KR102248877B1 - Liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서로 대향하여 합착되며 화상표시부와 베젤부가 정의된 하부기판 및 상부기판과, 상기 하부기판에 구비된 박막 트랜지스터 및 컬러필터와, 상기 컬러필터의 상부에 구비되고, 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극과, 상기 하부기판의 베젤부에 구비된 복수 개의 회로패턴 및, 상기 베젤부의 회로패턴들 사이에 구비된 더미패턴을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.In the present invention, a lower substrate and an upper substrate having an image display portion and a bezel portion defined opposite to each other, a thin film transistor and a color filter provided on the lower substrate, and provided on an upper portion of the color filter, and in contact with the thin film transistor. A liquid crystal display device including a pixel electrode, a plurality of circuit patterns provided on a bezel part of the lower substrate, and a dummy pattern provided between circuit patterns of the bezel part is provided.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 블랙 매트릭스 또는 블랙 컬럼 스페이서 없이도 외곽 베젤부의 시감을 개선할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of improving visibility of an outer bezel part without a black matrix or a black column spacer, and a manufacturing method thereof.

일반적으로 액정표시장치는 액정분자의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이용하여 화상을 표현하는 것으로, 전계가 인가되면 액정의 배열이 달라지고 달라진 액정의 배열 방향에 따라 빛의 투과되는 특성 또한 달라진다.In general, a liquid crystal display device expresses an image using optical anisotropy and birefringence characteristics of liquid crystal molecules. When an electric field is applied, the arrangement of liquid crystals is changed, and light transmission characteristics are also changed according to the changed arrangement direction of the liquid crystals.

액정표시장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대향하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 상기 액정분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In a liquid crystal display, an electric field generated by placing two substrates on which each field generating electrode is formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed are opposite to each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying a voltage to the two electrodes By moving the liquid crystal molecules, it is a device that expresses an image with a light transmittance that varies accordingly.

이러한 일반적인 액정표시장치의 경우, 하부기판에는 박막 트랜지스터를 형성하고, 상부 기판에는 블랙 매트릭스(Black Matrix)와 컬러필터(Color Filter)를 형성하며, 상기 하부기판과 상부기판의 패턴면을 마주보게 합착하여 그 사이에 액정을 주입함으로써 액정 화면을 구현하게 된다.In the case of such a general liquid crystal display, a thin film transistor is formed on the lower substrate, a black matrix and a color filter are formed on the upper substrate, and the lower substrate and the upper substrate are bonded to face the pattern surface. Thus, a liquid crystal screen is implemented by injecting liquid crystals between them.

그리고, 상부기판의 배면에는 ITO(Indium Tin Oxide)를 형성하고, 기구부와 접지부(Ground line)를 형성하여 패널의 정전기 경로(ESD Path)로 활용한다. In addition, ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the rear surface of the upper substrate, and a mechanism part and a ground line are formed to be used as an ESD path of the panel.

더욱이, 상기 상부기판에 형성된 블랙 매트릭스를 이용하여 패널 외곽부의 베젤부(BA)를 형성한다.Moreover, the bezel part BA at the outer part of the panel is formed by using the black matrix formed on the upper substrate.

그러나, 이와 같은 일반적인 액정표시장치의 경우, 블랙 매트릭스 사용시에 블랙 매트릭스를 형성하기 위한 별도의 마스크 및 재료가 추가로 필요하기 때문에 제조 공정이 복잡해져서 생산 효율이 저하되는 문제가 있었다.However, in the case of such a general liquid crystal display device, since a separate mask and material for forming the black matrix are additionally required when the black matrix is used, the manufacturing process becomes complicated and production efficiency is lowered.

이와 같은 문제점이 있는 블랙 매트릭스를 대체하기 위해 블랙 컬럼 스페이서(Black Column Spacer)를 사용하는 COT(Color filter on Transistor) 구조의 액정표시장치가 제안되었다. 이때, COT(Color filter on Transistor) 구조의 액정표시장치는 컬러필러(Color Filter)를 상부기판 대신에 하부기판에 형성하는 액정표시장치를 의미한다.In order to replace the black matrix having such a problem, a liquid crystal display device having a color filter on transistor (COT) structure using a black column spacer has been proposed. In this case, the liquid crystal display device having a color filter on transistor (COT) structure refers to a liquid crystal display device in which a color filter is formed on a lower substrate instead of an upper substrate.

그러나, 이와 같이 블랙 컬럼 스페이서를 사용하는 COT(Color filter on Transistor) 구조의 액정표시장치의 경우에, 추가적인 컬럼 스페이서(CS; Column Spacer)를 형성하기 위해 별도의 마스크 공정이 필요하였다.However, in the case of a liquid crystal display having a color filter on transistor (COT) structure using a black column spacer, a separate mask process is required to form an additional column spacer (CS).

이러한 별도의 마스크 공정이 요구되는 블랙 컬럼 스페이서를 사용하지 않은 기존의 COT 구조의 액정표시장치에 대해 도 1 내지 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional liquid crystal display having a COT structure that does not use a black column spacer requiring a separate mask process will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도로서, 패널 외곽에 구비된 베젤부에 대해 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a schematic plan view of a liquid crystal display according to the prior art, and schematically shows a bezel part provided outside a panel.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 and is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a COT structure according to the prior art.

도 3은 종래기술에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부의 구동 회로패턴들을 개략적으로 도시한 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating driving circuit patterns of a bezel part of a panel of a liquid crystal display according to the prior art.

종래기술에 따른 액정표시장치(10)는, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 화상표시부(AA)와 이 화상표시부(AA)의 외곽부에 구비된 베젤부(BA)를 포함한다.The liquid crystal display device 10 according to the prior art, as shown in FIGS. 1 and 2, includes an image display unit AA and a bezel unit BA provided at an outer periphery of the image display unit AA.

종래기술에 따른 액정표시장치(10)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 어레이부 및 컬러필터가 형성된 하부기판(11)과, 블랙패턴 및 공통전극(미도시)이 형성된 상부기판(41)을 합착하여 구성된다.The liquid crystal display device 10 according to the prior art, as shown in FIG. 2, includes a lower substrate 11 having a thin film transistor array and a color filter formed thereon, and an upper substrate having a black pattern and a common electrode (not shown). 41).

이에 대해 상세히 설명하면, 상기 하부기판(11)의 표시부(AA)의 스위칭영역(미도시)에는 게이트 전극(13)과 반도체층(17)과 소스전극(19) 및 드레인 전극(21)을 포함한 박막 트랜지스터(T)가 형성되고, 표시부(AA)의 화소영역(미도시)에는 컬러필터(25)와, 드레인 전극(21)과 접촉하는 화소전극(31)이 형성된다.In detail, the switching region (not shown) of the display unit AA of the lower substrate 11 includes a gate electrode 13, a semiconductor layer 17, a source electrode 19, and a drain electrode 21. A thin film transistor T is formed, and a color filter 25 and a pixel electrode 31 contacting the drain electrode 21 are formed in a pixel region (not shown) of the display unit AA.

상기 하부기판(11) 위에는 박막 트랜지스터(T)와 화소영역(미도시)의 일부에 대응하여 각각 컬럼 스페이서(35)가 형성된다.Column spacers 35 are respectively formed on the lower substrate 11 to correspond to portions of the thin film transistor T and the pixel region (not shown).

상기 컬럼 스페이서(35)를 포함한 하부기판(11) 위에는 하부 배향막(미도시)이 형성된다.A lower alignment layer (not shown) is formed on the lower substrate 11 including the column spacers 35.

그리고, 상기 하부기판(11)의 베젤부(BA)에는 GIP 구동회로에 사용되는 회로패턴(33)들이 형성된다.Further, circuit patterns 33 used for the GIP driving circuit are formed on the bezel part BA of the lower substrate 11.

한편, 상기 상부기판(41) 중 상기 박막 트랜지스터(T)와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)에 대응되는 영역에는 블랙 매트릭스(미도시)가 형성된다.Meanwhile, a black matrix (not shown) is formed in a region of the upper substrate 41 corresponding to the thin film transistor T, a gate line (not shown), and a data line (not shown).

그리고, 상기 상부기판(41)의 전면에는 투명한 공통전극(미도시)이 형성되고, 상기 공통전극(미도시) 위에는 박막 트랜지스터(T)와 화소영역(미도시)의 일부에 대응하여 컬럼 스페이서(35)가 형성된다. In addition, a transparent common electrode (not shown) is formed on the front surface of the upper substrate 41, and a column spacer (not shown) corresponds to a portion of the thin film transistor T and the pixel region (not shown) on the common electrode (not shown). 35) is formed.

상기 컬럼 스페이서(35)가 형성된 상부기판(41) 전면에는 상부 배향막(미도시)이 형성된다.An upper alignment layer (not shown) is formed on the entire surface of the upper substrate 41 on which the column spacers 35 are formed.

더욱이, 상기 하부기판(11)과 상부기판(41) 사이에는 액정층(미도시)이 개재되어 있으며, 상기 하부기판(11)과 상부기판(41) 사이의 테두리부에는 씰패턴(51)이 형성되어 상기 액정층(미도시)을 밀봉하게 된다.Moreover, a liquid crystal layer (not shown) is interposed between the lower substrate 11 and the upper substrate 41, and a seal pattern 51 is formed at the edge between the lower substrate 11 and the upper substrate 41. Formed to seal the liquid crystal layer (not shown).

이와 같이, 종래기술에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 경우, 기존에 사용되었던 블랙 컬럼 스페이서를 사용하지 않기 때문에 별도로 신규 재료가 추가되는 문제는 해결되었으나, 패널의 외곽부에 위치하는 베젤부(BA)에 위치하는 회로패턴들이 관찰자의 육안으로 관찰됨으로써 베젤부의 시감 문제가 발생하게 된다. As described above, in the case of a liquid crystal display having a COT structure according to the prior art, the problem of adding a new material separately has been solved because the black column spacer previously used is not used. The circuit patterns located at) are observed with the naked eye of the observer, thereby causing a visual perception problem of the bezel part.

본 발명의 목적은 블랙 매트릭스(Black Matrix) 또는 블랙 컬럼 스페이서 (Black Column Spacer) 없이도 패널 외곽 베젤부(BA)의 시감을 개선할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of improving the visibility of a bezel part BA outside a panel without a black matrix or a black column spacer, and a method of manufacturing the same.

전술한 과제를 해결하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은 서로 대향하여 합착되며 화상표시부와 베젤부가 정의된 하부기판 및 상부기판과, 상기 하부기판에 구비된 박막 트랜지스터 및 컬러필터와, 상기 컬러필터의 상부에 구비되고, 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극과, 상기 하부기판의 베젤부에 구비된 복수 개의 회로패턴 및, 상기 베젤부의 회로패턴들 사이에 구비된 더미패턴을 포함하는 액정표시장치를 제공할 수 있다.In order to solve the above-described problems, in one aspect, the present invention provides a lower substrate and an upper substrate which are bonded to face each other and define an image display portion and a bezel portion, a thin film transistor and a color filter provided on the lower substrate, and the color filter. A liquid crystal display device including a pixel electrode provided on the upper side of and contacting the thin film transistor, a plurality of circuit patterns provided on the bezel part of the lower substrate, and a dummy pattern provided between the circuit patterns of the bezel part. Can provide.

이러한 액정표시장치에 있어서, 상기 더미패턴은 화소전극과 동일 물질층으로 구성될 수 있다.In such a liquid crystal display device, the dummy pattern may be formed of the same material layer as the pixel electrode.

이러한 액정표시장치에 있어서, 상기 더미패턴은 하부기판의 회로패턴들과 독립적으로 분리될 수 있다.In such a liquid crystal display device, the dummy pattern may be independently separated from the circuit patterns of the lower substrate.

이러한 액정표시장치에 있어서, 상기 회로패턴들이 구비되지 않은 베젤부의 다른 지역의 전면에 더미패턴이 추가로 형성될 수 있다.In such a liquid crystal display device, a dummy pattern may be additionally formed on a front surface of another area of a bezel portion in which the circuit patterns are not provided.

다른 측면에서, 본 발명은 화상표시부와 베젤부가 정의된 하부기판 및 상부기판을 제공하는 단계와, 상기 하부기판에 박막 트랜지스터 및 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터의 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 베젤부에 대응하는 평탄화막 상에 복수 개의 회로패턴을 형성함과 동시에 상기 회로패턴들 사이의 평탄화막 상에 더미패턴을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법을 제공할 수 있다.In another aspect, the present invention provides a lower substrate and an upper substrate in which an image display portion and a bezel portion are defined, forming a thin film transistor and a color filter on the lower substrate, and forming a planarization film on the color filter. And forming a pixel electrode on the planarization layer in contact with the thin film transistor, and forming a plurality of circuit patterns on the planarization layer corresponding to the bezel and on the planarization layer between the circuit patterns. It is possible to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device including the step of forming a dummy pattern on the screen.

이러한 액정표시장치 제조방법에 있어서, 상기 더미패턴은 화소전극과 동일 물질층으로 구성될 수 있다.In such a method of manufacturing a liquid crystal display, the dummy pattern may be formed of the same material layer as the pixel electrode.

이러한 액정표시장치 제조방법에 있어서, 상기 더미패턴은 하부기판의 베젤부 중 회로패턴이 형성되지 않은 지역의 전면에 추가로 형성될 수 있다.In such a method of manufacturing a liquid crystal display, the dummy pattern may be additionally formed on the entire surface of a region in which the circuit pattern is not formed among the bezel portions of the lower substrate.

이러한 액정표시장치 제조방법에 있어서, 상기 더미패턴은 하부기판의 회로패턴들과 독립적으로 분리될 수 있다.In this method of manufacturing a liquid crystal display device, the dummy pattern may be independently separated from circuit patterns of the lower substrate.

본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 블랙 매트릭스 및 블랙 컬럼 스페이서 없이 패널 외곽의 베젤부에 구비된 회로패턴들 사이에 더미패턴을 형성하고, 회로패턴들이 형성되지 않은 베젤부의 다른 영역의 전면에 더미패턴을 추가로 형성해 줌으로써, 패널 외곽의 베젤부의 시감을 개선할 수 있다.The liquid crystal display according to the present invention and a manufacturing method thereof include forming a dummy pattern between circuit patterns provided in a bezel part outside a panel without a black matrix and a black column spacer, and forming a front surface of another area of the bezel part in which the circuit patterns are not formed. By additionally forming a dummy pattern on the panel, the visibility of the bezel part outside the panel can be improved.

도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도로서, 패널 외곽에 구비된 베젤부에 대해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부의 구동 회로패턴들을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부의 구동 회로패턴들 및 더미패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6a 내지 6h는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 제조 공정 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부 전면에 구비된 더미패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.
1 is a schematic plan view of a liquid crystal display according to the prior art, and schematically shows a bezel part provided outside a panel.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 and is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a COT structure according to the prior art.
3 is a plan view schematically illustrating driving circuit patterns of a bezel part of a panel of a liquid crystal display according to the prior art.
4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically illustrating driving circuit patterns and dummy patterns of a bezel part of a panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
6A to 6H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.
8 is a plan view schematically illustrating a dummy pattern provided on a front surface of a bezel part outside a panel of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, it should be noted that the same elements are assigned the same numerals as possible, even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiments of the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the constituent elements of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are for distinguishing the constituent element from other constituent elements, and the nature, order, or order of the constituent element is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to that other component, but another component between each component It will be understood that elements may be “connected”, “coupled” or “connected”. In the same context, when it is described that a component is formed "above" or "below" another component, the component is all formed directly on the other component or indirectly through another component. It should be understood as including.

본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치에 대해 도 4, 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5 as follows.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부의 구동 회로패턴들 및 더미패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.5 is a plan view schematically illustrating driving circuit patterns and dummy patterns of a bezel part of a panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시 예에 따른 COT 구조의 액정표시장치(100)는, 도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 화상이 구현되는 화상표시부(AA)와, 화상표시부(AA)의 외곽 테두리부에 위치하는 베젤부(BA)로 구분된다.The liquid crystal display device 100 having a COT structure according to an embodiment of the present invention includes an image display unit AA in which an image is implemented, and an outer edge portion of the image display unit AA, as shown in FIGS. 4 and 5. It is divided into a bezel part (BA).

상기 화상표시부(AA)의 외곽에 위치하는 베젤부(BA)에는 하부기판(101)과 상부기판(141)을 합착시키는 씰패턴(151)이 구비되어 있다. 그리고, 상기 베젤부(BA)에 해당하는 하부기판(101)에는 GIP 구동 회로패턴(127)들이 구비되어 있으며, 상기 회로패턴(127)들 사이에는 더미패턴(129)이 구비되어 있다.A seal pattern 151 for bonding the lower substrate 101 and the upper substrate 141 is provided on the bezel portion BA positioned outside the image display unit AA. Further, GIP driving circuit patterns 127 are provided on the lower substrate 101 corresponding to the bezel part BA, and a dummy pattern 129 is provided between the circuit patterns 127.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 COT 구조의 액정표시장치(100)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 어레이 (thin film transistor array) 및 컬러필터 어레이(color filter array)가 형성된 하부기판 (101)과, 상기 하부기판(101)과 대응하여 배치되는 상부기판(141) 및, 이들 기판 (101, 141)이 균일한 셀갭(cell gap)이 유지되도록 합착되며 상기 하부기판 (101)과 상부기판(141) 사이의 셀갭에 형성되는 액정층(미도시)을 포함한다.In more detail, the liquid crystal display 100 having a COT structure according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor array and a color filter, as shown in FIG. 4. The lower substrate 101 on which the array) is formed, the upper substrate 141 disposed to correspond to the lower substrate 101, and the substrates 101 and 141 are bonded to maintain a uniform cell gap. And a liquid crystal layer (not shown) formed in a cell gap between the lower substrate 101 and the upper substrate 141.

화상표시부(AA)와 베젤부(BA)가 정의된 하부기판(101) 상에는 일측 방향으로 게이트 배선(미도시) 및 이 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극(103)이 형성되어 있다. A gate wiring (not shown) and a gate electrode 103 extending from the gate wiring are formed on the lower substrate 101 in which the image display portion AA and the bezel portion BA are defined.

그리고, 게이트 전극(103) 및 게이트 배선(미도시)을 포함한 하부기판(101) 전면에는 게이트 절연막(105)이 형성되어 있다.In addition, a gate insulating film 105 is formed on the entire surface of the lower substrate 101 including the gate electrode 103 and the gate wiring (not shown).

상기 게이트 전극(103) 위의 게이트 절연막(105) 상에는 반도체층(107)과 함께, 서로 분리된 오믹 콘택층(108)이 적층되어 있다.On the gate insulating layer 105 over the gate electrode 103, a semiconductor layer 107 and an ohmic contact layer 108 separated from each other are stacked.

상기 반도체층(107) 및 오믹 콘택층(108) 위에는 서로 분리된 소스전극 (113a) 및 드레인 전극(113b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스전극(113a)으로부터 데이터 배선(미도시)이 연장되어 있으며, 이 데이터 배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)과 교차되는 타측 방향으로 형성되어 있다.A source electrode 113a and a drain electrode 113b separated from each other are formed on the semiconductor layer 107 and the ohmic contact layer 108. In this case, a data line (not shown) extends from the source electrode 113a, and the data line (not shown) is formed in the other direction crossing the gate line (not shown).

상기 게이트 전극(103)과, 반도체층(107)과, 소스전극(113a) 및 드레인 전극 (113b)은 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.The gate electrode 103, the semiconductor layer 107, and the source electrode 113a and the drain electrode 113b form a thin film transistor T.

그리고, 상기 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)을 포함한 하부기판(101) 전면에는 보호막(115)이 형성되어 있다.In addition, a protective layer 115 is formed on the entire surface of the lower substrate 101 including the source electrode 113a and the drain electrode 113b.

상기 화상표시부(AA)의 화소영역(미도시)에 해당하는 상기 하부기판(101) 위에는 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들로 구성된 컬러필터(117)가 형성되어 있다. 이때, 상기 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색 (Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들의 경계지역에 해당하는 하부기판(101) 위에는 블랙 매트릭스(미도시)가 형성되거나, 또는 상기 적색(Red), 녹색 (Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들 간에 오버랩되는 부위가 블랙 매트릭스 기능, 즉 광을 차단시켜 주는 역할을 할 수도 있다.On the lower substrate 101 corresponding to the pixel area (not shown) of the image display unit AA, red, green, and blue color filters 117R, 117G, not shown. A color filter 117 is formed. At this time, a black matrix (not shown) is formed on the lower substrate 101 corresponding to the boundary area of the red, green, and blue color filters 117R, 117G, not shown, or A portion overlapping between the red, green, and blue color filters 117R, 117G (not shown) may serve as a black matrix function, that is, to block light.

그리고, 상기 컬러필터(117)을 포함한 보호막(115) 전면에는 평탄화막(121)이 형성되어 있다. 이때, 상기 평탄화막(121)은 하부기판(101)의 표면을 평탄화시키는 역할을 한다.In addition, a planarization layer 121 is formed on the entire surface of the passivation layer 115 including the color filter 117. In this case, the planarization layer 121 serves to planarize the surface of the lower substrate 101.

더욱이, 상기 평탄화막(121)과 칼라필터(117) 및 보호막(115)에는 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(113b) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시, 도 6e의 123 참조)이 형성되어 있다.Further, a drain contact hole (not shown, see 123 in FIG. 6E) exposing a portion of the drain electrode 113b of the thin film transistor T is formed in the planarization layer 121, the color filter 117, and the passivation layer 115. Has been.

그리고, 상기 드레인 콘택홀(123)을 포함한 평탄화막(121) 상에는 상기 드레인 전극(115)과 전기적으로 접촉되는 화소전극(125)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소전극(125)은 화상표시부(AA)의 화소영역(미도시)마다 형성된다.Further, a pixel electrode 125 in electrical contact with the drain electrode 115 is formed on the planarization layer 121 including the drain contact hole 123. In this case, the pixel electrode 125 is formed for each pixel area (not shown) of the image display unit AA.

더욱이, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 베젤부(BA)에 대응하는 하부기판 (101)의 평탄화막(121) 상에는 GIP 구동 회로패턴들(127)이 이격되어 형성되어 있으며, 상기 회로패턴들(127) 사이의 평탄화막(121) 상에는 더미패턴(129)이 형성되어 있다. 이때, 상기 더미패턴 (129)은 상기 회로패턴들(127)과 독립적으로 분리 형성되어 있다. 그리고, 상기 회로패턴들(127)과 더미패턴들(129)은 상기 화소전극 (125)과 동일 물질층으로 구성되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 5, GIP driving circuit patterns 127 are formed to be spaced apart on the planarization layer 121 of the lower substrate 101 corresponding to the bezel part BA, and the circuit patterns A dummy pattern 129 is formed on the planarization layer 121 between 127. In this case, the dummy pattern 129 is formed separately from the circuit patterns 127. Further, the circuit patterns 127 and the dummy patterns 129 are formed of the same material layer as the pixel electrode 125.

상기 평탄화막(121) 상에는 상기 하부기판(101)과 상부기판(141)이 일정한 셀갭(Cell gap)을 유지할 수 있도록 컬럼 스페이서(131)이 형성되어 있다. 이때, 상기 컬럼 스페이서(131)는 화상표시부(AA) 내의 박막 트랜지스터(T), 게이트 배선 (미도시) 또는 데이터 배선(미도시)과 오버랩되는 위치에 형성될 수 있다, 그리고, 상기 컬럼 스페이서(131)는 베젤부(BA)에 위치하는 평탄화막(121) 상에 형성될 수 있다.Column spacers 131 are formed on the planarization layer 121 so that the lower substrate 101 and the upper substrate 141 maintain a constant cell gap. In this case, the column spacer 131 may be formed at a position overlapping with a thin film transistor T, a gate line (not shown), or a data line (not shown) in the image display unit AA, and the column spacer ( The 131 may be formed on the planarization layer 121 positioned on the bezel part BA.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(131) 및 화소전극(125)을 포함한 하부기판(101) 상의 노출된 표면 상에는 하부 배향막(미도시)이 형성될 수 있다.In addition, a lower alignment layer (not shown) may be formed on the exposed surface of the lower substrate 101 including the column spacer 131 and the pixel electrode 125.

한편, 상기 하부기판(101) 상에는 일정한 셀갭을 가지고 상부기판(141)이 배치되어 있으며, 이들 기판(101, 141)의 외곽 테두리부를 따라 씰패턴(151)이 형성됨으로써 상기 하부기판(101)과 상부기판(141)이 합착되어 있다. 이때, 상기 상부기판(141) 전면에는 공통전극(미도시) 및 상부 배향막(미도시)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 공통전극(미도시)은 액정 구동 모드에 따라 상부기판(141) 또는 하부기판(101)에 선택적으로 형성될 수도 있다.On the other hand, the upper substrate 141 is disposed on the lower substrate 101 with a certain cell gap, and a seal pattern 151 is formed along the outer rims of the substrates 101 and 141, The upper substrate 141 is bonded together. In this case, a common electrode (not shown) and an upper alignment layer (not shown) may be formed on the front surface of the upper substrate 141. In addition, the common electrode (not shown) may be selectively formed on the upper substrate 141 or the lower substrate 101 according to the liquid crystal driving mode.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(131)에 의해 일정한 셀갭이 유지되는 하부기판 (101)과 상부기판(141) 사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 있다.In addition, a liquid crystal layer (not shown) is formed between the lower substrate 101 and the upper substrate 141 in which a constant cell gap is maintained by the column spacers 131.

이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치는 블랙 매트릭스 및 블랙 컬럼 스페이서 없이 패널 외곽의 베젤부에 구비된 회로패턴들 사이에 더미패턴을 회로패턴들과 분리되게 형성해 줌으로써, 패널 외곽의 베젤부로부터의 시감을 개선할 수 있다.As described above, in the liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, a dummy pattern is formed to be separated from the circuit patterns between the circuit patterns provided in the bezel part of the outer panel without the black matrix and the black column spacer. The visibility from the bezel part can be improved.

이러한 구성으로 이루어지는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 도 6a 내지 6h를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention having such a configuration will be described with reference to FIGS. 6A to 6H as follows.

도 6a 내지 6h는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 제조 공정 단면도들이다.6A to 6H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저 화상표시부(AA)와 베젤부(BA)가 정의된 투명한 하부기판(101) 상에 스퍼터링 증착법 등의 증착방법을 통해 게이트 금속층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 금속층(미도시)으로는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄계 금속 등으로 이루어진 단일층 또는 이중층 구조가 사용될 수 있다.First, a gate metal layer (not shown) is formed on the transparent lower substrate 101 in which the image display portion AA and the bezel portion BA are defined through a deposition method such as a sputtering deposition method. In this case, as the gate metal layer (not shown), a single layer or double layer structure made of chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum-based metal, or the like may be used.

다음으로, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각공정으로 상기 게이트 금속층(미도시)을 패터닝함으로써, 게이트 배선(미도시)과, 이 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극(103)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 배선 형성시에 공통배선(미도시), 공통배선으로부터의 기준 전압을 공급받는 공통전극(미도시) 등의 패턴들을 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 공통전극 (미도시)은 액정 구동 모드, 예를 들어 TN 모드의 경우에 상부기판(131) 상에 형성할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 6A, by patterning the gate metal layer (not shown) by a photolithography process and an etching process using a first mask, a gate wiring (not shown) and a gate extending from the gate wiring An electrode 103 is formed. In this case, when forming the gate wiring, patterns such as a common wiring (not shown) and a common electrode (not shown) receiving a reference voltage from the common wiring may be formed. In addition, the common electrode (not shown) may be formed on the upper substrate 131 in the case of a liquid crystal driving mode, for example, a TN mode.

이후에, 상기 패턴들이 형성된 하부기판(101) 위에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착방법을 통해 게이트 절연막(105)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 절연막(105)의 재료로는 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질을 이용할 수 있다. Thereafter, a gate insulating layer 105 is formed on the lower substrate 101 on which the patterns are formed through a deposition method such as PECVD or sputtering. In this case, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be used as the material of the gate insulating layer 105.

다음으로, 상기 게이트 절연막(105) 위에 비정질 실리콘층(미도시) 및 n+ 비정질 실리콘층(미도시)을 순차적으로 형성한다. Next, an amorphous silicon layer (not shown) and an n+ amorphous silicon layer (not shown) are sequentially formed on the gate insulating layer 105.

이후에, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각 공정으로 상기 n+ 비정질 실리콘층(미도시) 및 비정질 실리콘층(미도시)을 패터닝 함으로써, 반도체층(107) 및 오믹콘택층(108)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 6B, by patterning the n+ amorphous silicon layer (not shown) and the amorphous silicon layer (not shown) by a photolithography process and an etching process using a second mask, the semiconductor layer 107 And an ohmic contact layer 108 is formed.

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 오믹 콘택층(108) 및 반도체층 (107)을 포함한 하부기판(101) 전면에 소스/드레인 금속층(미도시)을 형성한 후, 제3 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각공정으로 상기 소스/드레인 금속층(미도시)을 패터닝함으로써, 상기 게이트 배선(미도시)과 교차되는 데이트배선(미도시)과, 서로 분리된 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)을 형성한다. 이때, 상기 소스/드레인 금속층(미도시)으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄, 탄탈륨, 몰리브덴 합금(Mo alloy) 등을 이용한다. 따라서, 상기 게이트 전극(103)과, 반도체층(107)과, 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)은 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.Next, as shown in FIG. 6C, after forming a source/drain metal layer (not shown) on the entire surface of the lower substrate 101 including the ohmic contact layer 108 and the semiconductor layer 107, a third mask is formed. By patterning the source/drain metal layer (not shown) by using a photolithography process and an etching process, a data line (not shown) crossing the gate line (not shown), and a source electrode 113a and a drain separated from each other. An electrode 113b is formed. In this case, molybdenum (Mo), titanium, tantalum, molybdenum alloy, or the like is used as the source/drain metal layer (not shown). Accordingly, the gate electrode 103, the semiconductor layer 107, and the source electrode 113a and the drain electrode 113b form a thin film transistor T.

이후에, 상기 소스전극(113a) 및 드레인 전극(113b)을 포함한 게이트 절연막 (105) 위에 PECVD 등의 증착방법으로 보호막(115)을 형성한다. 이때, 상기 보호막 (115)의 재료로는 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질을 이용할 수 있다. Thereafter, a protective layer 115 is formed on the gate insulating layer 105 including the source electrode 113a and the drain electrode 113b by a deposition method such as PECVD. In this case, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be used as the material of the passivation layer 115.

다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(115) 중 상기 화상표시부 (AA)의 화소영역(미도시)에 해당하는 보호막(115) 위에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들로 구성된 컬러필터(117)를 형성한다. 이때, 컬러필터(117)를 형성하기 전 단계에서, 상기 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색 (Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들의 경계지역에 해당하는 하부기판(101) 위에 블랙 매트릭스(미도시)를 형성할 수도 있고, 또는 상기 적색(Red), 녹색 (Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(117R, 117G, 미도시)들 간에 오버랩되는 부위를 블랙 매트릭스 기능, 즉 광을 차단시켜 주는 역할을 수행하도록 할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 6D, red, green, and blue (red), green, and blue ( Blue) A color filter 117 composed of color filters 117R and 117G (not shown) is formed. At this time, in the step before forming the color filter 117, the lower substrate 101 corresponding to the boundary area of the red, green, and blue color filters 117R, 117G, not shown. A black matrix (not shown) may be formed thereon, or a portion overlapping between the red, green, and blue color filters 117R, 117G, not shown, has a black matrix function, that is, It can also play a role of blocking light.

이후에, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(117)을 포함한 보호막 (115) 전면에 평탄화막(121)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화막(121)은 하부기판 (101)의 표면을 평탄화시키는 역할을 한다. 그리고, 상기 평탄화막(121)의 재료로는 게이트 절연막(105)과 같은 무기 절연물질이나, 유전상수가 작은 아크릴(Acry)계 유기화합물, BCB 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연물질을 이용할 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 6E, a planarization layer 121 is formed on the entire surface of the passivation layer 115 including the color filter 117. In this case, the planarization layer 121 serves to planarize the surface of the lower substrate 101. The planarization layer 121 may be formed of an inorganic insulating material such as the gate insulating layer 105, an acrylic organic compound having a small dielectric constant, or an organic insulating material such as BCB or PFCB.

다음으로, 제4 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각공정으로 상기 평탄화막(121), 컬러필터(117) 및 보호막(115)을 순차적으로 패터닝함으로써, 상기 드레인 전극(113b) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(123)을 형성한다.Next, the planarization layer 121, the color filter 117, and the passivation layer 115 are sequentially patterned through a photolithography process and an etching process using a fourth mask, thereby exposing a portion of the drain electrode 113b. A contact hole 123 is formed.

이후에, 상기 드레인 콘택홀(123)을 포함한 평탄화막(121) 위에 스퍼터링 등의 증착방법으로 투명전극 물질층(미도시)을 증착한다. Thereafter, a transparent electrode material layer (not shown) is deposited on the planarization layer 121 including the drain contact hole 123 by a deposition method such as sputtering.

다음으로, 도 6f에 도시된 바와 같이, 제5 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각공정으로 상기 투명전극 물질층(미도시)을 패터닝함으로써, 상기 드레인 전극(113b)과 접촉되는 화소전극(125)을 형성한다. 이때, 상기 투명전극 물질층 재료로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO)이나 주석산화물(Tin Oxide: TO) 또는 인듐아연산화물 (Indium Zinc Oxide)을 이용할 수 있다. 그리고, 상기 화소전극(125)은 화상표시부(AA)의 화소영역(미도시)마다 형성된다.Next, as shown in FIG. 6F, the pixel electrode 125 in contact with the drain electrode 113b is patterned by patterning the transparent electrode material layer (not shown) through a photolithography process and an etching process using a fifth mask. ) To form. In this case, as the material for the transparent electrode material layer, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), or indium zinc oxide may be used. Further, the pixel electrode 125 is formed for each pixel area (not shown) of the image display unit AA.

더욱이, 상기 투명전극 물질층(미도시) 패터닝시에, 상기 베젤부(BA)에 대응하는 하부기판(101)의 평탄화막(121) 상에 GIP 구동 회로패턴들(127)이 이격되어 형성되며, 상기 회로패턴들(127) 사이의 평탄화막(121) 상에는 더미패턴(129)이 형성된다. 이때, 상기 더미패턴(129)은 상기 회로패턴들(127)과 독립적으로 분리 형성된다. 그리고, 상기 회로패턴들(127)과 더미패턴들(129)은 상기 화소전극(125)과 동일 물질층, 즉 투명전극 물질층(미도시)으로 구성된다.Moreover, when patterning the transparent electrode material layer (not shown), the GIP driving circuit patterns 127 are formed to be spaced apart on the planarization layer 121 of the lower substrate 101 corresponding to the bezel part BA. , A dummy pattern 129 is formed on the planarization layer 121 between the circuit patterns 127. In this case, the dummy pattern 129 is formed separately from the circuit patterns 127. Further, the circuit patterns 127 and the dummy patterns 129 are formed of the same material layer as the pixel electrode 125, that is, a transparent electrode material layer (not shown).

이후에, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화막(121) 상에 상기 하부기판 (101)과 상부기판(141)이 일정한 셀갭(Cell gap)을 유지할 수 있도록 컬럼 스페이서(131)를 형성한다. 이때, 상기 컬럼 스페이서(131)는 화상표시부(AA) 내의 박막 트랜지스터(T), 게이트 배선(미도시) 또는 데이터 배선(미도시)과 오버랩되는 위치에 형성할 수 있다, 그리고, 상기 컬럼 스페이서(131)는 베젤부(BA)에 위치하는 평탄화막(121) 상에 형성할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 6G, a column spacer 131 is formed on the planarization layer 121 so that the lower substrate 101 and the upper substrate 141 maintain a constant cell gap. . In this case, the column spacer 131 may be formed at a position overlapping with a thin film transistor T, a gate line (not shown) or a data line (not shown) in the image display unit AA, and the column spacer ( The 131 may be formed on the planarization layer 121 positioned on the bezel part BA.

다음으로, 상기 컬럼 스페이서(131) 및 화소전극(125)을 포함한 하부기판 (101) 상의 노출된 표면상에 하부 배향막(미도시)을 형성할 수 있다.Next, a lower alignment layer (not shown) may be formed on the exposed surface of the lower substrate 101 including the column spacer 131 and the pixel electrode 125.

이후에, 도면에는 도시하지 않았지만, 상부기판(141)의 전면에 공통전극(미도시)을 형성하고, 이어 상부 배향막(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 공통전극(미도시)은 액정 구동 모드에 따라 상부기판(141) 또는 하부기판(101)에 선택적으로 형성될 수도 있다.Thereafter, although not shown in the drawing, a common electrode (not shown) may be formed on the entire surface of the upper substrate 141 and then an upper alignment layer (not shown) may be formed. In this case, the common electrode (not shown) may be selectively formed on the upper substrate 141 or the lower substrate 101 according to the liquid crystal driving mode.

다음으로, 도 6h에 도시된 바와 같이, 상기 하부기판(101) 상에 일정한 셀갭으로 상부기판(141)을 배치한 상태에서 이들 기판(101, 141) 사이에 액정층(미도시)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6H, a liquid crystal layer (not shown) is formed between the substrates 101 and 141 while the upper substrate 141 is disposed on the lower substrate 101 with a constant cell gap. .

이후에, 상기 하부기판(101)과 상부기판(141)의 외곽 테두리부를 따라 씰패턴(151)을 형성하여 상기 하부기판(101)과 상부기판(141)을 합착함으로써, 본 발명의 일 실시 예에 따른 COT 구조의 액정표시장치 제조공정을 완료한다. Thereafter, by forming a seal pattern 151 along the outer edge of the lower substrate 101 and the upper substrate 141 to bond the lower substrate 101 and the upper substrate 141 together, an embodiment of the present invention The manufacturing process of the liquid crystal display device of the COT structure according to the following is completed.

이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치 제조방법은 블랙 매트릭스 및 블랙 컬럼 스페이서 없이 패널 외곽의 베젤부에 구비된 회로패턴들 사이에 더미패턴을 회로패턴들과 분리되게 형성해 줌으로써, 패널 외곽의 베젤부로부터의 시감을 개선할 수 있다.As described above, in a method of manufacturing a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, a dummy pattern is formed to be separated from the circuit patterns between the circuit patterns provided in the bezel part outside the panel without a black matrix and a black column spacer. Visibility from the outer bezel can be improved.

한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치에 대해 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.

도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치의 개략적인 단면도이 고, 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치의 패널 외곽의 베젤부 전면에 구비된 더미패턴을 개략적으로 도시한 평면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 schematically shows a dummy pattern provided on the front of a bezel part outside a panel of a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention. It is a floor plan.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 COT 구조의 액정표시장치(200)는, 도 7 및 8에 도시된 바와 같이, 화상이 구현되는 화상표시부(AA)와, 화상표시부(AA)의 외곽 테두리부에 위치하는 베젤부(BA)로 구분된다.In the liquid crystal display 200 having a COT structure according to another embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 7 and 8, an image display unit AA in which an image is implemented, and an outer edge portion of the image display unit AA It is divided into a bezel part (BA).

상기 화상표시부(AA)의 외곽에 위치하는 베젤부(BA)에는 하부기판(201)과 상부기판(241)을 합착시키는 씰패턴(251)이 구비되어 있다. 그리고, 상기 베젤부(BA)에 해당하는 하부기판(201)의 전면에는 더미패턴(229)이 구비되어 있다.A seal pattern 251 for bonding the lower substrate 201 and the upper substrate 241 is provided on the bezel portion BA positioned outside the image display unit AA. In addition, a dummy pattern 229 is provided on the front surface of the lower substrate 201 corresponding to the bezel part BA.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 COT 구조의 액정표시장치(200)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 어레이 (thin film transistor array) 및 컬러필터 어레이(color filter array)가 형성된 하부기판(201)과, 상기 하부기판(101)과 대응하여 배치되는 상부기판(241) 및, 이들 기판 (201, 241)이 균일한 셀갭(cell gap)이 유지되도록 합착되며 상기 하부기판(201)과 상부기판(241) 사이의 셀갭에 형성되는 액정층(미도시)을 포함한다.In more detail, the liquid crystal display 200 having a COT structure according to another embodiment of the present invention includes a thin film transistor array and a color filter, as shown in FIG. 7. The lower substrate 201 on which the array) is formed, the upper substrate 241 disposed to correspond to the lower substrate 101, and the substrates 201 and 241 are bonded to maintain a uniform cell gap. It includes a liquid crystal layer (not shown) formed in a cell gap between the lower substrate 201 and the upper substrate 241.

화상표시부(AA)와 베젤부(BA)가 정의된 하부기판(201) 상에는 일측 방향으로 게이트 배선(미도시) 및 이 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극(203)이 형성되어 있다. A gate wiring (not shown) and a gate electrode 203 extending from the gate wiring are formed on the lower substrate 201 on which the image display portion AA and the bezel portion BA are defined.

그리고, 게이트 전극(203) 및 게이트 배선(미도시)을 포함한 하부기판(201) 전면에는 게이트 절연막(205)이 형성되어 있다.In addition, a gate insulating film 205 is formed on the entire surface of the lower substrate 201 including the gate electrode 203 and the gate wiring (not shown).

상기 게이트 전극(203) 위의 게이트 절연막(205) 상에는 반도체층(207)과 함께, 서로 분리된 오믹 콘택층(208)이 적층되어 있다.A semiconductor layer 207 and an ohmic contact layer 208 separated from each other are stacked on the gate insulating layer 205 over the gate electrode 203.

상기 반도체층(207) 및 오믹 콘택층(208) 위에는 서로 분리된 소스전극 (213a) 및 드레인 전극(213b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스전극(213a)으로부터 데이터 배선(미도시)이 연장되어 있으며, 이 데이터 배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)과 교차되는 타측 방향으로 형성되어 있다.A source electrode 213a and a drain electrode 213b separated from each other are formed on the semiconductor layer 207 and the ohmic contact layer 208. At this time, a data line (not shown) extends from the source electrode 213a, and the data line (not shown) is formed in the other direction crossing the gate line (not shown).

상기 게이트 전극(203)과, 반도체층(207)과, 소스전극(213a) 및 드레인 전극 (213b)은 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.The gate electrode 203, the semiconductor layer 207, the source electrode 213a and the drain electrode 213b form a thin film transistor T.

그리고, 상기 소스전극(213a) 및 드레인 전극(213b)을 포함한 하부기판(201) 전면에는 보호막(215)이 형성되어 있다.In addition, a protective layer 215 is formed on the entire surface of the lower substrate 201 including the source electrode 213a and the drain electrode 213b.

상기 화상표시부(AA)의 화소영역(미도시)에 해당하는 상기 하부기판(201) 위에는 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(217R, 217G, 미도시)들로 구성된 컬러필터(217)가 형성되어 있다. 이때, 상기 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색 (Blue) 컬러필터(217R, 217G, 미도시)들의 경계지역에 해당하는 하부기판(201) 위에는 블랙 매트릭스(미도시)가 형성되거나, 또는 상기 적색(Red), 녹색 (Green) 및 청색(Blue) 컬러필터(217R, 217G, 미도시)들 간에 오버랩되는 부위가 블랙 매트릭스 기능, 즉 광을 차단시켜 주는 역할을 할 수도 있다.On the lower substrate 201 corresponding to the pixel area (not shown) of the image display unit AA, red, green, and blue color filters 217R, 217G, not shown. A color filter 217 is formed. At this time, a black matrix (not shown) is formed on the lower substrate 201 corresponding to the boundary area of the red, green, and blue color filters 217R, 217G, not shown, or A portion overlapping between the red, green, and blue color filters 217R, 217G (not shown) may serve as a black matrix function, that is, to block light.

그리고, 상기 컬러필터(217)을 포함한 보호막(215) 전면에는 평탄화막(221)이 형성되어 있다. 이때, 상기 평탄화막(221)은 하부기판(201)의 표면을 평탄화시키는 역할을 수행한다.In addition, a planarization layer 221 is formed on the entire surface of the passivation layer 215 including the color filter 217. In this case, the planarization layer 221 serves to planarize the surface of the lower substrate 201.

더욱이, 상기 평탄화막(221)과 칼라필터(217) 및 보호막(215)에는 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(213b) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)이 형성되어 있다.Further, a drain contact hole (not shown) exposing a portion of the drain electrode 213b of the thin film transistor T is formed in the planarization layer 221, the color filter 217, and the passivation layer 215.

그리고, 상기 드레인 콘택홀(미도시)을 포함한 평탄화막(221) 상에는 상기 드레인 전극(215)과 전기적으로 접촉되는 화소전극(225)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소전극(225)은 화상표시부(AA)의 화소영역(미도시)마다 형성된다.Further, a pixel electrode 225 in electrical contact with the drain electrode 215 is formed on the planarization layer 221 including the drain contact hole (not shown). In this case, the pixel electrode 225 is formed for each pixel area (not shown) of the image display unit AA.

상기 베젤부(BA)에 대응하는 하부기판(201)의 평탄화막(221) 상에는, 도 4에서와 같이, 구동 회로패턴들(미도시)이 서로 이격되어 형성되어 있다. 그리고, 상기 구동 회로패턴들(미도시) 사이에 있는 평탄화막(221) 상에는 도 4에서와 같은 더미패턴(미도시, 도 4 129 참조)이 형성되어 있지만, 상기 GIP 구동 회로패턴들 (미도시)이 전혀 형성되지 않은 베젤부(BA)의 다른 지역에는 더미패턴(229)이 형성되어 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 GIP 구동 회로패턴들 (미도시)이 전혀 형성되지 않은 상기 베젤부(BA)의 다른 지역에 대응하는 하부기판(201)의 평탄화막(121)의 전면에는 더미패턴(229)이 형성되어 있다. 이때, 상기 더미패턴 (229)은 상기 화소전극(225)과 동일 물질층으로 구성되어 있다.On the planarization layer 221 of the lower substrate 201 corresponding to the bezel part BA, as shown in FIG. 4, driving circuit patterns (not shown) are formed to be spaced apart from each other. Further, a dummy pattern (not shown, see FIG. 4 129) as in FIG. 4 is formed on the planarization layer 221 between the driving circuit patterns (not shown), but the GIP driving circuit patterns (not shown) A dummy pattern 229 is formed in another area of the bezel part BA in which) is not formed at all. That is, as shown in FIG. 8, the front surface of the planarization layer 121 of the lower substrate 201 corresponding to a different region of the bezel part BA in which the GIP driving circuit patterns (not shown) are not formed at all. In the dummy pattern 229 is formed. In this case, the dummy pattern 229 is formed of the same material layer as the pixel electrode 225.

상기 평탄화막(221) 상에는 상기 하부기판(201)과 상부기판(241)이 일정한 셀갭(Cell gap)을 유지할 수 있도록 컬럼 스페이서(231)이 형성되어 있다. 이때, 상기 컬럼 스페이서(231)는 화상표시부(AA) 내의 박막 트랜지스터(T), 게이트 배선 (미도시) 또는 데이터 배선(미도시)과 오버랩되는 위치에 형성될 수 있다, 그리고, 상기 컬럼 스페이서(231)는 베젤부(BA)에 위치하는 평탄화막(221) 상에 형성될 수 있다.Column spacers 231 are formed on the planarization layer 221 so that the lower substrate 201 and the upper substrate 241 maintain a constant cell gap. In this case, the column spacer 231 may be formed at a position overlapping with a thin film transistor T, a gate line (not shown), or a data line (not shown) in the image display unit AA, and the column spacer ( The 231 may be formed on the planarization layer 221 positioned on the bezel part BA.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(231) 및 화소전극(225)을 포함한 하부기판(201) 상의 노출된 표면 상에는 하부 배향막(미도시)이 형성될 수 있다.In addition, a lower alignment layer (not shown) may be formed on the exposed surface of the lower substrate 201 including the column spacer 231 and the pixel electrode 225.

한편, 상기 하부기판(201) 상에는 일정한 셀갭을 가지고 상부기판(241)이 배치되어 있으며, 이들 기판(201, 241)의 외곽 테두리부를 따라 씰패턴(251)이 형성됨으로써 상기 하부기판(201)과 상부기판(241)이 합착되어 있다. 이때, 상기 상부기판(241) 전면에는 공통전극(미도시) 및 상부 배향막(미도시)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 공통전극(미도시)은 액정 구동 모드에 따라 상부기판(241) 또는 하부기판(201)에 선택적으로 형성될 수도 있다.On the other hand, the upper substrate 241 is disposed on the lower substrate 201 with a certain cell gap, and a seal pattern 251 is formed along the outer rims of the substrates 201 and 241, so that the lower substrate 201 and The upper substrate 241 is bonded together. In this case, a common electrode (not shown) and an upper alignment layer (not shown) may be formed on the entire surface of the upper substrate 241. In addition, the common electrode (not shown) may be selectively formed on the upper substrate 241 or the lower substrate 201 according to the liquid crystal driving mode.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(231)에 의해 일정한 셀갭이 유지되는 하부기판 (201)과 상부기판(241) 사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 있다.In addition, a liquid crystal layer (not shown) is formed between the lower substrate 201 and the upper substrate 241 in which a constant cell gap is maintained by the column spacers 231.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액정표시장치는 블랙 매트릭스 및 블랙 컬럼 스페이서 없이 패널 외곽의 베젤부 중 구동회로패턴들이 전혀 형성되어 있지 않은 지역에 대응하는 하부기판 전면에 더미패턴을 추가로 형성해 줌으로써, 패널 외곽의 베젤부로부터의 시감을 개선할 수 있다.As described above, in the liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, a dummy pattern is additionally added to the front of the lower substrate corresponding to a region in which no driving circuit patterns are formed among the bezel portions outside the panel without a black matrix and a black column spacer. By forming it, it is possible to improve the visibility from the bezel part outside the panel.

이상 도면을 참조하여 실시 예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The embodiments have been described above with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as "comprise", "comprise", or "have" described above mean that the corresponding component may be embedded, unless otherwise stated, and therefore, other components are not excluded. It should be interpreted as being able to further include other components. All terms, including technical or scientific terms, unless otherwise defined, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms generally used, such as terms defined in the dictionary, should be interpreted as being consistent with the meaning of the context of the related technology, and are not interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present invention.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

117: 컬러필터 125: 화소전극
127: 회로패턴 129: 더미패턴
131: 컬럼 스페이서 151: 씰패턴
117: color filter 125: pixel electrode
127: circuit pattern 129: dummy pattern
131: column spacer 151: seal pattern

Claims (8)

서로 대향하고, 화상표시부와 베젤부가 정의되며, 상기 베젤부에 위치하는 씰패턴에 의해 합착되는 하부기판 및 상부기판;
상기 하부기판에 구비된 박막 트랜지스터 및 컬러필터;
상기 컬러필터의 상부에 구비되고, 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극;
상기 하부기판의 베젤부에 구비된 복수 개의 회로패턴; 및
상기 베젤부의 회로패턴들 사이에 구비된 더미패턴을 포함하되,
상기 더미패턴은 상기 하부기판의 최외곽을 포함한 상기 베젤부 중 상기 회로패턴들이 위치하지 않는 영역의 전면에 위치하고,
상기 씰패턴은 상기 하부기판의 최외곽에 위치하며,
상기 더미패턴은 상기 씰패턴과 중첩하는 영역을 포함하는 액정표시장치.
A lower substrate and an upper substrate facing each other, defining an image display portion and a bezel portion, and bonded together by a seal pattern disposed on the bezel portion;
A thin film transistor and a color filter provided on the lower substrate;
A pixel electrode provided on the color filter and in contact with the thin film transistor;
A plurality of circuit patterns provided on the bezel portion of the lower substrate; And
Including a dummy pattern provided between the circuit patterns of the bezel part,
The dummy pattern is located on the front surface of a region in which the circuit patterns are not located among the bezel parts including the outermost part of the lower substrate,
The seal pattern is located at the outermost side of the lower substrate,
The dummy pattern includes a region overlapping the seal pattern.
제1 항에 있어서, 상기 더미패턴은 화소전극과 동일 물질층으로 구성된 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the dummy pattern is formed of the same material layer as the pixel electrode. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 더미패턴은 하부기판의 회로패턴들과 독립적으로 분리된 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the dummy pattern is independently separated from circuit patterns of a lower substrate. 화상표시부와 베젤부가 정의된 하부기판 및 상부기판을 제공하는 단계;
상기 하부기판에 박막 트랜지스터 및 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 컬러필터의 상부에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 평탄화막 상에 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계;
상기 베젤부에 대응하는 평탄화막 상에 복수 개의 회로패턴을 형성함과 동시에 상기 회로패턴들 사이의 평탄화막 상에 더미패턴을 형성하는 단계; 및
상기 베젤부에 위치하는 씰패턴을 이용하여 상기 하부기판과 상기 상부기판을 합착하는 단계를 포함하되,
상기 더미패턴은 상기 하부기판의 최외곽을 포함하여 상기 베젤부 중 상기 회로패턴들이 형성되지 않은 영역의 전면에 형성되고,
상기 씰패턴은 상기 하부기판의 최외곽에 위치하며,
상기 더미패턴은 상기 씰패턴과 중첩하는 영역을 포함하는 액정표시장치 제조방법.
Providing a lower substrate and an upper substrate in which an image display portion and a bezel portion are defined;
Forming a thin film transistor and a color filter on the lower substrate;
Forming a planarization layer on the color filter;
Forming a pixel electrode on the planarization layer in contact with the thin film transistor;
Forming a plurality of circuit patterns on the planarization layer corresponding to the bezel portion and forming a dummy pattern on the planarization layer between the circuit patterns; And
Including the step of bonding the lower substrate and the upper substrate using a seal pattern located on the bezel,
The dummy pattern is formed on the entire surface of a region of the bezel part in which the circuit patterns are not formed, including the outermost part of the lower substrate,
The seal pattern is located at the outermost side of the lower substrate,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the dummy pattern includes a region overlapping the seal pattern.
제5 항에 있어서, 상기 더미패턴은 화소전극과 동일 물질층으로 이루어진 액정표시장치 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the dummy pattern is formed of the same material layer as the pixel electrode. 삭제delete 제5 항에 있어서, 상기 더미패턴은 하부기판의 회로패턴들과 독립적으로 분리하는 액정표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein the dummy pattern is independently separated from circuit patterns of a lower substrate.
KR1020140192575A 2014-12-29 2014-12-29 Liquid crystal display device and method for fabricating the same KR102248877B1 (en)

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