KR102262262B1 - 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 당해 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클을 차례로 실행하는 플라즈마 처리 방법에 있어서, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이한 후의 적절한 시점에 고주파의 설정 및 직류 전압의 레벨의 설정 중 적어도 하나를 변경한다. 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 제 1 전극 및 제 2 전극 중 일방의 전극으로 고주파가 공급된다. 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이할 때 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된다. 처리 가스가 전환된 후에, 플라즈마의 임피던스를 반영하는 파라미터가 임계치를 초과한 시점에 고주파의 설정 및 음극성의 직류 전압의 레벨의 설정 중 적어도 하나가 변경된다.

Description

플라즈마 처리 방법 {PLASMA PROCESSING METHOD}
본 발명의 실시 형태는 피가공물의 가공에 이용되는 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 같은 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 플라즈마 처리 장치를 이용하여 피가공물에 대한 플라즈마 처리가 행해진다. 플라즈마 처리 장치는, 일반적으로 처리 용기, 가스 공급계, 제 1 전극, 제 2 전극 및 고주파 전원을 구비하고 있다. 가스 공급계는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 제 1 전극과 제 2 전극은 그들 사이에 처리 용기 내의 공간이 개재되도록 마련되어 있다. 고주파 전원은 제 1 전극 및 제 2 전극 중 일방의 전극으로 고주파를 공급하도록 되어 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리에서는, 일반적으로, 가스 공급계로부터 처리 용기 내로 처리 가스가 공급되고, 고주파 전원으로부터의 고주파가 일방의 전극으로 공급된다.
플라즈마 처리에는, 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 두 개의 단계를 교호로 실행하는 것이 있다. 이 종류의 플라즈마 처리에서는, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이할 때, 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환되고, 또한 고주파의 설정이 변경된다.
가스는 질량을 가지고 있으므로, 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 시점부터 처리 용기 내의 처리 가스가 전환되는 시점까지의 사이에는 시간을 요한다. 한편, 설정이 변경된 고주파는, 대략 지연 없이 일방의 전극으로 공급된다. 따라서, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환되기 전에, 설정이 변경된 고주파가 일방의 전극으로 공급되는 사태가 발생한다.
따라서, 처리 용기 내에 있어서의 발광 스펙트럼의 검출 결과로부터, 후속의 단계용의 처리 가스가 처리 용기 내로 도달하고 있는 것이 확인된 후에, 전극으로의 고주파의 공급을 개시하는 기술이 제안되고 있다. 이러한 기술에 대해서는, 하기의 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2013-058749호
선행하는 단계에서 이용되는 처리 가스의 플라즈마의 발광 스펙트럼과 후속의 단계에서 이용되는 처리 가스의 플라즈마의 발광 스펙트럼과의 사이에는, 검출 가능한 정도의 차가 없는 경우가 있다. 따라서, 처리 용기 내에 있어서 처리 가스가 전환된 시점을 고정밀도로 검출할 수 없어, 결과적으로 고주파의 설정을 적절한 타이밍에 변경할 수 없다.
또한 플라즈마 처리 장치에는, 제 1 전극에 접속된 직류 전원을 더 구비하는 것이 있다. 직류 전원은 음극성의 직류 전압을 제 1 전극에 인가하는 것이 가능하다. 이 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리에서는, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이할 때, 직류 전원이 출력하는 직류 전압의 레벨이 변경되는 경우가 있다. 이 플라즈마 처리에 있어서도, 직류 전압의 레벨의 변경을 적절한 타이밍에 변경할 수 없다고 하는 문제가 있다.
따라서, 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 당해 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클을 차례로 실행하는 플라즈마 처리 방법에 있어서, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이한 후의 적절한 시점에 고주파의 설정 및 직류 전압의 레벨의 설정 중 적어도 하나를 변경하는 것이 필요하다.
일태양에 있어서는, 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법이 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급계, 제 1 전극 및 제 2 전극, 고주파 전원, 급전 라인, 정합기 그리고 연산부를 구비한다. 가스 공급계는 처리 용기 내로 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 제 1 전극 및 제 2 전극은 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련되어 있다. 고주파 전원은 고주파를 출력하도록 구성되어 있다. 급전 라인은 제 1 전극 및 제 2 전극 중 일방의 전극에 고주파 전원을 접속한다. 정합기는 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하도록 구성되어 있다. 연산부는 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하도록 구성되어 있다. 일태양에 따른 플라즈마 처리 방법에서는, 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행된다. 고주파 전원으로부터의 고주파는 복수의 단계에 걸쳐 일방의 전극으로 공급된다. 이 플라즈마 처리 방법은, (i) 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 때, 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과, (ii) 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 고주파 전원으로부터 일방의 전극으로 공급되는 고주파의 설정을 변경하는 공정을 포함한다. 고주파의 설정을 변경하는 것은, 고주파의 파워를 변경하는 것 및 고주파 전원으로부터 일방의 전극으로 공급되는 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.
고주파의 공급이 계속된 상태에서 처리 용기 내의 처리 가스가 전환되면, 처리 용기 내에 있어서 생성되는 플라즈마의 임피던스가 변화한다. 상술한 파라미터는 플라즈마의 임피던스에 따라 변화하는 파라미터이므로, 처리 용기 내에 존재하고 있는 처리 가스의 변화를 양호하게 반영한다. 일태양에 따른 플라즈마 처리 방법에서는 이러한 파라미터가 임계치를 초과한 시점을 검출함으로써, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환된 시점을 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, 이 시점에서 고주파의 설정이 변경되므로, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환된 적절한 시점에서 고주파의 설정을 변경할 수 있다.
또한 다른 태양에 있어서는, 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법이 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급계, 제 1 전극 및 제 2 전극, 고주파 전원, 급전 라인, 정합기, 직류 전원, 그리고 연산부를 구비한다. 가스 공급계는 처리 용기 내로 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 제 1 전극 및 제 2 전극은 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련되어 있다. 고주파 전원은 고주파를 출력하도록 구성되어 있다. 급전 라인은 제 1 전극 및 제 2 전극 중 일방의 전극에 고주파 전원을 접속한다. 정합기는 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하도록 구성되어 있다. 직류 전원은 제 1 전극에 접속되어 있고, 음극성의 직류 전압을 발생하도록 구성되어 있다. 연산부는 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하도록 구성되어 있다. 일태양에 따른 플라즈마 처리 방법에서는, 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행된다. 고주파 전원으로부터의 고주파는 복수의 단계에 걸쳐 일방의 전극으로 공급된다. 이 태양의 플라즈마 처리 방법은, (i) 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 때, 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과, (ii) 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 고주파 전원으로부터 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정 및 직류 전원에 의해 출력되는 직류 전압의 레벨 중 적어도 일방을 변경하는 공정을 포함한다. 고주파의 설정을 변경하는 것은, 고주파의 파워를 변경하는 것 및 고주파 전원으로부터 일방의 전극으로 공급되는 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.
이 태양에 따른 플라즈마 처리 방법에서는, 파라미터가 임계치를 초과한 시점을 검출함으로써, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환된 시점을 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, 이 시점에서 고주파의 설정 및 직류 전압의 레벨 중 적어도 하나가 변경되므로, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환된 적절한 시점에서 고주파의 설정 및 직류 전압의 레벨 중 적어도 하나를 변경할 수 있다.
일실시 형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 시간 조정부를 더 구비한다. 이 실시 형태의 플라즈마 처리 방법은, (iii) 시간 조정부에 있어서, 후속의 단계로 천이 했을 때부터 파라미터가 임계치를 초과한 상기 시점까지의 시간차를 구하는 공정과, (iv) 복수의 사이클 중 선행하는 사이클에서 구해진 시간차만큼 증가하도록, 복수의 사이클 중 선행하는 사이클 뒤에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 정해진 실행 시간 길이를 조정하는 공정을 더 포함한다. 복수의 단계의 각각에는, 그 실행 시간 길이가 초기적으로 설정되어 있다. 따라서, 복수의 단계 중 하나의 단계에서 파라미터가 임계치를 초과한 시점이 늦어지면, 상기 하나의 단계에 있어서의 상기 시점으로부터의 플라즈마 처리의 시간 길이가 짧아진다. 이 실시 형태에 의하면, 상기의 시간차만큼, 후에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 시간 길이가 증가되므로, 복수의 사이클 중의 동일한 단계의 플라즈마 처리의 총 실행 시간 길이가 실질적으로 유지된다.
일실시 형태에 있어서, 플라즈마 처리 방법은, 연산부에 있어서, 파라미터의 계열로부터 구해지는 이동 평균치를 이용하여 임계치를 조정하는 공정을 더 포함한다. 파라미터의 계열은, 복수의 사이클 중 이미 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계, 또는 상기 후속의 단계와 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 각각에서 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터로 구성된다. 각 단계에서 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에서는, 처리 용기 내에는 그 단계에서 이용되는 처리 가스가 충분히 도달하고 있다. 따라서, 이 상태에서의 파라미터의 계열의 이동 평균치를 이용하여 임계치를 조정함으로써, 처리 용기 내의 처리 가스가 전환된 타이밍을 보다 고정밀도로 검출하는 것이 가능해진다.
일실시 형태에서는, 복수의 단계는, 희가스 및 플루오르카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 1 단계와, 제 1 단계에 이어, 희가스를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 단계를 포함하고 있어도 된다. 일실시 형태에서는, 복수의 단계는 제 2 단계에 이어, 희가스 및 산소 가스를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 단계를 더 포함하고 있어도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 당해 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클을 차례로 실행하는 플라즈마 처리 방법에 있어서, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이한 후의 적절한 시점에 고주파의 설정 및 직류 전압의 레벨의 설정 중 적어도 하나를 변경하는 것이 가능해진다.
도 1은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이다.
도 2는 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에 관한 일례의 타이밍 차트이다.
도 3은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에 관한 다른 예의 타이밍 차트이다.
도 4는 고주파 전원 및 정합기의 구성을 예시하는 도이다.
도 5는 정합기의 센서 및 컨트롤러의 구성을 예시하는 도이다.
도 6은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 고주파 전원 및 정합기의 구성의 다른 예를 나타내는 도이다.
도 8은 고주파 전원의 임피던스 센서의 구성을 나타내는 도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에 있어서 실행되는 임피던스 정합의 방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 도면을 참조하여 각종 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
먼저, 플라즈마 처리 방법의 실시 형태가 적용될 수 있는 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도이다. 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치(1)는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치이다. 플라즈마 처리 장치(1)는 처리 용기(10)를 구비하고 있다. 처리 용기(10)는 대략 원통 형상을 가지고 있고, 알루미늄과 같은 재료로 형성되어 있다. 이 처리 용기(10)의 내벽면에는 양극 산화 처리가 실시되어 있다. 또한, 처리 용기(10)는 접지되어 있다.
처리 용기(10)의 저부 상에는 절연판(12)이 마련되어 있다. 절연판(12)은 예를 들면 세라믹으로 형성되어 있다. 이 절연판(12) 상에는 지지대(14)가 마련되어 있다. 지지대(14)는 대략 원주(圓柱) 형상을 가지고 있다. 이 지지대(14) 상에는 서셉터(16)가 마련되어 있다. 서셉터(16)는 알루미늄과 같은 도전성의 재료로 형성되어 있고, 하부 전극(제 2 전극)을 구성하고 있다.
서셉터(16) 상에는 정전 척(18)이 마련되어 있다. 정전 척(18)은 절연층 또는 절연 시트의 사이에 도전막으로 구성된 전극(20)이 개재된 구조를 가지고 있다. 정전 척(18)의 전극(20)에는 스위치(22)를 개재하여 직류 전원(24)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(18)은 직류 전원(24)으로부터의 직류 전압에 의해 정전 흡착력을 발생시키고, 당해 정전 척(18) 상에 배치된 피가공물(W)을 정전 흡착력에 의해 유지하도록 되어 있다. 또한 피가공물(W)은, 예를 들면 웨이퍼와 같은 원반 형상의 물체이다. 이 정전 척(18)의 주위, 또한 서셉터(16) 상에는 포커스 링(26)이 배치되어 있다. 또한, 서셉터(16) 및 지지대(14)의 외주면에는 원통 형상의 내벽 부재(28)가 장착되어 있다. 이 내벽 부재(28)는 예를 들면 석영으로 형성되어 있다.
지지대(14)의 내부에는 냉매 유로(30)가 형성되어 있다. 냉매 유로(30)는, 예를 들면 연직 방향으로 연장되는 중심축선에 대하여 나선 형상으로 연장되어 있다. 이 냉매 유로(30)로는, 처리 용기(10)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(32a)을 거쳐 냉매(cw)(예를 들면, 냉각수)가 공급된다. 냉매 유로(30)에 공급된 냉매는 배관(32b)을 거쳐 칠러 유닛으로 회수된다. 이 냉매의 온도가 칠러 유닛에 의해 조정됨으로써, 피가공물(W)의 온도가 조정되도록 되어 있다. 또한 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 가스 공급 라인(34)을 거쳐 공급되는 전열 가스(예를 들면, He 가스)가, 정전 척(18)의 상면과 피가공물(W)의 이면과의 사이로 공급되도록 되어 있다.
서셉터(16)에는 도체(44)(예를 들면, 급전봉)가 접속되어 있다. 이 도체(44)에는 고주파 전원(36)이 정합기(40)를 개재하여 접속되어 있다. 고주파 전원(36)은 플라즈마의 생성용의 고주파(RF)를 발생한다. 정합기(40) 및 도체(44)는, 고주파 전원(36)으로부터의 고주파(RF)를 서셉터(16)로 전송하는 급전 라인(43)의 일부를 구성하고 있다. 고주파 전원(36)이 출력하는 고주파(RF)의 기본 주파수(fB)는 예를 들면 2 MHz ~ 100 MHz의 범위 내의 주파수이다.
처리 용기(10)의 천부에는 상부 전극(46)이 마련되어 있다. 이 상부 전극(46)과 서셉터(16)의 사이에는, 플라즈마가 생성되는 처리 용기(10) 내의 처리 공간(PS)이 개재되어 있다. 일실시 형태에 있어서, 상부 전극(46)에는 직류 전원(74)이 접속되어 있다. 직류 전원(74)은 음극성의 직류 전압(DC)을 상부 전극(46)에 인가하도록 구성되어 있다. 상부 전극(46)은 천판(48) 및 지지체(50)를 가지고 있다. 천판(48)에는 다수의 가스 분출홀(48a)이 형성되어 있다. 천판(48)은 예를 들면 Si, SiC와 같은 실리콘계의 재료로 형성되어 있다. 지지체(50)는 천판(48)을 착탈 가능하게 지지하는 부재이며, 알루미늄으로 형성되어 있고, 그 표면에는 양극 산화 처리가 실시되어 있다.
지지체(50)의 내부에는 가스 버퍼실(52)이 형성되어 있다. 또한, 지지체(50)에는 다수의 가스 통기홀(50a)이 형성되어 있다. 가스 통기홀(50a)은 가스 버퍼실(52)로부터 연장되어, 가스 분출홀(48a)에 연통하고 있다. 가스 버퍼실(52)에는 가스 공급관(54)을 개재하여 가스 공급계(55)가 접속되어 있다. 가스 공급계(55)는 가스 소스군(56), 유량 제어기군(58) 및 밸브군(60)을 포함하고 있다. 가스 소스군(56)은 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 유량 제어기군(58)은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 복수의 유량 제어기는 예를 들면 매스 플로우 컨트롤러일 수 있다. 또한, 밸브군(60)은 복수의 밸브를 포함하고 있다. 가스 소스군(56)의 복수의 가스 소스는, 유량 제어기군(58)의 대응의 유량 제어기 및 밸브군(60)의 대응의 밸브를 개재하여 가스 공급관(54)에 접속되어 있다. 가스 공급계(55)는 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터의 가스를, 조정된 유량으로 가스 버퍼실(52)로 공급하도록 구성되어 있다. 가스 버퍼실(52)로 도입된 가스는 가스 분출홀(48a)로부터 처리 공간(PS)으로 분출된다.
서셉터(16)와 처리 용기(10)의 측벽과의 사이 및 지지대(14)와 처리 용기(10)의 측벽과의 사이에는, 평면에서 봤을 때 환상(環狀)의 공간이 형성되어 있고, 당해 공간의 저부는 처리 용기(10)의 배기구(62)에 연결되어 있다. 처리 용기(10)의 저부에는 배기구(62)에 연통하는 배기관(64)이 접속되어 있다. 이 배기관(64)은 배기 장치(66)에 접속되어 있다. 배기 장치(66)는 터보 분자 펌프와 같은 진공 펌프를 가지고 있다. 배기 장치(66)는 처리 용기(10)의 내부 공간을 원하는 압력으로 감압한다. 또한, 처리 용기(10)의 측벽에는 피가공물(W)의 반입 및 반출을 위한 개구(68)가 형성되어 있다. 처리 용기(10)의 측벽에는 개구(68)를 개폐하기 위한 게이트 밸브(70)가 장착되어 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(1)는 주제어부(72)를 구비하고 있다. 주제어부(72)는 하나 이상의 마이크로 컴퓨터를 포함하고, 외부 메모리 또는 내부 메모리에 저장되어 있는 소프트웨어(프로그램) 및 레시피에 따라, 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부, 예를 들면 고주파 전원(36), 정합기(40), 직류 전원(74), 가스 공급계(55), 즉 유량 제어기군(58)의 복수의 유량 제어기 및 밸브군(60)의 복수의 밸브, 배기 장치(66) 등의 개개의 동작 및 당해 플라즈마 처리 장치(1)의 장치 전체의 동작을 제어한다. 또한, 주제어부(72)는 키보드 등의 입력 장치 또는 액정 디스플레이 등의 표시 장치를 포함하는 맨·머신·인터페이스용의 조작 패널, 그리고 각종 프로그램, 레시피 및 설정치 등의 각종 데이터를 저장하는 외부 기억 장치 등과도 접속되어 있다.
플라즈마 처리 장치(1)의 기본 동작은 다음과 같이 하여 행해진다. 먼저, 게이트 밸브(70)가 열리고, 피가공물(W)이 개구(68)를 경유하여 처리 용기(10) 내로 반입된다. 처리 용기(10) 내로 반입된 피가공물(W)은 정전 척(18) 상에 배치된다. 이어서, 가스 공급계(55)로부터 가스가 처리 용기(10) 내로 도입되고, 배기 장치(66)가 작동되어, 처리 용기(10) 내의 공간의 압력이 정해진 압력으로 설정된다. 또한, 고주파 전원(36)으로부터의 고주파(RF)가 서셉터(16)로 공급된다. 또한, 필요에 따라 직류 전원(74)으로부터의 직류 전압(DC)이 상부 전극(46)에 인가된다. 또한, 직류 전원(24)으로부터의 직류 전압이 정전 척(18)의 전극(20)에 인가되고, 피가공물(W)이 정전 척(18) 상에 유지된다. 그리고, 처리 용기(10) 내로 공급된 가스가, 서셉터(16)와 상부 전극(46)과의 사이에 형성된 고주파 전계에 의해 여기된다. 이에 의해, 플라즈마가 생성된다. 이와 같이 생성된 플라즈마로부터의 라디칼 및 이온 중 적어도 하나에 의해 피가공물(W)이 처리된다. 또한 직류 전원(74)으로부터 직류 전압(DC)이 상부 전극(46)에 인가되고 있는 경우에는, 양이온이 상부 전극(46)으로 인입되어 당해 상부 전극(46)에 충돌하고, 이차 전자 및 상부 전극(46)을 구성하는 재료, 예를 들면 실리콘 중 적어도 하나가 상부 전극(46)으로부터 방출된다.
이하, 플라즈마 처리 방법의 실시 형태(이하, '방법(MT)'이라고 함)에 대하여 설명한다. 방법(MT)은 플라즈마 처리 장치(1)를 이용하여 실시하는 것이 가능하다. 도 2 및 도 3은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에 관한 타이밍 차트를 나타내고 있다. 도 2 및 도 3에는, 방법(MT)에 있어서의 가스(A), 가스(B), 가스(C), 고주파(RF) 및 직류 전압(DC)의 각각의 타이밍 차트가 나타나 있다. 도 2 및 도 3에서 횡축은 시간을 나타내고 있다. 또한, 가스(A)의 타이밍 차트의 레벨은, 처리 용기(10) 내로 공급되어 있는 가스(A)의 양을 나타내고 있고, 가스(B)의 타이밍 차트의 레벨은, 처리 용기(10) 내로 공급되어 있는 가스(B)의 양을 나타내고 있고, 가스(C)의 타이밍 차트의 레벨은, 처리 용기(10) 내로 공급되어 있는 가스(C)의 양을 나타내고 있다. 또한, 고주파(RF)의 타이밍 차트에서 고주파(RF)의 레벨은, 서셉터(16)에 공급되고 있는 고주파(RF)의 파워를 나타내고 있다. 또한, 직류 전압(DC)의 타이밍 차트에서 직류 전압(DC)이 고레벨인 것은, 직류 전압(DC)이 상부 전극(46)에 인가되고 있는 것을 나타내고 있고, 직류 전압(DC)이 저레벨인 것은, 직류 전압(DC)이 상부 전극(46)에 인가되어 있지 않은 것, 혹은, 직류 전압(DC)의 레벨이 낮은 것을 나타내고 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 방법(MT)에서는, 복수의 사이클(CY)이 차례로 실행된다. 복수의 사이클(CY)의 각각은 차례로 실행되는 복수의 단계(S)를 포함하고 있다. 이하, 복수의 사이클 또는 복수의 사이클의 각각을 나타내는 참조 부호로서 'CY'를 이용한다. 또한, 복수의 사이클의 각각을 그 실행 순서와 함께 나타내는 경우에는, 'CY(i)'라는 참조 부호를 이용한다. 또한, 복수의 단계 또는 복수의 단계의 각각을 나타내는 참조 부호로서 'S'를 이용한다. 또한, 복수의 단계(S)의 각각을 그 실행 순서 및 사이클의 실행 순서와 함께 나타내는 경우에는, 'S(i, j)'라는 참조 부호를 이용한다. 또한, 복수의 단계의 각각을 그 실행 순서와 함께 나타내는 경우에는, 'S(j)'라는 참조 부호를 이용한다. 또한, 각 단계의 개시 시점을 나타내는 참조 부호로서 'Ts(i, j)'라는 참조 부호를 이용한다. 여기서, 'i'는 사이클의 실행 순서를 나타내는 변수로, 1 이상 IMAX 이하의 정수를 취할 수 있으며, IMAX는 복수의 사이클의 개수를 나타내는 2 이상의 정수이다. 'j'는 1 이상 JMAX 이하의 정수를 취할 수 있으며, JMAX는 각 사이클(CY)에 있어서의 복수의 단계의 개수를 나타내는 2 이상의 정수이다. 또한 도 2 및 도 3에 나타내는 예에서는 JMAX는 3이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
방법(MT)의 복수의 사이클(CY)의 각각에 포함되는 복수의 단계(S)에서는, 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 복수의 단계(S)의 각각에서 이용되는 처리 가스는 레시피에서 지정되어 있다. 또한, 복수의 단계(S) 각각에 있어서의 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 레벨은 레시피에서 지정되어 있다. 또한 고주파(RF)의 설정은 고주파(RF)의 파워 및 고주파(RF)의 모드를 포함한다. 고주파(RF)의 모드는 연속파 및 펄스 변조된 고주파로부터 선택된다. 또한, 복수의 단계(S) 각각의 실행 시간 길이는 레시피에서 지정되어 있다. 주제어부(72)는 이러한 레시피에 따라 방법(MT)을 위한 제어를 실행한다.
방법(MT)에서는, 첫 회의 사이클의 제 1 단계인 단계(S(1, 1))의 개시 시점(Ts(1, 1))에 앞서, 가스 공급계(55)로부터 단계(S(1, 1))용의 처리 가스의 출력이 개시된다. 또한, 단계(S(1, 1))의 개시 시점(Ts(1, 1))에 서셉터(16)로의 고주파(RF)의 공급이 개시된다. 이후, 고주파(RF)는 복수의 사이클(CY)의 복수의 단계(S)에 걸쳐 서셉터(16)로 공급된다.
방법(MT)에서는, 선행하는 단계로부터 후속의 단계로 천이할 때(단계(S(i, j - 1))로부터 단계(S(i, j))로 천이할 때, 및, 단계(S(i-1, JMAX))로부터 단계(S(i, 1))로 천이할 때), 즉 각 단계(S)의 개시 시점(Ts(i, j))에, 주제어부(72)로부터의 제어에 의해 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 전환된다. 도 2 및 도 3에 나타내는 예에서는, 제 1 단계, 즉 단계(S(i, 1))에서 가스(A) 및 가스(B)를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위하여, 개시 시점(Ts(i, 1))에서 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 제 1 처리 가스로 전환된다. 또한 제 2 단계, 즉 단계(S(i, 2))에서 가스(A)를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위하여, 개시 시점(Ts(i, 2))에서 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 제 2 처리 가스로 전환된다. 또한 제 3 단계, 즉 단계(S(i, 3))에서 가스(A) 및 가스(C)를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위하여, 개시 시점(Ts(i, 3))에서 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 제 3 처리 가스로 전환된다. 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 가스(A)는 Ar 가스와 같은 희가스이며, 가스(B)는 플루오르카본 가스이며, 가스(C)는 산소 가스이다.
방법(MT)에서는, 단계(S(i, j))의 개시 시점(Ts(i, j)) 후, 즉 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에, 후술하는 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점에서, 단계(S(i, j))를 위하여 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 레벨 중 적어도 일방이 변경된다. 도 2에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 2))에서 고주파(RF)의 파워가 단계(S(i, 1))에 있어서의 고주파(RF)의 파워보다 낮은 파워로 변경된다. 또한 도 2에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 2))에 있어서의 고주파(RF)의 파워와 단계(S(i, 3))에 있어서의 고주파(RF)의 파워는 동일하다. 또한 도 2에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 2))에서 직류 전압(DC)의 레벨(절대치)이 단계(S(i, 1))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨(절대치)보다 높은 레벨(절대치)로 변경된다. 도 2에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 1))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨과 단계(S(i, 3))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨은 동일하다. 또한 단계(S(i, 1)) 및 단계(S(i, 3))에서는, 상부 전극(46)에 직류 전압(DC)이 인가되지 않아도 된다.
또한 도 3에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 2))에서 고주파(RF)의 파워가 단계(S(i, 1))에 있어서의 고주파(RF)의 파워보다 낮은 파워로 변경된다. 또한 도 3에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 3))에서 고주파(RF)의 파워가 단계(S(i, 2))에 있어서의 고주파(RF)의 파워보다 낮은 파워로 변경된다. 또한 도 3에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 2))에서 직류 전압(DC)의 레벨(절대치)이 단계(S(i, 1))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨(절대치)보다 높은 레벨(절대치)로 변경된다. 도 3에 나타내는 예에서는, 단계(S(i, 1))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨과 단계(S(i, 3))에 있어서의 직류 전압(DC)의 레벨은 동일하다. 또한 단계(S(i, 1)) 및 단계(S(i, 3))에서는, 상부 전극(46)에 직류 전압(DC)이 인가되지 않아도 된다. 또한 도 2 및 도 3의 예에서는, 고주파(RF)의 파워가 변경되고 있지만, 고주파의 파워 및 고주파의 모드 중 적어도 일방이 변경되면 된다.
상술한 파라미터는, 일실시 형태에서는, 정합기(40)의 연산부에서 구해진다. 이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 고주파 전원(36) 및 정합기(40)에 대하여 상세히 설명한다. 도 4는 고주파 전원(36) 및 정합기(40)의 구성을 예시하는 도이며, 도 5는 정합기(40)의 센서 및 컨트롤러의 구성을 예시하는 도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 일실시 형태에 있어서, 고주파 전원(36)은 발진기(36a), 파워 앰프(36b), 파워 센서(36c) 및 전원 제어부(36e)를 가지고 있다. 전원 제어부(36e)는 CPU와 같은 프로세서로 구성되어 있고, 주제어부(72)로부터 부여되는 신호 및 파워 센서(36c)로부터 부여되는 신호를 이용하여, 발진기(36a) 및 파워 앰프(36b)의 각각 제어 신호를 부여하여, 발진기(36a) 및 파워 앰프(36b)를 제어한다.
주제어부(72)로부터 전원 제어부(36e)에 부여되는 신호는 레시피에 따라 작성되는 고주파 설정 신호이다. 고주파 설정 신호는 고주파(RF)의 설정을 지정하는 신호이다. 고주파 설정 신호는, 단계(S(1, 1))의 개시 시점에서 당해 고주파 설정 신호에 의해 지정되는 설정의 고주파(RF)의 출력이 고주파 전원(36)에 의해 개시되도록, 주제어부(72)로부터 전원 제어부(36e)에 부여된다. 또한 고주파 설정 신호는, 단계(S(1, 1))보다 후에 실행되는 단계(S(i, j))에서 고주파(RF)의 설정을 변경하는 경우에, 주제어부(72)로부터 전원 제어부(36e)에 부여된다. 전원 제어부(36e)는 후술하는 연산부로부터의 신호를 수신하면, 고주파 설정 신호에 의해 지정되는 설정의 고주파(RF)를 고주파 전원(36)에 출력시키도록 동작한다.
또한 전원 제어부(36e)는, 고주파 설정 신호에 의해 지정되는 주파수를 가지는 고주파를 출력하도록 발진기(36a)를 제어한다. 이 발진기(36a)의 출력은 파워 앰프(36b)의 입력에 접속되어 있다. 발진기(36a)로부터 출력된 고주파는 파워 앰프(36b)에 입력된다. 파워 앰프(36b)는, 고주파 설정 신호에 의해 지정되는 파워를 가지는 고주파(RF)를 그 출력으로부터 출력하기 위하여, 입력된 고주파를 증폭한다. 이에 의해, 고주파 전원(36)으로부터 고주파(RF)가 출력된다.
파워 앰프(36b)의 후단에는 파워 센서(36c)가 마련되어 있다. 파워 센서(36c)는 방향성 결합기, 진행파 파워 검출부 및 반사파 파워 검출부를 가지고 있다. 방향성 결합기는 고주파(RF)의 진행파의 일부를 진행파 파워 검출부에 부여하고, 반사파를 반사파 파워 검출부에 부여한다. 이 파워 센서(36c)에는, 고주파(RF)의 주파수를 특정하는 신호가 전원 제어부(36e)로부터 부여된다. 진행파 파워 검출부는, 진행파의 전체 주파수 성분 중 고주파(RF)의 주파수와 동일한 주파수를 가지는 성분의 파워의 측정치, 즉 진행파 파워 측정치(PF1)를 생성한다. 이 진행파 파워 측정치는 파워 피드백용으로 전원 제어부(36e)에 부여된다.
반사파 파워 검출부는, 반사파의 전체 주파수 성분 중 고주파(RF)의 주파수와 동일한 주파수를 가지는 성분의 파워의 측정치, 즉, 반사파 파워 측정치(PR11), 및, 반사파의 전체 주파수 성분의 토탈 파워의 측정치, 즉 반사파 파워 측정치(PR12)를 생성한다. 반사파 파워 측정치(PR11)는 모니터 표시용으로 주제어부(72)에 부여된다. 또한, 반사파 파워 측정치(PR12)는 파워 앰프(36b)의 보호용으로 전원 제어부(36e)에 부여된다.
또한, 주제어부(72)로부터는 직류 전압 설정 신호가 직류 전원(74)에 부여된다. 직류 전압 설정 신호는 직류 전압(DC)의 레벨을 지정하는 신호이다. 직류 전압 설정 신호는, 단계(S(i, j))에서 직류 전압(DC)의 레벨을 변경하는 경우에 주제어부(72)로부터 직류 전원(74)에 부여된다. 직류 전원(74)은 후술하는 연산부로부터의 신호를 수신하면, 직류 전압 설정 신호에 의해 지정되는 레벨의 직류 전압(DC)을 출력하도록 동작한다. 혹은, 직류 전압 설정 신호에 의해 지정되는 직류 전압(DC)의 레벨이 제로인 경우에는, 직류 전원(74)은 후술하는 연산부로부터의 신호를 수신하면, 직류 전압(DC)의 출력을 정지하도록 동작한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 정합기(40)는 정합 회로(40a), 센서(40b), 컨트롤러(40c) 그리고 액츄에이터(40d 및 40e)를 가지고 있다. 정합 회로(40a)는 가변 리액턴스 소자(40g 및 40h)를 포함하고 있다. 가변 리액턴스 소자(40g 및 40h)는, 예를 들면 가변 콘덴서이다. 또한, 정합 회로(40a)는 인덕터 등을 더 포함하고 있어도 된다.
컨트롤러(40c)는 예를 들면 프로세서로 구성되고, 주제어부(72)의 제어 하에서 동작한다. 컨트롤러(40c)는, 센서(40b)로부터 부여되는 측정치를 이용하여 고주파 전원(36)의 부하 임피던스를 구하도록 되어 있다. 또한 컨트롤러(40c)는, 구한 부하 임피던스를 고주파 전원(36)의 출력 임피던스 또는 정합 포인트에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어하여, 가변 리액턴스 소자(40g 및 40h) 각각의 리액턴스를 조정하도록 되어 있다. 액츄에이터(40d 및 40e)는 예를 들면 모터이다.
또한, 컨트롤러(40c)는 센서(40b)로부터 부여되는 측정치를 이용하여, 후술하는 파라미터를 산출하고, 각 단계(S)에서 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 레벨 중 적어도 하나의 변경을 행하는 시점을 결정하도록 되어 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 센서(40b)는 전류 검출기(102A), 전압 검출기(104A), 필터(106A) 및 필터(108A)를 가지고 있다. 전압 검출기(104A)는, 급전 라인(43) 상에서 전송되는 고주파(RF)의 전압 파형을 검출하고, 당해 전압 파형을 나타내는 전압 파형 아날로그 신호를 출력한다. 이 전압 파형 아날로그 신호는 필터(106A)에 입력된다. 필터(106A)는 입력된 전압 파형 아날로그 신호를 디지털화함으로써, 전압 파형 디지털 신호를 생성한다. 그리고 필터(106A)는, 주제어부(72)로부터의 신호에 의해 특정되는 고주파(RF)의 설정 주파수의 성분만을 전압 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전압 파형 신호를 생성한다. 필터(106A)에 의해 생성된 여과 전압 파형 신호는 컨트롤러(40c)의 연산부(150A)에 부여된다. 또한 필터(106A)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성된다.
전류 검출기(102A)는, 급전 라인(43) 상에서 전송되는 고주파(RF)의 전류 파형을 검출하고, 당해 전류 파형을 나타내는 전류 파형 아날로그 신호를 출력한다. 이 전류 파형 아날로그 신호는 필터(108A)에 입력된다. 필터(108A)는 입력된 전류 파형 아날로그 신호를 디지털화함으로써, 전류 파형 디지털 신호를 생성한다. 그리고 필터(108A)는, 주제어부(72)로부터의 신호에 의해 특정되는 고주파(RF)의 설정 주파수의 성분만을 전류 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전류 파형 신호를 생성한다. 필터(108A)에 의해 생성된 여과 전류 파형 신호는 컨트롤러(40c)의 연산부(150A)에 부여된다. 또한 필터(108A)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성된다.
컨트롤러(40c)의 연산부(150A)는, 필터(106A)로부터 부여되는 여과 전압 파형 신호 및 필터(108A)로부터 부여되는 여과 전류 파형 신호를 이용하여, 정합기(40)에 있어서의 임피던스 정합을 위하여, 고주파 전원(36)의 부하 임피던스(ZL1)를 구한다. 구체적으로, 연산부(150A)는, 여과 전압 파형 신호에 의해 특정되는 교류 전압(V1), 여과 전류 파형 신호에 의해 특정되는 교류 전류(I1), 및, 교류 전압(V1)과 교류 전류(I1)와의 위상차(Φ1)로부터 고주파 전원(36)의 부하 임피던스(ZL1)를 구한다. 또한, 연산부(150A)는 교류 전압(V1), 교류 전류(I1) 및 위상차(Φ1)로부터, 후술하는 파라미터를 구하도록 되어 있다. 파라미터는 상기의 부하 임피던스(ZL1)여도 된다. 이 경우에는, 정합기(40)의 임피던스 정합을 위하여 구해진 부하 임피던스를 파라미터로서 이용할 수 있으므로, 별도로 파라미터를 구할 필요는 없다. 혹은, 파라미터는 부하 저항(Zr1), 부하 리액턴스(Zi1) 및 반사파 계수(Γ1) 중 어느 하나여도 된다.
부하 임피던스(ZL1)는 V1 / I1에 의해 구해지고, 부하 저항(Zr1)은 부하 임피던스(ZL1)의 실부를 구함으로써 얻어지고, 부하 리액턴스(Zi1)는 부하 임피던스(ZL1)의 허부를 구함으로써 얻어진다. 또한, 반사파 계수(Γ1)는 이하에 식 (1)에 의해 구해진다.
[수 1]
Figure 112017027893540-pat00001
또한 반사파 계수(Γ1)는, 파워 센서(36c)에 의해 구해지는 진행파 파워 측정치(PF1) 및 반사파 파워 측정치(PR11)로부터, PR11 / PF1에 의해 구해져도 된다.
연산부(150A)는 구한 부하 임피던스(ZL1)를 매칭 제어부(152A)에 출력한다. 매칭 제어부(152A)는, 부하 임피던스(ZL1)를 고주파 전원(36)의 출력 임피던스(또는 정합 포인트)에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어하여, 가변 리액턴스 소자(40g 및 40h)의 리액턴스를 조정한다. 이에 의해, 정합기(40)에 의한 임피던스 정합이 실행된다. 또한 매칭 제어부(152A)는, 연산부(150A)에 의해 출력되는 부하 임피던스(ZL1)의 계열의 이동 평균치를, 고주파 전원(36)의 출력 임피던스(또는 정합 포인트)에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어해도 된다.
또한 연산부(150A)는, 단계(S(1, 1)) 이외의 단계(S(i, j))에서, 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스가 전환된 때부터, 구한 파라미터가 대응의 임계치(Th(j))를 초과하고 있는지 여부를 판정한다. 임계치(Th(j))는 초기적으로는, 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))에 전용의, 또는 복수의 단계(S)에 공통의 값으로서 미리 설정되어 있다. 연산부(150A)는, 단계(S(i, j))에서 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과하면, 신호를 고주파 전원(36)에 부여한다. 고주파 전원(36)은, 단계(S(i, j))에서 고주파 설정 신호가 주제어부(72)로부터 부여되어 있는 경우에는, 연산부(150A)로부터의 신호에 응답하여, 고주파 설정 신호에 의해 지정되어 있는 설정으로 고주파(RF)의 설정을 변경한다. 즉, 고주파 전원(36)은, 단계(S(i, j))에서 고주파 설정 신호가 주제어부(72)로부터 부여되어 있는 경우에는, 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점에서, 고주파 설정 신호에 의해 지정되어 있는 설정으로 고주파(RF)의 설정을 변경한다. 또한 고주파(RF)의 설정의 변경은, 고주파(RF)의 파워의 변경, 및 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 고주파(RF)를 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.
또한, 연산부(150A)는 단계(S(i, j))에서 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과하면, 신호를 직류 전원(74)에 부여한다. 직류 전원(74)은, 단계(S(i, j))에서 직류 전압 설정 신호가 주제어부(72)로부터 부여되어 있는 경우에는, 연산부(150A)로부터의 신호에 응답하여, 직류 전압 설정 신호에 의해 지정되어 있는 레벨로 직류 전압(DC)의 레벨을 변경한다. 즉, 직류 전원(74)은, 단계(S(i, j))에서 직류 전압 설정 신호가 주제어부(72)로부터 부여되어 있는 경우에는, 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점에서, 직류 전압 설정 신호에 의해 지정되어 있는 레벨로 직류 전압(DC)의 레벨을 변경한다.
또한 연산부(150A)는, 단계(S(i, j))에서 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점을 특정하는 제 1 정보를 시간 조정부(80)에 부여한다. 이 시간 조정부(80)는 예를 들면 CPU와 같은 프로세서일 수 있다. 시간 조정부(80)는 또한 단계(S(i, j))로 천이한 시점, 즉 개시 시점(Ts(i, j))을 특정하는 제 2 정보를 주제어부(72)로부터 받는다. 시간 조정부(80)는, 제 1 정보에 의해 특정되는 시점과 제 2 정보에 의해 특정되는 시점 간의 시간차를 구한다. 시간 조정부(80)는 이 시간차를 특정하는 시간차 특정 정보를 주제어부(72)에 부여한다. 주제어부(72)는, 시간차 특정 정보에 의해 특정되는 시간차만큼, 레시피에서 지정되어 있는 단계(S(j))의 정해진 실행 시간 길이에 대하여 증가하도록, 후에 실행되는 사이클(CY)의 단계(S(j)), 예를 들면 단계(S(i+1, j))의 실행 시간 길이를 조정한다.
또한 연산부(150A)는, 파라미터의 계열로부터 이동 평균치를 구하고, 당해 이동 평균치를 이용하여 상술한 임계치(Th(j))를 조정한다. 임계치(Th(j))를 조정하기 위하여 이용되는 파라미터의 계열은, 실행 완료된 사이클(CY)에서 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j)), 또는, 실행 중의 단계(S(i, j))와 실행 완료된 사이클(CY)에서 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))의 각각에서 정합기(40)에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 파라미터를 포함한다. 또한 계열에 포함되는 파라미터는, 임계치(Th(j))와 비교되는 파라미터와 동종의 파라미터이다.
이하, 도 6을 참조하여, 방법(MT)에 대하여 상세히 설명한다. 도 6은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 방법(MT)에서는, 먼저 공정(ST1)이 실행된다. 공정(ST1)에서는, 주제어부(72)에 의해 i가 1로 설정된다. 'i'는, 상술한 바와 같이 사이클의 순서를 특정하는 변수이다. 이어지는 공정(ST2)에서, 주제어부(72)에 의해 j가 1로 설정된다. 'j'는, 상술한 바와 같이 각 사이클(CY)에 있어서의 복수의 단계(S) 각각의 순서를 나타내는 변수이다.
이어지는 공정(J1)에서는, 첫 회의 사이클의 제 1 단계를 실행할지 여부가 판정된다. 즉, 주제어부(72)에 의해, 단계(S(1, 1))를 실행할지 여부가 판정된다. 단계(S(1, 1))를 실행하는 경우에는, 이어지는 공정(ST3)에서 레시피에서 지정된 단계(S(1, 1))용의 처리 가스의 출력을 개시하도록, 주제어부(72)에 의해 가스 공급계(55)가 제어된다. 이어지는 공정(ST4)에서는, 고주파 전원(36)이, 주제어부(72)로부터의 고주파 설정 신호에 의해 지정되는 설정의 고주파(RF)의 공급을 개시한다. 이 후, 처리는 공정(ST10)으로 진행된다.
한편, 공정(J1)의 판정의 결과, 단계(S(1, 1)) 이외의 단계(S(i, j))가 실행된다고 판정된 경우에는, 공정(ST5)에서, 가스 공급계(55)가 출력하는 처리 가스를 레시피에서 지정된 단계(S(i, j))용의 처리 가스로 전환하도록, 주제어부(72)에 의해 가스 공급계(55)가 제어된다. 또한, 공정(ST5)에 있어서의 가스 공급계(55)의 처리 가스의 전환은, 단계(S(i, j))로의 천이 시, 즉 단계(S(i, j))의 개시 시점(Ts(i, j))에 행해진다.
이어지는 공정(ST6)에서는, 연산부(150A)에 의해 상술한 파라미터가 산출된다. 연산부(150A)에 의한 파라미터의 산출은, 공정(ST5)에서 가스 공급계(55)로부터 출력되는 처리 가스가 교체된 시점부터 개시된다. 이어지는 공정(J2)에서는, 연산부(150A)에 의해, 구한 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과했는지 여부가 판정된다. 공정(J2)에서, 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과했다고 판정되는 경우에는, 처리는 공정(ST7)으로 진행된다. 한편, 파라미터가 임계치를 초과하지 않았다고 판정되는 경우에는, 공정(J3)에서, 단계(S(i, j))의 개시 시점으로부터 정해진 시간이 경과하고 있는지 여부가 연산부(150A)에 의해 판정된다. 공정(J3)에서, 단계(S(i, j))의 개시 시점으로부터 정해진 시간이 경과하지 않았다고 판정된 경우에는, 다시 공정(ST6)이 실행된다. 한편, 공정(J3)에서, 단계(S(i, j))의 개시 시점으로부터 정해진 시간이 경과하고 있다고 판정된 경우에는, 처리는 공정(ST7)으로 진행된다. 이 공정(J3)에 의해, 공정(ST7)으로 처리가 진행되지 않게 되는 사태를 회피할 수 있다.
공정(ST7)에서는, 연산부(150A)에 의해, 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 것을 통지하기 위하여, 상술한 신호가 고주파 전원(36) 및 직류 전원(74)에 부여된다. 그리고, 단계(S(i, j))를 위하여, 고주파 설정 신호가 주제어부(72)로부터 고주파 전원(36)에 부여되어 있는 경우에는, 고주파 전원(36)이, 고주파 설정 신호에 의해 지정된 설정으로 고주파(RF)의 설정을 변경한다. 또한, 단계(S(i, j))를 위하여, 직류 전압 설정 신호가 주제어부(72)로부터 직류 전원(74)에 부여되어 있는 경우에는, 직류 전원(74)이 직류 전압 설정 신호에 의해 지정된 레벨로 직류 전압(DC)의 레벨을 변경한다.
이어서, 방법(MT)에서는 공정(ST8)이 실행된다. 공정(ST8)은 공정(ST8a) 및 공정(ST8b)을 포함한다. 공정(ST8a)에서는 상술한 시간차가 구해진다. 구체적으로, 시간 조정부(80)에는, 단계(S(i, j))에서 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점을 특정하는 제 1 정보가 연산부(150A)로부터 부여되어 있고, 단계(S(i, j))로 천이한 시점, 즉 개시 시점(Ts(i, j))을 특정하는 제 2 정보가 주제어부(72)로부터 부여되어 있다. 공정(ST8a)에서, 시간 조정부(80)는, 제 1 정보에 의해 특정되는 시점과 제 2 정보에 의해 특정되는 시점 간의 시간차를 구하고, 당해 시간차를 특정하는 시간차 특정 정보를 주제어부(72)에 부여한다. 이어지는 공정(ST8b)에서는, 주제어부(72)가, 시간차 특정 정보에 의해 특정되는 시간차만큼, 레시피에서 지정되어 있는 단계(S(j))의 실행 시간 길이에 대하여 증가하도록, 후에 실행되는 사이클(CY)의 단계(S(j)), 예를 들면 단계(S(i+1, j))의 실행 시간 길이를 조정한다.
방법(MT)에서는, 이어서 공정(ST9)이 실행된다. 공정(ST9)에서는 임계치(Th(j))가 조정된다. 구체적으로, 연산부(150A)에서, 파라미터의 계열로부터 이동 평균치가 구해지고, 당해 이동 평균치를 이용하여 임계치(Th(j))가 조정된다. 임계치(Th(j))를 조정하기 위하여 이용되는 파라미터의 계열은, 실행 완료된 사이클(CY)에서 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j)), 또는, 실행 중의 단계(S(i, j))와 실행 완료된 사이클(CY)에서 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))의 각각에서 정합기(40)에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 파라미터를 포함한다. 또한 정합기(40)는, 방법(MT)의 실시 동안, 정합 동작을 수시로 행할 수 있다.
방법(MT)에서는, 이어서 공정(ST10)이 실행된다. 공정(ST10)에서는, 주제어부(72)에 의해 j가 1만큼 증분된다. 이어지는 공정(J4)에서는, j가 JMAX보다 큰지 여부가 판정된다. j가 JMAX 이하인 경우에는 처리는 공정(ST5)으로 진행된다. 한편, j가 JMAX보다 큰 경우에는, 이어지는 공정(ST11)에서, 주제어부(72)에 의해 i가 1만큼 증분된다. 이어지는 공정(J5)에서는, i가 IMAX보다 큰지 여부가 판정된다. i가 IMAX 이하인 경우에는 처리는 공정(ST2)으로 진행된다. 한편, i가 IMAX보다 큰 경우에는 방법(MT)이 종료된다.
고주파(RF)의 공급이 계속된 상태에서, 처리 용기(10) 내의 처리 가스가 전환되면, 처리 용기(10) 내에서 생성되는 플라즈마의 임피던스가 변화한다. 연산부(150A)에 의해 구해지는 상술한 파라미터는, 플라즈마의 임피던스에 따라 변화하는 파라미터이므로, 처리 용기(10) 내에 존재하고 있는 처리 가스의 변화를 양호하게 반영한다. 방법(MT)에서는, 이러한 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점을 검출함으로써, 처리 용기(10) 내의 처리 가스가 전환된 시점을 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, 이 시점에 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 레벨 중 적어도 일방이 변경되므로, 처리 용기(10) 내의 처리 가스가 전환된 적절한 시점에서, 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 레벨 중 적어도 하나를 변경할 수 있다.
또한 복수의 단계(S)의 각각에는, 그 실행 시간 길이가 레시피에서 초기적으로 설정되어 있다. 따라서, 단계(S(i, j))에서, 파라미터가 임계치(Th(j))를 초과한 시점이 늦어지면, 단계(S(i, j))에 있어서의 당해 시점으로부터의 플라즈마 처리의 시간 길이가 짧아진다. 이 실시 형태에 의하면, 공정(ST8a)에서 구해지는 시간차만큼, 후에 실행되는 사이클(CY)에 있어서의 단계(S(j))의 시간 길이가 증가되므로, 복수의 사이클(CY)중의 동일한 단계의 플라즈마 처리의 총 실행 시간 길이가 실질적으로 유지된다.
또한, 단계(S(i, j))에서 정합기(40)에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에서는, 처리 용기(10) 내에는 단계(S(i, j))에서 이용되는 처리 가스가 충분히 도달하고 있다. 따라서, 이 상태에서의 파라미터의 계열의 이동 평균치를 이용하여 임계치(Th(j))를 조정함으로써, 처리 용기(10) 내의 처리 가스가 전환된 타이밍을 보다 고정밀도로 검출하는 것이 가능해진다.
이하, 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 다른 실시 형태의 방법(MT)에서는, 복수의 단계(S)의 각각에 있어서, 고주파(RF)의 주파수가 조정된다. 또한 가일층의 실시 형태에서는, 복수의 단계(S)의 각각에 있어서, 고주파(RF)의 주파수와 함께 고주파(RF)의 파워가 조정된다. 이하에서는, 도 7 및 도 8을 참조하여, 이 실시 형태의 방법(MT)의 실행을 위하여, 고주파 전원(36), 정합기(40) 대신에 플라즈마 처리 장치(1)에 채용되는 고주파 전원(36A), 정합기(40A)에 대하여 설명한다. 도 7은 고주파 전원(36A) 및 정합기(40A)의 구성을 나타내는 도이다. 도 8은 고주파 전원(36A)의 임피던스 센서의 구성을 나타내는 도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 고주파 전원(36A)은, 고주파 전원(36)과 마찬가지로 발진기(36a), 파워 앰프(36b), 파워 센서(36c) 및 전원 제어부(36e)를 가지고 있다. 고주파 전원(36A)은 임피던스 센서(36d)를 더 가지고 있다. 이하, 고주파 전원(36A)의 각 요소에 관하여, 고주파 전원(36)의 대응의 요소와 상이한 점을 설명한다. 또한, 임피던스 센서(36d)에 대해서도 설명한다.
고주파 전원(36A)의 전원 제어부(36e)는, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각에 있어서의 고주파(RF)의 주파수를 설정하는 주파수 제어 신호를 발진기(36a)에 부여하도록 되어 있다. 구체적으로, 전원 제어부(36e)는 임피던스 센서(36d)로부터, 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 과거의 단계(S(j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp11), 및, 당해 과거의 단계(S(j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp12)를 받는다.
그리고, 전원 제어부(36e)는 이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)가 정해진 조정 범위 내에 포함되는 경우에는, 이동 평균치(Imp11)로부터 추정되는 제 1 부기간(Ps1(j))의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스, 및, 이동 평균치(Imp12)로부터 추정되는 제 2 부기간(Ps2(j))의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 정합 포인트에 근접시키기 위하여, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파(RF)의 주파수를 설정하는 주파수 제어 신호를 발진기(36a)에 부여한다. 발진기(36a)는, 주파수 제어 신호에 따라 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))의 고주파(RF)의 주파수 및 제 2 부기간(Ps2(j))의 고주파(RF)의 주파수를 설정한다.
한편, 이동 평균치(Imp11) 또는 이동 평균치(Imp12)가 정해진 조정 범위 내에 포함되지 않는 경우에는, 전원 제어부(36e)는, 고주파 전원(36A)에 관한 임피던스 정합을 정합기(40A)에 행하게 하기 위하여, 정합기(40A)에 제어 신호를 송출한다. 또한 부하 임피던스를 정합 포인트에 근접시킨다는 것은, 부하 임피던스를 이상적으로는 정합 포인트에 일치시키는 것을 의미한다. 또한 '정해진 조정 범위'는, 고주파(RF)의 주파수의 조정에 의해, 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 고주파 전원(36A)의 출력 임피던스 또는 정합 포인트에 정합시키는 것이 가능한 범위이다.
파워 앰프(36b)는, 발진기(36a)로부터 출력된 고주파를 증폭함으로써 고주파(RF)를 생성하고, 당해 고주파(RF)를 출력한다. 이 파워 앰프(36b)는, 전원 제어부(36e)에 의해 제어된다. 구체적으로, 전원 제어부(36e)는, 주제어부(72)에 의해 지정되는 파워의 고주파(RF)를 출력하도록, 파워 앰프(36b)를 제어한다.
일실시 형태에 있어서, 전원 제어부(36e)는, 제 1 부기간(Ps1(j))의 고주파(RF)의 파워가 제 2 부기간(Ps2(j))의 고주파(RF)의 파워보다 커지도록 파워 앰프(36b)를 제어해도 된다. 예를 들면, 단계(S(i, j))의 제 1 부기간(Ps1(j))의 고주파(RF)의 파워는, 단계(S(i, j))의 제 1 부기간(Ps1(j))의 반사파 파워 측정치(PR11), 또는, 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 과거의 단계(S(j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))의 반사파 파워 측정치(PR11)의 이동 평균치에 따라, 플라즈마에 결합되는 고주파(RF)의 파워가 정해진 파워가 되도록 설정될 수 있다. 또한, 단계(S(i, j))의 제 2 부기간(Ps2(j))의 고주파(RF)의 파워는, 단계(S(i, j))의 제 2 부기간(Ps2(j))의 반사파 파워 측정치(PR11), 또는, 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 과거의 단계(S(j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))의 반사파 파워 측정치(PR11)의 이동 평균치에 따라, 플라즈마에 결합되는 고주파(RF)의 파워가 정해진 파워가 되도록 설정될 수 있다.
임피던스 센서(36d)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))의 각각의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp11)를 구한다. 또한 임피던스 센서(36d)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))의 각각의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp12)를 구한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 부기간(Ps1(j))은, 단계(S(j))의 각각의 실행 기간 내에서, 고주파(RF)의 설정 또는 직류 전압(DC)의 레벨이 변경된 시점부터 당해 실행 기간의 도중까지의 사이의 기간이다. 제 2 부기간(Ps2(j))은, 단계(S(j))의 각각의 실행 기간 내에서, 당해 도중부터 당해 실행 기간의 종료 시점까지의 사이의 기간이다.
제 1 부기간(Ps1(j))의 시간 길이 및 제 2 부기간(Ps2(j))의 시간 길이는 전원 제어부(36e)에 의해 지정된다. 예를 들면, 제 1 부기간(Ps1(j))의 시간 길이는 전원 제어부(36e)가 기억하고 있는 정해진 시간 길이여도 되고, 제 2 부기간(Ps2(j))의 시간 길이는 전원 제어부(36e)가 기억하고 있는 다른 정해진 시간 길이여도 된다. 혹은, 전원 제어부(36e)는, 상술한 반사파 파워 측정치(PR11)의 시계열로부터, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내에서 반사파 파워 측정치(PR11)가 정해진 값 이하로 안정되는 기간을 제 2 부기간(Ps2(j))으로 설정하고, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내에서 당해 제 2 부기간(Ps2(j))보다 전의 기간을 제 1 부기간(Ps1(j))으로 설정해도 된다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 임피던스 센서(36d)는 전류 검출기(102C), 전압 검출기(104C), 필터(106C), 필터(108C), 평균치 연산기(110C), 평균치 연산기(112C), 이동 평균치 연산기(114C), 이동 평균치 연산기(116C) 및 임피던스 연산기(118C)를 가지고 있다.
전압 검출기(104C)는, 급전 라인(43) 상에서 전송되는 고주파(RF)의 전압 파형을 검출하고, 당해 전압 파형을 나타내는 전압 파형 아날로그 신호를 출력한다. 이 전압 파형 아날로그 신호는 필터(106C)에 입력된다. 필터(106C)는 입력된 전압 파형 아날로그 신호를 디지털화함으로써, 전압 파형 디지털 신호를 생성한다. 그리고 필터(106C)는, 전원 제어부(36e)로부터 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파(RF)의 주파수를 특정하는 신호를 받고, 당해 신호에 의해 특정되는 주파수에 대응한 성분만을 전압 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전압 파형 신호를 생성한다. 또한 필터(106C)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
필터(106C)에 의해 생성된 여과 전압 파형 신호는 평균치 연산기(110C)에 출력된다. 평균치 연산기(110C)에는, 전원 제어부(36e)로부터 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j))을 특정하는 부기간 특정 신호가 부여된다. 평균치 연산기(110C)는, 여과 전압 파형 신호로부터, 부기간 특정 신호를 이용하여 특정한 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 전압의 평균치(VA11)를 구한다. 또한 평균치 연산기(110C)는, 여과 전압 파형 신호로부터, 부기간 특정 신호를 이용하여 특정한 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 전압의 평균치(VA12)를 구한다. 또한 평균치 연산기(110C)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
평균치 연산기(110C)에 의해 구해진 평균치(VA11) 및 평균치(VA12)는 이동 평균치 연산기(114C)에 출력된다. 이동 평균치 연산기(114C)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))에 관하여 이미 얻어져 있는 복수의 평균치(VA11) 중, 최근에 실행된 정해진 수의 단계(S(j))에 있어서의 제 1 부기간(Ps1(j))에 대하여 구해진 정해진 개수의 평균치(VA11)의 이동 평균치(이동 평균치(VMA11))를 구한다. 또한 이동 평균치 연산기(114C)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))에 관하여 이미 얻어져 있는 복수의 평균치(VA12) 중, 최근에 실행된 정해진 수의 단계(S(j))에 있어서의 제 2 부기간(Ps2(j))에 대하여 구해진 정해진 개수의 평균치(VA12)의 이동 평균치(이동 평균치(VMA12))를 구한다. 이동 평균치 연산기(114C)에 의해 구해진 이동 평균치(VMA11 및 VMA12)는 임피던스 연산기(118C)에 출력된다. 또한 이동 평균치 연산기(114C)는, 예를 들면 CPU 또는 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
전류 검출기(102C)는, 급전 라인(43) 상에서 전송되는 고주파(RF)의 전류 파형을 검출하고, 당해 전류 파형을 나타내는 전류 파형 아날로그 신호를 출력한다. 이 전류 파형 아날로그 신호는 필터(108C)에 입력된다. 필터(108C)는 입력된 전류 파형 아날로그 신호를 디지털화함으로써, 전류 파형 디지털 신호를 생성한다. 그리고 필터(108C)는, 전원 제어부(36e)로부터 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파(RF)의 주파수를 특정하는 신호를 받고, 당해 신호에 의해 특정되는 주파수에 대응한 성분만을 전류 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전류 파형 신호를 생성한다. 또한 필터(108C)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
필터(108C)에 의해 생성된 여과 전류 파형 신호는 평균치 연산기(112C)에 출력된다. 또한 평균치 연산기(112C)에는, 전원 제어부(36e)로부터 상술한 부기간 특정 신호가 부여된다. 평균치 연산기(112C)는, 여과 전류 파형 신호로부터, 부기간 특정 신호를 이용하여 특정한 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 전류의 평균치(IA11)를 구한다. 또한 평균치 연산기(112C)는, 여과 전류 파형 신호로부터, 부기간 특정 신호를 이용하여 특정한 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 전류의 평균치(IA12)를 구한다. 또한 평균치 연산기(112C)는, 예를 들면 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
평균치 연산기(112C)에 의해 구해진 평균치(IA11) 및 평균치(IA12)는 이동 평균치 연산기(116C)에 출력된다. 이동 평균치 연산기(116C)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))에 관하여 이미 얻어져 있는 복수의 평균치(IA11) 중, 최근에 실행된 정해진 수의 단계(S(j))에 있어서의 제 1 부기간(Ps1(j))에 대하여 구해진 정해진 개수의 평균치(IA11)의 이동 평균치(이동 평균치(IMA11))를 구한다. 또한 이동 평균치 연산기(116C)는, 실행 완료된 사이클(CY)에 포함되는 복수의 단계 중 단계(S(i, j))와 동일한 'j'로 특정되는 단계(S(j))에 관하여 이미 얻어져 있는 복수의 평균치(IA12) 중, 최근에 실행된 정해진 수의 단계(S(j))에 있어서의 제 2 부기간(Ps2)에 대하여 구해진 정해진 개수의 평균치(IA12)의 이동 평균치(이동 평균치(IMA12))를 구한다. 이동 평균치 연산기(116C)에 의해 구해진 이동 평균치(IMA11 및 IMA12)는 임피던스 연산기(118C)에 출력된다. 또한 이동 평균치 연산기(116C)는, 예를 들면 CPU 또는 FPGA(필드 프로그래머블·게이트 어레이)로 구성될 수 있다.
임피던스 연산기(118C)는, 이동 평균치(IMA11) 및 이동 평균치(VMA11)로부터, 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp11)를 구한다. 이 이동 평균치(Imp11)는 절대치와 위상 성분을 포함한다. 또한 임피던스 연산기(118C)는, 이동 평균치(IMA12) 및 이동 평균치(VMA12)로부터, 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스의 이동 평균치(Imp12)를 구한다. 이 이동 평균치(Imp12)는 절대치와 위상 성분을 포함한다. 임피던스 연산기(118C)에 의해 구해진 이동 평균치(Imp11 및 Imp12)는 전원 제어부(36e)에 출력된다. 이동 평균치(Imp11 및 Imp12)는 상술한 바와 같이 전원 제어부(36e)에 있어서, 고주파(RF)의 주파수의 설정을 위하여 이용된다.
도 7로 돌아와, 정합기(40A)는 정합기(40)와 마찬가지로, 정합 회로(40a), 센서(40b), 컨트롤러(40c) 그리고 액츄에이터(40d 및 40e)를 가지고 있다. 이하, 정합기(40A)의 각 요소에 관하여, 정합기(40)의 대응의 요소와 상이한 점을 설명한다.
정합기(40A)의 센서(40b)는 임피던스 센서(36d)와 마찬가지로, 전원 제어부(36e)로부터 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파(RF)의 주파수를 특정하는 신호를 받고, 당해 신호에 의해 특정되는 주파수에 대응한 성분만을 전압 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전압 파형 신호를 생성한다. 그리고 센서(40b)는, 여과 전압 파형 신호를 컨트롤러(40c)에 출력한다. 또한 정합기(40A)의 센서(40b)는, 임피던스 센서(36d)와 마찬가지로, 전원 제어부(36e)로부터 제 1 부기간(Ps1(j)) 및 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파(RF)의 주파수를 특정하는 신호를 받고, 당해 신호에 의해 특정되는 주파수에 대응한 성분만을 전류 파형 디지털 신호로부터 추출함으로써, 여과 전류 파형 신호를 생성한다. 센서(40b)는 여과 전류 파형 신호를 컨트롤러(40c)에 출력한다.
정합기(40A)의 컨트롤러(40c)는, 이동 평균치(Imp11) 또는 이동 평균치(Imp12)가 정해진 조정 범위 내에 포함되지 않는 경우에 전원 제어부(36e)로부터 송출되는 상기의 제어 신호를 받으면, 이동 평균치(Imp11)와 이동 평균치(Imp12)의 평균치에 의해 특정되는 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 정합 포인트에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어한다. 혹은, 정합기(40A)의 컨트롤러(40c)는, 이동 평균치(Imp11) 또는 이동 평균치(Imp12)가 정해진 조정 범위 내에 포함되지 않는 경우에 전원 제어부(36e)로부터 송출되는 상기의 제어 신호를 받으면, 이동 평균치(Imp12)에 의해 특정되는 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 정합 포인트에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어한다.
이하, 도 7 ~ 도 8을 참조하여 설명한 고주파 전원(36A) 및 정합기(40A)를 가지는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 행해지는 임피던스 정합의 방법에 대하여 설명한다. 도 9는 다른 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 방법에 있어서 실행되는 임피던스 정합의 방법을 나타내는 순서도이다. 도 9에 나타내는 방법(MTI)은 복수의 단계(S)의 각각에서 실행된다. 이하, 단계(S(j))에 관련하여, 방법(MTI)을 설명한다.
방법(MT)의 실시의 초기에 있어서는, 상술한 이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)을 구하는데 충분한 횟수만큼, 복수의 단계(S)의 각각이 실행되어 있지 않다. 따라서, 방법(MT)의 실시의 초기에 있어서는, 상술한 평균치(VA11), 평균치(IA11), 평균치(VA12) 및 평균치(IA12)의 산출, 그리고 이들의 축적만이 행해진다.
복수의 단계(S)의 각각이, 이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)를 구하는데 충분한 횟수만큼 실행된 후에는, 임피던스 센서(36d)에서 이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)가 구해진다.
이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)가 구해진 후에는, 단계(S(i, j))에서, 도 9에 나타내는 바와 같이 공정(J20)이 행해진다. 공정(J20)에서는, 이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)가 상술한 정해진 조정 범위 내에 있는지 여부가 전원 제어부(36e)에 의해 판정된다.
이동 평균치(Imp11) 및 이동 평균치(Imp12)가 상술한 정해진 조정 범위 내에 있다고 판정된 경우에는, 공정(ST21)에서, 전원 제어부(36e)는 상술한 바와 같이, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 고주파(RF)의 주파수를 설정하고, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 고주파(RF)의 주파수를 설정한다. 이어지는 공정(ST22)에서, 전원 제어부(36e)는, 상술한 바와 같이 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 고주파(RF)의 파워를 설정하고, 단계(S(i, j))의 실행 기간 내의 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 고주파(RF)의 파워를 설정한다.
한편, 이동 평균치(Imp11) 또는 이동 평균치(Imp12)가 상술한 정해진 조정 범위 내에 없다고 판정된 경우에는, 공정(ST23)에서, 고주파 전원(36A)에 관한 임피던스 정합을 정합기(40A)에 행하게 하기 위하여, 전원 제어부(36e)로부터 정합기(40A)에 제어 신호가 송출된다. 이 제어 신호를 받은 정합기(40A)의 컨트롤러(40c)는, 상술한 바와 같이 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 정합 포인트에 근접시키도록 액츄에이터(40d 및 40e)를 제어한다.
단계(S(i, j))에 있어서의 제 1 부기간(Ps1(j))은, 고주파(RF)의 설정 및 직류 전압(DC)의 설정 중 적어도 하나가 변경되는 시점을 포함하는 기간이므로, 급전 라인(43)에 있어서의 반사파가, 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 반사파보다 커질 수 있다. 따라서, 고주파(RF)의 반사파를 감소시키기 위해서는, 제 1 부기간(Ps1(j))과 제 2 부기간(Ps2(j)) 각각의 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 개별로 고주파 전원(36A)의 출력 임피던스에 정합시킬 필요가 있다. 도 9에 나타낸 임피던스 정합의 방법(MTI)에 의하면, 이동 평균치(Imp11)에 의해 추정되는 고주파 전원(36A)의 부하 임피던스를 고주파 전원(36A)의 출력 임피던스에 근접시키도록, 제 1 부기간(Ps1(j))에 있어서의 고주파(RF)의 주파수가 조정된다. 또한, 제 2 부기간(Ps2(j))에 있어서의 고주파(RF)의 주파수는, 이동 평균치(Imp12)에 기초하여 동일하게 조정된다. 고주파 전원(36A)은, 고속으로 고주파(RF)의 주파수를 변경할 수 있으므로, 방법(MTI)에 의하면, 부하 임피던스의 변화에 고속으로 추종하여 임피던스 정합을 행하는 것이 가능해진다. 또한 공정(ST22)에 의하면, 제 1 부기간(Ps1(j))에서 플라즈마에 결합되는 고주파(RF)의 파워가 부족한 경우에는, 고주파(RF)의 파워를 보충할 수 있다.
이상, 각종 실시 형태에 대하여 설명했지만, 상술한 실시 형태에 한정되지 않고 각종 변형 태양을 구성 가능하다. 예를 들면, 고주파 전원(36) 및 고주파 전원(36A)은 상부 전극(46)에 고주파(RF)를 공급하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 방법(MT)의 실시에 이용되는 플라즈마 처리 장치는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치에 한정되는 것은 아니다. 방법(MT)의 실시에 이용되는 플라즈마 처리 장치는, 제 1 전극 및 제 2 전극을 가지는 임의의 플라즈마 처리 장치, 예를 들면 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치여도 된다.
1 : 플라즈마 처리 장치
10 : 처리 용기
16 : 서셉터
18 : 정전 척
36 : 고주파 전원
40 : 정합기
43 : 급전 라인
46 : 상부 전극
55 : 가스 공급계
66 : 배기 장치
72 : 주제어부
74 : 직류 전원
80 : 시간 조정부
150A : 연산부

Claims (18)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 플라즈마 처리 장치는,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부
    를 구비하고,
    상기 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행되고,
    상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파 전원으로부터 상기 고주파가 상기 일방의 전극으로 공급되고,
    상기 플라즈마 처리 방법은,
    상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과,
    상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정을 변경하는 공정이며, 상기 고주파의 설정을 변경하는 것은, 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것을 포함하는, 상기 공정
    을 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  2. 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 플라즈마 처리 장치는,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 제 1 전극에 접속되어 있고, 음극성의 직류 전압을 발생하는 직류 전원과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부
    를 구비하고,
    상기 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내에 있어서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행되고,
    상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파 전원으로부터 상기 고주파가 상기 일방의 전극으로 공급되고,
    상기 플라즈마 처리 방법은,
    상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 때, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과,
    상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정 및 상기 직류 전원에 의해 출력되는 상기 직류 전압의 레벨 중 적어도 일방을 변경하는 공정이며, 상기 고주파의 설정을 변경하는 것은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 공정
    을 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치의 시간 조정부에 있어서, 상기 후속의 단계로 천이했을 때부터 상기 파라미터가 상기 임계치를 초과한 상기 시점까지의 시간차를 구하는 공정과,
    상기 복수의 사이클 중 선행하는 사이클에서 구해진 상기 시간차만큼 증가하도록, 상기 복수의 사이클 중 상기 선행하는 사이클 뒤에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 정해진 실행 시간 길이를 조정하는 공정
    을 더 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 연산부에 있어서, 파라미터의 계열로부터 구해지는 이동 평균치를 이용하여 상기 임계치를 조정하는 공정을 더 포함하고,
    상기 파라미터의 계열은, 상기 복수의 사이클 중 이미 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계, 또는, 상기 후속의 단계와 상기 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 각각에서 상기 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터로 구성되는, 플라즈마 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 단계는,
    희가스 및 플루오르카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 1 단계와,
    상기 제 1 단계에 이어, 희가스를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 단계
    를 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 단계는, 상기 제 2 단계에 이어, 희가스 및 산소 가스를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 단계를 더 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 고주파의 설정을 변경하는 것은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것을 더 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  8. 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 플라즈마 처리 장치는,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부
    를 구비하고,
    상기 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행되고,
    상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파 전원으로부터 상기 고주파가 상기 일방의 전극으로 공급되고,
    상기 플라즈마 처리 방법은,
    상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과,
    상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정을 변경하는 공정이며, 상기 고주파의 설정을 변경하는 것은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 공정을 포함하고,
    상기 플라즈마 처리 장치의 시간 조정부에 있어서, 상기 후속의 단계로 천이했을 때부터 상기 파라미터가 상기 임계치를 초과한 상기 시점까지의 시간차를 구하는 공정과,
    상기 복수의 사이클 중 선행하는 사이클에서 구해진 상기 시간차만큼 증가하도록, 상기 복수의 사이클 중 상기 선행하는 사이클 뒤에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 정해진 실행 시간 길이를 조정하는 공정
    을 더 포함하는, 플라즈마 처리 방법.
  9. 플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 플라즈마 처리 장치는,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부
    를 구비하고,
    상기 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계이며 차례로 실행되는 상기 복수의 단계를 각각이 포함하는 복수의 사이클이 차례로 실행되고,
    상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파 전원으로부터 상기 고주파가 상기 일방의 전극으로 공급되고,
    상기 플라즈마 처리 방법은,
    상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스를 전환하는 공정과,
    상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정을 변경하는 공정이며, 상기 고주파의 설정을 변경하는 것은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 고주파 전원으로부터 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 공정을 포함하고,
    상기 연산부에 있어서, 파라미터의 계열로부터 구해지는 이동 평균치를 이용하여 상기 임계치를 조정하는 공정을 더 포함하고,
    상기 파라미터의 계열은, 상기 복수의 사이클 중 이미 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계, 또는, 상기 후속의 단계와 상기 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 각각에서 상기 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터로 구성되는, 플라즈마 처리 방법.
  10. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부와,
    상기 가스 공급계, 상기 고주파 전원 및 상기 정합기를 제어하는 주제어부
    를 구비하고,
    상기 주제어부는, 복수의 사이클을 차례로 실행하고, 상기 복수의 사이클 각각에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계를 차례로 실행하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파를 상기 일방의 전극으로 공급하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 출력하는 처리 가스를 전환하도록 상기 가스 공급계를 제어하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정의 변경을 행하며,
    상기 고주파의 설정의 상기 변경은, 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것을 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  11. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 제 1 전극에 접속되어 있고, 음극성의 직류 전압을 발생하는 직류 전원과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부와,
    상기 가스 공급계, 상기 고주파 전원, 상기 정합기 및 상기 직류 전원을 제어하는 주제어부
    를 구비하고,
    상기 주제어부는, 복수의 사이클을 차례로 실행하고, 상기 복수의 사이클 각각에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계를 차례로 실행하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파를 상기 일방의 전극으로 공급하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 출력하는 처리 가스를 전환하도록 상기 가스 공급계를 제어하고,
    상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 고주파 전원이 상기 일방의 전극에 공급하는 상기 고주파의 설정 및 상기 직류 전원이 출력하는 상기 직류 전압의 레벨 중 적어도 일방의 변경을 행하며,
    상기 고주파의 설정의 상기 변경은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는, 상기 후속의 단계로 천이했을 때부터 상기 파라미터가 상기 임계치를 초과한 상기 시점까지의 시간차를 구하는 시간조정부를 더 구비하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 사이클 중 선행하는 사이클에서 구해진 상기 시간차만큼 증가하도록, 상기 복수의 사이클 중 상기 선행하는 사이클 뒤에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 정해진 실행 시간 길이를 조정하는, 플라즈마 처리 장치.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 연산부는, 파라미터의 계열로부터 구해지는 이동 평균치를 이용하여 상기 임계치를 조정하고,
    상기 파라미터의 계열은, 상기 복수의 사이클 중 이미 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계, 또는, 상기 후속의 단계와 상기 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 각각에서 상기 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터로 구성되는, 플라즈마 처리 장치.
  14. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 단계는,
    희가스 및 플루오르카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 1 단계와,
    상기 제 1 단계에 이어, 희가스를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 단계
    를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 단계는, 상기 제 2 단계에 이어, 희가스 및 산소 가스를 포함하는 제 3 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 단계를 더 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 고주파의 설정의 상기 변경은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것을 더 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  17. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부와,
    상기 가스 공급계, 상기 고주파 전원 및 상기 정합기를 제어하는 주제어부
    를 구비하고,
    상기 주제어부는, 복수의 사이클을 차례로 실행하고, 상기 복수의 사이클 각각에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계를 차례로 실행하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파를 상기 일방의 전극으로 공급하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 출력하는 처리 가스를 전환하도록 상기 가스 공급계를 제어하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정의 변경을 행하며,
    상기 고주파의 설정의 상기 변경은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 후속의 단계로 천이했을 때부터 상기 파라미터가 상기 임계치를 초과한 상기 시점까지의 시간차를 구하는 시간조정부를 더 구비하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 사이클 중 선행하는 사이클에서 구해진 상기 시간차만큼 증가하도록, 상기 복수의 사이클 중 상기 선행하는 사이클 뒤에 실행되는 사이클에 있어서의 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 정해진 실행 시간 길이를 조정하는, 플라즈마 처리 장치.
  18. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급계와,
    상기 처리 용기 내의 공간이 그들 사이에 개재되도록 마련된 제 1 전극 및 제 2 전극과,
    고주파를 출력하는 고주파 전원과,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 일방의 전극에 상기 고주파 전원을 접속하는 급전 라인과,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스를 조정하기 위한 정합기와,
    상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터를 구하는 연산부와,
    상기 가스 공급계, 상기 고주파 전원 및 상기 정합기를 제어하는 주제어부
    를 구비하고,
    상기 주제어부는, 복수의 사이클을 차례로 실행하고, 상기 복수의 사이클 각각에 있어서, 상기 처리 용기 내에서 서로 상이한 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 복수의 단계를 차례로 실행하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 복수의 단계에 걸쳐 상기 고주파를 상기 일방의 전극으로 공급하고,
    상기 주제어부는, 상기 복수의 단계 중의 선행하는 단계로부터 상기 선행하는 단계에 연속하는 후속의 단계로 천이할 경우에, 출력하는 처리 가스를 전환하도록 상기 가스 공급계를 제어하고,
    상기 고주파 전원은, 상기 가스 공급계가 출력하는 처리 가스가 전환된 후에 상기 파라미터가 임계치를 초과한 시점에서, 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파의 설정의 변경을 행하며,
    상기 고주파의 설정의 상기 변경은, 상기 고주파의 파워를 변경하는 것 및 상기 일방의 전극으로 공급되는 상기 고주파를 연속파와 펄스 변조된 고주파 중 일방으로부터 타방으로 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 연산부는, 파라미터의 계열로부터 구해지는 이동 평균치를 이용하여 상기 임계치를 조정하고,
    상기 파라미터의 계열은, 상기 복수의 사이클 중 이미 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계, 또는, 상기 후속의 단계와 상기 실행 완료된 사이클에 포함되는 상기 후속의 단계와 동일한 단계의 각각에서 상기 정합기에 의한 임피던스 정합이 완료된 상태에 있어서의 상기 고주파 전원의 부하 임피던스, 부하 저항 및 부하 리액턴스, 그리고 상기 고주파의 반사파 계수 중 어느 하나를 포함하는 파라미터로 구성되는, 플라즈마 처리 장치.
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