KR102265176B1 - Film formation apparatus - Google Patents

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하치야 다케우치
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

워크의 냉각 효율이 우수한 성막 장치를 제공한다.
워크(W)를 챔버(2)의 내부에 출납하는 반입반출부(100)와, 챔버(2)의 내부에 배치되며, 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)를 회전에 의해 반송하는 회전체(3)와, 회전체(3)의 회전축을 중심으로 하는 원주를 따라 배치되며, 챔버(2) 내에 연통된 개구(OP)를 가지고, 개구(OP)로부터 도입된 워크(W)를 처리하는 복수의 처리부(PR)와, 워크(W)가 회전체(3)로부터 이탈하여, 개구(OP)로부터 처리부(PR) 내에 도입되는 방향으로 서셉터(S)를 밀어붙이는 푸셔(500)를 가지고, 복수의 처리부(PR)는, 워크(W)를 가열하는 가열부(200)와, 워크(W)에 대하여 성막하는 성막부(300)와, 워크(W)를 냉각하는 냉각부(400)를 포함하고, 회전체(3)에는, 회전체(3)가 반송하고 있는 서셉터(S)를 유지하며, 푸셔(500)에 의해 밀어붙여짐으로써 서셉터(S)를 개방하는 유지부(33)가 마련되고, 푸셔(500)에는, 처리부(PR)에 워크(W)를 도입하고 개구(OP)를 밀봉하는 밀봉부(520)가 마련되어 있다.
A film forming apparatus excellent in cooling efficiency of a workpiece is provided.
A carry-in/out unit 100 for moving the work W into and out of the chamber 2, and the susceptor S on which the work W is mounted, which is disposed inside the chamber 2, is transferred by rotation. The rotating body 3 and the work W introduced from the opening OP are disposed along the circumference about the rotational axis of the rotating body 3 and have an opening OP that communicates with the chamber 2 . A plurality of processing units PR to be processed, and a pusher 500 for pushing the susceptor S in a direction in which the workpiece W is separated from the rotating body 3 and introduced into the processing unit PR from the opening OP. The plurality of processing units PR includes a heating unit 200 for heating the work W, a film forming unit 300 for forming a film on the work W, and a cooling unit for cooling the work W ( 400 , the rotating body 3 holds the susceptor S conveyed by the rotating body 3 , and opens the susceptor S by being pushed by the pusher 500 . The part 33 is provided, and the sealing part 520 which introduces the workpiece|work W into the processing part PR and seals the opening OP is provided in the pusher 500.

Description

성막 장치{FILM FORMATION APPARATUS}Film forming apparatus {FILM FORMATION APPARATUS}

본 발명은 성막 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus.

기판 등의 워크의 표면에 성막을 행하는 장치로서, 스퍼터링에 의한 성막 장치가 널리 이용되고 있다. 스퍼터링은, 챔버 내에 도입한 가스를 플라즈마화시킴으로써 발생하는 이온이, 성막 재료인 타겟의 평면에 충돌함으로써, 성막 재료가 튀어 워크에 부착되는 것을 이용한 기술이다.As an apparatus for forming a film on the surface of a work such as a substrate, a film forming apparatus by sputtering is widely used. Sputtering is a technique utilizing the fact that ions generated by converting a gas introduced into a chamber into a plasma collide with the plane of a target, which is a film forming material, so that the film forming material is splashed and adhered to the work.

워크의 표면에 성막을 행하기 전에는, 미리 워크에 포함되는 수분이나 대기를 배제해 두는 탈가스 처리를 행하는 경우가 있다. 이것은, 예컨대 워크로서 대기나 수분을 포함하기 쉬운 세라믹 기판을 이용하는 경우, 또한 구리, 티탄, 텅스텐 등의 금속막과 같이 산화되기 쉬운 재료를 이용하는 경우에, 산화 방지를 위해서 유효하다. Before forming a film on the surface of the work, there is a case where a degassing treatment is performed to remove moisture and air contained in the work in advance. This is effective for preventing oxidation, for example, when a ceramic substrate that easily contains air or moisture is used as the work, and when a material that is easily oxidized such as a metal film such as copper, titanium, or tungsten is used.

탈가스 처리는 워크의 온도를 300도 정도까지 승온시킴으로써 이루어진다. 단, 탈가스 처리 후, 예컨대 복수의 성막 재료에 의해서 복수의 층으로 이루어지는 다층막을 성막하는 사이에 온도 조건이 변화되어 버리면, 다층막의 내부 응력의 변동을 야기해 버린다. 그래서, 각 층의 성막은 가능한 한 동일한 온도 조건으로 행하고, 탈가스 처리 후에는 온도 조건을 변화시키지 않게 할 필요가 있다.The degassing treatment is performed by raising the temperature of the work to about 300 degrees. However, if the temperature conditions are changed after the degassing treatment, for example, while the multilayer film composed of a plurality of layers is formed with a plurality of film forming materials, the internal stress of the multilayer film is fluctuated. Therefore, it is necessary to perform film-forming of each layer under the same temperature conditions as much as possible, and to keep the temperature conditions from changing after a degassing process.

워크는, 간헐 회전하는 회전 테이블 위에 배치된 서셉터에, 받침판을 통해 배치되어 반송된다. 즉, 간헐 회전하는 회전 테이블의 정지 포지션에, 탈가스 처리를 행하는 가열실, 각 성막 재료에 의한 성막을 행하는 성막실이 배치되어 있다. 그리고, 워크는, 회전 테이블의 간헐 회전에 의해서, 가열실로 와서 탈가스 처리가 이루어진 후, 성막실에서 순차 성막 처리가 이루어진다. The work is disposed on a susceptor disposed on a rotary table that rotates intermittently through a support plate and conveyed. That is, at the stop position of the intermittently rotating rotary table, a heating chamber for performing a degassing process and a film forming chamber for performing film formation with each film forming material are arranged. Then, the workpiece comes to the heating chamber by intermittent rotation of the rotary table, and is subjected to degassing, followed by sequential film-forming in the film-forming chamber.

이들 가열실, 성막실 등의 처리실은 진공 챔버 내에 마련되어 있고, 처리실 사이는 진공 속에서 반송된다. 이 때문에, 탈가스 처리 시에 300℃ 정도까지 승온된 워크와 서셉터는 냉각되지 않고, 300℃ 정도를 유지하고 있다. 그러면, 성막 처리가 종료된 후, 그대로 대기 공간으로 반출하면, 고온의 워크에 성막한 막이 산화되어 버린다. 그 때문에, 대기에 반송하기 전에 워크의 냉각을 행할 필요가 있다. 예컨대 300℃ 정도까지 승온한 워크를, 대기 공간으로 반출하기 위해서 필요한 온도인 60℃ 정도까지 강온시킨다.These processing chambers, such as a heating chamber and a film-forming chamber, are provided in the vacuum chamber, and are conveyed in vacuum between the processing chambers. For this reason, the workpiece and the susceptor heated to about 300°C during the degassing process are not cooled and are maintained at about 300°C. Then, after the film forming process is finished, if it is taken out to the air space as it is, the film formed on the high-temperature work will be oxidized. Therefore, it is necessary to cool the work before conveying it to the atmosphere. For example, the temperature of the workpiece heated up to about 300°C is lowered to about 60°C, which is a temperature required for carrying out to the air space.

워크를 냉각하는 냉각 기구로서는, 냉각실 내에 워크를 수용하여 밀봉하고, 냉각실 내에 냉각 매체를 유통시킴으로써 냉각하는 기구가 있다(특허문헌 1 참조). 이러한 기구에서는, 서셉터가 회전 테이블에 배치되어 반송되고, 처리실에 대응하는 정지 포지션에 있어서, 푸셔를 갖는 밀어올리기 기구에 의해서 서셉터가 밀어올려지고, 서셉터에 의해서 처리실이 밀봉된다. As a cooling mechanism for cooling a workpiece, there is a mechanism for accommodating and sealing the workpiece in a cooling chamber and cooling the workpiece by circulating a cooling medium in the cooling chamber (see Patent Document 1). In this mechanism, the susceptor is disposed on a rotary table and transported, and in a stop position corresponding to the processing chamber, the susceptor is pushed up by a push-up mechanism having a pusher, and the processing chamber is sealed by the susceptor.

냉각 기구를 구비한 냉각실에서도, 상측 덮개에 냉각 매체가 순환하는 냉각 플레이트가 마련되고, 푸셔로 서셉터와 함께 밀어올려진 워크를 냉각 플레이트에 대향시키고, 서셉터에 의해서 밀봉된 냉각실 내에 냉각 매체를 도입함으로써, 기판의 냉각을 행하고 있다. Even in a cooling chamber equipped with a cooling mechanism, a cooling plate through which a cooling medium circulates is provided on the upper cover, and the workpiece pushed up together with the susceptor by a pusher is opposed to the cooling plate and cooled in the cooling chamber sealed by the susceptor By introducing the medium, the substrate is cooled.

일본 특허 제4653418호 공보Japanese Patent Publication No. 4653418

여기서, 300℃ 정도까지 승온한 기판을 대기에 반출하기 위해서 필요한 60℃ 정도까지 강온시키기 위해서는, 약 240℃라고 하는 대폭적인 강온을 행하는 냉각이 필요하게 된다. 그러나, 예컨대 1 택트 당 240초 정도로 일련의 처리를 실시하도록 연속 반송을 행하는 경우, 이보다도 냉각 시간이 길어지면, 냉각 처리가 율속(律速)되는 처리가 되어, 스루풋이 좌우된다.Here, in order to lower the temperature to about 60 degreeC required for carrying out the board|substrate which has been heated to about 300 degreeC to the atmosphere, cooling which performs a significant temperature drop of about 240 degreeC is required. However, for example, when continuous conveyance is performed so that a series of processing is performed for about 240 seconds per tact, if the cooling time is longer than this, the cooling processing becomes a rate-limiting processing, and the throughput is influenced.

그러나, 냉각은 진공 속에서 이루어지기 때문에, 상기한 냉각 플레이트만의 냉각으로 충분하지 않아, 냉각 효율을 높이기 위해서, 냉각실 내에 냉각 가스를 공급할 필요가 있다. 냉각 가스를 도입하면 냉각실 내의 압력이 높아진다. However, since cooling is performed in a vacuum, cooling of the above-described cooling plate alone is not sufficient, and in order to increase cooling efficiency, it is necessary to supply a cooling gas into the cooling chamber. When the cooling gas is introduced, the pressure in the cooling chamber increases.

한편, 회전 테이블이 마련되어 있는 챔버는 진공을 유지하고 있다. 그러면, 냉각실과 챔버의 공간을 구획하는 서셉터는, 챔버와 냉각실의 압력차에 견딜 정도의 강도로 할 필요가 있다. 예컨대 서셉터는 구리 등의 금속에 의한 두꺼운 플레이트로 형성된다. 이 때문에 서셉터의 열용량이 커진다. 이러한 서셉터는, 워크에 추종하여 계속해서 가열되기 때문에, 냉각실에서 워크를 냉각할 때에도 열용량이 큰 서셉터도 냉각할 필요가 있어, 냉각 효율이 좋지 않았다. On the other hand, the chamber in which the rotary table is provided maintains a vacuum. Then, the susceptor that partitions the space between the cooling chamber and the chamber needs to be strong enough to withstand the pressure difference between the chamber and the cooling chamber. For example, the susceptor is formed of a thick plate made of metal such as copper. For this reason, the heat capacity of the susceptor becomes large. Since such a susceptor is continuously heated following the work, it is necessary to cool the susceptor with a large heat capacity even when cooling the work in the cooling chamber, and the cooling efficiency is not good.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 제안된 것으로, 그 목적은 워크의 냉각 효율이 우수한 성막 장치를 제공하는 데에 있다.The present invention has been proposed in order to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a film forming apparatus having excellent cooling efficiency of a work.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 실시형태의 성막 장치는, 배기에 의해 내부를 진공으로 할 수 있는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되며, 상기 워크를 탑재한 서셉터를, 회전에 의해 반송하는 회전체와, 상기 회전체의 회전축을 중심으로 하는 원주를 따라 배치되며, 상기 챔버 내에 연통된 개구를 가지고, 상기 개구로부터 도입된 상기 워크를 처리하는 복수의 처리부와, 상기 워크가 상기 회전체로부터 이탈하여, 상기 개구로부터 상기 처리부 내에 도입되는 방향으로 상기 서셉터를 밀어붙이는 푸셔를 가지고, 상기 복수의 처리부는, 상기 워크를 가열하는 가열부와, 상기 워크에 대하여 성막하는 성막부와, 상기 워크를 냉각하는 냉각부를 포함하고, 상기 회전체에는, 상기 회전체가 반송하고 있는 상기 서셉터를 유지하며, 상기 푸셔에 의해 밀어붙여짐으로써 상기 서셉터를 해방하는 유지부가 마련되고, 상기 푸셔에는, 상기 처리부에 상기 워크를 도입하고 상기 개구를 밀봉하는 밀봉부가 마련되어 있다. In order to achieve the above object, the film forming apparatus of the embodiment includes a chamber capable of evacuating the interior by evacuation, and a susceptor disposed inside the chamber and carrying the workpiece by rotation. A rotating body and a plurality of processing units disposed along a circumference about the rotational axis of the rotating body, the plurality of processing units having an opening communicating in the chamber, and processing the work introduced from the opening, wherein the work is removed from the rotating body and a pusher for pushing the susceptor away from the opening in a direction introduced into the processing unit, wherein the plurality of processing units include: a heating unit for heating the work; a film forming unit for forming a film on the work; and a cooling unit for cooling the rotating body, and the rotating body is provided with a holding unit which holds the susceptor being conveyed by the rotating body, and releases the susceptor by being pushed by the pusher, the pusher has, A sealing portion for introducing the workpiece into the processing portion and sealing the opening is provided.

본 발명에 의하면, 워크의 냉각 효율이 우수한 성막 장치를 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the film-forming apparatus excellent in cooling efficiency of a workpiece|work can be provided.

도 1은 실시형태를 도시하는 간략화된 투시 평면도이다.
도 1의 밀봉부에 의한 개구의 밀봉 시(a), 개방 시(b)를 도시하는 A-A선 단면도이다.
도 3은 실시형태에 이용되는 서셉터를 도시하는 평면도(a), 측면도(b), 저면도(c)이다.
도 4는 실시형태의 회전체를 도시하는 평면도이다.
도 5는 유지부의 서셉터 유지 상태를 도시하는 평면도(a), 정면도(b), 서셉터 해방 상태를 도시하는 평면도(c), 정면도(d)이다.
도 6은 실시형태의 밀봉부를 도시하는 사시도이다.
도 7은 실시형태의 냉각부에 있어서의 개구 개방 시를 도시하는 일부 단면도이다.
도 8은 실시형태의 냉각부에 있어서의 밀봉부의 동작 도중을 도시하는 일부 단면도이다.
도 9는 실시형태의 냉각부에 있어서의 개구 밀봉 시를 도시하는 일부 단면도이다.
도 10은 도 1의 밀봉부에 의한 개구의 밀봉 시(a), 개방 시(b)를 도시하는 B-B선 단면도이다.
도 11은 도 1의 밀봉부에 의한 개구의 밀봉 시(a), 개방 시(b)를 도시하는 C-C선 단면도이다.
도 12는 실시형태의 제어 장치를 도시하는 블록도이다.
1 is a simplified perspective plan view illustrating an embodiment.
It is sectional drawing along AA which shows at the time of sealing (a) of opening by the sealing part of FIG. 1, and opening (b).
It is a top view (a), a side view (b), and a bottom view (c) which show the susceptor used for embodiment.
It is a top view which shows the rotating body of embodiment.
Fig. 5 is a plan view (a), a front view (b) showing a susceptor holding state of the holding unit, a plan view (c) and a front view (d) showing a susceptor released state.
It is a perspective view which shows the sealing part of embodiment.
Fig. 7 is a partial cross-sectional view showing the opening of the cooling unit according to the embodiment.
8 is a partial cross-sectional view showing the middle of the operation of the sealing part in the cooling part of the embodiment.
It is a partial sectional drawing which shows the time of opening sealing in the cooling part of embodiment.
Fig. 10 is a cross-sectional view taken along line BB showing (a) and open (b) of the opening by the sealing portion of Fig. 1 .
Fig. 11 is a cross-sectional view taken along line CC showing (a) and (b) opening at the time of sealing the opening by the sealing part of Fig. 1 .
12 is a block diagram showing a control device according to an embodiment.

본 발명의 실시형태(이하, 본 실시형태라고 부른다)에 관해서 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. An embodiment of the present invention (hereinafter referred to as this embodiment) will be specifically described with reference to the drawings.

[개요][summary]

도 1의 평면도 및 도 2(도 1의 A-A선 단면도)에 도시하는 것과 같이, 본 실시형태의 성막 장치(1)는, 개개의 워크(W)에 플라즈마를 이용하여 성막을 행하는 장치이다. 성막 장치(1)는 챔버(2)를 가지고, 이 챔버(2)의 내부에 배치되며, 서셉터(S)에 탑재된 워크(W)를 반송하는 회전체(3)를 갖는다. 챔버(2)에는, 회전체(3)의 회전축을 중심으로 하는 원주를 따라 배치되며, 챔버(2) 내에 연통된 개구(OP)를 가지고, 개구(OP)로부터 도입된 워크(W)를 처리하는 복수의 처리부(PR)가 마련되어 있다. 복수의 처리부(PR)는, 워크(W)를 가열하는 가열부(200)와, 워크(W)에 대하여 성막하는 성막부(300A, 300B, 300C), 워크(W)를 냉각하는 냉각부(400)를 포함한다. As shown in the plan view of FIG. 1 and FIG. 2 (cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1 ), the film forming apparatus 1 of the present embodiment is an apparatus for forming a film on individual workpieces W using plasma. The film-forming apparatus 1 has a chamber 2, is arrange|positioned inside this chamber 2, and has the rotating body 3 which conveys the workpiece|work W mounted on the susceptor S. The chamber 2 has an opening OP which is arranged along the circumference about the rotational axis of the rotating body 3 and communicated in the chamber 2, and the workpiece W introduced from the opening OP is processed. A plurality of processing units PR are provided. The plurality of processing units PR includes a heating unit 200 for heating the work W, film forming units 300A, 300B, and 300C for forming a film on the work W, and a cooling unit for cooling the work W ( 400).

또한 챔버(2)에는, 워크(W)가 개구(OP)를 통해 처리부(PR)에 도입되는 방향으로 서셉터(S)를 밀어붙이는 푸셔(500)가 마련되어 있다. 회전체(3)에는, 회전체(3)가 반송하고 있는 서셉터(S)를 유지하며, 푸셔(500)에 의해 밀어붙여짐으로써 서셉터(S)를 개방하는 유지부(33)가 마련되어 있다. 푸셔(500)에는, 각 처리부(PR)에 워크(W)를 수용하고 개구(OP)를 밀봉하는 밀봉부(520)가 마련되어 있다. 즉, 서셉터(S)에 의해서 각 처리부(PR)를 밀봉하는 것이 아니라, 푸셔(500)와 함께 이동하는 밀봉부(520)에 의해서 각 처리부(PR)가 기밀하게 밀봉된다. Further, the chamber 2 is provided with a pusher 500 that pushes the susceptor S in the direction in which the workpiece W is introduced into the processing unit PR through the opening OP. The rotating body 3 is provided with a holding part 33 which holds the susceptor S conveyed by the rotating body 3 and opens the susceptor S by being pushed by the pusher 500 . have. The pusher 500 is provided with a sealing part 520 that accommodates the workpiece W in each processing part PR and seals the opening OP. That is, instead of sealing each processing unit PR by the susceptor S, each processing unit PR is hermetically sealed by the sealing unit 520 moving together with the pusher 500 .

[워크][work]

본 실시형태에서는, 성막 대상인 워크(W)의 예로서 평판형의 세라믹 기판을 이용한다. 성막 장치(1)는, 세라믹 기판 상에, 반도체, 배선을 포함하는 회로를 성막에 의해 형성한다. 단, 워크(W)의 종류, 형상 및 재료는 특정한 것에 한정되지 않는다. 예컨대 워크(W)로서, 중심에 오목부 혹은 볼록부를 갖는 만곡된 기판을 이용하여도 좋다. 또한, 금속, 카본 등의 도전성 재료를 포함하는 것, 유리나 고무 등의 절연물을 포함하는 것, 실리콘 등의 반도체를 포함하는 것을 워크(W)로서 이용하여도 좋다. In the present embodiment, a flat ceramic substrate is used as an example of the work W to be formed into a film. The film forming apparatus 1 forms a circuit including a semiconductor and wiring by film forming on a ceramic substrate. However, the kind, shape, and material of the work W are not limited to a specific one. For example, as the work W, a curved substrate having a concave portion or a convex portion at the center may be used. Further, as the work W, one containing a conductive material such as metal or carbon, one containing an insulating material such as glass or rubber, or one containing a semiconductor such as silicon may be used.

[서셉터][Susceptor]

서셉터(S)는, 워크(W)를 탑재하며, 회전체(3)에 의해 반송되는 부재이다. 본 실시형태의 서셉터(S)는, 도 3(a)의 평면도, 도 3(b)의 측면도, 도 3(c)의 저면도에 도시하는 것과 같이, 원형의 박판이다. 서셉터(S)의 표면에는 수용부(Sa)가 형성되고, 수용부(Sa)에 복수의 워크(W)가 나란히 탑재된다. 수용부(Sa)는, 복수의 워크(W)를 겹치지 않게 위치 결정할 수 있는 오목부이다. 서셉터(S)에 탑재되는 워크(W)의 수가 각 성막부(300)에 있어서 동시에 성막할 수 있는 수이다. 본 실시형태에서는, 수용부(Sa)가 워크(W)를 3행 3열로 배치할 수 있기 때문에, 합계 9장의 워크(W)를 동시에 성막할 수 있다. 단, 이 수는 특정 수에 한정되지는 않는다. 서셉터(S)의 이면에는 링형으로 돌출된 다리부(Sb)가 형성되어 있다. 여기서, 서셉터(S)는, 밀봉된 처리부(PR) 내부와 챔버(2) 내부의 기압차에 견딜 수 있는 강도를 갖고 있지 않다. The susceptor S is a member that mounts the work W and is conveyed by the rotating body 3 . The susceptor S of this embodiment is a circular thin plate as shown in the top view of FIG.3(a), the side view of FIG.3(b), and the bottom view of FIG.3(c). An accommodating part Sa is formed on the surface of the susceptor S, and a plurality of workpieces W are mounted side by side in the accommodating part Sa. The accommodating part Sa is a recessed part which can position the some workpiece|work W so that it does not overlap. The number of the workpieces W mounted on the susceptor S is the number that can be simultaneously formed in each of the film forming units 300 . In this embodiment, since the accommodating part Sa can arrange|position the workpiece|work W in 3 rows and 3 columns, the workpiece|work W of a total of 9 sheets can be formed into a film simultaneously. However, this number is not limited to a specific number. A leg portion Sb protruding in a ring shape is formed on the back surface of the susceptor S. Here, the susceptor S does not have the strength to withstand the pressure difference between the inside of the sealed processing unit PR and the inside of the chamber 2 .

[챔버][chamber]

챔버(2)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 것과 같이, 내부를 진공으로 할 수 있는 용기이다. 본 실시형태의 챔버(2)는 직방체 형상이며, 설치면 측이 상자형의 수용체(21), 반대쪽이 수용체(21)의 개구를 밀봉하는 평판형의 덮개체(22)로 되어 있다. 챔버(2)에는 챔버 배기부(23)가 마련되어 있다. 본 실시형태의 챔버 배기부(23)는, 수용체(21)에 형성된 개구에 접속된 배관을 갖는다. 챔버 배기부(23)는, 도시하지 않는 공기압 회로를 포함하여 구성되어, 배기 처리에 의한 챔버(2) 내의 감압을 가능하게 하고 있다. The chamber 2 is a container which can make the inside into a vacuum, as shown in FIG.1 and FIG.2. The chamber 2 of this embodiment has a rectangular parallelepiped shape, and has a box-shaped container 21 on the installation surface side, and a plate-shaped cover body 22 whose opposite side seals the opening of the container 21 . The chamber 2 is provided with a chamber exhaust 23 . The chamber exhaust part 23 of this embodiment has piping connected to the opening formed in the container 21. As shown in FIG. The chamber exhaust part 23 is comprised including the pneumatic circuit (not shown), and enables the pressure reduction in the chamber 2 by exhaust processing.

[회전체][Rotating body]

회전체(3)는, 도 4에 도시하는 것과 같이, 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)를 유지하여, 소정의 각도씩 간헐 회전하는 회전 테이블이다. 본 실시형태의 회전체(3)는 원형의 판형체이다. 회전체(3)는, 도시하지 않는 구동원에 의해서 샤프트(31)를 중심으로 간헐 회전한다(도 2 참조). 회전체(3)에는, 밀봉부(520)가 회전 평면에 교차하는 방향으로 통과하는 공극부(32)가 형성되어 있다. 공극부(32)는, 회전체(3)의 가장자리부를, 원주 등배(等配) 위치에서 부분 원형으로 절결한 부분이다. 공극부(32)는, 도 1에 도시하는 것과 같이, 복수의 처리부(PR), 즉 반입반출부(100), 가열부(200), 성막부(300A), 성막부(300B), 성막부(300C), 냉각부(400)에 대응하여, 60° 간격으로 6개 마련되어 있다. 공극부(32)는, 그 내연의 크기가 밀봉부(520)가 통과할 수 있게 형성되어 있다. 예컨대 회전 평면에 평행한 부분 원의 직경이 밀봉부(520)의 직경보다도 크다. The rotating body 3 is a rotating table which hold|maintains the susceptor S on which the workpiece|work W is mounted, and rotates intermittently every predetermined angle, as shown in FIG. The rotating body 3 of this embodiment is a circular plate-shaped body. The rotating body 3 intermittently rotates centering on the shaft 31 by a drive source (not shown) (refer FIG. 2). The rotating body 3 is provided with a space|gap part 32 through which the sealing part 520 cross|intersects the rotation plane. The space|gap part 32 is the part which cut out the edge part of the rotating body 3 in a partial circular shape at the circumferential equidistant position. As shown in FIG. 1, the space|gap part 32 is several processing part PR, ie, the carrying-in/out part 100, the heating part 200, the film-forming part 300A, the film-forming part 300B, and the film-forming part. (300C), corresponding to the cooling part 400, six are provided at intervals of 60 degrees. The air gap 32 is formed so that the size of its inner edge allows the sealing part 520 to pass therethrough. For example, the diameter of the partial circle parallel to the plane of rotation is larger than the diameter of the seal 520 .

[유지부][maintenance department]

유지부(33)는, 도 5에 도시하는 것과 같이, 밀봉부(520)가 공극부(32)를 통과하는 과정에서, 서셉터(S)를 유지하는 유지 상태와 서셉터(S)를 해방하는 해방 상태에서 전환된다. 한 쌍의 유지부(33)가, 공극부(32)에 있어서의 반송 방향에 대향하는 위치에 배치되어 있다. 유지부(33)는 베이스(331), 변환부(332), 아암(333), 압박 부재(334)를 갖는다.As shown in FIG. 5 , the holding part 33 releases the holding state and the susceptor S for holding the susceptor S while the sealing part 520 passes through the gap 32 . is converted from a state of liberation. A pair of holding parts 33 are arrange|positioned at the position opposing the conveyance direction in the space|gap part 32. As shown in FIG. The holding part 33 has a base 331 , a conversion part 332 , an arm 333 , and a pressing member 334 .

베이스(331)는 공극부(32)의 내연에 부착된 판형의 부재이다. 변환부(332)는 베이스(331)에 회동 가능하게 부착된 한 쌍의 부재이며, 밀봉부(520)의 동작을, 회전체(3)의 회전 평면에 평행한 방향의 회전으로 변환한다. 한 쌍의 변환부(332)는, 회전체(3)의 회전 방향에 직교하는 방향으로 병설되어 있다. 변환부(332)에는, 밀봉부(520)에 형성된 후술하는 돌출부(523)에 의해서, 서셉터(S)의 가장자리부에서 멀어지는 방향으로 밀어붙여지는 롤러(332a)가 마련되어 있다. 한 쌍의 변환부(332)의 롤러(332a)는, 돌출부(523)에 밀어붙여짐으로써, 축(332b)을 회동축으로 하여 각각의 변환부(332)를 상반되는 방향으로 회동시킨다.The base 331 is a plate-shaped member attached to the inner edge of the cavity 32 . The converting unit 332 is a pair of members rotatably attached to the base 331 , and converts the operation of the sealing unit 520 into rotation in a direction parallel to the rotation plane of the rotating body 3 . A pair of conversion parts 332 are arranged side by side in the direction orthogonal to the rotation direction of the rotating body 3 . The conversion part 332 is provided with a roller 332a which is pushed in the direction away from the edge part of the susceptor S by the protrusion part 523 mentioned later formed in the sealing part 520. As shown in FIG. The rollers 332a of the pair of converting parts 332 are pressed against the protruding part 523, thereby rotating each of the converting parts 332 in opposite directions using the shaft 332b as a rotation axis.

아암(333)은 한 쌍의 가늘고 긴 플레이트이며, 일단이 변환부(332)에 고정되어 있다. 아암(333)의 타단은 서셉터(S)의 가장자리부로 연장되어 있다. 아암(333)의 타단에는, 서셉터(S)의 가장자리부에 접함으로써 서셉터(S)를 파지하고, 서셉터(S)의 가장자리부로부터 멀어짐으로써 서셉터(S)를 개방하는 파지부(333a)가 마련되어 있다. 파지부(333a)는, 서셉터(S)를 파지했을 때 서셉터(S)의 단부면이 맞닿는 접촉면(333b)과, 서셉터(S)의 이면에 접촉하여 서셉터(S)를 아암(333)에 배치하기 위한 유지면(333c)을 갖고 있다. 한 쌍의 아암(333)은, 파지부(333a)가 서셉터(S)의 가장자리부를 파지하는 유지 위치와, 파지부(333a)가 서셉터(S)를 개방하는 후퇴 위치의 사이를, 변환부(332)와 함께 회동할 수 있게 마련된다. 파지부(333a)가 유지 위치에 있는 상태가 유지 상태이고, 파지부(333a)가 후퇴 위치에 있는 상태가 해방 상태이다. The arm 333 is a pair of elongated plates, and one end is fixed to the converter 332 . The other end of the arm 333 extends to the edge of the susceptor (S). At the other end of the arm 333, a gripping portion (S) that grips the susceptor (S) by being in contact with the edge of the susceptor (S), and opens the susceptor (S) by moving away from the edge of the susceptor (S). 333a) is provided. The gripping portion 333a includes a contact surface 333b to which an end surface of the susceptor S abuts when gripping the susceptor S, and a back surface of the susceptor S to bring the susceptor S into contact with the arm ( 333) has a holding surface 333c. The pair of arms 333 switch between a holding position in which the grip portion 333a grips the edge of the susceptor S and a retracted position in which the grip portion 333a opens the susceptor S. It is provided to be able to rotate with the part 332 . The state in which the grip part 333a is in the holding position is the holding state, and the state in which the grip part 333a is in the retracted position is the released state.

압박 부재(334)는, 파지부(333a)가 서셉터(S)의 가장자리부에 접하는 방향으로 변환부(332)를 밀어붙이는 부재이다. 압박 부재(334)는 베이스(331)와 변환부(332)의 사이에 마련된 스프링으로 할 수 있다. 예컨대 본 실시형태에서는, 압박 부재(334)로서 인장 코일 스프링을 이용한다. 압박 부재(334)는, 베이스(331)에 고정된 판재(334a)와, 베이스(331)로부터 부동(浮動)하여 변환부(332)에 고정된 파재(334b)의 사이에 걸쳐진다. The pressing member 334 is a member that presses the converter 332 in a direction in which the gripping portion 333a comes into contact with the edge portion of the susceptor S. The pressing member 334 may be a spring provided between the base 331 and the converter 332 . For example, in this embodiment, a tension coil spring is used as the urging member 334 . The pressing member 334 spans between the plate material 334a fixed to the base 331 and the wave material 334b fixed to the converter 332 by floating from the base 331 .

한 쌍의 아암(333)은, 압박 부재(334)의 밀어붙이는 힘에 의해서, 파지부(333a)가 서셉터(S)의 가장자리부를 파지하는 유지 위치에 유지된다. 처리부(PR)에 대응하는 각 정지 포지션에 있어서, 돌출부(523)에 의해서 롤러(332a)가 밀어붙여져, 변환부(332)와 함께 아암(333)이 회동함으로써, 파지부(333a)가 서셉터(S)를 개방하는 후퇴 위치로 이동한다. 돌출부(523)에 의한 롤러(332a)의 밀어붙이는 힘이 해제되면, 압박 부재(334)의 밀어붙이는 힘에 의해서, 아암(333)은 파지부(333a)가 서셉터(S)의 가장자리부를 파지하는 유지 위치로 복귀한다. 아암(333)이 후퇴 위치에 있을 때는 밀봉부(520)가 통과할 수 있게 된다. 즉, 후퇴 위치에 있는 아암(333)의 파지부(333a)는, 돌출부(523)를 포함하는 밀봉부(520)의 최대 직경보다도 직경이 큰 가상의 원에 접하는 위치가 된다. The pair of arms 333 is held in a holding position in which the grip portion 333a grips the edge portion of the susceptor S by the pressing force of the pressing member 334 . In each stop position corresponding to the processing part PR, the roller 332a is pushed by the protrusion 523, and the arm 333 rotates together with the converting part 332, so that the holding part 333a is a susceptor. Move to the retracted position to open (S). When the pressing force of the roller 332a by the protrusion 523 is released, by the pressing force of the pressing member 334, the arm 333 has the gripping portion 333a gripping the edge of the susceptor S. return to the holding position. When the arm 333 is in the retracted position, the seal 520 may pass. That is, the gripping portion 333a of the arm 333 in the retracted position becomes a position in contact with an imaginary circle having a larger diameter than the maximum diameter of the sealing portion 520 including the protruding portion 523 .

[푸셔][Pusher]

도 2, 도 9 및 도 10(도 1의 B-B선 단면도)에 도시하는 것과 같이, 반입반출부(100), 가열부(200), 성막부(300A), 성막부(300B), 성막부(300C), 냉각부(400)에 대응하여, 각각 푸셔(500A∼500F)가 마련되어 있다. 이하, 푸셔(500A∼500F)를 구별하지 않는 경우에는, 푸셔(500)로 하여 설명한다.As shown in Figs. 2, 9 and 10 (cross-sectional view taken along line BB in Fig. 1), the carry-in/out unit 100, the heating unit 200, the film forming unit 300A, the film forming unit 300B, the film forming unit ( 300C) and corresponding to the cooling part 400, respectively, pushers 500A-500F are provided. Hereinafter, when the pushers 500A-500F are not distinguished, it demonstrates as the pusher 500. FIG.

푸셔(500)는 샤프트(510), 밀봉부(520)를 갖는다. 샤프트(510)는, 도 2에 도시하는 것과 같이 원주 형상의 부재이며, 도시하지 않는 구동원에 의해서 축을 따라 이동한다. 구동원으로서는 예컨대 에어 실린더나 모터 등을 이용할 수 있다. The pusher 500 has a shaft 510 and a seal 520 . The shaft 510 is a cylindrical member as shown in FIG. 2, and moves along an axis by a drive source (not shown). As a drive source, an air cylinder, a motor, etc. can be used, for example.

밀봉부(520)는 샤프트(510)의 선단에 마련되며, 개구(OP)에 접촉/분리하는 부재이다. 밀봉부(520)는, 도 6에 도시하는 것과 같이, 샤프트(510)와 동축의 원주 형상의 부재이다. 밀봉부(520)는 배치대(521), 밀봉체(522) 및 돌출부(523)를 갖는다. 배치대(521)는 회전체(3)로 향하는 측에 마련되며, 서셉터(S)를 개구(OP) 측에 밀어붙이는 원주 형상의 부분이다. 배치대(521)의 서셉터(S)로 향하는 면은, 서셉터(S)의 다리부(Sb)의 내측에 끼워지도록 다리부(Sb)의 내경과 동등하거나 약간 작은 직경을 갖는 배치면(521a)이다. 밀봉체(522)는 샤프트(510)에 동축으로 지지되며, 배치대(521)보다도 직경이 넓어진 원주 형상 부분이다. 밀봉체(522)의 회전체(3)로 향하는 면은, 배치대(521)의 주위에 환상으로 형성된 밀봉면(522a)으로 되어있다. 밀봉면(522a)에는 O 링 등의 밀봉재(522b)가 마련되어 있다.The sealing part 520 is provided at the front end of the shaft 510 and is a member contacting/separating the opening OP. The sealing part 520 is a cylindrical member coaxial with the shaft 510, as shown in FIG. The seal 520 has a mounting table 521 , a seal 522 , and a protrusion 523 . The mounting table 521 is provided on the side facing the rotating body 3 and is a cylindrical part that pushes the susceptor S toward the opening OP. The surface of the mounting table 521 facing the susceptor S is a mounting surface having a diameter equal to or slightly smaller than the inner diameter of the leg portion Sb so as to fit inside the leg portion Sb of the susceptor S. 521a). The sealing body 522 is supported coaxially by the shaft 510 and is a cylindrical portion having a larger diameter than the mounting table 521 . The surface of the sealing body 522 facing the rotating body 3 is a sealing surface 522a formed in an annular shape around the mounting table 521 . A sealing material 522b such as an O-ring is provided on the sealing surface 522a.

도 9에 도시하는 것과 같이, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)이 개구(OP)의 단부에 접함으로써, 각 처리부(PR)를 밀봉한다. 배치대(521)는, 서셉터(S)를 배치하여 처리부(PR) 내에 수용되기 때문에, 개구(OP)보다도 작은 직경을 갖고 있다. 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)은, 공극부(32)를 통과하기 위해서 공극부(32)보다도 작은 직경이지만, 개구(OP)를 밀봉하기 위해서 개구(OP)보다도 큰 직경을 갖고 있다.As shown in FIG. 9, each processing part PR is sealed by the sealing surface 522a of the sealing body 522 contacting the edge part of the opening OP. The mounting table 521 has a smaller diameter than the opening OP because the susceptor S is arranged and accommodated in the processing unit PR. The sealing surface 522a of the sealing body 522 has a smaller diameter than the void 32 to pass through the void 32 , but has a larger diameter than the opening OP to seal the opening OP. .

본 실시형태에서는, 돌출부(523)는, 밀봉체(522)의 외주로부터 팽출(膨出)되어, 샤프트(510)의 축 방향으로 연장된 직방체 형상인 부분이다. 돌출부(523)의 밀봉면(522a) 측의 단부면은 경사면(523a)으로 되어 있다. 경사면(523a)은, 밀봉체(522)의 외주에서 바깥쪽으로 향함에 따라서, 돌출부(523)의 축 방향의 길이가 짧아지도록 기울어진 평탄면이다. 돌출부(523)의 외주면(523b)은 경사면(523a)에 연속되며, 축 방향으로 연장된 평탄면이다. 이 경사면(523a) 및 외주면(523b)은, 도 5에 도시하는 것과 같이, 밀봉부(520)의 이동에 따라서 유지부(33)의 롤러(332a)에 접촉/분리하여 아암(333)을 회동시킨다. 이 때문에, 경사면(523a) 및 외주면(523b)을 주동(主動) 캠, 롤러(332a)를 종동(從動) 캠으로 하는 캠 기구가 구성된다.In the present embodiment, the protrusion 523 is a rectangular parallelepiped-shaped portion that bulges out from the outer periphery of the sealing body 522 and extends in the axial direction of the shaft 510 . The end surface of the protrusion 523 on the sealing surface 522a side is an inclined surface 523a. The inclined surface 523a is a flat surface inclined so that the length in the axial direction of the protrusion 523 becomes shorter as it goes outward from the outer periphery of the sealing body 522 . The outer peripheral surface 523b of the protrusion 523 is a flat surface that is continuous to the inclined surface 523a and extends in the axial direction. As shown in FIG. 5, this inclined surface 523a and the outer peripheral surface 523b contact/separate the roller 332a of the holding part 33 according to the movement of the sealing part 520, and rotate the arm 333. make it For this reason, the cam mechanism which uses the inclined surface 523a and the outer peripheral surface 523b as a main cam and the roller 332a as a driven cam is comprised.

도 7 및 도 8에 도시하는 것과 같이, 밀봉부(520)가 개구(OP)로 향하여 이동하여, 경사면(523a)이 롤러(332a)를 밀어붙이면, 상기한 것과 같이 아암(333)이 후퇴 위치로 회동하기 때문에, 서셉터(S)가 개방된다. 또한, 서셉터(S)의 다리부(Sb)의 내측에 배치대(521)의 배치면(521a)이 들어간다. 밀봉부(520)가 공극부(32)를 통과하면, 도 9에 도시하는 것과 같이, 밀봉면(522a)이 밀봉재(522b)를 통해 개구(OP)의 단부에 접하여 밀봉한다. 즉, 푸셔(500)의 이동에 따라서, 처리부(PR)의 개구(OP)를 밀봉부(520)가 개폐한다. 또한, 도 7∼도 11의 유지부(33)는, 압박 부재 등, 일부의 부재를 생략하여 도시하고 있지만, 도 5와 같은 구성을 갖고 있다.7 and 8, when the sealing portion 520 moves toward the opening OP and the inclined surface 523a pushes the roller 332a, the arm 333 moves to the retracted position as described above. As it rotates, the susceptor S is opened. Further, the mounting surface 521a of the mounting table 521 enters the inside of the leg portion Sb of the susceptor S. When the sealing part 520 passes through the gap part 32, as shown in FIG. 9, the sealing surface 522a comes in contact with the end of the opening OP through the sealing material 522b, and it seals. That is, the sealing unit 520 opens and closes the opening OP of the processing unit PR according to the movement of the pusher 500 . In addition, although the holding part 33 of FIGS. 7-11 abbreviate|omitted and illustrated some members, such as a press member, it has the structure similar to FIG.

푸셔(500A∼500F)의 밀봉부(520)는, 각각 반입반출부(100), 가열부(200), 성막부(300A∼300C) 및 냉각부(400)의 각 실의 개구(OP)를 밀봉한다. 여기서, 후술하는 반입반출부(100)에 구성되는 로드록실(121)은, 진공인 챔버(2) 내부와 외부의 대기압과의 압력차가 커진다. 또한, 냉각부(400)를 구성하는 냉각실(410)은, 냉각 가스 도입 시에 대기압에 거의 가까운, 1000 Pa∼대기압 미만의 압력이 되어, 진공인 챔버(2) 내부와의 압력차가 커진다. 이 때문에, 밀봉부(520)는 이러한 압력차에 견딜 수 있는 강도로 되어 있다.The sealing part 520 of the pushers 500A-500F closes the opening OP of each chamber of the carry-in/out part 100, the heating part 200, the film-forming parts 300A-300C, and the cooling part 400, respectively. sealed Here, in the load lock chamber 121 configured in the carry-in/out unit 100 to be described later, the pressure difference between the atmospheric pressure inside the vacuum chamber 2 and the outside becomes large. In addition, the cooling chamber 410 constituting the cooling unit 400 has a pressure of 1000 Pa to less than atmospheric pressure which is almost close to atmospheric pressure at the time of introduction of the cooling gas, and the pressure difference with the inside of the vacuum chamber 2 becomes large. For this reason, the sealing part 520 is strong enough to withstand such a pressure difference.

[반입반출부][Import and export department]

반입반출부(100)는, 도 2에 도시하는 것과 같이, 반송부(110), 로드록실(121)을 통해 챔버(2) 내부의 진공을 유지한 상태에서 외부로부터 미처리의 워크(W)를 챔버(2)의 내부에 반입하고, 처리 완료된 워크(W)를 챔버(2)의 외부로 반출한다. As shown in FIG. 2 , the carry-in/out unit 100 transfers the unprocessed workpiece W from the outside while maintaining the vacuum inside the chamber 2 through the transfer unit 110 and the load lock chamber 121 . It is carried in to the inside of the chamber 2, and the processed workpiece|work W is carried out to the outside of the chamber 2.

반송부(110)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 것과 같이, 앞의 공정에서 뒤의 공정으로, 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)를 반송하는 컨베이어 등의 반송 기구(TR)로부터 미처리의 워크(W)를 픽업하여, 후술하는 로드록실(121)에 건넨다. 또한, 반송부(110)는, 처리 완료된 워크(W)를 로드록실(121)로부터 수취하여, 반송 기구(TR)에 건넨다. As shown in Figs. 1 and 2 , the conveying unit 110 is a conveying mechanism TR such as a conveyor which conveys the susceptor S on which the work W is mounted, from the previous step to the subsequent step. An unprocessed workpiece W is picked up from the , and delivered to a load lock chamber 121 to be described later. Moreover, the conveyance part 110 receives the processed workpiece|work W from the load lock chamber 121, and delivers it to the conveyance mechanism TR.

반송부(110)는 아암(111), 유지체(112)를 갖는다. 아암(111)은, 반송 기구(TR)와 챔버(2)의 사이에, 회전체(3)의 평면과 평행한 방향으로 마련된 장척의 부재이다. 아암(111)은, 도시하지 않는 구동 기구에 의해서, 회전체(3)의 회전축과 평행한 축을 중심으로 180°씩 간헐적으로 회동할 수 있게 또한 이 축을 따라 이동할 수 있게 마련되어 있다. The carrying unit 110 has an arm 111 and a holding body 112 . The arm 111 is a long member provided between the conveyance mechanism TR and the chamber 2 in the direction parallel to the plane of the rotation body 3 . The arm 111 is provided so as to be able to rotate intermittently by 180 degrees about an axis parallel to the rotation axis of the rotating body 3 and to be movable along this axis by a drive mechanism (not shown).

유지체(112)는 아암(111)의 양단에 마련되며, 워크(W)를 유지하는 부재이다. 유지체(112)는, 진공 척, 정전 척, 메카니컬 척 등의 유지 기구에 의해서 워크(W)를 유지한다. 유지체(112)는 로드록실(121)을 개폐하는 덮개체로서도 기능한다. 즉, 유지체(112)에는, 로드록실(121)을 밀봉하기 위한 О 링 등의 밀봉재가 마련되어 있다. 또한 반송 기구(TR)에는, 도시하지 않는 구동 기구에 의해서 이동함으로써, 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)를, 반송 기구(TR)와 유지체(112)의 사이에서 이동시키는 푸셔가 마련되어 있다.The holding body 112 is provided at both ends of the arm 111 and is a member for holding the work W. As shown in FIG. The holding body 112 holds the workpiece W by a holding mechanism such as a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or a mechanical chuck. The holding body 112 also functions as a cover body for opening and closing the load lock chamber 121 . That is, the holding body 112 is provided with a sealing material such as an O ring for sealing the load lock chamber 121 . Further, the conveying mechanism TR includes a pusher that moves the susceptor S on which the workpiece W is mounted between the conveying mechanism TR and the holder 112 by moving by a driving mechanism not shown. is provided.

로드록실(121)은, 챔버(2) 내의 진공을 유지한 상태에서, 서셉터(S)의 반입반출을 가능하게 한다. 로드록실(121)은, 챔버(2)의 덮개체(22)에 형성된 관통 구멍의 내측면에 둘러싸이고, 유지체(112)가 유지한 워크(W)를 수용하여 밀폐할 수 있는 공간이다. 로드록실(121)에 있어서, 챔버(2)의 외부 측의 단부는 개구(121a)를 가지며, 유지체(112)에 의해서 밀봉된다. 또한, 로드록실(121)에 있어서, 챔버(2)의 내부 측의 단부는 개구(121b)이다. 이 개구(121b)는 밀봉부(520)에 의해서 밀봉되는 개구(OP)에 상당한다. The load lock chamber 121 enables the susceptor S to be carried in and out while the vacuum in the chamber 2 is maintained. The load lock chamber 121 is surrounded by the inner surface of the through hole formed in the cover body 22 of the chamber 2 , and is a space capable of accommodating and sealing the work W held by the holder 112 . In the load lock chamber 121 , the end of the chamber 2 on the outer side has an opening 121a and is sealed by the holding body 112 . Further, in the load lock chamber 121 , the inner end of the chamber 2 is an opening 121b. This opening 121b corresponds to the opening OP sealed by the sealing part 520 .

또한, 로드록실(121)에는, 도시하지는 않지만, 공기압 회로에 접속되어, 밀봉된 로드록실(121)을 감압하기 위한 경로인 배기 라인, 밸브 등에 접속되어, 로드록실(121)의 진공 파괴를 행하기 위한 벤트 라인이 마련되어 있다.Further, although not shown in the drawings, the load lock chamber 121 is connected to a pneumatic circuit and is connected to an exhaust line, a valve, or the like, which is a path for depressurizing the sealed load lock chamber 121 , to perform vacuum break of the load lock chamber 121 There is a vent line for this.

[가열부][Heating part]

가열부(200)는, 도 10(도 1의 B-B선 단면도)에 도시하는 것과 같이, 가열에 의해 워크(W)에 포함되는 수분이나 대기를 배출시키는 탈가스 처리를 행한다. 가열부(200)는 가열실(210), 히터(220)를 갖는다. 가열실(210)은, 챔버(2) 내부로 향하는 개구(210a)를 갖는 용기의 내부 공간이다. 상기한 것과 같이, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)에 의해서 개구(210a)의 단부가 밀봉되고, 서셉터(S)에 배치된 워크(W)가 가열실(210)에 수용된다(도 10(b)의 상태). 이 개구(210a)는 밀봉부(520)에 의해서 밀봉되는 개구(OP)에 상당한다. As shown in FIG. 10 (cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 1), the heating unit 200 performs a degassing process for discharging moisture and air contained in the work W by heating. The heating unit 200 includes a heating chamber 210 and a heater 220 . The heating chamber 210 is an interior space of a vessel having an opening 210a facing into the chamber 2 . As described above, the end of the opening 210a is sealed by the sealing surface 522a of the sealing body 522, and the workpiece W disposed on the susceptor S is accommodated in the heating chamber 210 ( 10(b) state). This opening 210a corresponds to the opening OP sealed by the sealing part 520 .

히터(220)는, 가열실(210)의 내부에 회전체(3)의 회전 평면과 평행한 방향으로 배치된 원판 형상의 부재에, 통전에 의해 발열하는 발열체를 내장한 장치이다. 히터(220)의 직경은, 워크(W)를 균일하게 가열하기 위해서, 워크(W)와 동등하거나 약간 큰 것이 바람직하다. 히터(220)는 가열실(210)에 수용된 워크(W)와 비접촉으로 대향한다. 또한, 도시하지는 않지만, 히터(220)의 발열체에는, 전력을 인가함으로써 발열시키는 전원이 접속되어 있다. 워크(W)가 세라믹 기판인 것을 고려하면, 탈가스 처리를 효과적으로 행하기 위해서는, 히터(220)에 의한 가열 온도는 300℃ 정도로 하는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지는 않는다. The heater 220 is a device in which a heating element that generates heat by energization is incorporated in a disk-shaped member disposed in a direction parallel to the rotational plane of the rotating body 3 inside the heating chamber 210 . The diameter of the heater 220 is preferably equal to or slightly larger than that of the work W in order to uniformly heat the work W. The heater 220 faces the work W accommodated in the heating chamber 210 in a non-contact manner. In addition, although not illustrated, a power source for generating heat by applying electric power is connected to the heat generating element of the heater 220 . Considering that the work W is a ceramic substrate, in order to effectively perform the degassing process, the heating temperature by the heater 220 is preferably set to about 300° C., but is not limited thereto.

[성막부][The Tabernacle Department]

성막부(300A, 300B, 300C)는 스퍼터링에 의해 워크(W)에 대하여 성막을 행한다. 이하의 설명에서는, 성막부(300A, 300B, 300C)를 구별하지 않는 경우에는 성막부(300)로 하여 설명한다. 성막부(300)는, 도 2, 도 10 및 도 11(도 1의 C-C선 단면도)에 도시하는 것과 같이, 성막실(310), 타겟(320)을 갖는다. 성막실(310)은, 챔버(2) 내부로 향하는 개구(310a)를 갖는 용기의 내부 공간이며, 상기한 것과 같이, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)에 의해서 개구(310a)의 단부가 밀봉되고, 서셉터(S)에 배치된 워크(W)가 성막실(310) 내에 수용된다(도 10(b)의 상태). The film forming units 300A, 300B, and 300C form a film on the work W by sputtering. In the following description, when the film-forming parts 300A, 300B, and 300C are not distinguished, it demonstrates as the film-forming part 300. FIG. The film-forming part 300 has the film-forming chamber 310 and the target 320, as shown to FIG. 2, FIG. 10, and FIG. 11 (C-C sectional drawing of FIG. 1). The film formation chamber 310 is an internal space of a container having an opening 310a facing into the chamber 2 , and, as described above, an end of the opening 310a by the sealing surface 522a of the sealing body 522 . is sealed, and the work W disposed on the susceptor S is accommodated in the deposition chamber 310 (state in Fig. 10(b)).

타겟(320)은, 스퍼터링에 의해 워크(W)에 퇴적되어, 막으로 되는 성막 재료에 의해서 형성된 부재이다. 타겟(320)은, 도시하지 않는 백킹 플레이트에 유지되며, 전극을 통해 전원에 접속되어 있다. 성막 재료로서는, 예컨대 실리콘, 니오븀, 탄탈, 티탄, 알루미늄 등을 사용한다. 단, 스퍼터링에 의해 성막되는 재료라면 다양한 재료를 적용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 성막부(300A, 300B, 300C)에 있어서 다른 성막 재료의 타겟(320)을 이용하지만, 공통의 성막 재료의 타겟(320)을 이용하여도 좋다. The target 320 is a member formed of a film-forming material that is deposited on the work W by sputtering and becomes a film. The target 320 is hold|maintained by the backing plate (not shown), and is connected to the power supply via an electrode. As a film-forming material, silicon, niobium, tantalum, titanium, aluminum, etc. are used, for example. However, as long as it is a material formed into a film by sputtering, various materials can be applied. In this embodiment, although the target 320 of a different film-forming material is used in film-forming part 300A, 300B, 300C, you may use the target 320 of a common film-forming material.

또한, 도시하지는 않지만, 성막부(300)에는, 성막실(310) 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부, 스퍼터 가스를 배출하는 배기부가 마련되어 있다. 스퍼터 가스로서는, 예컨대 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다. 스퍼터 가스 도입부는, 가스 공급 회로를 포함하여 구성되며, 공급원으로부터의 스퍼터 가스를 성막실(310) 내에 도입하는 것을 가능하게 한다. 배기부는 공기압 회로를 포함하여 구성되며, 배기 처리에 의한 성막실(310) 내의 감압을 가능하게 하고 있다. 성막부(300)에서는, 전원에 의해서 타겟(320)에 전력을 인가함으로써, 성막실(310)에 도입된 스퍼터 가스를 플라즈마화시켜, 성막 재료를 워크(W)에 퇴적시킬 수 있다. Although not shown, the film forming unit 300 is provided with a sputtering gas introduction unit for introducing sputtering gas into the film forming chamber 310 and an exhaust unit for discharging the sputtering gas. As the sputtering gas, for example, an inert gas such as argon gas can be used. The sputtering gas introduction unit includes a gas supply circuit, and makes it possible to introduce the sputtering gas from the supply source into the deposition chamber 310 . The exhaust section includes a pneumatic circuit, and enables pressure reduction in the film formation chamber 310 by exhaust treatment. In the film forming unit 300 , by applying electric power to the target 320 by a power source, the sputtering gas introduced into the film forming chamber 310 can be turned into plasma, and the film forming material can be deposited on the work W.

[냉각부][Cooling part]

냉각부(400)는, 대기 중에 배출되기 전의 워크(W)를, 대기 중에서 막이 산화되는 것을 방지할 수 있는 온도까지 냉각한다. 도 7, 도 11에 도시하는 것과 같이, 냉각부(400)는 냉각실(410), 제1 냉각 기구(420)를 갖는다. 냉각실(410)은 챔버(2) 내부로 향하는 개구(410a)를 갖는 용기의 내부 공간이다. 상기한 것과 같이, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)에 의해서 개구(410a)의 단부가 밀봉되고, 서셉터(S)에 배치된 워크(W)가 냉각실(410)에 수용된다. 이 개구(410a)는 밀봉부(520)에 의해서 밀봉되는 개구(OP)에 상당한다. The cooling unit 400 cools the work W before being discharged to the atmosphere to a temperature that can prevent the film from being oxidized in the air. 7 and 11 , the cooling unit 400 includes a cooling chamber 410 and a first cooling mechanism 420 . The cooling chamber 410 is the interior space of the vessel having an opening 410a facing into the chamber 2 . As described above, the end of the opening 410a is sealed by the sealing surface 522a of the sealing body 522 , and the work W disposed on the susceptor S is accommodated in the cooling chamber 410 . This opening 410a corresponds to the opening OP sealed by the sealing part 520 .

제1 냉각 기구(420)는 냉각기(421), 냉각 가스 도입부(422)를 갖는다. 냉각기(421)는, 냉각실(410)의 내부에, 회전체(3)의 회전 평면과 평행한 방향으로 배치된 원주 형상의 부재에, 냉각액 순환로(423)를 내장한 장치이다. 냉각액 순환로(423)는, 냉각기(421)의 내부에, 냉각기(421)와 동축의 나사형 부분을 포함하여 형성되며, 냉각액이 순환할 수 있는 통로이다. 냉각액 순환로(423)는, 도시하지 않는 냉각액 공급원에 접속되어, 냉각액을 냉각액 유로 내에 순환 공급하는 배관에 접속되어 있다. The first cooling mechanism 420 has a cooler 421 and a cooling gas inlet 422 . The cooler 421 is a device in which the cooling liquid circulation path 423 is incorporated in a cylindrical member disposed in a direction parallel to the rotation plane of the rotating body 3 inside the cooling chamber 410 . The cooling liquid circulation path 423 is formed in the cooler 421 and includes a threaded portion coaxial with the cooler 421 , and is a passage through which the cooling liquid can circulate. The cooling liquid circulation path 423 is connected to a cooling liquid supply source (not shown), and is connected to a pipe for circulating and supplying the cooling liquid into the cooling liquid passage.

냉각 가스 도입부(422)는 냉각 가스(G)를 도입하는 배관을 갖는다. 예컨대 질소 등의 불활성 가스를 냉각 가스(G)로서 이용할 수 있다. 특히 수분을 포함하지 않는 고순도의 질소로 하면, 성막된 막의 산화를 방지할 수 있다. 냉각 가스 도입부(422)는, 도시하지 않는 가스 공급 회로를 포함하여 구성되며, 공급원으로부터의 냉각 가스(G)를 냉각실(410) 내에 도입하는 것을 가능하게 한다. The cooling gas introduction unit 422 has a pipe through which the cooling gas G is introduced. For example, an inert gas such as nitrogen can be used as the cooling gas G. In particular, when high-purity nitrogen containing no moisture is used, oxidation of the formed film can be prevented. The cooling gas introduction unit 422 includes a gas supply circuit (not shown), and makes it possible to introduce the cooling gas G from the supply source into the cooling chamber 410 .

또한, 냉각부(400)에 대응하는 푸셔(500F)에 마련된 밀봉부(520)는 제2 냉각 기구(430)로서 기능한다. 제2 냉각 기구(430)는 냉각액 순환로(431), 냉각액 공급부(432)를 갖는다. 냉각액 순환로(431)는, 밀봉부(520)의 내부에, 밀봉부(520)와 동축의 나사형 부분을 포함하여 형성되며, 냉각액이 순환할 수 있는 통로이다. 냉각액 공급부(432)는 냉각액을 도입하는 배관을 갖는다. 냉각액 공급부(432)는, 도시하지 않는 냉각액 공급원에 접속되어, 냉각액을 냉각액 순환로(431) 내에 순환 공급한다. In addition, the sealing part 520 provided in the pusher 500F corresponding to the cooling part 400 functions as the second cooling mechanism 430 . The second cooling mechanism 430 includes a cooling liquid circulation path 431 and a cooling liquid supply unit 432 . The cooling liquid circulation path 431 is formed in the sealing part 520 and includes a threaded portion coaxial with the sealing part 520 , and is a passage through which the cooling liquid can circulate. The cooling liquid supply unit 432 has a pipe through which the cooling liquid is introduced. The cooling liquid supply unit 432 is connected to a cooling liquid supply source (not shown), and circulates and supplies the cooling liquid into the cooling liquid circulation path 431 .

상기한 것과 같이, 대기 공간에 반출되었을 때에, 성막한 막이 산화되는 것을 방지하는 온도로 하기 위해서는, 냉각기(421) 및 냉각 가스(G)에 의한 냉각 온도는 60℃ 정도가 되도록 설정하는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지는 않는다.As described above, in order to set the temperature at which the film formed is prevented from being oxidized when taken out to the air space, the cooling temperature by the cooler 421 and the cooling gas G is preferably set to be about 60 ° C. , but not limited thereto.

더욱이, 냉각부(400)는, 냉각실(410)의 내압을 조정하는 냉각실 배기부(424)를 갖는다. 본 실시형태의 냉각실 배기부(424)는, 냉각실(410)에 형성된 개구에 접속된 배관을 갖는다. 냉각실 배기부(424)는, 도시하지 않는 공기압 회로를 포함하여 구성되며, 배기 처리에 의한 냉각실(410) 내의 감압을 가능하게 하고 있다. 또한 냉각부(400)에는, 냉각실(410)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 압력 센서와, 냉각실(410) 내부의 온도를 검출하는 도시하지 않는 온도 센서가 마련되어 있다. 압력 센서는, 후술하는 제어 장치(70), 출력 장치(79)와 함께, 냉각실(410)의 내압을 감시하는 압력 모니터를 구성한다. 온도 센서는, 제어 장치(70), 출력 장치(79)와 함께, 냉각실(410) 내부의 온도를 감시하는 온도 모니터를 구성한다.Furthermore, the cooling unit 400 has a cooling chamber exhaust unit 424 for adjusting the internal pressure of the cooling chamber 410 . The cooling chamber exhaust part 424 of the present embodiment has a pipe connected to an opening formed in the cooling chamber 410 . The cooling chamber exhaust unit 424 includes a pneumatic circuit (not shown), and enables pressure reduction in the cooling chamber 410 by exhaust treatment. Moreover, the cooling part 400 is provided with the pressure sensor (not shown) which detects the internal pressure of the cooling chamber 410, and the temperature sensor (not shown) which detects the temperature inside the cooling chamber 410. FIG. The pressure sensor constitutes a pressure monitor for monitoring the internal pressure of the cooling chamber 410 together with a control device 70 and an output device 79 which will be described later. The temperature sensor, together with the control device 70 and the output device 79 , constitutes a temperature monitor that monitors the temperature inside the cooling chamber 410 .

[제어 장치][controller]

제어 장치(70)는, 도 12에 도시하는 것과 같이, 성막 장치(1)의 각 부를 제어하는 장치이다. 이 제어 장치(70)는, 예컨대 전용의 전자 회로 혹은 소정의 프로그램으로 동작하는 컴퓨터 등에 의해서 구성할 수 있다. 반입반출부(100), 가열부(200), 성막부(300A∼300C), 냉각부(400)의 제어 내용이 프로그램되어 있으며, PLC나 CPU 등의 처리 장치에 의해 실행된다. The control device 70 is a device that controls each unit of the film forming device 1 as shown in FIG. 12 . The control device 70 can be configured by, for example, a dedicated electronic circuit or a computer operating with a predetermined program. Control contents of the carry-in/out unit 100, the heating unit 200, the film forming units 300A to 300C, and the cooling unit 400 are programmed and executed by a processing device such as a PLC or a CPU.

제어 장치(70)는, 상기와 같은 프로그램에 의해, 도 12의 블록도에 도시하는 것과 같이 기능한다. 즉, 제어 장치(70)는, 기구 제어부(71), 가열 제어부(72), 성막 제어부(73), 냉각 제어부(74), 기억부(75), 설정부(76), 입출력 제어부(77)를 갖는다. The control device 70 functions as shown in the block diagram of FIG. 12 by the above program. That is, the control device 70 includes the mechanism control unit 71 , the heating control unit 72 , the film forming control unit 73 , the cooling control unit 74 , the storage unit 75 , the setting unit 76 , and the input/output control unit 77 . has

기구 제어부(71)는 각 부의 구동원, 밸브, 전원 등을 제어한다. 가열 제어부(72)는 히터(220)의 전원을 제어함으로써 가열 온도를 제어한다. 성막 제어부(73)는, 타겟(320)에의 인가 전력, 스퍼터 가스의 도입량을 제어함으로써 성막량을 제어한다. 냉각 제어부(74)는, 제1 냉각 기구(420), 제2 냉각 기구(430)의 냉각액의 온도, 냉각 가스(G)의 공급량을 제어함으로써 냉각 온도를 제어한다. 기억부(75)는 본 실시형태의 제어에 필요한 정보를 기억한다. 설정부(76)는 외부로부터 입력된 정보를 기억부(75)에 설정한다. 예컨대 설정부(76)는, 가열을 위한 목표 온도에 대응하는 가열부(200)의 가열 온도, 냉각을 위한 목표 온도에 대응하는 냉각부(400)의 냉각 온도, 냉각실(410)의 배기를 제어하기 위한 소정의 온도, 소정의 압력, 소정의 시간 등을 설정한다. The mechanism control unit 71 controls a driving source, a valve, a power supply, and the like of each unit. The heating control unit 72 controls the heating temperature by controlling the power of the heater 220 . The film-forming control part 73 controls the film-forming amount by controlling the introduction amount of the power applied to the target 320, and sputtering gas. The cooling control unit 74 controls the cooling temperature by controlling the temperature of the cooling liquid of the first cooling mechanism 420 and the second cooling mechanism 430 , and the supply amount of the cooling gas G . The storage unit 75 stores information necessary for the control of the present embodiment. The setting unit 76 sets information input from the outside in the storage unit 75 . For example, the setting unit 76 sets the heating temperature of the heating unit 200 corresponding to the target temperature for heating, the cooling temperature of the cooling unit 400 corresponding to the target temperature for cooling, and the exhaust of the cooling chamber 410 . A predetermined temperature, a predetermined pressure, a predetermined time, etc. for controlling are set.

입출력 제어부(77)는, 제어 대상이 되는 각 부와의 사이에서의 신호의 변환이나 입출력을 제어하는 인터페이스이다. 또한, 제어 장치(70)에는 입력 장치(78), 출력 장치(79)가 접속되어 있다. 입력 장치(78)는, 오퍼레이터가 제어 장치(70)를 통해 성막 장치(1)를 조작하기 위한 스위치, 터치 패널, 키보드, 마우스 등의 입력 수단이다. The input/output control unit 77 is an interface that controls signal conversion and input/output between each unit to be controlled. In addition, an input device 78 and an output device 79 are connected to the control device 70 . The input device 78 is an input means such as a switch, a touch panel, a keyboard, and a mouse for the operator to operate the film forming apparatus 1 via the control device 70 .

출력 장치(79)는, 장치의 상태를 확인하기 위한 정보를, 오퍼레이터가 시인할 수 있는 상태로 하는 디스플레이, 램프, 미터 등의 출력 수단이다. 예컨대 출력 장치(79)는 입력 장치(78)로부터의 정보의 입력 화면을 표시할 수 있다. 예컨대 냉각실(410) 내부의 압력, 온도를 표시하게 하여, 오퍼레이터가 감시할 수 있다.The output device 79 is an output means, such as a display, a lamp, a meter, which makes the information for confirming the state of an apparatus into a state which an operator can visually recognize. For example, the output device 79 may display an input screen of information from the input device 78 . For example, by displaying the pressure and temperature inside the cooling chamber 410, the operator can monitor it.

[동작][action]

이상과 같은 본 실시형태에 의한 성막 장치(1)에 의해서 워크(W)에 성막하는 처리를, 상기한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 성막 장치(1)에 있어서의 각 처리부(PR)는, 복수의 서셉터(S)를 동시에 반송하면서, 각 워크(W)에 대한 처리를 병행하여 행할 수 있지만, 이하의 설명에서는, 하나의 서셉터(S)에 배치된 워크(W)에 주목하여 설명한다.The process of forming a film on the workpiece|work W by the film-forming apparatus 1 by the above-mentioned this embodiment is demonstrated with reference to said drawing. In addition, each processing part PR in the film-forming apparatus 1 can carry out the processing with respect to each workpiece|work W in parallel while simultaneously conveying the some susceptor S, but in the following description, one Pay attention to the work (W) arranged on the susceptor (S) of the description.

(워크의 반입)(Bringing in of work)

우선, 반입반출부(100)에 의해서 성막 처리해야 할 워크(W)를 챔버(2) 내에 반입하는 동작을 설명한다. 도 2(a)에 도시하는 것과 같이, 회전체(3)의 공극부(32)는, 반입반출부(100)의 개구(121b)에 대향하는 위치에 위치 결정되어 있고, 푸셔(500A)에 의해 밀어붙여진 밀봉부(520)의 밀봉체(522)에 의해서 개구(121b)가 밀봉되어 있다. 또한, 챔버(2) 내부는 공기압 회로의 배기 처리에 의해 진공으로 되어 있다.First, the operation|movement of carrying in the workpiece|work W to be film-formed by the carrying-in/out part 100 into the chamber 2 is demonstrated. As shown in Fig. 2(a), the gap portion 32 of the rotating body 3 is positioned at a position opposite to the opening 121b of the carry-in/out portion 100, and is attached to the pusher 500A. The opening 121b is sealed by the sealing body 522 of the sealing part 520 pushed by the In addition, the inside of the chamber 2 is made into a vacuum by the exhaust process of a pneumatic circuit.

이 상태에서, 도 1에 도시하는 것과 같이, 반송 기구(TR)에 의해 반송되고 있는 미처리의 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)가, 도시하지 않는 푸셔에 의해서 밀어붙여져, 반송부(110)의 유지체(112)에 유지된다. 아암(111)이 회동함으로써, 미처리의 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)가 개구(121a)에 대향하는 위치로 온다. 아암(111)이 개구(121a)에 접근하는 방향으로 이동하여, 유지체(112)가 개구(121b)를 밀봉함으로써, 로드록실(121)을 밀폐한다.In this state, as shown in FIG. 1 , the susceptor S on which the unprocessed workpiece W being conveyed by the conveying mechanism TR is mounted is pushed by a pusher (not shown), and the conveying unit ( It is held by the holder 112 of the 110). When the arm 111 rotates, the susceptor S on which the unprocessed workpiece W is mounted comes to a position facing the opening 121a. The arm 111 moves in a direction approaching the opening 121a so that the holding body 112 seals the opening 121b, thereby sealing the load lock chamber 121 .

공기압 회로에 의해서 배기 라인으로부터 배기함으로써, 로드록실(121)을 챔버(2) 내부와 동등하게 될 때까지 감압한다. 유지체(112)가 워크(W)의 유지를 해제함으로써, 로드록실(121)을 밀봉하고 있는 밀봉부(520)의 배치면(521a)에 워크(W)가 배치된다. 이때, 도 5의 (c), (d)에 도시하는 것과 같이, 돌출부(523)에 의해서 롤러(332a)가 밀어붙여져 파지부(333a)가 후퇴 위치에 있다. 그리고, 도 2(b), 도 5의 (a), (b)에 도시하는 것과 같이, 푸셔(500A)가 회전체(3)의 공극부(32)를 통과함으로써, 롤러(332a)가 돌출부(523)로부터 떨어진다. 그러면, 아암(333)이 회동하여, 파지부(333a)가 워크(W)가 탑재된 서셉터(S)를 파지한다.By evacuating from the exhaust line by the pneumatic circuit, the load lock chamber 121 is depressurized until it becomes equal to the inside of the chamber 2 . When the holding body 112 releases the holding of the work W, the work W is placed on the arrangement surface 521a of the sealing portion 520 sealing the load lock chamber 121 . At this time, as shown in FIG.5(c), (d), the roller 332a is pushed by the protrusion part 523, and the holding|gripping tool 333a exists in a retracted position. And, as shown in FIG.2(b), FIG.5(a), (b), when the pusher 500A passes through the space|gap part 32 of the rotating body 3, the roller 332a is a protrusion part. Falls from (523). Then, the arm 333 rotates, and the holding part 333a grasps the susceptor S on which the workpiece|work W was mounted.

(워크의 가열)(Heating of the work piece)

이어서, 챔버(2) 내에 반입된 워크(W)를 가열하는 처리를 설명한다. 가열부(200)에서는, 미리 히터(220)가 설정 온도로 가열되어 있는 것으로 한다. 도 10(a)에 도시하는 것과 같이, 회전체(3)가 간헐 회전함으로써, 가열부(200)의 가열실(210)의 개구(210a)의 바로 아래로 서셉터(S)가 이동한다. 그리고, 푸셔(500b)를 개구(210a)에 접근하는 방향으로 이동시킨다. 그러면, 푸셔(500b)가 회전체(3)의 공극부(32)를 통과함으로써, 롤러(332a)가 돌출부(523)에 의해 밀어붙여지고, 아암(333)이 회동하여 파지부(333a)가 서셉터(S)로부터 후퇴하고, 서셉터(S)가 배치면(521a)에 배치된다. 또한, 푸셔(500b)가 개구(210a)에 접근하는 방향으로 이동하면, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)이 개구(210a)의 단부면을 기밀하게 밀봉한다. 이에 따라, 도 10(b)에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 워크(W)가 가열실(210) 내에 수용된다. Next, the process of heating the workpiece|work W carried in into the chamber 2 is demonstrated. In the heating unit 200, it is assumed that the heater 220 is previously heated to a set temperature. As shown in FIG. 10( a ), when the rotating body 3 rotates intermittently, the susceptor S moves directly below the opening 210a of the heating chamber 210 of the heating unit 200 . Then, the pusher 500b is moved in a direction approaching the opening 210a. Then, as the pusher 500b passes through the gap portion 32 of the rotating body 3, the roller 332a is pushed by the protrusion 523, the arm 333 rotates, and the gripping portion 333a is Retracted from the susceptor (S), the susceptor (S) is disposed on the placement surface (521a). Further, when the pusher 500b moves in the direction approaching the opening 210a, the sealing surface 522a of the sealing body 522 hermetically seals the end surface of the opening 210a. Thereby, as shown in FIG.10(b), the workpiece|work W is accommodated in the heating chamber 210 together with the susceptor S.

워크(W)는 히터(220)에 근접한 위치에서 대향하기 때문에, 가열된 히터(220)에 의해서 워크(W)가 설정 온도까지 가열된다. 워크(W)가 가열된 후, 푸셔(500b)를 개구(210a)로부터 떨어지는 방향으로 이동시킴으로써, 개구(210a)가 개방되고, 배치면(521a)의 서셉터(S)에 탑재된 워크(W)가 가열실(210)로부터 배출된다. 푸셔(500b)가 회전체(3)의 공극부(32)를 통과하는 과정에서, 상기한 것과 같이, 유지부(33)의 아암(333)이 회동하여, 파지부(333a)가 서셉터(S)를 파지하고 서셉터(S)로부터 배치면(521a)이 떨어진다.Since the work W opposes at a position close to the heater 220 , the work W is heated to a set temperature by the heated heater 220 . After the workpiece W is heated, by moving the pusher 500b in a direction away from the opening 210a, the opening 210a is opened and the workpiece W mounted on the susceptor S of the placement surface 521a. ) is discharged from the heating chamber 210 . In the process in which the pusher 500b passes through the void 32 of the rotating body 3, as described above, the arm 333 of the holding part 33 rotates, and the holding part 333a becomes the susceptor ( S) is gripped, and the mounting surface 521a is separated from the susceptor S.

(성막 처리)(film forming process)

이상과 같이, 가열 처리가 이루어진 워크(W)에 대하여, 성막부(300A), 성막부(300B), 성막부(300C)에서 성막하는 처리를 설명한다. 또한, 성막부(300A), 성막부(300B), 성막부(300C)에서의 처리는 공통이기 때문에, 주로 성막부(300A)에서의 처리를 설명한다. With respect to the workpiece W subjected to the heat treatment as described above, a process for forming a film in the film forming unit 300A, the film forming unit 300B, and the film forming unit 300C will be described. In addition, since the processes in the film-forming part 300A, the film-forming part 300B, and the film-forming part 300C are common, the process in the film-forming part 300A is mainly demonstrated.

도 11(a)에 도시하는 것과 같이, 회전체(3)를 간헐 회전시킴으로써, 성막부(300A)의 개구(310a)에 대향하는 위치로 워크(W)를 이동시킨다. 그리고, 상기와 마찬가지로, 푸셔(500c)를 개구(310a)에 접근하는 방향으로 이동시킴으로써, 서셉터(S)와 함께 워크(W)가 성막실(310) 내로 이동한다. 그러면, 도 11(b)에 도시하는 것과 같이, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)이 개구(310a)의 단부를 기밀하게 밀봉한다. 이에 따라 성막실(310)이 밀폐된다.As shown to Fig.11 (a), the workpiece|work W is moved to the position opposing the opening 310a of 300A of film-forming part 300A by rotating the rotating body 3 intermittently. And, similarly to the above, by moving the pusher 500c in a direction approaching the opening 310a, the work W moves together with the susceptor S into the film forming chamber 310 . Then, as shown in FIG.11(b), the sealing surface 522a of the sealing body 522 hermetically seals the edge part of the opening 310a. Accordingly, the deposition chamber 310 is sealed.

이 상태에서, 스퍼터 가스를 성막실(310) 내에 도입하고, 전원에 의해 타겟(320)에 전력을 인가한다. 그러면, 스퍼터 가스가 플라즈마화하여 발생하는 이온이 타겟(320)에 충돌한다. 타겟(320)을 구성하는 성막 재료는, 이온에 의해 두들겨져 나와 워크(W)에 퇴적된다.In this state, sputtering gas is introduced into the deposition chamber 310 , and electric power is applied to the target 320 by a power supply. Then, ions generated by the sputtering gas become plasma collide with the target 320 . The film-forming material constituting the target 320 is beaten by ions and deposited on the work W.

워크(W)에 성막 재료가 퇴적된 후, 스퍼터 가스를 성막실(310)로부터 배출하여, 성막실(310)의 압력을 챔버(2)와 동등하게 한다. 그리고, 푸셔(500)를 개구(310a)로부터 떨어지는 방향으로 이동시키면, 상기한 것과 같이, 성막실(310)의 개구(310a)가 개방되어, 서셉터(S)와 함께 워크(W)가 성막실(310)로부터 배출된다. 또한, 푸셔(500)가 이동하면, 서셉터(S)가 유지부(33)에 유지되고 서셉터(S)로부터 배치면(521a)이 떨어진다. After the film-forming material is deposited on the work W, the sputtering gas is discharged from the film-forming chamber 310 to make the pressure of the film-forming chamber 310 equal to that of the chamber 2 . Then, when the pusher 500 is moved in a direction away from the opening 310a, as described above, the opening 310a of the deposition chamber 310 is opened, and the workpiece W is formed together with the susceptor S. discharged from the seal 310 . In addition, when the pusher 500 moves, the susceptor S is held by the holding part 33 and the mounting surface 521a is separated from the susceptor S.

회전체(3)를 간헐 회전시킴으로써, 도 2(b)에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 성막부(300B)의 개구(310a)의 바로 아래로 워크(W)를 이동시킨다. 그리고, 상기와 같은 성막 처리를 성막부(300B)에서도 행한다. 성막부(300B)에서의 성막 후에 회전체(3)를 간헐 회전시킴으로써, 도 10에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 성막부(300C)의 개구(310a)의 바로 아래로 워크(W)를 이동시킨다. 그리고, 상기와 같은 성막 처리를 성막부(300C)에서도 행한다. By intermittently rotating the rotating body 3, as shown in FIG.2(b), the workpiece|work W is moved just below the opening 310a of the film-forming part 300B together with the susceptor S. Then, the film forming process as described above is also performed in the film forming unit 300B. By intermittently rotating the rotating body 3 after film formation in the film forming unit 300B, as shown in FIG. 10 , the workpiece is directly below the opening 310a of the film forming unit 300C together with the susceptor S. W) is moved. Then, the film forming process as described above is also performed in the film forming unit 300C.

(워크의 냉각)(workpiece cooling)

이상과 같이 성막 처리가 이루어진 워크(W)를 냉각하는 처리를 설명한다. 또한, 미리 제1 냉각 기구(420)의 냉각기(421)에는 냉각액이 순환하고 있으며, 설정 온도로 냉각되어 있다. 또한, 제2 냉각 기구(430)의 냉각액 순환로(431)에도 냉각액이 순환하고 있으며, 설정 온도로 냉각되어 있다. The process of cooling the workpiece|work W in which the film-forming process was made as mentioned above is demonstrated. Moreover, the cooling liquid is circulating in the cooler 421 of the 1st cooling mechanism 420 in advance, and it is cooled to the set temperature. In addition, the cooling liquid circulates also in the cooling liquid circulation path 431 of the second cooling mechanism 430 , and is cooled to a set temperature.

도 7 및 도 11(a)에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 냉각부(400)의 냉각실410의 개구(410a)의 바로 아래로 성막 완료된 워크(W)를 이동시킨다. 상기 와 마찬가지로, 도 8에 도시하는 것과 같이, 푸셔(500F)를 개구(410a)에 접근하는 방향으로 이동시키고, 도 9 및 도 11(B)에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 워크(W)를 냉각실(410) 내에 수용하여, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)에 의해서 개구(410a)의 단부를 기밀하게 밀봉한다. 이에 따라 냉각실(410)이 밀폐된다.As shown in FIGS. 7 and 11( a ), the work W on which the film has been formed is moved together with the susceptor S under the opening 410a of the cooling chamber 410 of the cooling unit 400 . Similarly to the above, as shown in Fig. 8, the pusher 500F is moved in the direction approaching the opening 410a, and together with the susceptor S as shown in Figs. 9 and 11(B). The work W is accommodated in the cooling chamber 410 and the end of the opening 410a is hermetically sealed by the sealing surface 522a of the sealing body 522 . Accordingly, the cooling chamber 410 is sealed.

이 상태에서, 냉각 가스 도입부(422)에 의해서 냉각 가스(G)를 성막실(310) 내에 도입한다. 이때, 냉각실(410)의 내압은 대기압에 거의 가까운, 1000 Pa∼대기압 미만의 압력까지 도달한다. 그러면, 제1 냉각 기구(420)의 냉각기(421) 및 냉각 가스(G), 제2 냉각 기구(430)에 의해서, 서셉터(S)에 배치된 워크(W)가 고속으로 냉각된다. 온도 센서에 의해서 검출되는 냉각실(410)의 온도가 소정의 온도에 도달하면, 냉각실 배기부(424)에 의해서 냉각실(410) 내의 분위기를 배기한다. 압력 센서에 의해서 검출되는 냉각실(410)의 내압이 챔버(2)와 같은 정도의 압력으로 되면, 냉각실 배기부(424)에 의한 배기를 정지한다. 이러한 배기 동작에 의해, 밀폐한 냉각실(410)에 냉각 가스(G)를 도입함으로써 올라간 냉각실(410)의 내압이 챔버(2)와 같은 정도의 압력까지 되돌아간다. In this state, the cooling gas G is introduced into the deposition chamber 310 by the cooling gas introduction unit 422 . At this time, the internal pressure of the cooling chamber 410 reaches a pressure of 1000 Pa to less than atmospheric pressure, which is almost close to atmospheric pressure. Then, the work W disposed in the susceptor S is cooled at high speed by the cooler 421 and the cooling gas G of the first cooling mechanism 420 and the second cooling mechanism 430 . When the temperature of the cooling chamber 410 detected by the temperature sensor reaches a predetermined temperature, the atmosphere in the cooling chamber 410 is exhausted by the cooling chamber exhaust unit 424 . When the internal pressure of the cooling chamber 410 detected by the pressure sensor becomes the same as that of the chamber 2 , exhaust by the cooling chamber exhaust unit 424 is stopped. By such an exhaust operation, the internal pressure of the cooling chamber 410 raised by introducing the cooling gas G into the sealed cooling chamber 410 returns to the same pressure as the chamber 2 .

그 후, 푸셔(500F)를 개구(410a)로부터 멀어지는 방향으로 이동시키면, 상기한 것과 같이, 냉각실(410)의 개구(410a)가 개방되어, 워크(W)가 냉각실(410)로부터 배출되고, 서셉터(S)가 유지부(33)에 유지됨으로써 서셉터(S)로부터 배치면(521a)이 떨어진다.After that, when the pusher 500F is moved in a direction away from the opening 410a, the opening 410a of the cooling chamber 410 is opened, and the work W is discharged from the cooling chamber 410 as described above. and the susceptor S is held by the holding part 33, so that the mounting surface 521a is separated from the susceptor S.

(워크의 반출)(removing work)

또한, 반입반출부(100)에 의해서 성막 후에 냉각된 워크(W)를 챔버(2) 밖으로 반출하는 동작을 설명한다. 회전체(3)를 간헐 회전시킴으로써, 도 2(b)에 도시하는 것과 같이, 서셉터(S)와 함께 로드록실(121)의 개구(121b)의 바로 아래로 워크(W)를 이동시킨다. In addition, the operation of carrying out the work W cooled after film formation by the carrying-in/out unit 100 out of the chamber 2 will be described. By intermittently rotating the rotating body 3, as shown in Fig. 2(b) , the work W is moved together with the susceptor S directly below the opening 121b of the load lock chamber 121 .

도 2(a)에 도시하는 것과 같이, 푸셔(500A)를 개구(121b)에 접근하는 방향으로 이동시킴으로써, 서셉터(S)와 함께 워크(W)가 로드록실(121) 내로 이동한다. 그러면, 밀봉체(522)의 밀봉면(522a)이 개구(121b)의 단부를 기밀하게 밀봉한다. 이에 따라 로드록실(121)이 밀폐된다. 로드록실(121)의 개구(121a)를 밀봉하고 있는 유지체(112)에 의해서, 처리 완료된 워크(W)를 배치한 서셉터(S)를 유지한다. 그리고, 벤트 라인을 통해 벤트 가스를 공급함으로써 로드록실(121) 내의 진공을 파괴한다. 아암(111)을 개구(121a)로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 유지체(112)를 이동시켜, 로드록실(121)을 개방한다. As shown in FIG. 2( a ), by moving the pusher 500A in a direction approaching the opening 121b , the work W moves together with the susceptor S into the load lock chamber 121 . Then, the sealing surface 522a of the sealing body 522 hermetically seals the end of the opening 121b. Accordingly, the load lock chamber 121 is sealed. The susceptor S on which the processed workpiece W is placed is held by the holding body 112 sealing the opening 121a of the load lock chamber 121 . Then, the vacuum in the load lock chamber 121 is broken by supplying the vent gas through the vent line. By moving the arm 111 in a direction away from the opening 121a , the holding body 112 is moved to open the load lock chamber 121 .

도 1에 도시하는 것과 같이, 아암(111)이 회동함으로써, 서셉터(S)를 유지한 유지체(112)가 반송 기구(TR)에 대향하는 위치로 오고, 유지체(112)에 접근하는 방향으로 이동한 푸셔가 서셉터(S)를 지지하고, 유지체(112)가 서셉터(S)의 유지를 해제한다. 그리고, 푸셔가 서셉터(S)를 반송 기구(TR)에 배치하여 후퇴한 후, 반송 기구(TR)가 처리 완료된 워크(W)를 후속 공정으로 반송한다. As shown in FIG. 1 , when the arm 111 rotates, the holding body 112 holding the susceptor S comes to a position facing the conveying mechanism TR and approaches the holding body 112 . The pusher moved in the direction supports the susceptor (S), and the holding body 112 releases the holding of the susceptor (S). And after the pusher arrange|positions the susceptor S to the conveyance mechanism TR and retreats, the conveyance mechanism TR conveys the processed workpiece|work W to a subsequent process.

[효과][effect]

본 실시형태의 성막 장치(1)는, 배기에 의해 내부를 진공할 수 있는 챔버(2)와, 챔버(2) 내의 진공을 유지한 상태에서, 워크(W)를 챔버(2)의 내부에 출납하는 반입반출부(100)와, 챔버(2)의 내부에 배치되며, 워크(W)를 탑재한 서셉터(S)를 회전에 의해 반송하는 회전체(3)와, 회전체(3)의 회전축을 중심으로 하는 원주를 따라 배치되며, 챔버(2) 내에 연통된 개구(OP)를 가지고, 개구(OP)로부터 도입된 워크(W)를 처리하는 복수의 처리부(PR)와, 워크(W)가 회전체(3)로부터 이탈하여, 개구(OP)로부터 처리부(PR) 내에 도입되는 방향으로 서셉터(S)를 밀어붙이는 푸셔(500)를 갖는다. 그리고, 복수의 처리부(PR)는, 워크(W)를 가열하는 가열부(200)와, 워크(W)에 대하여 성막하는 성막부(300)와, 워크(W)를 냉각하는 냉각부(400)를 포함하고, 회전체(3)에는, 회전체(3)가 반송하고 있는 서셉터(S)를 유지하며, 푸셔(500)에 의해 밀어붙여짐으로써 서셉터(S)를 개방하는 유지부(33)가 마련되고, 푸셔(500)에는, 처리부(PR)에 워크(W)를 도입하고 개구(OP)를 밀봉하는 밀봉부(520)가 마련되어 있다.The film forming apparatus 1 of the present embodiment includes a chamber 2 capable of evacuating the inside by evacuation, and a workpiece W inside the chamber 2 while maintaining the vacuum in the chamber 2 . A carry-in/out unit 100 for loading and unloading, a rotating body 3 disposed inside the chamber 2 and carrying a susceptor S on which a workpiece W is mounted by rotation, and a rotating body 3 A plurality of processing units PR disposed along a circumference about the axis of rotation of the chamber 2 and having an opening OP communicated in the chamber 2 for processing the workpiece W introduced from the opening OP; W) has a pusher 500 that pushes the susceptor S in a direction in which it is detached from the rotating body 3 and introduced into the processing unit PR from the opening OP. The plurality of processing units PR includes a heating unit 200 for heating the work W, a film forming unit 300 for forming a film on the work W, and a cooling unit 400 for cooling the work W. ), the rotating body 3 holds the susceptor S conveyed by the rotating body 3, and a holding part that opens the susceptor S by being pushed by the pusher 500. 33 is provided, and the pusher 500 is provided with the sealing part 520 which introduces the workpiece|work W into the processing part PR and seals the opening OP.

본 실시형태에서는, 개구(OP)를 밀봉하는 밀봉부(520)가, 워크(W)와 함께 이동하고, 가열실(210)이나 성막실(310)에서 계속해서 가열되는 서셉터(S)와는 별개로 되어 있기 때문에, 밀봉부(520)가 계속해서 가열되어 고온으로 되는 일이 없다. 또한, 서셉터(S)는, 냉각부(400)의 내부와의 압력차에 견딜 수 있는 강도는 요구되지 않고, 두께와 재료를 선택할 수 있기 때문에 열용량을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 냉각부(400)에 있어서의 워크(W)의 냉각을 단시간에 효율적으로 행할 수 있다. 따라서, 냉각 처리에 율속되는 일 없이 스루풋이 향상된다. In this embodiment, the sealing part 520 which seals the opening OP moves together with the workpiece|work W, and is separated from the susceptor S which is continuously heated in the heating chamber 210 and the film-forming chamber 310. Since they are separate, the sealing part 520 is not heated continuously and becomes high temperature. In addition, the susceptor S is not required to be strong enough to withstand the pressure difference with the inside of the cooling unit 400, and since the thickness and material can be selected, the heat capacity can be reduced. For this reason, cooling of the workpiece|work W in the cooling part 400 can be performed efficiently in a short time. Therefore, the throughput is improved without being constrained by the cooling process.

밀봉부(520)는 워크(W)를 냉각하는 제2 냉각 기구(430)를 갖는다. 이 때문에, 냉각부(400)에서 냉각하고, 밀봉부(520)의 제2 냉각 기구(430)에 의해 워크(W)를 표면과 이면의 양면에서 냉각할 수 있기 때문에, 고속으로 냉각할 수 있다. 밀봉부(520)는, 회전체(3)에 의해서 워크(W)와 함께 반송되는 것은 아니기 때문에, 회전체(3)에 의한 서셉터(S)의 반송 기구와는 분리된 간이한 구조로 제2 냉각 기구(430)를 설치할 수 있다. The sealing part 520 has a second cooling mechanism 430 that cools the work W. For this reason, since it can cool by the cooling part 400, and the 2nd cooling mechanism 430 of the sealing part 520 can cool the workpiece|work W from both surfaces of a front surface and a back surface, it can cool at high speed. . Since the sealing part 520 is not conveyed together with the work W by the rotating body 3, it is manufactured with a simple structure separated from the conveying mechanism of the susceptor S by the rotating body 3 2 cooling mechanism 430 can be installed.

회전체(3)는 원형의 판형체이며, 회전체(3)에는, 회전체(3)의 회전 평면에 교차하는 방향으로 밀봉부(520)가 통과하는 공극부(32)가 형성되고, 공극부(32)를 통과하는 과정에서, 서셉터(S)를 유지하는 유지 상태와 서셉터(S)를 해방하는 해방 상태에서 전환되는 유지부(33)를 갖는다. 이 때문에, 푸셔(500)에 고정된 밀봉부(520)를, 회전체(3)의 개구(OP) 측과 그 반대쪽의 사이에서 이동시켜, 개구(OP)의 밀봉과 개방, 유지부(33)에 의한 서셉터(S)의 유지와 해방을 전환할 수 있다. 즉, 밀봉부(520)의 밀봉·개방 동작과 기계적으로 동기시켜 간편하게 서셉터(S)의 유지·해방 동작을 행할 수 있다.The rotating body 3 is a circular plate-shaped body, and the rotating body 3 is provided with a void 32 through which the sealing part 520 passes in a direction intersecting the rotational plane of the rotating body 3, and the void is formed. In the process of passing through the part 32, it has the holding|maintenance part 33 which switches from the holding state which holds the susceptor S and the released state which releases the susceptor S. For this reason, the sealing part 520 fixed to the pusher 500 is moved between the opening OP side of the rotating body 3 and the opposite side, and sealing and opening of the opening OP, and the holding part 33 are moved. ) can be switched between holding and releasing the susceptor (S). That is, it is possible to simply perform the holding/release operation of the susceptor S by mechanically synchronizing with the sealing/opening operation of the sealing part 520 .

워크(W)는 세라믹 기판이며, 가열부(200)에서는, 가열에 의해 세라믹 기판에 대하여 탈가스 처리가 이루어지고, 성막부(300)는 복수 마련되며, 복수의 성막부(300)에 의해, 스퍼터링에 의해 다른 재료에 의한 다층막을 형성한다. 이 때문에, 가열부(200)에 의한 가열 후에, 복수의 성막부(300)에 의해서 계속해서 가열되는 경우라도, 냉각부(400)에 의해서 서셉터(S) 및 워크(W)를 고속으로 냉각할 수 있다. The work W is a ceramic substrate, and in the heating unit 200 , a degassing process is performed on the ceramic substrate by heating, and a plurality of film forming units 300 are provided, and by the plurality of film forming units 300 , A multilayer film made of a different material is formed by sputtering. For this reason, after heating by the heating unit 200 , the susceptor S and the workpiece W are cooled at a high speed by the cooling unit 400 even when the plurality of film forming units 300 are continuously heated. can do.

[변형예][Variation]

본 실시형태는 상기한 양태에는 한정되지 않으며, 이하와 같은 변형예도 포함한다. This embodiment is not limited to an above-mentioned aspect, The following modification is also included.

(1) 서셉터(S)에는, 워크(W)와의 사이에 개재하는 면에, 서셉터(S)의 열용량 이하의 열용량의 전도 부재가 배치되어 있어도 좋다. 이에 따라, 냉각부(400)에 있어서, 워크(W)의 열을 서셉터(S)를 통해 밀어내기 쉽게 할 수 있다. 예컨대 서셉터(S) 및 전도 부재로서는, 구리 등의 금속으로 하는 것이 적합하지만, 이것에 한정되지는 않는다. (1) In the susceptor S, a conductive member having a heat capacity equal to or less than that of the susceptor S may be disposed on a surface interposed between the susceptor S and the work W. Accordingly, in the cooling unit 400, it is possible to easily push the heat of the work (W) through the susceptor (S). For example, the susceptor S and the conductive member are preferably made of metal such as copper, but are not limited thereto.

(2) 처리부(PR)로서는, 성막부(300)와 함께 개질부를 포함하여도 좋다. 개질부는, 프로세스 가스를 플라즈마화시킴으로써 발생하는 전자, 이온, 라디칼 등의 활성종을 워크(W)에 충돌시킴으로써, 워크(W)의 표면을 개질하여, 막의 밀착성을 향상시키는 처리부(PR)이다.(2) The processing unit PR may include a reforming unit together with the film forming unit 300 . The reforming unit is a processing unit PR that modifies the surface of the work W and improves film adhesion by making the work W collide with active species such as electrons, ions, and radicals generated by converting the process gas into plasma.

(3) 로드록실(121)에는, 로드록실(121)을 통해 챔버(2) 내에서 반출되는 서셉터(S) 및 워크(W)를 냉각하는 냉각 장치를 마련하여도 좋다. 예컨대 로드록실(121)에 대응하는 밀봉부(520)에, 냉각부(400)와 같은 냉각 기구를 설치한다. 이에 따라, 서셉터(S) 및 워크(W)의 배출 전의 냉각을 촉진할 수 있다. 이 경우, 냉각실(410)에 있어서의 냉각은, 대기 중에서 막이 산화되는 것을 방지할 수 있는 온도인 목표 온도에 도달하기 전에 정지하고, 나머지 냉각을 로드록실(121)에서 행하여도 좋다. 이에 따라, 워크(W)를 목표 온도로 하기 위한 냉각 시간을, 냉각실(410)에 있어서의 냉각 시간과, 로드록실(121)에 있어서의 냉각 시간으로 분산할 수 있다. 그 때문에, 냉각실(410)에 장시간 워크(W)를 멈추게 해 놓는 일 없이 처리 율속을 적게 할 수 있어, 스루풋이 향상된다. 예컨대 도 1와 같이, 회전체(3)에, 워크(W)가 탑재된 복수의 서셉터(S)를 순차 투입하고, 간헐 회전시켜 각 처리부(PR)에 반송하여 처리를 행하는 경우, 하나의 처리부(PR)에서 장시간 워크(W)를 멈추게 해 놓으면, 그 반송 하류에 위치하는 다른 서셉터(S)에 탑재된 워크(W)가 다음 처리부(PR)로 이동할 수 없어, 처리 대기 시간이 발생한다. 냉각 시간을 분산시켜, 냉각실(410)에 있어서의 냉각 시간을 적게 함으로써, 다른 서셉터(S)에 탑재된 워크(W)의 처리 대기 시간을 적게 할 수 있어, 스루풋이 향상된다.(3) The load lock chamber 121 may be provided with a cooling device for cooling the susceptor S and the work W that are discharged from the chamber 2 through the load lock chamber 121 . For example, a cooling mechanism such as the cooling unit 400 is provided in the sealing unit 520 corresponding to the load lock chamber 121 . Thereby, cooling before discharge|emission of the susceptor S and the workpiece|work W can be accelerated|stimulated. In this case, the cooling in the cooling chamber 410 may be stopped before reaching the target temperature, which is a temperature at which the film can be prevented from being oxidized in the air, and the remaining cooling may be performed in the load lock chamber 121 . Thereby, the cooling time for setting the workpiece W to the target temperature can be divided into the cooling time in the cooling chamber 410 and the cooling time in the load lock chamber 121 . Therefore, the processing rate can be decreased without stopping the workpiece W in the cooling chamber 410 for a long time, and the throughput is improved. For example, as shown in FIG. 1 , when a plurality of susceptors S on which a workpiece W is mounted are sequentially introduced into the rotating body 3 , intermittently rotated and transported to each processing unit PR for processing, one If the workpiece W is stopped for a long time in the processing unit PR, the workpiece W mounted on another susceptor S located downstream of the conveyance cannot move to the next processing unit PR, resulting in processing waiting time. do. By distributing the cooling time and reducing the cooling time in the cooling chamber 410 , the waiting time for processing the workpiece W mounted on the other susceptor S can be reduced, and the throughput is improved.

(4) 성막부(300)의 수는 3개에 한정되지는 않으며, 2개 이하 또는 4개 이상이라도 좋다. 성막부(300)의 수를 늘림으로써 성막 레이트를 향상시킬 수 있다. 또한, 성막부(300)는 타겟(320)을 이용하는 스퍼터링 장치라도 좋다. 단, 성막부(300), 개질부에 있어서 플라즈마를 발생시키는 구성은 특정 종류에 한정되지는 않는다. (4) The number of the film forming units 300 is not limited to three, and may be two or less or four or more. By increasing the number of the film forming units 300 , the film forming rate can be improved. In addition, a sputtering apparatus using the target 320 may be sufficient as the film-forming part 300 . However, the configuration for generating plasma in the film forming unit 300 and the reforming unit is not limited to a specific type.

(5) 회전체(3)의 공극부(32)는 원형의 판형체로 형성된 관통 구멍이라도 좋다. 또한, 회전체(3)는 회전 테이블에 한정되지는 않는다. 회전 중심으로부터 방사상으로 연장된 아암에 지지부나 워크(W)를 유지하여 회전하는 회전체(3)라도 좋다. 회전체(3)에 의해서 반송되어 동시에 처리되는 워크(W)의 수, 이것을 유지하는 유지부(33)의 수도, 상기한 양태에서 나타낸 수에 한정되지는 않는다. 유지부(33)도, 밀봉부(520)가 공극부(32)를 통과하는 과정에서, 서셉터(S)를 유지하는 유지 상태와 서셉터(S)를 해방하는 해방 상태에서 전환되는 구성이면 되며, 상기한 양태에 한정되지는 않는다. (5) The gap portion 32 of the rotating body 3 may be a through hole formed in a circular plate-like body. In addition, the rotating body 3 is not limited to a rotating table. The rotating body 3 which rotates by holding the support part and the workpiece|work W on the arm extending radially from the rotation center may be sufficient. The number of the workpieces W conveyed by the rotating body 3 and processed simultaneously, and the number of the holding parts 33 holding them are not limited to the number shown in the above-described aspect. If the holding part 33 is also of a configuration in which the holding state holding the susceptor S and the releasing state of releasing the susceptor S are switched in the process of the sealing part 520 passing through the gap part 32 , and is not limited to the above-described aspect.

(6) 처리부(PR)는, 챔버(2)의 설치면 측에 있더라도, 이것과 반대쪽에 있더라도, 측면 측에 있더라도 좋다. 워크(W)를 처리부(PR)에 출납하는 방향도, 처리부(PR)의 설치면 측으로부터라도 좋고, 이것과 반대쪽으로부터라도 좋고, 측면으로부터라도 좋다. 중력에 따르는 측을 아래, 대항하는 측을 위로 한 경우에, 상기한 양태에서는, 회전체(3) 위에 각 처리부(PR)가 배치되어 있었지만, 회전체(3) 아래에 각 처리부(PR)가 배치되어 있어도 좋다. 또한, 회전체(3)는 수평에 한하지 않고, 수직의 배치라도 경사진 배치라도 좋다. 더구나, 성막 장치(1)의 설치면은, 바닥면이라도, 천장이라도, 측벽면이라도 좋다. 서셉터(S)에 대한 워크(W)의 탑재는, 기계적인 유지, 접착, 흡착 등에 의해 이루어지더라도 좋다. 즉, 서셉터(S)에 워크(W)가 탑재되어 있다는 것은, 수평의 서셉터(S) 위에 워크(W)가 실려 있는 경우에 한정되지는 않으며, 서셉터(S)가 어떠한 각도인지에 관계 없이, 워크(W)와 함께 이동 가능한 상태로 되어 있음을 말한다. (6) The processing unit PR may be on the installation surface side of the chamber 2, on the opposite side to this, or on the side surface side. The direction in which the workpiece|work W is put in and out of the processing part PR may also be sufficient from the installation surface side of the processing part PR, and may be sufficient as it, from the opposite side to this, and may be sufficient from the side. In the case where the side subject to gravity is down and the opposite side is up, in the above-described aspect, each processing unit PR is disposed on the rotating body 3 , but each processing unit PR is disposed below the rotating body 3 . may be placed. In addition, the rotating body 3 is not limited to a horizontal arrangement, A vertical arrangement|positioning or an inclined arrangement|positioning may be sufficient as it. Moreover, the installation surface of the film forming apparatus 1 may be a floor surface, a ceiling, or a side wall surface may be sufficient as it. The mounting of the workpiece W on the susceptor S may be performed by mechanical holding, adhesion, adsorption, or the like. That is, the fact that the work W is mounted on the susceptor S is not limited to the case where the work W is mounted on the horizontal susceptor S, and it depends on what angle the susceptor S is. Regardless, it means that it is in a state where it can be moved together with the work W.

(7) 냉각실(410)에 설치하는 압력 센서나 온도 센서는 적절하게 생략할 수도 있다. 온도 센서를 생략하는 경우, 냉각실(410)에 있어서의 냉각 후의 배기의 시작은, 냉각 시작에서부터 미리 구해진 소정의 냉각 시간이 경과한 시점에 이루어지게 된다. 또한, 압력 센서를 생략하는 경우, 배기의 정지는 배기 시작에서부터 미리 구해진 소정의 시간이 경과했을 때에 이루어지게 된다. (7) A pressure sensor or a temperature sensor provided in the cooling chamber 410 may be appropriately omitted. When the temperature sensor is omitted, the start of exhaust after cooling in the cooling chamber 410 is made at a time point when a predetermined cooling time obtained in advance from the start of cooling has elapsed. Further, in the case of omitting the pressure sensor, the stop of the exhaust is made when a predetermined time previously obtained from the start of the exhaust has elapsed.

(8) 냉각 가스 도입부(422)는, 도 7, 도 11에 도시한 예에서는, 냉각실(410)에 있어서의 냉각되는 워크(W)와 대향하는 면으로부터 냉각 가스(G)를 도입하고 있지만, 냉각 가스(G)의 도입 방향은 이것에 한하는 것은 아니다. 예컨대 냉각실(410)의 측벽에 개구를 형성하여, 냉각 가스 도입부(422)의 워크(W)를 따르는 방향으로 냉각 가스(G)를 도입할 수도 있다.(8) The cooling gas introduction part 422 introduces the cooling gas G from the surface opposite to the workpiece W to be cooled in the cooling chamber 410 in the examples shown in FIGS. 7 and 11 . , the introduction direction of the cooling gas G is not limited to this. For example, an opening may be formed in the side wall of the cooling chamber 410 to introduce the cooling gas G in a direction along the workpiece W of the cooling gas introduction part 422 .

(9) 이상, 본 발명의 실시형태 및 각 부의 변형예를 설명했지만, 이 실시형태나 각 부의 변형예는 일례로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 상술한 이들 신규의 실시형태는 그 밖의 여러 가지 형태로 실시될 수 있으며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 생략, 치환, 변경을 할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 청구범위에 기재된 발명에 포함된다. (9) As mentioned above, although embodiment of this invention and the modified example of each part were described, this embodiment and the modified example of each part are shown as an example, and limiting the scope of the invention is not intended. These novel embodiments described above can be implemented in other various forms, and various omissions, substitutions, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and summary of the invention, and are included in the invention described in the claims.

1: 성막 장치, 2: 챔버, 3: 회전체, 21: 수용체, 22: 덮개체, 23: 챔버 배기부, 31: 샤프트, 32: 공극부, 33: 유지부, 70: 제어 장치, 71: 기구 제어부, 72: 가열 제어부, 73: 성막 제어부, 74: 냉각 제어부, 75: 기억부, 76: 설정부, 77: 입출력 제어부, 78: 입력 장치, 79: 출력 장치, 100: 반입반출부, 110: 반송부, 111: 아암, 112: 유지체, 121: 로드록실, 121a: 개구, 121b: 개구, 200: 가열부, 210: 가열실, 210a: 개구, 220: 히터, 300, 300A∼300C: 성막부, 310: 성막실, 310a: 개구, 320: 타겟, 331: 베이스, 332: 변환부, 332a: 롤러, 332b: 축, 333: 아암, 333a: 파지부, 333b: 접촉면, 333c: 유지면, 334: 압박 부재, 334a, 334b: 판재, 400: 냉각부, 410: 냉각실, 410a: 개구, 420: 제1 냉각 기구, 421: 냉각기, 422: 냉각 가스 도입부, 423: 냉각액 순환로, 424: 냉각실 배기부, 430: 제2 냉각 기구, 431: 냉각액 순환로, 432: 냉각액 공급부, 500, 500A∼500F: 푸셔, 510: 샤프트, 520: 밀봉부, 521: 배치대, 521a: 배치면, 522: 밀봉체, 522a: 밀봉면, 522b: 밀봉재, 523: 돌출부, 523a: 경사면, 523b: 외주면, G: 냉각 가스, OP: 개구, PR: 처리부, S: 서셉터, TR: 반송 기구, Sa: 수용부, Sb: 다리부, W: 워크DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: film-forming apparatus, 2: chamber, 3: rotating body, 21: receptor, 22: lid, 23: chamber exhaust, 31: shaft, 32: void, 33: holding part, 70: control device, 71: Mechanism control unit, 72 heating control unit, 73 film forming control unit, 74 cooling control unit, 75 storage unit, 76 setting unit, 77 input/output control unit, 78 input device, 79 output device, 100 carry-in/out unit, 110 DESCRIPTION OF SYMBOLS Carrier part, 111: arm, 112: holding body, 121: load lock chamber, 121a: opening, 121b: opening, 200: heating part, 210: heating chamber, 210a: opening, 220: heater, 300, 300A-300C: Film-forming part 310: film-forming chamber, 310a: opening, 320: target, 331: base, 332: transforming part, 332a: roller, 332b: shaft, 333: arm, 333a: gripping part, 333b: contact surface, 333c: holding surface , 334: pressing member, 334a, 334b: plate, 400: cooling unit, 410: cooling chamber, 410a: opening, 420: first cooling mechanism, 421: cooler, 422: cooling gas introduction unit, 423: cooling liquid circulation path, 424: Cooling chamber exhaust part, 430: second cooling mechanism, 431: coolant circulation path, 432: cooling liquid supply part, 500, 500A-500F: pusher, 510: shaft, 520: sealing part, 521: mounting table, 521a: mounting surface, 522 : sealing body, 522a: sealing surface, 522b: sealing material, 523: protrusion, 523a: inclined surface, 523b: outer peripheral surface, G: cooling gas, OP: opening, PR: processing part, S: susceptor, TR: conveying mechanism, Sa: Receiver, Sb: Leg, W: Work

Claims (6)

성막 장치에 있어서,
배기에 의해 내부를 진공할 수 있는 챔버와,
상기 챔버의 내부에 배치되며, 워크를 탑재한 서셉터를 회전에 의해 반송하는 회전체와,
상기 회전체의 회전축을 중심으로 하는 원주를 따라 배치되며, 상기 챔버 내에 연통된 개구를 가지고, 상기 개구로부터 도입된 상기 워크를 처리하는 복수의 처리부와,
상기 워크가 상기 회전체로부터 이탈하여, 상기 개구로부터 상기 처리부 내에 도입되는 방향으로 상기 서셉터를 밀어붙이는 푸셔를 포함하고,
상기 복수의 처리부는, 상기 워크를 가열하는 가열부와, 상기 워크에 대하여 성막하는 성막부와, 상기 워크를 냉각하는 냉각부를 포함하고,
상기 회전체에는, 상기 회전체가 반송하고 있는 상기 서셉터를 유지하며, 상기 푸셔에 의해 밀어붙여짐으로써 상기 서셉터를 해방하는 유지부가 마련되고,
상기 푸셔에는, 상기 처리부에 상기 워크를 도입하고 상기 개구를 밀봉하는 밀봉부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
A film forming apparatus comprising:
A chamber capable of evacuating the interior by exhaust;
a rotating body disposed inside the chamber and conveying the susceptor on which the work is mounted by rotation;
a plurality of processing units disposed along a circumference about the rotational axis of the rotating body, the plurality of processing units having an opening communicating with the chamber, and processing the workpiece introduced from the opening;
and a pusher for pushing the susceptor in a direction in which the workpiece is separated from the rotating body and introduced into the processing unit from the opening,
The plurality of processing units include a heating unit for heating the work, a film forming unit for forming a film on the work, and a cooling unit for cooling the work,
The rotating body is provided with a holding part which holds the susceptor being conveyed by the rotating body and releases the susceptor by being pushed by the pusher,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the pusher is provided with a sealing portion for introducing the workpiece into the processing portion and sealing the opening.
제1항에 있어서, 상기 밀봉부는 상기 워크를 냉각하는 냉각 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 성막 장치. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the sealing portion has a cooling mechanism for cooling the work. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전체는 원형의 판형체이고,
상기 회전체에는, 상기 회전체의 회전 평면에 교차하는 방향으로 상기 밀봉부가 통과하는 공극부가 형성되고,
상기 유지부는, 상기 밀봉부가 상기 공극부를 통과하는 과정에서, 상기 서셉터를 유지하는 유지 상태와 상기 서셉터를 해방하는 해방 상태에서 전환되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2, wherein the rotating body is a circular plate-shaped body,
In the rotating body, a void portion through which the sealing unit passes in a direction intersecting the rotational plane of the rotating body is formed,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the holding portion is switched between a holding state for holding the susceptor and a released state for releasing the susceptor while the sealing portion passes through the gap portion.
제1항에 있어서, 상기 서셉터에 있어서, 상기 워크와의 사이에 개재하는 면에, 상기 서셉터의 열용량 이하의 열용량의 전도 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치. The film forming apparatus according to claim 1, wherein, in the susceptor, a conductive member having a heat capacity equal to or less than that of the susceptor is disposed on a surface interposed between the susceptor and the workpiece. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내의 진공을 유지한 상태에서, 상기 서셉터 및 상기 워크의 반입반출을 가능하게 하는 로드록실을 가지고,
상기 로드록실에는, 상기 로드록실을 통해 상기 챔버 내에서 반출되는 상기 서셉터 및 상기 워크를 냉각하는 냉각 장치가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
The method according to claim 1, further comprising: a load lock chamber that enables loading and unloading of the susceptor and the workpiece while maintaining a vacuum in the chamber;
A film forming apparatus according to claim 1, wherein the load lock chamber is provided with a cooling device for cooling the susceptor and the work carried out from the chamber through the load lock chamber.
제1항에 있어서, 상기 워크는 세라믹 기판이고,
상기 가열부에서는, 가열에 의해 상기 세라믹 기판에 대하여 탈가스 처리가 이루어지고,
상기 성막부는 복수로 마련되고,
복수의 상기 성막부에 의해, 스퍼터링에 의해 다른 재료에 의한 다층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1, wherein the work is a ceramic substrate,
In the heating unit, degassing is performed on the ceramic substrate by heating,
The film forming part is provided in plurality,
A film forming apparatus characterized in that a multilayer film made of a different material is formed by sputtering by the plurality of film forming units.
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