KR102241680B1

KR102241680B1 - Method for producing a transparent electrode having a wiring electrode

Info

Publication number: KR102241680B1
Application number: KR1020150123916A
Authority: KR
Inventors: 정성일; 김판겸; 권영우
Original assignee: 한국전기연구원
Priority date: 2015-09-02
Filing date: 2015-09-02
Publication date: 2021-04-16
Also published as: KR20170027380A; WO2017039129A1

Abstract

본 발명은 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극으로 활성화되는 배선전극이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극과, 전극으로 활성화되는 센서전극을 1회적 공정에 의하여 함께 구현함으로써, 전극물질의 충진 특성 및 배선전극과 센서전극의 정렬 작업 특성을 동시에 만족할 수 있는 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은, 제1위상전이마스크와, 상기 제1위상전이마스크와 직교된 방향으로 패턴이 구현된 제2위상전이마스크를 준비하는 위상전이마스크 준비단계; 기판 상부에 감광제를 도포한 다음, 상기 제1위상전이마스크를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 패턴이 일방향으로 형성된 일방향패턴 금속시편을 형성하는 일방향패턴 형성단계; 상기 일방향패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포한 다음, 상기 제2위상전이마스크를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 메시패턴이 형성된 메시패턴 금속시편을 형성하되, 상대적으로 넓은 피치의 센서패턴을 갖는 센서패턴영역과 상대적으로 좁은 피치의 배선패턴을 갖는 배선패턴영역으로 이루어진 메시패턴 형성단계; 및 상기 메시패턴 금속시편을 이용하여, 상기 배선패턴영역 중 전극으로 활성화되는 배선전극이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극과, 상기 센서패턴영역 중 전극으로 활성화되는 센서전극을 형성하는 전극 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법을 기술적 요지로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, and more particularly, a block wiring electrode in which at least one wiring electrode activated as an electrode is electrically coupled, and a sensor electrode activated as an electrode in a one-time process. By implementing together, the present invention relates to a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode capable of simultaneously satisfying the filling characteristic of an electrode material and the alignment operation characteristic of the wiring electrode and the sensor electrode.
The present invention includes a phase shift mask preparation step of preparing a first phase shift mask and a second phase shift mask in which a pattern is implemented in a direction orthogonal to the first phase shift mask; A one-way pattern forming step of forming a one-way pattern metal specimen in which the pattern is formed in one direction by applying a photosensitive agent on an upper portion of the substrate, and then exposing and plating the first phase transfer mask; After applying a photoresist on the top of the one-way patterned metal specimen, after placing the second phase transfer mask, exposure and plating are performed to form a mesh patterned metal specimen, but a sensor pattern having a relatively wide pitch sensor pattern A mesh pattern forming step comprising a region and a wiring pattern region having a wiring pattern having a relatively narrow pitch; And a block wiring electrode in which at least one wiring electrode activated as an electrode in the wiring pattern region is electrically coupled, and an electrode for forming a sensor electrode activated as an electrode in the sensor pattern region by using the mesh pattern metal specimen. The technical summary is a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, comprising: a step.

Description

Method for producing a transparent electrode having a wiring electrode

본 발명은 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극으로 활성화되는 배선전극이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극과, 전극으로 활성화되는 센서전극을 1회적 공정에 의하여 함께 구현함으로써, 전극물질의 충진 특성 및 배선전극과 센서전극의 정렬 작업 특성을 동시에 만족할 수 있는 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, and more particularly, a block wiring electrode in which at least one wiring electrode activated as an electrode is electrically coupled, and a sensor electrode activated as an electrode in a one-time process. By implementing together, the present invention relates to a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode capable of simultaneously satisfying the filling characteristic of an electrode material and the alignment operation characteristic of the wiring electrode and the sensor electrode.

최근, 본격적인 정보화시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전하고 있다.In recent years, as the era of full-scale information is entered, the field of displays for visually expressing electrical information signals is rapidly developing.

이와 더불어, 디스플레이 분야에 손이나 펜으로 입력을 제공하기 위한 기술들이 다양하게 개발되고 있으며, 특히 디스플레이 패널 내에 입력을 감지하기 위한 터치패널 기술이 주목받고 있다.In addition, various technologies for providing an input with a hand or a pen have been developed in the display field, and in particular, a touch panel technology for sensing an input in a display panel is drawing attention.

나아가, 터치패널은 입력장치의 위치를 감지하는 활성영역(또는 유효영역)과, 활성영역의 외곽에 위치하는 비활성영역(또는 더미영역)으로 구분될 수 있다. 이처럼 활성영역에는 입력장치를 감지할 수 있도록 투명전극이 형성될 수 있으며, 비활성영역에는 투명전극에 연결되는 배선 및 이러한 배선을 외부 회로에 연결하는 인쇄회로기판 등이 위치될 수 있다.Furthermore, the touch panel may be divided into an active area (or an effective area) for sensing the position of the input device, and an inactive area (or a dummy area) located outside the active area. As described above, a transparent electrode may be formed in the active region to detect an input device, and a wiring connected to the transparent electrode and a printed circuit board connecting the wiring to an external circuit may be positioned in the inactive region.

통상적으로 이러한 터치패널의 활성영역에 해당하는 센서전극은 선폭이 3㎛ 이상, 패턴의 깊이가 3㎛ 이하, 패턴 피치는 전극패턴의 투명도를 고려하여 선폭의 100~150배 범위에서 결정된다. 그리고 터치패널의 비활성영역에 해당하는 배선전극은 선폭이 수백 ㎛ 이상, 패턴의 깊이는 센서 전극과 동일하다.Typically, the sensor electrode corresponding to the active area of the touch panel has a line width of 3 μm or more and a pattern depth of 3 μm or less, and a pattern pitch is determined in a range of 100 to 150 times the line width in consideration of the transparency of the electrode pattern. In addition, the wiring electrode corresponding to the non-active area of the touch panel has a line width of several hundred µm or more, and the depth of the pattern is the same as that of the sensor electrode.

하지만 선폭 3㎛의 센서전극에는 Ag 페이스트가 양호하게 충진되나, 배선전극의 경우 패턴의 깊이 대비 선폭이 너무 넓어서 충진율이 매우 떨어진다는 문제점이 지속적으로 제기되어 왔다.However, although the Ag paste is well filled in the sensor electrode having a line width of 3 μm, the problem that the line width is too wide compared to the depth of the pattern in the case of the wiring electrode has been raised continuously.

이러한 문제점에 착안하여, '터치 스크린 패널용 배선전극(등록번호:10-1295034)'에서는 배선전극영역의 내부에 Ag 페이스트를 잡아줄 수 있는 도트패턴을 제조하여 Ag 페이스트의 충진율을 향상시키고자 하였다.Focusing on this problem, in the'wiring electrode for touch screen panel (registration number: 10-1295034)', a dot pattern that can hold the Ag paste inside the wiring electrode area was prepared to improve the filling rate of the Ag paste. .

그러나 도트패턴의 크기를 작게 하는 것이 배선전극의 전기적인 특성을 향상시키는데 유리한데, 이처럼 도트패턴이 작을 경우, 배선전극영역 내부에 도트패턴을 배열하는데 소요되는 시간의 증가 및 도트 수의 증가에 따른 데이터량 증가로 인하여, 포토마스크 제조가 불가능하다는 문제점이 있었다.However, reducing the size of the dot pattern is advantageous in improving the electrical characteristics of the wiring electrode. When the dot pattern is small, the time required to arrange the dot pattern inside the wiring electrode area increases and the number of dots increases. Due to the increase in the amount of data, there is a problem that it is impossible to manufacture a photomask.

또한 센서전극영역과 배선전극영역의 충진 특성이 다르므로, 도트패턴으로 적용하면 설계 작업이 어려워 대면적에 적용하기가 힘들다는 문제점이 있었다.In addition, since the filling characteristics of the sensor electrode region and the wiring electrode region are different, there is a problem that it is difficult to apply it to a large area due to difficult design work when applied as a dot pattern.

따라서 종래의 투명전극과는 달리, 배선전극과 센서전극을 동시에 구현함으로써, 전극물질의 충진 특성 및 배선전극과 센서전극의 정렬 작업 특성을 동시에 만족할 수 있는 투명전극의 새로운 기술개발 연구가 절실히 요구되는 시점이다.Therefore, unlike the conventional transparent electrode, by implementing the wiring electrode and the sensor electrode at the same time, it is urgently required to develop a new technology for the transparent electrode that can satisfy the filling characteristics of the electrode material and the alignment of the wiring electrode and the sensor electrode at the same time. This is the time point.

국내 등록특허공보 제10-1295034호, 2013.08.05.자 등록.Registered Korean Patent Publication No. 10-1295034, 2013.08.05.

본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위하여 발명된 것으로, 전극으로 활성화되는 블록배선전극 및 센서전극을 함께 구현함으로써, 전극물질의 충진 특성 및 배선전극과 센서전극의 정렬 작업 특성을 동시에 만족할 수 있는 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was invented to solve the above problems, and by implementing a block wiring electrode and a sensor electrode activated as an electrode together, a wiring capable of simultaneously satisfying the filling characteristics of the electrode material and the alignment operation characteristics of the wiring electrode and the sensor electrode. An object thereof is to provide a method of manufacturing a transparent electrode having an electrode.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1위상전이마스크와, 상기 제1위상전이마스크와 직교된 방향으로 패턴이 구현된 제2위상전이마스크를 준비하는 위상전이마스크 준비단계; 기판 상부에 감광제를 도포한 다음, 상기 제1위상전이마스크를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 패턴이 일방향으로 형성된 일방향패턴 금속시편을 형성하는 일방향패턴 형성단계; 상기 일방향패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포한 다음, 상기 제2위상전이마스크를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 메시패턴이 형성된 메시패턴 금속시편을 형성하되, 상대적으로 넓은 피치의 센서패턴을 갖는 센서패턴영역과 상대적으로 좁은 피치의 배선패턴을 갖는 배선패턴영역으로 이루어진 메시패턴 형성단계; 및 상기 메시패턴 금속시편을 이용하여, 상기 배선패턴영역 중 전극으로 활성화되는 배선전극이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극과, 상기 센서패턴영역 중 전극으로 활성화되는 센서전극을 형성하는 전극 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법을 기술적 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a phase shift mask preparation step of preparing a first phase shift mask and a second phase shift mask in which a pattern is implemented in a direction orthogonal to the first phase shift mask; A one-way pattern forming step of forming a one-way pattern metal specimen in which the pattern is formed in one direction by applying a photosensitive agent on an upper portion of the substrate, and then exposing and plating the first phase transfer mask; After applying a photoresist on the top of the one-way patterned metal specimen, after placing the second phase transfer mask, exposure and plating are performed to form a mesh patterned metal specimen, but a sensor pattern having a relatively wide pitch sensor pattern A mesh pattern forming step comprising a region and a wiring pattern region having a wiring pattern having a relatively narrow pitch; And a block wiring electrode in which at least one wiring electrode activated as an electrode in the wiring pattern region is electrically coupled, and an electrode for forming a sensor electrode activated as an electrode in the sensor pattern region by using the mesh pattern metal specimen. The technical summary is a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, comprising: a step.

바람직하게는, 상기 위상전이마스크는, 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역으로 이루어진 크롬패턴이 형성된 크롬마스크를 준비하는 단계; 기판 상부에 감광제를 도포한 다음, 상기 크롬마스크를 위치시킨 후 노광 및 현상하여 감광제패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광제패턴이 형성된 기판 상부에 고분자 재료를 붓고 열경화 처리한 후, 상기 감광제패턴이 형성된 기판으로부터 위상전이마스크를 분리하는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the phase shift mask comprises: preparing a chrome mask having a chrome pattern formed of a first pattern area having a relatively wide line width and a second pattern area having a relatively narrow line width; Forming a photoresist pattern by applying a photoresist on an upper portion of the substrate, placing the chromium mask, and then exposing and developing the chromium mask; And a step of separating a phase shift mask from the substrate on which the photoresist pattern is formed after pouring a polymer material onto the substrate on which the photoresist pattern is formed, followed by thermal curing treatment.

여기서 상기 위상전이마스크의 패턴 높이는, 1~10㎛ 범위인 것을 특징으로 한다.Here, the pattern height of the phase shift mask is in the range of 1 to 10 μm.

특히, 상기 위상전이마스크는 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역을 가지며, 상기 위상전이마스크의 제1패턴영역은 상기 센서패턴영역에 대응하며, 상기 위상전이마스크의 제2패턴영역은 상기 배선패턴영역에 대응하는 것을 특징으로 한다.In particular, the phase shift mask has a first pattern region having a relatively wide line width and a second pattern region having a relatively narrow line width, and the first pattern region of the phase shift mask corresponds to the sensor pattern region, and The second pattern area of the mask is characterized in that it corresponds to the wiring pattern area.

바람직하게는, 상기 일방향패턴 형성단계는, 기판 상부에 감광제를 도포하는 단계; 상기 감광제가 도포된 기판 상부에 제1위상전이마스크를 위치시킨 후, 자외선을 조사하여 제1양각 감광패턴을 일방향으로 형성하는 단계; 상기 제1양각 감광패턴이 형성된 기판 상부에 1차 도금층을 형성한 후, 상기 제1양각 감광패턴이 형성된 기판으로부터 음각패턴이 형성된 제1일방향패턴 금속시편을 분리하는 단계; 및 상기 음각패턴이 형성된 제1일방향패턴 금속시편 상부에 2차 도금층을 형성한 후, 상기 제1일방향패턴 금속시편으로부터 양각패턴이 형성된 제2일방향패턴 금속시편을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the step of forming the one-way pattern comprises: applying a photoresist to an upper portion of the substrate; Forming a first embossed photosensitive pattern in one direction by irradiating ultraviolet rays after placing a first phase shift mask on the substrate on which the photoresist is applied; Forming a first plating layer on the substrate on which the first embossed photosensitive pattern is formed, and then separating the first one-way pattern metal specimen on which the engraved pattern is formed from the substrate on which the first embossed photosensitive pattern is formed; And forming a second plating layer on the first one-way pattern metal specimen on which the intaglio pattern is formed, and then separating the second one-way pattern metal specimen on which the embossed pattern is formed from the first one-way pattern metal specimen. It is done.

바람직하게는, 상기 메시패턴 형성단계는, 상기 패턴이 일방향으로 형성된 일방향패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계; 상기 감광제가 도포된 일방향패턴 금속시편 상부에 상기 제2위상전이마스크를 위치시킨 후, 자외선을 조사하여 상기 일방향패턴 금속시편 상부에 제2양각 감광패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2양각 감광패턴이 형성된 금속시편 상부에 3차 도금층을 형성한 후, 상기 제2양각 감광패턴이 형성된 금속시편으로부터 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the step of forming the mesh pattern includes: applying a photosensitive agent on an upper portion of a one-way patterned metal specimen in which the pattern is formed in one direction; Forming a second embossed photosensitive pattern on the one-way patterned metal specimen by placing the second phase transfer mask on the one-way patterned metal specimen coated with the photosensitive agent, and then irradiating ultraviolet rays; And forming a third plating layer on the metal specimen on which the second embossed photosensitive pattern is formed, and then separating the first mesh pattern metal specimen on which the engraved mesh pattern is formed from the metal specimen on which the second embossed photosensitive pattern is formed. Characterized in that.

이때 상기 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편의 상부에 3-1차 도금층을 형성한 후, 상기 제1메시패턴 금속시편으로부터 양각 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편을 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, after forming a third-first plating layer on the first mesh pattern metal specimen on which the intaglio mesh pattern is formed, separating the second mesh pattern metal specimen on which the relief mesh pattern is formed from the first mesh pattern metal specimen; It characterized in that it further comprises.

바람직하게는, 상기 전극 형성단계는, 상기 메시패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계; 상기 감광제가 도포된 메시패턴 금속시편 상부에 크롬마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상하여 상기 센서전극이 형성되는 센서전극영역 및 상기 배선전극이 형성되는 배선전극영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계; 상기 감광제가 패터닝된 메시패턴 금속시편 상부에 4차 도금층을 형성한 후, 상기 감광제가 패터닝된 메시패턴 금속시편으로부터 양각패턴이 형성된 금속스탬프를 분리하는 단계; 및 상기 양각패턴이 형성된 금속스탬프 상부에 액상 고분자 및 필름을 차례로 덮은 후, 상기 양각패턴이 형성된 금속스탬프로부터 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the electrode forming step comprises: applying a photoresist on the top of the mesh patterned metal specimen; Placing a chromium mask on the mesh pattern metal specimen coated with the photosensitive agent, and then exposing and developing to remove and pattern the photosensitive agent in the sensor electrode region where the sensor electrode is formed and the wiring electrode region where the wiring electrode is formed; Forming a fourth plating layer on the mesh patterned metal specimen patterned with the photoresist, and then separating the metal stamp on which the embossed pattern was formed from the mesh patterned metal specimen patterned with the photosensitizer; And separating the film on which the intaglio pattern is formed from the metal stamp on which the relief pattern is formed after sequentially covering the liquid polymer and the film on the metal stamp on which the relief pattern is formed.

부가적으로, 상기 감광제를 부분 제거해 패터닝 하는 공정과, 상기 감광제가 패터닝된 메시패턴 금속시편 상부에 4차 도금층을 형성하는 공정 사이에는, 상기 부분 제거된 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제 표면이 편평해지도록 100~160℃, 30초~3분 하에서 리플로우(reflow)하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Additionally, between the process of patterning by partially removing the photosensitive agent and the process of forming a fourth plating layer on the mesh patterned metal specimen patterned with the photosensitive agent, the surface of the photosensitive agent in the remaining areas except for the partially removed photoresist is flat. It characterized in that it further comprises a; step of reflowing (reflow) under 100 ~ 160 ℃, 30 seconds ~ 3 minutes so that it is.

바람직하게는, 상기 전극 형성단계는, 상기 메시패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계; 상기 감광제가 도포된 메시패턴 금속시편 상부에 크롬마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상하여 상기 센서전극이 형성되는 센서전극영역 및 상기 배선전극이 형성되는 배선전극영역의 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계; 상기 감광제가 패터닝된 영역을 포함한 메시패턴 금속시편 상부에 금속을 증착한 후, 감광제 제거액에 투입하여 상기 감광제가 부분 제거된 영역에 증착된 금속증착물을 제외한 감광제로 이루어진 감광제층과, 상기 감광제층 상부에 증착된 금속증착층을 제거하는 단계; 상기 감광제층 및 상기 금속증착층이 제거된 메시패턴 금속시편 상부에 4차 도금층을 형성한 후, 상기 감광제층 및 상기 금속증착층이 제거된 메시패턴 금속시편으로부터 양각패턴이 형성된 금속스탬프를 분리하는 단계; 및 상기 양각패턴이 형성된 금속스탬프 상부에 액상 고분자 및 필름을 차례로 덮은 후, 상기 양각패턴이 형성된 금속스탬프로부터 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the electrode forming step comprises: applying a photoresist on the top of the mesh patterned metal specimen; After placing the chromium mask on the mesh pattern metal specimen coated with the photosensitive agent, exposure and development are performed to remove the photosensitive agent in the remaining areas except for the photosensitive agent in the sensor electrode area where the sensor electrode is formed and the wiring electrode area where the wiring electrode is formed. Partially removing and patterning; After depositing a metal on the mesh patterned metal specimen including the patterned area of the photosensitive agent, a photosensitive agent layer made of a photosensitive material excluding the metal deposit deposited on the area where the photosensitive agent was partially removed by depositing a metal on the metal sample, and an upper part of the photosensitive agent layer Removing the metal deposition layer deposited on the layer; After forming a fourth plating layer on the top of the photoresist layer and the mesh pattern metal specimen from which the metal deposition layer has been removed, separating the metal stamp on which the embossed pattern is formed from the mesh pattern metal specimen from which the photoresist layer and the metal deposition layer have been removed. step; And separating the film on which the intaglio pattern is formed from the metal stamp on which the relief pattern is formed after sequentially covering the liquid polymer and the film on the metal stamp on which the relief pattern is formed.

참고로, 상기 메시패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계에서는, 상기 감광제가 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 방식으로 도포되되, 상기 스핀 코팅은 감광제의 점도 및 스핀 코팅의 회전속도에 따라 도포되는 감광제의 두께가 조절되며, 상기 스프레이 코팅은 감광제의 점도 및 감광제의 분사량에 따라 도포되는 감광제의 두께가 조절되는 것을 특징으로 한다.For reference, in the step of applying a photosensitive agent on the top of the mesh patterned metal specimen, the photosensitive agent is applied by spin coating or spray coating, but the spin coating is the thickness of the photosensitive agent applied according to the viscosity of the photosensitive agent and the rotation speed of the spin coating. Is adjusted, and the spray coating is characterized in that the thickness of the applied photosensitive agent is adjusted according to the viscosity of the photosensitive agent and the spray amount of the photosensitive agent.

나아가, 상기 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계 다음에는, 상기 음각패턴에 전극물질을 충진하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, after the step of separating the film on which the intaglio pattern is formed, filling the intaglio pattern with an electrode material; characterized in that it further comprises.

아울러 상기 도금은, 니켈도금 또는 니켈합금도금인 것을 특징으로 한다.In addition, the plating is characterized in that the nickel plating or nickel alloy plating.

특히, 상기 센서전극과 상기 배선전극은, 동일한 선폭으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In particular, the sensor electrode and the wiring electrode are characterized in that they are formed with the same line width.

그리고 상기 센서전극은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 상기 센서전극과 상기 센서전극 사이의 피치는 상기 선폭의 100배 이상을 지녀 광투과율 특성이 향상되는 것을 특징으로 한다.In addition, the sensor electrode has a line width of 2 μm or less, and a pitch between the sensor electrode and the sensor electrode is 100 times or more of the line width, thereby improving light transmittance characteristics.

또한 상기 배선전극은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 상기 배선전극과 상기 배선전극 사이의 피치는 상기 선폭의 40배 이하인 것을 특징으로 한다.In addition, the wiring electrode has a line width of 2 μm or less, and a pitch between the wiring electrode and the wiring electrode is 40 times or less of the line width.

다시 말하여, 상기 블록배선전극은 1개 이상의 배선전극이 전기적으로 결합되어 블록을 이루는 배선전극으로써, 상기 블록배선전극 내의 배선전극은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 상기 배선전극과 상기 배선전극 사이의 피치는 상기 선폭의 40배 이하인 것을 특징으로 한다.In other words, the block wiring electrode is a wiring electrode in which one or more wiring electrodes are electrically coupled to form a block, and the wiring electrode in the block wiring electrode has a line width of 2 μm or less, and the wiring electrode and the wiring electrode The pitch between them is characterized in that 40 times or less of the line width.

마지막으로, 상기 투명전극은, 상기 블록배선전극과 전기적으로 연결되는 유연 PCB가 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.Finally, the transparent electrode is characterized in that the flexible PCB electrically connected to the block wiring electrode is integrally formed.

상기 과제의 해결 수단에 의한 본 발명에 따른 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법은, 니켈 재질의 금속시편 상부에 구현된 메시패턴 영역을 감광제로 덮은 후, 크롬마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광제를 부분 제거하여 전극패턴을 형성함으로써, 패턴 설계가 용이할 뿐만 아니라 1회적 공정에 의하여 센서전극과 배선전극의 정렬 작업 특성을 만족시킬 수 있는 효과가 있다.In the method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode according to the present invention by the means to solve the above problem, after covering a mesh pattern area implemented on a metal specimen made of nickel with a photosensitive agent, a photosensitive agent is performed by exposure and development processes using a chromium mask. By partially removing the electrode pattern, it is not only easy to design the pattern, but also there is an effect of satisfying the alignment operation characteristics of the sensor electrode and the wiring electrode through a one-time process.

그리고 센서전극과 배선전극은 동일한 선폭으로 형성되므로, Ag 페이스트 등 전극물질의 충진 특성을 만족시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, since the sensor electrode and the wiring electrode are formed with the same line width, there is an effect of satisfying the filling characteristics of an electrode material such as Ag paste.

또한, 센서전극은 2㎛ 이하의 선폭을 지니고, 센서전극과 센서전극 사이의 피치를 선폭의 100배 이상으로 지니게 함으로써, 광투과율 특성이 향상될 수 있는 효과가 있다.In addition, the sensor electrode has a line width of 2 μm or less, and the pitch between the sensor electrode and the sensor electrode is 100 times or more of the line width, thereby improving light transmittance characteristics.

뿐만 아니라, 배선전극은 2㎛ 이하의 선폭을 지니고, 배선전극과 배선전극 사이의 피치를 선폭의 40배 이하로 지니게 함으로써, 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the wiring electrode has a line width of 2 μm or less, and the pitch between the wiring electrode and the wiring electrode is 40 times or less of the line width, thereby improving electrical characteristics.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 용어의 설명을 위한 개념도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 순서도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위상전이마스크 준비단계의 흐름도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일방향패턴 형성단계의 흐름도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일방향패턴 금속시편의 사진.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 메시패턴 형성단계의 흐름도.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 메시패턴 금속시편의 사진.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 감광제를 도포하는 단계 예시도.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계 예시도.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 금속스탬프를 분리하는 단계 예시도.
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계 예시도.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 전극물질을 충진하는 단계 예시도.
도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제2메시패턴 금속시편을 이용한 필름 제조 예시도.
도 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 필름 제조 예시도.
도 15는 종래의 터치 모듈 개념도.
도 16은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 FPCB 일체형 모듈 개념도.1 is a conceptual diagram for explaining terms according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a flow chart according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a flowchart of a phase shift mask preparation step according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a flowchart of a step of forming a one-way pattern according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is a photograph of a one-way patterned metal specimen according to a preferred embodiment of the present invention.
6 is a flow chart of a mesh pattern forming step according to a preferred embodiment of the present invention.
7 is a photograph of a metal specimen with a mesh pattern according to a preferred embodiment of the present invention.
8 is an exemplary view of a step of applying a photoresist according to a preferred embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating a step of patterning by partially removing a photosensitizer according to a preferred embodiment of the present invention.
10 is an exemplary diagram illustrating the steps of separating a metal stamp according to a preferred embodiment of the present invention.
11 is a diagram illustrating the steps of separating a film on which an intaglio pattern is formed according to a preferred embodiment of the present invention.
12 is an exemplary view of filling an electrode material according to a preferred embodiment of the present invention.
13 is an exemplary view of manufacturing a film using a second mesh patterned metal specimen according to a preferred embodiment of the present invention.
14 is an exemplary view of manufacturing a film according to a preferred embodiment of the present invention.
15 is a conceptual diagram of a conventional touch module.
16 is a conceptual diagram of an integrated FPCB module according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명을 기술하기에 앞서, 본 발명에서 제시되는 용어를 간략히 정의해보도록 하겠다.Before describing the present invention, the terms presented in the present invention will be briefly defined.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 용어의 설명을 위한 개념도이다. 도 1-(a)는 메시패턴 금속시편을 도시하였으며, 도 1-(b)는 도 1-(a)의 메시패턴 금속시편에 감광제 도포 후 패터닝된 상태를 도시하였다.1 is a conceptual diagram for explaining terms according to a preferred embodiment of the present invention. Fig. 1-(a) shows a mesh pattern metal specimen, and Fig. 1-(b) shows a patterned state after a photoresist is applied to the mesh pattern metal specimen of Fig. 1-(a).

1) 제1위상전이마스크: 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역으로 구분된다.1) First phase shift mask: It is divided into a first pattern area having a relatively wide line width and a second pattern area having a relatively narrow line width.

2) 제2위상전이마스크: 제1위상전이마스크와 직교된 방향으로 패턴이 구현되며, 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역으로 구분된다.2) Second phase shift mask: A pattern is implemented in a direction orthogonal to the first phase shift mask, and is divided into a first pattern region having a relatively wide line width and a second pattern region having a relatively narrow line width.

3) 메시패턴: 센서패턴영역과 배선패턴영역으로 구분된다.3) Mesh pattern: It is divided into a sensor pattern area and a wiring pattern area.

-센서패턴영역(S): 위상전이마스크의 제1패턴영역에 대응하는 영역으로써, 상대적으로 넓은 피치를 지니는 센서패턴이 형성된다.-Sensor pattern area (S): As an area corresponding to the first pattern area of the phase shift mask, a sensor pattern having a relatively wide pitch is formed.

-배선패턴영역(W): 위상전이마스크의 제2패턴영역에 대응하는 영역으로써, 상대적으로 좁은 피치를 지니는 배선패턴이 형성된다.-Wiring pattern area (W): As an area corresponding to the second pattern area of the phase shift mask, a wiring pattern having a relatively narrow pitch is formed.

4) 센서패턴영역(S): 센서전극영역과 센서비전극영역으로 구분된다.4) Sensor pattern area (S): It is divided into a sensor electrode area and a sensor non-electrode area.

-센서전극영역(S₁): 센서패턴영역 중 활성화되는 센서전극이 사용되는 영역이다.-Sensor electrode area (S ₁ ): This is the area in which the activated sensor electrode is used among the sensor pattern areas.

-센서비전극영역(S₂): 센서패턴영역 중 비활성화되어 센서전극으로 사용되지 않는 영역이다.-Sensor non-electrode region (S ₂ ): This is an inactivated region of the sensor pattern region that is not used as a sensor electrode.

5) 배선패턴영역(W): 배선전극영역과 배선비전극영역으로 구분된다.5) Wiring pattern area (W): It is divided into a wiring electrode area and a wiring non-electrode area.

-배선전극영역(W₁): 배선패턴영역 중 활성화되는 배선전극이 사용되는 영역이다.-Wiring electrode area (W ₁ ): Among the wiring pattern areas, an activated wiring electrode is used.

-배선비전극영역(W₂): 배선패턴영역 중 비활성화되어 배선전극으로 사용되지 않는 영역이다.-Wiring non-electrode area (W ₂ ): An area of the wiring pattern area that is inactive and is not used as a wiring electrode.

6) 센서전극(S_1a): 센서전극영역 내의 전극이다.6) Sensor electrode (S _1a ): This is an electrode in the sensor electrode area.

7) 배선전극(W_1a): 배선전극영역 내의 전극이다.7) Wiring electrode (W _1a ): An electrode in the wiring electrode region.

8) 블록배선전극: 1개 이상의 배선전극이 모여 블록을 이루는 배선전극으로써, 하나의 블록배선전극에는 동일한 선폭의 1개 이상의 배선전극이 형성된다. 하나의 배선전극영역이 하나의 블록배선전극을 형성한다.8) Block wiring electrode: As a wiring electrode in which one or more wiring electrodes are gathered to form a block, one or more wiring electrodes having the same line width are formed on one block wiring electrode. One wiring electrode region forms one block wiring electrode.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 순서도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법은 위상전이마스크 준비단계(S100), 일방향패턴 형성단계(S200), 메시패턴 형성단계(S300) 및 전극 형성단계(S400)로 이루어짐을 알 수 있다.2 is a flow chart according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in Figure 2, the method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode according to a preferred embodiment of the present invention includes a phase shift mask preparation step (S100), a one-way pattern formation step (S200), a mesh pattern formation step (S300), and It can be seen that the electrode formation step (S400) is performed.

먼저, 위상전이마스크 준비단계는 제1위상전이마스크(122)와, 제1위상전이마스크(122)와 직교된 방향으로 패턴이 구현된 제2위상전이마스크(124)를 준비하는 단계이다. (S100)First, the phase shift mask preparation step is a step of preparing a first phase shift mask 122 and a second phase shift mask 124 in which a pattern is implemented in a direction orthogonal to the first phase shift mask 122. (S100)

이러한 위상전이마스크(120)는 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역(A)과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역(B)을 가지는 것으로, 위상전이마스크(120)의 제1패턴영역(A)은 도 1-(a)의 센서패턴영역(S)에 대응되며, 위상전이마스크(120)의 제2패턴영역(B)은 도 1-(a)의 배선패턴영역(W)에 대응된다.The phase shift mask 120 has a first pattern region A having a relatively wide line width and a second pattern region B having a relatively narrow line width. ) Corresponds to the sensor pattern area (S) of FIG. 1-(a), and the second pattern area (B) of the phase shift mask 120 corresponds to the wiring pattern area (W) of FIG. 1-(a). .

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위상전이마스크 준비단계의 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 도 3-(a), 도 3-(b) 및 도 3-(c)의 순서에 따라 제1위상전이마스크와 제2위상전이마스크를 제조하기 위한 흐름을 알 수 있다.3 is a flowchart of a phase shift mask preparation step according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a flow for manufacturing a first phase shift mask and a second phase shift mask according to the order of FIGS. 3-(a), 3-(b), and FIG. 3-(c) can be seen. .

도 3-(a)는 크롬마스크(100)를 준비하는 단계를 도시하였다. 도 3-(a)를 참조하면, 상대적으로 넓은 선폭의 제1패턴영역(A)과 상대적으로 좁은 선폭의 제2패턴영역(B)으로 이루어진 크롬패턴(100a)이 형성된 크롬마스크(100)를 준비하는 단계임을 알 수 있다.Figure 3-(a) shows the steps of preparing the chrome mask 100. Referring to FIG. 3-(a), a chrome mask 100 having a chrome pattern 100a formed of a first pattern area A having a relatively wide line width and a second pattern area B having a relatively narrow line width is shown. You can see that it is the stage of preparation.

즉, 제1방향(예를 들어, 가로방향)의 선 패턴을 위한 크롬마스크(100)를 제조하기 위한 것으로, 제1방향의 전극패턴용 위상전이마스크(120) 제조를 위한 크롬마스크(100)를 설계하는 단계라 할 수 있다.That is, to manufacture a chrome mask 100 for a line pattern in a first direction (eg, a horizontal direction), a chrome mask 100 for manufacturing the phase shift mask 120 for an electrode pattern in the first direction It can be called the design stage.

여기서 크롬마스크(100)의 크롬패턴(100a) 선폭은 메시형태인 전극패턴의 피치를 결정하는 것으로, 센서전극(S_1a)이 형성되는 영역에는 넓은 선폭의 크롬패턴(100a)이 형성되고, 배선전극(W_1a)이 형성되는 영역에는 좁은 선폭의 크롬패턴(100a)이 형성된다.Here, the line width of the chrome pattern 100a of the chrome mask 100 determines the pitch of the electrode pattern in the form of a mesh, and a chrome pattern 100a having a wide line width is formed in the region where the _{sensor electrode S 1a is formed, and the wiring} A chromium pattern 100a having a narrow line width is formed in the region where the electrode W _{1a is formed.}

도 3-(b)는 감광제패턴을 형성하는 단계를 도시하였다. 도 3-(b)를 참조하면, 기판(110) 상부에 감광제를 도포한 다음, 크롬마스크(100)를 위치시킨 후 노광 및 현상하여 감광제패턴(110a)을 형성하는 단계임을 알 수 있다.3-(b) shows a step of forming a photoresist pattern. Referring to FIG. 3-(b), it can be seen that this is a step of forming a photoresist pattern 110a by applying a photosensitive agent on the upper part of the substrate 110, then placing the chrome mask 100, exposing and developing.

내용인즉, LCD용 Glass 등의 기판(110) 상부에 1~10㎛ 범위의 일정한 두께로 감광제를 도포한 다음, 크롬마스크(100)를 감광제 상부에 놓고 자외선을 조사한 후 현상 공정을 거쳐서 감광제패턴(110a)을 구현하게 된다. 도 3-(b)의 경우, positive type 감광제의 구현 사례를 나타낸 것이다.In other words, after applying a photoresist to a certain thickness in the range of 1 to 10 μm on the upper part of the substrate 110 such as glass for LCD, the chromium mask 100 is placed on the photosensitive agent and irradiated with ultraviolet rays, and then the photosensitive agent pattern ( 110a) is implemented. In the case of Figure 3-(b), it shows an implementation example of a positive type photosensitizer.

도 3-(c)는 위상전이마스크를 분리하는 단계를 도시하였다. 도 3-(c)를 참조하면, 감광제패턴(110a)이 형성된 기판(110) 상부에 고분자 재료를 붓고 열경화 처리한 후, 감광제패턴(110a)이 형성된 기판(110)으로부터 위상전이마스크(120)를 분리하여 얻는 단계임을 알 수 있다.3-(c) shows the step of separating the phase shift mask. Referring to FIG. 3-(c), after pouring a polymer material onto the substrate 110 on which the photoresist pattern 110a is formed and performing heat curing treatment, the phase shift mask 120 is formed from the substrate 110 on which the photoresist pattern 110a is formed. ), it can be seen that it is a step obtained by separating.

말하자면, 감광제패턴(110a) 상부에 액상의 투명한 고분자 재료를 부은 후, 열경화 과정을 거쳐 위상전이마스크(120)를 제조하는 것으로, 여기서 위상전이마스크(120) 제조에 널리 활용되는 투명 고분자 재료로 PDMS 또는 PU 등을 사용하는 것이 바람직하다.In other words, after pouring a liquid transparent polymer material on the upper part of the photoresist pattern 110a, the phase shift mask 120 is manufactured through a thermal curing process. Here, a transparent polymer material widely used in manufacturing the phase shift mask 120 is used. It is preferable to use PDMS or PU.

이때 도 3-(c)에서의 위상전이마스크(120)에 형성된 패턴의 높이는 도 3-(b)에서의 기판(110) 상부에 도포되는 감광제 두께에 따라 결정된다.At this time, the height of the pattern formed on the phase shift mask 120 in FIG. 3-(c) is determined according to the thickness of the photoresist applied on the substrate 110 in FIG. 3-(b).

만약 위상전이마스크(120) 패턴의 높이가 1㎛보다 낮은 경우, 구현하고자 하는 메시패턴의 선폭이 너무 작게 구현되어 투명전극의 전기적인 특성을 만족시키기 어려울 수 있다.If the height of the phase shift mask 120 pattern is lower than 1 μm, the line width of the mesh pattern to be implemented may be too small to satisfy the electrical characteristics of the transparent electrode.

반대로 위상전이마스크(120) 패턴의 높이가 10㎛보다 클 경우, 메시패턴의 선폭이 너무 크게 구현되어 투명전극으로의 적용이 불가할 수 있으므로, 위상전이마스크(120)의 패턴 높이는 1~10㎛ 범위로 형성되는 것이 바람직하다.Conversely, when the height of the phase shift mask 120 pattern is larger than 10 μm, the line width of the mesh pattern may be too large to be applied to the transparent electrode, so the pattern height of the phase shift mask 120 is 1 to 10 μm. It is preferably formed in a range.

다음으로, 일방향패턴 형성단계는 기판(200) 상부에 감광제를 도포한 다음, 제1위상전이마스크(122)를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 패턴이 일방향으로 형성된 일방향패턴 금속시편을 형성하는 단계이다. (S200)Next, in the step of forming a one-way pattern, a photoresist is applied on the substrate 200, and then the first phase transfer mask 122 is placed, exposed and plated to form a one-way patterned metal specimen in which the pattern is formed in one direction. . (S200)

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일방향패턴 형성단계의 흐름도이다. 도 4를 참조하면, 도 4-(a), 도 4-(b), 도 4-(c) 및 도 4-(d)의 순서에 따라 일방향패턴 금속시편을 제조하기 위한 흐름을 알 수 있다.4 is a flowchart of a step of forming a one-way pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, a flow for manufacturing a one-way patterned metal specimen can be seen in the order of FIGS. 4-(a), 4-(b), 4-(c), and 4-(d). .

도 4-(a)는 감광제를 도포하는 단계를 도시하였다. 도 4-(a)를 참조하면, LCD용 Glass 등의 기판(200) 상부에 형성시키고자 하는 제1양각 감광패턴(200a)의 높이에 해당하는 두께로 감광제를 도포하는 단계임을 알 수 있다. 이때 감광제는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등의 공정으로 도포 가능하다.Fig. 4-(a) shows a step of applying a photosensitizer. Referring to FIG. 4-(a), it can be seen that this is a step of applying a photoresist to a thickness corresponding to the height of the first embossed photosensitive pattern 200a to be formed on the substrate 200 such as glass for LCD. At this time, the photosensitive agent can be applied by a process such as spin coating or spray coating.

도 4-(b)는 제1양각 감광패턴을 일방향으로 형성하는 단계를 도시하였다. 도 4-(b)를 참조하면, 감광제가 도포된 기판(200) 상부에 제1위상전이마스크(122)를 위치시킨 후, 자외선을 조사하여 제1양각 감광패턴(200a)을 일방향으로 형성하는 단계임을 알 수 있다.Fig. 4-(b) shows a step of forming the first embossed photosensitive pattern in one direction. Referring to FIG. 4-(b), after placing the first phase transfer mask 122 on the substrate 200 coated with the photoresist, ultraviolet rays are irradiated to form the first embossed photosensitive pattern 200a in one direction. It can be seen that it is a step.

즉, 감광제가 도포된 기판(200) 상부에 제1위상전이마스크(122)를 이용한 노광 공정을 수행하여 제1양각 감광패턴(200a)을 형성하는 것으로, 제1위상전이마스크(122)의 선폭이 구현하고자 하는 제1양각 감광패턴(200a)의 피치를 결정하게 된다.That is, by performing an exposure process using the first phase shift mask 122 on the substrate 200 coated with the photoresist to form the first embossed photosensitive pattern 200a, the line width of the first phase shift mask 122 The pitch of the first embossed photosensitive pattern 200a to be implemented is determined.

그리고 제1양각 감광패턴(200a)의 선폭은 감광제의 종류, 노광량, 현상 시간, 제1위상전이마스크(122)의 패턴 높이 등을 조절하여 자유롭게 선택 가능하다.In addition, the line width of the first embossed photosensitive pattern 200a can be freely selected by adjusting the type of photoresist, exposure amount, development time, and the pattern height of the first phase shift mask 122.

도 4-(c)는 제1일방향패턴 금속시편을 분리하는 단계를 도시하였다. 도 4-(c)를 참조하면, 제1양각 감광패턴(200a)이 형성된 기판(200) 상부에 1차 도금층을 형성한 후, 제1양각 감광패턴(200a)이 형성된 기판(200)으로부터 음각패턴이 형성된 제1일방향패턴 금속시편(210)을 분리하여 획득하는 단계임을 알 수 있다.Figure 4-(c) shows the step of separating the first one-way patterned metal specimen. Referring to FIG. 4-(c), after a first plating layer is formed on the substrate 200 on which the first embossed photosensitive pattern 200a is formed, the first embossed photosensitive pattern 200a is formed from the substrate 200. It can be seen that this is a step of separating and obtaining the first one-way patterned metal specimen 210 on which the pattern is formed.

즉, 제1양각 감광패턴(200a)이 형성된 기판(200) 상부에 1차적으로 도금층을 증착한 다음, 니켈 또는 니켈합금도금 공정(전주공정)을 적용하여 음각의 선패턴이 구현된 제1일방향패턴 금속시편(210)을 형성하게 되는 것이다.That is, the first one direction in which the intaglio line pattern is implemented by first depositing a plating layer on the substrate 200 on which the first embossed photosensitive pattern 200a is formed, and then applying a nickel or nickel alloy plating process (electrophoresis process). The patterned metal specimen 210 is to be formed.

도 4-(d)는 제2일방향패턴 금속시편을 분리하는 단계를 도시하였다. 도 4-(d)를 참조하면, 음각패턴이 형성된 제1일방향패턴 금속시편(210) 상부에 2차 도금층을 형성한 후, 제1일방향패턴 금속시편(210)으로부터 양각패턴이 형성된 제2일방향패턴 금속시편(220)을 분리하여 얻는 단계임을 알 수 있다.Figure 4-(d) shows the step of separating the second one-way patterned metal specimen. Referring to FIG. 4-(d), after forming a second plating layer on the first one-way pattern metal specimen 210 on which the intaglio pattern is formed, the second one direction in which the relief pattern is formed from the first one-way pattern metal specimen 210 It can be seen that this is a step obtained by separating the patterned metal specimen 220.

말하자면, 제1일방향패턴 금속시편(210)을 복제하기 위한 공정으로써, 제1일방향패턴 금속시편(210)에 니켈 또는 니켈합금도금 공정을 추가 실시하여 제1일방향패턴 금속시편(210)과는 반대로, 양각의 선패턴이 구현된 제2일방향패턴 금속시편(220)을 제조하게 되는 것이다.In other words, as a process for duplicating the first one-way patterned metal specimen 210, in contrast to the first one-way patterned metal specimen 210 by additionally performing a nickel or nickel alloy plating process on the first one-way patterned metal specimen 210 , The second one-way pattern metal specimen 220 in which the embossed line pattern is implemented is manufactured.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일방향패턴 금속시편의 사진이다. 도 5를 참조하면, 일방향패턴 금속시편임을 알 수 있다.5 is a photograph of a one-way patterned metal specimen according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, it can be seen that it is a one-way patterned metal specimen.

다음으로, 메시패턴 형성단계는 일방향패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포한 다음, 제2위상전이마스크(124)를 위치시킨 후 노광 및 도금하여 메시패턴이 형성된 메시패턴 금속시편을 형성하는 단계이다. (S300)Next, the mesh pattern forming step is a step of forming a mesh patterned metal specimen with a mesh pattern formed by applying a photoresist on the top of the one-way patterned metal specimen, and then placing the second phase transfer mask 124 and then exposure and plating. (S300)

이때 메시패턴 형성단계는 일방향패턴 금속시편 상부에 제2방향(예를 들어, 세로방향)의 선 패턴을 형성하기 위한 것으로, 상대적으로 넓은 피치의 센서패턴을 갖는 센서패턴영역(S)과 상대적으로 좁은 피치의 배선패턴을 갖는 배선패턴영역(W)으로 이루어지도록, 메시패턴을 형성하는 것이 바람직하다.In this case, the mesh pattern forming step is to form a line pattern in a second direction (for example, in a vertical direction) on an upper portion of the one-way patterned metal specimen, and relatively to the sensor pattern region S having a sensor pattern having a relatively wide pitch. It is preferable to form a mesh pattern so that the wiring pattern region W having a narrow pitch wiring pattern is formed.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 메시패턴 형성단계의 흐름도이다. 도 6을 참조하면, 도 6-(a), 도 6-(b), 도 6-(c) 및 도 6-(d)의 순서에 따라 메시패턴이 형성된 메시패턴 금속시편을 제조하기 위한 흐름을 알 수 있다.6 is a flowchart of a step of forming a mesh pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a flow for manufacturing a mesh patterned metal specimen in which a mesh pattern is formed in the order of FIGS. 6-(a), 6-(b), 6-(c), and 6-(d) Can be seen.

도 6-(a)는 일방향패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계를 도시하였다. 도 6-(a)를 참조하면, 패턴이 일방향으로 형성된 제2일방향패턴 금속시편(220) 상부에 감광제를 도포하는 단계임을 확인할 수 있다.6-(a) shows the step of applying a photoresist on the top of the one-way patterned metal specimen. Referring to FIG. 6-(a), it can be seen that this is a step of applying a photosensitive agent on the second one-way patterned metal specimen 220 in which the pattern is formed in one direction.

여기서 도 6-(a)'를 참고하면, 패턴이 일방향으로 형성된 제2일방향패턴 금속시편(220) 상부에 감광제가 도포된 상태를 C-C' 단면을 기준으로 상면에서 바라본 것을 도시하였다.Here, referring to FIG. 6-(a)', a state in which the photoresist is applied on the second one-way patterned metal specimen 220 in which the pattern is formed in one direction is viewed from the top surface based on the C-C' cross-section.

도 6-(b)는 제2양각 감광패턴을 형성하는 단계를 도시하였다. 도 6-(b)를 참조하면, 감광제가 도포된 제2일방향패턴 금속시편(220) 상부에 제2위상전이마스크(124)를 위치시킨 후, 자외선을 조사하여 제1양각 감광패턴(200a)과는 직교된 제2양각 감광패턴(220a)을 형성하여 메시패턴을 이루는 단계임을 알 수 있다.6-(b) shows a step of forming a second embossed photosensitive pattern. 6-(b), after placing the second phase shift mask 124 on the second one-way patterned metal specimen 220 coated with a photosensitive agent, the first embossed photosensitive pattern 200a is irradiated with ultraviolet rays. It can be seen that it is a step of forming a mesh pattern by forming the second embossed photosensitive pattern 220a that is orthogonal to and.

도 6-(c)는 제1메시패턴 금속시편을 분리하는 단계를 도시하였다. 도 6-(c)를 참조하면, 제1양각 감광패턴(200a) 및 제2양각 감광패턴(220a)이 형성된 금속시편 상부에 3차 도금층을 형성한 후, 이러한 금속시편으로부터 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300)을 분리하여 얻는 단계임을 알 수 있다.6-(c) shows the step of separating the first mesh patterned metal specimen. 6-(c), after forming a third plating layer on the metal specimen on which the first embossed photosensitive pattern 200a and the second embossed photosensitive pattern 220a are formed, an engraved mesh pattern is formed from these metal specimens. It can be seen that this is a step obtained by separating the first mesh pattern metal specimen 300.

도 6-(d)는 추가적인 공정으로써, 제2메시패턴 금속시편을 분리하는 단계를 도시하였다. 도 6-(d)를 참조하면, 제1메시패턴 금속시편(300)의 상부에 3-1차 도금층을 형성한 후, 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 양각 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편(310)을 분리하여 얻는 단계임을 알 수 있다.6-(d) shows the step of separating the second mesh patterned metal specimen as an additional process. Referring to FIG. 6-(d), after forming the third-first plating layer on the first mesh pattern metal specimen 300, the second mesh pattern on which the embossed mesh pattern is formed from the first mesh pattern metal specimen 300 It can be seen that this is a step obtained by separating the patterned metal specimen 310.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 메시패턴 금속시편의 사진이다. 도 7을 참조하면, 메시패턴이 형성된 메시패턴 금속시편임을 알 수 있다.7 is a photograph of a metal specimen with a mesh pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, it can be seen that the mesh pattern is a metal specimen with a mesh pattern formed thereon.

마지막으로, 전극 형성단계는 메시패턴 금속시편을 이용하여, 배선패턴영역(W) 중 전극으로 활성화되는 배선전극(W_1a)이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극(W_1A)과, 센서패턴영역(S) 중 전극으로 활성화되는 센서전극(S_1a)을 형성하는 단계이다. (S400)Finally, the electrode formation step is a block wiring electrode (W _1A _{) in which at least one wiring electrode (W 1a} ) activated as an electrode in the wiring pattern region (W) is electrically coupled, using a mesh patterned metal specimen, and a sensor. This is a step of forming a _{sensor electrode S 1a} that is activated as an electrode in the pattern region S. (S400)

이러한 전극 형성단계는 Ⅰ. 센서전극영역(S₁) 및 배선전극영역(W₁)의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 공정을 이용한 전극 형성단계와, Ⅱ. 센서전극영역(S₁) 및 배선전극영역(W₁)의 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 공정을 이용한 전극 형성단계로 나누어 설명해볼 수 있다.This electrode formation step is Ⅰ. An electrode formation step using a process of partially removing and patterning a photoresist in the sensor electrode region S ₁ and the wiring electrode region W _{1, and Ⅱ.} The description can be divided into an electrode formation step using a process of partially removing and patterning the photoresist in the remaining areas except for the photoresist in the sensor electrode area S ₁ and the wiring electrode area W _1.

Ⅰ. 센서전극영역(S₁) 및 배선전극영역(W₁)의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 공정을 이용한 전극 형성단계Ⅰ. An electrode formation step using a process of partially removing and patterning a photoresist in the sensor electrode region (S ₁ ) and the wiring electrode region (W ₁₎

Ⅰ의 경우, 전극 형성단계는 감광제를 도포하는 단계(도 8), 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계(도 9), 금속스탬프를 분리하는 단계(도 10), 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계(도 11) 및 전극물질을 충진하는 단계(도 12)로 이루어질 수 있다.In the case of Ⅰ, the electrode formation step is a step of applying a photoresist (FIG. 8), a step of patterning by partially removing the photosensitive agent (FIG. 9), separating the metal stamp (FIG. 10), and separating the film on which the intaglio pattern was formed. (FIG. 11) and the step of filling the electrode material (FIG. 12).

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 감광제를 도포하는 단계 예시도이다. 도 8-(a)는 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300)의 평면을 도시하였고, 도 8-(b)는 도 8-(a)의 측면을 도시하였으며, 도 8-(c)는 제1메시패턴 금속시편(300)의 상부에 감광제가 도포된 평면을 도시하였고, 도 8-(d)는 도 8-(c)의 측면을 도시하였다.8 is an exemplary view of a step of applying a photoresist according to a preferred embodiment of the present invention. 8-(a) is a plan view of a first mesh pattern metal specimen 300 on which an intaglio mesh pattern is formed, and FIG. 8-(b) is a side view of FIG. 8-(a), and FIG. 8-( c) shows a plane on which a photoresist is applied on the upper portion of the first mesh pattern metal specimen 300, and FIG. 8-(d) shows a side view of FIG. 8-(c).

도 8을 참조하면, 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 감광제를 도포하는 단계임을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that this is a step of applying a photoresist on the upper portion of the first mesh pattern metal specimen 300 on which the intaglio mesh pattern is formed.

여기서 감광제는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 방식으로 도포될 수 있으며, 스핀 코팅은 감광제의 점도 및 스핀 코팅의 회전속도에 따라 도포되는 감광제의 두께가 조절되며, 스프레이 코팅은 감광제의 점도 및 감광제의 분사량에 따라 도포되는 감광제의 두께가 조절될 수 있다.Here, the photosensitive agent can be applied by spin coating or spray coating, and in the spin coating, the thickness of the applied photoresist is adjusted according to the viscosity of the photosensitive agent and the rotation speed of the spin coating. The thickness of the photosensitive agent to be applied can be adjusted.

가장 이상적인 감광제 도포 두께는 음각 메시패턴 내부에만 감광제를 채우는 것이지만, 현실적으로는 메시패턴이 아닌 부분에도 일정한 두께로 감광제가 도포되는 경우도 있다.The most ideal photosensitive agent coating thickness is to fill the photosensitive agent only inside the intaglio mesh pattern, but in reality, there are cases where the photosensitive agent is applied to a certain thickness even in a portion other than the mesh pattern.

이처럼 음각 메시패턴이 아닌 부분에 잔류하는 감광제는 이후의 공정인 전극물질(예를 들어, Ag 페이스트) 충진 공정 적용시, 음각 메시패턴 사이에 원치 않는 전극패턴이 형성될 수 있어 그 두께를 최소화해야 필요가 있으므로, 잔류하는 감광제의 잔류층 두께는 500㎚ 이하로 형성되는 것이 바람직하다.As such, when the photoresist remaining in the non-engraved mesh pattern is applied to the subsequent electrode material (eg, Ag paste) filling process, unwanted electrode patterns may be formed between the intaglio mesh patterns, so its thickness should be minimized. Since there is a need, it is preferable that the thickness of the residual layer of the photoresist remaining is 500 nm or less.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계 예시도이다. 도 9-(a)는 센서전극(S_1a)이 형성되는 센서전극영역(S₁) 및 배선전극(W_1a)이 형성되는 배선전극영역(W₁)의 감광제를 부분 제거해 패터닝된 평면을 도시하였으며, 도 9-(b)는 도 9-(a)의 C-C' 단면을 기준으로 한 측면을 도시하였다.9 is a diagram illustrating a step of patterning by partially removing a photosensitizer according to a preferred embodiment of the present invention. Fig. 9- (a) a sensor electrode (S _1a) a sensor electrode region formed (S ₁₎ and the wire electrode (W _1a) showing a portion of the patterned planar remove the photosensitive material of the wiring electrode region (W ₁₎ is formed And, Fig. 9-(b) shows a side surface based on the CC' cross-section of Fig. 9-(a).

도 9를 참조하면, 감광제가 도포된 메시패턴 금속시편 상부에 크롬마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상하여 센서전극(S_1a)이 형성되는 센서전극영역(S₁) 및 배선전극(W_1a)이 형성되는 배선전극영역(W₁)의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계임을 알 수 있다.Referring to Figure 9, after the photosensitive agent is located a chrome mask on a mesh pattern of metal specimens top coating, exposure and development to the sensor electrode (S _1a) a sensor electrode region (S ₁₎ and the wire electrode (W _1a) formed It can be seen that this is a step of partially removing and patterning the photoresist in the formed wiring electrode region W _1.

구체적으로, 센서전극(S_1a) 및 배선전극(W_1a) 형성을 위해 설계된 크롬마스크를 감광제가 도포되고 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 놓고 자외선을 조사한 후, 현상 공정을 통해 센서전극(S_1a) 및 배선전극(W_1a)을 형성하고자 하는 부분의 감광제를 제거할 수 있다. 해당 공정은 Positive Type의 감광제를 적용한 사례를 나타낸 것이다.Specifically, a chromium mask designed to form the sensor electrode (S _1a ) and the wiring electrode (W _1a ) is placed on the first mesh pattern metal specimen 300 on which a photoresist is applied and an intaglio mesh pattern is formed, irradiated with ultraviolet rays, and then developed. Through the process, the photosensitive agent may be removed from the portion where the _{sensor electrode S 1a} and the wiring electrode W _{1a are to be formed.} This process shows an example of applying a positive type photoresist.

여기서 감광제를 부분 제거해 패터닝 하는 공정과, 후술될 감광제가 패터닝된 메시패턴 금속시편 상부에 4차 도금층을 형성하는 공정 사이에는, 부분 제거된 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제 표면이 편평해지도록 100~160℃, 30초~3분 하에서 리플로우(reflow)하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.Here, between the process of patterning by partially removing the photoresist and the process of forming a fourth plating layer on the mesh pattern metal specimen patterned with the photosensitive agent, which will be described later, 100 to 160 so that the surface of the photosensitive agent in the remaining areas except for the partially removed photoresist is flat. It is preferable to further include a step of reflowing under ℃, 30 seconds to 3 minutes.

이는 음각패턴측에 도포된 감광제의 표면이 약간 파인 형상을 지니게 되므로, 리플로우 공정을 추가적으로 실시함으로써 도포된 감광제의 표면을 편평하게 함으로써 공정 효율성을 달성하기 위함이다.This is to achieve process efficiency by flattening the surface of the applied photoresist by performing an additional reflow process since the surface of the photosensitive agent applied to the intaglio pattern side has a slightly finer shape.

만약 100℃ 미만에서 리플로우하면 감광제의 표면을 편평하게 해주기에 역부족할 수 있으며, 160℃를 초과하여 리플로우하면 오히려 공정의 비효율성이 발생할 수 있으므로, 리플로우 온도는 100~160℃의 범위를 유지하는 것이 바람직하다.If reflow below 100°C, it may be insufficient to flatten the surface of the photoresist, and if reflow exceeding 160°C, process inefficiency may occur. Therefore, the reflow temperature is within the range of 100 to 160°C. It is desirable to maintain.

그리고 30초 미만으로 리플로우하면 감광제의 표면을 편평하게 해주기에 부족한 시간이며, 3분을 초과하면 그 이하의 시간 동안 리플로우하는 것과 비교하여 더 탁월한 특성이 없으므로, 리플로우는 30초~3분 동안 실시하는 것이 바람직하다.And if it reflows in less than 30 seconds, it is insufficient time to flatten the surface of the photoresist, and if it exceeds 3 minutes, it has no superior characteristics compared to reflowing for less than that, so the reflow is 30 seconds to 3 minutes. It is desirable to carry out while.

도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 금속스탬프를 분리하는 단계 예시도이다. 도 10-(a)는 감광제가 패터닝된 메시패턴 금속시편 상부에 금속 증착 후 양각패턴이 형성된 금속스탬프(400)를 도시하였으며, 도 10-(b)는 도 10-(a)의 C-C' 단면을 기준으로 한 측면에서 바라본 공정을 도시하였다.10 is an exemplary diagram illustrating a step of separating a metal stamp according to a preferred embodiment of the present invention. Fig. 10-(a) shows a metal stamp 400 in which an embossed pattern is formed after metal deposition on a mesh patterned metal specimen patterned with a photoresist, and Fig. 10-(b) is a cross-sectional view of CC' of Fig. 10-(a) The process viewed from the side based on is shown.

즉, 도 10을 통하여 감광제가 패터닝된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 4차 도금층을 형성한 후, 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 양각패턴이 형성된 금속스탬프(400)를 분리하여 얻는 단계임을 확인할 수 있다.That is, after forming a fourth plating layer on the first mesh pattern metal specimen 300 patterned with a photoresist through FIG. 10, the metal stamp 400 on which the embossed pattern is formed is separated from the first mesh pattern metal specimen 300. It can be confirmed that it is a step to obtain.

여기서 감광제가 패터닝된 제1메시패턴 금속시편(300)의 표면에 금속층을 증착한 후, 니켈 또는 니켈합금도금 공정을 수행하여 4차 도금층을 형성할 수 있다.Here, after depositing a metal layer on the surface of the first mesh patterned metal specimen 300 on which the photoresist is patterned, a nickel or nickel alloy plating process may be performed to form a fourth plating layer.

도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계 예시도이다. 도 11-(a)는 자외선 성형 또는 열성형 공정을 이용해 음각형상의 음각패턴(412)이 형성된 필름(410)의 평면을 도시하였으며, 도 11-(b)는 도 11-(a)의 C-C' 단면을 기준으로 한 측면에서 바라본 공정을 도시하였다.11 is an exemplary diagram illustrating a step of separating a film on which an intaglio pattern is formed according to a preferred embodiment of the present invention. 11-(a) shows a plane of the film 410 on which the intaglio-shaped intaglio pattern 412 is formed using an ultraviolet molding or thermoforming process, and FIG. 11-(b) is a CC of FIG. 11-(a). 'The process viewed from the side based on the cross section is shown.

도 11을 참조하면, 금속스탬프(400) 상부에 액상 고분자(410a) 및 필름(410b)을 차례로 덮은 후, 금속스탬프(400)로부터 음각패턴(412)이 형성된 필름(410)을 분리하여 얻는 단계임을 알 수 있다.Referring to FIG. 11, a step obtained by sequentially covering the liquid polymer 410a and the film 410b on the metal stamp 400, and separating the film 410 on which the intaglio pattern 412 is formed from the metal stamp 400 It can be seen that it is.

다시 말하여, 액상 고분자(410a)를 양각패턴이 형성된 금속스탬프(400) 상부에 부은 후, PET와 같은 투명한 필름(410b)을 덮는다. 이후, 자외선 또는 열 경화 방식을 이용하여 액상 고분자(410a)를 경화시킨 다음, 투명한 필름(410b)과 접착된 체로 금속스탬프(400)로부터 음각패턴(412)이 형성된 필름(410)을 분리하여 얻게 되는 것이다.In other words, after pouring the liquid polymer 410a on the metal stamp 400 on which the embossed pattern is formed, a transparent film 410b such as PET is covered. Thereafter, the liquid polymer 410a is cured using an ultraviolet ray or thermal curing method, and then the film 410 on which the intaglio pattern 412 is formed is separated from the metal stamp 400 through a sieve bonded to the transparent film 410b to obtain It becomes.

도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 전극물질을 충진하는 단계 예시도이다. 도 12-(a)는 도 11-(b)의 음각패턴(412)에 전극물질이 충진된 필름(420)의 평면을 도시하였으며, 도 12-(b)는 도 12-(a)의 C-C' 단면을 기준으로 한 측면을 도시하였다.12 is an exemplary diagram illustrating a step of filling an electrode material according to a preferred embodiment of the present invention. 12-(a) is a plan view of a film 420 filled with an electrode material in the intaglio pattern 412 of FIG. 11-(b), and FIG. 12-(b) is a CC of FIG. 12-(a). 'The side is shown based on the cross section.

도 12를 참조하면, 음각패턴(412)이 형성된 필름(410)을 분리하는 단계 다음에 음각패턴(412)에 전극물질을 충진하는 단계임을 알 수 있다.Referring to FIG. 12, it can be seen that the step of separating the film 410 on which the intaglio pattern 412 is formed is followed by filling the electrode material in the intaglio pattern 412.

일반적으로는 센서전극(S_1a)에 비해 배선전극(W_1a)의 패턴 깊이 대비 선폭이 지나치게 크기 때문에 동일한 조건으로 전극물질을 충진할 경우, 배선전극(W_1a)의 충진율이 떨어지는 문제점이 있어왔다.In general, since the line width compared to the pattern depth of the wiring electrode W _1a is too large compared to the sensor electrode S _1a , when the electrode material is filled under the same conditions, there has been a problem that the filling rate of the _{wiring electrode W 1a is lowered.} .

그러나 본 발명에서는 메시패턴의 형태로 구현된 음각패턴(412)의 내부에 전극물질(예를 들어, Ag 페이스트)을 충진하여 센서전극(S_1a)과, 배선전극(W_1a)이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극(W_1A)으로 이루어진 투명전극필름을 제조하게 되며, 센서전극(S_1a)과 배선전극(W_1a)이 동일한 선폭으로 구성되므로 균일한 충진이 가능하다.However, in the present invention, an electrode material (eg, Ag paste) is filled in the intaglio pattern 412 implemented in the form of a mesh pattern, so that at least one _{sensor electrode (S 1a} ) and a wiring electrode (W _{1a) are provided.} A transparent electrode film made of electrically coupled block wiring electrodes W _1A is manufactured, and since the sensor electrode S _1a and the wiring electrode W _1a are configured with the same line width, uniform filling is possible.

그리고 메시패턴 금속시편 상부에 감광제 도포 시, 음각형태의 메시패턴과 패턴 사이 부분에 잔류되어 남은 감광제 층은 도 12-(b)의 α와 같은 메시패턴 금속시편의 표면에 전극물질을 충진하는데 방해가 되는 구조물을 만들게 된다. 하지만 이러한 구조물의 높이가 500㎚ 이하로 형성될 경우에는, 메시패턴 사이에 잔류되는 전극물질 없이 충진이 가능하다.In addition, when the photoresist is applied on the top of the mesh patterned metal specimen, the remaining photoresist layer remaining between the intaglio-shaped mesh pattern and the pattern interferes with filling the electrode material on the surface of the mesh patterned metal specimen as shown in Fig. 12-(b). You will create a structure that becomes However, when the height of such a structure is formed to be 500 nm or less, it is possible to fill without electrode material remaining between the mesh patterns.

내용인즉, 2㎛ 이하의 값을 갖는 패턴 선폭과 해당 선폭의 1배 이상인 음각형태의 메시패턴 내부에는 충진이 완료된 전극물질이 빠져나오기가 힘들지만, 메시패턴 외부에 충진되는 영역에는 수백 마이크로 미터의 크기를 갖는 선폭 및 500㎚ 이하의 매우 낮은 패턴 높이를 갖게 된다.In other words, it is difficult for the filled electrode material to escape from the inside of the pattern line width with a value of 2㎛ or less and the intaglio shape mesh pattern that is more than 1 times the line width, but the area filled outside the mesh pattern has a size of several hundred micrometers. And a very low pattern height of 500 nm or less.

이러한 구조는 상술한 바에 따른 지나치게 큰 선폭을 가지는 배선전극(W_1a)의 충진 공정과 마찬가지로, 충진 과정에서 전극물질이 빠져나가는 현상이 발생하여 충진율이 매우 낮아지게 되므로, 결과적으로 음각 메시패턴 내부에만 전극물질이 충진되는 것이다. _{In this structure, similar to the process of filling the wiring electrode W 1a} having an excessively large line width as described above, the electrode material escapes during the filling process, resulting in a very low filling rate. As a result, only the inside of the intaglio mesh pattern The electrode material is filled.

이처럼, 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300)을 이용해 투명전극필름을 제조할 경우, 센서전극(S_1a) 및 배선전극(W_1a) 모두 구현이 가능하다.In this way, when the transparent electrode film is manufactured using the first mesh pattern metal specimen 300 on which the intaglio mesh pattern is formed, both the sensor electrode S _1a and the wiring electrode W _1a can be implemented.

이와 달리, 도 6-(d)에 도시된 것처럼 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300)의 상부에 3-1차 도금층을 형성한 후, 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 분리된 양각 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편(310)을 이용한 전극 형성단계에 대하여 설명해 보자면, 다음과 같다.In contrast, after forming the third-first plating layer on the first mesh pattern metal specimen 300 on which the intaglio mesh pattern is formed, as shown in FIG. 6-(d), from the first mesh pattern metal specimen 300 The electrode formation step using the second mesh pattern metal specimen 310 on which the separated embossed mesh pattern is formed will be described as follows.

이는 제1메시패턴 금속시편(300)에 대해 추가 니켈 또는 니켈합금도금 공정을 실시하여 양각형태의 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편(310)을 제조할 수 있음을 의미하며, 제1메시패턴 금속시편(300) 및 제2메시패턴 금속시편(310)은 이후 공정의 특성에 맞게 선택적으로 활용 가능하다.This means that the second mesh pattern metal specimen 310 having an embossed mesh pattern can be manufactured by performing an additional nickel or nickel alloy plating process on the first mesh pattern metal specimen 300, and the first mesh pattern The patterned metal specimen 300 and the second mesh patterned metal specimen 310 may be selectively utilized according to the characteristics of subsequent processes.

도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제2메시패턴 금속시편을 이용한 필름 제조 예시도이다. 도 13을 참조하면, 도 6-(c)의 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 복제된 제2메시패턴 금속시편(310)을 이용하여 필름을 제조하는 것을 알 수 있다.13 is an exemplary view of manufacturing a film using a second mesh patterned metal specimen according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 13, it can be seen that a film is manufactured using the second mesh patterned metal specimen 310 replicated from the first mesh patterned metal specimen 300 of FIG. 6-(c).

상세하게는, 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 복제된 양각 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편(310)의(도 13-(a)) 상부에 감광제를 도포하고(도 13-(b)), 크롬마스크를 감광제가 도포된 제2메시패턴 금속시편(310) 상부에 놓고 자외선을 조사한 다음, 현상 공정을 통해 감광제를 부분 제거한 후(도 13-(c)), 제2메시패턴 금속시편(310) 상부에 도금층을 형성할 수 있다(도 13-(d)).Specifically, a photosensitive agent was applied on the upper portion of the second mesh pattern metal specimen 310 (Fig. 13-(a)) on which the embossed mesh pattern replicated from the first mesh pattern metal specimen 300 is formed (Fig. 13-( b)), place the chrome mask on the second mesh pattern metal specimen 310 coated with the photosensitive agent, irradiate ultraviolet rays, and then partially remove the photosensitive agent through a developing process (Fig. 13-(c)), and then the second mesh pattern A plating layer may be formed on the metal specimen 310 (FIG. 13-(d)).

이러한 공정 다음에, 제2메시패턴 금속시편(310)으로부터 금속스탬프을 제조하고(도 13-(e)), 이러한 금속스탬프 상부에 도금층을 재형성하여 다시 금속스탬프를 복제한 다음(도 13-(f)), 이로부터 음각패턴이 형성된 필름을 분리여 얻은 후(도 13-(g)), 음각패턴에 전극물질을 충진하여 투명전극필름을 제조할 수 있다(도 13-(h)).After this process, a metal stamp was manufactured from the second mesh patterned metal specimen 310 (FIG. 13-(e)), and the metal stamp was duplicated again by reforming the plating layer on the metal stamp (FIG. 13-( f)), after separating the film on which the intaglio pattern was formed therefrom (FIG. 13-(g)), the transparent electrode film may be manufactured by filling the intaglio pattern with an electrode material (FIG. 13-(h)).

하지만 양각 메시패턴이 형성된 제2메시패턴 금속시편(310)을 이용하여 투명전극필름을 제조할 경우, 센서전극은 구현이 가능하나 배선전극은 구현이 불가할 수 있다.However, in the case of manufacturing a transparent electrode film using the second mesh pattern metal specimen 310 on which the embossed mesh pattern is formed, the sensor electrode may be implemented, but the wiring electrode may not be implemented.

Ⅱ. 센서전극영역(S₁) 및 배선전극영역(W₁)의 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 공정을 이용한 전극 형성단계Ⅱ. An electrode formation step using a process of partially removing and patterning the photosensitive agent in the remaining areas except for the photosensitive agent in the sensor electrode area S ₁ and the wiring electrode area W ₁

도 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 필름 제조 예시도이다. 도 14를 참조하면, Ⅱ는 Ⅰ의 경우와 달리 센서전극영역(S₁) 및 배선전극영역(W₁)의 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 공정을 통해 전극을 형성함을 알 수 있다.14 is an exemplary view of manufacturing a film according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, it can be seen that, unlike in the case of Ⅰ, Ⅱ is formed through a process of partially removing and patterning the photosensitive agent in the remaining areas except for the photosensitive agent in the _{sensor electrode area S 1} and the wiring electrode area W _1. I can.

즉 Ⅱ의 경우, 전극 형성단계는 메시패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계(도 14-(a)), 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계(도 14-(b)), 금속 증착 후 감광제층과, 감광제층 상부에 증착된 금속증착층을 제거하는 단계(도 14-(c)), 금속스탬프를 분리하는 단계(도 14-(d)), 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계(도 14-(e)) 및 음각패턴에 전극물질을 충진하는 단계(도 14-(f))로 이루어질 수 있다.That is, in the case of Ⅱ, the electrode formation step is a step of applying a photosensitive agent on the top of the mesh patterned metal specimen (Fig. 14-(a)), a step of patterning by partially removing the photosensitive agent (Fig. 14-(b)), and the photosensitive agent layer after metal deposition. And, removing the metal deposition layer deposited on the photoresist layer (Fig. 14-(c)), separating the metal stamp (Fig. 14-(d)), separating the film on which the intaglio pattern is formed (Fig. 14-(e)) and filling the intaglio pattern with an electrode material (FIG. 14-(f)).

도 14-(a)는 메시패턴 금속시편 상부에 감광제를 도포하는 단계를 도시하였다. 도 14-(a)를 참조하면, 음각 메시패턴이 형성된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 감광제를 도포함을 알 수 있다. 이때 도포되는 감광제는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 방식으로 도포될 수 있으며, 이는 도 8을 참조하여 설명한 바와 상동하다.14-(a) shows a step of applying a photosensitive agent on the top of the mesh patterned metal specimen. Referring to FIG. 14-(a), it can be seen that a photoresist is applied on the first mesh pattern metal specimen 300 on which the intaglio mesh pattern is formed. At this time, the applied photosensitive agent may be applied by spin coating or spray coating, which is the same as described with reference to FIG. 8.

도 14-(b)는 감광제를 부분 제거해 패터닝하는 단계를 도시하였다. 도 14-(b)를 참조하면, 감광제가 도포된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 크롬마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상하여 센서전극이 형성되는 센서전극영역(S₁) 및 배선전극이 형성되는 배선전극영역(W₁)의 감광제를 제외한 나머지 영역의 감광제를 부분 제거해 패터닝함을 알 수 있다.14-(b) shows a step of patterning by partially removing the photosensitizer. 14-(b), a chromium mask is placed on the first mesh pattern metal specimen 300 coated with a photosensitive agent, and then exposed and developed to form a sensor electrode region (S ₁ ) and wiring. It can be seen that patterning is performed by partially removing the photosensitive agent in the remaining area except for the photosensitive agent in the wiring electrode area W _{1 in which the electrode is formed.}

도 14-(c)는 금속 증착 후 감광제층과, 감광제층 상부에 증착된 금속증착층을 제거하는 단계를 도시하였다. 도 14-(c)를 참조하면, 감광제가 패터닝된 영역을 포함한 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 금속을 증착한 후, 이를 감광제 제거액에 투입하여 감광제가 부분 제거된 영역에 증착된 금속증착물(302a)을 제외한 감광제로 이루어진 감광제층(301)과, 감광제층(301) 상부에 증착된 금속증착층(302)을 제거함을 알 수 있다.14-(c) shows a step of removing the photoresist layer and the metal deposition layer deposited on the photoresist layer after metal deposition. Referring to FIG. 14-(c), after depositing a metal on the first mesh patterned metal specimen 300 including a patterned area of the photosensitive agent, the metal deposited on the area where the photosensitive agent has been partially removed by injecting it into a photosensitive agent removal solution. It can be seen that the photoresist layer 301 made of a photoresist excluding the deposition material 302a and the metal deposition layer 302 deposited on the photoresist layer 301 are removed.

도 14-(d)는 금속스탬프를 분리하는 단계를 도시하였다. 도 14-(d)를 참조하면, 감광제층(301) 및 금속증착층(302)이 제거된 제1메시패턴 금속시편(300) 상부에 4차 도금층을 형성한 후, 감광제층(301) 및 금속증착층(302)이 제거된 제1메시패턴 금속시편(300)으로부터 양각패턴이 형성된 금속스탬프(400)를 분리함을 알 수 있다.14-(d) shows the step of separating the metal stamp. 14-(d), after forming a fourth plating layer on the first mesh pattern metal specimen 300 from which the photoresist layer 301 and the metal deposition layer 302 are removed, the photoresist layer 301 and It can be seen that the metal stamp 400 on which the embossed pattern is formed is separated from the first mesh pattern metal specimen 300 from which the metal deposition layer 302 has been removed.

도 14-(e)는 음각패턴이 형성된 필름을 분리하는 단계를 도시하였다. 도 14-(e)를 참조하면, 양각패턴이 형성된 금속스탬프(400) 상부에 액상 고분자(410a) 및 필름(410b)을 차례로 덮은 후, 금속스탬프(400)로부터 음각패턴(412)이 형성된 필름(410)을 분리하여 얻음을 알 수 있다.14-(e) shows a step of separating a film having an intaglio pattern formed thereon. 14-(e), the liquid polymer 410a and the film 410b are sequentially covered on the metal stamp 400 on which the embossed pattern is formed, and then the intaglio pattern 412 is formed from the metal stamp 400. It can be seen that it is obtained by separating (410).

도 14-(f)는 음각패턴에 전극물질을 충진하는 단계를 도시하였다. 도 14-(f)를 참조하면, Ⅰ의 경우와 마찬가지로 음각패턴(412)에 전극물질을 충진하여 전극물질이 충진된 필름(420)을 형성함으로써, 센서전극과 배선전극의 구현이 가능하며, 이는 도 12를 참조하여 설명한 바와 상동하다.14-(f) shows a step of filling the intaglio pattern with an electrode material. Referring to FIG. 14-(f), as in the case of I, by filling the intaglio pattern 412 with an electrode material to form a film 420 filled with the electrode material, the sensor electrode and the wiring electrode can be implemented. This is the same as described with reference to FIG. 12.

도 15는 종래의 터치 모듈 개념도이다. 도 15를 참조하면, 종래의 터치 모듈 개념을 도시하였음을 알 수 있다. 즉, 종래의 터치 모듈은 투명전극필름, 유연 PCB(Flexible PCB 또는 FPCB), 유연 PCB 커넥터(FPCB용 커넥터)로 구성되는데, 투명전극필름의 배선전극과 유연 PCB 단자와의 접착 공정 시, 양쪽 배선의 정렬 불량에 따른 수율이 저하될 뿐만 아니라, 배선전극과 유연 PCB 접촉 부분에서의 전기적인 불량이 발생할 가능성이 있었다.15 is a conceptual diagram of a conventional touch module. Referring to FIG. 15, it can be seen that a conventional concept of a touch module is illustrated. That is, the conventional touch module consists of a transparent electrode film, a flexible PCB (Flexible PCB or FPCB), and a flexible PCB connector (connector for FPCB). Not only the yield is lowered due to misalignment of the wires, but there is also a possibility that electrical defects may occur in the contact part of the wiring electrode and the flexible PCB.

도 16은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 FPCB 일체형 모듈 개념도이다. 도 16-(a)는 Ag 페이스트가 충진된 투명전극필름의 평면을 도시하였으며, 도 16-(b)는 플러그 타입의 FPCB 형성을 위하여 투명전극필름이 커팅(cutting)됨을 도시하였다.16 is a conceptual diagram of an integrated FPCB module according to a preferred embodiment of the present invention. 16-(a) shows a plan view of a transparent electrode film filled with Ag paste, and FIG. 16-(b) shows that the transparent electrode film is cut to form a plug-type FPCB.

도 16을 참조하면, 도 15의 문제점에 착안하여 투명전극이 블록배선전극과 전기적으로 연결되는 유연 PCB가 일체로 형성된 것임을 알 수 있다. 즉, 원래는 별도의 유연 PCB가 있는데 정열이 안맞아서 끊기는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 센서전극(S_1a)과, 배선전극(W_1a)이 1개 이상 전기적으로 결합된 블록배선전극(W_1A)이 한번에 다 나오므로, 상기의 문제점이 발생하지 않는다.Referring to FIG. 16, it can be seen that a flexible PCB in which the transparent electrode is electrically connected to the block wiring electrode is integrally formed in view of the problem of FIG. 15. That is, there was a problem that it was cut off due to misalignment although there was originally a separate flexible PCB, but in the present invention, a block wiring electrode (W _1A ) in _{which at least one sensor electrode (S 1a} ) and one wiring electrode (W _{1a) are electrically coupled.} Since it comes out all at once, the above problem does not occur.

도 16을 참조하여 다시 말하자면, 이는 투명전극필름에 유연 PCB까지 일체형으로 구현하여 FPCB용 커넥터에 집적 부착된 개선 터치 모듈의 구성으로, 유연 PCB를 투명전극필름 제조 공정에서 일체형으로 제조하여 공정 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 배선전극과 유연 PCB가 접촉되는 부분에서의 불량을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.In other words, referring to FIG. 16, this is a configuration of an improved touch module integrated into a connector for FPCB by implementing a flexible PCB on a transparent electrode film integrally, and manufacturing a flexible PCB integrally in the transparent electrode film manufacturing process to reduce process cost. In addition to being able to reduce, there is an advantage of reducing defects in a portion where the wiring electrode and the flexible PCB are in contact.

상술한 바에 따라, 본 발명으로부터 기대되는 효과는 다음과 같다.As described above, the effects expected from the present invention are as follows.

첫째, 투명한 고분자 재질(PDMS 또는 PU)의 위상전이마스크를 이용하여 센서전극(S_1a)과 배선전극(W_1a) 모두 2㎛ 이하의 패턴 구현이 가능하다.First, it is possible to implement a pattern of 2 μm or less for both _{the sensor electrode S 1a} and the wiring electrode W _1a by using a phase shift mask made of a transparent polymer material (PDMS or PU).

둘째, 니켈 재질의 금속시편 상부에 구현된 메시패턴 영역을 감광제로 덮은 후, 크롬마스크를 이용한 노광 공정으로 배선전극의 외곽 형태에 감광제를 제거하여 해당 부분에 전극패턴을 형성함으로써, 패턴 설계가 용이할 뿐만 아니라 센서전극(S_1a)과 배선전극(W_1a)의 정렬 작업이 용이할 수 있다.Second, after covering the mesh pattern area implemented on the top of the nickel metal specimen with a photosensitive agent, the pattern design is facilitated by removing the photosensitive agent from the outer shape of the wiring electrode by an exposure process using a chrome mask to form an electrode pattern on the corresponding part. In addition, alignment of the sensor electrode S _1a and the wiring electrode W _{1a may be facilitated.}

셋째, 센서전극(S_1a)과 배선전극(W_1a)은 동일한 선폭으로 형성되므로, 전극물질(예를 들어, Ag 페이스트) 충진 특성이 매우 양호할 수 있다.Third, since the sensor electrode S _1a and the wiring electrode W _1a are formed with the same line width, the electrode material (eg, Ag paste) filling characteristics may be very good.

넷째, 센서전극(S_1a)은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 센서전극(S_1a)과 센서전극(S_1a) 사이의 피치는 선폭의 100배 이상을 지님으로써, 광투과율 특성이 향상시킬 수 있다.Fourth, the sensor electrode (S _1a ) has a line width of 2 μm or less _{, and the pitch between the sensor electrode (S 1a} ) and the sensor electrode (S _1a ) is 100 times or more of the line width, thereby improving the light transmittance characteristics. I can.

다섯째, 배선전극(W_1a)은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 배선전극(W_1a)과 배선전극(W_1a) 사이의 피치는 선폭의 40배 이하를 지님으로써, 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.Fifth, the wiring electrode (W _1a ) has a line width of 2 μm or less _{, and the pitch between the wiring electrode (W 1a} ) and the wiring electrode (W _1a ) is 40 times or less of the line width, thereby improving electrical characteristics. I can.

그리고 블록배선전극(W_1A)은 1개 이상의 배선전극(W_1a)이 전기적으로 결합되어 블록을 이루는 배선전극으로써, 블록배선전극(W_1A) 내의 배선전극(W_1a)은 2㎛ 이하의 선폭을 지니며, 배선전극(W_1a)과 배선전극(W_1a) 사이의 피치는 선폭의 40배 이하를 지님으로써, 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.And block wiring electrode (W _1A) is as a wiring electrode constituting the block are coupled with the at least one wire electrode (W _1a) electrically, the wiring electrode (W _1a) in the block wire electrode (W _1A) is less than the line width of 2㎛ And _{the pitch between the wiring electrode W 1a} and the wiring electrode W _1a is 40 times or less of the line width, thereby improving electrical characteristics.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라, 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것도 아니다. 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical thoughts within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 크롬마스크 100a: 크롬패턴
110: 기판 110a: 감광제패턴
120: 위상전이마스크 122: 제1위상전이마스크
124: 제2위상전이마스크 200: 기판
200a: 제1양각 감광패턴 210: 제1일방향패턴 금속시편
220: 제2일방향패턴 금속시편 220a: 제2양각 감광패턴
300: 제1메시패턴 금속시편 301: 감광제층
302: 금속증착층 302a: 금속증착물
310: 제2메시패턴 금속시편 400: 금속스탬프
410: 음각패턴이 형성된 필름 410a: 액상 고분자
410b: 필름 412: 음각패턴
420: 전극물질이 충진된 필름 A: 제1패턴영역
B: 제2패턴영역 S: 센서패턴영역
S₁: 센서전극영역 S_1a: 센서전극
S₂: 센서비전극영역 W: 배선패턴영역
W₁: 배선전극영역 W_1A: 블록배선전극
W_1a: 배선전극 W₂: 배선비전극영역100: chrome mask 100a: chrome pattern
110: substrate 110a: photoresist pattern
120: phase shift mask 122: first phase shift mask
124: second phase shift mask 200: substrate
200a: first embossed photosensitive pattern 210: first one-way pattern metal specimen
220: second one-way pattern metal specimen 220a: second embossed photosensitive pattern
300: first mesh pattern metal specimen 301: photosensitive agent layer
302: metal deposition layer 302a: metal deposition
310: second mesh pattern metal specimen 400: metal stamp
410: film with intaglio pattern formed 410a: liquid polymer
410b: film 412: intaglio pattern
420: film filled with electrode material A: first pattern area
B: second pattern area S: sensor pattern area
S ₁ : Sensor electrode area S _1a : Sensor electrode
S ₂ : sensor non-electrode area W: wiring pattern area
W ₁ : wiring electrode area W _1A : block wiring electrode
W _1a : Wiring electrode W ₂ : Wiring non-electrode area

Claims

A phase shift mask preparation step of preparing a first phase shift mask and a second phase shift mask in which a pattern is implemented in a direction orthogonal to the first phase shift mask;
A one-way pattern forming step of forming a one-way pattern metal specimen in which the pattern is formed in one direction by applying a photosensitive agent on an upper portion of the substrate, and then exposing and plating the first phase transfer mask;
After applying a photoresist on the top of the one-way patterned metal specimen, after placing the second phase transfer mask, exposure and plating are performed to form a mesh patterned metal specimen, but a sensor pattern having a relatively wide pitch sensor pattern A mesh pattern forming step comprising a region and a wiring pattern region having a wiring pattern having a relatively narrow pitch; And
An electrode forming step of forming a block wiring electrode in which at least one wiring electrode activated as an electrode in the wiring pattern region is electrically coupled, and a sensor electrode activated as an electrode in the sensor pattern region, using the mesh pattern metal specimen A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, comprising: a.

The method of claim 1,
The phase shift mask,
Preparing a chrome mask having a chrome pattern formed of a first pattern area having a relatively wide line width and a second pattern area having a relatively narrow line width;
Forming a photoresist pattern by applying a photoresist on an upper portion of the substrate, placing the chromium mask, and then exposing and developing the chromium mask; And
After pouring a polymer material onto the substrate on which the photoresist pattern is formed, performing heat curing, and separating the phase shift mask from the substrate on which the photoresist pattern is formed; Way.

The method of claim 2,
The pattern height of the phase shift mask is,
Method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that in the range of 1 to 10㎛.

The method of claim 1,
The phase shift mask has a first pattern area having a relatively wide line width and a second pattern area having a relatively narrow line width,
The first pattern area of the phase shift mask corresponds to the sensor pattern area,
The method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, wherein the second pattern region of the phase shift mask corresponds to the wiring pattern region.

The method of claim 1,
The step of forming the one-way pattern,
Applying a photoresist on the substrate;
Forming a first embossed photosensitive pattern in one direction by irradiating ultraviolet rays after placing a first phase shift mask on the substrate on which the photoresist is applied;
Forming a first plating layer on the substrate on which the first embossed photosensitive pattern is formed, and then separating the first one-way pattern metal specimen on which the engraved pattern is formed from the substrate on which the first embossed photosensitive pattern is formed; And
And after forming a second plating layer on the first one-way pattern metal specimen on which the intaglio pattern is formed, and separating the second one-way pattern metal specimen on which the embossed pattern is formed from the first one-way pattern metal specimen. Method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode.

The method of claim 1,
The step of forming the mesh pattern,
Applying a photoresist to an upper portion of the one-way patterned metal specimen in which the pattern is formed in one direction;
Forming a second embossed photosensitive pattern on the one-way patterned metal specimen by placing the second phase transfer mask on the one-way patterned metal specimen coated with the photosensitive agent, and then irradiating ultraviolet rays; And
After forming a third plating layer on the metal specimen on which the second embossed photosensitive pattern is formed, separating the first mesh pattern metal specimen on which the engraved mesh pattern is formed from the metal specimen on which the second embossed photosensitive pattern is formed; Method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that.

The method of claim 6,
Forming a third-first plating layer on the first mesh pattern metal specimen on which the intaglio mesh pattern is formed, and then separating the second mesh pattern metal specimen on which the relief mesh pattern is formed from the first mesh pattern metal specimen; Method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that it further comprises.

The method of claim 1,
The electrode forming step,
Applying a photoresist to the top of the mesh patterned metal specimen;
Placing a chromium mask on the mesh pattern metal specimen coated with the photosensitive agent, and then exposing and developing to remove and pattern the photosensitive agent in the sensor electrode region where the sensor electrode is formed and the wiring electrode region where the wiring electrode is formed;
Forming a fourth plating layer on the mesh patterned metal specimen patterned with the photoresist, and then separating the metal stamp on which the embossed pattern was formed from the mesh patterned metal specimen patterned with the photosensitizer; And
After sequentially covering the liquid polymer and the film on the metal stamp on which the relief pattern is formed, separating the film on which the intaglio pattern is formed from the metal stamp on which the relief pattern is formed; Manufacturing method.

The method of claim 8,
Between the process of patterning by partially removing the photosensitive agent and the process of forming a quaternary plating layer on the mesh pattern metal specimen patterned with the photosensitive agent,
Reflowing the surface of the photoresist in the remaining area except for the partially removed photoresist at 100 to 160° C. for 30 seconds to 3 minutes; of a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that it further comprises Manufacturing method.

The method of claim 1,
The electrode forming step,
Applying a photoresist to the top of the mesh patterned metal specimen;
After placing the chromium mask on the mesh pattern metal specimen coated with the photosensitive agent, exposure and development are performed to remove the photosensitive agent in the remaining areas except for the photosensitive agent in the sensor electrode area where the sensor electrode is formed and the wiring electrode area where the wiring electrode is formed. Partially removing and patterning;
After depositing a metal on the mesh patterned metal specimen including the area where the photoresist is patterned, it is added to a photoresist removing solution to form a photosensitive material layer made of a photosensitive material excluding the metal deposit deposited on the area where the photosensitive agent is partially removed, and an upper part of the photosensitive material layer. Removing the metal deposition layer deposited on the layer;
After forming a fourth plating layer on the top of the photoresist layer and the mesh pattern metal specimen from which the metal deposition layer has been removed, separating the metal stamp on which the embossed pattern is formed from the mesh pattern metal specimen from which the photoresist layer and the metal deposition layer have been removed. step; And
After sequentially covering the liquid polymer and the film on the metal stamp on which the relief pattern is formed, separating the film on which the intaglio pattern is formed from the metal stamp on which the relief pattern is formed; Manufacturing method.

The method according to claim 8 or 10,
In the step of applying a photoresist on the top of the mesh patterned metal specimen,
The photosensitizer is applied by spin coating or spray coating,
In the spin coating, the thickness of the applied photosensitive agent is adjusted according to the viscosity of the photosensitive agent and the rotation speed of the spin coating,
The spray coating is a method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that the thickness of the photosensitive agent to be applied is adjusted according to the viscosity of the photosensitive agent and the spray amount of the photosensitive agent.

The method according to claim 8 or 10,
After the step of separating the film on which the intaglio pattern is formed,
Filling the intaglio pattern with an electrode material; the method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that it further comprises.

The method of claim 1,
The plating is,
A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that it is nickel plated or nickel alloy plated.

The method of claim 1,
The sensor electrode and the wiring electrode,
Method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that formed in the same line width.

The method of claim 1,
The sensor electrode has a line width of 2 μm or less,
A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that the pitch between the sensor electrode and the sensor electrode is 100 times or more of the line width, thereby improving light transmittance characteristics.

The method of claim 1,
The wiring electrode has a line width of 2 μm or less,
A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, wherein a pitch between the wiring electrode and the wiring electrode is 40 times or less of the line width.

The method of claim 1,
The block wiring electrode is a wiring electrode in which one or more wiring electrodes are electrically coupled to form a block,
The wiring electrode in the block wiring electrode has a line width of 2 μm or less,
A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, wherein a pitch between the wiring electrode and the wiring electrode is 40 times or less of the line width.

The method of claim 1,
The transparent electrode,
A method of manufacturing a transparent electrode having a wiring electrode, characterized in that a flexible PCB electrically connected to the block wiring electrode is integrally formed.