KR102409487B1 - Control device for supplying analysis gas to load port for semiconductor wafer FOUP and control method thereof - Google Patents

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김호찬
전영수
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
본 발명은 풉(30)에 불활성 가스를 주입하고 배출하기 위해 상기 로드포트(20)에 연결하는 접속수단과, 상기 접속수단을 통해 풉(30)에 가스를 공급하는 가스공급수단과, 풉(30)으로부터 오염된 가스를 배출하는 클리닝수단과, 풉(30)으로부터 배출되는 불활성 가스를 분석하는 분석수단과, 상기 가스공급수단과 클리닝수단 및 분석수단의 온/오프를 제어하는 제어부(70)를 구비하며, 상기 제어부(70)는 모니터링 지표 및 오염정도 지표를 구비하는 데이터베이스(80)와; 모니터링 된 정보 및 입력되어 오염상황이 연산된 결과를 디스플레이하는 디스플레이부(90)를 포함하여 웨이퍼 제조과정의 오염도를 모니터링하고, 분석 및 클리닝을 수행한다.The present invention relates to a control device for supplying an analysis gas to a load port for a semiconductor wafer FOUP and a control method therefor.
The present invention provides a connection means for connecting to the load port 20 to inject and discharge an inert gas into and out of the FOUP 30, a gas supply means for supplying gas to the FOUP 30 through the connection means, and a FOUP ( 30) a cleaning means for discharging the contaminated gas, an analysis means for analyzing the inert gas discharged from the FOUP 30, and a control unit 70 for controlling on/off of the gas supply means, the cleaning means, and the analysis means The control unit 70 includes a database 80 having a monitoring index and a pollution degree index; The contamination level of the wafer manufacturing process is monitored, and analysis and cleaning are performed, including the display unit 90 for displaying the monitored information and the inputted contamination condition calculated result.

Description

반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법{Control device for supplying analysis gas to load port for semiconductor wafer FOUP and control method thereof}Control device for supplying analysis gas to load port for semiconductor wafer FOUP and control method thereof

본 발명은 반도체 웨이퍼 제조 처리 공정상에서 웨이퍼를 내장하여 운송하는 풉(Front Opening Unified Pod, FOUP) 내부의 가스 오염 정도를 측정하는 모니터링 시스템으로, EFEM(Equipment Front End Module)에 구비되는 로드포트(Load Port)에 가스공급수단, 접속수단, 분석수단 및 제어부를 구성하여 웨이퍼의 보관 및 이송을 위한 풉 내부에 불활성 가스를 공급 배출 및 분석할 수 있게 되어, 오염물질이 포함된 가스를 샘플링하여 풉 내부와 웨이퍼의 오염도 및 온/습도를 포함한 가스 상태를 계측하여 분석할 수 있는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.The present invention is a monitoring system that measures the degree of gas contamination inside a FOUP (Front Opening Unified Pod, FOUP) that embeds and transports a wafer during the semiconductor wafer manufacturing process. Port) by configuring the gas supply means, connection means, analysis means and control unit to supply, discharge and analyze the inert gas inside the FOUP for wafer storage and transfer. and a control device for supplying analysis gas to a load port for semiconductor wafer FOUP capable of measuring and analyzing the gas state including the contamination level and temperature/humidity of the wafer, and a control method thereof.

일반적으로 반도체 소자는 기판인 웨이퍼(wafer)상에 패턴 공정, 식각 공정, 이온 주입공정 등을 거치며 많은 양의 화학성분이 공급되어 화학적 오염이 발생한다. In general, a semiconductor device undergoes a pattern process, an etching process, an ion implantation process, etc. on a wafer which is a substrate, and chemical contamination occurs because a large amount of chemical components are supplied.

특히, 대기 중의 암모니아는 포토레지스터 변형과 광학 현미경의 백탁 현상 등으로 반도체 생산 수율과 밀접한 관계를 지니고 있기 때문에 지속적인 모니터링과 관리가 요구되고 있다.In particular, ammonia in the atmosphere is closely related to semiconductor production yield due to photoresist deformation and cloudiness of an optical microscope, so continuous monitoring and management are required.

웨이퍼(wafer)는 화학적 오염을 동반한 상태에서 풉(FOUP)이라는 웨이퍼 캐리어에 수용되어 다음 공정을 위해 이송되거나 수용된 채로 대기하게 되는데, 이때 오염된 웨이퍼(wafer)에 의해 풉 내부가 오염될 수 있다.A wafer is accommodated in a wafer carrier called FOUP in a state accompanied by chemical contamination and is transferred or accommodated for the next process. At this time, the inside of the FOUP may be contaminated by the contaminated wafer. .

이와 같이 오염된 풉 내부에서 웨이퍼(wafer)가 장시간 보관되어 풉이 특정 농도 수치 이상으로 오염되는 경우 웨이퍼(wafer)에 악영향을 끼쳐 제품 불량의 원인이 된다. 따라서 웨이퍼(wafer) 생산의 질적 향상을 위해 풉 내부의 가스 오염 정도를 신속하고 정확하게 측정하는 것이 매우 중요하다.As such, when a wafer is stored for a long time inside the contaminated FOOP and the FOOP becomes contaminated with a specific concentration value or more, it adversely affects the wafer and causes product defects. Therefore, it is very important to quickly and accurately measure the degree of gas contamination inside the FOUP to improve the quality of wafer production.

특히 반도체, FPD 산업에서는 웨이퍼의 고집적화, 패턴의 미세화에 따라 제품 불량을 방지하고 생산 수율 향상을 위하여 오염 물질을 pptv-ppbv의 매우 낮은 수준으로 관리하고 있다. 최근에는 제한된 환경에서 외부 존재하는 분자성 오염 물질과 웨이퍼를 그본적으로 차단하는 국제규격의 시스템이 적용되고 있다.In particular, in the semiconductor and FPD industries, contaminants are managed at a very low level of pptv-ppbv in order to prevent product defects and improve production yield due to high integration of wafers and miniaturization of patterns. Recently, an international standard system that essentially blocks externally existing molecular contaminants and wafers in a limited environment has been applied.

웨이퍼 제조장치간 인터페이스 국제규격에 따른 SMIF, FIMS 시스템은 웨이퍼를 각종 오염원과 외부환경으로부터 완전 차단해 높은 청정도를 확보한 공간 속에서 고품질 반도체를 생산할 수 있는 반도체 제조 공정을 진행한다.The SMIF and FIMS systems in accordance with the international standards for the interface between wafer manufacturing devices carry out the semiconductor manufacturing process that can produce high-quality semiconductors in a space with high cleanliness by completely blocking the wafer from various contamination sources and external environments.

이 시스템은 웨이퍼가 클린룸에 노출돼 클린룸의 환경변화에 따라 오염원으로부터 쉽게 영향을 받는 전통적 반도체 생산방식과 달리 풉이라는 밀폐된 특수용기에 웨이퍼를 보관, 운반함으로써, 생산설비 노화로 인한 화학적 누설을 비롯해 정전사고로 인한 배기중단, 생산 라인 출입 작업자 등에게 발생하는 미진, 화학가스·불순물·이온 등 공정 대기 중인 웨이퍼를 오염시켜 제품 수율을 저하시키는 원인을 원천적으로 방지해 준다.Unlike the traditional semiconductor production method, in which wafers are exposed to the clean room and are easily affected by pollution sources according to the environmental change in the clean room, this system stores and transports wafers in a special sealed container called FOOP, so chemical leakage due to aging of production facilities. In addition, it fundamentally prevents the causes of lowering product yield by contaminating wafers waiting in the process, such as exhaust gas interruption due to power outage, fine dust generated by workers entering and exiting the production line, chemical gases, impurities, and ions.

세계 반도체 제조 장비 표준안에 따르는 FIMS 시스템에는 증착공정, 식각공정, 세정공정, 건조공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정 중에 웨이퍼(Wafer) 또는 레티클(Reticle) 등을 자동으로 FIMS 시스템으로 이송하기 위한 웨이퍼 처리 장치로 로드포트(Load Port)가 사용된다.The FIMS system that conforms to the global semiconductor manufacturing equipment standard includes wafer processing to automatically transfer wafers or reticles to the FIMS system during different stages of various processes such as deposition, etching, cleaning, and drying processes. A load port is used as the device.

상기 풉은 웨이퍼를 외부 오염물로부터 보호하기 위해 밀폐된 상태로 이송되며, 일정한 처리 단계를 수행하기 위헤 EFEM과 같은 처리 장치에 도달하면, 커버가 개방될 수 있다. 그리고 풉의 내부는 임의의 화학 잔류물을 제거하기 위해 불활성 가스 등으로 클리닝될 수 있으며, 이에 대한 기술로는 한국공개 특허공보 제10-2019-0046581호 "기판 캐리어 퇴화 검출 및 수리"에 개시되어 있다.The FOUP is transported in a sealed state to protect the wafer from external contamination, and upon reaching a processing device such as an EFEM to perform certain processing steps, the cover may be opened. And the inside of the FOUP can be cleaned with an inert gas or the like to remove any chemical residues, and as a technology for this, it is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2019-0046581 "Detection and repair of substrate carrier degradation" have.

상기 풉으로 정화가스를 공급하고 배기가스를 추출하는 과정은 한국공개특허공보 제10-2019-0067106호 "기판 반출입 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 용기의 제전 방법"에 개시되어 있다.The process of supplying the purification gas to the FOUP and extracting the exhaust gas is disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2019-0067106 "A device for carrying in/out of a substrate, a method for discharging a substrate processing apparatus and a substrate transport container".

풉에 담긴 웨이퍼를 EFEM과 같은 반도체 제조 장비에 공급하기 위하여 로드포트(Load Port)가 사용된다.A load port is used to supply the wafer contained in the FOUP to semiconductor manufacturing equipment such as EFEM.

이 장치는 풉 내부로부터 EFEM 내부로 웨이퍼를 송출할 때, 또는 EFEM으로부터 풉으로 환송될 때 풉의 내부 공간과 EFEM의 내부 공간이 서로 연통하게 된다.In this device, the inner space of the FOOP and the inner space of the EFEM communicate with each other when the wafer is sent from the inside of the FOOP to the inside of the EFEM, or when the wafer is sent back from the EFEM to the inside of the EFEM.

이때, 풉 내부의 웨이퍼가 수납된 환경이 EFEM 내부보다 청정도가 낮으면, 풉 내부의 가스가 EFEM 내부로 진입하며, EFEM 내부보다 풉 내부의 청정도보다 낮으면, EFEM 내부의 가스가 풉 내부로 진입하여 반도체 제조 장치 내부의 웨이퍼 표면에 산화막이 형성되는 등 악영향을 줄 수 있다. At this time, if the environment in which the wafer inside the FOOP is housed is less clean than the inside of the EFEM, the gas inside the FOOP enters the EFEM. As a result, an oxide film is formed on the surface of the wafer inside the semiconductor manufacturing apparatus, which may adversely affect.

따라서, 풉 내부는 웨이퍼를 반출입하는 과정에서 내부 공간의 클리닝과 함께 청정도가 모니터링 되어야 한다.Therefore, the cleanliness of the inside of the FOUP must be monitored along with the cleaning of the internal space in the process of loading and unloading wafers.

KR 10-2019-0046581 A (2019. 05. 07.)KR 10-2019-0046581 A (2019. 05. 07.) KR 10-2019-0067106 A (2019. 06. 14.)KR 10-2019-0067106 A (2019. 06. 14.)

본 발명의 목적은 로드포트 상에서 풉이 개방되어 풉으로부터 EFEM으로 웨이터가 이송되거나, EFEM으로부터 풉으로 웨이퍼가 이송될 때 내부 공간의 연통으로 인해 풉 내부가 오염되는 상황을 모니터링 하고, 오염 정도를 분석할 수 있는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to monitor the situation in which the inside of the FOOP is contaminated due to the communication of the internal space when the FOOP is opened on the load port and the waiter is transferred from the FOOP to the EFEM or the wafer is transferred from the EFEM to the FOOP, and the degree of contamination is analyzed An object of the present invention is to provide a control device for supplying analysis gas to a load port for semiconductor wafer FOUP and a control method therefor.

본 발명의 다른 목적은 로드포트 상에서 풉이 개방되어 풉으로부터 EFEM으로 웨이터가 이송되거나, EFEM으로부터 풉으로 웨이퍼가 이송될 때 내부 공간의 연통으로 인해 풉 내부가 오염되는 상황을 모니터링 하고, 오염 정도를 분석하며, 풉 내부의 온도와 습도를 모니터링하여 높은 청정도를 확보한 공간 속에서 고품질 반도체를 생산할 수 있는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to monitor the situation in which the inside of the FOOP is contaminated due to the communication of the internal space when the FOOP is opened on the load port and a waiter is transferred from the FOOP to the EFEM or a wafer is transferred from the EFEM to the FOOP, and the degree of contamination is monitored. This is to provide a control device and control method for supplying analysis gas to the load port for semiconductor wafer FOUP that can produce high-quality semiconductors in a space with high cleanliness by monitoring the temperature and humidity inside the FOUP.

본 발명이 이루고자 하는 목적 및 그 기술적 과제는 앞서 기재한 기술적 과제에 한정되는 것이 아니다. 따라서 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The purpose of the present invention and its technical problems are not limited to the technical problems described above. Accordingly, other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the following description.

본 발명에 따르면, 웨이퍼 제조과정과 풉 내부의 웨이퍼를 반출입하는 과정에서 내부 공간의 클리닝과 함께 청정도가 모니터링되어 웨이퍼 제조과정에서의 청정도를 확보할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the cleanliness is monitored along with the cleaning of the internal space during the wafer manufacturing process and the process of loading and unloading the wafers inside the FOoop, thereby securing the cleanliness in the wafer manufacturing process.

도 1은 본 발명 실시예의 로드포트가 적용된 EMEM의 사시도.
도 2는 본 발명 실시예의 로드포트에 풉이 결합되기 전의 사시도.
도 3은 본 발명 실시예의 로드포트에 풉이 결합된 정면도.
도 4는 본 발명에 따른 시스템 구성도.
도 5는 본 발명 실시얘의 로드포트에 로딩된 풉이 EMEM에 도킹되는 상태를 나타낸 측면도.
도 6은 본 발명에 따른 분석 플로우차트.1 is a perspective view of an EMEM to which a load port of an embodiment of the present invention is applied.
Figure 2 is a perspective view before the FOUP is coupled to the load port of the embodiment of the present invention.
Figure 3 is a front view in which the FOUP is coupled to the load port of the embodiment of the present invention.
4 is a system configuration diagram according to the present invention.
Figure 5 is a side view showing a state in which the FOOP loaded in the load port of the present invention is docked in the EMEM.
6 is an analysis flow chart according to the present invention;

본 발명의 특징과 장점은 첨부된 도면에 의하여 설명되는 실시예에 의하여 보다 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The features and advantages of the present invention will be more clearly understood by the embodiments described by the accompanying drawings.

본 발명의 실시예에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열에 의해 본 발명의 응용이 제한되는 것이 아니다. 본 발명은 다른 실시예 들로 구현될 수 있고, 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또한 장치 또는 요소의 방향 등과 같은 용어들에 관하여 실시예에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되며, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다. 예를 들면, "제1", "제2"와 같은 용어가 본 발명을 설명하는 실시예와 청구항에 사용되는데, 이러한 용어가 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.The application of the present invention is not limited by the configuration and arrangement of components described in the embodiments of the present invention or shown in the drawings. The present invention is capable of being embodied in other embodiments and of being carried out in various ways. Also, expressions and predicates used in the examples with respect to terms such as the orientation of devices or elements are used only to simplify the description of the present invention, and do not indicate or imply that the related devices or elements simply have to have a specific orientation. . For example, terms such as "first" and "second" are used in the embodiments and claims describing the present invention, but such terms are not intended to indicate or imply relative importance or spirit.

또한 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니되며, 발명자가 발명의 용어와 개념을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념에 입각하여 기재한 것으로 해석하여야 한다.In addition, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to conventional or dictionary meanings, and in order for the inventor to explain the terms and concepts of the invention in the best way, it is consistent with the technical idea of the present invention. It should be interpreted as written based on the meaning and concept of

따라서 본 발명은 제시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위에 기재된 기술사상의 균등한 범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능하다.Therefore, the present invention is not limited to the presented embodiments, and within the equivalent scope of the technical spirit of the present invention and the technical spirit described in the claims to be described below by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Various modifications and changes are possible in

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 기술적 범주를 벗어남이 없이 다양한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형예 들을 포함할 수 있다.Although the present invention has been mainly described with reference to the accompanying drawings, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the technical scope thereof. Accordingly, the scope of the present invention may include many such modifications.

다음에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 실시예의 로드포트가 적용된 EMEM의 사시도이고, 도 2는 본 발명 실시예의 로드포트에 풉이 결합되기 전의 사시도를 나타내고 있다.1 is a perspective view of an EMEM to which a load port of an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a perspective view before the FOUP is coupled to the load port of an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명이 적용되는 시스탬은 EFEM(10), 상기 EFEM(10)에 부착되는 로드포트(20) 및 상기 로드포트(20)에 로딩/언로딩되는 풉(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the system to which the present invention is applied includes an EFEM 10 , a load port 20 attached to the EFEM 10 , and a FOUP 30 that is loaded/unloaded to the load port 20 . do.

EFEM(10)은 풉 오프너와 로더(도시되지 아니함)가 풉(30) 내부에 있는 웨이퍼를 공정장비에 로딩/언로딩해 주는 인터페이스 시스템으로, 기존 반도체 생산방식을 벗어나 웨이퍼를 오염원으로부터 완벽한 차단이 가능하며, 내부가 높은 청정도를 유지할 수 있도록 필터 모듈(도시되지 아니함)을 구비한다.The EFEM (10) is an interface system in which a FOOP opener and a loader (not shown) load/unload wafers inside the FOOP 30 to process equipment. It is possible, and a filter module (not shown) is provided so that the inside can maintain a high degree of cleanliness.

로드포트(20)는 증착공정, 식각공정, 세정공정, 건조공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정 중의 웨이퍼(W)가 적재 저장된 풉을 자동으로 이송하기 위한 웨이퍼 처리 장치로, 풉(30)에 불활성 가스를 주입하고 배출할 수 있도록 상기 로드포트(20)에 연결되는 접속수단을 구비한다.The load port 20 is a wafer processing device for automatically transporting the FOUP loaded and stored with the wafer W during different processes in various stages such as the deposition process, the etching process, the cleaning process, and the drying process, and is inert to the FOUP 30 . A connection means connected to the load port 20 is provided so that gas can be injected and discharged.

상기 접속수단으로 로드포트(20)의 스테이지(200)상에서 풉(30)을 고정하기 위한 2개의 고정구(210, 210a)와 샘플링을 위한 2개의 접속구(220, 220a)가 구성되어 있다.As the connection means, two fasteners 210 and 210a for fixing the FOUP 30 on the stage 200 of the load port 20 and two connection ports 220 and 220a for sampling are configured.

상기 고정구(210, 210a)는 로드포트(20)의 스테이지(200) 좌우측에 각각 힌지로 회전 가능하게 고정되는 2개의 공압실린더(230, 230a)에 의해 승강이동하며 로드포트(20)의 스테이지(200)상에 안착된 풉(30)을 유동없이 고정시킨다.The fixtures 210 and 210a are lifted and moved by two pneumatic cylinders 230 and 230a that are rotatably fixed to the left and right sides of the stage 200 of the load port 20 by hinges, respectively, and the stage ( 200), the FOUP 30 seated on the top is fixed without movement.

상기 접속구(220, 20a)는 흡입관(250)과 배출관(260)에 각각 고정되는 공압실린더(240, 240a)의 상단부에 형성되어 로드포트(20)의 스테이지(200)상에 안착된 풉(30)의 저면에 접속되어 불활성 공급가스를 공급하거나, 풉(30) 내 가스를 모니터링 및 분석하기 위해 풉(30) 내부로부터 가스를 배출시킬 수 있게 된다.The connection ports 220 and 20a are formed at the upper ends of the pneumatic cylinders 240 and 240a fixed to the suction pipe 250 and the discharge pipe 260, respectively, and are seated on the stage 200 of the load port 20. ) to supply an inert supply gas, or to discharge gas from the inside of the FOUP 30 to monitor and analyze the gas in the FOUP 30 .

특히, 고정구(210, 210a)는 접속구(220, 220a) 접속시 풉(30)이 공압의 힘을 견디지 못하고 위로 들리는 것을 방지할 수 있게 된다.In particular, the fasteners 210 and 210a can prevent the FOUP 30 from being lifted up without enduring the pneumatic force when the connection ports 220 and 220a are connected.

풉(30)은 다단 트레이(T)에 웨이퍼(W)가 적재 저장되고, 이 웨이퍼(W)를 EFEM(10) 내부의 이송장치인 로봇으로 넘겨줄 수 있게 하는 인터페이스 장치이며, 저면에는 상기 접속구(220, 220a)를 접속시키기 위한 브레스 홀(300, 300a)이 형성되어 있다.The FOUP 30 is an interface device that allows the wafer W to be loaded and stored in the multi-stage tray T, and to be transferred to the robot, which is a transfer device inside the EFEM 10, and the connection port on the bottom surface. Breath holes 300 and 300a for connecting 220 and 220a are formed.

상기 풉(30)은 웨이퍼(W)를 외부 오염물로부터 보호하기 위해 밀폐된 상태로 이송되며, 일정한 처리 단계를 수행하기 위헤 EFEM(10)과 같은 처리 장치에 도달하면, 후면의 커버가 개방될 수 있다. 그리고, EFEM(10)에 구비되는 로봇에 의해 웨이퍼(W)가 풉(30)으로부터 EFEM(10)으로 이송되고, EFEN(10)으로부터 풉(30)으로 환송될 수 있다.The FOUP 30 is transported in a sealed state to protect the wafer W from external contamination, and when it reaches a processing device such as the EFEM 10 to perform a certain processing step, the back cover may be opened. have. In addition, the wafer W may be transferred from the FOOP 30 to the EFEM 10 by a robot provided in the EFEM 10 , and may be returned from the EFEN 10 to the FOOP 30 .

또한, 풉(30)의 내부는 임의의 화학 잔류물이 제거될 수 있다.Also, the interior of the FOUP 30 may be freed of any chemical residues.

예를 들어, 로드포트(20)에 풉(30)이 로딩 및 언로딩된 상태, 또는, 풉(30)의 도어를 EFEM(10)의 로봇이 개방하여 풉(1)의 내부 공간과 반도체 제조 장치의 내부 공간을 연통시킨 상태에서, 질소(N2)와 같은 소정의 불활성 가스가 흡입관(250)을 통해 풉(30) 내부에 불어넣어지며, 또한, 풉(30) 내의 가스가 배출관(260)을 통해 배출될 수 있게 된다.For example, when the FOOP 30 is loaded and unloaded in the load port 20, or the door of the FOOP 30 is opened by the robot of the EFEM 10, the internal space of the FOOP 1 and semiconductor manufacturing In a state in which the internal space of the device is communicated, a predetermined inert gas such as nitrogen (N2) is blown into the FOUP 30 through the suction pipe 250, and the gas in the FOUP 30 is discharged through the discharge pipe 260 can be released through

흡입관(250)과 배출관(260)은 로드포트(20) 내부에 구비되며, 흡입관(250)과 배출관(260)에 각각 형성된 접속구(220, 220a)가 풉(30) 바닥면에 천공된 브레스 홀(300, 300a)에 접속되어 가스의 흡입과 배출이 이루어지게 된다.The suction pipe 250 and the discharge pipe 260 are provided inside the load port 20, and the connection ports 220 and 220a respectively formed in the suction pipe 250 and the discharge pipe 260 are breath holes drilled in the bottom surface of the FOUP 30. (300, 300a) is connected to the suction and discharge of the gas is made.

흡입관(250)은 접속수단을 통해 풉(30)에 가스를 공급하는 가스공급수단이 구비되며, 풉(30) 내부에 이물질이 존재하는 경우, 웨이퍼(W)에 불량을 유발할 수 있으므로, 접속구(220)가 풉(30)에 접속된 상태에서 질소 가스(N2)등의 불활성가스를 일정량 공급하여 이물질을 제거할 수 있게 한다.The suction pipe 250 is provided with a gas supply means for supplying gas to the FOUP 30 through the connection means, and if foreign substances exist inside the FOUP 30, it may cause a defect in the wafer W, so the connection port ( 220) is connected to the FOUP 30, and a certain amount of an inert gas such as nitrogen gas (N2) is supplied to remove foreign substances.

상기 가스공급수단은 가스탱크(미도시)와 연결되는 불활성가스 공급펌프(40)로 구성될 수 있다.The gas supply means may be composed of an inert gas supply pump 40 connected to a gas tank (not shown).

가스공급수단은 클리닝 수단을 구성하는 진공펌프(P1)를 통해 가스가 공급되게 할 수 있다.The gas supply means may allow gas to be supplied through the vacuum pump P1 constituting the cleaning means.

배출관(260)에는 클리닝수단과 분석수단을 구비한다.The discharge pipe 260 is provided with a cleaning means and an analysis means.

상기 클리닝수단은 예를 들면, 제1 진공펌프(P1)로 구성되며, 배출관(260)으로부터 분기되는 제1 분기관(261)에 형성되어 풉(30) 내부의 가스 오염도가 일정 기준치 이상이 되면 풉(30) 내부의 오염된 가스를 흡입하여 배출한다.The cleaning means is, for example, composed of a first vacuum pump (P1) and is formed in the first branch pipe (261) branching from the discharge pipe (260). The polluted gas inside the FOUP 30 is sucked and discharged.

상기 제1 분기관(261)의 분기 지점에는 삼방밸브(V)가 형성되어 배출관(260)과 제1 분기관(261)이 삼방밸브(V)에 의해 연결된다.A three-way valve (V) is formed at the branch point of the first branch pipe (261), and the discharge pipe (260) and the first branch pipe (261) are connected by the three-way valve (V).

이러한 상기 삼방밸브(V)는 후술되는 제어부(70)에 의해 제어되도록 구성될 수 있다.The three-way valve (V) may be configured to be controlled by a control unit 70 to be described later.

상기 제1 분기관(261)에는 삼방밸브(V)와 클리닝수단 사이에 체크밸브(CV)가 형성되어 클리닝수단으로부터 배출 가스가 역류되는 것이 방지된다.A check valve (CV) is formed in the first branch pipe (261) between the three-way valve (V) and the cleaning means to prevent a reverse flow of the exhaust gas from the cleaning means.

상기 분석수단은 가스센서를 구비하여 배출관(260)으로부터 분기되는 제2 분기관(262)에 형성되는 가스 센서부(50)와, 배출관(260)으로부터 분기되는 제3 분기관(263)에 형성되는 오염도 분석부(60)로 구성된다.The analysis means is provided with a gas sensor, and is formed in the gas sensor unit 50 formed in the second branch pipe 262 branched from the discharge pipe 260 , and the third branch pipe 263 branched from the discharge pipe 260 . It is composed of a pollution degree analysis unit (60).

상기 가스 센서부(50)는 상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 온도 및 습도를 포함하는 가스상태를 계측 및 분석하여 모니터링 지표를 생성하는 것이다.The gas sensor unit 50 receives the gas inside the FOUP 30 from the connection means, measures and analyzes the gas state including temperature and humidity, and generates a monitoring index.

상기 오염도 분석부(60)는 상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 오염원을 분석하여 오염정도 지표를 생성하는 것이다.The pollution level analysis unit 60 receives the gas inside the FOUP 30 from the connection means and analyzes the source of pollution to generate a pollution level indicator.

상기 가스공급수단, 클리닝수단 및 분석수단은 제어부(70)에 의해 제어된다.The gas supply means, cleaning means and analysis means are controlled by the control unit 70 .

상기 제어부(70)는 상기 모니터링 지표 및 오염정도 지표가 저장되는 데이터베이스(80)와 연결되어 가스의 오염정도를 연산하도록 구성됨으로써, 상기 가스공급수단, 클리닝수단 및 분석수단의 온/오프를 제어하며, 상기 모니터링 지표 및 오염정도 지표를 디스플레이부(90)에 디스플레이하도록 구성된다.The control unit 70 is connected to the database 80 in which the monitoring index and the pollution level index are stored and is configured to calculate the pollution level of the gas, thereby controlling the on/off of the gas supply means, the cleaning means and the analysis means, , is configured to display the monitoring index and the pollution level index on the display unit 90 .

또한 상기 제어부(70)는, 상기 풉(30)의 로드포트(20) 로딩, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹해제, 상기 풉(30)의 복귀 동작, 상기 모니터링 지표 및 오염정도 지표에 따라, 상기 삼방밸브의 구동과, 상기 가스공급수단, 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)의 온오프를 제어하도록 구성될 수 있다.In addition, the control unit 70 includes: loading the load port 20 of the FOUP 30 , docking the EFEM 10 of the FOUP 30 , undocking the EFEM 10 of the FOUP 30 , and the FOUP 30 . ), the operation of the three-way valve, and the on/off control of the gas supply means, the cleaning means, the gas sensor unit 50 and the pollution level analysis unit 60 according to the return operation, the monitoring index and the pollution level index can be

예를 들어 상기 제어부(70)는, 상기 데이터베이스(80)에 구비되는 모니터링 지표 및 오염정도 지표에 따라, 상기 모니터링 지표에서 나타나는 수치가 미리 설정된 수치 이상인 경우 상기 가스공급수단을 온 상태로 제어하여 상기 풉(30)의 내부에 불활성 가스를 공급하도록 구성될 수 있고, 상기 오염정도 지표에서 나타나는 수치가 미리 설정된 수치 이상인 경우 상기 클리닝수단을 온 상태로 제어하여 상기 풉(30) 내부의 오염된 가스를 흡입하여 배출하도록 구성될 수 있다.For example, the control unit 70 controls the gas supply means to be in an ON state when the numerical value displayed in the monitoring index is greater than or equal to a preset value according to the monitoring index and the pollution degree index provided in the database 80 . It may be configured to supply an inert gas to the inside of the FOUP 30, and when the value shown in the contamination level indicator is greater than or equal to a preset value, the cleaning means is turned on to remove the contaminated gas inside the FOUP 30 It may be configured to inhale and excrete.

오퍼레이팅 패널(OP)은 작업자의 제어 조작을 돕는다.The operating panel OP helps the operator to operate the control.

제어부(70)의 제어 설정은 오퍼레이팅 패널(OP)에 의해 자유롭게 설정되거나, 펌웨어에 고정 설정될 수 있다.The control setting of the controller 70 may be freely set by the operating panel OP or may be fixedly set in firmware.

위와 같이 구성되는 본 발명의 제어장치에 따라, 풉에 분석가스가 공급되는 제어방법을 살펴본다.A control method in which an analysis gas is supplied to the FOUP according to the control device of the present invention configured as above will be described.

로드포트(20)의 스테이지(200)에 풉(30)을 안착하여 로딩한다.(S100)The FOUP 30 is seated on the stage 200 of the load port 20 and loaded. (S100)

풉(30)에 불활성 가스를 주입하여 오염원이 클리닝되도록 일정량의 불활성가스를 공급한다.(S200)Inert gas is injected into the FOUP 30 to supply a certain amount of inert gas to clean the contamination source. (S200)

풉(30)으로부터 가스를 배출하여 분석수단으로 이송한다.(S300)The gas is discharged from the FOUP 30 and transferred to the analysis means. (S300)

제어부(70)로부터 샘플링된 가스 상태의 계측 분석 설정여부를 확인한다.(S400)It is checked whether the measurement and analysis of the sampled gas state is set by the control unit 70 (S400).

이때, 온/습도 등의 가스 상태 계측 분석이 필요하면 가스 상태를 계측 분석한 후(S410) 오염 상태의 1차분석(S500)을 수행하고, 가스 상태의 계측 분석이 필요치 않으면 가스를 계측 및 분석하지 않고 오염 상태의 1차분석(S500)을 수행한다.At this time, if measurement and analysis of the gas state such as temperature/humidity is required, the gas state is measured and analyzed (S410) and then the primary analysis (S500) of the contamination state is performed. If measurement and analysis of the gas state is not required, the gas is measured and analyzed without performing the primary analysis (S500) of the contamination state.

오염 상태의 1차분석 단계(S500)에 따라 풉(30) 내부의 클리닝 여부를 판단(S600)하여 클리닝이 필요한 경우, 클리닝(S610)을 수행하고, 풉(30)을 EFEM(10)에 도킹(S700)하며, 풉(30) 내부의 클리닝이 필요치 않은 경우 클리닝(S610)을 수행하지 않고, 로드포트(20) 상의 풉(30)을 EFEM(10)에 도킹(S700)한다.According to the primary analysis step (S500) of the contamination state, it is determined (S600) whether the inside of the FOUP 30 is cleaned. If cleaning is required, the cleaning (S610) is performed, and the FOUP 30 is docked to the EFEM 10. (S700), and if the cleaning of the inside of the FOOP 30 is not required, the cleaning (S610) is not performed, and the FOOP 30 on the load port 20 is docked to the EFEM 10 (S700).

또한, 1차분석 결과 샘플링된 가스의 오염 상태가 설정치 이상이면 클리닝을 수행(S600)하여 로드포트(20) 상의 풉(30)을 EFEM(10)에 도킹(S700)하고, 샘플링된 가스의 오염 상태가 설정치 이하이면 클리닝을 하지 않고 풉(30)을 EFEM(10)에 도킹(S700)한다.In addition, if the contamination state of the sampled gas as a result of the primary analysis is greater than or equal to the set value, cleaning is performed (S600), the FOUP 30 on the load port 20 is docked to the EFEM 10 (S700), and the contamination of the sampled gas is performed (S700). If the state is below the set value, the FOUP 30 is docked to the EFEM 10 without cleaning (S700).

풉(30)이 EFEM(10)에 도킹(S700)되면, EFEM(10)에 구비된 장비를 이용하여 풉(30)의 웨이퍼(W)를 EFEM(10)으로 이송하여 필요한 제조공정을 수행하고, 샘플링하여 웨이퍼(W)의 오염상태를 분석(S800)한다.When the FOUP 30 is docked (S700) on the EFEM 10, the wafer W of the FOOP 30 is transferred to the EFEM 10 using the equipment provided in the EFEM 10 to perform the necessary manufacturing process. , to analyze the contamination state of the wafer W by sampling (S800).

풉(30)은 후면에 웨이퍼의 반출입구가 형성되고, 이 반출입구의 개방이 가능한 도어를 하고 있다. 그리고, 로드포트(20)를 통해 풉(30)의 후면이 EFEM(10)에 밀착되면, 이들 도어부 및 도어가 동시에 열리고, 풉 내의 웨이퍼(W)가 반출입구를 통해서 EFEM(10) 내부로 공급된다. 그 후, 다양한 가공 처리 공정이 실시된 웨이퍼는 EFEM(10) 내부로부터 풉(30) 내에 다시 수용된다.The FOUP 30 has a wafer carrying inlet formed on the rear surface, and a door capable of opening this carrying out inlet. And, when the rear surface of the FOOP 30 is in close contact with the EFEM 10 through the load port 20, these doors and doors are opened at the same time, and the wafer W in the FOOP is moved into the EFEM 10 through the inlet and exit port. is supplied After that, the wafer subjected to various processing processes is received again in the FOUP 30 from the inside of the EFEM 10 .

EFEM(10)에서의 제조공정 및 샘플링이 완료되면, EFEM(10) 내의 웨이퍼(W)를 풉(30)으로 환송시키고, 풉(30)을 복귀(S900)시킨다.When the manufacturing process and sampling in the EFEM 10 are completed, the wafer W in the EFEM 10 is returned to the FOUP 30, and the FOUP 30 is returned (S900).

여기서, EFEM(10)의 내부는 웨이퍼의 처리 또는 가공에 적합한 소정의 가스 분위기로 유지되어 있지만, 풉(30) 내부로부터 EFEM(10) 내부로 웨이퍼(W)를 이송할 때 풉(30)의 내부 공간과 EFEM(10)의 내부 공간이 서로 연통하게 되므로 오염도의 모니터링 및 분석을 필요로 한다.Here, the inside of the EFEM 10 is maintained in a predetermined gas atmosphere suitable for processing or processing the wafer, but when transferring the wafer W from the inside of the FOUP 30 to the inside of the EFEM 10 , the Since the internal space and the internal space of the EFEM 10 communicate with each other, it is necessary to monitor and analyze the degree of contamination.

떠러서, 풉(30)이 복귀되면, 풉(30) 내 가스 오염도를 샘플링 및 분석하는 2차분석단계(S1000)를 수행하여 2차 클리닝이 필요하면 2차 클리닝 단계(S1110)를 수행한 후 풉(30)을 로드포트(20)로부터 언로딩(S1200)하고, 2차 클리닝이 필요치 않으면, 2차 클리닝 단계(S1100)없이 풉(30)을 로드포트(20)로부터 언로딩(S1200)한다.When the FOUP 30 is returned, a secondary analysis step (S1000) of sampling and analyzing the gas contamination level in the FOUP 30 is performed. If secondary cleaning is required, the secondary cleaning step (S1110) is performed The FOOP 30 is unloaded from the load port 20 (S1200), and if the secondary cleaning is not required, the FOOP 30 is unloaded from the load port 20 (S1200) without the secondary cleaning step (S1100). .

바람직한 실시예를 아래와 같이 추가로 기재한다.Preferred embodiments are further described as follows.

EFEM(10)에 결합되는 로드포트(20)에 로딩되는 풉(30)에 적용되는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치에 있어서, 상기 풉(30)을 로드포트(20)에 접속하기 위한 복수 개의 접속구와, 상기 각 접속구에 구비되는 관로를 포함하는 접속수단; 이물질 제거를 위해 상기 접속수단을 통해 풉(30)에 불활성 가스를 공급하는 가스공급수단; 상기 풉(30) 내부 가스 오염도가 일정 기준치 이상이면 내부 가스를 흡입하여 상기 접속수단을 통해 배출하는 클리닝수단; 상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 온도 및 습도를 포함하는 가스상태를 계측 및 분석하여 모니터링 지표를 생성하는 가스 센서부(50); 상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 오염원을 분석하여 오염정도 지표를 생성하는 오염도 분석부(60); 및 상기 가스공급수단, 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)를 제어하는 제어부(70);를 포함하되, 상기 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)는 상기 접속수단의 관로에서 삼방밸브로 분기되어 접속되고, 상기 제어부(70)는, 상기 풉(30)의 로드포트(20) 로딩, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹해제, 상기 풉(30)의 복귀 동작, 상기 모니터링 지표 및 오염정도 지표에 따라, 상기 삼방밸브의 구동과, 상기 가스공급수단, 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)의 온오프를 제어하도록 구성되고, 상기 접속수단과 클리닝수단의 사이에 가스 역류를 방지하기 위한 체크밸브를 더 포함하며, 모니터링된 정보 및 오염상황이 연산된 결과를 디스플레이하는 디스플레이부(90)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치.A control device for supplying analysis gas to a load port for semiconductor wafer FOOP applied to a FOUP (30) loaded into a load port (20) coupled to an EFEM (10), wherein the FOUP (30) is connected to the load port (20) a connection means including a plurality of connection ports for connection, and a conduit provided in each connection port; a gas supply means for supplying an inert gas to the FOUP 30 through the connection means to remove foreign substances; a cleaning means for sucking the internal gas and discharging it through the connection means when the gas contamination level inside the FOUP 30 is higher than a predetermined reference value; a gas sensor unit 50 receiving the gas inside the FOUP 30 from the connection means, measuring and analyzing a gas state including temperature and humidity, and generating a monitoring index; a pollution level analysis unit 60 that receives the gas inside the FOUP 30 from the connection means and analyzes the source of pollution to generate a pollution level indicator; and a control unit 70 for controlling the gas supply unit, the cleaning unit, the gas sensor unit 50 and the contamination level analysis unit 60; including, the cleaning unit, the gas sensor unit 50 and the contamination level analysis unit 60 ) is branched and connected to a three-way valve from the conduit of the connection means, and the control unit 70 includes: loading the load port 20 of the FOUP 30, docking the EFEM 10 of the FOUP 30, and the FOUP (30) undocking of the EFEM 10, the return operation of the FOUP 30, the driving of the three-way valve according to the monitoring index and the contamination level index, the gas supply means, the cleaning means, and the gas sensor unit 50 ) and the pollution level analysis unit 60 is configured to control the on-off, and further includes a check valve for preventing gas backflow between the connection means and the cleaning means, the monitored information and the contamination status calculated results Control device for supplying analysis gas to the load port for semiconductor wafer FOUP, characterized in that it further comprises a display unit 90 for displaying.

지금까지 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았다.So far, the present invention has been focused on preferred embodiments.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 하나의 실시예에 관련된 것이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형된 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings relate to one most preferred embodiment of the present invention, and do not represent all of the technical spirit of the present invention, so various equivalents and modifications that can be substituted for them are It should be understood that there may be examples.

따라서 본 발명은 제시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위에 기재된 기술사상의 균등한 범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능한 실시예가 있을 수 있다.Therefore, the present invention is not limited to the presented embodiments, and within the equivalent scope of the technical spirit of the present invention and the technical spirit described in the claims to be described below by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. There may be embodiments in which various modifications and changes are possible.

10: EFEM 20: 로드포트
30: 풉 50: 가스 센서부
60: 오염도 분석부 70: 제어부
80: 데이터베이스 90: 디스플레이부
200: 스테이지 210, 210a: 고정부
220, 220a: 접속부 230, 230a: 공압실린더
240, 240a: 공압실린더 250: 흡입관
260: 배출관 261: 제1 분기관
262: 제2 분기관 263: 제3 분기관
300, 300a: 브레스 홀 OP: 오퍼레이팅 패널
T: 트레이 W: 웨이퍼
V: 삼방밸브 CV: 체크밸브
P1, P2, P3: 진공펌프10: EFEM 20: load port
30: FOOP 50: gas sensor unit
60: pollution level analysis unit 70: control unit
80: database 90: display unit
200: stage 210, 210a: fixed part
220, 220a: connection part 230, 230a: pneumatic cylinder
240, 240a: pneumatic cylinder 250: suction pipe
260: discharge pipe 261: first branch pipe
262: second branch 263: third branch
300, 300a: Breath hole OP: Operating panel
T: Tray W: Wafer
V: three-way valve CV: check valve
P1, P2, P3: vacuum pump

Claims (1)

EFEM(10)에 결합되는 로드포트(20)에 로딩되는 풉(30)에 적용되는 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치에 있어서,
상기 풉(30)을 로드포트(20)에 접속하기 위한 복수 개의 접속구와, 상기 각 접속구에 구비되는 관로를 포함하는 접속수단;
이물질 제거를 위해 상기 접속수단을 통해 풉(30)에 불활성 가스를 공급하는 가스공급수단;
상기 풉(30) 내부 가스 오염도가 일정 기준치 이상이면 내부 가스를 흡입하여 상기 접속수단을 통해 배출하는 클리닝수단;
상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 온도 및 습도를 포함하는 가스상태를 계측 및 분석하여 모니터링 지표를 생성하는 가스 센서부(50);
상기 풉(30) 내부 가스를 상기 접속수단으로부터 전달받아 오염원을 분석하여 오염정도 지표를 생성하는 오염도 분석부(60); 및
상기 가스공급수단, 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)를 제어하는 제어부(70);를 포함하되,
상기 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)는 상기 접속수단의 관로에서 삼방밸브로 분기되어 접속되고,
상기 제어부(70)는,
상기 풉(30)의 로드포트(20) 로딩, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹, 상기 풉(30)의 EFEM(10) 도킹해제, 상기 풉(30)의 복귀 동작, 상기 모니터링 지표 및 오염정도 지표에 따라,
상기 삼방밸브의 구동과, 상기 가스공급수단, 클리닝수단, 가스 센서부(50) 및 오염도 분석부(60)의 온오프를 제어하도록 구성되고,
상기 접속수단과 클리닝수단의 사이에 가스 역류를 방지하기 위한 체크밸브를 더 포함하며,
모니터링된 정보 및 오염상황이 연산된 결과를 디스플레이하는 디스플레이부(90)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치.
A control device for supplying analysis gas to a load port for semiconductor wafer FOOP applied to a FOUP (30) loaded to a load port (20) coupled to the EFEM (10),
Connection means including a plurality of connection ports for connecting the FOUP (30) to the load port (20), and a conduit provided in each connection port;
a gas supply means for supplying an inert gas to the FOUP 30 through the connection means to remove foreign substances;
a cleaning means for sucking in the internal gas and discharging it through the connection means when the contamination level of the gas inside the FOUP 30 is greater than or equal to a predetermined reference value;
a gas sensor unit 50 receiving the gas inside the FOUP 30 from the connection means, measuring and analyzing a gas state including temperature and humidity, and generating a monitoring index;
a pollution level analysis unit 60 that receives the gas inside the FOUP 30 from the connection means and analyzes the source of pollution to generate a pollution level indicator; and
A control unit 70 for controlling the gas supply unit, the cleaning unit, the gas sensor unit 50, and the pollution level analysis unit 60;
The cleaning means, the gas sensor unit 50 and the pollution level analysis unit 60 are branched and connected to a three-way valve in the pipeline of the connection means,
The control unit 70,
Load port 20 loading of the FOOP 30, docking the EFEM 10 of the FOOP 30, undocking the EFEM 10 of the FOOP 30, returning operation of the FOOP 30, the monitoring indicator and according to the contamination level indicator,
It is configured to control the driving of the three-way valve and the on/off of the gas supply means, the cleaning means, the gas sensor unit 50 and the pollution level analysis unit 60,
Further comprising a check valve for preventing gas backflow between the connection means and the cleaning means,
It characterized in that it further comprises a display unit 90 for displaying the result of the calculation of the monitored information and the pollution condition,
Control device for supplying analysis gas to the load port for semiconductor wafer FOUP.
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