KR102264842B1 - Ｘ-선 형광을 이용한 측정 대상의 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 X-선 형광을 이용하여 측정 대상(24)의 얇은 층의 두께의 측정 또는 원소 농도의 결정을 위한, 상기 측정 대상(24)의 측정 방법에 관한 것으로서, X-선 방사선 소스(21)로부터 상기 측정 대상(24)으로 제 1 빔(22)이 지향되고, 상기 측정 대상(24)로부터 방출된 제 2 방사선(26)이 검출기(27)에 의해 검출되고 평가 장치(29)로 중계되며, 상기 제 1 빔(22)은, 하나 이상의 라인(Z1 내지 Zn) 및 하나 이상의 컬럼(S1 내지 Sn)으로 재분할될 뿐만 아니라 그리드 부분 표면(1, …, n)으로 분할된 그리드 표면(31) 내에서 이동되고, 상기 제 1 빔(22)은 각각의 그리드 부분 표면(1, ….,n)을 위해 상기 그리드 표면(31) 상에 지향되고, 상기 제 1 빔(22)의 측정 스폿(36)은 적어도 상기 그리드 포인트를 채우며, 상기 측정 대상(24)의 측정 표면(25)의 측면 치수가 검출되고, 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 상기 측면 치수는, 상기 측정 대상(24) 위에 나타나는 상기 제 1 빔(22)의 상기 측정 스폿(36)의 크기와 비교되고, 상기 측정 스폿(36)보다 작은, 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 상기 크기의 결정을 위해, 적어도 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)을 커버하는 상기 그리드 표면(31)의 크기가 선택되고, 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 상기 크기에 대한 상기 그리드 표면(31)의 크기의 비로 스케일링 팩터(α)가 결정되고, 각자의 그리드 부분 표면들(1, ….,n)으로부터 상기 제 2 방사선(26)의 검출된 스펙트럼이 합산되고, 평균이 구해지고 이어서 상기 스케일링 팩터(α)만큼 곱해지며, 상기 스케일링 팩터(α)에 의해 보정된 상기 그리드 부분 표면들(1, …..,n)로부터의 상기 제 2 방사선(26)의 스펙트럼이 수량적 평가를 위해 제공되는 것을 특징으로 한다.

Description

Ｘ-선 형광을 이용한 측정 대상의 측정 방법{Method for the measurement of a measurement object by means of X-ray fluorescence}
본 발명은 X-선 형광(fluorescence)를 이용하여 측정 대상을 측정하는 방법에 관한 것으로서, 특히 측정 대상의 ?湛? 층들의 두께 및 원소 조성(element composition)을 측정하기 위한 방법에 관한 것이다.
많은 산업 제조분야에 있어서, 예를 들어 회로 보드의 이른바 본드 패드(bond pad)와 같은 점점 더 작은 구조물들이 사용된다. 이러한 작은 구조물들은 종종 코팅을 가지고 있다. 이들 경우들에 있어서, 상기 코팅을 분석하고, 특히 그 층 두께를 측정하는 것이 끊임없이 요구된다.
층 두께를 판단하고 코팅을 분석하기 위해 일반적으로 X선 형광법(X-ray fluorescence method)이 사용되는 것이 공지되어 있다. 여기서는 제 1 빔(primary beam)이 방사선 소스로부터 측정 대상으로 지향된다. 예를 들어 층 두께를 판단하기 위해, 측정 표면으로부터 방출된 제 2 방사선(secondary radiation)이 검출기에 의해 검출되고 평가 장치로 중계된다. 여기서 상기 제 1 빔의 크기(size)는 측정 대상물의 구조적 크기에 맞게 적응되는데, 만약 자극하는(stimulating) 제 1 빔이 그 측면 치수(lateral dimension)가 측정 대상의 평평한 표면보다 크다면, 작은 구조물의 측정은 그 한계를 갖게 된다. 이는 측정 대상이 보다 작으면 작을 수록, 제 1 빔의 측정 스폿(measuring spot)도 보다 작아져야 한다는 것을 의미한다. 이는 상기 제 1 빔의 자극하는 빔을 페이드 아웃(fade out)시킴으로써 달성될 수 있으나, 이에 의하면 제 2 방사선의 스펙트럼의 검출에 있어서의 강도의 감소 및 이에 따른 손상(impairment)이라는 문제가 야기될 수 있다. 따라서 종래의 기술은 한계를 가진다.
따라서, 다중모세관다발 광학소자(polycapillary optics), 특히 방사선 소스와 측정 대상 사이에 다중모세관다발 렌즈(polycapillary lens)를 제공하는 방법이 공지되었는데, 이를 사용하여 작은 측정 스폿에서 그 세기가 증가될 수 있다. 그러나 이 기술은 방사선 세기의 공간 분포(spatial distribution)가 초점이 맞지 않는다(out of focus)는 단점을 갖는다. 따라서 현재까지는 대략 60 ㎛ 까지의 측정 스폿을 갖는 작은 구조물들만이 검출가능할 뿐이었다. 또한 위와 같은 다중모세관다발 광학장치들은 가격이 비싸다.
대략 60 ㎛ 보다 작은 측정 표면을 갖는 구조물들의 측정에 대한 보다 작은 측정 스폿들은, 이른바 미소영역 X-선 조사(monocapillary)의 방법으로 생성될 수 있다. 그러나 달성가능한 세기가 너무 작아서 이들은 기술적인 응용으로는 고려되지 않는다.
따라서 본 발명의 목적은 보다 작은 치수들을 갖는 측정 대상들의 측정을, 특히 비용 집약적인 방법으로 가능하게 하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따른 X-선 형광을 이용하는 방법에 의해 달성되는데, 상기 방법에서는 측정 대상의 측정 표면의 크기(size)가 검출되고, 결과적으로 상기 측정 대상의 측정 표면의 상기 크기가, 상기 측정 대상에서 나타나는 제 1 빔의 측정 스폿의 크기와 비교되고, 상기 측정 스폿보다 작은 측정 표면을 결정하기 위하여 그리드 표면의 크기가 상기 측정 대상의 상기 측정 표면을 적어도 커버(cover)하도록 선택되며, 스케일링 팩터(scaling factor) α가 상기 측정 대상의 상기 표면에 대한 상기 그리드 표면의 비율로부터 결정되고,각각의 그리드 부분 표면(grid partial surface)들의 개별적 측정값들의 검출된 스펙트럼을 더해서 평균값을 구한 후에 상기 스케일링 팩터 α가 곱해지고, 이후 상기 스케일링 팩터 α로 보정된 스펙트럼이 수량적 평가(quantitative evaluation)를 위해 제공된다. 상기 방법을 사용하면, 상기 측정 표면에 나타나는 제 1 빔의 측정 스폿보다 작은, 상기 측정 대상의 측정 표면들을 측정하는 것이 가능하다. 그리드 표면 내의 각각의 그리드 부분 표면의 제 2 차 방사선의 스펙트럼을 결정하고 그 스펙트럼을 더하여 평균을 구하는 것과 뒤이은 스케일링 팩터 α로의 보정을 사용함으로써, X-선 광학기기의 한계 및/또는 공간 분해능 특성들이 정확히 알려지지 않았어도 신뢰할만한 측정 결과들이 얻어질 수 있다. 따라서 그리드 부분 표면 내부에서 오직 부분적으로만 놓여있는 측정 대상의 측정 표면의 검출은 또한, 측정 표면의 크기 및 그리드 표면의 크기의 비율식(ratio formation)에 기인하여, 스케일링 팩터 α 가, 그리드 표면의 그리드 부분 표면들 내부의 제 2 방사선의 각각의 결정된 스펙트럼을 평가하기 위해 보정 팩터로서의 역할을 하도록 상기 평가에 영향을 미친다.
바람직하게는 상기 그리드 부분 표면의 간격(spacing)은, 상기 측정 대상 위에 나타나는 상기 제 1 빔의 측정 스폿의 사이즈에 의해 결정된다. 따라서 광학 기기의 부가적인 조정 또는 변경이 필요하지 않다. 오히려 측정 스폿의 크기는, 상기 방법을 위해 사용되는 상기 장치의 측면에서 검증된 크기가 특정되도록 하는 X-선 형광 측정 장치들에 대한 장치-특정 방식(device-specific manner)으로 결정된다.
또한, 바람직하게는 상기 그리드 표면의 크기는 서로의 상부(top)에 직접 라인업되거나 오버래핑되는 제 1 빔의 측정 스폿들의 정수배로부터 형성된다. 오직 하나의 라인 또는 하나의 컬럼을 갖는 그리드 표면이, 서로에 대해 인접하거나 서로의 상부에 라인업되는 복수개의 측정 스폿들로부터 형성될 수 있다. 서로의 상부에 라인업되는 임의의 측정 스폿들을 갖는 동일하거나 상이한 수의 라인 및 컬럼으로부터 매트릭스가 제공될 수 있다. 상기 그리드 표면은 측정 대상에 따라 또는 측정 대상의 측정 표면의 윤곽(contour)에 따라 적응(adapt)될 수 있다. 어느 경우에 있어서도, 각 그리드 부분 표면은 적어도 하나의 측정 스폿에 의해 채워진다.
그리드 부분 표면들의 개별적인 측정값들로부터의 제 2 방사선의 보정된 스펙트럼은, 베이스 물질 상의 층 또는 코팅의 원소 농도 또는 층 두께가 결정되고 발행(emit)되도록 하는 평가 소프트웨어의 방법을 이용하여 평가되는 것이 바람직하다. 따라서, 베이스 물질 상의 코팅의 층 두께와 관련하여 충분한지 및/또는 개별적인 원소 농도와 관련하여 충분한지에 대한 단순한 확인이 가능할 수 있다.
본 발명의 다른 유리한 실시예는 하나의 라인 또는 컬럼 내의 하나의 그리드 부분 표면으로부터 다른 그리드 부분 표면까지의 여행 거리(travel distance) 또는 하나의 라인 또는 컬럼으로부터 그리드 표면내의 다음 컬럼 또는 라인까지의 여행 거리가, 방사선 소스들의 제 1 빔의 측정 스폿의 크기에 의해 결정된다는 점이다. 상기 제 1 빔의 측정 스폿은, X-선 튜브의 애노드 상의 이른바 제 1 스폿(primary spot)에 의해 결정된다. 그리드 부분 표면으로부터 그리드 부분 표면까지의 여행 거리 때문에, 측정되어야 할 층들의 존재 및 비존재와 관련하여 천이(transition)들이 검출될 수 있도록, 전체 표면과 관련하여 그리드 표면이 완전히(completely) 검출될 수 있다.
또한, 측정 대상의 측정 표면의 크기는 광학 측정 방법에 의해 결정되는 것이 바람직하다. 따라서 단순한 방식으로, 스케일링 팩터의 결정에 대한 기초로서 측정 표면의 크기를 사용하도록 하기 위해 정확한 결정이 가능할 수 있게 된다.
유리하게는, 상기 그리드 표면의 크기는 측정 대상의 상기 결정된 측정 표면보다 크도록 결정될 수 있는데, 이 경우 상기 그리드 표면은 하나의 에지로부터 적어도 부분적으로 적어도 섹션들 내에서 상기 결정된 측정 표면을 둘러싼다. 상기 에지는, 세기 변화를 검출하고 이를 고려하기 위해 측정 대상의 측정 표면 및 검출되지 않을 영역으로부터의 적어도 하나의 천이(transition)를 특정하는 역할을 한다.
측정 대상의 측정 표면을 적어도 부분적으로 둘러싸는 에지는 그리드 부분 표면의 적어도 하나의 크기의 너비를 갖는다. 직사각형이나 정사각형 측정 표면의 경우에, 에지가 각 측면 에지 상에 형성되도록 적어도 2개의 그리드 부분 표면들만큼 상기 그리드 표면이 상기 측정 표면보다 크다. 유리하게는 그리드 부분 표면은, X-선 형광 장치에 대해 특정된 이른바 반높이 너비(full width at half maximum; FWHM)의 크기를 갖는다.
본 발명 및 다른 유리한 실시예들 및 개량예들이, 도면에 기술된 예시들을 들어 이하에 보다 자세히 기재되고 설명된다. 본 명세서 및 도면들로부터 수집되는 특징들은 본 발명에 따라 개별적으로 또는 임의의 조합으로 적용될 수 있다.
본 명세서에서는 다음과 같이 개시된다:
도 1은 X-선 형광 분석을 구현하기 위한 장치의 개략적인 구성도이고,
도 2는 관련된 그리드 표면을 갖는 측정 대상의 측정 표면의 개략적 확대도이고,
도 3a 내지 3d는 측정 표면의 상이한 기하학들에 대한 그리드 표면의 크기를 결정하기 위한 개략적인 도면들이고,
도 4 내지 8은 측정값들 및 이로부터의 수량적 평가와 관련한 다이어그램들을 도시하고,
도 9는 그 위에 그리드 표면이 배열된 또다른 측정 대상의 측정 표면의 개략적인 확대도를 도시한다.
도 1에는 샘플(12)을 갖는 X-선 형광 분석의 구현을 위한 장치(11)가 개략적으로 도시된다. 상기 샘플은 예를 들면, 본드 패드(bond pad)들을 갖는 회로 기판(circuit board)일 수 있다. 예를 들어 상기 본드 패드는 회로 기판 상의 얇은 구리 바(copper bar)(14)를 포함할 수 있다. 니켈층(17)이 상기 구리 바(14)에 적용되고, 상기 니켈층(17)은 부식을 방지하기 위해 금층(gold layer)(18)으로 뒤덮인다. 이와 같은 실시예의 경우에는 층 두께 및 원소 농도와 관련하여 최소한 상기 금층(18) 및 대부분의 경우 상기 니켈층(17)이 측정되고 체크되어야 한다.
상기 장치(11)는 X-선 방사선 소스(21) 또는 X-선 튜브를 포함하고, 이를 통해 제 1 방사선(primary radiation)(22)이 방출되고, 예를 들어 샘플 캐리어(23)에 의해 수용될 수 있는 샘플(12)로 지향된다. 상기 샘플 캐리어(23)는, 바람직하게는 특히 모터에 의해 구동되는 구동가능한 테이블을 이용하여 위치 및/또는 높이가 조정될 수 있다. 제 1 빔(22)은 예를 들면 본 명세서에는 상세하게 도시되지 않은 콜리메이터에 의해 포커싱될 수 있다. 상기 제 1 빔(22)은 샘플(12)의 측정 대상(24) 위로, 예를 들면 샘플(12)의 표면에 수직이 되도록 또는 이로부터 소정 각도를 가지도록 지향하게 된다. 여기서 X-선 형광 방사선은 샘플(12)의 표면에서 자극(stimulate)되어 제 2 방사선(26)으로서 상기 샘플(12)로부터 방출되고, 바람직하게는 에너지 분산적인(energy dispersive) 검출기(27)에 의해 검출된다. 검출기(27)로부터의 검출된 측정 결과들의 평가는, 상기 검출기(27)의 검출된 신호를 평가하고 발행(emit)하는 평가 장치(29)에서 행해진다.
도 2에는 측정 표면(25)을 갖는 측정 대상(24)에 대한 개략적인 평면도가 도시된다. 측정 대상(24)의 크기는 예를 들어 60 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 그 이하의 길이 및/또는 너비를 포함할 수 있다.
이와 같은 측정 대상(24)의 작은 측정 표면(25)의 측정을 구현하기 위해서, 몇개의 그리드 부분 표면들(grid partial surface)(1, 2, 3, 4,....,n)로 이루어진 그리드 표면(grid surface)(31)이 결정되는데, 이는 라인들(Z1, Z2, ....Zn) 및/또는 컬럼들(S1, S2, ...., Sn)로 배열된다. 상기 그리드 표면(31)의 크기를 결정하기 위하여, 먼저 측정 대상(24)의 측정 표면(25)의 광학적 검출이 수행된다. 예를 들면 광학 측정 장치, 특히 현미경 또는 스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscope)이 사용된다. 이어서 그리드 표면(31)이 결정된다. 측정 대상(24)의 측정 표면(25)의 상기 광학적으로 결정된 크기는, 상기 측정 대상(24)의 측정 표면(25)에 나타나는 제 1 빔(22)의 측정 스폿(36)의 크기와 비교된다. 측정 스폿(36)의 크기는 일반적으로 반높이 너비(FWHM)로 특정된다. 상기 크기는 장치 특정적이고 제 1 스폿(primary spot), 빔 광학기구 및 방사선 소스에 할당된 애노드 내의 기하학에 의해 결정된다. 측정 스폿(36)의 크기가 측정 표면(25)의 크기보다 작다면, 상기 측정 표면(25)보다 크고, 상이한 기하학의 측정 표면(25)에 대해 이하의 도 3a 내지 3c에 도시된 에지(35)를 갖는 것이 유리한 그리드 표면(31)이 결정된다.
예를 들어, 도 3a에 따라, 에지 길이 a를 갖는 정사각형 측정 표면(25)에 대해서는, 균일하게 에두르는 에지(uniformly circumferential edge)(35)가, 측면 에지와 관련한 그리드 표면(31)이 측정 표면(25)의 에지 길이 a와 상기 에지(35)의 2배로 구성되도록 제공된다. 이는, 유사하게 도 3b에 따른 예시적인 원형 측정 표면(25)에도 적용되는데, 이 경우는 에지 길이 a 대신에 지름 d가 그리드 표면(31)의 크기를 결정하기 위한 기초로서 사용된다. 도 3c에는 예시로서, 측면 에지 a의 길이가 측면 에지 b의 길이로부터 명백하게 차이가 나는 직사각형 측정 표면(25)이 도시된다. 그러나 도 3a의 경우와 유사하게 그리드 표면(31)을 결정하기 위해 에두르는 에지(35)가 형성된다. 도 3d에서 측정 대상(24)은, 측정 표면(25)의 측면 치수(lateral dimension)를 가지는데 측정 스폿(36)보다는 작다. 부가적으로, 측정 대상(24)들의 간격은 측정 스폿(36)들의 크기보다 작다. 이러한 경우, 몇개의 측정 대상(24)들이 결합하여 전체 측정 표면을 형성하고 부가적으로 그리드 표면(31)을 결정하기 위해 도 3a와 유사하게 에두르는 에지(35)가 형성된다.
에지(35)의 너비는, 적어도 하나의 측정 스폿(36)의 크기를 포함하는 방식으로 설계되는 것이 유리하다. 대안적으로 상기 에지(35)는 또한 더 넓을 수 있다. 적어도 하나의 라인 Z1 내지 Zn 및/또는 적어도 하나의 컬럼 S1 내지 Sn 내부의 개별적인 그리드 부분 표면들의 수가, 측정 표면(25)의 상기 결정된 크기 및 좌우측 에지(35)에 대한 측정 스폿(36)의 2배의 값으로부터 유래하여 결정되는데, 이 경우 그리드 부분 표면의 수는, 예시적으로 도 2에 도시된 바와 같이 측정 스폿(36)의 정수배의 결과가 된다. 개별적인 측정값들로부터 제 2 방사선(26)의 스펙트럼의 검출을 위해 제 1 빔(22)으로의 상기 그리드 표면(31)의 완전한 스캐닝이 가능하도록, 내부의 그리드 부분 표면들의 간격은 상기 측정 스폿(36)의 크기에 대응한다.
다음으로 개별적인 측정이 각 그리드 부분 표면 1, 2, ..., n에서 실시된다. 이는 전체 그리드 표면(31)이 아니라 라인 Z3만 고려되는 간략한 예시로 논의된다.
먼저 제 1 빔(22)이, 그리드 표면(31)의 위치 Z3/S1에 위치된 그리드 부분 표면 1 상으로 지향된다. 이후 상기 제1 빔(22)이 그리드 부분 표면 2상에 나타나도록 측정 대상(24)은 왼쪽으로 한 컬럼 너비 만큼 구동된다. 이는, 각각의 스펙트럼이 검출기(27)에 의해 검출되도록 그리드 부분 표면 3 및 4가 조사될 때까지 반복된다. 이 결과들로부터, 예를 들면, 도 4에 그리드 부분 표면 1및 4에 대한 스펙트럼이 도시된다. 측정 대상(24)의 측정 표면(25)이 그리드 부분 표면 1 및 4에 포함되지 않았기 ??문에, 이와 관련하여 측정값들이 검출되지 않아서 신호로부터의 출력이 발생하지 않는다.
도 5에 그리드 부분 표면 2 및 3의 스펙트럼이 도시된다. 그리드 부분 표면 2 및 3은 각각 측정 대상(24)의 측정 표면(25)의 일부를 커버하기 때문에, 이에 따라 결정된 스펙트럼이 검출된다.
그리드 부분 표면 1 내지 4에서의 이러한 예시적인 스펙트럼의 검출은, 그리드 표면(31) 내의 모든 그리드 부분 표면들에 대해 실시된다. 스펙트럼의 라인별(line-by-line) 검출 대신에, 제 2 방사선(26)의 컬럼별 스펙트럼의 검출이 그리드 표면(31)의 각 개별적인 그리드 부분 표면들에서 수행될 수도 있다.
결과적으로, 그리드 표면(31)의 각각의 그리드 부분 표면들에서 검출된 스펙트럼이 평가된다. 먼저 합 스펙트럼(sum spectrum)이 형성되는데, 이 예시에서는 도 6에서 그리드 부분 표면 1 내지 4로 구성되고 이로부터 만들어지는 것으로 도시된다. 이 경우 합 스펙트럼은 도 5에 대응되는데, 그 이유는 그리드 부분 표면 1 및 4에서는 스펙트럼이 없는 것으로 결정되었기 때문이다. 본 예시적인 경우와는 달리, 그리드 표면 전체가 고려되어야 한다면, 더해진 스펙트럼이 포인트 Z3/S2 및 Z3/S3로부터의 결과가 될 것이다.
이후에, 그리드 부분 표면 1 내지 4에 대하여 도 7에 합산 평균 스펙트럼(average sum spectrum)으로 도시된, 각각의 그리드 부분 표면들의 전체 스펙트럼에 걸쳐 평균값이 형성된다. 이후 상기 합산 평균 스펙트럼은 스케일링 팩터 α만큼 곱해지는 것과 같이 보정된다. 상기 스케일링 팩터 α는 측정 표면(25)의 크기에 대한 그리드 표면(31)의 크기의 비로부터 생성된다. 이후 스케일링 팩터 α로 보정된 상기 스펙트럼이, 수량적 평가를 위해 평가 장치(29)로 제공되는데, 이들 결정된 값들은 예를 들어 층 두께 분포 프로파일로 변형될 수 있거나 층 두께 단면 프로파일(layer thickness cross-sectional profile) 로 발행될 수 있고, 이로부터 층 두께 및/또는 원소 농도가 독출되거나 표현될 수 있다.
그리드 부분 표면 1 내지 4에서의 스펙트럼 결정 시, 측정 대상(24)의 측정 표면(25)은, 개별 측정 스폿(36)들의 직접 시퀀싱(direct sequencing)이 가능하도록, 측정 스폿(36) 또는 그리드 부분 표면 만큼 모터에 의해 구동된다.이 목적을 위해 바람직하게는, 측정 표면(36)의 크기에 대응하는, 각 방법 단계들을 위한 해상도를 갖는 포지셔닝 테이블이 제공된다.
도 3d에 따른 실시예에 대해 상술된 방법이 적용되나, 여기서는 그리드 부분 표면들에서 개별적인 측정들을 이후에 수행하기 위해서 2개 이상의 측정 대상(24)들이 하나의 전체 측정 표면으로 결합되도록 수정된다. 결과적으로 각 개별 측정 대상(24)들의 결정된 층 두께나 원소 농도와 관련하여서 어떠한 진술도 행해질 수 없으나, 각 측정 대상(24)에 대한 층 두께나 원소 농도의 평균값이 추정(deduce)될 수 있는 측정 대상(24)들의 전체적인 평가는 가능하다.
도 9에는 실제적인 예시가 도시되는데, 이는 대부분의 시간에 나타나는데 측정 대상(24)의 측면 연장(lateral extension)과 관련한 그리드 부분 표면들의 포지셔닝과 관련하여 도 2와는 다르다. 개별적인 측정들을 구현하기 위해, 예를 들어 그리드 부분 표면 2, 3, 5 및 6에서 결정된 스펙트럼이 결합되고 이어서 상술한 방법과 유사하게 분석된다.

Claims (9)

  1. X-선 형광을 이용하여 측정 대상(24)의 얇은 층의 두께의 측정 또는 원소 농도의 결정을 위한, 상기 측정 대상(24)의 측정 방법에 있어서,
    - X-선 방사선 소스(21)로부터 상기 측정 대상(24)으로 제 1 빔(22)이 지향되고,
    - 상기 측정 대상(24)로부터 방출된 제 2 방사선(26)이 검출기(27)에 의해 검출되고 평가 장치(29)로 중계되며,
    - 상기 제 1 빔(22)은, 하나 이상의 라인(Z1 내지 Zn) 및 하나 이상의 컬럼(S1 내지 Sn)으로 재분할될 뿐만 아니라 그리드 부분 표면(1, …, n)으로 분할된 그리드 표면(31) 내에서 이동되고, 상기 제 1 빔(22)은 각각의 그리드 부분 표면(1, ….,n)을 위해 상기 그리드 표면(31) 상에 지향되고, 상기 제 1 빔(22)의 측정 스폿(36)은 적어도 상기 그리드 부분 표면(36')을 채우며,
    - 상기 측정 대상(24)의 측정 표면(25)의 측면 치수가 검출되고,
    - 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 상기 측면 치수는, 상기 측정 대상(24) 위에 나타나는 상기 제 1 빔(22)의 상기 측정 스폿(36)의 크기와 비교되고,
    - 상기 측정 스폿(36)보다 작은 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 크기의 결정 시, 적어도 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)을 커버하는 상기 그리드 표면(31)의 크기가 선택되고,
    - 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 상기 크기에 대한 상기 그리드 표면(31)의 크기의 비로 스케일링 팩터(α)가 결정되고,
    - 각자의 그리드 부분 표면들(1, ….,n)으로부터 상기 제 2 방사선(26)의 검출된 스펙트럼이 합산되고, 평균이 구해지고 이어서 상기 스케일링 팩터(α)만큼 곱해지며,
    - 상기 스케일링 팩터(α)에 의해 보정된 상기 그리드 부분 표면들(1, …..,n)로부터의 상기 제 2 방사선(26)의 스펙트럼이 수량적 평가를 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드 부분 표면들(1, …..,n)의 간격은 상기 제 1 빔(22)의 상기 측정 스폿(36)의 크기에 의해 결정되는 것을 특징로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드 표면(31)의 크기는, 서로의 상부(top)에 직접 라인업되거나 오버래핑되는 상기 제 1 빔(22)의 측정 스폿(36)의 정수배로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 평가 소프트웨어에 의해, 상기 측정 대상(24)의 원소 농도 또는 층 두께가, 상기 그리드 부분 표면들(1, …..,n)에서의 각 측정값들의 스펙트럼으로부터 결정되고 발행되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드 표면(31)의 하나의 라인 또는 컬럼 내의 하나의 그리드 부분 표면으로부터 인접하는 그리드 부분 표면까지의 상기 측정 대상(24)의 여행 거리는, 상기 방사선 소스(21)의 제 1 빔(22)의 측정 스폿(36)의 크기에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)의 크기는 광학 측정 방법에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 그리드 표면(31)의 상기 크기는 상기 측정 대상(24)의 상기 결정된 측정 표면(25) 보다 크도록 설계되고, 상기 그리드 표면(31)이 상기 결정된 측정 표면(25) 및 이를 적어도 부분적으로 둘러싸는 에지(35)를 포함하도록 보다 크게 결정되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 측정 대상(24)의 상기 측정 표면(25)를 둘러싸는 상기 에지(35)는, 상기 그리드 부분 표면(1, …..,n)의 적어도 하나의 크기의 너비로 결정되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 측정 스폿(36)의 크기 보다 작은, 2개 이상의 측정 대상(24)들 사이의 거리에 대해서, 2개 이상의 측정 대상(24)들이 하나의 전체 측정 표면으로 결합되고, 그리드 표면(31)은 상기 전체 측정 표면에 대해서 결정되고, 이로부터 얇은 층들의 평균 두께 또는 평균 원소 농도는 상기 전체 측정 표면으로 결합된 각 개별적인 측정 대상(24)에 대해 추정되는 것을 특징으로 하는 측정 대상의 측정 방법.
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