KR102188943B1 - Heat-transferring plate structure - Google Patents

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Abstract

기판 가열장치의 열전달 플레이트 구조가 개시된다. 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치는, 열을 발생하는 히터 플레이트, 상기 히터 플레이트의 상부에서, 상면에 일정 간격으로 배치되는 동심원 형상의 복수의 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 단면은 삼각홈 형상인 열전달 플레이트, 및 상기 열전달 플레이트의 상부에 형성되는 산화막을 포함한다.A heat transfer plate structure of a substrate heating device is disclosed. The substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a heater plate that generates heat, a plurality of concentric patterns arranged at regular intervals on an upper surface of the heater plate, and the cross section of the pattern has a triangular groove shape. And a phosphorus heat transfer plate, and an oxide film formed on the heat transfer plate.

Description

기판 가열장치의 열전달 플레이트 구조{HEAT-TRANSFERRING PLATE STRUCTURE}Heat transfer plate structure of substrate heating device{HEAT-TRANSFERRING PLATE STRUCTURE}

본 발명은 기판 가열장치의 알미늄 플레이트 구조에 대한 것이다.The present invention relates to an aluminum plate structure of a substrate heating apparatus.

일반적으로 집적회로 소자와 같은 반도체 소자는 반도체 웨이퍼상에 일련의 반도체 공정을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. In general, a semiconductor device such as an integrated circuit device can be formed by repeatedly performing a series of semiconductor processes on a semiconductor wafer.

예를 들면, 웨이퍼상에 박막을 형성하는 증착공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각공정, 패턴에 불순물을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산공정, 패턴이 형성된 웨이퍼로부터 불순물을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성된다.For example, a deposition process to form a thin film on a wafer, an etching process to form a thin film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process to implant or diffuse impurities into the pattern, and impurities from the patterned wafer. Semiconductor circuit elements are formed on the wafer by repeatedly performing a cleaning and rinsing process for removing the particles.

이와 같이 제조된 반도체 소자는 다이싱 공정과 본딩공정 및 패키징 공정을 통하여 반도체 패키지로 제조된다.The semiconductor device manufactured as described above is manufactured into a semiconductor package through a dicing process, a bonding process, and a packaging process.

이때 각종 공정에서 웨이퍼를 지지하고 공정온도로 가열하기 위해 기판 가열장치가 사용된다. At this time, a substrate heating device is used to support the wafer and heat it to the process temperature in various processes.

근래에 들어 반도체 소자의 배선 미세화와 반도체 기판의 정밀한 열처리의 필요성에 따라 기판 가열장치의 온도편차를 줄일 수 있는 방안에 대한 요구가 지속되고 있다. In recent years, according to the necessity of finer wiring of semiconductor devices and precise heat treatment of semiconductor substrates, there is a continuing demand for a method to reduce the temperature deviation of the substrate heating apparatus.

이와 같은 문제를 해결하기 위해, 세라믹 재질의 히터 플레이트 상부에 산화막 처리된 알미늄 플레이트를 배치하여 히터장치를 사용하고 있다. 그러나, 이러한 종래의 기술에 의하면, 산화막 처리된 알미늄 플레이트를 고온에서 사용하는 경우 산화막의 깨짐 현상으로 인하여 파티클이 발생하고, 온도 헌팅 등 편차가 발생하여 수율이 저하되는 문제점이 있다.In order to solve this problem, a heater device is used by disposing an aluminum plate treated with an oxide film on the heater plate made of ceramic. However, according to such a conventional technique, when an aluminum plate treated with an oxide film is used at a high temperature, particles are generated due to a cracking phenomenon of the oxide film, and variations such as temperature hunting occur, thereby reducing the yield.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 지속적으로 고온사용하여도 산화막의 깨짐현상이 없고 온도 헌팅이 발생하지 않는 기판 가열장치의 알미늄 플레이트 구조를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide an aluminum plate structure of a substrate heating apparatus in which no cracking of an oxide film occurs and no temperature hunting occurs even when continuously used at high temperatures.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치는, 열을 발생하는 히터 플레이트; 상기 히터 플레이트의 상부에서, 상면에 일정 간격으로 배치되는 동심원 형상의 복수의 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 단면은 삼각홈 형상인 열전달 플레이트; 및 상기 열전달 플레이트의 상부에 형성되는 산화막을 포함할 수 있다.In order to solve the above technical problem, a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a heater plate generating heat; A heat transfer plate having a plurality of concentric circular patterns disposed on an upper surface of the heater plate at regular intervals, and a cross section of the pattern having a triangular groove shape; And an oxide film formed on the heat transfer plate.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트의 삼각홈이 이루는 각도는, 약 80 내지 90도일 수 있다.In one embodiment of the present invention, an angle formed by the triangular groove of the heat transfer plate may be about 80 to 90 degrees.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트의 삼각홈의 상부의 크기는, 약 0.01 내지 0.05 mm일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the size of the upper portion of the triangular groove of the heat transfer plate may be about 0.01 to 0.05 mm.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트에서 인접하는 삼각홈 사이의 패턴간격은, 약 0.03 내지 0.3 mm일 수 있다.In one embodiment of the present invention, a pattern spacing between adjacent triangular grooves in the heat transfer plate may be about 0.03 to 0.3 mm.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트에서 인접하는 삼각홈 사이의 직선구간의 길이는, 약 0.09 내지 0.30 mm일 수 있다.In one embodiment of the present invention, a length of a straight section between adjacent triangular grooves in the heat transfer plate may be about 0.09 to 0.30 mm.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트의 삼각홈의 깊이는, 약 0.01 내지 0.15 mm일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the depth of the triangular groove of the heat transfer plate may be about 0.01 to 0.15 mm.

본 발명의 일실시예에서, 상기 열전달 플레이트는, 알미늄으로 이루어질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the heat transfer plate may be made of aluminum.

상기와 같은 본 발명은, 동심원 형상의 삼각홈으로 이루어지는 열전달 플레이트의 패턴에 의해, 상부에 생성되는 산화막와 열전달 플레이트의 모재간 결합력을 높이게 하는 효과가 있다.The present invention as described above has the effect of increasing the bonding force between the oxide film formed on the top and the base material of the heat transfer plate by the pattern of the heat transfer plate made of concentric triangular grooves.

또한, 본 발명은 동심원 형상의 삼각홈으로 이루어지는 열전달 플레이트의 패턴에 의해, 열팽창시 전도열이 열전달 플레이트의 표면에 고르게 퍼지도록 할 수 있으며, 온도의 상승 또는 하강시에도 열전달 플레이트의 평탄도의 변형없이 원형을 유지할 수 있게 하는 효과가 있다.In addition, the present invention can spread the conductive heat evenly over the surface of the heat transfer plate during thermal expansion by the pattern of the heat transfer plate made of concentric triangular grooves, and even when the temperature rises or falls, the flatness of the heat transfer plate is not changed. It has the effect of keeping the original shape.

이러한 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트의 구조에 의해, 고른 열전도도를 구현하고, 고온에서 장시간 사용하여도 상부에 배치되는 산화막에 크랙이 발생하지 않으므로, 웨이퍼의 수율향상에 기여하게 하는 효과가 있다. With the structure of the heat transfer plate according to the embodiment of the present invention, even thermal conductivity is realized and cracks do not occur in the oxide film disposed thereon even when used at a high temperature for a long time, thereby contributing to the improvement of the yield of the wafer. .

도 1은 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 열전달 플레이트의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트의 제작방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5c는 열전달 플레이트의 제작방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view of the heat transfer plate of FIG. 1.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a heat transfer plate according to an embodiment of the present invention.
5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heat transfer plate.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성요소는 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms and various modifications may be added. However, the description of the present embodiment is provided to complete the disclosure of the present invention, and to fully inform a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In the accompanying drawings, for convenience of description, the size of the components is enlarged compared to the actual size, and the ratio of each component may be exaggerated or reduced.

'제1', '제2' 등의 용어는 다양한 구성요소를 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소는 위 용어에 의해 한정되어서는 안 된다. 위 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 '제1구성요소'는 '제2구성요소'로 명명될 수 있고, 유사하게 '제2구성요소'도 '제1구성요소'로 명명될 수 있다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어는 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.Terms such as'first' and'second' may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the above terms. The above terms may be used only for the purpose of distinguishing one component from other components. For example, without departing from the scope of the rights of the present invention, the'first element' may be referred to as the'second element', and similarly, the'second element' may also be named as the'first element'. I can. In addition, expressions in the singular include plural expressions unless clearly expressed otherwise in context. Unless otherwise defined, terms used in the embodiments of the present invention may be interpreted as meanings commonly known to those of ordinary skill in the art.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치의 알미늄 플레이트 구조를 설명하기로 한다. Hereinafter, an aluminum plate structure of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치의 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 기판 가열장치(1)는, 하부의 히터 플레이트(10), 히터 플레이트(10) 상부의 알미늄 플레이트(20), 및 알미늄 플레이트 상부의 산화막(30)을 포함할 수 있다. As shown in the drawings, the substrate heating apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a heater plate 10 at a lower portion, an aluminum plate 20 at an upper portion of the heater plate 10, and an oxide film 30 at the upper portion of the aluminum plate. ) Can be included.

기판 가열장치(1)에는, 상하를 관통하는 다수의 핀홀(40)이 형성될 수 있으며, 리프트핀(45)이 핀홀(40)을 따라 승강하도록 구비되어, 반도체 웨이퍼 등의 처리대상물(W)을 승강 또는 하강하도록 구비되어, 처리대상물(W)을 기판 가열장치(1) 상에 로딩하거나 또는 언로딩할 수 있다.In the substrate heating device 1, a plurality of pinholes 40 may be formed that pass through the top and bottom, and the lift pins 45 are provided to lift along the pinholes 40, and the object to be processed (W) such as a semiconductor wafer It is provided to lift or lower, so that the object W can be loaded or unloaded on the substrate heating device 1.

또한, 기판 가열장치(1)는 지지부재(50)에 의해 히터 플레이트(10), 열전달 플레이트(20) 및 산화막(30)이 고정될 수 있다. 이를 위해, 히터 플레이트(10), 열전달 플레이트(20) 및 산화막(30)에는 지지부재(50)의 관통을 위한 홀이 형성될 수 있을 것이다.In addition, in the substrate heating apparatus 1, the heater plate 10, the heat transfer plate 20, and the oxide film 30 may be fixed by the support member 50. To this end, a hole for penetrating the support member 50 may be formed in the heater plate 10, the heat transfer plate 20, and the oxide film 30.

지지부재(50) 및 핀홀(40)의 구성은, 설명의 편의를 위해 다소 과장되어 도시된 것으로서, 본 발명의 기판 가열장치(1)가 이에 한정되는 것은 아니며, 그 기능이 유사하다면 다양한 실시예가 채택될 수 있을 것이다. The configuration of the support member 50 and the pinhole 40 is somewhat exaggerated for convenience of description, and the substrate heating apparatus 1 of the present invention is not limited thereto, and if the functions are similar, various embodiments are May be adopted.

히터 플레이트(10)는 세라믹 재질로 이루어진 몸체의 내부에 발열부재가 구비되도록 구성될 수 있으며, 이 발열부재는 외부의 전원공급부와 전기적으로 연결될 수 있다. 발열부재가 전원공급부로부터 전원을 인가받으면 열이 발생하여 세라믹 재질의 몸체가 가열될 수 있다. The heater plate 10 may be configured such that a heating member is provided inside a body made of a ceramic material, and the heating member may be electrically connected to an external power supply. When the heating member receives power from the power supply unit, heat is generated and the ceramic body may be heated.

이때 세라믹 재질은 내열성이 우수한 전기적 절연체로서, 예를 들어 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC(Autoclaved lightweight concrete), TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 중 어느 하나일 수 있다. At this time, the ceramic material is an electrical insulator with excellent heat resistance, for example, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Al 2 O 3 /Y 2 O 3 , ZrO 2 , AlC (Autoclaved lightweight concrete), TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO 2 , TiO 2 , BxCy, BN, SiO 2 , SiC, YAG, Mullite, AlF 3 It may be any one of.

또한, 발열부재는 발열기능이 가능한 금속재질로 이루어지며, 탄탈(Ta), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 금(Au), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti)또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. In addition, the heating member is made of a metal material capable of heating, and is made of tantalum (Ta), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), silver (Ag), gold (Au), niobium (Nb), It may be made of titanium (Ti) or an alloy thereof.

히터 플레이트(10)는 원형의 플레이트 형상으로서, 지지부재(50)가 고정되는 홀과 핀홀(40)이 형성되는 홀이 형성될 수 있을 것이다. The heater plate 10 has a circular plate shape, and a hole in which the support member 50 is fixed and a hole in which the pinhole 40 is formed may be formed.

다만, 본 발명의 일실시예에서, 히터 플레이트(10)의 재질이 세라믹 재질에 한정되는 것은 아니며 웨이퍼를 가열할 수 있는 다양한 재질로 구성될 수 있을 것이다.However, in an embodiment of the present invention, the material of the heater plate 10 is not limited to a ceramic material, and may be made of various materials capable of heating a wafer.

열전달 플레이트(20)는 금속재질로서, 히터 플레이트(10)의 열을 처리대상물(W)로 전달하기 위한 것으로서, 예를 들어 알미늄 재질일 수 있다. The heat transfer plate 20 is a metal material and is for transferring heat from the heater plate 10 to the object to be treated W, and may be, for example, an aluminum material.

도 3은 도 1의 열전달 플레이트의 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of the heat transfer plate of FIG. 1.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트(20)는 일정한 각도의 삼각홈(21)이 일정 간격으로 형성되며, 삼각홈(21)은 동심원 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 열전달 플레이트(20)를 상부에서 보면, 동심원 형상으로 단면이 삼각형인 복수의 삼각홈(21)이 형성되어 있을 수 있다.As shown in the drawing, the heat transfer plate 20 according to an embodiment of the present invention has triangular grooves 21 having a predetermined angle at regular intervals, and the triangular groove 21 may be formed in a concentric circle shape. That is, when the heat transfer plate 20 is viewed from above, a plurality of triangular grooves 21 having a concentric circle shape and a triangular cross section may be formed.

삼각홈(21)은 소정의 각도를 이루도록 구성될 수 있고, 삼각홈(21)의 상부의 크기가 일정 크기일 수 있다. 즉, 예를 들어, 삼각홈(21)이 이루는 패턴각도 θ는 약 80 내지 90도일 수 있으며, 삼각홈(21)의 상부의 크기 R은 약 0.01 내지 0.05 mm일 수 있다. The triangular groove 21 may be configured to form a predetermined angle, and the size of the upper portion of the triangular groove 21 may be a predetermined size. That is, for example, the pattern angle θ formed by the triangular groove 21 may be about 80 to 90 degrees, and the size R of the upper portion of the triangular groove 21 may be about 0.01 to 0.05 mm.

또한, 인접하는 삼각홈(21)은 일정 간격을 사이에 두고 형성될 수 있는데, 예를 들어 인접하는 삼각홈(21)간의 패턴간격 d1은 약 0.03 내지 0.3 mm일 수 있고, 인접하는 삼각홈(21) 사이의 직선구간의 길이 d2는 약 0.09 내지 0.30 mm일 수 있다. 또한, 삼각홈(21)의 패턴의 깊이 h는 약 0.01 내지 0.15 mm일 수 있다.In addition, adjacent triangular grooves 21 may be formed with a predetermined interval therebetween, for example, the pattern spacing d1 between adjacent triangular grooves 21 may be about 0.03 to 0.3 mm, and adjacent triangular grooves ( 21) The length d2 of the straight section may be about 0.09 to 0.30 mm. In addition, the depth h of the pattern of the triangular groove 21 may be about 0.01 to 0.15 mm.

이러한 열전달 플레이트(20)에 형성되는 복수의 삼각홈(21)은 절삭가공 공정에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어 컴퓨터 수치제어(computer numerical control, CNC) 밀링머신을 이용하여 형성할 수 있을 것이다.The plurality of triangular grooves 21 formed on the heat transfer plate 20 may be formed by a cutting process, and may be formed using, for example, a computer numerical control (CNC) milling machine. .

이와 같이 구성되는 열전달 플레이트(20)의 상부에는 산화막(30)이 형성될 수 있다. 산화막(30)은 열전달 플레이트(20)를 어노다이징(anodizing)하여 생성할 수 있을 것이다. An oxide film 30 may be formed on the heat transfer plate 20 configured as described above. The oxide film 30 may be generated by anodizing the heat transfer plate 20.

또한, 열전달 플레이트(20)의 상부의 패턴에 의해, 산화막(30)도 열전달 플레이트(20)의 상부 패턴 형상으로 형성될 수 있을 것이다.In addition, the oxide film 30 may also be formed in the shape of an upper pattern of the heat transfer plate 20 by the pattern on the upper portion of the heat transfer plate 20.

이와 같이 형성되는 삼각홈(21)으로 이루어지는 열전달 플레이트(20)의 패턴은, 상부에 생성되는 산화막(30)와 열전달 플레이트(20)의 모재간 결합력을 높일 수 있다.The pattern of the heat transfer plate 20 made of the triangular grooves 21 formed as described above can increase the bonding force between the oxide film 30 and the heat transfer plate 20 formed thereon.

또한, 일정한 간격으로 형성되는 동심원 형상의 삼각홈(21)은 열팽창시 전도열이 표면에 고르게 퍼지도록 할 수 있으며, 온도의 상승 또는 하강시에도 열전달 플레이트(20)의 평탄도의 변형없이 원형을 유지할 수 있게 한다. In addition, the triangular grooves 21 in the shape of a concentric circle formed at regular intervals can allow the conductive heat to spread evenly on the surface during thermal expansion, and maintain a circular shape without deforming the flatness of the heat transfer plate 20 even when the temperature rises or falls. Make it possible.

이러한 구조의 열전달 플레이트(20)는 고른 열전도도를 가지고, 고온으로 사용하여도 산화막(30)에 크랙이 발생하지 않으므로, 웨이퍼(W)의 수율향상에 기여할 수 있다.The heat transfer plate 20 having such a structure has an even thermal conductivity and does not cause cracks in the oxide film 30 even when used at a high temperature, thereby contributing to an improvement in the yield of the wafer W.

도 4는 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트의 제작방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 5a 내지 도 5c는 열전달 플레이트의 제작방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5a 내지 도 5c가 개략적으로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위한 것임은 본 발명이 속하는 기술분야에서 자명하다 할 것이다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a heat transfer plate according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heat transfer plate. 5A to 5C are schematically illustrated, but it will be apparent in the technical field to which the present invention pertains that this is for convenience of description.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트의 제작방법은, 열전달 플레이트(20)의 모재를 준비하고, 이에 대한 형상가공을 수행할 수 있다(S10). 도 5a는 열전달 플레이트(20)의 모재에 대한 형상가공을 수행한 플레이트(22)의 단면도이다. As shown in the drawing, in the method of manufacturing a heat transfer plate according to an embodiment of the present invention, a base material of the heat transfer plate 20 may be prepared and shape processing may be performed (S10). 5A is a cross-sectional view of a plate 22 in which shape processing is performed on the base material of the heat transfer plate 20.

이때 플레이트(22)는 아래에 배치되는 히터 플레이트(10)의 형상에 대응하도록 소정 두께의 원기둥 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 MCT 가공에 의해 형성될 수 있다.At this time, the plate 22 may be formed in a cylindrical shape having a predetermined thickness to correspond to the shape of the heater plate 10 disposed below, and may be formed by, for example, MCT processing.

이후, CNC 밀링가공에 의해 플레이트(22)의 상부에 단면이 삼각홈인 복수의 동심원 형상의 패턴을 형성하여 열전달 플레이트(20)를 형성할 수 있다(S20). 도 5b는 패턴이 형성된 열전달 플레이트(20)의 단면도이다. 이때 지지부재(50)의 관통을 위한 홀(51)과 핀홀(40)의 형성을 위한 홀(41)이 형성될 수 있다.Thereafter, the heat transfer plate 20 may be formed by forming a plurality of concentric circular patterns having triangular grooves on the top of the plate 22 by CNC milling (S20). 5B is a cross-sectional view of the patterned heat transfer plate 20. At this time, a hole 51 for penetrating the support member 50 and a hole 41 for forming the pinhole 40 may be formed.

이후, 밀링가공에 의해 부착된 스머트(smut)를 제거하는 등의 전처리를 수행하고(S30), 산화막(30)의 형성을 위해 어노다이징을 수행할 수 있다(S40). 어노다이징은, 가공이 완료된 열전달 플레이트(20)를 소정 용액에 넣고 전류를 흐르게 하여 플레이트(20)의 표면에 내식성의 산화막(30)이 형성되게 하는 공정이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려진 바와 같으므로, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다. 도 5c는 어노다이징 공정에 의해 산화막(30)이 열전달 플레이트(20)의 상부에 형성된 것을 나타낸 것이다. Thereafter, pre-treatment such as removing smut adhered by milling may be performed (S30), and anodizing may be performed to form the oxide film 30 (S40). Anodizing is a process in which the processed heat transfer plate 20 is placed in a predetermined solution and a current flows to form a corrosion-resistant oxide film 30 on the surface of the plate 20, and is widely used in the technical field to which the present invention belongs. As it is known, its detailed description will be omitted. 5C shows that the oxide film 30 is formed on the heat transfer plate 20 by an anodizing process.

이후, 실링 등 후처리(S50)에 의해 본 발명의 일실시예의 열전달 플레이트가 완성될 수 있다.Thereafter, the heat transfer plate according to an embodiment of the present invention may be completed by post-treatment (S50) such as sealing.

실험예1Experimental Example 1

패턴pattern 각도Angle 간격 d1Spacing d1 직선구간 d2Straight section d2 깊이 hDepth h 결과result 비고Remark 1One 일자형Straight 6565 0.250.25 0.30.3 0.10.1 NGNG 에이징 100도Aging 100 degrees 22 일자형Straight 8585 0.250.25 0.30.3 0.10.1 NGNG 에이징 100도Aging 100 degrees 33 일자형Straight 6565 0.150.15 0.30.3 0.10.1 NGNG 에이징 150도Aging 150 degrees 44 일자형Straight 8585 0.150.15 0.30.3 0.10.1 NGNG 에이징 150도Aging 150 degrees 55 일자형Straight 6565 0.250.25 0.150.15 0.10.1 NGNG 에이징 100도Aging 100 degrees 66 일자형Straight 8585 0.250.25 0.150.15 0.10.1 NGNG 에이징 100도Aging 100 degrees 77 일자형Straight 6565 0.250.25 0.30.3 0.150.15 NGNG 에이징 150도Aging 150 degrees 88 일자형Straight 8585 0.250.25 0.30.3 0.150.15 NGNG 에이징 150도Aging 150 degrees 99 동심원Concentric circles 6565 0.250.25 0.30.3 0.10.1 NGNG 산화막이상 의심Suspected oxide 1010 동심원Concentric circles 8585 0.250.25 0.30.3 0.10.1 OKOK 에이징 200도Aging 200 degrees 1111 동심원Concentric circles 6565 0.150.15 0.30.3 0.10.1 NGNG 에이징 200도Aging 200 degrees 1212 동심원Concentric circles 8585 0.150.15 0.30.3 0.10.1 OKOK 에이징 200도Aging 200 degrees 1313 동심원Concentric circles 6565 0.250.25 0.150.15 0.10.1 NGNG 에이징 200도Aging 200 degrees 1414 동심원Concentric circles 8585 0.250.25 0.150.15 0.10.1 NGNG 산화막이상
의심Oxide film abnormality
suspicion 1515 동심원Concentric circles 6565 0.250.25 0.30.3 0.150.15 OKOK 에이징 200도Aging 200 degrees 1616 동심원Concentric circles 8585 0.250.25 0.30.3 0.150.15 OKOK 에이징 200도Aging 200 degrees

위 표는 삼각홈(21)을 플레이트에 일자형으로 형성한 경우(1~8)와, 동심원(9~16)으로 형성한 경우 각각의 패턴각도, 삼각홈 사이의 간격 d1, 직선구간의 길이 d2, 깊이 h를 달리하여, 열전달 플레이트(20)의 온도가 균일한지, 및 온도의 상승시 평탄도의 변형없이 원형유지가 가능한지를 확인한 것이다. 테스트 조건은 100도에서 30분 에이징(aging)하고, 150도에서 30분 에이징하고, 200도에서 1시간 에이징한 결과이다.The table above shows the case where the triangular groove (21) is formed in a straight shape on the plate (1-8), and when formed with a concentric circle (9-16), each pattern angle, the distance d1 between the triangular grooves, the length of the straight section d2 , By varying the depth h, it was confirmed whether the temperature of the heat transfer plate 20 is uniform, and whether it is possible to maintain a circular shape without deforming the flatness when the temperature is increased. The test conditions are the results of aging at 100 degrees for 30 minutes, aging at 150 degrees for 30 minutes, and aging at 200 degrees for 1 hour.

1 내지 8의 실험예를 참고로 하면, 일자형으로 삼각홈을 형성한 경우에는 에이징 온도가 200까지 올라가기 전에 온도 및 원형유지가 불가능하였음을 알 수 있다.Referring to Experimental Examples 1 to 8, it can be seen that in the case of forming a triangular groove in a straight shape, it was impossible to maintain the temperature and circularity before the aging temperature rose to 200.

9 내지 16의 실험예를 참고로 하면, 본 발명의 일실시예와 같이 삼각홈(21)을 동심원 형상으로 형성하는 경우, 일자형보다 더 높은 성공율을 보이며, 열전달 플레이트(20)의 패턴의 형상이 산화막(30)의 공정에도 영향을 주는 것을 알 수 있다. Referring to the experimental examples 9 to 16, when forming the triangular groove 21 in a concentric circle shape as in the embodiment of the present invention, it shows a higher success rate than that of the straight, and the shape of the pattern of the heat transfer plate 20 is It can be seen that the process of the oxide film 30 is also affected.

위와 같은 실험을 통해 최적의 조건이 결정되었으며, 그 범위는 아래와 같다.The optimum conditions were determined through the above experiment, and the range is as follows.

- 삼각홈(21)이 이루는 패턴각도 θ: 약 80 내지 90도-Pattern angle θ formed by the triangular groove 21: about 80 to 90 degrees

- 삼각홈(21)의 상부의 크기 R: 약 0.01 내지 0.05 mm-Size R of the upper part of the triangular groove 21: about 0.01 to 0.05 mm

- 인접하는 삼각홈(21) 간의 패턴간격 d1: 약 0.03 내지 0.3 mm-Pattern spacing d1 between adjacent triangular grooves 21: about 0.03 to 0.3 mm

- 인접하는 삼각홈(21) 사이의 직선구간의 길이 d2: 약 0.09 내지 0.30 mm-Length d2 of the straight section between adjacent triangular grooves 21: about 0.09 to 0.30 mm

- 삼각홈(21)의 패턴의 깊이 h: 약 0.01 내지 0.15 mm-Depth h of the pattern of the triangular groove 21: about 0.01 to 0.15 mm

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the embodiments according to the present invention have been described above, these are only exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent ranges of embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the following claims.

10: 히터 플레이트
20: 열전달 플레이트
30: 산화막10: heater plate
20: heat transfer plate
30: oxide film

Claims (7)

열을 발생하는 히터 플레이트;
상기 히터 플레이트의 상부에서, 상면에 일정 간격으로 배치되는 동심원 형상의 복수의 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 단면은 삼각홈 형상인 열전달 플레이트; 및
상기 열전달 플레이트의 상부에 형성되는 산화막을 포함하되,
상기 열전달 플레이트의 삼각홈이 이루는 각도는 80 내지 90도이고,
상기 열전달 플레이트의 삼각홈의 상부의 크기는 0.01 내지 0.05 mm이며,
상기 열전달 플레이트에서 인접하는 삼각홈 사이의 패턴간격은 0.03 내지 0.3 mm인 기판 가열장치.
A heater plate generating heat;
A heat transfer plate having a plurality of concentric circular patterns disposed on an upper surface of the heater plate at regular intervals, and a cross section of the pattern having a triangular groove shape; And
Including an oxide film formed on the upper portion of the heat transfer plate,
The angle formed by the triangular groove of the heat transfer plate is 80 to 90 degrees,
The size of the upper portion of the triangular groove of the heat transfer plate is 0.01 to 0.05 mm,
A substrate heating apparatus in which a pattern spacing between adjacent triangular grooves in the heat transfer plate is 0.03 to 0.3 mm.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 열전달 플레이트에서 인접하는 삼각홈 사이의 직선구간의 길이는, 0.09 내지 0.30 mm인 기판 가열장치.
The method of claim 1,
The length of the straight section between adjacent triangular grooves in the heat transfer plate is 0.09 to 0.30 mm.
 제1항에 있어서,
상기 열전달 플레이트의 삼각홈의 깊이는, 0.01 내지 0.15 mm인 기판 가열장치.
The method of claim 1,
The depth of the triangular groove of the heat transfer plate, a substrate heating apparatus of 0.01 to 0.15 mm.
 삭제delete
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