에 프론트 전극 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;
    (12) 실리콘 웨이퍼를 고온 소결하여, 백 실버 전극, 알루미늄 배면 전계 및 프론트 실버 전극을 형성시키는 단계; 및
    (13) 실리콘 웨이퍼를 항LID 어닐링 처리하여 태양전지를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정면 질화규소 막의 두께는 50~300미크론인 것을 특징으로 하는 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배면 질화규소 막의 두께는 80~300미크론인 것을 특징으로 하는 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배면 산화 알루미늄 막의 두께는 2~50nm인 것을 특징으로 하는 광전 변환 효율 향상 가능한 PERC 태양전지의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단계(5)에서는 모든 KOH를 NaOH로 전부 대체 가능한 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단계(57)에서, 린스 완료된 후 슬로우 리프팅기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 수면에서 꺼내는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 삭제
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