KR102238719B1

KR102238719B1 - Organic electroluminescence element

Info

Publication number: KR102238719B1
Application number: KR1020180076529A
Authority: KR
Inventors: 타스쿠 사토
Original assignee: 유디씨 아일랜드 리미티드
Priority date: 2010-01-25
Filing date: 2018-07-02
Publication date: 2021-04-13
Also published as: JP2011171279A; TW201212322A; KR20170086450A; TWI562419B; KR20110087214A; KR20180080706A

Abstract

양극과 음극 사이에 적어도 발광층과 전자 수송층을 포함하는 유기층을 갖고 이루어지고, 상기 발광층은 적어도 2개의 발광 재료 도프층과 적어도 1개의 발광 재료 비도프층을 갖고, 상기 전자 수송층이 2종 이상의 환원성 도펀트를 함유하고, 상기 유기층과, 상기 양극 및 상기 음극 중 적어도 어느 한쪽 사이에 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.An organic layer comprising at least a light-emitting layer and an electron transport layer between the anode and the cathode, the light-emitting layer has at least two light-emitting material doped layers and at least one light-emitting material undoped layer, and the electron transport layer is two or more reducing dopants And an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and at least one of the anode and the cathode.

Description

Organic electroluminescent device {ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT}

본 발명은 유기 전계 발광 소자(이하, 「유기 일렉트로루미네선스 소자」, 「유기 EL 소자」등이라고 칭하는 일도 있다)에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter, sometimes referred to as "organic electroluminescent device", "organic EL device", etc.).

유기 전계 발광 소자는 자발광, 고속응답 등의 특징을 가지며, 플랫 패널 디스플레이에의 적용이 기대되고 있으며, 특히, 정공 수송성의 유기 박막(정공 수송층)과 전자 수송성의 유기 박막(전자 수송층)을 적층한 2층형(적층형)의 것이 보고된 이래, 10V 이하의 저전압으로 발광하는 대면적 발광 소자로서 관심을 모으고 있다. 적층형의 유기 EL 소자는 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극을 기본구성으로 하고, 이 중 발광층은 상기 2층형의 경우와 같이 상기 정공 수송층 또는 상기 전자 수송층에 그 기능을 겸용시켜도 좋다.Organic electroluminescent devices have features such as self-luminescence and high-speed response, and are expected to be applied to flat panel displays. In particular, a hole-transporting organic thin film (hole transport layer) and an electron-transporting organic thin film (electron transport layer) are stacked. Since one two-layer type (stacked type) has been reported, it has been attracting attention as a large-area light-emitting device that emits light at a low voltage of 10V or less. The stacked type organic EL device has an anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode as a basic structure, and the light emitting layer may have a function of the hole transport layer or the electron transport layer as in the case of the two-layer type.

이러한 유기 전계 발광 소자에 있어서, 사용시의 온도의 상승에 따라 발광 효율의 저하, 내구성의 악화가 일어나는 것이 알려져 있으며, 이들의 성능을 개선시키기 위해서 여러가지 검토가 이루어지고 있다.In such an organic electroluminescent device, it is known that a decrease in luminous efficiency and a deterioration in durability occur with an increase in temperature during use, and various studies have been made in order to improve their performance.

예를 들면, 일본 특허 공개 2009-37981호 공보에는 발광 재료를 함유하는 2개 이상의 발광 재료 도프층과, 발광 재료를 함유하지 않는 1개 이상의 발광 재료 비도프층으로 이루어지는 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자가 제안되어 있다.For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-37981 discloses an organic electroluminescent device having a light-emitting layer consisting of two or more doped layers of a light-emitting material containing a light-emitting material and one or more undoped layers of a light-emitting material not containing a light-emitting material. Is proposed.

또한, 일본 특허 공개 2009-99783호 공보에는 2종 이상의 환원성 도펀트를 음극과 유기 박막층의 계면영역에 함유시키는 것이 개시되어 있다(단락 〔0195〕참조).In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-99783 discloses that two or more types of reducing dopants are contained in the interface region between the cathode and the organic thin film layer (see paragraph [0195]).

또한, 일본 특허 공개 2009-16693호 공보에는 양극 및 음극 중 적어도 어느 하나에 접해서 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 더 갖는 것이 개시되어 있다(단락 〔0113〕참조).Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-16693 discloses that there is further provided an adhesion-improving layer made of an inorganic compound in contact with at least one of an anode and a cathode (see paragraph [0113]).

그러나, 이들 선행 기술문헌에 기재된 기술을 각각 단독으로 사용한 경우에는 고휘도에서의 발광 효율의 저하 현상을 억제하면서 고휘도에서의 내구성의 악화를 억제할 수는 없어 유기 전계 발광 소자에 있어서의 큰 과제로 되어 있는 고휘도역의 발광 효율의 저하를 방지하고, 고휘도 사용시의 내구성을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 신속한 제공이 요망되고 있는 것이 현상이다.However, when each of the techniques described in these prior art documents is used alone, it is not possible to suppress the deterioration in durability at high luminance while suppressing the decrease in luminous efficiency at high luminance, which becomes a big problem for organic electroluminescent devices. There is a demand for a rapid provision of an organic electroluminescent device capable of preventing a decrease in luminous efficiency in a high luminance range and improving durability when using high luminance.

본 발명은 고휘도역의 발광 효율의 저하를 방지하고, 고휘도 사용시의 내구성을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device capable of preventing a decrease in luminous efficiency in a high luminance region and improving durability when using high luminance.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명자들이 예의 검토를 거듭한 결과, (A) 발광층이 적어도 2개의 발광 재료 도프층과, 적어도 1개의 발광 재료 비도프층을 가짐으로써 발광에 기여하는 계면을 늘릴 수 있고, (B) 전자 수송층에 환원성 도펀트를 2종 이상 도프함으로써 열전도성을 개선할 수 있고, 또한 (C) 유기층과 전극 사이에 무기 화합물로 이루어지는 밀착 개선층을 형성하여 방열성을 개선함으로써 고휘도에서의 온도상승을 억제할 수 있고, 이들의 상승 효과에 의해 고휘도역의 발광 효율의 저하가 억제됨과 아울러 고휘도 사용시의 내구성이 개선된 유기 전계 발광 소자가 얻어지는 것을 지견했다.In order to solve the above problem, the present inventors have repeatedly studied intensively. As a result of (A) the light-emitting layer has at least two light-emitting material-doped layers and at least one light-emitting material undoped layer, thereby increasing the interface contributing to light emission. , (B) Doping two or more types of reducing dopants into the electron transport layer can improve thermal conductivity, and (C) improve heat dissipation by forming an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and the electrode. It has been found that an increase can be suppressed, and an organic electroluminescent device having improved durability when using high luminance can be obtained while suppressing a decrease in luminous efficiency in a high luminance region due to these synergistic effects.

본 발명은 본 발명자들에 의한 상기 지견에 의거하는 것이며, 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서는 이하와 같다. 즉,The present invention is based on the above knowledge by the present inventors, and as a means for solving the above problem, it is as follows. In other words,

<1> 양극과 음극 사이에 적어도 발광층과 전자 수송층을 포함하는 유기층을 갖고 이루어지고, 상기 발광층은 적어도 2개의 발광 재료 도프층과 적어도 1개의 발광 재료 비도프층을 갖고, 상기 전자 수송층이 2종 이상의 환원성 도펀트를 함유하고, 상기 유기층과, 상기 양극 및 상기 음극 중 적어도 어느 한쪽 사이에 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자이다.<1> an organic layer comprising at least a light-emitting layer and an electron transport layer between the anode and the cathode, the light-emitting layer has at least two light-emitting material-doped layers and at least one light-emitting material undoped layer, and the electron-transporting layer is two types An organic electroluminescent device comprising the above reducing dopant and having an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and at least one of the anode and the cathode.

<2> <1>에 있어서, 발광 재료 비도프층의 두께는 발광 재료 도프층의 두께보다 두꺼운 유기 전계 발광 소자이다.<2> The organic electroluminescent device according to <1>, wherein the thickness of the light-emitting material undoped layer is thicker than that of the light-emitting material-doped layer.

<3> <1>에 있어서, 발광 재료 비도프층을 구성하는 호스트 재료와, 발광 재료 도프층을 구성하는 호스트 재료가 동일한 조성을 갖는 유기 전계 발광 소자이다.<3> The organic electroluminescent device according to <1>, wherein the host material constituting the light-emitting material undoped layer and the host material constituting the light-emitting material-doped layer have the same composition.

<4> <1>에 있어서, 유기층과 음극 사이에 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 갖는 유기 전계 발광 소자이다.<4> The organic electroluminescent device according to <1>, which has an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and the cathode.

<5> <4>에 있어서, 무기 화합물은 LiF, Li₂O, MgF₂, CaF₂, NaF, 및 SiO로부터 선택되는 적어도 1종인 유기 전계 발광 소자이다.<5> In <4>, the inorganic compound is at least one organic electroluminescent device selected from _{LiF, Li 2} O, MgF ₂ , CaF _{2, NaF, and SiO.}

<6> <1>에 있어서, 환원성 도펀트는 Li, K 및 Cs로부터 선택되는 2종 이상인 유기 전계 발광 소자이다.<6> The organic electroluminescent device according to <1>, wherein the reducing dopant is at least two selected from Li, K, and Cs.

<7> <1>에 있어서, 환원성 도펀트의 함유량은 0.01질량%∼3질량%인 유기 전계 발광 소자이다.<7> The content of the reducing dopant in <1> is an organic electroluminescent device of 0.01% by mass to 3% by mass.

<8> <1>에 있어서, 전자 수송층은 양극측으로부터 순서대로 발광층에 인접하는 제 1 전자 수송층과, 상기 제 1 전자 수송층과 인접하는 제 2 전자 수송층으로 이루어지고, <8> The electron transport layer according to <1>, wherein the electron transport layer comprises a first electron transport layer adjacent to the light emitting layer in order from the anode side, and a second electron transport layer adjacent to the first electron transport layer,

상기 제 2 전자 수송층이 2종 이상의 환원성 도펀트를 함유하고,The second electron transport layer contains two or more reducing dopants,

상기 제 1 전자 수송층은 상기 환원성 도펀트를 함유하지 않는 것 이외에는 상기 제 2 전자 수송층과 같은 재료로 이루어지는 유기 전계 발광 소자이다.The first electron transport layer is an organic electroluminescent device made of the same material as the second electron transport layer except that it does not contain the reducing dopant.

<9> <8>에 있어서, 제 1 전자 수송층의 평균 두께가 5㎚∼15㎚인 유기 전계 발광 소자이다.<9> The organic electroluminescent device according to <8>, wherein the average thickness of the first electron transport layer is 5 nm to 15 nm.

본 발명에 의하면 종래의 상기 여러 문제를 해결할 수 있어 고휘도역의 발광 효율의 저하를 방지하고, 고휘도 사용시의 내구성을 개선할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent device capable of solving the above problems in the related art, preventing a decrease in luminous efficiency in a high luminance region, and improving durability when using high luminance.

도 1은 비교예 A6, 및 실시예 A1∼A7에 있어서의 제 1 전자 수송층의 평균 두께와, 3000cd/㎡에서의 발광 효율, 휘도 반감 시간, 및 표면 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 비교예 B6, 및 실시예 B2∼B8에 있어서의 제 1 전자 수송층의 평균 두께와, 3000cd/㎡에서의 발광 효율, 휘도 반감 시간, 및 표면 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.1 is a graph showing the relationship between the average thickness of the first electron transport layer in Comparative Example A6 and Examples A1 to A7, luminous efficiency at 3000 cd/m 2, luminance half-time, and surface temperature.
2 is a graph showing the relationship between the average thickness of the first electron transport layer in Comparative Example B6 and Examples B2 to B8, the luminous efficiency at 3000 cd/m 2, the luminance half-time, and the surface temperature.

(유기 전계 발광 소자)(Organic EL device)

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 양극 및 음극 사이에 적어도 발광층과 전자 수송층을 포함하는 유기층을 갖고 이루어지고, 필요에 따라 그 밖의 층을 더 갖고 이루어진다.The organic electroluminescent device of the present invention has an organic layer including at least an emission layer and an electron transport layer between an anode and a cathode, and further includes other layers as necessary.

<발광층><Emitting layer>

상기 발광층은 적어도 2개의 발광 재료 도프층과, 적어도 1개의 발광 재료 비도프층을 갖는다.The light-emitting layer has at least two light-emitting material-doped layers and at least one light-emitting material undoped layer.

이러한 발광층의 구성에 있어서, 양극과 음극 사이에 전압을 인가하면 발광층에 전하가 주입된다. 그러면, 정공과 전자가 재결합해서 여기 에너지가 생성된다. 그리고, 이 여기 에너지는 발광 재료로 이동해서 발광이 얻어진다.In the configuration of the light-emitting layer, when a voltage is applied between the anode and the cathode, electric charges are injected into the light-emitting layer. Then, the holes and electrons recombine to generate excitation energy. And this excitation energy moves to the light-emitting material, and light emission is obtained.

전하의 재결합은 발광 재료 도프층 및 발광 재료 비도프층 중 어느 것에 있어서나 발생된다. 그리고, 발광 재료 도프층의 여기자는 물론, 발광 재료 비도프층의 여기자도 발광 재료 도프층의 발광 재료로 에너지 이동해서 발광에 기여한다. 재결합은 특히 층간의 계면에서 일어나기 쉽기 때문에 발광층 내에 복수의 계면을 만듦으로써 여기자의 생성이 발광층의 양 계면 뿐만 아니라, 내부에서도 일어나게 된다. 그 결과, 여기 에너지가 발광층 전체로 퍼짐으로써 발광층 내에서 생성된 열이 1개소에 집중되는 것을 방지할 수 있다.Recombination of electric charges occurs in either the light-emitting material-doped layer and the light-emitting material undoped layer. In addition, excitons in the light-emitting material-doped layer as well as excitons in the light-emitting material-doped layer move energy to the light-emitting material of the light-emitting material-doped layer to contribute to light emission. Since recombination is particularly likely to occur at the interface between layers, by creating a plurality of interfaces in the light emitting layer, excitons are generated not only at both interfaces of the light emitting layer, but also inside the light emitting layer. As a result, it is possible to prevent the heat generated in the light-emitting layer from being concentrated in one place by spreading the excitation energy to the entire light-emitting layer.

본 발명에 있어서는 상기 발광 재료 도프층 뿐만 아니라, 발광 재료를 함유하지 않는 발광 재료 비도프층을 형성해서 발광층 내에 많은 계면을 만들고 있다. 그리고, 이렇게 발광 재료 비도프층을 형성한 경우라도 발광 재료 비도프층에서 생성된 여기 에너지는 발광 재료 도프층의 발광 재료로 이동해서 발광에 기여한다.In the present invention, not only the light-emitting material-doped layer but also a light-emitting material undoped layer containing no light-emitting material is formed to create many interfaces in the light-emitting layer. Further, even in the case where the luminescent material undoped layer is formed in this way, the excitation energy generated in the luminescent material undoped layer moves to the luminescent material of the luminescent material dope layer and contributes to light emission.

또한, 상기 발광 재료 도프층에 대한 발광 재료의 농도는 0.1질량% 이상 30질량% 이하인 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the concentration of the light-emitting material in the light-emitting material dope layer is 0.1% by mass or more and 30% by mass or less.

이러한 구성에 의하면, 농도 소광에 의한 발광 효율의 저하를 방지하면서 고효율의 발광을 얻을 수 있다.According to this configuration, high-efficiency light emission can be obtained while preventing a decrease in luminous efficiency due to concentration quenching.

여기에서, 상기 발광 재료 도프층에 대한 발광 재료의 농도가 0.1질량% 미만이면 균일한 농도의 발광 재료 도프층을 형성하는 것이 곤란하며, 발광 효율도 낮다. 발광 재료 도프층에 대한 발광 재료의 농도가 30질량%를 초과하면 농도 소광을 회피하기 위해서 발광 재료 도프층의 두께를 얇게 해서 발광층 전체에 대한 발광 재료의 농도를 저하시키는 것이 필요하게 되어 제조가 곤란하게 된다. 또는 발광 재료 비도프층을 두껍게 하지 않으면 안되므로 발광 재료 비도프층에서 생성된 여기자 에너지를 발광 재료 도프층에서의 발광에 기여시킬 수 없다.Here, when the concentration of the light-emitting material to the light-emitting material dope layer is less than 0.1% by mass, it is difficult to form a light-emitting material dope layer having a uniform concentration, and the luminous efficiency is also low. When the concentration of the light-emitting material to the light-emitting material dope layer exceeds 30% by mass, it is necessary to reduce the concentration of the light-emitting material in the entire light-emitting layer by reducing the thickness of the light-emitting material dope layer in order to avoid concentration quenching, making it difficult to manufacture. It is done. Alternatively, since the luminescent material undoped layer must be thickened, exciton energy generated in the luminescent material undoped layer cannot be contributed to light emission in the luminescent material dope layer.

또한, 상기 발광 재료 도프층에 대한 발광 재료의 농도는 0.5질량% 이상 25질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5질량% 이상 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.Further, the concentration of the light-emitting material to the light-emitting material dope layer is more preferably 0.5% by mass or more and 25% by mass or less, and further preferably 0.5% by mass or more and 20% by mass or less.

본 발명에서는 상기 발광 재료 비도프층이 상기 발광 재료 도프층보다 두껍게 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the light-emitting material undoped layer is formed thicker than the light-emitting material dope layer.

상기 발광 재료 비도프층을 상기 발광 재료 도프층보다 두껍게 함으로써 상기 발광 재료 도프층의 발광 재료 농도가 높아도 발광층 전체로서의 발광 재료 농도를 낮게 할 수 있다. 따라서, 저농도로 도프 제어하지 않아도 되므로 양산성의 향상에 도움이 된다.By making the light-emitting material undoped layer thicker than the light-emitting material-doped layer, even if the light-emitting material concentration of the light-emitting material-doped layer is high, the light-emitting material concentration as a whole can be reduced. Therefore, since it is not necessary to control the dope at a low concentration, it is helpful to improve mass production.

본 발명에서는 상기 발광 재료 비도프층의 두께가 발광 재료 도프층의 두께보다 두꺼우므로, 상술한 바와 같이 발광 재료 도프층의 발광 재료 농도를 높게 한 경우라도 발광층 전체로서의 발광 재료 농도를 희석하는 효과가 높아 농도 소광을 효과적으로 방지할 수 있다.In the present invention, since the thickness of the light-emitting material undoped layer is thicker than that of the light-emitting material-doped layer, the effect of diluting the light-emitting material concentration as a whole of the light-emitting layer even when the light-emitting material concentration of the light-emitting material-doped layer is increased as described above. High concentration can effectively prevent quenching.

상기 발광 재료 비도프층의 두께는 0.1㎚ 이상 50㎚ 이하인 것이 바람직하고, 0.45㎚ 이상 30㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.9㎚ 이상 15㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the light-emitting material undoped layer is preferably 0.1 nm or more and 50 nm or less, more preferably 0.45 nm or more and 30 nm or less, and still more preferably 0.9 nm or more and 15 nm or less.

상기 발광 재료 도프층의 두께는 0.1㎚ 이상 20㎚ 이하인 것이 바람직하고, 0.5㎚ 이상 15㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the light-emitting material doped layer is preferably 0.1 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 0.5 nm or more and 15 nm or less.

이러한 구성에 의하면, 상기 발광 재료 비도프층에서 생성된 여기 에너지를 발광 재료 도프층의 발광 재료로 이동시킬 수 있어 발광 효율을 향상시킬 수 있다.According to this configuration, the excitation energy generated in the light-emitting material undoped layer can be transferred to the light-emitting material in the light-emitting material-doped layer, thereby improving luminous efficiency.

본 발명에서는 상기 발광 재료 도프층과는 별도로 발광 재료 비도프층을 형성했으므로 트랩성의 발광 재료를 사용한 경우라도 전하가 발광층 전체에 균일하게 존재하는 것은 아니고 발광 재료 도프층에 편재하고, 발광 재료 비도프층에는 불필요한 전계는 생기지 않아 전하 주입의 장해로 되지 않는다. 따라서, 전하 트랩성 발광 재료를 사용한 경우라도 양호한 발광 효율을 유지할 수 있다.In the present invention, since the light-emitting material undoped layer is formed separately from the light-emitting material dope layer, even when a trappable light-emitting material is used, charges are not uniformly present throughout the light-emitting layer, but are unevenly distributed in the light-emitting material dope layer. An unnecessary electric field is not generated in the layer, so it does not become an obstacle to charge injection. Therefore, even when a charge trapping light emitting material is used, good luminous efficiency can be maintained.

본 발명에서는 상기 발광 재료 도프층을 구성하는 호스트 재료와, 상기 발광 재료 비도프층을 구성하는 호스트 재료는 동일한 조성을 갖는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the host material constituting the light-emitting material-doped layer and the host material constituting the light-emitting material undoped layer have the same composition.

이러한 구성에 의하면, 예를 들면 증착에 의해 발광층을 형성할 경우에 발광 재료 도프층 형성시에는 발광 재료 및 호스트 재료를 증착하고, 발광 재료 비도프층 형성시에는 발광 재료의 셔터를 폐쇄하는 것만으로 호스트 재료만을 증착시킬 수 있다. 즉, 유기 전계 발광 소자의 제조 공정을 간략화할 수 있다.According to this configuration, for example, in the case of forming a light-emitting layer by evaporation, the light-emitting material and the host material are deposited when the light-emitting material dope layer is formed, and when the light-emitting material undoped layer is formed, only the shutter of the light-emitting material is closed. Only the host material can be deposited. That is, the manufacturing process of the organic electroluminescent device can be simplified.

본 발명에서는 상기 2개 이상의 발광 재료 도프층 각각은 다른 발광색을 나타내는 상기 발광 재료를 함유할 수 있다.In the present invention, each of the at least two light-emitting material doped layers may contain the light-emitting material exhibiting different light-emitting colors.

예를 들면, 적색과 청색과 녹색의 발광 재료를 각각 함유하는 3개의 발광 재료 도프층을 조합하면 유기 전계 발광 소자 전체로서는 백색의 발광이 얻어진다.For example, when three light-emitting material doped layers each containing red, blue, and green light-emitting materials are combined, white light emission is obtained as a whole in the organic electroluminescent device.

-발광 재료--Luminescent material-

상기 발광 재료로서는 인광 발광 재료 및 형광 발광 재료 중 어느 것이나 사용할 수 있다.As the light-emitting material, either a phosphorescent light-emitting material or a fluorescent light-emitting material can be used.

--인광 발광 재료----Phosphorescent material--

상기 인광 발광 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 전이 금속 원자, 란타노이드 원자를 포함하는 착체 등을 들 수 있다.The phosphorescent material is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, and examples thereof include a transition metal atom, a complex including a lanthanoid atom, and the like.

상기 전이 금속 원자로서는, 예를 들면 루테늄, 로듐, 팔라듐, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 레늄, 이리듐, 백금이 바람직하고, 이리듐, 백금이 특히 바람직하다.Examples of the transition metal atom include ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, and the like. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.

상기 란타노이드 원자로서는, 예를 들면 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 루테슘 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 네오디뮴, 유로퓸, 가돌리늄이 특히 바람직하다.Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutesium, and the like. Among these, neodymium, europium, and gadolinium are particularly preferred.

상기 착체의 배위자로서는, 예를 들면 G. Wilkinson 등 저, Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press사 1987년 발행, H. Yersin저, 「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag사 1987년 발행, 야마모토 아키오 저 「유기 금속 화학-기초와 응용-」쇼카보사, 1982년 발행 등에 기재된 배위자 등을 들 수 있다.As a ligand of the complex, for example, by G. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, published by Pergamon Press in 1987, by H. Yersin, published in ``Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds'' by Springer-Verlag in 1987, by Akio Yamamoto The ligands described in "Organic Metal Chemistry-Basics and Applications -" Shokabo, published in 1982, etc. are mentioned.

구체적인 배위자로서는 할로겐 배위자(바람직하게는 염소 배위자), 방향족 탄소환 배위자(예를 들면, 시클로펜타디에닐 음이온, 벤젠 음이온, 또는 나프틸 음이온 등), 질소 함유 헤테로환 배위자(예를 들면, 페닐피리딘, 벤조퀴놀린, 퀴놀리놀, 비피리딜, 또는 페난트롤린 등), 디케톤 배위자(예를 들면, 아세틸아세톤 등), 카르복실산 배위자(예를 들면, 아세트산 배위자 등), 알콜라토 배위자(예를 들면, 페놀라토 배위자 등), 일산화탄소 배위자, 이소니트릴 배위자, 시아노 배위자 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 질소 함유 헤테로환 배위자가 특히 바람직하다.Specific ligands include halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (e.g., cyclopentadienyl anion, benzene anion, or naphthyl anion, etc.), and nitrogen-containing heterocyclic ligands (e.g., phenylpyridine , Benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline, etc.), a diketone ligand (eg, acetylacetone, etc.), a carboxylic acid ligand (eg, an acetic acid ligand, etc.), an alcoholato ligand ( For example, a phenolato ligand, etc.), a carbon monoxide ligand, an isonitrile ligand, a cyano ligand, etc. are mentioned. Among these, a nitrogen-containing heterocyclic ligand is particularly preferred.

상기 착체는 화합물 중에 전이 금속 원자를 1개 가져도 좋고, 또한 2개 이상 갖는 소위 복핵 착체이어도 좋다. 이종의 금속원자를 동시에 함유하고 있어도 좋다. 이들 중에서도 인광 발광 재료로서는, 예를 들면 하기의 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called heteronuclear complex having two or more. It may contain different kinds of metal atoms at the same time. Among these, examples of the phosphorescent light-emitting material include the following ones, but are not limited thereto.

상기 이리듐을 포함하는 착체인 인광 발광 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 하기 일반식(1), (2) 및 (3) 중 어느 하나로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The phosphorescent material which is a complex containing iridium is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, but it is preferably a compound represented by any one of the following general formulas (1), (2) and (3).

단, 상기 일반식(1), (2) 및 (3) 중 n은 1∼3의 정수를 나타낸다. X-Y는 2좌 배위자를 나타낸다. 환A는 질소원자, 유황원자 및 산소원자 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋은 환구조를 나타낸다. R¹¹은 치환기를 나타내고, m1은 0∼6의 정수를 나타낸다. m1이 2 이상인 경우에는 인접하는 R¹¹끼리가 결합해서 질소원자, 유황원자 및 산소원자 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋은 환을 형성해도 좋고, 상기 환은 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다. R¹²는 치환기를 나타내고, m2는 0∼4의 정수를 나타낸다. m2가 2 이상인 경우에는 인접하는 R¹²끼리가 결합해서 질소원자, 유황원자 및 산소원자 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋은 환을 형성해도 좋고, 상기 환은 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다. 또한, R¹¹과 R¹²가 결합해서 질소원자, 유황원자 및 산소원자 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋은 환을 형성해도 좋고, 상기 환은 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 좋다.However, in the general formulas (1), (2) and (3), n represents an integer of 1 to 3. XY denotes a bilateral ligand. Ring A shows a ring structure which may contain any one of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. R ¹¹ represents a substituent, and m1 represents an integer of 0 to 6. When m1 is 2 or more, adjacent R ¹¹ may be bonded to each other to form a ring which may contain any one of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom, and the ring may be further substituted by a substituent. R ¹² represents a substituent, and m2 represents an integer of 0 to 4. When m2 is 2 or more, adjacent R ¹² may be bonded to each other to form a ring which may contain any one of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom, and the ring may be further substituted by a substituent. Further, R ¹¹ and R ¹² may be bonded to each other to form a ring which may contain any one of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom, and the ring may be further substituted by a substituent.

상기 환A는 질소원자, 유황원자 및 산소원자 중 어느 하나를 포함하고 있어도 좋은 환구조를 나타내고, 5원환, 6원환 등을 바람직하게 들 수 있다. 상기 환은 치환기로 치환되어 있어도 좋다.The ring A has a ring structure which may contain any one of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom, and a 5-membered ring, a 6-membered ring, and the like are preferably exemplified. The ring may be substituted with a substituent.

X-Y는 2좌 배위자를 나타내고, 2좌의 모노 음이온성 배위자 등을 바람직하게 들 수 있다.X-Y represents a bidentate ligand, and a bidentate monoanionic ligand, etc. are preferably mentioned.

상기 2좌의 모노 음이온성 배위자로서는, 예를 들면 피콜리나토(pic), 아세틸아세토나토(acac), 디피발로일메타나토(t-부틸acac) 등을 들 수 있다. Examples of the bidentate monoanionic ligand include picolinato (pic), acetylacetonato (acac), dipivaloyl metanato (t-butylacac), and the like.

상기 이외의 배위자로서는, 예를 들면 Lamansky들의 국제 공개 제2002/15645호 팜플렛의 제89쪽∼91쪽에 기재된 배위자를 들 수 있다.As a ligand other than the above, for example, the ligands described on pages 89 to 91 of the pamphlet of Lamansky's International Publication No. 2002/15645 can be cited.

상기 R¹¹ 및 R¹²에 있어서의 치환기로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 할로겐 원자, 알콕시기, 아미노기, 알킬기, 시클로알킬기, 질소원자 또는 유황원자를 포함하고 있어도 좋은 아릴기, 질소원자 또는 유황원자를 포함하고 있어도 좋은 아릴옥시기를 나타내고, 이들은 또한 치환되어 있어도 좋다.The ^{substituent for R 11} and R ¹² is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the purpose, and for example, a halogen atom, an alkoxy group, an amino group, an alkyl group, a cycloalkyl group, a nitrogen atom or a sulfur atom may be included. An aryl group, a nitrogen atom, or an aryloxy group which may contain a sulfur atom is represented, and these may also be substituted.

상기 R¹¹ 및 R¹²는 서로 인접하는 것끼리 결합해서 질소원자, 유황원자 또는 산소원자를 포함하고 있어도 좋은 환을 형성해도 좋고, 5원환, 6원환 등을 바람직하게 들 수 있다. 상기 환은 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.Said R ¹¹ and R ¹² may be bonded to each other to form a ring which may contain a nitrogen atom, a sulfur atom, or an oxygen atom, and a 5-membered ring, a 6-membered ring, and the like are preferably mentioned. The ring may be further substituted with a substituent.

상기 일반식(1), (2), 및 (3) 중 어느 하나로 나타내어지는 구체적 화합물로서는, 예를 들면 하기의 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the specific compound represented by any one of the general formulas (1), (2), and (3) include the following, but are not limited thereto.

상기 인광 발광 재료의 그 밖의 예로서는 이하와 같은 화합물을 들 수 있다.Other examples of the phosphorescent material include the following compounds.

--형광 발광 재료----Fluorescent light-emitting material--

상기 형광 발광 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티아졸, 스티릴벤젠, 폴리페닐, 디페닐부타디엔, 테트라페닐부타디엔, 나프탈이미드, 쿠마린, 피란, 페리논, 옥사디아졸, 알다진, 피리딘, 시클로펜타디엔, 비스스티릴안트라센, 퀴나크리돈, 피롤로피리딘, 티아디아졸로피리딘, 시클로펜타디엔, 스티릴아민, 방향족 디메틸리딘 화합물, 축합 다환 방향족 화합물(안트라센, 페난트롤린, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 펜타센 등), 8-퀴놀리놀의 금속 착체, 피로메텐 착체나 희토류 착체로 대표되는 각종 금속 착체, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌 등의 폴리머 화합물, 유기 실란 또는 이들의 유도체 등을 들 수 있다.The fluorescent light emitting material is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, benzoxazole, benzoimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalate Imide, coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyridine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic Dimethylidine compounds, condensed polycyclic aromatic compounds (anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, pentacene, etc.), metal complexes of 8-quinolinol, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, Polymer compounds, such as polythiophene, polyphenylene, and polyphenylene vinylene, organic silane, or derivatives thereof, etc. are mentioned.

이들 중에서도 상기 형광 발광 재료의 구체예로서는, 예를 들면 하기의 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Among these, examples of the fluorescent light-emitting material include, for example, the following ones, but are not limited thereto.

-호스트 재료--Host material-

상기 호스트 재료로서는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the host material contains at least one of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material.

--정공 수송성 호스트 재료----Hole transport host material--

상기 정공 수송성 호스트 재료로서는 내구성 향상, 구동 전압 저하의 관점에서 이온화 포텐셜 Ip이 5.1eV 이상 6.3eV 이하인 것이 바람직하고, 5.4eV 이상 6.1eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 5.6eV 이상 6.0eV 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 내구성 향상, 구동 전압 저하의 관점에서 전자 친화력 Ea가 1.2eV 이상 3.1eV 이하인 것이 바람직하고, 1.4eV 이상 3.0eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.8eV 이상 2.9eV 이하인 것이 더욱 바람직하다.The hole transporting host material preferably has an ionization potential Ip of 5.1 eV or more and 6.3 eV or less, more preferably 5.4 eV or more and 6.1 eV or less, and even more preferably 5.6 eV or more and 6.0 eV or less from the viewpoint of durability improvement and driving voltage reduction. . In addition, from the viewpoint of improving durability and lowering the driving voltage, the electron affinity Ea is preferably 1.2 eV or more and 3.1 eV or less, more preferably 1.4 eV or more and 3.0 eV or less, and even more preferably 1.8 eV or more and 2.9 eV or less.

이러한 정공 수송성 호스트 재료로서는, 예를 들면 피롤, 카르바졸, 아제핀, 카르벤, 트리아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 피라졸, 이미다졸, 폴리아릴알칸, 피라졸린, 피라졸론, 페닐렌디아민, 아릴아민, 아미노 치환 칼콘, 스티릴안트라센, 플루오레논, 히드라존, 스틸벤, 실라잔, 방향족 제3급 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 디메틸리딘계 화합물, 포르피린계 화합물, 폴리실란계 화합물, 폴리(N-비닐카르바졸), 아닐린계 공중합체, 티오펜올리고머, 폴리티오펜 등의 도전성 고분자 올리고머, 유기 실란, 카본막, 또는 이들의 유도체 등을 들 수 있다.As such a hole-transporting host material, for example, pyrrole, carbazole, azepine, carbene, triazole, oxazole, oxadiazole, pyrazole, imidazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine , Arylamine, amino substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidine compound, porphyrin compound, polysilane compound , Poly(N-vinylcarbazole), an aniline-based copolymer, a thiophene oligomer, a conductive polymer oligomer such as polythiophene, an organic silane, a carbon film, or a derivative thereof.

이들 중에서도 정공 수송성 호스트 재료로서는 카르바졸 화합물, 아제핀 화합물, 또는 칼벤 착체 화합물이 바람직하고, 카르바졸 화합물이 특히 바람직하다.Among these, as the hole-transporting host material, a carbazole compound, an azepine compound, or a calben complex compound is preferable, and a carbazole compound is particularly preferable.

상기 정공 수송성 호스트 재료로서의 구체적 화합물로서는, 예를 들면 하기의 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the specific compound as the hole-transporting host material include the following, but are not limited thereto.

--전자 수송성 호스트 재료----Electron transport host material--

본 발명에 사용되는 호스트 재료로서 정공 수송성이 우수한 정공 수송성 호스트 재료와 마찬가지로 전자 수송성이 우수한 전자 수송성 호스트 재료를 사용해도 좋다.As the host material used in the present invention, an electron-transporting host material having excellent electron-transporting properties may be used similarly to the hole-transporting host material having excellent hole-transporting properties.

상기 전자 수송성 호스트 재료로서는 내구성 향상, 구동 전압 저하의 관점에서 전자 친화력 Ea가 2.5eV 이상 3.5eV 이하인 것이 바람직하고, 2.6eV 이상 3.2eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.8eV 이상 3.1eV 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 내구성 향상, 구동 전압 저하의 관점에서 이온화 포텐셜 Ip이 5.7eV 이상 7.5eV 이하인 것이 바람직하고, 5.8eV 이상 7.0eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 5.9eV 이상 6.5eV 이하인 것이 더욱 바람직하다.The electron transporting host material preferably has an electron affinity Ea of 2.5 eV or more and 3.5 eV or less, more preferably 2.6 eV or more and 3.2 eV or less, and even more preferably 2.8 eV or more and 3.1 eV or less from the viewpoint of durability improvement and driving voltage reduction. . In addition, from the viewpoint of improving durability and lowering the driving voltage, the ionization potential Ip is preferably 5.7 eV or more and 7.5 eV or less, more preferably 5.8 eV or more and 7.0 eV or less, and still more preferably 5.9 eV or more and 6.5 eV or less.

이러한 전자 수송성 호스트 재료로서는, 예를 들면 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 플루오레논, 안트라퀴노디메탄, 안트론, 디페닐퀴논, 티오피란디옥시드, 카르보디이미드, 플루오레닐리덴메탄, 디스티릴피라진, 불소 치환 방향족 화합물, 나프탈렌, 페릴렌 등의 테트라카르복실산 무수물, 프탈로시아닌, 또는 이들의 유도체(다른 환과 축합환을 형성해도 좋다), 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착체나 메탈프탈로시아닌, 벤조옥사졸이나 벤조티아졸을 배위자로 하는 금속 착체로 대표되는 각종 금속 착체 등을 들 수 있다.Examples of such electron transporting host materials include pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, pyrazole, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, and thi. Opyrandioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine, or derivatives thereof (even if condensed rings with other rings are formed Good), metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanine, and various metal complexes typified by metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as a ligand as a ligand.

상기 전자 수송성 호스트 재료로서는 금속 착체, 아졸 유도체(벤즈이미다졸 유도체, 이미다조피리딘 유도체 등), 아진 유도체(피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 트리아진 유도체 등)가 바람직하고, 내구성의 점에서 금속 착체 화합물이 특히 바람직하다. 상기 금속 착체 화합물은 금속에 배위하는 적어도 1개의 질소원자 또는 산소원자 또는 유황원자를 갖는 배위자를 갖는 금속 착체가 보다 바람직하다.As the electron transporting host material, metal complexes, azole derivatives (benzimidazole derivatives, imidazopyridine derivatives, etc.), azine derivatives (pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, etc.) are preferable, and metal complex compounds from the viewpoint of durability This is particularly preferred. The metal complex compound is more preferably a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom or an oxygen atom or a sulfur atom coordinating to the metal.

상기 금속 착체 중의 금속 이온으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 예를 들면 베릴륨 이온, 마그네슘 이온, 알루미늄 이온, 갈륨 이온, 아연 이온, 인듐 이온, 주석 이온, 백금 이온, 또는 팔라듐 이온이 바람직하고, 베릴륨 이온, 알루미늄 이온, 갈륨 이온, 아연 이온, 백금 이온, 또는 팔라듐 이온이 보다 바람직하고, 알루미늄 이온, 아연 이온, 또는 팔라듐 이온이 특히 바람직하다.The metal ion in the metal complex is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the purpose, but, for example, beryllium ion, magnesium ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, tin ion, platinum ion, or palladium ion. This is preferable, and beryllium ions, aluminum ions, gallium ions, zinc ions, platinum ions, or palladium ions are more preferable, and aluminum ions, zinc ions, or palladium ions are particularly preferable.

상기 금속 착체 중에 포함되는 배위자로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 공지의 배위자로부터 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」, Springer-Verlag사, H. Yersin저, 1987년 발행, 「유기 금속 화학-기초와 응용-」, 쇼카보사, 야마모토 아키오 저, 1982년 발행 등에 기재된 배위자 등을 들 수 있다.The ligand contained in the metal complex is not particularly limited, and can be appropriately selected from known ligands depending on the purpose, for example, "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds", Springer-Verlag, H. Yersin, published in 1987. , "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications -", Shokabo Corporation, Akio Yamamoto, published in 1982, and the like.

상기 배위자로서 바람직하게는 질소 함유 헤테로환 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 2∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 3∼15)이며, 단좌 배위자이어도 2좌 이상의 배위자이어도 좋다. 바람직하게는 2좌 이상 6좌 이하의 배위자이다. 또한, 2좌 이상 6좌 이하의 배위자와 단좌의 혼합 배위자도 바람직하다.The ligand is preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 3 to 15 carbon atoms), and may be a single-dentate ligand or a two or more ligand. Preferably, it is a ligand of 2 or more and 6 or less. In addition, a mixed ligand of two or more and six or less ligands and a single seat is also preferable.

상기 배위자로서는, 예를 들면 아진 배위자(예를 들면, 피리딘 배위자, 비피리딜 배위자, 터피리딘 배위자 등을 들 수 있다.), 히드록시페닐아졸 배위자(예를 들면, 히드록시페닐벤즈이미다졸 배위자, 히드록시페닐벤즈옥사졸 배위자, 히드록시페닐이미다졸 배위자, 히드록시페닐이미다조피리딘 배위자 등을 들 수 있다.), 알콕시 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 1∼10이며, 예를 들면 메톡시, 에톡시, 부톡시, 2-에틸헥실옥시 등을 들 수 있다.), 아릴옥시 배위자(바람직하게는 탄소수 6∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 6∼12이며, 예를 들면 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 2,4,6-트리메틸페닐옥시, 4-비페닐옥시 등을 들 수 있다.) 등을 들 수 있다.Examples of the ligand include an azine ligand (eg, a pyridine ligand, a bipyridyl ligand, a terpyridine ligand, etc.), a hydroxyphenylazole ligand (eg, a hydroxyphenylbenzimidazole ligand). , A hydroxyphenylbenzoxazole ligand, a hydroxyphenylimidazole ligand, a hydroxyphenylimidazopyridine ligand, and the like.), an alkoxy ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 carbon atom) To 20, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, for example, methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), aryloxy ligand (preferably 6 to 30 carbon atoms) , More preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyloxy, 4- Biphenyloxy, etc. are mentioned.) etc. are mentioned.

헤테로아릴옥시 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 1∼12이며, 예를 들면 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시 등을 들 수 있다.), 알킬티오 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 1∼12이며, 예를 들면 메틸티오, 에틸티오 등을 들 수 있다.), 아릴티오 배위자(바람직하게는 탄소수 6∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 6∼12이며, 예를 들면 페닐티오 등을 들 수 있다.), 헤테로아릴티오 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼20, 특히 바람직하게는 탄소수 1∼12이며, 예를 들면 피리딜티오, 2-벤즈이미다졸릴티오, 2-벤즈옥사졸릴티오, 2-벤즈티아졸릴티오 등을 들 수 있다.), 실록시 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 3∼25, 특히 바람직하게는 탄소수 6∼20이며, 예를 들면 트리페닐실록시기, 트리에톡시실록시기, 트리이소프로필실록시기 등을 들 수 있다.), 방향족 탄화수소 음이온 배위자(바람직하게는 탄소수 6∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼25, 특히 바람직하게는 탄소수 6∼20이며, 예를 들면 페닐 음이온, 나프틸 음이온, 안트라닐 음이온 등을 들 수 있다.), 방향족 헤테로환 음이온 배위자(바람직하게는 탄소수 1∼30, 보다 바람직하게는 탄소수 2∼25, 특히 바람직하게는 탄소수 2∼20이며, 예를 들면 피롤 음이온, 피라졸 음이온, 트리아졸 음이온, 옥사졸 음이온, 벤조옥사졸 음이온, 티아졸 음이온, 벤조티아졸 음이온, 티오펜 음이온, 벤조티오펜 음이온 등을 들 수 있다.), 인돌레닌 음이온 배위자 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 질소 함유 헤테로환 배위자, 아릴옥시 배위자, 헤테로아릴옥시기, 실록시 배위자, 방향족 탄화수소 음이온 배위자, 또는 방향족 헤테로환 음이온 배위자가 바람직하고, 질소 함유 헤테로환 배위자, 아릴옥시 배위자, 실록시 배위자, 방향족 탄화수소 음이온 배위자, 또는 방향족 헤테로환 음이온 배위자가 특히 바람직하다.Heteroaryloxy ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy Etc.), alkylthio ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, etc.) ), an arylthio ligand (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example, phenylthio etc.), hetero. Arylthio ligands (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxa Zolylthio, 2-benzthiazolylthio, and the like.), siloxy ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, for example) For example, a triphenylsiloxy group, a triethoxysiloxy group, a triisopropylsiloxy group, etc. may be mentioned.), an aromatic hydrocarbon anion ligand (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 25 carbon atoms, particularly preferably Has 6 to 20 carbon atoms, for example, a phenyl anion, a naphthyl anion, an anthranyl anion, etc.), an aromatic heterocyclic anion ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 25 carbon atoms) , Particularly preferably 2 to 20 carbon atoms, for example pyrrole anion, pyrazole anion, triazole anion, oxazole anion, benzoxazole anion, thiazole anion, benzothiazole anion, thiophene anion, benzothiophene An anion, etc.), an indolenin anion ligand, etc. are mentioned. Among these, nitrogen-containing heterocyclic ligands, aryloxy ligands, heteroaryloxy groups, siloxy ligands, aromatic hydrocarbon anion ligands, or aromatic heterocyclic anion ligands are preferable, and nitrogen-containing heterocyclic ligands, aryloxy ligands, siloxy ligands, Particularly preferred are aromatic hydrocarbon anionic ligands or aromatic heterocyclic anionic ligands.

금속 착체 전자 수송성 호스트 재료의 예로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2002-235076, 일본 특허 공개 2004-214179, 일본 특허 공개 2004-221062, 일본 특허 공개 2004-221065, 일본 특허 공개 2004-221068, 일본 특허 공개 2004-327313 등의 각 공보에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of the metal complex electron transporting host material include, for example, Japanese Patent Publication 2002-235076, Japanese Patent Publication 2004-214179, Japanese Patent Publication 2004-221062, Japanese Patent Publication 2004-221065, Japanese Patent Publication 2004-221068, and Japanese Patent Publication. The compounds described in each publication, such as 2004-327313, are mentioned.

이러한 전자 수송성 호스트 재료로서는 구체적으로는, 예를 들면 이하의 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of such an electron transporting host material include the following compounds, but are not limited thereto.

상기 발광층의 제작 방법은 복수의 증착원과, 각각의 상기 증착원으로부터의 증착 재료의 증산(蒸散)을 차폐하는 셔터를 구비하는 증착 장치를 사용하고, 상기 복수의 증착원 중 적어도 1개에 상기 발광 재료를 구성하는 도펀트 재료를, 다른 증착원 중 적어도 1개에 상기 발광 재료 도프층의 호스트 및 상기 발광 재료 비도프층의 호스트를 구성하는 호스트 재료를 설치하고, 상기 도펀트 재료 및 상기 호스트 재료를 설치한 상기 증착원을 가열하고, 상기 셔터의 개폐에 의해 상기 발광 재료 도프층 및 상기 발광 재료 비도프층을 형성한다. The manufacturing method of the light emitting layer uses a deposition apparatus including a plurality of evaporation sources and a shutter for shielding evaporation of evaporation material from each of the evaporation sources, and at least one of the plurality of evaporation sources is provided with the A dopant material constituting a light-emitting material is provided with a host material constituting the host of the light-emitting material-doped layer and the host of the light-emitting material undoped layer in at least one of other evaporation sources, and the dopant material and the host material are provided. The installed evaporation source is heated, and the light-emitting material dope layer and the light-emitting material undoped layer are formed by opening and closing the shutter.

이러한 제조 방법에 의하면, 셔터의 개방시에는 호스트 재료와 도펀트 재료의 쌍방이 증착되어 호스트에 발광 재료가 도프된 발광 재료 도프층이 형성된다. 한편, 셔터의 폐쇄시에는 도펀트 재료의 증산이 차폐되어 호스트 재료만이 증착되어서 발광 재료 비도프층이 형성된다.According to this manufacturing method, when the shutter is opened, both the host material and the dopant material are deposited to form a light-emitting material doped layer doped with the light-emitting material on the host. On the other hand, when the shutter is closed, the evaporation of the dopant material is shielded so that only the host material is deposited to form a light-emitting material undoped layer.

따라서, 셔터의 개폐를 반복하는 것만으로 발광 재료 도프층 및 발광 재료 비도프층을 교대로 형성할 수 있어 발광층을 형성하는 공정을 간략화할 수 있다.Accordingly, the light-emitting material-doped layer and the light-emitting material undoped layer can be alternately formed by simply repeating the opening and closing of the shutter, thereby simplifying the process of forming the light-emitting layer.

<전자 수송층><Electron transport layer>

상기 전자 수송층은 제 1 전자 수송층과, 제 2 전자 수송층으로 이루어지고, 음극 또는 음극측으로부터 전자를 수취하여 양극측으로 수송하는 기능을 갖는다.The electron transport layer includes a first electron transport layer and a second electron transport layer, and has a function of receiving electrons from a cathode or a cathode side and transporting them to the anode side.

상기 전자 수송층은 상기 양극측으로부터 순서대로 상기 발광층에 인접하는 상기 제 1 전자 수송층과, 상기 제 1 전자 수송층과 인접하는 상기 제 2 전자 수송층을 갖는 적층 구조를 갖는다.The electron transport layer has a stacked structure including the first electron transport layer adjacent to the emission layer and the second electron transport layer adjacent to the first electron transport layer in order from the anode side.

<<제 1 전자 수송층>><<first electron transport layer>>

상기 제 1 전자 수송층의 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 하기 구조식으로 나타내어지는 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(바소쿠프로인;BCP), 하기 구조식으로 나타내어지는 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq) 등의 8-퀴놀리놀 또는 그 유도체를 배위자로 하는 유기 금속 착체, 하기 구조식으로 나타내어지는 BAlq(Bis-(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-(페닐-페놀레이트)-알루미늄(III)) 등의 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 페릴렌 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 퀴녹살린 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 니트로 치환 플루오렌 유도체 등을 들 수 있다.The material of the first electron transport layer is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, for example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline represented by the following structural formula ( Vasocuproin; BCP), an organometallic complex having as a ligand, an 8-quinolinol such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq) represented by the following structural formula, or a derivative thereof, BAlq represented by the following structural formula Quinoline derivatives, such as (Bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenyl-phenolate)-aluminum(III)), oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, And a rylene derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, and a nitro substituted fluorene derivative.

상기 제 1 전자 수송층은, 예를 들면 증착법, 습식 제막법, 전자빔법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE(분자선 에피택시)법, 클러스터 이온빔법, 이온 플레이팅법, 플라즈마 중합법(고주파 여기 이온 플레이팅법), 분자 적층법, LB법, 인쇄법, 전사법 등의 방법에 의해 바람직하게 형성할 수 있다.The first electron transport layer is, for example, a vapor deposition method, a wet film forming method, an electron beam method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an MBE (molecular beam epitaxy) method, a cluster ion beam method, an ion plating method, a plasma polymerization method (high frequency excitation ion play). Printing method), a molecular lamination method, an LB method, a printing method, a transfer method, or the like.

상기 제 1 전자 수송층의 평균 두께로서는 5㎚∼15㎚가 바람직하고, 7㎚∼12㎚가 보다 바람직하다.The average thickness of the first electron transport layer is preferably 5 nm to 15 nm, more preferably 7 nm to 12 nm.

상기 제 1 전자 수송층의 평균 두께가 5㎚ 미만이면 상기 제 2 전자 수송층에 포함되는 도프된 금속에 의한 소광에 의해 발광 효율이 저하되는 일이 있고, 15㎚를 초과하면 열을 방출하는 효과가 없어지는 일이 있으며, 고휘도에서의 내구성이 저하되는 일이 있다.If the average thickness of the first electron transport layer is less than 5 nm, the luminous efficiency may decrease due to quenching by the doped metal included in the second electron transport layer, and if it exceeds 15 nm, the effect of emitting heat is lost. In some cases, the durability at high luminance may decrease.

상기 제 1 전자 수송층의 평균 두께는, 예를 들면 촉침식 표면형상 측정기에 의해 측정할 수 있다. 상기 제 1 전자 수송층의 평균 두께는 3개소 측정의 평균값이다.The average thickness of the first electron transport layer can be measured by, for example, a stylus type surface shape measuring device. The average thickness of the first electron transport layer is an average value of three measurements.

<<제 2 전자 수송층>><<2nd electron transport layer>>

상기 제 2 전자 수송층의 재료는 상기 제 1 전자 수송층과 같은 유기 화합물과, 2종 이상의 환원성 도펀트로 이루어진다.The material of the second electron transport layer is made of the same organic compound as the first electron transport layer and two or more reducing dopants.

상기 환원성 도펀트를 함유하는 상기 제 2 전자 수송층을 상기 발광층에 인접시키면 금속 소광에 의해 발광 효율이 크게 저하되는 일이 있다.When the second electron transport layer containing the reducible dopant is placed adjacent to the emission layer, the luminous efficiency may be significantly reduced due to metal quenching.

상기 환원성 도펀트는 전자 수송성 화합물을 환원할 수 있는 물질로 정의된다. 따라서, 일정한 환원성을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체, 및 희토류 금속의 유기 착체로부터 선택되는 적어도 2종을 바람직하게 들 수 있다.The reducing dopant is defined as a material capable of reducing an electron transporting compound. Therefore, there is no particular limitation as long as it has a certain reducibility, and it can be appropriately selected according to the purpose. For example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an oxide of an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkaline earth metal, At least two types selected from halides of alkaline earth metals, oxides of rare earth metals, halides of rare earth metals, organic complexes of alkali metals, organic complexes of alkaline earth metals, and organic complexes of rare earth metals are preferably mentioned.

보다 구체적으로 바람직한 환원성 도펀트로서는 Li, Na, K, Rb, Cs 등의 알칼리 금속, Ca, Sr, Ba 등의 알칼리 토류 금속 등을 들 수 있고, K, Rb, Cs, Rb, Cs가 특히 바람직하다.More specifically, preferred reducing dopants include alkali metals such as Li, Na, K, Rb, and Cs, and alkaline earth metals such as Ca, Sr, and Ba, and K, Rb, Cs, Rb, and Cs are particularly preferred. .

이들 중에서도 Li와 K, Li와 Cs, Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb, Cs와 Na, Cs와 K의 조합인 것이 바람직하고, 열전도성의 개선의 점에서 Li와 K, Li와 Cs가 특히 바람직하다.Among these, a combination of Li and K, Li and Cs, Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, Cs and Na, Cs and K is preferable. It is particularly preferred.

상기 환원성 도펀트의 함유량은 0.01질량%∼3질량%인 것이 바람직하고, 0.05질량%∼2질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이 0.01질량% 미만이면 유기막의 열전도성을 개선하는데에 불충분하게 되는 일이 있으며, 3질량%를 초과하면 금속의 흡수에 의해 효율이 크게 저하되는 원인이 되는 일이 있다.The content of the reducing dopant is preferably 0.01% by mass to 3% by mass, more preferably 0.05% by mass to 2% by mass. If the content is less than 0.01% by mass, it may be insufficient to improve the thermal conductivity of the organic film, and if it exceeds 3% by mass, it may cause a significant decrease in efficiency due to absorption of the metal.

상기 제 2 전자 수송층은 상기 제 1 전자 수송층과 마찬가지로, 예를 들면 증착법, 습식 제막법, 전자빔법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE(분자선 에피택시)법, 클러스터 이온빔법, 이온 플레이팅법, 플라즈마 중합법(고주파 여기 이온 플레이팅법), 분자 적층법, LB법, 인쇄법, 전사법 등의 방법에 의해 바람직하게 형성할 수 있다.The second electron transport layer is similar to the first electron transport layer, for example, a vapor deposition method, a wet film forming method, an electron beam method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an MBE (molecular beam epitaxy) method, a cluster ion beam method, an ion plating method, and a plasma. It can be preferably formed by a method such as a polymerization method (high frequency excitation ion plating method), a molecular lamination method, an LB method, a printing method, and a transfer method.

상기 제 2 전자 수송층의 평균 두께로서는 10㎚∼100㎚가 바람직하고, 20㎚∼50㎚가 보다 바람직하다.The average thickness of the second electron transport layer is preferably 10 nm to 100 nm, more preferably 20 nm to 50 nm.

상기 제 2 전자 수송층의 평균 두께가 10㎚ 미만이면 간섭 효과에 의해 효율이 저하되는 일이 있고, 100㎚를 초과하면 구동 전압의 상승을 초래하는 일이 있다.If the average thickness of the second electron transport layer is less than 10 nm, the efficiency may decrease due to the interference effect, and if it exceeds 100 nm, the driving voltage may increase.

상기 제 2 전자 수송층의 평균 두께는 상기 제 1 전자 수송층의 평균 두께와 마찬가지로 해서 측정할 수 있다.The average thickness of the second electron transport layer can be measured in the same manner as the average thickness of the first electron transport layer.

<전극><electrode>

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 한쌍의 전극, 즉 양극과 음극을 포함한다. 상기 유기 전계 발광 소자의 성질 상, 양극 및 음극 중 적어도 한쪽의 전극은 투명한 것이 바람직하다. 통상, 양극은 유기 화합물층에 정공을 공급하는 전극으로서의 기능을 갖고 있으면 좋고, 음극은 유기 화합물층에 전자를 주입하는 전극으로서의 기능을 갖고 있으면 좋다.The organic electroluminescent device of the present invention includes a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode. In view of the nature of the organic electroluminescent device, it is preferable that at least one of the anode and the cathode is transparent. Usually, the anode should have a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the cathode should have a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer.

상기 전극으로서는 그 형상, 구조, 크기 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 유기 전계 발광 소자의 용도, 목적에 따라서 공지의 전극 재료 중에서 적당히 선택할 수 있다.The electrode is not particularly limited in shape, structure, size, and the like, and may be appropriately selected from known electrode materials according to the use and purpose of the organic electroluminescent device.

상기 전극을 구성하는 재료로서는, 예를 들면 금속, 합금, 금속 산화물, 도전성 화합물, 또는 이들의 혼합물 등을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the material constituting the electrode include a metal, an alloy, a metal oxide, a conductive compound, or a mixture thereof.

-양극--anode-

상기 양극을 구성하는 재료로서는, 예를 들면 안티몬, 불소 등을 도프한 산화 주석(ATO, FTO), 산화 주석, 산화 아연, 산화 인듐, 산화 인듐 주석(ITO), 산화 아연 인듐(IZO) 등의 도전성 금속 산화물; 금, 은 크롬, 니켈 등의 금속; 이들의 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 또는 적층물; 요오드화 구리, 황화 구리 등의 무기 도전성 물질; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료, 또는 이들과 ITO의 적층물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전성 금속 산화물이 바람직하고, 생산성, 고도전성, 투명성 등의 점으로부터는 ITO가 특히 바람직하다.As a material constituting the anode, for example, tin oxide doped with antimony, fluorine, etc. (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), zinc indium oxide (IZO), etc. Conductive metal oxide; Metals such as gold, silver chromium, and nickel; Mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides; Inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide; Organic conductive materials, such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, or a laminate of these and ITO, etc. are mentioned. Among these, conductive metal oxides are preferred, and ITO is particularly preferred from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

-음극--cathode-

상기 음극을 구성하는 재료로서는, 예를 들면 알칼리 금속(예를 들면 Li, Na, K, Cs 등), 알칼리 토류 금속(예를 들면 Mg, Ca 등), 금, 은 납, 알루미늄, 나트륨-칼륨 합금, 리튬-알루미늄 합금, 마그네슘-은 합금, 인듐, 이테르븀 등의 희토류 금속 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋지만, 안정성과 전자 주입성을 양립시키는 관점에서는 2종 이상을 바람직하게 병용할 수 있다. Materials constituting the negative electrode include, for example, alkali metals (for example, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (for example, Mg, Ca, etc.), gold, silver lead, aluminum, sodium-potassium Alloys, lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium and ytterbium, and the like. These may be used individually by 1 type, but from a viewpoint of making stability and electron injection property compatible, 2 or more types can be used together preferably.

이들 중에서도 전자 주입성의 점에서 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속이 바람직하고, 보존 안정성이 우수한 점에서 알루미늄을 주체로 하는 재료가 바람직하다.Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferred from the viewpoint of electron injecting properties, and materials mainly composed of aluminum are preferred from the viewpoint of excellent storage stability.

상기 알루미늄을 주체로 하는 재료는 알루미늄 단독, 알루미늄과 0.01질량%∼10질량%의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속의 합금 또는 이들의 혼합물(예를 들면, 리튬-알루미늄 합금, 마그네슘-알루미늄 합금 등)을 갖는다.The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of an alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (e.g., lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy, etc.). Have.

상기 전극의 형성 방법에 대해서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 따라서 행할 수 있고, 예를 들면 인쇄 방식, 코팅 방식 등의 습식 방식; 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 방식; CVD, 플라즈마 CVD법 등의 화학적 방식 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 상기 전극을 구성하는 재료와의 적성을 고려해서 적당히 선택한 방법에 따라서 상기 기판 상에 형성할 수 있다. 예를 들면, 양극의 재료로서 ITO를 선택하는 경우에는 직류 또는 고주파 스퍼터법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등에 따라서 형성할 수 있다. 음극의 재료로서 금속 등을 선택할 경우에는 그 1종 또는 2종 이상을 동시 또는 순차 스퍼터법 등에 따라서 형성할 수 있다.There is no restriction|limiting in particular about the formation method of the said electrode, It can perform according to a well-known method, For example, a wet method, such as a printing method and a coating method; Physical methods such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating; And chemical methods such as CVD and plasma CVD. Among these, the electrode can be formed on the substrate according to an appropriately selected method in consideration of the suitability with the material constituting the electrode. For example, when ITO is selected as the material of the anode, it can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, or the like. When a metal or the like is selected as the material for the cathode, one or two or more of them can be formed simultaneously or sequentially by sputtering or the like.

또한, 상기 전극을 형성할 때에 패터닝을 행할 경우에는 포토리소그래피 등에 의한 화학적 에칭에 의해 행해도 좋고, 레이저 등에 의한 물리적 에칭에 의해 행해도 좋고, 또한 마스크를 겹쳐서 진공 증착이나 스퍼터 등을 행해도 좋고, 리프트오프법이나 인쇄법에 의해 행해도 좋다.In addition, when patterning is performed when forming the electrode, chemical etching by photolithography or the like may be performed, physical etching by laser or the like may be performed, and vacuum vapor deposition or sputtering may be performed by overlapping a mask. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

<부착 개선층><Adhesion improvement layer>

본 발명에 있어서는 상기 유기층과, 상기 양극 및 상기 음극 중 적어도 어느 한쪽 사이에 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 갖고, 상기 유기층과 상기 음극 사이에 무기 화합물로 이루어지는 부착 개선층을 갖는 것이 방열성이 높아지기 쉬운 점에서 바람직하다.In the present invention, having an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and at least one of the positive electrode and the negative electrode, and having an adhesion-improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and the negative electrode is easy to increase heat dissipation. It is preferable from a point.

상기 무기 화합물층은 부착 개선층으로서 기능한다.The inorganic compound layer functions as an adhesion-improving layer.

상기 무기 화합물층에 사용되는 바람직한 무기 화합물로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 산화물, 희토류 산화물, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 토류 할로겐화물, 희토류 할로겐화물, SiO_X, AlO_X, SiN_X, SiON, AlON, GeO_X, LiO_X, LiON, TiO_X, TiON, TaO_X, TaON, TaN_X, C 등의 각종 산화물, 질화물, 산화 질화물이다.Preferred inorganic compounds used in the inorganic compound layer are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, for example, alkali metal oxides, alkaline earth oxides, rare earth oxides, alkali metal halides, alkaline earth halides, and rare earth halides. , SiO _X , AlO _X , SiN _X , SiON, AlON, GeO _X , LiO _X , LiON, TiO _X , TiON, TaO _X , TaON, TaN _X , C, etc. Various oxides, nitrides, oxide nitrides.

이들 중에서도 방열성의 개선의 점에서 LiF, Li₂O, MgF₂, CaF₂, NaF, SiO가 특히 바람직하다.Among these, LiF, Li ₂ O, MgF ₂ , CaF ₂ , NaF, and SiO are particularly preferred from the viewpoint of improving heat dissipation.

상기 무기 화합물층으로 이루어지는 부착 개선층을 형성하는 방법은 특별히 제한은 없고, 공지의 방법을 적용할 수 있고, 예를 들면 증착법, 스핀코트법, 캐스트법, LB법 등을 들 수 있다.The method of forming the adhesion-improving layer made of the inorganic compound layer is not particularly limited, and a known method can be applied, and examples thereof include a vapor deposition method, a spin coating method, a cast method, and an LB method.

상기 무기 화합물층의 두께는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 0.1㎚∼100㎚인 것이 바람직하고, 0.3㎚∼10㎚인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the inorganic compound layer is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose, but it is preferably 0.1 nm to 100 nm, and more preferably 0.3 nm to 10 nm.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 기타의 층으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 전자 주입층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층 등을 들 수 있다.In the organic electroluminescent device of the present invention, the other layers are not particularly limited, and may be appropriately selected according to the purpose, and examples thereof include an electron injection layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer. .

-전자 주입층--Electron injection layer-

상기 전자 주입층은 음극 또는 음극측으로부터 전자를 수취하여 양극측으로 수송하는 기능을 갖는 층이다.The electron injection layer is a layer having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side.

상기 전자 주입층은 1종 또는 2종 이상의 재료로 이루어지는 단층 구조이어도 좋고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 다층 구조이어도 좋다.The electron injection layer may have a single-layer structure made of one type or two or more types of materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers of the same composition or different composition.

상기 전자 주입층의 두께로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 0.1㎚∼200㎚인 것이 바람직하고, 0.2㎚∼100㎚인 것이 보다 바람직하고, 0.5㎚∼50㎚인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.2 nm to 100 nm, further preferably 0.5 nm to 50 nm. Do.

-정공 주입층, 정공 수송층--Hole injection layer, hole transport layer-

상기 정공 주입층 및 정공 수송층은 양극 또는 양극측으로부터 정공을 수취하여 음극측으로 수송하는 기능을 갖는 층이다. 상기 정공 주입층 및 정공 수송층은 단층 구조이어도 좋고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 다층 구조이어도 좋다.The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from an anode or an anode side and transporting them to the cathode side. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure, or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different composition.

이들 층에 사용되는 정공 주입 재료 또는 정공 수송 재료로서는 저분자 화합물이어도 고분자 화합물이어도 좋다.The hole injection material or hole transport material used in these layers may be a low molecular weight compound or a high molecular compound.

상기 정공 주입 재료 또는 정공 수송 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 피롤 유도체, 카르바졸 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체, 파라졸론 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루오레논 유도체, 히드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 제3급 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 디메틸리딘계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 포르피린계 화합물, 티오펜 유도체, 유기 실란 유도체, 카본 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The hole injection material or the hole transport material is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, pyrrole derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, poly Arylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, parazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic third A grade amine compound, a styrylamine compound, an aromatic dimethylidine compound, a phthalocyanine compound, a porphyrin compound, a thiophene derivative, an organic silane derivative, and carbon. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

상기 정공 주입층 및 정공 수송층에는 전자 수용성 도펀트를 함유시킬 수 있다.The hole injection layer and the hole transport layer may contain an electron accepting dopant.

상기 전자 수용성 도펀트로서는 전자 수용성이며 유기 화합물을 산화하는 성질을 가지면 무기 화합물이어도 유기 화합물이어도 사용할 수 있다.As the electron-accepting dopant, an inorganic compound or an organic compound may be used as long as it is electron-acceptable and has a property of oxidizing an organic compound.

상기 무기 화합물로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 염화제이철, 염화알루미늄, 염화갈륨, 염화인듐, 5염화안티몬 등의 할로겐화 금속; 5산화 바나듐, 3산화 몰리브덴 등의 금속 산화물 등을 들 수 있다.The inorganic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, and examples thereof include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride; And metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide.

상기 유기 화합물로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 치환기로서 니트로기, 할로겐, 시아노기, 트리플루오로메틸기 등을 갖는 화합물; 퀴논계 화합물, 산무수물계 화합물, 플러렌 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The organic compound is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose, and examples thereof include compounds having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group, and the like as a substituent; Quinone-based compounds, acid anhydride-based compounds, and fullerene are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

상기 전자 수용성 도펀트의 사용량으로서는 특별히 제한은 없고, 재료의 종류에 따라 다르지만, 정공 수송층 재료 또는 정공 주입 재료에 대하여 0.01질량%∼50질량%가 바람직하고, 0.05질량%∼30질량%가 보다 바람직하고, 0.1질량%∼30질량%가 더욱 바람직하다.The amount of the electron-accepting dopant used is not particularly limited, and varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass, more preferably 0.05% by mass to 30% by mass, based on the hole transport layer material or the hole injection material. , 0.1% by mass to 30% by mass is more preferable.

상기 정공 주입층 및 정공 수송층은 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 따라서 형성할 수 있지만, 예를 들면 증착법, 스퍼터법 등의 건식 제막법, 습식 도포법, 전사법, 인쇄법, 잉크젯 방식 등에 의해 바람직하게 형성할 수 있다.The hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, and can be formed according to known methods, for example, by a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an inkjet method, etc. It can be formed preferably.

*상기 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께로서는 1㎚∼500㎚가 바람직하고, 5㎚∼250㎚가 보다 바람직하고, 10㎚∼200㎚가 더욱 바람직하다.* The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 250 nm, and even more preferably 10 nm to 200 nm.

*-전자 블록층-*-Electronic block layer-

상기 전자 블록층은 음극측으로부터 발광층으로 수송된 전자가 양극측으로 빠져 나가는 것을 방지하는 기능을 갖는 층이며, 통상 발광층과 양극측에서 인접하는 유기 화합물층으로서 형성된다.The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light-emitting layer to escape to the anode side, and is usually formed as an organic compound layer adjacent to the light-emitting layer and the anode side.

상기 전자 블록층을 구성하는 화합물로서는, 예를 들면 상술의 정공 수송 재료로서 열거한 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 전자 블록층은 상술한 재료의 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 단층 구조이어도 좋고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수층으로 이루어지는 다층 구조이어도 좋다.As the compound constituting the electron blocking layer, for example, those listed as the above-described hole transport materials can be used. In addition, the electron block layer may be a single-layer structure composed of one type or two or more types of the above-described materials, or may be a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different composition.

상기 전자 블록층은 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 따라서 형성할 수 있지만, 예를 들면 증착법, 스퍼터법 등의 건식 제막법, 습식 도포법, 전사법, 인쇄법, 잉크젯 방식 등에 의해 바람직하게 형성할 수 있다.The electronic block layer is not particularly limited and can be formed according to a known method, but is preferably formed by a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an inkjet method, etc. can do.

상기 전자 블록층의 두께로서는 1㎚∼200㎚가 바람직하고, 1㎚∼50㎚가 보다 바람직하고, 3㎚∼10㎚가 더욱 바람직하다.The thickness of the electron block layer is preferably 1 nm to 200 nm, more preferably 1 nm to 50 nm, and still more preferably 3 nm to 10 nm.

<기판><Substrate>

*본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성되어 있는 것이 바람직하고, 전극과 기판이 직접 접하는 형태로 형성되어 있어도 좋고, 중간층을 개재하는 형태로 형성되어 있어도 좋다.* The organic electroluminescent device of the present invention is preferably formed on a substrate, may be formed in a form in which the electrode and the substrate are in direct contact, or may be formed in a form with an intermediate layer interposed therebetween.

상기 기판의 재료로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ), 유리(무알칼리 유리, 소다라임 유리 등) 등의 무기 재료; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리시클로올레핀, 노르보르넨 수지, 폴리(클로로트리플루오로에틸렌) 등의 유기 재료 등을 들 수 있다.The material of the substrate is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the purpose, and examples thereof include inorganic materials such as yttria stabilized zirconia (YSZ) and glass (alkali-free glass, soda-lime glass, etc.); Polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate; And organic materials such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly(chlorotrifluoroethylene).

상기 기판의 형상, 구조, 크기 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 발광 소자의 용도, 목적 등에 따라서 적당히 선택할 수 있다. 일반적으로는 기판의 형상으로서는 판상인 것이 바람직하다. 기판의 구조로서는 단층 구조이어도 좋고, 적층 구조이어도 좋고, 또한, 단일 부재로 형성되어 있어도 좋고, 2개 이상의 부재로 형성되어 있어도 좋다. 기판은 투명이어도 불투명이어도 좋고, 투명할 경우에는 무색 투명이어도 유색투명이어도 좋다.There is no particular limitation on the shape, structure, size, etc. of the substrate, and may be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting device. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single-layer structure, a laminated structure, or may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. The substrate may be transparent or opaque, and when it is transparent, it may be colorless or transparent or colored and transparent.

상기 기판에는 그 표면 또는 이면에 투습 방지층(가스 배리어층)을 형성할 수 있다. On the substrate, a moisture permeation prevention layer (gas barrier layer) may be formed on the surface or the rear surface thereof.

상기 투습 방지층(가스 배리어층)의 재료로서는, 예를 들면 질화규소, 산화규소 등의 무기물 등을 들 수 있다.Examples of the material for the moisture permeation prevention layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.

상기 투습 방지층(가스 배리어층)은, 예를 들면 고주파 스퍼터링법 등에 의해 형성할 수 있다.The moisture permeation prevention layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high-frequency sputtering method.

*-기타의 구성-*-Other configuration-

상기 기타의 구성으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 보호층, 밀봉 용기, 수지 밀봉층, 밀봉 접착제 등을 들 수 있다.There is no restriction|limiting in particular as said other structure, According to the objective, it can select suitably, For example, a protective layer, a sealing container, a resin sealing layer, a sealing adhesive, etc. are mentioned.

상기 보호층, 상기 밀봉 용기, 상기 수지 밀봉층, 상기 밀봉 접착제 등의 내용으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 2009-152572호 공보 등에 기재된 사항을 적용할 수 있다.The contents of the protective layer, the sealing container, the resin sealing layer, the sealing adhesive, and the like are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the matters described in Japanese Patent Laid-Open No. 2009-152572 can be applied. I can.

-구동--Driving-

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 양극과 음극 사이에 직류(필요에 따라 교류 성분을 포함해도 좋다) 전압(통상 2볼트∼15볼트), 또는 직류 전류를 인가함으로써 발광을 얻을 수 있다.The organic electroluminescent device of the present invention can emit light by applying a direct current (alternating current component may be included if necessary) voltage (usually 2 volts to 15 volts) or direct current between the anode and the cathode.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 액티브 매트릭스에 적용할 수 있다. 박막 트랜지스터의 활성층으로서 어모퍼스 실리콘, 고온 폴리실리콘, 저온 폴리실리콘, 미결정 실리콘, 산화물 반도체, 유기 반도체, 카본나노튜브 등을 적용할 수 있다.The organic electroluminescent device of the present invention can be applied to an active matrix using a thin film transistor (TFT). As the active layer of the thin film transistor, amorphous silicon, high-temperature polysilicon, low-temperature polysilicon, microcrystalline silicon, oxide semiconductors, organic semiconductors, carbon nanotubes, and the like can be applied.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는, 예를 들면 국제공개 2005/088726호 팜플렛, 일본 특허 공개 2006-165529호 공보, 미국 특허 출원 공개 2008/0237598호 명세서 등에 기재된 박막 트랜지스터를 적용할 수 있다.As the organic electroluminescent device of the present invention, for example, the thin film transistor described in International Publication No. 2005/088726, Japanese Patent Publication No. 2006-165529, and US Patent Application Publication No. 2008/0237598 can be applied.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 특별히 제한은 없고, 각종 공지의 연구에 의해 광인출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 기판 표면 형상을 가공하는(예를 들면 미세한 요철 패턴을 형성하는) 것, 기판, ITO층, 유기층의 굴절율을 제어하는 것, 기판, ITO층, 유기층의 두께를 제어하는 것 등에 의해 광의 인출 효율을 향상시키고, 외부 양자 효율을 향상시키는 것이 가능하다.The organic electroluminescent device of the present invention is not particularly limited, and light extraction efficiency can be improved through various known studies. For example, by processing the surface shape of the substrate (for example, forming a fine uneven pattern), controlling the refractive index of the substrate, ITO layer, and organic layer, controlling the thickness of the substrate, ITO layer, and organic layer, etc. It is possible to improve the light extraction efficiency and improve the external quantum efficiency.

본 발명의 유기 전계 발광 소자로부터의 광인출 방식은 탑 이미션 방식이어도 보텀 이미션 방식이어도 좋다.The method of extracting light from the organic electroluminescent device of the present invention may be a top emission method or a bottom emission method.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 공진기 구조를 가져도 좋다. 예를 들면, 제 1 형태에서는 투명 기판 상에 굴절율이 다른 복수의 적층막으로 이루어지는 다층막 미러, 투명 또는 반투명 전극, 발광층, 및 금속 전극을 겹쳐서 갖는다. 발광층에서 생긴 광은 다층막 미러와 금속 전극을 반사판으로 해서 그 사이에서 반사를 반복하여 공진한다.The organic electroluminescent device of the present invention may have a resonator structure. For example, in the first aspect, a multilayer mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indices, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are stacked on a transparent substrate. The light generated from the light emitting layer resonates by repeatedly reflecting between the multilayer mirror and the metal electrode as a reflecting plate.

제 2 형태에서는 투명 기판 상에 투명 또는 반투명 전극과 금속 전극이 각각 반사판으로서 기능하고, 발광층에서 생긴 광은 그 사이에서 반사를 반복해서 공진한다.In the second aspect, a transparent or semi-transparent electrode and a metal electrode each function as a reflecting plate on a transparent substrate, and light generated from the light emitting layer resonates repeatedly through reflection therebetween.

공진 구조를 형성하기 위해서는 2개의 반사판의 유효 굴절율, 반사판간의 각 층의 굴절율과 두께로 결정되는 광로길이가 소망의 공진파장을 얻는데에 최적인 값이 되도록 조정된다.In order to form a resonant structure, the optical path length determined by the effective refractive indices of the two reflecting plates and the refractive indices and thickness of each layer between the reflecting plates are adjusted to be an optimum value for obtaining the desired resonant wavelength.

상기 제 1 형태의 경우의 계산식은 일본 특허 공개 평 9-180883호 공보에 기재되어 있다.The calculation formula in the case of the first aspect is described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 9-180883.

상기 제 2 형태의 경우의 계산식은 일본 특허 공개 2004-127795호 공보에 기재되어 있다.The calculation formula in the case of the second aspect is described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-127795.

-용도--Usage-

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 표시 소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명 광원, 기록 광원, 노광 광원, 판독 광원, 표식, 간판, 인테리어, 광통신 등에 바람직하게 이용할 수 있다.The organic electroluminescent device of the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose, but display devices, displays, backlights, electrophotographic, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, read light sources, signs, signboards, interiors, optical communication And the like can be preferably used.

상기 유기 전계 발광 디스플레이를 풀컬러 타입의 것으로 하는 방법으로서는, 예를 들면 「월간 디스플레이」, 2000년 9월호, 33∼37페이지에 기재되어 있는 바와 같이 색의 3원색(청색(B), 녹색(G), 적색(R))에 대응하는 광을 각각 발광하는 유기 전계 발광 소자를 기판 상에 배치하는 3색 발광법, 백색 발광용 유기 전계 발광 소자에 의한 백색 발광을 컬러 필터를 통해 3원색으로 나누는 백색법, 청색 발광용 유기 전계 발광 소자에 의한 청색 발광을 형광 색소층을 통해 적색(R) 및 녹색(G)으로 변환하는 색 변환법 등이 알려져 있다.As a method of making the organic electroluminescent display a full-color type, for example, as described in ``Monthly Display'', September 2000 issue, pages 33 to 37, the three primary colors of the color (blue (B), green ( G), a three-color emission method in which an organic electroluminescent element that emits light corresponding to red (R)) is disposed on a substrate, and white light emitted by an organic electroluminescent element for white light is converted into three primary colors through a color filter. A white method for dividing, and a color conversion method for converting blue light emission by an organic electroluminescent device for blue light emission into red (R) and green (G) through a fluorescent dye layer are known.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples at all.

이하의 실시예에 있어서 제 1 전자 수송층, 제 2 전자 수송층의 평균 두께는 촉침식 표면형상 측정기에 의해 3개소 측정한 평균값인 평균 두께이다.In the following examples, the average thickness of the first electron transport layer and the second electron transport layer is an average thickness measured at three locations by a stylus type surface shape measuring device.

(비교예 A1)(Comparative Example A1)

-유기 전계 발광 소자의 제작--Fabrication of organic electroluminescent device-

두께 0.5mm, 2.5cm×2.5cm의 유리 기판 상에 양극으로서 ITO(Indium Tin Oxide)를 두께가 70㎚가 되도록 스퍼터법에 의해 형성했다. 이어서, 이 ITO가 형성된 유리 기판을 세정 용기에 넣어 2-프로판올 중에서 초음파 세정한 후, 30분간 UV-오존 처리를 행했다. ITO (Indium Tin Oxide) was formed as an anode on a glass substrate having a thickness of 0.5 mm and 2.5 cm x 2.5 cm by sputtering so that the thickness became 70 nm. Subsequently, the glass substrate on which the ITO was formed was placed in a cleaning container and ultrasonically cleaned in 2-propanol, followed by UV-ozone treatment for 30 minutes.

이어서, ITO가 형성된 유리 기판 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 2-TNATA(4,4'，4"-트리스(2-나프틸페닐아미노)트리페닐아민)에 1질량%의 하기 구조식으로 나타내어지는 F4TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)을 도프하고, 진공 증착법에 의해 두께 45㎚의 정공 주입층(HIL)을 형성했다.Subsequently, F4TCNQ represented by the following structural formula of 1% by mass in 2-TNATA (4,4', 4"-tris(2-naphthylphenylamino)triphenylamine) represented by the following structural formula on the ITO-formed glass substrate (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) was doped, and a hole injection layer (HIL) having a thickness of 45 nm was formed by vacuum evaporation.

이어서, 정공 주입층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 NPD를 두께가 10㎚가 되도록 증착하고, 정공 수송층(HTL)을 형성했다.Subsequently, NPD represented by the following structural formula was deposited on the hole injection layer to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer (HTL).

이어서, 정공 수송층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-1을 호스트, 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-1을 발광 재료로 하는 발광층을 형성했다.Next, on the hole transport layer, a light-emitting layer was formed using compound H-1 represented by the following structural formula as a host and compound D-1 represented by the following structural formula as a light-emitting material.

구체적으로는 발광 재료가 되는 화합물 D-1과 호스트가 되는 화합물 H-1을 증착 장치가 다른 증착원에 설치했다. 그리고, 쌍방의 보트를 가열하고, 화합물 D-1을 설치한 측의 셔터의 개폐를 적당히 스위칭하고, 2개의 발광 재료 도프층 및 2개의 발광 재료 비도프층을 적층했다. 즉, 양극측으로부터 제 1 발광 재료 비도프층과, 제 1 발광 재료 도프층과, 제 2 발광 재료 비도프층과, 제 2 발광 재료 도프층을 이 순서대로 적층했다. Specifically, compound D-1 serving as a light emitting material and compound H-1 serving as a host were installed in different evaporation sources with different evaporation devices. Then, both boats were heated, the opening and closing of the shutter on the side on which the compound D-1 was installed was appropriately switched, and two light-emitting material dope layers and two light-emitting material undoped layers were laminated. That is, from the anode side, a first luminescent material undoped layer, a first luminescent material dope layer, a second luminescent material undoped layer, and a second luminescent material dope layer were stacked in this order.

이 때, 셔터의 개방 및 폐쇄의 시간 설정에 의해 2개의 발광 재료 도프층의 두께는 각각 7.5㎚, 2개의 발광 재료 비도프층의 두께는 각각 7.5㎚가 되도록 조정했다. 발광층 전체의 두께는 30㎚였다. 또한, 발광 재료 도프층에 있어서의 발광 재료가 되는 화합물 D-1의 농도는 30질량%로 했다.At this time, by setting the time of opening and closing of the shutter, the thickness of the two light-emitting material dope layers was adjusted to be 7.5 nm, and the thickness of the two light-emitting material undoped layers was respectively 7.5 nm. The thickness of the entire light emitting layer was 30 nm. In addition, the concentration of the compound D-1 serving as the light-emitting material in the doped layer of the light-emitting material was 30% by mass.

이어서, 발광층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 35㎚가 되도록 증착해서 전자 수송층을 형성했다.Then, compound E-1 represented by the following structural formula was deposited on the light emitting layer so that the average thickness was 35 nm to form an electron transport layer.

이어서, 전자 수송층 상에 SiO를 두께가 1㎚가 되도록 증착해서 부착 개선층을 형성했다.Subsequently, SiO was vapor-deposited on the electron transport layer so that the thickness became 1 nm to form an adhesion-improving layer.

이어서, 부착 개선층 상에 패터닝한 마스크(발광 영역이 2mm×2mm가 되는 마스크)를 설치하고, 금속 알루미늄(Al)을 두께 70㎚가 되도록 증착해서 음극을 형성했다.Next, a patterned mask (a mask having a light emitting area of 2 mm x 2 mm) was provided on the adhesion improvement layer, and metallic aluminum (Al) was deposited to a thickness of 70 nm to form a cathode.

이상에 의해 제작한 적층체를 아르곤 가스로 치환한 글러브 박스 내에 넣고, 스테인레스제의 밀봉캔, 건조제(HD-S-071205-40, 다이닉 가부시키가이샤제) 및 자외선 경화형 접착제(XNR5516HV, 나가세치바 가부시키가이샤제)를 사용해서 밀봉했다. 이상에 의해 비교예 A1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.Put the laminate produced above into a glove box substituted with argon gas, and a sealed can made of stainless steel, a desiccant (HD-S-071205-40, manufactured by Dynik Co., Ltd.), and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, Nagase Chiba). It was sealed using (manufactured by Co., Ltd.). As described above, the organic electroluminescent device of Comparative Example A1 was produced.

(비교예 A2)(Comparative Example A2)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 A2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example A2 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

-제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층의 제작--Fabrication of the first electron transport layer and the second electron transport layer-

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.6질량%의 Li를 도프하고, 평균 두께가 25㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.6% by mass of Li as a reducing dopant, and vapor-deposited to have an average thickness of 25 nm to form a second electron transport layer.

(비교예 A3)(Comparative Example A3)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 A3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example A3 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.8질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 25㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.8% by mass of K as a reducing dopant, and vapor-deposited to have an average thickness of 25 nm to form a second electron transport layer.

(비교예 A4)(Comparative Example A4)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾸고, 부착 개선층으로서의 SiO를 형성하지 않은 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 A4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The organic electric field of Comparative Example A4 in the same manner as Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows, and SiO as the adhesion improvement layer was not formed. A light-emitting element was produced.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 25㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 25 nm to form a second electron transporting layer. did.

(비교예 A5)(Comparative Example A5)

비교예 A1에 있어서 발광층을 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-1에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-1을 15질량% 도프한 발광층(두께:30㎚)으로 바꾸고, 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 A5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example A1, the light-emitting layer was replaced with a light-emitting layer (thickness: 30 nm) doped with 15 mass% of compound H-1 represented by the structural formula and compound D-1 represented by the structural formula (thickness: 30 nm), and the electron transport layer was prepared as follows. An organic electroluminescent device of Comparative Example A5 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the first electron transport layer and the second electron transport layer were replaced.

이어서, 비교예 A1에 있어서 제 1 전자 수송층의 평균 두께 및 제 2 전자 수송층의 평균 두께를 변화시킨 예를 이하의 비교예 A6 및 실시예 A1∼A7에 나타낸다.Next, examples in which the average thickness of the first electron transport layer and the average thickness of the second electron transport layer were changed in Comparative Example A1 are shown in Comparative Example A6 and Examples A1 to A7 below.

(비교예 A6)(Comparative Example A6)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 A6의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example A6 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was replaced with the electron transport layer prepared as follows.

-전자 수송층의 제작--Fabrication of electron transport layer-

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 35㎚가 되도록 증착해서 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, followed by evaporation so as to have an average thickness of 35 nm to form an electron transport layer.

(실시예 A1)(Example A1)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example A1 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 2㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 33㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 2 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 33 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 A2)(Example A2)

*비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.* An organic electroluminescent device of Example A2 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 4㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 31㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 4 nm to form a first electron transport layer. On the first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 31 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 A3)(Example A3)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example A3 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 7㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 28㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 7 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 28 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 A4)(Example A4)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example A4 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

(실시예 A5)(Example A5)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example A5 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 13㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 22㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 13 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 22 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 A6)(Example A6)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A6의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example A6 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 16㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 19㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 16 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 19 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 A7)(Example A7)

비교예 A1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 실시예 A7의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The organic electroluminescent device of Example A7 was produced in the same manner as in Comparative Example A1 except that the electron transport layer in Comparative Example A1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 20㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 15㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 20 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 15 nm to form a second electron transporting layer. did.

(비교예 B1)(Comparative Example B1)

비교예 A1에 있어서 발광층을 이하와 같이 해서 제작한 발광층으로 바꾸고, 전자 수송층의 평균 두께를 40㎚로 바꾸고, 부착 개선층으로서 MgF₂를 두께가 1㎚가 되도록 증착한 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 B1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The same as in Comparative Example A1 except that the light emitting layer in Comparative Example A1 was changed to the light emitting layer prepared as follows, the average thickness of the electron transport layer was changed to 40 nm, and MgF _{2 was deposited as an adhesion improvement layer to a thickness of 1 nm.} Thus, an organic electroluminescent device of Comparative Example B1 was produced.

-발광층의 제작--Manufacturing of light-emitting layer-

정공 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-1을 호스트, 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-2를 발광 재료로 하는 발광층을 형성했다. On the hole transport layer, a light-emitting layer was formed using compound H-1 represented by the above structural formula as a host and compound D-2 represented by the following structural formula as a light-emitting material.

구체적으로는 발광 재료가 되는 화합물 D-2와 호스트가 되는 화합물 H-1을 증착 장치가 다른 증착원에 설치했다. 그리고, 쌍방의 보트를 가열하고, 화합물 D-2를 설치한 측의 셔터의 개폐를 적당히 스위칭하고, 2개의 발광 재료 도프층 및 2개의 발광 재료 비도프층을 적층했다. 즉, 양극측으로부터 제 1 발광 재료 비도프층과, 제 1 발광 재료 도프층과, 제 2 발광 재료 비도프층과, 제 2 발광 재료 도프층을 이 순서대로 적층했다.Specifically, compound D-2 as a light emitting material and compound H-1 as a host were installed in different evaporation sources with different evaporation apparatuses. Then, both boats were heated, the opening and closing of the shutter on the side on which the compound D-2 was installed was suitably switched, and two light-emitting material dope layers and two light-emitting material undoped layers were laminated. That is, from the anode side, a first luminescent material undoped layer, a first luminescent material dope layer, a second luminescent material undoped layer, and a second luminescent material dope layer were stacked in this order.

이 때, 셔터의 개방 및 폐쇄의 시간 설정에 의해 2개의 발광 재료 도프층의 두께는 각각 7.5㎚, 2개의 발광 재료 비도프층의 두께는 각각 7.5㎚가 되도록 조정했다. 발광층 전체의 두께는 30㎚였다. 또한, 발광 재료 도프층에 있어서의 발광 재료가 되는 화합물 D-2의 농도는 30질량%로 했다.At this time, by setting the time of opening and closing of the shutter, the thickness of the two light-emitting material dope layers was adjusted to be 7.5 nm, and the thickness of the two light-emitting material undoped layers was respectively 7.5 nm. The thickness of the entire light emitting layer was 30 nm. In addition, the concentration of the compound D-2 serving as the light-emitting material in the light-emitting material doped layer was 30% by mass.

(비교예 B2)(Comparative Example B2)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 비교예 B2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example B2 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.6질량%의 Li를 도프하고, 평균 두께가 30㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.6% by mass of Li as a reducing dopant, and vapor-deposited to have an average thickness of 30 nm to form a second electron transport layer.

(비교예 B3)(Comparative Example B3)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 비교예 B3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example B3 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.8질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 30㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.8% by mass of K as a reducing dopant, and vapor-deposited to have an average thickness of 30 nm to form a second electron transport layer.

(비교예 B4)(Comparative Example B4)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾸고, 부착 개선층으로서의 MgF₂를 형성하지 않은 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 비교예 B4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example B1, the electron transport layer was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows, _{except that MgF 2} as the adhesion improvement layer was not formed, and the organic composition of Comparative Example B4 was carried out in the same manner as in Comparative Example B1. An electroluminescent device was produced.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 30㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 30 nm to form a second electron transporting layer. did.

(비교예 B5)(Comparative Example B5)

비교예 B1에 있어서 발광층을 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-1에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-2를 15질량% 도프한 발광층(두께:30㎚)으로 바꾸고, 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 비교예 B5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example B1, the light-emitting layer was changed to a light-emitting layer (thickness: 30 nm) doped with 15 mass% of compound H-1 represented by the structural formula and compound D-2 represented by the structural formula (thickness: 30 nm), and the electron transport layer was prepared as follows. An organic electroluminescent device of Comparative Example B5 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the first electron transport layer and the second electron transport layer were replaced.

이어서, 비교예 B1에 있어서 제 1 전자 수송층의 평균 두께 및 제 2 전자 수송층의 평균 두께를 변화시킨 예를 이하의 비교예 B6 및 실시예 B1∼B7에 나타낸다.Next, examples in which the average thickness of the first electron transport layer and the average thickness of the second electron transport layer are changed in Comparative Example B1 are shown in Comparative Examples B6 and B1 to B7 below.

(비교예 B6)(Comparative Example B6)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 비교예 B6의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example B6 was produced in the same manner as in Comparative Example B1, except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the electron transport layer prepared as follows.

-전자 수송층의 제작--Fabrication of electron transport layer-

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 40㎚가 되도록 증착해서 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, followed by vapor deposition to form an electron transporting layer with an average thickness of 40 nm.

(실시예 B1)(Example B1)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example B1 was produced in the same manner as in Comparative Example B1, except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 2㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 38㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 2 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 38 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 B2)(Example B2)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example B2 was produced in the same manner as in Comparative Example B1, except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 4㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 36㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 4 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 36 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 B3)(Example B3)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example B3 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 7㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 33㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 7 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 33 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 B4)(Example B4)

*비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.* The organic electroluminescent device of Example B4 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

(실시예 B5)(Example B5)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example B5 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 13㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 27㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 13 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 27 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 B6)(Example B6)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B6의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example B6 was produced in the same manner as in Comparative Example B1 except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 16㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 24㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 16 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 24 nm to form a second electron transporting layer. did.

(실시예 B7)(Example B7)

비교예 B1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 B1과 동일하게 해서 실시예 B7의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The organic electroluminescent device of Example B7 was produced in the same manner as in Comparative Example B1, except that the electron transport layer in Comparative Example B1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 20㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li 및 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 20㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 20 nm to form a first electron transport layer. On the first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass Li and 0.4% by mass K as a reducing dopant, and deposited so that the average thickness is 20 nm to form a second electron transport layer. did.

(비교예 C1)(Comparative Example C1)

비교예 A1에 있어서 발광층을 이하와 같이 해서 제작한 발광층으로 바꾸고, 전자 수송층의 평균 두께를 50㎚로 바꾸고, 부착 개선층으로서 Li₂O를 두께가 1㎚가 되도록 증착한 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 C1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.Comparative Example A1 and Comparative Example A1 except that the light-emitting layer in Comparative Example A1 was changed to a light-emitting layer prepared as follows, the average thickness of the electron transport layer was changed to 50 nm, and Li ₂ O was deposited as an adhesion improvement layer to a thickness of 1 nm. In the same manner, an organic electroluminescent device of Comparative Example C1 was produced.

-발광층의 제작--Manufacturing of light-emitting layer-

정공 수송층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-2를 호스트, 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-3을 발광 재료로 하는 발광층을 형성했다. On the hole transport layer, a light-emitting layer was formed using compound H-2 represented by the following structural formula as a host and compound D-3 represented by the following structural formula as a light-emitting material.

구체적으로는 발광 재료가 되는 화합물 D-3과 호스트가 되는 화합물 H-2를 증착 장치가 다른 증착원에 설치했다. 그리고, 쌍방의 보트를 가열하고, 화합물 D-3을 설치한 측의 셔터의 개폐를 적당히 스위칭하고, 2개의 발광 재료 도프층 및 2개의 발광 재료 비도프층을 적층했다. 즉, 양극측으로부터 제 1 발광 재료 비도프층과, 제 1 발광 재료 도프층과, 제 2 발광 재료 비도프층과, 제 2 발광 재료 도프층을 이 순서대로 적층했다. Specifically, Compound D-3 as a light-emitting material and Compound H-2 as a host were installed in different evaporation sources with different evaporation apparatuses. Then, both boats were heated, the opening and closing of the shutter on the side on which the compound D-3 was installed was suitably switched, and two light-emitting material dope layers and two light-emitting material undoped layers were laminated. That is, from the anode side, a first luminescent material undoped layer, a first luminescent material dope layer, a second luminescent material undoped layer, and a second luminescent material dope layer were stacked in this order.

이 때, 셔터의 개방 및 폐쇄의 시간 설정에 의해 2개의 발광 재료 도프층의 두께는 각각 7.5㎚, 2개의 발광 재료 비도프층의 두께는 각각 7.5㎚가 되도록 조정했다. 발광층 전체의 두께는 30㎚였다. 또한, 발광 재료 도프층에 있어서의 발광 재료가 되는 화합물 D-3의 농도는 1질량%로 했다.At this time, by setting the time of opening and closing of the shutter, the thickness of the two light-emitting material dope layers was adjusted to be 7.5 nm, and the thickness of the two light-emitting material undoped layers was respectively 7.5 nm. The thickness of the entire light emitting layer was 30 nm. In addition, the concentration of compound D-3 serving as a light-emitting material in the light-emitting material dope layer was 1% by mass.

(비교예 C2)(Comparative Example C2)

비교예 C1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 C1과 동일하게 해서 비교예 C2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example C2 was produced in the same manner as in Comparative Example C1 except that the electron transport layer in Comparative Example C1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.6질량%의 Li를 도프하고, 평균 두께가 40㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula was doped with 0.6% by mass of Li as a reducing dopant, and vapor-deposited to have an average thickness of 40 nm to form a second electron transport layer.

(비교예 C3)(Comparative Example C3)

비교예 C1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 C1과 동일하게 해서 비교예 C3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example C3 was produced in the same manner as in Comparative Example C1 except that the electron transport layer in Comparative Example C1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 1질량%의 Cs를 도프하고, 평균 두께가 40㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, a second electron transport layer was formed by doping compound E-1 represented by the above structural formula with 1% by mass of Cs as a reducing dopant, and evaporating to have an average thickness of 40 nm.

(비교예 C4)(Comparative Example C4)

비교예 C1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾸고, 부착 개선층으로서의 Li₂O를 형성하지 않은 이외는 비교예 C1과 동일하게 해서 비교예 C4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example C1, the electron transport layer was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows, _{except that Li 2} O as the adhesion improvement layer was not formed, in the same manner as in Comparative Example C1. An organic electroluminescent device was produced.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li와 0.5질량%의 Cs를 도프하고, 평균 두께가 40㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.5% by mass of Cs as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 40 nm to form a second electron transporting layer. did.

(비교예 C5)(Comparative Example C5)

비교예 C1에 있어서 발광층을 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-2에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-3을 0.5질량% 도프한 발광층(두께:30㎚)으로 바꾸고, 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 C1과 동일하게 해서 비교예 C5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example C1, the light-emitting layer was changed to a light-emitting layer (thickness: 30 nm) doped with 0.5 mass% of compound H-2 represented by the structural formula and compound D-3 represented by the structural formula (thickness: 30 nm), and the electron transport layer was prepared as follows. An organic electroluminescent device of Comparative Example C5 was produced in the same manner as in Comparative Example C1 except that the first electron transport layer and the second electron transport layer were replaced.

(실시예 C1)(Example C1)

비교예 C1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 C1과 동일하게 해서 실시예 C1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example C1 was produced in the same manner as in Comparative Example C1, except that the electron transport layer in Comparative Example C1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

(비교예 D1)(Comparative Example D1)

비교예 A1에 있어서 발광층을 이하와 같이 해서 제작한 발광층으로 바꾼 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 D1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example D1 was produced in the same manner as in Comparative Example A1, except that the light-emitting layer in Comparative Example A1 was replaced with the light-emitting layer prepared as follows.

-발광층의 제작--Manufacturing of light-emitting layer-

정공 수송층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-3을 호스트, 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-3 또는 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-4를 발광 재료로 하는 발광층을 형성했다. On the hole transport layer, a light-emitting layer was formed using a compound H-3 represented by the following structural formula as a host, and a compound D-3 represented by the above structural formula or a compound D-4 represented by the following structural formula as a light emitting material.

구체적으로는 발광 재료가 되는 화합물 D-3 또는 화합물 D-4와 호스트가 되는 화합물 H-3을 증착 장치가 다른 증착원에 설치했다. 그리고, 쌍방의 보트를 가열하고, 화합물 D-3 또는 D-4를 설치한 측의 셔터의 개폐를 적당히 스위칭하고, 2개의 발광 재료 도프층 및 2개의 발광 재료 비도프층을 적층했다. 즉, 양극측으로부터 제 1 발광 재료 비도프층과, 제 1 발광 재료 도프층과, 제 2 발광 재료 비도프층과, 제 2 발광 재료 도프층을 이 순서대로 적층했다.Specifically, Compound D-3 or Compound D-4 as a light-emitting material and Compound H-3 as a host were installed in different evaporation sources with different evaporation apparatuses. Then, both boats were heated, the opening and closing of the shutter on the side on which the compound D-3 or D-4 was provided was suitably switched, and two dope layers of a light-emitting material and two undoped layers of a light-emitting material were laminated. That is, from the anode side, a first luminescent material undoped layer, a first luminescent material dope layer, a second luminescent material undoped layer, and a second luminescent material dope layer were stacked in this order.

이 때, 셔터의 개방 및 폐쇄의 시간 설정에 의해 2개의 발광 재료 도프층의 두께는 각각 7.5㎚, 2개의 발광 재료 비도프층의 두께는 각각 7.5㎚가 되도록 조정했다. 발광층 전체의 두께는 30㎚이다. 또한, 발광 재료 도프층에 있어서의 발광 재료가 되는 화합물 D-3 및 D-4의 농도는 각각 10질량%로 했다.At this time, by setting the time of opening and closing of the shutter, the thickness of the two light-emitting material dope layers was adjusted to be 7.5 nm, and the thickness of the two light-emitting material undoped layers was respectively 7.5 nm. The thickness of the entire light emitting layer is 30 nm. In addition, the concentrations of compounds D-3 and D-4 serving as light-emitting materials in the light-emitting material doped layer were 10% by mass, respectively.

(비교예 D2)(Comparative Example D2)

비교예 D1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 D1과 동일하게 해서 비교예 D2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example D2 was produced in the same manner as Comparative Example D1 except that the electron transport layer in Comparative Example D1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

(비교예 D3)(Comparative Example D3)

**

*-유기 전계 발광 소자의 제작-*- Fabrication of organic electroluminescent devices-

비교예 D1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 D1과 동일하게 해서 비교예 D3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example D3 was produced in the same manner as in Comparative Example D1 except that the electron transport layer in Comparative Example D1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

(비교예 D4)(Comparative Example D4)

비교예 D1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾸고, 부착 개선층으로서의 SiO를 형성하지 않은 이외는 비교예 D1과 동일하게 해서 비교예 D4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The organic electric field of Comparative Example D4 in the same manner as Comparative Example D1 except that the electron transport layer in Comparative Example D1 was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows, and SiO as the adhesion improvement layer was not formed. A light-emitting element was produced.

상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1을 평균 두께가 10㎚가 되도록 증착해서 제 1 전자 수송층을 형성했다. 이 제 1 전자 수송층 상에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 E-1에 환원성 도펀트로서 0.3질량%의 Li와 0.4질량%의 K를 도프하고, 평균 두께가 25㎚가 되도록 증착해서 제 2 전자 수송층을 형성했다.Compound E-1 represented by the above structural formula was vapor-deposited to have an average thickness of 10 nm to form a first electron transport layer. On this first electron transport layer, compound E-1 represented by the above structural formula is doped with 0.3% by mass of Li and 0.4% by mass of K as a reducing dopant, and deposited to have an average thickness of 25 nm to form a second electron transporting layer. did.

(비교예 D5)(Comparative Example D5)

비교예 D1에 있어서 발광층을 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-3에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-4를 5질량% 도프한 발광층(두께:30㎚)으로 바꾸고, 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 D1과 동일하게 해서 비교예 D5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example D1, the light-emitting layer was replaced with a light-emitting layer (thickness: 30 nm) doped with 5 mass% of compound H-3 represented by the structural formula and compound D-4 represented by the structural formula (thickness: 30 nm), and the electron transport layer was prepared as follows. An organic electroluminescent device of Comparative Example D5 was produced in the same manner as in Comparative Example D1, except that the first electron transport layer and the second electron transport layer were replaced.

*(실시예 D1)* (Example D1)

비교예 D1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 D1과 동일하게 해서 실시예 D1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example D1 was produced in the same manner as in Comparative Example D1, except that the electron transport layer in Comparative Example D1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer prepared as follows.

(비교예 E1)(Comparative Example E1)

비교예 A1에 있어서 발광층을 이하와 같이 해서 제작한 발광층으로 바꾸고, 전자 수송층의 평균 두께를 50㎚로 바꾸고, 부착 개선층으로서 MgF₂를 두께가 1㎚가 되도록 증착한 이외는 비교예 A1과 동일하게 해서 비교예 E1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.The same as in Comparative Example A1 except that the light-emitting layer in Comparative Example A1 was changed to the light-emitting layer prepared as follows, the average thickness of the electron transport layer was changed to 50 nm, and MgF _{2 was deposited as an adhesion improvement layer to a thickness of 1 nm.} Thus, an organic electroluminescent device of Comparative Example E1 was produced.

-발광층의 제작--Manufacturing of light-emitting layer-

정공 수송층 상에 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-4를 호스트, 하기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-5를 발광 재료로 하는 발광층을 형성했다.On the hole transport layer, a light-emitting layer was formed using compound H-4 represented by the following structural formula as a host and compound D-5 represented by the following structural formula as a light-emitting material.

구체적으로는 발광 재료가 되는 화합물 D-5와 호스트가 되는 화합물 H-4를 증착 장치가 다른 증착원에 설치했다. 그리고, 쌍방의 보트를 가열하고, 화합물 D-5를 설치한 측의 셔터의 개폐를 적당히 스위칭하고, 2개의 발광 재료 도프층 및 2개의 발광 재료 비도프층을 적층했다. 즉, 양극측으로부터 제 1 발광 재료 도프층과, 제 1 발광 재료 비도프층과, 제 2 발광 재료 도프층과, 제 2 발광 재료 비도프층을 이 순서대로 적층했다. Specifically, compound D-5 as a light-emitting material and compound H-4 as a host were installed in different evaporation sources with different evaporation devices. Then, both boats were heated, the opening and closing of the shutter on the side on which the compound D-5 was installed was suitably switched, and two light-emitting material dope layers and two light-emitting material undoped layers were laminated. That is, from the anode side, the first luminescent material dope layer, the first luminescent material undoped layer, the second luminescent material dope layer, and the second luminescent material undoped layer were stacked in this order.

이 때, 셔터의 개방 및 폐쇄의 시간 설정에 의해 2개의 발광 재료 도프층의 두께는 각각 7.5㎚, 2개의 발광 재료 비도프층의 두께는 각각 7.5㎚가 되도록 조정했다. 발광층 전체의 두께는 30㎚이다. 또한, 발광 재료 도프층에 있어서의 발광 재료가 되는 화합물 D-5의 농도는 10질량%로 했다.At this time, by setting the time of opening and closing of the shutter, the thickness of the two light-emitting material dope layers was adjusted to be 7.5 nm, and the thickness of the two light-emitting material undoped layers was respectively 7.5 nm. The thickness of the entire light emitting layer is 30 nm. In addition, the concentration of the compound D-5 serving as the light-emitting material in the light-emitting material dope layer was 10% by mass.

(비교예 E2)(Comparative Example E2)

비교예 E1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 E1과 동일하게 해서 비교예 E2의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example E2 was produced in the same manner as in Comparative Example E1 except that the electron transport layer in Comparative Example E1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

(비교예 E3)(Comparative Example E3)

비교예 E1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 E1과 동일하게 해서 비교예 E3의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Comparative Example E3 was produced in the same manner as in Comparative Example E1 except that the electron transport layer in Comparative Example E1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

(비교예 E4)(Comparative Example E4)

비교예 E1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾸고, 부착 개선층으로서의 MgF₂를 형성하지 않은 이외는 비교예 E1과 동일하게 해서 비교예 E4의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example E1, the electron transport layer was replaced with the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows, _{except that MgF 2} as the adhesion improvement layer was not formed, and the organic composition of Comparative Example E4 was carried out in the same manner as in Comparative Example E1. An electroluminescent device was produced.

(비교예 E5)(Comparative Example E5)

비교예 E1에 있어서 발광층을 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 H-4에 상기 구조식으로 나타내어지는 화합물 D-5를 5질량% 도프한 발광층(두께:30㎚)으로 바꾸고, 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 E1과 동일하게 해서 비교예 E5의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.In Comparative Example E1, the light-emitting layer was changed to a light-emitting layer (thickness: 30 nm) doped with 5 mass% of compound H-4 represented by the structural formula and compound D-5 represented by the structural formula (thickness: 30 nm), and the electron transport layer was prepared as follows. An organic electroluminescent device of Comparative Example E5 was produced in the same manner as in Comparative Example E1 except that the first electron transport layer and the second electron transport layer were replaced.

(실시예 E1)(Example E1)

비교예 E1에 있어서 전자 수송층을 이하와 같이 해서 제작한 제 1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층으로 바꾼 이외는 비교예 E1과 동일하게 해서 실시예 E1의 유기 전계 발광 소자를 제작했다.An organic electroluminescent device of Example E1 was produced in the same manner as in Comparative Example E1 except that the electron transport layer in Comparative Example E1 was changed to the first electron transport layer and the second electron transport layer produced as follows.

이어서, 하기 표 1∼표 7에 실시예 및 비교예의 유기 전계 발광 소자의 층구성에 대해서 정리해서 나타낸다. 또한, 표 1∼표 7중 ( )는 두께(㎚)를 나타낸다.Next, in Tables 1 to 7 below, the layer configurations of the organic electroluminescent elements of Examples and Comparative Examples are collectively shown. In addition, in Tables 1-7, () represents the thickness (nm).

(표 1-1)(Table 1-1)

(표 1-2)(Table 1-2)

(표 2-1)(Table 2-1)

(표 2-2)(Table 2-2)

(표 3-1)(Table 3-1)

(표 3-2)(Table 3-2)

(표 4-1)(Table 4-1)

(표 4-2)(Table 4-2)

(표 5-1)(Table 5-1)

(표 5-2)(Table 5-2)

**

*

*

(표 6-1)(Table 6-1)

(표 6-2)(Table 6-2)

(표 7-1)(Table 7-1)

(표 7-2)(Table 7-2)

이어서, 제작한 각 유기 전계 발광 소자에 대해서 이하와 같이 해서 300cd/㎡에 있어서의 발광 효율과 휘도 반감 시간, 3,000cd/㎡에 있어서의 발광 효율과 휘도 반감 시간, 및 3,000cd/㎡에 있어서의 소자의 표면 온도를 측정했다. 결과를 표 8∼표 14에 나타낸다.Next, for each of the fabricated organic electroluminescent devices, the luminous efficiency and luminance half-time at 300 cd/m2, luminous efficiency and luminance half-time at 3,000 cd/m2, and 3,000 cd/m2 were as follows. The surface temperature of the device was measured. The results are shown in Tables 8 to 14.

<발광 효율의 측정><Measurement of light emission efficiency>

300cd/㎡ 및 3,000cd/㎡에 있어서 일정 전류 밀도(10mA/㎠)로 구동한 소자의 발광 휘도를 분광 방사 휘도계(탑콘사제, SR-3)로 측정해서 전류 발광 효율(cd/A)을 구했다.Current luminous efficiency (cd/A) by measuring the luminance of a device driven at a constant current density (10mA/cm2) at 300cd/m2 and 3,000cd/m2 with a spectral emission luminance meter (manufactured by Topcon, SR-3). Saved.

<휘도 반감 시간의 측정><Measurement of luminance half time>

초기 휘도 300cd/㎡ 및 3,000cd/㎡에 있어서 일정 전류를 연속 통전하고, 휘도의 변화를 분광 방사 휘도계(탑콘사제, SR-3)로 측정하고, 초기의 휘도가 절반으로 된 시간인 휘도 반감 시간을 측정했다.At the initial luminance of 300 cd/m 2 and 3,000 cd/m 2, constant current is continuously applied, the change in luminance is measured with a spectroscopic radiation luminance meter (manufactured by Topcon, SR-3), and the luminance is the time when the initial luminance becomes half The halving time was measured.

<표면 온도의 측정><Measurement of surface temperature>

3,000cd/㎡에 있어서 4㎟의 각 유기 전계 발광 소자의 중앙 부근의 표면 온도를 적외선 방사 온도계(MK Scientific사제, CENTER352)를 사용해서 측정했다.The surface temperature near the center of each 4 mm 2 organic electroluminescent element at 3,000 cd/m 2 was measured using an infrared radiation thermometer (manufactured by MK Scientific, CENTER352).

(표 8)(Table 8)

(표 9)(Table 9)

표 9에 있어서의 제 1 전자 수송층의 평균 두께와, 3,000cd/㎡에서의 발광 효율, 휘도 반감 시간, 및 표면 온도의 관계를 도 1에 나타낸다. The relationship between the average thickness of the first electron transport layer in Table 9, the luminous efficiency at 3,000 cd/m 2, the luminance half-time, and the surface temperature is shown in FIG. 1.

표 9 및 도 1의 결과로부터 제 1 전자 수송층의 평균 두께가 5㎚∼15㎚의 범위이면 발광 효율과 고휘도에서의 내구성을 양립할 수 있는 것을 알 수 있었다.From the results of Table 9 and Fig. 1, it was found that when the average thickness of the first electron transport layer is in the range of 5 nm to 15 nm, both luminous efficiency and durability at high luminance can be achieved.

(표 10)(Table 10)

(표 11)(Table 11)

표 11에 있어서의 제 1 전자 수송층의 평균 두께와, 3,000cd/㎡에서의 발광 효율, 휘도 반감 시간, 및 표면 온도의 관계를 도 2에 나타낸다.The relationship between the average thickness of the first electron transport layer in Table 11, the luminous efficiency at 3,000 cd/m 2, the luminance half-time, and the surface temperature is shown in FIG. 2.

표 11 및 도 2의 결과로부터 제 1 전자 수송층의 평균 두께가 5㎚∼15㎚의 범위이면 발광 효율과 고휘도에서의 내구성을 양립할 수 있는 것을 알 수 있었다.From the results of Table 11 and FIG. 2, it was found that when the average thickness of the first electron transport layer is in the range of 5 nm to 15 nm, both luminous efficiency and durability at high luminance can be achieved.

(표 12)(Table 12)

(표 13)(Table 13)

(표 14)(Table 14)

표 8∼표 14의 결과로부터 실시예 A1∼E1에서는 유기 전계 발광 소자의 구성의 개량에 의해 고휘도시에 표면 온도의 상승을 억제할 수 있고, 그 결과 고휘도시에 발광 효율의 저하가 억제되고, 내구성도 개선된 것을 알 수 있었다.From the results of Tables 8 to 14, in Examples A1 to E1, an increase in surface temperature in high luminance can be suppressed by improving the configuration of the organic electroluminescent device, and as a result, a decrease in luminous efficiency in high luminance is suppressed. It was found that the durability was also improved.

이것에 대해서 비교예에서는 고휘도시에 온도의 상승이 크고, 저휘도보다 발광 효율이 크게 저하되고, 내구성도 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 비해서 나쁜 것을 알 수 있었다.On the other hand, in the comparative example, it turned out that the temperature rise is large in high luminance, luminous efficiency is significantly lowered than that of low luminance, and durability is also poor compared with the organic electroluminescent device of the present invention.

본 발명의 유기 전계 발광 소자는 고휘도역의 발광 효율의 저하를 방지하고, 고휘도 사용시의 내구성을 개선할 수 있으므로, 예를 들면 표시 소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명 광원, 기록 광원, 노광 광원, 판독 광원, 표식, 간판, 인테리어, 광통신 등에 바람직하게 사용된다.The organic electroluminescent device of the present invention prevents a decrease in luminous efficiency in a high luminance range and can improve durability when using high luminance, so, for example, a display device, a display, a backlight, an electrophotographic, an illumination light source, a recording light source, and an exposure light source. It is preferably used for reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communication, and the like.

Claims

Having an organic layer including at least a light emitting layer and an electron transport layer between the anode and the cathode,
An organic electroluminescent device having an adhesion improving layer made of an inorganic compound between the organic layer and the cathode;
The inorganic compound is at _{least one selected from Li 2} O, MgF ₂ , CaF ₂ , NaF, and SiO,
The light-emitting layer has at least two light-emitting material dope layers and at least one light-emitting material undoped layer, and the light-emitting material dope layer does not contain a fluoranthene compound or a perylene compound;
The electron transport layer comprises a first electron transport layer adjacent to the light emitting layer and a second electron transport layer adjacent to the first electron transport layer in order from the anode side;
The second electron transport layer contains two or more reducing dopants, but does not contain a gallium (Ga) complex;
The first electron transport layer is made of the same material as the second electron transport layer except that it does not contain the reducing dopant, and the average thickness of the first electron transport layer is 5 nm to 15 nm,
An organic electroluminescent device for use in a high luminance range of 3000 cd/m ^2.

The method of claim 1,
The organic electroluminescent device, characterized in that the thickness of the light-emitting material undoped layer is thicker than that of the light-emitting material-doped layer.

The method of claim 1,
An organic electroluminescent device, wherein a host material constituting the light-emitting material undoped layer and a host material constituting the light-emitting material-doped layer have the same composition.

The method of claim 1,
The reducing dopant is an organic electroluminescent device, characterized in that at least two selected from Li, K and Cs.

The method of claim 1,
An organic electroluminescent device, wherein the content of the reducing dopant is 0.01% by mass to 3% by mass.