JP2001350269A - Method for producing mask for solder printing - Google Patents

Method for producing mask for solder printing

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JP2001350269A
JP2001350269A JP2000167288A JP2000167288A JP2001350269A JP 2001350269 A JP2001350269 A JP 2001350269A JP 2000167288 A JP2000167288 A JP 2000167288A JP 2000167288 A JP2000167288 A JP 2000167288A JP 2001350269 A JP2001350269 A JP 2001350269A
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JP
Japan
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metal layer
photoresist
opening
mask
resin film
Prior art date
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Application number
JP2000167288A
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Japanese (ja)
Inventor
Kyoji Koda
京司 国府田
Takayuki Miki
貴之 三木
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SHINOZAKI SEISAKUSHO KK
Original Assignee
SHINOZAKI SEISAKUSHO KK
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Publication date
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  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a mask for solder printing which ensures good releasability of solder and can accurately transfer creamy solder even to the top of an ultrafine circuit pattern having several μm line width. SOLUTION: The method for producing the mask has a step for forming an electrically conductive film 22 on the surface of a resin film 14, a step for coating the surface of the film 22 with a photoresist 24, a step for exposing the photoresist 24 by irradiation with light through a photomaak with a prescribed mask pattern, a step for removing the photoresist 24b except parts 24a cured by the exposure to form a resist 26, a step for forming a nickel layer 28 by electroforming on the surface of the electrically conductive film 22, a step for removing the resist 26 to form openings 30 in the nickel layer 28 and a step for irradiating the surface of the nickel layer 28 with laser light to form openings 32 which communicate with the openings 30 in the nickel layer 28 in the resin film 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【001】[0101]

【発明の属する技術分野】この発明は半田印刷用マスク
に係り、特に、シリコンウェハの表面に形成された微細
な回路パターン上にクリーム半田を直接転写するのに好
適な高精細半田印刷用マスクの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder printing mask, and more particularly to a high-definition solder printing mask suitable for directly transferring cream solder onto a fine circuit pattern formed on the surface of a silicon wafer. It relates to a manufacturing method.

【002】[0092]

【従来の技術】回路パターンが形成された基板上にクリ
ーム半田を転写する際には、必要個所に開口部が形成さ
れた半田印刷用マスクを基板表面に密着させ、この半田
印刷用マスクの表面にクリーム半田をスキージでローリ
ングさせて上記開口部内に押し入れた後、基板から半田
印刷用マスクを引き離す工程が実施される。このため、
クリーム半田の転写精度は、マスクに形成された開口部
の精度と、マスクを引き離す際の半田の抜け性に大きく
依存することとなる。
2. Description of the Related Art When transferring cream solder onto a substrate on which a circuit pattern has been formed, a solder printing mask having openings formed at necessary locations is brought into close contact with the substrate surface, and the surface of the solder printing mask is exposed. After the cream solder is rolled with a squeegee and pushed into the opening, a step of separating the solder printing mask from the substrate is performed. For this reason,
The transfer accuracy of the cream solder largely depends on the accuracy of the opening formed in the mask and the removability of the solder when the mask is separated.

【003】現在、この半田印刷用マスクの材質や製造方
法として様々なものが実用化されている。例えば、特開
平7−81027(以下「第1の従来技術」)においては、
ポリイミド等のプラスチック板をマスク材として用い、
このプラスチック板にエキシマレーザを照射して開口部
を形成する技術が開示されている。また、特開平11−10
5233(以下「第2の従来技術」)においては、予めレー
ザ照射によって貫通孔を形成しておいた金属板と、プラ
スチック板とを積層させた後、金属板の貫通孔からレー
ザを照射してプラスチック板側に金属板の貫通孔と連通
する貫通孔を形成する技術が開示されている。
At present, various materials and manufacturing methods of the mask for solder printing are in practical use. For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 7-81027 (hereinafter referred to as "first prior art"),
Using a plastic plate such as polyimide as a mask material,
A technique of irradiating an excimer laser to this plastic plate to form an opening is disclosed. Also, JP-A-11-10
In 5233 (hereinafter referred to as "the second prior art"), after laminating a metal plate having a through hole formed in advance by laser irradiation and a plastic plate, a laser is irradiated from the through hole of the metal plate. There is disclosed a technique of forming a through hole communicating with a through hole of a metal plate on a plastic plate side.

【004】[0093]

【発明が解決しようとする課題】上記第1の従来技術に
あっては、エキシマレーザとポリイミドとの相性が良好
で開口部の内壁面を滑らかに形成できるため半田の抜け
性に優れる点や、基板表面との高い密着性を実現できる
点で一定の評価を与えることができるが、プラスチック
板の特性として、開口部の形状(位置)が温度や外力の
影響でズレ易い点や、耐摩耗性に欠ける点で問題があ
る。これに対し、上記第2の従来例の場合、プラスチッ
ク板を金属板で補強する構造となるため、基板表面との
密着性が高いというプラスチック板の利点を維持しつ
つ、開口部形状の安定化や耐摩耗性の向上を実現してい
る。
In the first prior art, the compatibility between the excimer laser and the polyimide is good, and the inner wall surface of the opening can be formed smoothly. Although a certain evaluation can be given in that it can achieve high adhesion to the substrate surface, the characteristics of the plastic plate are that the shape (position) of the opening easily shifts due to the influence of temperature and external force, and that it has abrasion resistance. There is a problem in lacking. On the other hand, in the case of the second conventional example, the structure is such that the plastic plate is reinforced by the metal plate, so that the advantage of the plastic plate that the adhesion to the substrate surface is high is maintained, and the shape of the opening is stabilized. And improved wear resistance.

【005】しかしながら、この第2の従来例の場合に
は、レーザで金属板に穴を開ける際にどうしても開口部
の内壁面に微細な凹凸が残り、半田の抜け性に悪影響を
及ぼすという問題がある。もちろん、レーザによる穴開
け後にサンドブラスト処理等の研磨工程を設けることに
より、凹凸をある程度改善することはできるが、その分
余計な手間がかかることは否めない。また、上記従来例
にあっては、何れもレーザ加工の精度がそのまま半田印
刷用マスクの開口部の精度を左右するものであり、プリ
ント基板上にチップ型素子を半田付けする程度の用途に
は十分応えられるが、レーザによる穴開け加工の精度が
如何に向上してきたといはいっても、シリコンウェハの
表面に形成された回路パターン上に直接半田を転写する
場合のように、極めて微細なパターンに沿ってクリーム
半田を配置させるといった用途には対応できないという
限界があった。
However, in the case of the second conventional example, when a hole is formed in a metal plate with a laser, fine irregularities are inevitably left on the inner wall surface of the opening, which adversely affects the removability of solder. is there. Of course, by providing a polishing process such as a sandblasting process after drilling with a laser, irregularities can be improved to some extent, but it is undeniable that extra work is required. In addition, in the above conventional examples, the accuracy of laser processing directly affects the accuracy of the opening of the mask for solder printing in any case, and is used only for soldering a chip-type element on a printed circuit board. Although it can respond satisfactorily, even though the accuracy of laser drilling has been improved, it can be applied along extremely fine patterns, such as when solder is directly transferred onto a circuit pattern formed on the surface of a silicon wafer. However, there is a limit that it cannot be used for the purpose of placing cream solder.

【006】この発明は、従来例が抱える上記限界に鑑み
て案出されたものであり、開口部内壁面の滑面性が高い
ために半田の抜け性が極めて良好な上に、線幅が数μm
オーダーの超微細回路パターン上にも正確にクリーム半
田を転写可能な半田印刷用マスクの製造方法を確立する
ことを目的としている。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned limitations of the prior art. The high smoothness of the inner wall surface of the opening results in extremely good solder removability, and the line width is small. μm
It is an object of the present invention to establish a method of manufacturing a solder printing mask capable of accurately transferring cream solder onto an ultra-fine circuit pattern of an order.

【007】007

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明に係る半田印刷用マスクの製造方法は、樹
脂フィルムの表面に導電膜を形成する工程と、上記導電
膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、上記フォ
トレジストに、所定のマスクパターンが形成されたフォ
トマスクを透過させた光を照射して露光処理を施す工程
と、上記工程で露光された部分以外のフォトレジストを
除去して、レジストを形成する工程と、上記導電膜の表
面に電鋳法によって金属層を形成する工程と、上記フォ
トレジスト中の不要な部分を除去してレジストを形成す
る工程と、上記金属層の表面にレーザを照射し、樹脂フ
ィルムに金属層の開口部と連通する開口部を形成する工
程を備えている。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a mask for solder printing according to the present invention comprises a step of forming a conductive film on the surface of a resin film, and a method of forming a photoconductive film on the surface of the conductive film. A step of applying a resist, a step of irradiating the photoresist with light that has passed through a photomask having a predetermined mask pattern formed thereon, and performing an exposure process, and a step of exposing the photoresist other than the portion exposed in the above step. Removing and forming a resist; forming a metal layer on the surface of the conductive film by electroforming; removing unnecessary portions in the photoresist to form a resist; Irradiating a laser to the surface of the layer to form an opening communicating with the opening of the metal layer in the resin film.

【008】また、この発明に係る他の製造方法は、導電
性を備えた基板の表面にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストに、所定のマスクパターンが形
成されたフォトマスクを透過させた光を照射して露光処
理を施す工程と、上記フォトレジスト中の不要な部分を
除去してレジストを形成する工程と、上記導電性基板の
表面に電鋳法によって金属層を形成する工程と、上記レ
ジストを除去して金属層に開口部を形成する工程と、上
記金属層を導電性基板より剥離する工程と、上記金属層
を樹脂フィルムに接合させる工程と、上記金属層の表面
にレーザを照射し、樹脂フィルムに金属層の開口部と連
通する開口部を形成する工程を備えている。
Another manufacturing method according to the present invention includes a step of applying a photoresist to a surface of a substrate having conductivity, and a step of transmitting a photoresist having a predetermined mask pattern through the photoresist. Irradiating the substrate with light, exposing the photoresist, removing unnecessary portions in the photoresist to form a resist, and forming a metal layer on the surface of the conductive substrate by electroforming. Removing the resist to form an opening in the metal layer; removing the metal layer from the conductive substrate; bonding the metal layer to a resin film; and applying a laser to the surface of the metal layer. And forming an opening communicating with the opening of the metal layer in the resin film.

【009】上記樹脂フィルムは、好ましくはポリイミド
より構成され、上記金属層は、ニッケルによって構成さ
れることとが望ましい。また、上記レーザとしては、エ
キシマレーザまたはUV-YAGレーザが好適である。このUV
-YAGレーザの、特に第3高調波(波長355nm)あるいは
第4高調波(波長266nm)が適している。
The resin film is preferably made of polyimide, and the metal layer is preferably made of nickel. Further, as the laser, an excimer laser or a UV-YAG laser is preferable. This UV
The third harmonic (wavelength 355 nm) or the fourth harmonic (wavelength 266 nm) of the -YAG laser is particularly suitable.

【0010】上記の製造方法によって得られる半田印刷
用マスクにあっては、その樹脂フィルム側を下に向ける
ことにより、被転写面との間で高い密着性を確保するこ
とができる。また、樹脂フィルムの表面には金属層が配
置されているため、高い耐摩耗性及び開口部の形状安定
性を実現できる。金属層の開口部は、写真製版技術を用
いた電鋳法(フォトエレクトロフォーミング)によって
形成されるため極めて高い位置精度及び形状・寸法精度
を備えている。また、この金属層の表面にレーザを照射
する際には金属層がマスクとして機能するため、樹脂フ
ィルム側にも極めて高い精度を備えた開口部が形成され
ることとなる。しかも、レーザ照射によって金属層に開
口部を形成する場合に比べ、金属層の開口部内壁面は凹
凸の極めて少ない滑面状態に仕上がっており、そのまま
で十分高い半田抜け性を実現できる。もともと樹脂フィ
ルムとレーザ加工の組合せは相性が良く、特にポリイミ
ドフィルムに対してエキシマレーザを用いた場合には加
工面が滑らかに仕上がるため、樹脂フィルムの開口部も
高いレベルの抜け性を確保できる。
[0010] In the mask for solder printing obtained by the above-described manufacturing method, high adhesiveness with the transfer surface can be ensured by turning the resin film side downward. Further, since the metal layer is arranged on the surface of the resin film, high wear resistance and shape stability of the opening can be realized. Since the opening of the metal layer is formed by an electroforming method (photoelectroforming) using a photoengraving technique, it has extremely high positional accuracy and shape / dimensional accuracy. When the surface of the metal layer is irradiated with a laser, the metal layer functions as a mask, so that an opening with extremely high precision is also formed on the resin film side. In addition, compared to the case where the opening is formed in the metal layer by laser irradiation, the inner wall surface of the opening of the metal layer is finished in a smooth surface state with extremely few irregularities, and a sufficiently high solder removal property can be realized as it is. Originally, the combination of the resin film and the laser processing has good compatibility. In particular, when an excimer laser is used for a polyimide film, the processed surface is finished smoothly, so that the opening of the resin film can secure a high level of removability.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る製造方法
によって得られた半田印刷用マスク10を示す平面図であ
り、アルミ製のフレーム12と、このフレーム12の内面に
張り渡された樹脂フィルム14と、この樹脂フィルム14の
中央付近に形成されたマスク部16とを備えている。上記
マスク部16には、多数の微細な開口部18が所定のパター
ンに沿って形成されている。
FIG. 1 is a plan view showing a solder printing mask 10 obtained by a manufacturing method according to the present invention. The solder printing mask 10 is stretched over an aluminum frame 12 and an inner surface of the frame 12. A resin film 14 and a mask portion 16 formed near the center of the resin film 14 are provided. In the mask section 16, a large number of fine openings 18 are formed along a predetermined pattern.

【0012】図2〜図8に従い、上記マスク部16の製造
方法について説明する。まず、ポリイミドよりなる厚さ
20μmの樹脂フィルム14の表面に、ニッケルや銅、黒鉛
等の導電性物質を蒸着あるいは溶射によって被着させて
導電膜22を形成した後、この導電膜22の表面にフォトレ
ジスト24を均一に塗布する(図2)。このフォトレジス
ト24の厚さは27μmに設定される。
A method of manufacturing the mask section 16 will be described with reference to FIGS. First, the thickness made of polyimide
After a conductive material such as nickel, copper, or graphite is deposited or sprayed on the surface of the resin film 14 having a thickness of 20 μm to form a conductive film 22, a photoresist 24 is uniformly applied to the surface of the conductive film 22. (FIG. 2). The thickness of this photoresist 24 is set to 27 μm.

【0013】つぎに、紫外線をフォトレジスト24の表面
に所定のパターンに沿って照射し、部分的に露光させる
(図3)。この露光処理に際しては、縮小投影露光法が
用いられる。すなわち、石英ガラス等よりなる透光板の
表面にクロム等の遮光材によってマスクパターンが描か
れたレチクル(マスク)を用い(図示省略)、光源から
発せられた紫外線をこのレチクルを透過させた後に、投
影レンズを用いて5分の1程度に縮小させてフォトレジ
スト24の表面に導く。このため、フォトレジスト24の表
面には、レチクルに描かれたマスクパターンの5倍の細
密度を備えた露光パターン(露光部分24aと未露光部分
24bとの区分)が形成されることとなる。
Next, the surface of the photoresist 24 is irradiated with ultraviolet rays in a predetermined pattern to partially expose the photoresist 24 (FIG. 3). In this exposure processing, a reduced projection exposure method is used. That is, a reticle (mask) in which a mask pattern is drawn by a light-shielding material such as chrome on the surface of a light-transmitting plate made of quartz glass or the like (not shown) is used to transmit ultraviolet light emitted from a light source through the reticle. Then, it is reduced to about 1/5 using a projection lens and guided to the surface of the photoresist 24. Therefore, on the surface of the photoresist 24, an exposure pattern (exposed portion 24a and unexposed portion having a density five times as fine as the mask pattern drawn on the reticle) is provided.
24b) is formed.

【0014】つぎに、強アルカリ性の現像液をフォトレ
ジスト24の表面にスプレーし、前工程で露光によって硬
化されていない部分24bを溶出させる。この結果、樹脂
フィルム14の表面には、レジストパターン26が残される
こととなる(図4)。なお、上記のようにフォトレジス
ト24として、紫外線照射によって硬化するいわゆるネガ
型を用いる代わりに、紫外線照射によって軟化するポジ
型を採用し、レジストパターン26として残したい部分以
外に紫外線を照射するように運用することもできる。
Next, a strongly alkaline developer is sprayed on the surface of the photoresist 24 to elute the portions 24b which have not been cured by exposure in the previous step. As a result, the resist pattern 26 is left on the surface of the resin film 14 (FIG. 4). Note that, as described above, instead of using a so-called negative type that is cured by ultraviolet irradiation as the photoresist 24, a positive type that is softened by ultraviolet irradiation is adopted, and ultraviolet light is applied to portions other than the portion that is desired to be left as the resist pattern 26. It can also be used.

【0015】つぎに、この樹脂フィルム14の表面に、電
鋳法によってニッケル層28を形成する(図5)。すなわ
ち、上記樹脂フィルム14を図示しないニッケル板と共に
ニッケルイオンを含む電解液(NiSO4)中に浸漬させ、
樹脂フィルム14の導電膜22を陰極とし、ニッケル板を陽
極として電圧を印加させることにより、導電膜22の表面
でレジストパターン26によって被われていない部分にニ
ッケル原子が析出・電着する。このニッケル層28が必要
な厚さ、すなわち27μmに成長した時点で上記電解液中
から引き上げ、表面に洗浄処理を施す。
Next, a nickel layer 28 is formed on the surface of the resin film 14 by electroforming (FIG. 5). That is, the resin film 14 is immersed in an electrolytic solution (NiSO 4 ) containing nickel ions together with a nickel plate (not shown)
By applying a voltage using the conductive film 22 of the resin film 14 as a cathode and the nickel plate as an anode, nickel atoms are deposited and electrodeposited on a portion of the surface of the conductive film 22 which is not covered by the resist pattern 26. When the nickel layer 28 has grown to a required thickness, that is, 27 μm, the nickel layer 28 is pulled out of the electrolytic solution and the surface is subjected to a cleaning treatment.

【0016】つぎに、特殊な薬品を用いて上記レジスト
パターン26を除去することにより、樹脂フィルム14の表
面には、微細な開口部30を備えたニッケル層28が形成さ
れる(図6)。つぎに、図7に示すように、上記ニッケ
ル層28の上方からエキシマレーザを照射する。ニッケル
層28の表面に入射したレーザ光はそのまま反射される
が、開口部30に入射したレーザ光は樹脂フィルム14材の
表面に到達し、樹脂フィルム14を蒸発させる。この結
果、図8に示すように、樹脂フィルム14には、ニッケル
層28の開口部30と同じ位置精度・形状精度で開口部32が
形成される。このニッケル層28の開口部30と樹脂フィル
ム14の開口部32とが連通することによって、上記マスク
部16の開口部18が形成される。なお、いきなりエキシマ
レーザを照射する代わりに、予めTEA-CO2 レーザを照射
して粗加工を行った後、エキシマレーザを照射して仕上
げを行うことにより、加工時間の短縮を図ることもでき
る。あるいは、UV-YAGレーザの、特に第3高調波(波長
355nm)や第4高調波(波長266nm)を照射して開口部32
を形成することもできる。
Next, by removing the resist pattern 26 using a special chemical, a nickel layer 28 having fine openings 30 is formed on the surface of the resin film 14 (FIG. 6). Next, as shown in FIG. 7, an excimer laser is irradiated from above the nickel layer. The laser light incident on the surface of the nickel layer 28 is reflected as it is, but the laser light incident on the opening 30 reaches the surface of the resin film 14 and evaporates the resin film 14. As a result, as shown in FIG. 8, an opening 32 is formed in the resin film 14 with the same positional accuracy and shape accuracy as the opening 30 of the nickel layer 28. The opening 18 of the mask 16 is formed by the communication between the opening 30 of the nickel layer 28 and the opening 32 of the resin film 14. Note that instead of suddenly irradiating the excimer laser, a rough processing is performed by irradiating a TEA-CO 2 laser in advance, and then finishing is performed by irradiating the excimer laser, thereby shortening the processing time. Alternatively, a UV-YAG laser, especially the third harmonic (wavelength
355 nm) or the fourth harmonic (wavelength 266 nm).
Can also be formed.

【0017】図9は、上記のようにして形成された半田
印刷用マスク10の使用例を示すものであり、微細な回路
パターンや半導体素子が形成されたシリコンウェハ34の
表面に、半田印刷用マスク10の樹脂フィルム14を密着さ
せた状態で、ニッケル層28の表面にクリーム半田36を載
せてスキージ38で一定方向にローリングすることによ
り、上記開口部18内にクリーム半田が充填されていく様
子が描かれている。全ての開口部18内にクリーム半田を
充填させた後、フレーム12を上方に引き上げることによ
り、シリコンウェハ34上にはクリーム半田が転写される
こととなる。図示の便宜上、開口部18の大きさを誇張し
ているが、実際には10μm以下の線幅でクリーム半田が
転写されるため、シリコンウェハ34の表面に形成された
微細な回路パターンの半田付けに用いることができる。
FIG. 9 shows an example of use of the solder printing mask 10 formed as described above. The solder printing mask 10 is formed on the surface of a silicon wafer 34 on which fine circuit patterns and semiconductor elements are formed. A state in which the cream solder 36 is placed on the surface of the nickel layer 28 in a state in which the resin film 14 of the mask 10 is in close contact, and is rolled in a certain direction with a squeegee 38, so that the cream solder is filled in the opening 18. Is drawn. After all the openings 18 are filled with the cream solder, the cream solder is transferred onto the silicon wafer 34 by lifting the frame 12 upward. Although the size of the opening 18 is exaggerated for the sake of illustration, cream solder is actually transferred with a line width of 10 μm or less, so that a fine circuit pattern formed on the surface of the silicon wafer 34 is soldered. Can be used.

【0018】上記にあっては、樹脂フィルム14の表面に
導電膜22を介して直接ニッケル層28を形成する例を示し
たが、図10に示すように、開口部30を備えたニッケル
層28を予め形成しておき、これを樹脂フィルム14の表面
に接着剤40を介して接合させた後に、レーザ照射によっ
て樹脂フィルム14にニッケル層28の開口部30と対応する
開口部を形成することもできる。このニッケル層28の形
成にあたっては、図示は省略するが、導電性基板の表面
にフォトレジストを塗布した後、表面に所定のパターン
に沿って紫外線を照射してフォトレジストを部分的に露
光させ、非露光部分を除去してレジストを形成した後
に、導電性基板の表面に電鋳法によってニッケル層を成
長させ、最後にレジストを除去してニッケル層28に開口
部30を形成すればよい。
In the above description, an example is shown in which the nickel layer 28 is formed directly on the surface of the resin film 14 via the conductive film 22. As shown in FIG. 10, the nickel layer 28 having the opening 30 is formed. It is also possible to form an opening corresponding to the opening 30 of the nickel layer 28 in the resin film 14 by laser irradiation after bonding this to the surface of the resin film 14 via the adhesive 40 in advance. it can. In forming the nickel layer 28, although not shown, after applying a photoresist on the surface of the conductive substrate, the surface is irradiated with ultraviolet rays along a predetermined pattern to partially expose the photoresist, After removing the unexposed portion to form a resist, a nickel layer is grown on the surface of the conductive substrate by electroforming, and finally, the resist is removed to form an opening 30 in the nickel layer 28.

【0019】[0019]

【発明の効果】この発明に係る半田印刷用マスクにあっ
ては、被転写面との密着性が良好な樹脂フィルムを備え
ると共に、スキージによって擦過される側には耐摩耗性
の高い金属層を備えている。また、金属層の開口部は写
真製版技術を用いた電鋳法によって形成されるため、極
めて高精細かつ高精度な開口部に仕上げることができ
る。この金属層の表面にレーザを照射する際には金属層
がマスクとして機能するため、樹脂フィルム側にも金属
層側の開口部と同レベルの精度を備えた開口部が形成さ
れることとなる。この結果、シリコンウェハの表面に形
成された回路パターンに直接半田を転写することが可能
となる。しかも、レーザ照射によって金属層に開口部を
形成する場合に比べ、金属層の開口部内壁面は凹凸の極
めて少ない滑面状態に仕上がっており、樹脂フィルム側
の開口部も樹脂フィルムとレーザ加工との相性の良さに
起因して滑面状に形成されており、そのままで十分高い
半田抜け性を実現できる。
According to the solder printing mask of the present invention, a resin film having good adhesion to the transfer surface is provided, and a metal layer having high wear resistance is provided on the side to be rubbed by the squeegee. Have. Further, since the opening of the metal layer is formed by an electroforming method using a photoengraving technique, it is possible to finish the opening with extremely high definition and high precision. When the surface of the metal layer is irradiated with a laser, the metal layer functions as a mask, so that an opening having the same level of precision as the opening on the metal layer is also formed on the resin film side. . As a result, the solder can be directly transferred to the circuit pattern formed on the surface of the silicon wafer. Moreover, the inner wall surface of the opening of the metal layer is finished to have a smooth surface with very few irregularities, compared to the case where the opening is formed in the metal layer by laser irradiation. Due to the good compatibility, it is formed in a smooth surface shape, and a sufficiently high solder removal property can be realized as it is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に半田印刷用マスクの全体像を示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an overall image of a solder printing mask according to the present invention.

【図2】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図3】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 3 is a sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図4】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図5】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 5 is a sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図6】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 6 is a sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図7】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図8】上記半田印刷用マスクの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 8 is a sectional view showing a manufacturing process of the solder printing mask.

【図9】上記半田印刷用マスクの使用例を示す断面図で
ある。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of use of the solder printing mask.

【図10】上記半田印刷用マスクの他の製造工程を示す
断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing another manufacturing step of the solder printing mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半田印刷用マスク 14 樹脂フィルム 16 マスク部 18 開口部 24 フォトレジスト 26 レジストパターン 28 ニッケル層 30 ニッケル層の開口部 32 樹脂フィルムの開口部 36 クリーム半田 10 Mask for solder printing 14 Resin film 16 Mask part 18 Opening 24 Photoresist 26 Resist pattern 28 Nickel layer 30 Opening of nickel layer 32 Opening of resin film 36 Cream solder

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】樹脂フィルムの表面に導電膜を形成する工
程と、 上記導電膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、 上記フォトレジストに、所定のマスクパターンが形成さ
れたフォトマスクを透過させた光を照射して露光処理を
施す工程と、 上記フォトレジスト中の不要な部分を除去してレジスト
を形成する工程と、 上記導電膜の表面に電鋳法によって金属層を形成する工
程と、 上記レジストを除去して金属層に開口部を形成する工程
と、 上記金属層の表面にレーザを照射し、樹脂フィルムに金
属層の開口部と連通する開口部を形成する工程を備えた
ことを特徴とする半田印刷用マスクの製造方法。
1. A step of forming a conductive film on a surface of a resin film, a step of applying a photoresist on a surface of the conductive film, and a step of transmitting a photomask having a predetermined mask pattern formed on the photoresist. Irradiating the exposed light, exposing the photoresist, removing unnecessary portions in the photoresist to form a resist, forming a metal layer on the surface of the conductive film by electroforming, Removing the resist to form an opening in the metal layer; and irradiating the surface of the metal layer with a laser to form an opening in the resin film that communicates with the opening in the metal layer. A method for manufacturing a solder printing mask, which is a feature of the present invention.
【請求項2】導電性基板の表面にフォトレジストを塗布
する工程と、 上記フォトレジストに、所定のマスクパターンが形成さ
れたフォトマスクを透過させた光を照射して露光処理を
施す工程と、 上記フォトレジスト中の不要な部分を除去してレジスト
を形成する工程と、 上記導電性基板の表面に電鋳法によって金属層を形成す
る工程と、 上記レジストを除去して金属層に開口部を形成する工程
と、 上記金属層を導電性基板より剥離する工程と、 上記金属層を樹脂フィルムに接合させる工程と、 上記金属層の表面にレーザを照射し、樹脂フィルムに金
属層の開口部と連通する開口部を形成する工程を備えた
ことを特徴とする半田印刷用マスクの製造方法。
A step of applying a photoresist on the surface of the conductive substrate; and a step of irradiating the photoresist with light transmitted through a photomask having a predetermined mask pattern formed thereon, and performing an exposure process. Removing unnecessary portions in the photoresist to form a resist, forming a metal layer on the surface of the conductive substrate by electroforming, and removing the resist to form an opening in the metal layer. Forming, removing the metal layer from the conductive substrate, bonding the metal layer to a resin film, irradiating a laser on the surface of the metal layer, and opening the metal layer in the resin film. A method for manufacturing a mask for solder printing, comprising a step of forming a communicating opening.
【請求項3】上記樹脂フィルムがポリイミドより構成さ
れると共に、上記金属層がニッケルより構成され、上記
レーザがエキシマレーザまたはUV-YAGレーザであること
を特徴とする請求項1または2に記載の半田印刷用マス
クの製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the resin film is made of polyimide, the metal layer is made of nickel, and the laser is an excimer laser or a UV-YAG laser. Manufacturing method of mask for solder printing.
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