KR102248022B1 - Substrate for optical device package and optical device package comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광소자 패키지 기판 및 이를 포함하는 광소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an optical device package substrate and an optical device package including the same.
반도체 발광 다이오드인 LED(Light Emitting Diode)는 공해를 유발하지 않는 친환경성 광원으로 다양한 분야에서 주목받고 있다. 최근 들어, LED의 사용범위가 실내외 조명, 자동차 헤드라이트, 디스플레이 장치의 백라이트 유닛, 살균/경화 용도 등 다양한 분야로 확대됨에 따라 LED의 고효율 및 우수한 열 방출 특성이 필요하게 되었다. 고효율의 LED를 얻기 위해서는 LED 패키지의 구조 및 그에 사용되는 재료 등도 개선할 필요가 있다.LED (Light Emitting Diode), which is a semiconductor light emitting diode, is attracting attention in various fields as an eco-friendly light source that does not cause pollution. In recent years, as the range of use of LEDs has been expanded to various fields such as indoor and outdoor lighting, automobile headlights, backlight units of display devices, and sterilization/curing applications, high efficiency and excellent heat dissipation characteristics of LEDs are required. In order to obtain a high-efficiency LED, it is necessary to improve the structure of the LED package and the materials used therein.
다시 말해, 고효율의 LED에서는 고열이 발생되기 때문에 이를 효과적으로 방출하지 못하면 LED의 온도가 높아져서 그 특성이 열화될 수 있다. 이에 따라 LED 수명은 줄어들게 된다. 따라서, 고효율의 LED 패키지를 구성함에 있어서, LED로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시키고자 하는 노력이 진행되고 있다.In other words, since high-efficiency LEDs generate high heat, if they do not emit them effectively, the temperature of the LEDs may increase and its characteristics may deteriorate. Accordingly, the lifetime of the LED is reduced. Therefore, in constructing a high-efficiency LED package, efforts are being made to effectively dissipate heat generated from the LED.
이하의 설명에서는 LED를 포함하여 광을 방출하는 각종 소자를 총칭하여 '광소자'라 한다.In the following description, various devices that emit light including LEDs are collectively referred to as'optical devices'.
광소자는 광소자 실장 기판의 캐비티 내에 실장되고, 이에 따라 광소자 패키지가 구성될 수 있다. 광소자 실장 기판은 주로 열 전도도 및 전기 전도도가 좋은 금속 재질로 구성될 수 있다.The optical device is mounted in the cavity of the optical device mounting substrate, and thus an optical device package may be configured. The optical device mounting substrate may be mainly made of a metal material having good thermal conductivity and electrical conductivity.
그런데, 금속 재질로 구성된 광소자 실장 기판은 광소자로부터 발생되는 열을 방출시키는 방열 측면에서는 장점이 있으나, 광소자에서 생성된 열에 의해 열팽창될 수 있다. 이로 인해 광소자 실장 기판의 캐비티 내에 광소자를 구비할 경우, 캐비티의 바닥면과 광소자의 단자가 접합되면서 형성된 광소자 접합 부위가 광소자 실장 기판의 열팽창에 의해 파손되는 문제가 야기될 수 있다.However, the optical device mounting substrate made of a metal material has an advantage in terms of radiating heat generated from the optical device, but may be thermally expanded by heat generated by the optical device. For this reason, when an optical device is provided in the cavity of the optical device mounting substrate, the optical device bonding portion formed when the bottom surface of the cavity and the terminal of the optical device are bonded may be damaged due to thermal expansion of the optical device mounting substrate.
구체적으로, 광소자는 가압열접착(구체적으로, 유테틱 본딩)을 이용하여 광소자 실장 기판의 캐비티 내의 바닥면에 단자를 접합하는 형태로 구비될 수 있다. 이 때, 광소자에서 방출되는 열에 의해 금속 재질의 광소자 실장 기판이 열팽창될 수 있다. 광소자 실장 기판의 열팽창에 따라 캐비티의 바닥면도 열팽창하고, 캐비티의 바닥면 중 광소자의 단자와 접합된 광소자 접합 부위도 열팽창될 수 있다. 그 결과 광소자 접합 부위가 파손되는 문제가 발생하고, 나아가 광소자의 파손 문제가 발생할 수 있다.Specifically, the optical device may be provided in a form in which the terminal is bonded to the bottom surface of the cavity of the optical device mounting substrate using pressurized thermal bonding (specifically, uthetic bonding). In this case, the optical device mounting substrate made of a metal material may be thermally expanded by heat emitted from the optical device. According to the thermal expansion of the optical device mounting substrate, the bottom surface of the cavity may also be thermally expanded, and the optical device junction portion of the bottom surface of the cavity bonded to the terminal of the optical device may also be thermally expanded. As a result, a problem of damage to the optical device bonding portion may occur, and further, a problem of damage to the optical device may occur.
이에 따라 열방출 특성은 그대로 이용하면서 금속 재료로 구성된 기판의 단점을 보완할 수 있는 구조의 개발이 필요하다. Accordingly, it is necessary to develop a structure capable of supplementing the disadvantages of a substrate made of a metal material while using the heat dissipation characteristics as it is.
이에 본 발명은 광소자의 광추출 효율의 저하를 방지하면서 발열에 의해 광소자 또는 광소자의 접합 부위의 파손을 방지하는 광소자 패키지 기판 및 이를 포함하는 광소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical device package substrate and an optical device package including the same, which prevents a decrease in light extraction efficiency of the optical device and prevents damage to an optical device or a junction portion of the optical device by heat generation.
본 발명의 일 특징에 따른 광소자 패키지 기판은, 제1기판과 제2기판이 결합되어 형성된 광소자 패키지 기판에 있어서, 상기 제1기판은, 금속 재질로 이루어지고, 바닥면 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역을 포함하고, 상기 제2기판은, 상기 제1기판보다 열팽창 계수가 낮은 재질로 이루어진 바디; 상기 바디의 상면에 형성된 상부 접속 패드; 상기 바디의 하면에 형성된 하부 접속 패드; 및 상기 상부 접속 패드와 상기 하부 접속 패드를 연결하는 비아도체;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The optical device package substrate according to one aspect of the present invention is an optical device package substrate formed by combining a first substrate and a second substrate, wherein the first substrate is made of a metal material, and at least a portion of the bottom surface is removed. A body formed of a material having a lower coefficient of thermal expansion than the first substrate; An upper connection pad formed on the upper surface of the body; A lower connection pad formed on a lower surface of the body; And a via conductor connecting the upper connection pad and the lower connection pad.
또한, 상기 제2기판은 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the second substrate is characterized in that it is made of a ceramic material.
또한, 상기 제1, 2기판 중 적어도 하나에 돌기부가 형성되고, 그 나머지에 상기 돌기부가 수용되는 홈이 형성되고, 상기 제1, 2기판은 상기 홈에 상기 돌기부가 삽입되어 접합되는 것을 특징으로 한다.In addition, a protrusion is formed in at least one of the first and second substrates, and a groove is formed in the remaining of the protrusions, and the first and second substrates are joined by inserting the protrusions into the grooves. do.
또한, 상기 관통 영역의 중심축은 상기 제1기판의 캐비티 내에서 일측으로 편심되는 것을 특징으로 한다.In addition, the central axis of the through region may be eccentric to one side within the cavity of the first substrate.
또한, 상기 상부 접속 패드가 한 쌍으로 이루어지고, 상기 하부 접속 패드가 한 쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper connection pads are formed in a pair, and the lower connection pads are formed in a pair.
또한, 상기 상부 접속 패드 중 적어도 하나는 마킹부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, at least one of the upper connection pads is characterized in that it has a marking portion.
본 발명의 다른 특징에 따른 광소자 패키지는, 금속 재질로 이루어지고, 바닥면 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역을 포함하는 제1기판; 상기 제1기판의 하부에 결합되고, 세라믹 재질의 바디, 상기 바디의 상면에 형성된 상부 접속 패드, 상기 바디의 하면에 형성된 하부 접속 패드 및 상기 상부 접속 패드와 상기 하부 접속 패드를 연결하는 비아도체를 포함하는 제2기판; 상기 상부 접속 패드의 상면에 구비되는 광소자; 상기 광소자와 간격을 두고 상기 상부 접속 패드의 적어도 하나의 상면에 구비되는 제너다이오드; 및 상기 제1기판의 캐비티의 상부에 상기 캐비티를 덮는 광투과 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An optical device package according to another aspect of the present invention includes: a first substrate made of a metal material and including a through region formed by removing at least a portion of a bottom surface; A body of ceramic material, an upper connection pad formed on the upper surface of the body, a lower connection pad formed on the lower surface of the body, and a via conductor connecting the upper connection pad and the lower connection pad, which is coupled to the lower portion of the first substrate. A second substrate including; An optical device provided on an upper surface of the upper connection pad; A zener diode provided on at least one upper surface of the upper connection pad at a distance from the optical device; And a light transmitting member covering the cavity above the cavity of the first substrate.
본 발명에 의한 광소자 패키지 기판 및 이를 포함하는 광소자 패키지는 다음과 같은 효과가 있다.The optical device package substrate and the optical device package including the same according to the present invention have the following effects.
본 발명에 의한 광소자 패키지 기판 및 이를 포함하는 광소자 패키지는, 고효율 광추출 구조를 구현하면서 광소자의 발열에 의한 광소자 및 광소자 접합 부위의 파손을 방지하는 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 광소자에서 발생한 열을 방출시키는 방열 측면에서도 효과를 가질 수 있다.The optical device package substrate and the optical device package including the same according to the present invention can exhibit an effect of preventing damage to an optical device and a junction portion of the optical device due to heat generation of the optical device while implementing a high-efficiency light extraction structure. In addition, it may have an effect in terms of heat dissipation of dissipating heat generated from the optical device.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판을 도시한 도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판을 위에서 바라보고 도시한 도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판을 구성하는 제1기판을 위에서 바라보고 도시한 도.
도 4는 도 3의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 5는 도 3의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 6은 도 3의 제1기판을 아래에서 바라보고 도시한 도.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판을 구성하는 제2기판을 위에서 바라보고 도시한 도.
도 8은 도 7의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 9는 도 7의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 10은 도 9의 제2기판을 아래에서 바라보고 도시한 도.
도 11은 제2기판의 다른 실시 예를 도시한 도.
도 12은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지를 위에서 바라보고 도시한 도.
도 13는 도 12의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 14은 도 12의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 15는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지의 변형 예를 위에서 바라보고 도시한 도.
도 16은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지를 위에서 바라보고 도시한 도.
도 17은 도 16의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 18은 도 16의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 19는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지의 변형 예를 위에서 바라보고 도시한 도.
도 20은 도 19의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도.
도 21은 도 19의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도.1 is a diagram illustrating an optical device package substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating an optical device package substrate according to an exemplary embodiment of the present invention as viewed from above.
3 is a view illustrating a first substrate constituting an optical device package substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, viewed from above.
Figure 4 is a view showing a surface cut along the line A-A' of Figure 3;
FIG. 5 is a view showing a surface cut along line B-B' of FIG. 3;
6 is a view showing the first substrate of FIG. 3 viewed from below.
7 is a view illustrating a second substrate constituting an optical device package substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, viewed from above.
FIG. 8 is a view showing a surface cut along line A-A' of FIG. 7.
9 is a view showing a surface cut along line B-B' of FIG. 7;
10 is a view showing the second substrate of FIG. 9 viewed from below.
11 is a view showing another embodiment of a second substrate.
12 is a view illustrating an optical device package according to a first embodiment of the present invention as viewed from above.
FIG. 13 is a view showing a surface cut along line A-A' of FIG. 12;
14 is a view showing a plane cut along line B-B' of FIG. 12;
15 is a view showing a modified example of the optical device package according to the first embodiment of the present invention as viewed from above.
16 is a view illustrating an optical device package according to a second exemplary embodiment of the present invention as viewed from above.
FIG. 17 is a view showing a surface cut along line A-A' of FIG. 16;
18 is a view showing a surface cut along line B-B' of FIG. 16;
19 is a view showing a modified example of an optical device package according to a second embodiment of the present invention as viewed from above.
FIG. 20 is a view showing a surface cut along line A-A' of FIG. 19;
FIG. 21 is a view showing a plane cut along line B-B' of FIG. 19;
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following content merely exemplifies the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can implement the principles of the invention and invent various devices included in the concept and scope of the invention, although not clearly described or illustrated herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and examples listed in the present specification are, in principle, clearly intended only for the purpose of understanding the concept of the invention, and are not limited to the embodiments and states specifically listed as described above. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, and accordingly, a person of ordinary skill in the technical field to which the invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the invention. .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described in the present specification will be described with reference to cross-sectional views that are ideal examples of the present invention. The thicknesses and diameters of holes in the areas shown in these drawings are exaggerated for effective explanation of the technical content. The shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and/or tolerance. In addition, the number of LEDs shown in the drawings is shown in the drawings only a part by way of example. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to a manufacturing process.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)을 도시한 도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)을 구성하는 제1기판(P1)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 4는 도 3의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 5는 도 3의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 6은 도 3의 제1기판(P1)을 아래에서 바라보고 도시한 도이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)을 구성하는 제2기판(P2)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 8은 도 7의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 9는 도 7의 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 10은 도 7의 제2기판(P2)을 아래에서 바라보고 도시한 도이다.1 is a diagram illustrating an optical
도 1에 도시된 바와 같이, 광소자 패키지 기판(10)은, 제1기판(P1) 및 제1기판(P1)의 하부에 결합되는 제2기판(P2)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the optical
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)은 금속 재질로 이루어지고, 바닥부(F) 중 일부가 제거되어 형성된 관통 영역(11c)을 포함할 수 있다. 제1기판(P1)을 구성하는 금속 재질은, 알루미늄을 포함할 수 있다.4 and 5, the first substrate P1 is made of a metal material, and may include a through
보다 구체적으로 설명하면, 금속 재질로 이루어지는 제1기판(P1)은, 바닥부(F) 및 경사측면(11a)으로 구성되는 캐비티(C) 및 캐비티(C)의 바닥부(F) 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역(11c)을 포함하여 구성될 수 있다.More specifically, the first substrate P1 made of a metal material is at least a part of the cavity C composed of the bottom part F and the
제1기판(P1)은 금속 재질이 한 몸체로 구성된 형태일 수 있다. 다시 말해, 제1기판(P1)은 바닥부(F) 및 관통 영역(11c)을 포함하는 금속 재질로 구성된 하나의 바디로 이루어진 형태일 수 있다.The first substrate P1 may be formed of a metal material as one body. In other words, the first substrate P1 may be formed of a single body made of a metal material including the bottom portion F and the through
제1기판(P1)은 소정 깊이의 홈 형상으로 캐비티(C)가 형성될 수 있다. 캐비티(C)는 바닥부(F) 및 바닥부(F)로부터 상부로 외측 경사지게 연장되는 경사측면(11a)으로 구성될 수 있다. 캐비티(C)의 바닥부(F) 중 일부는 제거될 수 있다. 이에 따라 캐비티(C)의 바닥부(F)에는 관통 영역(11c)이 구비될 수 있다. The first substrate P1 may have a cavity C formed in a groove shape having a predetermined depth. The cavity C may include a bottom portion F and an
캐비티(C)의 바닥부(F)는 바닥부(F) 중 일부를 제거하여 형성된 관통 영역(11c) 및 제거되지 않은 나머지 일부에 의해 형성된 바닥면(11b)을 포함할 수 있다. 이에 따라 제1기판(P1)의 바닥부(F)는, 캐비티(C)의 바닥부(F)의 바닥면(11b) 및 관통 영역(11c)을 포함하여 구성될 수 있다. 따라서, 제1기판(P1)의 바닥부(F) 및 캐비티(C)의 바닥부(F)는 동일한 부호가 부여된다. The bottom portion F of the cavity C may include a through
캐비티(C)의 바닥면(11b)은, 광소자(O)에서 생성된 광을 반사시키는 반사면 중 하나로서 기능할 수 있다. 이 경우, 바닥면(11b)의 두께는 상면에 광소자(O)의 단자가 접합되는 상부 접속 패드(16)의 두께보다 작거나 동일할 수 있다.The
상세히 설명하면, 캐비티(C)의 바닥면(11b)은 반사면으로서 기능하므로, 후술하는 광소자 실장 공간(OS)에 광소자(O)가 구비될 경우, 광소자(O)에서 생성된 광을 효과적으로 반사시키기에 적합한 위치에 구비되어야 한다.In detail, since the
예컨대, 캐비티(C)의 바닥면(11b)의 두께가 상부 접속 패드(16)의 두께보다 두꺼워서 바닥면(11b)의 높이가 상부 접속 패드(16)의 높이보다 높은 위치에 위치할 경우, 상부 접속 패드(16)의 상면에 접합되는 광소자(O)의 양측면부에서 생성된 광이 바닥면(11b)을 통해 반사되는 것이 어려울 수 있다. 광소자(O)의 양측면부에서 생성된 광이 바닥면(11b)에서 제대로 반사되지 못하고, 광이 바닥면(11b)을 빗겨가거나 바닥면(11b)의 외측부 또는 바닥면(11b)의 모서리부에 부딪칠 수 있기 때문이다. For example, when the thickness of the
다시 말해, 바닥면(11b)의 두께가 상부 접속 패드(16)의 높이보다 높은 위치에 위치할 경우, 광소자(O)의 광의 반사 효율이 저하될 수 있다.In other words, when the thickness of the
하지만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 캐비티(C)의 바닥면(11b)의 두께를 상부 접속 패드(16)의 두께보다 작거나 동일하게 형성하여, 바닥면(11b)이 상부 접속 패드(16)의 높이보다 낮은 높이에 위치하거나, 동일한 높이에 위치하도록 형성할 수 있다.However, in the optical
이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 광소자 실장 공간(OS)에 광소자(O)를 구비할 경우, 광소자(O)의 모든 면에서 생성된 광이 바닥면(11b)을 빗겨가거나, 바닥면(11b)을 벗어난 부분에 부딪치지 않고 바닥면(11b)을 통해 효과적으로 반사될 수 있다.Accordingly, in the optical
캐비티(C)의 관통 영역(11c)은 캐비티(C)의 바닥부(F)의 일부가 제거됨으로써 형성되는 영역이고, 캐비티(C)의 바닥면(11b)은 캐비티(C)의 바닥부(F)의 나머지 일부가 제거되지 않음으로써 형성되는 영역일 수 있다. 따라서, 캐비티(C)의 관통 영역(11c)의 면적은 캐비티(C)의 바닥부(F)의 면적보다 작은 면적으로 형성될 수 있다.The through
캐비티(C)는 경사측면(11a)에서 바닥부(F)로 갈수록 내부 지름이 작아지는 형태로 형성될 수 있다.The cavity C may be formed in a shape in which the inner diameter decreases from the
제1기판(P1)은 캐비티(C)의 상부에 광투과 부재 안착부(12)를 구비할 수 있다. 도 1, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 광투과 부재 안착부(12)는 캐비티(C)의 상부에 형성되되, 캐비티(C)의 상부 개구의 수평 면적보다 큰 면적으로 형성될 수 있다. 광투과 부재 안착부(12)는 기계적 가공을 이용하여 캐비티(C)의 상부 개구의 지름을 확장함으로써 형성될 수 있다. The first substrate P1 may include a light-transmitting
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 광투과 부재 안착부(12)는 4개의 둥근 모서리부(12a)를 포함하는 사각형 단면 형상으로 형성될 수 있다. 광투과 부재 안착부(12)는 수평 단면 형상이 사각형 단면으로 형성되는 광투과 부재(19)를 안착시키기 위해 구비될 수 있다. 그런데, 광투과 부재 안착부(12)는 기계적 가공을 이용하여 형성되므로, 수평 단면 형상이 사각형 단면을 갖도록 형성되기가 어렵다. 이에 따라, 광투과 부재 안착부(12)는 사각형 단면을 갖는 광투과 부재(19)의 4개의 모서리(19a)를 수용하기 위해 수평 단면 형상이 4개의 둥근 모서리부(12a)를 포함하는 사각형 단면 형상으로 형성될 수 있다. 2 and 3, the light-transmitting
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 광투과 부재 안착부(12)는 면과 면이 만나서 모서리를 형성하는 부위의 면적이 외측으로 확장되어 모서리를 형성하는 부위의 형상이 호의 형상으로 형성될 수 있다. 이로 인해 광투과 부재 안착부(12)는, 수평 단면 형상이 4개의 둥근 모서리부(12a)를 포함하는 사각형 단면 형상으로 형성되되, 4개의 둥근 모서리부(12a)가 호의 형상으로 외측으로 돌출되는 형태로 형성될 수 있다. 이와 같은 형상에 의해 광투과 부재 안착부(12)는 수평 단면 형상이 사각형 단면으로 형성되는 광투과 부재(19)의 안착시, 광투과 부재(19)의 모서리(19a)가 광투과 부재 안착부(12)의 모서리를 형성하는 부위에 접촉되어 손상되는 문제가 방지될 수 있다.2 and 3, the light-transmitting
도 2에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)의 광투과 부재 안착부(12)의 4개의 둥근 모서리부(12a) 중 적어도 하나에 얼라인 마크(13)를 구비할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 다른 광소자 패키지 기판(10)은 얼라인 마크(13)를 구비함으로써, 광투과 부재 안착부(12)에 광투과 부재(19)를 안착시킬시, 보다 효율적으로 광투과 부재(19)의 안착 위치를 조정하여 안착시킬 수 있다. As shown in FIG. 2, the
도 2에 도시된 얼라인 마크(13)의 위치는 일 예로서 도시된 것이다. 얼라인 마크(13)의 구비 위치는 이에 한정되지 않는다. 또한, 얼라인 마크(13)의 구비 개수도 이에 한정되지 않는다. 다시 말해, 얼라인 마크(13)는 복수개 구비될 수도 있다.The position of the
얼라인 마크(13)는 바람직하게는, 광투과 부재 안착부(12)의 4개의 둥근 모서리부(12a) 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. 이에 따라 광투과 부재(19)는 광투과 부재(19)의 적어도 하나의 모서리(19a)를 기준으로 광투과 부재 안착부(12)에 대한 안착 과정이 쉽게 이루어질 수 있다.The
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)은 캐비티(C)의 바닥부(F) 중 적어도 일부가 제거되어 관통 영역(11c)이 형성될 수 있다. 또한, 제1기판(P1)은 캐비티(C)의 바닥부(F) 중 제거되지 않은 나머지 일부에 의해 바닥면(11b)을 구비할 수 있다.4 and 5, at least a part of the bottom portion F of the cavity C may be removed from the first substrate P1 to form a through
다시 말해, 제1기판(P1)의 바닥부(F)는 관통 영역(11c) 및 캐비티(C)의 바닥부(F)중 제거되지 않은 나머지 일부 영역에 의해 형성된 바닥면(11b)을 포함하여 구성될 수 있다. In other words, the bottom portion F of the first substrate P1 includes the through
도 3에 도시된 바와 같이, 관통 영역(11c)의 중심축은 제1기판(P1)의 캐비티(C) 내에서 일측으로 편심될 수 있다. 도 3에 도시된 관통 영역(11c)의 중심축이 편심되는 제1기판(P1)의 캐비티(C) 내에서 일측은, 일 예로서 도 3의 도면상 상측일 수 있다. 이는 일 예로서 도시된 것이므로 관통 영역(11c)의 중심축이 편심되는 일측은 이에 한정되지 않는다.As shown in FIG. 3, the central axis of the through
도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)의 캐비티(C)내에서 관통 영역(11c)의 중심축이 일측으로 편심되는 구조에 있어서, 관통 영역(11c)의 중심축이 편심되는 일측의 바닥부(F)에는 바닥면(11b)이 구비될 수 있다.3 and 5, in the structure in which the central axis of the through
다시 말해, 제1기판(P1)에서, 관통 영역(11c)의 중심축이 캐비티(C) 내에서 일측으로 편심되도록 형성되더라도 관통 영역(11c)의 주변에는 바닥면(11b)이 모두 형성된 형태일 수 있다. 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)의 관통 영역(11c)은 바닥면(11b)에 의해 둘러싸일 수 있다. 이로 인해 광소자 실장 공간(OS)에 구비되는 광소자(O)에서 생성되는 광이 관통 영역(11c)을 연속적으로 둘러싸도록 형성되는 바닥면(11b)을 통해서 반사될 수 있다. 그 결과 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 고효율의 반사율을 유지하는 광소자 실장 공간(OS)을 구비할 수 있다.In other words, in the first substrate P1, even if the central axis of the through
관통 영역(11c)은 제1, 2기판(P1, P2)이 결합되는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)에 제너다이오드(20)가 실장될 때, 제너다이오드(20)의 실장 위치를 용이하게 확보하기 위해 캐비티(C) 내에서 그 중심축이 일측으로 편심되는 형태로 형성될 수 있다.When the
금속 재질로 이루어진 제1기판(P1)은, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)에 광소자(O)가 실장될 경우, 바닥면(11b) 및 경사측면(11a)을 통해 광소자(O)에서 생성된 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. When the optical device O is mounted on the optical
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 경사측면(11a) 및 바닥면(11b)을 포함하는 제1기판(P1)을 통해서 광소자(O)에서 생성된 광의 광추출 효율이 저하되지 않도록 반사면을 충분히 확보할 수 있다. The optical
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)은 상면의 테두리를 따라 감광성 솔더 레지스트(21)를 구비할 수 있다.As shown in FIGS. 3 to 5, the first substrate P1 may include a photosensitive solder resist 21 along the edge of the upper surface.
감광성 솔더 레지스트(21)는 광투과 부재 안착부(12)의 바깥 영역에 형성될 수 있다. 감광성 솔더 레지스트(21)는, 광소자 패키지 원판을 절단 장치를 이용하여 개별의 광소자 패키지 기판(10)으로 절단하는 절단 공정(다이싱 공정)에서, 상기 원판의 상면에서부터 하면으로 다이싱 하면서 발생하는 버(burr)가 최소화될 수 있다. The photosensitive solder resist 21 may be formed outside the light-transmitting
제2기판(P2)은 제1기판(P1)보다 열팽창 계수가 낮은 재질로 이루어진 바디(15), 바디(15)의 상면에 형성된 상부 접속 패드(16), 바디(15)의 하면에 형성된 하부 접속 패드(17) 및 상부 접속 패드(16)와 하부 접속 패드(17)를 연결하는 비아도체(V)를 포함하여 구성될 수 있다.The second substrate P2 includes a
바디(15)는 제1기판(P1)의 열팽창 계수보다 열팽창 계수가 낮은 재질로 구성될 수 있다. 일 예로서, 바디(15)는 세라믹 재질로 구성될 수 있고, 세라믹 재질은 알루미늄 나이트라이드를 포함할 수 있다. The
바디(15)를 구성하는 재질은 이에 한정되지 않으며, 이하에서는, 일 예로서, 바디(15)를 구성하는 재질이 세라믹 재질인 것으로 설명한다.The material constituting the
도 7에 도시된 바와 같이, 제2기판(P2)은 바디(15)의 상면에 상부 접속 패드(16)를 구비할 수 있다. 상부 접속 패드(16)는 한 쌍으로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상부 접속 패드(16)는 (+)전극 단자로 기능하는 제1상부 접속 패드(16a) 및 (-)전극 단자로 기능하는 제2상부 접속 패드(16b)로 구성될 수 있다. 상부 접속 패드(16)는 한 쌍의 구성으로 한정되지 않고, 3개 이상의 복수개로 이루어질 수도 있다.As shown in FIG. 7, the second substrate P2 may include an
제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b)는 소정의 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b)는 이격 거리를 두고 형성되어 세라믹 재질의 바디(15)에 의해 절연될 수 있다.The first and second
상부 접속 패드(16) 중 적어도 하나는 마킹부(22)를 구비할 수 있다. 마킹부(22)는 상부 접속 패드(16)의 (+), (-) 전극을 구분하기 위해 구비될 수 있다. 마킹부(22)는 상부 접속 패드(16)의 전극을 구분하기 위한 형태라면 형상 및 위치에 대한 한정이 없다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 일 예로서, 제1상부 접속 패드(16a)에 마킹부(22)가 구비되고, 상부 접속 패드(16) 중 마킹부(22)가 구비되는 적어도 하나가 (+) 전극 단자로서 기능하는 것으로 설명한다.At least one of the
도 7에 도시된 바와 같이, 제1상부 접속 패드(16a)의 일측에는 마킹부(22)가 구비될 수 있다. 일 예로서, 마킹부(22)는 수평 단면 형상이 삼각형 단면 형상을 갖는 홈의 형태로 구비될 수 있다. 제1상부 접속 패드(16a)는 일측의 적어도 일부에 함몰되는 홈이 형성됨으로써 마킹부(22)를 구비할 수 있다. 도 7에 도시된 마킹부(22)의 형상 및 위치는 일 예로서 도시된 것이므로 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 한 쌍으로 구비되는 상부 접속 패드(16)에 마킹부(22)를 구비함으로써 전극의 구분이 시각적으로 쉽게 이루어지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 7, a marking
상부 접속 패드(16)는 전기 전도성을 갖는 재질로 구성될 수 있다.The
상부 접속 패드(16)에는 비아도체홀(VH)이 형성될 수 있다. 상부 접속 패드(16)에 구비되는 비아도체홀(VH)은 상부 비아도체홀(UVH)일 수 있다. 상부 비아도체홀(UVH)에는 금속 물질이 충진될 수 있다. 상부 비아도체홀(UVH)은 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b) 각각에 구비될 수 있다. 일 예로서, 상부 비아도체홀(UVH)은 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b) 각각에 2개씩 소정의 이격 거리를 두고 구비될 수 있다. 도 7에 도시된 비아도체홀(VH)의 개수 및 위치는 일 예로서 도시된 것이므로 이에 한정되지 않는다.A via conductor hole VH may be formed in the
비아도체홀(VH)은 상부 접속 패드(16)의 최외곽에 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상부 비아도체홀(UVH)은 상부 접속 패드(16)의 최외곽에 형성될 수 있다. 상부 접속 패드(16)는 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b)의 구성으로 한 쌍으로 구비될 수 있다. 따라서, 비아도체홀(VH)은 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b) 각각의 최외곽에 형성될 수 있다. The via conductor hole VH may be formed at the outermost side of the
비아도체홀(VH)은 상부 접속 패드(16)의 최외곽에 형성되어 그 내부에 비아도체(V)가 구비될 경우, 광소자(O)가 접합된 상부 접속 패드(16)를 위에서 바라볼 때 광소자(O)의 외측 주변에 비아도체(V)가 구비되는 구조가 형성되도록 할 수 있다.When the via conductor hole (VH) is formed at the outermost side of the upper connection pad (16) and the via conductor (V) is provided therein, the upper connection pad (16) to which the optical element (O) is bonded can be viewed from above. In this case, a structure in which the via conductor V is provided around the outside of the optical device O may be formed.
비아도체홀(VH)은 상부 접속 패드(16)의 최외곽에 구비됨으로써, 내부에 비아도체(V)가 구비될 경우 비아도체(V)를 통한 광소자(O)의 단자로의 전기적 연결을 효과적으로 구현할 수 있다. 예를 들어, 제1상부 접속 패드(16a)의 최외곽에 구비된 비아도체(V)를 통해 인가된 전기가 제1상부 접속 패드(16a)를 통해 그 상면에 접합된 광소자(O)의 적어도 어느 하나의 단자로 흐를 수 있다. 그런 다음, 제2상부 접속 패드(16b)의 상면에 접합된 나머지 하나의 단자로 전도된 전기가 제2상부 접속 패드(16b)를 흘러 제2상부 접속 패드(16b)의 최외곽에 구비된 비아도체(V)를 타고 방출될 수 있다. 이 경우, 상부 접속 패드(16)의 상면에 접합되는 광소자(O)는 바람직하게는, 하면에 제1, 2단자를 구비하는 플립칩 형태의 광소자(O)일 수 있다.The via conductor hole (VH) is provided on the outermost side of the upper connection pad (16), so that when a via conductor (V) is provided inside, electrical connection to the terminal of the optical device (O) through the via conductor (V) is performed. It can be implemented effectively. For example, electricity applied through the via conductor V provided at the outermost portion of the first
다시 도 1을 참조하면, 제2기판(P2)의 상부 접속 패드(16)는 제1기판(P1)의 관통 영역(11c)과 대응되는 위치에 구비될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 제1기판(P1)의 하부에 제2기판(P2)이 결합되면, 상부 접속 패드(16)가 관통 영역(11c)에 위치하는 구조가 형성될 수 있다. Referring back to FIG. 1, the
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 제1, 2기판(P1, P2)의 결합에 따라 상부 접속 패드(16)가 관통 영역(11c)에 위치함으로써 광소자 구비 영역(OF)이 형성될 수 있다.In the optical
광소자 구비 영역(OF)은 상부 접속 패드(16) 및 관통 영역(11c)에 상부 접속 패드(16)가 위치하면서 상부 접속 패드(16)의 주변에 구비되는 적어도 일부의 세라믹 재질의 바디(15)를 포함하여 구성될 수 있다.The optical element-providing region OF includes at least a part of a
도 2에 도시된 바와 같이, 광소자 구비 영역(OF)은 제1기판(P1)의 바닥면(11b) 중 바닥면(11b)에 의해 둘러쌓인 형태로 형성될 수 있다. 이로 인해 광소자 구비 영역(OF)에 광소자(O)가 구비될 경우, 광소자(O)에서 생성된 광이 광소자 구비 영역(OF)을 둘러쌓는 캐비티(C)의 바닥면(11b) 및 경사측면(11a)을 통해 반사되어 광소자 패키지 제품의 광추출 효율을 향상시킬 수 있게 된다.As shown in FIG. 2, the optical element-providing region OF may be formed in a shape surrounded by the
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 제1기판(P1)의 하부에 제2기판(P2)이 결합되되, 제1기판(P1)의 관통 영역(11c)에 제2기판(P2)의 상부 접속 패드(16)가 위치하도록 결합됨으로써 광소자 실장 공간(OS)이 형성될 수 있다.In the optical
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 제1기판(P1)의 바닥면(11b) 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역(11c), 관통 영역(11c) 주변에 형성된 바닥면(11b) 및 바닥면(11b)으로부터 상방향으로 연장되는 경사측면(11a)에 의해 광소자 실장 공간(OS)의 일부가 구성될 수 있다. 제1기판(P1)의 하부에는 제2기판(P2)이 결합될 수 있다. 이 때, 제2기판(P2)의 상면에 구비되는 상부 접속 패드(16)가 제1기판(P1)의 관통 영역(11c)에 구비되도록 제2기판(P2)이 결합될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 광소자 실장 공간(OS)의 나머지 일부가 구성되어 광소자(O)를 실장하기 위한 공간이 형성될 수 있다.1 and 2, the optical
다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)의 광소자 실장 공간(OS)은, 제1기판(P1)에 의해 경사측면(11a) 및 바닥면(11b)이 형성될 수 있다. 또한, 제2기판(P2)에 의해 바닥면(11b) 중 제거된 적어도 일부의 영역, 즉, 관통 영역(11c)이 막히면서 광소자 실장 공간(OS)의 바닥부(FP)가 형성될 수 있다. 광소자 실장 공간(OS)의 바닥부(FP)는 제2기판(P2)이 관통 영역(11c)을 차단함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 광소자 실장 공간(OS)의 바닥부(FP)는 상부 접속 패드(16) 및 상부 접속 패드(16)의 주변에 구비되는 적어도 일부의 세라믹 재질의 바디(15)를 포함하여 구성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)의 광소자 실장 공간(OS)은 금속 재질의 경사측면(11a), 바닥면(11b) 및 광소자 실장 공간(OS)의 바닥부(FP)를 포함하여 구성될 수 있다.In other words, in the optical device mounting space OS of the optical
도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 바디(15)의 하면에는 하부 접속 패드(17)가 구비될 수 있다. 하부 접속 패드(17)는 한 쌍으로 이루어질 수 있다. 하부 접속 패드(17)는 제1상부 접속 패드(16a)와 대응되는 제1하부 접속 패드(17a) 및 제2상부 접속 패드(16b)와 대응되는 제2하부 접속 패드(17b)를 포함하여 구성될 수 있다. 8 to 10, a
제1, 2하부 접속 패드(17a, 17b)는 소정의 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. 제1, 2하부 접속 패드(17a, 17b)는 세라믹 재질의 바디(15)를 통해 절연될 수 있다.The first and second
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 하부 접속 패드(17)는 바디(15)의 상면에 구비되는 상부 접속 패드(16)보다 큰 폭으로 바디(15)의 하면에 형성될 수 있다. 하부 접속 패드(17)는 바디(15)에 대한 상부 접속 패드(16)의 수직 투영 영역의 적어도 일부를 포함하여 형성될 수 있다. 8 and 9, the
하부 접속 패드(17)는 전기 전도성을 갖는 재질로 구성될 수 있다.The
하부 접속 패드(17)는 하부 접속 패드(17)에 포함되는 상부 접속 패드(16)의 바디(15)에 대한 수직 투영 영역의 적어도 일부에 비아도체홀(VH)을 구비할 수 있다. 하부 접속 패드(17)에 구비되는 비아도체홀(VH)은 하부 비아도체홀(LVH)일 수 있다.The
상세히 설명하면, 제1하부 접속 패드(17a)는 제1상부 접속 패드(16a)의 바디(15)에 대한 수직 투영 영역 중 적어도 일부를 포함하되, 제1상부 접속 패드(16a)의 폭보다 큰 폭으로 형성될 수 있다. 또한, 제2하부 접속 패드(17b)는 제2상부 접속 패드(16b)의 바디(15)에 대한 수직 투영 영역 중 적어도 일부를 포함하되, 제2상부 접속 패드(16b)의 폭보다 큰 폭으로 형성될 수 있다.In detail, the first
제1하부 접속 패드(17a)는 바디(15)에 대한 제1상부 접속 패드(16a)의 수직 투영 영역 중 제1하부 접속 패드(17a)에 포함되는 적어도 일부의 영역에 하부 비아도체홀(LVH)을 구비할 수 있다. 이와 같은 위치는 제1상부 접속 패드(16a)에 구비된 상부 비아도체홀(UVH)과 대응되는 위치일 수 있다. The first
또한, 제2하부 접속 패드(17b)는 바디(15)에 대한 제2상부 접속 패드(16b)의 수직 투영 영역 중 제2하부 접속 패드(17b)에 포함되는 적어도 일부의 영역에 하부 비아도체홀(LVH)을 구비할 수 있다. 이와 같은 위치는 제2상부 접속 패드(16b)에 구비된 상부 비아도체홀(UVH)과 대응되는 위치일 수 있다.In addition, the second
도 10에 도시된 바와 같이, 하부 비아도체홀(LVH)은 일 예로서, 제1, 2하부 접속 패드(17a, 17b) 각각에 2개씩 형성될 수 있다. 하부 비아도체홀(LVH)의 위치 및 개수는 상부 비아도체홀(UVH)과 대응되도록 구비될 수 있다.As illustrated in FIG. 10, as an example, two lower via conductor holes LVH may be formed in each of the first and second
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 바디(15)에는 중간부 비아도체홀(MVH)이 형성될 수 있다. 중간부 비아도체홀(MVH)은 상, 하부 비아도체홀(LVH)과 대응되는 위치에 구비되어 상, 하부 비아도체홀(LVH)을 하나로 연통시킬 수 있다. 다시 말해, 비아도체홀(VH)은 상부 접속 패드(16)에 형성되는 상부 비아도체홀(UVH), 하부 접속 패드(17)에 형성되는 하부 비아도체홀(LVH) 및 바디(15)에 형성되되, 상, 하부 비아도체홀(LVH)을 서로 연통시키는 중간부 비아도체홀(MVH)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9, an intermediate via conductor hole MVH may be formed in the
도 7 내지 도 10을 참조하는 설명에서는 상, 하부 비아도체홀(UVH, LVH) 및 중간부 비아도체홀(MVH)를 구분하여 제2기판(P2)에 각각 구비되는 것으로 설명하였으나, 상, 하부 비아도체홀(UVH, LVH) 및 중간부 비아도체홀(MVH)를 포함하는 비아도체홀(MVH)은 바디(15)에 상, 하부 접속 패드(16, 17)를 구비한 다음, 상, 하부 접속 패드(16, 17) 및 바디(15)를 관통하도록 한꺼번에 형성될 수도 있다.In the description with reference to FIGS. 7 to 10, it has been described that the upper and lower via conductor holes UVH and LVH and the middle via conductor hole MVH are respectively provided in the second substrate P2. Via conductor holes (MVH) including via conductor holes (UVH, LVH) and intermediate via conductor holes (MVH) are provided with upper and lower connection pads (16, 17) on the body (15), and then upper and lower It may be formed at one time to penetrate the
비아도체홀(VH)에는 열전도도 및 전기 전도도가 좋은 금속 재료가 충진될 수 있다. 예를 들어, 금, 은, 구리, 텅스텐 중 적어도 하나가 비아도체홀(VH)에 충진될 수 있다. 이로 인해 제2기판(P2)에 비아도체(V)가 형성될 수 있다. 비아도체(V)는 상부 접속 패드(16)와 하부 접속 패드(17) 사이에 구비되는 구조에 의해 상부 접속 패드(16) 및 하부 접속 패드(17)를 전기적으로 연결할 수 있다.A metal material having good thermal conductivity and electrical conductivity may be filled in the via conductor hole VH. For example, at least one of gold, silver, copper, and tungsten may be filled in the via conductor hole VH. As a result, the via conductor V may be formed on the second substrate P2. The via conductor V may electrically connect the
제2기판(P2)은 비아도체홀(VH)에 금속 재료를 충진하여 비아도체(V)를 구비함으로써, 세라믹 재질의 바디(15) 및 금속 재질로 구성되는 상, 하부 접속 패드(17) 및 비아도체(V)를 포함하여 구성될 수 있다. The second substrate P2 is provided with a via conductor V by filling the via conductor hole VH with a metal material, so that the
한편, 제2기판(P2)은 바디(15)에만 비아도체(V)를 구비할 수도 있다. 도 11은 제2기판(P2')의 다른 실시 예를 도시한 도이다.Meanwhile, the second substrate P2 may include the via conductor V only in the
도 11에 도시된 바와 같이, 제2기판(P2')은 바디(15)에만 비아도체홀(VH)을 형성하고, 비아도체홀(VH)에 금속 물질을 충진하여 비아도체(V)를 구비할 수도 있다. 제2기판(P2)은 비아도체(V)가 구비된 바디(15)의 상면에 상부 접속 패드(16)를 구비하고, 하면에 하부 접속 패드(17)를 구비할 수 있다. 이 때, 제2기판(P2')은 상부 접속 패드(16)의 바디(15)에 대한 수직 투영 영역에 비아도체(V)가 포함되도록 상부 접속 패드(16)를 구비할 수 있다. 또한, 하부 접속 패드(17)의 바디(15)에 대한 수직 투영 영역에 비아도체(V)가 포함되도록 하부 접속 패드(17)를 구비할 수 있다. 제2기판(P2')은 바디(15)에 구비된 비아도체(V)에 의해 상, 하부 접속 패드(16, 17)가 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 11, the second substrate P2' forms a via conductor hole VH only in the
제1, 2기판(P1, P2)은 제1, 2기판(P1, P2) 중 적어도 하나에 돌기부(18)가 형성되고, 그 나머에 돌기부(18)가 수용되는 홈(14)이 형성되어, 홈(14)에 돌기부(18)가 삽입되어 접합될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)에서는 일 예로서, 제1기판(P1)에 돌기부(18)를 수용하는 홈(14)이 형성되고, 제2기판(P2)에 돌기부(18)가 형성되는 것으로 도시하여 설명한다. In the first and second substrates P1 and P2, a
도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)은 제1기판(P1)의 하면(LS)의 테두리를 따라 제1기판(P1)의 깊이 방향으로 홈(14)이 형성될 수 있다. 여기서, 제1기판(P1)의 하면(LS)의 테두리는, 제1기판(P1)의 캐비티(C)의 바깥 영역일 수 있다.4 to 6, in the first substrate P1, a
도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 제2기판(P2)은 제2기판(P2)의 상면(US)의 테두리를 따라 돌기부(18)가 형성될 수 있다. 여기서, 제2기판(P2)의 상면(US)의 테두리는, 상부 접속 패드(16)의 바깥 영역이면서, 제1기판(P1)의 바닥면(11b)이 접촉되는 접촉면의 바깥 영역일 수 있다.7 to 9, the second substrate P2 may have a
홈(14) 및 돌기부(18)에 의해 제1, 2기판(P1, P2)이 결합된 구조를 상세히 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1기판(P1)의 홈(14)과 제2기판(P2)의 돌기부(18)는, 서로 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 따라서, 제1기판(P1)의 홈(14)은 캐비티(C)의 바깥 영역에 형성되고, 제2기판(P2)의 돌기부(18)는 제1기판(P1)의 캐비티(C)의 바깥 영역과 대응되는 위치에 형성될 수 있다.Looking at the structure in which the first and second substrates P1 and P2 are coupled by the
제1기판(P1)은 하면(LS)의 테두리에 형성된 홈(14)에 제2기판(P2)의 돌기부(18)를 수용할 수 있다. 홈(14) 및 돌기부(18)는 홈(14)과 돌기부(18) 사이에 구비되는 접착제에 의해 접합될 수 있다.The first substrate P1 may accommodate the
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 제1, 2기판(P1, P2) 중 적어도 하나에 돌기부(18)를 구비하고, 나머지 하나에 홈(14)을 구비함으로써, 양 구성간의 접합도를 향상시킬 수 있다. 상세히 설명하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 제2기판(P2)의 돌기부(18)의 상면 및 양측면을 제1기판(P1)과의 접합면으로 이용할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 돌기부(18)의 상면과 대응되는 홈(14)의 하면 뿐만 아니라, 돌기부의 양측면과 대응되는 홈(14)의 내측면이 접착 면적에 포함될 수 있다. 그 결과 제1, 2기판(P1, P2)을 접합하여 결합하기 위한 접착 면적이 넓어짐으로써, 제1, 2기판(P1, P2)간의 접합도가 향상될 수 있다.The optical
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 세라믹 재질을 포함하는 광소자 구비 영역(OF)을 금속 재질의 제1기판(P1)의 바닥면(11b)이 둘러쌓는 구조로 형성될 수 있다. 이와 같은 구조는 세라믹 재질을 포함하는 제2기판(P2)이 금속 재질로 이루어진 제1기판(P1)의 하부에 결합되되, 제1기판(P1)의 관통 영역(11c)과 대응되는 위치에 상부 접속 패드(16)를 위치시키는 구조로 결합됨으로써 구현될 수 있다.The optical
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 광소자 구비 영역(OF) 중 광소자(O)가 직접적으로 접합되는 상부 접속 패드(16) 주변이 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 광소자 구비 영역(OF)에 포함된 세라믹 재질의 주변은 제1기판(P1)의 바닥면(11b)에 의해 금속 재질로 이루어질 수 있다. In the optical
이로 인해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 광소자(O) 구비에 있어서, 광소자(O)의 발열에 의해 광소자(O)의 접합 부위 및 광소자(O)의 파손이 방지될 수 있다. 또한, 바닥면(11b)에 의해 캐비티(C) 내의 광소자(O)의 광의 반사가 경사측면(11a) 및 바닥면(11b)을 통해서 이루어질 수 있다. 그 결과 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 광소자(O) 구비시 광추출 효율을 저하시키지 않고, 발열에 의한 광소자 접합 부위의 파손 및 광소자(O)의 파손 문제를 방지할 수 있다.For this reason, in the optical
보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)과 달리, 금속 재질로만 구성된 광소자 실장 기판은, 광소자(O)가 구비되는 캐비티의 바닥면이 금속으로 구성되고, 바닥면의 상면에 광소자(O)가 접합될 수 있다. 광소자(O)가 발열되면, 금속 재질의 광소자 실장 기판은 광소자(O)의 열을 방출시킬 수 있다. 그러나, 광소자 실장 기판은 방열 기능을 수행할 수 있으나, 열팽창할 수 있다. 광소자(O)가 구비되는 캐비티는, 광소자 실장 기판의 적어도 일부에 소정 깊이의 홈을 형성하여 구비될 수 있다. 이에 따라 그 바닥면이 광소자 실장 기판을 구성하는 금속 재질로 구성될 수 있다. 따라서, 광소자 실장 기판의 열팽창에 의해 캐비티의 바닥면도 열팽창할 수 있다. 금속 재질의 열팽창에 의해 광소자 접합 부위가 팽창되고, 그 결과 광소자 접합 부위의 파손 및 광소자(O)의 파손 문제가 발생하게 된다.More specifically, unlike the optical
하지만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 세라믹 재질의 바디(15)를 포함하는 제2기판(P2)을 통해서 광소자 구비 영역(OF)을 형성할 수 있다. 이는 제1기판(P1)의 하부에 제2기판(P2)을 결합하되, 제1기판(P1)에 관통 영역(11c)을 형성하여, 관통 영역(11c)에 제2기판(P2)의 세라믹 재질의 바디(15)의 상면에 구비된 상부 접속 패드(16)가 위치하도록 결합함으로써 구현될 수 있다.However, in the optical
세라믹 재질의 경우, 금속 재질의 열팽창 계수와 차이가 있다. 따라서, 광소자(O)의 발열에 의해 열팽창되지 않을 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 광소자 구비 영역(OF)에 광소자(O)를 구비할 경우, 광소자(O)가 직접적으로 접합되는 상부 접속 패드(16)를 제외한 상부 접속 패드(16)의 주변이 세라믹 재질의 바디(15)로 이루어질 수 있다. 바디(15)를 구성하는 세라믹 재질은, 금속 재질과 달리 광소자(O)에서 발생된 열이 상부 접속 패드(16)의 주변에 영향을 미치더라도 열팽창하지 않을 수 있다. 그 결과 광소자 접합 부위 및 광소자(O)가 파손되는 문제를 방지할 수 있다. 광소자 접합 부위는, 광소자(O) 단자와 상부 접속 패드(16)의 상면이 접합되면서 형성되는 부위일 수 있다.In the case of ceramic materials, there is a difference from the coefficient of thermal expansion of metal materials. Therefore, it may not be thermally expanded due to heat generation of the optical element O. When the optical
또한, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은 제1기판(P1)에 의해 광소자 구비 영역(OF) 주변이 금속 재질로 형성될 수 있다. 광소자 구비 영역(OF)의 주변은, 광소자 구비 영역(OF)과 동일 평면상에 위치하는 바닥면(11b)을 포함하는 제1기판(P1)을 포함할 수 있다. 이로 인해, 광소자 구비 영역(OF)에 광소자(O)를 구비할 경우, 광소자(O)에서 생성된 광이 광소자 구비 영역(OF) 주변의 캐비티(C)의 바닥면(11b) 및 경사측면(11a)에 의해 반사될 수 있다. 그 결과 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 광소자(O) 구비시, 광소자(O)의 광추출 효율은 저하되지 않으면서 광소자 접합 부위 및 광소자(O)의 파손이 방지되는 효과를 발휘할 수 있게 된다.In addition, in the optical
또한, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)은, 제1기판(P1)을 구성하는 금속 재질에 의해 광소자(O)에서 방출되는 열이 효과적으로 방출될 수 있게 된다. In addition, in the optical
도 12은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)를 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 13는 도 12의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 14은 B-B'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 12 is a view showing an optical device package OP according to a first embodiment of the present invention as viewed from above, and FIG. 13 is a view taken along line AA′ of FIG. 12, and FIG. 14 is a diagram showing a surface cut along B-B'.
도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)는, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10), 광소자 패키지 기판(10)의 상부 접속 패드(16)의 상면에 구비되는 광소자(O), 제너다이오드(20) 및 광투과 부재(19)를 포함하여 구성될 수 있다. 12 to 14, the optical device package OP according to the first preferred embodiment of the present invention includes an optical
도 12 내지 도 14에서는 일 예로서 광소자 패키지 기판(10)이 상, 하부 비아도체홀(UVH, LVH) 및 중간부 비아도체홀(MVH)을 포함하는 비아도체홀(VH)를 구비하는 제2기판(P2)을 포함하여 구성되는 것으로 도시하여 설명한다. 다만, 광소자 패키지 기판(10)을 구성하는 제2기판(P2)은 이에 한정되지 않고, 도 11에 도시된 바와 같이, 바디(15)에만 비아도체홀(V)을 구비하여 바디(15)에만 비아도체(V)가 구비되는 제2기판(P2')이 구비될 수도 있다. In FIGS. 12 to 14, as an example, the optical
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)를 구성하는 광소자 패키지 기판(10)은, 금속 재질로 이루어지고, 제1기판의 바닥면(11b) 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역(11c)을 포함하는 제1기판(P1) 및 세라믹 재질의 바디(15), 바디(15)의 상면에 형성된 상부 접속 패드(16), 바디(15)의 하면에 형성된 하부 접속 패드(17) 및 상부 접속 패드(16)와 하부 접속 패드(17)를 연결하는 비아도체(V)를 포함하는 제2기판(P2)을 포함하여 구성될 수 있다.The optical
광소자 패키지 기판(10)은, 도 1 내지 도 10을 참조하여 상술한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 광소자 패키지 기판(10)과 동일하므로 자세한 설명은 생략하고, 이하에서는, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)에 대한 특징적인 구성을 중점적으로 설명한다.Since the optical
도 12에 도시된 바와 같이, 광소자(O)는, 광소자 실장 공간(OS)내에 구비되되, 관통 영역(11c)에 위치하는 상부 접속 패드(16)의 상면에 구비될 수 있다. 일 예로서, 광소자(O)는 하면에 제1, 2단자를 구비하는 플립칩 형태로 구성될 수 있다. 상부 접속 패드(16)는 제1, 2상부 접속 패드(16a, 16b)를 포함하는 한 쌍으로 구성될 수 있다. 상부 접속 패드(16)는 적어도 하나에 구비된 마킹부(22)에 의해 (+)전극 단자 및 (-)전극 단자가 구분될 수 있다. 광소자(O)의 제1, 2단자는 마킹부(22)에 의해 전극 단자 기능이 각각 구분된 상부 접속 패드(16)의 상면에 대응되도록 구비되어 접합될 수 있다.As shown in FIG. 12, the optical device O is provided in the optical device mounting space OS, and may be provided on the upper surface of the
광소자(O)에서 생성된 광은 캐비티(C)의 경사측면(11a) 및 광소자 구비 영역(OF)의 주변에 구비된 캐비티(C)의 바닥면(11b)이면서 제1기판의 바닥면(11b)을 통해 반사될 수 있다. The light generated by the optical device (O) is the inclined side surface (11a) of the cavity (C) and the bottom surface (11b) of the cavity (C) provided around the optical device-equipped region (OF) and the bottom surface of the first substrate. It can be reflected through (11b).
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)는, 제1, 2기판(P1, P2)의 결합에 의해 광소자 실장 공간(OS)을 형성하고, 상기 광소자 실장 공간(OS)에 광소자(O)를 구비함으로써 형성될 수 있다. In the optical device package OP according to the first preferred embodiment of the present invention, the optical device mounting space OS is formed by combining the first and second substrates P1 and P2, and the optical device mounting space OS ) Can be formed by having an optical element (O).
광소자 패키지 기판(10)은, 캐비티(C)에 의해 광소자 실장 공간(OS)의 경사측면(11a) 및 바닥면(11b) 중 적어도 일부가 금속 재질로 구성되므로 광소자(O)의 광추출 효율이 저하되는 것이 방지될 수 있다. 이는 광소자 실장 공간(OS) 내에서 광의 반사면으로 활용할 수 있는 면을 경사측면(11a) 및 바닥면(11b)을 통해서 확보함으로써 구현될 수 있다. 또한, 광소자(O)에서 발생한 열이 전도되면서 광소자(O) 및 광소자 접합 부위에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 광소자 실장 공간(OS)의 바닥부(FP)를 열팽창에 의해 팽창하지 않는 세라믹 재질을 포함하여 구성함으로써, 광소자(O) 및 광소자 접합 부위의 파손의 방지를 구현할 수 있다.In the optical
상부 접속 패드(16)의 상면에는 제너다이오드(20)가 구비될 수 있다. 제너다이오드(20)는, 상부 접속 패드(16) 중 적어도 하나에 구비되어 정전압 소자로 사용될 수 있다.A
구체적으로, 제너다이오드(20)는 광소자(O)와 간격을 두고 상부 접속 패드(16) 중 적어도 하나의 상면에 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)에서는 일 예로서, (-)전극 단자로 기능하는 제2상부 접속 패드(16b)의 상면에 제너다이오드(20)가 구비될 수 있다.Specifically, the
제너다이오드(20)는, 상부 접속 패드(16) 중 적어도 어느 하나에 구비되고, 와이어 본딩(W)에 의해 나머지 하나와 연결될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)에서는, 일 예로서, 제2상부 접속 패드(16b)에 제너다이오드(20)가 구비되고, 와이어 본딩(W)에 의해 제1상부 접속 패드(16a)와 연결될 수 있다.The
광투과 부재(19)는 제1기판(P1)의 캐비티(C)의 상부에 캐비티(C)를 덮도록 구비될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 광투과 부재(19)는 캐비티(C)의 상부에 형성되는 광투과 부재 안착부(12)에 구비될 수 있다. 광투과 부재(19)는 광투과 부재 안착부(12)에 구비되어 캐비티(C)의 상부를 덮는 형태로 구비될 수 있다. 이에 따라 광투과 부재(19)는 캐비티(C) 내의 경사측면(11a) 및 바닥면(11b)을 통해 반사된 광소자(O)의 광을 효과적으로 투과시킬 수 있다.The light-transmitting
광투과 부재(19)는 광투과 부재 안착부(12)의 4개의 둥근 모서리부(12a)에 의해 모서리(19a)가 파손되지 않도록 구비될 수 있다.The light-transmitting
광투과 부재(19)는 투명 재질로 형성되는데 광소자(O)의 종류에 따라 그 재질이 달라질 수 있다. 광투과 부재(19)는, 예를 들어, 쿼츠 재질로 이루어질 수 있다. 광투과 부재(19)를 쿼츠 재질로 구성할 경우, UV LED를 점광원으로 사용하는 경우 UV 투과도 측면에서 효과적일 수 있다. The light-transmitting
또한, 광투과 부재(19)는 글라스 재질을 포함하여 구성될 수 있고, 광투과 부재(19)의 구성은 이에 한정되지 않는다.In addition, the light-transmitting
광투과 부재(19)는 수평 단면이 사각형 단면을 갖는 평평한 판 형태로 구비될 수 있다.The light-transmitting
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)는, 광소자 패키지 기판(10)의 광소자 실장 공간(OS)에 광소자(O)를 구비함으로써, 고효율 광추출 구조를 구현하면서 광소자(O)의 발열에 의한 광소자(O) 및 광소자 접합 부위의 파손을 방지하는 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 광소자 패키지 기판(10)의 일부 면적을 금속 재질로 이루어진 제1기판(P1)으로 구성함으로써 광소자(O)에서 발생한 열을 방출시키는 방열 측면에서도 효과를 가질 수 있다.The optical device package OP according to the first preferred embodiment of the present invention includes an optical device O in the optical device mounting space OS of the optical
도 15는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)의 변형 예를 도시한 도이다.15 is a diagram showing a modified example of the optical device package OP according to the first embodiment of the present invention.
도 15에 도시된 바와 같이, 변형 예는 광소자 실장 공간(OS)에 복수개의 광소자(O)를 구비한다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)와 차이가 있다. 변형 예는 이와 같은 차이점을 제외한 모든 구성이 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패지키(OP)와 동일하므로, 동일한 구성에 대한 자세한 설명은 생략한다.As shown in FIG. 15, the modified example differs from the optical device package OP according to the first preferred embodiment of the present invention in that a plurality of optical devices O are provided in the optical device mounting space OS. have. In the modified example, all configurations except for the above differences are the same as the optical device package key OP according to the first exemplary embodiment of the present invention, and thus detailed descriptions of the same configurations will be omitted.
도 15에 도시된 바와 같이, 변형 예는, 일 예로서, 광소자 실장 공간(OS)에 2개의 광소자(O)가 구비될 수 있다.As shown in FIG. 15, in a modified example, as an example, two optical elements O may be provided in the optical element mounting space OS.
각각의 광소자(O)는 전기적으로 병렬 연결되는 구조로 구비될 수 있다. 이 경우, 광소자(O)는, 광소자(O)의 외측 주변에 구비되고 각각의 상부 접속 패드(16a, 16b)의 최외곽에 형성된 비아도체(V)에 의해 전기적 연결이 구현될 수 있다.Each of the optical elements O may be electrically connected in parallel. In this case, the optical element O may be provided on the outer periphery of the optical element O, and electrical connection may be implemented by a via conductor V formed at the outermost side of each of the
보다 구체적으로 설명하면, 예를 들어 광소자 실장 공간(OS)에 제1, 2광소자(O1, O2)로 구성된 광소자(O)가 전기적으로 병렬 연결되는 구조로 구비될 수 있다. 광소자(O)는 플립칩 형태로 구비될 수 있다.In more detail, for example, the optical element O including the first and second optical elements O1 and O2 may be electrically connected in parallel in the optical element mounting space OS. The optical device O may be provided in the form of a flip chip.
도 15에 도시된 바와 같이, 제1광소자(O1)는, 제1상부 접속 패드(16a)의 상면에 접합된 제1단자를 통해 제1상부 접속 패드(16a)의 최외곽에 구비된 비아도체(V)로부터 제1상부 접속 패드(16a)를 타고 흐르는 전기를 인가 받을 수 있다. As shown in FIG. 15, the first optical element O1 is a via provided at the outermost side of the first
이 때, 제1광소자(O1)와 전기적으로 병렬 연결되는 구조로 구비된 제2광소자(O2)도 제1광소자(O1)와 동일한 형태로 제1상부 접속 패드(16a)의 상면에 접합된 제2광소자(O2)의 제1단자를 통해 전기를 인가받을 수 있다. At this time, the second optical element O2 provided in a structure electrically connected in parallel with the first optical element O1 is also formed on the upper surface of the first
제1광소자(O1)의 제1단자로 인가된 전기는 제2상부 접속 패드(16b)를 타고 제1광소자(O1)의 제2단자를 통해 흘러서 제1광소자(O1)의 외측 주변이면서 제2상부 접속 패드(16b)의 최외곽에 형성된 비아도체(V)를 통해 방출될 수 있다.Electricity applied to the first terminal of the first optical element O1 rides on the second
이와 동일하게, 제2광소자(O2)의 제1단자로 인가된 전기는, 제2상부 접속 패드(16b)를 타고 제2광소자(O1)의 제2단자를 통해 흘러 제2상부 접속 패드(16b)의 최외곽에 형성된 비아도체(V)를 통해 방출될 수 있다.In the same way, electricity applied to the first terminal of the second optical element O2 flows through the second terminal of the second optical element O1 through the second
위와 같이 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)의 변형 예는, 멀티 구조의 광소자(O)를 구비함에 있어서, 전기적으로 병렬 연결되는 구조를 형성하고, 광소자(O)의 외측 주변에 구비되는 비아도체(V)를 통해 각각의 광소자(O1, O2)에 대한 전기적 흐름을 효과적으로 구현할 수 있다.As described above, in a modified example of the optical device package OP according to the first embodiment of the present invention, in the case of having a multi-structure optical device O, a structure electrically connected in parallel is formed, and the optical device O ), it is possible to effectively implement an electrical flow for each of the optical devices O1 and O2 through the via conductor V provided around the outer side of the ).
도 16 내지 도 18은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')를 도시한 도이다.16 to 18 are diagrams illustrating an optical device package OP' according to a second exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')는, 광소자 실장 공간(OS)에 복수개의 광소자(O)들이 전기적으로 직·병렬 연결되도록 구비된다는 점과, 상부 접속 패드(16)가 3개 이상의 복수개로 이루어진다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)와 차이가 있다.In the optical device package OP' according to the second preferred embodiment of the present invention, a plurality of optical devices O are electrically connected in series and parallel to the optical device mounting space OS, and the upper connection pad It is different from the optical device package OP according to the first preferred embodiment of the present invention in that the
도 16에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')의 광소자 실장 공간(OS)에는 일 예로서, 광소자(O)들이 제3행 제3열의 배열로 배치될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')에서는 광소자(O)들의 배열에 따라 복수개의 광소자(O)를 구비하기 적합한 구조로 관통 영역(11c)의 형상이 형성될 수 있다. As shown in FIG. 16, in the optical device mounting space OS of the optical device package OP' according to the second embodiment of the present invention, as an example, the optical devices O are in the third row and the third column. Can be arranged in an array. In the optical device package OP' according to the second preferred embodiment of the present invention, the shape of the through
광소자 실장 공간(OS)에 복수개의 광소자(O)가 전기적으로 직·병렬 연결되도록 구비됨에 따라, 상부 접속 패드(16)도 3개 이상의 복수개로 구비될 수 있다. As the plurality of optical elements O are electrically connected in series and parallel to the optical element mounting space OS, a plurality of
도 16에 도시된 바와 같이, 일 예로, 광소자(O)들이 3행 3열의 배열로 배치됨에 따라, 상부 접속 패드(16)가 제1상부 접속 패드(16a'), 제2상부 접속 패드(16b'), 제3상부 접속 패드(16c), 제4상부 접속 패드(16d)로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 16, as an example, as the optical elements O are arranged in an arrangement of 3 rows and 3 columns, the
각각의 상부 접속 패드(16a', 16b', 16c, 16d)는 이격 거리를 두고 형성되어 서로 절연될 수 있다. 도 16에는 상부 접속 패드(16)가 이격 거리를 두고 형성되어 절연되는 것으로 도시하였으나, 이격 거리에는 별도의 절연부가 구비될 수도 있다.Each of the
제1 내지 제4상부 접속 패드(16a', 16b', 16c, 16d)는 서로 간에 이격 거리를 두고 열배치될 수 있다. 따라서, 제1열 내지 제4열의 상부 접속 패드(16) 배열이 형성될 수 있다.The first to fourth
상부 접속 패드(16)는 동일한 형상으로 구비될 수도 있으나, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')와 같이, 복수개의 광소자(O)가 직·병렬 구조로 구비될 경우, 최외곽에 배치되는 상부 접속 패드(예를 들어, 제1상부 접속 패드(16a') 및 제4상부 접속 패드(16d))는 일단에 확장부(e)를 구비하는 구조로 구비될 수 있다.The
도 16에 도시된 상부 접속 패드(16)의 형상은 일 예로서 도시된 것이므로, 확장부(e)의 형상, 확장부(e)를 구비하는 형상 및 확장부(e)를 구비하지 않는 형상은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')는 일 예로서, 확장부(e)를 구비하는 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)가 서로 좌우 대칭되는 형상으로 구비될 수 있다. 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)에 구비되는 각각의 확장부(e)는 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)가 이격 거리를 두고 형성됨에 따라 이격 거리를 두고 절연되는 형태일 수 있다.Since the shape of the
상부 접속 패드(16)는 최외곽에 배치되는 상부 접속 패드(16a', 16d)에만 확장부(e)를 구비함으로써, 제너다이오드(20)가 구비되는 영역을 확보할 수 있다.The
도 16에 도시된 바와 같이, 상부 접속 패드(16)가 3개 이상의 복수개로 이루어질 경우, 최외곽에 배치되는 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)에만 비아도체(V)가 구비될 수 있다. 이 때, 비아도체(V)는 상부 접속 패드(16)의 최외곽에 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)의 최외곽에 형성될 수 있다. As shown in FIG. 16, when the
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')에서는, 도 16에 도시된 바와 같이, 확장부(e)의 주변에도 비아도체(V)가 구비될 수 있다. 이는 확장부(e)를 구비하는 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d)를 통한 광소자(O)로의 전기 인가 또는 방출이 보다 효율적으로 이루어지도록 할 수 있다.In the optical device package OP' according to the second exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 16, a via conductor V may be provided around the extension part e. This makes it possible to more efficiently apply or discharge electricity to the optical element O through the first and fourth
한편, 제1, 4상부 접속 패드(16a', 16d) 사이에 구비되는 제2, 3상부 접속 패드(16b' 16c)에는 비아도체(V)가 구비되지 않는다.On the other hand, the via conductor V is not provided in the second and third
도 16에 도시된 바와 같이, 상부 접속 패드(16)의 상면에는 전기적으로 직·병렬 연결되도록 광소자(O)들이 접합될 수 있다.As shown in FIG. 16, optical elements O may be bonded to the upper surface of the
일 예로서, 3행 3열의 배열로 배치되는 광소자(0)들은, 각 행의 광소자(O)들은 전기적으로 직렬 연결되고, 각 열의 광소자(O)들은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.As an example, in the
상세히 설명하면, 도 16에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 상부 접속 패드(16)의 확장부(e)와 가까운 측이 제1행이고, 도 16의 도면상 좌측이 제1열일 수 있다. 이 때, 제1행의 광소자(O)들은 제1상부 접속 패드(16a')의 최외곽에 형성된 비아도체(V)를 통해 전기가 전도될 수 있다. 일 예로서, 제1상부 접속 패드(16a')의 확장부(e) 주변에 구비된 비아도체(V)를 통해서 전기가 인가될 수 있다. 인가된 전기는 제1상부 접속 패드()의 최외곽에 구비된 비아도체(V)를 통해서 각 행의 광소자(O)들로 흐를 수 있다.In detail, as illustrated in FIG. 16, for example, a side close to the extended portion e of the
구체적으로, 제1행 제1열에 배치된 광소자(O) 주변 외곽에 형성된 비아도체(V)를 통해서 제1상부 접속 패드(16a')의 상면에 접합된 제1행 제1열에 배치된 광소자(O)의 제1단자로 전기가 흐를 수 있다. 그런 다음, 제1행 제1열에 배치된 광소자(0)의 제1단자를 흐르는 전기는 제2상부 접속 패드(16b')의 상면에 접합된 제1행 제1열에 배치된 광소자(0)의 제2단자로 흐를 수 있다. 제2상부 접속 패드(16b')의 상면에 접합된 제1행 제1열에 배치된 광소자(O)의 제2단자를 흐르는 전기는, 제2상부 접속 패드(16b')를 흘러 제1행 제2열에 배치된 광소자(O)의 제1단자로 흐를 수 있다. 그런 다음, 제2상부 접속 패드(16b')의 상면에 접합된 제1행 제2열에 배치된 광소자(O)의 제1단자를 흐르는 전기는, 제3상부 접속 패드(16c)의 상면에 접합된 제1행 제2열에 배치된 광소자(O)의 제2단자로 흐를 수 있다. 그런 다음, 제3상부 접속 패드(16c)를 흘러 제3상부 접속 패드(16c)의 상면에 접합된 제1행 제3열에 배치된 광소자(O)의 제1단자로 흐를 수 있다. 그런 다음, 제4상부 접속 패드(16d)의 상면에 접합된 제1행 제3열에 배치된 광소자(O)의 제2단자를 흘러 제4상부 접속 패드(16d)의 최외곽 및 확장부(e) 주변에 구비된 비아도체(V)를 타고 방출될 수 있다.Specifically, light disposed in the first row, the first row, and the first row bonded to the upper surface of the first
각 열의 광소자(O)들은 전기적으로 병렬 연결되므로, 제1행의 광소자(O)들이 전기적으로 직렬 연결됨과 동시에 제2행 및 제3행에 배치된 광소자(O)들도 제1행과 동일한 형태로 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.Since the optical elements (O) in each column are electrically connected in parallel, the optical elements (O) in the first row are electrically connected in series, and the optical elements (O) arranged in the second and third rows are also connected in the first row. It can be electrically connected in series in the same way as.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")를 도시한 도이다. 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")는 복수의 행 및 열의 배열로 광소자(O)의 배열이 형성되고, 광소자(O)의 배열에 따라 상부 접속 패드(16)의 형태가 분지되는 형태로 형성된다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)와 차이가 있다.19 to 21 are diagrams illustrating an optical device package OP" according to a third preferred embodiment of the present invention. The optical device package OP" according to a third preferred embodiment of the present invention includes a plurality of rows. And in that the arrangement of the optical elements (O) is formed by the arrangement of the rows, and the shape of the
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")에서는 광소자(O)들의 배열에 따라 복수개의 광소자(O)를 구비하기 적합한 구조로 관통 영역(11c)의 형상이 형성될 수 있다. In the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention, the shape of the through
상부 접속 패드(16)는, 일 예로서, 제1상부 접속 패드(16a")의 최외곽을 구성하고 비아도체(V)를 구비하는 제1메인 접속 패드(16a"-1) 및 메인 접속 패드(16a"-1)로부터 분지되는 형태로 형성되는 제1분지 접속 패드(16a"-1)를 포함하는 제1상부 접속 패드(16a"), 제2상부 접속 패드(16b")의 최외곽을 구성하고 비아도체(V)를 구비하는 제2메인 접속 패드(16b"-1) 및 제2메인 접속 패드(16b"-2)로부터 분지되는 제2분지 접속 패드(16b"-2)를 포함하는 제2상부 접속 패드(16a", 16b") 및 제1, 2상부 접속 패드(16a", 16b") 사이에 구비되고 비아도체(V)가 구비되지 않는 중간 접속 패드(16e)를 포함하여 구성될 수 있다. The
제1, 2분지 접속 패드(16a"-2, 16b"-2)는 적어도 하나 이상이 구비될 수 있고, 일부에는 비아도체(V)가 구비될 수도 있다. 이 때, 제1, 2분지 접속 패드(16a"-2, 16b"-2)는 서로 대응되도록 비아도체(V)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1메인 접속 패드(16a"-1)의 주변에 위치하는 제1분지 접속 패드(16a"-2) 및 그 주변에 위치하는 또 다른 제1분지 접속 패드(16a"-2)에 비아도체(V)가 구비될 수 있다. 이 경우, 제2메인 접속 패드(16b"-1)의 주변에 위치하는 제2분지 접속 패드(16b"-1) 및 그 주변에 위치하는 또 다른 제2분지 접속 패드(16b"-2)에 비아도체(V)가 구비될 수 있다.At least one or more of the first and second
다시 말해, 제1상부 접속 패드(16a")의 비아도체(V)를 구비하는 제1분지 접속 패드(16a"-2)의 개수와 제2상부 접속 패드(16b")의 비아도체(V)를 구비하는 제2분지 접속 패드(16b"-2)의 개수는 동일할 수 있다. 이 때, 전기적 흐름의 효율을 높이기 위하여 바람직하게는, 제1, 2메인 접속 패드(16a"-1, 16b"-1)에 구비되는 비아도체(V)의 개수 및 제1, 2분지 접속 패드(16a"-2, 16b"-2)의 비아도체(V)의 개수가 동일하게 구비될 수 있다.In other words, the number of the first
제1, 2분지 접속 패드(16a"-2, 16b"-2)가 서로 대응되도록 비아도체(V)를 구비함으로써, 복수개의 광소자(O)들의 전기적인 직·병렬 연결이 구현될 수 있다.By providing the via conductor V so that the first and second
다만, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")에 구비되는 상부 접속 패드(16)는 복수개의 행 및 열의 배열로 배치되는 광소자(O)들의 전기적인 연결을 효과적으로 구현하기 위한 적합한 구성, 형태 및 배치로 구비되므로, 도 19에 도시된 구성, 형태 및 배치에 한정되지 않는다.However, the
도 19에 도시된 바와 같이, 일 예로서, 광소자(O)들은 열방향으로 2개씩 짝을 이루어 하나의 광소자 그룹(G)을 형성할 수 있다. 다시 말해, 광소자 그룹(G)에는 열방향으로 2개의 한 쌍으로 구성된 광소자(O)들이 포함될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP)에는 복수개의 광소자 그룹(G)이 10행 5열의 배열로 배치될 수 있다.As illustrated in FIG. 19, as an example, optical elements O may be paired in pairs in a column direction to form one optical element group G. In other words, the optical element group G may include two optical elements O configured in a column direction. Accordingly, in the optical device package OP according to the third exemplary embodiment of the present invention, a plurality of optical device groups G may be arranged in an array of 10 rows and 5 columns.
광소자 그룹(G)에 포함된 광소자(O)들은 제1, 2상부 접속 패드(16a", 16b") 및 중간 접속 패드(16e)의 상면에 접합되어 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 광소자 그룹(G)의 광소자(O)들이 전기적으로 직렬 연결되는 형태는 상술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 광소자 패키지(OP')에 구비된 광소자(O)들의 전기적 직렬 연결과 동일할 수 있다.The optical elements O included in the optical element group G may be bonded to the upper surfaces of the first and second
구체적으로, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")는, 광소자 그룹(G)의 배열에 따라 일 예로서, 1개의 제1메인 접속 패드(16a"-1)로부터 분지되는 3개의 제1분지 접속 패드(16a"-1)`를 포함하는 제1상부 접속 패드(16a")를 구비할 수 있다. 또한, 1개의 제2메인 접속 패드(16b"-1)로부터 분지되는 3개의 제2분지 접속 패드(16b"-2)를 포함하는 제2상부 접속 패드(16b")를 구비할 수 있다.Specifically, the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention is, as an example, according to the arrangement of the optical device group G, from one first
이 때, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")는 제1메인 접속 패드(16a"-1), 중간 접속 패드(16e) 및 제2상부 접속 패드(16b")의 제2메인 접속 패드(16b"-1)와 가장 멀리 형성된 제2분지 접속 패드(16b"-2)가 순차적으로 배치될 수 있다. 또한, 제1메인 접속 패드(16a"-1) 주변에 형성된 제1분지 접속 패드(16a"-2), 그 주변에 형성된 중간 접속 패드(16e) 및 제2상부 접속 패드(16b")의 제2메인 접속 패드(16b"-1)와 가장 멀리 형성된 제2분지 접속 패드(16b"-2)의 주변에 형성된 제2분지 접속 패드(16b"-2)가 순차적으로 배치될 수 있다. 그 다음, 그 주변에 다시 제1분지 접속 패드(16a"-2), 중간 접속 패드(16e) 및 제2분지 접속 패드(16b"-2)가 순차적으로 반복 형성될 수 있다. 그 다음, 제1분지 접속 패드(16a"-2), 중간 접속 패드(16e) 및 제2메인 접속 패드(16b"-1)가 순차적으로 형성될 수 있다.In this case, the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention includes the first
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")는 이와 같은 배치로 상부 접속 패드(16)를 구비하고, 제1메인 접속 패드(16a"-1)에 구비된 비아도체(V)를 통해 제1메인 접속 패드(16a"-1)의 상면에 접합된 광소자(O)의 제1단자로 인가된 전기를 전도할 수 있다. 제1단자에서의 전기는, 광소자(O)의 제2단자를 흘러 제1메인 접속 패드(16a"-1) 주변에 형성된 중간 접속 패드(16e)를 흘러 중간 접속 패드(16e)의 상면에 접합된 광소자(O)의 제1단자로 흐를 수 있다. 그 다음 제2단자를 흘러 제2단자가 접합된 제2상부 접속 패드(16b")의 제2메인 접속 패드(16b"-1)와 가장 멀리 형성된 제2분지 접속 패드(16b"-2)를 통해서 제2메인 접속 패드(16b"-1) 및 비아도체(V)가 구비된 제2분지 접속 패드(16b"-2)를 통해서 방출될 수 있다.The optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention has the
각 행의 광소자 그룹(G)내의 포함된 2개의 광소자(O)들은 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.The two optical elements O included in the optical element group G of each row may be electrically connected in series.
한편, 도 19에 도시된 바와 같이, 광소자 그룹(G)의 열배치에 있어서, 복수개의 광소자 그룹(G)을 포함하는 광소자 그룹(G)의 각 열(PC)은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 19, in the column arrangement of the optical device group G, each column PC of the optical device group G including a plurality of optical device groups G is electrically connected in parallel. I can.
상세히 설명하면, 일 예로서, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")에서는, 제1상부 접속 패드(16a")가 1개의 제1메인 접속 패드(16a"-1) 및 4개의 제1분지 접속 패드(16a"-2)로 구성되고, 제2상부 접속 패드(16b")가 1개의 제2메인 접속 패드(16b"-1) 및 4개의 제2분지 접속 패드(16b"-2)로 구성될 수 있다. 이에 따라, 복수개의 광소자 그룹(G)을 포함하는 각 열은(PC)은, 적어도 하나의 제1상부 접속 패드(16a") 및 적어도 하나의 제2상부 접속 패드(16b")를 포함할 수 있다. In detail, as an example, in the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention, the first
일 예로서, 도 19에 도시된 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")의 광소자 그룹(G)의 열배치에 있어서, 가장 좌측이 광소자 그룹(G)의 제1열(PC)일 수 있다. 광소자 그룹(G)의 열배치는 제1열(PC1)에서부터 제1열(PC1) 주변에 제2열(PC2), 제3열(PC3), 제4열(PC4) 및 제5열(PC5)로 순차적으로 배치되는 형태일 수 있다.As an example, in the column arrangement of the optical device group G of the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention shown in FIG. 19, the leftmost is the first of the optical device group G. The optical device group G may be arranged in row 1 (PC), from the first row (PC1) to the first row (PC1) around the second row (PC2), the third row (PC3), and the fourth row. It may be a form that is sequentially arranged in a row PC4 and a fifth row PC5.
각 열에는 복수개의 광소자 그룹(G)이 포함될 수 있다. 일 예로서, 광소자 그룹(G)이 10행 5열의 배열로 배치될 경우, 제1열 내지 제5열(PC1, PC2, PC3, PC4, PC5) 각각에는 10개의 광소자 그룹(G)이 포함될 수 있다.Each column may include a plurality of optical device groups G. As an example, when the optical device groups (G) are arranged in an array of 10 rows and 5 columns, 10 optical device groups (G) are provided in each of the first to fifth columns (PC1, PC2, PC3, PC4, PC5). Can be included.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 광소자 패키지(OP")는, 제1메인 접속 패드(16a"-1)의 비아도체(V)를 통해 전기가 인가되면, 제1메인 접속 패드(16a"-1)로부터 분지되는 각각의 제1분지 접속 패드(16a"-2)로 전기를 전도시킬 수 있다. 이로 인해 광소자 그룹(G)을 포함하는 각 열(PC)(예를 들어, 제1열 내지 제5열의 5개의 열)은, 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In the optical device package OP" according to the third preferred embodiment of the present invention, when electricity is applied through the via conductor V of the first
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. Or it can be implemented by modification.
10: 광소자 패키지 기판
P1: 제1기판
11a: 경사측면 11b: 바닥면
11c: 관통 영역
P2: 제2기판
15: 바디 16: 상부 접속 패드
17: 하부 접속 패드
OF: 광소자 구비 영역 OS: 광소자 실장 공간
OP: 광소자 패키지
O: 광소자10: optical device package substrate
P1: first substrate
11a:
11c: penetrating area
P2: second substrate
15: body 16: upper connection pad
17: lower connection pad
OF: Optical device mounting area OS: Optical device mounting space
OP: Optical device package
O: optical element
Claims (7)
상기 제1기판은, 금속 재질로 이루어지고,
바닥부 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 관통 영역 및 제거되지 않은 나머지 일부에 의해 형성된 바닥면을 포함하고,
상기 제2기판은,
상기 제1기판보다 열팽창 계수가 낮은 세라믹 재질로 이루어진 바디;
상기 바디의 상면에 형성된 상부 접속 패드;
상기 바디의 하면에 형성된 하부 접속 패드; 및
상기 상부 접속 패드와 상기 하부 접속 패드를 연결하는 비아도체;를 포함하고,
상기 세라믹 재질의 제2기판이 상기 금속 재질의 제1기판의 하부에 결합되되, 상기 제1기판의 관통영역에 상기 상부 접속 패드가 위치하도록 결합되어 광소자가 접합되는 상기 상부 접속 패드의 주변이 세라믹 재질의 바디로 이루어지고, 상기 세라믹 재질의 바디의 주변은 상기 제1기판의 바닥면에 의해 금속 재질로 이루어지는 광소자 패키지 기판.
In the optical device package substrate formed by combining the first substrate and the second substrate,
The first substrate is made of a metal material,
A through region formed by removing at least a portion of the bottom portion and a bottom surface formed by the remaining portion not removed,
The second substrate,
A body made of a ceramic material having a lower coefficient of thermal expansion than the first substrate;
An upper connection pad formed on the upper surface of the body;
A lower connection pad formed on a lower surface of the body; And
Including; a via conductor connecting the upper connection pad and the lower connection pad,
The second substrate made of ceramic is coupled to a lower portion of the first substrate made of metal, and the upper connection pad is coupled to the through region of the first substrate so that the upper connection pad is bonded to the optical element. An optical device package substrate made of a body made of a material, and a periphery of the body made of ceramic made of a metal material by a bottom surface of the first substrate.
상기 제1, 2기판 중 적어도 하나에 돌기부가 형성되고, 그 나머지에 상기 돌기부가 수용되는 홈이 형성되고,
상기 제1, 2기판은 상기 홈에 상기 돌기부가 삽입되어 접합되는 광소자 패키지 기판.
The method of claim 1,
A protrusion is formed in at least one of the first and second substrates, and a groove in which the protrusion is accommodated is formed in the rest,
The first and second substrates are optical device package substrates to which the protrusions are inserted and bonded to the grooves.
상기 관통 영역의 중심축은 상기 제1기판의 캐비티 내에서 일측으로 편심되는 광소자 패키지 기판.
The method of claim 1,
An optical device package substrate having a central axis of the through region eccentric to one side within the cavity of the first substrate.
상기 상부 접속 패드가 한 쌍으로 이루어지고,
상기 하부 접속 패드가 한 쌍으로 이루어지는 광소자 패키지 기판.
The method of claim 1,
The upper connection pad is made of a pair,
An optical device package substrate comprising a pair of the lower connection pads.
상기 상부 접속 패드 중 적어도 하나는 마킹부를 구비하는 광소자 패키지 기판.
The method of claim 5,
At least one of the upper connection pads includes a marking part.
상기 제1기판의 하부에 결합되고, 세라믹 재질의 바디, 상기 바디의 상면에 형성된 상부 접속 패드, 상기 바디의 하면에 형성된 하부 접속 패드 및 상기 상부 접속 패드와 상기 하부 접속 패드를 연결하는 비아도체를 포함하는 제2기판;
상기 상부 접속 패드의 상면에 구비되는 광소자;
상기 광소자와 간격을 두고 상기 상부 접속 패드의 적어도 하나의 상면에 구비되는 제너다이오드; 및
상기 제1기판의 캐비티의 상부에 상기 캐비티를 덮는 광투과 부재;를 포함하고,
상기 세라믹 재질의 제2기판이 상기 금속 재질의 제1기판의 하부에 결합되되, 상기 제1기판의 관통영역에 상기 상부 접속 패드가 위치하도록 결합되어 상기 광소자가 접합되는 상기 상부 접속 패드의 주변이 세라믹 재질의 바디로 이루어지고, 상기 세라믹 재질의 바디의 주변은 상기 제1기판의 바닥면에 의해 금속 재질로 이루어지는 광소자 패키지.A first substrate made of a metal material and including a through region formed by removing at least a portion of the bottom portion and a bottom surface formed by the remaining portion not removed;
A body of ceramic material, an upper connection pad formed on the upper surface of the body, a lower connection pad formed on the lower surface of the body, and a via conductor connecting the upper connection pad and the lower connection pad, which is coupled to the lower portion of the first substrate. A second substrate including;
An optical device provided on an upper surface of the upper connection pad;
A zener diode provided on at least one upper surface of the upper connection pad at a distance from the optical device; And
Including; a light transmitting member covering the cavity above the cavity of the first substrate,
The second substrate made of ceramic is coupled to a lower portion of the first substrate made of metal, and the upper connection pad is coupled to be positioned in the through region of the first substrate so that the periphery of the upper connection pad to which the optical element is bonded An optical device package made of a body made of ceramic, and a periphery of the body made of ceramic made of a metal material by a bottom surface of the first substrate.
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