KR102203772B1 - Organic light emitting display - Google Patents

Organic light emitting display Download PDF

Info

Publication number
KR102203772B1
KR102203772B1 KR1020140112442A KR20140112442A KR102203772B1 KR 102203772 B1 KR102203772 B1 KR 102203772B1 KR 1020140112442 A KR1020140112442 A KR 1020140112442A KR 20140112442 A KR20140112442 A KR 20140112442A KR 102203772 B1 KR102203772 B1 KR 102203772B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
pixel
blue
white
line
Prior art date
Application number
KR1020140112442A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160025327A (en
Inventor
정재훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140112442A priority Critical patent/KR102203772B1/en
Publication of KR20160025327A publication Critical patent/KR20160025327A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102203772B1 publication Critical patent/KR102203772B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Abstract

본 발명은 개구율을 향상시켜 수명을 증가시킬 수 있는 유기 발광 표시 소자에 관한 것입니다. 이러한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자는 유기 발광 표시 소자의 애노드 전극은 이격부를 사이에 두고 서로 이격된 제1 및 제2 애노드부와; 상기 제1 및 제2 애노드부를 연결하는 연결부를 구비한다. 특히, 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 하나의 서브 화소 영역에 형성된 애노드 전극의 이격부는 다수의 신호 라인들 중 어느 하나와 중첩된다.The present invention relates to an organic light emitting display device capable of increasing the lifespan by improving the aperture ratio. The organic light-emitting display device according to the present invention includes: first and second anode portions spaced apart from each other with an anode electrode of the organic light-emitting display device disposed therebetween; And a connection portion connecting the first and second anode portions. In particular, the spacing portion of the anode electrode formed in at least one of the red, green, blue, and white sub-pixel regions overlaps any one of the plurality of signal lines.

Description

유기 발광 표시 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}Organic light emitting display device{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

본 발명은 유기 발광 표시 소자에 관한 것으로, 특히 개구율을 향상시켜 수명을 증가시킬 수 있는 유기 발광 표시 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light-emitting display device, and more particularly, to an organic light-emitting display device capable of increasing a lifetime by improving an aperture ratio.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 발광 표시 소자 등이 각광받고 있다. A video display device that embodies a variety of information on a screen is a core technology in the information and communication era, and is developing in a direction of thinner, lighter, portable, and high-performance. Accordingly, as a flat panel display device capable of reducing the weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT), an organic light emitting diode display device that displays an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer is in the spotlight.

유기 발광 표시 소자는 적색, 녹색, 청색 및 백색의 서브 화소를 하나의 단위 화소로 구성하여 다양한 색상의 화상을 표시한다. 여기서, 각 서브 화소는 발광 소자와, 그 발광 소자를 독립적으로 구동하는 다수의 트랜지스터로 이루어진 화소 구동 회로를 구비한다. The organic light-emitting display device displays images of various colors by configuring red, green, blue, and white sub-pixels as one unit pixel. Here, each sub-pixel includes a light emitting element and a pixel driving circuit including a plurality of transistors that independently drive the light emitting element.

이러한 유기 발광 표시 소자는 개구율이 낮으면, 화질이 떨어지게 된다. 특히, 개구율이 낮으면, 밝은 화상을 표현하기 위해서는 더 높은 전류를 이용하여 유기 발광 표시 소자를 구동해야 하므로, 수명이 단축되는 문제점이 있다.When the aperture ratio of the organic light emitting diode display device is low, the image quality deteriorates. In particular, when the aperture ratio is low, the organic light-emitting display device must be driven by using a higher current in order to display a bright image, so there is a problem in that the lifespan is shortened.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 개구율을 향상시켜 수명을 증가시킬 수 있는 유기 발광 표시 소자를 제공하는 것이다. The present invention is to solve the above problems, and the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of increasing a lifetime by improving an aperture ratio.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자의 애노드 전극은 이격부를 사이에 두고 서로 이격된 제1 및 제2 애노드부와; 상기 제1 및 제2 애노드부를 연결하는 연결부를 구비한다. 특히, 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 하나의 서브 화소 영역에 형성된 애노드 전극의 이격부는 다수의 신호 라인들 중 어느 하나와 중첩된다.In order to achieve the above object, the anode electrode of the organic light emitting diode display device according to the present invention includes first and second anode portions spaced apart from each other with the separation portion therebetween; And a connection portion connecting the first and second anode portions. In particular, the spacing portion of the anode electrode formed in at least one of the red, green, blue, and white sub-pixel regions overlaps any one of the plurality of signal lines.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자는 백색 및 청색 서브 화소 영역에서 애노드 전극의 이격부 및 데이터 라인이 서로 중첩된다. 이에 따라, 수명 특성이 상대적으로 좋지 않은 백색 및 청색 서브 화소 영역에서는 애노드 전극의 면적이 증가한 만큼 개구율이 약 2%이상 향상되어 전류 밀도가 낮아지므로 수명 및 휘도가 향상된다.In the organic light-emitting display device according to the present invention, spaced portions of the anode electrode and data lines overlap each other in the white and blue sub-pixel areas. Accordingly, in the white and blue sub-pixel regions having relatively poor lifespan characteristics, as the area of the anode electrode increases, the aperture ratio is improved by about 2% or more and the current density is lowered, thereby improving the lifespan and luminance.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에서 구동 트랜지스터와, 선"Ⅰ-Ⅰ'", "Ⅱ-Ⅱ"를 따라 절취한 유기 발광 표시 소자를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에서 선"Ⅲ-Ⅲ'"를 따라 절취한 유기 발광 표시 소자를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자의 리페어 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a driving transistor and an organic light-emitting display device taken along lines "I-I" and "II-II" in FIG. 1.
3 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display taken along line "III-III" in FIG. 3.
5A to 5C are views illustrating a repair method of an organic light emitting diode display device according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 고전위 전압 라인(PL) 및 기준 전압 라인(RL)의 교차로 형성된 다수의 서브 화소 영역(SPR,SPG,SPB,SPW)을 구비한다. Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of gate lines GL, data lines DL, high potential voltage lines PL, and reference voltage lines RL. And sub-pixel regions SPR, SPG, SPB, and SPW.

다수의 서브 화소 영역은 적색 서브 화소 영역(SPR), 녹색 서브 화소 영역(SPG), 청색 서브 화소 영역(SPB) 및 백색 서브 화소 영역(SPW)으로 구성되어 단위 화소를 이룬다. 도 1에서는 적색 서브 화소 영역(SPR), 백색 서브 화소 영역(SPW), 녹색 서브 화소 영역(SPG) 및 청색 서브 화소 영역(SPB) 순으로 배열되는 것이 도시되어 있으나, 이들의 배열 순서는 각 단위 화소 내에서 매우 다양하며, 색감이나 구조에 따라 달라질 수 있다. 본 발명에서는 광효율을 증가시키기 위해 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역(SPR,SPG,SPB) 뿐만 아니라 투과율이 높은 백색 서브 화소 영역(SPW)을 더 구비하는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.The plurality of sub-pixel areas are composed of a red sub-pixel area (SPR), a green sub-pixel area (SPG), a blue sub-pixel area (SPB), and a white sub-pixel area (SPW) to form a unit pixel. In FIG. 1, it is shown that the red sub-pixel area SPR, the white sub-pixel area SPW, the green sub-pixel area SPG, and the blue sub-pixel area SPB are arranged in order, but the order of their arrangement is for each unit. It varies greatly within a pixel, and can vary depending on color or structure. In the present invention, in order to increase light efficiency, a description will be made by taking as an example that a white sub-pixel area SPW having high transmittance is further provided as well as red, green, and blue sub-pixel areas SPR, SPG, and SPB.

이러한, 적색 서브 화소 영역(SPR), 녹색 서브 화소 영역(SPG), 청색 서브 화소 영역(SPB) 및 백색 서브 화소 영역(SPW) 각각에는 화소 구동 회로(150)와, 화소 구동 회로(150)와 접속된 발광소자(OLED1,OLED2)를 구비한다. Each of the red sub-pixel area SPR, green sub-pixel area SPG, blue sub-pixel area SPB, and white sub-pixel area SPW includes a pixel driving circuit 150, a pixel driving circuit 150, and It includes the connected light emitting devices (OLED1, OLED2).

화소 구동 회로(150)는 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(ST), 센싱 트랜지스터(SET) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.The pixel driving circuit 150 includes a driving transistor DT, a switching transistor ST, a sensing transistor SET, and a storage capacitor Cst.

스위칭 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극으로 공급한다. 이를 위해, 스위칭 트랜지스터(ST)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(Cst)와 접속된다. When the scan pulse is supplied to the gate line GL, the switching transistor ST is turned on and supplies the data signal supplied to the data line DL to the storage capacitor Cst and the gate electrode of the driving transistor DT. To this end, the gate electrode of the switching transistor ST is connected to the gate line GL, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DT and the storage capacitor Cst. do.

센싱 트랜지스터(SET)는 센싱 라인(SEL)에 센싱 펄스가 공급되면 턴온되어 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압 및 발광 소자(OLED1,OLED2)의 문턱전압을 감지한다. 즉, 센싱 트랜지스터(SET)가 턴온되면, 센싱 트랜지스터(SET) 및 기준 전압 라인(RL)으로의 전류 패스가 형성된다. 데이터 드라이버(도시하지 않음) 또는 타이밍 제어부(도시하지 않음)는 전류 패스를 통해 흐르는 전류를 감지하여 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압 및 발광 소자(OLED1,OLED2)의 문턱전압을 감지한다. 감지된 문턱 전압을 기초로 데이터 전압은 보상되며, 보상된 데이터 전압은 데이터 라인(DL)에 공급된다.The sensing transistor SET is turned on when a sensing pulse is supplied to the sensing line SEL to sense the threshold voltage of the driving transistor DT and the threshold voltage of the light emitting devices OLED1 and OLED2. That is, when the sensing transistor SET is turned on, a current path to the sensing transistor SET and the reference voltage line RL is formed. A data driver (not shown) or a timing controller (not shown) senses a current flowing through a current path to sense a threshold voltage of the driving transistor DT and a threshold voltage of the light emitting devices OLED1 and OLED2. The data voltage is compensated based on the sensed threshold voltage, and the compensated data voltage is supplied to the data line DL.

구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전위 전압 라인(PL)으로부터 발광 소자(OLED1,OLED2)로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 발광 소자(OLED1,OLED2)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(ST)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 발광 소자(OLED1,OLED2)가 발광을 유지하게 한다.The driving transistor DT controls the current I supplied from the high-potential voltage line PL to the light-emitting elements OLED1 and OLED2 in response to the data signal supplied to the gate electrode, thereby controlling the amount of light emission of the light-emitting elements OLED1 and OLED2. Is adjusted. In addition, even if the switching transistor ST is turned off, the driving transistor DT supplies a constant current I until the data signal of the next frame is supplied due to the voltage charged in the storage capacitor Cst, so that the light emitting element ( OLED1,OLED2) keeps light emission.

이를 위해, 구동 트랜지스터(DT)는 도 2에 도시된 바와 같이 스위칭 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(110)과 접속된 게이트 전극(106), 고전위 전압 라인(PL)과 접속된 소스 전극(108), 소스 전극(108)과 마주하며 발광 소자(OLED1,OLED2)의 애노드 전극(102)과 접속된 드레인 전극(110), 소스 및 드레인 전극(108,110) 사이에 채널부를 형성하도록 게이트 절연막(112) 상에 형성된 산화물 반도체층(114)을 구비한다. 여기서, 구동 트랜지스터(DT)는 산화물 반도체층(114)의 손상을 방지하며, 산소의 영향을 받지 않도록 보호하기 위해 산화물 반도체층(114)상에 형성된 에치 스토퍼(116)를 더 구비한다. 한편, 본 발명에서는 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(ST) 및 센싱 트랜지스터(SET)의 반도체층을 산화물 반도체층으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 아몰퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘으로도 형성가능하다.To this end, the driving transistor DT includes a gate electrode 106 connected to the drain electrode 110 of the switching transistor ST, and a source electrode 108 connected to the high potential voltage line PL, as shown in FIG. 2. ), the drain electrode 110 facing the source electrode 108 and connected to the anode electrode 102 of the light emitting devices OLED1 and OLED2, and the gate insulating film 112 to form a channel portion between the source and drain electrodes 108 and 110 It includes an oxide semiconductor layer 114 formed thereon. Here, the driving transistor DT further includes an etch stopper 116 formed on the oxide semiconductor layer 114 to prevent damage to the oxide semiconductor layer 114 and protect it from being affected by oxygen. Meanwhile, in the present invention, the semiconductor layers of the driving transistor DT, the switching transistor ST, and the sensing transistor SET have been described as an example of being formed of an oxide semiconductor layer, but in addition, it may be formed of amorphous silicon or polysilicon.

이러한 구동 트랜지스터(DT) 상에는 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(ST) 및 센싱 트랜지스터(SET)를 보호하기 위한 보호막이 형성된다. 보호막은 유기 보호막(128)을 포함하는 적어도 1층 구조로 형성되며, 본 발명에서는 무기 보호막(118)과, 무기 보호막(118) 상에 형성된 유기 보호막(128)을 구비하는 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. A passivation layer for protecting the driving transistor DT, the switching transistor ST, and the sensing transistor SET is formed on the driving transistor DT. The passivation layer is formed in at least one layer structure including the organic passivation layer 128, and in the present invention, the case of including the inorganic passivation layer 118 and the organic passivation layer 128 formed on the inorganic passivation layer 118 will be described as an example. To

무기 보호막(118)은 유기 보호막(128)을 통해 외부로부터 유입되는 수분을 차단하여 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(ST) 및 센싱 트랜지스터(SET)를 구성하는 전극들 및 반도체층의 부식을 방지한다.The inorganic passivation layer 118 blocks moisture from the outside through the organic passivation layer 128 to prevent corrosion of electrodes and semiconductor layers constituting the driving transistor DT, the switching transistor ST, and the sensing transistor SET. do.

이러한 무기 보호막(118) 상에는 해당 서브 화소 영역에 해당하는 컬러 필터(124R,124G,12B)가 형성된다. 즉, 적색 서브 화소 영역(SPR)에서는 무기 보호막(118) 상에 적색 컬러 필터(124R)가 형성되어 적색을 출사한다. 녹색 서브 화소 영역(SPG)에서는 무기 보호막(118) 상에 녹색 컬러 필터(124G)가 형성되어 녹색을 출사한다. 청색 서브 화소 영역(SPB)에서는 무기 보호막(118) 상에 청색 컬러 필터(124B)가 형성되어 청색을 출사한다. 백색 서브 화소 영역(SPW)에서는 무기보호막(118) 상에 컬러 필터가 형성되지 않아 유기 공통층(134)에서 출사된 백색광이 그대로 출사되어 백색(W)을 출사한다. Color filters 124R, 124G, and 12B corresponding to the sub-pixel area are formed on the inorganic passivation layer 118. That is, in the red sub-pixel region SPR, the red color filter 124R is formed on the inorganic protective layer 118 to emit red. In the green sub-pixel area SPG, a green color filter 124G is formed on the inorganic passivation layer 118 to emit green color. In the blue sub-pixel area SPB, a blue color filter 124B is formed on the inorganic passivation layer 118 to emit blue color. In the white sub-pixel area SPW, since a color filter is not formed on the inorganic protective layer 118, white light emitted from the organic common layer 134 is emitted as it is, thereby emitting white (W).

유기 보호막(128)은 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(ST) 및 센싱 트랜지스터(SET) 및 컬러 필터(124R,124G,12B)에 의해 형성된 단차를 평탄화하도록 유기 절연 물질로 형성되어 고해상도를 구현할 수 있도록 한다.The organic passivation layer 128 is formed of an organic insulating material to flatten the step formed by the driving transistor DT, the switching transistor ST, the sensing transistor SET, and the color filters 124R, 124G, 12B, and thus can achieve high resolution. To be.

발광 소자(OLED1,OLED2)는 애노드 전극(102)과 캐소드 전극(136) 사이에 전압을 인가하면 애노드 전극(102)으로부터 정공(hole)과, 캐소드 전극(136)으로부터 전자(electron)가 재결합하여 이로 인해 엑시톤(exiciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 전면(Bottom)으로 방출하게 된다. When a voltage is applied between the anode electrode 102 and the cathode electrode 136, the light-emitting elements OLED1 and OLED2 recombine holes from the anode electrode 102 and electrons from the cathode electrode 136. As a result, excitons are generated, and light is emitted to the bottom as the excitons fall to the ground state.

이를 위해, 발광 소자(OLED1,OLED2)는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(110)과 접속된 애노드 전극(102)과, 애노드 전극(102)을 노출시키는 뱅크홀이 형성된 뱅크 절연막(130)과, 애노드 전극(102) 상에 유기 공통층(134)과, 유기 공통층(134) 위에 형성된 캐소드 전극(136)이 구비된다. To this end, the light emitting devices OLED1 and OLED2 include an anode electrode 102 connected to the drain electrode 110 of the driving transistor DT, a bank insulating layer 130 having a bank hole exposing the anode electrode 102, and , An organic common layer 134 on the anode electrode 102 and a cathode electrode 136 formed on the organic common layer 134 are provided.

캐소드 전극(136)은 유기 공통층(134)이 형성된 기판(101) 전면에 형성되어 모든 서브 화소 영역에 걸쳐 공통으로 연결된다. 이러한 캐소드 전극(136)은 일함수가 낮은 알루미늄(Al), 은(Ag) 등 불투명 금속으로 형성되며, 저전위 전압(VSS)을 공급하는 저전위 전압 라인과 연결된다.The cathode electrode 136 is formed on the entire surface of the substrate 101 on which the organic common layer 134 is formed, and is commonly connected to all sub-pixel areas. The cathode electrode 136 is formed of an opaque metal such as aluminum (Al) and silver (Ag) having a low work function, and is connected to a low potential voltage line supplying a low potential voltage VSS.

유기 공통층(134)은 애노드 전극(102) 위에 적층된 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 구성된다. 이러한 유기 공통층(134)은 각 발광 영역을 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(130)에 의해 마련된 뱅크홀 내에 형성되어 백색광을 출사한다.The organic common layer 134 is composed of a hole-related layer, a light-emitting layer, and an electron-related layer stacked on the anode electrode 102 in the order or reverse order. The organic common layer 134 is formed in a bank hole provided by the bank insulating layer 130 formed to separate each light emitting region to emit white light.

애노드 전극(102)은 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)와, 연결부(102c) 및 이격부(102d)를 구비한다.The anode electrode 102 includes first and second anode portions 102a and 102b, a connection portion 102c, and a spacer 102d.

제1 애노드부(102a)는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(110)과 전기적으로 연결된다. 제2 애노드부(102b)는 연결부(102c)를 통해 제1 애노드부(102a)와 전기적으로 연결된다.The first anode part 102a is electrically connected to the drain electrode 110 of the driving transistor DT. The second anode portion 102b is electrically connected to the first anode portion 102a through a connection portion 102c.

이러한 제1 애노드부(102a)는 유기 공통층(134)을 사이에 두고 캐소드 전극(136)과 중첩되므로 제1 발광 소자(OLED1)를 형성하며, 제2 애노드부(102b)는 유기 공통층(134)을 사이에 두고 캐소드 전극(136)과 중첩되므로 제2 발광 소자(OLED2)를 형성한다. 이 때, 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2)는 연결부(102c)를 통해 동일한 구동 트랜지스터(DT)와 저전위 전압(VSS) 라인 사이에서 병렬로 연결된다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광소자(OLED1,OLED2) 중 어느 하나에 불량이 발생되면, 컷팅 공정을 통해 불량이 발생된 발광 소자와, 정상 발광 소자를 분리하고, 분리된 정상 발광 소자는 웰딩 공정을 통해 인접한 서브 화소의 구동 트랜지스터와 접속된다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광소자(OLED1,OLED2) 중 어느 하나에 불량이 발생되더라도 컷팅 공정 및 웰딩 공정을 포함하는 리페어 공정을 통해 정상적으로 동작하게 된다.Since the first anode part 102a overlaps the cathode electrode 136 with the organic common layer 134 therebetween, the first light-emitting device OLED1 is formed, and the second anode part 102b is an organic common layer ( The second light emitting device OLED2 is formed because it overlaps the cathode electrode 136 with the 134 interposed therebetween. In this case, the first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 are connected in parallel between the same driving transistor DT and the low potential voltage VSS line through the connection part 102c. Accordingly, when any one of the first and second light-emitting devices OLED1 and OLED2 is defective, the defective light-emitting device and the normal light-emitting device are separated through a cutting process, and the separated normal light-emitting device is welded. Through a process, the driving transistors of the adjacent sub-pixels are connected. Accordingly, even if any one of the first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 is defective, it is normally operated through a repair process including a cutting process and a welding process.

한편, 본 발명에서 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)의 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)는 게이트 라인(GL)과 나란한 이격부(102d)를 사이에 두고 상하로 마주본다. 그리고, 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)에 적색 및 녹색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLR,DLG)은 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)의 일측에 위치하도록 비발광 영역에 형성된다. 이에 따라, 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)에서 이격부(102d)는 데이터 라인(DL)과 별도로 할당된 영역 형성된다.Meanwhile, in the present invention, the first and second anode portions 102a and 102b of the red and green sub-pixel regions SPR and SPG face up and down with a spacer 102d parallel to the gate line GL. . In addition, the data lines (DLR, DLG) supplying red and green data voltages to the red and green sub-pixel regions (SPR, SPG) are located in the non-emission region so as to be located at one side of the red and green sub-pixel regions (SPR, SPG). Is formed. Accordingly, in the red and green sub-pixel areas SPR and SPG, the spaced portion 102d is formed in an area allocated separately from the data line DL.

백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)는 데이터 라인(DL)과 나란한 이격부(102d)를 사이에 두고 좌우로 마주본다. 그리고, 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에 백색 및 청색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLW,DLB)은 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)을 가로지르도록 형성된다. 이 때, 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 이격부(102d)는 데이터 라인(GL)을 따라 데이터 라인(GL)과 중첩되게 형성된다.The first and second anode portions 102a and 102b of the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB face left and right with the spacer 102d parallel to the data line DL interposed therebetween. In addition, the data lines DLW and DLB supplying white and blue data voltages to the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB are formed to cross the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB. In this case, the spaced portions 102d of the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB are formed to overlap the data line GL along the data line GL.

또한, 백색 및 청색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLW,DLB)은 화소 구동 회로(150)와 비중첩되도록 절곡된 구조로 형성됨으로써 백색 및 청색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLW,DLB)이 화소 구동 회로(150)와 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. 된다. 특히, 백색 및 청색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLW,DLB)은 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되는 영역과 중첩되지 않도록 형성된다. 이러한 백색 및 청색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLW,DLB)은 도 1에 도시된 바와 같이 녹색 서브 화소 영역(SPG)을 사이에 두고 대칭된 구조로 형성되어 서로 다른 방향으로 절곡되거나, 서로 같은 방향으로 절곡되게 형성된다.In addition, the data lines DLW and DLB supplying white and blue data voltages are formed in a bent structure to be non-overlapping with the pixel driving circuit 150, so that the data lines DLW and DLB supplying white and blue data voltages are formed. Electrical short-circuit with the pixel driving circuit 150 may be prevented. do. In particular, the data lines DLW and DLB supplying the white and blue data voltages are formed so as not to overlap an area where the storage capacitor Cst is formed. The data lines DLW and DLB supplying the white and blue data voltages are formed in a symmetrical structure with the green sub-pixel area SPG interposed therebetween, and are bent in different directions, or bent in different directions. It is formed to be bent in the direction.

이와 같이, 각 서브 화소 영역에서 개구율을 감소시키는 요인인 애노드 전극의 이격부(102d) 및 데이터 라인(DL)은 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에서 서로 중첩된다. 이 경우, 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPB,SPW)에서의 애노드 전극(102)은 애노드 전극의 이격부 및 데이터 라인이 비중첩되는 종래에 비해 개구율에 기여하는 면적이 넓게 형성된다. 이에 따라, 수명 특성이 상대적으로 좋지 않은 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPB,SPW)에서는 개구율에 기여하는 애노드 전극(102)의 면적이 증가한 만큼 개구율이 향상되어 전류 밀도가 낮아지므로 수명이 향상된다.In this way, the spacing portion 102d of the anode electrode and the data line DL, which are factors for reducing the aperture ratio in each sub-pixel area, overlap each other in the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB. In this case, the anode electrode 102 in the white and blue sub-pixel regions SPB and SPW has a larger area contributing to the aperture ratio compared to the conventional case in which the spaced portions of the anode electrode and the data line are non-overlapping. Accordingly, in the white and blue sub-pixel regions SPB and SPW, which have relatively poor lifetime characteristics, as the area of the anode electrode 102 contributing to the aperture ratio increases, the aperture ratio is improved and the current density decreases, thereby improving the lifetime.

또한, 본 발명에서는 적색 및 백색 서브 화소 영역(SPR,SPG) 사이에 적색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLR)이 위치하며, 백색 및 녹색 서브 화소 영역(SPW,SPG) 사이에는 기준 전압(Vref)을 공급하는 기준 전압 라인(RL)이 위치하며, 녹색 및 청색 서브 화소 영역(SPG,SPB) 사이에는 녹색 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLG)이 위치하며, 청색 및 적색 서브 화소 영역(SPB,SPR) 사이에는 고전위 전압(VDD)을 공급하는 고전위 전압 라인(PL)이 위치한다. 이와 같이, 서로 다른 색을 구현하는 인접한 서브 화소 영역 사이에는 데이터 라인(DL), 기준 전압 라인(RL) 또는 고전위 전압 라인(PL)이 위치하므로, 인접한 서브 화소 영역에 형성된 컬러 필터들(124R,124G,124B)의 혼색을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, a data line (DLR) supplying a red data voltage is positioned between the red and white sub-pixel areas (SPR, SPG), and the reference voltage (Vref) is disposed between the white and green sub-pixel areas (SPW, SPG). A reference voltage line RL supplying) is positioned, a data line DLG supplying a green data voltage is positioned between the green and blue sub-pixel areas SPG and SPB, and the blue and red sub-pixel areas SPB A high-potential voltage line PL for supplying a high-potential voltage VDD is positioned between ,SPR). As described above, since the data line DL, the reference voltage line RL, or the high potential voltage line PL is positioned between adjacent sub-pixel areas implementing different colors, the color filters 124R formed in the adjacent sub-pixel areas ,124G,124B) can be prevented from being mixed.

연결부(102c)는 정상 서브 화소의 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)를 전기적으로 연결한다. 이러한 연결부(102c)는 리페어 공정시 불량 서브 화소의 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)를 전기적으로 분리하는 리페어 패턴으로 이용된다. 이 경우, 리페어 공정시 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2)를 분리하기 위한 컷팅 공정의 효율을 높이기 위해 연결부(102c)는 제1 및 제2 애노드부(102a,102b)보다 좁은 폭으로 형성된다. The connection part 102c electrically connects the first and second anode parts 102a and 102b of the normal sub-pixel. The connection portion 102c is used as a repair pattern for electrically separating the first and second anode portions 102a and 102b of the defective sub-pixel during the repair process. In this case, in order to increase the efficiency of the cutting process for separating the first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 during the repair process, the connection part 102c has a narrower width than the first and second anode parts 102a and 102b. Is formed.

여기서, 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)의 연결부(102c)는 적색 및 녹색 컬러 필터(124R,124G)와 중첩되어 발광 영역에 위치하도록 제1 및 제2 애노드부(102a,102b) 사이에 형성된다. Here, the connection part 102c of the red and green sub-pixel regions SPR and SPG overlaps the red and green color filters 124R and 124G and is positioned between the first and second anode parts 102a and 102b. Is formed in

백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 연결부(102c)는 제1 및 제2 애노드부(102a,102b) 각각과 게이트 라인(GL) 사이의 비발광 영역에 형성된다. 이 때, 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 연결부(102c)와 인접한 게이트 라인(GL)은 다른 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)과 대응되는 게이트 라인(GL)의 폭보다 좁은 폭으로 형성된다.The connection portion 102c of the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB is formed in a non-emission area between the first and second anode portions 102a and 102b and the gate line GL, respectively. At this time, the gate line GL adjacent to the connection portion 102c of the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB is greater than the width of the gate line GL corresponding to the other red and green sub-pixel regions SPR and SPG. It is formed in a narrow width.

이에 따라, 리페어 공정을 위한 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 연결부(102c)의 레이저 컷팅시 레이저에 의해 게이트 라인(GL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 애노드 전극(102)의 연결부(102c)는 게이트 라인(GL)과 비중첩되면서 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 비발광영역에 위치하므로, 연결부(102c)의 레이저 컷팅 후 컷팅영역이 시인되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, when laser cutting the connection portion 102c of the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB for the repair process, it is possible to prevent the gate line GL from being damaged by the laser. In addition, since the connection portion 102c of the anode electrode 102 is located in the non-emission area of the white and blue sub-pixel areas (SPW, SPB) while being non-overlapping with the gate line GL, cutting the connection portion 102c after laser cutting The area can be prevented from being recognized.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자를 나타내는 평면도이며, 도 4는 도 3에서 선"Ⅲ-Ⅲ'"를 따라 절취한 유기 발광 표시 소자를 나타내는 단면도이다.3 is a plan view illustrating an organic light-emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the organic light-emitting display device taken along line "III-III" in FIG. 3.

도 3 및 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에서 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DL)에 형성되는 라인 오픈부(140)를 추가로 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display device illustrated in FIGS. 3 and 4 is a data line DL that supplies a data voltage in the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB compared to the organic light emitting display device illustrated in FIGS. 1 and 2. The same components are provided, except that the line open part 140 formed in the is further provided. Accordingly, detailed descriptions of the same components will be omitted.

백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 연결부(102c)는 제1 및 제2 애노드부(102a,102b) 사이에 형성된다. 이 때, 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DL)은 연결부(102c)와 중첩되는 영역에서 데이터 라인(DL)이 제거된 라인 오픈부(140)를 구비한다. 이에 따라, 리페어 공정시 라인 오픈부(140)를 통과한 레이저가 연결부(102c)에 조사됨으로써 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2)가 분리된다. 즉, 라인 오픈부(140)에 의해, 리페어 공정을 위한 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)의 연결부(102c)의 레이저 컷팅시 데이터 라인(DL)에 의해 레이저가 차단되는 것을 방지할 수 있다.The connection portion 102c of the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB is formed between the first and second anode portions 102a and 102b. In this case, the data line DL for supplying the data voltage to the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB includes the line open part 140 from which the data line DL is removed in the area overlapping the connection part 102c. Equipped. Accordingly, the first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 in the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB are separated by irradiating the laser that has passed through the line open part 140 to the connection part 102c during the repair process. do. In other words, the line open part 140 prevents the laser from being blocked by the data line DL when laser cutting the connection part 102c of the white and blue sub-pixel areas SPW and SPB for the repair process. have.

이와 같은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 소자는 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에서 애노드 전극의 이격부(102d) 및 데이터 라인(DL)이 서로 중첩된다. 이에 따라, 수명 특성이 상대적으로 좋지 않은 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에서는 개구율에 기여하는 애노드 전극의 면적이 증가한 만큼 개구율이 향상되어 전류 밀도가 낮아지므로 수명이 향상된다.In the organic light-emitting display device according to the second embodiment of the present invention, in the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB, the separation portion 102d of the anode electrode and the data line DL overlap each other. Accordingly, in the white and blue sub-pixel regions SPW and SPB, which have relatively poor lifetime characteristics, the aperture ratio increases as the area of the anode electrode contributing to the aperture ratio increases, thereby lowering the current density, thereby improving the lifetime.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자의 리페어 공정을 설명하기 위한 도면들이다.5A to 5C are views for explaining a repair process of an organic light emitting display device according to the present invention.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 각 서브 화소 영역마다 동일한 구동 트랜지스터(DT)에 연결부를 통해 병렬로 접속된 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2)를 가지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 유기 발광 표시 소자를 마련한다. 그런 다음, 검사 공정을 통해 구동 트랜지스터(DT) 또는 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2) 중 어느 하나에 불량이 발생되면, 도 5b에 도시된 바와 같이 불량이 발생된 불량 서브 화소의 연결부(102c)에 레이저를 조사한 컷팅 공정을 통해 제1 및 제2 발광 소자(OLED1,OLED2)를 분리한다. 그런 다음, 도 5c에 도시된 바와 같이 불량 서브 화소의 제2 애노드부(102b)로부터 연장된 리페어 패턴(RP)과, 불량 서브 화소와 상하로 인접한 서브 화소의 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극이 중첩되는 영역에 레이저를 조사하는 웰딩 공정을 통해 이들을 서로 연결한다.First, as shown in FIG. 5A, shown in FIGS. 1 and 2 having first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 connected in parallel through a connection part to the same driving transistor DT for each sub-pixel area. The organic light emitting display device as described above is provided. Then, if a defect occurs in the driving transistor DT or any one of the first and second light emitting devices OLED1 and OLED2 through the inspection process, the connection portion of the defective sub-pixel in which the defect has occurred, as shown in FIG. 5B. The first and second light-emitting elements OLED1 and OLED2 are separated through a cutting process in which the laser is irradiated to 102c. Then, as shown in FIG. 5C, the repair pattern RP extended from the second anode 102b of the defective sub-pixel and the drain electrode of the driving transistor DT of the sub-pixel vertically adjacent to the defective sub-pixel are They are connected to each other through a welding process that irradiates a laser to the overlapping area.

이에 따라, 게이트 라인(GL)을 기준으로 하부에 위치하는 불량 서브 화소는 게이트 라인(GL)을 기준으로 상부에 위치하는 정상 서브 화소의 발광 소자(OLED)에 공급되는 구동 전류를 공유할 수 있다. 즉, 게이트 라인(GL)을 기준으로 하부에 위치하는 서브 화소에 불량이 발생한 경우, 리페어 공정을 통해 불량 서브 화소의 제2 애노드부(102b)와 정상 서브 화소의 애노드 전극(122)이 전기적으로 접속됨으로써 정상 서브 화소에 공급되는 구동 전류가 리페어 패턴(RP)을 통해 불량 서브 화소의 제2 애노드부(102b)로 전달되므로 그 불량 화소는 정상적으로 동작하게 된다.Accordingly, the defective sub-pixel positioned below the gate line GL may share a driving current supplied to the light emitting element OLED of the normal sub-pixel positioned above the gate line GL. . That is, when a defect occurs in a sub-pixel positioned below the gate line GL, the second anode portion 102b of the defective sub-pixel and the anode electrode 122 of the normal sub-pixel are electrically connected through the repair process. By being connected, the driving current supplied to the normal sub-pixel is transmitted to the second anode portion 102b of the defective sub-pixel through the repair pattern RP, so that the defective pixel operates normally.

한편, 본 발명에서는 백색 및 청색 서브 화소 영역에서 이격부(102d)와 중첩되는 신호 라인이 데이터 라인(DL)인 경우를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 기준 전압 라인(RL) 및 고전위 전압 라인(PL) 중 어느 하나일 수도 있다.Meanwhile, in the present invention, a case where the signal line overlapping the spacer 102d in the white and blue sub-pixel regions is the data line DL is described as an example, but in addition to the reference voltage line RL and the high potential voltage line PL ) May be any one of.

또한, 본 발명에서는 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB)에서 애노드 전극의 이격부(102d)가 데이터 라인(DL)과 중첩되는 것을 예로 들어 설명하였지만 이외에도 백색 및 청색 서브 화소 영역(SPW,SPB) 뿐만 아니라 적색 및 녹색 서브 화소 영역(SPR,SPG)에서도 애노드 전극의 이격부(102d)가 데이터 라인(DL)과 중첩되어 적색 및 녹색 서브 화소의 개구율을 향상시킬 수도 있다.In addition, in the present invention, the white and blue sub-pixel regions (SPW, SPB) have been described as an example in which the spaced portion 102d of the anode electrode overlaps the data line (DL). ), as well as in the red and green sub-pixel regions SPR and SPG, the spacing 102d of the anode electrode may overlap the data line DL to improve the aperture ratio of the red and green sub-pixels.

뿐만 아니라, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 소자는 3개의 트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 가지는 화소 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이를 한정하는 것이 아니며 다양한 화소 구조에 적용가능하다.In addition, the organic light-emitting display device according to the present invention has been described with an example of a pixel structure having three transistors and one storage capacitor, but is not limited thereto and can be applied to various pixel structures.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The above description is only illustrative of the present invention, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs. Therefore, the embodiments disclosed in the specification of the present invention do not limit the present invention. The scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

102 : 애노드 전극 134: 유기 공통층
136 : 캐소드 전극 150: 화소 구동 회로
102: anode electrode 134: organic common layer
136: cathode electrode 150: pixel driving circuit

Claims (7)

적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역이 마련된 기판과;
상기 서브 화소 영역을 마련하도록 상기 기판 상에 배치된 다수의 신호 라인들과;
상기 각 서브 화소 영역에 배치되며 애노드 전극 및 캐소드 전극을 가지는 발광 소자를 구비하며,
상기 각 서브 화소 영역에 배치된 애노드 전극은
이격부를 사이에 두고 서로 이격된 제1 및 제2 애노드부와;
상기 제1 및 제2 애노드부를 연결하는 연결부를 구비하며,
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 하나의 서브 화소 영역에 배치된 상기 애노드 전극의 이격부는 상기 다수의 신호 라인들 중 어느 하나와 중첩되는 유기 발광 표시 소자.
A substrate having red, green, blue, and white sub-pixel regions;
A plurality of signal lines disposed on the substrate to provide the sub-pixel area;
And a light emitting device disposed in each of the sub-pixel regions and having an anode electrode and a cathode electrode,
An anode electrode disposed in each of the sub-pixel areas
First and second anode portions spaced apart from each other with the separation portion therebetween;
And a connection portion connecting the first and second anode portions,
The separation portion of the anode electrode disposed in at least one of the red, green, blue, and white sub-pixel areas overlaps with any one of the plurality of signal lines.
제 1 항에 있어서,
상기 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 배치된 상기 애노드 전극의 이격부는 상기 청색 및 백색 서브 화소 영역의 발광 영역을 가로지르도록 배치되며,
상기 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 배치된 상기 애노드 전극의 이격부는 상기 다수의 신호 라인들 중 데이터 라인, 고전위 전압 라인 및 기준 전압 라인 중 적어도 어느 하나와 중첩되는 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 1,
The spaced portions of the anode electrode disposed in each of the blue and white sub-pixel areas are disposed to cross the emission areas of the blue and white sub-pixel areas,
The separation portion of the anode electrode disposed in each of the blue and white sub-pixel areas overlaps at least one of a data line, a high potential voltage line, and a reference voltage line among the plurality of signal lines.
제 2 항에 있어서,
상기 각 서브 화소 영역에 배치되는 발광 소자를 구동하는 다수의 트랜지스터로 이루어진 화소 회로부를 추가로 구비하며,
상기 청색 및 백색 서브 화소 영역에 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인은 상기 발광 영역에 위치하는 상기 이격부와 중첩되고, 상기 청색 및 백색 서브 화소 영역의 비발광 영역에 위치하는 화소 회로부와 비중첩되도록 절곡된 구조로 형성되는 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 2,
Further comprising a pixel circuit unit including a plurality of transistors for driving light emitting elements disposed in each of the sub-pixel regions,
The data line for supplying a data voltage to the blue and white sub-pixel regions overlaps with the spacing portion located in the emission region and non-overlaps with the pixel circuit portion located in the non-emission region of the blue and white sub-pixel regions. An organic light-emitting display device formed in a bent structure.
제 2 항에 있어서,
상기 적색 및 백색 서브 화소 영역 사이에는 상기 적색 서브 화소 영역에 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인이 위치하며,
상기 백색 및 녹색 서브 화소 영역 사이에는 상기 기준 전압 라인이 위치하며,
상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 사이에는 상기 녹색 서브 화소 영역에 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인이 위치하며,
상기 청색 및 적색 서브 화소 영역 사이에는 상기 고전위 전압 라인이 위치하는 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 2,
The data line for supplying a data voltage to the red sub-pixel region is positioned between the red and white sub-pixel regions,
The reference voltage line is positioned between the white and green sub-pixel regions,
The data line for supplying a data voltage to the green sub-pixel region is positioned between the green and blue sub-pixel regions,
The high potential voltage line is positioned between the blue and red sub-pixel regions.
제 1 항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 및 제2 애노드부 각각의 폭보다 좁은 폭을 가지는 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 1,
The organic light-emitting display device of the connecting portion having a width narrower than that of each of the first and second anode portions.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 신호 라인들은 게이트 라인을 포함하며,
상기 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 배치된 상기 애노드 전극의 연결부는 상기 제1 및 제2 애노드부 각각과 상기 게이트 라인 사이의 비발광 영역에서 상기 게이트 라인과 나란하게 배치되며,
상기 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 배치된 상기 애노드 전극의 연결부와 인접한 상기 게이트 라인의 폭은 다른 서브 화소 영역에 배치된 상기 게이트 라인의 폭보다 얇은 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 1,
The plurality of signal lines include a gate line,
A connection part of the anode electrode disposed in each of the blue and white sub-pixel regions is disposed in parallel with the gate line in a non-emission region between each of the first and second anode parts and the gate line,
A width of the gate line adjacent to the connection portion of the anode electrode disposed in each of the blue and white sub-pixel areas is thinner than that of the gate line disposed in other sub-pixel areas.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 신호 라인들은 데이터 라인을 포함하며,
상기 데이터 라인은 상기 청색 및 녹색 서브 화소 영역 각각에 배치된 상기 애노드 전극의 연결부와 중첩되는 영역에서 상기 데이터 라인이 제거된 라인 오픈부를 구비하는 유기 발광 표시 소자.
The method of claim 1,
The plurality of signal lines include data lines,
The data line includes a line open part from which the data line is removed in a region overlapping a connection part of the anode electrode disposed in each of the blue and green sub-pixel regions.
KR1020140112442A 2014-08-27 2014-08-27 Organic light emitting display KR102203772B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140112442A KR102203772B1 (en) 2014-08-27 2014-08-27 Organic light emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140112442A KR102203772B1 (en) 2014-08-27 2014-08-27 Organic light emitting display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160025327A KR20160025327A (en) 2016-03-08
KR102203772B1 true KR102203772B1 (en) 2021-01-18

Family

ID=55534350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112442A KR102203772B1 (en) 2014-08-27 2014-08-27 Organic light emitting display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102203772B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10505145B2 (en) * 2016-07-26 2019-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102393888B1 (en) * 2016-07-26 2022-05-04 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR102642017B1 (en) * 2016-11-30 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
CN108305565B (en) * 2017-01-11 2020-06-30 刘敏钻 Display device
CN109728061B (en) 2019-01-04 2021-03-23 京东方科技集团股份有限公司 Pixel structure, display panel and display device
KR20210086359A (en) 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Light Emitting Device and Light Emitting Display Device
CN114613816A (en) * 2022-03-02 2022-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel, repairing method thereof and display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110233528A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Universal Display Corporation Novel oled display architecture

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659529B1 (en) * 2003-11-24 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 Electroluminescene Display Pannel to possess multi-anode electrode
KR100729077B1 (en) * 2005-11-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 Organic light-emitting display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110233528A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Universal Display Corporation Novel oled display architecture

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160025327A (en) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102203772B1 (en) Organic light emitting display
US10056447B2 (en) Organic light emitting display device
US9786728B2 (en) Organic light emitting display device
KR102148487B1 (en) Organic light emitting display and repairing method of the same
US10269884B2 (en) Organic light emitting display having an insulating layer and a metal layer forming a capacitor
KR101679850B1 (en) Organic light emitting diodde desplay device
US10998395B2 (en) Organic light-emitting display device
US7830341B2 (en) Organic electroluminescence display device
TW201705466A (en) Organic light emitting diode display
JP2006114910A (en) Organic electroluminescence device and fabrication method thereof
JP6417017B2 (en) Ultra-high resolution flat panel display with high aperture ratio
JP2009200336A (en) Self-luminous type display
KR20150098576A (en) Organic electroluminescent display device
JP5364781B2 (en) Semiconductor device
KR20170074569A (en) Organic light emitting diode display apparatus
KR102519823B1 (en) Flat Panel Display Having A Dummy Pixel For Preventing Electrottatic Damage
JP2018142442A (en) Manufacturing method of organic el display device, and organic el display device
KR102410104B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display
EP3113227B1 (en) Organic light emitting display device
JP7312697B2 (en) Displays and electronics
US20180287101A1 (en) Display device and method of manufacturing a display device
US20230345802A1 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
US20240040818A1 (en) Display device and method for manufacturing thereof
US20230217743A1 (en) Light emitting display device
KR102408904B1 (en) Organic Light Emitting Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant