KR102244667B1 - Method to manufacture Micro-LED pixel package and Micro-LED pixel package by this - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 단자(3)가 구비된 재료 기판(1)에 RGB 3종의 마이크로 LED 칩을 픽셀 단위로 전사하여 한 번에 프로빙 테스트가 가능하게 하고, 이에 따라 등급별로 픽셀 패키지를 분류하여 공급함으로써 마이크로 LED의 기대 성능을 증가시킬 수 있도록 하며, 이를 절단하여 동시에 복수의 픽셀 패키지를 제조하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a micro LED pixel package and a micro LED pixel package manufactured by the method, and more particularly, a pixel unit of three types of RGB micro LED chips on a
발광 다이오드로 불리우는LED(Light Emitting Diode)는 갈륨(Ga), 인(P), 비소(As) 등으로 도핑된 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 색을 띤 빛을 발하게 하는 발광 소자이다.An LED (Light Emitting Diode) called a light emitting diode is a light emitting device that emits colored light using a p-n junction structure of a semiconductor doped with gallium (Ga), phosphorus (P), arsenic (As), and the like.
LED는 전구 등 다른 발광 장치 및 소자에 비해 수명이 길고, 전류를 통하게 한 시점으로부터 빛을 발하는데 소요되는 시간(응답 시간)이 매우 짧고, 전력의 효율이 높아 경제적이고 친환경적인 소자로 인정받고 있다. 또한, LED를 제조함에 있어 그 형상에 크게 제한되지 아니하므로 그 활용 범위가 넓어 다양한 연구 개발이 이루어지고 있는 실정이다.LEDs have a longer lifespan compared to other light-emitting devices and devices such as light bulbs, the time it takes to emit light from the point of time (response time) is very short, and because of high power efficiency, it is recognized as an economical and eco-friendly device. . In addition, since it is not limited to its shape in manufacturing the LED, the range of use thereof is wide and various research and development are being made.
특히, 마이크로 LED는 크기가 마이크로 단위로 형성되는 초소형 발광 소자로서, 기존의 LED, OLED 등을 대체할 수 있는 소자로 각광받고 있다. 마이크로 LED는 작은 사이즈에도 불구하고 스스로 빛을 발하므로 컬러 필터가 전혀 필요가 없고, 마이크로 사이즈의 LED 마이크로 칩을 연속적으로 이어 붙여 패널을 형성하므로 디스플레이 패널의 크기, 형상, 형태, 해상도의 제한이 없어 대형 스크린의 제작에 적합하며, 플레서블 디스플레이 등에도 활용될 수 있어 장점이 많은 차세대 발광 소자로 일컬어 지는 추세이다.In particular, micro LEDs are micro-light emitting devices that are formed in micro units, and are in the spotlight as devices that can replace existing LEDs and OLEDs. Micro LEDs emit light by themselves despite their small size, so there is no need for color filters, and since micro-sized LED microchips are continuously connected to form a panel, there are no restrictions on the size, shape, shape, and resolution of the display panel. It is suitable for the manufacture of large screens and can be used for flexible displays, so it is a trend to be referred to as a next-generation light-emitting device with many advantages.
다만, 작은 사이즈로 인해 마이크로 LED 칩의 테스트, 전사, 전사 후 수리가 어렵고 많은 비용을 요하므로 실제 그 활용성은 기대만큼 높지 않은 실정이다. 따라서 이러한 한계를 극복함으로써 활용성을 높일 수 있는 수단이 요구되고 있는 실정이다.However, due to its small size, it is difficult to test, transfer, and repair the micro LED chip after transfer and requires a lot of cost, so its practical use is not as high as expected. Therefore, there is a demand for a means to increase the usability by overcoming these limitations.
먼저 기존의 마이크로 LED의 작은 사이즈로 인한 문제점을 나열하면,First of all, if we list the problems caused by the small size of the existing micro LED,
현재 웨이퍼(Wafer) 상태의 마이크로 LED 칩을 직접적으로 프로빙 테스트(Probing test)할 수 있는 방법은 개발되어 있지 않고, 반도체에 사용되는 방법 중 일부는 비용 등의 문제로 인해 현실적으로 사용되기 어려워, 결과적으로 공급 전 마이크로 LED 칩의 불량 여부를 알 수 없는 문제가 있다.Currently, a method for directly probing a micro LED chip in a wafer state has not been developed, and some of the methods used for semiconductors are difficult to use in reality due to problems such as cost. There is a problem that it is not possible to know whether the micro LED chip is defective before supplying.
웨이퍼에서 디스플레이 패널 등의 백플레인(Backplane)에 전사하는 경우 위치의 정확도를 기대하기 어렵다.When transferring from a wafer to a backplane such as a display panel, it is difficult to expect positional accuracy.
백플레인에 전사된 이후에 마이크로 LED 칩이 불량임이 밝혀진 경우, 이를 제거하거나 수리하기 어렵다.If the micro LED chip is found to be defective after being transferred to the backplane, it is difficult to remove or repair it.
RGB를 한 픽셀 단위로 구성할 때, RGB 마이크로 LED 칩 각각의 밝기 레벨이 크게 차이나는 경우 화소(픽셀)별로 색감, 밝기의 차이가 발생하게 된다.When configuring RGB in units of one pixel, if the brightness level of each of the RGB micro LED chips is significantly different, a difference in color and brightness occurs for each pixel (pixel).
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, Therefore, the present invention has been devised to solve the above problems,
재료 기판(1)에 RGB 3종의 마이크로 LED 칩을 픽셀 단위로 전사하여 동시에 테스트 한 후 이를 기초로 분류하여 등급별로 픽셀 패키지를 수집하여 공급할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.The aim is to transfer three types of RGB micro-LED chips to the
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여,In order to solve the above problems,
본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지는,A method of manufacturing a micro LED pixel package according to the present invention and a micro LED pixel package manufactured thereby,
재료 기판(1)에 RGB 3종의 마이크로 LED 칩을 픽셀 단위로 전사하여 하나의 픽셀 유닛으로 구성되도록 하는 전사 단계, 상기 3종의 마이크로 LED 칩에 일대일로 대응되도록 단자(3)를 배열하는 단자 형성 단계, 상기 단자(3)에 전류를 흘려 픽셀 유닛의 불량 여부를 테스트 하는 프로빙 테스트 단계 및 상기 프로빙 테스트 단계를 거친 픽셀 유닛이 전사된 재료 기판(1)을 픽셀 단위로 절단하여 픽셀 패키지를 형성하는 절단 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Transfer step of transferring three types of RGB micro LED chips on a pixel-by-pixel basis to the
또한, 상기 전사 단계는 에피 웨이퍼 상태의 RGB 3종의 마이크로 LED 칩을 기 설정된 순서에 따라 전사하되 상기 픽셀 유닛에는 RGB 3종의 마이크로 LED 칩이 각각 하나씩 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the transfer step, the three types of RGB micro LED chips in the epi-wafer state are transferred according to a preset order, but the pixel unit includes one each of the three types of RGB micro LED chips.
또한, 상기 단자 형성 단계는,In addition, the terminal forming step,
재료 기판(1)을 관통하는 홀을 형성하여, 상기 홀에 도전체를 채워 넣는 것을 특징으로 하고, 상기 절단 단계는, 상기 홀에 인입된 도전체가 분할되도록 절단되는 것을 특징으로 한다.A hole through the
이에 더하여, 상기 프로빙 테스트 단계는 픽셀 유닛을 프로빙 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고, 그 결과를 저장하는 제1분류 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the probing test step may further include a first classification step of classifying the pixel unit into at least one grade using a probing test result and storing the result.
아울러, 상기 절단 단계는 한 픽셀 패키지 내에 픽셀 유닛과 이에 대응되는 단자(3)가 포함되도록 절단하는 것을 특징으로 한다.In addition, the cutting step is characterized in that the pixel unit and the
한편, 상기 각 픽셀 패키지에 배열된 픽셀 유닛의 성능을 테스트하는 성능 테스트 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, it characterized in that it further comprises a performance test step of testing the performance of the pixel units arranged in each of the pixel package.
또한, 상기 성능 테스트 단계는 픽셀 패키지를 픽셀 유닛의 성능 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고, 그 결과를 저장하는 제2분류 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the performance testing step may further include a second classification step of classifying the pixel package into at least one or more grades using a performance test result of the pixel unit, and storing the result.
이에 더하여, 분류된 픽셀 유닛에 따라 픽셀 패키지를 등급별로 수집하여 릴테잎 형태로 권취하는 권취 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, it characterized in that it further comprises a winding step of collecting the pixel package by grade according to the classified pixel unit and winding it in the form of a reel tape.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지는 전술한 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, the micro LED pixel package according to the present invention is characterized in that it is manufactured by the above-described manufacturing method.
상기와 같은 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지는 RGB 3개의 마이크로 LED칩을 재료 기판(1)에 전사하여 하나의 패키지로 묶어서 하나의 픽셀 단위를 형성하도록 함으로써 미리 프로빙 테스트를 수행하여 백플레인에 전사 되기 전 미리 마이크로 LED 칩의 불량 여부를 알 수 있다.The manufacturing method of the micro LED pixel package as described above and the micro LED pixel package manufactured thereby are probing in advance by transferring the three RGB micro LED chips to the
또한, 사전 프로빙 테스트를 통해 적어도 하나 이상의 등급으로 분류함으로써 이용될 제품에서 요구하는 성능에 따라 차별화되어 공급될 수 있어 마이크로 LED 칩의 낭비가 감소하게 된다.In addition, by classifying into at least one or more grades through a pre-probing test, the product to be used can be differentiated and supplied according to the required performance, thereby reducing the waste of micro LED chips.
도 1은 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 공정을 개략적으로 표현한 도면
도 2는 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지를 개략적으로 표현한 도면
도 3은 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 칩과 재료 기판(1)을 개략적으로 표현한 도면
도 4는 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 중 절단 단계를 개략적으로 표현한 도면
도 5는 재료 기판(1)에 홀을 형성하여 도전체(4)를 채워 넣은 모습을 위에서 바라본 도면
도 6은 재료 기판(1)에 홀을 형성하여 도전체(4)를 채워 넣은 모습을 옆에서 바라본 도면1 is a diagram schematically illustrating a manufacturing process of a micro LED pixel package according to the present invention
2 is a schematic diagram of a micro LED pixel package according to the present invention
3 is a schematic diagram of a micro LED chip and a
4 is a diagram schematically illustrating a cutting step in a method of manufacturing a micro LED pixel package according to the present invention.
5 is a view from above of a state in which a hole is formed in the
FIG. 6 is a side view of a state in which a hole is formed in the
발명자는 발명을 설명함에 있어 적절한 용어나 단어를 선택하거나 정의하여 설명할 수 있고, 이 경우에 있어 사용된 용어나 단어는 통상적으로 사용되는 의미에 한정하여 해석할 것이 아니라, 발명자의 의도를 참작하여 발명에서 구현된 기술적 사상에 부합하도록 해석되어야 한다.In describing the invention, the inventor may select or define an appropriate term or word. It should be interpreted to conform to the technical idea embodied in the invention.
따라서, 본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어나 단어는 통상적으로 사용되는 의미에 한정되는 것이라고 볼 수는 없다. 이하 상술되는 내용은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 기술적 사상을 모두 대변하거나 한정하는 것은 아니라 할 것이므로 통상의 기술자의 입장에서 용이하게 대체 가능한 요소 및 균등범위에 해당하는 예가 존재할 수 있다.Accordingly, terms or words used in the specification and claims cannot be considered to be limited to their commonly used meanings. The details described below are only preferred embodiments of the present invention, and do not represent or limit all of the present technical idea, and thus there may be examples corresponding to elements and equivalent ranges that can be easily replaced from the standpoint of a person of ordinary skill in the art.
이하 상술한 원칙에 입각하여 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, based on the above-described principles, a method of manufacturing a micro LED pixel package according to the present invention and a micro LED pixel package manufactured thereby will be described with reference to the drawings.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법은 전사 단계, 단자 형성 단계, 프로빙 테스트 단계, 절단 단계를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a micro LED pixel package according to the present invention includes a transfer step, a terminal formation step, a probing test step, and a cutting step.
전사 단계는 재료 기판(1)에 RGB 3종의 마이크로 LED 칩(21, 22, 23)을 픽셀 단위로 전사하여 하나의 픽셀 유닛으로 구성되도록 하는 단계이다. 재료 기판(1)으로는 PCB, 유리, 필름 등이 이용될 수 있다.In the transfer step, the three types of RGB
더욱 상세하게는, 도 3에 도시된 바와 같이 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 마이크로 LED 칩(21, 22, 23)은 에피 웨이퍼(Epi wafer) 상태에서 준비된다. 에피 웨이퍼는 Epitaxial wafer로도 불리는데, 기판 위에 에피 성장을 통해 단결정 박막이 형성된 웨이퍼를 일컫는다. 이 에피 웨이퍼에 P, N 전극을 형성시키고 칩 크기로 절단 가공하면 LED 칩이 된다.In more detail, as shown in FIG. 3, the red (R), green (G), and blue (B)
상기 에피 웨이퍼 상태의 LED 칩은 도 3에 도시된 바와 같이 재료 기판(1)에 픽셀 단위로 전사될 수 있다. 더욱 상세하게는 에피 웨이퍼 상태의 RGB 3종의 마이크로 LED 칩(21, 22, 23)은 기 설정된 순서에 따라 전사될 수 있다. 예컨대, 청색, 녹색, 적색의 순서대로 마이크로 LED 칩이 전사될 수 있다. 이 경우, 각 마이크로 LED 칩(21, 22, 23)은 일정한 간격으로 전사되어 RGB 마이크로 LED 칩이 모여 한 셋트가 형성될 수 있는데, 이는 하나의 픽셀 유닛으로 정의될 수 있다. 이 경우, 각 픽셀 유닛에는 도 2에 도시된 바와 같이, RGB 3종의 마이크로 LED 칩이 하나씩만 포함되어 하나의 픽셀 유닛을 형성하도록 하는 것이 바람직하다.The LED chip in the epi-wafer state may be transferred to the
단자 형성 단계를 통해, 재료 기판(1)에는 상기 각 마이크로 LED 칩과 일대일로 대응되도록 도 2에 도시된 바와 같이 단자(3)가 배열될 수 있다. 바람직한 일 실시예에 따를 경우, IC 칩 패키지의 lead와 마찬가지로 RGB 각 칩에 전류를 흘릴 수 있도록 외부 전원 입력 부분을 제공하는 단자(3)가 형성될 수 있다. 이 경우 각 픽셀 유닛의 입력부는 마이크로 LED 칩의 패드 사이즈에 비해 충분히 크도록 형성될 수 있다. 이와 같이 큰 사이즈의 입력부를 구비하는 경우 프로빙 테스트를 하는데 유리하게 되고, 마이크로 LED 칩을 백플레인으로 옮기는 경우에도 더 높은 수율을 기대할 수 있다.Through the terminal forming step, the
단자가 형성되는 다른 실시예에 따를 경우, 도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 단자 형성 단계에서 재료 기판(1)에 재료 기판(1)을 관통하는 홀을 형성한 후, 상기 홀에 도전체(4)를 채워 넣는 과정이 수행될 수 있다. 이 때, 도전체(4)의 종류는 한정되지는 않으나, 금과 같은 도전성이 높은 재료로 채워지는 것이 바람직하다. 또한, 재료 기판(1)의 재료는 한정되지 않으나, 바람직하게는 유리 기판이 이용될 수 있다.According to another embodiment in which the terminal is formed, after forming a hole through the
다만, 단자 형성 단계와 전사 단계는 선후관계가 반드시 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 선택된 어느 하나의 단계가 선행될 수 있다. 예컨대, 재료 기판(1)에 단자를 먼저 형성 한 후, 마이크로 LED 칩을 전사할 수 있고, 또는 마이크로 LED 칩을 전사한 후 단자를 형성하는 것도 가능하다.However, the relationship between the terminal formation step and the transfer step is not necessarily limited, and any one step selected as necessary may precede. For example, after first forming a terminal on the
상기 단자(3)에 마이크로 LED 칩이 대응되도록 전사된 후, 단자(3)에 전류를 흘려 픽셀 유닛의 불량 여부를 테스트 하는 프로빙 테스트 단계가 수행될 수 있다. 프로빙 테스트 단계는 절단 단계 이전에 수행될 수 있는데, 이 경우 복수의 픽셀 유닛을 동시에 테스트할 수 있으므로 그 비용과 시간의 측면에서 효율성을 가질 수 있다.After the micro LED chip is transferred to the
프로빙 테스트 단계는 제1분류 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있는데, 더욱 상세하게는 픽셀 유닛을 프로빙 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고 그 결과를 저장할 수 있다. 따라서, 추후 저장된 픽셀 유닛의 등급에 따라 픽셀 패키지를 분리 수집할 수 있게 된다.The probing test step may further include a first classification step. In more detail, the pixel unit may be classified into at least one grade using the probing test result, and the result may be stored. Accordingly, it is possible to separate and collect pixel packages according to the grades of the pixel units stored later.
절단 단계는 프로빙 테스트 단계를 거친 픽셀 유닛이 형성된 재료 기판(1)을 픽셀 단위로 절단되어 픽셀 패키지로 가공하는 단계이다. 여기서 픽셀 패키지는 단자(3)가 형성된 재료 기판(1)과 이에 대응되는 하나의 픽셀 유닛을 포함하는 집합을 의미하는 것으로 정의될 수 있다.The cutting step is a step of cutting the
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 단자(3)가 배열된 큰 재료 기판(1) 위에 RGB 칩을 픽셀 단위로 전사하여 복수개의 픽셀 유닛을 형성하고 이를 절단하여 동시에 복수의 픽셀 패키지를 제조할 수 있게 된다. 이 때, 재료 기판(1)은 레이저를 통해 절단될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.That is, as shown in FIG. 4, a plurality of pixel units are formed by transferring an RGB chip on a
절단에 의해 단자(3)를 포함하는 픽셀 패키지를 형성하는 바람직한 일 실시예에 따를 경우, 먼저, 재료 기판(1) 위에 단자(3)가 일정 간격으로 배열될 수 있다. 이 때, 단자(3)는 일렬로 배열되는 것이 바람직하다. 다음으로 단자(3)에 접촉되도록 마이크로 LED 칩의 픽셀 유닛을 위치시키고, 도 4에 도시된 바와 같이, 각 픽셀에 단자와 RGB칩이 각각 포함되어 하나의 픽셀 유닛을 형성할 수 있도록 재료 기판(1)을 절단할 수 있다. According to a preferred embodiment of forming a pixel package including the
절단에 의해 단자(3)를 포함하는 픽셀 패키지를 형성하는 다른 일 실시예에 따를 경우, 도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 단자 형성 단계에서 재료 기판(1)에 홀을 형성하여, 상기 홀에 도전체(4)를 채워 넣고 상기 도전체(4)의 중간 부분을 절단하는 과정이 수행될 수 있다. 즉, 상기 홀에 인입된 도전체(4)가 양측으로 분할되도록 도전체 절단면(5)을 따라 절단할 수 있다. 이처럼 도전체(4)의 중간 부분을 절단하게 되는 경우, 절단으로 인해 도전체(4)는 각 픽셀 패키지로 양분되고 이로 인해 픽셀 패키지는 각각 도전체(4)를 포함한 상태로 형성될 수 있다. 또한, 이러한 절단 단계를 거침으로써 도 6에 도시된 것처럼 칩과 재료 기판(1)의 윗면 및 아랫면에 도전체(4)가 포함될 수 있고, 포함된 도전체(4)는 실제 기판의 회로와 접촉하는 부분이 될 수 있다. 아울러, 도전체(4)가 재료 기판(1)의 윗면 및 아랫면에 포함됨으로써, 양면 또는 선택된 한 면이 프로빙 면과 성능 테스트 면이 될 수 있다.According to another embodiment of forming a pixel package including a
상기 절단 단계를 거쳐 형성된 픽셀 패키지는 필요에 따라 각 픽셀 패키지에 배열된 픽셀 유닛의 성능을 테스트 하기 위한 성능 테스트 단계를 더 거칠 수 있다. 성능 테스트는 파장, 효율성 테스트 등일 수 있다.The pixel package formed through the cutting step may be further subjected to a performance test step for testing the performance of the pixel units arranged in each pixel package, if necessary. The performance test may be a wavelength, efficiency test, or the like.
이에 더하여, 상기 성능 테스트 단계는 픽셀 유닛의 성능 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고, 필요에 따라 그 결과를 저장하는 제2분류 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the performance testing step may further include a second classification step of classifying the pixel unit into at least one grade using the performance test result of the pixel unit, and storing the result as necessary.
따라서, 제1분류 단계 또는 제2분류 단계에서 분류된 정보를 이용하여 제조된 픽셀 패키지는 같은 등급별로 분리 수집될 수 있다. 실제로 마이크로 LED 칩은 모두 균일한 품질과 성능을 갖도록 제조될 수 없으므로, 상기와 같은 등급별로 픽셀 패키지를 분리할 경우, 각 등급별로 적절한 비용으로 적절한 분야에 공급하는 것이 가능하게 된다.Accordingly, pixel packages manufactured by using the information classified in the first classification step or the second classification step may be separately collected by the same grade. In fact, since all micro LED chips cannot be manufactured to have uniform quality and performance, when the pixel packages are separated for each grade as described above, it is possible to supply them to an appropriate field at an appropriate cost for each grade.
예컨대, 한 픽셀 유닛 내에서 마이크로 RGB 칩의 밝기 레벨이 다른 경우 픽셀 별로 색감, 밝기 차이가 발생하므로 낮은 등급으로 분류하여 처리할 수 있게 된다.For example, when the brightness levels of the micro RGB chips are different within one pixel unit, a difference in color and brightness occurs for each pixel, so that it can be classified into a lower grade and processed.
또한, 프로빙 테스트 또는 성능 테스트에서 그 테스트 결과값이 기 설정된 기준에 부합하지 않는 경우, 그 픽셀 유닛 또는 그 픽셀 유닛이 포함된 픽셀 패키지를 제거하는 단계가 더 포함될 수 있다. 마이크로 LED는 그 크기가 작아 디스플레이 패널에 장착된 이후에는 제거하거나 수리가 어려운 문제가 있는데, 상기와 같이 픽셀 패키지를 제조, 공급하는 과정에서 불량품을 제거하는 단계가 미리 수행되는 경우 이러한 비효율성을 경감시킬 수 있게 된다.In addition, in the probing test or the performance test, when the test result does not meet a preset criterion, the step of removing the pixel unit or a pixel package including the pixel unit may be further included. Micro LED has a problem that is difficult to remove or repair after being mounted on the display panel because of its small size.If the step of removing defective products in the process of manufacturing and supplying a pixel package as described above is performed in advance, such inefficiency is reduced. You will be able to do it.
권취 단계는 등급별로 분류된 픽셀 유닛을 릴테잎의 형태로 권취하는 단계이다. 이를 통해 픽셀 패키지는 같은 등급별로 구입자에게 공급될 수 있게 된다. 다만, 상기 픽셀 유닛은 반드시 릴테잎의 형태로 권취되어 제공되는 것은 아니고, 시트지 등 평판의 형태로 제공되는 것도 가능하다.The winding step is a step of winding the pixel units classified by grade in the form of a reel tape. Through this, pixel packages can be supplied to purchasers by the same grade. However, the pixel unit is not necessarily wound in the form of a reel tape, and may be provided in the form of a flat plate such as sheet paper.
상기 단계들을 거쳐 제조되는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지는 도 2에 도시된 바와 같이, 재료기판, 재료 기판(1) 위에 배치되고 RGB 3종의 마이크로 LED 칩이 하나의 셋트로 이루어지는 픽셀 유닛, 마이크로 LED 칩에 일대일로 대응되는 단자(3)를 포함하여 이루어질 수 있다.The micro LED pixel package manufactured through the above steps is disposed on the material substrate and the
상기와 같은 마이크로 엘이디 픽셀 패키지는 재료 기판(1)에 픽셀 유닛을 형성한 상태에서 프로빙 테스트가 가능하므로, 기존의 디스플레이 패널 또는 백플레인에 전사된 상태에서만 테스트 할 수 있었던 문제점이 해결될 수 있다. 또한, 픽셀 패키지가 형성된 상태에서 마이크로 LED 칩이 디스플레이 패널 또는 백플레인으로 옮겨지게 되므로 배치의 위치 정확도가 증가하게 된다.Since the micro LED pixel package as described above can perform a probing test in a state in which a pixel unit is formed on the
이상, 도면을 참조하여 바람직한 실시예와 함께 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 이러한 도면과 실시예로 본 발명의 기술적 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형예 또는 균등한 범위의 실시예가 존재할 수 있다. 그러므로 본 발명에 따른 기술적 사상의 권리범위는 청구범위에 의해 해석되어야 하고, 이와 동등하거나 균등한 범위 내의 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail together with a preferred embodiment with reference to the drawings, but the scope of the technical idea of the present invention is not limited to these drawings and embodiments. Accordingly, various modifications or embodiments of an equivalent range may exist within the scope of the technical idea of the present invention. Therefore, the scope of the technical idea according to the present invention should be interpreted by the claims, and the technical idea within the scope equivalent or equivalent thereto should be construed as belonging to the scope of the present invention.
1: 재료 기판
21: 적색 마이크로 LED 칩
22: 녹색 마이크로 LED 칩
23: 청색 마이크로 LED 칩
3: 단자
4: 도전체
5: 도전체 절단면1: material substrate
21: red micro LED chip
22: green micro LED chip
23: blue micro LED chip
3: terminal
4: conductor
5: conductor cut surface
Claims (11)
상기 3종의 마이크로 LED 칩에 일대일로 대응되도록 단자(3)를 배열하는 단자 형성 단계:
상기 단자(3)에 전류를 흘려 픽셀 유닛의 불량 여부를 테스트 하는 프로빙 테스트 단계; 및
상기 프로빙 테스트 단계를 거친 픽셀 유닛이 전사된 재료 기판(1)을 픽셀 단위로 절단하여 픽셀 패키지를 형성하는 절단 단계;를 포함하고,
상기 단자 형성 단계는,
재료 기판(1)의 상면에서 하면까지 직선 구조로 관통하는 홀을 형성하여, 상기 홀에 도전체를 채워 넣으며,
상기 절단 단계는,
상기 홀에 인입된 도전체(4)가 분할되도록 도전체 절단면(5)을 따라 절단되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.A transfer step of transferring the three types of RGB micro-LED chips to the material substrate 1 in pixel units so as to be configured as one pixel unit;
Terminal formation step of arranging the terminals 3 to correspond to the three types of micro LED chips one-to-one:
A probing test step of passing a current through the terminal 3 to test whether a pixel unit is defective; And
A cutting step of forming a pixel package by cutting the material substrate 1 on which the pixel unit has passed the probing test step is transferred in pixel units, and includes,
The terminal forming step,
Forming a hole penetrating in a linear structure from the upper surface to the lower surface of the material substrate 1, and filling the hole with a conductor,
The cutting step,
A method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that the conductor (4) inserted into the hole is cut along the conductor cutting surface (5) to be divided.
상기 전사 단계는,
에피 웨이퍼 상태의 RGB 3종의 마이크로 LED 칩을 기 설정된 순서에 따라 전사하되,
상기 픽셀 유닛에는 RGB 3종의 마이크로 LED 칩이 각각 하나씩 포함되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The transfer step,
Transfer the three types of RGB micro LED chips in the epi-wafer state according to the preset order,
The method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that each of the three types of RGB micro LED chips is included in the pixel unit.
상기 프로빙 테스트 단계는,
픽셀 유닛을 프로빙 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고, 그 결과를 저장하는 제1분류 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The probing test step,
A first classification step of classifying the pixel unit into at least one grade using the probing test result and storing the result;
Method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that it further comprises.
상기 절단 단계는,
한 픽셀 패키지 내에 픽셀 유닛과 이에 대응되는 단자(3)가 포함되도록 절단하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
The cutting step,
A method of manufacturing a micro LED pixel package, comprising cutting a pixel unit and a terminal 3 corresponding thereto in one pixel package.
상기 각 픽셀 패키지에 배열된 픽셀 유닛의 성능을 테스트하는 성능 테스트 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method of claim 1,
A performance testing step of testing the performance of pixel units arranged in each of the pixel packages;
Method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that it further comprises.
상기 성능 테스트 단계는,
픽셀 패키지를 픽셀 유닛의 성능 테스트 결과를 이용하여 적어도 하나 이상의 등급으로 분류하고, 그 결과를 저장하는 제2분류 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method of claim 7,
The performance test step,
A second classification step of classifying the pixel package into at least one or more grades using a performance test result of the pixel unit, and storing the result;
Method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that it further comprises.
테스트 결과값이 기 설정된 기준에 부합하지 않는 픽셀 유닛을 제거하는 불량품 제거 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method according to any one of claims 4 or 8,
A defective product removing step of removing a pixel unit whose test result value does not meet a preset criterion;
Method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that it further comprises.
등급별로 분류된 픽셀 유닛을 수집하여 릴테잎 형태로 권취하는 권취 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법.The method according to any one of claims 4 or 8,
A winding step of collecting pixel units classified according to grades and winding them in a reel tape shape;
Method of manufacturing a micro LED pixel package, characterized in that it further comprises.
A micro LED pixel package, characterized in that it is manufactured according to any one of claims 1, 2, 4, and 6 to 8.
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140142774A (en) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 현동훈 | Apparatus and method for sorting led module |
JP2015032703A (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 富士フイルム株式会社 | Light emitting device manufacturing method |
KR20160148349A (en) | 2015-06-16 | 2016-12-26 | 주식회사 엘지화학 | Conducting substrate and method for preparing the same |
KR20180105834A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-01 | 주식회사 루멘스 | Led display apparatus |
KR101921111B1 (en) * | 2017-08-29 | 2018-11-22 | 한국생산기술연구원 | Method for Rework Micro Light Emitting Diodes |
KR20190026617A (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-13 | 서울반도체 주식회사 | Display apparatus and manufacturing method thereof |
KR20190091923A (en) | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 전자부품연구원 | LED Transfer device and transferring method using the same |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140142774A (en) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 현동훈 | Apparatus and method for sorting led module |
JP2015032703A (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 富士フイルム株式会社 | Light emitting device manufacturing method |
KR20160148349A (en) | 2015-06-16 | 2016-12-26 | 주식회사 엘지화학 | Conducting substrate and method for preparing the same |
KR20180105834A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-01 | 주식회사 루멘스 | Led display apparatus |
KR101921111B1 (en) * | 2017-08-29 | 2018-11-22 | 한국생산기술연구원 | Method for Rework Micro Light Emitting Diodes |
KR20190026617A (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-13 | 서울반도체 주식회사 | Display apparatus and manufacturing method thereof |
KR20190091923A (en) | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 전자부품연구원 | LED Transfer device and transferring method using the same |
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