KR102276002B1 - Substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and a substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR102276002B1
KR102276002B1 KR1020190125417A KR20190125417A KR102276002B1 KR 102276002 B1 KR102276002 B1 KR 102276002B1 KR 1020190125417 A KR1020190125417 A KR 1020190125417A KR 20190125417 A KR20190125417 A KR 20190125417A KR 102276002 B1 KR102276002 B1 KR 102276002B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light
support plate
processing
support
Prior art date
Application number
KR1020190125417A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210043048A (en
Inventor
안병욱
이용희
임의상
박미소
정진우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190125417A priority Critical patent/KR102276002B1/en
Publication of KR20210043048A publication Critical patent/KR20210043048A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102276002B1 publication Critical patent/KR102276002B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와; 상기 지지부에 지지된 기판으로 광을 조사하여, 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 조사부를 포함하되, 상기 지지부는, 상기 광에 의해 발생하는 상부에서 바라본 기판의 영역별 온도 편차를 감소시키도록 상기 지지부에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a light processing chamber having an interior space; a support for supporting the substrate in the inner space; and an irradiator for removing organic materials remaining on the substrate by irradiating light to the substrate supported by the support, wherein the support is configured to reduce the temperature deviation for each region of the substrate viewed from above caused by the light. It may include a heating member for heating the substrate supported by the support.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and a substrate processing method} Substrate processing apparatus and a substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진 공정은 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 포함한다. 도포 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 도포된 포토레지스트막 위에 포토 마스크를 통해 광원의 빛을 노출시켜 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 그리고 현상 공정은 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as deposition, photography, and etching cleaning are performed. Among them, the photographic process includes a coating process, an exposure process, and a developing process. The coating process is a process of applying a photoresist such as a photoresist on a substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate by exposing light from a light source through a photomask on the applied photoresist film. In addition, the developing process is a process of selectively developing the exposed region of the substrate.

현상 공정은 일반적으로 현상액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 그리고 건조 단계를 포함한다. 건조 단계에는 기판을 지지하는 스핀척을 회전시키고, 스핀척이 기판에 가하는 원심력을 이용하여 기판에 잔류하는 현상액 또는 린스액을 건조하는 스핀 건조를 수행한다. 이와 달리, 건조 단계에는 초임계 유체를 공급하여 초임계 건조를 수행할 수 있다. 초임계 건조는 기판 상에 잔류하는 현상액 또는 린스액에 표면 장력이 낮은 유기 용제를 공급한다. 기판 상에 잔류하는 현상액 또는 린스액을 유기 용제로 치환된다. 그리고 초임계 상태의 유체를 공급하여 기판 상의 유기 용제를 건조시킨다.The developing process generally includes a developer supply step, a rinse solution supply step, and a drying step. In the drying step, a spin chuck supporting the substrate is rotated, and spin drying is performed to dry the developer or rinse solution remaining on the substrate using centrifugal force applied by the spin chuck to the substrate. Alternatively, supercritical drying may be performed by supplying a supercritical fluid in the drying step. In supercritical drying, an organic solvent having a low surface tension is supplied to a developer or rinse solution remaining on the substrate. The developer or rinse solution remaining on the substrate is replaced with an organic solvent. Then, the supercritical fluid is supplied to dry the organic solvent on the substrate.

그러나, 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하는 방법은 미세화된 패턴 사이에 유기 용제가 적절히 제거되지 못하고 기판에 잔류하는 문제가 발생한다.However, as the pattern formed on the substrate and the distance between the patterns (CD: Critical Dimension) are miniaturized, the method of drying the substrate using a supercritical fluid cannot properly remove the organic solvent between the miniaturized patterns, and the remaining on the substrate. A problem arises.

본 발명은 기판 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing substrate processing efficiency.

또한, 본 발명은 기판 상에 잔류하는 유기물을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently removing organic matter remaining on a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 광 처리하는 과정에서 발생하는 기판의 영역별 온도 편차를 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing the temperature deviation for each region of the substrate generated in the process of optically processing the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와; 상기 지지부에 지지된 기판으로 광을 조사하여, 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 조사부를 포함하되, 상기 지지부는, 상기 광에 의해 발생하는 상부에서 바라본 기판의 영역별 온도 편차를 감소시키도록 상기 지지부에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a light processing chamber having an interior space; a support for supporting the substrate in the inner space; and an irradiator for removing organic materials remaining on the substrate by irradiating light to the substrate supported by the support, wherein the support is configured to reduce the temperature deviation for each region of the substrate viewed from above caused by the light. It may include a heating member for heating the substrate supported by the support.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 온도 편차에 대한 데이터를 포함하고, 상기 데이터에 근거하여 상기 가열 부재가 상기 지지부에 지지된 기판을 가열하는 열 처리 단계와; 상기 광을 조사하여 상기 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 수행하도록 상기 지지부와 상기 조사부를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus further includes a control unit, wherein the control unit includes data on the temperature deviation, and the heating member heats the substrate supported by the support unit based on the data. Wow; The support part and the irradiation part may be controlled to perform a light processing step of removing the organic material by irradiating the light.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어부는, 상기 열 처리 단계와 상기 광 처리 단계가 동시 또는 순차적으로 수행되도록 상기 지지부와 상기 조사부를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the support unit and the irradiation unit so that the heat treatment step and the light treatment step are performed simultaneously or sequentially.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지부는, 상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트에 제공되고, 기판을 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 이격시키는 핀을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support portion, the support plate is provided with the heating member; A pin provided on the support plate and spaced apart from the upper surface of the support plate may be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 부재는, 상기 지지 플레이트의 상면에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may be provided on the upper surface of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 부재는, 상기 지지 플레이트의 상면에 대하여 탈착 가능하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may be provided detachably from the upper surface of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 부재는, 상기 지지 플레이트 내에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may be provided in the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 부재는 복수로 제공되고, 복수의 상기 가열 부재의 온도는 서로 독립적으로 제어될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may be provided in plurality, and temperatures of the plurality of heating members may be controlled independently of each other.

일 실시 예에 의하면, 복수의 상기 가열 부재들은, 상기 온도 편차가 발생하는 상기 기판의 영역에 따라 상기 지지 플레이트에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the plurality of heating members may be disposed on the support plate according to an area of the substrate in which the temperature deviation occurs.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 초임계 유체를 공급하여 기판을 건조 처리하는 초임계 챔버와; 상기 초임계 챔버와 상기 광 처리 챔버 사이에 기판을 반송하는 이송 유닛을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the apparatus may include: a supercritical chamber for drying a substrate by supplying a supercritical fluid; A transfer unit for transferring a substrate between the supercritical chamber and the light processing chamber may be further included.

일 실시 예에 의하면, 상기 조사부는, 기판으로 제1광을 조사하는 제1광원과; 기판으로 상기 제1광과 상이한 파장 범위를 가지는 제2광을 조사하는 제2광원을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the irradiator, the first light source for irradiating the first light to the substrate; A second light source irradiating a second light having a wavelength range different from that of the first light to the substrate may be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1광원은, 플래시 램프, 적외선 램프, 자외선 램프, 그리고 레이저 램프 중 어느 하나이고, 상기 제2광원은, 플래시 램프, 적외선 램프, 자외선 램프, 그리고 레이저 램프 중 다른 하나일 수 있다.According to an embodiment, the first light source is any one of a flash lamp, an infrared lamp, an ultraviolet lamp, and a laser lamp, and the second light source is the other one of a flash lamp, an infrared lamp, an ultraviolet lamp, and a laser lamp can be

일 실시 예에 의하면, 상기 지지부는, 상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트를 회전시키는 회전 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support portion, the support plate is provided with the heating member; It may include a rotation actuator for rotating the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지부는, 상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트를 승강시키는 승강 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support portion, the support plate is provided with the heating member; It may include a lift driver for raising and lowering the support plate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판에 광을 조사하여 상기 기판을 처리하는 방법은, 상기 광이 상기 기판으로 조사되어 발생하는 상부에서 바라본 기판의 영역별 온도 편차 데이터를 수집하는 데이터 수집 단계와; 상기 데이터에 근거하여 상기 온도 편차를 감소시키도록 상기 기판을 가열하는 열 처리 단계와; 상기 기판에 상기 광을 조사하여 상기 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 포함할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. A method of processing the substrate by irradiating light to the substrate includes: a data collection step of collecting temperature deviation data for each region of the substrate as viewed from above, which is generated by irradiating the light to the substrate; a heat treatment step of heating the substrate to reduce the temperature deviation based on the data; and irradiating the light to the substrate to remove the organic material remaining on the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 열 처리 단계와 상기 광 처리 단계는 동시 또는 순차적으로 수행될 수 있다.According to an embodiment, the heat treatment step and the light treatment step may be performed simultaneously or sequentially.

일 실시 예에 의하면, 상기 열 처리 단계는, 상기 기판을 지지하는 지지부에 제공되는 가열 부재가 상기 기판으로 열을 전달하여 수행되고, 상기 가열 부재는, 복수로 제공되어 온도가 서로 독립적으로 제어될 수 있다.According to an embodiment, the heat treatment step is performed by transferring heat to the substrate by a heating member provided on a support for supporting the substrate, and the heating member is provided in plurality so that the temperature is controlled independently of each other. can

일 실시 예에 의하면, 상기 가열 부재는, 상기 온도 편차가 발생하는 상기 기판의 영역에 따라 상기 기판의 하부에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may be disposed under the substrate according to a region of the substrate in which the temperature deviation occurs.

일 실시 예에 의하면, 상기 광은, 제1광과; 상기 제1광과 상이한 파장 범위를 가지는 제2광을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light may include: a first light; The second light having a wavelength range different from that of the first light may be included.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1광은 섬광, 적외선 광, 자외선 광, 레이저 광 중 어느 하나이고, 상기 제2광은 섬광, 적외선 광, 자외선 광, 레이저 광 중 다른 하나일 수 있다.According to an embodiment, the first light may be any one of flash, infrared light, ultraviolet light, and laser light, and the second light may be another one of flash, infrared light, ultraviolet light, and laser light.

일 실시 예에 의하면, 상기 방법은, 초임계 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 초임계 처리 단계를 더 포함하고, 상기 광 처리 단계는 상기 초임계 처리 단계 이후에 수행될 수 있다. According to an embodiment, the method may further include a supercritical treatment step of drying the substrate by supplying a supercritical fluid, and the light treatment step may be performed after the supercritical treatment step.

일 실시 예에 의하면, 상기 광이 상기 기판에 조사되는 동안 상기 기판을 회전시킬 수 있다.According to an embodiment, the substrate may be rotated while the light is irradiated to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 광이 상기 기판에 조사되는 동안 상기 기판과 상기 광을 조사하는 조사부 사이의 간격을 변경할 수 있다.According to an embodiment, while the light is irradiated to the substrate, the interval between the substrate and the irradiator for irradiating the light may be changed.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 효율을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to increase the substrate processing efficiency.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 잔류하는 유기물을 효율적으로 제거할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently remove the organic material remaining on the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 광 처리하는 과정에서 발생하는 기판의 영역별 온도 편차를 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the temperature deviation for each region of the substrate that occurs in the process of light processing the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 잔류하는 유기물을 제거하는 시간을 효과적으로 단축시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively shorten the time for removing the organic material remaining on the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기존의 기판 처리 장치에도 손쉽게 광 처리 챔버를 장착할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the light processing chamber can be easily mounted in an existing substrate processing apparatus.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 초임계 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 지지부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 지지부의 가열 부재가 지지 플레이트로부터 탈착되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지부를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 4의 조사부의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 11은 도 10의 열 처리 단계와 광 처리 단계를 수행하는 광 처리 챔버의 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 4의 제2광원에서 제2광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 13은 도 4의 제1광원에서 제1광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 14는 제1광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 15는 도 4의 제1광 및 제3광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 16은 기판에 조사된 광에 의해 발생하는 기판의 영역별 온도 편차를 보여주는 도면이다.
도 17은 열 처리 단계, 그리고 광 처리 단계가 수행된 기판의 영역별 온도를 보여주는 도면이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 도면이다.
도 19는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 20은 도 18에 도시된 인덱스 부를 보여주는 요부 사시도이다.
도 21은 로드 포트에 설치된 광 처리 챔버를 보여주는 측단면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus provided in the liquid processing chamber of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing a substrate processing apparatus provided in the supercritical chamber of FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view illustrating a light processing chamber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing the support of FIG. 4 .
FIG. 6 is a view showing a state in which the heating member of the support of FIG. 4 is detached from the support plate;
7 is a view showing a support according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view showing the irradiation unit of FIG. 4 .
9 is a cross-sectional view of the irradiation unit of FIG. 4 .
10 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing a state of a light processing chamber in which the heat treatment step and the light treatment step of FIG. 10 are performed.
FIG. 12 is a view showing a state in which a substrate is processed by irradiating a second light from the second light source of FIG. 4 .
13 is a view showing a state in which the substrate is processed by irradiating the first light from the first light source of FIG. 4 .
14 is a diagram illustrating a change in energy transmitted to a substrate by the first light over time.
FIG. 15 is a diagram illustrating changes in energy transmitted to a substrate by the first light and the third light of FIG. 4 over time.
16 is a diagram illustrating a temperature deviation for each region of a substrate caused by light irradiated to the substrate.
17 is a view showing the temperature for each region of the substrate on which the heat treatment step and the light treatment step have been performed.
18 is a view showing a light processing chamber according to another embodiment of the present invention.
19 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment.
20 is a perspective view of a main part showing the index unit shown in FIG. 18 .
21 is a side cross-sectional view showing a light processing chamber installed in a load port;

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numbers regardless of the reference numerals, and duplicates thereof A description will be omitted.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스부(100)와 공정 처리부(200)를 포함한다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 10 includes an index unit 100 and a process processing unit 200 .

인덱스 부(100)는 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 그리고 광 처리 챔버(300)를 포함할 수 있다. The index unit 100 may include a load port 120 , an index chamber 140 , and a light processing chamber 300 .

로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 그리고 공정 처리부(200)는 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 그리고 공정 처리부(200)가 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.The load port 120 , the index chamber 140 , and the process processor 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 120 , the index chamber 140 , and the process processor 200 are arranged is referred to as a first direction 12 . And when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction. It is called (16).

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(C)가 안착 된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리부(200)의 공정 효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(C)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(C)내에 위치된다. 캐리어(C)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier C in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 1, it is shown that four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processor 200 . A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier C. As shown in FIG. A plurality of slots are provided in the third direction 16 . The substrates W are positioned in the carrier C to be stacked apart from each other along the third direction 16 . As the carrier C, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

인덱스 챔버(140)는 로드 포트(120)와 로드락 챔버(220) 사이에 위치된다. 인덱스 챔버(140)는 전면 패널, 후면 패널 그리고 양 측면 패널을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(C)와 로드락 챔버(220) 그리고 광 처리 챔버(300) 간에 기판(W)을 반송하기 위한 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 도시하지는 않았지만, 인덱스 챔버(140)는 내부 공간으로 입자 오염물이 유입되는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.The index chamber 140 is positioned between the load port 120 and the load lock chamber 220 . The index chamber 140 has a rectangular parallelepiped shape including a front panel, a rear panel, and both side panels, and therein a carrier C seated on the load port 120 , a load lock chamber 220 , and a light processing chamber An index robot 144 for transferring the substrate W between 300 is provided. Although not shown, the index chamber 140 may include a controlled air flow system such as vents and a laminar flow system to prevent particle contaminants from being introduced into the internal space.

광 처리 챔버(300)는 인덱스 챔버(140)의 일측면에 제공될 수 있다. 광 처리 챔버(300)의 구체적인 구성은 후술한다.The light processing chamber 300 may be provided on one side of the index chamber 140 . A specific configuration of the light processing chamber 300 will be described later.

공정 처리부(200)는 로드락 챔버(220), 이송 챔버(240), 액 처리 챔버(260), 그리고 초임계 챔버(280)를 포함할 수 있다. The process processing unit 200 may include a load lock chamber 220 , a transfer chamber 240 , a liquid processing chamber 260 , and a supercritical chamber 280 .

이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 액 처리 챔버(260) 또는 초임계 챔버(280)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일 측에 위치한 액 처리 챔버(260)들과 이송 챔버(240)의 타측에 위치한 초임계 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12 . A liquid processing chamber 260 or a supercritical chamber 280 are respectively disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 . The liquid processing chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the supercritical chambers 280 located at the other side of the transfer chamber 240 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . .

액 처리 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액 처리 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.Some of the liquid processing chambers 260 may be disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . Also, some of the liquid processing chambers 260 may be disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240 , the liquid processing chambers 260 may be arranged in an arrangement of A X B (each of A and B being a natural number equal to or greater than 1). Here, A is the number of liquid processing chambers 260 provided in a line along the first direction 12 , and B is the number of liquid processing chambers 260 provided in a line along the third direction 16 . When four or six liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 , the liquid processing chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of liquid processing chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the liquid processing chamber 260 may be provided on only one side of the transfer chamber 240 . Also, unlike the above, the liquid processing chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 .

초임계 챔버(280)는 이송 챔버(240)의 타측에서 상술한 액 처리 챔버(260)와 유사하게 배치될 수 있다. 또한, 도 1에서는 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 타측에 초임계 챔버(280)가 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액 처리 챔버(260)들과 초임계 챔버(280)들의 배치는 다양하게 변형될 수 있다.The supercritical chamber 280 may be disposed on the other side of the transfer chamber 240 similarly to the liquid processing chamber 260 described above. Also, in FIG. 1 , the liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 and the supercritical chamber 280 is provided on the other side as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the arrangement of the liquid processing chambers 260 and the supercritical chambers 280 may be variously modified.

로드락 챔버(220)는 인덱스 챔버(140)와 이송 챔버(240)사이에 배치된다. 로드락 챔버(220)는 이송챔버(240)와 인덱스 챔버(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(220)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 로드락 챔버(220)에서 인덱스 챔버(140)와 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된 형태로 제공될 수 있다. The load lock chamber 220 is disposed between the index chamber 140 and the transfer chamber 240 . The load lock chamber 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the index chamber 140 . The load lock chamber 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . In the load lock chamber 220 , a surface facing the index chamber 140 and a surface facing the transfer chamber 240 may be provided in an open form.

이송 챔버(240)는 로드락 챔버(220), 액 처리 챔버(260)들, 그리고 초임계 챔버(280)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 may transfer the substrate W between the load lock chamber 220 , the liquid processing chambers 260 , and the supercritical chambers 280 . A guide rail 242 and a main robot 244 may be provided in the transfer chamber 240 . The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242 .

이하에서는, 기판(W)을 반송하는 구성들을 이송 유닛으로 정의한다. 일 예로, 이송 유닛에는 이송 챔버(240), 그리고 인덱스 챔버(140)가 포함될 수 있다. 또한, 이송 유닛에는 이송 챔버(240)에 제공되는 메인 로봇(244), 그리고 인덱스 로봇(144)이 포함될 수 있다.Hereinafter, components for transporting the substrate W are defined as a transport unit. For example, the transfer unit may include a transfer chamber 240 and an index chamber 140 . Also, the transfer unit may include a main robot 244 provided in the transfer chamber 240 and an index robot 144 .

액 처리 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 세정 공정은 알콜 성분이 포함된 처리 유체들을 사용하여 기판(W) 세정, 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 공정일 수 있다. 각각의 액 처리 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 액 처리 챔버(260) 내의 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액 처리 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 액 처리 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 액 처리 챔버(260)가 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 액 처리 챔버(260)와 제2그룹의 액 처리 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이하에서는 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치의 일 예에 대하여 설명한다.A substrate processing apparatus for performing a cleaning process on the substrate W may be provided in the liquid processing chamber 260 . For example, the cleaning process may be a process of cleaning the substrate W using processing fluids containing an alcohol component, stripping, and removing organic residues. The substrate processing apparatus provided in each liquid processing chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus in each liquid processing chamber 260 may have the same structure. Optionally, the liquid processing chambers 260 are divided into a plurality of groups, and substrate processing apparatuses provided in the liquid processing chamber 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the liquid processing chamber 260 belonging to different groups. The substrate processing apparatuses may have different structures. For example, when the liquid processing chamber 260 is divided into two groups, the first group of liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 and the second group on the other side of the transfer chamber 240 . A liquid processing chamber 260 may be provided. Optionally, a first group of liquid processing chambers 260 may be provided on a lower layer in each of one side and the other side of the transfer chamber 240 , and a second group of liquid processing chambers 260 may be provided on an upper layer. The first group of liquid processing chambers 260 and the second group of liquid processing chambers 260 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively. Hereinafter, an example of a substrate processing apparatus provided in the liquid processing chamber 260 will be described.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 처리 용기(2620), 기판 지지 유닛(2640), 승강 유닛(2660), 그리고 액 공급 유닛(2680)을 포함한다. 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 기판(W)으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus provided in the liquid processing chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 2600 provided in the liquid processing chamber includes a processing container 2620 , a substrate support unit 2640 , an elevation unit 2660 , and a liquid supply unit 2680 . The substrate processing apparatus 2600 provided in the liquid processing chamber 260 may supply the processing liquid to the substrate W. For example, the treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or basic properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF), and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The chemical may be a mixed solution of Diluted Sulfuric Acid Peroxide (DSP). The rinse solution may be pure (H 2 0). The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA) liquid.

처리 용기(2620)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(2620)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(2620)는 내부 회수통(2622) 및 외부 회수통(2626)을 가진다. 각각의 회수통(2622, 2626)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(2622)은 기판 지지 유닛(2640)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(2626)은 내부 회수통(2626)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(2622)의 내측공간(2622a) 및 내부 회수통(2622)은 내부 회수통(2622)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(2622a)로서 기능한다. 내부 회수통(2622)과 외부 회수통(2626)의 사이 공간(2626a)은 외부 회수통(2626)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(2626a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(2622a, 2626a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(2622, 2626)의 저면 아래에는 회수 라인(2622b, 2626b)이 연결된다. 각각의 회수통(2622, 2626)에 유입된 처리액들은 회수 라인(2622b, 2626b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 2620 provides a processing space inside which a substrate is processed. The processing container 2620 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 2620 has an internal recovery bin 2622 and an external recovery bin 2626 . Each of the recovery tanks 2622 and 2626 recovers different treatment liquids from among the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 2622 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 2640 , and the external recovery container 2626 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 2626 . The inner space 2622a and the internal recovery barrel 2622 of the internal recovery barrel 2622 function as a first inlet 2622a through which the treatment liquid flows into the internal recovery barrel 2622 . The space 2626a between the internal collection tube 2622 and the external collection tube 2626 functions as a second inlet 2626a through which the treatment liquid flows into the external collection tube 2626 . In one example, each of the inlets 2622a and 2626a may be located at different heights. Recovery lines 2622b and 2626b are connected under the bottom of each of the recovery barrels 2622 and 2626 . The treatment liquids introduced into each of the recovery tanks 2622 and 2626 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 2622b and 2626b to be reused.

기판 지지 유닛(2640)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(2640)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 지지판(2642), 지지핀(2644), 척핀(2646), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(2642)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. The substrate support unit 2640 supports the substrate W in the processing space. The substrate support unit 2640 supports and rotates the substrate W during the process. The substrate support unit 340 includes a support plate 2642 , a support pin 2644 , a chuck pin 2646 , and a rotation driving member. The support plate 2642 is provided in a substantially circular plate shape, and has an upper surface and a lower surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The upper and lower surfaces are positioned so that their central axes coincide with each other.

지지핀(2644)은 복수 개 제공된다. 지지핀(2644)은 지지판(2642)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(2642)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(2644)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(2644)은 지지판(2642)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 2644 are provided. The support pins 2644 are disposed to be spaced apart from each other at a predetermined interval on the edge of the upper surface of the support plate 2642 and protrude upward from the support plate 2642 . The support pins 2644 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pins 2644 support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 2642 by a predetermined distance.

척핀(2646)은 복수 개 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 중심에서 지지핀(2644)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(2642)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(2646)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(2646)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 2646 are provided. The chuck pin 2646 is disposed farther from the center of the support plate 2642 than the support pin 2644 . The chuck pin 2646 is provided to protrude upward from the upper surface of the support plate 2642 . The chuck pin 2646 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the support plate 2642 is rotated. The chuck pin 2646 is provided to enable linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 2642 . The outer position is a position farther from the center of the support plate 2642 compared to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded from the support plate 2642 , the chuck pin 2646 is positioned at an outer position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 2646 is positioned at an inner position. The inner position is a position where the chuck pin 2646 and the side of the substrate W contact each other, and the outer position is a position where the chuck pin 2646 and the substrate W are spaced apart from each other.

회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지판(2642)을 회전시킨다. 지지판(2642)은 회전 구동 부재(2648, 2649)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지축(2648) 및 구동부(2649)를 포함한다. 지지축(2648)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(2648)의 상단은 지지판(2642)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(2648)은 지지판(2642)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(2649)는 지지축(2648)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(2648)은 구동부(2649)에 의해 회전되고, 지지판(2642)은 지지축(2648)과 함께 회전 가능하다. The rotation drive members 2648 and 2649 rotate the support plate 2642 . The support plate 2642 is rotatable about a magnetic center axis by the rotation driving members 2648 and 2649 . The rotational drive members 2648 and 2649 include a support shaft 2648 and a drive portion 2649 . The support shaft 2648 has a cylindrical shape facing the third direction 16 . The upper end of the support shaft 2648 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 2642 . According to an example, the support shaft 2648 may be fixedly coupled to the center of the bottom surface of the support plate 2642 . The driving unit 2649 provides a driving force to rotate the support shaft 2648 . The support shaft 2648 is rotated by the driving unit 2649 , and the support plate 2642 is rotatable together with the support shaft 2648 .

승강 유닛(2660)은 처리 용기(2620)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(2620)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(2642)에 대한 처리 용기(2620)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(2660)은 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(2642)이 처리 용기(2620)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(2620)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(2622, 2626)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(2620)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(2660)은 브라켓(2662), 이동축(2664), 그리고 구동기(2666)를 가진다. 브라켓(2662)은 처리 용기(2620)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(2662)에는 구동기(2666)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(2664)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(2660)은 지지판(2642)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 2660 linearly moves the processing container 2620 in the vertical direction. As the processing vessel 2620 moves up and down, the relative height of the processing vessel 2620 with respect to the support plate 2642 changes. In the lifting unit 2660 , when the substrate W is loaded or unloaded on the support plate 2642 , the processing container 2620 is lowered so that the support plate 2642 protrudes above the processing container 2620 . In addition, when the process is performed, the height of the processing container 2620 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection troughs 2622 and 2626 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. The lifting unit 2660 has a bracket 2662 , a moving shaft 2664 , and a driver 2666 . The bracket 2662 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 2620 , and a moving shaft 2664 , which is moved in the vertical direction by the driver 2666 , is fixedly coupled to the bracket 2662 . Optionally, the lifting unit 2660 may move the support plate 2642 in the vertical direction.

액 공급 유닛(2680)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(2680)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(2680)은 이동 부재(2681) 및 노즐(2690)을 포함할 수 있다. The liquid supply unit 2680 supplies the processing liquid to the substrate W. A plurality of liquid supply units 2680 may be provided, and each of the liquid supply units 2680 may supply different types of treatment liquids. The liquid supply unit 2680 may include a moving member 2681 and a nozzle 2690 .

이동 부재(2681)는 노즐(2690)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(2690)이 기판 지지 유닛(2640)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(2690)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(2690)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(2690)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.The moving member 2681 moves the nozzle 2690 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the nozzle 2690 faces the substrate W supported by the substrate support unit 2640 , and the standby position is defined as a position where the nozzle 2690 is out of the process position. In one example, the process location includes a pre-treatment location and a post-treatment location. The pre-treatment position is a position at which the nozzle 2690 supplies the treatment liquid to the first supply position, and the post-treatment position is provided as a position where the nozzle 2690 supplies the treatment liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including an end of the substrate. Optionally, the second supply location may be an area adjacent to the end of the substrate.

이동 부재(2681)는 지지축(2686), 아암(2682), 그리고 구동기(2688)를 포함한다. 지지축(2686)은 처리 용기(2620)의 일측에 위치된다. 지지축(2686)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(2686)은 구동기(2688)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(2686)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(2682)은 지지축(2686)의 상단에 결합된다. 아암(2682)은 지지축(2686)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(2682)의 끝단에는 노즐(2690)이 고정 결합된다. 지지축(2686)이 회전됨에 따라 노즐(2690)은 아암(2682)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(2690)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(2682)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(2690)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. The moving member 2681 includes a support shaft 2686 , an arm 2682 , and an actuator 2688 . The support shaft 2686 is located on one side of the processing vessel 2620 . The support shaft 2686 has a rod shape whose longitudinal direction is directed to the third direction. A support shaft 2686 is provided to be rotatable by an actuator 2688 . The support shaft 2686 is provided so as to be movable up and down. Arm 2682 is coupled to the top of support shaft 2686 . Arm 2682 extends perpendicularly from support shaft 2686 . A nozzle 2690 is fixedly coupled to an end of the arm 2682 . As the support shaft 2686 is rotated, the nozzle 2690 is swingable with the arm 2682 . The nozzle 2690 may be swingably moved to a process position and a standby position. Optionally, arm 2682 may be provided to enable forward and backward movement in its longitudinal direction. A path along which the nozzle 2690 moves when viewed from the top may coincide with the central axis of the substrate W at the process position.

도 3은 도 1의 초임계 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 초임계 챔버(280)는 기판(W)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소 일 수 있다. 초임계 챔버(280)에 제공되는 기판 처리 장치(2800)는 하우징(2810), 유체 공급 라인 (2830), 그리고 배출 라인(2860)을 포함한다. 기판(W)은 하우징(2810) 내의 처리 공간에서 지지 수단(미도시)에 의해 지지된다. FIG. 3 is a view showing a substrate processing apparatus provided in the supercritical chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 3 , the supercritical chamber 280 may supply the supercritical fluid to the substrate W. The supercritical fluid may be carbon dioxide in a supercritical state. The substrate processing apparatus 2800 provided in the supercritical chamber 280 includes a housing 2810 , a fluid supply line 2830 , and an exhaust line 2860 . The substrate W is supported by a support means (not shown) in the processing space within the housing 2810 .

하우징(2810)은 초임계 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2810)은 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)를 포함한다. 상부 바디(2812)는 그 위치가 고정되고, 하부 바디(2811)는 승하강 된다. 기판(W)이 하우징(2810) 내로 반입되거나 이로부터 반출될 때에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 이격되고, 기판(W)에 대해 공정 진행시에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 밀착된다. The housing 2810 provides a space in which the supercritical process is performed. The housing 2810 includes a lower body 2811 and an upper body 2812 that are combined with each other to provide a processing space therein. The position of the upper body 2812 is fixed, and the lower body 2811 is raised and lowered. When the substrate W is brought into or taken out of the housing 2810 , the lower body 2811 and the upper body 2812 are spaced apart from each other, and when the substrate W is processed, the lower body 2811 and the upper body 2811 and the upper body 2812 are spaced apart from each other. The bodies 2812 are in close contact with each other.

유체 공급 라인(2830)은 하우징(2810) 내부로 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소일 수 있다. 배출 라인(2860)은 하우징(2810)으로부터 초임계 유체를 배출한다. 배출 라인(2860)은 하부 하우징(2811)에 제공된다. The fluid supply line 2830 supplies the supercritical fluid into the housing 2810 . The supercritical fluid may be carbon dioxide in a supercritical state. A discharge line 2860 discharges the supercritical fluid from the housing 2810 . A discharge line 2860 is provided in the lower housing 2811 .

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 광 처리 챔버(300)에는 기판 처리 장치(3000)가 제공된다. 광 처리 챔버(300)는 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 또한, 광 처리 챔버(300)는 초임계 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 예컨대, 광 처리 챔버(300)는 초임계 챔버(260)에서 건조 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 광 처리 챔버(300)는 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기물을 제거할 수 있다. 4 is a cross-sectional view illustrating a light processing chamber according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , a substrate processing apparatus 3000 is provided in the light processing chamber 300 . The light processing chamber 300 may irradiate light to the substrate W processed in the liquid processing chamber 260 . In addition, the light processing chamber 300 may irradiate light to the substrate W processed in the supercritical chamber 260 . For example, the light processing chamber 300 may irradiate light to the substrate W dried in the supercritical chamber 260 . The light processing chamber 300 may irradiate the substrate W with light to remove organic materials remaining on the substrate W.

광 처리 챔버(300)에 제공되는 기판 처리 장치(3000)는 챔버(3100), 지지부(3200) 그리고 조사부(3300)를 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus 3000 provided in the light processing chamber 300 may include a chamber 3100 , a support part 3200 , and an irradiation part 3300 .

챔버(3100)는 내부 공간을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 상부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)의 일측면에는 개방된 개구(3110)를 가지며, 개방된 개구(3110)는 인덱스 챔버(1400)와 연결되어 기판이 반입되거나 반출되는 통로로 사용될 수 있다. 개방된 개구(3110)는 도어(3120)에 의해 개폐될 수 있다. The chamber 3100 may have an internal space. The chamber 3100 may have a rectangular parallelepiped shape. The chamber 3100 may have a rectangular parallelepiped shape with an open top. One side of the chamber 3100 has an open opening 3110 , and the open opening 3110 is connected to the index chamber 1400 and may be used as a passage through which a substrate is loaded or unloaded. The opened opening 3110 may be opened and closed by the door 3120 .

지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 지지부(3200)는 지지 플레이트(3210), 승강 구동기(3212), 회전 구동기(3214), 그리고 가열 부재(3250)를 포함할 수 있다.The support 3200 may support the substrate W in the inner space of the chamber 3100 . The support 3200 may be provided in the inner space of the chamber 3100 . The support part 3200 may include a support plate 3210 , a lift driver 3212 , a rotation driver 3214 , and a heating member 3250 .

지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(3210)는 판 형상을 가질 수 잇다. 지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 지지하는 안착면을 가질 수 있다. 지지 플레이트(3210)는 측면에서 바라보았을 때 상부로 갈수록 그 면적이 넓어지는 상광하협의 형상을 가질 수 있다. 또한, 지지 플레이트(3210)에는 핀(3220)이 제공될 수 있다. 핀(3220)은 복수로 제공될 수 있다. 핀(3220)은 기판(W)의 지지 플레이트(3210)에 제공되어 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 핀(3220)은 기판(W)의 하면을 지지 플레이트(3210)의 상면으로부터 일정 간격 이격시킬 수 있다. 핀(3220)은 후술하는 가열 부재(3250)의 상면으로부터 기판(W)의 하면을 일정 간격 이격시킬 수 있다. 또한, 핀(3220)들은 기판(W)의 가장 자리 영역을 지지할 수 있다. 핀(3220)들은 기판(W)의 가장 자리 영역의 하면을 지지할 수 있다. 또한, 핀(3220)들은 기판(W)의 측면을 척킹할 수도 있다. 또한, 핀(3220)들은 그 높이가 고정되어 제공될 수 있다. 이와 달리 핀(3220)들은 그 높이가 변경되는 리프트 핀으로 제공될 수도 있다.The support plate 3210 may support the substrate W. The support plate 3210 may have a plate shape. The support plate 3210 may have a seating surface for supporting the substrate W. When viewed from the side, the support plate 3210 may have a shape of a sang-gwang-ha-hyeok in which the area increases toward the upper part. In addition, the support plate 3210 may be provided with a pin 3220 . A plurality of pins 3220 may be provided. The pins 3220 may be provided on the support plate 3210 of the substrate W to support the lower surface of the substrate W. The pins 3220 may separate the lower surface of the substrate W from the upper surface of the support plate 3210 by a predetermined distance. The fins 3220 may space the lower surface of the substrate W by a predetermined distance from the upper surface of the heating member 3250, which will be described later. In addition, the fins 3220 may support an edge region of the substrate W. Referring to FIG. The fins 3220 may support the lower surface of the edge region of the substrate W. Also, the pins 3220 may chuck the side surface of the substrate W. Referring to FIG. In addition, the pins 3220 may be provided with a fixed height. Alternatively, the pins 3220 may be provided as lift pins whose height is changed.

승강 구동기(3212)는 지지 플레이트(3210)를 승강시킬 수 있다. 승강 구동기(3212)는 지지 플레이트(3210)를 승강시켜, 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 예컨대, 조사부(3300)에서 광을 조사할 때에는 지지 플레이트(3210)를 상승 시켜 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 좁힐 수 있다. 반대로 조사부(3300)에서 광 조사를 하지 않을 경우에는 지지 플레이트(3210)를 하강 시켜 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 늘릴 수 있다. 또한, 지지 플레이트(3300)의 높이는 기판(W)에 광을 조사하는 동안에도 변경될 수 있다.The lifting driver 3212 may raise and lower the support plate 3210 . The lifting driver 3212 may raise and lower the support plate 3210 to adjust the distance between the substrate W and the irradiation unit 3300 . For example, when irradiating light from the irradiator 3300 , the support plate 3210 may be raised to narrow the distance between the substrate W and the irradiator 3300 . Conversely, when light is not irradiated from the irradiation unit 3300 , the distance between the substrate W and the irradiation unit 3300 may be increased by lowering the support plate 3210 . Also, the height of the support plate 3300 may be changed while irradiating light to the substrate W.

회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)를 회전시킬 수 있다. 회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)의 하부에 제공될 수 있다. 회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)의 하면과 결합될 수 있다. 회전 구동기(3214)는 조사부(3300)가 광을 조사할 때 지지 플레이트(3210)를 회전시킬 수 있다. 이에, 기판(W) 상에 광의 조사가 균일하게 이루어지도록 할 수 있다.The rotation actuator 3214 may rotate the support plate 3210 . The rotation actuator 3214 may be provided under the support plate 3210 . The rotation driver 3214 may be coupled to a lower surface of the support plate 3210 . The rotation driver 3214 may rotate the support plate 3210 when the irradiation unit 3300 irradiates light. Accordingly, it is possible to uniformly irradiate light onto the substrate W.

가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)에 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)의 상부에 제공될 수 있다. 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)의 상면에 제공될 수 있다. 가열 부재(3250)는 후술하는 조사부(3300)가 기판(W)으로 광을 조사하고, 조사부(3300)가 조사하는 광에 의해 발생하는 상부에서 바라본 기판(W)의 영역별 온도 편차를 감소시키도록 지지부(3200)에 지지된 기판(W)을 가열 할 수 있다. The heating member 3250 may be provided on the support plate 3210 . For example, the heating member 3250 may be provided on the support plate 3210 . The heating member 3250 may be provided on the upper surface of the support plate 3210 . The heating member 3250, which will be described later, irradiates light to the substrate W by the irradiator 3300, and reduces the temperature deviation for each region of the substrate W viewed from the top, which is caused by the light irradiated by the irradiator 3300. The substrate W supported by the support part 3200 may be heated.

도 5는 도 4의 지지부를 보여주는 평면도이다. 도 5를 참조하면, 가열 부재(3250)는 블록(3252), 그리고 히터(3254)를 포함할 수 있다. 히터(3254)는 블록(3252) 내에 제공될 수 있다. 히터(3254)는 가열 수단일 수 있다. 히터(3254)는 발열체 일 수 있다. 히터(3254)는 가열 코일일 수 있다. 블록(3252)은 사각의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 블록(3252)은 다양한 형상으로 변경될 수 있다.FIG. 5 is a plan view showing the support of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , the heating element 3250 may include a block 3252 and a heater 3254 . A heater 3254 may be provided in block 3252 . The heater 3254 may be a heating means. The heater 3254 may be a heating element. The heater 3254 may be a heating coil. Block 3252 may have a rectangular shape. However, the present invention is not limited thereto and the block 3252 may have various shapes.

가열 부재(3250)는 복수로 제공될 수 있다. 가열 부재(3250)의 온도는 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 이에, 가열 부재(3250)가 발생시키는 열은 서로 독립적으로 발생될 수 있다. 가열 부재(3250)는 복수로 제공되어 지지 플레이트(3250)의 상면에 배치될 수 있다. 가열 부재(3250)는 기판(W)에 광이 조사되어 발생하는 상부에서 바라본 기판(W)의 영역별 온도 편차가 발생하는 영역에 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(3250)는 격자 형식으로 배열될 수 있다. 도 5에서는 가열 부재(3250)가 9 개로 제공되고, 3 X 3의 배열 방식으로 지지 플레이트(3210)에 배치되는 것을 예로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 가열 부재(3250)의 숫자는 다양한 숫자로 변경될 수 있으며, 기판(W)의 영역별 온도 편차에 따라 다양한 방식으로 배치될 수 있다. 또한, 도 6에서는 복수의 가열 부재(3250)의 크기가 서로 동일한 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 복수의 가열 부재(3250) 중 일부의 크기와, 복수의 가열 부재(3250) 중 다른 일부의 크기는 서로 상이할 수 있다.A plurality of heating members 3250 may be provided. The temperature of the heating member 3250 may be controlled independently of each other. Accordingly, the heat generated by the heating member 3250 may be generated independently of each other. A plurality of heating members 3250 may be provided and disposed on the upper surface of the support plate 3250 . The heating member 3250 may be disposed according to a region in which a temperature deviation for each region of the substrate W as viewed from above occurs due to light irradiating the substrate W. Referring to FIG. For example, the heating members 3250 may be arranged in a grid pattern. In FIG. 5 , it has been described as an example that nine heating members 3250 are provided and disposed on the support plate 3210 in a 3×3 arrangement method, but is not limited thereto. For example, the number of the heating members 3250 may be changed to various numbers, and may be arranged in various ways according to a temperature deviation for each area of the substrate W. In addition, although it has been described in FIG. 6 that the sizes of the plurality of heating members 3250 are the same as each other, it is not limited thereto. For example, the size of a portion of the plurality of heating members 3250 and the size of another portion of the plurality of heating members 3250 may be different from each other.

도 6은 도 4의 지지부의 가열 부재가 지지 플레이트로부터 탈착되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)에 대하여 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)의 상면에 대하여 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(3250)의 하면에는 하나 이상의 접속 핀(3256)이 제공될 수 있다. 접속 핀(3256)은 지지 플레이트(3210)에 형성된 접속 홈(3211)에 삽입될 수 있다. 즉, 가열 부재(3250)의 접속 핀(3256)은 접속 홈(3211)에 삽입되어, 고정될 수 있다. 또한, 접속 핀(3256)은 접속 홈(3211)에 삽입되어 외부로부터 전력을 전달 받아 히터(3254)의 온도를 상승시킬 수 있다. FIG. 6 is a view showing a state in which the heating member of the support of FIG. 4 is detached from the support plate; Referring to FIG. 6 , the heating member 3250 may be provided detachably with respect to the support plate 3210 . The heating member 3250 may be provided detachably from the upper surface of the support plate 3210 . For example, one or more connection pins 3256 may be provided on a lower surface of the heating member 3250 . The connection pin 3256 may be inserted into the connection groove 3211 formed in the support plate 3210 . That is, the connection pin 3256 of the heating member 3250 may be inserted into the connection groove 3211 to be fixed. In addition, the connection pin 3256 may be inserted into the connection groove 3211 to receive power from the outside to increase the temperature of the heater 3254 .

상술한 예에서는, 가열 부재(3250)가 지지 플레이트(3210)에 대하여 탈착 가능한 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210)에 고정되어 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the heating member 3250 is detachable from the support plate 3210 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the heating member 3250 may be provided by being fixed to the support plate 3210 .

또한, 상술한 예에서는, 가열 부재(3250)가 지지 플레이트(3210)의 상면에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이, 가열 부재(3250)는 지지 플레이트(3210) 내에 제공될 수도 있다.In addition, in the above-described example, it has been described that the heating member 3250 is provided on the upper surface of the support plate 3210 as an example, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 7 , the heating member 3250 may be provided in the support plate 3210 .

도 8은 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 4의 조사부의 단면도이다. 조사부(3300)는 챔버(3100)의 상부에 배치될 수 있다. 조사부(3300)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사할 수 있다. 조사부(3300)는 하우징(3301), 광원(3310, 3320, 3330), 반사판(3340)을 포함할 수 있다. 광원(3310, 3320, 3330)은 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(333)을 포함할 수 있다.FIG. 8 is a plan view showing the irradiation unit of FIG. 4 , and FIG. 9 is a cross-sectional view of the irradiation unit of FIG. 4 . The irradiation unit 3300 may be disposed above the chamber 3100 . The irradiator 3300 may irradiate light to the substrate W supported by the support 3200 . The irradiation unit 3300 may include a housing 3301 , light sources 3310 , 3320 , and 3330 , and a reflector 3340 . The light sources 3310 , 3320 , and 3330 may include a first light source 3310 , a second light source 3320 , and a third light source 333 .

하우징(3301)은 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 하부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)의 상부에 제공되어 서로 조합될 수 있다.The housing 3301 may have an internal space. The housing 3301 may have a rectangular parallelepiped shape. The housing 3301 may have a rectangular parallelepiped shape with an open lower portion. The housing 3301 may have a shape corresponding to the chamber 3100 . The housing 3301 may be combined with the chamber 3100 to form an internal space. The housing 3301 may be provided on the upper portion of the chamber 3100 to be combined with each other.

제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 광을 조사할 수 있다. 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 바(Bar) 형상을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 인접하는 광원들이 서로 상이하도록 교번되게 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제2광원(3310), 제1광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 순서대로 배치될 수 있다. 또한, 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 서로 상이한 높이로 배치될 수 잇다. 일 예로, 제1광원(3310)은 제2광원(3320)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 제1광원(3310)은 제2광원(3330)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)은 같은 높이에 배치될 수 있다.The first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 may emit light. The first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 may have a bar shape. When viewed from the top, the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 may be alternately arranged so that adjacent light sources are different from each other. When viewed from the top, the second light source 3310 , the first light source 3320 , and the third light source 3330 may be sequentially disposed. Also, the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 may be disposed at different heights. For example, the first light source 3310 may be disposed at a higher position than the second light source 3320 . The first light source 3310 may be disposed at a higher position than the second light source 3330 . The second light source 3320 and the third light source 3330 may be disposed at the same height.

제1광원(3310)은 기판(W)으로 제1광(L1)을 조사할 수 있다. 제2광원(3320)은 기판(W)으로 제2광(L2)을 조사할 수 있다. 제3광원(3330)은 기판(W)으로 제3광(L3)을 조사할 수 있다. 제1광원(3310)은 섬광을 조사하는 플래시 램프, 적외선 광을 조사하는 적외선 램프, 자외선 광을 조사하는 자외선 램프, 그리고 레이저 광을 조사하는 레이저 램프 중 어느 하나일 수 있다. 제2광원(3320)은 섬광을 조사하는 플래시 램프, 적외선 광을 조사하는 적외선 램프, 자외선 광을 조사하는 자외선 램프, 그리고 레이저 광을 조사하는 레이저 램프 중 어느 하나일 수 있다. 제3광원(3330)은 섬광을 조사하는 플래시 램프, 적외선 광을 조사하는 적외선 램프, 자외선 광을 조사하는 자외선 램프, 그리고 레이저 광을 조사하는 레이저 램프 중 어느 하나일 수 있다. The first light source 3310 may irradiate the first light L1 to the substrate W. The second light source 3320 may irradiate the second light L2 to the substrate W. The third light source 3330 may irradiate the third light L3 to the substrate W. The first light source 3310 may be any one of a flash lamp irradiating a flash, an infrared lamp irradiating infrared light, an ultraviolet lamp irradiating ultraviolet light, and a laser lamp irradiating laser light. The second light source 3320 may be any one of a flash lamp irradiating a flash, an infrared lamp irradiating infrared light, an ultraviolet lamp irradiating ultraviolet light, and a laser lamp irradiating laser light. The third light source 3330 may be any one of a flash lamp irradiating a flash, an infrared lamp irradiating infrared light, an ultraviolet lamp irradiating ultraviolet light, and a laser lamp irradiating laser light.

이하에서는, 제1광원(3310)이 플래시 램프이고, 제2광원(3320)이 자외선 램프이고, 제3광원(3330)이 적외선 램프인 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3300)의 종류는 다양하게 변경될 수 있다. Hereinafter, the first light source 3310 is a flash lamp, the second light source 3320 is an ultraviolet lamp, and the third light source 3330 is an infrared lamp as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the types of the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3300 may be variously changed.

또한, 도면에서는 조사부(3300)가 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)을 모두 포함하는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 광원들 중 선택된 광원만 사용될 수 있다. 예컨대, 조사부(3300)에는 제1광원(3310)이 단독으로 제공될 수 있다. 또한, 조사부(3300)에는 제2광원(3320)이 단독으로 제공될 수 있다. 또한, 조사부(3300)에는 제3광원(3330)이 단독으로 제공될 수 있다. 또한, 조사부(3300)에는 제1광원(3310)과 제2광원(3320)이 제공될 수 있다. 또한, 조사부(3300)에는 제1광원(3310)과 제3광원(3330)이 제공될 수 있다. 또한, 조사부(3300)에는 제2광원(3320)과 제3광원(3330)이 제공될 수 있다.Also, in the drawings, the irradiator 3300 includes all of the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, only a selected one of the light sources may be used. For example, the first light source 3310 may be provided alone to the irradiation unit 3300 . In addition, the second light source 3320 may be provided alone to the irradiation unit 3300 . In addition, the third light source 3330 may be provided alone to the irradiation unit 3300 . In addition, a first light source 3310 and a second light source 3320 may be provided to the irradiation unit 3300 . In addition, a first light source 3310 and a third light source 3330 may be provided to the irradiation unit 3300 . In addition, the second light source 3320 and the third light source 3330 may be provided to the irradiation unit 3300 .

또한, 이하에서, 제1광원(3310)이 조사하는 광을 제1광(L1)으로, 제2광원(3320)이 조사하는 광을 제2광(L2)으로, 제3광원(3330)이 조사하는 광을 제3광(L3)으로 정의한다.In addition, hereinafter, the light emitted from the first light source 3310 is the first light L1, the light emitted from the second light source 3320 is the second light L2, and the third light source 3330 is The irradiated light is defined as a third light L3.

제1광(L1)과 제2광(L2)은 서로 상이한 파장 범위를 가질 수 있다. 제1광(L1)과 제3광(L3)은 서로 상이한 파장 범위를 가질 수 있다. 제2광(L2)과 제3광(L3)은 서로 상이한 파장 범위를 가질 수 있다. The first light L1 and the second light L2 may have different wavelength ranges. The first light L1 and the third light L3 may have different wavelength ranges. The second light L2 and the third light L3 may have different wavelength ranges.

일 예로, 제1광(L1)은 300 ~ 1000nm의 파장 범위를 가질 수 있다. 또한, 제1광원(3310)이 플래시 램프로 제공되는 경우, 제1광원(3310)이 조사하는 섬광은 설정 간격마다 교번되게 에너지가 변화 할 수 있다. 또한, 제1광원(3310)이 조사하는 제1광(L1)의 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기물(P)로 전달될 수 있다.For example, the first light L1 may have a wavelength range of 300 to 1000 nm. In addition, when the first light source 3310 is provided as a flash lamp, the energy of the flash irradiated by the first light source 3310 may be alternately changed at set intervals. In addition, radiant heat of the first light L1 irradiated by the first light source 3310 may be transferred to the organic material P attached to the substrate W.

또한, 제2광(L2)은 400nm 이상의 파장 범위를 가질 수 있다. 또한, 제2광원(3320)이 자외선 램프로 제공되는 경우, 제2광(L2)은 254nm 또는 185nm의 파장을 가질 수 있다. 제2광(L2)이 254nm의 파장을 가지는 경우, 제2광(L2)은 오존(O3)을 분해할 수 있다. 이에, 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)이 185nm의 파장을 가지는 경우, 제2광(L2)은 산소(O2)를 분해할 수 있다. 이에, 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 또한, 제2광원(3320)은 254nm의 파장의 제2광(L2)과 185nm 파장의 제2광(L2)을 동시에 조사할 수 있다. 이 경우, 오존(O3)과 산소(O2)로부터 활성 산소를 발생시킬 수 있어, 기판 처리 효율을 높일 수 있다.Also, the second light L2 may have a wavelength range of 400 nm or more. Also, when the second light source 3320 is provided as an ultraviolet lamp, the second light L2 may have a wavelength of 254 nm or 185 nm. When the second light L2 has a wavelength of 254 nm, the second light L2 may decompose ozone O3. Accordingly, active oxygen can be generated. When the second light L2 has a wavelength of 185 nm, the second light L2 may decompose oxygen O2. Accordingly, active oxygen can be generated. Also, the second light source 3320 may simultaneously irradiate the second light L2 having a wavelength of 254 nm and the second light L2 having a wavelength of 185 nm. In this case, active oxygen can be generated from ozone (O3) and oxygen (O2), and substrate processing efficiency can be improved.

또한, 제3광(L3)은 800nm 이상의 파장 범위를 가질 수 있다. 또한, 제3광원(3330)이 적외선 램프로 제공되는 경우, 제3광(L3)은 기판(W) 상에 부착된 유기물(P)에 열을 전달 할 수 있다. 이에 유기물(P)을 탄화시킬 수 있다.Also, the third light L3 may have a wavelength range of 800 nm or more. Also, when the third light source 3330 is provided as an infrared lamp, the third light L3 may transfer heat to the organic material P attached to the substrate W. Accordingly, the organic material P may be carbonized.

반사판(3340)은 조사부(3300)에서 조사하는 광을 지지부(3200)에 지지된 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)에서 조사하는 광을 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 또한, 반사판(3340)은 광을 반사할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 반사판(3340)은 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)을 감싸도록 제공될 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)의 상부 영역을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 또한, 반사판(3340)은 측면에서 바라볼 때 라운드 진(Round) 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 일측이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다.The reflective plate 3340 may reflect the light irradiated from the irradiator 3300 to the surface of the substrate W supported by the support 3200 . For example, the reflector 3340 may reflect the light irradiated from the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 to the surface of the substrate W . Also, the reflector 3340 may be made of a material capable of reflecting light. The reflector 3340 may be provided to surround the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 . For example, the reflector 3340 may have a shape surrounding the upper regions of the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 . In addition, the reflector 3340 may have a round shape when viewed from the side. For example, the reflector 3340 may have a cylindrical shape with one side open.

다시 도 4를 참조하면, 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)이 광을 조사하면, 각각의 광원의 온도가 상승한다. 이에 광 처리 챔버(300)에 제공되는 기판 처리 장치(3000)는 쿨링 수단을 가질 수 있다. 예컨대, 쿨링 수단은 하우징(3301)에 설치되는 제1냉각라인(3010)과 챔버(3100)에 설치되는 제2냉각라인(3020), 그리고 제1냉각라인(3010)에 냉매를 공급하는 냉매 공급원(3030)을 포함할 수 있다. 냉매는 냉각 유체일 수 있다. 냉각 유체는 냉각수 일 수 있다. 또한, 냉매는 냉각 가스일 수 있다. 냉매 공급원(3030)을 통해 공급되는 냉각 유체는 제1냉각라인(3010)과 제2냉각라인(3020)을 순환하게 된다. 제1냉각라인(3010)과 제2냉각라인(3020)은 서로 연결될 수 있다.Referring back to FIG. 4 , when the first light source 3310 , the second light source 3320 , and the third light source 3330 irradiate light, the temperature of each light source increases. Accordingly, the substrate processing apparatus 3000 provided in the optical processing chamber 300 may have a cooling means. For example, the cooling means may include a first cooling line 3010 installed in the housing 3301 , a second cooling line 3020 installed in the chamber 3100 , and a refrigerant supply supplying a refrigerant to the first cooling line 3010 . 3030 may be included. The refrigerant may be a cooling fluid. The cooling fluid may be cooling water. Also, the refrigerant may be a cooling gas. The cooling fluid supplied through the refrigerant supply source 3030 circulates through the first cooling line 3010 and the second cooling line 3020 . The first cooling line 3010 and the second cooling line 3020 may be connected to each other.

제어부(5000)는 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 제어부(5000)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어부 (5000)는 액 처리 챔버(260)에서 기판(W)을 처리하고, 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)을 광 처리 챔버(300)로 반송하도록 액 처리 챔버(260), 이송 유닛, 광 처리 챔버(300), 그리고 각각의 챔버 및 유닛에 제공되는 기판 처리 장치들을 제어하는 신호를 출력할 수 있다. 또한, 제어부(5000)는 초임계 챔버(280)에서 기판(W)을 처리하고 초임계 챔버(280)에서 처리된 기판(W)을 광 처리 챔버(300)로 반송하도록 초임계 챔버(280), 이송 유닛, 그리고 광 처리 챔버(300)를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(5000)는 후술하는 데이터 수집 단계(S100)에서 수집된 온도 편차에 대한 데이터를 포함할 수 있다.The controller 5000 may control the substrate processing apparatus 10 . The controller 5000 may control the substrate processing apparatus 10 to perform a substrate processing method described below. For example, the controller 5000 processes the substrate W in the liquid processing chamber 260 and transfers the substrate W processed in the liquid processing chamber 260 to the optical processing chamber 300 . ), the transfer unit, the light processing chamber 300 , and a signal for controlling the substrate processing apparatuses provided to each chamber and unit may be output. In addition, the controller 5000 processes the substrate W in the supercritical chamber 280 and transports the substrate W processed in the supercritical chamber 280 to the light processing chamber 300 . , the transfer unit, and the light processing chamber 300 may be controlled. In addition, the control unit 5000 may include data on the temperature deviation collected in the data collection step ( S100 ) to be described later.

이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 액 처리 단계(S10), 초임계 처리 단계(S20), 열 처리 단계(S30), 광 처리 단계(S40), 그리고 데이터 수집 단계(S100)를 포함할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described. 10 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a liquid processing step (S10), a supercritical processing step (S20), a heat processing step (S30), a light processing step (S40), and a data collection step (S100). may include

액 처리 단계(S10)는 기판(W)에 유기 용제 등의 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 단계일 수 있다. 액 처리 단계(S10)는 액 처리 챔버(260)에서 수행될 수 있다. 초임계 처리 단계(S20)는 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계일 수 있다. 초임계 처리 단계(S20)는 초임계 챔버(280)에서 수행될 수 있다.The liquid treatment step ( S10 ) may be a step of processing the substrate by supplying a treatment liquid such as an organic solvent to the substrate W . The liquid processing step S10 may be performed in the liquid processing chamber 260 . The supercritical processing step S20 may be a step of processing the substrate W by supplying a supercritical fluid. The supercritical processing step S20 may be performed in the supercritical chamber 280 .

데이터 수집 단계(S100)는 조사부(3300)에서 기판(W)으로 조사되어 발생하는 상부에서 바라본 기판(W)의 영역별 온도 편차 데이터를 수집하는 단계일 수 있다. 예컨대, 데이터 수집 단계(S100)에는 가열 부재(3250)에 의한 기판(W) 가열 없이, 조사부(3300)에서 기판(W)으로 광을 조사하여 발생하는 상부에서 바라본 기판(W)의 영역별 온도 편차를 수집하는 단계일 수 있다. 데이터 수집 단계(S100)에 수집된 온도 편차 데이터는 제어부(5000)에 저장될 수 있다. 또한, 데이터 수집 단계(S100)는 열 처리 단계(S30)보다 이전에 수행될 수 있다. 또한, 데이터 수집 단계(S100)는 광 처리 단계(S40)보다 이전에 수행될 수 있다. 또한, 데이터 수집 단계(S100)는 열 처리 단계(S30) 및 광 처리 단계(S40)보다 이전에 수행될 수 있다.The data collection step ( S100 ) may be a step of collecting temperature deviation data for each region of the substrate W as viewed from the top, which is generated by being irradiated to the substrate W by the irradiation unit 3300 . For example, in the data collection step ( S100 ), without heating the substrate (W) by the heating member (3250), the temperature of each region of the substrate (W) viewed from the top generated by irradiating light from the irradiator 3300 to the substrate (W) It may be a step of collecting deviations. The temperature deviation data collected in the data collection step S100 may be stored in the controller 5000 . In addition, the data collection step ( S100 ) may be performed before the heat treatment step ( S30 ). In addition, the data collection step ( S100 ) may be performed before the light processing step ( S40 ). In addition, the data collection step ( S100 ) may be performed before the heat treatment step ( S30 ) and the light processing step ( S40 ).

열 처리 단계(S30)는 광 처리 챔버(300)에서 수행될 수 있다. 열 처리 단계(S30)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 열을 전달하는 단계일 수 있다. 예컨대, 열 처리 단계(S30)는 후술하는 데이터 수집 단계(S100)에서 수집된 데이터에 근거하여, 기판(W)을 가열하는 단계일 수 있다. 예컨대, 열 처리 단계(S30)에는 데이터 수집 단계(S100)에서 수집된 온도 편차에 대한 데이터에 근거하여 가열 부재(3250)가 지지부(3200)에 지지된 기판(W)을 가열할 수 있다.The heat treatment step S30 may be performed in the light processing chamber 300 . The heat treatment step S30 may be a step of transferring heat to the substrate W supported by the support 3200 . For example, the heat treatment step S30 may be a step of heating the substrate W based on data collected in a data collection step S100 to be described later. For example, in the heat treatment step S30 , the heating member 3250 may heat the substrate W supported by the support 3200 based on the data about the temperature deviation collected in the data collection step S100 .

광 처리 단계(S40)는 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 단계일 수 있다. 광 처리 단계(S40)는 광 처리 챔버(300)에서 수행될 수 있다. 광 처리 단계(S40)는 초임계 처리 단계(S20) 이후에 수행될 수 있다. 광 처리 단계(S40)는 액 처리 단계(S10) 이후에 수행될 수 있다.The light processing step ( S40 ) may be a step of removing the organic material remaining on the substrate W by irradiating light to the substrate W . The light processing step S40 may be performed in the light processing chamber 300 . The light processing step S40 may be performed after the supercritical processing step S20 . The light processing step S40 may be performed after the liquid processing step S10 .

이하에서는 열 처리 단계(S30)와 광 처리 단계(S40)에 대하여 상세히 설명한다. 도 11은 도 10의 열 처리 단계와 광 처리 단계를 수행하는 광 처리 챔버의 모습을 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 열 처리 단계(S30)와 광 처리 단계(S40)는 동시에 수행될 수 있다. 열 처리 단계(S30)는 광 처리 단계(S40)가 수행되는 동안에 수행될 수 있다. 선택적으로, 열 처리 단계(S30)는 광 처리 단계(S40)가 수행된 이후에도 계속하여 수행될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고 열 처리 단계(S30)가 수행된 이후, 광 처리 단계(S40)가 수행될 수도 있다. Hereinafter, the heat treatment step S30 and the light treatment step S40 will be described in detail. 11 is a view showing a state of a light processing chamber in which the heat treatment step and the light treatment step of FIG. 10 are performed. Referring to FIG. 11 , the heat treatment step S30 and the light treatment step S40 may be performed simultaneously. The heat treatment step S30 may be performed while the light treatment step S40 is performed. Optionally, the heat treatment step S30 may be continuously performed even after the light treatment step S40 is performed. However, the present invention is not limited thereto, and after the heat treatment step S30 is performed, the light treatment step S40 may be performed.

조사부(3300)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사할 수 있다. 조사부(3300)는 지지부에 지지된 기판(W)으로 제1광(L1), 제2광(L2), 그리고 제3광(l3)을 조사할 수 있다. 제1광(L1)과 제2광(L2)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제1광(L1)과 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제2광(L2)과 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제1광(L1), 제2광(L2), 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 이와 달리, 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 광을 조사하는 광원이 회전할 수도 있다. 이에, 기판(W)에 광이 균일하게 조사될 수 있게 할 수 있다. 또한, 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 즉, 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 기판(W)과 광을 조사하는 조사부(3300) 사이의 상대 간격을 변경할 수 있다. 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 상대 간격을 변경하여, 기판(W)으로 전달되는 광 에너지의 크기를 변경할 수 있다.The irradiator 3300 may irradiate light to the substrate W supported by the support 3200 . The irradiator 3300 may irradiate the first light L1 , the second light L2 , and the third light 13 to the substrate W supported by the support unit. The first light L1 and the second light L2 may be irradiated simultaneously or sequentially. The first light L1 and the third light L3 may be irradiated simultaneously or sequentially. The second light L2 and the third light L3 may be irradiated simultaneously or sequentially. The first light L1 , the second light L2 , and the third light L3 may be simultaneously or sequentially irradiated. While light is irradiated to the substrate W, the substrate W may be rotated. Alternatively, the light source irradiating light may rotate while the light is irradiated to the substrate W. Accordingly, light may be uniformly irradiated to the substrate W. In addition, while light is irradiated to the substrate W, the distance between the substrate W and the irradiation unit 3300 may be adjusted. That is, while light is irradiated to the substrate W, the relative distance between the substrate W and the irradiator 3300 irradiating light may be changed. By changing the relative distance between the substrate W and the irradiator 3300 , the amount of light energy transmitted to the substrate W may be changed.

도 12는 도 4의 제2광원에서 제2광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 13은 도 4의 제1광원에서 제1광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다. FIG. 12 is a view showing a state in which a substrate is processed by irradiating a second light from the second light source of FIG. 4, and FIG. 13 is a view showing a state in which a substrate is processed by irradiating a first light from the first light source of FIG. to be.

도 12를 참조하면, 기판(W)으로 제2광(L2)이 조사될 수 있다. 제2광(L2)은 자외선 광일 수 있다. 제2광(L2)은 400nm 이하의 파장을 가질 수 있다. 제2광(L2)은 254nm 또는 185nm 의 파장을 가질 수 있다. 제2광(L2)은 활성 물질을 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)은 산소 또는 오존으로부터 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)이 발생시키는 활성 산소는 기판(W)에 부착된 유기물(P)과 반응할 수 있다. 활성 산소와 반응하는 유기물(P)은 분해될 수 있다. 또한, 활성 산소와 반응하는 유기물(P)은 산화될 수 있다. 이에, 유기물(P)의 입자 크기는 작아질 수 있다. Referring to FIG. 12 , the second light L2 may be irradiated onto the substrate W. The second light L2 may be ultraviolet light. The second light L2 may have a wavelength of 400 nm or less. The second light L2 may have a wavelength of 254 nm or 185 nm. The second light L2 may generate an active material. The second light L2 may generate active oxygen from oxygen or ozone. Active oxygen generated by the second light L2 may react with the organic material P attached to the substrate W. The organic material (P) reacting with active oxygen may be decomposed. In addition, the organic material (P) reacting with active oxygen may be oxidized. Accordingly, the particle size of the organic material P may be reduced.

도 13을 참조하면, 제2광(L2)이 조사된 이후, 기판(W)으로 제1광(L1)이 조사될 수 있다. 제1광(L1)은 섬광일 수 있다. 제1광(L1)은 300 ~ 1000nm의 파장 범위를 가질 수 있다. 제1광(L1)이 조사하는 섬광은 복사열을 발생시킬 수 있다. 제1광(L1)이 발생시키는 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기물(P)을 제거할 수 있다. 예컨대, 복사열은 유기물(P)을 승화시킬 수 있다. Referring to FIG. 13 , after the second light L2 is irradiated, the first light L1 may be irradiated to the substrate W. The first light L1 may be a flash. The first light L1 may have a wavelength range of 300 to 1000 nm. The flash irradiated by the first light L1 may generate radiant heat. The radiant heat generated by the first light L1 may remove the organic material P attached to the substrate W. For example, radiant heat may sublimate the organic material (P).

상술한 예에서는 제2광(L2)이 조사된 이후 제1광(L1)이 조사되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1광(L1)과 제2광(L2)은 동시에 기판(W)으로 조사될 수 있다.In the above-described example, the first light L1 is irradiated after the second light L2 is irradiated as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the first light L1 and the second light L2 may be simultaneously irradiated onto the substrate W.

도 14는 제1광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이고, 도 15는 도 4의 제1광 및 제3광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.FIG. 14 is a diagram illustrating changes in energy transmitted by the first light to the substrate over time, and FIG. 15 is a diagram illustrating changes in energy transmitted by the first and third lights of FIG. 4 to the substrate over time.

도 13과 도 14를 참조하면, 제1광원(3310)이 조사하는 제1광(L1)은 섬광일 수 있다. 제1광원(3310)이 조사하는 섬광은 설정 간격마다 교번되게 에너지가 변화할 수 있다. 이에 제1광원(3310)은 같은 출력으로 광을 조사하더라도, 더 높은 에너지를 기판(W)에 전달할 수 있다. 이때, 제1광원(3310)이 단독으로 제1광(L1)을 조사하게 되면, 제1광(L1)의 에너지가 낮은 시간대에서는 유기물(P)이 적절히 제거되지 않을 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제1광(L1)과 제3광(L3)을 기판(W)으로 동시에 조사할 수 있다. 이에, 제1광(L1)의 에너지가 낮은 시간대에서, 기판(W)으로 전달되는 에너지를 높일 수 있다. 즉, 제3광(L3)을 조사하여, 기판(W)의 온도를 상승 및 유지시킬 수 있다. 또한 제1광(L1)을 통해 기판(W) 상에 부착된 유기물(P)을 효과적으로 제거할 수 있다.13 and 14 , the first light L1 emitted by the first light source 3310 may be a flash. The energy of the flash irradiated by the first light source 3310 may be alternately changed at set intervals. Accordingly, the first light source 3310 may transmit higher energy to the substrate W even when irradiating light with the same output. In this case, when the first light source 3310 alone irradiates the first light L1 , the organic material P may not be properly removed in a time period when the energy of the first light L1 is low. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the first light L1 and the third light L3 may be simultaneously irradiated onto the substrate W. Accordingly, in a time period when the energy of the first light L1 is low, the energy transmitted to the substrate W may be increased. That is, the temperature of the substrate W may be raised and maintained by irradiating the third light L3 . In addition, the organic material P attached to the substrate W may be effectively removed through the first light L1 .

또한, 상술한 제1광(L1)과, 제2광(L2), 그리고 제3광(L3)을 기판(W)으로 조사하게 되면, 활성 산소를 발생시켜 기판(W)에 부착된 유기물(P)의 입자 크기를 줄이고, 기판(W)의 온도를 상승 및 유지시키며, 기판(W)에 같은 출력이라도 높은 에너지를 갖는 광을 조사하여 유기물(P)을 효과적으로 제거할 수 있다.In addition, when the above-described first light L1, second light L2, and third light L3 are irradiated to the substrate W, active oxygen is generated and the organic material ( By reducing the particle size of P), increasing and maintaining the temperature of the substrate W, and irradiating light with high energy even at the same output to the substrate W, the organic material P can be effectively removed.

도 16은 기판에 조사된 광에 의해 발생하는 기판의 영역별 온도 편차를 보여주는 도면이다. 조사부(3300)가 기판(W)으로 광을 조사하게 되면, 상부에서 바라본 기판(W)의 영역 별로 온도 편차가 발생한다. 예컨대, 상부에서 바라본 기판(W)의 영역을 격자 형식으로 분할하여 살펴보면, 영역 별로 기판(W)의 온도는 제1온도(T1) 내지 제9온도(T9)로 서로 상이할 수 있다. 이러한 온도 편차는 광을 조사하여 유기 물질을 제거시, 기판(W)의 영역별로 유기 물질 제거율을 상이하게 한다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 열 처리 단계(S30)에서 가열 부재(3250)는 조사부(3300)가 조사하는 광에 의해 발생하는 상부에서 바라본 기판(W)의 영역별 온도 편차를 감소시킬 수 있다. 예컨대, 열 처리 단계(S30)에는 기판(W)의 온도가 낮은 영역에는 상대적으로 많은 열을 전달하여 기판(W)을 가열하고, 기판(W)의 온도가 높은 영역에는 상대적으로 적은 열을 전달하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 이에, 도 17에 도시된 바와 같이 열 처리 단계(S30), 그리고 광 처리 단계(S40)의 수행이 완료되면 기판(W)의 온도는 전 영역에서 설정 온도(T0) 유지될 수 있다. 이에, 기판(W)의 영역별로 유기 물질 제거율이 달라지는 것을 방지할 수 있다.16 is a diagram illustrating a temperature deviation for each region of a substrate caused by light irradiated to the substrate. When the irradiator 3300 irradiates light to the substrate W, a temperature deviation occurs for each region of the substrate W viewed from the top. For example, when the region of the substrate W viewed from the top is divided in a grid format, the temperature of the substrate W may be different from each other in the first temperature T1 to the ninth temperature T9 for each region. This temperature deviation causes different organic material removal rates for each region of the substrate W when the organic material is removed by irradiating light. However, according to an embodiment of the present invention, in the heat treatment step (S30), the heating member 3250 may reduce the temperature deviation for each region of the substrate W viewed from the upper portion caused by the light irradiated by the irradiator 3300. can For example, in the heat treatment step S30 , a relatively large amount of heat is transferred to an area where the temperature of the substrate W is low to heat the substrate W, and relatively little heat is transferred to an area where the temperature of the substrate W is high. Thus, the substrate W can be heated. Accordingly, as shown in FIG. 17 , when the heat treatment step S30 and the light treatment step S40 are completed, the temperature of the substrate W may be maintained at the set temperature T0 in the entire region. Accordingly, it is possible to prevent the organic material removal rate from being varied for each region of the substrate W.

또한, 기판(W)에 부착된 유기 물질을 제거하기 위해, 광을 조사하는 경우 기판(W)의 온도 상승 시간이 많이 소요될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가열 부재(3250)에 히터(3254)가 제공된다. 히터(3254)는 기판(W)의 온도 상승 시간을 더욱 단축시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판(W)에 부착된 유기 물질에 조사부(3300)가 조사하는 광 에너지 뿐 아니라, 열 에너지를 추가로 가할 수 있다. 즉, 광에 의한 유기 물질의 기화 및 열 에너지에 의한 열 분해를 통한 이중 처리에 의해 기판(W)에 부착된 유기 물질의 제거 효율을 극대화 할 수 있다.In addition, in order to remove the organic material adhering to the substrate W, when light is irradiated, it may take a long time for the temperature of the substrate W to rise. However, according to an embodiment of the present invention, a heater 3254 is provided in the heating member 3250 . The heater 3254 may further shorten the temperature rise time of the substrate W. In addition, according to an embodiment of the present invention, not only the light energy irradiated by the irradiator 3300 but also thermal energy may be additionally applied to the organic material attached to the substrate W. That is, it is possible to maximize the removal efficiency of the organic material attached to the substrate W by double processing through vaporization of the organic material by light and thermal decomposition by thermal energy.

도 18은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 도면이다. 광 처리 챔버(300a)가 가지는 챔버(3100a) 아래에는 버퍼 챔버(400)제공될 수 있다. 18 is a view showing a light processing chamber according to another embodiment of the present invention. A buffer chamber 400 may be provided under the chamber 3100a of the light processing chamber 300a.

버퍼 챔버(400)는 기판을 일시적으로 보관할 수 있는 다수의 슬롯(410)들을 포함할 수 있다. 기판은 챔버(3100a)에서 유기물(P) 제거를 마친 후 버퍼 챔버(400)로 옮겨질 수 있으며, 버퍼 챔버(400)에서 기판(W) 반송이 가능한 온도까지 냉각 처리된 후 인덱스 로봇(144)에 의해 캐리어로 옮겨질 수 있다. 도시하지 않았지만 버퍼 챔버(400)에는 기판의 온도를 낮추기 위한 수단이 추가될 수 있다.The buffer chamber 400 may include a plurality of slots 410 for temporarily storing a substrate. The substrate may be transferred to the buffer chamber 400 after removing the organic material P from the chamber 3100a, and after cooling to a temperature at which the substrate W can be transported in the buffer chamber 400, the index robot 144 can be transferred to the carrier by Although not shown, a means for lowering the temperature of the substrate may be added to the buffer chamber 400 .

도 19는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 20은 도 18에 도시된 인덱스 부를 보여주는 요부 사시도이고, 도 21은 로드 포트에 설치된 광 처리 챔버를 보여주는 측단면도이다. 19 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment, FIG. 20 is a perspective view of a main part of the index unit shown in FIG. 18 , and FIG. 21 is a side cross-sectional view illustrating a light processing chamber installed in a load port.

도 19 내지 도 21을 참조하면, 다른 예에 따른 기판 처리 장치(10e)는 인덱스부(100e)와 공정 처리부(200e), 광 처리 챔버(300e)를 포함하며, 이들은 도 1에 도시된 인덱스부(100)와 공정 처리부(200) 그리고 광 처리 챔버(300)와 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 다른예를 설명하기로 한다. 19 to 21 , a substrate processing apparatus 10e according to another example includes an index unit 100e, a process unit 200e, and a light processing chamber 300e, which include the index unit shown in FIG. 1 . Since it is provided with a configuration and function substantially similar to that of 100, the process processing unit 200, and the light processing chamber 300, another example will be mainly described with reference to differences from the present embodiment.

다른 예에서, 광 처리 챔버(300e)는 로드 포트(120e)에 장착된다는데 그 특징이 있다. 따라서, 반도체 생산 라인에 이미 설치된 기판 처리 설비에도 큰 설계 변경 없이 광 처리 챔버(300e)를 추가적으로 장착하여 운용할 수 있다. In another example, the light processing chamber 300e is characterized in that it is mounted on the load port 120e. Accordingly, the optical processing chamber 300e may be additionally mounted and operated even in a substrate processing facility already installed in a semiconductor production line without a major design change.

일 예로, 광 처리 챔버(300e)는 인덱스부(100e)의 전방에 배치된 4개의 로드 포트(120e) 중에서 하나의 로드 포트에 탑재될 수 있으며, 초임계 건조 공정 후 캐리어(C)로 반출되기 전 기판 표면의 유기물 제거 공정을 추가할 수 있다.For example, the light processing chamber 300e may be mounted on one of the four load ports 120e disposed in front of the index unit 100e, and is carried out to the carrier C after the supercritical drying process. An organic matter removal process from the entire substrate surface can be added.

이를 위해, 광 처리 챔버(300e)는 로드 포트(120e)에 장착된 상태에서 도어 오프너(1230)에 의해 개폐될 수 있는 캐리어 도어(3600)를 포함할 수 있다.To this end, the light processing chamber 300e may include a carrier door 3600 that can be opened and closed by the door opener 1230 while being mounted on the load port 120e.

캐리어 도어(3600)에는 일반적인 캐리어(FOUP)의 도어와 동일하게 레지스트레이션 핀 구멍(3601), 래치 키 구멍(3602) 등이 마련되어 있다. 레지스트레이션 핀 구멍(3601)은 위치 결정을 위해 이용되는 것이며, 래치 키 구멍(3602)은 캐리어 도어(3600)를 개폐하기 위해 이용되는 구성이다. The carrier door 3600 has a registration pin hole 3601 , a latch key hole 3602 , and the like, similar to the door of a general carrier (FOUP). The registration pin hole 3601 is used for positioning, and the latch key hole 3602 is a configuration used to open and close the carrier door 3600 .

한편, 로드 포트(120e)는 구동 테이블(1210)과 포트 도어(1220)를 포함하며, 포트 도어(1220)는 인덱스 챔버(100e)의 전면 일부를 구성한다. 또한, 본 실시 형태에서는 인덱스 챔버(100e)의 벽면은 SEMI 규격의 FOUP에 대응하는 FlMS면의 일부를 구성한다. Meanwhile, the load port 120e includes a driving table 1210 and a port door 1220 , and the port door 1220 constitutes a front portion of the index chamber 100e. In addition, in the present embodiment, the wall surface of the index chamber 100e constitutes a part of the FlMS surface corresponding to the FOUP of the SEMI standard.

포트 도어(1220)에 표시된 부호 1221은 레지스트레이션 핀, 부호 1222는 래치 키이며, 모두 포트 도어(1220)의 표면 상에 설치되어 있다. 레지스트레이션 핀(1221)은 캐리어 도어(3600)에 설치된 레지스트레이션 핀 구멍(3601)에 삽입된 상태에서 위치 결정을 행하기 위한 것이다. 또한, 래치 키(1222)는 캐리어 도어(3600)에 설치된 래치 키 구멍(3602)에 삽입되어 회전함으로써, 클램핑 기구의 결합 부재(미도시됨)를 챔버(3100)로부터 제거할 수 있고, 이에 의해 캐리어 도어(3600)를 개방할 수 있다. 이러한 동작은 SEMI 규격의 FOUP 도어 개폐와 동일하게 이루어질 수 있다. Reference numeral 1221 indicated on the port door 1220 denotes a registration pin, and reference numeral 1222 denotes a latch key, both of which are provided on the surface of the port door 1220 . The registration pin 1221 is for positioning while being inserted into the registration pin hole 3601 provided in the carrier door 3600 . In addition, the latch key 1222 is inserted into the latch key hole 3602 installed in the carrier door 3600 and rotated, so that the coupling member (not shown) of the clamping mechanism can be removed from the chamber 3100, thereby The carrier door 3600 may be opened. This operation may be performed in the same manner as the SEMI standard FOUP door opening and closing.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

광 처리 챔버 : 300
광 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치 : 3000
제1냉각 라인 : 3010
제2냉각 라인 : 3020
냉매 공급원 : 3030
챔버 : 3100
개구 : 3110
도어 : 3120
지지부 : 3200
지지 플레이트 : 3210
승강 구동기 : 3212
회전 구동기 : 3214
가열 부재 : 3250
조사부 : 3300
하우징 : 3301
제1광원 : 3310
제2광원 : 3320
제3광원 : 3330
반사판 : 3340
제1광 : L1
제2광 : L2
제3광 : L3
유기 물질 : PLight processing chamber: 300
Substrate processing apparatus provided in the light processing chamber: 3000
1st cooling line: 3010
2nd cooling line: 3020
Refrigerant Source: 3030
Chamber: 3100
Aperture: 3110
Door: 3120
Support: 3200
Support plate: 3210
Lifting actuator: 3212
Rotary actuator: 3214
Heating element: 3250
Research Department: 3300
Housing: 3301
1st light source: 3310
Second light source: 3320
3rd light source: 3330
Reflector: 3340
Light 1 : L1
2nd light: L2
3rd light : L3
Organic matter: P

Claims (23)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와;
상기 지지부에 지지된 기판으로 광을 조사하여, 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 조사부와;
상기 지지부에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재; 및
제어부를 포함하되,
상기 제어부는,
상기 가열 부재의 관여 없이 상기 조사부에 의해 발생한 기판의 영역 별 온도 편차에 관한 데이터를 기반으로 상기 온도 편차를 감소시키도록 상기 기판을 가열하도록 상기 가열 부재를 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a light processing chamber having an interior space;
a support for supporting the substrate in the inner space;
an irradiating unit irradiating light to the substrate supported by the support unit to remove organic materials remaining on the substrate;
a heating member for heating the substrate supported by the support; and
including a control,
The control unit is
A substrate processing apparatus for controlling the heating member to heat the substrate so as to reduce the temperature deviation based on data on the temperature deviation for each region of the substrate generated by the irradiation unit without the involvement of the heating element. 제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 가열 부재의 가열 없이 상기 데이터를 수집하는 데이터 수집 단계와;
상기 데이터에 근거하여 상기 가열 부재가 상기 지지부에 지지된 기판을 가열하는 열 처리 단계와;
상기 광을 조사하여 상기 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 수행하도록 상기 지지부와 상기 조사부를 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The control unit is
a data collection step of collecting the data without heating the heating member;
a heat treatment step of heating the substrate supported by the support portion by the heating member based on the data;
A substrate processing apparatus for controlling the support part and the irradiator to perform a light processing step of removing the organic material by irradiating the light. 제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 열 처리 단계와 상기 광 처리 단계가 동시 또는 순차적으로 수행되도록 상기 지지부와 상기 조사부를 제어하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The control unit is
A substrate processing apparatus for controlling the support part and the irradiation part so that the heat treatment step and the light treatment step are performed simultaneously or sequentially. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지부는,
상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트에 제공되고, 기판을 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 이격시키는 핀을 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The support part,
a support plate provided with the heating element;
and a pin provided on the support plate and spaced apart from an upper surface of the support plate. 제4항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 지지 플레이트의 상면에 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heating element is
A substrate processing apparatus provided on an upper surface of the support plate. 제5항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 지지 플레이트의 상면에 대하여 탈착 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The heating element is
A substrate processing apparatus provided detachably from an upper surface of the support plate. 제4항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 지지 플레이트 내에 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heating element is
A substrate processing apparatus provided in the support plate. 제4항에 있어서,
상기 가열 부재는 복수로 제공되고,
복수의 상기 가열 부재의 온도는 서로 독립적으로 제어되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heating member is provided in plurality,
A substrate processing apparatus in which temperatures of the plurality of heating members are controlled independently of each other. 제8항에 있어서,
복수의 상기 가열 부재들은,
상기 온도 편차가 발생하는 상기 기판의 영역에 따라 상기 지지 플레이트에 배치되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
A plurality of the heating elements,
A substrate processing apparatus disposed on the support plate according to an area of the substrate in which the temperature deviation occurs. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
초임계 유체를 공급하여 기판을 건조 처리하는 초임계 챔버와;
상기 초임계 챔버와 상기 광 처리 챔버 사이에 기판을 반송하는 이송 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The device is
a supercritical chamber for drying the substrate by supplying a supercritical fluid;
and a transfer unit for transferring a substrate between the supercritical chamber and the light processing chamber. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조사부는,
기판으로 제1광을 조사하는 제1광원과;
기판으로 상기 제1광과 상이한 파장 범위를 가지는 제2광을 조사하는 제2광원을 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The investigation unit,
a first light source irradiating the first light to the substrate;
and a second light source irradiating a second light having a wavelength range different from that of the first light to the substrate. 제11항에 있어서,
상기 제1광원은,
플래시 램프, 적외선 램프, 자외선 램프, 그리고 레이저 램프 중 어느 하나이고,
상기 제2광원은,
플래시 램프, 적외선 램프, 자외선 램프, 그리고 레이저 램프 중 다른 하나인 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The first light source is
any one of a flash lamp, an infrared lamp, an ultraviolet lamp, and a laser lamp;
The second light source is
A substrate processing device that is another of a flash lamp, an infrared lamp, an ultraviolet lamp, and a laser lamp. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지부는,
상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 회전시키는 회전 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The support part,
a support plate provided with the heating element;
and a rotation actuator configured to rotate the support plate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지부는,
상기 가열 부재가 제공되는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 승강시키는 승강 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The support part,
a support plate provided with the heating element;
and a lift driver configured to lift and lower the support plate. 기판에 광을 조사하여 상기 기판을 처리하는 방법에 있어서,
조사부에 의해 조사되는 상기 광에 의해 발생되는 기판의 영역별 온도 편차 데이터를 수집하는 데이터 수집 단계와;
상기 데이터에 근거하여 상기 온도 편차를 감소시키도록 가열 부재가 상기 기판을 가열하는 열 처리 단계와;
상기 조사부가 상기 기판에 상기 광을 조사하여 상기 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 포함하고,
상기 데이터 수집 단계에서 상기 가열 부재에 의한 기판의 가열은 이루어지지 않는 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate by irradiating light to the substrate,
a data collection step of collecting temperature deviation data for each region of the substrate generated by the light irradiated by an irradiator;
a heat treatment step in which a heating member heats the substrate to reduce the temperature deviation based on the data;
and a light processing step of removing the organic material remaining on the substrate by irradiating the light to the substrate by the irradiator,
In the data collection step, heating of the substrate by the heating member is not performed. 제15항에 있어서,
상기 열 처리 단계와 상기 광 처리 단계는 동시 또는 순차적으로 수행되는 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
The heat treatment step and the light treatment step are performed simultaneously or sequentially. 제15항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 기판을 지지하는 지지부에 제공되며,
복수로 제공되어 온도가 서로 독립적으로 제어되는 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
The heating element is
It is provided on a support for supporting the substrate,
A substrate processing method provided in plurality so that the temperature is controlled independently of each other. 제17항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 온도 편차가 발생하는 상기 기판의 영역에 따라 상기 기판의 하부에 배치되는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
The heating element is
a substrate processing method disposed under the substrate according to an area of the substrate in which the temperature deviation occurs. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 광은,
제1광과;
상기 제1광과 상이한 파장 범위를 가지는 제2광을 포함하는 기판 처리 방법.18. The method of claim 16 or 17,
The light is
first light;
and a second light having a wavelength range different from that of the first light. 제19항에 있어서,
상기 제1광은 섬광, 적외선 광, 자외선 광, 레이저 광 중 어느 하나이고,
상기 제2광은 섬광, 적외선 광, 자외선 광, 레이저 광 중 다른 하나인 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
The first light is any one of flash, infrared light, ultraviolet light, laser light,
The second light is another one of flash, infrared light, ultraviolet light, and laser light. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 방법은,
초임계 유체를 공급하여 상기 기판을 건조하는 초임계 처리 단계를 더 포함하고,
상기 광 처리 단계는 상기 초임계 처리 단계 이후에 수행되는 기판 처리 방법. 18. The method of claim 16 or 17,
The method is
Further comprising a supercritical treatment step of drying the substrate by supplying a supercritical fluid,
The light processing step is a substrate processing method performed after the supercritical processing step. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 광이 상기 기판에 조사되는 동안 상기 기판을 회전시키는 기판 처리 방법.18. The method of claim 16 or 17,
A substrate processing method for rotating the substrate while the light is irradiated to the substrate. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 광이 상기 기판에 조사되는 동안 상기 기판과 상기 광을 조사하는 조사부 사이의 간격을 변경하는 기판 처리 방법.

18. The method of claim 16 or 17,
While the light is irradiated to the substrate, a substrate processing method for changing a distance between the substrate and an irradiator for irradiating the light.
KR1020190125417A 2019-10-10 2019-10-10 Substrate processing apparatus and a substrate processing method KR102276002B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190125417A KR102276002B1 (en) 2019-10-10 2019-10-10 Substrate processing apparatus and a substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190125417A KR102276002B1 (en) 2019-10-10 2019-10-10 Substrate processing apparatus and a substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210043048A KR20210043048A (en) 2021-04-21
KR102276002B1 true KR102276002B1 (en) 2021-07-14

Family

ID=75744347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190125417A KR102276002B1 (en) 2019-10-10 2019-10-10 Substrate processing apparatus and a substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102276002B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101598557B1 (en) 2015-06-12 2016-03-21 에이피시스템 주식회사 Substrate processing apparatus and method for heat treatment the same
KR101870659B1 (en) * 2016-12-26 2018-06-27 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160115398A (en) * 2015-03-27 2016-10-06 에이피시스템 주식회사 Heater block and substrate processing apparatus
KR101994422B1 (en) * 2017-05-10 2019-07-02 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101598557B1 (en) 2015-06-12 2016-03-21 에이피시스템 주식회사 Substrate processing apparatus and method for heat treatment the same
KR101870659B1 (en) * 2016-12-26 2018-06-27 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210043048A (en) 2021-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102433558B1 (en) Substrate processing apparatus and a substrate processing method
KR100332713B1 (en) Processing apparatus and method
KR101166109B1 (en) Facility for treating substrates
KR102375576B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2022087065A (en) Apparatus for treating substrates
CN110875177A (en) Substrate processing apparatus and method
KR101109074B1 (en) System and method for treating substrates
WO2012111359A1 (en) Template processing method, computer storage medium, template processing apparatus, and imprinting system
KR102276002B1 (en) Substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP2009064726A (en) Substrate inspection device, substrate inspection method, and storage medium
KR20230104498A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102454656B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20220095258A (en) Substrate processing apparatus and a substrate processing method
KR102684857B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP5108834B2 (en) Template processing apparatus, imprint system, release agent processing method, program, and computer storage medium
KR20220001105A (en) Apparatus for treating substrate
US20230176485A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102537676B1 (en) Apparatus for treating substrate
US20240234171A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201838034A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20240203773A1 (en) Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same
US20240038544A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102640149B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
KR20230102710A (en) Substrate processing apparatus
KR20230102704A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant