KR20210039620A - Temperature Sensing Module of Laser Reflow Device - Google Patents

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KR20210039620A
KR20210039620A KR1020190122063A KR20190122063A KR20210039620A KR 20210039620 A KR20210039620 A KR 20210039620A KR 1020190122063 A KR1020190122063 A KR 1020190122063A KR 20190122063 A KR20190122063 A KR 20190122063A KR 20210039620 A KR20210039620 A KR 20210039620A
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KR1020190122063A
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진기철
최은성
손민수
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레이저쎌 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a temperature sensing module of a laser reflow apparatus for bonding electronic components to a substrate by pressing a plurality of electronic components arranged on the substrate with a light-transmitting pressing member and, at the same time, irradiating a laser beam through the pressing member. According to the present invention, the temperature sensing module comprises: a plurality of IR temperature sensors passing through the light-transmitting pressing member to measure thermal energy applied to an electronic component; a body part having a hinge fixed to one side of the inside and fixing one of the plurality of IR temperature sensors in a vertical direction; a support part for supporting the remaining IR temperature sensors except for the IR temperature sensor fixed in the vertical direction; and a tilt part connected to the body part and the support part to be tilted at a predetermined angle.

Description

레이저 리플로우 장치의 온도 센싱 모듈{Temperature Sensing Module of Laser Reflow Device}Temperature Sensing Module of Laser Reflow Device

본 발명은 레이저 리플로우 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 둘 이상의 레이저 빔을 중첩 조사하는 멀티 레이저 빔 모듈을 갖는 레이저 리플로우 장치에 있어서, 상기 멀티 레이저 빔이 중첩 조사되는 레이저 빔 영역의 온도 분포를 정밀하게 모니터링함으로써 본딩대상물에 포함된 전자부품들이 온도불균형으로 인한 본딩 불량을 최소화할 수 있도록 된 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a laser reflow apparatus, and more particularly, in a laser reflow apparatus having a multi-laser beam module that overlaps and irradiates at least two or more laser beams, the temperature of a laser beam region to which the multi-laser beams overlap and irradiate. The present invention relates to a laser pressurizing head module of a laser reflow apparatus capable of minimizing bonding defects due to temperature imbalance of electronic components included in a bonding object by precisely monitoring distribution.

산업용 레이저 가공에서 마이크론(㎛)급의 정밀도를 가지는 응용분야가 마이크로 레이저프로세싱인데, 반도체 산업, 디스플레이 산업, 인쇄회로기판(PCB) 산업, 스마트폰 산업 등에서 널리 사용되고 있다. 모든 전자기기에 사용되는 메모리칩은 집적도와 성능 및 초고속 통신속도를 구현하기 위해 회로간격을 최소한으로 축소시키는 기술이 발전하다가 현재는 회로선폭과 선폭간격을 축소시키는 것만으로는 요구되는 기술수준을 달성하기 어려워서 메모리칩들을 수직방향으로 적층하는 수준이 되었다. 이미 128층까지의 적층기술이 TSMC사(社)에서 개발되었고, 72층까지 적층하는 기술을 삼성전자, SK하이닉스 등에서 대량생산에 적용하고 있다.Micro laser processing is an application field with micron (㎛) precision in industrial laser processing, and is widely used in the semiconductor industry, the display industry, the printed circuit board (PCB) industry, and the smartphone industry. Memory chips used in all electronic devices have developed a technology that minimizes the circuit spacing in order to realize the integration, performance and ultra-high communication speed, but now the required technology level is achieved simply by reducing the circuit line width and line width interval. It was difficult to do so, so it became the level of stacking memory chips in a vertical direction. The stacking technology up to 128 layers has already been developed by TSMC, and the technology of stacking up to 72 layers is being applied to mass production at Samsung Electronics and SK Hynix.

또한, 메모리칩, 마이크로프로세서칩, 그래픽프로세서칩, 무선프로세서칩, 센서프로세서칩 등을 1개의 패키지에 실장하려는 기술개발들이 치열하게 연구개발되고 있으며 상당한 수준의 기술들이 이미 실전적용되고 있다.In addition, technology development to mount memory chips, microprocessor chips, graphic processor chips, wireless processor chips, and sensor processor chips in one package is being intensively researched and developed, and a considerable level of technologies are already being applied in practice.

그러나 앞에서 언급한 기술의 개발과정에서, 초고속/초고용량 반도체칩 내부에서 더욱 더 많은 전자들이 신호처리프로세스에 참여해야 하므로 전력소비량이 커져서 발열에 대한 냉각처리 이슈가 제기되었다. 또한, 더욱 많은 신호들에 대한 초고속 신호처리 및 초고주파 신호처리라는 요구사항을 달성하기 위하여 대량의 전기신호들을 초고속으로 전달해야 한다는 기술이슈가 제기되었다. 또한, 신호선들이 많아져야 해서 반도체칩 외부로의 신호 인터페이스 선들을 더 이상 1차원적인 리드선방식으로는 처리하지 못하고 반도체칩 하부에서 2차원적으로 처리하는 볼그리드어레이(BGA) 방식(Fan-In BGA 또는 Fan-in Wafer-Level-Package(FIWLP)라고 함)과, 칩 하부의 초미세 BGA층 아래에 신호 배선 재배열층(Signal Layout Redistribution Layer)을 두고 그 하부에 2차 미세 BGA층을 설치하는 방식(Fan-Out BGA 또는 Fan-Out Wafer-Level-Package(FOWLP) 또는 Fan-Out Panel-Level-Package라고 함) 방식이 실적 적용되고 있다.However, in the process of development of the above-mentioned technology, since more and more electrons have to participate in the signal processing process inside the ultra-high speed/ultra-high capacity semiconductor chip, the power consumption increases, and the issue of cooling treatment for heat has been raised. In addition, a technical issue has been raised that a large amount of electrical signals must be transmitted at an ultra-high speed in order to achieve the requirements of ultra-high-speed signal processing and ultra-high-frequency signal processing for more signals. In addition, since the number of signal lines must be increased, the signal interface lines to the outside of the semiconductor chip can no longer be processed by the one-dimensional lead wire method, but the Fan-In BGA method (Fan-In BGA), which processes two-dimensionally under the semiconductor chip. Or Fan-in Wafer-Level-Package (FIWLP)), and a Signal Layout Redistribution Layer under the ultra-fine BGA layer under the chip, and a second fine BGA layer under the chip. The method (referred to as Fan-Out BGA or Fan-Out Wafer-Level-Package (FOWLP) or Fan-Out Panel-Level-Package) has been successfully applied.

최근에는 반도체칩의 경우, EMC(Epoxy-Mold Compound)층을 포함하여 두께가 200㎛ 이하 제품이 등장하고 있다. 이와 같이 두께가 수백 마이크론에 불과한 마이크론급의 초경박형 반도체칩을 초경박형 PCB에 부착하기 위하여 기존의 표면실장기술(SMT) 표준공정인 써멀리플로우오븐(Thermal Reflow Oven) 기술과 같은 매스리플로우(MR) 공정을 적용하면 수백 초의 시간 동안 100∼300도(℃)의 공기온도환경 속에 반도체칩이 노출되므로 열팽창계수(CTE; Coefficient of ThermalExpansion) 차이 때문에 칩-테두리 휨(Chip-Boundary Warpage), PCB-테두리 휨(PCB-Boundary Warpage), 열충격형 랜덤본딩불량(Random-Bonding Failure by Thermal Shock) 등 다양한 형태의 솔더링 본딩 접착불량이 발생할 수 있다.Recently, in the case of semiconductor chips, products with a thickness of 200 μm or less including an EMC (Epoxy-Mold Compound) layer have appeared. In order to attach a micron-class ultra-thin semiconductor chip with a thickness of only a few hundred microns to an ultra-thin PCB, mass reflow (such as Thermal Reflow Oven) technology, a standard process for surface mount technology (SMT). When applying MR) process, semiconductor chips are exposed in an air temperature environment of 100 to 300 degrees Celsius (℃) for hundreds of seconds, so chip-boundary warpage (PCB) due to differences in coefficient of thermal expansion (CTE) -Various types of soldering bonding defects such as PCB-Boundary Warpage and Random-Bonding Failure by Thermal Shock may occur.

이에 따라 최근들어 각광받고 있는 레이저 리플로우 장치의 구성을 살펴보면, 레이저 헤드 모듈이 본딩대상물(반도체 칩 또는 집적회로 IC)을 수 초 동안 눌러주면서 레이저를 조사하여 본딩하는 방식으로, 반도체 칩 또는 집적회로(IC) 사이즈에 대응하는 면 광원 형태의 레이저를 조사하여 본딩을 수행한다.Accordingly, looking at the configuration of a laser reflow device that has recently been in the spotlight, a laser head module presses a bonding object (semiconductor chip or integrated circuit IC) for several seconds and irradiates a laser for bonding. (IC) Bonding is performed by irradiating a laser in the form of a surface light source corresponding to the size.

이 과정에서 레이저 조사시 반도체 칩 등의 전자부품에 가해지는 열을 모니터링하기 위해 IR 온도 센서를 포함한다. 즉, IR 온도 센서는 전자부품에 조사되는 레이저로 인해 발생되는 열을 감지하기 위한 것으로 수직방향으로 온도를 감지한다. In this process, it includes an IR temperature sensor to monitor heat applied to electronic components such as semiconductor chips during laser irradiation. That is, the IR temperature sensor is for detecting heat generated by a laser irradiated to an electronic component, and senses the temperature in a vertical direction.

이때, IR 온도 센서는 복수개의 형태로 전자부품으로부터 감지된 온도를 감지하고, 제어부가 이를 수신하여 평균치 값으로 연산하게 된다. 그리고, 연산된 값을 판단하여 레이저의 출력 제어를 하게 된다.In this case, the IR temperature sensor senses the temperature sensed from the electronic component in a plurality of forms, and the controller receives the temperature and calculates it as an average value. Then, the calculated value is determined and the laser output is controlled.

하지만, 이러한 IR 온도 센서를 수직 방향으로만 측정하다보니 측정할 수 있는 범위를 벗어난 전자부품은 보다 정확한 평균치 값을 연산할 수 없게 된다. 이는 결국 제어부가 오동작 신호를 발생하여 레이저 출력 제어를 하는데 있어 문제가 발생하게 된다. 예를 들어, 전자부품에 가해지는 열이 실제 높은 상황임에도 불구하고, 레이저를 제때 출력 제어를 하지 못해 전자부품이 타거나 파손될 가능성이 높게 된다.However, since the IR temperature sensor is measured only in the vertical direction, it is impossible to calculate a more accurate average value for electronic components that are out of the range that can be measured. This eventually causes a problem in controlling the laser output by the control unit generating a malfunction signal. For example, despite the fact that the heat applied to the electronic component is actually high, the possibility of burning or damaging the electronic component is high because the laser cannot be controlled in time.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소할 수 있도록 발명된 것으로, IR 온도 센서가 일정 각도로 틸트될 수 있도록 하여 전자부품의 다양한 사이즈를 측정할 수 있는데 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been invented to solve the above problems, and has an object to measure various sizes of electronic components by allowing the IR temperature sensor to be tilted at a predetermined angle.

또한, 본 발명의 다른 목적은 전자부품에 가해지는 열을 보다 정확히 측정하여 레이저 출력을 정밀도 있게 컨트롤 하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to accurately control the laser output by more accurately measuring heat applied to an electronic component.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,기판 상에 배열된 복수의 전자부품을 투광성 가압부재로 가압함과 동시에 상기 가압부재를 통해 레이저 빔을 조사함으로써 전자부품을 기판에 본딩하는 레이저 리플로우 장치의 온도 센싱모듈에 있어서,상기 투광성 가압부재를 투과하여 전자부품에 가해지는 열에너지를 측정하는 복수의 IR 온도센서; 내부 일측에 고정하는 힌지를 가지며 상기 복수의 IR 온도센서 중 하나를 수직방향으로 고정하는 몸체부;상기 수직방향으로 고정된 IR 온도센서를 제외한 나머지 IR 온도센서를 지지하는 지지부;상기 몸체부와 지지부가 연결되어 일정각도로 경사지게 하는 틸트부;를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a laser reflow for bonding electronic components to a substrate by pressing a plurality of electronic components arranged on a substrate with a light-transmitting pressing member and irradiating a laser beam through the pressing member. A temperature sensing module of a device, comprising: a plurality of IR temperature sensors for measuring thermal energy applied to an electronic component by passing through the light-transmitting pressing member; A body portion having a hinge fixed to one side of the inner side and fixing one of the plurality of IR temperature sensors in a vertical direction; a support portion supporting the remaining IR temperature sensors excluding the IR temperature sensor fixed in the vertical direction; the body portion and the support It includes; a tilt unit that is connected to the additional inclined at a predetermined angle.

본 발명은 상기 복수의 IR 온도센서로부터 전자부품에 가해지는 열에너지를 감지하여 평균치를 계산하고 기설정된 값 범위 이내인지 여부를 판단하는 제어부를 더 포함한다.The present invention further includes a control unit that detects heat energy applied to an electronic component from the plurality of IR temperature sensors, calculates an average value, and determines whether or not it is within a preset value range.

본 발명은 IR 온도 센서가 일정 각도로 틸트될 수 있도록 하여 전자부품의 다양한 사이즈를 측정할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of measuring various sizes of electronic components by allowing the IR temperature sensor to be tilted at a certain angle.

본 발명은 전자부품에 가해지는 열을 보다 정확히 측정하여 레이저 출력을 정밀하게 컨트롤 할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of accurately controlling laser output by more accurately measuring heat applied to an electronic component.

도 1은 본 발명 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈 구성을 전체적으로 보인 예시도
도 2는 도 1의 블록 구성도
도 3은 본 발명 레이저 가압 헤드 모듈의 일 실시예에 따른 싱글 레이저 모듈의 개념도
도 4는 본 발명 레이저 가압 헤드 모듈의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 개념도
도 5는 본 발명 레이저 가압 헤드 모듈의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 구성도
도 6 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈에 적용가능한 레이저 광학계의 구성도
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 구성 및 작동관계를 개략적으로 보인 측면도
도 11은 도 10의 IR 온도센서 구성을 확대하여 보인 요부 사시도
도 12는 도 11의 본딩대상물 구성을 확대하여 보인 요부 평면도
1 is an exemplary view showing the overall configuration of a laser pressurizing head module of the laser reflow apparatus of the present invention
2 is a block diagram of FIG. 1
3 is a conceptual diagram of a single laser module according to an embodiment of the present invention laser pressure head module
4 is a conceptual diagram of a multi-laser module according to another embodiment of the present invention laser pressurizing head module
5 is a block diagram of a multi-laser module according to another embodiment of the present invention laser pressurizing head module
6 to 9 are configuration diagrams of a laser optical system applicable to a multi-laser module according to another embodiment of the present invention.
10 is a side view schematically showing the configuration and operation relationship of a multi-laser module according to another embodiment of the present invention
11 is a perspective view showing an enlarged view of the configuration of the IR temperature sensor of FIG. 10
12 is a plan view showing an enlarged view of the configuration of the bonding object of FIG. 11

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 내지 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present specification, terms such as "include" or "have" to "include" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or a combination thereof described in the present specification. It is to be understood that the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, or any further features, is not excluded in advance.

본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다.Unless otherwise defined in the specification, all terms including technical or scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 한다.Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present specification. Shouldn't.

이하, 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 리플로우 장치를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a reflow apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 하부에 열을 가할 수 있는 구조를 갖추고 있는 다공성 물질 혹은 진공 구멍이 형성된 스테이지(111)에 지지되면서 이송되는 본딩대상물(11)에 면 광원 형태의 레이저를 조사하는 적어도 하나 이상의 멀티 레이저 모듈(310, 320)과, 상기 레이저 모듈(310, 320)과 분리되어 독립적으로 설치되며 면 광원 형태의 레이저를 투과시키는 투광성 가압부재(100), 상기 투광성 가압부재(100)를 오염으로부터 보호하는 보호필름(200)을 포함하여 구성된다.The laser pressurizing head module 300 of the laser reflow apparatus according to the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, includes a porous material having a structure capable of applying heat to the lower portion or a stage 111 having a vacuum hole. ) At least one multi-laser module (310, 320) that irradiates a surface light source type laser to the bonding object 11 that is supported and transported, and is installed independently from the laser module (310, 320), and is a surface light source. It is configured to include a light-transmitting pressurizing member 100 that transmits the type of laser, and a protective film 200 that protects the light-transmitting pressurizing member 100 from contamination.

먼저, 복수의 멀티 레이저 모듈(310, 320)은 레이저 발진기에서 발생되어 광섬유를 통해 전달되는 레이저를 면 광원으로 변환시켜서 본딩대상물(11)에 조사한다. 레이저 모듈(310, 320)은 스폿(spot) 형태의 레이저를 면 광원 형태로 변환하는 빔 쉐이퍼(도 5 참조)와, 상기 빔 쉐이퍼의 하부에 배치되며 빔 쉐이퍼에서 출사되는 면 광원이 본딩대상물(11)의 조사영역에 조사되도록 복수의 렌즈모듈이 경통 내부에 서로 적당한 간격을 두고 이격되어 장착되는 광학부(도 5 내지 도 9 참조)를 포함하여 구현될 수 있다.First, the plurality of multi-laser modules 310 and 320 convert the laser generated by the laser oscillator and transmitted through the optical fiber into a surface light source to irradiate the bonding object 11. The laser modules 310 and 320 include a beam shaper that converts a spot-shaped laser into a surface light source (see FIG. 5), and a surface light source that is disposed under the beam shaper and emitted from the beam shaper is a bonding object ( A plurality of lens modules may be implemented by including an optical unit (see FIGS. 5 to 9) that are spaced apart from each other and mounted inside the barrel so as to be irradiated to the irradiation area of 11).

레이저 모듈(310, 320)은 본딩대상물(11)과의 정렬을 위해 z 축을 따라 상승 또는 하강하거나 x 축을 따라 좌, 우 이동하거나 y 축을 따라 이동될 수 있다.The laser modules 310 and 320 may rise or fall along the z-axis, move left or right along the x-axis, or move along the y-axis for alignment with the bonding object 11.

본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 가압 헤드(300)는 본딩대상물(11)을 눌러주는 투광성 가압부재(100)과 본딩대상물(11)에 면 광원 형태의 레이저를 조사하는 레이저 모듈(310, 320)을 서로 독립적으로 분리하여 형성함으로써, 투광성 가압부재(100)로 본딩대상물(11)을 눌러준 상태에서 레이저 모듈(310, 320)을 본딩대상물(11)의 복수의 조사 위치로 이동시킨 후 구동함에 의해 하나의 본딩대상물(11)에 대한 택트 타임(tact time)의 단축 및 복수의 본딩대상물(11) 전체에 대한 본딩 작업의 고속화를 실현할 수 있다.The pressure head 300 of the laser reflow apparatus according to the present invention includes a translucent pressure member 100 that presses the bonding object 11 and a laser module 310 and 320 that irradiates a surface light source type laser to the bonding object 11. ) Are formed to be separated from each other, so that the laser modules 310 and 320 are moved to a plurality of irradiation positions of the bonding object 11 while pressing the bonding object 11 with the translucent pressing member 100 and then driven. By doing so, it is possible to shorten the tact time for one bonding object 11 and speed up the bonding operation for all of the plurality of bonding objects 11.

이 때, 상기 투광성 가압부재(100)는 소정 형태의 투광성 가압부재 이송부(도면 미도시)에 의해 작업 위치 또는 대기 위치로 이동되는데, 일례로 투광성 가압부재 이송부는 투광성 가압부재(100)를 하강 또는 상승시키거나 좌, 우로 이동시킨 후 하강 또는 상승시킬 수 있다.At this time, the light-transmitting pressing member 100 is moved to a working position or a standby position by a light-transmitting pressing member conveying unit (not shown in the drawing) of a predetermined type, for example, the translucent pressing member conveying unit lowering or It can be raised or moved to the left or right and then lowered or raised.

또한 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은 압력감지센서(도면 미도시)와 높이센서(도면 미도시)로부터 입력되는 데이터를 이용하여 투광성 가압부재 이송부의 동작을 제어하는 제어부(도면 미도시)를 더 포함한다.In addition, although not shown in the drawing, the laser pressure head module 300 of the laser reflow apparatus according to the present invention uses data input from a pressure sensor (not shown) and a height sensor (not shown) to transmit a light-transmitting pressure member. It further includes a control unit (not shown) for controlling the operation of the transfer unit.

상기 압력감지센서와 높이센서는 투광성 가압부재(100)과 투광성 가압부재 이송부와 본딩대상물을 지지하는 스테이지(111)에 설치될 수 있다. 예컨대, 제어부는 압력감지센서로부터 데이터를 입력받아 압력이 목표치에 도달하도록 투광성 가압부재 이송부를 제어하고 또한, 높이센서로부터 데이터를 입력받아 높이의 목표치에 도달하도록 투광성 가압부재 이송부를 제어할 수 있다.The pressure sensing sensor and the height sensor may be installed on the light-transmitting pressing member 100, the light-transmitting pressing member transfer unit, and the stage 111 supporting the bonding object. For example, the control unit may receive data from the pressure sensor and control the light-transmitting pressurizing member transfer unit so that the pressure reaches the target value, and also control the light-transmitting pressurization member transfer unit to receive data from the height sensor and reach the target height.

또한 지지부(도면 미도시)는 투광성 가압부재 이송부(도면 미도시)가 이동가능하도록 지지한다. 일례로, 상기 지지부는 스테이지(111)와 나란하게 연장형성되는 한 쌍의 겐트리로 구현될 수 있으며, 투광성 가압부재 이송부를 x 축, y 축, 또는 z 축으로 이동가능하도록 지지하는 구성이 포함되는 것으로 해석되어져야 한다.In addition, the support (not shown) supports the translucent pressing member transfer unit (not shown) to be movable. As an example, the support unit may be implemented as a pair of gantry extending parallel to the stage 111, and includes a configuration that supports the translucent pressing member transfer unit to be movable in the x-axis, y-axis, or z-axis. It should be interpreted as being.

본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 가압 헤드(300)는 투광성 가압부재(100)에 압력을 가하는 1개 이상의 액추에이터와 투광성 가압부재(100)에 미치는 압력을 감지하는 적어도 하나의 압력감지센서와 투광성 가압부재의 높이를 검출하는 하나 이상의 높이센서를 포함하여 구현될 수 있다. 압력감지센서는 일례로 적어도 하나의 로드셀로 구현될 수 있으며, 높이센서는 리니어 엔코더로 구현될 수 있다.The pressure head 300 of the laser reflow device according to the present invention includes at least one actuator that applies pressure to the light-transmitting pressure member 100 and at least one pressure sensor that senses the pressure applied to the light-transmitting pressure member 100, and a light-transmitting device. It may be implemented by including one or more height sensors for detecting the height of the pressing member. The pressure sensor may be implemented with at least one load cell as an example, and the height sensor may be implemented with a linear encoder.

상기 압력감지센서를 통하여 본딩대상물에 가해지는 압력을 조정하여 대면적의 경우 다수의 액추에이터와 다수의 압력감지센서를 통하여 동일한 압력이 본딩대상물에 전달될 수 있도록 제어할 수 있으며 또한 하나 이상 혹은 다수의 높이 센서를 통하여 본딩대상물이 본딩되어지는 순간의 높이 위치값을 확인하거나 더 정확한 본딩 높이의 수치를 찾을 수 있는 기술적 데이타를 제공하며 일정한 높이의 간격을 유지해야 하는 공정을 수행할 경우에 정확한 높이를 제어할 수 있는 기능을 수행한다. By adjusting the pressure applied to the object to be bonded through the pressure sensor, in the case of a large area, it is possible to control so that the same pressure can be transmitted to the object to be bonded through a plurality of actuators and a plurality of pressure sensors. Through the height sensor, it provides technical data to check the height position value at the moment when the object to be bonded is bonded or to find a more accurate value of the bonding height. It performs a function that can be controlled.

또한 투광성 가압부재(100)은 레이저 모듈(310, 320)로부터 출력되는 레이저를 투과시키는 모재로 구현될 수 있다. 투광성 가압부재(100)의 모재는 모든 빔투과성 재질로 구현 가능하다. In addition, the translucent pressing member 100 may be implemented as a base material that transmits the laser output from the laser modules 310 and 320. The base material of the light-transmitting pressing member 100 can be implemented with any beam-transmitting material.

투광성 가압부재(100)의 모재는 예를 들어 쿼츠(Quartz), 사파이어(sapphire), 용융실리카유리(Fused Silica Glass) 또는 다이아몬드 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 그러나 쿼츠(Quarts)재질로 구현된 투광성 가압부재의 물리적 특성은 사파이어(sapphire)로 구현된 투광성 가압부재의 물리적 특성과 다르다. 예컨대 980㎚ Laser를 조사할 경우, 쿼츠(Quarts)재질로 구현된 투광성 가압부재의 투과율은 85%∼99%이며 본딩대상물에서 측정된 온도는 100℃이다. 반면에 사파이어(sapphire)로 구현된 투광성 가압부재의 투과율은 80%∼90%이며 본딩대상물에서 측정된 온도는 60℃이다.The base material of the light-transmitting pressing member 100 may be implemented by any one of, for example, quartz, sapphire, fused silica glass, or diamond. However, the physical characteristics of the light-transmitting pressing member made of quartz material are different from the physical characteristics of the light-transmitting pressing member made of sapphire. For example, when irradiating a 980 nm laser, the transmittance of the translucent pressing member made of quartz material is 85% to 99%, and the temperature measured at the bonding object is 100°C. On the other hand, the transmittance of the translucent pressurizing member made of sapphire is 80% to 90%, and the temperature measured at the bonding object is 60°C.

즉, 광 투과율과 본딩에 필요한 열 손실 측면에서 쿼츠(Quarts)는 사파이어(sapphire)보다 우수한 성능을 보인다. 그러나 본 출원 발명자는 레이저 리플로우 장치를 개발하면서 투광성 가압부재(100)을 반복적으로 테스트해 본 결과, 쿼츠(quartz)재질로 구현되는 투광성 가압부재(100)은 레이저 본딩 시 크랙(crack)이 발생하거나 바닥면에서 연소(burning)가 발생하여 본딩품질 불량이 발생하는 문제점이 발견되었다. 이는 레이저 본딩 시 발생하는 가스(fumes)가 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 달라붙고, 가스(fumes)가 달라붙은 부분에 레이저의 열원이 집중되어 열적 스트레스를 높이는 것으로 분석되었다.That is, in terms of light transmittance and heat loss required for bonding, quartz shows superior performance than sapphire. However, the inventors of the present application have repeatedly tested the translucent pressurizing member 100 while developing the laser reflow device. As a result, the translucent pressurizing member 100 made of a quartz material is cracked during laser bonding. It has been found that there is a problem in that the bonding quality is defective due to the occurrence of burning on the floor or the bottom surface. It was analyzed that gases generated during laser bonding adhered to the bottom surface of the light-transmitting pressurizing member 100, and the heat source of the laser was concentrated in a portion to which fumes adhered to increase thermal stress.

쿼츠(quartz) 재질로 구현되는 투광성 가압부재(100)의 손상을 막고 내구성 향상을 위해, 쿼츠(quartz) 재질로 구현되는 투광성 가압부재의 바닥면에 박막 코팅층을 형성할 수 있다. 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 형성되는 박막 코팅층은 통상의 광학코팅인 유전체코팅 또는 SiC코팅 또는 금속물질코팅으로 구현될 수 있다.In order to prevent damage and improve durability of the light-transmitting pressurizing member 100 made of a quartz material, a thin film coating layer may be formed on the bottom surface of the light-transmitting pressurizing member made of a quartz material. The thin film coating layer formed on the bottom surface of the light-transmitting pressing member 100 may be implemented as a conventional optical coating, such as dielectric coating, SiC coating, or metallic material coating.

본 발명에 따른 레이저 리플로우 장치의 레이저 가압 헤드 모듈(300)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 투광성 가압부재(100) 하부로, 레이저 본딩시 발생하는 가스(fumes)가 투광성 가압부재(100)의 바닥면에 달라붙는 것을 막아주는 보호필름(200) 및 상기 보호필름(200)을 이송시키는 보호필름 이송부(210)를 더 포함하여 구현된다.In the laser pressurizing head module 300 of the laser reflow apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, gases generated during laser bonding are transmitted to the lower portion of the translucent pressurizing member 100. ) Is implemented to further include a protective film 200 to prevent sticking to the bottom surface of the protective film 200 and a protective film transfer unit 210 for transporting the protective film 200.

상기 보호필름 이송부(210)는 롤 형태로 감긴 보호필름(200)을 풀어주면서 일측으로 이송시키는 릴-투-릴(reel to reel) 방식으로 구현될 수 있다. 보호필름(200)은 일례로, 최고 사용온도가 섭씨 300도 이상이고, 연속 최고 사용온도가 260도 이상으로 내열성이 우수한 재질로 구현되는 것이 좋다. 에컨대 보호필름(200)은 폴리테트라플루오로에틸렌수지(통상적으로 테플론수지라고도 부름; Polytetrafluoroethylene, PTFE) 또는 퍼플로로 알콕시 수지로 구현될 수 있다. 퍼플루오로알콕시수지(Per Fluoro Alkylvinyether copolymer; PFA)는 불소화 에틸렌 프로필렌 수지의 내열성을 개선하는 제품으로, 연속 최고 사용온도가 폴리테트라플루오로에틸렌수지와 같은 섭씨 260도로 기록되어 고기능성 수지이다.The protective film transfer unit 210 may be implemented in a reel-to-reel method in which the protective film 200 wound in a roll shape is released and transferred to one side. As an example, the protective film 200 is preferably implemented with a material having excellent heat resistance with a maximum use temperature of 300 degrees Celsius or more and a continuous maximum use temperature of 260 degrees Celsius or more. For example, the protective film 200 may be implemented with a polytetrafluoroethylene resin (commonly referred to as a Teflon resin; Polytetrafluoroethylene, PTFE) or a purple alkoxy resin. Per Fluoro Alkylvinyether copolymer (PFA) is a product that improves the heat resistance of fluorinated ethylene propylene resin, and it is a highly functional resin with a continuous maximum operating temperature of 260 degrees Celsius like polytetrafluoroethylene resin.

도 3은 본 발명 본딩대상물 이송 모듈의 일 실시예에 따른 싱글 레이저 모듈의 개념도이고, 도 4는 본 발명 본딩대상물 이송 모듈의 다른 실시예에 따른 듀얼 레이저 모듈의 개념도이다.3 is a conceptual diagram of a single laser module according to an embodiment of the present invention bonding object transport module, Figure 4 is a conceptual diagram of a dual laser module according to another embodiment of the present invention bonding object transport module.

상기 도 3을 참조하면, 본 발명은 일실시예에 따라 단일의 레이저 모듈(310)을 구비하며, 이에 따라 FPCB 기판 상에 싱글 레이저 빔을 조사하게 된다. 이 때 도 3을 참조하면 상기 제 1 레이저 모듈(310)에 의해 조사된 레이저 빔은 레이저 빔의 세기가 균질화된 스퀘어 빔 형상으로 변형된 상태로 기판 상에서 조사된다. Referring to FIG. 3, the present invention includes a single laser module 310 according to an embodiment, and thus a single laser beam is irradiated onto the FPCB substrate. In this case, referring to FIG. 3, the laser beam irradiated by the first laser module 310 is irradiated on the substrate in a state in which the intensity of the laser beam is transformed into a homogenized square beam shape.

한편 상기 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈은 예를 들어 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)로 구성되며, 본딩대상물(11)의 전자부품이 부착되는 위치에서는 제1, 2 레이저 모듈이 중첩된 상태로 조사됨으로써 균질화된 중첩 레이저 빔이 조사된다.Meanwhile, referring to FIG. 4, a multi-laser module according to another embodiment of the present invention includes, for example, a first laser module 310 and a second laser module 320, and is an electronic component of the bonding object 11. At the attached position, the first and second laser modules are irradiated in a superimposed state to irradiate a homogenized superimposed laser beam.

도 4에서는 제1 레이저 빔이 스퀘어 형상이고 제2 레이저 빔이 원형인 것으로 도시되었으나, 두 레이저 빔이 모두 스퀘어 형상일 수도 있다. 또한, 제1 레이저 빔과 제2 레이저 빔은 동시에 조사될 수도 있고, 제1 레이저 빔에 의한 본딩대상물(11)의 예열 후에 제2 레이저 빔이 순차적으로 조사될 수도 있다.In FIG. 4, it is illustrated that the first laser beam has a square shape and the second laser beam has a circular shape, but both laser beams may have a square shape. In addition, the first laser beam and the second laser beam may be irradiated at the same time, or the second laser beam may be sequentially irradiated after preheating of the bonding object 11 by the first laser beam.

도 5는 본 발명 가압 헤드의 다른 실시예에 따른 듀얼 레이저 모듈의 구성도이다.5 is a block diagram of a dual laser module according to another embodiment of the present invention pressure head.

도 5에서, 각 레이저 모듈(310, 320, ... 330)은 각기 냉각장치(316, 326, 336)를 구비한 레이저 발진기(311, 321, 331), 빔 쉐이퍼(312, 322, 332), 광학렌즈모듈(313, 323, 333), 구동장치(314, 324, 334), 제어장치(315, 325, 335) 및 전원공급부(317, 327, 337)를 포함하여 구성된다.In FIG. 5, each of the laser modules 310, 320, ... 330 is a laser oscillator 311, 321, 331, each having a cooling device (316, 326, 336), a beam shaper (312, 322, 332) , Optical lens modules 313, 323, 333, driving devices 314, 324, 334, control devices 315, 325, 335, and power supply units 317, 327, 337.

이하에서는, 필요한 경우를 제외하고는, 중복 설명을 피하기 위해 동일 구성을 갖는 각 레이저 모듈 중 제1 레이저 모듈(310)을 위주로 설명한다.Hereinafter, the first laser module 310 of each laser module having the same configuration will be mainly described in order to avoid redundant description, except when necessary.

레이저 발진기(311)는 소정 범위의 파장과 출력 파워를 갖는 레이저 빔을 생성한다. 레이저 발진기는 일례로 '750nm 내지 1200nm' 또는 '1400nm 내지 1600nm' 또는 '1800nm 내지 2200nm' 또는 '2500nm 내지 3200nm'의 파장을 갖는 다이오드 레이저(Laser Diode, LD) 또는 희토류 매질 광섬유 레이저(Rare-Earth-Doped Fiber Laser) 또는 희토류 매질 광결정 레이저(Rare-Earth-Doped Crystal Laser)일 수 있으며, 이와 달리 755nm의 파장을 갖는 알렉산드라이트 레이저 광을 방출하기 위한 매질, 또는 1064nm 또는 1320nm의 파장을 갖는 엔디야그(Nd:YAG) 레이저 광을 방출하기 위한 매질을 포함하여 구현될 수 있다.The laser oscillator 311 generates a laser beam having a wavelength and output power in a predetermined range. The laser oscillator is, for example, a diode laser (Laser Diode (LD)) having a wavelength of '750nm to 1200nm' or '1400nm to 1600nm' or '1800nm to 2200nm' or '2500nm to 3200nm' or a rare earth medium fiber laser (Rare-Earth- Doped Fiber Laser) or Rare-Earth-Doped Crystal Laser. Alternatively, a medium for emitting alexandrite laser light having a wavelength of 755 nm, or Nd Yag (Nd) having a wavelength of 1064 nm or 1320 nm. :YAG) It may be implemented including a medium for emitting laser light.

빔 쉐이퍼(beam shaper)(312)는 레이저 발진기에서 발생하여 광섬유를 통해 전달되는 스폿(spot) 형태의 레이저를 플랫 탑을 가진 면광원(Area Beam) 형태로 변환시킨다. 빔 쉐이퍼(312)는 사각 광 파이프(Square Light Pipe), 회절광학소자(Diffractive Optical Element, DOE) 또는 마이크로렌즈어레이(Micro-Lens Array, MLA)를 포함하여 구현될 수 있다.A beam shaper 312 converts a spot-shaped laser generated in a laser oscillator and transmitted through an optical fiber into an area beam having a flat top. The beam shaper 312 may be implemented by including a Square Light Pipe, a Diffractive Optical Element (DOE), or a Micro-Lens Array (MLA).

광학렌즈모듈(313)은 빔 쉐이퍼에서 면 광원 형태로 변환된 레이저 빔의 형태와 크기를 조정하여 PCB 기판에 장착된 전자부품 내지 조사 구역으로 조사하도록 한다. 광학렌즈모듈은 복수의 렌즈의 결합을 통해 광학계를 구성하는데, 이러한 광학계의 구체적 구성에 대해서는 도 6 내지 도 9를 통해 구체적으로 후술하기로 한다.The optical lens module 313 adjusts the shape and size of a laser beam converted into a surface light source form by a beam shaper to irradiate it to an electronic component or an irradiation area mounted on a PCB substrate. The optical lens module constitutes an optical system through a combination of a plurality of lenses, and a specific configuration of such an optical system will be described later in detail with reference to FIGS. 6 to 9.

구동장치(314)는 조사면에 대해 레이저 모듈의 거리 및 위치를 이동시키고, 제어장치(315)는 구동장치(314)를 제어하여 레이저 빔이 조사면에 도달할 때의 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도 및 빔 조사 각도를 조정한다. 제어장치(315)는 또한 구동장치(314) 외에 레이저 모듈(310) 각 부의 동작을 통합적으로 제어할 수 있다.The driving device 314 moves the distance and position of the laser module with respect to the irradiation surface, and the control device 315 controls the driving device 314 to control the beam shape and the beam area size when the laser beam reaches the irradiation surface. , Adjust the beam sharpness and beam irradiation angle. The control device 315 may also integrally control the operation of each unit of the laser module 310 in addition to the driving device 314.

한편, 레이저출력조정부(370)는 사용자 인터페이스를 통해 수신한 프로그램 또는 미리 설정된 프로그램에 따라 각 레이저 모듈(310, 320, 330)에 대응하는 전원 공급부(317, 327, 337)에서 각 레이저 모듈로 공급되는 전력량을 제어한다. 레이저출력조정부(370)는 하나 이상의 카메라 모듈(350)로부터 조사면 상에서의 부품별, 구역별 또는 전체 리플로우 상태 정보를 수신하여 이를 토대로 각 전원 공급부(317, 327, 337)를 제어한다. 이와 달리, 레이저출력조정부(370)로부터의 제어정보가 각 레이저 모듈(310, 320, 330)의 제어장치(315, 325, 335)로 전달되고, 각 제어장치(315, 325, 335)에서 각기 대응하는 전원공급부(317)를 제어하기 위한 피드백 신호를 제공하는 것도 가능하다. 또한, 도 6과 달리, 하나의 전원 공급부를 통해 각 레이저 모듈로 전력을 분배하는 것도 가능한데, 이 경우에는 레이저출력조정부(370)에서 전원공급부를 제어해야 한다.Meanwhile, the laser output adjustment unit 370 is supplied to each laser module from the power supply units 317, 327, 337 corresponding to each laser module 310, 320, 330 according to a program received through a user interface or a preset program. Controls the amount of power to be used. The laser output adjustment unit 370 receives information on the reflow status of each part, area, or entire reflow on the irradiation surface from one or more camera modules 350 and controls each power supply unit 317, 327, 337 based on this. In contrast, the control information from the laser output control unit 370 is transmitted to the control devices 315, 325, 335 of each laser module (310, 320, 330), and each control device (315, 325, 335) It is also possible to provide a feedback signal for controlling the corresponding power supply unit 317. In addition, unlike FIG. 6, it is possible to distribute power to each laser module through one power supply unit. In this case, the power supply unit must be controlled by the laser output adjustment unit 370.

레이저 중첩 모드를 구현하는 경우, 레이저출력조정부(370)는 각 레이저 모듈(310, 320, 330)로부터의 레이저 빔이 필요한 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도 및 빔 조사 각도를 갖도록 각 레이저 모듈 및 전원공급부(317, 327, 337)를 제어한다. 레이저 중첩 모드는 제1 레이저 모듈(310)을 이용하여 디본딩 대상 위치 주변 영역까지를 예열하고 제2 레이저 모듈(320)을 이용하여 보다 좁은 리플로우 대상 영역을 추가 가열하는 경우 외에도, 예열 기능 내지 추가 가열 기능을 제1, 2, 3 레이저 모듈(310, 320, ... 330) 간에 적절하게 분배하여 필요한 온도 프로파일을 갖도록 각 레이저 모듈을 제어하는 경우에도 적용된다.When implementing the laser superimposition mode, the laser power adjustment unit 370 includes each laser module and the laser module so that the laser beam from each laser module 310, 320, 330 has a required beam shape, a beam area size, beam sharpness, and a beam irradiation angle. Controls the power supply units 317, 327, and 337. In addition to the case of preheating the area around the debonding target position using the first laser module 310 and additionally heating the narrower reflow target area using the second laser module 320, the preheating function or The additional heating function is appropriately distributed among the first, second, and third laser modules 310, 320, ... 330 to control each laser module to have a required temperature profile.

한편, 하나의 레이저 광원을 분배하여 각 레이저 모듈에 입력하는 경우에는 분배된 각 레이저 빔의 출력과 위상을 동시에 조절하기 위한 기능이 레이저출력조정부(370)에 구비될 수 있다. 이러한 경우에는, 각 레이저 빔 간에 상쇄 간섭을 유도하도록 위상을 제어하여 빔 평탄도를 현저하게 개선할 수 있으며 이에 따라 에너지 효율이 더욱 증가하게 된다.Meanwhile, when a single laser light source is distributed and input to each laser module, a function for simultaneously adjusting the output and phase of each distributed laser beam may be provided in the laser output adjusting unit 370. In this case, the beam flatness can be remarkably improved by controlling the phase to induce destructive interference between the respective laser beams, thereby further increasing energy efficiency.

한편, 복수 위치 동시 가공 모드를 구현하는 경우에는, 레이저출력조정부(370)가 각 레이저 모듈로부터의 레이저 빔의 일부 또는 전부가 상이하도록 각 레이저 빔의 빔 형상, 빔 면적 크기, 빔 선명도, 빔 조사 각도 및 빔 파장 중 하나 이상을 제어한다. 이때에도, 하나의 레이저 광원을 분배하여 각 레이저 모듈에 입력하는 경우에는 분배된 각 레이저 빔의 출력과 위상을 동시에 조절하기 위한 기능이 레이저출력조정부(370)에 구비될 수 있다.On the other hand, in the case of implementing a multi-position simultaneous processing mode, the laser power adjustment unit 370 is used to ensure that some or all of the laser beams from each laser module are different. Controls one or more of the angle and the beam wavelength. Even at this time, in the case of distributing one laser light source and inputting it to each laser module, the laser output adjusting unit 370 may have a function for simultaneously adjusting the output and phase of each of the distributed laser beams.

이러한 기능을 통해서, 레이저 빔 크기와 출력을 조정함에 의해 조사면 내의 전자부품들과 기판 간의 접합을 수행하거나 접합을 제거할 수 있다. 특히, 기판 상에서 손상된 전자부품을 제거하는 경우에는 레이저 빔의 면적을 해당 전자부품 영역으로 최소화함에 따라 기판에 존재하는 인접한 다른 전자부품 내지 정상적인 전자부품에 레이저 빔에 의한 열이 인가되는 것을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 제거 대상인 손상된 전자부품만을 제거하는 것이 가능하다.Through this function, bonding between the electronic components in the irradiation surface and the substrate can be performed or the bonding can be removed by adjusting the laser beam size and output. In particular, in the case of removing damaged electronic components on the substrate, the application of heat by the laser beam to other adjacent electronic components or normal electronic components existing on the substrate can be minimized by minimizing the area of the laser beam to the corresponding electronic component area. Accordingly, it is possible to remove only the damaged electronic component to be removed.

한편, 복수의 레이저 모듈 별로 서로 다른 파장을 가진 레이저 빔을 방출하도록 하는 경우에는, 레이저 모듈은 전자부품에 포함된 복수의 재료층(예: EMC층, 실리콘층, 솔더층)이 각기 잘 흡수하는 파장을 갖는 개별 레이저 모듈로 구성될 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 레이저 디본딩 장치는 전자부품의 온도와 인쇄회로기판이나 전자부품 전극간의 연결소재인 솔더(Solder)와 같은 중간접합재의 온도를 선택적으로 상이하게 상승시켜 최적화된 접합(Attaching or Bonding) 또는 분리(Detaching or Debonding) 공정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 전자부품의 EMC몰드층과 실리콘층을 모두 투과하여 솔더층에 각 레이저 빔의 모든 에너지가 흡수되도록 하거나, 레이저 빔이 EMC몰드층을 투과하지 않고 전자부품의 표면을 가열하여 전자부품 하부의 본딩부로 열이 전도되도록 할 수도 있다.On the other hand, in the case of emitting laser beams with different wavelengths for each of the plurality of laser modules, the laser module will absorb a plurality of material layers (e.g., EMC layer, silicon layer, solder layer) included in the electronic component. It can be composed of individual laser modules with wavelengths. Accordingly, the laser debonding device according to the present invention selectively increases the temperature of the electronic component and the temperature of the intermediate bonding material such as solder, which is a connecting material between the printed circuit board or the electrode of the electronic component, to be optimized for bonding (Attaching or Bonding) or separation (detaching or debonding) process may be performed. Specifically, by transmitting both the EMC mold layer and the silicon layer of the electronic component so that all the energy of each laser beam is absorbed by the solder layer, or the laser beam does not pass through the EMC mold layer and heats the surface of the electronic component, the lower part of the electronic component It is also possible to conduct heat to the bonding portion of the.

한편, 이상의 기능을 활용하여 적어도 하나의 제 1 레이저 빔에 의해 리플로우 대상 전자부품 영역과 그 주변을 포함하는 기판의 일정 구역이 소정의 예열 온도까지 예열된 후, 적어도 하나의 제 2 레이저 빔에 의해 리플로우 대상 전자부품 영역의 온도가 솔더의 용융이 일어나는 리플로우 온도까지 선택적으로 가열되어진다.Meanwhile, by utilizing the above functions, after preheating the area of the electronic component to be reflowed and a certain area of the substrate including the periphery thereof by at least one first laser beam to a predetermined preheating temperature, at least one second laser beam Accordingly, the temperature of the electronic component region to be reflowed is selectively heated to the reflow temperature at which solder melting occurs.

도 6 내지 도 9는 본 발명 본딩대상물 이송 모듈의 싱글 레이저 빔 또는 멀티 레이저 모듈에 적용가능한 레이저 광학계의 구성도이다.6 to 9 are configuration diagrams of a laser optical system applicable to a single laser beam or a multi-laser module of the bonding object transfer module of the present invention.

도 6은 본 발명에 적용가능한 가장 간단한 구조의 광학계로서, 빔 전송 광섬유(410)로부터 방출된 레이저 빔이 볼록렌즈(420)를 통해 초점 정렬되어 빔 쉐이퍼(430)로 입사하면, 빔 쉐이퍼(430)에서 스폿 형태의 레이저 빔을 플랫 탑(Flat-Top) 형태의 면광원(A1)으로 변환시키고, 빔 쉐이퍼(430)로부터 출력된 정사각형 레이저 빔(A1)이 오목 렌즈(440)를 통해 원하는 크기로 확대되어 확대된 면광원(A2)으로 결상면(S)에 조사된다.6 is an optical system having the simplest structure applicable to the present invention. When the laser beam emitted from the beam transmission optical fiber 410 is focused through the convex lens 420 and incident on the beam shaper 430, the beam shaper 430 ), the spot-shaped laser beam is converted to a flat-top type surface light source (A1), and the square laser beam (A1) output from the beam shaper 430 is the desired size through the concave lens 440 The image-forming surface S is irradiated with the enlarged surface light source A2.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 광학계의 구성도이다.7 is a block diagram of a laser optical system according to another embodiment of the present invention.

빔 쉐이퍼(430)로부터의 면광원(B1)이 오목 렌즈(440)를 통해 소정의 크기로 확대되어 제1 결상면(S1)에 조사되는 면광원(B2)이 된다. 이 면광원(B2)을 더욱 확대하여 사용하고자 하는 경우에는 추가 확대에 따라 면광원(B2)의 에지(edge) 부분의 경계가 더 불분명해 질 수 있으므로, 최종 조사면이 제2 결상면(S2)에서도 에지가 명확한 조사광을 얻기 위해서, 제1 결상면(S1)에 마스크(450)를 설치하여 에지를 트리밍한다.The surface light source B1 from the beam shaper 430 is enlarged to a predetermined size through the concave lens 440 to become a surface light source B2 irradiated to the first imaging surface S1. When the surface light source (B2) is to be further enlarged and used, the boundary of the edge portion of the surface light source (B2) may become more unclear according to the additional expansion, so that the final irradiation surface is the second imaging surface (S2). ) In order to obtain irradiation light with a clear edge, a mask 450 is installed on the first imaging surface S1 to trim the edge.

마스크(450)를 통과한 면광원은 하나 이상의 볼록렌즈와 오목 렌즈의 조합으로 구성되는 줌 렌즈 모듈(460)을 통과하면서 원하는 크기로 축소(또는 확대) 조정되어 전자부품이 배치된 제2 결상면(S2)에 사각형 조사광(B3)을 형성한다.The surface light source passing through the mask 450 is reduced (or enlarged) to a desired size while passing through the zoom lens module 460 composed of a combination of at least one convex lens and a concave lens, and the second imaging surface on which the electronic component is placed Square irradiation light B3 is formed in (S2).

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 광학계의 구성도이다.8 is a block diagram of a laser optical system according to another embodiment of the present invention.

빔 쉐이퍼(430)로부터의 정사각형 면광원(C1)이 오목 렌즈(440)를 통해 소정의 크기로 확대된 후, 적어도 한쌍의 원통형 렌즈(470)를 지나면서 예컨대 x축 방향으로 확대(또는 축소)(C2)되고 다시 적어도 한쌍의 원통형 렌즈(480)를 지나면서 예컨대 y축 방향으로 축소(또는 확대)되어 직사각형 형상의 면광원(C3)으로 변환된다.After the square surface light source C1 from the beam shaper 430 is enlarged to a predetermined size through the concave lens 440, it is enlarged (or reduced) in the x-axis direction, for example, passing through at least a pair of cylindrical lenses 470 (C2) and again passing through at least a pair of cylindrical lenses 480, it is reduced (or enlarged) in the y-axis direction, for example, and converted into a rectangular surface light source C3.

여기서, 원통형 렌즈는 원기둥 형상을 길이방향으로 절단한 형태로서 각 렌즈가 상하 방향으로 배치되는 형태에 따라 레이저 빔을 확장 또는 축소시키는 기능을 하며, 원통형 렌즈가 배치된 표면 상에서의 렌즈가 x, y 축 방향으로 배치되는 형태에 따라 레이저 빔을 x축 또는 y축 방향으로 조절한다.Here, the cylindrical lens is a shape obtained by cutting a cylindrical shape in the longitudinal direction, and functions to expand or reduce the laser beam according to the shape in which each lens is arranged in the vertical direction, and the lens on the surface on which the cylindrical lens is placed is x, y Depending on the shape arranged in the axial direction, the laser beam is adjusted in the x-axis or y-axis direction.

이어서, 면광원(C3)은 하나 이상의 볼록렌즈와 오목 렌즈의 조합으로 구성되는 줌 렌즈 모듈(460)을 통과하면서 원하는 크기로 확대(또는 축소) 조정되어 전자부품이 배치된 제2 결상면(S2)에 직사각형 조사광(C4)을 형성한다.Subsequently, the surface light source C3 is enlarged (or reduced) to a desired size while passing through the zoom lens module 460 composed of a combination of at least one convex lens and a concave lens, and the second imaging surface S2 on which the electronic component is disposed. ) To form a rectangular irradiation light C4.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 구성 및 작동관계를 개략적으로 보인 측면도이고, 도 11은 도 10의 온도감지센서 구성을 확대하여 보인 요부 사시도이며, 도 12는 도 11의 본딩대상물 구성을 확대하여 보인 요부 평면도이다.FIG. 10 is a side view schematically showing the configuration and operation relationship of a multi-laser module according to another embodiment of the present invention, FIG. 11 is a perspective view showing an enlarged configuration of a temperature sensor of FIG. 10, and FIG. 12 is It is a plan view of the main part shown by expanding the composition of the object to be bonded.

이하 도 10 내지 12를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈의 구성 및 작동관계에 대해 살펴보기로 한다.Hereinafter, a configuration and operation relationship of a multi-laser module according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 12.

먼저 도 10을 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 레이저 모듈은 한쌍의 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)로 구성되며, 상기 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)의 사이에는 IR 온도센서가 구비되어 있어서 상기 제1 및 제2 레이저 모듈(310, 320)로부터 중첩 조사된 레이저 빔의 온도를 측정한다.First, referring to FIG. 10, a multi-laser module according to another embodiment of the present invention includes a pair of first laser modules 310 and second laser modules 320, and the first laser module 310 and the second laser module 310 An IR temperature sensor is provided between the laser modules 320 to measure the temperature of the laser beam superimposedly irradiated from the first and second laser modules 310 and 320.

한편 제1 레이저 모듈(310)과 제2 레이저 모듈(320)에는 빔 프로파일러(318, 328)가 각각 구비되어 있어서 상기 제1 및 제2 레이저 모듈(310, 320)의 레이저 빔 출력 및 강도 등을 상시에 모니터링한다. 상기 빔 프로파일러(318, 328)의 구성은 일례로 제1 및 제2 레이저 모듈(310, 320)의 레이저 빔 경로 상에 구비되어 출력되는 레이저 빔의 일부를 빔 프로파일러에 조사 또는 투과시킴으로서 레이저 빔의 출력 및 강도 등을 측정할 수 있다.Meanwhile, the first laser module 310 and the second laser module 320 are provided with beam profilers 318 and 328, respectively, so that the laser beam output and intensity of the first and second laser modules 310 and 320 are provided. Are monitored at all times. The configuration of the beam profilers 318 and 328 is, for example, a laser beam provided on the laser beam path of the first and second laser modules 310 and 320 by irradiating or transmitting a part of the output laser beam to the beam profiler. You can measure the power and intensity of the beam.

상기 IR 온도센서는 일 실시예에 따라 단일의 IR 온도센서일 수 있으며, 상기 단일의 적외선 감지센서는 제1 및 제2 레이저 모듈로부터 레이저 빔이 중첩 조사되는 영역(12)의 표면온도값을 측정하게 된다. 이 때, 상기 단일의 IR 온도센서는 상기 레이저 빔이 중첩 조사되는 영역 중 다수의 지점을 순차적으로 온도를 측정함으로써 레이저 빔의 중첩 조사 영역의 전면적인 온도분포값을 측정하게 된다. The IR temperature sensor may be a single IR temperature sensor according to an embodiment, and the single infrared sensor measures a surface temperature value of the area 12 to which the laser beam is overlapped and irradiated from the first and second laser modules. It is done. In this case, the single IR temperature sensor measures the overall temperature distribution value of the overlapping irradiation area of the laser beam by sequentially measuring a plurality of points among the overlapping irradiated areas of the laser beam.

만약 이러한 온도분포값이 불균일한 것으로 측정될 경우, 예를 들어 하나의 지점에서 솔더 용융 온도보다 온도값이 높게 측정되는 지점에서는 솔더의 과열에 의한 오버플로우(overflow) 본딩불량이 발생될 수 있으며, 반대로 솔더 용융 온도보다 낮게 측정되는 경우에는 솔더가 충분히 용융 및 접속되지 못하는 본딩불량이 발생될 수 있다. If such a temperature distribution value is measured to be non-uniform, for example, at a point where the temperature value is measured higher than the solder melting temperature at one point, an overflow bonding defect may occur due to overheating of the solder. Conversely, if the measurement is lower than the solder melting temperature, bonding failure may occur in which the solder cannot be sufficiently melted and connected.

이를 위해 본 발명에서는 상기 IR 온도센서가 중첩 조사된 영역의 온도를 상시에 측정함으로써 상기 제1 또는 제2 레이저 모듈(310, 320)로부터 출력되는 각각의 레이저 빔의 출력 또는 강도, 빔의 형상 등을 조정하여 중첩 조사 영역(12)에서의 온도분포값을 보상한다.To this end, in the present invention, the IR temperature sensor measures the temperature of the overlapped irradiated area at all times, so that the output or intensity of each laser beam output from the first or second laser module 310, 320, the shape of the beam, etc. Is adjusted to compensate for the temperature distribution value in the overlapped irradiation area 12.

한편 본 발명의 다른 실시예로 복수의 IR 온도센서를 구비하여서도 가능하다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 복수의 IR 온도센서는 일례로 5개의 IR 온도센서(810#1, 810#2, 810#3, 810#4, 810#5)로 이루어질 수 있으며, 사각형 배치 구조 내에 각 모서리 부분에 각 1개씩의 IR 온도센서(810#1, 810#2, 810#3, 810#4)가 배치되고, 가운데 부분에는 1개의 IR온도센서(810#5)가 배치된 구조일 수 있다. Meanwhile, as another embodiment of the present invention, it is possible to provide a plurality of IR temperature sensors. Referring to FIG. 11, a plurality of IR temperature sensors of the present invention may be made of, for example, five IR temperature sensors (810#1, 810#2, 810#3, 810#4, 810#5), and have a rectangular arrangement. In the structure, one IR temperature sensor (810#1, 810#2, 810#3, 810#4) is disposed at each corner, and one IR temperature sensor (810#5) is disposed in the center. It can be a structure.

좀 더 상세히는 가운데 부분의 IR 온도센서는 수직방향으로 고정하는 몸체부가 포함될 수 있다. 그리고, 수직방향으로 고정된 IR 온도센서를 제외한 나머지 IR 온도센서를 지지하는 지지부로 포함될 수 있다. 이때, 몸체부와 지지부가 연결되어 일정각도로 경사지게 하는 틸트부를 포함할 수 있다.In more detail, the central IR temperature sensor may include a body portion that is fixed in a vertical direction. And, it may be included as a support for supporting the rest of the IR temperature sensor except for the IR temperature sensor fixed in the vertical direction. In this case, the body portion and the support portion may be connected to include a tilt portion to incline at a predetermined angle.

이러한 IR 온도센서(810#1, 810#2, 810#3, 810#4, 810#5)가 동시에 적외선 빔을 조사하게 되고, 이 경우 도 12에서 도시된 바와 같이 레이저 중첩 조사되는 사각형 영역(12)의 각 모서리 부분에 위치한 전자부품들(11b#1, 11b#3, 11b#7, 11b#9)과 가운데 부분에 위치한 전자부품(11b#5)에 적외선 빔이 조사 및 온도가 측정된다.These IR temperature sensors 810#1, 810#2, 810#3, 810#4, and 810#5 simultaneously irradiate an infrared beam, and in this case, as shown in FIG. Infrared beam is irradiated and temperature is measured on the electronic components (11b#1, 11b#3, 11b#7, 11b#9) located at each corner of 12) and the electronic component (11b#5) located at the center. .

이 때, 상술한 바에서 온도가 측정되는 전자부품(11b)의 위치나 개수는 특정된 것은 아니며, 전자부품이 배치되지 않은 기판 표면의 온도도 측정할 수 있다. 레이저 빔이 중첩 조사되는 영역의 보다 정확한 온도분포값을 얻기 위해 가급적 많은 수의 전자부품 및 기판의 온도값을 측정함으로써 달성될 수 있다. 이때, 온도분포값은 측정된 온도값의 평균치를 말하며, 온도 측정은 전자부품에 가해지는 열에너지 측정을 말한다.In this case, as described above, the location or number of the electronic components 11b for which the temperature is to be measured is not specified, and the temperature of the surface of the substrate on which the electronic component is not disposed may be measured. This can be achieved by measuring the temperature values of as many electronic components and substrates as possible in order to obtain a more accurate temperature distribution value of the area where the laser beam is overlapped and irradiated. At this time, the temperature distribution value refers to the average value of the measured temperature values, and the temperature measurement refers to the measurement of heat energy applied to the electronic component.

한편, 상기한 온도분포값을 보상하기 위한 다른 방법으로 상기 제1 또는 제2 레이저 빔의 조사 각도 및 높이 등을 조정할 때에도 온도분포값을 보상함이 가능하다.On the other hand, it is possible to compensate the temperature distribution value even when adjusting the irradiation angle and height of the first or second laser beam as another method for compensating the temperature distribution value described above.

또한, 온도분포값에 따라 레이저 빔의 출력을 컨트롤 할 수도 있다. 즉, 기설정된 온도분포값 이내인지를 판단하여 레이저 빔의 출력을 컨트롤 하는 것이다. 예를 들어, 설정된 온도분포값이 240도이고, 실제 측정된 온도분포값이 300도이면 제어부에서 레이저 빔의 출력을 낮추도록 제어할 수 있다.In addition, the output of the laser beam can be controlled according to the temperature distribution value. In other words, it controls the output of the laser beam by determining whether it is within a preset temperature distribution value. For example, if the set temperature distribution value is 240 degrees and the actual measured temperature distribution value is 300 degrees, the control unit can control to lower the output of the laser beam.

상기 복수의 IR 온도센서로부터 전자부품에 가해지는 열에너지를 감지하여 평균치를 계산하고 기설정된 값 범위 이내인지 여부를 판단하는 제어부를 더 포함하는 것인 리플로우 장치의 온도 센싱 모듈.The temperature sensing module of the reflow device further comprises a control unit configured to detect the thermal energy applied to the electronic component from the plurality of IR temperature sensors, calculate an average value, and determine whether or not it is within a preset value range.

아울러 본 발명은 단지 앞서 기술된 일 실시예에 의해서만 한정된 것은 아니며, 장치의 세부 구성이나 개수 및 배치 구조를 변경할 때에도 동일한 효과를 창출할 수 있는 것이므로 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 구성의 부가 및 삭제, 변형이 가능한 것임을 명시하는 바이다.In addition, the present invention is not limited only by the above-described embodiment, and since the same effect can be created even when the detailed configuration, number, and arrangement structure of the device is changed, those of ordinary skill in the art the present invention. It is stated that it is possible to add, delete, and transform various configurations within the scope of the technical idea of

11 : 본딩대상물 11a : 기판
11b : 전자부품 12 : 레이저 중첩 조사 영역
100 : 투과성 가압부재 100a: 가압면
200 : 보호필름 210 : 보호필름 이송부
310 : 제 1 레이저 모듈 320 : 제 2 레이저 모듈
318, 328 : 빔 프로파일러 810 : IR 온도센서
811 : 적외선 조사점 812 : 힌지
814 : 몸체부 816 : 지지부
818 : 틸트부
11: bonding object 11a: substrate
11b: electronic component 12: laser overlap irradiation area
100: permeable pressing member 100a: pressing surface
200: protective film 210: protective film transfer unit
310: first laser module 320: second laser module
318, 328: beam profiler 810: IR temperature sensor
811: infrared irradiation point 812: hinge
814: body part 816: support part
818: tilt section

Claims (2)

기판 상에 배열된 복수의 전자부품을 투광성 가압부재로 가압함과 동시에 상기 가압부재를 통해 레이저 빔을 조사함으로써 전자부품을 기판에 본딩하는 레이저 리플로우 장치의 온도 센싱모듈에 있어서,
상기 투광성 가압부재를 투과하여 전자부품에 가해지는 열에너지를 측정하는 복수의 IR 온도센서;
내부 일측에 고정하는 힌지를 가지며 상기 복수의 IR 온도센서 중 하나를 수직방향으로 고정하는 몸체부;
상기 수직방향으로 고정된 IR 온도센서를 제외한 나머지 IR 온도센서를 지지하는 지지부;
상기 몸체부와 지지부가 연결되어 일정각도로 경사지게 하는 틸트부;를 포함하는 레이저 리플로우 장치의 온도 센싱 모듈.
In a temperature sensing module of a laser reflow apparatus for bonding an electronic component to a substrate by pressing a plurality of electronic components arranged on a substrate with a translucent pressing member and simultaneously irradiating a laser beam through the pressing member,
A plurality of IR temperature sensors for measuring heat energy applied to an electronic component through the translucent pressing member;
A body portion having a hinge fixed to one side of the inner side and fixing one of the plurality of IR temperature sensors in a vertical direction;
A support for supporting the rest of the IR temperature sensors except for the IR temperature sensor fixed in the vertical direction;
The temperature sensing module of the laser reflow apparatus comprising a; tilting portion connected to the body portion and the support portion inclined at a predetermined angle.
제1항에 있어서,
상기 복수의 IR 온도센서로부터 전자부품에 가해지는 열에너지를 감지하여 평균치를 계산하고 기설정된 값 범위 이내인지 여부를 판단하는 제어부를 더 포함하는 것인 리플로우 장치의 온도 센싱 모듈.
The method of claim 1,
The temperature sensing module of the reflow device further comprises a control unit configured to detect thermal energy applied to the electronic component from the plurality of IR temperature sensors, calculate an average value, and determine whether or not it is within a preset range.
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