KR20190014430A - Manufacturing method of display apparatus and manufacturing apparatus thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a display device and a manufacturing device thereof. The manufacturing method of the display device in accordance with one embodiment of the present invention can comprise: a step of transferring a plurality of blue light emitting diode chips emitting blue light and green light emitting diode chips emitting green light onto a first and a second manufacturing substrate respectively on the wafer; a step of transferring the plurality of blue light emitting diode chips from the first manufacturing substrate to a third manufacturing substrate; a step of transferring the plurality of green light emitting diode chips from the second manufacturing substrate to the third manufacturing substrate; and a step of transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips from the third manufacturing substrate to a substrate.

Description

디스플레이 장치의 제조 방법 및 그의 제조 장치{MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING APPARATUS THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a display device,

본 발명은 디스플레이 장치의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 칩을 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그의 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a display device, and more particularly, to a manufacturing method of a display device using a light emitting diode chip and a manufacturing apparatus thereof.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 그리고 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 이러한 장점을 십분 활용하여 기존 광원을 빠르게 대치하고 있다.The light emitting diode is an inorganic semiconductor element that emits light generated by recombination of electrons and holes. In recent years, light emitting diodes have been widely used in various fields such as display devices, automotive lamps, and general lighting. The light emitting diode has a long lifetime, low power consumption, and high response speed. Taking advantage of these advantages, we are quickly replacing existing light sources.

최근 출시되는 텔레비전, 모니터 또는 전광판에 발광 다이오드를 이용하는 종래의 디스플레이 장치는, TFT=LCD 패널을 이용하여 색을 재현하고, 재현된 색을 외부로 방출하기 위해 백라이트 광원을 이용하는데, 이때, 백라이트 광원으로 발광 다이오드를 이용하였다. 또는 별도의 LCD를 이용하지 않고 발광 다이오드를 이용하여 직접 색을 재현하는 디스플레이 장치에 대한 연구도 지속적으로 이루어지고 있다. 또는, OLED를 이용하여 디스플레이 장치를 제조하는 경우도 있다.A conventional display device using a light emitting diode for a television, monitor, or electric panel recently released uses a backlight light source to reproduce colors using a TFT = LCD panel and emit reproduced colors to the outside. At this time, A light emitting diode was used. Or a display device that directly reproduces color using a light emitting diode without using a separate LCD is being continuously conducted. Alternatively, a display device may be manufactured using an OLED.

TFT-LCD 패널에 백라이트 광원으로 발광 다이오드가 이용되는 경우, 한 개의 발광 다이오드는 TFT-LCD 패널의 수많은 픽셀에 광을 조사하는 광원으로 이용된다. 이 경우, TFT-LCD 패널의 화면에 어떤 색이 표시되더라도 백라이트 광원은 항상 켜진 상태를 유지해야 되므로, 그로 인해 디스플레이되는 화면이 밝거나 어두운 것에 상관없이 일정한 소비전력이 소비되는 문제가 있다.When a light emitting diode is used as a backlight light source in a TFT-LCD panel, one light emitting diode is used as a light source for irradiating a large number of pixels of the TFT-LCD panel with light. In this case, no matter what color is displayed on the screen of the TFT-LCD panel, the backlight light source must be kept in a constantly on state, thereby consuming a certain amount of power regardless of whether the displayed screen is bright or dark.

또한, OLED를 이용한 디스플레이 장치의 경우, 기술발전을 통해 지속적으로 소비전력이 낮아지고 있지만, 아직까지도 무기반도체 소자인 발광 다이오드에 비해 상당히 큰 소비전력이 소비되고 있어, 효율성이 떨어지는 문제가 있다.Further, in the case of a display device using an OLED, power consumption is continuously lowered due to technological development, but a considerably large power consumption is consumed as compared with a light emitting diode which is an inorganic semiconductor element, and efficiency is low.

더욱이, TFT를 구동하기 위한 방식 중 PM 구동방식을 이용한 OLED 디스플레이 장치는 큰 용량을 가진 유기 EL을 PAM(pulse amplifier modulation) 방식으로 제어함에 따라 응답속도가 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 그리고 낮은 듀티(duty)를 구현하기 위해 PWM(pulse width modulation) 방식으로 제어를 하는 경우, 고 전류 구동이 요구되어 수명저하가 발생하는 문제가 있다.Moreover, among the methods for driving the TFT, the OLED display device using the PM driving method may have a problem that the response speed is lowered by controlling the organic EL having a large capacity by a pulse amplifier modulation (PAM) method. When a pulse width modulation (PWM) method is used to realize a low duty, a high current driving is required, which causes a problem that the lifetime is lowered.

일본 공개특허 제2015-500562(2015.01.05)Japanese Laid-Open Patent Application No. 2015-500562 (2015.01.05)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨어러블 장치나 스마트폰 또는 텔레비전 등에 적용할 수 있으며, 소비전력이 낮은 마이크로 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그의 제조 장치를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a display device using a micro light emitting diode which can be applied to a wearable device, a smart phone, or a television, and which has low power consumption, and a manufacturing apparatus thereof.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조 방법은, 웨이퍼에서 제1 및 제2 제조기판 상에 청색광을 방출하는 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 녹색광을 방출하는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 각각 전사하는 단계; 상기 제1 제조기판에서 제3 제조기판으로 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩을 전사하는 단계; 상기 제2 제조기판에서 상기 제3 제조기판으로 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 전사하는 단계; 및 상기 제3 제조기판에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 기판으로 전사하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes a step of transferring a plurality of blue light emitting diode chips emitting blue light and green light emitting diode chips emitting green light onto first and second manufacturing substrates, respectively, step; Transferring the plurality of blue light emitting diode chips from the first manufacturing substrate to a third manufacturing substrate; Transferring the plurality of green light emitting diode chips from the second manufacturing substrate to the third manufacturing substrate; And transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips from the third manufacturing substrate to the substrate.

그리고 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 상기 기판에 전사하는 단계는, 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 상기 기판에 배치된 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치되지 않은 위치에 전사할 수 있다.The step of transferring the plurality of green LED chips to the substrate may be performed by transferring the plurality of green LED chips to a position where a plurality of blue LED chips arranged on the substrate are not disposed.

이때, 상기 웨이퍼에 배치된 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩은 복수의 시험 발광 다이오드 칩 사이에 배치되고, 상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩은 각각 정상적으로 동작하는 지를 시험하는 시험을 통과한 것일 수 있다.At this time, the plurality of blue light emitting diode chips or the plurality of green light emitting diode chips arranged on the wafer are disposed between the plurality of test light emitting diode chips, and the plurality of test light emitting diode chips are each tested for normal operation It can be passed.

그리고 상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩 각각은 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 상기 녹색 발광 다이오드 칩보다 큰 크기를 가질 수 있다.Each of the plurality of test light emitting diode chips may have a larger size than the plurality of blue light emitting diode chips or the green light emitting diode chip.

또한, 상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩은 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 주변에 적어도 세 개 이상 배치될 수 있다.The plurality of test light emitting diode chips may be disposed at least three or more around the plurality of blue light emitting diode chips or the plurality of green light emitting diode chips.

그리고 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 기판에 전사하는 단계에서, 상기 기판은 상기 제3 제조기판보다 클 수 있다.In the step of transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips to the substrate, the substrate may be larger than the third manufacturing substrate.

이때, 상기 기판은 상기 제3 제조기판보다 두 배 이상 큰 크기를 가질 수 있다.At this time, the substrate may have a size two times larger than the third substrate.

또한, 상기 제1 제조기판에 전사된 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩의 개수는 상기 제2 제조기판에 전사된 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 개수보다 많을 수 있다.The number of the plurality of blue light emitting diode chips transferred to the first manufacturing substrate may be greater than the number of the plurality of green light emitting diode chips transferred to the second manufacturing substrate.

이때, 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 일부 및 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 덮도록 제조 절연부를 형성하는 단계; 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 나머지를 덮도록 형광부를 형성하는 단계; 및 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 일부 및 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 덮은 제조 절연부를 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 형광부는 상기 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다.Forming a manufacturing insulation part to cover a part of the plurality of blue LED chips and the plurality of green LED chips; Forming a fluorescent portion to cover the rest of the plurality of blue LED chips; And removing a part of the plurality of blue light emitting diode chips and the manufacturing insulation part covering the plurality of green light emitting diode chips, wherein the fluorescent part converts the blue light emitted from the blue light emitting diode chip into a wavelength- The phosphor may include a phosphor.

그리고 상기 제조 절연부가 제거된 다음, 상기 형광부를 덮도록 컬러필터부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 컬러필터부는 상기 형광부를 통해 방출된 광에서 청색광 대역의 파장을 차단할 수 있다.And forming a color filter portion to cover the fluorescent portion after the manufacturing insulating portion is removed, wherein the color filter portion can block the wavelength of the blue light band in the light emitted through the fluorescent portion.

여기서, 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상, 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상 및 상기 형광부가 덮인 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상이 하나의 픽셀을 형성할 수 있다.At least one of the plurality of blue light emitting diode chips, at least one of the plurality of green light emitting diode chips, and a plurality of blue light emitting diode chips covered with the fluorescent portion may form one pixel.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조 장치는, 청색광을 방출하는 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치된 제1 웨이퍼에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩의 일부를 제1 제조기판에 전사하는 공정이 이루어지는 제1 챔버;Meanwhile, a display device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first wafer on which a plurality of blue LED chips emitting blue light are disposed, and a second wafer on which a plurality of blue LED chips are mounted, A first chamber in which the process is performed;

녹색광을 방출하는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 배치된 제2 웨이퍼에서 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 일부를 제2 제조기판에 전사하는 공정이 이루어지는 제2 챔버;A second chamber in which a part of the plurality of green light emitting diode chips is transferred to a second manufacturing substrate in a second wafer on which a plurality of green light emitting diode chips emitting green light are disposed;

상기 제1 제조기판에서 복수의 청색 발광 다이오드 칩을 제3 제조기판으로 전사하고, 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치된 제3 제조기판에 상기 제2 제조기판에서 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 상기 제3 제조기판으로 전사하는 공정이 이루어지는 제3 챔버;A plurality of blue light emitting diode chips are transferred from the first manufacturing substrate to a third manufacturing substrate and a plurality of green LED chips are transferred from the second manufacturing substrate to a third manufacturing substrate on which the plurality of blue light emitting diode chips are disposed, A third chamber in which a process of transferring to a third fabrication substrate is performed;

상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 배치된 제3 제조기판에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 전사하는 공정이 이루어지는 제4 챔버; 및A fourth chamber for transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips from a third manufacturing substrate on which the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips are disposed; And

상기 제1 내지 제4 챔버 사이에 배치되며, 상기 제1 내지 제4 챔버로 상기 제1 및 제2 웨이퍼와 제1 내지 제3 제조기판을 이송하는 복수의 로봇암을 포함할 수 있다.And a plurality of robot arms which are disposed between the first to fourth chambers and transfer the first and second wafers and the first to third manufacturing substrates to the first to fourth chambers.

본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 사용하여 디스플레이 장치를 구성하여, 높은 해상도와 낮은 소비전력 그리고 효율이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그에 따라 웨어러블 장치나 다양한 장치에 이용할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a display device having high resolution, low power consumption and high efficiency by constituting a display device using a micro light emitting diode using a nitride semiconductor. Accordingly, the present invention can be applied to wearable devices and various devices.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하기 위한 발광 다이오드가 성장된 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예 따른 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 제조 장치의 일부를 간략히 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드들이 배치된 것을 도시한 평면도이다.1 is a view showing a wafer on which a light emitting diode is grown for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a process of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing a part of a manufacturing apparatus for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a process of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing the arrangement of light emitting diodes of a display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.Preferred embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하기 위한 발광 다이오드가 성장된 웨이퍼를 도시한 도면이다.1 is a view showing a wafer on which a light emitting diode is grown for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 발광 다이오드 칩(120)을 이용하여 디스플레이 장치(100)를 제조할 때, 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 웨이퍼(61)에서 성장할 수 있다. 이때, 도시된 바와 같이, 한 장의 웨이퍼(61) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 성장하는데, 디스플레이 장치(100)에 이용하는 발광 다이오드 칩(120)은 상대적으로 작은 크기를 가지도록 형성할 수 있다. 본 실시예에서, 디스플레이 장치(100)에 이용하는 발광 다이오드 칩(120)은 폭이 100um이하가 되도록 제조할 수 있다.Referring to FIG. 1, a plurality of light emitting diode chips 120 may be grown on a wafer 61 when the display device 100 is manufactured using the light emitting diode chip 120 in this embodiment. At this time, as shown in the figure, a plurality of light emitting diode chips 120 are grown on a single wafer 61, and the light emitting diode chip 120 used in the display device 100 is formed to have a relatively small size . In this embodiment, the light emitting diode chip 120 used in the display device 100 can be manufactured to have a width of 100 mu m or less.

상기와 같이, 폭이 100um이하인 발광 다이오드 칩(120)을 제조하면, 제조된 발광 다이오드 칩(120)이 정상적으로 동작하는지 여부를 시험하여 이용할 필요가 있는데, 발광 다이오드 칩(120)의 작은 크기로 인해 시험이 쉽지 않은 문제가 있다. 그에 따라 웨이퍼(61)의 중간에 상대적으로 큰 크기를 갖는 시험을 위한 시험 발광 다이오드 칩(120a)을 제작한다. 시험 발광 다이오드 칩(120a)은 폭이 대략 250um이상일 수 있지만, 시험 발광 다이오드 칩(120a)의 크기는 측정할 수 있는 크기를 가지기만 하면 되므로, 크기를 한정할 필요는 없다.As described above, when the light emitting diode chip 120 having a width of 100um or less is manufactured, it is necessary to test whether the manufactured LED chip 120 operates normally. However, due to the small size of the LED chip 120, There is a problem that is not easy to test. The test light emitting diode chip 120a for the test having a relatively large size in the middle of the wafer 61 is fabricated. The test light emitting diode chip 120a may have a width of about 250um or more, but the size of the test light emitting diode chip 120a need only be a size that can be measured.

본 실시예에서, 시험 발광 다이오드 칩(120a)은 소정의 간격을 가지며 규칙적으로 배치되며, 복수의 시험 발광 다이오드 칩(120a)들 사이에 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 배치되도록 제조된다. 이렇게 하나의 웨이퍼(61) 상에 제조된 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 디스플레이 장치(100)에 이용할 때, 정상적으로 동작하는 네 개의 시험 발광 다이오드 칩(120a) 사이에 배치된 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 디스플레이 장치(100)를 제조할 때 이용한다.In the present embodiment, the test light emitting diode chips 120a are regularly arranged at regular intervals and are manufactured such that a plurality of light emitting diode chips 120 are disposed between the plurality of test light emitting diode chips 120a. When a plurality of LED chips 120 fabricated on one wafer 61 are used for the display device 100, a plurality of LED chips 120a disposed between the four normally operated test LED chips 120a, (120) for manufacturing the display device (100).

즉, 정상적으로 동작하는 시험 발광 다이오드 칩(120a)들의 사이에 배치된 발광 다이오드 칩(120)들은 정상적으로 동작하는 발광 다이오드 칩(120)일 가능성이 상당히 높으므로 해당 발광 다이오드 칩(120)을 디스플레이 장치(100)를 제조할 때 이용할 수 있다. 본 실시예에서, 일례로 정상적으로 동작하는 네 개의 시험 발광 다이오드 칩(120a)의 사이에 배치된 영역(U)에 배치된 발광 다이오드 칩(120)을 이용하는 것을 설명한다. 이때, 도면에 표시된 영역(U)의 크기와 해당 영역 내에 배치된 발광 다이오드 칩(120)의 개수는 필요에 달라질 수 있다.That is, since the possibility that the light emitting diode chips 120 disposed between the normally functioning test light emitting diode chips 120a are the normally operating light emitting diode chips 120 is very high, the corresponding light emitting diode chips 120 can be mounted on the display device 100). ≪ / RTI > In this embodiment, the use of the light emitting diode chip 120 arranged in the region U disposed between the four test light emitting diode chips 120a normally operating will be described. At this time, the size of the area U shown in the figure and the number of the LED chips 120 disposed in the corresponding area may be varied as needed.

도 2는 본 발명의 일 실시예 따른 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a view for explaining a process of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 도 1에서 제조된 발광 다이오드 칩(120)들 중 정상적으로 동작하는 시험 발광 다이오드 칩(120a)들 사이에 둘러싸인 발광 다이오드 칩(120)을 제2 제조기판(52)에 전사한다. 이때, 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53) 사이에 카메라(200)를 배치하여, 제1 제조기판(51) 상에 배치된 발광 다이오드 칩(120)들이 제3 제조기판(53)의 정 위치에 배치되도록 위치를 조절할 수 있다. 그에 따라 카메라(200)는 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53)을 동시에 촬영할 수 있는 양방향 카메라(200)일 수 있다.Referring to FIG. 2A, the light emitting diode chip 120 surrounded by the normally operated test LEDs 120a among the LED chips 120 manufactured in FIG. 1 is transferred to the second manufacturing substrate 52 . The camera 200 is disposed between the first manufacturing substrate 51 and the third manufacturing substrate 53 so that the LED chips 120 disposed on the first manufacturing substrate 51 are disposed on the third manufacturing substrate 51 53). ≪ / RTI > Accordingly, the camera 200 may be a two-way camera 200 capable of photographing the first manufacturing substrate 51 and the third manufacturing substrate 53 at the same time.

그리고 카메라(200)를 통해 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53)의 위치는 면 방향의 x축 방향 및 y축 방향을 조절할 수 있으며, 필요에 따라 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53)의 경사도도 조절할 수 있다.The position of the first manufacturing substrate 51 and the third manufacturing substrate 53 through the camera 200 can be adjusted in the x-axis direction and the y-axis direction in the plane direction, and the first manufacturing substrate 51, And the inclination of the third manufacturing substrate 53 can be adjusted.

본 발명의 일 실시예에서, 제1 제조기판(51)에 배치된 발광 다이오드 칩(120)은 청색 발광 다이오드 칩(122)일 수 있다. 그리고 제3 제조기판(53)에 청색 발광 다이오드 칩(122)을 결합시키기 위한 접착부(S)가 형성될 수 있다. 여기서, 제3 제조기판(53)의 하부에 제3 제조기판(53)을 지지하기 위한 제1 베이스(B1)가 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting diode chip 120 disposed on the first manufacturing substrate 51 may be a blue light emitting diode chip 122. And a bonding portion S for bonding the blue light emitting diode chip 122 to the third manufacturing substrate 53 may be formed. Here, a first base B1 for supporting the third manufacturing substrate 53 may be disposed below the third manufacturing substrate 53. [

이렇게 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53)의 위치가 조정되면, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제3 제조기판(53)에 청색 발광 다이오드 칩(122)이 결합된다. 이때, 제3 제조기판(53)에 결합된 청색 발광 다이오드 칩(122)은 제3 제조기판(53)에 형성된 접착부(S)에 접착되어 제3 제조기판(53)에 결합될 수 있다.When the positions of the first and the third manufacturing substrates 51 and 53 are adjusted as described above, the blue light emitting diode chip 122 is coupled to the third manufacturing substrate 53, as shown in FIG. 2B. At this time, the blue light emitting diode chip 122 coupled to the third manufacturing substrate 53 may be bonded to the third manufacturing substrate 53 by adhering to the bonding portion S formed on the third manufacturing substrate 53.

또한, 상기에서 청색 발광 다이오드 칩(122)을 제3 제조기판(53)에 결합한 방법과 동일한 방법으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제2 제조기판(52) 상에 배치된 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 제4 제조기판(55)에 결합시킬 수 있다. 이때, 제4 제조기판(55)의 하부에 제4 제조기판(55)을 지지하기 위한 제2 베이스(B2)가 배치될 수 있다.2C, the green light emitting diode chip 122, which is disposed on the second manufacturing substrate 52, is formed in the same manner as the method of bonding the blue light emitting diode chip 122 to the third manufacturing substrate 53, (126) to the fourth manufacturing substrate (55). At this time, a second base B2 for supporting the fourth manufacturing substrate 55 may be disposed under the fourth manufacturing substrate 55. [

여기서, 제3 제조기판(53)에 결합되는 청색 발광 다이오드 칩(122)은 제4 제조기판(55)에 결합되는 녹색 발광 다이오드 칩(126)보다 2배로 많은 개수가 결합될 수 있다. 이는 이후 공정에서 청색 발광 다이오드 칩(122)들 중 일부를 이용하여 적색 발광 다이오드 패키지(124)를 제조하기 위함이다.The number of the blue light emitting diode chips 122 coupled to the third manufacturing substrate 53 may be more than twice that of the green light emitting diode chips 126 connected to the fourth manufacturing substrate 55. This is for manufacturing a red light emitting diode package 124 using a part of the blue light emitting diode chips 122 in a subsequent process.

또한, 제3 제조기판(53)에 결합된 청색 발광 다이오드 칩(122)들의 위치와 제4 제조기판(55)에 결합된 녹색 발광 다이오드 칩(126)들의 위치는 서로 다른 위치에 결합될 수 있다.The positions of the blue light emitting diode chips 122 coupled to the third manufacturing substrate 53 and the green light emitting diode chips 126 coupled to the fourth manufacturing substrate 55 may be combined at different positions .

그리고 도 2d를 참조하면, 제3 제조기판(53)에 결합된 청색 발광 다이오드 칩(122)을 제5 제조기판(57)에 결합시키기 위해 제3 제조기판(53)과 제5 제조기판(57)을 서로 대향된 방향으로 배치하고, 제3 제조기판(53)과 제5 제조기판(57) 사이에 카메라(200)를 배치한다. 카메라(200)를 이용하여 제3 제조기판(53)과 제5 제조기판(57)의 위치를 조절할 수 있다. 여기서, 제5 제조기판(57)에 제5 제조기판(57)을 지지하기 위한 제3 베이스(B3)가 결합될 수 있다. 이때, 제5 제조기판(57)은 제3 제조기판(53) 보다 상대적으로 클 수 있다.Referring to FIG. 2D, a third manufacturing substrate 53 and a fifth manufacturing substrate 57 (not shown) are formed in order to couple the blue light emitting diode chip 122 coupled to the third manufacturing substrate 53 to the fifth manufacturing substrate 57. [ And the camera 200 is disposed between the third manufacturing substrate 53 and the fifth manufacturing substrate 57. The third manufacturing substrate 53 is disposed between the third manufacturing substrate 53 and the fifth manufacturing substrate 57, The position of the third manufacturing substrate 53 and the fifth manufacturing substrate 57 can be adjusted by using the camera 200. [ Here, a third base B3 for supporting the fifth production substrate 57 may be coupled to the fifth production substrate 57. [ At this time, the fifth manufacturing substrate 57 may be relatively larger than the third manufacturing substrate 53.

그 다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 카메라(200)를 제거하고, 제3 제조기판(53)과 제5 제조기판(57)을 가까이 이동시켜, 제3 제조기판(53)에 결합된 청색 발광 다이오드 칩(122)을 제5 제조기판(57)으로 전사시킬 수 있다.2E, the camera 200 is removed and the third manufacturing substrate 53 and the fifth manufacturing substrate 57 are moved close to each other so that the blue The light emitting diode chip 122 can be transferred to the fifth manufacturing substrate 57.

그에 따라 도 2f에 도시된 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(122)은 제5 제조기판(57)에 결합될 수 있다. 이렇게 도 2d 내지 도 2e의 과정을 수 차례 반복하면, 도 2f에 도시된 바와 같이, 제5 제조기판(57) 상에 청색 발광 다이오드 칩(122)이 수십 내지 수백 개가 배치될 수 있다. 이때, 제5 제조기판(57) 상에 배치된 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122)은 일정의 규칙을 가지도록 배치될 수 있다. 그리고 상기의 공정을 통해 수십 내지 수백 개의 청색 발광 다이오드 칩(122)이 제5 제조기판(57)에 배치된 것은 도 2g에 도시된다.Thus, as shown in FIG. 2F, the blue light emitting diode chip 122 may be coupled to the fifth manufacturing substrate 57. 2D through FIG. 2E are repeated several times, as shown in FIG. 2F, several hundreds to several hundreds of blue LED chips 122 may be disposed on the fifth manufacturing substrate 57. FIG. At this time, the plurality of blue light emitting diode chips 122 disposed on the fifth manufacturing substrate 57 may be arranged to have a predetermined rule. And FIG. 2G that dozens to hundreds of blue light emitting diode chips 122 are disposed on the fifth manufacturing substrate 57 through the above process.

그리고 도 2g를 참조하면, 제4 제조기판(55)에 결합된 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 제5 제조기판(57)에 결합시키기 위해 제4 제조기판(55)과 제5 제조기판(57)을 서로 대향된 방향으로 배치하고, 제4 제조기판(55)과 제5 제조기판(57) 사이에 카메라(200)를 배치한다. 카메라(200)를 위하여 제4 제조기판(55)과 제5 제조기판(57)의 위치를 조절할 수 있다.Referring to FIG. 2G, a fourth manufacturing substrate 55 and a fifth manufacturing substrate 57 (not shown) are formed in order to couple the green light emitting diode chip 126 coupled to the fourth manufacturing substrate 55 to the fifth manufacturing substrate 57. [ And the camera 200 is disposed between the fourth manufacturing substrate 55 and the fifth manufacturing substrate 57. The fourth manufacturing substrate 55 is disposed between the fourth manufacturing substrate 55 and the fifth manufacturing substrate 57, The position of the fourth manufacturing substrate 55 and the fifth manufacturing substrate 57 can be adjusted for the camera 200. [

그리고 도 2h 및 도 2i에 도시된 바와 같이, 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 제5 제조기판(57)에 전사할 수 있다. 여기서, 녹색 발광 다이오드 칩(126)들이 제5 제조기판(57)에 결합되기 전에 제5 제조기판(57)에는 청색 발광 다이오드 칩(122)들이 배치된 상태이다. 녹색 발광 다이오드 칩(126)들은 제5 제조기판(57)의 청색 발광 다이오드 칩(122)들이 배치되지 않은 위치에 배치될 수 있다. 이때, 이렇게 도 2g 내지 도 2h의 과정을 수 차례 반복하면, 도 2i에 도시된 바와 같이, 제5 제조기판(57) 상에 청색 발광 다이오드 칩(122)과 함께 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 수십 내지 수백 개가 배치될 수 있다. 여기서, 상기의 공정을 통해 수십 내지 수백 개의 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 제5 제조기판(57)에 배치된 것은 도 2j에 도시된다.As shown in FIGS. 2h and 2i, the green LED chip 126 can be transferred to the fifth manufacturing substrate 57. FIG. Here, the blue light emitting diode chips 122 are disposed on the fifth manufacturing substrate 57 before the green light emitting diode chips 126 are coupled to the fifth manufacturing substrate 57. The green light emitting diode chips 126 may be disposed at positions where the blue light emitting diode chips 122 of the fifth manufacturing substrate 57 are not disposed. 2G through FIG. 2H, the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are formed on the fifth manufacturing substrate 57, as shown in FIG. 2I, Hundreds to hundreds can be placed. Here, it is shown in FIG. 2J that tens to hundreds of blue light emitting diode chips 122 and green light emitting diode chips 126 are arranged on the fifth manufacturing substrate 57 through the above process.

이렇게 제5 제조기판(57)에 청색 발광 다이오드 칩(122)들과 녹색 발광 다이오드 칩(126)들이 배치되면, 도 2j에 도시된 바와 같이, 기판(110)에 청색 발광 다이오드 칩(122)들 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)들을 전사하기 위한 기판(110)과 제5 제조기판(57)을 대향된 상태로 배치한다. 여기서, 제5 제조기판(57)에 배치된 수십 내지 수백 개의 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 기판(110)에 한 번에 전사되도록 기판(110)과 제5 제조기판(57)이 서로 대향되게 배치된다. 이때, 기판(110)과 제5 제조기판(57) 상이에 카메라(200)가 배치될 수 있다. 카메라(200)를 이용하여 기판(110)과 제5 제조기판(57) 사이의 위치를 조절한다.When the blue light emitting diode chips 122 and the green light emitting diode chips 126 are disposed on the fifth manufacturing substrate 57 as shown in FIG. 2J, the blue light emitting diode chips 122 And the fifth substrate 57 for transferring green light emitting diode chips 126 are disposed in a state of being opposed to each other. The number of the blue light emitting diode chips 122 and the green light emitting diode chips 126 disposed on the fifth manufacturing substrate 57 are set so as to be transferred to the substrate 110 at one time, The substrates 57 are arranged to face each other. At this time, the camera 200 may be disposed on the substrate 110 and the fifth manufacturing substrate 57. The camera 200 is used to adjust the position between the substrate 110 and the fifth manufacturing substrate 57.

그리고 도 2k에 도시된 바와 같이, 기판(110)과 제5 제조기판(57)을 가까이 이동시켜, 제5 제조기판(57)에서 기판(110)으로 청색 발광 다이오드 칩(122)들 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)들을 전사할 수 있다.2K, the substrate 110 and the fifth manufacturing substrate 57 are moved close to each other so that the blue light emitting diode chips 122 and the green light emitting The diode chips 126 can be transferred.

기판(110)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 결합되면, 도 2l에 도시된 바와 같이, 제5 제조기판(57) 및 기판(110)을 지지하는 제4 베이스(B4)를 분리한다.When the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are coupled to the substrate 110 as shown in FIG. 2L, the fifth manufacturing substrate 57 and the fourth base (B4).

또는, 도 2a 내지 도 2i까지의 공정을 통해 제5 제조기판(57)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치되면, 대면적의 기판(110a)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 전사할 수 있다. 이때, 도 2m에 도시된 바와 같이, 대면적의 기판(110a)의 상부에 제5 제조기판(57)을 배치시키고, 사이에 카메라(200)를 배치하여, 대면적의 기판(110a)과 제5 제조기판(57)의 위치를 조절한다. 그리고 대면적의 기판(110a)에 제5 제조기판(57)의 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 전사한다.Alternatively, when the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are disposed on the fifth manufacturing substrate 57 through the processes of FIGS. 2A to 2I, the blue light emitting diode The chip 122 and the green light emitting diode chip 126 can be transferred. At this time, as shown in FIG. 2m, the fifth manufacturing substrate 57 is disposed on the large-area substrate 110a, and the camera 200 is disposed between the fifth manufacturing substrate 57 and the large- 5 Adjust the position of the manufacturing substrate 57. Then, the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 of the fifth manufacturing substrate 57 are transferred to the large-area substrate 110a.

그 다음, 도 2n에 도시된 바와 같이, 대면적의 기판(110a)의 다른 위치에 다른 제5 제조기판(57)을 배치시키고 카메라(200)를 이용하여 위치를 조절한 다음, 도 2o에 도시된 바와 같이, 대면적의 기판(110a)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 전사할 수 있다.Next, as shown in FIG. 2N, a fifth production substrate 57 is arranged at another position of the large-area substrate 110a, and the position is adjusted using the camera 200. Then, The blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 can be transferred to the large area substrate 110a.

상기에서 본 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 제조하는 방법에 대해 설명하면서, 청색 발광 다이오드 칩(122)과 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 이용한 것에 대해서만 설명하는데, 필요에 따라 적색 발광 다이오드 칩을 추가로 이용할 수 있다. 적색 발광 다이오드 칩이 이용되는 경우, 도 2a 및 도 2b의 공정에서 청색 발광 다이오드 칩(122)이 제3 제조기판(53)을 전사되는 개수와 도 2c의 공정에서 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 제4 제조기판(55)으로 전사되는 개수가 동일할 수 있다. 그리고 추가로 적색 발광 다이오드 칩을 청색 발광 다이오드 칩(122)과 동일한 개수를 별도의 제조기판에 전사할 수 있다. 그에 따라 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 칩을 이용한 디스플레이 장치(100)를 제조할 수 있다.The method of manufacturing the display device 100 according to the present embodiment will now be described with reference to using only the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126, Can be additionally used. In the case where the red LED chip is used, the number of the blue LED chip 122 transferred to the third manufacturing substrate 53 in the process of FIGS. 2A and 2B and the green LED chip 126 in the process of FIG. And the number of transferred to the fourth manufacturing substrate 55 may be the same. Further, the same number of red light emitting diode chips as the blue light emitting diode chips 122 can be transferred to a separate manufacturing substrate. Accordingly, the blue light emitting diode chip 122, the green light emitting diode chip 126, and the display device 100 using the red light emitting diode chip can be manufactured.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 제조 장치의 일부를 간략히 도시한 도면이다.3 is a view schematically showing a part of a manufacturing apparatus for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 공정을 통해 기판(110)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 전사하기 위한 도 3을 참조하여, 디스플레이 장치(100)를 제조하기 위한 제조 장치(300)에 대해 설명한다. 디스플레이 장치(100) 제조 장치(300)는, 제1 챔버(312), 제2 챔버(314), 제1 이동부(322), 제3 챔버(324), 제2 이동부(332), 제4 챔버(334), 제5 챔버(342) 및 제6 챔버(352)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 for transferring the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 to the substrate 110 through the process shown in FIG. 2, the manufacturing apparatus for manufacturing the display device 100 300 will be described. The display apparatus 100 manufacturing apparatus 300 includes a first chamber 312, a second chamber 314, a first moving unit 322, a third chamber 324, a second moving unit 332, A fourth chamber 334, a fifth chamber 342, and a sixth chamber 352.

제1 챔버(312)는 청색 발광 다이오드 칩(122)들이 실장된 제1 제조기판(51)이 위치하고, 제2 챔버(314)는 녹색 발광 다이오드 칩(126)들이 실장된 제2 제조기판(52)이 위치한다. 그리고 제3 챔버(324)에서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51)에 배치된 청색 발광 다이오드 칩(122)을 제3 제조기판(53)에 전사하기 위해 제1 제조기판(51)과 제3 제조기판(53)이 대향된 방향으로 배치되는 제1 공정이 수행된다. 또한, 제4 챔버(334)에서, 제2 제조기판(52)에 배치된 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 제4 제조기판(55)에 전사하기 위해 제2 제조기판(52)과 제4 제조기판(55)이 대향된 방향으로 배치되는 제1 공정이 수행된다. 이렇게 제1 공정은 제3 챔버(324) 및 제4 챔버(334)에서 동시에 수행될 수 있다.The first chamber 312 includes a first manufacturing substrate 51 on which blue light emitting diode chips 122 are mounted and the second chamber 314 includes a second manufacturing substrate 52 on which green light emitting diode chips 126 are mounted. ). 2A, in order to transfer the blue light emitting diode chip 122 disposed on the first manufacturing substrate 51 to the third manufacturing substrate 53, A first process is performed in which the first production substrate 51 and the third production substrate 53 are disposed in the opposite directions. In addition, in the fourth chamber 334, the second manufacturing substrate 52 and the fourth manufacturing process are performed to transfer the green light emitting diode chip 126 disposed on the second manufacturing substrate 52 to the fourth manufacturing substrate 55, A first process in which the substrate 55 is disposed in the opposite direction is performed. The first process may be performed in the third chamber 324 and the fourth chamber 334 at the same time.

그리고 제3 챔버(324)에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51)에서 제3 제조기판(53)으로 청색 발광 다이오드 칩(122)이 전사되는 제2 공정이 수행될 수 있다. 제4 챔버(334)에서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제2 제조기판(52)에서 제4 제조기판(55)으로 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 전사되는 제2 공정이 수행될 수 있다. 이때, 제2 공정은 제3 챔버(324) 및 제4 챔버(334)에서 동시에 수행될 수 있다.2B, a second process in which the blue light emitting diode chip 122 is transferred from the first manufacturing substrate 51 to the third manufacturing substrate 53 may be performed in the third chamber 324 have. In the fourth chamber 334, a second process may be performed in which the green LED chip 126 is transferred from the second manufacturing substrate 52 to the fourth manufacturing substrate 55, as shown in FIG. 2C . At this time, the second process may be performed simultaneously in the third chamber 324 and the fourth chamber 334.

다음으로, 제5 챔버(342)에서 제3 공정이 수행될 수 있다. 제3 공정은, 도 2d 내지 도 2i에 도시된 바와 같이, 제3 제조기판(53)에 배치된 청색 발광 다이오드 칩(122)과 제4 제조기판(55)에 배치된 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 제5 제조기판(57)으로 전사되는 공정이다.Next, a third process may be performed in the fifth chamber 342. The third process is a process in which the blue light emitting diode chip 122 arranged on the third manufacturing substrate 53 and the green light emitting diode chip 126 arranged on the fourth manufacturing substrate 55 Is transferred to the fifth production substrate 57. [

그리고 제3 공정을 통해 제5 제조기판(57)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치되면, 로봇암(R)에 의해 제5 챔버(342)로 이동된다. 제5 챔버(342)에서, 도 2j 내지 도 2l에 도시된 바와 같은 제4 공정이 수행되거나, 도 2m 내지 도 2o에 도시된 바와 같은 제4 공정이 수행될 수 있다. 제4 공정이 완료되면, 기판(110) 또는 대면적의 기판(110a)에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치될 수 있다.When the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are disposed on the fifth manufacturing substrate 57 through the third process, the green light emitting diode chip 126 is moved to the fifth chamber 342 by the robot arm R. In the fifth chamber 342, a fourth process as shown in Figs. 2J-2L may be performed, or a fourth process as shown in Figs. 2M-2O may be performed. The blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 may be disposed on the substrate 110 or the large area substrate 110a.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a process of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.

상기에서 설명한 바와 같이, 도 3에 도시된 제조 장치(300)를 이용하여 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 기판(110) 또는 대면적의 기판(110a) 상에 배치가 완료되면, 기판(110) 또는 대면적의 기판(110a) 상에 배치된 청색 발광 다이오드 칩(122) 중 일부를 이용하여 적색 발광 다이오드 패키지(124)를 제조할 수 있다.As described above, the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are arranged on the substrate 110 or the large-area substrate 110a by using the manufacturing apparatus 300 shown in FIG. The red light emitting diode package 124 may be manufactured using the substrate 110 or a part of the blue light emitting diode chips 122 disposed on the large area substrate 110a.

도 4a를 참조하면, 기판(110) 상에 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치된다. 이때, 두 개의 청색 발광 다이오드 칩(122)과 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 하나의 그룹으로 기판(110) 상에 규칙적으로 배치된다. 이 하나의 그룹이 디스플레이 장치(100)에서 하나의 픽셀이 될 수 있다.Referring to FIG. 4A, a plurality of blue light emitting diode chips 122 and a plurality of green light emitting diode chips 126 are disposed on a substrate 110. At this time, two blue light emitting diode chips 122 and one green light emitting diode chip 126 are regularly arranged on the substrate 110 as a group. This one group can be one pixel in the display device 100. [

이렇게 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치된 기판(110)의 상부에 도 4b에 도시된 바와 같이, 하나의 청색 발광 다이오드 칩(122)과 인접한 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 덮도록 제조 절연부(63)를 형성한다. 이때, 제조 절연부(63)는 적색 발광 다이오드 패키지(124)를 제조하기 위한 청색 발광 다이오드 칩(122)을 제외한 나머지 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)과 함께 기판(110) 상면을 덮도록 형성된다.As shown in FIG. 4B, on one side of the substrate 110 on which the plurality of blue light emitting diode chips 122 and the plurality of green light emitting diode chips 126 are disposed, one blue light emitting diode chip 122 and one The manufacturing insulating portion 63 is formed so as to cover the green light emitting diode chip 126 of FIG. At this time, the manufacturing insulation part 63 is formed with the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 except for the blue light emitting diode chip 122 for manufacturing the red light emitting diode package 124, As shown in Fig.

그리고 도 4c에 도시된 바와 같이, 제조 절연부(63)의 상부를 포함하여 기판(110) 상부 전체를 덮도록 형광부(160)가 형성된다. 형광부(160)는 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 적색광으로 파장 변환할 수 있는 형광체를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 형광부(160)는 제조 절연부(63)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.4C, the fluorescent portion 160 is formed so as to cover the entire upper portion of the substrate 110 including the upper portion of the manufacturing insulating portion 63. As shown in FIG. The fluorescent portion 160 may include a phosphor capable of wavelength conversion of the blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 into red light. As shown in the figure, the fluorescent portion 160 may be formed thicker than the thickness of the manufacturing insulating portion 63.

다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제조 절연부(63)의 두께에 맞게 형광부(160)의 상부를 제거한다. 그리고 기판(110) 상에 배치된 제조 절연부(63)를 제거하면, 도 4e에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 배치된 두 개의 청색 발광 다이오드 칩(122) 중 하나에 형광부(160)가 덮인 상태로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 4D, the upper portion of the fluorescent portion 160 is removed in accordance with the thickness of the manufacturing insulating portion 63. Next, as shown in FIG. 4E, one of the two blue light emitting diode chips 122 disposed on the substrate 110 is provided with a fluorescent part (not shown) 160 may be covered.

그리고 형광부(160)를 측면 및 상면을 덮도록 컬러필터부(170)를 도 4f에 도시된 바와 같이 형성한다. 컬러필터부(170)는 형광부(160)를 통해 방출된 광에서 소정의 파장보다 작거나 큰 대역을 차단하는 역할을 한다. 본 실시예에서, 컬러필터부(170)는 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광에 해당하는 파장 대역을 차단할 수 있다. 형광부(160)가 앞서 설명한 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 적색광으로 파장 변환하는 형광체가 포함되는데, 그에 따라 형광부(160)에서 적색광이 대부분 방출된다. 그렇지만, 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광의 일부가 형광부(160)에서 여기되지 않은 상태로 형광부(160)에서 방출될 수 있다. 그에 따라 컬러필터부(170)에서 형광부(160)를 통해 일부 방출되는 청색광을 차단하여 컬러필터부(170)를 통해 적색광이 최대로 방출되도록 할 수 있다.The color filter portion 170 is formed to cover the side surface and the upper surface of the fluorescent portion 160 as shown in FIG. 4F. The color filter unit 170 blocks a band that is smaller or larger than a predetermined wavelength in the light emitted through the fluorescent unit 160. In this embodiment, the color filter unit 170 can cut off the wavelength band corresponding to the blue light emitted from the blue LED chip 122. As described above, the fluorescent portion 160 includes a phosphor that converts the blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 into red light. As a result, most of the red light is emitted from the fluorescent portion 160. However, a part of the blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 may be emitted from the fluorescent section 160 without being excited by the fluorescent section 160. Accordingly, the blue light partially emitted from the color filter unit 170 through the fluorescent unit 160 is cut off, and the red light is maximally emitted through the color filter unit 170.

본 실시예에서, 컬러필터부(170)는 형광부(160)의 상면과 측면을 덮도록 형성되면서, 가급적 얇은 두께를 가지도록 코팅될 수 있다.In this embodiment, the color filter portion 170 is formed so as to cover the upper and side surfaces of the fluorescent portion 160, and may be coated to have a thickness as thin as possible.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드들이 배치된 것을 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing the arrangement of light emitting diodes of a display device according to an embodiment of the present invention.

상기에서 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같은 공정 및 제조 장치(300)를 이용하여 디스플레이 장치(100)를 제조하면, 도 5에 도시된 바와 같은 디스플레이 장치(100)를 제조할 수 있다. 이때, 하나의 청색 발광 다이오드 칩(122), 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 하나의 적색 발광 다이오드 패키지(124)는 디스플레이 장치(100)의 하나의 픽셀(P)이 될 수 있다. 본 실시예에서의 하나의 픽셀 내에 포함된 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 패키지(124)의 배치는 도시된 바와 같이, 삼각 구조로 배치된 것으로 설명하지만, 이러한 배치는 필요에 따라 달라질 수 있다.When the display device 100 is manufactured using the process and manufacturing apparatus 300 as shown in FIGS. 1 to 4, the display device 100 as shown in FIG. 5 can be manufactured. At this time, one blue light emitting diode chip 122, one green light emitting diode chip 126, and one red light emitting diode package 124 may be one pixel P of the display device 100. The arrangement of the blue light emitting diode chip 122, the green light emitting diode chip 126 and the red light emitting diode package 124 included in one pixel in this embodiment is described as being arranged in a triangular structure as shown in the figure , This arrangement may vary as needed.

또한, 기판(110) 상에 배치된 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 패키지(124)에 전원을 공급하기 위한 구동회로가 결합되어 디스플레이 장치(100)를 구현할 수 있다.A driving circuit for supplying power to the blue light emitting diode chip 122, the green light emitting diode chip 126 and the red light emitting diode package 124 disposed on the substrate 110 is coupled to the display device 100 Can be implemented.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It should be understood that the scope of the present invention is to be understood as the scope of the following claims and their equivalents.

100: 디스플레이 장치
110, 110a: 기판
120: 발광 다이오드 칩 120a: 시험 발광 다이오드 칩
122: 청색 발광 다이오드 칩 124: 적색 발광 다이오드 패키지
126: 녹색 발광 다이오드 칩
160: 형광부 170: 컬러필터부
51: 제1 제조기판 52: 제2 제조기판
53: 제3 제조기판 55: 제4 제조기판
57: 제5 제조기판 61: 웨이퍼
63: 제조 절연부
200: 카메라
B1 ~ B5: 제1 내지 제5 베이스 S: 접착부
300: 제조 장치
312: 제1 챔버 314: 제2 챔버
322: 제1 이동부 324: 제3 챔버
332: 제2 이동부 334: 제4 챔버
342: 제5 챔버 352: 제6 챔버
R: 로봇암100: display device
110, 110a: substrate
120: light emitting diode chip 120a: test light emitting diode chip
122: blue light emitting diode chip 124: red light emitting diode package
126: Green light emitting diode chip
160: Fluorescent section 170: Color filter section
51: first manufacturing substrate 52: second manufacturing substrate
53: third manufacturing substrate 55: fourth manufacturing substrate
57: fifth manufacturing substrate 61: wafer
63: Manufacturing insulation part
200: camera
B1 to B5: first to fifth bases S:
300: Manufacturing apparatus
312: first chamber 314: second chamber
322: first moving part 324: third chamber
332: second moving part 334: fourth chamber
342: fifth chamber 352: sixth chamber
R: Robot arm

Claims (12)

웨이퍼에서 제1 및 제2 제조기판 상에 청색광을 방출하는 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 녹색광을 방출하는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 각각 전사하는 단계;
상기 제1 제조기판에서 제3 제조기판으로 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩을 전사하는 단계;
상기 제2 제조기판에서 상기 제3 제조기판으로 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 전사하는 단계; 및
상기 제3 제조기판에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.Transferring a plurality of blue light emitting diode chips emitting blue light and green light emitting diode chips emitting green light onto the first and second manufacturing substrates respectively on the wafer;
Transferring the plurality of blue light emitting diode chips from the first manufacturing substrate to a third manufacturing substrate;
Transferring the plurality of green light emitting diode chips from the second manufacturing substrate to the third manufacturing substrate; And
And transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips from the third manufacturing substrate to the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 상기 기판에 전사하는 단계는, 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 상기 기판에 배치된 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치되지 않은 위치에 전사하는 디스플레이 장치 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of transferring the plurality of green light emitting diode chips to the substrate comprises transferring the plurality of green light emitting diode chips to a position where a plurality of blue light emitting diode chips arranged on the substrate are not disposed. 청구항 1에 있어서,
상기 웨이퍼에 배치된 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩은 복수의 시험 발광 다이오드 칩 사이에 배치되고,
상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩은 각각 정상적으로 동작하는 지를 시험하는 시험을 통과한 것인 디스플레이 장치 제조 방법.The method according to claim 1,
The plurality of blue light emitting diode chips or the plurality of green light emitting diode chips arranged on the wafer are disposed between the plurality of test light emitting diode chips,
Wherein each of the plurality of test light-emitting diode chips passes a test for testing whether or not each of the plurality of test light-emitting diode chips operates normally. 청구항 3에 있어서,
상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩 각각은 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 상기 녹색 발광 다이오드 칩보다 큰 크기를 갖는 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein each of the plurality of test light emitting diode chips has a size larger than that of the plurality of blue light emitting diode chips or the green light emitting diode chip. 청구항 3에 있어서,
상기 복수의 시험 발광 다이오드 칩은 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 또는 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 주변에 적어도 세 개 이상 배치된 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the plurality of test light emitting diode chips are disposed in the periphery of the plurality of blue light emitting diode chips or the plurality of green light emitting diode chips. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 기판에 전사하는 단계에서, 상기 기판은 상기 제3 제조기판보다 큰 디스플레이 장치 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips to the substrate is larger than the third manufacturing substrate. 청구항 6에 있어서,
상기 기판은 상기 제3 제조기판보다 두 배 이상 큰 크기를 갖는 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 6,
Wherein the substrate has a size twice as large as that of the third substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 제조기판에 전사된 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩의 개수는 상기 제2 제조기판에 전사된 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 개수보다 많은 디스플레이 장치 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the number of the plurality of blue light emitting diode chips transferred to the first manufacturing substrate is greater than the number of the plurality of green light emitting diode chips transferred to the second manufacturing substrate. 청구항 8에 있어서,
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 일부 및 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 덮도록 제조 절연부를 형성하는 단계;
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 나머지를 덮도록 형광부를 형성하는 단계; 및
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 일부 및 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 덮은 제조 절연부를 제거하는 단계를 더 포함하고,
상기 형광부는 상기 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 형광체를 포함하는 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 8,
Forming a manufacturing insulating part to cover a part of the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips;
Forming a fluorescent portion to cover the rest of the plurality of blue LED chips; And
Further comprising removing a part of the plurality of blue light emitting diode chips and a manufacturing insulating part covering the plurality of green light emitting diode chips,
Wherein the fluorescent portion includes a phosphor that emits red light by wavelength-converting blue light emitted from the blue light emitting diode chip. 청구항 9에 있어서,
상기 제조 절연부가 제거된 다음, 상기 형광부를 덮도록 컬러필터부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 컬러필터부는 상기 형광부를 통해 방출된 광에서 청색광 대역의 파장을 차단하는 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 9,
Further comprising forming the color filter portion to cover the fluorescent portion after the manufacturing insulating portion is removed,
Wherein the color filter unit blocks the wavelength of the blue light band in the light emitted through the fluorescent unit. 청구항 9에 있어서,
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상, 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상 및 상기 형광부가 덮인 복수의 청색 발광 다이오드 칩 중 하나 이상이 하나의 픽셀을 형성하는 디스플레이 장치 제조 방법.The method of claim 9,
Wherein at least one of the plurality of blue light emitting diode chips, at least one of the plurality of green light emitting diode chips, and at least one of the plurality of blue light emitting diode chips covered with the fluorescent portion form one pixel. 청색광을 방출하는 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치된 제1 웨이퍼에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩의 일부를 제1 제조기판에 전사하는 공정이 이루어지는 제1 챔버;
녹색광을 방출하는 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 배치된 제2 웨이퍼에서 상기 복수의 녹색 발광 다이오드 칩의 일부를 제2 제조기판에 전사하는 공정이 이루어지는 제2 챔버;
상기 제1 제조기판에서 복수의 청색 발광 다이오드 칩을 제3 제조기판으로 전사하고, 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩이 배치된 제3 제조기판에 상기 제2 제조기판에서 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 상기 제3 제조기판으로 전사하는 공정이 이루어지는 제3 챔버;
상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩이 배치된 제3 제조기판에서 상기 복수의 청색 발광 다이오드 칩 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩을 전사하는 공정이 이루어지는 제4 챔버; 및
상기 제1 내지 제4 챔버 사이에 배치되며, 상기 제1 내지 제4 챔버로 상기 제1 및 제2 웨이퍼와 제1 내지 제3 제조기판을 이송하는 복수의 로봇암을 포함하는 디스플레이 장치 제조 장치.A first chamber in which a part of the plurality of blue LED chips is transferred to a first manufacturing substrate in a first wafer on which a plurality of blue LED chips emitting blue light are disposed;
A second chamber in which a part of the plurality of green light emitting diode chips is transferred to a second manufacturing substrate in a second wafer on which a plurality of green light emitting diode chips emitting green light are disposed;
A plurality of blue light emitting diode chips are transferred from the first manufacturing substrate to a third manufacturing substrate and a plurality of green LED chips are transferred from the second manufacturing substrate to a third manufacturing substrate on which the plurality of blue light emitting diode chips are disposed, A third chamber in which a process of transferring to a third fabrication substrate is performed;
A fourth chamber for transferring the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips from a third manufacturing substrate on which the plurality of blue light emitting diode chips and the plurality of green light emitting diode chips are disposed; And
And a plurality of robot arms disposed between the first to fourth chambers for transferring the first and second wafers and the first to third manufacturing substrates to the first to fourth chambers.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111201595A (en) * 2019-04-03 2020-05-26 厦门市三安光电科技有限公司 Display device and method for manufacturing the same
WO2021177646A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-10 삼성전자주식회사 Display module and method for manufacturing display module
US11387384B2 (en) 2019-04-16 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. LED transferring method and display module manufactured by the same
WO2022192460A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Systems and methods for fabrication of micro-led displays

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070060372A (en) * 2005-12-08 2007-06-13 삼성전자주식회사 Apparatus for fabricating semiconductor device
KR100973469B1 (en) * 2009-08-14 2010-08-02 주식회사 세미라인 Wafer transfer tool in lift-off apparatus for manufacturing light emission diode
JP4605207B2 (en) * 2007-11-15 2011-01-05 ソニー株式会社 Element transfer method
KR20140083488A (en) * 2012-12-26 2014-07-04 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
JP2015500562A (en) 2011-11-18 2015-01-05 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション Micro light emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070060372A (en) * 2005-12-08 2007-06-13 삼성전자주식회사 Apparatus for fabricating semiconductor device
JP4605207B2 (en) * 2007-11-15 2011-01-05 ソニー株式会社 Element transfer method
KR100973469B1 (en) * 2009-08-14 2010-08-02 주식회사 세미라인 Wafer transfer tool in lift-off apparatus for manufacturing light emission diode
JP2015500562A (en) 2011-11-18 2015-01-05 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション Micro light emitting diode
KR20140083488A (en) * 2012-12-26 2014-07-04 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111201595A (en) * 2019-04-03 2020-05-26 厦门市三安光电科技有限公司 Display device and method for manufacturing the same
CN111201595B (en) * 2019-04-03 2023-07-14 厦门市三安光电科技有限公司 Display device and method for manufacturing the same
US11387384B2 (en) 2019-04-16 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. LED transferring method and display module manufactured by the same
WO2021177646A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-10 삼성전자주식회사 Display module and method for manufacturing display module
WO2022192460A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Systems and methods for fabrication of micro-led displays

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