KR102275037B1

KR102275037B1 - 화학 기상 증착 반응 장치

Info

Publication number: KR102275037B1
Application number: KR1020190076210A
Authority: KR
Inventors: 엄태용; 정택모; 이영국; 박보근; 김건환; 이선주
Original assignee: 한국화학연구원
Priority date: 2019-06-26
Filing date: 2019-06-26
Publication date: 2021-07-08
Also published as: KR20210000925A

Abstract

본 발명은 가스가 통과하는 제1 통로가 형성되며 가스 유입구 측에 위치되는 상부 플레이트와, 일면이 상부 플레이트와 밀착되고 타면이 웨이퍼와 마주보게 배치되며 가스가 통과하는 제2 통로가 형성되는 하부 플레이트를 포함하여 이루어져, 상부 플레이트와 하부 플레이트 중 어느 하나를 회전 시키거나 수평이동 시킬 경우 실효 공극 크기와 개수가 조절되어, 웨이퍼의 각 영역에 증착되는 가스의 양을 조절할 수 있는 화학 기상 증착 반응 장치에 관한 것이다.

Description

화학 기상 증착 반응 장치{Chemical Vapor Deposition Reactor}

본 발명은 화학 기상 증착 반응 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기계적 방식을 이용하여 웨이퍼에 증착되는 영역별 가스 분배량을 조절할 수 있는 화학 기상 증착 반응 장치에 관한 것이다.

반도체 제조공정 중 이차원 물질 또는 박막 형성공정에서 그래핀을 포함하는 대면적의 이차원 물질 또는 박막을 형성하는 방법으로, 스터퍼링(sputtering) 방법과, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 방법이 널리 사용되고 있다.

그리고, 화학 기상 증착 방법을 이용한 박막 형성은 최적화된 화학 기상 증착 챔버에서 이루어지며, 화학 기상 증착 챔버의 종류는 크게 진공도에 따라 대기압 화학 기상 증착 챔버(Atmospheric Pressure CVD, APCVD)와, 저압 화학 기상 증착 챔버(Low Pressure CVD, LPCVD)로 나눌 수 있고, 이 외에도 활성화 에너지 공급 방법에 따라 플라즈마 화학 기상 증착 챔버(Plasma Enhance CVD, PECVD), 열 화학 기상 증착 챔버(Theral Chemical vapor deposition, TCVD)로 구분될 수 있다.

그러나, 이러한 종래의 화학 기상 증착 챔버는 도 1에 도시된 바와 같이 투입구(10)를 통해 챔버 내부로 가스를 주입하면, 챔버 내부에 구비된 분배판(20)에서 주입된 가스가 분배되어 스테이지(30)에 위치된 웨이퍼(40)에 가스가 증착되는 구조로, 도 2에 도시된 바와 같이 분배판(20)에 형성된 공극(21)의 크기 및 개수에 따라 웨이퍼(40)의 지정 영역에 분배되는 가스의 양이 결정되기 때문에, 웨이퍼(40)에 증착되는 영역별 가스의 양을 조절하기 위해서는 분배판(20)을 교체하여야 하는 문제가 있었다.

특허문헌 1) 국내공개특허공보 제2019-0061877호(명칭: 박막 증착 방법, 공개일: 2019.06.05)

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 분배판을 교체하지 않고 웨이퍼의 특정 영역에 인가되는 가스의 양을 조절할 수 있는 화학 기상 증착 반응 장치를 제공하는 것이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명인 화학 기상 증착 반응 장치는, 유입되는 가스를 분배하여 웨이퍼(1)에 증착시키는 화학 기상 증착 반응 장치에 있어서, 가스가 통과하는 제1 통로(110)가 형성되며 가스 유입구 측에 위치되는 상부 플레이트(100); 및 상기 일면이 상기 상부 플레이트(100)와 밀착되고 타면이 상기 웨이퍼(1)와 마주보게 배치되며 가스가 통과하는 제2 통로(210)가 형성되는 하부 플레이트(200);를 포함하며, 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200) 중 어느 하나의 움직임에 대응하여 상기 제1 통로(110) 및 상기 제2 통로(210)가 형성하는 실효 공극 크기와 개수가 조절되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)중 어느 하나를 움직이는 가용공극 조절부(300)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 가용공극 조절부(300)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)중 어느 하나 이상을 회전시켜 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)가 서로 연통되며 형성되는 가용공극의 크기와 개수를 조절하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)의 상하방향 중심축을 중심으로 하는 원을 따라 형성되는 복수개의 제1 통로 단위체와, 제2 통로 단위체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 통로 단위체와 상기 제2 통로 단위체가 형성되는 원의 지름은 서로 동일한 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 통로(110)는 상기 상부 플레이트(100)의 중심 영역에 형성되는 상부 내측 통로(111)와 가장자리 영역에 형성되는 상부 외측 통로(112)를 포함하고, 상기 제2 통로(210)는 상기 하부 플레이트(100)의 중심 영역에 형성되는 하부 내측 통로(211)와 가장자리에 형성되는 하부 외측 통로(212)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)는 서로 동일한 직경을 가지며, 상기 하부 플레이트(200)의 중심을 지나는 제1 임의의 선(H1) 상에 중심이 위치되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 상부 내측 통로(111)보다 각지름이 큰 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 하기 수학식 1에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.

(수학식 1)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 내측 통로의 각지름,

: 상부 외측 통로의 각지름)

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)는 상기 상부 외측 통로(112)보다 각지름이 큰 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)의 각지름은 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.

(수학식 2)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 외측 통로의 각지름,

: 상부 내측 통로의 각지름)

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 서로 반대 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 하기 수학식 1에 의해 결정되고, 상기 상부 내측 통로(111)의 각지름은 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.

(수학식 1)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 내측 통로의 각지름,

: 상부 외측 통로의 각지름)

(수학식 2)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 외측 통로의 각지름,

: 상부 내측 통로의 각지름)

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 하부 내측 통로(211)와 동일한 각지름을 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 가용공극 조절부(300)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200) 중 어느 하나 이상을 서로 접하는 면이 위치되는 평면 상에서 수평이동 시켜, 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)가 연통되며 형성되는 실효공극의 크기와 개수를 조절하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 통로(110)는 상기 제2 통로(210)와 마주보며, 제2 통로(210) 보다 긴 직경을 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 통로(210)는 상기 하부 플레이트(200)의 중심과 인접한 내측에 위치되는 하부 내측 통로(211)와, 가장자리에 인접한 외측에 위치되는 하부 외측 통로(212)를 포함하고, 상기 제1 통로(110)는 상기 하부 내측 통로(211)와 마주보는 상부 내측 통로(111)와, 상기 하부 외측 통로(212)와 마주보는 상부 외측 통로(112)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)의 중심을 지나는 제2 임의의 선(H2)을 기준으로 보았을 때 각각 좌측과 우측으로 연장 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직일 때, 상기 하부 플레이트(100)에 형성된 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 모두 개방되는 교차영역과, 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직였을 때, 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 개방되는 비율이 조절되는 가장자리 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 교차영역과 상기 가장자리 영역의 길이 비는 1:2인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 서로 교차하는 방향으로 연장 형성되어, 상기 상부 플레이트(100)의 전후방향 또는 좌우방향 이동에 대응하여 실효공극의 크기 및 개수가 조절되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112) 중 어느 하나의 통로는 전후 방향으로 연장 형성되고, 다른 하나의 통로는 좌우 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명인 화학 기상 증착 반응 장치는, 상부 플레이트와 하부 플레이트 중 어느 하나를 회전시키거나 수평 이동하는 방식으로 실효 공극의 크기 및 개수를 조절 가능하므로, 가스 분배량 조절이 필요할 경우 분배판을 교체하여야 했기 때문에 시간이 낭비되었던 문제점과, 다양한 공극이 형성된 복수개의 분배판을 필요로 하기 때문에 설계 비용이 상승하였던 문제점을 해결 가능한 장점이 있다.

또한, 내측과 외측에 형성되는 통로가 원호 형상을 가져, 상부 플레이트를 회전 시 실효 공극의 크기가 점진적으로 조절되므로, 실효 공극의 크기 변화를 보다 쉽게 파악 가능한 장점이 있다.

그리고, 상부 플레이트의 내측과 외측에 형성되는 통로의 각지름과 하부 플레이트 상에 형성되는 통로의 각지름이, 제한된 면적에 최대한 많은 실효 공극을 형성할 수 있는 비율로 제한되므로, 플ㄹ에트 상에 보다 많은 통로를 형성하여 웨이퍼 상에 가스를 보다 균일하게 증착시킬 수 있는 장점이 있다.

아울러, 상부 플레이트 내측과 외측에 형성되는 통로가 서로 다른 방향성을 가지게 배치되므로, 상부 플레이트를 수평이동 시키는 방향에 따라 내측과 외측에 형성되는 통로의 실효 공극 면적 비를 자유롭게 조절 가능한 장점이 있다.

도 1은 종래의 화학 기상 증착 반응 장치를 나타낸 개념도.
도 2는 종래의 화학 기상 증착 반응 장치의 분배판을 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 화학 기상 증착 반응 장치를 나타낸 개념도.
도 4는 화학 기상 증착 반응 장치의 상부 플레이트와 하부 플레이트를 나타낸 분해 사시도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.
도 13은 가용공극 조절부가 형성된 화학 기상 증착 반응 장치를 나타낸 개념도.
도 14는 가용공극 조절부가 형성된 화학 기상 증착 반응 장치를 나타낸 평면도.
도 15는 본 발명의 제5 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 16은 본 발명의 제5 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.
도 17은 본 발명의 제6 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 결합 구조를 나타낸 평면도.
도 18은 본 발명의 제6 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 플레이트 운동에 따라 가변되는 공극 단면적 변화를 나타낸 운동도.

본 발명의 실시예들에 대한 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 화학 기상 증착 반응 장치(1000)에 관하여 설명하도록 한다.

도 3은 본 발명에 따른 화학 기상 증착 반응 장치(1000)를 나타낸 개념도이고, 도 4는 화학 기상 증착 반응 장치의 상부 플레이트와 하부 플레이트를 나타낸 분해 사시도이다.

도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명인 화학 기상 증착 반응 장치(1000)는 가스가 유입되는 가스 유입부(410)가 형성되며 내부에 수용공간이 형성되는 하우징(400)과, 상기 하우징 내부에 구비되며 유입된 가스가 통과하는 제1 통로(110)가 형성되는 상부 플레이트(100)와, 상기 상부 플레이트(100)와 밀착 배치되고 가스가 통과하는 제2 통로(210)가 형성되는 하부 플레이트(200)와, 가스가 증착되는 웨이퍼(1)가 놓여지는 스테이지(500)를 포함하여 이루어진다.

상세히 설명하면, 본 발명은 웨이퍼(1)에 가스를 분배하여 증착시키는 반응 장치로, 하우징(400) 내부로 유입되는 가스를 분배하여 웨이퍼(1)의 각 영역에 지정된 양의 가스를 증착 시켜야 한다. 그러나 종래에는 위에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 웨이퍼(1)의 각 영역에 증착되는 가스의 양을 조절하기 위해서는 분배판을 교체하여야 했을 뿐만 아니라, 가스 분배양을 조절하기 위하여 다양한 형태의 분배판이 필요한 문제점이 있었기 때문에, 본 발명에서는 상기 상부 플레이트(100) 상에 제1 통로(110)를 형성하고, 이와 밀착 배치되는 하부 플레이트(200) 상에 제2 통로(210)를 형성하여, 사용자가 상부 플레이트(100) 또는 하부 플레이트(200)를 움직이는 간단한 방법으로 웨이퍼(1)의 각 영역에 증착되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 한 것이다.

도 4를 참조하여 다시한번 설명하면, 상기 상부 플레이트(100) 상에 복수개의 제1 통로(110)를 형성되고, 상기 하부 플레이트(200) 상에 제2 통로(210)를 형성되므로, 사용자가 상부 플레이트(100) 또는 하부 플레이트(200)를 움직여 주면, 플레이트의 움직임에 대응하여 제1 통로(110)와 제2 통로(210)가 상하방향으로 연통 시 나타나는 실효공극의 크기 및 개수가 조절되어, 웨이퍼(1)에 증착되는 가스의 양을 조절할 수 있는 것이다.

이때, 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)를 움직여 실효 공극 크기와 개수를 조절하는 방법은, 상부 플레이트(100) 또는 하부 플레이트(200)를 밀착시킨 상태에서 회전시키는 방법과, 상부 플레이트(100) 또는 하부 플레이트(200)를 밀착시킨 후 서로 밀착되는 면이 위치되는 평면 상에서 어느 하나의 플레이트를 수평 이동시키는 방법이 있으며, 이하에서는 플레이트를 회전시키는 방법으로 실효 공극의 크기 및 개수를 보다 효과적으로 조절할 수 있는 제1 통로(110) 및 제2 통로(210)의 형태와, 플레이트를 수평이동 시키는 방법으로 실효 공극의 크기 및 개수를 보다 효과적으로 조절할 수 있는 제1 통로(110) 및 제2 통로(210)의 형태에 관하여 설명하도록 한다.

[회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치]

도 4를 참조하여 설명하면, 회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치는, 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)가 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제1 통로(110)가 상기 상부 플레이트(100)의 중심 영역에 형성되는 상부 내측 통로(111)와, 가장자리 영역에 형성되는 상부 외측 통로(112)를 포함하고, 상기 제2 통로(210)는 상기 하부 플레이트(200)의 중심 영역에 형성되는 하부 내측 통로(211)와 가장자리에 형성되는 하부 외측 통로(212)를 포함할 수 있으며, 이러한 상부 내측 통로(111)와 상부 외측 통로(112)는 다시 상부 플레이트(100)와 하부 플레이트(200)의 상하방향 중심축을 중심으로 하는 원을 따라 배치되는 복수개의 제1 통로 단위체가 모여 이루어질 수 있고, 하부 내측 통로(211)와 상부 외측 통로(212)는 다시 상부 플레이트(100)와 하부 플레이트(200)의 상하방향 중심축을 중심으로 하는 원을 따라 배치되는 복수개의 제2 통로 단위체가 모여 이루어지는 형태일 수 있다.

상세히 설명하면, 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)의 상하방향 중심축에 중심이 위치되며 R1의 직경을 가지는 임의의 제1 원(S1)의 가장자리를 따라 제1 통로 단위체가 배치되어 상기 상부 내측 통로(111) 및 상기 하부 내측 통로(211)를 형성하고, 임의의 제1 원(S1)과 동심원이면서 R2의 직경을 가지는 임의의 제2 원(S2)의 가장자리를 따라 제2 통로 단위체가 배치되어 상기 상부 외측 통로(112) 및 상기 하부 외측 통로(212)를 형성하므로, 상기 상부 플레이트(100)를 회전시킬 시 일정 회전 각도에서 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)가 서로 연통되거나, 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)가 서로 연통되며 실효 공극이 형성되게 한 것이다.

이때, 내측에 형성된 통로와 외측에 형성된 통로의 실효 공극 크기 및 개수가 동시에 조절되게 하기 위하여, 상기 하부 플레이트(200)에 형성되는 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)는 서로 동일한 직경을 가지며, 상기 하부 플레이트(200)의 중심을 지나는 제1 임의의 선(H1) 상에 중심이 위치되는 것을 권장하며, 상기 상부 플레이트(100)에 형성되는 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112) 또한 이와 마주보는 위치에 형성되어야 함은 물론이며, 도면 상에서는 상기 제1 임의의 선(H1)이 하나만 표시되어 있지만 제1 임의의 선(H1)은 복수개일 수 있다.

이하에서는 실효공극의 크기 및 개수를 보다 효과적으로 조절할 수 있는 다양한 실시예에 관하여 설명하며, 상부 플레이트 회전에 따른 실효 공극 면적 변화 원리를 보다 자세히 나타내기 위하여 상부 플레이트(100)와 하부 플레이트(200)를 소정 각도로 잘라낸 부채꼴 형상의 조각 형태로 나타내도록 한다.

도 5에는 회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제1 실시예가 도시되어 있고, 도 6에는 제1 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 5를 참조하여 설명하면, 제1 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치는 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 임의의 제1 원(S1)과 임의의 제2 원(S2)의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 상부 내측 통로(111)보다 각지름이 크게 이루어져, 사용자가 상기 상부 플레이트(100)를 회전시켜 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)의 실효 공극 크기를 일정하게 유지한 상태에서, 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)가 형성하는 실효 공극 크기를 조절할 수 있다.

상세히 설명하면, 상기 상부 외측 통로(112)가 상부 내측 통로(111)보다 각지름을 크게 형성하여, 웨이퍼(1)의 가장자리에만 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)를 연통시킨 상태에서, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)를 서로 어긋나게 배치시키고, 웨이퍼(1)의 가장자리에 중심부보다 많은 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)를 연통시킨 상태에서, 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)가 형성하는 실효 공극의 크기를 작게 하고, 웨이퍼(1)의 가장자리와 중심부에 동일한 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)를 연통시킨 상태에서, 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)를 일치시켜 하부 내측 통로(211)가 모두 실효 공극으로 사용될 수 있게 한 것이다.

이때, 상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 제한된 플레이트에 보다 많은 통로를 형성하기 위하여 하기 수학식 1에 의해 결정되는 것을 권장한다.

(수학식 1)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 내측 통로의 각지름,

: 상부 외측 통로의 각지름)

도 7에는 회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제2 실시예가 도시되어 있고, 도 8에는 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 7을 참조하여 설명하면, 제2 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치는 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 임의의 제1 원(S1)과 임의의 제2 원(S2)의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)가 상기 상부 외측 통로(112)보다 각지름이 크게 이루어져, 사용자가 상기 상부 플레이트(100)를 회전시켜 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)의 실효 공극 크기를 일정하게 유지한 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)가 형성하는 실효 공극 크기를 조절할 수 있다.

상세히 설명하면, 상기 상부 내측 통로(111)가 상기 상부 외측 통로(112)보다 각지름을 크게 형성하여, 웨이퍼(1)의 중심부에만 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)를 완전히 연통시킨 상태에서, 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)를 서로 어긋나게 배치시키고, 웨이퍼(1)의 중심부에 가장자리보다 많은 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)를 연통시킨 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)가 형성하는 실효 공극의 크기를 작게 하고, 웨이퍼(1)의 가장자리와 중심부에 동일한 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)를 연통시킨 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)를 일치시켜 하부 외측 통로(212)가 모두 실효 공극으로 사용될 수 있게 한 것이다.

이때, 상기 상부 내측 통로(111)의 각지름은 제한된 플레이트에 보다 많은 통로를 형성하기 위하여 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 권장한다.

(수학식 2)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 외측 통로의 각지름,

: 상부 내측 통로의 각지름)

도 9에는 회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제3 실시예가 도시되어 있고, 도 10에는 제3 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 9을 참조하여 설명하면, 제3 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치는 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 임의의 제1 원(S1)과 임의의 제2 원(S2)의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 서로 반대 방향으로 연장 형성되어, 사용자가 상기 상부 플레이트(100)를 회전시켜 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)의 실효 공극 크기를 일정하게 유지한 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)가 형성하는 실효 공극 크기를 조절하거나, 상기 상부 플레이트(100)를 회전시켜 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)의 실효 공극 크기를 일정하게 유지한 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)가 형성하는 실효 공극 크기를 조절할 수 있다.

상세히 설명하면, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 연장 형성되는 방향을 각각 시계방향과 시계 반대 방향으로 서로 다르게 하여, 사용자가 상부 플레이트(100)를 회전시켜 웨이퍼(1)의 중심부에만 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)를 완전히 연통시킨 상태에서, 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)가 서로 어긋나게 배치시키고, 웨이퍼(1)의 중심부에 가장자리보다 많은 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)를 연통시킨 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)가 형성하는 실효 공극의 크기를 작게 하고, 웨이퍼(1)의 가장자리와 중심부에 동일한 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)를 연통시킨 상태에서, 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)를 일치시켜 하부 외측 통로(212)가 모두 실효 공극으로 사용될 수 있게 하고, 웨이퍼(1)의 가장자리에 중심부보다 많은 양의 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 10의 (d)에 도시된 바와 같이 상부 외측 통로(112)와 하부 외측 통로(212)를 연통시킨 상태에서, 상부 내측 통로(111)와 하부 내측 통로(211)가 형성하는 실효 공극의 크기를 작게 하고, 웨이퍼(1)의 가장자리에만 가스를 증착시켜야 하는 경우 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)를 연통시킨 상태에서, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)를 서로 어긋나게 배치시킬 수 있게 한 것이다.

이때, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 제한된 플레이트에 보다 많은 통로를 형성하기 위하여 하기 수학식 1과, 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 권장한다.

(수학식 1)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 내측 통로의 각지름,

: 상부 외측 통로의 각지름)

(수학식 2)

(

: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,

: 하부 외측 통로의 각지름,

: 상부 내측 통로의 각지름)

도 11에는 회전을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제4 실시예가 도시되어 있고, 도 12에는 제4 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 11을 참조하여 설명하면, 제4 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치는 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 임의의 제1 원(S1)과 임의의 제2 원(S2)의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 하부 내측 통로(211)와 동일한 각지름을 가지게 형성되어, 사용자가 상부 플레이트(100)를 회전시키면 상부 플레이트(100)의 회전축이 위치되는 중심과 인접한 내측에 형성되는 실효 공극과, 상부 플레이트(100)의 회전축이 위치되는 중심에서 멀리 떨어져 있는 가장자리에 형성되는 실효 공극의 면적이 동일하게 조절될 수 있다.

상세히 설명하면, 도 12의 (a) 내지 (e)에 도시된 바와 같이 사용자가 상기 상부 플레이트(100)를 회전시킬 경우, 웨이퍼(1)의 중심부에 가스를 공급하는 내측 실효 공극의 크기와, 웨이퍼(1)의 가장자리에 가스를 공급하는 가장자리 실효 공극의 크기가 서로 동일하게 변화되어, 웨이퍼(1)의 중심부와 가장자리에 공급되는 가스의 비율로 유지한 상태에서, 웨이퍼(1)에 공급되는 총 가스 양을 조절할 수 있게 한 것이다.

도 13에는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)중 어느 하나를 회전시키는 가용공극 조절부(300)가 구비된 화학 기상 증착 반응 장치(100)의 측면도가 도시되어 있고, 도 14에는 가용공극 조절부(300)가 구비된 화학 기상 증착 반응 장치(100)의 평면도가 도시되어 있다.

도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 가용공극 조절부(300)는 상기 상부 플레이트(100)를 회전시켜 상기 상부 플레이트(100)에 형성된 제1 통로(110)와 상기 하부 플레이트(200)에 형성된 제2 통로(210)가 형성하는 실효 공극의 크기와 개수를 조절하기 위한 장치로, 도 13에 도시된 바와 같이 길이방향 일측이 상기 상부 플레이트(100)에 연결되고 길이방향 타측이 상기 하우징(400)을 관통하는 연결 바(310)와, 상기 연결 바(310)가 결합되는 결합공(321)이 형성되는 회전각도 조절 바(320)를 포함할 수 있고, 상기 하우징(400) 상에는 상기 연결 바(310)가 통과하며 연결 바(310)의 회전을 가이드 하는 가이드공(410)이 형성될 수 있다.

상세히 설명하면, 외부로 노출된 상기 회전각도 조절 바(320)를 손잡이로 상기 상부 플레이트(100)를 시계방향 혹은 시계 반대 방향으로 보다 쉽게 회전시킬 수 있게 한 것이다.

그리고, 상기 연결 바(310)는 상기 가이드공(410)을 통한 가스의 누설을 방지하는 차폐 플레이트(311)를 더 포함할 수 있으며, 상기 차폐 플레이트(311)는 도 13에 도시된 바와 같이 상기 하우징(400)의 상측 내면과 밀착되고, 연결 바(310)의 이동에 대응하여 이동하되, 개방되는 가이드공(410)을 차폐하는 평판 형상의 부재일 수 있다.

[수평 이동을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치]

본 발명인 화학 기상 증착 반응 장치(1000)에서 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)는 서로 접하는 면이 위치되는 평면 상에서 어느 하나의 플레이트가 수평 이동하여, 상부 플레이트(100)에 형성된 제1 통로(110)와 하부 플레이트(200)에 형성된 제2 통로(210)가 형성하는 실효공극의 크기와 개수가 조절될 수 있으며, 이러한 수평 이동에 따른 실효공극의 크기 및 개수 조절은 상부 플레이트(100)와 하부 플레이트(200)에 형성되는 제1 통로(110)와 제2 통로(210)의 형상과 배치 형태에 따라 그 효과가 달라질 수 있으며, 이하에서는 제1 통로(110)와 제2 통로(210)의 다양한 배치 형태에 관하여 설명하도록 한다.

도 15에는 수평 이동을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제5 실시예가 도시되어 있고, 도 16에는 제5 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 15를 참조하면, 제5 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치는 제1 통로(110)가 제2 통로(210)와 마주보게 배치되되, 제1 통로(110)가 제2 통로(210)보다 긴 직경을 가지는 직사각형 단면 형상을 가질 수 있으며, 상부 내측 통로(111)와 상부 외측 통로(112)는 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)의 중심을 지나는 제2 임의의 선(H2)을 기준으로 보았을 때 각각 좌측과 우측으로 연장 형성되어, 상부 플레이트(100)의 좌우방향 이동에 대응하여 도 16의 (a)에 도시된 바와 같이 내측에 형성되는 실효공극 크기를 최대치로 유지한 상태에서 가장자리에 위치되는 실효공극 크기를 조절할 수 있고, 도 16의 (b)에 도시된 바와 같이 내측과 가장자리에 형성되는 실효공극의 크기를 모두 최대치로 유지할 수 있으며, 이 외에도 도 16의 (c)에 도시된 바와 같이 가장자리에 형성되는 실효공극의 크기를 일정하게 유지한 상태에서 내측에 형성되는 실효공극의 크기를 조절할 수 있다.

이때, 상기 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직일 때, 상기 하부 플레이트(200)에 형성된 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 모두 개방되는 교차영역과, 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직였을 때, 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 개방되는 비율이 조절되는 가장자리 영역을 포함할 수 있으며, 제한된 면적에 보다 많은 통로를 형성하기 위하여, 상기 교차영역과 상기 가장자리 영역의 길이 비는 1:2일 수 있다.

도 17에는 수평 이동을 이용하여 실효 공극의 개수 및 크기를 조절하는 화학 기상 증착 반응 장치의 제6 실시예가 도시되어 있고, 도 18에는 제6 실시예에 따른 화학 기상 증착 반응 장치의 운동도가 도시되어 있다.

도 17을 참조하면, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 서로 교차하는 전후 방향과 좌우 방향으로 각각 연장 형성되어, 상기 상부 플레이트(100)의 전후방향 또는 좌우방향 이동에 대응하여 실효공극의 크기 및 개수가 조절될 수 있다.

도 18을 참조하여 설명하면, 도 18의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 상부 플레이트(100)를 전후 방향으로 이동시켜, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 하부 내측 통로(211)가 연통되며 중심부 실효 공극 크기가 일정하게 유지되는 상태에서, 상기 상부 외측 통로(112)와 상기 하부 외측 통로(212)가 형성하는 가장자리 실효공극 크기를 조절하고, 도 18의 (b)에 도시된 바와 같이 상부 플레이트(100)를 전후 및 좌우 방향으로 조절하여 중심부 실효 공극과 가장자리 실효공극을 모두 개방할 수 있을 뿐만 아니라, 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이 상부 플레이트(100)를 좌우 방향으로 이동시켜 가장자리 실효공극 크기를 일정하게 유지한 상태에서, 중심부 실효공극 크기를 조절할 수 있는 것이다.

아울러, 본 발명에서 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200) 조각 내측과 가장자리에 각각 하나의 통로 형성된 것을 도시하고 있지만, 이는 과학적 사상을 설명하기 위한 일 실시예이며 통로의 크기와 개수는 필요에 따라 가변될 수 있다.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.

H1 : 제1 임의의 선 H2 : 제2 임의의 선
1 : 웨이퍼
100 : 상부 플레이트
110 : 제1 통로
111 : 상부 내측 통로 112 : 상부 외측 통로
200 : 하부 플레이트
210 : 제2 통로
211 : 하부 내측 통로 212 : 하부 외측 통로
300 : 가용공극 조절부

Claims

유입되는 가스를 분배하여 웨이퍼(1)에 증착시키는 화학 기상 증착 반응 장치에 있어서,
가스가 통과하는 제1 통로(110)가 형성되며 가스 유입구 측에 위치되는 상부 플레이트(100); 및
일면이 상기 상부 플레이트(100)와 밀착되고 타면이 상기 웨이퍼(1)와 마주보게 배치되며 가스가 통과하는 제2 통로(210)가 형성되는 하부 플레이트(200);를 포함하며,
상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200) 중 어느 하나의 움직임에 대응하여 상기 제1 통로(110) 및 상기 제2 통로(210)가 형성하는 실효 공극 크기와 개수가 조절되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 1항에 있어서,
상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)중 어느 하나를 움직이는 가용공극 조절부(300)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 2항에 있어서,
상기 가용공극 조절부(300)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)중 어느 하나 이상을 회전시켜 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)가 서로 연통되며 형성되는 가용공극의 크기와 개수를 조절하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200)의 상하방향 중심축을 중심으로 하는 원을 따라 형성되는 복수개의 제1 통로 단위체와, 제2 통로 단위체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 4항에 있어서,
상기 제1 통로 단위체와 상기 제2 통로 단위체가 형성되는 원의 지름은 서로 동일한 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 5항에 있어서,
상기 제1 통로(110)는 상기 상부 플레이트(100)의 중심 영역에 형성되는 상부 내측 통로(111)와 가장자리 영역에 형성되는 상부 외측 통로(112)를 포함하고, 상기 제2 통로(210)는 상기 하부 플레이트(200)의 중심 영역에 형성되는 하부 내측 통로(211)와 가장자리에 형성되는 하부 외측 통로(212)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 6항에 있어서,
상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)는 서로 동일한 직경을 가지며, 상기 하부 플레이트(200)의 중심을 지나는 제1 임의의 선(H1) 상에 중심이 위치되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 7항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 외측 통로(112)가 상기 상부 내측 통로(111)보다 각지름이 큰 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 8항에 있어서,
상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 하기 수학식 1에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.

(수학식 1)

(
: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 하부 내측 통로의 각지름,
: 상부 외측 통로의 각지름)
제 7항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)는 상기 상부 외측 통로(112)보다 각지름이 큰 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 10항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)의 각지름은 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
(수학식 2)

(
: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 하부 외측 통로의 각지름,
: 상부 내측 통로의 각지름)
제 7항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 서로 반대 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 12항에 있어서,
상기 상부 외측 통로(112)의 각지름은 하기 수학식 1에 의해 결정되고, 상기 상부 내측 통로(111)의 각지름은 하기 수학식 2에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.

(수학식 1)

(
: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 하부 내측 통로의 각지름,
: 상부 외측 통로의 각지름)

(수학식 2)

(
: 상부 및 하부 내측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 상부 및 하부 외측 통로가 위치되는 원의 반지름,
: 하부 외측 통로의 각지름,
: 상부 내측 통로의 각지름)
제 7항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 원의 가장자리를 따라 연장 형성되는 원호 형상을 가지며, 상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 하부 내측 통로(211)와 동일한 각지름을 가지는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 2항 또는 제 3항에 있어서,
상기 가용공극 조절부(300)는 상기 상부 플레이트(100)와 상기 하부 플레이트(200) 중 어느 하나 이상을 서로 접하는 면이 위치되는 평면 상에서 수평운동 시켜, 상기 제1 통로(110)와 상기 제2 통로(210)가 연통되며 형성되는 실효공극의 크기와 개수를 조절하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 15항에 있어서,
상기 제1 통로(110)는 상기 제2 통로(210)와 마주보며, 제2 통로(210) 보다 긴 직경을 가지는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 16항에 있어서,
상기 제2 통로(210)는 상기 하부 플레이트(200)의 중심과 인접한 내측에 위치되는 하부 내측 통로(211)와, 가장자리에 인접한 외측에 위치되는 하부 외측 통로(212)를 포함하고, 상기 제1 통로(110)는 상기 하부 내측 통로(211)와 마주보는 상부 내측 통로(111)와, 상기 하부 외측 통로(212)와 마주보는 상부 외측 통로(112)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 17항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)의 중심을 지나는 제2 임의의 선(H2)을 기준으로 보았을 때 각각 좌측과 우측으로 연장 형성된 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 17항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직일 때, 상기 하부 플레이트(200)에 형성된 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 모두 개방되는 교차영역과, 상기 상부 플레이트(100)를 좌측 또는 우측으로 움직였을 때, 상기 하부 내측 통로(211)와 상기 하부 외측 통로(212)가 개방되는 비율이 조절되는 가장자리 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 19항에 있어서,
상기 교차영역과 상기 가장자리 영역의 길이 비는 1:2인 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 17항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112)는 서로 교차하는 방향으로 연장 형성되어, 상기 상부 플레이트(100)의 전후방향 또는 좌우방향 이동에 대응하여 실효공극의 크기 및 개수가 조절되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.
제 21항에 있어서,
상기 상부 내측 통로(111)와 상기 상부 외측 통로(112) 중 어느 하나의 통로는 전후 방향으로 연장 형성되고, 다른 하나의 통로는 좌우 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는, 화학 기상 증착 반응 장치.