KR102210986B1 - 광대역 광 흡수체 및 이를 포함한 표시 장치 - Google Patents

광대역 광 흡수체 및 이를 포함한 표시 장치 Download PDF

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Abstract

광대역 광 흡수체 및 이를 포함한 표시 장치를 제공한다. 본 광대역 광 흡수체는, 기판 및 복수 개의 개구를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층을 포함하고, 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 외형이 서로 다르다.

Description

광대역 광 흡수체 및 이를 포함한 표시 장치{Broadband light absorber and Display apparatus including the same}
본 발명은 다양한 파장 대역의 광을 흡수할 수 있는 광대역 광 흡수체 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 사용되는 장치이다. 이러한 표시 장치는 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 표현하기 위하여 다양한 형태로 제작되고 있다.
하지만 상기한 표시 장치에는 많은 금속이 존재하여 외부광이 상기한 금속에 반사되는 문제점이 있다. 외부광의 반사를 방지하기 위해 기존 표시 장치는 편광 필름 또는 위상차 필름을 이용하기도 한다. 그러나, 편광 필름 또는 위상차 필름은 외광의 파장 또는 입사각에 따라 광의 흡수율이 달라지는 문제점이 있다.
일 실시예는 넓은 파장 대역의 광을 흡수할 수 있는 광대역 광 흡수체 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
일 실시예는 입사광의 입사각에 무관하게 넓은 파장 대역의 광을 흡수할 수 있는 광대역 광 흡수체 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광대역 광 흡수체는 기판; 및 복수 개의 개구를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층;을 포함하고, 상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 외형이 서로 다르다.
그리고, 상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 크기가 서로 다를 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 모양이 서로 다를 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 비대칭 형상일 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 이웃하는 각이 서로 다를 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 타원형일 수 있다.
또한, 상기 기판에서 상기 개구가 차지하는 비율은 50%이상일 수 있다.
그리고, 상기 개구의 폭은 상기 광대역 광 흡수체가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작을 수 있다.
또한, 상기 패턴층은, 제1 방향으로 이격되게 배열된 복수 개의 라인; 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되게 배열되면서 일부 영역이 상기 복수 개의 제1 라인과 중첩되는 복수 개의 제2 라인;를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 제1 라인들간의 배열 간격 및 상기 복수 개의 제2 라인들간의 배열 간격 중 적어도 하나는 비균일할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 폭은 비균일할 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 폭 중 최대폭은 최소폭의 2배 이하일 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 라인의 폭은 상기 광대역 광 흡수체가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작을 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 굴절률은 2 내지 6일 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 소광 계수는 0 내지 5일 수 있다.
한편, 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체는, 기판; 및 상기 기판상에 제1 방향으로 이격되게 배열된 복수 개의 제1 라인;를 포함하고, 상기 복수 개의 제1 라인들간의 피치가 비균일하다.
그리고, 상기 복수 개의 제1 라인들 간의 간격들 중 최대 간격은 최소 간격의 2배이하일 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 표시 장치는, 영상을 표시하는 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널의 내부 및 전면 중 적어도 하나에 배치되고, 제 1항 내지 제 17항 중 어느 하나의 항에 따른 광대역 광 흡수체;를 포함한다.
그리고, 상기 디스플레이 패널에 포함된 전극이 상기 광대역 광흡수체의 기판일 수 있다.
또한, 상기 디스플레이 패널의 발광부는 상기 광대역 광 흡수체의 패턴층과 중첩되지 않을 수 있다.
일 실시에예 따른 광대역 광 흡수체는 방향 의존성이 감소되어 넓은 파장 대역의 광을 흡수할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 광대역 광 흡수체를 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3은 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체를 도시한 도면이다.
도 4a는 TE 모드의 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 4b는 TM 모드의 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체를 도시한 도면이다.
도 8a는 TE 모드의 외광에서 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 8b는 TM 모드의 외광에서 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 배치된 경우도 포함한다.
도 1은 일 실시예에 따른 광대역 광 흡수체(10)를 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 광대역 광 흡수체(10)는 기판(110) 및 상기한 기판(110)상에 제1 방향으로 이격되게 배열된 복수 개의 라인(121)을 포함할 수 있다. 상기한 광대역 광 흡수체(10)는 외광, 예를 들어, 가시광선 대역의 광을 흡수할 수 있다.
기판(110)은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
복수 개의 라인(121)과 상기한 복수 개의 라인(121) 사이의 공간(122)이 패턴층(120)이 될 수 있다. 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)은 비균일할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 라인(121)들간의 간격(d)인 제1 길이(d1)와 제2 길이(d2)가 서로 다를 수 있다. 도면에는 제1 및 제2 길이(d1, d2)가 교번적으로 반복되도록 복수 개의 라인(121)이 배열되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d) 모두가 서로 다를 수 도 있고, 복수 개의 라인(121)들 간의 간격(d) 중 적어도 두 개가 서로 다를 수 있다.
복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)이 비균일하다 할지라도 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)들 중 최대 간격은 최소 간격의 2배이하일 수 있다. 다만, 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)은 외광 즉, 광대역 광 흡수체(10)가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작을 수 있다. 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)이 외광의 파장보다 크면 광은 흡수되지 않고 투과될 수 있기 때문이다. 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)은, 예를 들어, 약 50nm 내지 약 300nm일 수 있다. 상기와 같이 복수 개의 라인(121)들간의 간격(d)이 비균일함으로써 광대역 광 흡수체(10)은 넓은 파장 대역의 광을 흡수할 수 있다.
복수 개의 라인(121) 각각은 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 적어도 두 개는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 라인(121)은 광 흡수가 용이하도록 굴절률이 약 2 내지 약 5 인 물질로 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 라인(121)은 소광 계수(extinction coefficient)가 약 0 내지 약 5 인 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 라인(121)은 게르마늄 또는 게르마늄과 광학 물성값이 비슷한 물질로 형성될 수 있다.
라인(121)의 폭(w)은 클수록 광 흡수율이 높을 수 있지만, 상기한 복수 개의 라인(121) 각각의 폭(w)도 광대역 광 흡수체(10)가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 복수 개의 라인(121) 각각의 폭(w)은, 나노 크기일 수 있으며, 예를 들어, 약 50nm 내지 약 300nm일 수 있다.
도 2 및 도 3은 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체(11, 12)를 도시한 도면이다. 넓은 파장 대역의 광을 흡수하기 위해, 광대역 광 흡수체(11, 12)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 라인(131)의 폭이 비균일할 수도 있다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 라인(131a, 131b, 131c) 별로 폭이 다를 수 있다. 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 동일한 라인(141)내에서 폭(w)이 다를 수 있다. 상기와 같이 폭(w)의 다르다 할지라도 폭(w)도 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 폭(w) 중 최대폭은 최소폭의 2배 이하일 수 있다.
비균일 패턴이 광을 잘 흡수하였는지 확인하기 위해, 금(Au)로 구성되고 두께가 20nm인 기판상에 게르마늄(Ge)로 구성된 라인들을 도 1에 도시된 바와 같이, 1차원 배열시켰다. 라인들은 두께가 420nm이고 폭이 140nm이며, 라인들은 간격이 95nm와 245nm가 교번적으로 배치되도록 배열시켰다. 도 4a는 TE 모드의 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이고, 도 4b는 TM 모드의 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 입사각이 0도 내지 60도에서 TE 모드의 광은 70%이상 흡수되었음을 확인할 수 있다. 450nm 내지 800nm의 비교적 넓은 범위의 파장대역에서 광이 흡수되었음을 확인할 수 있다.
또한 일 실시예에 따른 광대역 광 흡수체는 2차원으로 배열된 복수 개의서로 라인을 포함할 수 있다. 도 5는 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체(14)를 도시한 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 광대역 광 흡수체(14)는 기판(110) 및 복수 개의 개구(152)를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층(150)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 앞서 기술한 바와 같으므로, 생략한다.
패턴층(150)은 복수 개의 개구(152)를 포함하는 메쉬 구조일 수 있다. 복수 개의 개구(152)의 크기는 비균일할 수 있다. 복수 개의 개구(152) 중 이웃하는 개구(152)의 외형이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 복수 개의 개구(152) 중 이웃하는 개구(152a, 152b, 152c, 152d)의 크기가 서로 다를 수 있다. 상기 복수 개의 개구(152a, 152b, 152c, 152d) 중 이웃하는 개구의 모양이 서로 다를 수 있다. 도 5에서 복수 개의 개구(152)는 사각형 형상으로 도시되어 있다. 그러나, 복수 개의 개구(152)는 동일한 크기의 사각형이 아니고 크기가 큰 정사각형(152a), 크기가 작은 정사각형(152b) 및 직사각형(152c, 152d) 등의 조합일 수 있다. 상기와 같은 구조는 입사광의 각도에 대한 방향을 제거할 수 있다. 도 5에서 개구(152)의 형상으로 사각형이 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다양한 형태의 다각형일 수도 있고, 타원형일 수도 있다.
복수 개의 개구(152)의 크기가 비균일하다 할지라도 복수 개의 개구(152)의 폭 중 최대폭은 최소폭의 2배이하일 수 있다. 다만, 복수 개의 개구(152)의 폭은 외광의 파장보다 작을 수 있다. 복수 개의 개구(152)의 폭이 외광의 파장보다 크면 광은 흡수되지 않고 투과될 수 있기 때문이다. 복수 개의 개구(152)의 폭은, 예를 들어, 약 50nm 내지 약 300nm일 수 있다. 상기와 같이 복수 개의 개구(152)의 크기가 비균일함으로써 광대역 광 흡수체(14)의 외광에 대한 각도 의존성을 제거할 수 있다. 그리고, 기판(110)에서 상기 기판(110)에서 상기한 복수 개의 개구(152)가 차지하는 비율은 50%이상일 수 있다.
상기한 복수 개의 개구(152)를 형성하기 위해, 패턴층(120)은 제1 방향으로 이격되게 배열된 복수 개의 제1 라인(151a) 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되게 배열되면서 상기 복수 개의 제1 라인(151a)과 중첩되는 복수 개의 제2 라인(151b)을 포함할 수 있다. 비균일한 복수 개의 개구(152)를 형성하기 위해 복수 개의 제1 라인(151a)들간의 배열 간격(d) 및 복수 개의 제2 라인(151b)들간의 배열 간격(d) 중 적어도 하나는 비균일할 수 있다. 도 5에는 제1 길이와 제2 길이의 간격(d)이 교번적으로 배치되도록 제1 라인(151a)들이 배열되어 있고, 제2 라인(151b)도 마찬가지로 배열됨으로써 개구(152)의 비균일하게 형성되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 제1 라인(151a)들간의 간격(d)이 모두 다를 수도 있고, 적어도 두 개의 간격(d)이 서로 다를 수 있음은 물론이다.
제1 라인(151a)과 제2 라인(151b)은 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 제1 라인(151a)과 제2 라인(151b)은 광 흡수가 용이하도록 굴절률이 약 2 내지 약 5 인 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제1 라인(151a)과 제2 라인(151b)은 소광 계수(extinction coefficient)가 약 0 내지 약 5 인 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 라인(151a)과 제2 라인(151b)은 게르마늄 또는 게르마늄과 광학 물성값이 비슷한 물질로 형성될 수 있다.
제1 라인(151a)과 제2 라인(151b)의 폭(w)은 클수록 광 흡수율이 높을 수 있지만, 상기한 제1 라인(151a)과 제2 라인(151b) 각각의 폭(w)도 외광 즉, 광대역 광 흡수체(10)가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 제1 라인(151a)과 제2 라인(151b) 각각의 폭(w)은, 나노 크기일 수 있으며, 예를 들어, 약 50nm 내지 약 300nm일 수 있다.
도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 광대역 광 흡수체(15, 16)를 도시한 도면이다. 광대역 광 흡수체(15, 16)는, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 라인(161, 171)의 폭(w)은 비균일할 수도 있다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 라인(161) 별로 폭(w)이 다를 수 있다. 또는 도 7에 도시된 바와 같이, 동일한 라인(171)이라 하더라고 폭(w)이 다를 수 있다. 상기와 같이 폭(w)의 다르다 할지라도 폭(w)도 외광 즉, 광대역 광 흡수체(10)가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 폭(w) 중 최대폭은 최소폭의 2배 이하일 수 있다. 그리고, 라인의 폭(w)의 비균일성에 의해 광의 각도 의존성을 제거할 수 있다. 상기와 같이 라인의 폭(w)이 비균일함으로써 개구(162, 172)가 비대칭성을 갖을 수 있다. 도 7에서 개구(172)는 이웃하는 사이각이 서로 다른 사각형이다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 개구(172)의 폭이 비균일한 형상인 타원, 다른 형태의 다각형, 예를 들어, 삼각형, 오각형 등일 수 있음도 물론이다.
개구의 비균일성으로 광 흡수가 향상되었는지 확인하기 위해, 금(Au)로 구성되고 두께가 20nm인 기판상에 게르마늄(Ge)로 구성된 라인(121)들을 도 5에 도시된 바와 같이, 2차원 배열시켰다. 라인들은 두께가 420nm이고 폭이 140nm이며, 라인들간의 간격은 95nm와 245nm가 교번적으로 배치되도록 배열시켰다. 그리고, 도 8a는 TE 모드의 외광에서 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이고, 도 8b는 TM 모드의 외광에서 입사광에 대한 흡수율을 나타내는 그래프이다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 입사각이 0도 내지 60도에서 TE 모드의 광은 70%이상 흡수되었음을 확인할 수 있다. 또한, TE 모드의 광은 입사각의 전체 영역에서 80%이상 흡수되었고, 특히 입사각이 60도 이상의 영역에서 90%이상 흡수되었음을 확인할 수 있다. TE 모드의 광에 대한 흡수가 적은 영역에서 TM 모드의 광에 대한 흡수가 커서 서로 상보적인 관계에 있음을 확인할 수 있다.
앞서 기술한 광대역 광 흡수체(10, 11, 12, 13, 14, 15, 16)는 표시 장치의 일 구성요소가 되어 외광을 흡수할 수 있다. 표시 장치는 영상을 표시하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 내부 및 전면 중 적어도 하나에 배치되며, 앞서 기술한 광대역 광 흡수체(10, 11, 12, 13, 14, 15, 16)를 포함할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 광대역 광 흡수체(300)는 디스플레이 패널(200)의 전면(210)에 부착될 수 있다. 광대역 광흡수체(300)는 앞서 기술한 광대역 광 흡수체(10, 11, 12, 13, 14, 15, 16)이고, 접착제(미도시) 등에 의해 디스플레이 패널(200)의 전면(210)에 부착될 수도 있지만, 디스플레이 패널(200)의 전면(210)에 있는 기판, 예를 들어, 유리 기판이 광대역 광 흡수체(300)의 기판이 될 수도 있다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 광대역 광 흡수체(10)는 표시 장치의 내부에 배치될 수 있다. 표시 장치는 기판(400) 및 기판(400)상에 배치된 디스플레이부(500) 및 상기한 디스플레이부(500)상에 배치된 광대역 광흡수체(600)를 포함할 수 있다.
기판(400)은, 가요성 기판일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate), 폴리아릴레이트(PAR; polyarylate) 및 폴리에테르이미드(polyetherimide) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 기판(400)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
디스플레이부(500)는 유기 박막 트랜지스터 층(500a)과 화소부(500b)를 구비할 수 있다. 화소부(500b)는 유기발광 소자일 수 있다.
기판(400)상에는 버퍼층(512)이 형성될 수 있다. 버퍼층(512)은 기판(400)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 기판(400)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 버퍼층(512)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(512) 상에는 박막 트랜지스터(TFT) 층(500a)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 박막 트랜지스터 층(500a)의 일 예로서 탑 게이트(top gate) 방식의 박막 트랜지스터를 도시하고 있으나 다른 구조의 박막 트랜지스터가 구비될 수 있음은 물론이다.
박막 트랜지스터 층(500a)는 활성층(521), 게이트 전극(522), 소스 및 드레인 전극(523)을 포함할 수 있다.
활성층(521)은 버퍼층(512) 상에서, 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(513)이 형성된다. 활성층(521)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 또한, 게이트 절연막(513)은 활성층(521)과 게이트 전극(522)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(513)상에 게이트 전극(522)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(514)이 형성된다.
게이트 전극(522)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
층간 절연막(514)은 게이트 전극(522)과 소스 및 드레인 전극(523) 사이에 배치되어 이들 간의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(514)상에는 소스 및 드레인 전극(523)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(514) 및 게이트 절연막(513)은 활성층(521)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(521)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 및 드레인 전극(523)이 형성된다.
한편, 도 10은 활성층(521)과, 게이트 전극(522)과, 소스 및 드레인 전극(523)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(522)이 활성층(521)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 층(500a)은 화소부(500b)에 전기적으로 연결되어 화소부(500b)를 구동하며, 평탄화막(515)으로 덮여 보호된다.
평탄화막(515)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(515)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
평탄화막(515) 상에는 화소부(500b)가 형성되며, 화소부(500b)는 화소 전극(531), 중간층(532) 및 대향 전극(533)을 구비할 수 있다.
화소 전극(531)은 평탄화막(515)상에 형성되고, 평탄화막(515)에 형성된 컨택홀(530)을 통하여 소스 및 드레인 전극(523)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(531)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(531)과 대향되도록 배치된 대향 전극(533)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(533)은 중간층(532)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(531)에 의해 반사되어, 대향 전극(533) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(400) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(531)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(533)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(531)상에는 절연물로 화소 정의막(516)이 형성된다. 화소 정의막(516)은 화소 전극(531)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(532)이 위치한다.
유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(532)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
한편, 광대역 광 흡수체(600)의 패턴층(620)은 대향 전극(533)상에 배치될 수 있다. 대향 전극(533)이 광대역 광 흡수체(600)의 기판(610)이 될 수 있고, 대향 전극(533)상에 패턴층(620)이 형성될 수 있다. 상기한 패턴층(620)은 1차원 패턴일 수도 있고, 2차원 패턴일 수도 있다. 패턴층(620)은 외광을 흡수할 수 있을 뿐만 아니라, 중간층(532)에서 방출되는 광을 흡수할 수도 있다. 그리하여, 패턴층(620)은 대향 전극(533) 전반에 형성되는 것이 아니라, 대향 전극(533) 중 중간층(532)과 중첩되지 않는 영역에 형성될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 300: 광대역 광 흡수체
110: 기판
120, 130, 140, 150, 160, 170: 패턴층
121, 131, 141, 151, 161, 170: 라인
122, 132, 142: 공간
152, 162, 172: 개구
200: 디스플레이 패널
500: 디스플레이부
532: 중간층
533: 대향 전극

Claims (24)

  1. 기판; 및
    복수 개의 개구를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층;을 포함하고,
    상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 외형이 서로 다르며,
    상기 패턴층은, 제1방향을 따라 이격된 복수 개의 제1라인들, 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 이격되며 상기 복수 개의 제1라인들 각각과 일부 영역이 중첩되는 복수 개의 제2라인들을 포함하고,
    상기 복수 개의 제1라인들과 상기 복수 개의 제2라인들은 동일 평면 상에 배치되며,
    상기 복수 개의 제1라인들은 상기 제1방향을 따르는 제1거리 및 제2거리만큼 교번적으로 이격되어 배열되고,
    상기 제1거리와 상기 제2거리는 서로 상이한, 광대역 광 흡수체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 크기가 서로 다른 광대역 광 흡수체.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 개구 중 이웃하는 개구의 모양이 서로 다른 광대역 광 흡수체.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 비대칭 형상인 광대역 광 흡수체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 이웃하는 사이각이 서로 다른 사각형인 광대역 광 흡수체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 개구 중 적어도 하나는 타원형인 광대역 광 흡수체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판에서 상기 개구가 차지하는 비율은 50%이상인 광대역 광 흡수체.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 개구의 폭은 상기 광대역 광 흡수체가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 광대역 광 흡수체.
  9. 삭제
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 라인들간의 배열 간격 및 상기 복수 개의 제2 라인들간의 배열 간격 중 적어도 하나는 비균일한 광대역 광 흡수체.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 폭은 비균일한 광대역 광 흡수체.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 폭 중 최대폭은 최소폭의 2배 이하인 광대역 광 흡수체.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 라인의 폭은 상기 광대역 광 흡수체가 흡수하고자 하는 광의 파장보다 작은 광대역 광 흡수체.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 굴절률은 2 내지 6인 광대역 광 흡수체.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 라인 중 적어도 하나의 소광 계수는 0 내지 5인 광대역 광 흡수체.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 영상을 표시하는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 패널의 내부 및 전면 중 적어도 하나에 배치되고, 제 1항 내지 제 8항 및 제 10항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 따른 광대역 광 흡수체;를 포함하는 표시 장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 디스플레이 패널에 포함된 전극이 상기 광대역 광흡수체의 기판인 표시 장치.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 디스플레이 패널의 발광부는 상기 광대역 광 흡수체의 패턴층과 중첩되지 않는 표시 장치.
  21. 기판; 및
    복수 개의 개구를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층;을 포함하고,
    상기 패턴층은, 제1방향을 따라 연장된 복수 개의 제1라인들, 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 연장되되 상기 복수 개의 제1라인들 각각과 일부 영역이 중첩되는 복수 개의 제2라인들을 포함하고,
    상기 복수 개의 제1라인들과 상기 복수 개의 제2라인들은 동일 평면에 배치되며,
    상기 복수 개의 제1라인들은 서로 상이한 제1폭, 제2폭, 및 제3폭을 각각 구비한 제1-1라인, 제1-2라인, 및 제1-3라인을 포함하고,
    상기 제1-1라인, 상기 제1-2라인, 및 상기 제1-3라인은 상기 제2방향을 따라 주기적으로 배열되는, 광대역 광 흡수체.
  22. 기판; 및
    복수의 개구를 포함하는 매쉬 구조의 패턴층;을 포함하고,
    상기 패턴층은,
    제1방향을 따라 상호 이격된 제1라인과 제2라인; 및
    상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 상호 이격된 제3라인과 제4라인;을 포함하고,
    상기 제1 내지 제4라인은 동일 평면에 배치되어, 상기 복수의 개구 중 어느 하나의 개구를 형성하며,
    상기 어느 하나의 개구의 상기 제1방향에 따른 폭은 상기 제2방향을 따라 변화하는, 광대역 광 흡수체.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 어느 하나의 개구의 상기 제2방향에 따른 폭은 상기 제1방향을 따라 변화하는, 광대역 광 흡수체.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 어느 하나의 개구의 평면 상의 형상은, 4개의 변들 중 어느 2개의 변들도 서로 평행하지 않은 사각형인, 광대역 광 흡수체.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102630109B1 (ko) * 2018-10-18 2024-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050244609A1 (en) * 2002-08-08 2005-11-03 Fumihiro Arakawa Electromagnetic shielding sheet
JP2007532958A (ja) 2004-04-16 2007-11-15 ディ．ケイ． アンド イー．エル． マクフェイル エンタープライジーズ プロプライエタリー リミテッド 空洞構造を備えた光学的活性基材
JP2008026861A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Lg Electronics Inc プラズマディスプレイ装置およびフィルタ
US20080084681A1 (en) 2004-07-27 2008-04-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electromagnetic Wave Shielding Device
US20090303427A1 (en) 2005-03-18 2009-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Panel and method for manufacturing the same
JP2014126835A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021848A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Sony Corp 表示素子
KR100775837B1 (ko) * 2006-11-06 2007-11-13 엘지전자 주식회사 필터 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 장치
KR100892121B1 (ko) * 2007-07-24 2009-04-09 엘지전자 주식회사 필터 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 장치
KR20090125416A (ko) 2008-06-02 2009-12-07 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 그를 구비하는 플라즈마 표시 장치
KR20100067817A (ko) 2008-12-12 2010-06-22 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 그 제조 방법
KR20100088759A (ko) 2009-02-02 2010-08-11 삼성코닝정밀소재 주식회사 외광차폐필름 및 이를 구비하는 광학필터
KR20110060412A (ko) 2009-11-30 2011-06-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101259849B1 (ko) 2010-12-27 2013-05-03 엘지이노텍 주식회사 와이어그리드편광자 및 그 제조방법
US20140029103A1 (en) 2012-07-24 2014-01-30 William Frank Budleski Optical black surface

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050244609A1 (en) * 2002-08-08 2005-11-03 Fumihiro Arakawa Electromagnetic shielding sheet
JP2007532958A (ja) 2004-04-16 2007-11-15 ディ．ケイ． アンド イー．エル． マクフェイル エンタープライジーズ プロプライエタリー リミテッド 空洞構造を備えた光学的活性基材
US20080084681A1 (en) 2004-07-27 2008-04-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electromagnetic Wave Shielding Device
US20090303427A1 (en) 2005-03-18 2009-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Panel and method for manufacturing the same
US7880854B2 (en) * 2005-03-18 2011-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Panel and method for manufacturing the same
JP2008026861A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Lg Electronics Inc プラズマディスプレイ装置およびフィルタ
JP2014126835A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク

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