KR102228434B1 - Laser reflow method of laser reflow apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법은, 장방형의 기판 상에 복수의 전자부품이 배치된 본딩대상물을 투광성 가압부재로 눌러 가압함과 함께 상기 가압부재를 통해 레이저 빔을 조사함으로써 전자부품을 기판에 본딩하는 레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법에 있어서, (a) 상기 투광성 가압부재가 본딩대상물을 누르기 전 비전 카메라가 기판 상에 배열된 전자부품의 배치 형상을 촬영하는 단계; (b) 상기 촬영된 전자부품의 배치 형상이 투광성 가압부재의 가압면 정중앙에 위치하는지 판별하는 단계; (c) 상기 촬영된 전자부품의 배치 형상이 투광성 가압부재의 가압면 정중앙에 위치하지 않는다면 전자부품의 배치 형상이 투광성 가압부재의 가압면 정중앙에 위치하도록 상기 투광성 가압부재의 위치를 조정하는 단계; (d) 상기 투광성 가압부재를 눌러 본딩대상물을 가압함과 함께 투광성 가압부재를 통해 본딩대상물에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 (e) 상기 투광성 가압부재의 가압 및 레이저 빔의 조사를 종료하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the laser reflow method of the laser reflow apparatus of the present invention, an electronic component is applied by pressing and pressing a bonding object in which a plurality of electronic components are disposed on a rectangular substrate with a light-transmitting pressing member and irradiating a laser beam through the pressing member. A laser reflow method of a laser reflow apparatus for bonding a substrate to a substrate, the method comprising: (a) photographing an arrangement shape of an electronic component arranged on a substrate by a vision camera before the translucent pressing member presses the bonding object; (b) determining whether the arrangement shape of the photographed electronic component is located in the center of the pressing surface of the light-transmitting pressing member; (c) adjusting the position of the light-transmitting pressing member so that the arrangement shape of the electronic component is located at the center of the pressing surface of the light-transmitting pressing member if the photographed electronic component is not located in the center of the pressing surface of the light-transmitting pressing member; (d) pressing the light-transmitting pressing member to press the bonding object and irradiating a laser beam to the bonding object through the light-transmitting pressing member; And (e) terminating the pressurization of the translucent pressing member and irradiation of the laser beam.
Description
본 발명은 레이저 리플로우 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 전자부품을 투광성 가압부재로 눌러 가압한 상태로 레이저를 조사하여 전자부품을 본딩하는 레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser reflow method, and more particularly, to a laser reflow method of a laser reflow apparatus for bonding electronic parts by irradiating a laser in a state in which a plurality of electronic parts are pressed and pressed with a light-transmitting pressing member. .
산업용 레이저 가공에서 마이크론(㎛)급의 정밀도를 가지는 응용분야가 마이크로 레이저프로세싱인데, 반도체 산업, 디스플레이 산업, 인쇄회로기판(PCB) 산업, 스마트폰 산업 등에서 널리 사용되고 있다. 모든 전자기기에 사용되는 메모리칩은 집적도와 성능 및 초고속 통신속도를 구현하기 위해 회로간격을 최소한으로 축소시키는 기술이 발전하다가 현재는 회로선폭과 선폭간격을 축소시키는 것만으로는 요구되는 기술수준을 달성하기 어려워서 메모리칩들을 수직방향으로 적층하는 수준이 되었다. 이미 128층까지의 적층기술이 TSMC사(社)에서 개발되었고, 72층까지 적층하는 기술을 삼성전자, SK하이닉스 등에서 대량생산에 적용하고 있다.Micro laser processing is an application field with micron (㎛) precision in industrial laser processing, and is widely used in the semiconductor industry, the display industry, the printed circuit board (PCB) industry, and the smartphone industry. Memory chips used in all electronic devices have developed a technology that minimizes the circuit spacing in order to realize the integration, performance and ultra-high communication speed, but now the required technology level is achieved simply by reducing the circuit line width and line width interval. It was difficult to do so, so it became the level of stacking memory chips in a vertical direction. The stacking technology up to 128 layers has already been developed by TSMC, and the technology of stacking up to 72 layers is being applied to mass production at Samsung Electronics and SK Hynix.
또한, 메모리칩, 마이크로프로세서칩, 그래픽프로세서칩, 무선프로세서칩, 센서프로세서칩 등을 1개의 패키지에 실장하려는 기술개발들이 치열하게 연구개발되고 있으며 상당한 수준의 기술들이 이미 실전적용되고 있다.In addition, technology development to mount memory chips, microprocessor chips, graphic processor chips, wireless processor chips, and sensor processor chips in one package is being intensively researched and developed, and a considerable level of technologies are already being applied in practice.
그러나 앞에서 언급한 기술의 개발과정에서, 초고속/초고용량 반도체칩 내부에서 더욱 더 많은 전자들이 신호처리프로세스에 참여해야 하므로 전력소비량이 커져서 발열에 대한 냉각처리 이슈가 제기되었다. 또한, 더욱 많은 신호들에 대한 초고속 신호처리 및 초고주파 신호처리라는 요구사항을 달성하기 위하여 대량의 전기신호들을 초고속으로 전달해야 한다는 기술이슈가 제기되었다. 또한, 신호선들이 많아져야 해서 반도체칩 외부로의 신호 인터페이스 선들을 더 이상 1차원적인 리드선방식으로는 처리하지 못하고 반도체칩 하부에서 2차원적으로 처리하는 볼그리드어레이(BGA) 방식(Fan-In BGA 또는 Fan-in Wafer-Level-Package(FIWLP)라고 함)과, 칩 하부의 초미세 BGA층 아래에 신호 배선 재배열층(Signal Layout Redistribution Layer)을 두고 그 하부에 2차 미세 BGA층을 설치하는 방식(Fan-Out BGA 또는 Fan-Out Wafer-Level-Package(FOWLP) 또는 Fan-Out Panel-Level-Package라고 함) 방식이 실적 적용되고 있다.However, in the process of development of the above-mentioned technology, since more and more electrons have to participate in the signal processing process inside the ultra-high speed/ultra-high capacity semiconductor chip, the power consumption increases, and the issue of cooling treatment for heat has been raised. In addition, a technical issue has been raised that a large amount of electrical signals must be transmitted at an ultra-high speed in order to achieve the requirements of ultra-high-speed signal processing and ultra-high-frequency signal processing for more signals. In addition, since the number of signal lines must be increased, the signal interface lines to the outside of the semiconductor chip can no longer be processed by the one-dimensional lead wire method, but the Fan-In BGA method (Fan-In BGA), which processes two-dimensionally under the semiconductor chip. Or Fan-in Wafer-Level-Package (FIWLP)), and a Signal Layout Redistribution Layer under the ultra-fine BGA layer under the chip, and a second fine BGA layer under the chip. The method (referred to as Fan-Out BGA or Fan-Out Wafer-Level-Package (FOWLP) or Fan-Out Panel-Level-Package) has been successfully applied.
최근에는 반도체칩의 경우, EMC(Epoxy-Mold Compound)층을 포함하여 두께가 200㎛ 이하 제품이 등장하고 있다. 이와 같이 두께가 수백 마이크론에 불과한 마이크론급의 초경박형 반도체칩을 초경박형 PCB에 부착하기 위하여 기존의 표면실장기술(SMT) 표준공정인 써멀리플로우오븐(Thermal Reflow Oven) 기술과 같은 매스리플로우(MR) 공정을 적용하면 수백 초의 시간 동안 100∼300도(℃)의 공기온도환경 속에 반도체칩이 노출되므로 열팽창계수(CTE; Coefficient of ThermalExpansion) 차이 때문에 칩-테두리 휨(Chip-Boundary Warpage), PCB-테두리 휨(PCB-Boundary Warpage), 열충격형 랜덤본딩불량(Random-Bonding Failure by Thermal Shock) 등 다양한 형태의 솔더링 본딩 접착불량이 발생할 수 있다.Recently, in the case of semiconductor chips, products with a thickness of 200 μm or less including an EMC (Epoxy-Mold Compound) layer have appeared. In order to attach a micron-class ultra-thin semiconductor chip with a thickness of only a few hundred microns to an ultra-thin PCB, mass reflow (such as Thermal Reflow Oven) technology, a standard process for surface mount technology (SMT). MR) process exposes semiconductor chips in an air temperature environment of 100 to 300 degrees Celsius (℃) for hundreds of seconds, so chip-boundary warpage (PCB) due to differences in coefficient of thermal expansion (CTE) -Various types of soldering bonding defects such as PCB-Boundary Warpage and Random-Bonding Failure by Thermal Shock may occur.
이에 따라 최근들어 각광받고 있는 레이저 리플로우 장치의 구성을 살펴보면, 레이저 헤드 모듈이 본딩대상물(반도체 칩 또는 집적회로 IC)을 수 초 동안 눌러주면서 레이저를 조사하여 본딩하는 방식으로, 반도체 칩 또는 집적회로(IC) 사이즈에 대응하는 면 광원 형태의 레이저를 조사하여 본딩을 수행한다.Accordingly, looking at the configuration of a laser reflow device that has recently been in the spotlight, a laser head module presses a bonding object (semiconductor chip or integrated circuit IC) for several seconds and irradiates a laser for bonding. (IC) Bonding is performed by irradiating a laser in the form of a surface light source corresponding to the size.
이러한 가압방식의 레이저 리플로우 장치에 대해서는 한국등록특허 제0662820호(이하, ‘선행문헌1’이라 함)를 참조하면, 플립칩의 후면에 레이저를 조사하여 상기 플립칩을 가열하는 한편, 상기 플립칩을 상기 캐리어 기판에 압착하기 위한 플립칩 가열압착모듈의 구성이 개시되어 있다.For such a pressurized laser reflow device, referring to Korean Patent No. 0662820 (hereinafter referred to as'priority document 1'), the flip chip is heated by irradiating a laser on the rear surface of the flip chip. A configuration of a flip-chip heat-pressing module for compressing a chip to the carrier substrate is disclosed.
그러나, 상기 선행문헌1에 개시된 종래 가압방식의 레이저 리플로우 장치는 칩을 흡착하여 본딩 포지션으로 이동시키기 위한 수단과, 상기 칩의 이면을 레이저를 통해 가열함과 동시에 상기 칩을 캐리어 기판에 압착시키기 위한 수단으로 분리되기 때문에 반도체 스트립과 같이 복수의 반도체 칩을 본딩하는 경우 하나의 반도체 칩을 가압하면서 레이저를 조사하는 동작을 반도체 칩 개수만큼 반복적으로 수행해야하기 때문에 작업시간이 증대될 수밖에 없었다.However, the conventional pressurized laser reflow apparatus disclosed in Prior Document 1 has a means for adsorbing a chip and moving it to a bonding position, and heating the back surface of the chip through a laser and simultaneously pressing the chip onto a carrier substrate. When bonding a plurality of semiconductor chips, such as a semiconductor strip, since they are separated by means of a semiconductor strip, an operation of irradiating a laser while pressing a single semiconductor chip must be repeatedly performed as many as the number of semiconductor chips, thereby increasing the working time.
한편 한국공개특허 2017-0077721(이하, ‘선행문헌2’이라 함)을 참조하면, 동 특허에 언급된 레이저 리플로우 장치는 가압 헤드가 여러 개의 플립칩을 동시에 가압한 상태에서 레이저 헤드가 수평 방향으로 이송하며 각 플립칩을 순차적으로 하나씩 레이저를 조사하거나 또는 단일의 레이저 헤드가 여러 개의 플립칩에 레이저를 동시에 조사하는 방식으로 본딩 처리가 가능함에 대해 개괄적으로 언급하고 있다. Meanwhile, referring to Korean Patent Laid-Open Patent 2017-0077721 (hereinafter referred to as'priority document 2'), the laser reflow device mentioned in the patent is in the horizontal direction while the pressure head presses several flip chips at the same time. It briefly mentions that the bonding process is possible by irradiating a laser to each flip chip sequentially one by one or by irradiating a laser to several flip chips simultaneously by a single laser head.
그러나, 상술한 선행문헌2의 종래 레이저 리플로우 방법에 따르면 단일의 레이저 소스를 이용하기 때문에 기판 상에 배치된 복수의 플립칩에 레이저 빔이 여러 각도에서 입사함에 따라 균질화된 레이저 빔을 조사 및 불량없이 복수의 플립칩을 리플로우하기는 기술적으로 많은 어려움이 예상된다.However, according to the conventional laser reflow method of Prior Document 2 described above, since a single laser source is used, a homogenized laser beam is irradiated and defective as the laser beam is incident on a plurality of flip chips arranged on the substrate at various angles. It is expected that a lot of technical difficulties are expected to reflow a plurality of flip chips without the need.
이에 따라 상기 선행문헌2에서 개시된 종래 레이저 리플로우 방법은 단일의 플립칩을 하나씩 순차적으로 가압 및 리플로우 처리함에 따라 전체 작업시간이 증가될 수밖에 없었고, 또는 복수의 처리를 위해 다양한 기판의 사이즈에 수평적으로 배치된 복수의 플립칩에 단일의 레이저 빔을 동시에 조사하더라도 각각의 플립칩에 충분한 열에너지가 골고루 전달되기는 사실상 어려우므로 여전히 본딩 불량률이 개선되기 어려운 문제점이 남아 있었다.Accordingly, in the conventional laser reflow method disclosed in Prior Document 2, the total working time was inevitably increased by sequentially pressing and reflowing a single flip chip one by one, or horizontally to the size of various substrates for a plurality of processing. Even if a single laser beam is simultaneously irradiated onto a plurality of flip chips disposed in a different manner, it is practically difficult to uniformly transfer sufficient thermal energy to each flip chip, and thus, there remains a problem in that it is still difficult to improve the bonding defect rate.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소할 수 있도록 발명된 것으로, 본 발명은 복수의 전자부품을 기설정된 조건에 따라 가압 및 레이저 빔의 조사과정을 순차적으로 제어함에 따라 본딩불량없이 한번에 복수의 전자부품을 대량으로 리플로우 처리가 가능하면서도 불량률이 대폭 개선되는 레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been invented to solve the above problems, and the present invention sequentially controls a process of pressing a plurality of electronic components and irradiating a laser beam according to a preset condition, thereby reducing a plurality of electrons at once without bonding defects. An object of the present invention is to provide a laser reflow method of a laser reflow apparatus in which a large amount of parts can be reflowed and the defect rate is greatly improved.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 장방형의 기판 상에 복수의 전자부품이 배치된 본딩대상물을 투광성 가압부재로 눌러 가압함과 함께 상기 가압부재를 통해 레이저 빔을 조사함으로써 전자부품을 기판에 본딩하는 레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법에 있어서, a) 상기 투광성 가압부재의 가압면이 하방으로 이동하여 본딩대상물에 가압력을 가하지 않는 상태로 접촉하는 단계; b) 상기 투광성 가압부재를 통해 본딩대상물에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 c) 상기 레이저 빔의 조사를 해제하고 투광성 가압부재를 상방으로 이동하는 단계를 포함하여 구성된다.The present invention for achieving the above object is to press the bonding object on which a plurality of electronic components are disposed on a rectangular substrate with a light-transmitting pressing member, and irradiating a laser beam through the pressing member to apply the electronic component to the substrate. A laser reflow method of a laser reflow apparatus for bonding to, the method comprising: a) contacting a pressing surface of the translucent pressing member in a state in which a pressing force is not applied to an object to be bonded by moving downward; b) irradiating a laser beam to a bonding object through the translucent pressing member; And c) releasing the irradiation of the laser beam and moving the translucent pressing member upward.
또한 상기 a) 단계 이후에, 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하는 단계를 더 포함한다.In addition, after the step a), further comprising the step of fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member.
또한 상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재에 기설정된 일정 압력을 인가하되, b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하지 않는 단계를 더 포함한다.Further, the step of applying a predetermined predetermined pressure to the light-transmitting pressing member after step a), but not fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step b).
또한 상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하되, 상기 b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재에 기설정된 일정 압력을 인가하는 단계를 더 포함한다.In addition, the step of fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step a), further comprising the step of applying a predetermined predetermined pressure to the light-transmitting pressing member after step b).
또한 상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하되, b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하지 않는 단계를 더 포함한다.In addition, the step of fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step a), but not fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step b).
또한 상기 b) 단계에서 상기 레이저 빔은 둘 이상의 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 중첩 조사된다.In addition, in the step b), the laser beam is irradiated with overlapping laser beams from two or more laser modules.
또한 일 실시예에 따라 상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 동시에 조사된다.In addition, according to an embodiment, a laser beam is simultaneously irradiated from each of the laser modules.
또한 다른 실시예에 따라 상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 순차적으로 추가 조사된다. 즉, 상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 순차적으로 조사되되, 하나의 레이저 빔이 조사되는 상태에서 다른 레이저 빔이 추가로 조사된다.In addition, according to another embodiment, a laser beam is sequentially additionally irradiated from each of the laser modules. That is, a laser beam is sequentially irradiated from each of the laser modules, and another laser beam is additionally irradiated while one laser beam is irradiated.
또한 상기 b) 단계 이전에 본딩대상물을 하부에서 예열하는 단계를 더 포함한다.In addition, prior to step b), the step of preheating the bonding object from the bottom is further included.
또한 상기 본딩대상물을 하부에서 예열하는 단계는 본딩대상물의 표면 온도를 200℃ 미만으로 유지한다.In addition, in the step of preheating the bonding object from the bottom, the surface temperature of the bonding object is maintained below 200°C.
상술한 바와 같은 본 발명은, 복수의 전자부품을 눌러 가압함과 함께 균질화된 레이저 빔을 조사할 수 있게 됨으로써 대량 리플로우 처리에 의해 생산성이 대폭 개선되는 효과가 있다.According to the present invention as described above, since it is possible to irradiate a homogenized laser beam while pressing and pressing a plurality of electronic components, there is an effect that productivity is significantly improved by mass reflow processing.
또한 투광성 가압부재에 의한 가압 및 레이저 모듈에 의한 레이저 빔 조사를 각각 설정된 기준값에 의해 순차적으로 정밀하게 제어함으로써 기판 상에 배치된 복수의 전자부품에 작용하는 가압력이 부족하거나 또는 과압력이 걸려 발생될 수 있는 솔더의 접촉불량이나 오버플로우와 같은 여러 가지 본딩불량이 대폭 개선되는 효과가 있다.In addition, the pressure by the translucent pressing member and the laser beam irradiation by the laser module are sequentially and precisely controlled according to the set reference values, so that the pressing force acting on a plurality of electronic parts disposed on the substrate is insufficient or overpressure is generated. There is an effect of greatly improving various bonding defects such as possible solder contact defects and overflows.
도 1은 본 발명 레이저 리플로우 방법의 실시에 이용되는 레이저 리플로우 장치의 구성을 전체적으로 보인 예시도
도 2는 도 1의 블록 구성도
도 3은 본 발명 레이저 리플로우 방법의 일 실시예에 따른 싱글 레이저 빔 모듈의 개념도
도 4는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 빔 모듈의 개념도
도 5는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 구성도
도 6 내지 도 9는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 싱글 또는 멀티 레이저 모듈에 적용 가능한 레이저 광학계의 구성도
도 10은 본 발명 레이저 리플로우 방법에 이용되는 레이저 리플로우 장치를 개략적으로 보인 측면도
도 11은 본 발명 레이저 리플로우 방법의 공정 단계별 동작 관계를 나타낸 상태도1 is an exemplary view showing the overall configuration of a laser reflow device used in the practice of the laser reflow method of the present invention.
2 is a block diagram of FIG. 1
3 is a conceptual diagram of a single laser beam module according to an embodiment of the laser reflow method of the present invention
4 is a conceptual diagram of a multi-laser beam module according to another embodiment of the laser reflow method of the present invention
5 is a block diagram of a multi-laser module according to another embodiment of the laser reflow method of the present invention
6 to 9 are configuration diagrams of a laser optical system applicable to a single or multiple laser module of the laser reflow method of the present invention
10 is a side view schematically showing a laser reflow apparatus used in the laser reflow method of the present invention
11 is a state diagram showing the operation relationship of each step of the laser reflow method of the present invention
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 내지 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present specification, terms such as "include" or "have" to "include" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or a combination thereof described in the present specification. It is to be understood that the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, or any further features, is not excluded in advance.
본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다.Unless otherwise defined in the specification, all terms including technical or scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 한다.Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present specification. Shouldn't.
이하, 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 리플로우 장치를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a reflow apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
도 1은 본 발명 레이저 리플로우 방법에 이용되는 레이저 리플로우 장치의 구성을 전체적으로 보인 예시도이고, 도 2는 도 1의 블록 구성도이다.1 is an exemplary view showing the overall configuration of a laser reflow apparatus used in the laser reflow method of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of FIG. 1.
본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 하부에 열을 가할 수 있는 구조를 갖추고 있는 다공성 물질 혹은 진공 구멍이 형성된 스테이지(111)에 지지되면서 이송되는 본딩대상물(11)에 면 광원 형태의 레이저를 조사하는 적어도 하나 이상의 멀티 레이저 모듈(310, 320)과, 상기 레이저 모듈(310, 320)과 분리되어 독립적으로 설치되며 면 광원 형태의 레이저를 투과시키는 투광성 가압부재(100), 상기 투광성 가압부재(100)를 오염으로부터 보호하는 보호필름(200)을 포함하여 구성된다.The laser pressurizing
먼저, 복수의 멀티 레이저 모듈(310, 320)은 레이저 발진기에서 발생되어 광섬유를 통해 전달되는 레이저를 면 광원으로 변환시켜서 본딩대상물(11)에 조사한다. 레이저 모듈(310, 320)은 스폿(spot) 형태의 레이저를 면 광원 형태로 변환하는 빔 쉐이퍼(도 5 참조)와, 상기 빔 쉐이퍼의 하부에 배치되며 빔 쉐이퍼에서 출사되는 면 광원이 본딩대상물(11)의 조사영역에 조사되도록 복수의 렌즈모듈이 경통 내부에 서로 적당한 간격을 두고 이격되어 장착되는 광학부(도 5 내지 도 9 참조)를 포함하여 구현될 수 있다.First, the plurality of
레이저 모듈(310, 320)은 본딩대상물(11)과의 정렬을 위해 z 축을 따라 상승 또는 하강하거나 x 축을 따라 좌, 우 이동하거나 y 축을 따라 이동될 수 있다.The
본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 가압 헤드(300)는 본딩대상물(11)을 눌러주는 투광성 가압부재(100)과 본딩대상물(11)에 면 광원 형태의 레이저를 조사하는 레이저 모듈(310, 320)을 서로 독립적으로 분리하여 형성함으로써, 투광성 가압부재(100)로 본딩대상물(11)을 눌러준 상태에서 레이저 모듈(310, 320)을 본딩대상물(11)의 복수의 조사 위치로 이동시킨 후 구동함에 의해 하나의 본딩대상물(11)에 대한 택트 타임(tact time)의 단축 및 복수의 본딩대상물(11) 전체에 대한 본딩 작업의 고속화를 실현할 수 있다.The
이 때, 상기 투광성 가압부재(100)는 소정 형태의 투광성 가압부재 이송부(도면 미도시)에 의해 작업 위치 또는 대기 위치로 이동되는데, 일례로 투광성 가압부재 이송부는 투광성 가압부재(100)를 하강 또는 상승시키거나 좌, 우로 이동시킨 후 하강 또는 상승시킬 수 있다.At this time, the light-transmitting
또한 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은 압력감지센서(도면 미도시)와 높이센서(도면 미도시)로부터 입력되는 데이터를 이용하여 투광성 가압부재 이송부의 동작을 제어하는 제어부(도면 미도시)를 더 포함한다.In addition, although not shown in the drawing, the laser
상기 압력감지센서와 높이센서는 투광성 가압부재(100)과 투광성 가압부재 이송부와 본딩대상물을 지지하는 스테이지(111)에 설치될 수 있다. 예컨대, 제어부는 압력감지센서로부터 데이터를 입력받아 압력이 목표치에 도달하도록 투광성 가압부재 이송부를 제어하고 또한, 높이센서로부터 데이터를 입력받아 높이의 목표치에 도달하도록 투광성 가압부재 이송부를 제어할 수 있다.The pressure sensing sensor and the height sensor may be installed on the light-transmitting
또한 지지부(도면 미도시)는 투광성 가압부재 이송부(도면 미도시)가 이동가능하도록 지지한다. 일례로, 상기 지지부는 스테이지(111)와 나란하게 연장형성되는 한 쌍의 겐트리로 구현될 수 있으며, 투광성 가압부재 이송부를 x 축, y 축, 또는 z 축으로 이동가능하도록 지지하는 구성이 포함되는 것으로 해석되어져야 한다.In addition, the support (not shown) supports the translucent pressing member transfer unit (not shown) to be movable. As an example, the support unit may be implemented as a pair of gantry extending parallel to the
본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 가압 헤드(300)는 투광성 가압부재(100)에 압력을 가하는 1개 이상의 액추에이터와 투광성 가압부재(100)에 미치는 압력을 감지하는 적어도 하나의 압력감지센서와 투광성 가압부재의 높이를 검출하는 하나 이상의 높이센서를 포함하여 구현될 수 있다. 압력감지센서는 일례로 적어도 하나의 로드셀로 구현될 수 있으며, 높이센서는 리니어 엔코더로 구현될 수 있다.The
상기 압력감지센서를 통하여 본딩대상물에 가해지는 압력을 조정하여 대면적의 경우 다수의 액추에이터와 다수의 압력감지센서를 통하여 동일한 압력이 본딩대상물에 전달될 수 있도록 제어할 수 있으며 또한 하나 이상 혹은 다수의 높이 센서를 통하여 본딩대상물이 본딩되어지는 순간의 높이 위치값을 확인하거나 더 정확한 본딩 높이의 수치를 찾을 수 있는 기술적 데이타를 제공하며 일정한 높이의 간격을 유지해야 하는 공정을 수행할 경우에 정확한 높이를 제어할 수 있는 기능을 수행한다. By adjusting the pressure applied to the object to be bonded through the pressure sensor, in the case of a large area, it is possible to control so that the same pressure can be transmitted to the object to be bonded through a plurality of actuators and a plurality of pressure sensors. Through the height sensor, it provides technical data to check the height position value at the moment when the object to be bonded is bonded or to find a more accurate value of the bonding height. It performs a function that can be controlled.
또한 투광성 가압부재(100)은 레이저 모듈(310, 320)로부터 출력되는 레이저를 투과시키는 모재로 구현될 수 있다. 투광성 가압부재(100)의 모재는 모든 빔투과성 재질로 구현 가능하다. In addition, the translucent
투광성 가압부재(100)의 모재는 예를 들어 쿼츠(Quartz), 사파이어(sapphire), 용융실리카유리(Fused Silica Glass) 또는 다이아몬드 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 그러나 쿼츠(Quarts)재질로 구현된 투광성 가압부재의 물리적 특성은 사파이어(sapphire)로 구현된 투광성 가압부재의 물리적 특성과 다르다. 예컨대 980㎚ Laser를 조사할 경우, 쿼츠(Quarts)재질로 구현된 투광성 가압부재의 투과율은 85%∼99%이며 본딩대상물에서 측정된 온도는 100℃이다. 반면에 사파이어(sapphire)로 구현된 투광성 가압부재의 투과율은 80%∼90%이며 본딩대상물에서 측정된 온도는 60℃이다.The base material of the light-transmitting
즉, 광 투과율과 본딩에 필요한 열 손실 측면에서 쿼츠(Quarts)는 사파이어(sapphire)보다 우수한 성능을 보인다. 그러나 본 출원 발명자는 레이저 리플로우 장치를 개발하면서 투광성 가압부재(100)을 반복적으로 테스트해 본 결과, 쿼츠(quartz)재질로 구현되는 투광성 가압부재(100)은 레이저 본딩 시 크랙(crack)이 발생하거나 바닥면에서 연소(burning)가 발생하여 본딩품질 불량이 발생하는 문제점이 발견되었다. 이는 레이저 본딩 시 발생하는 가스(fumes)가 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 달라붙고, 가스(fumes)가 달라붙은 부분에 레이저의 열원이 집중되어 열적 스트레스를 높이는 것으로 분석되었다.That is, in terms of light transmittance and heat loss required for bonding, quartz shows superior performance than sapphire. However, the inventors of the present application have repeatedly tested the
쿼츠(quartz) 재질로 구현되는 투광성 가압부재(100)의 손상을 막고 내구성 향상을 위해, 쿼츠(quartz) 재질로 구현되는 투광성 가압부재의 바닥면에 박막 코팅층을 형성할 수 있다. 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 형성되는 박막 코팅층은 통상의 광학코팅인 유전체코팅 또는 SiC코팅 또는 금속물질코팅으로 구현될 수 있다.In order to prevent damage and improve durability of the light-transmitting
본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 투광성 가압부재(100) 하부로, 레이저 본딩시 발생하는 가스(fumes)가 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 달라붙는 것을 막아주는 보호필름(200) 및 상기 보호필름(200)을 이송시키는 보호필름 이송부(210)를 더 포함하여 구현된다.In the laser pressurizing
상기 보호필름 이송부(210)는 롤 형태로 감긴 보호필름(200)을 풀어주면서 일측으로 이송시키는 릴-투-릴(reel to reel) 방식으로 구현될 수 있다. 보호필름(200)은 일례로, 최고 사용온도가 섭씨 300도 이상이고, 연속 최고 사용온도가 260도 이상으로 내열성이 우수한 재질로 구현되는 것이 좋다. 에컨대 보호필름(200)은 폴리테트라플루오로에틸렌수지(통상적으로 테플론수지라고도 부름; Polytetrafluoroethylene, PTFE) 또는 퍼플로로 알콕시 수지로 구현될 수 있다. 퍼플루오로알콕시수지(Per Fluoro Alkylvinyether copolymer; PFA)는 불소화 에틸렌 프로필렌 수지의 내열성을 개선하는 제품으로, 연속 최고 사용온도가 폴리테트라플루오로에틸렌수지와 같은 섭씨 260도로 기록되어 고기능성 수지이다.The protective
도 3은 본 발명 레이저 리플로우 방법의 일 실시예에 따른 싱글 레이저 모듈의 개념도이고, 도 4는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 다른 실시예에 따른 듀얼 레이저 모듈의 개념도이다.3 is a conceptual diagram of a single laser module according to an embodiment of the laser reflow method of the present invention, Figure 4 is a conceptual diagram of a dual laser module according to another embodiment of the laser reflow method of the present invention.
상기 도 3을 참조하면, 본 발명은 일실시예에 따라 단일의 레이저 모듈(310)을 구비하며, 이에 따라 FPCB 기판 상에 싱글 레이저 빔을 조사하게 된다. 이 때 도 3을 참조하면 상기 제 1 레이저 모듈(310)에 의해 조사된 레이저 빔은 레이저 빔의 세기가 균질화된 스퀘어 빔 형상으로 변형된 상태로 기판 상에서 조사된다. Referring to FIG. 3, the present invention includes a
한편 상기 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈은 예를 들어 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)로 구성되며, 본딩대상물(11)의 전자부품이 부착되는 위치에서는 제1, 2 레이저 모듈이 중첩된 상태로 조사됨으로써 균질화된 중첩 레이저 빔이 조사된다.Meanwhile, referring to FIG. 4, a multi-laser module according to another embodiment of the present invention includes, for example, a
도 4에서는 제1 레이저 빔이 스퀘어 형상이고 제2 레이저 빔이 원형인 것으로 도시되었으나, 두 레이저 빔이 모두 스퀘어 형상일 수도 있다. 또한, 제1 레이저 빔과 제2 레이저 빔은 동시에 조사될 수도 있고, 제1 레이저 빔에 의한 본딩대상물(11)의 예열 후에 제2 레이저 빔이 순차적으로 추가 조사될 수도 있다. 즉, 상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 순차적으로 조사되되, 제1 레이저 빔이 조사되는 상태에서 제2 레이저 빔이 추가로 조사되어 중첩 조사가 수행되는 것이다.In FIG. 4, it is illustrated that the first laser beam has a square shape and the second laser beam has a circular shape, but both laser beams may have a square shape. In addition, the first laser beam and the second laser beam may be irradiated at the same time, or the second laser beam may be sequentially additionally irradiated after preheating of the
도 5는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 다른 실시예에 따른 듀얼 레이저 모듈의 구성도이다.5 is a block diagram of a dual laser module according to another embodiment of the laser reflow method of the present invention.
도 5에서, 각 레이저 모듈(310, 320, ... 330)은 각기 냉각장치(316, 326, 336)를 구비한 레이저 발진기(311, 321, 331), 빔 쉐이퍼(312, 322, 332), 광학렌즈모듈(313, 323, 333), 구동장치(314, 324, 334), 제어장치(315, 325, 335) 및 전원공급부(317, 327, 337)를 포함하여 구성된다.In FIG. 5, each of the
이하에서는, 필요한 경우를 제외하고는, 중복 설명을 피하기 위해 동일 구성을 갖는 각 레이저 모듈 중 제1 레이저 모듈(310)을 위주로 설명한다.Hereinafter, the
레이저 발진기(311)는 소정 범위의 파장과 출력 파워를 갖는 레이저 빔을 생성한다. 레이저 발진기는 일례로 ‘750nm 내지 1200nm’ 또는 ‘1400nm 내지 1600nm’ 또는 ‘1800nm 내지 2200nm’ 또는 ‘2500nm 내지 3200nm’의 파장을 갖는 다이오드 레이저(Laser Diode, LD) 또는 희토류 매질 광섬유 레이저(Rare-Earth-Doped Fiber Laser) 또는 희토류 매질 광결정 레이저(Rare-Earth-Doped Crystal Laser)일 수 있으며, 이와 달리 755nm의 파장을 갖는 알렉산드라이트 레이저 광을 방출하기 위한 매질, 또는 1064nm 또는 1320nm의 파장을 갖는 엔디야그(Nd:YAG) 레이저 광을 방출하기 위한 매질을 포함하여 구현될 수 있다.The laser oscillator 311 generates a laser beam having a wavelength and output power in a predetermined range. The laser oscillator is, for example, a diode laser (Laser Diode, LD) or a rare earth medium fiber laser (Rare-Earth- Doped Fiber Laser) or Rare-Earth-Doped Crystal Laser. Alternatively, a medium for emitting alexandrite laser light having a wavelength of 755 nm, or Nd Yag (Nd) having a wavelength of 1064 nm or 1320 nm. :YAG) It may be implemented including a medium for emitting laser light.
빔 쉐이퍼(beam shaper)(312)는 레이저 발진기에서 발생하여 광섬유를 통해 전달되는 스폿(spot) 형태의 레이저를 플랫 탑을 가진 면광원(Area Beam) 형태로 변환시킨다. 빔 쉐이퍼(312)는 사각 광 파이프(Square Light Pipe), 회절광학소자(Diffractive Optical Element, DOE) 또는 마이크로렌즈어레이(Micro-Lens Array, MLA)를 포함하여 구현될 수 있다.A
광학렌즈모듈(313)은 빔 쉐이퍼에서 면 광원 형태로 변환된 레이저 빔의 형태와 크기를 조정하여 PCB 기판에 장착된 전자부품 내지 조사 구역으로 조사하도록 한다. 광학렌즈모듈은 복수의 렌즈의 결합을 통해 광학계를 구성하는데, 이러한 광학계의 구체적 구성에 대해서는 도 6 내지 도 9를 통해 구체적으로 후술하기로 한다.The
구동장치(314)는 조사면에 대해 레이저 모듈의 거리 및 위치를 이동시키고, 제어장치(315)는 구동장치(314)를 제어하여 레이저 빔이 조사면에 도달할 때의 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도 및 빔 조사 각도를 조정한다. 제어장치(315)는 또한 구동장치(314) 외에 레이저 모듈(310) 각 부의 동작을 통합적으로 제어할 수 있다.The driving device 314 moves the distance and position of the laser module with respect to the irradiation surface, and the
한편, 레이저출력조정부(370)는 사용자 인터페이스를 통해 수신한 프로그램 또는 미리 설정된 프로그램에 따라 각 레이저 모듈(310, 320, 330)에 대응하는 전원 공급부(317, 327, 337)에서 각 레이저 모듈로 공급되는 전력량을 제어한다. 레이저출력조정부(370)는 하나 이상의 카메라 모듈(350)로부터 조사면 상에서의 부품별, 구역별 또는 전체 리플로우 상태 정보를 수신하여 이를 토대로 각 전원 공급부(317, 327, 337)를 제어한다. 이와 달리, 레이저출력조정부(370)로부터의 제어정보가 각 레이저 모듈(310, 320, 330)의 제어장치(315, 325, 335)로 전달되고, 각 제어장치(315, 325, 335)에서 각기 대응하는 전원공급부(317)를 제어하기 위한 피드백 신호를 제공하는 것도 가능하다. 또한, 도 6과 달리, 하나의 전원 공급부를 통해 각 레이저 모듈로 전력을 분배하는 것도 가능한데, 이 경우에는 레이저출력조정부(370)에서 전원공급부를 제어해야 한다.Meanwhile, the laser output adjustment unit 370 is supplied to each laser module from the
레이저 중첩 모드를 구현하는 경우, 레이저출력조정부(370)는 각 레이저 모듈(310, 320, 330)로부터의 레이저 빔이 필요한 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도 및 빔 조사 각도를 갖도록 각 레이저 모듈 및 전원공급부(317, 327, 337)를 제어한다. 레이저 중첩 모드는 제1 레이저 모듈(310)을 이용하여 디본딩 대상 위치 주변 영역까지를 예열하고 제2 레이저 모듈(320)을 이용하여 보다 좁은 리플로우 대상 영역을 추가 가열하는 경우 외에도, 예열 기능 내지 추가 가열 기능을 제1, 2, 3 레이저 모듈(310, 320, ... 330) 간에 적절하게 분배하여 필요한 온도 프로파일을 갖도록 각 레이저 모듈을 제어하는 경우에도 적용된다.When implementing the laser superimposition mode, the laser power adjustment unit 370 includes each laser module and the laser module so that the laser beam from each
한편, 하나의 레이저 광원을 분배하여 각 레이저 모듈에 입력하는 경우에는 분배된 각 레이저 빔의 출력과 위상을 동시에 조절하기 위한 기능이 레이저출력조정부(370)에 구비될 수 있다. 이러한 경우에는, 각 레이저 빔 간에 상쇄 간섭을 유도하도록 위상을 제어하여 빔 평탄도를 현저하게 개선할 수 있으며 이에 따라 에너지 효율이 더욱 증가하게 된다.Meanwhile, when a single laser light source is distributed and input to each laser module, a function for simultaneously adjusting the output and phase of each distributed laser beam may be provided in the laser output adjusting unit 370. In this case, the beam flatness can be remarkably improved by controlling the phase to induce destructive interference between the respective laser beams, thereby further increasing energy efficiency.
한편, 복수 위치 동시 가공 모드를 구현하는 경우에는, 레이저출력조정부(370)가 각 레이저 모듈로부터의 레이저 빔의 일부 또는 전부가 상이하도록 각 레이저 빔의 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도, 빔 조사 각도 및 빔 파장 중 하나 이상을 제어한다. 이때에도, 하나의 레이저 광원을 분배하여 각 레이저 모듈에 입력하는 경우에는 분배된 각 레이저 빔의 출력과 위상을 동시에 조절하기 위한 기능이 레이저출력조정부(370)에 구비될 수 있다.On the other hand, in the case of implementing a multi-position simultaneous processing mode, the laser power adjustment unit 370 is used to ensure that some or all of the laser beams from each laser module are different. Controls one or more of the angle and the beam wavelength. Even at this time, in the case of distributing one laser light source and inputting it to each laser module, the laser output adjusting unit 370 may have a function for simultaneously adjusting the output and phase of each of the distributed laser beams.
이러한 기능을 통해서, 레이저 빔 크기와 출력을 조정함에 의해 조사면 내의 전자부품들과 기판 간의 접합을 수행하거나 접합을 제거할 수 있다. 특히, 기판 상에서 손상된 전자부품을 제거하는 경우에는 레이저 빔의 면적을 해당 전자부품 영역으로 최소화함에 따라 기판에 존재하는 인접한 다른 전자부품 내지 정상적인 전자부품에 레이저 빔에 의한 열이 인가되는 것을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 제거 대상인 손상된 전자부품만을 제거하는 것이 가능하다.Through this function, bonding between the electronic components in the irradiation surface and the substrate can be performed or the bonding can be removed by adjusting the laser beam size and output. In particular, in the case of removing damaged electronic components on the substrate, the application of heat by the laser beam to other adjacent electronic components or normal electronic components existing on the substrate can be minimized by minimizing the area of the laser beam to the corresponding electronic component area. Accordingly, it is possible to remove only the damaged electronic component to be removed.
한편, 복수의 레이저 모듈 별로 서로 다른 파장을 가진 레이저 빔을 방출하도록 하는 경우에는, 레이저 모듈은 전자부품에 포함된 복수의 재료층(예: EMC층, 실리콘층, 솔더층)이 각기 잘 흡수하는 파장을 갖는 개별 레이저 모듈로 구성될 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 레이저 디본딩 장치는 전자부품의 온도와 인쇄회로기판이나 전자부품 전극간의 연결소재인 솔더(Solder)와 같은 중간접합재의 온도를 선택적으로 상이하게 상승시켜 최적화된 접합(Attaching or Bonding) 또는 분리(Detaching or Debonding) 공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 전자부품의 EMC몰드층과 실리콘층을 모두 투과하여 솔더층에 각 레이저 빔의 모든 에너지가 흡수되도록 하거나, 레이저 빔이 EMC몰드층을 투과하지 않고 전자부품의 표면을 가열하여 전자부품 하부의 본딩부로 열이 전도되도록 할 수도 있다.On the other hand, in the case of emitting laser beams with different wavelengths for each of the plurality of laser modules, the laser module will absorb a plurality of material layers (e.g., EMC layer, silicon layer, solder layer) included in the electronic component. It can be composed of individual laser modules with wavelengths. Accordingly, the laser debonding device according to the present invention selectively increases the temperature of the electronic component and the temperature of the intermediate bonding material such as solder, which is a connecting material between the printed circuit board or the electrode of the electronic component, to be optimized for bonding (Attaching or Bonding) or separation (detaching or debonding) process may be performed. Specifically, by transmitting both the EMC mold layer and the silicon layer of the electronic component so that all the energy of each laser beam is absorbed by the solder layer, or the laser beam does not pass through the EMC mold layer and heats the surface of the electronic component, the lower part of the electronic component It is also possible to conduct heat to the bonding portion of the.
한편, 이상의 기능을 활용하여 적어도 하나의 제 1 레이저 빔에 의해 리플로우 대상 전자부품 영역과 그 주변을 포함하는 기판의 일정 구역이 소정의 예열 온도까지 예열된 후, 적어도 하나의 제 2 레이저 빔에 의해 리플로우 대상 전자부품 영역의 온도가 솔더의 용융이 일어나는 리플로우 온도까지 선택적으로 가열되어진다.Meanwhile, by utilizing the above functions, after preheating the area of the electronic component to be reflowed and a certain area of the substrate including the periphery thereof by at least one first laser beam to a predetermined preheating temperature, at least one second laser beam Accordingly, the temperature of the electronic component region to be reflowed is selectively heated to the reflow temperature at which solder melting occurs.
도 6 내지 도 9는 본 발명 레이저 리플로우 방법의 싱글 레이저 빔 또는 멀티 레이저 모듈에 적용가능한 레이저 광학계의 구성도이다.6 to 9 are configuration diagrams of a laser optical system applicable to a single laser beam or a multi-laser module of the laser reflow method of the present invention.
도 6은 본 발명에 적용가능한 가장 간단한 구조의 광학계로서, 빔 전송 광섬유(410)로부터 방출된 레이저 빔이 볼록렌즈(420)를 통해 초점 정렬되어 빔 쉐이퍼(430)로 입사하면, 빔 쉐이퍼(430)에서 스폿 형태의 레이저 빔을 플랫 탑(Flat-Top) 형태의 면광원(A1)으로 변환시키고, 빔 쉐이퍼(430)로부터 출력된 정사각형 레이저 빔(A1)이 오목 렌즈(440)를 통해 원하는 크기로 확대되어 확대된 면광원(A2)으로 결상면(S)에 조사된다.6 is an optical system having the simplest structure applicable to the present invention. When the laser beam emitted from the beam transmission
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 광학계의 구성도이다.7 is a block diagram of a laser optical system according to another embodiment of the present invention.
빔 쉐이퍼(430)로부터의 면광원(B1)이 오목 렌즈(440)를 통해 소정의 크기로 확대되어 제1 결상면(S1)에 조사되는 면광원(B2)이 된다. 이 면광원(B2)을 더욱 확대하여 사용하고자 하는 경우에는 추가 확대에 따라 면광원(B2)의 에지(edge) 부분의 경계가 더 불분명해 질 수 있으므로, 최종 조사면이 제2 결상면(S2)에서도 에지가 명확한 조사광을 얻기 위해서, 제1 결상면(S1)에 마스크(450)를 설치하여 에지를 트리밍한다.The surface light source B1 from the
마스크(450)를 통과한 면광원은 하나 이상의 볼록렌즈와 오목 렌즈의 조합으로 구성되는 줌 렌즈 모듈(460)을 통과하면서 원하는 크기로 축소(또는 확대) 조정되어 전자부품이 배치된 제2 결상면(S2)에 사각형 조사광(B3)을 형성한다.The surface light source passing through the
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 광학계의 구성도이다.8 is a block diagram of a laser optical system according to another embodiment of the present invention.
빔 쉐이퍼(430)로부터의 정사각형 면광원(C1)이 오목 렌즈(440)를 통해 소정의 크기로 확대된 후, 적어도 한쌍의 원통형 렌즈(470)를 지나면서 예컨대 x축 방향으로 확대(또는 축소)(C2)되고 다시 적어도 한쌍의 원통형 렌즈(480)를 지나면서 예컨대 y축 방향으로 축소(또는 확대)되어 직사각형 형상의 면광원(C3)으로 변환된다.After the square surface light source C1 from the
여기서, 원통형 렌즈는 원기둥 형상을 길이방향으로 절단한 형태로서 각 렌즈가 상하 방향으로 배치되는 형태에 따라 레이저 빔을 확장 또는 축소시키는 기능을 하며, 원통형 렌즈가 배치된 표면 상에서의 렌즈가 x, y 축 방향으로 배치되는 형태에 따라 레이저 빔을 x축 또는 y축 방향으로 조절한다.Here, the cylindrical lens is a shape obtained by cutting a cylindrical shape in the longitudinal direction, and functions to expand or reduce the laser beam according to the shape in which each lens is arranged in the vertical direction, and the lens on the surface on which the cylindrical lens is placed is x, y Depending on the shape arranged in the axial direction, the laser beam is adjusted in the x-axis or y-axis direction.
이어서, 면광원(C3)은 하나 이상의 볼록렌즈와 오목 렌즈의 조합으로 구성되는 줌 렌즈 모듈(460)을 통과하면서 원하는 크기로 확대(또는 축소) 조정되어 전자부품이 배치된 제2 결상면(S2)에 직사각형 조사광(C4)을 형성한다.Subsequently, the surface light source C3 is enlarged (or reduced) to a desired size while passing through the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 광학계의 구성도이다.9 is a block diagram of a laser optical system according to another embodiment of the present invention.
도 9의 광학계는 도 8의 광학계에 마스크를 적용하여 레이저 빔의 에지를 트리밍하는 구성이 추가된 것으로서, 도 8의 경우에 비해 보다 선명한 에지를 가진 최종 면광원(D5)을 얻을 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It is understood that the optical system of FIG. 9 has a configuration for trimming the edge of the laser beam by applying a mask to the optical system of FIG. 8, and it is understood that a final surface light source D5 having a sharper edge can be obtained compared to the case of FIG. I will be able to.
도 10은 본 발명 레이저 리플로우 방법에 이용되는 레이저 리플로우 장치를 개략적으로 보인 측면도로서, 이하 도 10을 참조하여 레이저 리플로우 장치의 수직 이송부 구성 및 동작상태를 살펴보면 다음과 같다. FIG. 10 is a side view schematically showing a laser reflow device used in the laser reflow method of the present invention, and the configuration and operation of the vertical transfer unit of the laser reflow device will be described below with reference to FIG. 10.
상기 수직 이송부 구성을 일 실시예에 따라 살펴보면, 투광성 가압부재(100) 및 홀더 유닛(500)의 각 모서리 부분 4개소에 설치된 프레스 브라켓(720), 상기 프레스 브라켓의 상부에 설치된 가압 실린더(730), 상기 프레스 브라켓(720)을 수직방향으로 구동력을 인가하는 수직 구동부; 즉, 일례로 볼 스크류(750) 및 모터(760), 그리고 상기 프레스 브라켓(720)의 직선운동을 가이드하기 위한 가이드부재(770)로 구성될 수 있다. Looking at the configuration of the vertical transfer unit according to an embodiment, a
그러므로 기판 및 전자부품들로 이루어진 본딩대상물(11)이 투광성 가압부재(100)의 하방에 투입되기 전에는 상기 투광성 가압부재(100) 및 홀더 유닛(500)이 수직 이송부의 모터(760) 구동에 의해 상방으로 이송되고, 본딩대상물(11)이 투입된 이후에는 다시 모터(760)의 구동에 의해 투광성 가압부재(100) 및 홀더 유닛(500)이 하방으로 이송되어져 가압을 위해 대기하게 된다. 이후 상기 가압 실린더(730)의 동작에 의해 투광성 가압부재(100)가 정전 척(940) 상에 진공 흡착된 본딩대상물(11)을 눌러 가압하게 된다.Therefore, before the
한편 상기 정전 척(940)의 하부에는 본딩대상물(11)을 일정 온도로 예열하기 위한 히팅 블록(942)이 설치되어 있음에 따라 상기 정전 척(940)에 본딩대상물(11)이 안착된 상태로 레이저 리플로우 처리를 위해 반송되는 동안 상기 본딩대상물(11)을 계속해서 예열하게 된다. 예컨대, 상기 본딩대상물(11)을 예열하는 온도는 200℃ 미만으로 설정할 수 있으며, 상기 예열로 인해 기판 등이 열적인 데미지가 가해지지 않을 정도의 온도로 설정함이 바람직하다.Meanwhile, as a
도 11은 본 발명 레이저 리플로우 방법의 공정 단계별 동작 관계를 나타낸 상태도로서, 이하 각 공정 단계별로 조합 가능한 여러 가지 본딩 모드들을 실시예에 따라 살펴보면 다음과 같다. FIG. 11 is a state diagram showing an operation relationship for each step of the laser reflow method of the present invention. Hereinafter, various bonding modes that can be combined for each step will be described according to an embodiment.
먼저, 본 발명의 첫 번째 본딩 모드는 가장 기본적인 본딩 모드로서, 상기 투광성 가압부재(100)의 가압면(102)이 하방으로 이동하여 본딩대상물(11)에 가압력을 가하지 않는 상태로 접촉하는 단계; 상기 투광성 가압부재(100)를 통해 본딩대상물(11)에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 상기 레이저 빔의 조사를 해제하고 투광성 가압부재(100)를 상방으로 하는 단계로 진행될 수 있다.First, the first bonding mode of the present invention is the most basic bonding mode, comprising the steps of: contacting the
이 때, 상기 투광성 가압부재(100)가 가압력을 가하지 않는 상태로 접촉하는 단계는 앞서 도 10에서 살펴본 바와 같이 모터(760)의 구동에 의해 상기 모터(760)와 볼 스크류(750)에 의해 연결된 프레스 브라켓(720)이 하방으로 이동되게 되고, 상기 프레스 브라켓(720)에는 홀더 유닛(500) 및 투광성 가압부재(100)가 장착된 상태이므로 결국 모터의 구동에 의해 투광성 가압부재(100)가 하방으로 이동된다. In this case, the step of contacting the light-transmitting
다음 단계로 도 11b를 참조하면 상기 투광성 가압부재(100)가 하방으로 이동되어져 본딩대상물(11)의 전자부품(11b)에 접촉되면 상기 투광성 가압부재(100)를 하방으로 이동되도록 구동력을 제공하던 모터(760)의 구동이 정지되고, 상기 투광성 가압부재(100)는 가압력을 인가하지 않은 상태로 전자부품(11b)의 상면에 접촉한 상태가 된다. 이 때, 상기 모터는 잠금된 상태이므로 투광성 가압부재(100)도 수직 이동되지 못하도록 높이가 고정된 상태이다.As the next step, referring to FIG. 11B, when the light-transmitting
이어서 다음 단계로 도 11c를 참조하면 상기 투광성 가압부재(100)가 전자부품(11b)의 상면에 접촉된 상태에서 상기 투광성 가압부재(100)의 상방에 구비된 멀티 레이저 모듈, 즉 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)이 투광성 가압부재(100)를 통해 본딩대상물(11)에 레이저 빔을 조사한다. Next, referring to FIG. 11C as a next step, a multi-laser module, that is, a first laser module, provided above the
이 때, 상기 레이저 빔은 중첩 조사됨으로써 상기 복수의 전자부품(11b) 및 솔더(11c)에 균질화된 레이저 빔을 전달할 수가 있으며, 앞서 언급한 바와 같이 상기 본딩대상물(11)은 이미 일정 예열온도, 예컨대 200℃ 미만으로 본딩대상물(11)이 예열되고 있는 상태이므로 레이저 빔이 본딩대상물(11)을 솔더(11c)의 용융온도, 예컨대 250℃까지 급격히 가열하지 않더라도 예열온도에서부터 솔더(11c)의 용융온도까지 안정적으로 가열할 수 있게 된다. 이에 따라 레이저 리플로우가 시작되면 상기 솔더(11c)의 상면에는 투광성 가압부재(100)의 가압면(102)이 접촉된 상태이므로 솔더(11c)의 용융시 상기 솔더(11c)의 상부에 위치한 전자부품(11b)이 상방으로 휘어지거나 들뜨지 않도록 가두어주게 된다.At this time, the laser beam may be irradiated with overlapping to transmit the homogenized laser beam to the plurality of
이 후 솔더링이 완료되면 상기 레이저 빔의 조사를 해제하고 투광성 가압부재(100)를 상방으로 이동시킴으로써 첫 번째 본딩 모드가 완료된다.Thereafter, when soldering is completed, the first bonding mode is completed by releasing the irradiation of the laser beam and moving the translucent
한편, 상기 첫 번째 본딩 모드에서 몇가지 단계들이 추가된 다른 본딩 모드의 실시예들을 살펴보기로 한다.Meanwhile, embodiments of another bonding mode in which several steps are added in the first bonding mode will be described.
두 번째 본딩 모드는, 상술한 첫 번째 본딩 모드에서처럼 투광성 가압부재(100)가 본딩대상물(11)의 전자부품(11b)에 접촉한 후 투광성 가압부재(100)의 상방에 구비된 가압 실린더(730)가 투광성 가압부재(100)를 일정 압력으로 눌러 가압한다. In the second bonding mode, as in the above-described first bonding mode, after the light-transmitting
이후 상기와 같이 투광성 가압부재(100)가 본딩대상물(11)을 가압한 상태에서 레이저 빔이 조사되면 상기 본딩대상물(11)의 솔더(11c)가 용융됨에 따라 가압력이 해제되고 이 때 전자부품(11b)의 높이는 일정 높이(hc, 도 11a 참조)만큼 솔더(11c)의 압축에 의해 낮아지게 됨은 예상이 가능하다. 이 상태에서 모터(760)를 잠금 해제하면 투광성 가압부재(100)가 자중에 의해 서서히 하방으로 이동하게 되어 결국 상기 가압 실린더(730)에 의해 가해진 가압력만큼 투광성 가압부재(100)가 하방으로 이동되므로 가압력이 유지된다. Thereafter, when the laser beam is irradiated with the light-transmitting
그러므로 상기 두 번째 본딩 모드는 레이저 빔이 조사되기 전에 가압력이 인가되고, 상기 레이저 빔이 인가되어 솔더(11c)가 용융될 때 투광성 가압부재(100)도 하방으로 이동되면서 가압력을 유지한다는 점에서 첫 번째 본딩 모드와 차이점이 있다. 이로 인해 솔더(11c)의 용융시 솔더(11c)에 가해지는 가압력은 일정하게 유지되므로 전자부품(11b)의 들뜸이나 솔더(11c)의 접속불량 등이 저감되고, 밀도있는 솔더링을 얻을 수 있는 효과가 기대된다.Therefore, the second bonding mode is the first in that a pressing force is applied before the laser beam is irradiated, and when the laser beam is applied and the
또한 세 번째 본딩 모드는, 상술한 첫 번째 본딩 모드에서처럼 투광성 가압부재(100)가 본딩대상물(11)의 전자부품(11b)에 접촉한 후 가압력을 인가하지 않은 상태에서 레이저 빔이 조사됨은 첫 번째 본딩 모드와 동일하다.In addition, in the third bonding mode, as in the first bonding mode described above, the laser beam is irradiated without applying a pressing force after the transparent pressing
상기 레이저 빔이 조사된 이후에 가압 실린더(730)가 구동되어 투광성 가압부재(100) 및 본딩대상물(11)에 일정 가압력을 인가하게 된다. 이 때, 투광성 가압부재(100)는 수직 이동하지 못하도록 모터(760)가 잠금되어 고정되고, 가압 실린더(730)만이 가압력을 인가하는 상태이다. 상기 세 번째 본딩 모드는 레이저 빔의 조사 후에 가압력을 인가한다는 점에서 첫 번째 본딩 모드와 차이점이 있다. After the laser beam is irradiated, the
네 번째 본딩 모드는, 상기 세 번째 본딩 모드와 레이저 빔을 조사하는 단계까지는 동일하나, 레이저 빔의 조사 후에 가압력을 인가하는 대신 투광성 가압부재(100)의 높이를 변화시킨다는 데에서 차이가 있다.The fourth bonding mode is the same until the third bonding mode and the irradiation step of the laser beam, but differs in that the height of the translucent
그러므로 레이저 빔이 조사되기 시작하면 모터의 잠금이 해제되면 상기 투광성 가압부재(100)가 서서히 하방으로 이동하게 되고 결국 전자부품(11b) 및 용융되는 솔더(11c)를 서서히 누르게 되므로 레이저 빔에 용융되는 솔더(11c)에 급격한 가압력이 인가됨에 따른 본딩불량이 방지될 수 있다.Therefore, when the motor is unlocked when the laser beam is irradiated, the light-transmitting
이상에서 살펴본 바와 같이 상기 본딩 모드들은 솔더의 용융에 따른 압력변화를 조절하여 본딩불량을 방지한다는 점에서 다양한 실시예의 가능하다. 그러므로 본 발명은 단지 앞서 기술된 실시예들에 의해서만 한정된 것은 아니며, 장치의 세부 구성이나 개수 및 배치 구조를 변경하거나 세부 단계를 변경 및 추가할 경우에도 동일된 효과를 창출할 수 있는 것이므로 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 구성의 부가 및 삭제, 변형이 가능한 것임을 명시하는 바이다.As described above, the bonding modes are possible in various embodiments in that bonding defects are prevented by controlling a pressure change according to melting of the solder. Therefore, the present invention is not limited only by the above-described embodiments, and the same effect can be created even when the detailed configuration, number, and arrangement structure of the device is changed, or the detailed steps are changed and added. In the art, it is stated that various configurations can be added, deleted, and modified within the scope of the technical idea of the present invention.
11 : 본딩대상물 11a : 기판
11b : 전자부품 11c : 솔더
100 : 투과성 가압부재 102: 가압면
200 : 보호필름 210 : 보호필름 이송부
310 : 제 1 레이저 모듈 320 : 제 2 레이저 모듈
500 : 홀더 유닛 730 : 가압 실린더
760 : 모터 940 : 진공 척 942 : 히팅 블록11:
11b:
100: permeable pressing member 102: pressing surface
200: protective film 210: protective film transfer unit
310: first laser module 320: second laser module
500: holder unit 730: pressurized cylinder
760: motor 940: vacuum chuck 942: heating block
Claims (10)
a) 상기 투광성 가압부재의 가압면이 하방으로 이동하여 본딩대상물에 가압력을 가하지 않는 상태로 접촉하는 단계;
b) 상기 투광성 가압부재를 통해 본딩대상물에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및
c) 상기 레이저 빔의 조사를 해제하고 투광성 가압부재를 상방으로 이동하는 단계를 포함하며,
상기 a) 단계 이후에, 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하는 단계를 더 포함하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.Laser reflow method of a laser reflow apparatus for bonding electronic components to a substrate by pressing and pressing a bonding object on which a plurality of electronic components are disposed on a rectangular substrate with a light-transmitting pressing member and irradiating a laser beam through the pressing member In,
a) contacting a bonding object in a state in which the pressing surface of the translucent pressing member moves downward and does not apply a pressing force to the bonding object;
b) irradiating a laser beam to a bonding object through the translucent pressing member; And
c) releasing the irradiation of the laser beam and moving the translucent pressing member upward,
After the step a), further comprising the step of fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member,
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재에 기설정된 일정 압력을 인가하되, b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하지 않는 단계를 더 포함하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 1,
Applying a predetermined predetermined pressure to the translucent pressing member after step a), but not fixing the vertical movement of the translucent pressing member after step b),
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하되, 상기 b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재에 기설정된 일정 압력을 인가하는 단계를 더 포함하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 1,
Fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step a), further comprising applying a predetermined pressure to the light-transmitting pressing member after step b),
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 a) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하되, b) 단계 이후에 상기 투광성 가압부재의 수직 이동을 고정하지 않는 단계를 더 포함하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 1,
The step of fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step a), but further comprising the step of not fixing the vertical movement of the light-transmitting pressing member after step b),
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 b) 단계에서 상기 레이저 빔은 둘 이상의 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 중첩 조사되는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 1,
In the step b), the laser beam is irradiated with overlapping laser beams from two or more laser modules,
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 동시에 조사되는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 6,
A laser beam is simultaneously irradiated from each of the laser modules,
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 각 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 순차적으로 조사되되, 하나의 레이저 빔이 조사되는 상태에서 다른 레이저 빔이 추가로 조사되는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 6,
A laser beam is sequentially irradiated from each of the laser modules, and another laser beam is additionally irradiated in a state in which one laser beam is irradiated,
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 b) 단계 이전에 본딩대상물을 하부에서 예열하는 단계를 더 포함하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 1,
Prior to the step b), further comprising the step of preheating the bonding object from the bottom,
Laser reflow method of laser reflow device.
상기 본딩대상물을 하부에서 예열하는 단계는 본딩대상물의 표면 온도를 200℃ 미만으로 유지하는,
레이저 리플로우 장치의 레이저 리플로우 방법.The method of claim 9,
The step of preheating the bonding object from the bottom is to maintain the surface temperature of the bonding object below 200°C,
Laser reflow method of laser reflow device.
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