KR102188988B1 - 플라즈마 전극, 플라즈마 처리 전극, cvd 전극, 플라즈마 cvd 장치 및 박막 부착 기재의 제조 방법 - Google Patents

플라즈마 전극, 플라즈마 처리 전극, cvd 전극, 플라즈마 cvd 장치 및 박막 부착 기재의 제조 방법 Download PDF

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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 외주면에 방전면을 갖고, 이 방전면에 터널 형상의 자장을 형성하기 위한 마그넷이 내부에 설치된 전극 본체와, 방전면의 적어도 일부와 간격을 두고 대향하고, 전극 본체를 사이에 두고 마주보는 어스 부재를 갖고, 방전면이 전극 본체의 외주를 간격을 두지 않고 또는 간격을 두고 둘러싸고 있는 플라즈마 전극이다. 본 발명에 의해 플라즈마 처리 속도의 향상과 안정 방전의 양립이 가능한 플라즈마 전극이 제공된다.

Description

플라즈마 전극, 플라즈마 처리 전극, CVD 전극, 플라즈마 CVD 장치 및 박막 부착 기재의 제조 방법{PLASMA ELECTRODE, PLASMA PROCESSING ELECTRODE, CVD ELECTRODE, PLASMA CVD DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH THIN FILM}
본 기술은 기재의 표면 처리나 성막에 사용되는 플라즈마 전극, 플라즈마 처리 전극 및 CVD 전극에 관한 것이다.
각종 기재를 플라즈마에 의해 표면 개질하는 것이나, 각종 기재의 표면에 플라즈마를 사용한 성막 수단에 의해 기능막을 성막하는 기술은 일반적으로 잘 알려져 있다. 이 기술에 사용되는 플라즈마원으로서 여러가지의 플라즈마 전극의 개발이나 실용화가 진행되고 있다. 그리고 효율화의 관점으로부터 1개의 전극을 사용하여 2개의 면에 플라즈마를 생성하는 전극 기술도 개발되고 있다.
특허문헌 1에는 2개의 자기 회로를 서로 등을 맞대어 배치하고, 전극 양면에 플라즈마를 생성시킴으로써 2면 동시에 스퍼터 성막을 할 수 있는 전극이 개시되어 있다. 본 발명에 의하면 2개의 캐소드를 서로 등을 맞대어 배치함으로써 일체가 된 캐소드의 양면에서 스퍼터 성막할 수 있고, 각 성막존에 기재를 주행시킴으로써 효율적으로 성막할 수 있다.
또한, 특허문헌 2에는 요크를 사용하지 않는 구성으로 자기 회로를 구성함으로써 전극 양면에 마크네트론 방전을 행할 수 있는 자장을 생성하는 전극 구조가 개시되어 있다. 이 전극을 사용함으로써 캐소드 양면에서 스퍼터 성막을 할 수 있다. 이 기술에서는 종래는 요크를 사용하여 유도하고 있던 방전면의 반대측의 자속을 요크를 사용하지 않는 구성으로 함으로써 방전면측과 동일한 자속 밀도 분포가 되도록 한다. 방전면측과 마찬가지로 방전면의 반대측에도 타깃면을 배치함으로써 양면에서 스퍼터 성막을 할 수 있기 때문에 전극 1대로 2패스분의 스퍼터 성막을 할 수 있다.
또한, 특허문헌 3에는 1개의 자석 유닛을 사용하여 2개의 면에 마크네트론 방전을 행할 수 있는 자장을 생성함으로써 캐소드 양면에서 스퍼터 성막을 할 수 있는 전극 구조가 개시되어 있다. 이 기술은 특허문헌 2와 마찬가지로 캐소드 양면에서 스퍼터 성막을 할 수 있는 전극이지만, 자기 회로는 요크를 사용하여 적극적으로 자속을 유도하는 구성으로 하고 있어 자속 밀도 분포의 최적화를 도모한 것으로 생각된다.
일본 특허공개 2004-27272 일본 특허공개 2006-233240 일본 특허공개 2009-127109
스퍼터 전극으로서는 특허문헌 1~3의 기술과 같이 캐소드 양면에 플라즈마를 생성해서 효율적으로 스퍼터 성막할 수 있는 전극 구조가 제안되어 있다. 그러나, 스퍼터 성막 이외의 용도, 예를들면 플라즈마 처리나 플라즈마 CVD에 바람직하게 사용할 수 있는 효율이 좋은 플라즈마 소스는 아직 제안되어 있지 않다. 특허문헌 1~3에 나타내어져 있는 바와 같은 스퍼터 전극을 플라즈마 처리나 플라즈마 CVD에 사용한 경우, 캐소드의 양면에서 각각 강도가 다른 플라즈마가 생성되거나, 편면밖에 플라즈마가 생성되지 않거나 해서 안정되게 양면 균등하게 방전시키는 것이 곤란하다. 이 문제는 1개의 방전면에서 1층의 성막을 행하는 스퍼터 장치에 있어서는 큰 문제가 안 되지만, 2개의 플라즈마를 합쳐 1개의 처리를 행하는 플라즈마 처리 또는 플라즈마 CVD 전극으로서는 컨트롤성이 악화되기 때문에 문제가 된다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 플라즈마 전극은,
외주면에 방전면을 갖고, 이 방전면에 터널 형상의 자장을 형성하기 위한 마그넷이 내부에 설치된 전극 본체와,
상기 방전면은 상기 전극 본체의 외주를 간격을 두지 않고 또는 간격을 두고 둘러싸고 있으며,
상기 방전면의 적어도 일부와 간격을 두고 대향하고, 상기 전극 본체를 사이에 두고 마주보는 어스 부재를 갖고 있다.
또한, 상기 과제를 해결하는 본 발명의 플라즈마 처리 전극은,
본 발명의 플라즈마 전극과,
상기 어스 부재와 이 어스 부재에 대향하는 상기 방전면 사이의 방전 공간에 상기 방전면과 평행한 방향으로부터 가스를 도입하기 위한 가스 노즐을 갖고 있다.
또한, 본 발명의 CVD 전극은 본 발명의 플라즈마 처리 전극과,
전극 본체 근방에 CVD 원료를 도입하기 위한 원료 가스 노즐을 갖고 있으며,
상기 가스 노즐로부터 방출되는 가스의 흐름 방향 하류측에서 전극 본체로부터 떨어진 곳에 설치되는 기재에 성막하기 위한 전극이다.
또한, 본 발명의 플라즈마 CVD 장치는 진공 용기와, 이 진공 용기 내에 기재의 지지 기구와 본 발명의 CVD 전극을 구비하고 있다.
또한, 상기 과제를 해결하는 본 발명의 박막 부착 기재의 제조 방법은,
본 발명의 CVD 전극을 사용하고, 플라즈마 전극에서 플라즈마 생성하고, 가스 노즐로부터 도입된 가스를 이 플라즈마를 통해 라디컬로 분해되어 기재 상에 공급함과 아울러 원료 가스 노즐로부터 도입된 CVD 원료를 기재 상에 공급함으로써 기 이 기재에 박막을 형성한다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면 설치 스페이스적으로, 또는 생산 효율의 관점으로부터 효율이 좋은 플라즈마 소스를 제공할 수 있고, 이것에 의해 종래비 고속으로 플라즈마 처리 또는 플라즈마 CVD 성막을 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다(어스 부재는 도시하지 않음).
도 2는 본 발명의 플라즈마 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다(어스 부재는 도시하지 않음).
도 3은 본 발명의 플라즈마 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다(어스 부재는 도시하지 않음).
도 4a는 본 발명의 플라즈마 전극을 사용한 플라즈마 처리 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 플라즈마 전극을 사용한 플라즈마 처리 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 도 4a에 나타내는 플라즈마 처리 전극의 Ｉ-I 화살선 단면의 모식도이다.
도 6a는 본 발명의 플라즈마 처리 전극을 사용한 플라즈마 CVD 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 플라즈마 처리 전극을 사용한 플라즈마 CVD 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 전극에 사용하는 캐소드 본체의 자장 해석 모델의 사시도이다.
도 8은 도 7의 해석 모델을 이용한 자장 해석 결과의 측면 단면도이다.
도 9는 도 7의 해석 모델을 이용한 자장 해석 결과의 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태의 예를 도면을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시형태에는 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 본 발명의 플라즈마 전극은 마그넷(101), 요크(102) 및 캐소드(103)로 전극 본체를 구성하고 있다. 마그넷(101)에서 발생한 자속을 요크(102)에 유도하고, 캐소드(103) 상에 방출함으로써 캐소드(103) 표면이 방전면이 되고, 이 방전면에 마크네트론용 자장을 형성한다. 캐소드(103)는 그 표면이 외측을 향한 상태에서 마그넷(101)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 이 때, (i) 1개의 캐소드(103)로 마그넷(101)을 둘러싸도 좋고, (ii) 복수의 캐소드(103)로 각각의 간격을 두지 않고 마그넷(101)을 둘러싸도 좋고, 또는 (iii) 복수의 캐소드(103)로 각각의 간격을 두고 마그넷(101)을 둘러싸도 좋다. (i)의 형태도 캐소드(103)를 간격을 두지 않고 마그넷(103)의 주위에 배치한 형태 중 1개로 한다. 이렇게 캐소드(103)가 마그넷(101)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로 캐소드(103) 표면의 방전면에 형성되는 마크네트론용 자장은 전극 본체를 둘러싸도록 연결된다.
플라즈마 전극은 캐소드(103)와 간격을 두고 대향하는 어스 부재(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 캐소드(103)와 어스 부재 사이에 전계를 인가함으로써 캐소드(103) 표면에 고밀도 플라즈마가 생성된다. 상술한 바와 같이 캐소드(103) 표면의 방전면에 형성되는 마크네트론용 자장은 전극 본체를 둘러싸도록 연결되므로 플라즈마도 전극 본체를 둘러싸도록 생성된다. 이렇게 플라즈마는 도중에 끊어지지 않게 연결해서 안정되어 있으므로 전극 본체를 사이에 두고 양측에 발생하고 있는 플라즈마의 강도에 차가 생겨 밸런스가 무너지거나, 한쪽의 플라즈마가 점등되지 않는다는 트러블을 방지할 수 있다. 어스 부재는 캐소드(103) 모두와 대향하여 설치할 필요는 없고 전극 본체를 사이에 두고 마주보는 부분이 있으면 캐소드(103)의 일부분과 대향하여 설치하면 좋다. 단, 어스 부재가 전극 본체를 둘러싸도록 설치되어 있던 쪽이 전극 본체를 둘러싸며 생성되는 플라즈마가 보다 안정하므로 바람직하다.
플라즈마 전극은 자장 생성 수단(101), 요크(102) 및 캐소드(103)로 둘러싸인 공간을 냉매 유로(104)로 해도 좋다. 플라즈마 방전에 의한 열로 마그넷(101)이나 캐소드(103)가 손상을 받지 않도록 냉매 유로(104)에 냉매를 흘려 냉각할 수 있다.
마그넷(101)은 캐소드(103) 표면에 터널 형상의 자속이 충분한 강도로 발현할 수 있도록 종류나 형상 등이 적당히 선정된다. 마그넷(101)의 종류로서는 페라이트 자석, 사마륨 코발트 자석, 네오디뮴 자석 등이 바람직하게 사용된다. 마그넷(101)의 형상은 전극 형상에 맞춰 적당히 결정하면 좋다. 소형의 원형 전극이면 자석 형상도 원형의 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 직사각형 전극에서는 직사각형의 자석이 일반적으로 사용되고 있다. 광폭의 전극에 사용하기 위해서는 자석 자체가 대형화되지만 큰 자석은 자력도 강력하기 때문에 조립 작업 등 핸들링이 곤란해진다. 이러한 경우에서는 복수의 직사각형 자석을 일렬로 늘어놓은 자석군을 1개의 자석으로서 취급하는 것이 일반적으로 행해지고 있다.
또한, 마그넷(101) 및 요크(102)의 배치는 자기 회로의 구성에 의해 적당히 결정할 수 있다. 도 1의 개략 단면도에 나타낸 바와 같이 1개의 마그넷(101)으로부터 방출되는 자속을 요크(102)를 사용해서 양측의 각 캐소드(103) 표면에 유도하도록 자기 회로가 구성되어 있는 경우는 도시하는 바와 같이 그 중앙부에 1개의 마그넷(101)을 배치하는 구성이 바람직하게 사용된다. 도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 플라즈마 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2의 개략 단면도에 나타내는 바와 같이 1개의 마그넷(101)으로부터 방출되는 자속을 요크(102)를 사용하여 편측의 캐소드(103) 표면에 유도하도록 2계통의 자기 회로를 구성하는 경우는 도시하는 바와 같이 각 계통의 자기 회로에 1개씩 마그넷(101)을 배치하는 구성이 바람직하게 사용된다. 도 3의 개략 단면도에 나타내는 바와 같이 1쌍의 마그넷(101)을 사용하여 편측의 캐소드(103) 표면에 자속을 방출하도록 2계통의 자기 회로를 구성하는 경우는 도시하는 바와 같이 각 계통의 자기 회로에 1쌍씩 마그넷(101)을 배치하고, 요크(102)를 사용해서 자기 회로를 2계통 구성하는 방법이 바람직하게 사용된다.
캐소드(103)의 재질은 전극의 용도에 따라 적당히 결정할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 플라즈마 전극을 스퍼터 장치로서 사용하는 경우, 스퍼터링 타깃으로서 사용하는 재질을 적어도 방전면측 최표층에 갖도록 캐소드(103)를 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 플라즈마 전극을 이온 소스 용도 등의 플라즈마 발생원으로서 사용하는 경우는 캐소드(103)가 플라즈마에 의한 이로전(erosion)을 받기 어려워지도록 스퍼터 레이트가 낮은 재료, 예를 들면 알루미늄이나 티탄 등의 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 어느 경우에 있어서도 캐소드(103)는 어떠한 냉각 수단으로 냉각되어 있는 것이 바람직하고, 캐소드(103) 자체가 직접 냉매로 냉각되는 것이 보다 바람직하다.
도 1 및 도 2의 개략 단면도에 나타내는 바와 같이 요크(102)의 외측 단부를 캐소드(103) 표면, 즉 전극 본체의 방전면으로부터 외측으로 돌출됨으로써 보조 자극(磁極)으로 할 수 있다. 이러한 보조 자극을 사용함으로써 캐소드(103) 상의 자장의 제어성을 향상시킬 수 있으므로 보다 바람직하다. 예를 들면, 자극 사이가 좁은 범위에서 급준하게 상승한 자장을 생성하도록 보조 자극을 설계하면 좁은 에리어에 집중된 고밀도 플라즈마가 얻어진다. 또한. 자극 사이가 많이 넓은 범위에서 자장 강도의 변동이 적은 자장을 생성하도록 보조 자극을 설계하면 광범위한 플라즈마를 얻을 수 있다. 이렇게 전극의 사용 목적에 따라 적당히 자장 설계하는 것이 바람직하다. 또한, 보조 자극을 사용하는 경우, 도 1 중에 나타내는 극간 거리(A)를 냉매 유로 폭(B)보다 좁게 설계하는 것이 바람직하다. 이것은 요크에서 유도되는 자속을 가능한 한 보조 자극으로부터 집중시켜 방출시키기 때문이다.
도 4a는 본 발명의 플라즈마 전극을 사용한 플라즈마 처리 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 5는 도4a의 플라즈마 처리 전극의 Ｉ-I 화살선 단면의 모식도이다. 이 플라즈마 처리 전극은 도 1의 개략 단면도에서 예시한 플라즈마 전극 구성을 사용하여 이것을 전극(201)으로 하고, 전극(201)에 대하여 일정 간극을 가지고 끼워 넣도록 어스 부재(202)를 배치하고 있다. 또한, 캐소드(103) 표면의 방전면과 어스 부재(202) 사이에 방전면에 평행한 방향으로부터 가스를 도입하는 가스 노즐(204)을 배치하고 있다. 가스 노즐(204)에 의해 도입되는 가스의 도입 방향의 연장선 상(가스의 흐름 방향 하류측)에서 전극(201)으로부터 떨어진 위치에 도시하지 않은 지지 기구에서 지지된 기재(203)가 배치되고, 기재(203)의 표면을 플라즈마 처리한다. 또한, 기재의 지지 기구는 고정되어 움직이지 않는 형태이어도, 기재(203)를 반송하도록 움직이는 원통 드럼 형상의 형태이어도 좋다.
가스 노즐(204)은 전극(201)에 의해 생기는 전리 공간에 직접 가스를 도입 할 수 있도록 배치되기 때문에 도입되는 가스를 효율적으로 전리시킬 수 있다. 또한, 가스의 도입에 방향성을 부여할 수 있기 때문에 전리 공간에서 생성된 이온이나 라디컬 등을 효율적으로 이용할 수 있다. 이러한 특징으로부터 이온 소스나 라디컬 소스 등의 플라즈마 처리 장치로서 이용하는 것이 바람직하고, 또한 플라즈마 CVD 전극으로서 보다 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 도 4b는 본 발명의 플라즈마 전극을 사용한 플라즈마 처리 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 이 플라즈마 전극 유닛은 도 1의 개략 단면도에서 나타낸 플라즈마 전극 구성의 전극(201)을 기본 유닛으로 하고, 2개의 기본 유닛을 가스 노즐(204)로부터 도입되는 가스 흐름 방향으로 나란히 배치하고 있다. 이렇게 2개의 기본 유닛을 나란히 배치함으로써 도입한 가스가 보다 오래 강한 플라즈마에 노출되어 분해가 촉진된다. 이 때문에 이온이나 라디컬의 생성량이 많아지고, 플라즈마 처리 장치의 처리 능력 향상이나, 플라즈마 CVD 장치의 성막 속도 향상에 효과적이다. 또한, 도 4b의 플라즈마 처리 전극은 기본 유닛을 2개 나란히 하여 구성되어 있지만 3개 이상을 나란히 하여 구성해도 좋다.
도 6a는 본 발명의 플라즈마 처리 전극을 사용한 플라즈마 CVD 전극의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4a의 개략 단면도에 예시한 플라즈마 처리 전극의 구조를 사용하여 가스 노즐(204)에 대하여 방전 공간을 사이에 두고 반대측에 CVD 원료를 도입하기 위한 원료 가스 노즐(205)이 설치되어 있다. 이 플라즈마 처리 전극을 사용하여 플라즈마 전극에서 방전 공간에 플라즈마를 생성한다. 그리고, 가스 노즐(204)로부터 방전 공간을 향해 가스를 도입하고, 이 가스를 전리시킨다. 이 전리한 가스를 기재(203) 상에 공급함과 아울러 원료 가스 노즐(205)로부터 CVD원료를 기재(203) 상에 공급함으로써 CVD 원료 가스가 분해되어 기재(203)에 박막이 형성된다.
도 6b는 본 발명의 플라즈마 처리 전극을 사용한 플라즈마 CVD 전극의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4a의 개략 단면도에서 예시한 플라즈마 처리 전극의 구조를 사용하여 전극 본체(201)와 기재(203) 사이의 공간에 CVD 원료를 도입하기 위한 원료 가스 노즐(205)이 설치되어 있다. 이 플라즈마 처리 전극을 사용하여 플라즈마 전극에서 방전 공간에 플라즈마를 생성한다. 그리고, 가스 노즐(204)로부터 방전 공간을 향해 가스를 도입하고, 이 가스를 전리시킨다. 이 전리한 가스를 전극 본체(201)와 기재(203) 사이의 공간에 공급함과 아울러 원료 가스 노즐(205)로부터 CVD 원료를 동일 공간에 공급함으로써 CVD 원료 가스가 분해되어 기재(203)에 박막이 형성된다.
도 6a와 도 6b의 플라즈마 CVD 전극은 함께 원료 가스 노즐(205)이 기본적인 가스 흐름에 대하여 방전 공간의 하류측에 있는 점에서 성막종이 역류하기 어려워져 전극(201)이 오염되기 어려운 특징이 있다. 또한, 방전 공간으로부터 기재(203)를 멀리 떼어놓을 수 있어 플라즈마에 의한 열 데미지나 이온 충격을 억제함으로써 낮은 데미지로 성막을 할 수 있다. 방전 공간의 중심과 기재(203)의 간극의 최단 거리는 원료 가스 노즐(205) 등의 구조물의 핸들링 용이성을 고려하여 30㎜ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 방전 공간의 중심과 기재(203)의 간극을 300㎜보다 길게 두면 성막 레이트가 저하하거나, 점유 공간이 커져 효율이 낮아지기 때문에 간극은 300㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 전극(201)과 기재(203)가 설치되는 위치 사이에 전기적으로 어스 접속된 도체 메시를 설치함으로써 기재나 성막된 막에 데미지를 주는 하전 입자를 제거할 수 있기 때문에 바람직하다. 메시는 개구율을 50% 이상으로 함으로써 하전 입자 이외의 생성물의 통과를 방해하는 것에 의한 성막 능력 저하를 방지할 수 있으므로 보다 바람직하다.
(실시예)
이상 설명한 플라즈마 전극의 자기 회로 해석 결과를 설명한다. 전극 본체는 도 1에 나타내는 구조로 했다. 마그넷(101)에는 착자방향(높이방향) 20㎜, 폭 10㎜, 길이 40㎜의 네오디뮴 자석을 나란히 놓고 사용하는 상정으로 하여 자석 표면 자속 밀도를 300mT로 했다. 요크(102)에는 페라이트계 스테인리스 SUS430을 사용하는 것으로 상정하여 비투자율을 500(투자율 1.26×10-6×500H/m)으로 설정했다. 캐소드(103)에는 순티탄을 사용하고, 냉매 유로(104)에는 냉각수를 흘리는 상정으로 했다. 이상의 조건에서 도 7에 나타내는 해석 모델을 설정하고, STAR-CCM＋Ver.7.04.011을 이용하여 해석을 행했다. 해석의 결과, 캐소드의 주위를 둘러싸도록 터널 형상의 자속이 형성되는 것을 알 수 있었다. 참고로, 자속 밀도 분포의 모양을 도 8의 측면 단면도 및 도 9의 정면도에서 나타낸다. 이 캐소드를 사용하면 양 직선부에서의 플라즈마 강도가 극단적으로 다르거나 하지 않은 안정적인 플라즈마를 생성할 수 있다.
본 발명은 플라즈마 CVD 전극에 한정되지 않고 플라즈마 처리 전극이나, 이온원이나 라디컬원으로서의 플라즈마 전극 등에도 응용할 수 있지만, 그 응용 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.
101 마그넷 102 요크
103 캐소드 104 냉매 유로
105 케이싱 201 전극
202 어스 부재 203 기재
204 가스 노즐 205 원료 가스 노즐
A 극간 거리 B 냉매 유로 폭

Claims (12)

  1. 외주면에 방전면을 갖고, 이 방전면에 터널 형상의 자장을 형성하기 위한 마그넷이 내부에 설치된 전극 본체와,
    상기 방전면은 상기 전극 본체의 외주를 간격을 두지 않고 또는 간격을 두고 둘러싸고 있으며,
    상기 방전면의 적어도 일부와 간격을 두고 대향하고, 상기 전극 본체를 사이에 두고 마주보는 어스 부재와,
    상기 어스 부재와 이 어스 부재에 대향하는 상기 방전면 사이의 방전 공간에 방전면과 평행한 방향으로부터 가스를 도입하기 위한 가스 노즐을 갖고,
    상기 가스 노즐로부터 방출되는 가스의 흐름 방향 하류측에서 상기 전극 본체로부터 떨어진 곳에 설치되는 기재에 플라즈마 처리를 실시하기 위한 플라즈마 처리 전극.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극 본체는 보조 자극을 갖고, 이 보조 자극의 외측 단부는 전극 본체의 상기 방전면으로부터 외측으로 나와 있는 플라즈마 처리 전극.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 어스 부재는 상기 전극 본체를 둘러싸고 있는 플라즈마 처리 전극.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 기재된 플라즈마 처리 전극과,
    상기 전극 본체 근방에 CVD 원료를 도입하기 위한 원료 가스 노즐을 갖고,
    상기 가스 노즐로부터 방출되는 가스의 흐름 방향 하류측에서 상기 전극 본체로부터 떨어진 곳에 설치되는 기재에 성막하기 위한 CVD 전극.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 원료 가스 노즐은 상기 가스 노즐에 대하여 상기 방전 공간을 사이에 둔 반대측에 설치된 CVD 전극.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 원료 가스 노즐은 상기 전극 본체와 상기 기재가 설치되는 위치 사이의 공간에 설치된 CVD 전극.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 기재가 설치되는 위치로부터 상기 전극 본체까지의 최단 거리는 30㎜ 이상 300㎜ 이하인 CVD 전극.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 전극 본체와 상기 기재가 설치되는 위치 사이에 개구율 50% 이상의 어스 접속된 메시가 설치된 CVD 전극.
  10. 진공 용기와, 이 진공 용기 내에 기재의 지지 기구와 제 5 항에 기재된 CVD 전극을 구비한 플라즈마 CVD 장치.
  11. 제 5 항에 기재된 CVD 전극을 사용하고, 상기 플라즈마 처리 전극에서 플라즈마를 생성하고, 상기 가스 노즐로부터 도입된 가스를 이 플라즈마를 통해 라디컬로 분해해서 기재 상에 공급함과 아울러 상기 원료 가스 노즐로부터 도입된 CVD 원료를 상기 기재 상에 공급함으로써 이 기재에 박막을 형성하는 박막 부착 기재의 제조 방법.
  12. 삭제
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