KR102249401B1 - Socket module associated with semiconductor test - Google Patents

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문성주
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Abstract

The present invention provides a socket module related to semiconductor testing, which includes: a base having an open chamber; a housing located in the chamber, accommodating a semiconductor package and aligning the semiconductor package with respect to a socket to be electrically connected; and a discharge unit which communicates with a fluid providing module for providing a fluid within a set temperature range, includes a hollow channel extending inside the base, and discharges the fluid to the chamber to flow toward the socket through an outlet of the hollow channel formed on a wall surface defining the chamber of the base. The present invention provides the socket module related to semiconductor testing, which can be used to directly and three-dimensionally apply temperature stress to the semiconductor package.

Description

반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈{SOCKET MODULE ASSOCIATED WITH SEMICONDUCTOR TEST}Socket module related to semiconductor test {SOCKET MODULE ASSOCIATED WITH SEMICONDUCTOR TEST}

본 발명은 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a socket module related to semiconductor testing.

일반적으로, 반도체 제조 공정에 의해 완성된 반도체 패키지는 테스트(검사) 공정을 통해 동작 특성들이 제대로 구현되는지에 대해 체크된 후 양품으로 분류된 경우에 출하된다. In general, a semiconductor package completed by a semiconductor manufacturing process is checked for proper implementation of operating characteristics through a test (inspection) process and then shipped when classified as a good product.

이러한 검사 공정에서, 테스트는 반도체 패키지를 소켓에 접속시켜, 전기적인 작동에 문제가 없는지에 대한 검사가 이루어지기도 한다. 이러한 검사는 반도체 패키지를 가열하거나 냉각하여 그에 온도 스트레스를 주는 환경에서 수행되기도 한다. In this inspection process, the test is also performed by connecting the semiconductor package to the socket to check whether there is a problem in the electrical operation. Such inspections are sometimes performed in an environment that heats or cools the semiconductor package and places temperature stress thereon.

그 경우, 이러한 검사를 위한 공간(룸)의 공기를 가열하거나 냉각하여 반도체 패키지에 온도 스트레스를 주는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 이는 온도 스트레스가 반도체 패키지에 직접 작용하는 것이 아니어서, 온도 스트레스를 인가하는 효과가 반감되기도 한다. In that case, a method of applying temperature stress to a semiconductor package by heating or cooling air in a space (room) for such inspection is used. However, since the temperature stress does not directly act on the semiconductor package, the effect of applying the temperature stress may be halved.

나아가, 이상의 경우에 반도체 패키지와 함께 소켓도 온도 스트레스를 받는 환경에 놓이게 된다. 따라서, 소켓을 생산한 경우에, 그 소켓 자체도 위의 온도 스트레스에서 제대로 작동하는지 검사할 필요가 생기고 있다.Furthermore, in the above case, the socket together with the semiconductor package is placed in an environment subject to temperature stress. Therefore, in the case of producing a socket, it is necessary to check whether the socket itself works properly under the above temperature stress.

본 발명의 일 목적은, 반도체 패키지에 대해 온도 스트레스를 직접적이고 입체적으로 가하는데 이용될 수 있는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a socket module related to a semiconductor test, which can be used to directly and three-dimensionally apply temperature stress to a semiconductor package.

본 발명의 다른 일 목적은, 소켓에 대해 온도 스트레스를 직접적으로 가하는데도 이용될 수 있는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a socket module related to a semiconductor test, which can also be used to directly apply temperature stress to a socket.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈은, 개구된 챔버를 구비하는 베이스; 상기 챔버 내에 위치하고, 반도체 패키지를 수용하여 상기 반도체 패키지를 전기적 접속 대상인 소켓에 대해 정렬시키는 하우징; 및 설정 온도 범위의 유체를 제공하는 유체 제공 모듈에 연통되며 상기 베이스의 내부에 연장 형성되는 중공 채널을 구비하고, 상기 베이스 중 상기 챔버를 한정하는 벽면에 형성된 상기 중공 채널의 출구를 통해 상기 소켓을 향해 유동하도록 상기 유체를 상기 챔버에 대해 토출하는 토출 유닛을 포함할 수 있다.A socket module related to a semiconductor test according to an aspect of the present invention for realizing the above object includes: a base having an opened chamber; A housing located in the chamber, accommodating a semiconductor package, and aligning the semiconductor package with a socket to be electrically connected; And a hollow channel communicating with a fluid providing module that provides a fluid in a set temperature range and extending inside the base, the socket through an outlet of the hollow channel formed on a wall surface defining the chamber among the bases. It may include a discharge unit that discharges the fluid to the chamber so as to flow toward it.

여기서, 상기 챔버는, 푸셔 모듈이 상기 반도체 패키지를 상기 소켓에 대해 가압하기 위해 진입하는 제1 공간; 및 상기 제1 공간보다 넓은 단면적을 가지고, 상기 하우징을 수용하는 제2 공간을 포함하고, 상기 제2 공간은, 상기 푸셔 모듈이 상기 베이스에서 이격된 상태에서, 상기 제1 공간을 기준으로 상기 푸셔 모듈의 반대 측에 위치할 수 있다.Here, the chamber may include: a first space through which a pusher module enters to press the semiconductor package against the socket; And a second space having a larger cross-sectional area than the first space and accommodating the housing, wherein the second space includes the pusher based on the first space while the pusher module is spaced apart from the base. It can be located on the opposite side of the module.

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여기서, 상기 토출 유닛은, 상기 베이스 중 상기 챔버를 한정하는 면에 오목 형성되어, 상기 중공 채널에서 토출되는 상기 유체를 상기 하우징을 넘어 상기 소켓으로 유동하게 하는 분배 채널을 더 포함할 수 있다.Here, the discharge unit may further include a distribution channel that is concave on a surface of the base defining the chamber to allow the fluid discharged from the hollow channel to flow through the housing to the socket.

여기서, 상기 분배 채널은, 상기 베이스 중 상기 하우징과 마주하는 내벽에서 상기 중공 채널의 출구에 대응하는 부분에 오목 형성되는 제1 축적부를 포함할 수 있다.Here, the distribution channel may include a first accumulating portion formed concave in a portion of the base corresponding to an outlet of the hollow channel in an inner wall facing the housing.

여기서, 상기 분배 채널은, 상기 베이스 중 상기 하우징과 마주하는 내벽 중 상기 중공 채널의 출구에 반대되는 부분에 오목 형성되어, 상기 유체를 축적하는 제2 축적부를 더 포함할 수 있다.Here, the distribution channel may further include a second accumulating part that is concavely formed in a portion of the base of the inner wall facing the housing opposite to the outlet of the hollow channel to accumulate the fluid.

여기서, 상기 분배 채널은, 상기 제1 축적부에 축적된 상기 유체가 상기 제2 축적부로 유동하도록 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.Here, the distribution channel may further include a connection part connecting the fluid accumulated in the first accumulating part to flow to the second accumulating part.

여기서, 상기 연결부는, 상기 베이스 중 상기 제2 공간을 한정하는 천장면에 오목 형성될 수 있다.Here, the connection part may be concave in the ceiling surface defining the second space of the base.

여기서, 상기 연결부는, 상기 천장면에서 상기 제1 공간의 둘레 방향을 따라 연장하게 형성될 수 있다. Here, the connection part may be formed to extend along the circumferential direction of the first space from the ceiling surface.

여기서, 상기 하우징의 하측에 위치하고 상기 반도체 패키지를 지지하는 상기 소켓을 더 포함할 수 있다. Here, the socket may further include the socket positioned under the housing and supporting the semiconductor package.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈은, 반도체 패키지 또는 소켓을 온도 스트레스 환경에서 테스트하는데 이용될 수 있고, 그 경우에 챔버에 수용된 반도체 패키지 또는 소켓에는 설정 온도 범위의 유체가 토출되어 그는 설정된 온도 스트레스에 노출될 수 있다.The socket module related to the semiconductor test according to the present invention configured as described above can be used to test a semiconductor package or socket in a temperature stress environment, and in that case, a fluid having a set temperature range is contained in the semiconductor package or socket accommodated in the chamber. When ejected, he can be exposed to the set temperature stress.

그에 의해, 반도체 패키지에 대해 온도 스트레스는 푸셔 모듈의 블레이드를 통해 그의 상면에 가해지는 것뿐 아니라, 유체에 의해 그의 하면 측에도 인가될 수 있어서, 반도체 패키지는 보다 직접적이고 입체적인 온도 스트레스 환경에서 테스트될 수 있게 된다.Thereby, for the semiconductor package, the temperature stress can be applied not only to its upper surface through the blade of the pusher module, but also to its lower surface by the fluid, so that the semiconductor package can be tested in a more direct and three-dimensional temperature stress environment. There will be.

또한, 소켓도 상기 유체에 의해 직접적인 온도 스트레스를 받으면서 테스트될 수 있게 된다. In addition, the socket can be tested while being directly subjected to temperature stress by the fluid.

이상에 의해서라면, 테스트 대상에 대해 설정된 온도 스트레스가 그 설정대로 정확하게 인가될 수 있어서, 테스트의 신뢰성이 담보될 수 있다. According to the above, since the temperature stress set for the test object can be accurately applied as set, the reliability of the test can be ensured.

도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 테스트 장치(100)에 대한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 테스트 장치(100)의 제어 작동을 설명하기 위한 블럭도이다.
도 3은 도 1의 소켓 모듈(130)에 대한 조립 상태의 절단 사시도이다.
도 4는 도 3의 베이스(135)의 저면 측에서 챔버(137) 부분을 바라본 베이스(135)에 대한 부분 사시도이다.
도 5는 도 1의 푸셔 모듈(110)이 소켓 모듈(130)과 접촉된 상태를 보인 요부의 절단 사시도이다. 1 is an exploded perspective view of a test apparatus 100 related to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram illustrating a control operation of the test apparatus 100 of FIG. 1.
3 is a cut perspective view of the socket module 130 of FIG. 1 in an assembled state.
FIG. 4 is a partial perspective view of the base 135 viewed from the bottom side of the base 135 of FIG. 3 as viewed from the chamber 137.
5 is a cut-away perspective view of a main portion showing a state in which the pusher module 110 of FIG. 1 is in contact with the socket module 130.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a socket module related to a semiconductor test according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this specification, the same/similar reference numerals are assigned to the same/similar configurations even in different embodiments, and the description will be replaced with the first description.

도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 테스트 장치(100)에 대한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 테스트 장치(100)의 제어 작동을 설명하기 위한 블럭도이다. 1 is an exploded perspective view of a test apparatus 100 related to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram for explaining a control operation of the test apparatus 100 of FIG. 1.

본 도면들을 참조하면, 테스트 장치(100)는 대상물에 대한 직접적인 온도 스트레스를 인가하면서, 대상물의 전기적 특성을 시험하기 위한 것이다. 상기 대상물이 소켓(131)인 경우에, 테스트 장치(100)는 소켓 테스트 장치라고 칭해질 수 있다. 이와 달리, 상기 대상물이 반도체 패키지(P)인 경우에, 테스트 장치(100)는 반도체 패키지 테스트 장치라고 칭해질 수 있다. 이렇게 테스트 장치(100)는 구성의 일부 조정에 의해 소켓 테스트 장치 또는 반도체 패키지 테스트 장치로 이용될 수 있는 바, 이하에서는 그 두 가지 이용 형태를 종합적으로 고려하여 설명하기로 한다. Referring to the drawings, the test apparatus 100 is for testing the electrical characteristics of the object while directly applying temperature stress to the object. When the object is the socket 131, the test device 100 may be referred to as a socket test device. Alternatively, when the object is a semiconductor package P, the test device 100 may be referred to as a semiconductor package test device. In this way, the test device 100 may be used as a socket test device or a semiconductor package test device by partial adjustment of the configuration. Hereinafter, the two types of use will be comprehensively considered and described.

테스트 장치(100)는, 전체적으로, 푸셔 모듈(110), 소켓 모듈(130), 기판 모듈(150), 제어 모듈(170), 그리고 유체 제공 모듈(190)을 가질 수 있다. The test apparatus 100 may have a pusher module 110, a socket module 130, a substrate module 150, a control module 170, and a fluid providing module 190 as a whole.

푸셔 모듈(110)은 반도체 패키지(P)를 소켓 모듈(130), 구체적으로 소켓(131)에 대해 가압하기 위한 구성이다. 이는 반도체 패키지(P)가 소켓(131)과 전기적으로 접속되게 한다. 푸셔 모듈(110)은 구체적으로, 바디(111), 블레이드(113), 차단 부재(115), 히팅 유닛(117), 냉각 유닛(119), 그리고 제1 온도 센서(120)를 포함할 수 있다. The pusher module 110 is a component for pressing the semiconductor package P against the socket module 130, specifically, the socket 131. This allows the semiconductor package P to be electrically connected to the socket 131. Specifically, the pusher module 110 may include a body 111, a blade 113, a blocking member 115, a heating unit 117, a cooling unit 119, and a first temperature sensor 120. .

바디(111)는 내부에 히팅 유닛(117) 및 냉각 유닛(119) 등을 수용하는 것으로서, 대체로 박스 형상을 가질 수 있다. 나아가, 바디(111)는 단열 재질로 형성되어, 히팅 유닛(117)에서 발생된 열기나 냉각 유닛(119)에서 발생된 냉기가 외부로 발산되는 것을 최소화하게 된다. 바디(111)의 저면에는 바디(111)를 소켓 모듈(130)에 대해 정렬하기 위한 정렬핀(112)이 돌출 형성될 수 있다. The body 111 accommodates the heating unit 117 and the cooling unit 119 therein, and may generally have a box shape. Further, the body 111 is formed of an insulating material, so that heat generated from the heating unit 117 or cold air generated from the cooling unit 119 is minimized to be radiated to the outside. Alignment pins 112 for aligning the body 111 with the socket module 130 may protrude on the bottom surface of the body 111.

블레이드(113)는 바디(111)의 저면에서 돌출 형성된다. 블레이드(113)는 대체로 사각 단면을 가진 블럭과 같은 형상을 가질수 있다. 이러한 블레이드(113)의 저면은 반도체 패키지(P)와 접촉되는 접촉면이 된다. 나아가, 상기 접촉면에는 흡착 패드(114)가 설치되어서, 반도체 패키지(P)는 상기 접촉면에 진공 흡착될 수 있다. 블레이드(113)는 상기 접촉면을 통해 반도체 패키지(P)를 소켓(131)에 대해 가압하게 된다. The blade 113 is formed protruding from the bottom of the body 111. The blade 113 may have a shape such as a block having a generally rectangular cross section. The bottom surface of the blade 113 becomes a contact surface in contact with the semiconductor package P. Further, since the suction pad 114 is installed on the contact surface, the semiconductor package P may be vacuum-adsorbed on the contact surface. The blade 113 presses the semiconductor package P against the socket 131 through the contact surface.

차단 부재(115)는 블레이드(113)를 둘러싸는 형태로 바디(111)에서 돌출 형성된다. 차단 부재(115)는 바디(111)의 저면, 혹은 측면에 부착될 수 있다. 차단 부재(115)는 폐루프, 예를 들어 사각 루프를 형성하여, 푸셔 모듈(110)와 소켓 모듈(130) 간의 틈새를 차단하게 된다. 차단 부재(115)는, 예를 들어 실리콘 재질로 형성될 수 있다. The blocking member 115 is formed to protrude from the body 111 in a form surrounding the blade 113. The blocking member 115 may be attached to the bottom or side surfaces of the body 111. The blocking member 115 forms a closed loop, for example, a square loop to block a gap between the pusher module 110 and the socket module 130. The blocking member 115 may be formed of, for example, a silicon material.

히팅 유닛(117)은 반도체 패키지(P)에 온도 스트레스를 가하기 위하여 열을 발생시키는 구성이다. 히팅 유닛(117)은, 구체적으로, 세라믹 히터를 포함할 수 있다. 상기 세라믹 히터는 바디(111) 내부에 배치되고, 그에서 발생된 열은 블레이드(113)를 거쳐 반도체 패키지(P)에 전달되게 된다. The heating unit 117 is a component that generates heat to apply temperature stress to the semiconductor package P. The heating unit 117 may specifically include a ceramic heater. The ceramic heater is disposed inside the body 111, and heat generated therefrom is transferred to the semiconductor package P through the blade 113.

냉각 유닛(119) 역시 반도체 패키지(P)에 온도 스트레스를 가하기 위하여, 열을 빼앗는 구성이다. 냉각 유닛(119)은 블레이드(113)를 통해 반도체 패키지(P)의 열을 빼앗아서, 외부로 배출하게 된다. 냉각 유닛(119)은, 구체적으로 열전 소자(미도시)와, 열배출 소자(119')를 가질 수 있다. 상기 열전 소자는, 펠티어 효과에 의해 작동하는 것이다. 열배출 소자(119')는 상기 열전 소자가 블레이드(113)를 통해 흡수한 반도체 패키지(P)의 열을 외부로 배출하는 구성이다. 열배출 소자(119')는 그의 내부에 냉각수가 유동하는 냉각수 유로를 가질 수 있다. The cooling unit 119 is also configured to take away heat in order to apply temperature stress to the semiconductor package P. The cooling unit 119 takes heat from the semiconductor package P through the blade 113 and discharges it to the outside. The cooling unit 119 may specifically include a thermoelectric element (not shown) and a heat dissipating element 119'. The thermoelectric element is operated by the Peltier effect. The heat dissipation element 119 ′ is configured to discharge heat of the semiconductor package P absorbed by the thermoelectric element through the blade 113 to the outside. The heat discharging element 119 ′ may have a cooling water passage through which cooling water flows.

제1 온도 센서(120)는 반도체 패키지(P)의 온도를 측정하기 위한 구성이다. 제1 온도 센서(120)는 블레이드(113)에서 반도체 패키지(P)와 접촉하는 면에 그 단부가 노출되도록 설치될 수 있다. The first temperature sensor 120 is a component for measuring the temperature of the semiconductor package P. The first temperature sensor 120 may be installed such that an end portion thereof is exposed on a surface of the blade 113 in contact with the semiconductor package P.

소켓 모듈(130)은, 소켓(131), 하우징(133), 베이스(135), 토출 유닛(141), 및 제2 온도 센서(149)을 포함할 수 있다. The socket module 130 may include a socket 131, a housing 133, a base 135, a discharge unit 141, and a second temperature sensor 149.

소켓(131)은 반도체 패키지(P)를 지지하고, 그의 전극과 대응하여 그와 전기적으로 접속되는 구성이다. 이러한 소켓(131)은 기판 모듈(150)에 실장된다. 소켓(131)은 반도체 패키지 테스트 장치에 사용되는 소켓 모듈에서는 구성요소이나, 소켓 테스트 장치에 사용되는 소켓 모듈에서는 그의 구성요소가 아니라 테스트의 대상물이 된다. The socket 131 supports the semiconductor package P and is configured to be electrically connected to the semiconductor package P in correspondence with the electrode thereof. The socket 131 is mounted on the substrate module 150. The socket 131 is a component in a socket module used in a semiconductor package test apparatus, but is not a component of the socket module used in a socket test apparatus, but is a test object.

하우징(133)은 소켓(131)의 가장자리 영역을 덮은 채로 기판 모듈(150)에 실장된다. 하우징(133)은 소켓(131)의 주요부를 노출하도록 개구된 사발 형태를 가져서, 그의 내부에는 반도체 패키지(P)를 수용하게 된다. 하우징(133)은 그 형상에 의해 반도체 패키지(P)는 소켓(131)에 대해 정렬하게 된다. The housing 133 is mounted on the substrate module 150 while covering the edge region of the socket 131. The housing 133 has the shape of a bowl opened to expose the main portion of the socket 131, and the semiconductor package P is accommodated therein. The housing 133 is aligned with the socket 131 by the shape of the semiconductor package P.

베이스(135)는 푸셔 모듈(110)과 대면하게 배치되고, 대체로 플레이트 형태를 가질 수 있다. 그에 의해, 베이스(135)의 상측에는 푸셔 모듈(110)이 배치되고, 그의 하측에는 소켓(131)과 하우징(133)이 장착된 기판 모듈(150)이 위치하게 된다. 이러한 베이스(135)에는 정렬홀(136)이 정렬핀(112)을 수용하도록 형성될 수 있다. The base 135 is disposed to face the pusher module 110 and may have a generally plate shape. Accordingly, the pusher module 110 is disposed on the upper side of the base 135, and the substrate module 150 on which the socket 131 and the housing 133 are mounted is disposed on the lower side thereof. An alignment hole 136 may be formed in the base 135 to accommodate the alignment pin 112.

또한, 베이스(135)의 중앙에는 푸셔 모듈(110) 및 소켓(131)을 향해 개방된 챔버(137)가 형성될 수 있다. 이러한 챔버(137)는 푸셔 모듈(110)의 블레이드(113)를 수용한 공간인 동시에, 하우징(133)[및 소켓(131)]을 수용하는 공간이기도 하다. In addition, a chamber 137 opened toward the pusher module 110 and the socket 131 may be formed in the center of the base 135. The chamber 137 is a space accommodating the blade 113 of the pusher module 110 and a space accommodating the housing 133 (and the socket 131).

토출 유닛(141)은 설정 온도 범위의 유체를 챔버(137)에 토출하여, 그 유체가 소켓(131)에 온도 스트레스를 가하게 하는 구성이다. 상기 유체는 유체 제공 모듈(190)로부터 제공된다. 이를 위해, 토출 유닛(141)은 유체 제공 모듈(190)과 연결되는 접속구(143)를 가질 수 있다. 접속구(143)는 피팅과 같은 형태로서, 베이스(135)의 가장자리 영역에 장착될 수 있다. 토출 유닛(141)은 또한 접속구(143)와 챔버(137)를 연결하는 중공 채널(145)을 가질 수 있다. 중공 채널(145)은 베이스(135)의 내부에서 연장될 수 있다. 중공 채널(145)은 챔버(137)의 일 측면 측에만 연결될 수 있다. The discharge unit 141 is configured to discharge a fluid within a set temperature range to the chamber 137 so that the fluid applies temperature stress to the socket 131. The fluid is provided from the fluid providing module 190. To this end, the discharge unit 141 may have a connection port 143 connected to the fluid providing module 190. The connector 143 has a shape like a fitting and may be mounted on the edge region of the base 135. The discharge unit 141 may also have a hollow channel 145 connecting the connection port 143 and the chamber 137. The hollow channel 145 may extend inside the base 135. The hollow channel 145 may be connected to only one side of the chamber 137.

제2 온도 센서(149)는 상기 유체에 온도 스트레스를 받은 소켓(131)의 온도를 측정하기 위한 구성이다. 제2 온도 센서(149)는 베이스(135)에 형성된 그루브(groove)에 실장될 수 있다. 제2 온도 센서(149)는 소켓(131)과 접하지 않더라도, 베이스(135)를 통해 간접적으로 그의 온도를 측정할 수 있다. The second temperature sensor 149 is a component for measuring the temperature of the socket 131 subjected to temperature stress by the fluid. The second temperature sensor 149 may be mounted in a groove formed in the base 135. Even if the second temperature sensor 149 does not come into contact with the socket 131, it may indirectly measure its temperature through the base 135.

기판 모듈(150)은 소켓(131) 및 하우징(133)이 설치되는 대상이 되며, 또한 소켓(131)에 전기를 입력하는 구성이다. The substrate module 150 is a target to which the socket 131 and the housing 133 are installed, and is configured to input electricity to the socket 131.

제어 모듈(170)은 히팅 유닛(117), 냉각 유닛(119), 기판 모듈(150), 유체 제공 모듈(190) 등을 제어하기 위한 프로세서이다. 제어 모듈(170)은 기판 모듈(150)을 제어하여, 소켓(131)에 대한 전기적 입력을 조절한다. 또한, 제1 온도 센서(120)의 감지 결과에 근거하여, 히팅 유닛(117) 및 냉각 유닛(119)의 작동을 제어한다. 나아가, 제2 온도 센서(149)에 근거하여, 유체 제공 모듈(190)의 작동을 제어한다. The control module 170 is a processor for controlling the heating unit 117, the cooling unit 119, the substrate module 150, the fluid providing module 190, and the like. The control module 170 controls the substrate module 150 to adjust an electrical input to the socket 131. In addition, based on the detection result of the first temperature sensor 120, the operation of the heating unit 117 and the cooling unit 119 is controlled. Further, based on the second temperature sensor 149, the operation of the fluid providing module 190 is controlled.

유체 제공 모듈(190)은 토출 유닛(141)에 대해 상기 유체를 제공하기 위한 구성이다. 여기서, 유체가 작용하는 온도 범위는 - 60 ℃ 내지 150 ℃가 될 수 있다. 이러한 유체 중 저온의 유체를 제공하기 위해, 유체 제공 모듈(190)은 액화 질소 탱크를 가질 수 있다. 나아가, 유체 제공 모듈(190)은, 고온의 유체를 제공하기 위하여, 드라이 에어 탱크와 그의 드라이 에어를 가열하기 위한 히터를 가질 수 있다. The fluid providing module 190 is a component for providing the fluid to the discharge unit 141. Here, the temperature range at which the fluid acts may be -60 to 150°C. In order to provide a low-temperature fluid among these fluids, the fluid providing module 190 may have a liquid nitrogen tank. Further, the fluid providing module 190 may have a dry air tank and a heater for heating the dry air in order to provide a high temperature fluid.

이러한 구성에 의하면, 상기 소켓 테스트 장치는, 테스트 대상이 되는 소켓(131)이 하우징(133)을 이용해 기판 모듈(150)에 장착된 상태에서, 소켓(131)과 하우징(133)이 챔버(137) 내로 투입되게 한다. 그 상태에서, 푸셔 모듈(110)이 하강하여 블레이드(113)가 반도체 패키지(P)를 소켓(131)에 대해 전기적으로 접속시킨다. 이 상태에서, 제어 모듈(170)은 유체 제공 모듈(190)을 제어하여, 소켓(131)에 온도 스트레스를 가하기 위해, 설정 온도 범위의 유체가 토출 유닛(141)을 통해 챔버(137)에 토출되게 한다. 소켓(131)은 이러한 온도 스트레스를 받는 환경 하에서, 반도체 패키지(P)와 기판 모듈(150)을 전기적으로 연결시키는 역할을 하게 된다. 제어 모듈(170)은 이때의 소켓(131)의 전기적 특성, 예를 들어 그의 저항의 변화 여부를 측정하여 그가 양품인지 여부를 판단하게 된다. According to this configuration, the socket test apparatus includes the socket 131 and the housing 133 in a state in which the socket 131 to be tested is mounted on the substrate module 150 using the housing 133. ). In that state, the pusher module 110 descends so that the blade 113 electrically connects the semiconductor package P to the socket 131. In this state, the control module 170 controls the fluid providing module 190 to discharge the fluid in the set temperature range to the chamber 137 through the discharge unit 141 in order to apply temperature stress to the socket 131. Let it be. The socket 131 serves to electrically connect the semiconductor package P and the substrate module 150 in an environment subjected to such temperature stress. The control module 170 determines whether the socket 131 is of good quality by measuring whether the electrical characteristics of the socket 131, for example, its resistance change.

이 과정에서, 반도체 패키지(P)는 여러 개의 소켓(131)을 테스트하기 위해 반복적으로 사용될 수 있으나, 반복적 사용에 따른 그의 전극이 손상되는 것을 방지하기 위해 여러 개가 교대로 사용될 수도 있다. 또한, 이를 위한 반도체 패키지(P)는 사전 테스트를 통해 양품으로 판정된 것으로 제한된다. 또한, 푸셔 모듈(110)의 히팅 유닛(117) 및 냉각 유닛(119)은 소켓(131)에 대해 온도 스트레스를 가하기는 어려워서, 그들은 작동되지 않는다.In this process, the semiconductor packages P may be repeatedly used to test several sockets 131, but several may be alternately used to prevent damage to their electrodes due to repeated use. In addition, the semiconductor package P for this is limited to those determined as good products through a preliminary test. In addition, the heating unit 117 and the cooling unit 119 of the pusher module 110 are difficult to apply temperature stress to the socket 131, so they are not operated.

이와 달리, 상기 반도체 패키지 테스트 장치는, 푸셔 모듈(110)의 블레이드(113)가 소켓(131)을 가압한 상태에서, 제어 모듈(170)이 히팅 유닛(117) 및/또는 냉각 유닛(119)을 작동시켜, 블레이드(113)를 통해 반도체 패키지(P)에 온도 스트레스를 가하게 한다. 그 경우, 히팅 유닛(117)과 냉각 유닛(119)에 의한 온도 스트레스는 반도체 패키지(P)의 상면에만 가해지게 된다. 이를 보완하기 위하여, 제어 모듈(170)은 유체 제공 모듈(190)을 가동시켜 토출 유닛(141)이 상기 유체를 토출하게 할 수 있다. 그 경우, 상기 유체는 소켓(131)에 작용하는 과정에서 반도체 패키지(P)의 저면 측에도 영향을 주게 된다. 이는 반도체 패키지(P)에 대해 직접적이면서도 입체적인 온도 스트레스를 가할 수 있게 한다. 제어 모듈(170)은 이때의 반도체 패키지(P)의 전기적 특성을 측정하여 그의 양품 여부를 판단하게 된다. 여기서, 사용되는 소켓(131)은 사전에 다른 테스트 장치를 통해 양품으로 판정된 것으로서, 그의 수명에 따라 수 천에서 수 만회 가량 반복적으로 사용될 수 있다. In contrast, in the semiconductor package test apparatus, in a state in which the blade 113 of the pusher module 110 presses the socket 131, the control module 170 is the heating unit 117 and/or the cooling unit 119 By operating, the temperature stress is applied to the semiconductor package P through the blade 113. In this case, the temperature stress caused by the heating unit 117 and the cooling unit 119 is applied only to the upper surface of the semiconductor package P. In order to compensate for this, the control module 170 may cause the discharge unit 141 to discharge the fluid by actuating the fluid providing module 190. In that case, the fluid also affects the bottom side of the semiconductor package P while acting on the socket 131. This makes it possible to apply direct and three-dimensional temperature stress to the semiconductor package P. The control module 170 measures the electrical characteristics of the semiconductor package P at this time to determine whether it is good or not. Here, the socket 131 used is determined to be good through other test devices in advance, and may be repeatedly used several thousand to tens of thousands of times depending on its lifespan.

이상의 테스트 장치(100)에서 소켓 모듈(130)의 주요 구조를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 여기서, 도 3은 도 1의 소켓 모듈(130)에 대한 조립 상태의 절단 사시도이고, 도 4는 도 3의 베이스(135)의 저면 측에서 챔버(137) 부분을 바라본 베이스(135)에 대한 부분 사시도이다. The main structure of the socket module 130 in the above test apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Here, FIG. 3 is a cut perspective view of the socket module 130 of FIG. 1 in an assembled state, and FIG. 4 is a part of the base 135 viewed from the bottom side of the base 135 of FIG. It is a perspective view.

도 3을 참조하면, 베이스(135)의 챔버(137)에 대해서는 베이스(135)의 저면 측 방향에서 소켓(131)과 하우징(133)이 접근하여 삽입될 수 있다. 그 경우, 하우징(133)의 상면은 챔버(137)의 저면{천장면(139a)}과 접촉하게 된다. Referring to FIG. 3, with respect to the chamber 137 of the base 135, the socket 131 and the housing 133 may approach and be inserted from the bottom side of the base 135. In that case, the upper surface of the housing 133 comes into contact with the bottom surface (ceiling surface 139a) of the chamber 137.

하우징(133)의 하측에 위치하는 소켓(131)은 챔버(137)의 가장 하부 레벨에 위치하게 된다. 소켓(131)에 지지되어 하우징(133)의 내부에 위치하는 반도체 패키지(P) 역시 챔버(137)의 하부 레벨에 위치하게 된다. The socket 131 located at the lower side of the housing 133 is located at the lowest level of the chamber 137. The semiconductor package P supported by the socket 131 and positioned inside the housing 133 is also positioned at a lower level of the chamber 137.

이러한 소켓(131) 및 하우징(133)에 대해, 중공 채널(145)은 대체로 하우징(133)의 중간 부분에 대응하는 레벨에 위치할 수 있다. For these sockets 131 and housing 133, the hollow channel 145 may be located at a level corresponding to a generally intermediate portion of the housing 133.

도 4를 참조하면, 챔버(137)는 제1 공간(138)과 제2 공간(139)으로 구분될 수 있다. 베이스(135)의 수직 방향을 기준으로, 제1 공간(138)이 푸셔 모듈(110)과 가까운 상부에 위치하고, 제2 공간(139)은 기판 모듈(150)에 가가운 하부에 위치한다. Referring to FIG. 4, the chamber 137 may be divided into a first space 138 and a second space 139. Based on the vertical direction of the base 135, the first space 138 is positioned at an upper portion close to the pusher module 110, and the second space 139 is positioned at a lower portion close to the substrate module 150.

또한, 제1 공간(138)에 비해, 제2 공간(139)은 더 넓은 단면적을 가질 수 있다. 제1 공간(138)이 푸셔 모듈(110)의 블레이드(113) 그리고 반도체 패키지(P)를 수용하거나 통과시키기 위한 것이라면, 제2 공간(139)은 소켓(131) 및 하우징(133)을 수용하기 위한 것이다. In addition, compared to the first space 138, the second space 139 may have a wider cross-sectional area. If the first space 138 is for accommodating or passing the blade 113 of the pusher module 110 and the semiconductor package P, the second space 139 accommodates the socket 131 and the housing 133 For.

제2 공간(139)은 천장면(139a)과 벽면(139b)에 의해 정의될 수 있다. 이러한 천장면(139a)에는 하우징(133)의 상면이 접촉하게 된다. 나아가, 벽면(139b)에는 하우징(133)의 측면이 대면하게 된다. 벽면(139b)에는 중공 채널(145)의 출구(145')가 노출된다. The second space 139 may be defined by the ceiling surface 139a and the wall surface 139b. The upper surface of the housing 133 comes into contact with the ceiling surface 139a. Further, the side surface of the housing 133 faces the wall surface 139b. The outlet 145' of the hollow channel 145 is exposed on the wall surface 139b.

출구(145')를 통해 챔버(137)로 토출된 상기 유체를 하우징(133)에도 불구하고 소켓(131)으로 유동하게 하기 위하여, 베이스(135)에는 분배 채널(147)이 형성된다. 분배 채널(147)은 제1 축적부(147a), 제2 축적부(147b), 및 연결부(147c)를 가질 수 있다. In order to allow the fluid discharged to the chamber 137 through the outlet 145 ′ to flow to the socket 131 despite the housing 133, a distribution channel 147 is formed in the base 135. The distribution channel 147 may have a first accumulation portion 147a, a second accumulation portion 147b, and a connection portion 147c.

제1 축적부(147a)는 벽면(139b) 중 출구(145')에 대응하여 오목 형성된다. 제1 축적부(147a)는, 예를 들어, 벽면(139b)의 하부에서 상부까지 연장되는 형태로 형성될 수 있다. 이러한 제1 축적부(147a)에는 출구(145')에서 토출된 상기 유체가 축적되고, 그 유체는 하우징(133)의 상면을 타고 넘거나 하우징(133)의 저면 측으로 유동하면서 소켓(131)에 온도 스트레스를 부여할 수 있다. The first accumulating portion 147a is formed concave to correspond to the outlet 145' of the wall surface 139b. The first accumulating part 147a may be formed to extend from a lower portion to an upper portion of the wall surface 139b, for example. The fluid discharged from the outlet 145 ′ is accumulated in the first accumulating part 147a, and the fluid crosses the upper surface of the housing 133 or flows toward the bottom surface of the housing 133, while flowing into the socket 131. Temperature stress can be imparted.

제2 축적부(147b)는 벽면(139b) 중 제1 축적부(147a)의 반대 측에 오목 형성되는 것일 수 있다. 제2 축적부(147b) 역시 제1 축적부(147a)와 유사하게, 벽면(139b)의 하부에서 상부까지 연장되는 것일 수 있다. 이러한 제2 축적부(147b)는 출구(145')와 가장 먼 곳에 위치하여, 그 영역에 부족한 유체가 축적되어, 소켓(131)에 영향을 미칠 수 있도록 한다.The second accumulation portion 147b may be formed to be concave on the opposite side of the first accumulation portion 147a of the wall surface 139b. The second accumulation portion 147b may also extend from the lower portion of the wall surface 139b to the upper portion, similar to the first accumulation portion 147a. The second accumulating part 147b is located farthest from the outlet 145 ′, so that insufficient fluid accumulates in the region, thereby affecting the socket 131.

나아가, 연결부(147c)는 제1 축적부(147a)에 축적된 유체가 제2 축적부(147b)로 유동하도록, 그들을 연결하는 구성이다. 연결부(147c)는, 구제적으로, 천장면(139a)에 오목 형성될 수 있다. 나아가, 연결부(147c)는 제1 공간(138)의 둘레를 따라 오목 형태로 연장 형성될 수 있다. 그에 의해, 천장면(139a)과 하우징(133)의 상면 간에는 연결부(147c)에 의해 유로가 형성되는 것이다. Further, the connecting portion 147c is a configuration connecting them so that the fluid accumulated in the first accumulating portion 147a flows to the second accumulating portion 147b. The connection part 147c may be concavely formed in the ceiling surface 139a. Furthermore, the connection part 147c may be formed to extend in a concave shape along the circumference of the first space 138. Thereby, a flow path is formed between the ceiling surface 139a and the upper surface of the housing 133 by the connection portion 147c.

마지막으로, 푸셔 모듈(110)이 소켓 모듈(130)과 접촉된 상태에 대해 도 5를 참조하여 설명한다.Finally, a state in which the pusher module 110 is in contact with the socket module 130 will be described with reference to FIG. 5.

도 5는 도 1의 푸셔 모듈(110)이 소켓 모듈(130)과 접촉된 상태를 보인 요부의 절단 사시도이다. FIG. 5 is a cutaway perspective view of a main part showing a state in which the pusher module 110 of FIG. 1 is in contact with the socket module 130.

본 도면을 참조하면, 푸셔 모듈(110)가 하강함에 의해, 그의 블레이드(113)는 챔버(137) 내로 삽입된다. 블레이드(113)의 저면에 흡착된 반도체 패키지(P)는 하우징(133)에 수용된 채로 소켓(131)과 접속된다. Referring to this drawing, as the pusher module 110 descends, its blade 113 is inserted into the chamber 137. The semiconductor package P adsorbed on the bottom surface of the blade 113 is connected to the socket 131 while being accommodated in the housing 133.

이러한 상태에서, 토출 유닛(141)에 의해 챔버(137) 내로 토출된 유체는 분배 채널(147)을 통해 하우징(133)의 내부 공간을 거쳐 소켓(131)에 온도 스트레스를 가하게 된다. In this state, the fluid discharged into the chamber 137 by the discharge unit 141 applies temperature stress to the socket 131 through the inner space of the housing 133 through the distribution channel 147.

이 경우에, 챔버(137)와 블레이드(113) 사이의 여유 공간을 통해서 챔버(137) 내의 공기가 베이스(135)와 바디(111) 사이의 틈새로 배출될 수 있다. 그러나, 이는 차단 부재(115)가 그 틈새를 막도록 배치됨에 의해 차단될 수 있다. In this case, air in the chamber 137 may be discharged into a gap between the base 135 and the body 111 through the free space between the chamber 137 and the blade 113. However, this may be blocked by the blocking member 115 disposed to close the gap.

상기와 같은 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The socket module related to the semiconductor test as described above is not limited to the configuration and operation method of the embodiments described above. The above embodiments may be configured so that all or a part of each of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100: 테스트 장치 110: 푸셔 모듈
111: 블레이드 115: 차단 부재
130: 소켓 모듈 131: 소켓
133: 하우징 135: 베이스
141: 토출 유닛 150: 기판 모듈
170: 제어 모듈 190: 유체 제공 모듈100: test device 110: pusher module
111: blade 115: blocking member
130: socket module 131: socket
133: housing 135: base
141: discharge unit 150: substrate module
170: control module 190: fluid supply module

Claims (10)

개구된 챔버를 구비하는 베이스;
상기 챔버 내에 위치하고, 반도체 패키지를 수용하여 상기 반도체 패키지를 전기적 접속 대상인 소켓에 대해 정렬시키는 하우징; 및
설정 온도 범위의 유체를 제공하는 유체 제공 모듈에 연통되며 상기 베이스의 내부에 연장 형성되는 중공 채널을 구비하고, 상기 베이스 중 상기 챔버를 한정하는 벽면에 형성된 상기 중공 채널의 출구를 통해 상기 소켓을 향해 유동하도록 상기 유체를 상기 챔버에 대해 토출하는 토출 유닛을 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
A base having an opened chamber;
A housing located in the chamber, accommodating a semiconductor package, and aligning the semiconductor package with a socket to be electrically connected; And
It communicates with a fluid providing module that provides a fluid in a set temperature range and has a hollow channel extending in the interior of the base, and toward the socket through an outlet of the hollow channel formed on a wall surface defining the chamber among the bases. A socket module related to a semiconductor test, comprising a discharge unit for discharging the fluid to the chamber to flow.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 토출 유닛은,
상기 베이스 중 상기 챔버를 한정하는 면에 오목 형성되어, 상기 중공 채널에서 토출되는 상기 유체를 상기 하우징을 넘어 상기 소켓으로 유동하게 하는 분배 채널을 더 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 1,
The discharge unit,
A socket module related to a semiconductor test, further comprising a distribution channel that is concave on a surface of the base defining the chamber to allow the fluid discharged from the hollow channel to flow through the housing to the socket.
 제4항에 있어서,
상기 분배 채널은,
상기 베이스 중 상기 하우징과 마주하는 내벽에서 상기 출구에 대응하는 부분에 오목 형성되는 제1 축적부를 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 4,
The distribution channel,
A socket module related to a semiconductor test, comprising: a first accumulating portion recessed in a portion of the base corresponding to the outlet in an inner wall facing the housing.
 제5항에 있어서,
상기 분배 채널은,
상기 베이스 중 상기 하우징과 마주하는 내벽 중 상기 출구에 반대되는 부분에 오목 형성되어, 상기 유체를 축적하는 제2 축적부를 더 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 5,
The distribution channel,
A socket module related to a semiconductor test, further comprising a second accumulating portion concavely formed in a portion of the base of the inner wall facing the housing opposite to the outlet to accumulate the fluid.
 제6항에 있어서,
상기 분배 채널은,
상기 제1 축적부에 축적된 상기 유체가 상기 제2 축적부로 유동하도록 연결하는 연결부를 더 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 6,
The distribution channel,
A socket module related to a semiconductor test, further comprising a connection part for connecting the fluid accumulated in the first storage part to flow to the second storage part.
 제7항에 있어서,
상기 챔버는,
푸셔 모듈이 상기 반도체 패키지를 상기 소켓에 대해 가압하기 위해 진입하는 제1 공간; 및
상기 제1 공간보다 넓은 단면적을 가지고, 상기 하우징을 수용하는 제2 공간을 포함하고,
상기 제2 공간은,
상기 푸셔 모듈이 상기 베이스에서 이격된 상태에서, 상기 제1 공간을 기준으로 상기 푸셔 모듈의 반대 측에 위치하며,
상기 연결부는,
상기 베이스 중 상기 제2 공간을 한정하는 천장면에 오목 형성되는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 7,
The chamber,
A first space through which a pusher module enters to press the semiconductor package against the socket; And
It has a cross-sectional area larger than the first space, and includes a second space accommodating the housing,
The second space,
In a state where the pusher module is spaced apart from the base, it is located on the opposite side of the pusher module with respect to the first space,
The connection part,
A socket module related to a semiconductor test, which is formed concave in a ceiling surface defining the second space of the base.
 제8항에 있어서,
상기 연결부는,
상기 천장면에서 상기 제1 공간의 둘레 방향을 따라 연장하게 형성되는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈.
The method of claim 8,
The connection part,
A socket module related to a semiconductor test, formed to extend along the circumferential direction of the first space from the ceiling surface.
 제1항에 있어서,
상기 하우징의 하측에 위치하고 상기 반도체 패키지를 지지하는 상기 소켓을 더 포함하는, 반도체 테스트와 관련된 소켓 모듈. The method of claim 1,
A socket module related to a semiconductor test, further comprising the socket located under the housing and supporting the semiconductor package.
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