KR102238491B1 - Apparatus for Transferring Display Elements - Google Patents

Apparatus for Transferring Display Elements Download PDF

Info

Publication number
KR102238491B1
KR102238491B1 KR1020200137772A KR20200137772A KR102238491B1 KR 102238491 B1 KR102238491 B1 KR 102238491B1 KR 1020200137772 A KR1020200137772 A KR 1020200137772A KR 20200137772 A KR20200137772 A KR 20200137772A KR 102238491 B1 KR102238491 B1 KR 102238491B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
adhesive film
adjustment unit
adhesive
substrate adjustment
Prior art date
Application number
KR1020200137772A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조재훈
이성진
이진성
Original Assignee
(주)디바이스이엔지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)디바이스이엔지 filed Critical (주)디바이스이엔지
Priority to KR1020200137772A priority Critical patent/KR102238491B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102238491B1 publication Critical patent/KR102238491B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Abstract

The present invention relates to a transfer device of a display element. The transfer device of a display element comprises: first and second substrate adjustment units disposed under the adhesive film on which a heat activation pressure-sensitive adhesive is applied on a lower surface and capable of reciprocating in a direction perpendicular to a movement direction of the adhesive film, wherein first and second substrates are placed on the first and second substrate adjustment units respectively; a pressure plate pressing the adhesive film against the first and second substrate adjustment units and, a heating plate heating the adhesive film in a state facing the second substrate adjustment unit to weaken the adhesive force of the heat activation pressure-sensitive adhesive. There is an advantage in that the transfer of the display element is performed accurately and quickly.

Description

디스플레이 소자의 이송 장치{Apparatus for Transferring Display Elements}Display element transfer device {Apparatus for Transferring Display Elements}

본 발명은 디스플레이 소자의 이송 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 소자를 제1 기판에서 제2 기판으로 이송하기 위한 디스플레이 소자의 이송 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for transferring a display element, and more particularly, to an apparatus for transferring a display element for transferring a display element from a first substrate to a second substrate.

마이크로 엘이디와 같은 디스플레이 소자는 일반적으로 10 ~ 100 ㎛ 수준으로 제작되는 소자로서, 스트레처블 기판 및 유연기판, 웨어러블 디스플레이, 피부 부착형 의료기기, 반도체 장비, 자율주행 센서 및 빅데이터 서비스용 광원 등과 같은 다양한 분야에 적용될 수 있다.Display devices, such as micro LEDs, are generally manufactured in the range of 10 to 100 µm, and include stretchable substrates and flexible substrates, wearable displays, skin-attached medical devices, semiconductor equipment, autonomous driving sensors, and light sources for big data services. It can be applied to various fields of the same.

일반적으로, 마이크로 엘이디는 사파이어나 실리콘 웨이퍼 상에서 GaN 등을 에피 성장시켜서 제조된다.In general, micro LEDs are manufactured by epi-growing GaN or the like on a sapphire or silicon wafer.

그러나, 마이크로 엘이디는 수십 ㎛ 스케일 이하로 크기가 작기 때문에 100 ㎛ 이상 두께의 사파이어 기판이나 실리콘 기판을 제거하지 않고 사용하는 것은 적합하지 않다.However, since the micro LED is small in size at a scale of several tens of µm or less, it is not suitable to use a sapphire substrate or a silicon substrate having a thickness of 100 µm or more without removing it.

따라서, 마이크로 엘이디를 사파이어나 실리콘 웨이퍼로부터 기판 분리하여 다른 목표 기판에 전사 또는 이송하는 공정이 포함되는 것이 일반적이다.Therefore, it is common to include a process of separating the substrate from the sapphire or silicon wafer and transferring or transferring the micro LED to another target substrate.

즉, 전사(transfer)란 단일 또는 다수의 마이크로 엘이디를 목표 기판에 이송하는 일련의 행위이다.That is, transfer is a series of actions of transferring a single or multiple micro-LEDs to a target substrate.

기존 엘이디 단일 칩을 이송하는 방법으로는 픽 앤 플레이스(Pick & Place) 장비를 활용하여 패키징 공정에서 적용하여 왔으나, LED 크기가 수 마이크로까지 작아짐에 따라 종래의 픽 앤 플레이스로는 작업속도를 맞추기 어렵고 정밀한 전사가 어려운 한계를 갖게 되었다.As a method of transferring a single LED chip, it has been applied in the packaging process using Pick & Place equipment, but as the size of the LED is reduced to several microns, it is difficult to meet the working speed with the conventional pick and place. Precise warriors have a difficult limit.

현재, 다수의 마이크로 엘이디를 전사하는 방법으로는 직접전사와 인쇄전사의 2 가지 방법이 대표적이다.Currently, two methods of transferring multiple micro-LEDs are typical: direct transfer and print transfer.

직접전사는 이송하고자 하는 재료 또는 박막을 목표기판에 직접 접합하는 기술이며, 인쇄전사는 정전 또는 접합 스탬프(stamp)와 같은 중간 매개체를 활용하는 기술로 정의된다.Direct transfer is a technology that directly bonds a material or thin film to be transferred to a target substrate, and print transfer is defined as a technique that utilizes an intermediate medium such as an electrostatic or bonded stamp.

직접전사와 인쇄전사 방식의 대표적인 기술은 다음과 같다.Representative technologies of direct transfer and print transfer are as follows.

직접전사 방식은 p-type의 GaN을 식각 공정으로 ~수 ㎛ 크기로 분리시킨 후에 CMOS와 같은 미세 스위칭 소자가 형성된 기판에 직접 접합하는 방식이다. The direct transfer method is a method in which p-type GaN is separated into a size of ~ several μm by an etching process and then directly bonded to a substrate on which a fine switching device such as CMOS is formed.

성장기판으로 사용한 실리콘 또는 사파이어 기판이 제거될 수 있으며, 단일 크기로 분리된 수 ㎛ 크기의 GaN 개별 소자는 스위칭 미세전자소자와 결합하여 동작 전류 조절이 용이하도록 제작될 수 있다.A silicon or sapphire substrate used as a growth substrate may be removed, and individual GaN devices of a size of several µm separated into a single size may be fabricated to facilitate operating current control by combining with a switching microelectronic device.

이 방법의 경우 마이크로 엘이디 제조 및 전사방법이 용이하다는 장점이 있으나 각 소자의 품질 관리가 매우 중요한 요소가 된다.This method has an advantage in that it is easy to manufacture and transfer micro LEDs, but quality control of each device becomes a very important factor.

한편, 인쇄형 전사 방법으로 두 가지 대표적인 방법이 있다.On the other hand, there are two representative methods of printing type transfer methods.

첫 번째 방법으로, 미국의 Luxvue사가 제안한 정전헤드(electrostatic head)를 이용하는 방법이 있다.As the first method, there is a method using an electrostatic head proposed by Luxvue of the United States.

이는, 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 엘이디와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다.This is a principle of generating an adhesive force with the micro LED due to the charging phenomenon by applying a voltage to the head made of a silicon material.

이 방법의 경우 원하는 영역 또는 단일 소자를 선택적으로 이송할 수 있는 장점이 있으나, 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상이 발생하고, 이로 인해 마이크로 엘이디가 손상되는 문제가 발생할 수 있다.Although this method has the advantage of selectively transferring a desired area or a single element, a charging phenomenon occurs due to a voltage applied to the head during induction of a power failure, and thus, a problem of damage to the micro LED may occur.

두 번째 방법은 미국의 X-Celeprint사가 개발한 방법으로서, 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 엘이디를 원하는 기판에 이송시키는 방법이다.The second method, developed by X-Celeprint of the United States, is a method of transferring the LED on the wafer to a desired substrate by applying a transfer head with an elastic polymer material.

정전헤드 방식에 비해 엘이디 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 점착력이 탄성전사헤드의 점착력보다 더 커야 안정적으로 마이크로 엘이디를 전사시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다.Compared to the electrostatic head method, there is no problem for damage to the LED, but in the transfer process, the adhesive force of the target substrate must be greater than the adhesive force of the elastic transfer head to stably transfer the micro LED, and there is a disadvantage that an additional process for electrode formation is required .

또한, 탄성 고분자 물질의 점착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.In addition, maintaining the adhesive strength of the elastic polymer material continuously acts as a very important factor.

이 밖에도 진공 포러스 척(vacuum porous chuck)을 이용한 프린팅 헤드를 제작하여 전사하는 경우도 있다.In addition, there are cases in which a printing head using a vacuum porous chuck is manufactured and transferred.

1. 한국등록특허공보 제10-2012692호 (2019.08.14)1. Korean Patent Publication No. 10-2012692 (2019.08.14)

본 발명의 목적은 디스플레이 소자의 이송 작업을 한층 정밀하고 신속하게 수행할 수 있는 디스플레이 소자의 이송 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an apparatus for transferring a display device capable of performing a transfer operation of a display device more precisely and quickly.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면에 따른 디스플레이 소자의 이송 장치는,In order to achieve the above object, a display device conveying apparatus according to an aspect of the present invention,

하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛;A first substrate adjustment unit disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface and reciprocating in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and on which a first substrate and a second substrate are respectively placed on the upper surface. A second substrate adjustment unit;

상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하는 가압 플레이트; 및,A pressing plate for pressing the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit; And,

상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 히팅 플레이트;A heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the adhesive film while facing the second substrate adjusting unit;

를 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.

상기 가압 플레이트와 히팅 플레이트는 서로 고정되어 있으며 동시 수평 회전이 가능하게 설치되는 것을 특징으로 한다.The pressure plate and the heating plate are fixed to each other and are installed to enable simultaneous horizontal rotation.

상기 가압 플레이트와 히팅 플레이트는 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향을 따라 각각 배치되어, 함께 상기 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능한 것을 특징으로 한다.The pressing plate and the heating plate are each disposed along a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and are reciprocally movable together in the orthogonal direction.

상기 가압 플레이트와 히팅 플레이트는 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 서로 상대 이동 가능하게 배치되는 것을 특징으로 한다.The pressing plate and the heating plate are arranged to be relatively movable to each other in a direction orthogonal to a moving direction of the adhesive film.

상기 가압 플레이트는, 진공 흡입층과, 상기 진공 흡입층으로부터 바닥까지 연통되는 다수의 진공 흡착홀을 포함하는 진공 작용층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The pressure plate is characterized in that it is composed of a vacuum action layer including a vacuum suction layer and a plurality of vacuum suction holes communicating from the vacuum suction layer to the floor.

상기 히팅 플레이트는 히터층 위에 냉각층이 배치된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The heating plate is characterized in that it has a configuration in which a cooling layer is disposed on a heater layer.

본 발명의 다른 측면에 따른 디스플레이 소자의 이송 장치는,A display device conveying apparatus according to another aspect of the present invention,

하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛; 및,A first substrate adjustment unit disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface and reciprocating in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and on which a first substrate and a second substrate are respectively placed on the upper surface. A second substrate adjustment unit; And,

상기 접착 필름의 위쪽에 수평으로 배치되며 상하 왕복 이동이 가능하게 배치되어 상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하고 상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 가압 히팅 플레이트;It is disposed horizontally above the adhesive film and is arranged to move vertically and reciprocally to press the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit, and adhere in a state opposite to the second substrate adjustment unit. Pressurized heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the film;

를 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.

이 경우, 상기 가압 히팅 플레이트는 진공 흡입층과, 상기 진공 흡입층의 하부에 배치되며 다수의 제1 진공 흡착홀이 형성된 냉각층과, 상기 냉각층의 하부에 배치되며 상기 제1 진공 흡착홀에 연통하는 다수의 제2 진공 흡착홀이 형성되는 히터층을 포함하는 것을 특징으로 한다.In this case, the pressurized heating plate includes a vacuum suction layer, a cooling layer disposed below the vacuum suction layer and having a plurality of first vacuum suction holes, and is disposed below the cooling layer and in the first vacuum suction hole. It characterized in that it comprises a heater layer in which a plurality of second vacuum adsorption holes communicating with each other are formed.

전술한 바와 같은 구성의 본 발명에 따르면, 하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛; 상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하는 가압 플레이트; 및, 상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 히팅 플레이트를 포함하며, 상기 가압 플레이트와 히팅 플레이트가 서로 고정된 상태에서 동시 수평 회전 또는 직선 왕복 운동하면서 디스플레이 소자의 이송작업을 수행하게 되므로 작업속도가 한층 빠르고 정확하게 이루어진다는 이점이 있다.According to the present invention having the configuration as described above, it is disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface, and reciprocates in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and the first substrate and the second A first substrate adjustment unit and a second substrate adjustment unit on which the substrates are respectively mounted; A pressing plate for pressing the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit; And a heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated adhesive by heating the adhesive film in a state opposite to the second substrate adjustment unit, wherein the pressing plate and the heating plate are fixed to each other while simultaneously rotating horizontally or linearly reciprocating Since the display element is transferred while exercising, there is an advantage that the working speed is made faster and more accurately.

또한 본 발명에 따르면, 전사 스테이지가 별도의 가압 플레이트와 히팅 플레이트를 포함하는 대신 가압과 히팅을 모두 수행하는 단일한 가압 히팅 플레이트를 포함하여, 가압 히팅 플레이트를 접착 필름의 이송 방향과 직교하는 방향으로 이동시킬 필요 없이 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛만을 수평 이동시켜서 제1 기판으로부터 디스플레이 소자의 분리, 가열 및 제2 기판으로의 부착을 차례로 수행할 수 있으므로 디스플레이 소자의 정렬작업이 한층 용이하고 작업속도가 한층 빠르다는 장점도 있다.In addition, according to the present invention, the transfer stage includes a single pressure heating plate that performs both pressing and heating instead of including a separate pressing plate and a heating plate, so that the pressing heating plate is moved in a direction orthogonal to the conveying direction of the adhesive film. It is easier to align the display elements because the display elements can be separated from the first substrate, heated, and attached to the second substrate in order by horizontally moving only the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit without the need to move them. It also has the advantage that the working speed is much faster.

도 1은 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치가 적용된 마이크로 엘이디 전사장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치가 적용된 마이크로 엘이디 전사장치의 구성을 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 1에서 패턴닝 스테이지에서 필름 고정장치와 레이저 조사장치의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 패턴닝 스테이지에서 필름 고정장치와 레이저 조사장치 및 그 주변 구조를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치의 또 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 8의 (a)는 가압 플레이트의 일예를 나타내는 횡단면도이고, (b)는 히팅 플레이트의 일예를 나타내는 횡단면도이고, (c)는 가압 히팅 플레이트의 일예를 나타내는 횡단면도이다.
도 9의 (a)는 도 1에서 본 발명에 따른 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛의 일 예를 도시하는 사시도이고, (b)는 제1 기판 조정 유닛의 상면의 횡단면도이고, (c)는 제2 기판 조정 유닛의 상면의 횡단면도이다.
도 10는 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 전사방법 중 1차 전사 공정도이다.
도 11은 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 전사방법 중 2차 전사 공정도이다.1 is a perspective view showing the configuration of a micro LED transfer device to which a display device transfer device according to the present invention is applied.
2 is a front view showing the configuration of a micro LED transfer device to which a display device transfer device according to the present invention is applied.
3 is a perspective view illustrating an example of a film fixing device and a laser irradiation device in the patterning stage in FIG. 1.
4 is a perspective view showing a film fixing device, a laser irradiation device, and a peripheral structure thereof in a patterning stage.
5 is a perspective view showing an example of a display device transfer device according to the present invention.
6 is a perspective view showing another example of a display device transfer device according to the present invention.
7 is a perspective view showing another example of a display device transfer device according to the present invention.
8A is a cross-sectional view showing an example of a pressing plate, (b) is a cross-sectional view showing an example of a heating plate, and (c) is a cross-sectional view showing an example of a pressing heating plate.
9A is a perspective view showing an example of a first substrate adjustment unit and a second substrate adjustment unit according to the present invention in FIG. 1, (b) is a cross-sectional view of an upper surface of the first substrate adjustment unit, ( c) is a cross-sectional view of the upper section of the second substrate adjustment unit.
10 is a first transfer process diagram of the micro LED transfer method according to the present invention.
11 is a secondary transfer process diagram of the micro LED transfer method according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

하기의 실시예에서는 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치가 필름 공급 스테이지(100)로부터 필름이 연속적으로 공급되는 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 방식에 적용하는 것으로 기술하고 있으나, 필름이 재단되어 하나씩 공급되는 방식에도 적용될 수 있음을 밝혀둔다.In the following examples, it is described that the display device transfer device according to the present invention is applied to a roll-to-roll method in which a film is continuously supplied from the film supply stage 100, but the film is It should be noted that it can be applied to the method of being cut and supplied one by one.

도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 디스플레이 소자 이송 장치가 적용되는 마이크로 엘이디 전사장치(1000)는, 접착 필름(F)을 공급하기 위한 필름 공급 스테이지(100), 상기 필름 공급 스테이지(100)로부터 공급된 접착 필름(F)을 패터닝하는 패터닝 스테이지(200), 상기 패터닝 스테이지(200)로부터 공급된 접착 필름(F)을 이용하여 마이크로 엘이디를 제1 기판(S1)으로부터 제2 기판(S2)에 전사하는 전사 스테이지(300) 및, 상기 전사를 수행한 접착 필름(F)을 회수하는 필름 회수 스테이지(400)를 포함한다.1 to 2, the micro LED transfer device 1000 to which the display device transfer device according to the present invention is applied includes a film supply stage 100 for supplying an adhesive film F, and the film supply Using the patterning stage 200 for patterning the adhesive film F supplied from the stage 100, and the adhesive film F supplied from the patterning stage 200, the micro LED is transferred from the first substrate S1 to the second A transfer stage 300 transferred to the substrate S2 and a film recovery stage 400 for recovering the transferred adhesive film F are included.

상기 필름 공급 스테이지(100)에서는 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 방식으로 마이크로 엘이디를 접착하여 분리하거나 전사하기 위한 접착 필름(F)이 공급된다.In the film supply stage 100, an adhesive film F for separating or transferring the micro LEDs by bonding them in a roll-to-roll method is supplied.

구체적으로, 상기 필름 공급 스테이지(100)는 상기 접착 필름(F)에 이형지(R)가 부착된 합지 필름(C)을 이동하는 공급 롤 유닛(110)과, 상기 합지 필름(C)으로부터 이형지(R)를 제거하는 분리 롤 유닛(120)을 포함한다.Specifically, the film supply stage 100 includes a supply roll unit 110 for moving the laminated film C to which the release paper R is attached to the adhesive film F, and a release paper ( It includes a separating roll unit 120 to remove R).

도시된 바와 같이, 상기 공급 롤 유닛(110)은 분리 롤 유닛(120)보다 상부에 배치된 구성으로 되어 있다.As shown, the supply roll unit 110 is configured to be disposed above the separation roll unit 120.

이에 따라, 상기 합지 필름(C)으로부터 이형지(R)가 제거되면 접착 필름(F)의 하면에 점착제가 노출되며, 이와 같이 하면에 점착제가 노출된 접착 필름(F)은 후속하는 패터닝 스테이지(200)로 연속적으로 이동된다.Accordingly, when the release paper (R) is removed from the laminated film (C), the adhesive is exposed on the lower surface of the adhesive film (F), and the adhesive film (F) in which the adhesive is exposed on the lower surface is a subsequent patterning stage (200). ) To move continuously.

상기 접착 필름(F)은 일면에 열활성화 점착제가 도포된 필름으로서, 소정 온도 이상의 온도로 가열되면 점착성을 잃게 되는 성질을 가진다.The adhesive film (F) is a film coated with a thermally activated adhesive on one surface, and has a property of losing adhesiveness when heated to a temperature higher than a predetermined temperature.

한편, 패터닝 스테이지(200)는 레이저 조사장치(210)를 포함하고 있어 상기 접착 필름(F)에 레이저를 조사하여 패터닝을 수행할 수 있으며 마이크로 엘이디가 배치될 부분 이외에는 점착력이 작용하지 않도록 처리된다.Meanwhile, since the patterning stage 200 includes a laser irradiation device 210, patterning can be performed by irradiating a laser onto the adhesive film F, and the adhesive force is processed so that the adhesive force does not act except for the portion where the micro LED is to be disposed.

이와 같이, 접착 필름(F)의 패터닝 작업이 기존의 자외선 포토마스크(UV Photomask) 방식이 아닌 레이저 패터닝 방식이 채택될 수 있어 빛 퍼짐 등의 현상이 없으므로 정밀하고 빠른 패터닝이 가능하게 된다.In this way, since the patterning operation of the adhesive film F may be performed using a laser patterning method instead of a conventional UV photomask method, there is no phenomenon such as light spreading, so precise and fast patterning is possible.

도 3에 상세히 도시된 바와 같이, 상기 레이저 조사장치(210)는 상기 접착 필름(F)의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름(F)의 하면을 향해 조사하게 되어 있다.As shown in detail in FIG. 3, the laser irradiation device 210 is disposed below the adhesive film F to irradiate it toward the lower surface of the adhesive film F.

이 경우, 레이저 조사를 안정적으로 수행하기 위해 레이저를 조사하는 동안 상기 접착 필름(F)을 고정할 필요가 있다.In this case, in order to stably perform laser irradiation, it is necessary to fix the adhesive film (F) while irradiating the laser.

이를 위해, 상기 접착 필름(F)의 상부에는 필름 고정장치(220)가 설치되며, 레이저를 조사하는 동안 진공 연결층(221)과 진공홀(222)이 형성된 흡착층(223)을 통해 진공에 의해 상기 접착 필름(F)을 흡착 고정한다.To this end, a film fixing device 220 is installed on the upper portion of the adhesive film F, and the vacuum connection layer 221 and the vacuum hole 222 are formed while the laser is irradiated. Thus, the adhesive film (F) is adsorbed and fixed.

상기 필름 고정장치(220)의 내부에는 진동을 감지하는 센서(미도시)가 내장되어 소정 진동수와 진폭 이상의 진동 발생시 가동을 멈추고 원인을 파악하여 제거하도록 할 수 있다.A sensor (not shown) for detecting vibration is built into the film fixing device 220 to stop operation when vibrations exceeding a predetermined frequency and amplitude are detected, and the cause may be identified and removed.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 패터닝 과정에서 발생하는 흄(fume)을 제거하기 위해 필름 고정장치(220)의 하부 일측과 타측에는 송풍기(228)와 흡입기(229)가 각각 설치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, a blower 228 and an inhaler 229 may be installed at one side and the other side of the lower portion of the film fixing device 220 to remove fume generated during the patterning process. .

한편, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 전사 스테이지(300)를 구성하는 디스플레이 소자의 이송 장치는, 상기 접착 필름(F)의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 수평 및 승강 왕복 이동하며 상부에 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340), 및 상기 접착 필름(F)의 위쪽에 배치되어 상기 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)에 대하여 며 상기 접착 필름(F)을 가압하는 가압 플레이트(310) 및, 상기 제2 기판 조정 유닛(340)에 대향한 상태에서 접착 필름(F)을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 히팅 플레이트(320)를 포함한다.On the other hand, as shown in Figure 5, the transfer device of the display element constituting the transfer stage 300 is disposed below the adhesive film (F) is a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film (F) The first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340, and the adhesive film F on which the first substrate S1 and the second substrate S2 are respectively mounted on the horizontal and vertical reciprocating movements. ) Is disposed above the first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340 and presses the adhesive film F, and the second substrate adjustment unit ( It includes a heating plate 320 for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the adhesive film (F) in a state facing the 340.

상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 금속 가공물, 세라믹 또는 다공질 소재 등 다양한 소재가 채택될 수 있다.The pressing plate 310 and the heating plate 320 may be formed of various materials such as a metal workpiece, a ceramic, or a porous material.

이러한 구성에 따라, 상기 접착 필름(F)을 사이에 두고 가압 플레이트(310)와 제1 기판 조정 유닛(330)이 대향하여 배치된 상태에서 상기 가압 플레이트(310)를 하강시켜서, 상기 접착 필름(F)이 제1 기판(S1)에 형성된 마이크로 엘이디를 점착력을 이용하여 분리한다.According to this configuration, the pressure plate 310 is lowered while the pressure plate 310 and the first substrate adjustment unit 330 are disposed to face each other with the adhesive film F interposed therebetween, and the adhesive film ( F) Separate the micro LED formed on the first substrate S1 using adhesive force.

이어서, 상기 가압 플레이트(310)를 접착 필름(F)으로부터 멀어지게 하고, 히팅 플레이트(320)와 제2 기판 조정 유닛(340)이 접착 필름(F)으로 이동하여 마이크로 엘이디가 부착된 접착 필름(F)을 사이에 두고 서로 대향하여 배치되도록 한다.Subsequently, the pressure plate 310 is moved away from the adhesive film F, the heating plate 320 and the second substrate adjustment unit 340 move to the adhesive film F, and the micro LED is attached to the adhesive film ( F) should be placed opposite each other.

이 상태에서, 상기 히팅 플레이트(320)가 하강하여 상기 접착 필름(F)에 접촉하게 되고, 상기 접착 필름(F)이 가열되어 열활성화 점착제가 점착력을 잃도록 한다.In this state, the heating plate 320 descends to contact the adhesive film F, and the adhesive film F is heated so that the thermally activated adhesive loses adhesive strength.

다음, 히팅 플레이트(320)를 접착 필름(F)으로부터 멀어지게 하고, 다시 가압 플레이트(310)를 상기 점착 필름(F)으로 이동시켜서 마이크로 엘이디가 부착된 접착 필름(F)을 사이에 두고 가압 플레이트(310)와 제2 기판 조정 유닛(340)이 서로 대향하여 배치되도록 한다.Next, the heating plate 320 is moved away from the adhesive film (F), and the pressing plate 310 is moved to the adhesive film (F) again, and the pressure plate with the adhesive film (F) to which the micro LED is attached is interposed therebetween. 310 and the second substrate adjustment unit 340 are arranged to face each other.

이 상태에서, 상기 가압 플레이트(310)를 하강시켜서 접착 필름(F)을 누름으로써, 상기 접착 필름(F)에 대하여 점착력을 잃어서 분리된 마이크로 엘이디를 제2 기판(S2)에 부착(가접)시키게 된다.In this state, by lowering the pressure plate 310 and pressing the adhesive film (F), the separated micro LED is attached to the second substrate (S2) due to loss of adhesion to the adhesive film (F). do.

이와 같이, 상기 접착 필름(F)으로부터 마이크로 엘이디가 제2 기판(S2)에 부착되기 위해서는 상기 제2 기판(S2)과 마이크로 엘이디 사이의 점착력이 가열된 접착 필름(F)과 마이크로 엘이디 사이의 점착력보다 커야 한다.In this way, in order for the micro LED from the adhesive film (F) to be attached to the second substrate (S2), the adhesive force between the second substrate (S2) and the micro LED is the adhesive force between the heated adhesive film (F) and the micro LED. Should be greater than

이를 위해 상기 제2 기판(S2) 표면에는 소정의 온도에서 점착력을 높이는 솔더링 페이스트(크림) 등이 적용될 수 있다.To this end, a soldering paste (cream) or the like may be applied to the surface of the second substrate S2 to increase adhesion at a predetermined temperature.

물론, 마이크로 엘이디가 전사되기 전에 상기 제2 기판(S2)에는 미리 스크린 인쇄를 하여 배선을 형성한다.Of course, before the micro LED is transferred, screen printing is performed on the second substrate S2 to form wiring.

전술한 바와 같이, 상기 히팅 플레이트(320)와 제2 기판 조정 유닛(340)이 접착 필름(F)으로 함께 이동할 수도 있지만, 히팅 플레이트(320)만 이동하여 접착 필름(F)을 가열한 후, 가압 플레이트(310)와 제2 기판 조정 유닛(340)이 함께 접착 필름(F)으로 이동하는 것 또한 가능하다.As described above, the heating plate 320 and the second substrate adjustment unit 340 may move together with the adhesive film F, but after heating the adhesive film F by moving only the heating plate 320, It is also possible for the pressure plate 310 and the second substrate adjustment unit 340 to move together with the adhesive film F.

어떠한 경우든, 가압 플레이트(310)가 접착 필름(F)을 제2 기판 조정 유닛(340) 위에 놓여진 제2 기판(S2)을 누르기 전에 접착 필름(F)을 가열하여 점착제의 점착력을 잃도록 하는 것이 중요하다.In any case, the pressure plate 310 heats the adhesive film F before pressing the second substrate S2 placed on the second substrate adjustment unit 340 to lose the adhesive strength of the adhesive. It is important.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 서로 고정되어 있으며 동시 수평 회전이 가능하게 설치될 수 있다.As shown in FIG. 5, the pressing plate 310 and the heating plate 320 are fixed to each other and may be installed to enable simultaneous horizontal rotation.

구체적으로는, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)가 회전축부(350)를 중심으로 서로 반대쪽에 배치되어 있어 상기 회전축부(350)의 180도 왕복 회전에 따라 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)가 번갈아가며 상기 접착 필름(F)에 대향되게 위치할 수 있다.Specifically, the pressure plate 310 and the heating plate 320 are disposed opposite to each other around the rotation shaft part 350, so that the pressure plate 310 is rotated by 180 degrees reciprocating by the rotation shaft part 350. And the heating plate 320 may be alternately positioned to face the adhesive film (F).

또한, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)의 조립체는 수평 가이드 레일(351)을 따라 접착 필름(F)의 이동방향에 대하여 가로지르는 방향으로 이동하고 수직 가이드 레일(352)을 따라 승강 이동할 수 있으므로 접착 필름(F) 위의 정확한 위치에 배치될 수 있다.In addition, the assembly of the pressing plate 310 and the heating plate 320 moves in a direction transverse to the moving direction of the adhesive film F along the horizontal guide rail 351 and moves up and down along the vertical guide rail 352. Since it can be moved, it can be placed in an exact position on the adhesive film (F).

대안적으로, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 상기 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향을 따라 각각 배치되어 함께 상기 직교하는 방향으로 왕복 이동할 수 있다.Alternatively, the pressing plate 310 and the heating plate 320 may be disposed along a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F, and reciprocate together in the orthogonal direction.

예컨대, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 지지부(340)를 중심으로 상기 이동 방향과 직교하는 방향으로 서로 이격되게 배치되어 있어 상기 지지부(340)가 수평 가이드 레일(351)을 따라 직선 왕복 운동함으로써 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)가 번갈아가며 상기 접착 필름(F)에 대향되게 배치되어 마이크로 필름의 분리 및 전사 동작을 수행할 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, the pressing plate 310 and the heating plate 320 are disposed to be spaced apart from each other in a direction orthogonal to the moving direction around the support part 340. By linearly reciprocating motion along the horizontal guide rail 351, the pressing plate 310 and the heating plate 320 are alternately disposed opposite to the adhesive film F, so that the microfilm can be separated and transferred. .

상기 지지부(340)는 수직 가이드 레일(352)을 따라 승강 이동 가능하게 되어 있어 상기 지지부(340)에 설치된 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)의 조립체가 함께 승강 이동할 수 있게 되어 있다.The support part 340 is movable up and down along the vertical guide rail 352 so that the assembly of the pressing plate 310 and the heating plate 320 installed on the support part 340 can be moved up and down together.

또 다른 대안으로서, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 상기 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 서로 상대 이동 가능하게 배치될 수 있다.As another alternative, the pressing plate 310 and the heating plate 320 may be disposed to be relatively movable to each other in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F.

예컨대, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)가 서로 평행한 2개의 수평 가이드 레일(351')(351")을 따라 각각 개별적으로 왕복 직선 이동이 가능하게 각각 설치되어 있어, 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)가 서로 독립적으로 이동하여 접착 필름(F)에 대향 배치됨으로써 마이크로 필름의 분리 및 전사 동작을 수행할 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, the pressing plate 310 and the heating plate 320 can individually reciprocate and linearly move along two horizontal guide rails 351 ′ and 351 ″ parallel to each other. Since each is installed, the pressing plate 310 and the heating plate 320 move independently of each other and are disposed opposite to the adhesive film F, so that the microfilm can be separated and transferred.

상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)는 나란하게 배치되는 각각의 수평 가이드 레일(351')(351")을 따라 각각 이동 가능하게 설치된 수직 가이드 레일(352')(352")을 따라 승강 이동 가능하게 되어 있다.The pressing plate 310 and the heating plate 320 are vertical guide rails 352 ′ and 352 ″ installed so as to be movable along respective horizontal guide rails 351 ′ and 351 ″ arranged side by side. It is possible to move up and down.

도 8(a)에 도시한 바와 같이, 상기 가압 플레이트(310)는 진공 흡입층(311)과, 상기 진공 흡입층(311)으로부터 바닥까지 연통되는 다수의 진공 흡착홀(312)을 포함하는 진공 작용층(313)이 형성되어 있어, 상기 접착 필름(F)을 흔들리지 않게 고정한 상태에서 가압 플레이트(310)를 제1 기판(S1)이나 제2 기판(S2)에 가압할 수 있다.8(a), the pressure plate 310 includes a vacuum suction layer 311 and a plurality of vacuum suction holes 312 communicating from the vacuum suction layer 311 to the floor. Since the working layer 313 is formed, the pressure plate 310 can be pressed against the first substrate S1 or the second substrate S2 while the adhesive film F is fixed so as not to shake.

따라서, 전사시 접착 필름(F)을 확실히 흡착 고정하여 마이크로 엘이디의 위치가 어긋나는 것을 확실히 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to reliably prevent the position of the micro LED from shifting by reliably adsorbing and fixing the adhesive film F during transfer.

또한, 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 상기 히팅 플레이트(320)는 히터층(321)의 상부에 냉각층(322)이 배치되도록 구성하여 히터층(321)에 의한 발열을 조절할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 8(b), the heating plate 320 is configured such that a cooling layer 322 is disposed above the heater layer 321 so that heat generated by the heater layer 321 can be controlled. It is desirable to do it.

상기 냉각층(322)은 수냉식 또는 공냉식 어느 것이라도 무방하며, 내부에 물이나 공기가 통과하는 통로가 형성될 수 있다.The cooling layer 322 may be water-cooled or air-cooled, and a passage through which water or air passes may be formed.

한편, 도 8(c)에 도시한 바와 같이, 상기 가압 플레이트(310)와 히팅 플레이트(320)를 상하 방향으로 일체로 형성하여 단일한 가압 히팅 플레이트(360)를 구성할 수도 있다.On the other hand, as shown in Fig. 8(c), the pressing plate 310 and the heating plate 320 may be integrally formed in the vertical direction to form a single pressing heating plate 360.

이 경우, 상기 전사 스테이지(300)를 구성하는 디스플레이 소자의 이송 장치는, 상기 접착 필름(F)의 위쪽에 배치되며 상하 왕복 이동이 가능하게 배치되는 가압 히팅 플레이트(360)를 포함할 수 있다.In this case, the transfer device of the display element constituting the transfer stage 300 may include a pressure heating plate 360 disposed above the adhesive film F and disposed to be vertically reciprocated.

상기 가압 히팅 플레이트(360)는 진공 흡입층(361)과, 상기 진공 흡입층(361)의 하부에 배치되며 다수의 제1 진공 흡착홀(362)이 형성된 냉각층(363)과, 상기 냉각층(363)의 하부에 배치되며 상기 제1 진공 흡착홀(362)에 연통하는 다수의 제2 진공 흡착홀(364)이 형성되는 히터층(365)으로 구성되어 있다.The pressurized heating plate 360 includes a vacuum suction layer 361, a cooling layer 363 disposed below the vacuum suction layer 361 and having a plurality of first vacuum suction holes 362, and the cooling layer The heater layer 365 is disposed below 363 and in which a plurality of second vacuum adsorption holes 364 communicate with the first vacuum adsorption hole 362 is formed.

상기 가압 히팅 플레이트(360)는 금속 가공물, 세라믹 또는 다공질 소재 등 다양한 소재가 채택될 수 있다.The pressure heating plate 360 may be formed of a variety of materials such as a metal workpiece, a ceramic, or a porous material.

이러한 구성에 따라, 가압 히팅 플레이트(360)를 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 이동시킬 필요 없이 단지 승강 이동만 가능하도록 하여 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)만을 수평 이동시켜서 제1 기판(S1)으로부터 마이크로 엘이디의 분리, 가열 및 제2 기판(S1)으로의 마이크로 엘이디의 부착을 차례로 수행할 수 있다.According to this configuration, it is not necessary to move the pressure heating plate 360 in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F, so that only the lifting movement is possible, so that the first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit By moving only the 340 horizontally, separation of the micro LED from the first substrate S1, heating, and attachment of the micro LED to the second substrate S1 may be sequentially performed.

이 경우, 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름(F)을 가열하는 단계 외에는 상기 히터층(365)의 발열을 차단하고 냉각층(363)에 의해 냉각 기능이 수행되도록 할 수 있다.In this case, except for heating the adhesive film F coated with the thermally activated pressure-sensitive adhesive, heat generation of the heater layer 365 may be blocked and a cooling function may be performed by the cooling layer 363.

물론, 상기 가압 히팅 플레이트(360)는 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 수평 왕복 이동하여 그 위치를 조정할 수 있도록 하는 것 또한 가능하다.Of course, it is also possible that the pressure heating plate 360 horizontally reciprocates in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F so that the position thereof can be adjusted.

한편, 도 9(a)에는, 상기 접착 필름(F)의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름(F)의 이동 방향과 직교하는 방향으로 수평 왕복 이동하며 상부에 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)의 일 예가 도시되어 있다.Meanwhile, in FIG. 9(a), the first substrate S1 and the second substrate are disposed below the adhesive film F and horizontally reciprocate in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F. An example of the first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340 on which (S2) is mounted, respectively, is shown.

상기 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)을 통해, 전사되는 마이크로 엘이디와 제2 기판(S2) 사이의 위치 정렬이 적절히 이루어질 수 있게 되며, HEXA PODS, 6축 스테이지, UVW 등의 기구가 채택될 수 있다.Through the first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340, it is possible to properly align the position between the transferred micro LED and the second substrate S2, HEXA PODS, 6-axis stage, Devices such as UVW may be employed.

상기 제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)은 가이드 레일(353)을 따라 접착 필름(F)의 이동방향에 대하여 직교하는 방향으로 왕복이동하게 되어 있다.The first substrate adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340 reciprocate along the guide rail 353 in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film F.

도 9(b)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 기판 조정 유닛(330)의 상면은 진공 흡입층(331)과, 상기 진공 흡입층(331)으로부터 상면까지 연통되는 다수의 진공 흡착홀(332)을 포함하는 진공 작용층(333)이 형성되어 있어, 상기 제1 기판(S1)을 흔들리지 않게 고정할 수 있게 되어 있다.9(b), the upper surface of the first substrate adjustment unit 330 has a vacuum suction layer 331 and a plurality of vacuum suction holes 332 communicating from the vacuum suction layer 331 to the upper surface. A vacuum action layer 333 including) is formed, so that the first substrate S1 can be fixed without shaking.

또한, 도 9(c)에 도시한 바와 같이, 상기 제2 기판 조정 유닛(340)의 상면은 진공 흡입층(341)과, 상기 진공 흡입층(341)의 상부에 배치되며 다수의 제3 진공 흡착홀(342)이 형성된 냉각층(343)과, 상기 냉각층(343)의 상부에 배치되며 상기 제3 진공 흡착홀(342)에 연통하는 다수의 제4 진공 흡착홀(344)이 형성되는 히터층(345)으로 구성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9(c), the upper surface of the second substrate adjustment unit 340 is disposed above the vacuum suction layer 341 and the vacuum suction layer 341, and a plurality of third vacuum A cooling layer 343 having an adsorption hole 342 formed thereon, and a plurality of fourth vacuum adsorption holes 344 disposed above the cooling layer 343 and communicating with the third vacuum adsorption hole 342 are formed. It may be composed of a heater layer 345.

제1 기판 조정 유닛(330)과 제2 기판 조정 유닛(340)의 상면은 금속 가공물, 세라믹 또는 다공질 소재 등 다양한 소재가 채택될 수 있다.The upper surfaces of the first and second substrate adjustment units 330 and 340 may be formed of various materials such as a metal workpiece, a ceramic, or a porous material.

이에 따라, 상기 제2 기판 조정 유닛(340)은 제2 기판(S2)을 견고하게 흡착 고정하는 것과 함께 마이크로 엘이디가 부착된 상기 제2 기판(S2)을 적절한 시점에서 가열하도록 하여, 그 열이 제2 기판(S2)에 도포된 솔더링 페이스트의 접착력을 짧은 시간 내에 높이도록 할 수 있으므로 접착 필름(F)에 대한 마이크로 엘이디의 분리효과를 제고할 수 있다.Accordingly, the second substrate adjustment unit 340 firmly adsorbs and fixes the second substrate S2 and heats the second substrate S2 to which the micro LED is attached at an appropriate time, so that the heat is Since the adhesion of the soldering paste applied to the second substrate S2 can be increased within a short time, the separation effect of the micro LED to the adhesive film F can be improved.

도 1와 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 전사 스테이지(300)의 상부에는 비전 감지부(500)가 설치되어 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, a vision sensing unit 500 is installed on the transfer stage 300.

상기 비전 감지부(500)는 상기 접착 필름(F)과 제1 기판(S1), 제2 기판(S2) 및 마이크로 엘이디의 상대적인 위치에 관한 데이타를 감지하는 기능을 수행하는 것으로서 비전 카메라와 상기 비전 카메라로부터 획득한 영상 데이터를 전달받아 마이크로 엘이디의 위치를 판단하여 그 결과를 별도의 제어부(미도시)로 전달하여 디스플레이 소자의 이송 장치의 가압 플레이트(310), 히팅 플레이트(320), 제1 기판 조정 유닛(330) 및 제2 기판 조정 유닛(340) 등에 전달하여 상대적인 위치를 조정할 수 있도록 피드백되는 것이 바람직하다.The vision detection unit 500 performs a function of detecting data on the relative positions of the adhesive film F, the first substrate S1, the second substrate S2, and the micro LED, and the vision camera and the vision The image data acquired from the camera is received, the position of the micro LED is determined, and the result is transmitted to a separate control unit (not shown), and the pressing plate 310, the heating plate 320, and the first substrate of the display device transfer device It is preferable that the feedback is transmitted to the adjustment unit 330 and the second substrate adjustment unit 340 so that the relative position can be adjusted.

한편, 상기 필름 회수 스테이지(400)는, 접착 필름(F)에 이형지(R)를 부착하기 위한 부착 롤 유닛(410)과, 접착 필름(F)에 이형지(R)가 부착된 합지 필름(C)을 배출하기 위한 배출 롤 유닛(420)을 포함한다.On the other hand, the film recovery stage 400, an attachment roll unit 410 for attaching the release paper (R) to the adhesive film (F), and the laminated film (C) to which the release paper (R) is attached to the adhesive film (F). ) And a discharge roll unit 420 for discharging.

이하, 도 1과 도 2 및 전술한 본 발명에 따른 마이크로 엘이디 전사장치와 도 10과 도 11의 공정도를 참조하여 마이크로 엘이디 전사방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, a method for transferring a micro LED will be described with reference to FIGS. 1 and 2 and the micro LED transfer apparatus according to the present invention and the process diagrams of FIGS. 10 and 11.

1) 먼저, 상기 필름 공급 스테이지(100)에서는 롤투롤(Roll-to-Roll) 방식으로 마이크로 엘이디를 접착하여 분리하거나 전사하기 위한 접착 필름(F)이 공급된다.1) First, the film supply stage 100 is supplied with an adhesive film F for separating or transferring the micro-LEDs by bonding them in a roll-to-roll method.

구체적으로, 공급 롤 유닛(110)에 의해 합지 필름(C)이 이동되고, 상기 공급 롤 유닛(110)의 하부에 배치된 분리 롤 유닛(120)에 의해 상기 합지 필름(C)으로부터 이형지(R)가 제거되어 별도로 권취된다.Specifically, the paper film (C) is moved by the supply roll unit 110, and the release paper (R) from the laminate film (C) by the separation roll unit (120) disposed under the supply roll unit (110). ) Is removed and wound separately.

즉, 상기 합지 필름(C)으로부터 이형지(R)가 제거되어 하면에 점착제가 노출된 접착 필름(F)이 후속 공정으로 이동된다.That is, the release paper (R) is removed from the laminated film (C), and the adhesive film (F) in which the adhesive is exposed on the lower surface is moved to a subsequent process.

2) 다음, 패터닝 스테이지(200)에서는, 이동된 상기 접착 필름(F)에 칩 매핑 정보(도 10의 (a) 참조)에 따라 레이저를 조사하여 패터닝을 수행(도 10의 (b) 참조)하며 마이크로 엘이디가 부착될 부분 외의 부분에 점착력이 작용하지 않도록 처리된다.2) Next, in the patterning stage 200, patterning is performed by irradiating a laser on the moved adhesive film F according to chip mapping information (see FIG. 10(a)) (see FIG. 10(b)). It is treated so that the adhesive force does not act on the part other than the part where the micro LED is to be attached.

상기 레이저 조사장치(210)는 상기 접착 필름(F)의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름(F)의 하면에 도포된 점착제를 향해 조사하게 되어 있으며, 레이저 조사를 안정적으로 수행하기 위해 레이저를 조사하는 동안 상기 접착 필름(F)을 진공 흡착으로 고정한다.The laser irradiation device 210 is disposed under the adhesive film F to irradiate toward the adhesive applied to the lower surface of the adhesive film F, and irradiates a laser to stably perform laser irradiation. While the adhesive film (F) is fixed by vacuum adsorption.

이를 위해, 상기 접착 필름(F)의 상부에는 필름 고정장치(220)가 설치되어 레이저를 조사하는 동안 진공이 작용하여 상기 접착 필름(F)을 흡착 고정한다.To this end, a film fixing device 220 is installed on the upper portion of the adhesive film F, and a vacuum acts while irradiating the laser to adsorb and fix the adhesive film F.

상기 필름 고정장치(220)의 내부에는 진동을 감지하는 센서(미도시)가 내장되어 소정 진동수와 진폭 이상의 진동 발생시 가동을 멈추고 원인을 파악하여 제거하도록 할 수 있다.A sensor (not shown) for detecting vibration is built into the film fixing device 220 to stop operation when vibrations exceeding a predetermined frequency and amplitude are detected, and the cause may be identified and removed.

3) 한편에서는, 마이크로 엘이디가 포함된 웨이퍼가 준비(도 10의 (c) 참조)되어 패터닝된 접착 필름(F)이 있는 전사 스테이지(300)로 공급된다.3) On the one hand, a wafer containing micro-LEDs is prepared (refer to FIG. 10(c)) and supplied to the transfer stage 300 with the patterned adhesive film F.

그리고, 상기 마이크로 엘이디가 있는 제1 기판(S1)과 접착 필름(F) 사이의 어긋남이 있는지 비전 카메라를 포함하는 비전 감지부(500)에 의해 감지되어 마이크로 엘이디의 정확한 정렬이 이루어질 수 있도록 한다(도 10의 (d) 참조).(도 10의 (d) 참조).In addition, whether there is a misalignment between the first substrate S1 with the micro LED and the adhesive film F is detected by the vision sensing unit 500 including a vision camera, so that the micro LED can be accurately aligned ( See (d) of FIG. 10). (See (d) of FIG. 10).

4) 패터닝이 완료된 상기 접착 필름(F)도 전사 스테이지(300)로 이동하여 전사가 이루어진다.4) The adhesive film F, which has been patterned, is also transferred to the transfer stage 300 to perform transfer.

구체적으로, 전사 스테이지(300)에서는, 접착 필름(F)이 웨이퍼인 제1 기판(S1)에 형성된 마이크로 엘이디를 점착력을 이용하여 분리하는 단계와, 상기 접착 필름(F)을 가열하여 상기 접착 필름(F)과 마이크로 엘이디 사이의 점착력을 저하시키는 단계와, 접착 필름(F)을 제2 기판(S2)에 대하여 가압하여 점착력이 저하된 마이크로 엘이디를 제2 기판(S2)에 부착시켜서 전사하는 단계에 의해 마이크로 엘이디를 전사하게 된다.Specifically, in the transfer stage 300, the step of separating the micro LED formed on the first substrate S1 in which the adhesive film F is a wafer using adhesive force, and heating the adhesive film F to obtain the adhesive film (F) reducing the adhesive force between the micro LED and the step of pressing the adhesive film (F) against the second substrate (S2) to attach the reduced adhesive force to the second substrate (S2) to transfer the micro LED By this, the micro LED is transferred.

다음, 상기 접착 필름(F)을 사이에 두고 가압 플레이트(310)와 제1 기판 조정 유닛(330)이 대향되게 배치된 상태에서 상기 가압 플레이트(310)를 하강시켜서, 상기 접착 필름(F)이 제1 기판(S1)에 형성된 마이크로 엘이디를 점착력을 이용하여 분리한다(도 10의 (e) 참조).Next, the pressure plate 310 is lowered while the pressure plate 310 and the first substrate adjustment unit 330 are disposed to face each other with the adhesive film F interposed therebetween, so that the adhesive film F is The micro LED formed on the first substrate S1 is separated using adhesive force (see FIG. 10(e)).

5) 이 상태에서, 가압 플레이트(310)를 접착 필름(F)으로부터 멀어지게 하고, 히팅 플레이트(320)와 스크린 인쇄가 이루어진 PCB(도 10의 (f) 참조)인 제2 기판(S)이 적재된 제2 기판 조정 유닛(340)을 접착 필름(F)으로 이동시켜서 마이크로 엘이디가 부착된 접착 필름(F)을 사이에 두고 서로 대향되게 배치되도록 한다.5) In this state, the pressing plate 310 is moved away from the adhesive film F, and the heating plate 320 and the second substrate S, which is the PCB (refer to FIG. 10(f)) on which the screen printing is performed, are The loaded second substrate adjustment unit 340 is moved to the adhesive film F so that the micro LEDs are disposed to face each other with the adhesive film F attached therebetween.

그리고, 상기 접착 필름(F)에 접촉할 때까지 상기 히팅 플레이트(320)를 하강시켜서 접착 필름(F)이 가열되어 열활성화 점착제가 점착력을 잃도록 한다(도 10의 (g) 참조).In addition, the heating plate 320 is lowered until it contacts the adhesive film F, so that the adhesive film F is heated so that the thermally activated adhesive loses adhesive strength (see FIG. 10(g)).

6) 다음, 히팅 플레이트(320)는 접착 필름(F)으로부터 멀어지게 하고, 다시 가압 플레이트(310)가 상기 점착 필름(F)으로 이동하여 마이크로 엘이디가 부착된 접착 필름(F)을 사이에 두고 가압 플레이트(310)와 제2 기판 조정 유닛(340)이 서로 대향하여 배치되도록 한다.6) Next, the heating plate 320 is moved away from the adhesive film (F), and the pressure plate 310 moves to the adhesive film (F) again, and the adhesive film (F) to which the micro LED is attached is interposed therebetween. The pressure plate 310 and the second substrate adjustment unit 340 are arranged to face each other.

이 상태에서, 상기 가압 플레이트(310)를 하강시켜서, 상기 접착 필름(F)에 점착력이 작게 부착된 마이크로 엘이디를 제2 기판(S2)에 부착시킨다(도 10의 (h) 참조).In this state, the pressing plate 310 is lowered to attach the micro LED having a small adhesive force to the adhesive film F to the second substrate S2 (see FIG. 10(h)).

7) 다음, 이와 같이 제2 기판(S2)에 마이크로 엘이디가 부착된 제품을 외관 검사를 통해 누락 여부 및 위치를 확인하고(도 10의 (i) 참조), 그 결과에 따라 양호 또는 미완에 관한 데이터를 출력하도록 하며, 양호 데이터가 출력될 경우에만 제2 기판(S2)을 다음 공정으로 반출한다.7) Next, check whether the product on which the micro LED is attached to the second substrate (S2) as described above is checked for omission and its location (refer to (i) of FIG. 10), and according to the result, Data is output, and only when good data is output, the second substrate S2 is taken out to the next process.

8) 그렇지 않고, 만일 일부 마이크로 엘이디가 누락되어 미완으로 전사가 이루어진 경우 2차 전사를 수행하며, 상기 2차 전사는 1차 전사와 대부분 동일한 단계를 거치게 된다.8) Otherwise, if some micro-LEDs are missing and the transfer is incomplete, secondary transfer is performed, and the secondary transfer goes through most of the same steps as the primary transfer.

8-1) 즉, 미완으로 결정된 제2 기판(S2)을 반출하는 대신 그 자리에 둔 상태에서, 추가적으로 접착 필름(F)을 공급한다.8-1) That is, instead of carrying out the second substrate S2, which has been determined to be incomplete, the adhesive film F is additionally supplied while leaving it there.

이 단계에서는, 공급 롤 유닛(110)에 의해 합지 필름(C)을 이동되는 것과 동시에, 상기 공급 롤 유닛(110)의 하부에 배치된 분리 롤 유닛(120)에 의해 상기 합지 필름(C)으로부터 이형지(R)가 제거되어 별도로 권취된다.In this step, the paper film C is moved by the supply roll unit 110 and at the same time, from the paper film C by the separation roll unit 120 disposed under the supply roll unit 110. The release paper (R) is removed and wound separately.

8-2) 다음, 패터닝 스테이지(200)에서, 이동된 상기 접착 필름(F)에 레이저를 조사하여 패터닝이 이루어진 부분에 점착력이 작용하지 않도록 처리되는데, 2차 전사 단계에서는 위에 기술된 1차 전사된 제2 기판의 칩 매핑 정보(도 11의 (a) 참조)를 이용하여 마이크로 엘이디가 누락된 부분 외의 부분에 점착력이 없도록 패터닝한다(도 11의 (b) 참조).8-2) Next, in the patterning stage 200, the moved adhesive film F is irradiated with a laser so that the adhesive force does not act on the patterned portion. In the second transfer step, the first transfer described above Using the chip mapping information of the second substrate (refer to (a) of FIG. 11), patterning is performed so that there is no adhesive force on the part other than the part where the micro LED is missing (refer to (b) of FIG. 11).

8-3) 한편에서는, 마이크로 엘이디가 포함된 웨이퍼가 준비(도 11의 (c) 참조)되어 전사 스테이지(300)로 공급되며, 상기 마이크로 엘이디가 있는 제1 기판(S1)과 접착 필름(F) 사이의 어긋남이 있는지 비전 카메라를 포함하는 비전 감지부(500)에 의해 감지되어 마이크로 엘이디의 정확한 정렬이 이루어질 수 있도록 한다(도 11의 (d) 참조).8-3) On the one hand, a wafer containing a micro LED is prepared (see Fig. 11(c)) and supplied to the transfer stage 300, and the first substrate S1 with the micro LED and the adhesive film F ) Is detected by the vision detection unit 500 including a vision camera, so that the micro LED can be accurately aligned (see (d) of FIG. 11).

8-4) 패터닝이 완료된 상기 접착 필름(F)은 전사 스테이지(300)로 이동하여 제2 기판(S2)으로의 전사가 이루어지게 되며, 그 방법은 1차 전사와 동일하다(도 11의 (e), (f), (g) 참조).8-4) The adhesive film F, which has been patterned, moves to the transfer stage 300 and is transferred to the second substrate S2, and the method is the same as that of the primary transfer (Fig. e), (f), (g)).

8-5) 다음, 이와 같이 제2 기판(S2)에 마이크로 엘이디가 부착된 제품을 외관 검사를 통해 확인하고, 그 결과에 따라 양호 또는 미완에 관한 결정을 하도록 한다(도 11의 (h) 참조).8-5) Next, check the product with the micro LED attached to the second substrate (S2) through the visual inspection, and make a decision as to whether it is good or incomplete according to the result (see Fig. 11(h)). ).

8-6) 외관검사를 통해 미완으로 결정될 경우에는 제2 기판(S2)을 폐기하고, 양호로 결정될 경우에는 리플로우(reflow) 단계를 수행하여 마이크로 엘이디를 상기 제2 기판(S2)에 안정적으로 실장한다(도 11의 (i) 참조)8-6) If it is determined to be incomplete through visual inspection, the second substrate (S2) is discarded, and if it is determined to be good, a reflow step is performed to stably transfer the micro LED to the second substrate (S2). Mounted (see Fig. 11(i))

8-7) 리플로우 단계 후 점등 검사를 수행하고 제품을 반출한다(도 11의 (j) 참조).8-7) After the reflow step, the lighting test is performed and the product is taken out (see (j) of FIG. 11).

한편, 상기 필름 회수 스테이지(400)에서는 이전 단계에서 기사용된 상기 접착 필름(F)에 이형지(R)를 부착하여 감아서 회수한다.On the other hand, in the film recovery stage 400, a release paper (R) is attached to the adhesive film (F) used in the previous step, and the release paper (R) is wound and recovered.

전술한 실시예에서, 상기 제1 기판(S1)은 사파이어 기판이나 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 제2 기판(S2)은 PCB 등이 채택될 수 있으며, 기타 공지된 다양한 기판이 채택될 수 있다.In the above-described embodiment, the first substrate S1 may be a sapphire substrate or a silicon wafer, and the second substrate S2 may be a PCB or the like, and various other known substrates may be adopted.

본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.The embodiments of the present invention are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible within the scope of the following claims.

100... 필름 공급 스테이지
110... 공급 롤 유닛
120... 분리 롤 유닛
200... 패터닝 스테이지
210... 레이저 조사장치
220... 필름 고정장치
300... 전사 스테이지
310... 가압 플레이트
311... 진공 흡입층
312... 진공 흡착홀
313... 진공 작용층
320... 히팅 플레이트
321... 히터층
322... 냉각층
330... 제1 기판 조정 유닛
340... 제2 기판 조정 유닛
350... 회전축부
351... 수평 가이드 레일
352... 수직 가이드 레일
353... 조정 유닛용 가이드 레일
360... 가압 히팅 플레이트
361... 진공 흡입층
362... 제1 진공 흡착홀
363... 냉각층
364... 제2 진공 흡착홀
365... 히터층
370... 지지부
400... 필름 회수 스테이지
500... 비전 감지부
1000... 마이크로 엘이디 전사장치
S1... 제1 기판
S2... 제2 기판
F... 접착 필름
R... 이형지
C... 합지 필름100... film feed stage
110... feed roll unit
120... Separation roll unit
200... patterning stage
210... laser irradiation device
220... film fixing device
300... Warrior Stage
310... pressure plate
311... vacuum suction layer
312... vacuum suction hole
313... vacuum working layer
320... heating plate
321...heater layer
322... cooling bed
330... first substrate adjustment unit
340... second substrate adjustment unit
350... rotary shaft part
351... horizontal guide rail
352... vertical guide rail
353... Guide rail for adjustment unit
360... pressurized heating plate
361... vacuum suction layer
362... first vacuum suction hole
363... cooling bed
364... 2nd vacuum suction hole
365... heater layer
370... support
400... film recovery stage
500... vision detector
1000... Micro LED transfer device
S1... first substrate
S2... second substrate
F... adhesive film
R... Hyungji Lee
C... laminated film

Claims (8)

하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛;
상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하는 가압 플레이트; 및,
상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 히팅 플레이트;
를 포함하되,
상기 가압 플레이트와 히팅 플레이트는 서로 고정되어 있으며 동시 수평 회전이 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자의 이송 장치.A first substrate adjustment unit disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface and reciprocating in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and on which a first substrate and a second substrate are respectively placed on the upper surface. A second substrate adjustment unit;
A pressing plate for pressing the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit; And,
A heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the adhesive film while facing the second substrate adjusting unit;
Including,
The pressurizing plate and the heating plate are fixed to each other and are installed to be horizontally rotated at the same time. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가압 플레이트는, 진공 흡입층과, 상기 진공 흡입층으로부터 바닥까지 연통되는 다수의 진공 흡착홀을 포함하는 진공 작용층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자의 이송 장치.The method of claim 1,
The pressurizing plate is configured of a vacuum action layer including a vacuum suction layer and a plurality of vacuum suction holes communicating from the vacuum suction layer to the floor. 하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛;
상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하는 가압 플레이트; 및,
상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 히팅 플레이트;
를 포함하되,
상기 히팅 플레이트는 히터층 위에 냉각층이 배치된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자의 이송 장치.A first substrate adjustment unit disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface and reciprocating in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and on which a first substrate and a second substrate are respectively placed on the upper surface. A second substrate adjustment unit;
A pressing plate for pressing the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit; And,
A heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the adhesive film while facing the second substrate adjusting unit;
Including,
The heating plate is a transport device for a display device, characterized in that the structure of the cooling layer is disposed on the heater layer. 하면에 열활성화 점착제가 도포된 접착 필름의 아래쪽에 배치되어 상기 접착 필름의 이동 방향과 직교하는 방향으로 왕복 이동 가능하며, 상부에 제1 기판과 제2 기판이 각각 올려지는 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛; 및,
상기 접착 필름의 위쪽에 수평으로 배치되며 상하 왕복 이동이 가능하게 배치되어 상기 제1 기판 조정 유닛과 제2 기판 조정 유닛에 대하여 상기 접착 필름을 가압하고 상기 제2 기판 조정 유닛에 대향한 상태에서 접착 필름을 가열하여 열활성화 점착제의 점착력을 약화시키는 가압 히팅 플레이트;
를 포함하되,
상기 가압 히팅 플레이트는 진공 흡입층과, 상기 진공 흡입층의 하부에 배치되며 다수의 제1 진공 흡착홀이 형성된 냉각층과, 상기 냉각층의 하부에 배치되며 상기 제1 진공 흡착홀에 연통하는 다수의 제2 진공 흡착홀이 형성되는 히터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자의 이송 장치.A first substrate adjustment unit disposed under the adhesive film to which the thermally activated adhesive is applied on the lower surface and reciprocating in a direction orthogonal to the moving direction of the adhesive film, and on which a first substrate and a second substrate are respectively placed on the upper surface. A second substrate adjustment unit; And,
It is disposed horizontally above the adhesive film and is arranged to move vertically and reciprocally to press the adhesive film against the first substrate adjustment unit and the second substrate adjustment unit, and adhere in a state opposite to the second substrate adjustment unit. Pressurized heating plate for weakening the adhesive force of the thermally activated pressure-sensitive adhesive by heating the film;
Including,
The pressurized heating plate includes a vacuum suction layer, a cooling layer disposed below the vacuum suction layer and having a plurality of first vacuum suction holes, and a plurality of cooling layers disposed below the cooling layer and communicating with the first vacuum suction hole. Transfer device of a display device, characterized in that it comprises a heater layer in which the second vacuum adsorption hole is formed. 삭제delete
KR1020200137772A 2020-10-22 2020-10-22 Apparatus for Transferring Display Elements KR102238491B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200137772A KR102238491B1 (en) 2020-10-22 2020-10-22 Apparatus for Transferring Display Elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200137772A KR102238491B1 (en) 2020-10-22 2020-10-22 Apparatus for Transferring Display Elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102238491B1 true KR102238491B1 (en) 2021-04-09

Family

ID=75443967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200137772A KR102238491B1 (en) 2020-10-22 2020-10-22 Apparatus for Transferring Display Elements

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102238491B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190018385A (en) * 2017-08-14 2019-02-22 삼성전자주식회사 Transfering apparatus for electrical element
KR102012692B1 (en) 2018-03-30 2019-08-21 한국기계연구원 Apparatus for transferring micro device and method of transferring micro device
KR20190098540A (en) * 2018-02-14 2019-08-22 삼성전자주식회사 Compression device and manufacturing method of light source module using the same
KR20200065450A (en) * 2018-11-30 2020-06-09 (주)플렉스컴 Apparatus and method for transferring wafer
KR20200107559A (en) * 2019-03-08 2020-09-16 한국광기술원 Light emitting device structure transfer apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190018385A (en) * 2017-08-14 2019-02-22 삼성전자주식회사 Transfering apparatus for electrical element
KR20190098540A (en) * 2018-02-14 2019-08-22 삼성전자주식회사 Compression device and manufacturing method of light source module using the same
KR102012692B1 (en) 2018-03-30 2019-08-21 한국기계연구원 Apparatus for transferring micro device and method of transferring micro device
KR20200065450A (en) * 2018-11-30 2020-06-09 (주)플렉스컴 Apparatus and method for transferring wafer
KR20200107559A (en) * 2019-03-08 2020-09-16 한국광기술원 Light emitting device structure transfer apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5612963B2 (en) Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
KR101959057B1 (en) Transfering method and apparatus of micro LED chip
JP5589045B2 (en) Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting apparatus
JP6839143B2 (en) Element mounting device, element mounting method and element mounting board manufacturing method
US11024596B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
JP6902292B2 (en) Bonding equipment and bonding method
KR102123348B1 (en) Device and method for mounting element and method for manufacturing a substrate on which an element is mounted
TWI671827B (en) Bonding device and joining method
KR102238491B1 (en) Apparatus for Transferring Display Elements
JP5662855B2 (en) Printed circuit board manufacturing apparatus and manufacturing method
JP4892551B2 (en) Coverlay film laminating device
KR102426343B1 (en) Apparatus and Method for Transferring Micro LED
JP2019145707A (en) Ball loading device
KR20220048018A (en) Bonding apparatus, bonding system and bonding method
KR102176615B1 (en) Apparatus and Method for Transferring Disply Element
WO2017209115A1 (en) Method for mounting die
JP4046076B2 (en) Electronic component mounting device
JP7455789B2 (en) Chip removal method and device
CN111712906A (en) Anti-warping PTFE sheet for die packaging and die packaging method
JP2005129803A (en) Method for manufacturing sheet with ic tag, method for manufacturing ic tag and its manufacturing apparatus
JP2007294803A (en) Jointing apparatus and jointing method
JPH1074767A (en) Fine ball bump forming method and device
CN113394122A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP2008034442A (en) Method of inserting conductive ball in printed circuit board, and device therefor

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant