KR101921111B1 - Method for Rework Micro Light Emitting Diodes - Google Patents

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이효수
신영철
고용호
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한국생산기술연구원
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a method for reworking a micro light emitting diode capable of reducing repair time comprises the steps of: forming a backplane substrate having a plurality of pixels by aligning a plurality of micro light emitting diodes; detecting a defective pixel formed on the backplane substrate; aligning an array mask having an opening region corresponding to the defective pixel on the backplane substrate; providing near infrared on the aligned array mask and backplane substrate; and removing the micro light emitting diode disposed on the defective pixel. The near infrared is provided to the micro light emitting diode disposed on the defective pixel. A suction is provided to the micro light emitting diode disposed on the defective pixel.

Description

마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법{Method for Rework Micro Light Emitting Diodes}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a micro-

본 발명은 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불량 화소의 발광 다이오드를 근적외선으로 멜팅시키고 석션시킴으로써 리페어 시간과 비용을 저감할 수 있는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rewiring method of a micro light emitting diode, and more particularly, to a rewiring method of a micro light emitting diode capable of reducing repair time and cost by melting and sucking a light emitting diode of a defective pixel by near infrared rays.

평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Emitting Display Device), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 양자점 표시 장치(Quantum Dot Display Device), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: EPD) 등을 들 수 있는데, 이들은 공통적으로 화상을 구현하는 평판 표시 패널을 필수적인 구성요소로 하는 바, 평판 표시패널은 고유의 발광 또는 편광 혹은 그 밖의 광학 물질층을 사이에 두고 한 쌍의 투명 절연기판을 대면 합착시킨 구성을 갖는다. Specific examples of the flat panel display include a liquid crystal display (LCD) device, an organic light emitting display device, a plasma display panel (PDP) device, a quantum dot display device ), A field emission display device (FED), and an electrophoretic display device (EPD). The flat display panel, which realizes images in common, is an essential component, The flat panel display panel has a structure in which a pair of transparent insulation substrates are bonded together with inherent light emission, polarization, or other optical material layers interposed therebetween.

이 중에서, 무기 재료로 이루어지는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 표시 장치의 화소로 이용하는 바가 제안되고 있으며, 이러한 표시 장치를 발광 다이오드 표시 장치라 한다. 여기서, 발광 다이오드(LED)들은 웨이퍼(wafer)에서 성장시켜 이를 백플레인 기판 상에 이송시켜 화소를 표현한다. 각 LED는 1 내지 100 ㎛의 폭/길이의 마이크로 단위를 갖기에, 마이크로 디스플레이라고도 한다. Among them, a light emitting diode (LED) made of an inorganic material is used as a pixel of a display device. Such a display device is called a light emitting diode display device. Here, light emitting diodes (LEDs) are grown on a wafer and transferred onto a backplane substrate to express pixels. Each LED is also referred to as a microdisplay, since it has micro-units of width / length of 1 to 100 [mu] m.

이러한 일반적인 발광 다이오드 표시 장치는, 웨이퍼에 형성된 마이크로 발광 다이오드를 백플레인 기판의 선택적 위치에 전사(이송: transfer)하는 방식으로, 웨이퍼 상에 형성하는 발광 다이오드 칩(LED chip on wafer)의불량 제어 및 전사 공정의 수율 확보가 핵심이다.Such a general LED display device is a method of transferring (transferring) a micro light emitting diode formed on a wafer to a selective position of a backplane substrate, in which a defect control of an LED chip on wafer formed on a wafer, Securing the yield of the process is the key.

특히, 발광 다이오드 칩의 불량과 전사 공정의 양/불량에 기인한 표시 장치의 불량을 방지하기 위해, LED을 백플레인 기판에 전사 후, 이의 양/불량을 판별하는 과정을 거치고, 불량이 발생하였을 경우, 정상 LED로 다시 교체하여 주는 작업을 수행한다.Particularly, in order to prevent the display device from being defective due to the defect of the light emitting diode chip and the defective / defective transfer process, the LED is transferred to the backplane substrate, and then the process of determining the quantity / defect thereof is performed, , And the LED is replaced with the normal LED.

이와 같이, 일반적인 발광 다이오드 표시 장치에 있어서, 리페어 과정은, 이미 접착층에 의해 백플레인 기판에 접착된 LED를 제거하는 과정이 요구된다.As described above, in a general LED display device, the repairing process requires a process of removing the LED that has already been bonded to the backplane substrate by the adhesive layer.

여기서, 주변의 정상 LED에 영향 없이 접착층에 부착된 불량 LED의 탈착 과정이 요구되며, 상기한 불량LED를 탈착시키는 과정에서 비용과 시간이 크게 추가되는 문제가 있다. Here, it is required to perform a detachment process of the defective LED attached to the adhesive layer without affecting the surrounding normal LED, and there is a problem that cost and time are greatly added in the process of detaching the defective LED.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 불량화소의 발광 다이오드를 근적외선으로 멜팅시키고 석션시겨 불량화소의 발광 다이오드를 제거함으로써 리페어 시간과 비용을 저감할 수 있는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method of reworking a micro light emitting diode capable of reducing repair time and cost by melting a light emitting diode of a defective pixel by near infrared rays and removing a light emitting diode of a defective pixel at the time of suction.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise form disclosed. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 복수의 마이크로 발광 다이오드를 정렬시켜 복수의 화소를 구비하는 백플레인 기판을 형성하는 단계, 상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계, 상기 백플레인 기판 상에 상기 불량 화소에 대응시킨 개부 영역을 구비한 어레이 마스크를 정렬시키는 단계, 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 상에 근적외선을 제공하는 단계 및 상기 불량 화소에 배치된 마이크로 발광 다이오드를 제거하는 단계를 포함하되, 상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공되고, 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에는 석션이 제공된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method for rewiring a micro light emitting diode, comprising: forming a back plane substrate having a plurality of pixels by aligning a plurality of micro light emitting diodes; Detecting a formed defective pixel, aligning an array mask having an opening area corresponding to the defective pixel on the backplane substrate, providing near infrared rays on the aligned array mask and the backplane substrate, Emitting diode disposed in the defective pixel, wherein the near-infrared ray is provided to the micro-light-emitting diode disposed in the defective pixel, and the micro-light-emitting diode disposed in the defective pixel is provided with a suction.

상기 백플레인 기판은, 상기 마이크로 발광 다이오드에 연결된 데이터 배선, 상기 데이터 배선에 직교하는 방향에 배치된 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 게이트 배선이 교차 영역에 각각 배치된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. The backplane substrate may include a data line connected to the micro light emitting diode, a gate line arranged in a direction orthogonal to the data line, and a thin film transistor disposed at an intersection of the data line and the gate line.

상기 마이크로 발광 다이오드는, 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩과 기판을 연결하는 단자를 포함하고, 상기 단자는 상기 데이터 배선에 연결될 수 있다. The micro light emitting diode includes a light emitting diode chip that emits light and a terminal that connects the light emitting diode chip and the substrate, and the terminal may be connected to the data line.

상기 마이크로 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광 다이오드 칩이 상기 화소에 각각 배치될 수 있다. The light emitting diode chip emitting red, green, and blue light may be disposed on the pixel.

상기 근적외선은 상기 단자를 멜팅시킬 수 있다. The near infrared rays may melt the terminal.

상기 단자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 납(Pb), 백금(Pt) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 재료를 포함할 수 있다. The terminal may comprise a material selected from silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), lead (Pb), platinum (Pt), and mixtures thereof.

상기 근적외선은 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 전면에 조사할 수 있다. The near-infrared rays can be irradiated onto the arrayed array mask and the entire backplane substrate.

상기 근적외선은 상기 개구 영역으로 노출된 마이크로 발광 다이오드에 포커싱시켜 조사할 수 있다. The near-infrared rays may be focused on the micro-light emitting diode exposed in the opening region.

상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서, 상기 불량 화소는 블랙 스팟으로 표시될 수 있다. In the step of detecting a defective pixel formed on the backplane substrate, the defective pixel may be displayed as a black spot.

상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서, 불량 화소를 검출하는 단계는, 상기 화소에 검사선을 형성하고, 상기 검사선을 통해 상기 마이크로 발광 다이오드의 전체를 온/오프시켜 육안으로 검사하거나, 상기 검사선에 전류를 흘려 쇼트가 발생한 영역을 검출하는 단계일 수 있다. In the step of detecting a defective pixel formed on the backplane substrate, the step of detecting a defective pixel includes forming an inspection line on the pixel, turning on / off the entire micro-LED through the inspection line, Or a step of flowing an electric current through the inspection line to detect an area where a short has occurred.

상기 어레이 마스크는 상기 복수의 화소에 각각 대응되는 개폐부를 포함하며, 상기 개폐부는, 상기 불량 화소가 발생된 영역을 노출시킨 상기 개부 영역을 형성할 수 있다. The array mask may include an opening / closing part corresponding to each of the plurality of pixels, and the opening / closing part may form the opening area exposing the area where the defective pixel is generated.

상기 개부 영역에는 상기 근적외선이 조사되고, 상기 폐부 영역에는 상기 근적외선을 차단할 수 있다. The near-infrared rays may be irradiated to the opening region, and the near-infrared rays may be blocked to the closed region.

상기 어레이 마스크는 각각 상기 화소에 대응되는 개폐부를 구비할 수 있다. Each of the array masks may include an opening / closing part corresponding to the pixel.

상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치되는 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 200 내지 300℃ 범위로 상승시킬 수 있다. The near-infrared rays may raise the temperature of the micro-light emitting diode disposed in the defective pixel to a range of 200 to 300 ° C.

상기 석션은 1mmHg 내지 60mmHg 범위의 흡입력을 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공할 수 있다. The suction may provide a suction power in the range of 1 mmHg to 60 mmHg to the micro-LED.

상기 석션은, 상기 어레이 마스크와 상기 백플레인 기판 사이 공간에 제공할 수 있다. The suction may be provided in a space between the array mask and the backplane substrate.

상기 근적외선으로 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 상승시킨 이후에, 상기 석션을 제공하여 상기 마이크로 발광 다이오드를 백플레인 기판에서 탈착시킬 수 있다. After the temperature of the micro-LED is raised by the near-infrared rays, the micro-LED may be detached from the back-plane substrate by providing the suction.

본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 불량화소의 발광 다이오드를 근적외선으로 멜팅시키고 석션시겨 불량화소를 제거함으로써 리페어 시간과 비용을 저감할 수 있는 효과가 있다. The rewiring method of the micro light emitting diode according to the embodiment of the present invention has the effect of reducing repair time and cost by melting the light emitting diode of the defective pixel by near infrared rays and removing the defective pixels at the time of suction.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects and include all effects that can be deduced from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법을 도시한 순서도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법을 도시한 도면들이다. 1 is a flowchart showing a rewiring method of a micro light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 5 are views showing a method of rewiring a micro light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" (connected, connected, coupled) with another part, it is not only the case where it is "directly connected" "Is included. Also, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법을 도시한 순서도이고, 도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법을 도시한 도면들이다. FIG. 1 is a flowchart illustrating a rewiring method of a micro light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 illustrate a rewiring method of a micro light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은, 복수의 마이크로 발광 다이오드(150)를 정렬시켜 복수의 화소(PX)를 구비하는 백플레인 기판(100)을 형성하는 단계(S100), 백플레인 기판(100) 상에 형성된 불량 화소(NG)를 검출하는 단계(S200), 백플레인 기판(100) 상에 불량 화소(NG)에 대응시킨 개부 영역(250)을 구비한 어레이 마스크(200)를 정렬시키는 단계(S300), 정렬된 어레이 기판(200) 및 백플레인 기판(100) 상에 근적외선을 제공하는 단계(S400) 및 불량 화소(NG)에 배치된 마이크로 발광 다이오드(150)를 제거하는 단계(S500)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a method of rewiring a micro light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a backplane substrate 100 having a plurality of pixels PX by aligning a plurality of micro light emitting diodes 150 A step S200 of detecting a defective pixel NG formed on the backplane substrate 100 and a step S200 of forming an array region 250 corresponding to a defective pixel NG on the backplane substrate 100, A step S300 of aligning the mask 200 and a step S400 of providing near infrared rays on the aligned array substrate 200 and the backplane substrate 100 and a micro light emitting diode 150 arranged in the defective pixel NG, (S500).

여기서, 근적외선(NIR)은 불량 화소(NG)에 배치된 마이크로 발광 다이오드(150)에 제공되고, 불량 화소(NG)에 배치된 마이크로 발광 다이오드(150)에는 석션이 제공된다. Here, the near infrared rays (NIR) are provided to the micro light emitting diode 150 disposed in the defective pixel (NG), and the micro light emitting diode 150 disposed in the defective pixel (NG) is provided with a suction.

도 1 및 도 2를 참조하면, 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 복수의 마이크로 발광 다이오드(150)를 정렬시켜 복수의 화소(PX)를 구비하는 백플레인 기판(100)을 형성하는 단계(S100)를 실시한다. Referring to FIGS. 1 and 2, a method for rewiring a micro light emitting diode includes a step S100 of forming a backplane substrate 100 having a plurality of pixels PX by aligning a plurality of micro light emitting diodes 150 Conduct.

본 발명에 따른 백플레인 기판(100)은, 가로 방향으로 형성된 게이트 배선(110), 게이트 배선(110)과 직교하는 방향으로 배치된 데이터 배선(120)을 포함할 수 있다. The backplane substrate 100 according to the present invention may include a gate wiring 110 formed in a lateral direction and a data wiring 120 arranged in a direction orthogonal to the gate wiring 110. [

그리고 게이트 배선(110)과 데이터 배선(120)이 교차하는 영역에 스위칭 소자(130)가 배치될 수 있다. 그리고 스위칭 소자(130)에는 마이크로 발광 다이오드(150)가 연결될 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니고, 마이크로 발광 다이오드(150)는 스위칭 소자(130) 및/또는 데이터 배선(120)에 연결될 수도 있다. The switching element 130 may be disposed in a region where the gate wiring 110 and the data wiring 120 intersect. The switching device 130 may be connected to the micro-light emitting diode 150, but the present invention is not limited thereto. The micro light emitting diode 150 may be connected to the switching device 130 and / or the data wiring 120.

이와 같이, 게이트 배선(110)과 데이터 배선(120)으로 정의된 영역을 부화소(UPX)로 정의하고, 부화소(UPX)에는 마이크로 발광 다이오드(150)가 각각 배치될 수 있다. 여기서 부화소(UPX)에는 R, G, B 각각의 색상을 발광하는 마이크로 발광 다이오드 칩(155)들이 각각 배치됨으로써 R, G, B 색상을 혼합시켜 화이트 색상을 구현할 수 있는 부화소(UPX)들을 합쳐 하나의 화소(PX)로 정의할 수 있다. In this way, a region defined by the gate line 110 and the data line 120 is defined as a sub-pixel UPX, and a micro light-emitting diode 150 is disposed in the sub-pixel UPX, respectively. In this case, the micro-light emitting diode chips 155 that emit colors of R, G, and B, respectively, are disposed in the sub-pixel UPX, thereby forming sub-pixels UPX capable of mixing white, Can be defined as one pixel (PX) in total.

게이트 배선(110)은 스위칭 소자(130)의 온/오프 신호를 스위칭 소자(130)에 전달할 수 있고, 데이터 배선(120)은 마이크로 발광 다이오드(150)에 턴온 전압을 전달할 수 있다. The gate line 110 may transmit an on / off signal of the switching element 130 to the switching element 130 and the data line 120 may transmit a turn-on voltage to the micro light emitting diode 150.

그리고, 스위칭 소자(130)는 마이크로 발광 다이오드(150)의 온/오프시킬 수 있는 신호를 마이크로 발광 다이오드(150)에 전달할 수 있다. The switching element 130 may transmit a signal to the micro light emitting diode 150 to turn on and off the micro light emitting diode 150.

한편, 마이크로 발광 다이오드(150)는 마이크로 발광 다이오드 칩(155)과, 마이크로 발광 다이오드 칩(155)에 연결된 단자(140)를 포함할 수 있다. 기판(105)과 마이크로 발광 다이오드 칩(155) 사이에 배치되는 복수의 단자(140)는 백플레인 기판(100)에 마이크로 발광 다이오드 칩(155)을 연결시킬 수 있다.The micro light emitting diode 150 may include a micro light emitting diode chip 155 and a terminal 140 connected to the micro light emitting diode chip 155. A plurality of terminals 140 disposed between the substrate 105 and the micro light emitting diode chip 155 may connect the micro light emitting diode chip 155 to the back plane substrate 100.

단자(140)는 스위칭 소자(130)에 연결될 수 있으며, 스위칭 소자(130)에서 제공된 신호를 마이크로 발광 다이오드 칩(155)에 전달시켜 마이크로 발광 다이오드(150)를 온/오프시킬 수 있다. The terminal 140 may be connected to the switching element 130 and may transmit a signal provided from the switching element 130 to the micro light emitting diode chip 155 to turn the micro light emitting diode 150 on and off.

마이크로 발광 다이오드 칩(155)은 몰드 상에 배치되는 발광 칩과, 상기 발광 칩을 커버하는 패키지가 배치될 수 있다. 여기서 몰드는 발광 칩에 연결되어 몰드와 단자(140)를 연결시킬 수도 있고, 다른 예로는 패키지 상에 발광 칩에 리드선을 연장시켜 상기 리드선과 단자(140)를 연결시킬 수도 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. The micro light emitting diode chip 155 may include a light emitting chip disposed on the mold and a package covering the light emitting chip. In this case, the mold may be connected to the light emitting chip to connect the mold to the terminal 140. Alternatively, the mold may be connected to the terminal 140 by extending the lead wire to the light emitting chip on the package .

여기서 단자(140)는 마이크로 발광 다이오드 칩(155)를 연결시키는 역할을 함으로 연결불량이 발생하는 경우, 온/오프 신호가 마이크로 발광 다이오드(150)에 전달되지 않아 연결 불량이 발생할 수 있다. 연결 불량이 발생한 영역인 불량 화소(NG)에는 블랙 스팟(Black spot)으로 보이는 현상이 발생할 수 있다. In this case, since the terminal 140 serves to connect the micro-LED chip 155, if a connection failure occurs, an on / off signal may not be transmitted to the micro-LED 150, thereby causing a connection failure. A phenomenon in which a defective pixel (NG), which is an area where a connection failure occurs, may appear as a black spot.

예를 들면, 단자(140)와 마이크로 발광 다이오드 칩(155)을 연결시킬 경우, 단자(140)와 마이크로 발광 다이오드 칩(155)은 납땜, 레이저 웰딩 등으로 상기 두 구성을 연결시킬 수 있다. For example, when the terminal 140 and the micro light emitting diode chip 155 are connected to each other, the terminal 140 and the micro light emitting diode chip 155 may be connected to each other by soldering or laser welding.

그러나, 마이크로 발광 다이오드 칩(155)은 단자(1400) 상에서 오정렬되거나, 납땜이나 레이저 웰딩 등으로 인해 단선되는 경우 등으로 인해 불량 화소(NG) 발생할 수 있다. However, defective pixels (NG) may occur due to misalignment on the terminals 1400, disconnection due to soldering, laser welding or the like.

상기와 같이, 불량 화소(NG)가 발생한 영역은 불량 화소(NG)를 발생시킨 마이크로 발광 다이오드(150)를 제거하는 리페어 공정을 진행해야 블랙 스팟 등의 불량을 제거시켜 양질의 백플레인 기판(100)을 제공할 수 있다. As described above, in the region where the defective pixel (NG) occurs, the defective process of removing the micro-light emitting diode (150) causing the defective pixel (NG) Can be provided.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 백플레인 기판(100)을 형성한 후, 백플레인 기판(100) 상에 형성된 불량 화소(NG)를 검출하는 단계(S200)을 실시한다.1 and 2, a step S200 of detecting a defective pixel NG formed on the backplane substrate 100 is performed after the backplane substrate 100 is formed.

여기서 불량 화소(NG)를 검출하는 단계는, 백플레인 기판(100) 상에 검사선을 연장 형성하여 전체 마이크로 발광 다이오드(150)를 온/오프시켜 육안 검사 방법을 채택할 수도 있고, 상기 검사선에 전류를 흘려 쇼트가 발생한 영역을 검출해 내는 방법을 채택할 수도 있으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 불량 화소(NG)를 검출할 수 있는 방법이면 어떠한 방법이든 가능하다. Here, the step of detecting the defective pixel (NG) may include the step of extending the inspection line on the backplane substrate 100 to turn on / off the entire micro-light emitting diode 150 to adopt a visual inspection method, However, the present invention is not limited to this. Any method can be used as long as it is capable of detecting a defective pixel (NG).

도 1 및 도 3을 참조하면, 백플레인 기판(100) 상에 불량 화소(NG)에 대응시킨 개부 영역(250)을 구비한 어레이 마스크(200)를 정렬시키는 단계(S300)를 실시한다.1 and 3, a step S300 of aligning the array mask 200 having the opening regions 250 corresponding to the defective pixels NG on the backplane substrate 100 is performed.

여기서 어레이 마스크(200)와 백플레인 기판(100)은 정렬키 등으로 정렬시켜 오정렬되는 것을 방지할 수 있다. 상기 정렬키는 어레이 마스크(200)와 백플레인 기판(100)의 모서리 영역 또는 가장 자리 영역 즉, 더미 영역(dummy area)에 배치시켜 화소(PX)가 배치된 영역에 영향을 미치지 않도록 배치시키는 것이 바람직하다. Here, the array mask 200 and the backplane substrate 100 can be prevented from being misaligned by alignment with an alignment key or the like. It is preferable that the alignment keys are arranged in an edge area or an edge area of the array mask 200 and the backplane substrate 100, that is, in a dummy area so as not to affect the area where the pixels PX are arranged Do.

어레이 마스크(200)는 마스크 몸체의 일부 영역에 개부 영역(250)과 폐부 영역(260)을 포함하는 개폐부(270)를 포함할 수 있다. 여기서 어레이 마스크(200)는 FMM(fine metal mask)일 수 있고, 액정 표시 장치에 사용되는 컬러필터를 형성하는 마스크일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 그리고 어레이 마스크(200)는 각각 화소(PX) 또는 부화소(UPX)에 대응되는 개폐부(250)를 구비할 수 있다. The array mask 200 may include an opening and closing part 270 including an opening area 250 and a closing area 260 in a part of the mask body. Here, the array mask 200 may be a fine metal mask (FMM), and may be a mask for forming a color filter used in a liquid crystal display device, but is not limited thereto. The array mask 200 may include an opening / closing part 250 corresponding to the pixel PX or the sub-pixel UPX, respectively.

어레이 마스크(200)와 백플레인 기판(100)을 정렬시킬 경우, 개부 영역(250)은 상기 마스크 몸체의 일부를 노출시킴으로써 백플레인 기판(100)의 불량 화소(NG) 영역을 노출시킬 수 있다. 즉, 양품 영역은 폐부 영역(260)에 대응 배치되고, 불량 영역(NG)은 개부 영역(250)에 대응 배치시켜 어레이 마스크(200)로부터 백플레인 기판(100)의 불량 화소(NG)에 배치된 마이크로 발광 다이오드(150)을 노출시킬 수 있다. When aligning the array mask 200 and the backplane substrate 100, the opening regions 250 may expose a defective pixel (NG) region of the backplane substrate 100 by exposing a portion of the mask body. That is, the good region is disposed in correspondence with the closed region 260, the defective region NG is disposed in correspondence with the opening region 250, and the defective region NG is disposed in the defective pixel NG of the backplane substrate 100 from the array mask 200 The micro-light-emitting diode 150 can be exposed.

도 1 및 도 4를 참조하면, 어레이 마스크(200) 및 백플레인 기판(100)을 정렬시킨 기판(이하 “정렬 기판”) 상에 근적외선(NIR)을 제공하는 단계(S400)를 실시한다. Referring to FIGS. 1 and 4, a near infrared (NIR) is provided (S400) on a substrate on which an array mask 200 and a backplane substrate 100 are aligned (hereinafter referred to as an "alignment substrate").

상기 정렬 기판 상에 상기 근적외선(NIR)을 제공하여 마이크로 발광 다이오드(150)에 복사열을 전달할 수 있다. 여기서 상기 근적외선(NIR)은 상기 정렬 기판의 전면에 제공될 수도 있고, 상기 정렬 기판의 개구 영역(250)에 포커싱(focusing)시켜 제공될 수도 있다. 도면에서는 상기 정렬 기판의 전면에 상기 근적외선(NIR)을 제공하는 것을 도시하여 설명하기로 한다. The NIR may be provided on the alignment substrate to transmit radiant heat to the micro-LED 150. The near infrared rays (NIR) may be provided on the front surface of the alignment substrate, or may be provided by focusing on the aperture region 250 of the alignment substrate. In the drawing, the near infrared ray (NIR) is provided on the front surface of the alignment substrate.

이와 같이, 상기 정렬 기판의 전면에 상기 근적외선(NIR)이 제공되는 경우, 개구 영역(250)에는 상기 근적외선(NIR)이 제공되어 복사로 인한 열전달이 마이크로 발광 다이오드(150)에 진행되어 불량 화소(NG)에는 복사열이 제공될 수 있고, 폐부 영역(250)에는 상기 근적외선(NIR)이 차단되어 마이크로 발광 다이오드(150)에 복사열 전달이 차단될 수 있다. When the near-infrared ray (NIR) is provided on the front surface of the alignment substrate, the near-infrared ray (NIR) is provided in the opening region 250 so that heat transfer due to radiation proceeds to the micro-LED 150, (NIR) may be blocked in the open region 250 and the radiation heat transfer to the micro light emitting diode 150 may be blocked.

그리고 상기 근적외선(NIR)은 불량 화소(NG)에 배치되는 마이크로 발광 다이오드(150)의 온도를 200 내지 300℃ 범위로 상승시킬 수 있다. 여기서 상기 근적외선(NIR)은 단자(140)를 멜팅시킬 수 있다. 단자(140)를 멜팅시켜 마이크로 발광 다이오드 칩(155)을 기판(105)에서 분리시킬 수 있다. In addition, the near-infrared ray (NIR) may raise the temperature of the micro light emitting diode 150 disposed in the defective pixel (NG) to a range of 200 to 300 ° C. Herein, the near infrared ray (NIR) may melt the terminal 140. The terminal 140 may be melted to separate the micro light emitting diode chip 155 from the substrate 105.

따라서 단자(140)는 상기 근적외선(NIR)로 제공되는 복사열로 멜팅시킬 수 있는 재료를 사용하는 바람직하며, 예를 들면, 단자(140)는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 납(Pb), 백금(Pt) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 재료를 사용할 수 있다. For example, the terminal 140 may be formed of a material such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), or the like. The terminal 140 may be made of a material capable of being melted by radiant heat provided in the near- , Lead (Pb), platinum (Pt), and mixtures thereof.

도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 정렬 기판 상에는 상기 근적외선(NIR)이 제공되고, 개부 영역(250) 상에 석션(suction)이 제공될 수 있다. 다른 예로써 석션(suction)은 어레이 마스크(200)와 백플레인 기판(100) 사이 공간에 제공될 수 있다. 여기서 석션은 석션기를 통해 진행할 수 있으며 석션기는 미도시 하였다. Referring to FIGS. 1 and 5, the NIR is provided on the alignment substrate, and suction may be provided on the opening region 250. As another example, suction may be provided in the space between the array mask 200 and the backplane substrate 100. Here, the suction can be carried out through the suction machine and the suction machine is not shown.

여기서 석션을 제공하는 단계에 있어서, 단자(140)의 멜팅 온도에 가까운 온도까지 상승한 때, 상기 석션을 제공하는 것이 바람직하다. 이는 석션은 흡입력을 발생시켜 상기 근적외선(NIR)의 복사열에 의해 상승한 온도를 하강시킬 수 있다. In providing the suction here, it is desirable to provide the suction when the temperature rises to a temperature close to the melting temperature of the terminal 140. This can generate a suction force to lower the temperature elevated by radiant heat of the near infrared rays (NIR).

따라서 상기 석션은 온도를 하강시켜 단자(140)의 멜팅 온도까지 상승하는 것을 방해할 수 있다. 이에 상기 근적외선(NIR)의 복사열을 통해 단자(140)의 멜팅온도에 근접한 온도까지 상승시키고, 이후에 석션을 제공하여 단자(140)와 마이크로 발광 다이오드 칩(155) 간의 결합력을 제거하는 것이 마이크로 발광 다이오드 칩(155)을 기판(105)에서 용이하게 탈착시킬 수 있다. Thus, the suction can prevent the temperature from rising to the melting temperature of the terminal 140. Emitting diode (LED) chip 155 is raised to a temperature close to the melting temperature of the terminal 140 through the radiant heat of the near infrared rays (NIR), and then suction is provided to remove the coupling force between the terminal 140 and the micro- So that the diode chip 155 can be easily detached from the substrate 105.

다시 말해, 상기 근적외선(NIR)을 통해 단자가 멜팅 온도까지 상승한 경우, 멜팅으로 인해 단자가 녹고, 온도가 하강하게 되면 다시 달라 붙어 제거가 곤란할 수 있다. 그러나 석션을 통해 상기한 물리적인 흡입력으로 멜팅된 단자(140)에서 마이크로 발광 다이오드 칩(155)를 탈착시킴으로써 불량 화소(NG)의 제거시간 및 비용을 저감시킬 수 있다. In other words, when the terminal is raised to the melting temperature through the near-infrared ray (NIR), the terminal melts due to melting, and when the temperature is lowered, it may stick again and be difficult to remove. However, the removal time and cost of the defective pixel (NG) can be reduced by detaching the micro-light-emitting diode chip 155 from the terminal 140 melted by the physical suction force through the suction.

그리고 상기 석션은 1mmHg 내지 60mmHg 범위의 흡입력을 제공하는 것이 바람직하다. 여기서 석션의 흡입력이 1mmHg 미만일 경우는, 흡입력이 약해 멜팅 온도만 하강시키고 마이크로 발광 다이오드 칩(155)를 단자(140)로부터 분리시킬 수 있는 물리적 즉, 흡입력이 약해 마이크로 발광 다이오드 칩(155)의 탈착이 곤란할 수 있다. Preferably, the suction provides a suction force in the range of 1 mmHg to 60 mmHg. If the sucking force of the suction is less than 1 mmHg, the suction force is weak, so that only the melting temperature is lowered and the micro-light-emitting diode chip 155 is detached from the terminal 140. That is, This can be difficult.

석션의 흡입력이 60mmHg 초과일 경우는, 흡입력이 강해 불량 화소(NG) 주변의 물리적 힘이 전달되어 주변의 발광 다이오드가 손상될 수 있다.  When the suction force of the suction is greater than 60 mmHg, the suction force is strong, so physical force around the defective pixel (NG) may be transmitted and the surrounding light emitting diode may be damaged.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 불량 화소(NG)의 마이크로 발광 다이오드(150)를 근적외선으로 멜팅시키고 석션시겨 불량 화소(NG)를 제거함으로써 리페어 시간과 비용을 저감할 수 있다.As described above, in the rewiring method of the micro light emitting diode according to the embodiment of the present invention, the micro light emitting diode 150 of the defective pixel (NG) is melted by the near infrared rays and the defective pixel (NG) Can be reduced.

한편, 도시하지 않았지만, 불량 화소(NG)에 배치된 마이크로 발광 다이오드 칩(155)을 제거 후, 제거한 영역에 마이크로 발광 다이오드(155)를 다시 형성하는 단계를 실시할 수 있다. 다시 말해, 제거된 영역에 마이크로 발광 다이오드(150)를 배치시키고 납땜, 레이저 웰딩 또는 근적외선(NIR)을 제공하여 리페어(repair) 공정을 실시할 수 있다. Although not shown, a step of removing the micro-light-emitting diode chip 155 disposed in the defective pixel (NG) and then re-forming the micro-light-emitting diode 155 in the removed area may be performed. In other words, the micro-light emitting diode 150 may be disposed in the removed region and a repair process may be performed by providing soldering, laser welding or near-infrared (NIR).

여기서 마이크로 발광 다이오드(155)는 XY무빙 장치에 배치시킬 수 있다. 그리고, 상기 XY무빙 장치를 통해 마이크로 발광 다이오드(155)를 백플레인 기판(100)에 정렬시킬 수 있다. 불량 화소(NG)와 같이, 마이크론 단위의 작은 영역에 마이크로 발광 다이오드(155)을 배치시킴으로 상기 XY무빙 장치와 같은 정밀한 기기를 통해 마이크로 발광 다이오드(155)를 정렬시키는 것이 바람직하다. Here, the micro light emitting diode 155 can be disposed in the XY moving device. The micro light emitting diode 155 may be aligned with the backplane substrate 100 through the XY moving device. It is preferable to arrange the micro light emitting diode 155 through a precise device such as the XY moving device by disposing the micro light emitting diode 155 in a small area of a micron unit like a bad pixel NG.

그리고 다시 검사선을 통해 불량 화소(NG) 영역에 단락을 검사하여 양부를 검출할 수 있다. Then, the defective pixel (NG) region can be inspected for a short circuit through the inspection line again.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 불량 화소(NG)의 마이크로 발광 다이오드(150)를 근적외선으로 멜팅시키고 석션시겨 불량 화소(NG)를 제거함으로써 리페어 시간과 비용을 저감할 수 있다.As described above, in the rewiring method of the micro light emitting diode according to the embodiment of the present invention, the micro light emitting diode 150 of the defective pixel (NG) is melted by the near infrared rays and the defective pixel (NG) Can be reduced.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다. It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

100: 백플레인 기판 110: 게이트 배선
120: 데이터 배선 130: 박막트랜지스터
140: 단자 150: 마이크로 발광 다이오드
155: 마이크로 발광 다이오드 칩 200: 어레이 마스크
250: 개부 영역 260: 폐부 영역
270: 개폐부
NG: 불량 화소
PX: 화소
UPX: 부화소
NIR: 근적외선100: backplane substrate 110: gate wiring
120: data line 130: thin film transistor
140: Terminal 150: Micro-LED
155: micro light emitting diode chip 200: array mask
250: opening area 260: closed area
270:
NG: Bad pixel
PX: Pixels
UPX: Sub-pixel
NIR: near-infrared

Claims (18)

복수의 마이크로 발광 다이오드를 정렬시켜 복수의 화소를 구비하는 백플레인 기판을 형성하는 단계;
상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계;
상기 백플레인 기판 상에 상기 불량 화소에 대응시킨 개부 영역을 구비한 어레이 마스크를 정렬시키는 단계;
상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 상에 근적외선을 제공하는 단계; 및
상기 불량 화소에 배치된 마이크로 발광 다이오드를 제거하는 단계; 를 포함하되,
상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공되고, 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에는 석션이 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. Forming a backplane substrate having a plurality of pixels by aligning a plurality of micro-light emitting diodes;
Detecting defective pixels formed on the backplane substrate;
Aligning an array mask having an opening region corresponding to the defective pixel on the backplane substrate;
Providing near infrared radiation on the aligned array mask and backplane substrate; And
Removing the micro light emitting diode disposed in the defective pixel; , ≪ / RTI &
Wherein the near-infrared rays are provided to the micro-electroluminescent diode disposed in the defective pixel, and the micro-electroluminescent diode disposed in the defective pixel is provided with a suction. 제 1항에 있어서,
상기 백플레인 기판은,
상기 마이크로 발광 다이오드에 연결된 데이터 배선,
상기 데이터 배선에 직교하는 방향에 배치된 게이트 배선, 및
상기 데이터 배선과 게이트 배선이 교차 영역에 각각 배치된 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
The backplane substrate includes:
A data line connected to the micro-LED,
A gate wiring arranged in a direction orthogonal to the data wiring, and
And a thin film transistor having the data wiring and the gate wiring arranged in an intersecting region, respectively. 제 1항에 있어서,
상기 마이크로 발광 다이오드는,
빛을 발광하는 발광 다이오드 칩과,
상기 발광 다이오드 칩과 기판을 연결하는 단자를 포함하고,
상기 단자는 상기 마이크로 발광 다이오드에 연결된 데이터 배선에 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
The micro-
A light emitting diode chip emitting light,
And a terminal for connecting the light emitting diode chip and the substrate,
Wherein the terminal is connected to a data line connected to the micro-light emitting diode. 제 3항에 있어서,
상기 마이크로 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광 다이오드 칩이 상기 화소에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method of claim 3,
Wherein the light emitting diode chip emitting red, green, and blue light is disposed in each of the pixels. 제 3항에 있어서,
상기 근적외선은 상기 단자를 멜팅시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method of claim 3,
Wherein the near infrared rays melt the terminal. 제 3항에 있어서,
상기 단자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 납(Pb), 백금(Pt) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 재료를 포함하는 것을 특징으로 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method of claim 3,
Wherein the terminal comprises a material selected from the group consisting of silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), lead (Pb), platinum (Pt), and mixtures thereof. . 제 1항에 있어서,
상기 근적외선은 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 전면에 조사하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법.The method according to claim 1,
Wherein the near-infrared rays are irradiated onto the arrayed array mask and the entire backplane substrate. 제 1항에 있어서,
상기 근적외선은 상기 개부 영역으로 노출된 마이크로 발광 다이오드에 포커싱시켜 조사하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법.The method according to claim 1,
Wherein the near-infrared rays are focused on the micro-light-emitting diode exposed in the opening region to irradiate the micro-light-emitting diode. 제 1항에 있어서,
상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서,
상기 불량 화소는 블랙 스팟으로 표시되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Detecting a defective pixel formed on the backplane substrate,
Wherein the defective pixel is represented by a black spot. 제 1항에 있어서,
상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서,
불량 화소를 검출하는 단계는,
상기 화소에 검사선을 형성하고,
상기 검사선을 통해 상기 마이크로 발광 다이오드의 전체를 온/오프시켜 육안으로 검사하거나, 상기 검사선에 전류를 흘려 쇼트가 발생한 영역을 검출하는 단계인 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Detecting a defective pixel formed on the backplane substrate,
The step of detecting a defective pixel includes:
Forming an inspection line on the pixel,
Wherein the step of inspecting the micro-light-emitting diode comprises the steps of turning on / off the entire micro-light emitting diode through the inspection line and visually inspecting the micro-light-emitting diode, or detecting a region where a short is generated by flowing a current through the inspection line. 제 1항에 있어서,
상기 어레이 마스크는 상기 복수의 화소에 각각 대응되는 개폐부를 포함하며,
상기 개폐부는,
상기 불량 화소가 발생된 영역을 노출시킨 상기 개부 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Wherein the array mask includes an opening / closing portion corresponding to each of the plurality of pixels,
The opening /
And forming the opening region in which the region where the defective pixel is generated is exposed. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 어레이 마스크는 각각 상기 화소에 대응되는 개폐부를 구비하는 것을 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Wherein the array mask has opening and closing portions corresponding to the pixels, respectively. 제 1항에 있어서,
상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치되는 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 200 내지 300℃ 범위로 상승시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Wherein the near-infrared rays raise the temperature of the micro-light emitting diode disposed in the defective pixel to a range of 200 to 300 占 폚. 제 1항에 있어서,
상기 석션은 1mmHg 내지 60mmHg 범위의 흡입력을 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Wherein the suction provides a suction force in the range of 1 mmHg to 60 mmHg to the micro-LED. 제 1항에 있어서,
상기 석션은,
상기 어레이 마스크와 상기 백플레인 기판 사이 공간에 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
In the suction,
And providing a gap between the array mask and the backplane substrate in a space between the array mask and the backplane substrate. 제 1항에 있어서,
상기 근적외선으로 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 상승시킨 이후에, 상기 석션을 제공하여 상기 마이크로 발광 다이오드를 백플레인 기판에서 탈착시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법. The method according to claim 1,
Wherein the micro-light emitting diode is detached from the back-plane substrate by providing the suction after raising the temperature of the micro-LED with the near-infrared rays. 삭제delete
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