KR102267278B1 - Internal pollution sampling device for Front Open Unified Pod and wafer and sampling method of the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a system and method for sampling pollution in a transport enclosure, and more particularly, to a sampling system and method capable of sampling both a transport enclosure and a wafer. The present invention includes a wet transport enclosure sampling module, a wafer sampling module, an analysis part, and a control part. A process can be performed on the transport enclosure and the wafer mounted inside the transport enclosure sequentially or selectively according to an analysis result. More specifically, when pollution is found inside the transport enclosure, the wafer is sampled, and when the pollution is not found, the wafer is not sampled. Therefore, it is possible to increase the efficiency of a process compared to a pollution detection effect.

Description

운송 인클로저 내부 오염도 측정 및 운송 인클로저에 포함된 웨이퍼의 표면오염 동시 측정 시스템.{Internal pollution sampling device for Front Open Unified Pod and wafer and sampling method of the same}{Internal pollution sampling device for Front Open Unified Pod and wafer and sampling method of the same}

본 발명은 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 운송 인클로저와 웨이퍼를 모두 샘플링할 수 있는 샘플링 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a system and method for sampling contaminants in a transport enclosure, and more particularly, to a sampling system and method capable of sampling both a transport enclosure and a wafer.

반도체 산업, 디스플레이 산업 핵심 공정에는 매우 다양한 유해성 가스들을 필수적으로 사용하고 있으며, 이러한 유해성 가스들은 불소계, 염소계, 브롬계, 질산계, 황산계와 같은 산성가스와 암모니아, 아민류와 같은 염기성 가스, 유기성 화합물 , Cu, Al, Si과 같은 금속성 물질, P, B와 같은 도판트물질 등이 있다. 일반적으로 이들의 성질은 유독하고 산화력이 매우 강하여 제품의 패턴 이상이나 표면의 과산화 등을 유발하여 제품의 불량을 일으킨다.A wide variety of harmful gases are essential in the semiconductor industry and display industry core processes, and these harmful gases are acidic gases such as fluorine-based, chlorine-based, bromine-based, nitric acid-based and sulfuric acid-based gases, and basic gases such as ammonia and amines, and organic compounds. , metallic materials such as Cu, Al, and Si, and dopant materials such as P and B. In general, these properties are toxic and have a very strong oxidizing power, which causes abnormalities in the pattern of the product or peroxidation of the surface, thereby causing product defects.

특히, 대기 중의 암모니아는 포토레지스터 변형과 산성 가스와 반응을 통해 염을 형성하여 쇼트를 유발시키는 등 반도체 생산 수율과 밀접한 관계를 지니고 있기 때문에 지속적인 모니터링과 관리가 요구되고 있다.In particular, ammonia in the atmosphere is closely related to semiconductor production yield, such as forming salts through photoresist transformation and reaction with acidic gas to cause short circuits, so continuous monitoring and management are required.

특히 반도체, FPD 산업에서는 웨이퍼의 고집적화, 패턴의 미세화에 따라 제품 불량을 방지하고 생산 수율 향상을 위하여 오염 물질을 ppt-ppb의 매우 낮은 수준으로 관리하고 있다. 기존에는 주로 FAB 환경의 모니터링과 관련된 연구에 치중하였으나, 최근에는 국소 환경(mini environment)에서 웨이퍼를 외부와 차단(isolation)하여 대기 중에 존재하는 분자성 오염 물질과의 접촉을 근본적으로 차단(isolation)하는 문제에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.In particular, in the semiconductor and FPD industries, contaminants are managed at a very low level of ppt-ppb in order to prevent product defects and improve production yield due to high integration of wafers and miniaturization of patterns. In the past, research related to the monitoring of the FAB environment was mainly focused, but recently, the wafer is isolated from the outside in a mini environment to fundamentally block contact with molecular contaminants present in the atmosphere (isolation). Research on this issue is actively underway.

운송 인클로저라 함은 위와 같은 반도체의 오염을 방지하고 운송하기 위한 수단으로써 대표적으로 FOUP(Front Open Unified Pod) 등을 들 수 있다.The transport enclosure is a means for preventing and transporting the semiconductors as described above, and representatively, a FOUP (Front Open Unified Pod) or the like is mentioned.

반도체에서 웨이퍼(wafer)는 대개 실리콘웨이퍼(siliconwafer)를 의미하며, 이는 반도체의 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판을 의미한다. 웨이퍼(wafer)는 순도 99.9999999%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼(wafer)의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15~30㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.In semiconductors, a wafer usually means a silicon wafer, which means a thin silicon plate that is the basis for making semiconductor integrated circuits. A wafer is a thin slice of single-crystal silicon with a purity of 99.9999999% and a smooth surface. The surface of the wafer must be free from defects or contamination, and a high degree of flatness is required because it affects the precision of the circuit. Recently, a disk-shaped thing having a thickness of 0.3 mm and a diameter of 15 to 30 cm has been used.

상기 웨이퍼는 조립한 후에 검사가 끝나면 개별 칩으로 잘려져서 완성된 집적회로로 사용된다.After the wafer is assembled and inspected, it is cut into individual chips and used as a completed integrated circuit.

집적회로로 사용될 때까지 웨이퍼에는 패턴 공정, 식각 공정, 이온 주입공정 등을 거치며, 운송 인클로저에 수용되어 다음 공정을 위해 이송되거나 수용된 채로 대기하게 된다.Until used as an integrated circuit, the wafer undergoes a pattern process, an etching process, an ion implantation process, and the like, and is accommodated in a transport enclosure and transported for the next process or waiting while being accommodated.

하지만, 웨이퍼는 상기와 같은 공정에서 많은 양의 케미컬(chemical)이 공급되어 화학적 오염이 발생하며, 오염된 웨이퍼에 의해 운송 인클로저 내부가 오염될 수 있다.However, the wafer is chemically contaminated by supplying a large amount of chemicals in the process described above, and the inside of the transport enclosure may be contaminated by the contaminated wafer.

이와 같이 오염된 운송 인클로저 내부에서 웨이퍼가 장시간 보관되어 운송 인클로저가 특정 농도 수치이상으로 오염되는 경우 웨이퍼에 악영향을 끼쳐 제품 불량의 원인이 된다. 따라서 웨이퍼 생산의 질적 향상을 위해 운송 인클로저 내부의 가스 오염 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 오염 정도를 신속하고 정확하게 측정하는 것이 매우 중요하다.If the wafer is stored for a long time in the contaminated transport enclosure and the transport enclosure is contaminated with a specific concentration value or more, it adversely affects the wafer and causes product defects. Therefore, it is very important to quickly and accurately measure the degree of contamination on the wafer surface as well as gas contamination inside the transport enclosure to improve the quality of wafer production.

이러한 문제를 해결하기 위해 한국 등록특허 10-2036252호 "운송 인클로저 오염도 모니터링 장치 및 이를 이용한 오염도 모니터링 방법"(이하 종래기술)이 개발된 바 있다. 종래기술은 운송 인클로저의 외부에 모니터링 장치를 부착하여 운송 인클로저 내부를 샘플링하는 기술으로서, 종래기술의 겅우, 운송 인클로저의 내부만 샘플링이 가능하고, 운송 인클로저의 내부에 탑재되는 웨이퍼는 샘플링이 불가능하다는 한계가 있었다. 공정을 거쳐 오염된 웨이퍼들이 FOUP에 담기면 웨이퍼에서 토출되는 FOUP을 오염시키고, 오염된 FOUP에 깨끗한 웨이퍼를 담으면 Wafer가 오염되는 등 FOUP 과 웨이퍼는 서로 교차 오염이 쉽기 때문에, FOUP과 Wafer의 농도를 측정하여 관리함으로써 FOUP과 Wafer에 대한 개별적 오염도를 관리할 수 있는 기술의 필요성이 대두되었다.In order to solve this problem, Korean Patent Registration No. 10-2036252, "Transport enclosure pollution level monitoring apparatus and pollution level monitoring method using the same" (hereinafter referred to as prior art) has been developed. The prior art is a technology for sampling the inside of the transport enclosure by attaching a monitoring device to the outside of the transport enclosure. According to the prior art, only the inside of the transport enclosure can be sampled, and the wafer mounted inside the transport enclosure cannot be sampled. There were limits. Concentration of FOUP and Wafer because FOUP and wafer are easily cross-contaminated with each other, for example, if contaminated wafers are put in the FOUP, they contaminate the FOUP discharged from the wafer, and if a clean wafer is put in the contaminated FOUP, the wafer is contaminated. The need for technology to manage individual contamination levels for FOUPs and wafers has emerged by measuring and managing

한국 등록특허 10-2036252호 "운송 인클로저 오염도 모니터링 장치 및 이를 이용한 오염도 모니터링 방법"(이하 종래기술)Korean Patent Registration No. 10-2036252 "Transport enclosure pollution level monitoring device and pollution level monitoring method using the same" (hereinafter referred to as prior art)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 운송 인클로저와 운송 인클로저의 내부에 탑재된 웨이퍼를 순차적으로 또는 분석 결과에 따라 공정을 선택적으로 수행할 수 있는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템 및 방법을 제공함에 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to sequentially or selectively perform a process on a transport enclosure and a wafer mounted inside the transport enclosure. To provide a contaminant sampling system and method.

보다 자세히, 운송 인클로저의 내부에 오염물질이 발견된 경우, 웨이퍼를 샘플링하고, 샘플링 결과에 따라 FOUP을 선별 샘플링 하여, 오염물 검출 효과 대비 공정의 효율을 높일 수 있는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템 및 방법을 제공함에 있다.In more detail, when contaminants are found inside the transport enclosure, a contaminant sampling system and method in the transport enclosure that can increase the efficiency of the process compared to the contaminant detection effect by sampling the wafer and selectively sampling the FOUP according to the sampling result is in providing.

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템은 내부에 웨이퍼가 포함된 운송 인클로저가 상부에 로드되는 로드 포트, 상기 운송 인클로저 및 상기 로드 포트와 연결되어 상기 운송 인클로저 내부의 오염물을 샘플링하는 운송 클로저 샘플링 모듈, 상기 웨이퍼의 표면의 오염물을 샘플링하며, 상기 운송 인클로저 내부에서 상기 웨이퍼를 꺼내 운송하는 웨이퍼 이송부를 포함하는 웨이퍼 샘플링 모듈, 상기 운송 인클로저 샘플링 모듈 및 상기 웨이퍼 샘플링 모듈에서 샘플링된 시료를 수신하여 분석하는 분석부, 상기 분석부로부터 정보를 수신하여 수신한 정보를 바탕으로 상기 운송 인클로저 샘플링 모듈과, 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The contaminant sampling system in the transport enclosure of the present invention includes a load port in which a transport enclosure having a wafer therein is loaded thereon, a transport enclosure sampling module connected to the transport enclosure and the load port to sample contaminants inside the transport enclosure, A wafer sampling module including a wafer transfer unit for sampling contaminants on the surface of the wafer and removing and transporting the wafer from the inside of the transportation enclosure, the transportation enclosure sampling module and the wafer sampling module for receiving and analyzing samples sampled and a control unit for receiving information from the analysis unit and controlling the transport enclosure sampling module and the wafer sampling module for controlling the wafer sampling module based on the received information.

또한, 상기 분석부는 상기 운송 인클로저 내부의 샘플링 결과를 상기 제어부에 송신하고, 상기 제어부는 상기 운송 인클로저의 샘플링에서 오염물이 발견된 경우 상기 웨이퍼를 샘플링하도록 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 것을 특징으로 한다.In addition, the analysis unit transmits the sampling result of the inside of the transport enclosure to the control unit, and the control unit controls the wafer sampling module to sample the wafer when contaminants are found in the sampling of the transport enclosure.

또한, 상기 분석부는 기체 시료를 수신하여 분석하는 건식 분석기 또는, 액체 시료를 수신하여 분석하는 습식 분석기 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 운송 인클로저 샘플링 모듈은 상기 건식 분석기와 연결되는 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈 또는 상기 습식 분석기와 연결되는 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the analyzer includes at least one of a dry analyzer that receives and analyzes a gas sample or a wet analyzer that receives and analyzes a liquid sample, wherein the transport enclosure sampling module is a dry transport enclosure sampling module connected to the dry analyzer or at least one of a wet transport enclosure sampling module connected to the wet analyzer.

또한, 상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈은, 상기 로드 포트의 내부에 내삽되어 상기 운송 인클로저와 연결되고, 상기 운송 인클로저 내부의 공기를 순환시키며 다종의 가스를 포함하는 희석 가스를 주입하는 샘플링 요구물질 주입부와, 샘플링을 위한 시료를 흡입하여 수용하는 운송 인클로저 샘플링부 및 샘플링된 오염물을 상기 분석부로 이송하는 운송 인클로저 오염물 시료 이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wet transport enclosure sampling module is interpolated into the load port and connected to the transport enclosure, circulates air inside the transport enclosure, and injects a dilution gas containing various gases. and a transport enclosure sampling unit for sucking and receiving a sample for sampling, and a transport enclosure contaminant sample transferring unit for transferring the sampled contaminants to the analysis unit.

또한, 상기 샘플링 요구물질 주입부는, 다종의 가스를 포함하는 상기 희석 가스의 유량을 조절하는 유량 제어 장치와, 주입되는 상기 희석 가스의 종류를 선택하는 샘플링 요구물질 주입밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the sampling request material injection unit comprises a flow control device for controlling a flow rate of the dilution gas including various kinds of gases, and a sampling request material injection valve for selecting the type of the dilution gas to be injected. .

또한, 상기 샘플링부는, 상기 운송 인클로저 내부에서 토출된 상기 시료 중 기체 상태의 공기를 흡입하는 흡입 펌프와, 흡입되는 상기 공기의 유량을 조절하는 공기 유량 조절기 및 상기 시료 중 상기 약액에 용해된 액체 상태의 물질을 보관하는 샘플러 및 상기 샘플링 요구물질 주입부와의 사이에 오염물이 용해되도록 약액을 주입하는 약액 주입 펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the sampling unit, a suction pump for sucking the gaseous air of the sample discharged from the inside of the transport enclosure, an air flow controller for controlling the flow rate of the sucked air, and a liquid state dissolved in the chemical of the sample It characterized in that it comprises a chemical liquid injection pump for injecting the chemical so as to dissolve the contaminants between the sampler for storing the material and the sampling request material injection unit.

또한, 상기 운송 인클로저 오염물 시료 이송부는 상기 샘플링부로부터 상기 시료를 수신하여 상기 분석부로 이송하는 인젝터와, 상기 시료를 상기 인젝터에서 상기 분석부로 이송시키는 유체펌프를 포함하며, 상기 셀렉션 밸브는 검정을 위한 표준이 되는 시료 또는 운송 인클로저의 내부에서 포집한 시료 중 적어도 하나를 선택하여 상기 분석부로 이송하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transport enclosure contaminant sample transfer unit includes an injector that receives the sample from the sampling unit and transfers it to the analysis unit, and a fluid pump that transfers the sample from the injector to the analysis unit, and the selection valve is for testing. Selecting at least one of a standard sample or a sample collected from the inside of the transport enclosure is characterized in that it is transferred to the analysis unit.

또한, 상기 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈은, 일측에 상기 운송 인클로저가 연결되고, 타측에 상기 분석부가 연결되며, 상기 운송 인클로저 내부의 공기를 흡입하는 기체 시료 흡입 펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the dry transport enclosure sampling module, the transport enclosure is connected to one side, the analyzer is connected to the other side, characterized in that it comprises a gas sample suction pump for sucking air inside the transport enclosure.

또한, 상기 로드 포트는 1개 이상의 홀이 형성되고, 상기 홀의 일측은 상기 운송 인클로저와 연결되고, 상기 홀의 타측은 상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈 또는 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈 중 적어도 어느 하나와 연결되는 것을 특징으로 한다.In addition, the load port is formed with one or more holes, one side of the hole is connected to the transport enclosure, and the other side of the hole is connected to at least one of the wet transport enclosure sampling module and the dry transport enclosure sampling module. do it with

또한, 상기 웨이퍼 샘플링 모듈은, 상기 웨이퍼가 로딩되며, 상기 웨이퍼가 로딩되는 평편한 면을 포함하고, 상기 웨이퍼를 고정시키는 고정수단과, 일단에 하나 이상의 노즐 팁이 형성되고, 웨이퍼의 표면에 웨이퍼 표면 샘플링을 위한 샘플 용액을 분사 또는 접촉시키는 노즐과, 상기 노즐에 상기 샘플 용액을 주입하는 샘플 용액 주입부 및 상기 웨이퍼 오염물 이송부에 연결되어 상기 웨이퍼의 표면에 샘플링된 오염물을 상기 분석부로 배출할 오염물을 선택 및 배출하는 웨이퍼 오염물 선택 밸브를 포함하며 상기 웨이퍼의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링부와, 상기 웨이퍼 샘플링부로부터 샘플링된 오염물을 상기 분석부로 이송하는 웨이퍼 오염물 이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer sampling module includes a flat surface on which the wafer is loaded and on which the wafer is loaded, a fixing means for fixing the wafer, and one or more nozzle tips are formed at one end, and the wafer is formed on the surface of the wafer. A nozzle for spraying or contacting a sample solution for surface sampling, a sample solution injecting unit for injecting the sample solution into the nozzle, and a contaminant for discharging the contaminants sampled on the surface of the wafer to the analysis unit connected to the wafer contaminant transfer unit It characterized in that it comprises a wafer contaminant selection valve for selecting and discharging, a wafer sampling unit for sampling the surface of the wafer, and a wafer contaminant transfer unit for transferring the contaminants sampled from the wafer sampling unit to the analysis unit.

또한, 상기 웨이퍼 샘플링 모듈은 상기 웨이퍼의 표면 샘플링 이전에 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 웨이퍼 전처리부를 더 포함하며, 상기 웨이퍼 전처리부는 상기 웨이퍼의 표면을 식각하기 위한 전처리 물질을 분사하는 분사부와, 상기 전처리 용액을 상기 웨이퍼의 전면에 도포하는 스핀들과, 상기 웨이퍼의 전처리 시 발생하는 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer sampling module further includes a wafer pre-processing unit for surface-treating the wafer before sampling the surface of the wafer, and the wafer pre-processing unit includes a spraying unit for spraying a pre-treatment material for etching the surface of the wafer; It characterized in that it comprises a spindle for applying a solution to the entire surface of the wafer, and a pretreatment exhaust valve for exhausting harmful gas generated during the pretreatment of the wafer.

또한, 상기 웨이퍼 샘플링 모듈은 상기 웨이퍼의 표면 샘플링 이전에, 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 웨이퍼 전처리부를 더 포함하며, 상기 전처리부는 상기 웨이퍼에 열을 가하는 가열부와, 상기 가열부와 상기 웨이퍼가 내부 공간에 수납되는 챔버를 포함하고, 상기 챔버 내부의 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer sampling module further includes a wafer pre-processing unit for surface-treating the wafer prior to sampling the surface of the wafer, wherein the pre-processing unit includes a heating unit for applying heat to the wafer, and the heating unit and the wafer in an internal space It includes a chamber accommodated in the chamber, characterized in that it comprises a pre-treatment exhaust valve for exhausting the harmful gas inside the chamber.

또한, 상기 전처리부는, 상기 챔버의 내부 오염도를 샘플링 하는 챔버 샘플링부를 더 포함하고, 상기 챔버 샘플링부는 불활성가스 주입부와, 샘플링 포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the pre-processing unit may further include a chamber sampling unit for sampling the degree of contamination inside the chamber, and the chamber sampling unit may include an inert gas injection unit and a sampling port.

또한,외부에 샘플링 상황을 안내하는 안내부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 분석부에서 오염물이 발견된 경우 상기 안내부를 제어하여 상기 안내부가 오염물이 발견되었음을 안내하도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, it further includes a guide for guiding the sampling condition to the outside, wherein the control unit controls the guide when a contaminant is found in the analysis unit, characterized in that the guide guides the discovery of the contaminant.

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법은 운송 인클로저를 로트 포트에 로드하는 운송 인클로저 로딩 단계, 제어부가 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈을 이용하여 상기 운송 인클로저 내부를 샘플링하는 운송 인클로저 샘플링 단계, 기 제어부가 분석기를 이용하여 샘플링된 상기 운송 인클로저 내부의 오염물을 분석하는 운송 인클로저 분석 단계 및 상기 운송 인클로저를 상기 로드 포트에서 언로드 하는 운송 인클로저 언로딩 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for sampling contaminants in a transport enclosure of the present invention includes a transport enclosure loading step of loading the transport enclosure into a lot port, a transport enclosure sampling step in which a control unit samples the inside of the transport enclosure using a wet transport enclosure sampling module, and the control unit performs an analyzer It characterized in that it comprises a transport enclosure analysis step of analyzing the contaminants inside the transport enclosure sampled using the transport enclosure unloading step of unloading the transport enclosure from the load port.

또한, 상기 운송 인클로저 샘플링 단계는, 상기 제어부에 의해 수행되며, 상기 운송 인클로저와 상기 로드 포트 및 상기 로드 포트에 내삽된 샘플링 요구물질 주입부를 연결하는 운송 인클로저-로드포트 연결 단계와, 상기 운송 인클로저 샘플링부를 이용하여 오염물을 샘플링하는 샘플링단계와, 운송 인클로저 오염물 시료 이송부를 이용하여 전처리된 상기 오염물을 상기 분석기로 이동시키는 오염물 이송 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transport enclosure sampling step is performed by the control unit, and a transport enclosure-load port connection step of connecting the transport enclosure, the load port, and an interpolated sampling request material injection unit to the load port, and sampling the transport enclosure It characterized in that it comprises a sampling step of sampling the contaminants using a unit, and a contaminant transfer step of moving the contaminants pretreated by using a transport enclosure contaminant sample transfer unit to the analyzer.

또한, 상기 운송 인클로저 분석 단계에서 상기 운송 인클로저 내부에 오염물이 검출된 경우, 상기 운송 인클로저 분석 단계에 후행되어 상기 제어부가 웨이퍼 샘플링 모듈을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링 단계 및 상기 제어부가 상기 분석기를 이용하여 샘플링된 상기 웨이퍼 표면의 오염물을 분석하는 웨이퍼 분석 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, when contaminants are detected inside the transport enclosure in the transport enclosure analysis step, a wafer sampling step in which the control unit samples the surface of the wafer using a wafer sampling module following the transport enclosure analysis step, and the control unit It characterized in that it further comprises a wafer analysis step of analyzing the contaminants on the sampled wafer surface using the analyzer.

또한, 상기 웨이퍼 샘플링 단계는 상기 제어부에 의해 수행되며, 상기 웨이퍼를 상기 운송 인클로저 내부로부터 상기 웨이퍼 샘플링 모듈로 이송하는 웨이퍼 이송단계와, 상기 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면에 샘플링 용액을 도포하는 샘플 용액 도포단계와, 상기 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면을 세척하는 세척 단계와, 상기 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면에 남은 수분을 건조시키는 건조단계와, 웨이퍼 오염물 이송부를 이용하여 스캔된 상기 웨이퍼 표면의 오염물을 상기 분석기로 이동시키는 시료 이송단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer sampling step is performed by the controller, a wafer transfer step of transferring the wafer from the inside of the transport enclosure to the wafer sampling module, and a sample applying a sampling solution to the surface of the wafer using the nozzle A solution application step, a cleaning step of cleaning the surface of the wafer using the nozzle, a drying step of drying the moisture remaining on the surface of the wafer using the nozzle, and a wafer contaminant transfer unit to scan the wafer It characterized in that it comprises a sample transfer step of moving the surface contaminants to the analyzer.

또한, 상기 샘플 용액 도포단계는, 상기 제어기가 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 표면에서 일정 간격 이격시키고, 노즐 팁에서 상기 웨이퍼의 표면 상에 샘플링 용액을 분사시키는 것을 특징으로 한다.In addition, in the step of applying the sample solution, the controller separates the nozzle from the surface of the wafer by a predetermined interval, and sprays the sampling solution on the surface of the wafer from the nozzle tip.

또한, 상기 샘플 용액 도포단계는, 상기 제어기가 샘플링 용액이 노즐 팁에 맺히고 상기 웨이퍼 표면에 접촉된 상태에서 상기 노즐이 상기 웨이퍼의 표면 상을 일정 간격 이격되어 이동하도록 하고, 상기 샘플링 노즐 내부에 음압을 이용하여 샘플링 용액을 응집시키는 것을 특징으로 한다.In addition, in the step of applying the sample solution, the controller causes the nozzle to move at a predetermined interval on the surface of the wafer while the sampling solution is focused on the nozzle tip and in contact with the wafer surface, and negative pressure inside the sampling nozzle It is characterized in that the sampling solution is aggregated using

상기와 같은 구성에 의한 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템 및 방법은 운송 인클로저와 운송 인클로저의 내부에 탑재된 웨이퍼를 순차적으로 또는 분석 결과에 따라 공정을 선택적으로 수행할 수 있는 효과가 있다.The contaminant sampling system and method in the transport enclosure according to the above configuration has the effect of selectively performing the process sequentially or according to the analysis result of the transport enclosure and the wafer mounted inside the transport enclosure.

보다 자세히, 운송 인클로저의 내부에 오염물질이 발견된 경우, 웨이퍼를 샘플링하고, 샘플링 결과에 따라 FOUP을 선별 샘플링 하여, 오염물 검출 효과 대비 공정의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.More specifically, when contaminants are found inside the transport enclosure, the wafer is sampled and the FOUP is selectively sampled according to the sampling result, thereby increasing the efficiency of the process compared to the contaminant detection effect.

도 1은 본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템을 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈을 도시한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈을 도시한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 샘플링 모듈을 도시한 개념도이다.
도 5는 분사 방식의 웨이퍼 샘플링부를 도시한 개념도이다.
도 6은 접촉 방식의 웨이퍼 샘플링부를 도시한 개념도이다.
도 7은 전처리부를 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법을 도시한 순서도이다.
도 9는 운송 인클로저 샘플링 단계를 도시한 순서도이다.
도 10은 웨이퍼 샘플링 단계를 도시한 순서도이다.1 is a block diagram illustrating a contaminant sampling system in a transport enclosure of the present invention.
2 is a conceptual diagram illustrating a wet transport enclosure sampling module of the present invention.
3 is a conceptual diagram illustrating a dry transport enclosure sampling module of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating a wafer sampling module of the present invention.
5 is a conceptual diagram illustrating a wafer sampling unit of a jetting method.
6 is a conceptual diagram illustrating a contact type wafer sampling unit.
7 is a plan view illustrating a pre-processing unit.
8 is a flowchart illustrating a method for sampling contaminants in a transport enclosure of the present invention.
9 is a flowchart illustrating the transport enclosure sampling steps.
10 is a flowchart illustrating the wafer sampling step.

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventor should properly understand the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

이하로, 도 1을 참조하여 본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)의 기본 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, the basic configuration of the contaminant sampling system 1000 in the transport enclosure of the present invention will be described with reference to FIG. 1 .

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 내부에 웨이퍼(3000)(도 1에 미도시)가 포함된 운송 인클로저(2000)가 상부에 로드되는 로드 포트(500)를 포함할 수 있다. 로드 포트(500)는 운송 인클로저(2000)를 지지하여 위치를 고정시킬 수 있다.The contaminant sampling system 1000 in the transport enclosure of the present invention may include a load port 500 on which the transport enclosure 2000 having the wafer 3000 (not shown in FIG. 1 ) therein is loaded. The load port 500 may support the transport enclosure 2000 to fix the position.

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)과, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)을 포함할 수 있다. 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 운송 인클로저(2000) 내부의 오염물을 샘플링할 수 있고, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000) 표면의 오염물을 샘플링 할 수 있다. 또한, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000)를 샘플링 하기 위해 운송 인클로저(2000) 내부에서 웨이퍼 샘플링 모듈(200)과 연결되도록 웨이퍼(3000)를 이송하는 웨이퍼 이송부(210)를 포함할 수 있다.The contaminant sampling system 1000 in a transport enclosure of the present invention may include a transport enclosure sampling module 100 and a wafer sampling module 200 . The transport enclosure sampling module 100 may sample contaminants inside the transport enclosure 2000 , and the wafer sampling module 200 may sample contaminants on the surface of the wafer 3000 . In addition, the wafer sampling module 200 may include a wafer transfer unit 210 for transferring the wafer 3000 so as to be connected to the wafer sampling module 200 inside the transport enclosure 2000 to sample the wafer 3000 . .

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 웨이퍼 이송 환경 샘플링 모듈을 포함할 수 있다. 웨이퍼 이송 환경 샘플링 모듈은 웨이퍼(3000)가 운송 인클로저(2000)에서 웨이퍼 샘플링 모듈(200)으로 이동될 시 인근의 공기를 포집하여 오염 물질 여부를 분석할 수 있다. 이에 웨이퍼(3000)에서 오염물이 검출된 경우 웨이퍼 이송 환경 샘플링 모듈의 결과에 따라 웨이퍼(3000)가 운송 인클로저(2000)의 외부에서 오염되었는지, 내부에서 오염되었는지 여부를 알 수 있고, 운송 인클로저(2000)의 검사 여부를 결정할 수 있다.The contaminant sampling system 1000 in a transport enclosure of the present invention may include a wafer transport environment sampling module. When the wafer 3000 is moved from the transport enclosure 2000 to the wafer sampling module 200 , the wafer transport environment sampling module may analyze the presence of contaminants by collecting air nearby. Accordingly, when contaminants are detected in the wafer 3000, it can be known whether the wafer 3000 is contaminated from the outside or the inside of the transportation enclosure 2000 according to the result of the wafer transfer environment sampling module, and the transportation enclosure 2000 ) can be checked.

웨이퍼 이송 환경 샘플링 모듈은 공기를 포집할 수 있는 흡입 펌프를 포함할 수 있고, 흡입 펌프에 연결된 별도의 분석기를 포함할 수 있다. 또는 상술한 흡입 펌프가 후술할 분석부(300)에 연결될 수 있다.The wafer transfer environment sampling module may include a suction pump capable of collecting air, and may include a separate analyzer connected to the suction pump. Alternatively, the above-described suction pump may be connected to the analysis unit 300 to be described later.

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 분석부(300)를 포함할 수 있다. 분석부(300)는 운송 인클로저 샘플링 모듈(100) 및 웨이퍼 샘플링 모듈(200)에서 샘플링된 시료를 수신하여 분석할 수 있다. 분석부(300)는 시료를 수신하여 시료를 파티클 크기나 반응성 등 기 설정된 기준에 따라 오염물과 오염물의 농도를 검출해 낼 수 있다. 분석부(300)는 시료 전처리부(310를 더 포함할 수 있는데, 시료 전처리기는 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)에서 샘플링된 시료를 전처리 할 수 있다. 또한, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)에서 샘플링된 시료를 전처리 할 수 있다. 시료 전처리부(310)는 운송 인클로저(2000) 또는 웨이퍼(3000)에서 샘플링된 시료가 분석부(300)에서 용이하게 분석될 수 있도록 전처리 함으로써, 분석 효율을 더 높일 수 있다.The contaminant sampling system 1000 in the transport enclosure of the present invention may include an analysis unit 300 . The analysis unit 300 may receive and analyze samples sampled from the transport enclosure sampling module 100 and the wafer sampling module 200 . The analyzer 300 may receive the sample and detect the contaminant and the concentration of the contaminant in the sample according to preset criteria such as particle size or reactivity. The analysis unit 300 may further include a sample pre-processing unit 310 , which may pre-process the sample sampled by the transport enclosure sampling module 100. Also, the sample sampled by the wafer sampling module 200 The sample pre-processing unit 310 may further increase analysis efficiency by pre-processing the sample sampled from the transport enclosure 2000 or the wafer 3000 to be easily analyzed by the analysis unit 300 . .

분석부(300)는 액체 시료를 수신하여 분석하는 습식 분석기와, 기체 시료를 수신하여 분석하는 건식 분석기가 모두 적용될 수 있다. 이 때, 건식 분석기로 진행하는 경우 직접적으로 운송 인클로저(2000) 내부의 샘플링되는 기체 또는 웨이퍼 이송 환경 샘플링 모듈에서 포집한 기체 및 웨이퍼 샘플링 모듈(200)에서 샘플링된 기체를 전처리 과정을 생락하여 분석할 수 있다.The analyzer 300 may be applied to both a wet analyzer that receives and analyzes a liquid sample and a dry analyzer that receives and analyzes a gas sample. At this time, when proceeding to the dry analyzer, the gas sampled directly inside the transport enclosure 2000 or the gas collected by the wafer transport environment sampling module and the gas sampled by the wafer sampling module 200 are analyzed by skipping the pre-processing process. can

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 제어부(400)를 포함할 수 있다. 제어부(400)는 분석부(300)로부터 정보를 수신하여 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)과, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)를 제어할 수 있다. 보다 자세히, 분석부(300)로부터 수신한 정보를 바탕으로 오염의 발생 원인을 규명하고, 이에 따라 오염요소에 대한 규명을 통해 공정을 개선할 수 있다. 또한, 운송 인클로저(2000)와 웨이퍼(3000)에서 검출된 오염물의 농도를 동시 비교하여 공정별 특징을 파악할 수 있다. 위의 과정에서 규명된 오염의 원인 및 공정의 문제점을 기반으로 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)과 웨이퍼 샘플링 모듈(200)의 구동 여부를 결정하여 추후 운송 인클로저(2000)와 웨이퍼(3000)의 샘플링 공정을 진행할지 여부를 결정할 수 있다. The contaminant sampling system 1000 in the transport enclosure of the present invention may include a control unit 400 . The controller 400 may receive information from the analysis unit 300 to control the transport enclosure sampling module 100 and the wafer sampling module 200 . In more detail, based on the information received from the analysis unit 300 , the cause of the contamination can be identified, and accordingly, the process can be improved by identifying the contamination factors. In addition, by comparing the concentrations of contaminants detected in the transport enclosure 2000 and the wafer 3000 at the same time, characteristics of each process may be identified. Based on the cause of contamination and process problems identified in the above process, it is determined whether the transport enclosure sampling module 100 and the wafer sampling module 200 are driven, and the sampling process of the transport enclosure 2000 and the wafer 3000 later You can decide whether to proceed.

이하로, 도 2 내지 도 3을 참조하여 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, the transport enclosure sampling module 100 will be described with reference to FIGS. 2 to 3 .

운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 건식 분석기와 연결되는 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)과 습식 분석기와 연결되는 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)을 포함할 수 있다. 용례에 따라 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)과 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 각각 따로 사용될 수 있고, 함께 사용될 수 있다.The transport enclosure sampling module 100 may include a dry transport enclosure sampling module 100 connected to the dry analyzer and a wet transport enclosure sampling module 100 connected to the wet analyzer. Depending on the application, the dry transport enclosure sampling module 100 and the wet transport enclosure sampling module 100 may be used separately, or may be used together.

도 2에 도시된 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 로드 포트(500)와 연결되어 운송 인클로저(2000)의 내부 공기를 샘플링 할 수 있다. 보다 자세히, 로드 포트(500)는 1개 이상의 홀이 형성되고, 로드 포트(500)의 각각의 홀의 일측은 운송 인클로저(2000)와 연결되고, 타측은 로드 포트(500)의 타측에 형성된 홀은 운송 인클로저 샘플링 모듈(200) 및 분석부(300)와 연결될 수 있다.The wet transport enclosure sampling module 100 shown in FIG. 2 may be connected to the load port 500 to sample the internal air of the transport enclosure 2000 . In more detail, the load port 500 is formed with one or more holes, one side of each hole of the load port 500 is connected to the transport enclosure 2000, and the other side is the hole formed on the other side of the load port 500. It may be connected to the transport enclosure sampling module 200 and the analysis unit 300 .

습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 샘플링 요구물질 주입부(110)를 포함할 수 있다. 샘플링 요구물질 주입부(110)는 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 순환시키는 희석 가스를 주입할 수 있다.The wet transport enclosure sampling module 100 may include a sampling request material injection unit 110 . The sampling request material injection unit 110 may inject a dilution gas that circulates air inside the transport enclosure 2000 .

보다 자세히, 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 샘플링함에 있어, 통상적으로 1개의 토출구에서 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 토출시키는데, 이 때, 일부분의 공기만 샘플링되어 운송 인클로저(2000) 내부의 공기가 균일하게 샘플링 되지 않는 현상이 발생하는데 이를 방지하기 위해서 운송 인클로저(2000) 내부에 희석 가스를 주입하여 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 순환시킬 수 있다.In more detail, in sampling the air inside the transport enclosure 2000, the air inside the transport enclosure 2000 is typically discharged from one outlet. At this time, only a part of the air is sampled and the inside of the transport enclosure 2000 is discharged. In order to prevent a phenomenon in which air is not uniformly sampled, a dilution gas may be injected into the transport enclosure 2000 to circulate the air inside the transport enclosure 2000 .

이 때 희석 가스는 운송 인클로저(2000) 내부의 물질과 반응하지 않는 비활성 가스일 수 있다. 예를 들어, N2나 CDA 또는 Ar일 수 있다. In this case, the dilution gas may be an inert gas that does not react with the material inside the transport enclosure 2000 . For example, it may be N2 or CDA or Ar.

또한, 샘플링 요구물질 주입부(110)는 희석 가스의 주입 유량을 조절하는 유량 제어 장치(111)와 희석 가스를 운송 인클로저(2000)의 내부로 주입하는 샘플링 요구물질 주입밸브(112)를 포함할 수 있다. 샘플링 요구물질 주입밸브(112)는 주입되는 물질의 종류에 따라 3-way 밸브일 수 있고, 4-way 밸브일 수 있다. 이러한 구성은 로드 포트(500)의 내부에 내삽되어 운송 인클로저(2000)의 내부와 연결될 수 있다. 이에 공간의 활용도를 높일 수 있다.In addition, the sampling request material injection unit 110 may include a flow control device 111 for adjusting the injection flow rate of the dilution gas and a sampling request material injection valve 112 for injecting the dilution gas into the transport enclosure 2000 . can The sampling request material injection valve 112 may be a 3-way valve or a 4-way valve depending on the type of material to be injected. This configuration may be interpolated into the inside of the load port 500 and connected to the inside of the transport enclosure 2000 . This can increase the usability of the space.

또한, 운송 인클로저(2000)와 후술할 운송 인클로저 샘플링부(120)의 사이에, 즉, 운송 인클로저(2000)에서 운송 인클로저(2000) 내부 공기가 토출되는 유로에 약액 주입 펌프(113)가 배치될 수 있다. 약액 주입 펌프(113)를 통해 주입한 약액은 운송 인클로저(2000) 내부 공기 에 혼재된 오염물을 용해할 수 있고, 오염물의 샘플링이 용이해지도록 할 수 있다. 이 때 주입되는 약액은 탄산염이나 인산염 및 초순수일 수 있다. 이와 같이 습식으로 샘플링 하는 방식은 이온이나 메탈 등을 검출해 낼 때 채택하는 것이 바람직하다.Also, between the transport enclosure 2000 and the transport enclosure sampling unit 120 to be described later, that is, in the flow path through which air inside the transport enclosure 2000 is discharged from the transport enclosure 2000, the chemical injection pump 113 is to be disposed. can The chemical liquid injected through the chemical liquid injection pump 113 may dissolve contaminants mixed in the air inside the transport enclosure 2000, and may facilitate sampling of the contaminants. At this time, the injected chemical may be carbonate or phosphate, and ultrapure water. It is preferable to adopt this wet sampling method when detecting ions or metals.

습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 운송 인클로저 샘플링부(120)를 포함할 수 있다. 운송 인클로저 샘플링부(120)는 운송 인클로저(2000)의 내부 가스를 흡입하고 분석부(300)로 보내지기 전까지 시료를 보관할 수 있다. 운송 인클로저 샘플링부(120)는 운송 인클로저(2000) 내부에서 토출된 시료 중 기체 상태의 공기를 흡입하는 흡입 펌프(122)와, 흡입되는 공기의 유량을 조절하는 공기 유량 조절기(123) 및 운송 인클로저(2000) 내부에서 토출된 시료 중 약액에 용해된 액체 상태의 물질을 보관하는 샘플러(121)를 포함할 수 있다. 이 때, 샘플러(121)의 재질은 석영, 유리재질, 테프론, PVC, PC일 수 있다. 샘플러(121)는 일측에서 흡수액이 유입되고 일측에서 샘플링 에어가 유입되어 흡수액에 오염물질이 포집되고, 포집된 후 에어는 유량 조절기를 통과한후 토출되는 방식의 임핀져일 수 있고, 코일타입일 수 있다. 이에 따라, 1차적으로 오염물이 아닌 공기와 오염물을 분리하여 오염물을 샘플링할 수 있다. 또한 공기 유량 조절기(123)를 포함함으로써, 공기가 정량 흡입됨으로써 과하게 또는 적게 공기가 흡입되어 분석에 오차가 생기는 것을 방지할 수 있다.The wet transport enclosure sampling module 100 may include a transport enclosure sampling unit 120 . The transport enclosure sampling unit 120 may inhale the internal gas of the transport enclosure 2000 and store the sample until it is sent to the analysis unit 300 . The transport enclosure sampling unit 120 includes a suction pump 122 that sucks in gaseous air among the samples discharged from the inside of the transport enclosure 2000, an air flow controller 123 that controls the flow rate of the sucked air, and the transport enclosure (2000) may include a sampler 121 for storing a substance in a liquid state dissolved in a chemical from among the samples discharged from the inside. At this time, the material of the sampler 121 may be quartz, glass material, Teflon, PVC, PC. The sampler 121 may be an impinger of a type in which absorbent liquid flows in from one side and sampling air flows in from one side, so that contaminants are collected in the absorbent liquid, and then the air is discharged after passing through a flow regulator, and may be a coil type. have. Accordingly, contaminants may be sampled by firstly separating air and contaminants, which are not contaminants. In addition, by including the air flow controller 123, it is possible to prevent an error in the analysis due to excessive or small intake of air due to the quantitative intake of air.

습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 운송 인클로저 오염물 이송부(130)를 포함할 수 있다. 운송 인클로저 오염물 이송부(130)는 샘플링되어 샘플러(121)에 보관된 오염물을 분석부(300)로 이송할 수 있다. The wet transport enclosure sampling module 100 may include a transport enclosure contaminant transport unit 130 . The transport enclosure contaminant transfer unit 130 may transfer the sampled contaminants stored in the sampler 121 to the analysis unit 300 .

운송 인클로저 오염물 이송부(130)는 샘플링부(120)로부터 시료를 수신하여 분석부(300)로 이송하는 인젝터(132)와, 시료를 인젝터(132)에서 분석부(300)로 이송시키는 유체펌프(133)을 포함할 수 있다.The transport enclosure contaminant transfer unit 130 includes an injector 132 that receives a sample from the sampling unit 120 and transfers it to the analysis unit 300, and a fluid pump that transfers the sample from the injector 132 to the analysis unit 300 ( 133) may be included.

또한, 분석부(300)로 보내질 시료를 선택하는 추가 밸브(131)를 더 포함할 수 있는데, 이 때, 추가 밸브(131)는 셀렉션 밸브일 수 있고, 검정(Calibration) 을 위한 표준이 되는 시료 또는 운송 인클로저(2000)의 내부에서 포집한 시료 중 적어도 하나를 선택하여 분석부(300)로 이송할 수 있다.In addition, it may further include an additional valve 131 for selecting a sample to be sent to the analysis unit 300, at this time, the additional valve 131 may be a selection valve, the sample to be a standard for calibration (Calibration) Alternatively, at least one of the samples collected from the inside of the transport enclosure 2000 may be selected and transferred to the analysis unit 300 .

도 3에 도시된 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)은 일측에 운송 인클로저(2000)가 연결되고, 타측에 분석부(300)가 연결되며, 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 흡입하는 기체 시료 흡입 펌프(140)를 포함할 수 있고, 이에 따라 운송 인클로저(2000) 내부의 공기를 바로 분석부(300)로 보내 분석을 수행할 수 있다. 이때, 사용되는 건식 분석기는 공동 감쇠 분광기 (CRDS), 광학공통 적분 투과법 (ICOS), 이온 이동성 분광법 (IMS), 가스 크로마토그래피 (GC, GC_MS), 선택적 다중 이온 질랑 분석기 (SIFT-MS) 및 광이온화 검출기 (PID) 중 하나로 선택될 수 있다. 이와 같이 건식으로 샘플링 하는 방식은 이온, 가스, 메탈, 파티클이나 유기물, 산소, 또는 온도나 습도 등을 검출해 낼 때 채택하는 것이 바람직하다.In the dry transport enclosure sampling module 100 shown in FIG. 3 , the transport enclosure 2000 is connected to one side, the analysis unit 300 is connected to the other side, and the gas sample suction that sucks air inside the transport enclosure 2000 . The pump 140 may be included, and accordingly, the air inside the transport enclosure 2000 may be directly sent to the analysis unit 300 to perform analysis. At this time, the dry analyzer used is cavity attenuation spectroscopy (CRDS), common integral transmittance (ICOS), ion mobility spectroscopy (IMS), gas chromatography (GC, GC_MS), selective multi-ion mass spectrometry (SIFT-MS) and photoionization detector (PID). It is preferable to adopt the dry sampling method when detecting ions, gas, metal, particles, organic matter, oxygen, or temperature or humidity.

이하로, 도 4 내지 7을 참조하여 웨이퍼 샘플링 모듈(200)에 대해 설명한다.Hereinafter, the wafer sampling module 200 will be described with reference to FIGS. 4 to 7 .

도 4에 도시된 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000)의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링부(230)와 후술할 웨이퍼 전처리부(220)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 전처리부(220)는 필요에 의해 생략될 수 있다.The wafer sampling module 200 illustrated in FIG. 4 may include a wafer sampling unit 230 for sampling the surface of the wafer 3000 and a wafer preprocessing unit 220 to be described later. The wafer preprocessor 220 may be omitted if necessary.

웨이퍼 전처리부(220)는 표면 식각 방식을 사용할 수 있다. 이때, 웨이퍼(3000)의 표면을 식각하기 위한 전처리 물질을 분사하는 노즐 타입의 분사부(221)와, 전처리 물질을 웨이퍼(3000)의 전면에 도포하는 스핀들(222)과, 웨이퍼(3000)의 전처리 시 발생하는 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브((223)를 포함할 수 있다. 이 때, 분사부(221)는 후술할 웨이퍼 샘플링부(230)의 노즐(232)일 수 있고, 또는 별도로 구비된 전처리용 노즐일 수 있다. 이 때 전처리 물질은 액체 용액일 수 있고, 기체 물질일 수 있다. 전처리 물질은 웨이퍼(3000) 표면을 식각하여 웨이퍼 표면을 균일화시키는 것으로써, 웨이퍼(3000) 샘플링 시 분석 정확도를 높일 수 있다.The wafer preprocessor 220 may use a surface etching method. At this time, a nozzle-type spraying unit 221 for spraying a pretreatment material for etching the surface of the wafer 3000 , a spindle 222 for applying a pretreatment material to the entire surface of the wafer 3000 , and the wafer 3000 . It may include a pretreatment exhaust valve 223 for exhausting harmful gas generated during the pretreatment. In this case, the injection unit 221 may be a nozzle 232 of the wafer sampling unit 230 to be described later, or separately. It may be a nozzle for pre-treatment provided. In this case, the pre-treatment material may be a liquid solution or a gas material. The pre-treatment material is to etch the surface of the wafer 3000 to uniform the surface of the wafer, and to sample the wafer 3000 The analysis accuracy can be improved.

또는 웨이퍼 전처리부(220)는 열처리 방식을 사용할 수 있다. 이 때, 웨이퍼(3000)에 열을 가하는 가열부와, 가열부와 웨이퍼(3000)가 내부 공간에 수납되는 챔버를 포함할 수 있다. 가열부는 웨이퍼(3000) 표면에 열을 가하여 웨이퍼 표면을 전처리 할 수 있다. 또한, 웨이퍼 전처리부(220) 웨이퍼(3000) 가열 시 발생하는 챔버 내부의 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브를 포함할 수 있다.Alternatively, the wafer preprocessor 220 may use a heat treatment method. In this case, it may include a heating unit that applies heat to the wafer 3000 , and a chamber in which the heating unit and the wafer 3000 are accommodated in an internal space. The heating unit may pre-treat the surface of the wafer 3000 by applying heat to the surface of the wafer 3000 . In addition, the wafer pre-processing unit 220 may include a pre-processing exhaust valve for exhausting harmful gas inside the chamber generated when the wafer 3000 is heated.

또한, 웨이퍼 전처리부(220)는 불활성기체 주입부와 샘플링 포트를 포함할 수 있고, 이에 따라 챔버 내부의 오염도를 분석할 수 있다.In addition, the wafer preprocessor 220 may include an inert gas injection unit and a sampling port, and accordingly, the degree of contamination inside the chamber may be analyzed.

도 5에 도시된 웨이퍼 샘플링부(230)는 웨이퍼(3000)가 로딩되며, 웨이퍼(3000)가 로딩되는 평편한 면을 포함하는 고정수단(231)과, 일단에 노즐 팁이 형성되고, 웨이퍼(3000)의 표면에 웨이퍼(3000) 표면 샘플링을 위한 샘플 용액을 분사 또는 접촉시키는 노즐(232)과, 노즐(232)에 샘플 용액을 주입하는 샘플 용액 주입부(233)와, 웨이퍼 오염물 이송부(240)에 연결되어 웨이퍼(3000)의 표면에 샘플링된 오염물을 분석부(300)로 배출하는 웨이퍼 오염물 선택 밸브(234) 및 웨이퍼(3000)가 스캔되는 면을 반전시키는 반전부(235)를 포함할 수 있다.The wafer sampling unit 230 shown in FIG. 5 is a wafer 3000 is loaded, a fixing means 231 including a flat surface on which the wafer 3000 is loaded, a nozzle tip is formed at one end, and the wafer ( A nozzle 232 for spraying or contacting a sample solution for sampling the surface of the wafer 3000 on the surface of the 3000 , a sample solution injection unit 233 for injecting a sample solution into the nozzle 232 , and a wafer contaminant transfer unit 240 ) connected to a wafer contaminant selection valve 234 for discharging the contaminants sampled on the surface of the wafer 3000 to the analysis unit 300 and an inverting unit 235 for inverting the surface on which the wafer 3000 is scanned. can

또한, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000)로부터 샘플링된 오염물을 분석부(300)로 이송하는 웨이퍼 오염물 이송부(240)를 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 것은 회수콘으로서, 웨이퍼 오염물 이송부(240)의 일 예이며, 웨이퍼 오염물 이송부(240)의 형태 및 구성은 도면에 구애받지 않는 것이 바람직하다.Also, as shown in FIG. 5 , the wafer sampling module 200 may include a wafer contaminant transfer unit 240 that transfers contaminants sampled from the wafer 3000 to the analysis unit 300 . The recovery cone shown in FIG. 5 is an example of the wafer contaminant transfer unit 240 , and the shape and configuration of the wafer contaminant transfer unit 240 is preferably not limited by the drawings.

고정수단(231)은 웨이퍼(3000)의 샘플링 효율을 높이기 위해 중심에 회전축이 연결될 수 있고, 회전축은 모터와 연결되어 고정수단(231)을 회전시킬 수 있다. 반전부(235)는 웨이퍼(3000)를 잡을 수 있는 그립부가 일단에 형성될 수 있고, 웨이퍼(3000)를 잡고 웨이퍼(3000)를 반전시켜 웨이퍼(3000)가 스캔되는 면을 반전시킬 수 있다.The fixing means 231 may have a rotation shaft connected to the center in order to increase sampling efficiency of the wafer 3000 , and the rotation shaft may be connected to a motor to rotate the fixing means 231 . The inverting part 235 may have a grip part capable of holding the wafer 3000 formed at one end, and may hold the wafer 3000 and invert the wafer 3000 to invert a surface on which the wafer 3000 is scanned.

이 외에도, 도 6과 같이 웨이퍼(3000)표면에 접촉한 상태로 이동하면서 샘플링 하고, 내부공간이 분석부(300)와 연결되어 샘플링된 오염물을 분석부(300)로 이송시킬 수 있는 형태로 웨이퍼(3000)를 샘플링하는 방식도 적용 가능하다, 도 6에 도시된 방식의 경우, 웨이퍼(3000)를 국부 샘플링 하는 경우 뿐만 아니라 웨이퍼(3000)을 전면 샘플링 하는 경우에도 적용 가능하다.In addition, as shown in FIG. 6 , the wafer is sampled while moving while in contact with the surface of the wafer 3000 , and the internal space is connected to the analysis unit 300 to transfer the sampled contaminants to the analysis unit 300 . The method of sampling 3000 is also applicable. In the case of the method shown in FIG. 6 , it is applicable not only to the case of local sampling of the wafer 3000 but also the case of sampling the entire surface of the wafer 3000 .

웨이퍼(3000) 샘플링은 2가지 방법으로 이루어질 수 있다. 웨이퍼(3000)를 전면으로 샘플링하는 경우와, 웨이퍼(3000)의 국부만 샘플링 할 경우이다. 보다 바람직하게, 웨이퍼(3000)를 전면으로 샘플링 한 후, 오염물이 검출된 부분만 국부 샘플링 하는 것이 바람직하다. 이 때, 샘플링 방식은 사용자의 재량에 따라 도 5에 도시된 분사 방식을 적용할 수 있고, 도 6에 도시된 드롭렛(Droplet)방식을 적용할 수 있다.Sampling of the wafer 3000 may be performed in two ways. A case in which the wafer 3000 is sampled on the entire surface and a case where only a local portion of the wafer 3000 is sampled. More preferably, after sampling the entire wafer 3000 , it is preferable to locally sample only a portion in which contaminants are detected. At this time, as the sampling method, the spray method shown in FIG. 5 may be applied at the discretion of the user, and the droplet method shown in FIG. 6 may be applied.

웨이퍼(3000)를 전면으로 샘플링 할 시, 도 5와 같이 노즐(232)은 웨이퍼(3000)의 표면에서 일정 간격 이격되어 구동되고, 노즐 팁으로부터 웨이퍼(3000)의 표면 샘플 용액을 분사하거나 또는 노즐(232)은 노즐 팁에 샘플 용액이 물방울 형태로 응집된 형태로 샘플링을 진행할 수 있고, 또는 도 6과 같이 노즐 팁을 웨이퍼(3000)의 표면에 접촉한 상태로 이동하여 웨이퍼(3000)의 표면을 스캔할 수 있다. 또한, 웨이퍼(3000)의 국부 샘플링은 도 6과 같은 방식으로 진행되는 것이 바람직하며, 노즐(232)은 노즐 팁에 샘플 용액이 물방울 형태로 응집된 형태로 샘플링을 진행할 수 있고, 노즐 팁을 웨이퍼(3000)의 표면에 접촉한 상태로 이동하여 웨이퍼(3000)의 표면을 스캔할 수 있다.When sampling the wafer 3000 from the front side, as shown in FIG. 5 , the nozzle 232 is driven to be spaced apart from the surface of the wafer 3000 by a predetermined interval, and the surface sample solution of the wafer 3000 is sprayed from the nozzle tip or the nozzle At 232, the sample solution may be sampled in the form of agglomeration of the sample solution in the form of droplets on the nozzle tip, or the surface of the wafer 3000 may be moved by moving the nozzle tip in contact with the surface of the wafer 3000 as shown in FIG. can be scanned. In addition, it is preferable that the local sampling of the wafer 3000 proceeds in the same manner as in FIG. 6 , and the nozzle 232 may perform sampling in the form of agglomerated sample solution in the form of water droplets on the nozzle tip, and the nozzle tip of the wafer The surface of the wafer 3000 may be scanned by moving in a state in contact with the surface of the wafer 3000 .

도 5와 같은 방식 채택 시, 샘플링된 용액은 웨이퍼(3000)의 가장자리에 위치하는 회수콘 형태인 웨이퍼 오염물 이송부(240)에 원심력으로 회수되어 회수콘에 연결된 웨이퍼 오염물 선택 밸브(234)를 통해 분석부(300)로 이송될 수 있고, 도 6과 같은 방식 채택 시, 샘플링된 용액은 노즐(232)에 연결어 노즐(232) 내부에 음압을 가하는 펌프 형태인 웨이퍼 오염물 이송부(240)로 회수되어 펌프와 연결된 웨이퍼 오염물 선택 밸브(234)를 통해 분석부(300)로 이송될 수 있다.When the method shown in FIG. 5 is adopted, the sampled solution is recovered by centrifugal force to the wafer contaminant transfer unit 240 in the form of a recovery cone located at the edge of the wafer 3000 and analyzed through the wafer contaminant selection valve 234 connected to the recovery cone. It can be transferred to the unit 300, and when the method shown in FIG. 6 is adopted, the sampled solution is connected to the nozzle 232 and returned to the wafer contaminant transfer unit 240 in the form of a pump that applies negative pressure to the inside of the nozzle 232 and pump The wafer may be transferred to the analysis unit 300 through the contaminant selection valve 234 connected to the wafer.

이 때, 샘플링 효율을 향상시키기 위해 약액을 이용할 수 있다. 약액은 카보네이트, 수산화칼륨, 인산 수용액을 사용할 수 있으며, 이온성 물질에 대한 포집 효율을 높일 수 있다. In this case, a chemical solution may be used to improve sampling efficiency. As the chemical solution, carbonate, potassium hydroxide, or phosphoric acid aqueous solution can be used, and the collection efficiency for ionic substances can be increased.

웨이퍼를 전면으로 샘플링 할 수 있는 방법은 노즐을 이용하여 진행 할 수 있다. 이는 VPD 혹은 TD 등의 전처리를 통하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거한 후 산화막 아래의 메탈 불순물 등을 노즐을 이용하여 포집 할 수 있다. 메탈에 대한 포집 효율을 증대하기 위해 불산, 질산, 과산화수소수 등의 약액이 사용될 수 있다. 이렇게 포집된 시료는 ICP-MS 등의 메탈 분석기를 통해 분석 될 수 있다. A method of sampling the wafer from the front can be performed using a nozzle. After removing the oxide film on the wafer surface through pretreatment such as VPD or TD, metal impurities under the oxide film can be collected using a nozzle. Chemical solutions such as hydrofluoric acid, nitric acid, and hydrogen peroxide solution may be used to increase the metal collection efficiency. The collected sample may be analyzed through a metal analyzer such as ICP-MS.

상기와 같이 웨이퍼(3000)의 샘플링 과정이 끝난 후, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000) 표면을 샘플링 및 건조 할 수 있다. 웨이퍼(3000)를 샘플링하기 위해서 노즐(232)은 웨이퍼(3000)의 표면에서 일정 간격 이격되어 구동되고, 노즐 팁으로부터 웨이퍼(3000)의 표면 상에 웨이퍼(3000)를 샘플링하는 샘플링 용액을 분사하여 웨이퍼(3000) 표면을 샘플링할 수 있다. 또한, 웨이퍼(3000)를 건조시키기 위해서 노즐(232)은 웨이퍼(3000)의 표면에서 일정 간격 이격되어 구동되고, 노즐 팁으로부터 웨이퍼(3000)의 표면 상에 수분을 휘발시키는 건조 용액을 분사하여 웨이퍼(3000) 표면을 건조시킬 수 있다.After the sampling process of the wafer 3000 is finished as described above, the wafer sampling module 200 may sample and dry the surface of the wafer 3000 . In order to sample the wafer 3000, the nozzle 232 is driven to be spaced apart from the surface of the wafer 3000 by a predetermined interval, and a sampling solution for sampling the wafer 3000 is sprayed on the surface of the wafer 3000 from the nozzle tip. The wafer 3000 surface may be sampled. In addition, in order to dry the wafer 3000 , the nozzle 232 is driven to be spaced apart from the surface of the wafer 3000 by a predetermined interval, and a drying solution for volatilizing moisture is sprayed on the surface of the wafer 3000 from the nozzle tip. (3000) The surface can be dried.

도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 샘플링 모듈(200)은 웨이퍼(3000)의 표면 샘플링 이전에, 웨이퍼(3000)를 표면처리하는 웨이퍼 전처리부(220를 더 포함할 수 있다. 웨이퍼 전처리부(220)는 메탈 분석을 할 경우 또는 기타 필요에 의해 웨이퍼(3000)의 표면을 식각하거나 산화막 처리할 수 있다. 전처리는 웨이퍼(3000) 표면을 식각 또는 산화막 처리할 수 있는 전처리 용액을 분사하고 웨이퍼(3000)를 회전키는 방식으로 진행할 수 있다.7 , the wafer sampling module 200 may further include a wafer pre-processing unit 220 for surface-treating the wafer 3000 before surface sampling of the wafer 3000. Wafer pre-processing unit 220 ) may etch or oxide film the surface of the wafer 3000 when performing metal analysis or other needs, and spray a pretreatment solution capable of etching or oxidizing the wafer 3000 surface, and ) can be performed in a rotating manner.

보다 구체적으로, 웨이퍼 전처리부(220)는 웨이퍼(3000)의 표면에 전처리 용액을 분사하는 분사부(221)와, 전처리 용액을 웨이퍼(3000)의 전면에 도포하는 스핀들(222)과, 웨이퍼(3000)를 전처리하는 과정 중 발생하는 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브(223)를 포함할 수 있다. More specifically, the wafer pretreatment unit 220 includes an injection unit 221 for spraying the pretreatment solution on the surface of the wafer 3000, a spindle 222 for applying the pretreatment solution to the front surface of the wafer 3000, and the wafer ( 3000) may include a pretreatment exhaust valve 223 for exhausting harmful gas generated during the pretreatment process.

이하로, 분석부(300)와 제어부(400)의 관계에 대해 설명하고, 추가 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, the relationship between the analysis unit 300 and the control unit 400 will be described, and an additional configuration will be described.

운송 인클로저(2000)를 습식으로 샘플링하는 경우, 분석부(300)는 약액에 용해된 오염물의 농도를 측정할 수 있다. 측정된 오염물의 농도와, 주입된 약액의 부피를 기반으로 운송 인클로저(2000) 내의 오염물량을 검출해낼 수 있다. 이후 검출한 운송 인클로저(2000) 내부의 샘플링 결과를 제어부(400)에 송신할 수 있다.When the transport enclosure 2000 is sampled in a wet manner, the analysis unit 300 may measure the concentration of contaminants dissolved in the chemical solution. The amount of contaminants in the transport enclosure 2000 may be detected based on the measured concentration of contaminants and the volume of the injected chemical. Thereafter, the detected sampling result of the inside of the transport enclosure 2000 may be transmitted to the control unit 400 .

분석부(300)에는 운송 인클로저(2000)의 샘플링 시료를 분석하는 기기와, 웨이퍼(3000)의 샘플링 시료를 분석하는 기기가 별도로 구비될 수 있다.The analyzer 300 may separately include a device for analyzing the sampling sample of the transport enclosure 2000 and a device for analyzing the sampling sample of the wafer 3000 .

제어부(400)는 운송 인클로저(2000)의 샘플링에서 오염물이 발견된 경우 웨이퍼(3000)를 샘플링하도록 웨이퍼 샘플링 모듈(200)을 제어할 수 있다. 운송 인클로저(2000) 내부에 일정 이상의 오염물이 있는 경우, 운송 인클로저(2000) 내부에 탑재되어 운송된 웨이퍼(3000) 또한 오염물이 포함되어 있을 가능성이 농후하기 때문이다.The controller 400 may control the wafer sampling module 200 to sample the wafer 3000 when contaminants are found in the sampling of the transport enclosure 2000 . This is because, when there is more than a certain amount of contaminants inside the transport enclosure 2000 , the possibility that the wafer 3000 that is mounted and transported inside the transport enclosure 2000 also contains contaminants is high.

또한 제어부(400)는, 운송 인클로저(2000)의 샘플링에서 오염물이 발견되지 않은 경우 웨이퍼(3000)를 샘플링 하지 않을 수 있다. 이에 따라, 샘플링 공정이 크게 감축될 수 있어 효율을 높일 수 있다.Also, the controller 400 may not sample the wafer 3000 when no contaminants are found in the sampling of the transport enclosure 2000 . Accordingly, the sampling process can be greatly reduced, thereby increasing efficiency.

분석부(300)는 운송 인클로저(2000)와 웨이퍼(3000)의 샘플링 결과를 제어부(400)에 전송할 수 있고, 제어부(400)는 운송 인클로저(2000)와 웨이퍼(3000) 각각의 오염물량, 오염물의 종류 등을 통해 공정상의 오염을 감지하고 오염요소에 대한 규명을 통해 공정을 개선할 수 있다. The analysis unit 300 may transmit the sampling result of the transportation enclosure 2000 and the wafer 3000 to the control unit 400 , and the control unit 400 may include the amount of contamination and the contaminants of the transportation enclosure 2000 and the wafer 3000 , respectively. It is possible to detect contamination in the process through the type, etc., and improve the process by identifying the contamination factors.

본 발명의 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템(1000)은 외부에 사용자에게 샘플링 상황을 안내하는 안내부를 더 포함할 수 있다. 제어부(400)는 운송 인클로저(2000)의 샘플링에서 오염물이 발견된 경우 안내부를 제어하여 안내부가 사용자에게 오염물이 발견되었음을 안내하도록 할 수 있다. 안내부는 발광 소재나 부저일 수 있고, 디스플레이일 수 있고, 녹음된 음성일 수 있다.The contaminant sampling system 1000 in the transport enclosure of the present invention may further include a guide for guiding a sampling situation to a user to the outside. When contaminants are found in the sampling of the transport enclosure 2000 , the controller 400 may control the guide so that the guide informs the user that the contaminants have been found. The guide may be a light emitting material or a buzzer, may be a display, or may be a recorded voice.

이하로, 도 8 내지 10을 참조하여 운송 인클로저(2000) 내 오염물 샘플링 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of sampling contaminants in the transport enclosure 2000 will be described with reference to FIGS. 8 to 10 .

도 8에 도시된 바와 같이, 운송 인클로저(2000) 내 오염물 샘플링 방법은 운송 인클로저(2000)를 로드 포트(500)에 로드하는 운송 인클로저 로딩 단계(S100)와, 제어부(400)가 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈(100)을 이용하여 운송 인클로저(2000) 내부를 샘플링하는 운송 인클로저 샘플링 단계(S200)와, 제어부(400)가 분석부(300)를 이용하여 샘플링된 운송 인클로저(2000) 내부의 오염물을 분석하는 운송 인클로저 분석 단계(S300)와, 운송 인클로저(2000)를 로드 포트(500)에서 언로드 하는 운송 인클로저 언로딩 단계(S600)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 8 , the method for sampling contaminants in the transport enclosure 2000 includes a transport enclosure loading step (S100) of loading the transport enclosure 2000 into a load port 500, and the control unit 400 sampling the wet transport enclosure A transport enclosure sampling step (S200) of sampling the inside of the transport enclosure 2000 using the module 100, and the control unit 400 analyzes the contaminants inside the transport enclosure 2000 sampled using the analysis unit 300 It may include a transport enclosure analysis step (S300) and a transport enclosure unloading step (S600) of unloading the transport enclosure (2000) from the load port (500).

이 때 운송 인클로저 분석 단계(S300)에서 운송 인클로저(2000) 내부에 오염물이 검출된 경우, 운송 인클로저 분석 단계(S300)에 후행되어 제어부(400)가 웨이퍼 샘플링 모듈(200)을 이용하여 웨이퍼(3000)의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링 단계(S400) 및 제어부(400)가 분석부(300)를 이용하여 샘플링된 웨이퍼(3000) 표면의 오염물을 분석하는 웨이퍼 분석 단계(S500)를 더 포함할 수 있다.At this time, if contaminants are detected inside the transport enclosure 2000 in the transport enclosure analysis step (S300), the control unit 400 follows the transport enclosure analysis step (S300) and controls the wafer 3000 using the wafer sampling module 200. ) may further include a wafer sampling step (S400) of sampling the surface and a wafer analysis step (S500) in which the controller 400 analyzes contaminants on the surface of the sampled wafer 3000 using the analysis unit 300 (S500). .

도 9에는 상술한 운송 인클로저(2000) 샘플링 단계가 보다 상세하게 도시되어 있다. 운송 인클로저(2000) 샘플링 단계는 모두 제어부(400)에 의해 수행될 수 있다. 운송 인클로저 샘플링 단계(S200)는 운송 인클로저(2000)와 로드 포트(500) 및 로드 포트(500)에 내삽된 샘플링 요구물질 주입부(110)를 연결하는 운송 인클로저-로드 포트 연결 단계(S210)와, 샘플링 요구물질 주입부(110)를 통해 운송 인클로저(2000) 내에 희석 가스를 주입하는 희석 가스 주입단계(S220)와, 운송 인클로저 샘플링부(120)를 이용하여 약액이 주입된 오염물을 샘플링하는 샘플링단계(S250)와, 운송 인클로저 오염물 이송부(130)를 이용하여 전처리된 오염물을 분석부(300)로 이동시키는 오염물 이송 단계(S260)를 포함할 수 있다.9 illustrates the above-described transport enclosure 2000 sampling step in more detail. All of the steps of sampling the transport enclosure 2000 may be performed by the controller 400 . The transport enclosure sampling step (S200) is a transport enclosure-load port connection step (S210) of connecting the transport enclosure 2000 and the load port 500 and the sampling request material injection unit 110 interpolated to the load port 500 and , a dilution gas injection step ( S220 ) of injecting a dilution gas into the transport enclosure 2000 through the sampling request material injection unit 110 , and sampling of sampling the chemical solution-injected contaminants using the transport enclosure sampling unit 120 . It may include a step S250 and a contaminant transfer step S260 of moving the pre-treated contaminants to the analysis unit 300 using the transport enclosure contaminant transfer unit 130 .

이 때, 운송 인클로저 샘플링 단계(S200)는 분석부(300)가 액체 시료를 수신하는 습식 분석기인 경우, 샘플링 단계(S250)에 선행되며 샘플링 요구물질 주입부(110)를 이용하여 운송 인클로저(2000)에서 토출된 운송 인클로저(2000) 내부공기에 약액을 주입하는 약액 주입 단계(S230)와, 운송 인클로저 샘플링부(120)를 이용하여 약액이 주입된 오염물을 포집하는 포집 단계(S240)를 더 포함할 수 있다.At this time, the transport enclosure sampling step ( S200 ) precedes the sampling step ( S250 ) when the analysis unit 300 is a wet analyzer that receives a liquid sample and uses the sampling request material injection unit 110 to transport the enclosure 2000 . ) a chemical solution injection step (S230) of injecting a chemical solution into the internal air of the transport enclosure 2000, and a collecting step (S240) of collecting contaminants injected with the chemical solution using the transport enclosure sampling unit 120 can do.

이 때, 분석부(300)가 기체 시료를 수신하는 건식 분석기인 경우, 약액 주입단계(S230)와, 포집 단계(S240)는 생략될 수 있다.In this case, when the analyzer 300 is a dry analyzer that receives a gas sample, the chemical liquid injection step S230 and the collecting step S240 may be omitted.

도 10에는 상술한 웨이퍼 샘플링 단계(S400)가 보다 상세하게 도시되어 있다. 웨이퍼 샘플링 단계(S400)는 모두 제어부(400)에 의해 수행될 수 있다. 웨이퍼샘플링 단계(S400)는 웨이퍼(3000)를 운송 인클로저(2000) 내부로부터 웨이퍼 샘플링 모듈(200)로 이송하는 웨이퍼 이송단계(S410)와, 웨이퍼 전처리부(220)를 이용하여 웨이퍼(3000)의 표면을 전처리하는 웨이퍼 전처리 단계(S420)와, 노즐(232)을 이용하여 웨이퍼(3000) 표면에 샘플링 용액을 도포하는 샘플 용액 도포단계(S430)와, 노즐(232)을 이용하여 웨이퍼(3000) 표면을 세척하는 세척 단계(S440)와, 노즐(232)을 이용하여 웨이퍼(3000)의 표면에 남은 수분을 건조시키는 건조단계(S450)와, 웨이퍼 오염물 이송부(240)를 이용하여 스캔된 웨이퍼(3000) 표면의 오염물을 분석부(300)로 이동시키는 시료 이송단계(S460)를 포함할 수 있다.10 illustrates the above-described wafer sampling step S400 in more detail. All wafer sampling steps ( S400 ) may be performed by the controller 400 . The wafer sampling step (S400) includes a wafer transfer step (S410) of transferring the wafer 3000 from the inside of the transport enclosure 2000 to the wafer sampling module 200, and the wafer 3000 using the wafer preprocessor 220. A wafer pretreatment step (S420) of pretreating the surface, a sample solution application step (S430) of applying a sampling solution to the surface of the wafer (3000) using a nozzle (232), and a wafer (3000) using a nozzle (232) A cleaning step (S440) of cleaning the surface, a drying step (S450) of drying the moisture remaining on the surface of the wafer 3000 using the nozzle 232 (S450), and a wafer scanned using the wafer contaminant transfer unit 240 ( 3000) may include a sample transfer step (S460) of moving the surface contaminants to the analysis unit 300 .

이 때, 웨이퍼 전처리 단계(S420)는 필요에 따라 생략될 수 있다. 또한, 샘플 용액 도포단계(S430) 이후에 시료 이송단계(S460)와 세척 단계(S440), 건조단계(S450)는 서로 동시에 이루어질 수 있다. 또는 시료 이송단계(S460) 이후에 세척 단계(S440), 건조단계(S450)가 수행될 수 있다.In this case, the wafer pre-processing step ( S420 ) may be omitted if necessary. In addition, after the sample solution application step (S430), the sample transfer step (S460), the washing step (S440), and the drying step (S450) may be performed simultaneously with each other. Alternatively, the washing step (S440) and the drying step (S450) may be performed after the sample transfer step (S460).

샘플 용액 도포단계(S430)는 필요에 따라 2가지 방식으로 진행될 수 있다. 웨이퍼 표면을 전체적으로 스캔 할 시에는 제어기가 노즐(232)을 웨이퍼(3000)의 표면에서 일정 간격 이격시키고, 노즐 팁에서 웨이퍼(3000)의 표면 상에 샘플링 용액을 분사시킬 수 있다. 또는, 샘플링 용액이 노즐 팁에 맺히고 웨이퍼(3000) 표면에 접촉된 상태에서 노즐(232)이 웨이퍼(3000)의 표면 상을 일정 간격 이격되어 이동하도록 하고, 노즐(232) 내부에 음압을 이용하여 샘플링 용액을 응집시키는 방식으로 웨이퍼(3000) 표면을 스캔할 수 있다.The sample solution application step ( S430 ) may be performed in two ways as needed. When scanning the entire wafer surface, the controller may space the nozzle 232 from the surface of the wafer 3000 by a predetermined interval, and spray the sampling solution onto the surface of the wafer 3000 from the nozzle tip. Alternatively, in a state in which the sampling solution is concentrated on the nozzle tip and in contact with the surface of the wafer 3000, the nozzle 232 moves at a predetermined interval on the surface of the wafer 3000, and using negative pressure inside the nozzle 232 The surface of the wafer 3000 may be scanned by aggregating the sampling solution.

1000 : 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템
100 : 운송 인클로저 샘플링 모듈
110 : 샘플링 요구물질 주입부
111 : 샘플링 요구물질 주입밸브 112 : 유량 제어 장치
113 : 약액 주입 펌프
120 : 운송 인클로저 샘플링부
121 : 샘플러 122 : 흡입 펌프
123 : 공기 유량 조절기
130 : 운송 인클로저 오염물 시료 이송부
131 : 추가 밸브 132 : 인젝터
133 : 유체 펌프
200 : 웨이퍼 샘플링 모듈
210 : 웨이퍼 이송부
220 : 웨이퍼 전처리부
221 : 분사부 222 : 스핀들
223 : 전처리 배기밸브
230 : 웨이퍼 샘플링부
231 : 고정수단 232 : 노즐
233 : 스캔 용액 주입부 234 : 웨이퍼 오염물 선택 밸브
235 : 반전부
240 : 웨이퍼 오염물 이송부
300 : 분석부
310 : 시료 전처리부
400 : 제어부
500 : 로드 포트
2000 : 운송 인클로저
3000 : 웨이퍼1000: Contaminant sampling system in transport enclosure
100: transport enclosure sampling module
110: sampling request material injection unit
111: sampling request material injection valve 112: flow control device
113: chemical liquid injection pump
120: transport enclosure sampling unit
121: sampler 122: suction pump
123: air flow regulator
130: transport enclosure contaminant sample transfer unit
131 additional valve 132 injector
133: fluid pump
200: wafer sampling module
210: wafer transfer unit
220: wafer pre-processing unit
221: injection unit 222: spindle
223: pre-treatment exhaust valve
230: wafer sampling unit
231: fixing means 232: nozzle
233: scan solution injection unit 234: wafer contaminant selection valve
235: reverse part
240: wafer contaminant transfer unit
300: analysis unit
310: sample pre-processing unit
400: control unit
500: load port
2000: transport enclosure
3000: wafer

Claims (20)

내부에 웨이퍼가 포함된 운송 인클로저가 상부에 로드되는 로드 포트;
상기 운송 인클로저 및 상기 로드 포트와 연결되어 상기 운송 인클로저 내부의 오염물을 샘플링하는 운송 인클로저 샘플링 모듈;
상기 웨이퍼의 표면의 오염물을 샘플링하며, 상기 운송 인클로저 내부에서 상기 웨이퍼를 꺼내 운송하는 웨이퍼 이송부를 포함하는 웨이퍼 샘플링 모듈;
상기 운송 인클로저 샘플링 모듈 및 상기 웨이퍼 샘플링 모듈에서 샘플링된 시료를 수신하여 분석하는 분석부;
상기 분석부로부터 정보를 수신하여 수신한 정보를 바탕으로 상기 운송 인클로저 샘플링 모듈과, 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
a load port on which a transport enclosure containing wafers is loaded therein;
a transport enclosure sampling module connected to the transport enclosure and the load port to sample contaminants inside the transport enclosure;
a wafer sampling module including a wafer transfer unit for sampling contaminants on the surface of the wafer and transporting the wafer out from the inside of the transport enclosure;
an analysis unit for receiving and analyzing samples sampled from the transport enclosure sampling module and the wafer sampling module;
a control unit for receiving information from the analysis unit and controlling the transport enclosure sampling module and the wafer sampling module for controlling the wafer sampling module based on the received information;
Contaminant sampling system in a transport enclosure comprising a.
 제 1항에 있어서,
상기 분석부는
상기 운송 인클로저 내부의 샘플링 결과를 상기 제어부에 송신하고,
상기 제어부는 상기 운송 인클로저의 샘플링에서 오염물이 발견된 경우 상기 웨이퍼를 샘플링하도록 상기 웨이퍼 샘플링 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
The method of claim 1,
The analysis unit
sending a sampling result inside the transport enclosure to the control unit;
and the control unit controls the wafer sampling module to sample the wafer when contamination is found in the sampling of the transport enclosure.
 제 1항에 있어서,
상기 분석부는 기체 시료를 수신하여 분석하는 건식 분석기 또는,
액체 시료를 수신하여 분석하는 습식 분석기 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 운송 인클로저 샘플링 모듈은
상기 건식 분석기와 연결되는 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈 또는
상기 습식 분석기와 연결되는 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
The method of claim 1,
The analyzer receives and analyzes a gas sample, or a dry analyzer,
at least one of a wet analyzer for receiving and analyzing a liquid sample,
The transport enclosure sampling module is
a dry transport enclosure sampling module connected to the dry analyzer; or
and at least one of a wet transport enclosure sampling module coupled to the wet analyzer.
 제 3항에 있어서,
상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈은,
상기 로드 포트의 내부에 내삽되어 상기 운송 인클로저와 연결되고, 상기 운송 인클로저 내부의 공기를 순환시키며 다종의 가스를 포함하는 희석 가스를 주입하는 샘플링 요구물질 주입부와,
샘플링을 위한 시료를 흡입하여 수용하는 운송 인클로저 샘플링부 및
샘플링된 오염물을 상기 분석부로 이송하는 운송 인클로저 오염물 시료 이송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
4. The method of claim 3,
The wet transport enclosure sampling module comprises:
a sampling request material injection unit interpolated into the load port to be connected to the transport enclosure, circulate air in the transport enclosure, and inject a dilution gas containing various kinds of gases;
a transport enclosure sampling unit that sucks and receives a sample for sampling; and
and a transport enclosure contaminant sample transfer unit for transferring the sampled contaminants to the analysis unit.
 제 4항에 있어서,
상기 샘플링 요구물질 주입부는,
다종의 가스를 포함하는 상기 희석 가스의 유량을 조절하는 유량 제어 장치와,
주입되는 상기 희석 가스의 종류를 선택하는 샘플링 요구물질 주입밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
5. The method of claim 4,
The sampling request material injection unit,
a flow control device for regulating a flow rate of the dilution gas including various kinds of gases;
and a sampling request material injection valve for selecting a type of the dilution gas to be injected.
 제 4항에 있어서,
상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈은,
상기 운송 인클로저 내부에서 토출된 상기 시료 중 기체 상태의 공기를 흡입하는 흡입 펌프와,
흡입되는 상기 공기의 유량을 조절하는 공기 유량 조절기 및
상기 시료 중 약액에 용해된 액체 상태의 물질을 보관하는 샘플러 및
상기 샘플링 요구물질 주입부와의 사이에 오염물이 용해되도록 약액을 주입하는 약액 주입 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
5. The method of claim 4,
The wet transport enclosure sampling module comprises:
a suction pump for sucking in gaseous air among the samples discharged from the inside of the transport enclosure;
an air flow regulator for controlling the flow rate of the sucked air; and
a sampler for storing a liquid substance dissolved in a chemical solution among the samples; and
and a chemical solution injection pump for injecting a chemical solution to dissolve the contaminants between the sampling request material injection unit and the injection unit.
 제 4항에 있어서,
상기 운송 인클로저 오염물 시료 이송부는
상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈로부터 상기 시료를 수신하여 상기 분석부로 이송하는 인젝터와,
상기 시료를 상기 인젝터에서 상기 분석부로 이송시키는 유체펌프 및
검정을 위한 표준이 되는 시료 또는 상기 운송 인클로저의 내부에서 포집한 시료 중 적어도 하나를 선택하여 상기 분석부로 이송하는 추가 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
5. The method of claim 4,
The transport enclosure contaminant sample transfer unit
an injector for receiving the sample from the wet transport enclosure sampling module and transferring it to the analysis unit;
a fluid pump for transferring the sample from the injector to the analysis unit; and
Contaminant sampling system in a transport enclosure, comprising an additional valve for selecting at least one of a sample serving as a standard for assay or a sample collected inside the transport enclosure and transferring it to the analysis unit.
 제 3항에 있어서,
상기 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈은,
일측에 상기 운송 인클로저가 연결되고,
타측에 상기 분석부가 연결되며, 상기 운송 인클로저 내부의 공기를 흡입하는 기체 시료 흡입 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
4. The method of claim 3,
The dry transport enclosure sampling module comprises:
The transport enclosure is connected to one side,
The contaminant sampling system in the transport enclosure, wherein the analysis unit is connected to the other side and includes a gas sample suction pump for sucking air inside the transport enclosure.
 제 3항에 있어서,
상기 로드 포트는 1개 이상의 홀이 형성되고,
상기 홀의 일측은 상기 운송 인클로저와 연결되고,
상기 홀의 타측은 상기 습식 운송 인클로저 샘플링 모듈 또는 건식 운송 인클로저 샘플링 모듈 중 적어도 어느 하나와 연결되는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
4. The method of claim 3,
The load port is formed with one or more holes,
One side of the hole is connected to the transport enclosure,
The other side of the hole is connected to at least one of the wet transport enclosure sampling module and the dry transport enclosure sampling module.
 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 샘플링 모듈은,
상기 웨이퍼가 로딩되며, 상기 웨이퍼가 로딩되는 평편한 면을 포함하고, 상기 웨이퍼를 고정시키는 고정수단과,
일단에 하나 이상의 노즐 팁이 형성되고, 웨이퍼의 표면에 웨이퍼 표면 샘플링을 위한 샘플 용액을 분사 또는 접촉시키는 노즐과,
상기 노즐에 상기 샘플 용액을 주입하는 샘플 용액 주입부 및
상기 웨이퍼의 표면에 샘플링된 오염물을 상기 분석부로 배출할 오염물을 선택 및 배출하는 웨이퍼 오염물 선택 밸브를 포함하며 상기 웨이퍼의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링부와,
상기 웨이퍼 샘플링부로부터 샘플링된 오염물을 상기 분석부로 이송하는 웨이퍼 오염물 이송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
The method of claim 1,
The wafer sampling module,
The wafer is loaded, and a fixing means for fixing the wafer including a flat surface on which the wafer is loaded;
One or more nozzle tips are formed at one end, and a nozzle for spraying or contacting a sample solution for wafer surface sampling on the surface of the wafer;
a sample solution injection unit for injecting the sample solution into the nozzle; and
a wafer sampling unit including a wafer contaminant selection valve for selecting and discharging contaminants sampled on the surface of the wafer to the analysis unit, and sampling the surface of the wafer;
and a wafer contaminant transfer unit transferring the contaminants sampled from the wafer sampling unit to the analysis unit.
 제 10항에 있어서,
상기 웨이퍼 샘플링 모듈은
상기 웨이퍼의 표면 샘플링 이전에 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 웨이퍼 전처리부를 더 포함하며,
상기 웨이퍼 전처리부는 상기 웨이퍼의 표면을 식각하기 위한 전처리 물질을 분사하는 분사부와,
상기 전처리 물질을 상기 웨이퍼의 전면에 도포하는 스핀들과,
상기 웨이퍼의 전처리 시 발생하는 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
11. The method of claim 10,
The wafer sampling module is
Further comprising a wafer pre-processing unit for surface-treating the wafer before the surface sampling of the wafer,
The wafer pretreatment unit comprises: a spraying unit for spraying a pretreatment material for etching the surface of the wafer;
a spindle for applying the pretreatment material to the entire surface of the wafer;
Contaminant sampling system in the transport enclosure, characterized in that it comprises a pre-treatment exhaust valve for exhausting harmful gas generated during the pre-treatment of the wafer.
 제 10항에 있어서,
상기 웨이퍼 샘플링 모듈은
상기 웨이퍼의 표면 샘플링 이전에, 상기 웨이퍼를 표면 처리하는 웨이퍼 전처리부를 더 포함하며,
상기 전처리부는 상기 웨이퍼에 열을 가하는 가열부와,
상기 가열부와 상기 웨이퍼가 내부 공간에 수납되는 챔버를 포함하고,
상기 챔버 내부의 유해가스를 배기하는 전처리 배기밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
11. The method of claim 10,
The wafer sampling module is
Prior to the surface sampling of the wafer, further comprising a wafer pre-processing unit for surface-treating the wafer,
The pre-processing unit includes a heating unit for applying heat to the wafer;
and a chamber in which the heating unit and the wafer are accommodated in an internal space,
Contaminant sampling system in the transport enclosure, characterized in that it comprises a pre-treatment exhaust valve for exhausting the harmful gas inside the chamber.
 제 12항에 있어서,
상기 전처리부는,
상기 챔버의 내부 오염도를 샘플링 하는 챔버 샘플링부를 더 포함하고,
상기 챔버 샘플링부는 불활성가스 주입부와, 샘플링 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
13. The method of claim 12,
The preprocessor is
Further comprising a chamber sampling unit for sampling the degree of contamination inside the chamber,
and the chamber sampling unit includes an inert gas injection unit and a sampling port.
 제 1항에 있어서,
외부에 샘플링 상황을 안내하는 안내부를 더 포함하고,
상기 제어부는
상기 분석부에서 오염물이 발견된 경우 상기 안내부를 제어하여 상기 안내부가 오염물이 발견되었음을 안내하도록 하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 시스템.
The method of claim 1,
Further comprising a guide for guiding the sampling situation to the outside,
the control unit
The contaminant sampling system in a transport enclosure according to claim 1, wherein when the analysis unit detects contaminants, the guide unit controls the guide unit to guide the detection of contaminants.
 운송 인클로저를 로드 포트에 로드하는 운송 인클로저 로딩 단계;
제어부가 운송 인클로저 샘플링 모듈을 이용하여 상기 운송 인클로저의 내부를 샘플링하는 운송 인클로저 샘플링 단계;
상기 제어부가 분석기를 이용하여 샘플링된 상기 운송 인클로저 내부의 오염물을 분석하는 운송 인클로저 분석 단계; 및
상기 운송 인클로저를 상기 로드 포트에서 언로드 하는 운송 인클로저 언로딩 단계;를 포함하고,
상기 운송 인클로저 분석 단계에서 상기 운송 인클로저 내부에 오염물이 검출된 경우,
상기 운송 인클로저 분석 단계에 후행되어
상기 제어부가 웨이퍼 샘플링 모듈을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면을 샘플링하는 웨이퍼 샘플링 단계; 및
상기 제어부가 상기 분석기를 이용하여 샘플링된 상기 웨이퍼의 표면의 오염물을 분석하는 웨이퍼 분석 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법.
a transport enclosure loading step of loading the transport enclosure into a load port;
a transport enclosure sampling step in which the control unit samples the inside of the transport enclosure using a transport enclosure sampling module;
a transport enclosure analysis step in which the control unit analyzes contaminants inside the transport enclosure sampled using an analyzer; and
a transport enclosure unloading step of unloading the transport enclosure from the load port;
When contaminants are detected inside the transport enclosure in the transport enclosure analysis step,
Following the transport enclosure analysis step,
a wafer sampling step in which the controller samples the surface of the wafer using a wafer sampling module; and
and a wafer analysis step in which the controller analyzes the contaminants on the sampled surface of the wafer using the analyzer.
 제 15항에 있어서,
상기 운송 인클로저 샘플링 단계는, 상기 제어부에 의해 수행되며,
상기 운송 인클로저와 상기 로드 포트 및 상기 로드 포트에 내삽된 샘플링 요구물질 주입부를 연결하는 운송 인클로저-로드포트 연결 단계와,
상기 운송 인클로저 샘플링 모듈을 이용하여 오염물을 샘플링하는 샘플링단계와,
운송 인클로저 오염물 시료 이송부를 이용하여 전처리된 상기 오염물을 상기 분석기로 이동시키는 오염물 이송 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법.
16. The method of claim 15,
The transport enclosure sampling step is performed by the control unit,
a transport enclosure-load port connection step of connecting the transport enclosure with the load port and a sampling request material injection part interpolated into the load port;
a sampling step of sampling contaminants using the transport enclosure sampling module;
Contaminant sampling method in a transport enclosure, comprising the step of transferring the contaminants pretreated to the analyzer using a transport enclosure contaminant sample transfer unit.
 삭제delete 제 15항에 있어서,
상기 웨이퍼 샘플링 단계는 상기 제어부에 의해 수행되며,
상기 웨이퍼를 상기 운송 인클로저 내부로부터 상기 웨이퍼 샘플링 모듈로 이송하는 웨이퍼 이송단계와,
노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면에 샘플링 용액을 도포하는 샘플 용액 도포단계와,
상기 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면을 세척하는 세척 단계와,
상기 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼의 표면에 남은 수분을 건조시키는 건조단계와,
웨이퍼 오염물 이송부를 이용하여 스캔된 상기 웨이퍼 표면의 오염물을 상기 분석기로 이동시키는 시료 이송단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법.
16. The method of claim 15,
The wafer sampling step is performed by the control unit,
a wafer transfer step of transferring the wafer from inside the transport enclosure to the wafer sampling module;
A sample solution application step of applying a sampling solution to the surface of the wafer using a nozzle;
a cleaning step of cleaning the surface of the wafer using the nozzle;
a drying step of drying the moisture remaining on the surface of the wafer using the nozzle;
and transferring the contaminants on the scanned wafer surface to the analyzer using a wafer contaminant transfer unit.
 제 18항에 있어서,
상기 샘플 용액 도포단계는,
상기 제어부가 상기 노즐을 상기 웨이퍼의 표면에서 일정 간격 이격시키고, 노즐 팁에서 상기 웨이퍼의 표면 상에 샘플링 용액을 분사시키는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법.
19. The method of claim 18,
The sample solution application step is,
The contaminant sampling method in the transport enclosure, wherein the controller separates the nozzle from the surface of the wafer by a predetermined interval and sprays a sampling solution on the surface of the wafer from a nozzle tip.
 제 18항에 있어서,
상기 샘플 용액 도포단계는,
상기 제어부가 샘플링 용액이 노즐 팁에 맺히고 상기 웨이퍼 표면에 접촉된 상태에서 상기 노즐이 상기 웨이퍼의 표면 상을 일정 간격 이격되어 이동하도록 하고, 상기 노즐의 내부에 음압을 이용하여 샘플링 용액을 응집시키는 것을 특징으로 하는 운송 인클로저 내 오염물 샘플링 방법.19. The method of claim 18,
The sample solution application step is,
The control unit causes the nozzle to move at a predetermined interval on the surface of the wafer in a state in which the sampling solution is focused on the nozzle tip and in contact with the wafer surface, and agglomerates the sampling solution using negative pressure inside the nozzle A method for sampling contaminants in a transport enclosure characterized.
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