KR102236069B1 - 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징 - Google Patents

Abstract

본 발명은 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속판재의 인서트사출 성형된 표면을 전처리하고 두 단계의 무전해 도금공정으로 인테나 하우징의 제작공정 및 기간을 단축시킬 수 있으며 제작비용을 절감시킬 수 있도록 발명한 것이다.
본 발명의 구성은, 금속판재(11)를 타발 가공하는 금속판재 성형공정(S10);
상기 금속판재(11)를 열가소성 수지에 인서트 가공하여 인테나 하우징(10)을 성형하는 인서트 사출공정(S30);
상기 금속판재(11)의 보호코팅층(20)을 제거해 도금 영역을 레이저 가공하는 레이저 성형공정(S40);
상기 레이저 가공된 인테나 하우징을 탈지액에 디핑방식으로 침적시켜 불순물, 유분을 제거하는 탈지공정(S50);
상기 탈지공정(S50)을 통과한 인테나 하우징을 1차도금액에 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 제1도금층(30)을 갖도록 하는 무전해 하지도금공정(S60);
상기 무전해 하지도금공정(S60)을 통과한 인테나 하우징을 2차도금액에 침지시켜 제1도금층(30)에 제2도금층(40)을 더 갖도록 하는 무전해 두께도금공정(S70); 을 포함해 구성된다.

Description

금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징 {LDS electroless plating method of metal plate and intena housing manufactured according thereto}

본 발명은 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속판재의 인서트사출 성형된 표면을 전처리하고 두 단계의 무전해 도금공정으로 인테나 하우징의 제작공정 및 기간을 단축시킬 수 있으며 제작비용을 절감시킬 수 있도록 발명한 것이다.

일반적으로 송수신기기 혹은 휴대폰의 외부로 돌출된 안테나를 구비한 스마트폰과 같은 모바일기기는 그 디자인의 다양화와 슬림화가 어렵다.

따라서, 안테나를 모바일기기의 하우징 내부에 인쇄회로기판과 연결시켜 놓아 외부에 돌출부가 없으면서 안테나 특성을 유지하도록 설계된 것을 안테나 중에서도 인테나(Intenna)라고 한다.

이러한 인테나는 모바일기기의 디자인을 다양하게 설계할 수 있게 할 뿐만 아니라 모바일기기의 두께를 줄여 슬림화 할 수 있는 장점을 제공한다.

인테나는 크게 두, 세 가지의 방법으로 제조하고 있으며 제조방법은 다음과 같다.

하나의 방법은, 모바일기기 설계에 따라 하우징과 인쇄회로기판이 배치되며 인테나 내장 공간이 정해지고 이에 대응한 플라스틱 사출금형을 제작하여 사출성형된 베이스에 인테나 회로 패턴에 대응한 프레스 금형을 제작하여 동박판이나 스테인레스 박판 등으로 타발하고 절곡하여 베이스에 끼운 다음, 열융착으로 고정시켜 인테나의 기능을 부가하는 방법으로 현재에도 사용되고 있다.

다른 하나의 방법은 이중사출공정으로 인테나 내장 공간의 형태에 따라 설계된 베이스에 회로패턴을 설계한 후 베이스 사출금형과 회로패턴 사출금형을 연계하여 제작하고 이중사출기를 이용하여 베이스와 회로패턴의 사출재료를 각기 다른 성분의 플라스틱 재료로 이중 사출함으로써, 베이스에 회로패턴을 형성하며, 이중사출품의 회로패턴 부위에만 무전해 도금을 실시하여 인테나를 제조한다.

상기 이중사출공정은 금형 제작기간에 시간과 비용이 많이 소요되며 금형 개발 등에 시간이 많이 걸리는 단점이 있다.

또 다른 방법에는, 플라스틱 원재료에 도금이 될 수 있도록 활성제인 금속성분 및 충진제를 혼입하여 사용하는 레이저(laser) 방식이다.

상기 방식은 사출성형품인 열가소성 수지(폴리카보네이트 : PolyCarbonate)에 레이저를 이용해 원하는 패턴으로 구리, 니켈 등을 도금하여 전기적 특성을 구현해 인테나를 제조하므로 엘디에스 LDS(Laser Direct Structuring)공정이라고 하며, 개발 내지 제조과정에서 시간을 절감할 수 있어 경제성을 향상시킬 수 있는 최신 기술의 하나이다.

즉 도금의 씨앗(seed)인 금속 성분이 원재료(Resin)에 혼입되어 있어 이중사출법에 따른 공정과 비교하면 에칭공정, 중화공정, 활성공정 등이 생략되어 제조 시간을 절감할 수 있다는 장점을 갖는다.

또, 엘디에스 공정은 레이저와 전용 프로그램을 통해 원하는 위치에 미세한 패턴을 도안할 수 있기 때문에 , 안테나를 소형화할 수 있고 안테나의 설계가 자유롭다는 장점이 있다.

또, 전용 프로그램을 이용하기 때문에 안테나 패턴을 손쉽게 수정할 수 있다는 장점도 있어, 상기 LDS공정으로 제조된 안테나는 스마트폰과 같이 무선 통신 기능을 구비하는 소형의 전자 장치에 적용되고 있다.

그러나, 종래의 인테나를 제조하기 위한 LDS 공정은, 프레스 가공된 금속판재를 인서트 사출하기 이전에 금속판재를 전해 또는 무전해 연마하고 표면에 부동태 피막을 형성한 다음에 얇은 피막의 코팅층을 도포하는 공정이 요구되었으며, 상기의 공정으로 인해 약품비용과 제조공정수, 공정불량률이 증가되어 단가상승의 요인이 되는 문제점이 있었다.

또한, 최근에는 단말기 디자인이 점차 복잡 다양해지면서 더욱 슬림화가 요구되고 있어 인테나 하우징(예로서, 기구물 또는 carrier 등을 포함)에 스피커 그릴(speaker grill) 또는 울림통용 메탈(metal) 등을 함께 적용시켜 인서트 사출하는 경우에는 상기 엘디에스 공정에서의 무전해 도금과정에서 상기 스피커 그릴 또는 메탈의 표면에도 도금처리 됨으로써 상기 도금을 제거하는 별도의 공정이 요구되는 문제점이 있었다.

그리고, 상기 인서트 사출된 인테나 하우징의 스피커 그릴 또는 메탈의 표면에 도금방지를 위한 별도의 공정(일 예로 필름부착)과 무전해 도금 이후에 상기 도금방지 공정에 사용된 필름을 제거하는 공정이 재차 요구되어 제작공정의 증가와 함께 제작비용이 증가되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

대한민국 등록특허공보 제10-1724071호. 단일단계 전처리 과정을 갖는 엘디에스(LDS) 무전해 도금 방법 및 이에 의한 인테나 (등록일자 2017년 03월 31일)

상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 타발된 금속판재에 표면처리액을 도포시켜 표면도금 방지피막을 보다 간편하게 형성시키고, 기존의 엘디에스 공정을 활용해 인테나를 제조함으로써 작업공정 및 작업시간을 단축시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

또 본 발명은, 인서트 사출된 인테나 하우징(예로서, 기구물 또는 carrier 등을 포함)을 디핑 방식으로 탈지하고, 기존의 무전해 도금공정 보다 도금 속도를 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

또한 본 발명은, 무전해 도금공정에서 도금액에 황산니켈(NiSO4)을 포함시켜 금속판재 표면의 석출 방지효과를 향상하고, 무전해 도금공정에서 메르캅토벤조티아졸과 2-2'비피리딘의 첨가제를 추가하여 도금 안정성과 생산성 및 생산수율을 증대시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

이와 같은 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명은,

금속판재(11)를 타발 가공하는 금속판재 성형공정(S10);

상기 금속판재(11)를 열가소성 수지에 인서트 가공하여 인테나 하우징(10)을 성형하는 인서트 사출공정(S30);
상기 금속판재 성형공정(S10)과 인서트 사출공정(S30) 사이 또는 인서트 사출공정(S30)이후에 표면처리액에 침적시켜 금속판재(11)에 보호코팅층(20)을 형성하는 표면처리공정(S20);

상기 금속판재(11)의 보호코팅층(20)을 제거해 도금 영역을 레이저 가공하는 레이저 성형공정(S40);

상기 레이저 가공된 인테나 하우징을 탈지액에 디핑방식으로 침적시켜 불순물, 유분을 제거하는 탈지공정(S50);

상기 탈지공정(S50)을 통과한 인테나 하우징을 1차도금액에 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 제1도금층(30)을 갖도록 하는 무전해 하지도금공정(S60);

상기 무전해 하지도금공정(S60)을 통과한 인테나 하우징을 2차도금액에 침지시켜 제1도금층(30)에 제2도금층(40)을 더 갖도록 하는 무전해 두께도금공정(S70); 을 포함해 구성된다.

또, 상기 무전해 두께도금공정(S70) 이후에,

인테나 하우징을 팔라듐용액에 침지시키는 촉매공정(S80);

상기 촉매공정(S80)을 통과한 인테나 하우징을 니켈도금액에 침지시켜 제1도금층(30) 및 제2도금층(40)의 외면에 니켈도금층(50)을 갖도록 하는 무전해 니켈도금공정(S90);

상기 무전해 니켈도금공정(S90)을 통과한 인테나 하우징(10)을 유기 용제가 수용된 탈지조에 20 내지 80초 침적시켜 금속판재(11) 및 보호코팅층(20)과 니켈도금층(50)의 표면을 탈지하는 표면처리 탈지공정(S95)을 더 포함해 구성된다.

또한, 표면처리공정(S20)은, 나노세라믹 1 내지 7 중량부, 벤즈이미다졸 1 내지 7 중량부, 용제 80 내지 104 중량부를 포함한 표면처리액에 인테나 하우징을 5 내지 25초 침적시켜 금속판재(11)의 표면에 보호코팅층(20)이 형성된다.

그리고, 상기 금속판재 성형공정(S10)과 인서트 사출공정(S30) 사이 또는 인서트 사출공정(S30)과 레이저 성형공정(S40) 사이에 선택된 표면처리공정(S20)을 통해 금속판재(11)에 형성된 보호코팅층(20)은, 50 내지 90℃에서 20 내지 70분의 건조과정으로 경화 및 건조된다.

또, 무전해 하지도금공정(S60)의 1차도금액은,

황산동5수 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되어, 인테나 하우징을 1차도금액에 3분 내지 25분 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 적어도 0.5 내지 3 ㎛의 제1도금층(30)이 형성되게 한다.

또한, 무전해 두께도금공정(S70)의 2차도금액은,

황산동5수 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부, 2-2'비피리딘(2-2' bipyridine) 0.0003 내지 0.004 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되며, 인테나 하우징을 2차도금액에 1 내지 4시간 침지시켜 제1도금층(30)에 적어도 6 내지 20 ㎛의 제2도금층(40)이 형성되어 달성한다.

그리고, 본 발명은 상기 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법에 따라서 제조된 인테나 하우징도 제공한다.

이러한 본 발명에 의하면, 타발된 금속판재에 표면처리액을 도포시켜 표면도금 방지피막을 보다 간편하게 형성시키고, 무전해 도금 공정에서 도금영역 이외의 영역에 대해 도금을 방지할 수 있어, 모바일기기를 더욱 슬림화할 수 있으면서 작업공정 및 작업시간을 단축시켜 제품 경쟁력을 증대시킬 수 있다.

또, 인서트 사출된 인테나 하우징을 디핑 방식으로 탈지하고, 기존의 무전해 도금공정 보다 도금 속도를 증가시켜 생산성 및 생산수율을 증대시킬 수 있다.

그리고, 무전해 도금공정에서 도금액에 황산니켈(NiSO4)을 포함시켜 금속판재 표면의 석출 방지효과를 향상하고, 두께도금공정에서는 메르캅토벤조티아졸과 2-2'비피리딘의 첨가제를 추가하여 도금안정성을 향상시킬 수 있는 효과 등도 있다.

도 1은 본 발명인 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법에 대한 순서도.
도 2은 본 발명인 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법에 따라서 제조되는 인테나 하우징의 상태도.
도 3은 본 발명인 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법에 따라서 제조되는 과정을 도시한 인테나 하우징의 요부 단면도.

본 발명인 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징은 금속판재의 인서트사출 성형된 표면을 전처리하고 두 단계의 무전해 도금공정으로 인테나 하우징의 제작공정 및 기간을 단축시킬 수 있으며 제작비용을 절감시킬 수 있도록 발명한 것이다.

이하 본 발명에 따른 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법 및 그에 따라서 제조된 인테나 하우징의 제조과정을 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 기술되는 실시 예들에 의해 그 특징들을 이해할 수 있을 것이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 실시 예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

먼저, 인테나 하우징(10)은 열가소성 수지(폴리카보네이트 : PolyCarbonate)로 형성되어, 표면에 레이저를 이용해 원하는 패턴을 성형한 다음 구리 및 니켈 등을 도금하여 전기적 특성을 갖도록 하는 엘디에스 LDS(Laser Direct Structuring) 공정에 대해서는 이미 공지(公知)된 일반적인 기술이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

본 발명은, 크게 인테나 하우징(10)의 스피커 그릴(speaker grill) 또는 울림통용 메탈(metal) 등에 적용되는 금속판재(11)의 표면에 인서트 사출공정 이전 또는 이후에 보호코팅층(20)을 형성시켜 레이저 성형공정에 제공하고, 상기 레이저 성형된 인테나 하우징(10)의 도금영역을 무전해 동도금 및 무전해 니켈도금하도록 구성된다.

이를 위해 본 발명은 도 1에서와 같이 금속판재 성형공정(S100)에서 금속판재(11)를 프레스를 이용해 타발 가공하는데, 상기 금속판재(11)의 형상은 후술되는 인테나 하우징(10)의 형상 또는 스피커 그릴, 울림통용 메탈 등의 형상에 따라 다양한 형상을 갖게 변형하는 것이 가능함을 밝혀둔다.

인서트 사출공정(S30)은, 금속판재(11)를 열가소성 수지에 인서트 사출성형(Insert Injection Molding)하여 인테나 하우징(10)을 성형하는 공정으로, 이러한 인서트 사출공정은 이미 일반적으로 공지된 기술내용이므로 상세한 설명은 생략한다.

본 발명은, 금속판재 성형공정(S10)과 인서트 사출공정(S30) 사이에 인테나 하우징(10)의 금속판재(11)에 보호코팅층을 형성하는 표면처리공정(S20)이 선행되거나, 또는 인서트 사출공정(S30) 다음에 금속판재(11)에 보호코팅층을 형성하는 표면처리공정(S20)이 더 후행되는데 상기 표면처리공정(S20)의 공정순서는 금속판재(11) 및 인테나 하우징(10)의 사출공정에서 작업의 효율성에 맞춰 선택 가능하다.

상기 표면처리공정(S20)은, 나노세라믹 1 내지 7 중량부, 벤즈이미다졸 1 내지 7 중량부, 유기 용제(MEK) 80 내지 104 중량부를 포함시켜 혼합한 표면처리액에 인테나 하우징을 5 내지 25초 침적(沈積)시켜 금속판재(11)의 표면에 보호코팅층(20)이 적어도 0.5 내지 3 ㎛ 이상 형성되는 단계이다.

여기에서, 상기 나노세라믹은, 금속 및 사출 표면 처리에 대한 주요 성분으로 상기 조성비 보다 낮은 비율에서는 표면처리 효과가 저하되어 금속 표면의 도금과정에서 석출되면서 불량률이 상승되었으며, 높은 비율에서는 표면처리 작업성이 저하되고 건조시간이 증가되며, 표면 처리에 얼룩이 발생되는 문제가 발생하였다.

또, 벤즈이미다졸은 상기 나노세라믹을 분산(도포시 평탄하게 하기 위한 첨가제)시키는 역할을 하며 유기 용제는 표면처리액의 농도를 조절하는데 사용된다.

그리고, 금속판재 성형공정(S10)과 인서트 사출공정(S30) 사이 또는 인서트 사출공정(S30)과 레이저 성형공정(S40) 사이에 추가 선택된 표면처리공정(S20)을 통해 금속판재(11)에 형성된 보호코팅층(20)은, 50 내지 90℃에서 20분 내지 70분의 건조과정으로 보호코팅층이 경화 및 건조되게 구성한다.

레이저 성형공정(S40)은, 상기 금속판재(11)의 보호코팅층(20)을 제거해 도금 영역을 레이저 가공해 선택하는 단계이며, 외부로 노출된 금속판재(11)의 표면 및 도금이 이루어지면 안되는 특정부위에는 레이저 가공을 하지 않아 보호코팅층(20)이 유지되도록 한다.

탈지공정(S50)은, 상기 레이저 가공된 인테나 하우징(10)을 공지의 탈지액이 수용된 탈지조에 디핑(Dipping)방식으로 침적시켜 불순물, 유분, 이물질을 제거하는 단계로서, 보호코팅층의 보호를 위해 초음파 방식이 아닌 디핑 방식을 사용하는 것이 바람직하다.

무전해 하지도금공정(S60)은, 상기 탈지공정(S50)을 통과한 인테나 하우징을 1차도금액이 수용된 제1도금조에 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 제1도금층(30)을 갖도록 하는 공정이다.

상기, 무전해 하지도금공정(S60)의 1차도금액은, 황산동5수(CUSO4) 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되며, 인테나 하우징을 40 내지 60℃의 1차도금액에 3분 내지 30분 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 적어도 0.5 내지 3 ㎛의 제1도금층(30)이 형성되게 한다.

여기에서, 상기 황산동5수(CUSO4)는 무전해 동 도금을 위한 동 이온 공급의 주요 성분으로, 조성비 보다 높은 경우 도금 표면이 거칠어지고, 낮은 경우 도금 속도가 현저히 떨어지는 현상이 발생된다.

또, 황산니켈(NiSO4)은, 금속판재(11)의 표면에 석출되는 현상을 방지하기 위한 성분이며, 조성비 보다 높은 경우 구리(Cu)의 함량이 미달되며, 낮은 경우 금속판재의 표면에 석출이 발생하여 불량이 발생된다.

수산화나트륨(NaOH)은, 1차도금액의 수소이온농도(pH)를 조절하는 성분으로, 조성비 보다 높거나 낮은 경우 도금층의 두께가 균일하지 못하는 현상이 발생된다.

타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate)은, 도금부 표면의 조도를 조절하는 성분으로, 조성비 보다 높거나 낮은 경우 도금면이 거칠어지는 현상이 발생된다.

메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE; MBT)은, 1차도금액의 수소이온농도(pH)를 안정화(buffer)하는 성분으로, 조성비 보다 높으면 도금이 이루어지지 않고 낮은 경우 수소이온농도가 불안정된다.

포름산(HCOOH)은, 환원제 성분으로 조성비 보나 높으면 과도금 유발 및 도금조의 석출이 발생되고, 낮으면 환원력이 떨어진다.

무전해 두께도금공정(S70)은, 상기 무전해 하지도금공정(S60)을 통과한 인테나 하우징을 2차도금액이 수용된 제2도금조에 침지시켜 제1도금층(30)의 상부에 제2도금층(40)을 더 갖도록 하는 공정이다.

상기, 무전해 두께도금공정(S70)의 2차도금액은, 황산동5수 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부, 2-2'비피리딘(2-2' bipyridine) 0.0003 내지 0.004 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되며, 인테나 하우징을 40 내지 60℃의 2차도금액에 1 내지 4시간 침지시켜 제1도금층(30)에 적어도 6 내지 20 ㎛의 제2도금층(40)이 형성되게 한다.

여기에서, 상기 황산동5수(CUSO4), 황산니켈(NiSO4)은, 수산화나트륨(NaOH)은, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate)은, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE; MBT)은, 포름산(HCOOH)에 대한 설명은 전술된 바와 동일하다.

2-2'비피리딘(2-2' bipyridine)은, 건욕된 약품 안정제이며, 조성비 보나 높으면 도금이 되지 않고, 조성비 보다 낮으면 제2도금조에 건욕된 2차도금액의 안정성이 떨어진다.

그리고, 상기 무전해 두께도금공정(S70) 이후에는, 팔라듐 용액이 수용된 촉매조에 인테나 하우징을 침지시키는 촉매공정(S80)과, 상기 촉매공정(S80)을 통과한 인테나 하우징을 니켈도금액에 침지시켜 제1도금층(30) 및 제2도금층(40)의 외면에 니켈도금층(50)을 갖도록 하는 무전해 니켈도금공정(S90)이 더 구성된다.

상기 촉매공정(S80)은, 동 도금층의 표면에 후술되는 니켈도금층이 빠르게 형성될 수 있도록 하는 공정으로, 이미 일반적으로 공지된 기술내용이므로 상세한 설명은 생략한다.

무전해 니켈도금공정(S90)은, 촉매공정(S80)을 통과한 인테나 하우징(10)을 니켈도금액이 수용된 니켈도금조에 침지시켜 제1도금층(30) 및 제2도금층(40)의 외면에 니켈도금층(50)을 갖도록 하는 공정으로 상기의 니켈도금공정은 이미 공지된 일반적인 구성이므로 상세한 설명은 생략한다.

상기 무전해 니켈도금공정(S90)이후에는, 인테나 하우징(10)을 유기 용제(MEK)가 수용된 탈지조에 20 내지 80초 침적시키는 표면처리 탈지공정(S95)이 구비되어, 금속판재(11) 및 보호코팅층(20)과 니켈도금층(50)의 표면을 탈지시켜 얼룩을 제거하여 완료한다.

상기 표면처리 탈지공정(S95)의 유기 용제(MEK)는 공지된 액체로 구입 및 사용하여 금속판재(11) 및 보호코팅층(20)과 니켈도금층(50)의 표면에 묻은 불순물, 유분, 이물질 등의 얼룩을 제거하는 단계이다.

그리고, 상기와 같이 도금층이 형성된 인테나 하우징(10)을 다양한 방식으로 건조시키고, 이를 검수하여 출하하고 전자부품, 휴대전화기부품, 자동차부품 등에서 사용되게 한다.

이상에서와 같이 상술한 실시 예는 본 발명의 가장 바람직한 예에 대하여 설명한 것이지만 상기 실시 예에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다는 것은 당업자에게 있어서 명백한 것이다.

S10. 금속판재 성형공정 S20. 표면처리공정
S30. 인서트 사출공정 S40. 레이저 성형공정
S50. 탈지공정 S60. 무전해 하지도금공정
S70. 무전해 두께도금공정 S80. 촉매공정
S90. 니켈도금공정 S95. 표면처리 탈지공정
10. 인테나 하우징 11. 금속판재
20. 보호코팅층 30. 제1도금층
40. 제2도금층 50. 니켈도금층

Claims (7)

1. 금속판재(11)를 타발 가공하는 금속판재 성형공정(S10);
   상기 금속판재(11)를 열가소성 수지에 인서트 가공하여 인테나 하우징(10)을 성형하는 인서트 사출공정(S30);
   상기 금속판재 성형공정(S10)과 인서트 사출공정(S30) 사이 또는 인서트 사출공정(S30)이후에 표면처리액에 침적시켜 금속판재(11)에 보호코팅층(20)을 형성하는 표면처리공정(S20);
   상기 금속판재(11)의 보호코팅층(20)을 제거해 도금 영역을 레이저 가공하는 레이저 성형공정(S40);
   상기 레이저 가공된 인테나 하우징을 탈지액에 디핑방식으로 침적시켜 불순물, 유분을 제거하는 탈지공정(S50);
   상기 탈지공정(S50)을 통과한 인테나 하우징을 1차도금액에 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 제1도금층(30)을 갖도록 하는 무전해 하지도금공정(S60);
   상기 무전해 하지도금공정(S60)을 통과한 인테나 하우징을 2차도금액에 침지시켜 제1도금층(30)에 제2도금층(40)을 더 갖도록 하는 무전해 두께도금공정(S70);
   무전해 두께도금공정(S70)을 통과한 인테나 하우징을 팔라듐용액에 침지시키는 촉매공정(S80);
   상기 촉매공정(S80)을 통과한 인테나 하우징을 니켈도금액에 침지시켜 제1도금층(30) 및 제2도금층(40)의 외면에 니켈도금층(50)을 갖도록 하는 무전해 니켈도금공정(S90);
   상기 무전해 니켈도금공정(S90)을 통과한 인테나 하우징(10)을 유기 용제가 수용된 탈지조에 20 내지 80초 침적시켜 금속판재(11) 및 보호코팅층(20)과 니켈도금층(50)의 표면을 탈지하는 표면처리 탈지공정(S95)을 더 포함해 구성된 것을 특징으로 하는 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법.
   
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서,
   표면처리공정(S20)은, 나노세라믹 1 내지 7 중량부, 벤즈이미다졸 1 내지 7 중량부, 용제 80 내지 104 중량부를 포함한 표면처리액에 인테나 하우징을 5 내지 25초 침적시켜 금속판재(11)의 표면에 보호코팅층(20)이 형성되는 것을 특징으로 하는 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법.
   
4. 제 3항에 있어서,
   금속판재(11)에 형성된 보호코팅층(20)은,
   50 내지 90℃에서 20 내지 70분의 건조과정으로 경화 및 건조되는 것을 특징으로 하는 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법.
   
5. 제 1항에 있어서,
   무전해 하지도금공정(S60)의 1차도금액은,
   황산동5수 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되어, 인테나 하우징을 1차도금액에 3분 내지 25분 침지시켜 레이저 가공된 도금 영역에 적어도 0.5 내지 3 ㎛의 제1도금층(30)이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법.
   
6. 제 1항에 있어서,
   무전해 두께도금공정(S70)의 2차도금액은,
   황산동5수 5 내지 30 중량부, 황산니켈(NiSO4) 0.0005 내지 0.003 중량부, 수산화나트륨(NaOH) 5 내지 40 중량부, 타르타르산칼륨나트륨(sodium potassium tartrate) 10 내지 80 중량부, 메르캅토벤조티아졸(2-MERCAPTOBENZOTHIAZOLE) 0.005 내지 2 중량부, 포름산(HCOOH) 5 내지 60 중량부, 2-2'비피리딘(2-2' bipyridine) 0.0003 내지 0.004 중량부를 포함해 이를 혼합시켜 구성되며, 인테나 하우징을 2차도금액에 1 내지 4시간 침지시켜 제1도금층(30)에 적어도 6 내지 20 ㎛의 제2도금층(40)이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 금속판재의 엘디에스 무전해 도금방법.
   
7. 제 1항, 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 방법에 따라서 제조된 것을 특징으로 하는 인테나 하우징.
   

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