KR102195903B1 - Wafer baking device - Google Patents

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Abstract

베이스와 베이킹 챔버가 형성되도록 상기 베이스의 상부에 배치되는 커버로 형성되는 하우징; 상기 베이킹 챔버에 설치되어, 웨이퍼가 배치되는 지지부; 상기 웨이퍼에 열을 전달하는 열공급부; 및 정화가스를 공급하는 공급부와 정화가스를 배출하는 배출부로 형성되는 유로;를 포함하고, 상기 유로는 상기 공급부와 상기 배출부가 각각 상기 베이팅 챔버와 연통되어, 정화가스가 상기 웨이퍼의 상면에 균일하게 확산되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.A housing formed of a cover disposed on the base to form a base and a baking chamber; A support part installed in the baking chamber and on which a wafer is disposed; A heat supply unit for transferring heat to the wafer; And a flow path formed by a supply unit for supplying the purifying gas and a discharge unit for discharging the purifying gas, wherein the supply unit and the discharge unit respectively communicate with the baiting chamber, so that the purifying gas is uniform on the upper surface of the wafer. Wafer baking apparatus, characterized in that formed so as to diffuse.

Description

웨이퍼 베이킹 장치{WAFER BAKING DEVICE}Wafer baking device {WAFER BAKING DEVICE}

본 발명은 웨이퍼를 처리하기 위한 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 박막증착 또는 코팅된 웨이퍼에 열을 가하여 막을 안정화 하기위한 베이킹 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a wafer, and more particularly, to a baking apparatus for stabilizing a film by applying heat to a thin film deposited or coated wafer.

일반적으로 반도체를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 박막증착, 이온주입 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정을 필요로 한다. 이 중 사진 공정은 반도체에 패턴을 형성하는 공정으로 소자의 고집적화를 위한 중요한 공정에 해당한다.In general, in order to manufacture a semiconductor, various processes such as photography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are required. Among them, the photographic process is a process of forming a pattern on a semiconductor and is an important process for high integration of devices.

박막증착 공정의 경우 막 증착 후 막의 특성을 안정화시키기 위하여 베이킹 장치를 이용하여 열처리를 진행하며, 사진 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 패턴을 형성하기 위하여 코팅, 소프트 베이크, 노광, 현상, 패턴의 에지 부분을 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal), 에지 노광(edgeexposure of wafer) 및 패턴을 안정화 및 치밀화를 위한 베이크 공정 등을 포함한다.In the case of the thin film deposition process, heat treatment is performed using a baking device to stabilize the properties of the film after film deposition, and the photographic process includes coating, soft baking, exposure, development, and patterning to form a pattern on a semiconductor substrate made of silicon. It includes edge bead removal for removing edge portions, edge exposure of wafer, and a bake process for stabilizing and densifying a pattern.

소프트 베이크 공정은 코팅 공정 이후에 웨이퍼 상에 잔존하는 용매를 제거하기 위한 것으로, 일 예로 웨이퍼는 가열된 지지부 상에 위치하여 30초 내지 60초 동안 90℃ 내지 100℃의 온도에 노출되어 베이킹된다. 베이킹되는 동안 용매는 코팅층으로부터 증발되고, 이를 원활하게 배출하기 위하여 베이킹 챔버로 정화가스(purge gas)가 공급된다.The soft bake process is for removing the solvent remaining on the wafer after the coating process. For example, the wafer is placed on a heated support and exposed to a temperature of 90° C. to 100° C. for 30 to 60 seconds and baked. During baking, the solvent evaporates from the coating layer, and a purge gas is supplied to the baking chamber in order to discharge it smoothly.

다만, 종래에는 베이킹 캠버 내의 정화가스의 공급방법, 기류 및 배기방법에 따라 베이킹 챔버 내부 기류에 의한 영향으로 온도 균일도가 뷸안정 하게 되어 막 두께가 불안정하게 되며, 특히 코팅 공정의 경우 용매의 증발정도가 달라지면서 웨이퍼의 코팅층의 두께가 국부적으로 차이가 발생하고, 베이킹 챔버의 내부 표면에 용매가 응결 및 경화되어 파티클의 형태로 웨이퍼로 떨어지면서 불량이 발생하는 문제점이 있었다.However, conventionally, the temperature uniformity becomes unstable due to the influence of the airflow inside the baking chamber according to the supply method, airflow and exhaust method of the purified gas in the baking camber, resulting in unstable film thickness. There is a problem in that the thickness of the coating layer of the wafer varies locally, and the solvent is condensed and cured on the inner surface of the baking chamber and falls into the wafer in the form of particles, causing defects.

본 발명의 실시 예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 증착 및 코팅막이 웨이퍼의 표면에 균일하게 형성되도록 하여 보다 향상된 제품 신뢰성을 제공할 수 있는 웨이퍼 베이킹 장치이다.An embodiment of the present invention has been devised to solve the above problems, and is a wafer baking apparatus capable of providing improved product reliability by uniformly forming a deposition and coating film on the surface of a wafer.

본 발명의 일실시 예의 웨이퍼 베이킹 장치는 상기와 같은 과제를 해결하고자, 베이스와 베이킹 챔버가 형성되도록 상기 베이스의 상부에 배치되는 커버로 형성되는 하우징; 상기 베이킹 챔버에 설치되어, 웨이퍼가 배치되는 지지부; 상기 웨이퍼에 열을 전달하는 열공급부; 및 정화가스를 공급하는 공급부와 정화가스를 배출하는 배출부로 형성되는 유로;를 포함하고, 상기 유로는 상기 공급부와 상기 배출부가 각각 상기 베이팅 챔버와 연통되어, 정화가스가 상기 웨이퍼의 상면에 균일하게 확산되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, a wafer baking apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a housing formed of a cover disposed on the base so that a base and a baking chamber are formed; A support part installed in the baking chamber and on which a wafer is disposed; A heat supply unit for transferring heat to the wafer; And a flow path formed by a supply unit for supplying the purifying gas and a discharge unit for discharging the purifying gas, wherein the supply unit and the discharge unit respectively communicate with the baiting chamber, so that the purifying gas is uniform on the upper surface of the wafer. It is characterized in that it is formed to be diffused.

상기 공급부는 제1 방향으로 정화가스가 공급되도록 상기 지지부의 주변을 따라 형성된 제1 공급구와, 제2 방향으로 정화가스가 공급되도록 상기 지지부의 주변을 따라 형성된 제2 공급구로 형성될 수 있다.The supply unit may include a first supply port formed along the periphery of the support portion to supply the purifying gas in a first direction, and a second supply port formed along the periphery of the support portion to supply the purifying gas in a second direction.

상기 제1 공급구 및 상기 제2 공급구는 상기 제1 방향과 상기 제2 방향이 교차되도록 서로 다른 방향으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 배출부는 상기 커버부를 관통하되, 상기 제1 방향으로 정화가스가 배출되도록 형성되는 것이 바람직 하다.The first supply port and the second supply port are preferably formed in different directions so that the first direction and the second direction cross each other, and the discharge part passes through the cover part, and the purification gas is supplied in the first direction. It is desirable to be formed to be discharged.

상기 배출부는 중심축이 상기 웨이퍼의 중심축과 일치하도록 상기 커버부의 상면에 형성될 수 있다.The discharge part may be formed on the upper surface of the cover part so that the central axis coincides with the central axis of the wafer.

상기 제2 공급구는 상기 커버부의 내주면에 서로 일정 간격 이격되어 형성되되거나, 상기 커버부의 내측면을 따라 일정 간격으로 형성되되, 제1 방향으로 격번하여 다층으로 형성될 수 있다.The second supply ports may be formed on the inner circumferential surface of the cover part to be spaced apart from each other at predetermined intervals, or may be formed at regular intervals along the inner surface of the cover part, and may be formed in multiple layers alternately in the first direction.

상기 열공급부는 상기 지지부의 일 측에 형성되는 핫 플레이트와, 상기 지지부의 상부에 배치되되 상기 배출구의 인접하여 형성되는 히터를 포함할 수 있다.The heat supply part may include a hot plate formed on one side of the support part, and a heater disposed above the support part and formed adjacent to the discharge port.

이상에서 살펴 본 바와 같이 본 발명의 과제해결 수단에 의하면 다음과 같은 사항을 포함하는 다양한 효과를 기대할 수 있다. 다만 본 발명이 하기와 같은 효과를 모두 발휘해야 성립되는 것은 아니다.As described above, according to the problem solving means of the present invention, various effects including the following can be expected. However, the present invention is not established when all of the following effects are exhibited.

본 발명의 웨이퍼 베이킹 장치는 제1 방향으로 정화가스를 공급하는 제1 공급구와, 제2 방향으로 정화가스를 공급하는 제2 공급구로 형성되는 공급부를 포함하여 코팅층으로부터 잔류하는 용매가 균일하게 증발되도록 한다.The wafer baking apparatus of the present invention includes a supply unit formed with a first supply port for supplying a purifying gas in a first direction and a second supply port for supplying a purifying gas in a second direction so that the solvent remaining from the coating layer is uniformly evaporated. do.

이때 배출부 또한 웨이퍼의 중심축과 일치하는 중심축을 갖도록 하여 용매의 보다 균일한 증발이 가능하다. 따라서 코팅층은 웨이퍼의 전체에서 안정적인 두께 균일도를 제공하여 보다 향상된 제품 신뢰성을 제공한다.At this time, the discharge part also has a central axis that coincides with the central axis of the wafer, so that more uniform evaporation of the solvent is possible. Therefore, the coating layer provides a stable thickness uniformity over the entire wafer, providing improved product reliability.

또한 배출부와 가깝게 형성되는 히터를 구비하여 용매 증기를 포함하는 정화가스가 보다 원활하게 배출되도록 하여, 베이킹 챔버 내에서 용매가 응결되는 것을 방지하여 생산성 및 제품 신뢰성 향상 효과를 극대화한다.In addition, a heater formed close to the discharge part is provided to more smoothly discharge the purified gas including solvent vapor, thereby preventing condensation of the solvent in the baking chamber, thereby maximizing the effect of improving productivity and product reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 웨이퍼 베이킹 장치의 사시도.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 방향의 단면도.
도 3은 일 실시예의 제2 공급구가 적용된 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도.
도 4는 다른 실시예의 제2 공급구가 적용된 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도.
도 5는 도 1의 Ⅴ-Ⅴ 방향의 단면도.
도 6(a) 및 도 6(b)는 제1 공급구의 연결상태를 도시하기 위한 서로 다른 각도의 제1 방향의 단면사시도.
도 7은 도 3에 정화가스 흐름을 도시한 도면.1 is a perspective view of a wafer baking apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1;
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line III-III of FIG. 1 to which a second supply port of an embodiment is applied.
4 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 1 to which a second supply port of another embodiment is applied.
5 is a cross-sectional view taken in the direction V-V of FIG. 1;
6(a) and 6(b) are cross-sectional perspective views in the first direction at different angles for showing the connection state of the first supply port.
7 is a view showing the flow of the purification gas in FIG. 3.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세히 설명하도록 한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 하기 위해 생략한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, in describing the present invention, detailed descriptions of known functions or configurations will be omitted so as not to distract the subject matter of the present invention.

이하 설명에서는 설명의 편의를 위하여 웨이퍼의 중심축 방향을 제1 방향으로 정의하고, 웨이퍼의 반경 방향을 제2 방향으로 정의하도록 한다.In the following description, for convenience of description, the direction of the central axis of the wafer is defined as the first direction, and the radial direction of the wafer is defined as the second direction.

또한 본 발명의 웨이퍼 베이킹 장치는 웨이퍼 상측에 형성되는 코팅층의 베이크 공정뿐만 아니라 박막공정 후 웨이퍼에 증착된 막의 어닐링 공정에도 사용된다. 설명의 편의를 위해 이하에서는 코팅층의 베이크 공정을 기준으로 설명하나, 이는 막의 어닐링 공정에도 그대로 적용될 수 있다. In addition, the wafer baking apparatus of the present invention is used not only in the baking process of the coating layer formed on the wafer, but also in the annealing process of the film deposited on the wafer after the thin film process. For convenience of explanation, the following description is based on the baking process of the coating layer, but this may be applied to the annealing process of the film as it is.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 웨이퍼 베이킹 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 방향의 단면도이며, 도 3은 일 실시예의 제2 공급구가 적용된 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도이고, 도 4는 다른 실시예의 제2 공급구가 적용된 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 방향의 단면도이다. 도 5는 도 1의 Ⅴ-Ⅴ 방향의 단면도이고, 도 6(a) 및 도 6(b)는 제1 공급구의 연결상태를 도시하기 위한 서로 다른 각도의 제1 방향의 단면사시도이다. 도 7은 도 3에 정화가스 흐름을 도시한 도면이다.1 is a perspective view of a wafer baking apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view in a direction II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view in the direction III-III of FIG. 1 to which the second supply port of the embodiment is applied. It is a cross-sectional view, and FIG. 4 is a cross-sectional view in the direction III-III of FIG. 1 to which the second supply port of another embodiment is applied. FIG. 5 is a cross-sectional view in the V-V direction of FIG. 1, and FIGS. 6(a) and 6(b) are cross-sectional perspective views in the first direction at different angles for showing the connection state of the first supply port. 7 is a view showing the flow of the purification gas in FIG. 3.

웨이퍼 베이킹 장치(100)의 목적은 웨이퍼(200)의 표면에 코팅된 감광액에 함유된 용매의 일부를 제거하거나 박막증착 후 막의 결정을 치밀하게 하기 위한 것으로, 웨이퍼(200)의 상태를 추가 공정에 적합하게 하기 위함이다. 따라서 웨이퍼(200) 상측에 형성된 코팅층(210)을 균일하게 하기 위하여, 코팅층(210) 전면에서 용매가 균일하게 제거되고, 막의 결정 치밀도가 균일하게 형성되는 것이 중요하다.The purpose of the wafer baking apparatus 100 is to remove a part of the solvent contained in the photoresist coated on the surface of the wafer 200 or to make the crystal of the film dense after thin film deposition. It is to make it suitable. Therefore, in order to make the coating layer 210 formed on the upper side of the wafer 200 uniform, it is important that the solvent is uniformly removed from the entire surface of the coating layer 210 and the crystal density of the film is uniformly formed.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 베이킹 장치(100)는 베이스(111)와 베이킹 챔버(113)가 형성되도록 상기 베이스(111)의 상부에 배치되는 커버(112)로 형성되는 하우징(110), 상기 베이킹 챔버(113)에 설치되어, 웨이퍼(200)가 배치되는 지지부(120), 상기 웨이퍼(200)에 열을 전달하는 열공급부(130) 및 정화가스를 공급하는 공급부(141)와 정화가스를 배출하는 배출부(142)로 형성되는 유로(140)를 포함하고, 상기 유로(140)는 상기 공급부(141)와 상기 배출부(142)가 각각 상기 베이팅 챔버와 연통되어, 정화가스가 상기 웨이퍼(200)의 상면에 균일하게 확산되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.1 to 7, the wafer baking apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a cover 112 disposed on the base 111 so that the base 111 and the baking chamber 113 are formed. ) Formed of a housing 110, a support part 120 installed in the baking chamber 113, on which the wafer 200 is disposed, a heat supply part 130 for transferring heat to the wafer 200, and a purification gas. Includes a flow path 140 formed of a supply unit 141 for supplying and a discharge unit 142 for discharging the purified gas, and the flow channel 140 includes the supply unit 141 and the discharge unit 142 respectively It is characterized in that it is formed so that the purification gas is uniformly diffused on the upper surface of the wafer 200 by communicating with the setting chamber.

하우징(110)은 지지부(120)와 핫 플레이트(131)가 설치되는 베이스(111)와 베이스(111) 상부에 배치되는 커버(112)로 형성되고, 커버(112)는 핫 플레이트(131)를 모두 덥도록 형성되어 웨이퍼(200)가 위치하는 베이킹 챔버(113)를 형성한다.The housing 110 is formed of a base 111 on which the support 120 and the hot plate 131 are installed, and a cover 112 disposed on the base 111, and the cover 112 includes a hot plate 131. All are formed to be hot to form the baking chamber 113 in which the wafer 200 is located.

따라서 베이킹 챔버(113)는 베이스(111)와 커버(112)에 의해 외부와 구분되는 공간으로 형성되어, 공급부(141)를 통해 공급된 정화가스가 웨이퍼(200)의 상면에 균일하게 확산되도록 한다. 이는 웨이퍼(200)의 외측에 형성된 코팅층(210)의 전면에서 용매가 균일하게 증발하도록 하여 안정적인 두께 균일도를 갖도록 한다.Accordingly, the baking chamber 113 is formed as a space separated from the outside by the base 111 and the cover 112 so that the purified gas supplied through the supply unit 141 is uniformly diffused on the upper surface of the wafer 200. . This allows the solvent to evaporate uniformly on the entire surface of the coating layer 210 formed on the outside of the wafer 200 to have a stable thickness uniformity.

지지부(120)는 웨이퍼(200)를 하면을 지지하는 핀으로 형성되고, 구체적으로 핫 플레이트(131) 위에 형성되어 웨이퍼(200)가 안정적으로 고정하는 지지핀(121)과, 핫 플레이트(131)를 관통하여 형성되어 웨이퍼(200)를 제1 방향(X)으로 소정 거리 이동시키는 리프트핀(122)으로 형성된다.The support part 120 is formed of a pin that supports the lower surface of the wafer 200, specifically, a support pin 121 formed on the hot plate 131 to stably fix the wafer 200, and the hot plate 131 The lift pin 122 is formed to penetrate the wafer 200 and moves the wafer 200 in the first direction X a predetermined distance.

이때 리프트핀(122)은 핫 플레이트(131)를 관통하여 제1 방향(X)으로 하강하여 웨이퍼(200)를 핫 플레이트(131) 안착시키거나, 상승하여 웨이퍼(200)가 보다 용이하게 탈락되도록 하여 작업성을 향상시키니다.At this time, the lift pin 122 passes through the hot plate 131 and descends in the first direction (X) so that the wafer 200 is seated on the hot plate 131 or rises so that the wafer 200 is more easily removed. To improve workability.

열공급부(130)는 웨이퍼(200)에 열을 공급하여 코팅층(210)에 잔존하는 용매의 일부를 증발시켜 제거한다. 구체적으로 열공급부(130)는 지지부(120)의 일 측에 형성되는 핫 플레이트(131)와 지지부(120)의 상부에 배치되는 히터(132)를 포함한다.The heat supply unit 130 supplies heat to the wafer 200 to evaporate and remove a part of the solvent remaining in the coating layer 210. Specifically, the heat supply unit 130 includes a hot plate 131 formed on one side of the support unit 120 and a heater 132 disposed above the support unit 120.

핫 플레이트(131)는 웨이퍼(200)의 하측에 배치되어 웨이퍼(200)에 직접적으로 열을 공급하여 코팅층(210)에 잔존하는 용매를 증발시킨다. 히터(132)는 웨이퍼(200)의 상부에서 전도에 의해 열을 공급하여 베이킹 챔버(113) 내부의 온도를 일정하게 유지시켜 코팅층(210)으로부터 용매가 일정하게 증발되도록 하는 동시에 용매의 응결을 최소화하고, 일부 응결되는 용매가 발생되는 경우에도 경화되지 않도록 한다.The hot plate 131 is disposed under the wafer 200 to directly supply heat to the wafer 200 to evaporate the solvent remaining in the coating layer 210. The heater 132 supplies heat from the top of the wafer 200 by conduction to maintain a constant temperature inside the baking chamber 113 so that the solvent evaporates from the coating layer 210 uniformly and at the same time minimizes condensation of the solvent. And, even if a solvent that partially condenses is generated, it is not cured.

이때 히터(132)는 지지부(120)의 상부에 배치되되 배출부(142)에 인접하여 형성된다. 구체적으로 히터(132)는 제1 배출구(1421)를 감싸도록 커버(112)의 상측에 형성되어 정화가스의 온도를 높에 배출을 보다 원활하게 하는 동시에 커버(112)의 상측면 하부에 일부 응결된 용매가 경화되는 것을 방지한다.In this case, the heater 132 is disposed above the support part 120 and is formed adjacent to the discharge part 142. Specifically, the heater 132 is formed on the upper side of the cover 112 so as to surround the first discharge port 1421 to increase the temperature of the purified gas more smoothly and at the same time, some condensation under the upper side of the cover 112 Prevents the solvent from curing.

따라서 본원발명의 웨이퍼 베이킹 장치(100)는 배출구에 인접하는 히터(132)를 구비하여, 용매의 제거 효과를 향상시키는 동시에 응결되는 용매의 경화를 방지한다. 이에 따라 경화된 용매가 파티클의 형태로 웨이퍼(200)에 부착되어 발생되는 불량률을 현저히 절감시키는 효과를 갖는다.Accordingly, the wafer baking apparatus 100 of the present invention includes a heater 132 adjacent to the discharge port to improve a solvent removal effect and prevent curing of the condensed solvent. Accordingly, the cured solvent has the effect of remarkably reducing the defect rate generated by adhering to the wafer 200 in the form of particles.

유로(140)는 정화가스가 유입되어 배출되는 경로를 의미하며, 정화가스가 베이킹 챔버(113)로 공급되는 공급부(141)와 정화가스가 베이킹 챔버(113)에서 배출되는 배출부(142)를 포함하여, 정화가스가 코팅층(210)의 상면에 균일하게 확산되도록 한다.The flow path 140 refers to a path through which the purified gas is introduced and discharged, and includes a supply part 141 through which the purified gas is supplied to the baking chamber 113 and a discharge part 142 through which the purified gas is discharged from the baking chamber 113. Including, the purification gas is uniformly diffused on the upper surface of the coating layer 210.

공급부(141)는 베이킹 챔버(113) 내로 서로 다른 방향으로 정화가스를 공급하는 제1,2 공급구(1411,1412)로 형성된다. 구체적으로 제1 공급구(1411)는 핫 플레이트(131)의 주변을 따라 형성되는 복수 개의 홀로 형성되고, 서로 소정간격 이격되어 지지부(120)에 웨이퍼(200) 안착 시 웨이퍼(200)의 외주면을 따라 제1 방향(X)으로 정화가스를 공급한다.The supply part 141 is formed by first and second supply ports 1411 and 1412 for supplying the purification gas in different directions into the baking chamber 113. Specifically, the first supply port 1411 is formed of a plurality of holes formed along the periphery of the hot plate 131, and is spaced apart from each other by a predetermined distance so that the outer peripheral surface of the wafer 200 is formed when the wafer 200 is seated on the support unit 120. Accordingly, the purified gas is supplied in the first direction X.

이때 제1 공급구(1411)는 서로 소정 간격 이격 형성되어 웨이퍼(200)의 외측에서 제1 방향(X)으로 정화가스를 공급하여 웨이퍼(200)의 외측 가장자리 부분에 잔존하는 용매가 보다 원활하게 제거되도록 한다.At this time, the first supply ports 1411 are formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance to supply the purification gas from the outside of the wafer 200 in the first direction X so that the solvent remaining on the outer edge of the wafer 200 is more smoothly removed. Let it be removed.

따라서 공급부(141)는 소정 간격 이격된 각 제1 공급구(1411)와 내부에서 연통되는 연통부(1413)와 외부에서 연통부(1413)로 정화가스를 공급하는 연결부(1414)를 더 포함하여, 연결부(1414) 및 연통부(1413)를 통해 보다 쉽게 각 제1 공급구(1411)로 정화가스가 공급되도록 한다. 이때 연결부(1414)는 복수 개로 형성되어 각 제1 공급구(1411)로 배출되는 정화가스의 양을 균일하게 하는 것이 바람직하다.Accordingly, the supply unit 141 further includes a first supply port 1411 spaced apart from each other by a predetermined interval, a communication unit 1413 communicating internally, and a connection unit 1414 for supplying purified gas to the communication unit 1413 from the outside. , The purification gas is supplied to each of the first supply ports 1411 more easily through the connection part 1414 and the communication part 1413. At this time, it is preferable that the connection part 1414 is formed in plural so that the amount of the purified gas discharged through each of the first supply ports 1411 is uniform.

또한 제1 공급구(1411)는 링 형상의 별도의 구조물로 형성되어 핫 플레이트(131) 외주면을 따라 설치될 수 있으며, 별도의 구조물로 형성되는 경우에는 교체만으로 사양에 따라 제1 공급구(1411)의 크기 및 간격을 달리할 수 있어 그 활용도가 향상되는 장점을 갖는다. 또한 유지 보수가 용이하다는 장점을 갖는다.In addition, the first supply port 1411 may be formed as a separate structure in a ring shape and installed along the outer circumferential surface of the hot plate 131. When formed as a separate structure, the first supply port 1411 according to the specification is only replaced. ) Can be changed in size and spacing, so its utilization is improved. In addition, it has the advantage of easy maintenance.

제2 공급구(1412)는 지지부(120)의 주변을 따라 형성되는 복수 개의 홀로 형성되고, 서로 소정간격 이격되어 지지부(120)에 웨이퍼(200) 안착 시 웨이퍼(200)의 외주면을 따라 제2 방향(Y)으로 정화가스를 공급한다.The second supply port 1412 is formed of a plurality of holes formed along the periphery of the support part 120, and is spaced apart from each other by a predetermined distance to the second supply port 1412 along the outer circumferential surface of the wafer 200 when the wafer 200 is seated on the support part 120. Purified gas is supplied in the direction Y.

이때 제2 공급구(1412)는 서로 소정 간격 이격 형성되어 웨이퍼(200)의 상측에서 제2 방향(Y)으로 정화가스를 공급하여 웨이퍼(200)의 가장자리에서 중심 방향으로 정화가스의 흐름이 발생하도록 하여 웨이퍼(200)의 중심부분에 잔종하는 용매가 보다 원활하게 제거되도록 한다.At this time, the second supply ports 1412 are formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance to supply the purification gas from the upper side of the wafer 200 in the second direction (Y) to generate the flow of the purification gas from the edge of the wafer 200 to the center direction. Thus, the solvent remaining in the central portion of the wafer 200 is more smoothly removed.

또한 제2 공급구(1412)는 제2 방향(Y)으로 정화가스를 공급하여 웨이퍼(200)의 외주면에서 웨이퍼(200)의 중심축으로 흐르는 정화가스의 기류를 발생시켜 커버(112)의 상측면 하부에 응결되는 일부 용매를 커버(112)의 중앙으로 이동시켜 제1 배출구(1421)를 통해 배출될 수 있도록 한다. 따라서 일부 응결되는 용매에 의해 발생될 수 있는 웨이퍼(200)의 손상 및 불량률을 현저히 감소시킨다.In addition, the second supply port 1412 supplies the purification gas in the second direction (Y) to generate an airflow of the purification gas flowing from the outer circumferential surface of the wafer 200 to the central axis of the wafer 200 to generate an upper surface of the cover 112. Some of the solvent condensed at the lower side of the side is moved to the center of the cover 112 so that it can be discharged through the first outlet 1421. Accordingly, damage and defect rates of the wafer 200 that may be caused by a partially condensed solvent are significantly reduced.

이때 제2 공급구(1412)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 1단 또는 각 제2 공급구(1412)가 격번하여 상하방향으로 배치되는 다단으로 형성될 수 있다. 도 4에서는 2단으로 형성되는 다른 실시예의 제2 공급구(2412)가 적용된 웨이퍼 베이킹 장치(100)에 대해 개시하고 있으나, 필요에 따라 3단 이상으로도 형성될 수 있다.In this case, the second supply ports 1412 may be formed in a single stage or in multiple stages in which each second supply ports 1412 are alternately arranged in the vertical direction, as shown in FIGS. 3 and 4. In FIG. 4, the wafer baking apparatus 100 to which the second supply port 2412 of another embodiment formed in two stages is applied is disclosed, but it may be formed in three or more stages if necessary.

따라서 제2 공급구(1412)는 커버(112)를 관통하도록 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 별도의 구조물로 형성되어 커버(112) 또는 핫 플레이트(131)의 외주면을 따라 설치되도록 형성될 수 있다. 커버(112)에 제2 공급구(1412)가 직접 형성되는 경우에는 기존 커버(112)에 타공만으로 제2 공급구(1412)를 형성할 수 있어 초기 비용을 절감할 수 있고, 별도의 구조물로 형성하는 경우에는 교체만으로 사양에 따라 제2 공급구(1412)의 크기 및 간격을 달리할 수 있어 그 활용도가 향상되는 장점을 갖는다.Therefore, the second supply port 1412 may be formed to penetrate the cover 112, and if necessary, it may be formed as a separate structure to be installed along the outer peripheral surface of the cover 112 or the hot plate 131. have. When the second supply port 1412 is directly formed in the cover 112, the second supply port 1412 can be formed only by perforating the existing cover 112, so that initial cost can be reduced, and a separate structure In the case of forming, the size and spacing of the second supply ports 1412 can be changed according to specifications only by replacement, and thus the utilization thereof is improved.

일 예에서는 커버(112)의 측면 높이가 20mm 이상 100mm 이하의 일 때, 커버(112)의 하측에서 제2 공급구(1412)까지 거리가 10mm 이상이고 제2 공급구(1412)의 직경은 1mm 이상 10mm 이하이며 각 제2 공급구(1412) 사이의 간격은 10mm 이상으로 형성된다.In one example, when the side height of the cover 112 is 20 mm or more and 100 mm or less, the distance from the lower side of the cover 112 to the second supply port 1412 is 10 mm or more, and the diameter of the second supply port 1412 is 1 mm. It is not less than 10 mm, and the interval between the second supply ports 1412 is formed to be 10 mm or more.

따라서 본원발명의 웨이퍼 베이킹 장치(100)는 베이킹 챔버(113) 내의 서로 교차하는 제1,2 방향으로 정화가스를 공급하는 제1,2 공급구(1411,1412)를 구비하여 웨이퍼(200)의 코팅층(210) 전면에 정화가스가 균일하게 확산되도록 한다.Therefore, the wafer baking apparatus 100 of the present invention is provided with first and second supply ports 1411 and 1412 for supplying the purification gas in the first and second directions intersecting each other in the baking chamber 113, The purification gas is uniformly diffused over the entire surface of the coating layer 210.

배출부(142)는 베이킹 챔버(113)에서 정화가스가 배출되도록 한다. 이때 커버(112)부를 관통하여 형성되어 정화가스를 제1 방향(X)으로 배출시키는 제1 배출구(1421)와 베이킹 챔버(113) 내의 압력을 일정하게 유지시켜주는 제2 배출구(1422)로 형성된다.The discharge unit 142 allows the purification gas to be discharged from the baking chamber 113. At this time, it is formed with a first outlet 1421 that is formed through the cover 112 and discharges the purified gas in the first direction (X) and a second outlet 1422 that maintains a constant pressure in the baking chamber 113 do.

제1 배출구(1421)는 커버(112)부는 관통하여 형성되어 웨이퍼(200)의 상부에 형성되어, 가열된 정화가스가 보다 원활하게 배출되도록 한다. 이때 제1 배출구(1421)의 중심은 웨이퍼(200)의 중심축과 일치하도록 형성되어 코팅층(210)의 상측 전반에 걸쳐 형성되는 정화가스가 균일하게 배출되도록 하는 것이 바람직하다.The first discharge port 1421 is formed through the cover 112 and formed on the upper portion of the wafer 200 so that the heated purified gas is discharged more smoothly. At this time, the center of the first outlet 1421 is preferably formed to coincide with the central axis of the wafer 200 so that the purification gas formed over the entire upper side of the coating layer 210 is uniformly discharged.

따라서 본원발명의 웨이퍼 베이킹 장치(100)는 제1 방향(X)으로 웨이퍼(200) 의 상측에 형성되는 제1 배출구(1421)를 구비하여, 제2 공급구(1412)로 공급되는 제2 방향(Y)의 정화가스의 기류가 코팅층(210) 전반에 일정하도록 하여 용매가 균일하게 제거되도록 한다.Therefore, the wafer baking apparatus 100 of the present invention has a first outlet 1421 formed on the upper side of the wafer 200 in the first direction X, and a second direction supplied to the second supply port 1412 The airflow of the purification gas of (Y) is uniform throughout the coating layer 210 so that the solvent is uniformly removed.

제2 배출구(1422)는 하우징(110)의 일 측에 형성되어 베이킹 챔버(113) 내의 정화가스의 압력이 일정하게 유지되도록 하여, 웨이퍼(200)의 코팅층(210)으로 정화가스의 기류가 일정하고 안정적으로 발생되도록 한다. 또한 하측으로 기류가 발생되는 정화가스를 배출시켜 베이킹 챔버(113) 내에서 용매가 보다 원활하게 제거되도록 한다.The second outlet 1422 is formed on one side of the housing 110 so that the pressure of the purification gas in the baking chamber 113 is kept constant, so that the airflow of the purification gas to the coating layer 210 of the wafer 200 is constant. And make it happen stably. In addition, by discharging the purge gas generating airflow downward, the solvent is more smoothly removed from the baking chamber 113.

따라서 정화가스의 기류에 미치는 영향을 최소화하기 위해 제2 배출구(1422)는 베이스(111)에 가까이 형성되는 것이 바람직하며, 제2 방향(Y)으로 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, in order to minimize the influence on the airflow of the purified gas, the second outlet 1422 is preferably formed close to the base 111, and is preferably formed in the second direction Y.

따라서 본원발명의 웨이퍼 베이킹 장치(100)는 서로 다른 방향, 다른 위치에 형성되는 제1,2 배출구(1421,1422)를 구비하여 베이킹 챔버(113) 내의 정화가스가 일정한 압력으로 유지하는 동시에 웨이퍼(200)의 반경방향으로 확산된 후 축방향을 통해 배출되도록 함으로써, 코팅층(210) 표면의 용매 농도를 일정하게 유지하는데 유리하고 베이킹 챔버(113) 정화가스의 기류가 안정적으로 발생되도록 하여 웨이퍼(200)의 두께가 균일하게 형성되로고 하여 제품의 신뢰성을 향상시키는 장점을 갖는다.Accordingly, the wafer baking apparatus 100 of the present invention has first and second outlets 1421 and 1422 formed in different directions and at different positions, so that the purifying gas in the baking chamber 113 is maintained at a constant pressure and the wafer ( 200) is diffused in the radial direction and then discharged through the axial direction, which is advantageous in maintaining a constant solvent concentration on the surface of the coating layer 210 and stably generating an airflow of the purification gas in the baking chamber 113 It has the advantage of improving the reliability of the product by making the thickness of) uniformly formed.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시 예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범위 내에서 적절하게 변경 가능한 것은 본 발명의 보호범위에 해당한다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been exemplarily described, but the scope of the present invention is not limited to such specific embodiments, and it is possible to appropriately change within the scope described in the claims. It corresponds.

100 웨이퍼 베이킹 장치
110 하우징 111 베이스 112 커버
113 베이킹 챔버
120 지지부 121 지지핀 122 리프트핀
130 열공급부 131 핫 플레이트 132 히터
140 유로
141 공급부 1411 제1 공급구 1412 제2 공급구
1413 연통부 1414 연결부
142 배출부 1421 제1 배출구 1422 제2 배출구
200 웨이퍼 210 코팅층
X 제1 방향 Y 제2 방향100 wafer baking device
110 Housing 111 Base 112 Cover
113 Baking Chamber
120 Support part 121 Support pin 122 Lift pin
130 Heat supply 131 Hot plate 132 Heater
140 euros
141 Supply section 1411 First supply port 1412 Second supply port
1413 Communication part 1414 Connection part
142 Discharge part 1421 First discharge port 1422 Second discharge port
200 wafer 210 coating layer
X first direction Y second direction

Claims (7)

베이스와 베이킹 챔버가 형성되도록 상기 베이스의 상부에 배치되는 커버로 형성되는 하우징;
상기 베이킹 챔버에 설치되어, 웨이퍼가 배치되는 지지부;
상기 웨이퍼에 열을 전달하는 열공급부; 및
정화가스를 공급하는 공급부와 정화가스를 배출하는 배출부로 형성되는 유로;를 포함하고,
상기 공급부는
상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 정화가스가 공급되도록 상기 지지부의 주변을 따라 형성된 제1 공급구와, 상기 웨이퍼의 가장자리에서 중심 방향으로 정화가스가 공급되도록 상기 웨이퍼의 외주면으로 배치되는 제2 공급구로 형성되며,
상기 배출부는
상기 커버를 관통하고, 제1 방향으로 정화가스를 배출시키는 제1 배출구와, 상기 하우징 일 측에 형성되어 정화가스의 압력을 일정하게 유지시키는 제2 배출구로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.
A housing formed of a cover disposed on the base to form a base and a baking chamber;
A support part installed in the baking chamber and on which a wafer is disposed;
A heat supply unit for transferring heat to the wafer; And
Including;
The supply unit
A first supply port formed along the periphery of the support portion to supply a purifying gas along an edge of the wafer, and a second supply port disposed on an outer circumferential surface of the wafer to supply purifying gas from the edge of the wafer in a central direction,
The discharge part
A wafer baking apparatus comprising: a first outlet penetrating the cover and discharging the purge gas in a first direction; and a second outlet formed on one side of the housing to maintain a constant pressure of the purge gas.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 공급구와 상기 제2 공급구에서 공급되는 정화가스가 서로 교차되도록 서로 다른 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.
The method of claim 1,
A wafer baking apparatus, wherein the first supply port and the purification gas supplied from the second supply port are formed in different directions to cross each other.
 제3항에 있어서,
상기 제1 배출구는
중심축이 상기 웨이퍼의 중심축과 일치하도록 상기 커버의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.
The method of claim 3,
The first outlet is
Wafer baking apparatus, characterized in that formed on the upper surface of the cover so that the central axis coincides with the central axis of the wafer.
 제1항에 있어서
상기 제2 공급구는
상기 커버의 내주면에 서로 일정 간격 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.
According to claim 1
The second supply port is
Wafer baking apparatus, characterized in that formed to be spaced apart from each other at a predetermined interval on the inner peripheral surface of the cover.
 제5항에 있어서,
상기 제2 공급구는
상기 커버의 내측면을 따라 일정 간격으로 형성되되, 제1 방향으로 격번하여 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.
The method of claim 5,
The second supply port is
A wafer baking apparatus, characterized in that it is formed at regular intervals along the inner side of the cover, and is formed in multiple layers alternately in a first direction.
 제1항에 있어서,
상기 열공급부는
상기 지지부의 일 측에 형성되는 핫 플레이트와, 상기 지지부의 상부에 배치되되 상기 배출부의 인접하여 형성되는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 베이킹 장치.The method of claim 1,
The heat supply unit
A wafer baking apparatus comprising: a hot plate formed on one side of the support; and a heater disposed above the support and formed adjacent to the discharge portion.
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