KR102274347B1 - Lithography apparatus and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

복수의 처리 간에서의 내부 온도의 차를 저감시키기 위해서 유리한 기술을 제공한다. 기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 각각 행하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부의 각각으로 기판을 반송하는 반송부와, 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 반송부는, 상기 복수의 처리부의 각각에 대한 기판의 반송 시에 해당 처리부의 내부에 삽입되는 부분에 설치된 온도 센서를 갖고, 상기 제어부는, 상기 반송부에 의한 기판의 반송 시에 얻어진 상기 온도 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 처리부 간에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어한다.An advantageous technique is provided for reducing the difference in internal temperature between a plurality of treatments. A plurality of processing units each performing a process of forming a pattern on a substrate, a conveying unit conveying a substrate to each of the plurality of processing units, and a control unit for controlling an internal temperature of each of the plurality of processing units, the control unit comprising: The conveying unit has a temperature sensor provided in a portion inserted into the processing unit when the substrate is conveyed to each of the plurality of processing units, and the control unit includes a temperature sensor obtained at the time of conveying the substrate by the conveying unit. Based on the detection result, the internal temperature of each of the plurality of processing units is controlled so that the difference in internal temperature between the plurality of processing units is reduced.

Figure R1020180029509
Figure R1020180029509

Description

리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Lithographic apparatus and method of manufacturing an article {LITHOGRAPHY APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a lithographic apparatus and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스 등의 제조에 사용되는 리소그래피 장치에는, 생산성을 향상시키기 위해서, 기판에 패턴을 형성하는 처리를 행하는 처리부를 복수 개 갖는 소위 클러스터형으로 구성된 것이 있다(특허문헌 1 참조).In order to improve productivity, a lithographic apparatus used for manufacturing a semiconductor device or the like has a so-called cluster type having a plurality of processing units that perform a process for forming a pattern on a substrate (see Patent Document 1).

일본 특허공개 제2011-210992호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-210992

클러스터형 리소그래피 장치에서는, 복수의 처리부 사이에서 내부 온도에 차가 발생하면, 그 내부 온도의 차에 의해 기판의 열변형에 차가 발생하기 때문에, 기판에 대한 패턴의 형성 정밀도가 복수의 처리부 사이에서 상이할 수 있다.In a cluster type lithographic apparatus, when a difference in internal temperature occurs between a plurality of processing units, a difference occurs in thermal deformation of the substrate due to the difference in the internal temperature, so that the precision of forming a pattern on the substrate may differ between the plurality of processing units. have.

그래서, 본 발명은, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차를 저감시키기 위해 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide an advantageous technique for reducing the difference in internal temperature between a plurality of processing units.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면으로서의 리소그래피 장치는, 기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 각각 행하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부의 각각으로 기판을 반송하는 반송부와, 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 반송부는, 상기 복수의 처리부의 각각에 대한 기판의 반송 시에 해당 처리부의 내부에 삽입되는 부분에 설치된 온도 센서를 갖고, 상기 제어부는, 상기 반송부에 의한 기판의 반송 시에 얻어진 상기 온도 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 처리부 간에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a lithographic apparatus as one aspect of the present invention includes: a plurality of processing units each performing a process for forming a pattern on a substrate; a conveying unit conveying a substrate to each of the plurality of processing units; a control unit for controlling an internal temperature of each processing unit, wherein the conveying unit has a temperature sensor installed in a portion inserted into the processing unit when the substrate is conveyed to each of the plurality of processing units; controls the internal temperature of each of the plurality of processing units such that a difference in internal temperature between the plurality of processing units is reduced based on a detection result of the temperature sensor obtained when the substrate is conveyed by the conveying unit. characterized in that

본 발명의 또 다른 목적 또는 그 밖의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.Another object or other aspect of the present invention will be clarified by preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따르면, 예를 들어 복수의 처리 사이에서의 내부 온도의 차를 저감시키기 위해 유리한 기술을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an advantageous technique for, for example, reducing the difference in internal temperature between a plurality of treatments.

도 1은, 제1 실시 형태의 임프린트 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는, 처리부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 반송부에 의해 기판을 기판 스테이지의 위에 전달하고 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는, 각 처리부의 내부 온도를 제어하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는, 제3 실시 형태의 임프린트 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은, 물품의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
1 is a schematic diagram showing an imprint apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a diagram showing the configuration of a processing unit.
Fig. 3 is a diagram showing a state in which the substrate is transferred onto the substrate stage by the transfer unit.
4 is a flowchart showing a method of controlling the internal temperature of each processing unit.
5 is a schematic diagram showing an imprint apparatus according to a third embodiment.
6 is a diagram illustrating a method for manufacturing an article.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 이하의 실시 형태에서는, 리소그래피 장치로서, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 사용해서 설명하지만, 그것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판을 노광해서 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치나, 하전 입자선을 기판에 조사해서 해당 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치 등의 리소그래피 장치에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, preferred embodiment of this invention is described. In addition, in each figure, about the same member thru|or element, the same reference number is attached|subjected, and overlapping description is abbreviate|omitted. In addition, in the following embodiment, although the imprint apparatus which forms the pattern of an imprint material on a board|substrate using a mold as a lithographic apparatus is used and demonstrated, it is not limited to this. For example, the present invention can also be applied to a lithographic apparatus such as an exposure apparatus that exposes a substrate to transfer a pattern of a mask onto the substrate, or a drawing apparatus that forms a pattern on the substrate by irradiating the substrate with a charged particle beam. .

임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트재와 형(型)을 접촉시키고 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 즉, 임프린트 장치는, 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되고, 요철의 패턴이 형성된 몰드를 이용하여, 기판 위에 공급된 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 몰드를 기판 위의 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화한다. 그리고, 임프린트 장치는, 몰드와 기판의 간격을 넓혀 경화된 임프린트재로부터 몰드를 박리(이형)함으로써, 임프린트재에 패턴을 형성할 수 있다.The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product onto which the concavo-convex pattern of the die is transferred by bringing the imprint material supplied on a substrate into contact with a die and applying curing energy to the imprint material. That is, the imprint apparatus is used for manufacturing a semiconductor device or the like, and performs an imprint process for forming a pattern on an imprint material supplied on a substrate by using a mold in which an uneven pattern is formed. For example, the imprint apparatus hardens the imprint material in a state in which the mold on which the pattern is formed is brought into contact with the imprint material on the substrate. Then, the imprint apparatus can form a pattern on the imprint material by widening the distance between the mold and the substrate and peeling (release) the mold from the cured imprint material.

임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화하는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 부르는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위에서 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as uncured resin) that is cured by applying curing energy is used. As the curing energy, electromagnetic waves, heat, and the like are used. As an electromagnetic wave, the wavelength is light, such as infrared rays, a visible light, and an ultraviolet-ray, selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, for example.

경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은 가열에 의해 경화하는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시재를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.A curable composition is a composition hardened|cured by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition hardened|cured by light contains a polymeric compound and a photoinitiator at least, and may contain a nonpolymerizable compound or a solvent as needed. The nonpolymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition type mold release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 위에 막 형상으로 부여된다. 또는, 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 혹은 복수의 액적이 연결되어 생긴 섬 형상 또는 막 형상으로 되어 기판 위에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.The imprint material is applied in the form of a film onto the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid jet head may give a droplet shape or an island shape or a film shape formed by connecting a plurality of droplets to be provided on the substrate. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25°C) is, for example, 1 mPa·s or more and 100 mPa·s or less.

<제1 실시 형태><First embodiment>

본 발명에 따른 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)는, 임프린트 처리를 각각 행하는 복수의 처리부(10)를 갖는 소위 클러스터형 임프린트 장치이다. 도 1은, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)를 나타내는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 예를 들어 복수의 처리부(10)(도 1에서는 6개의 처리부(10a 내지 10f))와, 제2 처리부(20)(전처리부)와, 반송부(30)와, 제어부(40)를 포함할 수 있다.The imprint apparatus 100 of the first embodiment according to the present invention will be described. The imprint apparatus 100 of the present embodiment is a so-called cluster type imprint apparatus having a plurality of processing units 10 that respectively perform imprint processing. 1 is a schematic diagram showing an imprint apparatus 100 of the present embodiment. The imprint apparatus 100 includes, for example, a plurality of processing units 10 (six processing units 10a to 10f in FIG. 1 ), a second processing unit 20 (pre-processing unit), a conveying unit 30 , A control unit 40 may be included.

복수의 처리부(10)의 각각은, 몰드(1)를 이용해서 기판 위에 임프린트재(3)의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 처리부(10)의 구성에 대해서는 후술한다. 제2 처리부(20)는, 임프린트 처리가 행해지는 기판(2)에 대해서 전처리를 행한다. 제2 처리부(20)에서 행해지는 전처리는, 예를 들어 기판(2)과 그 위에 공급되는 임프린트재(3)의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착층을 기판 위에 형성하는 처리를 포함할 수 있다. 반송부(30)는, 제2 처리부(20)에 의해 전처리가 행해진 기판(2)을 복수의 처리부(10)의 각각으로 반송한다. 반송부(30)는, 예를 들어 기판(2)을 유지하는 핸드(31)와, 핸드(31)가 이동하는 반송로(32)와, 반송로(32)를 온도 조절하는 온도 조절부(33)를 포함할 수 있다. 해당 온도 조절부(33)는, 예를 들어 온도 조절된 기체를 반송로(32)에 흘림으로써, 해당 반송로(32)를 온도 조절한다. 제어부(40)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성되고, 임프린트 장치(100)의 각 부를 제어한다.Each of the plurality of processing units 10 performs an imprint process for forming a pattern of the imprint material 3 on the substrate using the mold 1 . The configuration of the processing unit 10 will be described later. The second processing unit 20 pre-processes the substrate 2 on which the imprint processing is performed. The pre-processing performed in the second processing unit 20 may include, for example, a process of forming an adhesion layer on the substrate for improving adhesion between the substrate 2 and the imprint material 3 supplied thereon. The conveyance unit 30 conveys the substrate 2 pre-processed by the second processing unit 20 to each of the plurality of processing units 10 . The transfer unit 30 includes, for example, a hand 31 holding the substrate 2 , a transfer path 32 on which the hand 31 moves, and a temperature control unit ( ) for temperature-regulating the transfer path 32 . 33) may be included. The temperature control unit 33 temperature-regulates the conveyance path 32 by, for example, flowing the temperature-controlled gas into the conveyance path 32 . The control unit 40 is constituted by, for example, a computer having a CPU or a memory, and controls each unit of the imprint apparatus 100 .

다음으로, 처리부(10)의 구성에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 하나의 처리부(10)의 구성을 나타내는 개략도이다. 처리부(10)는, 예를 들어 임프린트 헤드(11)와, 기판 스테이지(12)와, 경화부(13)와, 계측부(14)와, 공급부(15)를 포함하고, 몰드(1)를 이용해서 기판 위에 임프린트재(3)의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다.Next, the structure of the processing part 10 is demonstrated, referring FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of one processing unit 10 . The processing unit 10 includes, for example, an imprint head 11 , a substrate stage 12 , a curing unit 13 , a measurement unit 14 , and a supply unit 15 , and uses the mold 1 . Thus, an imprint process for forming a pattern of the imprint material 3 on the substrate is performed.

몰드(1)는, 통상적으로 석영 등 자외선을 투과시키는 것이 가능한 재료로 제작되어 있으며, 기판측의 면에서의 일부의 영역(패턴 영역(1a))에는, 기판 위에 공급된 임프린트재(3)에 전사하기 위한 요철 패턴이 형성되어 있다. 기판(2)으로서는, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라 그 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판(2)으로서는, 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다. 또한, 임프린트재의 부여 전에, 필요에 따라 임프린트재와 기판의 밀착성을 향상시키기 위해서 밀착층을 형성해도 된다.The mold 1 is usually made of a material capable of transmitting ultraviolet rays such as quartz, and in a part of the surface on the substrate side (pattern region 1a), the imprint material 3 supplied on the substrate is applied. An uneven pattern for transferring is formed. As the substrate 2, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like is used, and a member made of a material different from that of the substrate may be formed on the surface thereof if necessary. As the substrate 2, specifically, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, etc. are mentioned. In addition, before provision of the imprint material, if necessary, an adhesion layer may be formed in order to improve the adhesion between the imprint material and the substrate.

임프린트 헤드(11)는, 진공 흡착력 등에 의해 몰드(1)를 유지하고, 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)를 접촉시키거나 박리시키거나 하도록 몰드(1)를 Z 방향으로 구동한다. 기판 스테이지(12)는, 기판(2)을 유지하여 정반(16)의 위를 이동 가능하게 구성된다. 구체적으로는, 기판 스테이지(12)는, 진공 흡착력 등에 의해 기판(2)을 유지하는 척(12a)과, 척(12a)을 기계적으로 유지하여 정반(16)의 위를 XY 방향으로 이동하는 이동부(12b)를 포함할 수 있다. 경화부(13)는, 몰드(1)와 기판 위의 임프린트재(3)가 접촉하고 있는 상태에서 해당 임프린트재(3)에 광(예를 들어 자외선)을 조사하고, 해당 임프린트재(3)를 경화한다. 계측부(14)는, 몰드(1)에 설치된 마크와 기판(2)에 설치된 마크를 검출하고, 몰드(1)의 패턴 영역(1a)과 기판(2)의 샷 영역과의 상대 위치를 계측한다. 공급부(15)는, 탱크(15a)에 수용된 임프린트재를 기판 위에 공급(토출)한다.The imprint head 11 holds the mold 1 by vacuum suction force or the like, and drives the mold 1 in the Z direction so as to bring the mold 1 into contact with or peel off the imprint material 3 on the substrate. . The substrate stage 12 is configured to be movable on the surface plate 16 while holding the substrate 2 . Specifically, the substrate stage 12 includes a chuck 12a that holds the substrate 2 by vacuum suction force or the like, and a movement that mechanically holds the chuck 12a and moves the top of the platen 16 in the XY direction. It may include a portion 12b. The hardening part 13 irradiates light (for example, ultraviolet rays) to the imprint material 3 in a state where the mold 1 and the imprint material 3 on the substrate are in contact, and the imprint material 3 is formed. harden The measurement unit 14 detects the mark provided on the mold 1 and the mark provided on the substrate 2 , and measures the relative position between the pattern region 1a of the mold 1 and the shot region of the substrate 2 . . The supply unit 15 supplies (discharges) the imprint material accommodated in the tank 15a onto the substrate.

또한, 처리부(10)에서는, 임프린트 헤드(11), 기판 스테이지(12), 경화부(13), 계측부(14) 및 공급부(15)가 챔버(17)의 내부에 수용되어 있으며, 제어부 (40)에 의해 챔버(17)의 내부 온도(처리부(10)의 내부 온도)가 제어된다. 예를 들어, 처리부(10)는, 챔버(17)의 내부 온도를 검출하는 온도 센서(18a, 18b)(제2 온도 센서)와, 온도 조절된 기체를 챔버(17)의 내부에 공급함으로써 챔버(17)의 내부 온도를 조정하는 온도 조절부(19a, 19b)를 포함할 수 있다. 그리고, 제어부(40)는, 온도 센서(18a)의 검출 결과에 기초하여, 챔버(17)의 내부 온도가 목표 온도가 되도록 온도 조절부(19a)를 제어한다. 마찬가지로, 제어부(40)는, 온도 센서(18b)의 검출 결과에 기초하여, 챔버(17)의 내부 온도가 목표 온도가 되도록 온도 조절부(19b)를 제어한다.Further, in the processing unit 10 , the imprint head 11 , the substrate stage 12 , the curing unit 13 , the measuring unit 14 , and the supply unit 15 are accommodated in the chamber 17 , and the control unit 40 . ), the internal temperature of the chamber 17 (the internal temperature of the processing unit 10) is controlled. For example, the processing unit 10 may include temperature sensors 18a and 18b (second temperature sensor) for detecting the internal temperature of the chamber 17 , and supplying a temperature-controlled gas to the inside of the chamber 17 . It may include a temperature control unit (19a, 19b) for adjusting the internal temperature of (17). And, based on the detection result of the temperature sensor 18a, the control part 40 controls the temperature control part 19a so that the internal temperature of the chamber 17 may become a target temperature. Similarly, based on the detection result of the temperature sensor 18b, the control part 40 controls the temperature control part 19b so that the internal temperature of the chamber 17 may become a target temperature.

이와 같은 처리부(10)에 있어서, 기판 위의 임프린트재(3)에 몰드(1)의 패턴을 고정밀도로 형성하기 위해서는, 챔버(17)의 내부 온도를 고정밀도로 제어하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판(2)으로서 실리콘 웨이퍼를 사용한 경우, 실리콘 웨이퍼의 선팽창 계수는 2.6㎛/mK이기 때문에, 기판(2)의 온도가 0.01℃ 변화하면, 직경 300㎜의 웨이퍼에서는 7.8㎚만큼 열변형하게 된다. 웨이퍼 프로세스에 있어서 수 ㎚의 정밀도가 요구되는 근년에는, 이러한 미소한 기판의 열변형이 발생한 경우에서도, 기판 위에 패턴을 형성할 때의 요구 정밀도를 만족시키지 않게 될 수 있다. 그로 인해, 처리부(10)에서는, 온도 센서(18a, 18b)로서, 예를 들어 분해능이 0.01℃ 정도인 고정밀도의 온도 센서가 사용될 수 있다.In such a processing unit 10, in order to form the pattern of the mold 1 on the imprint material 3 on the substrate with high precision, it is preferable to control the internal temperature of the chamber 17 with high precision. For example, when a silicon wafer is used as the substrate 2, since the coefficient of linear expansion of the silicon wafer is 2.6 µm/mK, when the temperature of the substrate 2 changes by 0.01°C, the wafer with a diameter of 300 mm is heated by 7.8 nm. will transform In recent years, when precision of several nm is required in a wafer process, even when such a minute thermal deformation of the substrate occurs, the required precision for forming a pattern on the substrate may not be satisfied. Therefore, in the processing unit 10, as the temperature sensors 18a and 18b, for example, a high-precision temperature sensor having a resolution of about 0.01°C can be used.

그러나, 분해능이 0.01℃ 정도인 고정밀도의 온도 센서는, 0.01℃/년 정도의 경시 변화가 발생하는 경우가 있으며, 이 경시 변화는 온도 센서마다 상이할 수 있다. 즉, 복수의 처리부(10)를 갖는 클러스터형 임프린트 장치(100)에서는, 온도 센서의 경시 변화가 복수의 처리부 사이에서 상이하며, 복수의 처리부 사이에서 내부 온도에 차가 발생하게 된다. 이렇게 복수의 처리부 사이에서 내부 온도에 차가 발생하면, 그 내부 온도의 차에 의해 기판의 열변형에 차가 발생하여, 기판에 대한 패턴의 형성 정밀도가 복수의 처리부 사이에서 상이하게 되어 버린다. 또한, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 온도 센서를 각각 교정하는 것은, 온도 센서의 수가 많기 때문에 번잡하며, 온도 센서의 교정 시에 임프린트 처리를 정지시킬 필요가 있기 때문에, 생산성의 점에서도 불리해질 수 있다. 그래서, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)에서의 반송부(30)는, 복수의 처리부(10)의 각각에 대한 기판(2)의 반송 시에 해당 처리부(10)의 내부에 삽입되는 부분에 설치된 온도 센서(34)를 갖는다. 그리고, 제어부(40)는, 반송부(30)에 의한 기판(2)의 반송 시에 얻어진 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어한다.However, in a high-precision temperature sensor having a resolution of about 0.01°C, a change with time of about 0.01°C/year may occur, and this change with time may be different for each temperature sensor. That is, in the cluster type imprint apparatus 100 having the plurality of processing units 10 , the temporal change of the temperature sensor is different between the plurality of processing units, and a difference in internal temperature occurs between the plurality of processing units. When a difference in internal temperature occurs between the plurality of processing units in this way, a difference occurs in the thermal deformation of the substrate due to the difference in the internal temperature, and the precision of forming a pattern on the substrate differs between the plurality of processing units. In addition, it is complicated to calibrate the temperature sensors in each of the plurality of processing units 10 because the number of temperature sensors is large, and since it is necessary to stop the imprint process at the time of calibration of the temperature sensors, it is also in terms of productivity. can be detrimental Therefore, the transfer unit 30 in the imprint apparatus 100 of the present embodiment is located at a portion inserted into the processing unit 10 when the substrate 2 is conveyed to each of the plurality of processing units 10 . It has a temperature sensor 34 installed. Then, based on the detection result of the temperature sensor 34 obtained at the time of conveying the substrate 2 by the conveying unit 30 , the control unit 40 is configured to reduce the difference in internal temperature between the plurality of processing units. Controls the internal temperature in each of the processing units 10 of

이하에, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)에 있어서, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 방법에 대하여 설명한다. 여기에서는, 처리부 내에서의 기판(2)의 전달 위치에 배치된 기판 스테이지(12)의 위에, 반송부(30)에 의해 기판(2)을 전달하고 있을 때 얻어진 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 각 처리부(10)의 내부 온도를 제어하는 예에 대하여 설명한다. 도 3은, 반송부(30)에 의해 기판(2)을 기판 스테이지(12)의 위에 전달하고 있는 상태를 나타내는 도면이다. 도 3의 (a)는 해당 상태를 상방(Z 방향)에서 본 도면이며, 도 3의 (b)는 해당 상태를 측방(-X 방향)에서 본 도면이다.Hereinafter, in the imprint apparatus 100 of this embodiment, the method of controlling the internal temperature in each of the some processing part 10 is demonstrated. Here, the detection result of the temperature sensor 34 obtained when the substrate 2 is transferred by the transfer unit 30 on the substrate stage 12 arranged at the transfer position of the substrate 2 in the processing unit. Based on , an example of controlling the internal temperature of each processing unit 10 will be described. FIG. 3 is a diagram showing a state in which the substrate 2 is transferred onto the substrate stage 12 by the transfer unit 30 . Fig. 3(a) is a view of the state viewed from above (Z direction), and Fig. 3(b) is a view of the state viewed from the side (-X direction).

반송부(30)는, 제2 처리부(20)에서 전처리가 행해진 기판(2)을 핸드(31)에 유지시키고, 해당 기판(2)을 반송(반입)할 처리부(10)의 앞에 핸드(31)를 반송로(32)를 따라 이동시킨다. 그리고, 반송부(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(2)을 유지한 핸드(31)를 처리부(10)(챔버(17))의 내부에 삽입하고, 기판 스테이지(12)(척(12a))로부터 돌출된 핀(12c)의 위에 기판(2)을 전달한다. 기판(2)이 핀(12c)의 위에 전달된 후, 기판 스테이지(12)는, 척(12a)으로부터의 핀(12c)의 돌출량을 작게 해 가고, 기판(2)과 척(12a)이 접촉한 상태에 있어서 척(12a)에 기판(2)을 유지시킨다.The transfer unit 30 holds the substrate 2 preprocessed by the second processing unit 20 in the hand 31, and the hand 31 in front of the processing unit 10 to transfer (carry in) the substrate 2 ) is moved along the conveying path 32 . Then, as shown in FIG. 3 , the transfer unit 30 inserts the hand 31 holding the substrate 2 into the processing unit 10 (chamber 17 ), and the substrate stage 12 . The substrate 2 is transferred onto the pins 12c protruding from the (chuck 12a). After the substrate 2 is transferred onto the pin 12c, the substrate stage 12 reduces the amount of protrusion of the pin 12c from the chuck 12a, and the substrate 2 and the chuck 12a The substrate 2 is held by the chuck 12a in a contact state.

여기서, 핸드(31)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 온도 센서(34)가 설치되어 있고, 처리부(10)로의 기판(2)의 반송 시에서 핸드(31)를 처리부(10)의 내부에 삽입한 상태에서, 해당 온도 센서(34)에 의해 처리부(10)(챔버(17))의 내부 온도가 검출된다. 도 3에 도시한 예에서는, 온도 센서(34)가 핸드(31)에 설치되어 있지만, 그것으로 한정되는 것이 아니라, 처리부(10)로의 기판(2)의 반송 시에 해당 처리부(10)의 내부에 삽입되는 부분에 온도 센서(34)가 설치되어 있으면 된다. 또한, 온도 센서(34)는, 처리부(10)의 온도 조절부(19)(예를 들어, 수평 방향으로 기체를 분출하는 온도 조절부(19b))로부터 공급된 기체의 온도를 검출하는 것이 바람직하기 때문에, 해당 기체가 직접 닿도록 반송부(30)(핸드(31))에 설치되면 된다. 또한, 온도 센서(34)는, 핸드(31)에 의해 유지된 기판(2)에 접촉해버리면 해당 기판(2)의 온도가 검출될 수 있기 때문에, 해당 기판(2)에 접촉하지 않도록 설치되면 된다. 마찬가지로, 기판 스테이지(12)로의 기판(2)의 수수 시에 기판 스테이지(12)에 접촉하지 않도록 설치되면 된다.Here, the hand 31 is provided with a temperature sensor 34 as shown in FIG. 3 , and when the substrate 2 is transported to the processing unit 10 , the hand 31 is placed inside the processing unit 10 . In the inserted state, the internal temperature of the processing unit 10 (chamber 17) is detected by the temperature sensor 34 . In the example shown in FIG. 3 , the temperature sensor 34 is provided in the hand 31 , but it is not limited thereto, and the inside of the processing unit 10 is not limited thereto when the substrate 2 is transported to the processing unit 10 . What is necessary is just to provide the temperature sensor 34 in the part to be inserted into. In addition, it is preferable that the temperature sensor 34 detects the temperature of the gas supplied from the temperature control unit 19 of the processing unit 10 (eg, the temperature control unit 19b that ejects the gas in the horizontal direction). Therefore, what is necessary is just to install in the conveyance part 30 (hand 31) so that the said base|substrate may come in direct contact. In addition, since the temperature sensor 34 can detect the temperature of the substrate 2 when it comes into contact with the substrate 2 held by the hand 31 , when installed so as not to contact the substrate 2 , do. Similarly, what is necessary is just to provide so that it may not contact the substrate stage 12 at the time of delivery of the board|substrate 2 to the board|substrate stage 12. As shown in FIG.

이와 같이 반송부(30)(핸드(31))에 설치된 온도 센서(34)에 의한 처리부(10)의 내부 온도의 검출은, 복수의 처리부(10)의 각각에 대한 기판(2)의 반송 시에 행해질 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서는, 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를, 핸드(31)에 설치된 공통의 온도 센서(34)에 의해 검출할 수 있다. 이에 의해, 제어부(40)는, 온도 센서(34)에 의해 검출된 복수의 처리부(10)의 각각의 내부 온도를 나타내는 정보에 기초하여, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(40)는, 복수의 처리부(10)의 각각에 설치된 온도 센서(18a, 18b)의 검출 결과를 해당 정보에 의해 교정하고, 교정한 온도 센서(18a, 18b)의 검출 결과에 기초하여 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 온도 조절부(19a, 19b)를 제어한다. 이에 의해, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차를 저감시킬 수 있다.In this way, the detection of the internal temperature of the processing unit 10 by the temperature sensor 34 provided in the conveying unit 30 (hand 31) is performed when the substrate 2 is conveyed to each of the plurality of processing units 10 . can be done on That is, in the present embodiment, the internal temperature of each of the plurality of processing units can be detected by the common temperature sensor 34 provided in the hand 31 . Thereby, based on the information indicating the respective internal temperatures of the plurality of processing units 10 detected by the temperature sensor 34 , the control unit 40 controls the plurality of processing units to reduce the difference in internal temperature between the plurality of processing units. It is possible to control the internal temperature of each of the processing units 10 of the . For example, the control unit 40 corrects the detection results of the temperature sensors 18a and 18b provided in each of the plurality of processing units 10 based on the information, and the detection results of the corrected temperature sensors 18a and 18b Controls the temperature control units 19a and 19b in each of the plurality of processing units 10 based on the . Thereby, the difference in internal temperature between a plurality of processing units can be reduced.

도 4는, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)에 있어서, 각 처리부(10)의 내부 온도를 제어하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 4에 도시한 흐름도는, 제2 처리부(20)에 의해 전처리가 행해진 기판(2)을 각 처리부(10)로 반입할 때 얻어진 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 각 처리부(10)의 내부 온도를 제어하는 예를 나타내고 있다. 해당 흐름도의 각 공정은 제어부(40)에 의해 제어될 수 있다.4 is a flowchart illustrating a method of controlling the internal temperature of each processing unit 10 in the imprint apparatus 100 of the present embodiment. The flowchart shown in FIG. 4 is based on the detection result of the temperature sensor 34 obtained when carrying in the board|substrate 2 preprocessed by the 2nd processing part 20 into each processing part 10, each processing part 10 ) shows an example of controlling the internal temperature of Each process in the flowchart may be controlled by the controller 40 .

S11에서는, 제어부(40)는, 복수의 처리부(10) 중, 제2 처리부(20)에 의해 전처리가 행해진 기판(2)을 반송할 대상의 처리부(10)(이하, 대상 처리부(10))를 결정한다. 예를 들어, 제어부(40)는, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 임프린트 처리의 상황을 나타내는 정보에 기초하여 대상 처리부(10)를 결정하면 된다. S12에서는, 제어부(40)는, 핸드(31)에 기판(2)을 유지시키고, 해당 핸드(31)를 대상 처리부(10)의 앞까지 반송로(32)를 따라 이동시키도록 반송부(30)를 제어한다. S13에서는, 제어부(40)는, 기판(2)을 유지한 핸드(31)를 대상 처리부(10)의 내부에 삽입시키고, 해당 기판(2)을 대상 처리부(10)의 내부에 반입시키도록(예를 들어, 기판 스테이지 위에 기판(2)을 전달하도록) 반송부(30)를 제어한다. S14에서는, 제어부(40)는, 대상 처리부(10)로부터 핸드(31)를 뽑아내도록 반송부(30)를 제어한다.In S11 , the control unit 40, among the plurality of processing units 10 , the processing unit 10 (hereinafter, the target processing unit 10 ) to which the substrate 2 that has been pre-processed by the second processing unit 20 is transferred is configured. to decide For example, the control unit 40 may determine the target processing unit 10 based on information indicating the status of the imprint process in each of the plurality of processing units 10 . In S12 , the control unit 40 holds the substrate 2 in the hand 31 , and moves the hand 31 along the conveyance path 32 to the front of the target processing unit 10 , the conveying unit 30 . ) to control In S13, the control unit 40 inserts the hand 31 holding the substrate 2 into the target processing unit 10, and loads the substrate 2 into the target processing unit 10 ( For example, the transfer unit 30 is controlled (to transfer the substrate 2 onto the substrate stage). In S14 , the control unit 40 controls the transfer unit 30 to pull out the hand 31 from the target processing unit 10 .

S15에서는, 제어부(40)는, 핸드(31)의 온도 센서(34)에 의해 S13의 공정 시에 얻어진 대상 처리부(10)의 내부 온도의 검출 결과와, 대상 처리부(10)의 온도 센서(18)에 의해 S13의 공정 시에 얻어진 대상 처리부(10)의 내부 온도의 검출 결과를 취득한다. 그리고, 그들 검출 결과의 차(온도차 ΔT)를 구한다. S16에서는, 제어부(40)는, S15에서 구한 온도차 ΔT가 임계값 이상인지 여부를 판단한다. 온도차 ΔT가 임계값 이상인 경우에는 S17로 진행하고, 온도차 ΔT가 임계값보다 작은 경우에는 S18로 진행한다.In S15 , the control unit 40 determines the detection result of the internal temperature of the target processing unit 10 obtained during the step S13 by the temperature sensor 34 of the hand 31 , and the temperature sensor 18 of the target processing unit 10 . ), the detection result of the internal temperature of the target processing unit 10 obtained at the time of the step S13 is acquired. Then, the difference (temperature difference ΔT) between the detection results is calculated. In S16, the control unit 40 determines whether the temperature difference ΔT obtained in S15 is equal to or greater than a threshold value. If the temperature difference ΔT is equal to or greater than the threshold value, the process proceeds to S17, and if the temperature difference ΔT is smaller than the threshold value, the process proceeds to S18.

S17에서는, 제어부(40)는, 온도차 ΔT에 기초하여, 대상 처리부(10)의 온도 센서(18)의 검출 결과가 핸드(31)의 온도 센서(34)의 검출 결과에 근접하도록, 대상 처리부(10)의 온도 센서(18)를 교정한다. S18에서는, 제어부(40)는, 제2 처리부(20)에 의해 전처리가 행해진 새로운 기판(2)(다음 기판)이 있는지 여부를 판단한다. 다음 기판이 있는 경우에는 S11로 되돌아간다. 이 경우, 해당 다음 기판에 대해서는 다른 처리부(10)로 반송될 수 있기 때문에, 별도의 처리부(10)에 대하여 S11 내지 S17의 공정이 행해질 수 있다. 그로 인해, 제어부(40)는, 복수의 처리부(10)의 각각에 설치된 온도 센서(18)를, 핸드(31)에 설치된 온도 센서(34)를 공통으로 이용하여 교정할 수 있다. 이에 의해, 제어부(40)는, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어할 수 있다.In S17, based on the temperature difference ΔT, the control unit 40 controls the target processing unit ( ) so that the detection result of the temperature sensor 18 of the target processing unit 10 approximates the detection result of the temperature sensor 34 of the hand 31 . 10) Calibrate the temperature sensor 18. In S18 , the control unit 40 determines whether there is a new substrate 2 (the next substrate) that has been pre-processed by the second processing unit 20 . If there is a next board|substrate, it returns to S11. In this case, since the next substrate can be transferred to another processing unit 10 , the processes S11 to S17 can be performed with respect to the other processing unit 10 . Therefore, the control unit 40 can calibrate the temperature sensor 18 provided in each of the plurality of processing units 10 by using the temperature sensor 34 provided in the hand 31 in common. Thereby, the control part 40 can control the internal temperature in each of the some processing part 10 so that the difference of the internal temperature between the some processing part may be reduced.

전술한 바와 같이, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)는, 반송부(30)의 핸드(31)에 설치된 온도 센서(34)에 의해, 복수의 처리부(10)의 각각에 대한 기판(2)의 반송 시에 해당 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 검출한다. 그리고, 온도 센서(34)에 의해 검출된 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 나타내는 정보에 기초하여, 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어한다. 이에 의해, 복수의 처리부 사이에 있어서의 내부 온도의 차에 기인하는 패턴의 형성 정밀도의 차를 저감시킬 수 있다.As described above, in the imprint apparatus 100 of the present embodiment, the substrate 2 for each of the plurality of processing units 10 by the temperature sensor 34 provided in the hand 31 of the conveying unit 30 . The internal temperature in each of the plurality of processing units 10 is detected at the time of conveyance. Then, based on the information indicating the internal temperature of each of the plurality of processing units 10 detected by the temperature sensor 34 , the plurality of processing units 10 is configured such that the difference in internal temperature between the plurality of processing units is reduced. control the internal temperature in each of the Thereby, the difference in the formation precision of the pattern resulting from the difference in the internal temperature between several process part can be reduced.

또한, 반송부(30)(핸드(31))의 온도 센서(34)도 경시 변화를 일으키기 때문에, 정기적인 교정이 필요하지만, 반송부(30)의 온도 센서(34)의 수는, 복수의 처리부(10)에 있어서의 온도 센서(18)의 전체 수보다 적기 때문에, 교정에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 즉, 온도 센서를 교정하기 위해서 임프린트 처리를 정지시키는 시간을 단축할 수 있기 때문에, 생산성의 점에서도 유리해질 수 있다.In addition, since the temperature sensor 34 of the conveyance part 30 (hand 31) also causes a change with time, periodic calibration is required, but the number of the temperature sensors 34 of the conveyance part 30 is plural. Since it is less than the total number of the temperature sensors 18 in the processing part 10, the time required for calibration can be shortened. That is, since the time for stopping the imprint process for calibrating the temperature sensor can be shortened, it can be advantageous also in terms of productivity.

여기서, 본 실시 형태에서는, 복수의 처리부(10)의 각각에 대한 기판(2)의 반입 시에 얻어진 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 예를 설명하였다. 그러나, 그것으로 한정되는 것이 아니라, 복수의 처리부(10)의 각각으로부터의 기판(2)의 반출 시에 얻어진 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어해도 된다. 즉, 「기판의 반송 시」란, 기판의 반입 시 및 기판의 반출 시 중 적어도 한쪽을 포함할 수 있다.Here, in this embodiment, based on the detection result of the temperature sensor 34 obtained at the time of carrying in the board|substrate 2 with respect to each of the some processing part 10, the inside in each of the some processing part 10. An example of controlling the temperature has been described. However, it is not limited thereto, and based on the detection result of the temperature sensor 34 obtained at the time of carrying out the substrate 2 from each of the plurality of processing units 10 , in each of the plurality of processing units 10 , may control the internal temperature of That is, "at the time of conveyance of a board|substrate" can include at least one of the time of carrying in a board|substrate, and the time of carrying out a board|substrate.

<제2 실시 형태><Second embodiment>

본 발명에 따른 제2 실시 형태의 임프린트 장치에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태의 임프린트 장치의 장치 구성은, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)와 마찬가지이다. 제2 실시 형태에서는, 제어부(40)는, 반송로(32)를 따른 핸드(31)의 이동 중에 있어서의 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 반송로(32)의 온도가 목표 온도가 되도록 온도 조절부(33)를 제어한다(반송로(32)의 온도를 제어함). 반송로(32)의 목표 온도는, 예를 들어 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도의 목표 온도와 같이 설정되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 복수의 처리부(10)의 각각에 있어서의 내부 온도와 반송로(32)의 온도를 공통의 온도 센서(34)에 의한 검출 결과에 기초하여 제어함으로써, 해당 내부 온도와 반송로(32)의 온도와의 차를 저감시킬 수 있다. 즉, 반송로(32)와 각 처리부(10)의 내부와의 온도차에 의해 발생하는 기판(2)의 열변형을 저감시킬 수 있다.An imprint apparatus of a second embodiment according to the present invention will be described. The apparatus configuration of the imprint apparatus of the second embodiment is the same as that of the imprint apparatus 100 of the first embodiment. In the second embodiment, the control unit 40 sets the temperature of the conveyance path 32 to a target temperature based on the detection result of the temperature sensor 34 during the movement of the hand 31 along the conveyance path 32 . The temperature control unit 33 is controlled so as to be (controls the temperature of the conveyance path 32). It is preferable that the target temperature of the conveyance path 32 is set like the target temperature of the internal temperature in each of the some process part 10, for example. In this way, by controlling the internal temperature in each of the plurality of processing units 10 and the temperature of the transport path 32 based on the detection result by the common temperature sensor 34 , the internal temperature and the transport path 32 are controlled. ) and the temperature difference can be reduced. That is, the thermal deformation of the substrate 2 caused by the temperature difference between the transfer path 32 and the inside of each processing unit 10 can be reduced.

<제3 실시 형태><Third embodiment>

본 발명에 따른 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 5는, 제3 실시 형태의 임프린트 장치(300)를 나타내는 도면이며, 반송부(30)의 구성 이외에는 제1 실시 형태의 임프린트 장치(100)(도 1)와 마찬가지이다. 제3 실시 형태의 임프린트 장치(300)에서는, 반송로(32)가 복수의 영역으로 구분되어 있으며, 해당 복수의 영역의 각각에 대해서 온도 조절부(33)가 설치되어 있다. 도 5에 도시한 예에서는, 반송로(32)는 3개의 영역(32a 내지 32c)으로 구분되어 있으며, 영역(32a)을 온도 조절하는 온도 조절부(33a)와, 영역(32b)을 온도 조절하는 온도 조절부(33b)와, 영역(32c)을 온도 조절하는 온도 조절부(33c)가 설치되어 있다.A third embodiment according to the present invention will be described. 5 : is a figure which shows the imprint apparatus 300 of 3rd Embodiment, except for the structure of the conveyance part 30, it is the same as that of the imprint apparatus 100 (FIG. 1) of 1st Embodiment. In the imprint apparatus 300 of the third embodiment, the conveyance path 32 is divided into a plurality of regions, and a temperature control unit 33 is provided in each of the plurality of regions. In the example shown in FIG. 5 , the conveying path 32 is divided into three regions 32a to 32c, a temperature control unit 33a for temperature-regulating the region 32a, and a temperature control for the region 32b. A temperature control unit 33b for temperature control and a temperature control unit 33c for temperature control of the region 32c are provided.

제어부(40)는, 반송로(32)를 따른 핸드(31)의 이동 중에 있어서의 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 반송로(32)에 있어서의 각 영역(32a 내지 32c)의 온도가 목표 온도가 되도록 각 온도 조절부(33a 내지 33c)를 제어한다. 구체적으로는, 제어부(40)는, 반송로(32)의 영역(32a)을 핸드(31)가 이동하고 있을 때의 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 영역(32a)의 온도가 목표 온도가 되도록 온도 조절부(33a)를 제어한다. 마찬가지로, 제어부(40)는, 반송로(32)의 영역(32b)(영역(32c))을 핸드(31)가 이동하고 있을 때의 온도 센서(34)의 검출 결과에 기초하여, 영역(32b)(영역(32c))의 온도가 목표 온도가 되도록 온도 조절부(33b)(온도 조절부(33c))를 제어한다. 이렇게 반송로(32)에 있어서의 복수의 영역의 각각의 온도를 개별로 제어함으로써, 반송로(32)의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.The control unit 40 controls each region 32a to 32c of the conveyance path 32 based on the detection result of the temperature sensor 34 while the hand 31 is moving along the conveyance path 32 . Each temperature controller 33a to 33c is controlled so that the temperature becomes a target temperature. Specifically, the control unit 40 determines that the temperature of the region 32a is adjusted based on the detection result of the temperature sensor 34 when the hand 31 is moving in the region 32a of the conveyance path 32 . The temperature control unit 33a is controlled to reach the target temperature. Similarly, the control unit 40 controls the area 32b (area 32c) of the conveyance path 32 based on the detection result of the temperature sensor 34 when the hand 31 is moving the area 32b. ) (region 32c) controls the temperature control unit 33b (temperature control unit 33c) so that the temperature becomes the target temperature. By individually controlling each temperature of a plurality of regions in the conveyance path 32 in this way, the temperature of the conveyance path 32 can be controlled with high precision.

<물품의 제조 방법의 실시 형태><Embodiment of manufacturing method of article>

본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 임프린트재에 상기 임프린트 장치를 사용해서 패턴을 형성하는 공정(기판에 임프린트 처리를 행하는 공정)과, 이러한 공정에서 패턴을 형성된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or an element having a microstructure, for example. The manufacturing method of the article of the present embodiment includes a step of forming a pattern on an imprint material applied to a substrate using the imprint apparatus (a step of performing an imprint process on the substrate), and a step of processing the substrate on which the pattern is formed in this step includes In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film-forming, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.). The manufacturing method of the article of the present embodiment is advantageous compared to the conventional method in at least one of performance, quality, productivity, and production cost of the article.

임프린트 장치를 사용해서 성형한 경화물의 패턴은, 각종 물품 중 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때 일시적으로, 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the hardened|cured material shape|molded by the imprint apparatus is used permanently for at least a part of various articles|goods, or temporarily when manufacturing various articles|goods. The article is an electric circuit element, an optical element, MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. As a type|mold, the mold for imprints, etc. are mentioned.

경화물의 패턴은, 상기 물품 중 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as a constituent member of at least a part of the article as it is, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

다음으로, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)를 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상으로 된 임프린트재(3z)가 기판 위에 부여된 모습을 나타내고 있다.Next, a specific manufacturing method of the article will be described. As shown in Fig. 6(a), a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed on the surface is prepared, and then the surface of the workpiece 2z is performed by an inkjet method or the like. An imprint material 3z is applied thereto. Here, the state in which the imprint material 3z in the shape of a plurality of droplets is provided on the board|substrate is shown.

도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 위의 임프린트재(3z)를 향해 대향시킨다. 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)을 투과하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.As shown in Fig. 6(b), the imprint mold 4z faces the side on which the concave-convex pattern is formed toward the imprint material 3z on the substrate. As shown in FIG.6(c), the board|substrate 1z to which the imprint material 3z was provided and the mold 4z are brought into contact, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the material to be processed 2z. In this state, when light is transmitted through the mold 4z as curing energy and irradiated, the imprint material 3z is cured.

도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응한 형상으로 되어 있으며, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.As shown in Fig. 6(d), after curing the imprint material 3z, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of the cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. is formed The pattern of this cured product is such that the concave portion of the mold has a shape corresponding to the convex portion of the cured product and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave-convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. do.

도 6의 (e)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되고, 홈(5z)으로 된다. 도 6의 (f)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거하였지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in FIG. 6E , when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching mask, a portion without the cured product or thinly remaining on the surface of the material 2z to be processed is removed, and the groove 5z ) becomes As shown in Fig. 6(f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the grooves 5z are formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as a structural member of a film for interlayer insulation included in, for example, a semiconductor element, ie, an article without removing the pattern even after processing.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시 형태로 한정되지 않는 것은 물론이며, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, It goes without saying that various modifications and changes are possible within the scope of the summary.

10: 처리부
20: 제2 처리부
30: 반송부
31: 핸드
32: 반송로
33: 온도 조절부
34: 온도 센서
40: 제어부
100: 임프린트 장치
10: processing unit
20: second processing unit
30: transfer unit
31: hand
32: return path
33: temperature control unit
34: temperature sensor
40: control unit
100: imprint device

Claims (9)

기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 각각 행하는 복수의 처리부와,
상기 복수의 처리부의 각각으로 기판을 반송하는 반송부와,
상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 제어부
를 포함하고,
상기 반송부는, 상기 복수의 처리부의 각각에 대한 기판의 반송 시에 해당 처리부의 내부에 삽입되는 부분에 설치된 제1 온도 센서를 갖고,
상기 복수의 처리부의 각각은, 상기 내부 온도를 조정하는 온도 조절부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 반송부에 의한 기판의 반송 시에 얻어진 상기 제1 온도 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 처리부 사이에서의 내부 온도의 차가 저감되도록, 상기 온도 조절부를 제어하여 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 내부 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
a plurality of processing units each performing a process of forming a pattern on the substrate;
a transfer unit for transferring the substrate to each of the plurality of processing units;
A control unit for controlling the internal temperature of each of the plurality of processing units
including,
The transfer unit has a first temperature sensor installed in a portion inserted into the processing unit when the substrate is conveyed to each of the plurality of processing units,
Each of the plurality of processing units has a temperature control unit for adjusting the internal temperature,
The control unit controls the temperature control unit so that a difference in internal temperature between the plurality of processing units is reduced based on a detection result of the first temperature sensor obtained when the substrate is conveyed by the conveying unit to control the plurality of processing units. A lithographic apparatus characterized by controlling an internal temperature in each of the processing units.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 처리부의 각각은, 내부 온도를 검출하는 제2 온도 센서를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 반송부에 의한 상기 복수의 처리부의 각각에 대한 기판의 반송 시에 얻어진 상기 제1 온도 센서의 검출 결과에 의해 교정된 상기 제2 온도 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 처리부의 각각에 있어서의 상기 온도 조절부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
According to claim 1,
Each of the plurality of processing units includes a second temperature sensor for detecting an internal temperature,
The control unit may include, based on a detection result of the second temperature sensor corrected by a detection result of the first temperature sensor obtained at the time of conveyance of the substrate to each of the plurality of processing units by the conveying unit, the plurality of the plurality of processing units. A lithographic apparatus, characterized in that it controls the temperature control unit in each of the processing units.
제1항에 있어서,
상기 반송부는, 기판을 유지하는 핸드를 갖고,
상기 제1 온도 센서는, 상기 핸드에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
According to claim 1,
The transfer unit has a hand for holding the substrate,
The lithographic apparatus, wherein the first temperature sensor is provided in the hand.
제4항에 있어서,
상기 제1 온도 센서는, 상기 핸드에 의해 유지된 기판에 접촉하지 않도록 상기 핸드에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
5. The method of claim 4,
The lithographic apparatus according to claim 1, wherein the first temperature sensor is provided in the hand so as not to contact the substrate held by the hand.
제1항에 있어서,
상기 반송부는, 상기 복수의 처리부의 각각으로 기판을 반송하는 반송로를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 온도 센서의 검출 결과에 기초하여 상기 반송로의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
According to claim 1,
The conveying unit includes a conveying path for conveying the substrate to each of the plurality of processing units,
The lithographic apparatus, wherein the control unit controls the temperature of the conveyance path based on a detection result of the first temperature sensor.
제6항에 있어서,
상기 반송로는, 복수의 영역으로 구분되고,
상기 제어부는, 상기 제1 온도 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 반송로에 있어서의 상기 복수의 영역의 각각의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
7. The method of claim 6,
The conveyance path is divided into a plurality of areas,
The lithographic apparatus, wherein the control unit controls the respective temperatures of the plurality of regions in the conveyance path based on a detection result of the first temperature sensor.
제1항에 있어서,
기판의 전처리를 행하는 제2 처리부를 더 포함하고,
상기 반송부는, 상기 제2 처리부로부터 상기 복수의 처리부의 각각으로 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
According to claim 1,
Further comprising a second processing unit for pre-processing the substrate,
The lithographic apparatus, wherein the conveying unit conveys a substrate from the second processing unit to each of the plurality of processing units.
제1항에 기재된 리소그래피 장치를 사용해서 패턴을 기판에 형성하는 형성 공정과,
상기 형성 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 가공 공정
을 포함하고,
상기 가공 공정에서 가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
A forming step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 1 ;
A processing process of processing the substrate on which the pattern is formed in the forming process
including,
A method of manufacturing an article, characterized in that the article is produced from the substrate processed in the machining process.
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