KR102267636B1 - 반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 기술은 복수의 돌출전극을 구비한 반도체 패키지 제조공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있고, 소정의 제조공정을 완료한 후 잔류물없이 손쉽게 반도체 패키지로부터 분리할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 제공하기 위한 것으로, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서, 부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 금속원소가 함유된 기저필름; 상기 기저필름 상에 형성되어 분자구조가 망상구조를 갖고 실리콘이 함유된 접착층; 및 상기 접착층 상에 부착된 불소가 함유된 이형필름을 포함하는 접착 테이프를 제공한다.

Description

반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프 및 그 제조방법{ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDOCTOR PACKAGE MANUFACTURING PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지의 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 패키지의 한 종류로서, BGA(Ball Grid Array)가 많이 사용되고 있다. BGA는 솔더볼(Solder Ball)에 의하여 반도체 패키지의 외부 단자접촉을 달성함으로써, 리드 프레임 타입 패키지에서 단면, 양면, 4면으로 신호전달하는 대신에 바닥면에 노출된 수많은 돌출전극 즉, 솔더볼로 대체하여 더 많은 신호 전달을 가능하게 하였다. 이러한 BGA 패키지는 차세대 고속메모리의 주력 패키지로 생산되고 있고, 이동전화나 디지털카메라 등 휴대형 정보통신기기에 한정돼 있던 CSP(Chip Scale Package) 사용 분야를 PC나 워크스테이션 등의 컴퓨터 영역으로까지 확장하고 있다.
한편, 모바일 분야에서 배터리 수명을 증가시키기 위하여 배터리의 크기를 키워야 하는 요구와 단말기의 크기를 줄여야 하는 두 가지의 요구를 동시에 달성하기 위하여 상대적으로 단말기에서 차지하는 PCB의 크기를 줄여야 하는 요구에 직면하게 되었고, PCB의 크기가 줄어들면 PCB에 포함된 반도체 소자 사이의 간격이 좁아지면서 반도체 소자 상호간 전자파 간섭에 의한 에러가 발생할 수밖에 없다. 이러한 소자간 전자파 간섭을 억제하기 위하여, 소자 차폐용 캡(CAP)을 씌우는 방법이나 EMI 스퍼터링 기술에 의하여 소자의 외면에 차폐용 금속코팅을 형성하는 기술이 개발 및 도입되었다.
이 중에서 스퍼터링에 의한 차폐용 금속 코팅 기술은 반도체 소자의 접속단자를 제외한 전체 외면에 전자파 차폐를 위한 금속 박막을 스퍼터링 공정을 통해 형성하는 것을 지칭한다. BGA 반도체 패키지의 경우, 전자파 차폐를 위한 스퍼터링 공정시 접속단자에 영향을 주지 않도록 하는 방법으로서, 반도체 패키지 크기의 구멍이 형성된 테이프에 반도체 패키지를 수납하여 패키지의 상부면만 노출시켜 스퍼터링을 적용하는 방법(등록특허 제10-1662068호 참조)이 제안된 바 있으나, 테이프에 구멍을 형성하는데 비용이 과다하게 발생할 뿐만 아니라, 구멍에 반도체 패키지를 정확하게 배치하지 못하였을 때에 스퍼터링에 의한 박막이 불량하게 증착되는 문제가 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1662068호(2016.10.04)
따라서, 본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 돌출전극을 구비한 반도체 패키지 제조공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 소정의 제조공정을 완료한 후 잔류물없이 손쉽게 반도체 패키지로부터 분리할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서, 부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 금속원소가 함유된 기저필름; 상기 기저필름 상에 형성되어 분자구조가 망상구조를 갖고 실리콘이 함유된 접착층; 및 상기 접착층 상에 부착된 불소가 함유된 이형필름을 포함하는 접착 테이프가 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함할 수 있고, 상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 단위 면적당 중량을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있고, 상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 광택면 및 상기 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 상기 접착층은 상기 무광택면 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착층은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 이형필름은 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다.
상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서, 부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및 상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 분자구조가 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하는 접착 테이프가 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께 및 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 갖고, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.8 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 접착주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:5 내지 99:1 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제2주제는 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 가교제는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 앵커리지 첨가제는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 촉매제는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제5주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함할 수 있고, 상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 단위 면적당 중량을 갖고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름의 금속원소는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있고, 상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름의 금속원소를 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있다.
상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 광택면 및 상기 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 알루미늄 또는 구리가 99 wt% 이상 함유된 기저필름을 준비하는 단계; 분자구조가 망상구조를 갖는 실리콘이 함유된 접착 조성물을 제조하는 단계; 상기 접착 조성물을 열적 평형상태에서 안정화시키는 단계; 콤마 코터를 이용하여 상기 기저필름의 무광택면 상에 안정화된 상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층에 대한 1차 건조 열처리를 제1시간동안 진행하는 단계; 상기 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 2차 건조 열처리를 상기 제1시간동안 진행하는 단계; 상기 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 3차 건조 열처리를 상기 제1시간보다 긴 제2시간동안 진행하는 단계; 상온에서 상기 접착층을 경화 및 안정화시키는 단계; 및 상기 접착층 상에 불소가 함유된 이형필름을 부착하는 단계를 포함하는 접착 테이프 제조방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 기저필름을 준비하는 단계에서, 상기 기저필름의 광택면 상에 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름의 무광택면 상에 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 단위 면적당 중량을 갖는 중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
먼저, 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프는 기저필름과 접착층이 순차적으로 적층된 매우 단순한 구조를 갖기 때문에 생산성 및 가격경쟁력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 기저필름이 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 금속원소를 함유하고 있기 때문에 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성 및 유지특성을 용이하게 확보할 수 있는 효과가 있다. 아울러, EMI 차폐층 형성을 위한 스퍼터링 공정시 금속원소를 함유하는 기저필름이 그라운드로 작용하여 스퍼터링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 기저필름이 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 매우 얇은 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 접착층이 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 에틸벤젠이 혼합된 접착주제를 포함함으로써, EMI 차폐층 형성공정시 발생되는 열에 의한 물성 변형이 없고 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 용이하게 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한, 접착층이 실록산 결합을 기본 골격으로 망상구조를 가짐으로써, 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 반도체 패키지와 접착 테이프 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 접착층이 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 매우 얇을 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 용이하고, 부착시 반도체 패키지의 가장자리 측면으로 접착층이 밀려올라가는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 반도체 패키지의 돌출전극 사이즈 및 간격에 대응하여 최적화된 접착층의 접착 조성물, 접착층의 두께 및 기저필름의 두께를 제공함에 따라 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 보다 효과적으로 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한, 종래의 반도체 패지지의 EMI 차폐층 형성공정 대비 공정스탭 및 소모품의 소비를 감소시킬 수 있기 때문에 반도체 패키지의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성된 보호층을 구비함으로써, 공정간 기저필름의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 실제 반도체 패키지 하면에 접착된 모습을 나타낸 이미지이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.
한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백히 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.
본 명세서에서 CAS No.에 따른 물질의 명칭은 화학물질종합정보시스템(URL : https://icis.me.go.kr/)에서 제공하는 명칭을 사용하기로 한다.
후술하는 본 발명의 실시예는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 제공하기 위한 것으로, 더욱 상세하게는 BGA(Ball Grid Array), LGA(Land Grid Array)와 같이 복수의 돌출전극을 구비하는 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
통상적으로, EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프는 접착특성(adhesion characteristic), 유지특성(retention characteristic), 분리특성(remove characteristic) 및 응력특성(stress characteristic)을 확보할 필요성이 있다.
먼저, 접착특성 측면에서 살펴보면 접착 테이프의 기저필름 및 접착층은 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 공극이 발생하지 않도록 돌출전극의 사이즈(예컨대, 직경 또는 높이)에 관계없이 돌출전극 및 돌출전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지(topology)에 대응하여 접착 및 밀착이 가능하여야 한다. 아울러, EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정환경 예컨대, 고온 및 고진공 환경에서 돌출전극을 밀어내지 않고 잘 붙어 있어야 한다.
다음으로, 유지특성 측면에서 살펴보면, EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정조건하에서 자체 변성이나, 변형, 변색 및 아웃개싱(outgassing) 없이 원형 형태를 유지함과 동시에 공정간 가스 및 파티클이 접착 테이프와 반도체 패키지 접착면 사이로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 접착성 및 밀폐성을 유지할 수 있어야 한다. 아울러, 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 공극이 발생할 경우 공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있어야 한다.
다음으로, 분리특성 측면에서 살펴보면, EMI 차폐층을 형성공정을 완료한 후 상온 및 대기압 상태에서 반도체 패키지로부터 접착 테이프를 분리했을 때, 적은 힘으로도 쉽게 분리됨과 동시에 반도체 패키지의 하면 및 돌출전극의 표면에 접착물질이 잔류하지 않아야 한다. 특히, 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비를 통해 용이하게 분리가 가능한 접착력을 구비하여야 하고, 자동화 설비에서 사용되는 진공척(vacuum chuck) 또는 리프트핀(lift pin)에 의하여 구멍이 생기거나, 찢어지지 않아야 한다. 통상적으로, 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 반도체 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비의 최대 인내 장력은 500 gf/25mm 내외이기 때문에 접착 테이프는 이보다 낮은 접착력을 갖는 것이 분리특성 측면에서 바람직하다 할 것이다.
그리고, 응력특성은 EMI 차폐층 형성공정시 접착 테이프 상에 복수의 반도체 패키지 즉, 반도체 칩이 안착 및 접착되기 때문에 인접한 반도체 칩 사이의 간격을 유지한 상태에서 EMI 차폐층 형성공정을 진행할 수 있도록 적정 수준의 인장응력 및 압축응력을 확보하여야 한다. 즉, 접착 테이프는 팽팽히 펴진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 돌출전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형(stress balance)을 유지할 수 있어야 한다.
따라서, 후술하는 본 발명의 실시예는 반도체 제조공정 특히, EMI 차폐층 형성공정시 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 충족시킬 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 제공한다. 이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 접착 테이프는 생산성 및 가격경쟁력을 확보하기 위해 기저필름과 접착층이 적층된 단순한 구조를 가질 수 있다. 접착층은 내화학성, 내열성 및 내한성을 유지함과 동시에 아웃개싱이 없고, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지 하면의 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 가능한 두께를 가지며, 돌출전극의 함침을 위해 부드럽고 변성이 없으며, 탈착시 잔류물이 전사되지 않도록 실리콘 소재로 구성될 수 있다. 그리고, 기저필름은 반도체 패키지 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 피착면의 토폴로지에 대응하여 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 스스로 유지할 수 있으며, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 발생하지 않도록 금속 소재로 구성될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 접착 테이프에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 실제 반도체 패키지 하면에 접착된 모습을 나타낸 이미지이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 기저필름(110), 기저필름(110) 상에 형성되고 실리콘이 함유된 접착층(120) 및 접착층(120) 상에 형성되고 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 이형필름(190)은 반도체 패키지 제조공정을 진행하기 전까지 접착 테이프(100)의 접착층(120)을 보호하기 위한 것으로, 제조공정시 접착층(120)으로부터 이형필름(190)을 분리할 수 있다. 접착층(120)은 반도체 패키지(300)의 하면에 접하고, 반도체 패키지(300)의 하면에 형성된 복수의 돌출전극(310)은 접착층(120)에 의해 감싸진 형태를 가질 수 있다. 참고로, 도면에 도시하지는 않았지만, EMI 차폐층은 반도체 패키지(300)의 상면 및 측면 상에 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지할 수 있으며, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 발생하지 않은 소재로 구성될 수 있다. 특히, 기저필름(110)은 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있다. 이를 위해, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 금속원소를 포함할 수 있다.
일례로, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 아울러, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 알루미늄과 더불어서 기저필름(110)의 특성 예컨대, 인장강도(tensile strength) 및 연신율(elongation)을 제어하기 위해 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)은 99.35 wt% 이상의 알루미늄, 0.15 wt% 이하의 실리콘, 0.42 wt% 이하의 철, 0.05 wt% 이하의 구리, 0.05 wt% 이하의 망간, 0.05 wt% 이하의 마그네슘, 0.1 wt% 이하의 아연, 0.06 wt% 이하의 티타늄을 포함할 수 있다. 여기서, 99.35 wt% 이상의 알루미늄은 99.35 wt% 이상 및 100 wt% 미만의 중량비를 지칭하는 것일 수 있고, 0.15 wt% 이하의 실리콘은 0.15 wt% 이하 및 0 wt% 초과의 중량비를 지칭하는 것일 수 있다. 그 외, 철, 구리, 망간, 마그네슘, 아연 및 티타늄의 중량비 범위도 상술한 실리콘과 같이 해석할 수 있다.
상술한 99 wt% 이상의 알루미늄이 함유된 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 적어도 6 kgf/mm2 이상의 인장강도 및 적어도 8% 이상의 연신율을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 99 wt% 이상의 알루미늄이 함유된 기저필름(110)은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도를 가질 수 있고, 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다. 여기서, 인장강도가 6 kgf/mm2 미만인 경우에는 접착 테이프(100) 제조공정 및 반도체 패키지(300) 제조공정시 가해지는 외력에 의해 기저필름(110)이 끊어지거나, 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 12 kgf/mm2 초과인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있다. 그리고, 연신율이 8% 미만인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있고, 12% 초과인 경우에는 공정간 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어려울 수 있다. 한편, 기저필름(110)의 인장강도는 한국산업규격 KS B 0801 No. 5에 근거하여 측정된 것일 수 있고, 연실율은 한국산업규격 KS B 0802에 근거하여 측정된 것일 수 있다.
다른 일례로, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 구리(Cu)을 포함할 수 있다. 아울러, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 구리과 더불어서 기저필름(110)의 특성 예컨대, 인장강도 및 연신율을 제어하기 위해 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)은 99.9 wt% 이상의 알루미늄, 0.1 wt% 이하의 아연을 포함할 수 있다. 여기서, 99.9 wt% 이상의 알루미늄은 99.9 wt% 이상 및 100 wt% 미만의 중량비를 지칭하는 것일 수 있고, 0.1 wt% 이하의 아연은 0.1 wt% 이하 및 0 wt% 초과의 중량비를 지칭하는 것일 수 있다.
상술한 99 wt% 이상의 구리가 함유된 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 적어도 10 kgf/mm2 이상의 인장강도 및 적어도 4% 이상의 연신율을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 99 wt% 이상의 구리가 함유된 기저필름(110)은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도를 가질 수 있고, 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다. 여기서, 인장강도가 10 kgf/mm2 미만인 경우에는 접착 테이프(100) 제조공정 및 반도체 패키지(300) 제조공정시 가해지는 외력에 의해 기저필름(110)이 끊어지거나, 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 26 kgf/mm2 초과인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있다. 그리고, 연신율이 4% 미만인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있고, 12% 초과인 경우에는 공정간 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어려울 수 있다. 한편, 기저필름(110)의 인장강도는 한국산업규격 KS B 0801 No. 5에 근거하여 측정된 것일 수 있고, 연실율은 한국산업규격 KS B 0802에 근거하여 측정된 것일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력 향상, 균일한 두께 및 접착층(120)의 목표 두께를 용이하게 구현하기 위해 적어도 56 Dyne/cm 이상의 표면장력 및 0.4㎛ 이하의 표면거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 여기서, 표면장력 및 표면거칠기는 접착층(120)이 형성되는 기저필름(110)의 무광택면에 대한 것이며, 표면거칠기는 산술 평균 거칠기를 의미한다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)의 56 Dyne/cm 내지 72 Dyne/cm 범위의 표면장력을 가질 수 있고, 0.3㎛ 내지 0.4㎛ 범위의 표면거칠기를 가질 수 있다. 여기서, 표면장력이 56 Dyne/cm 미만인 경우에는 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력이 저하되고 접착층(120)의 목표 두께를 구현하기 어려울 수 있으며, 72 Dyne/cm 초과하는 경우에는 균일한 두께의 접착층(120)을 형성하기 어려울 수 있다. 그리고, 표면거칠기가 0.3㎛ 미만인 경우에는 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력이 저하될 수 있고, 0.4㎛ 초과인 경우에는 기저필름(110)의 인장강도 및 연신율을 저하시킬 수 있다. 기저필름(110)의 인장강도, 연신율 및 표면장력은 기저필름(110)을 구성하는 물질의 조성 즉, 99 wt% 이상의 금속원소 및 1 wt% 이하의 첨가물 함량(또는 중량비)을 조절하여 제어할 수 있다.
한편, 통상적으로 기저필름(110)으로 사용되는 고분자 소재는 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylentherephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리올레핀(polyolefine, PO) 등은 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되나, 이는 접착층(120)에 기인한 것으로, 고분자 소재 독자적으로 형태가 변형된 것이 아니다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)이 복수의 금속원소를 포함하기 때문에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 가능하고, 공정간 접착층(120)에 의하여 변형된 형태를 유지함과 동시에 기저필름(110) 스스로 변형된 형태를 유지할 수 있다. 이로써, 접착층(120)의 접착특성 및 유지특성을 더욱더 향상시킬 수 있다. 즉, 기저필름(110)이 공정간 접착층(120)이 돌출전극(310)으로부터 밀려나는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 다시 말해, 기저필름(120)이 접착층(120)의 접착력을 보완 및 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 통해, 소정의 공정이 완료된 이후 반도체 패키지(300)로부터 접착 테이프(100)의 분리가 용이하도록 접착층(120)의 접착력을 요구되는 접착력보다 낮게 설정하더라도, 기저필름(110)을 통해 이를 보완 및 상쇄시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 기저필름(110)의 두께가 10㎛ 미만은 경우에는 사용자가 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어렵고, 이형필름(190) 쉽게 제거하기 어려울 수 있다. 반면에, 기저필름(110)의 두께가 35㎛를 초과하는 경우에는 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면의 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어렵고, 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있다. 참고로, 응력 균형을 유지하지 못하는 경우 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 접착한 후, 반도체 패키지(300)와 접착층(120) 사이의 반발력이 증가하기 때문에 반도체 패키지(300)와 접착층(120) 사이의 접착력 및 밀착력을 저하시키는 원인으로 작용할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)에 기인한 접착 테이프(100)의 특성을 더욱더 향상시키기 위해 돌출전극(310)의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 기저필름(110)의 두께가 감소할 수 있다. 반면에, 돌출전극(310) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 기저필름(110)의 두께가 증가할 수 있다. 이는, 기저필름(110)이 독자적으로 형태 변형 및 변형된 형태 유지가 가능하기 때문에 접착층(120)과 더불어서 돌출전극(310)의 사이즈 및 간격 변화에 대응하여 두께를 조절하는 것으로 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)의 응력특성, 접착특성 및 유지특성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 광택면 및 광택면에 대향하는 무광택면을 가질 수 있고, 접착층(120)은 무광택면 상에 형성될 수 있다. 이는, 광택면 대비 무광택면의 표면 거칠기가 더 크기 때문에 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있기 때문이다.
한편, 통상적으로 기저필름(110)으로 사용되는 고분자 소재는 접착층(120)으로 사용된 실리콘 소재는 특유의 화학적 안정성으로 인해 이종 물질과의 혼합, 교반 및 접착이 용이하지 않기 때문에 고분자 소재와 접착력이 낮아 들뜸 현상이 발생하거나, 접착층(120)이 피착면으로 전사되는 형태의 불량이 발생할 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 기저필름(110) 일면에 대해 별도의 표면처리를 진행해야만 했었다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 기저필름(110)은 복수의 금속원소를 포함하기 때문에 실리콘이 함유된 접착층(120)과 높은 접착력을 가지며, 별도의 표면처리를 필요로하지 않는다는 장점이 있다. 즉, 고분자 소재의 기저필름(110) 대비 생산단가 및 수율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 접착층(120)은 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 최대한 일정한 두께를 유지하면서 반도체 패키지(300) 하면 토폴로지를 따라 접착된 형태를 가질 수 있다. 또한, 접착층(120)은 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 빈틈없이 접착이 가능하도록 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 접착층(120)의 두께가 10㎛ 미만인 경우에는 필요로하는 접착력을 확보하기 어려울 수 있고(접착력은 접착층(120)의 두께에 비례함), 50㎛를 초과하는 경우에는 공정완료 후 접착 테이프(100)의 제거하기 어렵거나, 부착시 눌림 압력에 의해 반도체 패키지(300)의 측면으로 접착층(120)이 밀려나와 EMI 차폐층의 증착 불량을 야기할 수 있다. 이처럼, 접착층(120)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있고, 이를 통해 접착층(120) 내에서의 응력 균형을 유지하여 접착특성 및 유지특성을 향상시킬 수 있으며, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖되, 돌출전극(310)의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 돌출전극(310) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다. 돌출전극(310)의 사이즈 및 간격 변화에 대응하여 접착층(120)의 두께를 조절하는 것으로 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)의 접착특성, 분리특성 및 유지특성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 접착특성, 유지특성 및 분리특성을 확보하기 위해 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 여기서, 접착층(120)의 접착력이 200 gf/25mm 미만인 경우에는 EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정환경 예컨대, 고온 및 고진공 환경에서 접착층(120)이 반도체 패키지(300)의 하면 및 반도체 패키지(300)의 하면에 형성된 복수의 돌출전극(310)으로부터 밀려나는 현상이 발생하거나, 또는 공정간 가스 및 파티클이 접착 테이프(100)와 반도체 패키지(300) 접착면 사이로 침투할 수 있다. 반면에, 접착층(120)의 접착력이 300 gf/25mm를 초과하는 경우에는 EMI 차폐층을 형성공정을 완료한 후 상온 및 대기압 상태에서 접착 테이프(100)를 제거할 때 접착 테이프(100)가 쉽게 제거되지 않거나, 또는 반도체 패키지(300)의 하면 및 돌출전극(310)의 표면에 접착물질이 잔류할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 내화학성, 내열성 및 내한성을 유지함과 동시에 아웃개싱이 없고, 돌출전극(310)의 함침을 위해 부드럽고 변성이 없으며, 탈착시 잔류물이 전사되지 않도록 실리콘 소재로 구성될 수 있다. 구체적으로, 실리콘이 함유된 접착층(120)은 실록산(siloxane) 결합을 기본 골격으로 할 수 있다. 보다 구체적으로, 접착층(120)은 실록산 결합을 기본 골격으로 하되, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있도록 분자구조가 망상구조(spiral network structure)를 가질 수 있다. 참고로, 실록산 결합을 기본 골격으로 하는 접착층(120)은 실록산 결합의 측쇄(side chain)에 결합되는 작용기의 개수 및 종류에 따라 분자간의 넓은 간격을 갖는 망상구조를 구현할 수 있기 때문에 망상구조와 더불어서 분자 사이의 공간을 통해 고진공 환경에서 공극이 과도하는 팽창하는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 실록산 결합은 실리콘(Si)과 산소(O)가 상호 연결된 것으로 실리콘(Si)과 산소(O) 사이의 결합 에너지가 크기 때문에 우수한 내열성 및 내화학성을 확보할 수 있다. 또한, 실록산 결합은 분자구조상 결정구조를 만들기 어려운 비결정성을 갖기 때문에 유리전이점이 낮아 우수한 내한성을 확보할 수 있다. 분자끼리 접근하면 분자간에 끌어당기는 힘이 작용하여 일종의 결합상태를 이루는데, 실록산 결합은 이러한 분자간의 인력이 작기 때문에 낮은 유리전이점을 가질 수 있다. 이러한 분자구조로 인하여 실록산 결합을 기본 골격으로 하는 접착층(120)은 딱딱해지기 어렵고, 온도에 따른 점도변화가 작아서 넓은 온도범위에 걸쳐서 안정된 물성을 발휘할 수 있다.
상술한 두께, 접착력 및 분자구조를 구현하기 위해 접착층(120)은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하는 접착 조성물을 포함할 수 있다. 여기서, 디메틸실록산 공중합체는 디메틸실록산 블록 공중합체(Dimethyl Siloxane block copolymer)도 포함할 수 있다. 접착주제에서 트리메틸레이티드 실리카는 함량에 따라 접착력을 제어하는 역할을 수행할 수 있고, 디메틸실록산 공중합체는 실록산 결합의 기본 골격을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 그리고, 에틸벤젠은 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 기타 첨가물들 간의 결합이 용이하도록 중간산물을 생성하는 역할을 수행할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)의 접착층(120)으로 적용가능한 접착 조성물들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 기설정된 범위내에서 즉, 10㎛ 내지 50㎛ 범위내에서 접착층(120)이 제1두께를 갖는 경우, 제1두께에 대응하는 제1접착 조성물은 제1접착주제 100 중량부에 대해 가교제(crosslinker) 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제(anchorage additive) 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제(catalist) 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 일례로, 제1두께는 10㎛ 내지 20㎛ 범위의 두께일 수 있다.
구체적으로, 제1접착주제는 톨루엔(Toluene), 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화(Dimethyl, methylvinyl siloxane, hydroxy-, vinyl-terminated; CAS No. 없음), 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화(Dimethyl, methylvinyl siloxane, dimethylvinyl-terminated; CAS. N. 68083-18-1) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 1-에티닐사이클로헥산올은 경화 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있으며, 톨루엔 및 자일렌은 용매로 사용될 수 있다. 그리고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화, 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화, 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다.
보다 구체적으로, 제1접착주제 전체에서 톨루엔은 20% 내지 25% 범위의 비율, 자일렌은 10% 내지 20% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.1% 내지 1% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 30% 내지 40% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율, 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
가교제는 접착주제와 반응하여 가교 및 경화 반응을 제어하고, 접착 조성물에서 망상구조를 보다 용이하게 형성할 수 있도록 도와주는 역할을 수행할 수 있다. 가교제로는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 소정의 비율로 혼합된 가교 혼합물을 사용할 수 있다. 가교 혼합물 전체에서 헵탄은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 차지할 수 있고, 실록산과 실리콘, 메틸수소는 99% 내지 99.75%를 차지할 수 있다.
앵커리지 첨가제는 실리콘과 기재 사이의 밀착력을 제공하는 역할을 수행수 있다. 앵커리지 첨가제로는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 소정의 비율로 혼합된 앵커리지 혼합물을 사용할 수 있다. 앵커리지 혼합물 전체에서 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란은 30% 내지 40% 범위의 비율, 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물은 60% 내지 70% 범위의 비율, 메탄올은 1% 내지 3% 범위의 비율, 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산은 1% 내지 2.5% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
촉매제는 반응 활성화 에너지를 감소시켜 낮은 온도 또는 가벼운(Mild) 조건에서도 반응, 경화 및 가교 작업이 진행될 수 있도록 도와주는 역할을 수행할 수 있다. 촉매제로는 백금 촉매를 사용할 수 있다. 구체적으로, 촉매제로는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 소정의 비율로 혼합된 촉매 혼합물을 사용할 수 있다. 촉매혼합물 전체에서 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물은 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 90% 내지 99% 범위의 비율, 테트라메틸디비닐디실록산은 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다 두꺼운 제2두께를 갖는 경우, 제2두께에 대응하는 제2접착 조성물은 제2접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제2두께는 20㎛ 내지 30㎛ 범위의 두께일 수 있다.
구체적으로, 제2접착주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2접착주제 전체에서 자일렌은 29% 내지 37% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 29% 내지 34% 범위의 비율, 에틸벤젠은 9% 내지 11% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 21% 내지 24% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께 및 제2두께보다 두꺼운 제3두께를 갖는 경우, 제3두께에 대응하는 제3접착 조성물은 제2접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.8 내지 1.8 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제3두께는 30㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다.
다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께 내지 제3두께보다 두꺼운 제4두께를 갖는 경우, 제4두께에 대응하는 제4접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:1 내지 99:1 비율로 혼합된 제3접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제4두께는 40㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께일 수 있다.
구체적으로, 제3접착주제에서 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1주제 전체에서 자일렌은 29% 내지 37% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 29% 내지 34% 범위의 비율, 에틸벤젠은 9% 내지 11% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 21% 내지 24% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
제3접착주제에서 제2주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 1-에티닐사이클로헥산올은 경화 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2주제 전체에서 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 99% 내지 99.9% 범위의 비율을 차지할 수 있고, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.1% 내지 1% 범위의 비율을 차지할 수 있다.
다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다는 크고, 제4두께보다는 작은 제5두께를 갖는 경우, 제5두께에 대응하는 제5접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 제4접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 포함할 수 있다. 일례로, 제5두께는 20㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다.
구체적으로, 제4접착주제에서 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 트리메틸레이티드 실리카와 디메틸실록산 공중합체가 선가교 형태로 결합된 반응 생성물일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1주제 전체에서 자일렌은 30% 내지 40% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 톨루엔은 0.1% 내지 0.25% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 50% 내지 60% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
제4접착주제에서 제4주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 톨루엔과 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2주제 전체에서 톨루엔은 70% 내지 80% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 자일렌은 1% 내지 10% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 1% 내지 10% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
중합개시제는 연쇄 중합반응을 일으키는 물질을 지칭하며, 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 사용할 수 있다.
다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다는 크고, 제4두께보다는 작은 제5두께를 갖는 경우, 제5두께에 대응하는 제6접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 제5접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 포함할 수 있다. 중합개시제로는 과산화벤조일을 사용할 수 있다. 일례로, 제5두께는 20㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다.
구체적으로, 제5접착주제에서 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 트리메틸레이티드 실리카와 디메틸실록산 공중합체가 선가교 형태로 결합된 반응 생성물일 수 있다. 보다 구체적으로, 제3주제 전체에서 자일렌은 30% 내지 40% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 톨루엔은 0.1% 내지 0.25% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 50% 내지 60% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
제5접착주제에서 제5주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화와 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 톨루엔은 47% 내지 63% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화는 21% 내지 31% 범위의 비율, 자일렌은 2.3% 내지 3.1% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 10% 내지 14% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.44% 내지 0.6% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 2.2% 내지 3% 범위의 비율, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.14% 내지 0.18% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
본 실시예에 따른 이형필름(190)은 접착 테이프(100)의 보관 및 이송을 용이하게 하고, 반도체 패키지(300) 제조공정 이전까지 접착층(120)을 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 이형필름(190)은 실리콘이 함유된 접착층(120)의 보호 및 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 이형필름(190)의 접착력이 3 gf/25mm 미만인 경우에는 자연적으로 이형필름이 벗겨질 우려가 있고, 8 gf/25mm 초과인 경우에는 접착 테이프(100)에서 이형필름(190)을 제거하는 과정에서 접착 테이프(100)가 쉽게 구겨질 수 있다. 참고로, 이형필름(190)을 제거하는 과정에서 접착 테이프(100)가 쉽게 구겨지는 현상은 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)의 기저필름(110) 및 접착층(120) 두께가 매우 얇기 때문이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)과 접착층(120)이 순차적으로 적층된 매우 단순한 구조를 갖기 때문에 생산성 및 가격경쟁력을 향상시킬 수 있다.
또한, 기저필름(110)이 반도체 패키지(300) 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 금속원소를 함유하고 있기 때문에 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지(300) 제조공정용 접착 테이프(100)에서 요구되는 접착특성 및 유지특성을 용이하게 확보할 수 있다. 아울러, EMI 차폐층 형성을 위한 스퍼터링 공정시 금속원소를 함유하는 기저필름(110)이 그라운드(Earth grounding)로 작용하여 스퍼터링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 기저필름(110)이 15㎛ 내지 30㎛ 범위의 매우 얇은 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지할 수 있다.
또한, 접착층(120)이 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 에틸벤젠이 혼합된 접착주제를 포함함으로써, EMI 차폐층 형성공정시 발생되는 열에 의한 물성 변형이 없고 반도체 패키지(300) 제조공정용 접착 테이프(100)에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 용이하게 확보할 수 있다.
또한, 접착층(120)이 실록산 결합을 기본 골격으로 망상구조를 가짐으로써, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 접착층(120)이 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 매우 얇을 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 용이하고, 부착시 반도체 패키지(300)의 가장자리 측면으로 접착층(120)이 밀려올라가는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 반도체 패키지(300)의 돌출전극(310) 사이즈 및 간격에 대응하여 최적화된 접착층(120)의 접착 조성물, 접착층(120)의 두께 및 기저필름(110)의 두께를 제공함에 따라 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 보다 효과적으로 확보할 수 있다.
또한, 종래의 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정 대비 공정스탭 및 소모품의 소비를 감소시킬 수 있기 때문에 반도체 패키지(300)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
참고로, 종래의 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정을 살펴보면, 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 웨이퍼 상에 복수의 돌출전극(310)이 함침되도록 돌출전극(310)의 사이즈보다 큰 두께를 갖는 두꺼운 UV 경화 테이프를 부착 후 UV 경화 테이프의 접착력을 조절하기 위한 UV 조사를 진행한다. 이어서, UV 경화 테이프 상에 재차 다이싱 테이프를 부착한 후, 반도체 웨이퍼와 더불어서 UV 경화 테이프까지 소잉(sawing)을 진행하여 각각의 개별 다이(die) 즉, 반도체 패키지(300)로 분리한다. 즉, 소잉공정이 완료된 시점에는 두꺼운 UV 경화 테이프가 부착된 상태를 갖는다. 이어서, 별도의 프레임에 단면접착형 내열테이프(또는 케리어 테이프)를 고정한 후, 내열테이프의 접착면에 UV 경화 테이프가 접하도록 다이싱 테이프로부터 분리된 각각의 개별 반도체 패키지(300)를 대략 2mm 간격으로 접착한 후, UV 경화 테이프 내에 잔류하는 불순물을 제거하기 위한 프리베이킹(Pre-Baking)을 진행한다. 이때, 불순물은 후속 EMI 차폐층 증착을 위한 공정환경 즉, 고온 및 고진공 환경에서 UV 경화 테이프로부터 아웃개싱되는 물질을 지칭하며, 이는 UV 경화 테이프가 아크릴계 고분자를 기본으로 구성되기 때문이다. 프리베이킹은 이러한 불순물을 사전에 제거하기 위한 공정이다. 이어서, 반도체 패키지(300)가 내열테이프에 부착된 상태로 EMI 차폐층 증착공정 즉, 스퍼터링 공정을 진행한 후, 자동화 설비에 구비된 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면에 부착된 UV 경화 테이프 및 내열테이프를 제거하는 제거하는 일련의 공정과정을 거치게 된다.
이에 반해, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 활용한 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정을 살펴보면, 일면에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 웨이퍼의 대향면(즉, 일면에 대향하는 면)에 다이싱 테이프를 부착한 후, 반도체 웨이퍼에 대해서만 소잉(sawing)을 진행하여 각각의 개별 다이(die) 즉, 반도체 패키지(300)로 분리한다. 이어서, 별도의 프레임에 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 고정한 후, 접착 테이프(100) 접착면에 돌출전극(310)이 접하도록 다이싱 테이프로부터 분리된 각각의 개별 반도체 패키지(300)를 대략 2mm 간격으로 접착한다. 이어서, 반도체 패키지(300)가 접착 테이프(100)에 부착된 상태로 EMI 차폐층 증착공정 즉, 스퍼터링 공정을 진행한 후, 자동화 설비에 구비된 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면에 부착된 접착 테이프(100)를 제거하는 일련의 공정과정을 거치게 된다.
즉, 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 활용한 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정은 기존의 UV 경화 테이프를 필요로하지 않기 때문에 소모품의 소비를 감소시켜 원가를 절감할 수 있으며, 프리베이킹 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정스탭을 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110) 상에 형성된 중간층(130), 중간층(130) 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다.
중간층(130)은 이종 물질로 구성되는 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 삽입되는 중간재로서, 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 중간층(130)은 금속 소재를 포함하는 기저필름(110) 및 실리콘이 함유된 접착층(120) 모두와 물리적 및 화학적 결합력이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로, 중간층(130)으로는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 프라이머 혼합물을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 프라이머 혼합물 전체에서 톨루엔은 70% 내지 80% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 자일렌은 1% 내지 2.5% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 1% 내지 10% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.
중간층(130)은 기저필름(110) 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 단위 면적당 중량을 가질 수 있다. 중간층(130)의 단위 면적당 중량이 0.2 g/m2 미만일 경우에는 기저필름(110)과 접착층(120) 각각에 충분한 접착력을 제공하지 못할 수 있고, 0.5 g/m2 를 초과하는 경우에는 접착 테이프(100) 제거시 중간층(130)을 기준으로 기저필름(110)과 접착층(120)이 분리되는 불량이 발생할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 삽입된 중간층(130)을 더 포함함으로써, 접착층(120)으로 실리콘 소재를 사용하더라도 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 더욱더 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110)의 일면 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120), 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 실리콘이 함유된 코팅층(180) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지는 않았지만 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 형성된 중간층(130)을 더 포함할 수도 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120), 중간층(130) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다.
실리콘이 함유된 코팅층(180)은 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지하기 위한 보호층으로서, 특히 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착 및 밀착시키기 위해 압력을 가할 때, 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 접착 테이프(100)로부터 반도체 패키지(300)를 분리할 때, 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 코팅층(180)은 공정간 기저필름(110)에 구멍이 생기거나, 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 참고로, 공정간 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어질 경우 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율이 현저히 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
코팅층(180) 반도체 패키지(300) 부착시 기저필름(110)과 함께 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 그 형태가 변형될 수 있다. 이를 위해, 코팅층(180)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 코팅층(180)의 두께가 10㎛ 미만일 경우에는 공정간 기저필름(110)의 손상을 효과적으로 방지하기 어렵고, 50㎛ 초과인 경우에는 기저필름(110)이 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하기 어려울 수 있다.
코팅층(180)은 기저필름(110)과의 접착성 및 공정간 안정성을 고려하여 실리콘이 함유된 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 코팅층(180)은 하나 이상의 실리콘-수소 결합을 포함하는 실리콘 및 하나 이상의 에틸렌성 불포화기를 포함하는 실리콘이 수소실리콘화 반응으로 형성된 것일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 접착층(120)이 형성된 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 코팅층(180)을 더 포함함으로써, 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110)의 일면 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120), 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 저점착성 수지필름(170) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지는 않았지만 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 형성된 중간층(130)을 더 포함할 수도 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120), 중간층(130) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다.
저점착성 수지필름(170)은 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지하기 위한 보호층으로서, 특히 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착 및 밀착시키기 위해 압력을 가할 때, 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 접착 테이프(100)로부터 반도체 패키지(300)를 분리할 때, 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 저점착성 수지필름(170)은 공정간 기저필름(110)에 구멍이 생기거나, 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 참고로, 공정간 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어질 경우 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율이 현저히 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
저점착성 수지필름(170)은 반도체 패키지(300) 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 그 형태가 변형되는 기저필름(110)과 달리 저점착성을 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310) 끝단에 접하는 형태를 가질 수 있다. 이는, 저점착성 수지필름(170)에 의하여 기저필름(110)의 특성 즉, 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하는 특성이 열화되는 것을 방지하기 위함이다. 이를 위해, 저점착성 수지필름(170)은 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 여기서, 저점착성 수지필름(170)의 접착력이 10 gf/25mm 미만인 경우에는 저점착성 수지필름(170)이 의도치 않은 상황에서 기저필름(110)으로부터 분리될 우려가 있고, 30 gf/25mm 초과일 경우에는 상술한 기저필름(110)의 특성이 열화될 우려가 있다.
저점착성 수지필름(170)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 저점착성 수지필름(170)의 두께가 10㎛ 미만일 경우에는 공정간 기저필름(110)의 손상을 효과적으로 방지하기 어렵고, 50㎛ 초과인 경우에는 불필요한 생산비용 증가를 유발하거나, 또는 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착하는 과정에서 불량을 유발할 수 있다.
저점착성 수지필름(170)은 공지된 다양한 필름을 사용할 수 있으며, 일례로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 접착층(120)이 형성된 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 저점착성 수지필름(170)을 더 포함함으로써, 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 도 1에 도시된 접착 테이프의 제조방법에 대한 일례를 설명하기로 한다. 따라서, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 기저필름(110)을 준비한다. 기저필름(110)은 광택면 및 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 알루미늄 또는 구리가 99 wt% 이상 함유된 것일 수 있다. 이때, 기저필름(110)의 두께는 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
다음으로, 접착층(120)을 형성하기 위한 접착 조성물을 제조한다. 접착 조성물은 혼합용기에 예정된 물질들을 기 설정된 비율로 주입 및 혼합하여 형성할 수 있다. 일례로, 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.8 중량부를 혼합하여 접착 조성물을 제조할 수 있다.
다음으로, 제조된 접착 조성물을 안정화시킨다. 접착 조성물의 안정화는 접착 조성물 내 기포를 제거함과 동시에 접착 조성물의 화학적 안정성 및 고른 중합 반응을 유도하기 위한 것이다. 구체적으로, 접착 조성물의 안정화를 위해 4시간 내지 12시간 동안 제조된 접착 조성물을 열적 평형상태에서 휴지시킬 수 있다. 통상적으로, 접착 조성물 내 기포를 제거하기 위해서는 초음파 처리 또는 진공흡입을 진행하나, 본 발명의 실시예에 따른 접착 조성물은 실리콘 성분을 포함하기 있기 때문에 화학적 안정성을 확보하고, 급격한 중합 반응을 방지하기 위해 열적 평형상태에서 진행하는 것이 바람직하다. 참고로, 열적 평형상태는 외부에서 그 어떠한 자극 또는 외력이 작용하지 않는 안정화된 상태를 지칭할 수 있다.
다음으로, 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 기저필름(110)의 무광택면 상에 안정화된 접착 조성물을 도포하여 접착층(120)을 형성한다. 이때, 콤마 코터는 접착층(120)의 목표 두께(즉, 최종 두께)보다 더 두껍게 접착 조성물을 기저필름(110) 무광택면 상에 도포할 수 있다. 구체적으로, 콤마 코터는 접착층(120)의 목표 두께 대비 2.5배 내지 3.5배 더 두껍게 접착 조성물을 도포할 수 있다. 예를 들어, 접착층(120)의 목표 두께가 30㎛인 경우 콤마 코터는 75㎛ 내지 105㎛ 범위의 두께를 갖도록 접착 조성물을 도포할 수 있다. 후술하겠지만, 접착층(120)은 후속 건조 열처리 및 경화 과정에서 점차 두께가 감소하여 목표 두께에 도달할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 콤마 코터를 이용하여 접착층(120)을 형성하는 경우를 예시하였으나, 접착층(120)은 얇은 두께를 갖기 때문에 공지된 다양한 공정방법을 사용할 수 있다. 변형예로서, 접착층(120)은 스핀코팅을 통해 형성할 수도 있다.
다음으로, 접착층(120)에 대한 1차 건조 열처리를 진행한다. 1차 건조 열처리를 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있으며, 60℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분간 진행할 수 있다.
다음으로, 1차 건조 열처리에 연속하여 접착층(120)에 대한 2차 건조 열처리를 진행한다. 2차 건조 열처리는 1차 건조 열처리와 마찬가지로 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있다. 2차 건조 열처리를 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 진행할 수 있으며, 1차 건조 열처리와 동일한 시간동안 진행할 수 있다. 예를 들어, 2차 건조 열처리는 160℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분간 진행할 수 있다.
다음으로, 2차 건조 열처리에 연속하여 접착층(120)에 대한 3차 건조 열처리를 진행한다. 3차 건조 열처리도 1차 및 2차 건조 열처리와 마찬가지로 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있다. 3차 건조 열처리를 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 진행할 수 있으며, 2차 건조 열처리보다 긴 시간동안 진행할 수 있다. 예를 들어, 3차 건조 열처리를 190℃ 내지 210℃ 범위의 온도에서 9분 내지 18분 동안 진행할 수 있다.
다음으로, 상온에서 12시간 내지 24시간동안 접착층(120)을 경화 및 안정화시킨다. 즉, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 뜨거워진 기저필름(110) 및 접착층(120)을 상온까지 천천히 식혀주는 휴지기를 통해 접착층(120) 내 중합 반응을 안정적으로 마무리함과 동시에 접착층(120)이 요구되는 경도를 갖도록 경화시킬 수 있다.
여기서, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 단계적으로 온도를 상승시키면서 접착층(120)을 건조시키는 것은 접착층(120)이 표면부터 건조 및 경화되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이를 통해 접착층(120) 내 기포를 용이하게 제거할 수 있다. 아울러, 3차 건조 열처리를 진행한 후, 상온까지 서서히 온도를 감소시켜 줌으로써 보다 안정적인 상태 및 고른 두께를 갖는 접착층(120)을 구현할 수 있다.
상술한 1차 내지 3차 건조 열처리 및 상온에서의 안정화가 완료된 시점에서 접착층(120)은 목표 두께를 가질 수 있다.
다음으로, 접착층(120) 상에 불소가 함유된 이형필름(190)을 부착한다. 이형필름(190)은 실리콘이 함유된 접착층(120)의 보호 및 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다.
상술한 공정과정을 통해 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 완성할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 실시 예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 접착 테이프 110 : 기저필름
120 : 접착층 130 : 중간층
170 : 저점착성 수지필름 180 : 코팅층
190 : 이형필름 300 : 반도체 패키지
310 : 돌출전극(ex. 솔더볼)

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  13. 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서,
    부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및
    상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고,
    상기 접착층은 분자구조가 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하며,
    상기 접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:5 내지 99:1 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 더 포함하고,
    상기 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함하며,
    상기 제2주제는 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 가교제는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 혼합된 혼합물을 포함하고,
    상기 앵커리지 첨가제는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 혼합된 혼합물을 포함하며,
    상기 촉매제는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
  15. 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서,
    부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및
    상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고,
    상기 접착층은 분자구조가 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하며,
    상기 접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함하고,
    상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함하며,
    상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함하고,
    상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함하는 접착 테이프.
  16. 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서,
    부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및
    상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고,
    상기 접착층은 분자구조가 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하며,
    상기 접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함하고,
    상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함하고,
    상기 제5주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함하며,
    상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함하는 접착 테이프.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함하고,
    상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 단위 면적당 중량을 갖고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
  18. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저필름의 금속원소는 알루미늄(Al)을 포함하고,
    상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
  19. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저필름의 금속원소를 구리(Cu)를 포함하고,
    상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
  20. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖는 접착 테이프.
  21. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함하고,
    상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함하는 접착 테이프.
  22. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께 및 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 접착 테이프.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018101090A1 (ja) 2016-11-29 2018-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよび半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110527484B (zh) * 2011-03-21 2022-05-24 艾利丹尼森公司 非流动性有机硅粘合剂
KR101368967B1 (ko) * 2012-01-04 2014-03-04 도레이첨단소재 주식회사 반도체장치용 나노복합형 점착제 조성물 및 이를 이용한 고내열 점착시트
KR101662068B1 (ko) 2015-08-07 2016-10-04 (주) 씨앤아이테크놀로지 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018101090A1 (ja) 2016-11-29 2018-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよび半導体装置の製造方法

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