JP6695204B2

JP6695204B2 - Holding device

Info

Publication number: JP6695204B2
Application number: JP2016082611A
Authority: JP
Inventors: 育丈堀田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2016-04-18
Filing date: 2016-04-18
Publication date: 2020-05-20
Anticipated expiration: 2036-04-18
Also published as: JP2017195214A

Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。 The technique disclosed in the present specification relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体製造装置において、ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、例えば、板状のセラミックス板と、セラミックス板の内部に設けられた吸着電極とを備えており、吸着電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。 For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, an electrostatic chuck is used as a holding device that holds a wafer. The electrostatic chuck includes, for example, a plate-shaped ceramics plate and an adsorption electrode provided inside the ceramics plate, and utilizes electrostatic attraction generated by applying a voltage to the adsorption electrode, The wafer is adsorbed and held on the surface of the ceramic plate (hereinafter referred to as “adsorption surface”).

静電チャックに保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング、露光等）の精度が低下するため、静電チャックにはウェハの温度分布を均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックのセラミックス板の内部には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極が設けられ、ヒータ電極による加熱によってセラミックス板の吸着面の温度制御が行われる（例えば、特許文献１参照）。 If the temperature distribution of the wafer held by the electrostatic chuck becomes non-uniform, the accuracy of each process (film formation, etching, exposure, etc.) on the wafer decreases, so that the electrostatic chuck has a uniform temperature distribution of the wafer. Performance is required. Therefore, a heater electrode formed of a resistance heating element is provided inside the ceramic plate of the electrostatic chuck, and the temperature of the adsorption surface of the ceramic plate is controlled by heating with the heater electrode (see, for example, Patent Document 1). ..

登録実用新案第３１８２１２０号公報Registered utility model No. 3182120

セラミックス板の内部におけるヒータ電極は、パターン幅や離隔距離等の制約の関係上、吸着面に平行な方向に全面的に配置することはできない。すなわち、吸着面に平行な方向において、ヒータ電極の一部分とヒータ電極の他の一部分との間には、ヒータ電極が配置されていない領域が存在する。そのため、セラミックス板の吸着面において、ヒータ電極が配置されていない領域の直上の領域の温度が、ヒータ電極の直上の領域の温度より低くなり、その結果、セラミックス板の吸着面の温度分布の均一性が十分に高くならず、ひいてはウェハの温度分布の均一性が十分に高くならないという問題がある。 The heater electrodes inside the ceramic plate cannot be entirely arranged in the direction parallel to the suction surface due to the restrictions such as the pattern width and the separation distance. That is, in the direction parallel to the adsorption surface, there is a region where the heater electrode is not arranged between a part of the heater electrode and another part of the heater electrode. Therefore, on the adsorption surface of the ceramic plate, the temperature of the area directly above the area where the heater electrode is not arranged becomes lower than the temperature of the area immediately above the heater electrode, and as a result, the temperature distribution on the adsorption surface of the ceramic plate becomes uniform. There is a problem in that the uniformity is not sufficiently high, and the uniformity of the temperature distribution of the wafer is not sufficiently high.

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、第１の表面を有する絶縁体板と該絶縁体板の内部に配置されたヒータ電極とを備え、絶縁体板の第１の表面の上方において対象物を保持する保持装置に共通の課題である。 Note that such a problem is not limited to an electrostatic chuck that holds a wafer by using electrostatic attraction, and an insulator plate having a first surface and a heater electrode arranged inside the insulator plate. It is a problem common to the holding device that is provided and holds the object above the first surface of the insulator plate.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。 The technology disclosed in the present specification can be implemented, for example, in the following modes.

（１）本明細書に開示される保持装置は、所定の絶縁材料により形成され、第１の表面を有する板状の絶縁体板と、前記絶縁体板の内部に配置され、抵抗発熱体により形成され、一対の端子に接続されるヒータ電極と、を備え、前記絶縁体板の前記第１の表面の上方において対象物を保持する保持装置において、さらに、前記第１の表面に平行な方向において前記ヒータ電極の一部分と前記ヒータ電極の他の一部分との間に配置され、前記所定の絶縁材料より熱伝導率の高い所定の材料により形成され、１つの端子に接続される、または、端子に接続されないダミー部を備える。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面（対象物を保持する面）に平行な方向において、ヒータ電極の一部分とヒータ電極の他の一部分との間に、絶縁体板の形成材料より熱伝導率の高い材料により形成されたダミー部が配置されるため、そのようなダミー部が配置されない構成と比較して、第１の表面に平行な方向の伝熱性を向上させることができ、その結果、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。さらに、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することを抑制することができる。 (1) The holding device disclosed in the present specification is formed of a predetermined insulating material, has a plate-shaped insulator plate having a first surface, and is disposed inside the insulator plate, and has a resistance heating element. And a heater electrode connected to the pair of terminals, the holding device holding an object above the first surface of the insulator plate, and a direction parallel to the first surface. At a portion between the heater electrode and the other portion of the heater electrode, formed of a predetermined material having a higher thermal conductivity than the predetermined insulating material, and connected to one terminal, or A dummy part that is not connected to. According to the present holding device, the insulator plate is formed between the part of the heater electrode and the other part of the heater electrode in the direction parallel to the first surface (the surface holding the object) of the insulator plate. Since the dummy part formed of a material having a higher thermal conductivity than the material is arranged, it is possible to improve the heat transfer property in the direction parallel to the first surface, as compared with a configuration in which such a dummy part is not arranged. As a result, the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the insulator plate can be improved. Furthermore, it is possible to suppress the occurrence of irregularities corresponding to the shape of the heater electrode on the first surface of the insulator plate.

（２）上記保持装置において、前記所定の材料は、前記抵抗発熱体と同材料である構成としてもよい。本保持装置によれば、ダミー部をヒータ電極と一括して形成することができるため、製造工程の効率化を実現することができる。 (2) In the holding device, the predetermined material may be the same material as the resistance heating element. According to this holding device, since the dummy part can be formed together with the heater electrode, the efficiency of the manufacturing process can be realized.

（３）上記保持装置において、前記所定の材料は、前記抵抗発熱体より熱伝導率の高い材料である構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面に平行な方向の伝熱性をより効果的に向上させることができ、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性をより効果的に向上させることができる。 (3) In the holding device, the predetermined material may have a higher thermal conductivity than the resistance heating element. According to the present holding device, the heat transfer property in the direction parallel to the first surface can be improved more effectively, and the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the insulator plate can be improved more effectively. be able to.

（４）上記保持装置において、第１の前記ヒータ電極と、前記第１のヒータ電極に接続される前記一対の端子とは異なる前記一対の端子に接続される第２の前記ヒータ電極とを備え、前記ダミー部は、前記第１の表面に平行な方向において、前記第１のヒータ電極の一部分と前記第１のヒータ電極の他の一部分との間に配置され、かつ、前記第１のヒータ電極と前記第２のヒータ電極との間には配置されない構成としてもよい。本保持装置によれば、第１のヒータ電極により温度制御されるゾーンと第２のヒータ電極により温度制御されるゾーンとの間の熱の独立性が低下することを抑制しつつ、各ゾーン内において第１の表面に平行な方向の伝熱性を向上させることができる。 (4) The holding device includes a first heater electrode and a second heater electrode connected to the pair of terminals different from the pair of terminals connected to the first heater electrode. The dummy portion is arranged between a portion of the first heater electrode and another portion of the first heater electrode in a direction parallel to the first surface, and the first heater The configuration may be such that it is not arranged between the electrode and the second heater electrode. According to this holding device, it is possible to prevent the heat independence between the zone whose temperature is controlled by the first heater electrode and the zone whose temperature is controlled by the second heater electrode from decreasing, and In, the heat conductivity in the direction parallel to the first surface can be improved.

（５）上記保持装置において、前記ヒータ電極および前記ダミー部は、前記第１の表面に直交する方向視で線状のパターンであり、前記ダミー部の線幅は、前記ヒータ電極の線幅より太い構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面に平行な方向の伝熱性をより効果的に向上させることができ、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。 (5) In the above holding device, the heater electrode and the dummy portion are linear patterns when viewed in a direction orthogonal to the first surface, and the line width of the dummy portion is larger than the line width of the heater electrode. It may be thick. According to this holding device, the heat transfer property in the direction parallel to the first surface can be more effectively improved, and the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the insulator plate can be improved.

（６）上記保持装置において、前記第１の表面に直交する方向において、前記ダミー部の厚さは、前記ヒータ電極の厚さと略同一である構成としてもよい。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することをより効果的に抑制することができる。 (6) In the holding device, the thickness of the dummy portion may be substantially the same as the thickness of the heater electrode in the direction orthogonal to the first surface. According to this holding device, it is possible to more effectively suppress the occurrence of unevenness corresponding to the shape of the heater electrode on the first surface of the insulator plate.

（７）上記保持装置において、さらに、前記絶縁体板の内部における前記ヒータ電極および前記ダミー部と前記第１の表面との間に配置され、静電引力を発生させる吸着電極を備えることを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することを抑制することができ、その結果、ヒータ電極から第１の表面までの距離（絶縁体の厚さ）の均一性を向上させ、静電引力による対象物の保持力の均一性を向上させることができる。 (7) The holding device further includes an attraction electrode disposed between the heater electrode and the dummy portion inside the insulator plate and the first surface to generate an electrostatic attraction. It may be configured as. According to this holding device, it is possible to suppress the occurrence of irregularities corresponding to the shape of the heater electrode on the first surface of the insulator plate, and as a result, the distance from the heater electrode to the first surface (insulation The uniformity of the body thickness) can be improved, and the uniformity of the holding force of the object due to the electrostatic attraction can be improved.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ヒータ、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。 It should be noted that the technology disclosed in this specification can be realized in various forms, for example, in the form of a holding device, an electrostatic chuck, a heater, a vacuum chuck, a manufacturing method thereof, or the like. It is possible.

本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the external appearance structure of the electrostatic chuck 100 in this embodiment. 本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XZ cross-section structure of the electrostatic chuck 100 in this embodiment. 本実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XY cross-section structure of the electrostatic chuck 100 in this embodiment. 本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart showing a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. 本実施形態の静電チャック１００における伝熱の様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the mode of heat transfer in the electrostatic chuck 100 of this embodiment. 比較例の静電チャック１００ｘにおける伝熱の様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the mode of heat transfer in the electrostatic chuck 100x of a comparative example.

Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、本実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１００のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図４以降についても同様である。 A. Embodiment:
A-1. Structure of the electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of an electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an XZ sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. 3A and 3B are explanatory views schematically showing the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 in this embodiment. 2 shows an XZ sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at a position II-II in FIG. 3, and FIG. 3 shows an XY sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at a position III-III in FIG. It is shown. In each drawing, XYZ axes which are orthogonal to each other for specifying the directions are shown. In the present specification, for convenience, the Z-axis positive direction is referred to as the upward direction and the Z-axis negative direction is referred to as the downward direction, but the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such an orientation. May be done. The same applies to FIG. 4 and subsequent figures.

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１０およびベース板２０を備える。セラミックス板１０とベース板２０とは、セラミックス板１０の下面（以下、「セラミックス側接合面Ｓ２」という）とベース板２０の上面（以下、「ベース側接合面Ｓ３」という）とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック１００は、さらに、セラミックス板１０のセラミックス側接合面Ｓ２とベース板２０のベース側接合面Ｓ３との間に配置された接合層３０を備える。 The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used to fix the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, for example. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic plate 10 and a base plate 20 that are arranged side by side in a predetermined array direction (the vertical direction (Z-axis direction in this embodiment)). The ceramic plate 10 and the base plate 20 are arranged such that the lower surface of the ceramic plate 10 (hereinafter referred to as “ceramics-side joint surface S2”) and the upper surface of the base plate 20 (hereinafter referred to as “base-side joint surface S3”) are in the arrangement direction. Are arranged to face each other. The electrostatic chuck 100 further includes a bonding layer 30 disposed between the ceramic-side bonding surface S2 of the ceramic plate 10 and the base-side bonding surface S3 of the base plate 20.

セラミックス板１０は、例えば円形平面の板状部材であり、絶縁材料であるセラミックスにより形成されている。セラミックス板１０の直径は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１０の厚さは、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。セラミックス板１０は、絶縁体板の一例である。 The ceramic plate 10 is, for example, a circular flat plate-shaped member, and is made of ceramics which is an insulating material. The diameter of the ceramic plate 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic plate 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm. The ceramic plate 10 is an example of an insulator plate.

セラミックス板１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。 Various ceramics may be used as the material for forming the ceramic plate 10, but from the viewpoint of strength, wear resistance, plasma resistance, etc., for example, ceramics containing aluminum oxide (alumina, Al ₂ O ₃ ) as a main component. Is preferably used. The term "main component" as used herein means a component having the largest content ratio (weight ratio).

セラミックス板１０の内部には、例えば、タングステンを含む導電性材料により形成された一対の吸着電極４０が設けられている。一対の吸着電極４０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１０の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス板１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。 Inside the ceramic plate 10, for example, a pair of adsorption electrodes 40 made of a conductive material containing tungsten are provided. When a voltage is applied to the pair of adsorption electrodes 40 from a power source (not shown), an electrostatic attractive force is generated, and the electrostatic attraction causes the wafer W to be on the upper surface of the ceramic plate 10 (hereinafter, referred to as "adsorption surface S1"). Is fixed by adsorption. The suction surface S1 of the ceramic plate 10 corresponds to the first surface in the claims.

また、セラミックス板１０の内部には、例えば、タングステンを含む導電性材料からなる抵抗発熱体により形成された第１および第２のヒータ電極５１，５２が設けられている。以下の説明では、第１および第２のヒータ電極５１，５２を、まとめて単にヒータ電極５１，５２ともいう。ヒータ電極５１，５２のそれぞれに接続された端子５３，５４に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５１，５２が発熱することによってセラミックス板１０が温められ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。ヒータ電極５１，５２の構成については、後に詳述する。 Further, inside the ceramic plate 10, for example, first and second heater electrodes 51 and 52 formed of a resistance heating element made of a conductive material containing tungsten are provided. In the following description, the first and second heater electrodes 51 and 52 are also collectively referred to simply as heater electrodes 51 and 52. When a voltage is applied to the terminals 53 and 54 connected to the heater electrodes 51 and 52 from a power supply (not shown), the heater electrodes 51 and 52 generate heat to heat the ceramic plate 10 and the ceramic plate 10. The wafer W held on the suction surface S1 of is heated. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized. The structure of the heater electrodes 51 and 52 will be described in detail later.

また、セラミックス板１０の内部には、第１および第２のダミー部６１，６２が設けられている。以下の説明では、第１および第２のダミー部６１，６２を、まとめて単にダミー部６１，６２ともいう。ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２と類似の構成を有するが、いずれの端子にも接続されていない。そのため、ダミー部６１，６２には電圧は印加されず、ダミー部６１，６２は発熱しない。ダミー部６１，６２は、セラミックス板１０の形成材料（例えばアルミナを主成分とするセラミックス）より熱伝導率の高い材料により形成されている。本実施形態では、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料（例えばタングステンを含む導電性材料）により形成されている。ダミー部６１，６２の構成については、後に詳述する。 Further, inside the ceramic plate 10, first and second dummy parts 61 and 62 are provided. In the following description, the first and second dummy parts 61 and 62 are also collectively referred to simply as dummy parts 61 and 62. The dummy parts 61 and 62 have a similar structure to the heater electrodes 51 and 52, but are not connected to any terminals. Therefore, no voltage is applied to the dummy parts 61 and 62, and the dummy parts 61 and 62 do not generate heat. The dummy parts 61 and 62 are formed of a material having a higher thermal conductivity than the material forming the ceramic plate 10 (for example, ceramics containing alumina as a main component). In the present embodiment, the dummy parts 61 and 62 are made of the same material as the heater electrodes 51 and 52 (for example, a conductive material containing tungsten). The configuration of the dummy parts 61 and 62 will be described later in detail.

ベース板２０は、例えばセラミックス板１０と同径の、または、セラミックス板１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース板２０の直径は、例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、ベース板２０の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。 The base plate 20 is, for example, a circular flat plate member having the same diameter as the ceramics plate 10 or a diameter larger than that of the ceramics plate 10, and is formed of, for example, metal (aluminum, aluminum alloy, or the like). The diameter of the base plate 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually about 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base plate 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース板２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素化液や水等）が流されると、ベース板２０が冷却され、接合層３０を介したベース板２０とセラミックス板１０との間の伝熱によりセラミックス板１０が冷却され、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。 A coolant passage 21 is formed inside the base plate 20. When a coolant (for example, a fluorinated liquid or water) is flown into the coolant flow passage 21, the base plate 20 is cooled, and heat is transferred between the base plate 20 and the ceramic plate 10 via the bonding layer 30 to form the ceramic plate. 10 is cooled, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is cooled. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized.

接合層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を含んでおり、セラミックス板１０とベース板２０とを接合している。接合層３０の厚さは例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。 The bonding layer 30 contains an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin, and bonds the ceramic plate 10 and the base plate 20. The thickness of the bonding layer 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

Ａ−２．ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２の詳細構成：
図３に示すように、ヒータ電極５１，５２の上下方向視の形状（パターン）は、らせん状の線状形状である。第１のヒータ電極５１は、上述した電圧が印加される一対の端子５３に接続されており、第２のヒータ電極５２は、上述した電圧が印加される一対の端子５４（一対の端子５３とは異なる）に接続されている。第１のヒータ電極５１は、セラミックス板１０の比較的外周に近い領域（後述する第１のゾーンＺ１）に配置されており、第１のゾーンＺ１の温度制御を担う。一方、第２のヒータ電極５２は、セラミックス板１０の比較的中心に近い領域（後述する第２のゾーンＺ２）に配置されており、第２のゾーンＺ２の温度制御を担う。 A-2. Detailed structure of the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62:
As shown in FIG. 3, the shape (pattern) of the heater electrodes 51 and 52 as viewed in the vertical direction is a spiral linear shape. The first heater electrode 51 is connected to a pair of terminals 53 to which the above voltage is applied, and the second heater electrode 52 is a pair of terminals 54 to which the above voltage is applied (a pair of terminals 53 and Are different). The first heater electrode 51 is arranged in a region relatively close to the outer periphery of the ceramic plate 10 (first zone Z1 described later) and is responsible for temperature control of the first zone Z1. On the other hand, the second heater electrode 52 is arranged in a region (second zone Z2 described later) relatively close to the center of the ceramic plate 10 and controls the temperature of the second zone Z2.

また、図３に示すように、ダミー部６１，６２の上下方向視の形状（パターン）は、ヒータ電極５１，５２と同様に、らせん状の線状形状である。ただし、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２と異なり、端子に接続されておらず、従って電圧が印加されることはない。 Further, as shown in FIG. 3, the shape (pattern) of the dummy portions 61 and 62 when viewed in the vertical direction is a spiral linear shape, like the heater electrodes 51 and 52. However, unlike the heater electrodes 51 and 52, the dummy parts 61 and 62 are not connected to the terminals, and thus no voltage is applied.

図２および図３に示すように、第１のダミー部６１は、吸着面Ｓ１に平行な方向（以下、「面方向」ともいう）において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に配置される。第１のダミー部６１の線幅は、第１のヒータ電極５１の線幅より太い。同様に、第２のダミー部６２は、面方向において、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に配置される。第２のダミー部６２の線幅は、第２のヒータ電極５２の線幅より太い。なお、面方向において、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間には、ダミー部６１，６２は配置されていない。換言すれば、ダミー部６１，６２は、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間を避けて配置されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, in the first dummy portion 61, a part of the first heater electrode 51 and the first heater are arranged in a direction parallel to the suction surface S1 (hereinafter, also referred to as “plane direction”). It is arranged between the other part of the electrode 51. The line width of the first dummy portion 61 is thicker than the line width of the first heater electrode 51. Similarly, the second dummy part 62 is arranged between a part of the second heater electrode 52 and another part of the second heater electrode 52 in the plane direction. The line width of the second dummy portion 62 is thicker than the line width of the second heater electrode 52. In the plane direction, the dummy parts 61 and 62 are not arranged between the first heater electrode 51 and the second heater electrode 52. In other words, the dummy parts 61 and 62 are arranged so as to avoid the space between the first heater electrode 51 and the second heater electrode 52.

また、図２に示すように、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、上下方向において略同一の位置に配置されており、その位置は、吸着電極４０より下側（吸着面Ｓ１から遠い側）である。換言すると、吸着電極４０は、セラミックス板１０の内部におけるヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２と吸着面Ｓ１との間に配置されている。また、上下方向において、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一である。 Further, as shown in FIG. 2, the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62 are arranged at substantially the same position in the vertical direction, and the position is below the adsorption electrode 40 (from the adsorption surface S1). Far side). In other words, the adsorption electrode 40 is arranged inside the ceramic plate 10 between the heater electrodes 51 and 52 and the dummy portions 61 and 62 and the adsorption surface S1. Further, the thickness of the dummy portion 61 (or 62) is substantially the same as the thickness of the heater electrode 51 (or 52) in the vertical direction.

Ａ−３．静電チャック１００の製造方法：
次に、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を説明する。図４は、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。 A-3. Manufacturing method of the electrostatic chuck 100:
Next, a method of manufacturing the electrostatic chuck 100 according to this embodiment will be described. FIG. 4 is a flowchart showing a method of manufacturing the electrostatic chuck 100 according to this embodiment.

はじめに、例えばアルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを複数準備し、各セラミックスグリーンシートに対して、スルーホールの形成やビア用インクの充填、吸着電極４０の形成のための電極用インクの塗布等の必要な加工を行う（Ｓ１１０）。なお、ビア用インクや電極用インクとしては、例えばアルミナを主成分とするセラミックスグリーンシート用の原料粉末にタングステン粉末を混合してスラリー状としたメタライズインクが用いられる。 First, for example, a plurality of ceramic green sheets containing alumina as a main component are prepared, and through-hole formation, filling of ink for vias, application of electrode ink for forming adsorption electrodes 40, etc. are made on each ceramic green sheet. Necessary processing is performed (S110). As the via ink and the electrode ink, for example, a metallized ink in which a raw material powder for a ceramic green sheet containing alumina as a main component is mixed with a tungsten powder to form a slurry is used.

次に、１つのセラミックスグリーンシート上に、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２用のメタライズインクを、例えばスクリーン印刷によって塗布する（Ｓ１２０）。すなわち、本実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２の形成のためのメタライズインクの塗布が、一括して（同タイミングで）実行される。なお、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２用のメタライズインクとしては、上述したものと同様のメタライズインクが用いられる。 Next, the metallized ink for the heater electrodes 51 and 52 and the dummy parts 61 and 62 is applied onto one ceramic green sheet by, for example, screen printing (S120). That is, in the present embodiment, the application of the metallizing ink for forming the heater electrodes 51 and 52 and the dummy portions 61 and 62 is collectively (at the same timing) performed. As the metallizing ink for the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62, the same metallizing ink as described above is used.

次に、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、この積層体を所定の形状にカットし、還元雰囲気中で焼成する（例えば、１４００〜１８００℃で５時間の焼成を行う）（Ｓ１３０）。この焼成処理により、複数のセラミックスグリーンシートがセラミックス板１０となり、各メタライズインクの層が、吸着電極４０、ヒータ電極５１，５２、ダミー部６１，６２となる。 Next, a plurality of ceramic green sheets are laminated and thermocompression bonded, the laminated body is cut into a predetermined shape, and is fired in a reducing atmosphere (for example, firing is performed at 1400 to 1800 ° C. for 5 hours) (S130). ). By this firing process, the plurality of ceramic green sheets become the ceramic plate 10, and the layers of each metallized ink become the adsorption electrodes 40, the heater electrodes 51, 52, and the dummy parts 61, 62.

次に、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を用いて、セラミックス板１０とベース板２０とを接合する（Ｓ１４０）。これにより、上述した構成の静電チャック１００の製造が完了する。 Next, the ceramic plate 10 and the base plate 20 are bonded together using an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin (S140). This completes the manufacture of the electrostatic chuck 100 having the above-described configuration.

Ａ−４．本実施形態の効果：
上述した構成の本実施形態の静電チャック１００によれば、以下に説明するように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。 A-4. Effects of this embodiment:
According to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment having the above-described configuration, as described below, it is possible to improve the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10.

図５は、本実施形態の静電チャック１００における伝熱の様子を示す説明図であり、図６は、比較例の静電チャック１００ｘにおける伝熱の様子を示す説明図である。図５および図６の上段には、それぞれ、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘにおける図２のＸ１部に対応する部分の断面構成が拡大して示されている。図５および図６の上段では、ヒータ電極５１，５２から発せられた熱が伝わる量（伝熱量）の大きさを矢印の大きさで表現している（矢印が大きいほど伝熱量が大きい）。また、図５および図６の下段には、それぞれ、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘにおける吸着面Ｓ１（ＸＹ平面）の温度分布が、それぞれの図の上段に示す断面構成と対応付けて概念的に示されている。図５および図６の下段では、吸着面Ｓ１の温度をハッチングの濃さで表現している（ハッチングが濃いほど温度が高い）。なお、図５および図６の下段には、ヒータ電極５１，５２やダミー部６１，６２の位置が括弧付きの符号により示されている。 FIG. 5 is an explanatory diagram showing the state of heat transfer in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, and FIG. 6 is an explanatory diagram showing the state of heat transfer in the electrostatic chuck 100x of the comparative example. The upper part of FIGS. 5 and 6 shows enlarged cross-sectional configurations of the portions of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment and the electrostatic chuck 100x of the comparative example, which correspond to the portion X1 in FIG. In the upper part of FIGS. 5 and 6, the amount of heat transmitted from the heater electrodes 51, 52 (heat transfer amount) is represented by the size of the arrow (the larger the arrow, the larger the heat transfer amount). In addition, the temperature distributions of the attraction surface S1 (XY plane) in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment and the electrostatic chuck 100x of the comparative example are shown in the lower part of FIGS. 5 and 6, respectively. It is conceptually shown in association with the cross-sectional structure. In the lower part of FIGS. 5 and 6, the temperature of the suction surface S1 is represented by the darkness of the hatching (the darker the hatching, the higher the temperature). The positions of the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62 are shown in parentheses in the lower part of FIGS. 5 and 6.

図５および図６の上段に示すように、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘでは、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関し、第１および第２のゾーンＺ１，Ｚ２が設定されており、第１のヒータ電極５１が第１のゾーンＺ１の温度制御を担い、第２のヒータ電極５２が第２のゾーンＺ２の温度制御を担う。 As shown in the upper part of FIG. 5 and FIG. 6, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment and the electrostatic chuck 100x of the comparative example, regarding the temperature control of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10, the first and second zones Z1 are provided. , Z2 are set, the first heater electrode 51 is responsible for temperature control of the first zone Z1, and the second heater electrode 52 is responsible for temperature control of the second zone Z2.

ここで、図６の上段に示すように、比較例の静電チャック１００ｘは、ダミー部６１，６２を備えていない。すなわち、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間、および、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間は、セラミックス板１０の形成材料であるセラミックスによって占められている。そのため、比較例の静電チャック１００ｘでは、ヒータ電極５１，５２がセラミックスにより全周囲まれていることとなり、ヒータ電極５１，５２からの発熱は上下方向や面方向に略均等に伝わる。その結果、図６の下段に示すように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ヒータ電極５１，５２の直上の領域の温度が比較的高くなり、ヒータ電極５１，５２が配置されていない領域の直上の領域の温度は比較的低くなり、両者の差が比較的大きくなる。 Here, as shown in the upper part of FIG. 6, the electrostatic chuck 100x of the comparative example does not include the dummy parts 61 and 62. That is, in the plane direction, between the part of the first heater electrode 51 and the other part of the first heater electrode 51, and between the part of the second heater electrode 52 and the other part of the second heater electrode 52. The space between and is occupied by ceramics, which is a material for forming the ceramic plate 10. Therefore, in the electrostatic chuck 100x of the comparative example, the heater electrodes 51 and 52 are completely surrounded by the ceramics, and the heat generated from the heater electrodes 51 and 52 is transferred substantially evenly in the vertical direction and the surface direction. As a result, as shown in the lower part of FIG. 6, in the suction surface S1 of the ceramic plate 10, the temperature of the region directly above the heater electrodes 51 and 52 becomes relatively high, and the temperature of the region where the heater electrodes 51 and 52 are not arranged is large. The temperature in the region immediately above becomes relatively low, and the difference between the two becomes relatively large.

これに対し、図５の上段に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に第１のダミー部６１が配置され、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に第２のダミー部６２が配置されている。ダミー部６１，６２は、セラミックス板１０の形成材料より熱伝導率の高い材料により形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、ヒータ電極５１（または５２）からの発熱が、他の方向と比べて、ダミー部６１（または６２）側に向かう方向に伝わりやすくなる。その結果、図５の下段に示すように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ダミー部６１，６２の直上の領域の温度と、ヒータ電極５１，５２の直上の領域の温度との差は、比較的小さくなる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができ、ひいては、ウェハＷの温度分布の均一性を向上させることができる。 On the other hand, as shown in the upper part of FIG. 5, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, between the part of the first heater electrode 51 and the other part of the first heater electrode 51 in the surface direction. The first dummy part 61 is arranged, and the second dummy part 62 is arranged between a part of the second heater electrode 52 and another part of the second heater electrode 52. The dummy parts 61 and 62 are formed of a material having a higher thermal conductivity than the material forming the ceramic plate 10. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the heat generated from the heater electrode 51 (or 52) is more likely to be transmitted in the direction toward the dummy portion 61 (or 62) side than in other directions. As a result, as shown in the lower part of FIG. 5, on the suction surface S1 of the ceramic plate 10, the difference between the temperature of the regions directly above the dummy parts 61 and 62 and the temperature of the regions immediately above the heater electrodes 51 and 52 is It becomes relatively small. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to improve the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10, and thus to improve the uniformity of the temperature distribution of the wafer W. ..

なお、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させるために、面方向においてヒータ電極５１，５２をより高密度で配置することも考えられるが、パターン幅や離隔距離等の制約の関係上、ヒータ電極５１，５２を全面的に配置することはできず、ヒータ電極５１，５２が配置されない領域をある程度以上確保する必要がある。しかし、本実施形態において用いられるダミー部６１，６２は、電圧が印加されないために配置の制約がほとんどなく、ヒータ電極５１，５２が配置されない領域のほとんどにダミー部６１，６２を配置することができ、その結果、ヒータ電極５１，５２もダミー部６１，６２も配置されない領域を最小化することができ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を大幅に向上させることができる。 In order to improve the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10, it is conceivable to arrange the heater electrodes 51 and 52 in a higher density in the surface direction, but there are restrictions such as pattern width and separation distance. For this reason, the heater electrodes 51 and 52 cannot be arranged on the entire surface, and it is necessary to secure a region where the heater electrodes 51 and 52 are not arranged to some extent or more. However, the dummy parts 61 and 62 used in the present embodiment have almost no restrictions on the arrangement because no voltage is applied, and the dummy parts 61 and 62 may be arranged in most of the regions where the heater electrodes 51 and 52 are not arranged. As a result, the area where neither the heater electrodes 51, 52 nor the dummy parts 61, 62 are arranged can be minimized, and the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 can be greatly improved.

また、本実施形態の静電チャック１００では、ダミー部６１，６２が、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料（例えば、タングステンを含む導電性材料）により形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、ダミー部６１，６２をヒータ電極５１，５２と一括して形成することができるため、製造工程の効率化を実現することができる。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the dummy parts 61 and 62 are formed of the same material as the heater electrodes 51 and 52 (for example, a conductive material containing tungsten). Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the dummy parts 61 and 62 can be formed together with the heater electrodes 51 and 52, so that the efficiency of the manufacturing process can be realized.

また、本実施形態の静電チャック１００は、一対の端子５３に接続される第１のヒータ電極５１と、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子５３とは異なる一対の端子５４に接続される第２のヒータ電極５２とを備え、面方向において第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間にはダミー部は配置されていない（すなわち、ダミー部６１，６２は、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間を避けて配置されている）。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、第１のヒータ電極５１により温度制御される第１のゾーンＺ１と、第２のヒータ電極５２により温度制御される第２のゾーンＺ２との間の熱の独立性が低下することを抑制しつつ、ゾーン毎に吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。 In addition, the electrostatic chuck 100 of the present embodiment has the first heater electrode 51 connected to the pair of terminals 53 and the pair of terminals 54 different from the pair of terminals 53 connected to the first heater electrode 51. The second heater electrode 52 to be connected is provided, and the dummy portion is not arranged between the first heater electrode 51 and the second heater electrode 52 in the plane direction (that is, the dummy portions 61 and 62 are , The first heater electrode 51 and the second heater electrode 52 are arranged apart from each other). Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the first zone Z1 whose temperature is controlled by the first heater electrode 51 and the second zone Z2 whose temperature is controlled by the second heater electrode 52 are provided. It is possible to improve the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 for each zone while suppressing the decrease in heat independence between the zones.

また、本実施形態の静電チャック１００では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、上下方向視で線状のパターンであり、第１および第２のダミー部６１，６２の線幅は、それぞれ、第１および第２のヒータ電極５１，５２の線幅より太い。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、ヒータ電極５１（または５２）の一部分とヒータ電極５１（または５２）の他の一部分との間の伝熱性をより効果的に向上させることができ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性をさらに向上させることができる。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62 have a linear pattern in the vertical direction, and the line widths of the first and second dummy parts 61, 62. Are thicker than the line widths of the first and second heater electrodes 51 and 52, respectively. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the heat conductivity between a part of the heater electrode 51 (or 52) and another part of the heater electrode 51 (or 52) can be more effectively improved. Therefore, it is possible to further improve the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10.

また、本実施形態の静電チャック１００では、ダミー部６１，６２が、上下方向においてヒータ電極５１，５２と略同一の位置に配置されており、ダミー部６１，６２を設けるためにセラミックスグリーンシートの層数を増やす必要がないため、セラミックス板１０の厚さの増加を抑制することができると共に、製造工程の煩雑化を抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the dummy parts 61 and 62 are arranged at substantially the same positions as the heater electrodes 51 and 52 in the vertical direction, and the ceramic green sheet for providing the dummy parts 61 and 62. Since it is not necessary to increase the number of layers, it is possible to suppress an increase in the thickness of the ceramic plate 10 and to prevent the manufacturing process from becoming complicated.

なお、図６の上段に示すように、比較例の静電チャック１００ｘは、ダミー部６１，６２を備えていないため、上述した製造方法に従って複数のセラミックスシートを積層すると、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ヒータ電極５１（または５２）の一部分とヒータ電極５１（または５２）の他の一部分との間に、ヒータ電極５１（または５２）の厚さの分に相当する凹部ＣＰが発生し、吸着面Ｓ１にヒータ電極５１（または５２）の形状に対応する凹凸が発生するおそれがある。また、この場合に、吸着面Ｓ１の平坦性を確保するために吸着面Ｓ１を研磨して新たな吸着面Ｓ１ｘを形成することも考えられるが、このようにすると、誘電体の厚さ（すなわち、吸着電極４０から吸着面Ｓ１ｘまでの距離）に関し、ヒータ電極５１，５２の直上部分の厚さＬ１が、ヒータ電極５１，５２が配置されていない領域の直上部分の厚さＬ２より薄くなり、吸着力のばらつきが発生するため、好ましくない。 As shown in the upper part of FIG. 6, the electrostatic chuck 100x of the comparative example does not include the dummy parts 61 and 62. Therefore, when a plurality of ceramic sheets are stacked according to the above-described manufacturing method, the adsorption surface of the ceramic plate 10 will be described. In S1, a concave portion CP corresponding to the thickness of the heater electrode 51 (or 52) is generated between a portion of the heater electrode 51 (or 52) and another portion of the heater electrode 51 (or 52), Concavities and convexities corresponding to the shape of the heater electrode 51 (or 52) may occur on the adsorption surface S1. Further, in this case, it is conceivable to polish the suction surface S1 to form a new suction surface S1x in order to secure the flatness of the suction surface S1. , The distance from the suction electrode 40 to the suction surface S1x), the thickness L1 of the portions directly above the heater electrodes 51 and 52 becomes smaller than the thickness L2 of the portions directly above the regions where the heater electrodes 51 and 52 are not arranged, It is not preferable because the adsorption force varies.

これに対し、本実施形態の静電チャック１００では、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に第１のダミー部６１が配置され、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に第２のダミー部６２が配置されているため、複数のセラミックスシートを積層してもセラミックス板１０の吸着面Ｓ１において凹部ＣＰが発生することを抑制することができ、その結果、吸着面Ｓ１に凹凸が発生したり、吸着面Ｓ１を研磨することによって吸着力のばらつきが発生したりすることを抑制することができる。 On the other hand, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the first dummy portion 61 is arranged between a part of the first heater electrode 51 and another part of the first heater electrode 51 in the surface direction. Since the second dummy portion 62 is disposed between a part of the second heater electrode 52 and another part of the second heater electrode 52, even if a plurality of ceramic sheets are stacked, It is possible to suppress the occurrence of the concave portion CP on the suction surface S1, and as a result, suppress the occurrence of unevenness on the suction surface S1 and the variation in the suction force due to polishing of the suction surface S1. can do.

なお、本実施形態の静電チャック１００では、上下方向において、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一である。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に凹凸が発生することをより効果的に抑制することができる。 In the electrostatic chuck 100 of this embodiment, the thickness of the dummy part 61 (or 62) is substantially the same as the thickness of the heater electrode 51 (or 52) in the vertical direction. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to more effectively suppress the occurrence of unevenness on the suction surface S1 of the ceramic plate 10.

Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 B. Modification:
The technology disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the gist thereof, for example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ダミー部６１，６２はいずれの端子にも接続されていないとしているが、ダミー部６１，６２がグラウンドに接続される１つの端子に接続されるとしてもよい。いずれにしても、ダミー部６１，６２には電圧は印加されない。 The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the dummy parts 61 and 62 are not connected to any terminal, but the dummy parts 61 and 62 may be connected to one terminal connected to the ground. In any case, no voltage is applied to the dummy parts 61 and 62.

また、上記実施形態では、第１のヒータ電極５１は、一対の端子５３に接続され、第２のヒータ電極５２は、一対の端子５３とは異なる一対の端子５４に接続されているとしているが、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子の一方と第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子の一方とが共用される（同じである）としてもよい。この場合であっても、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子の他方は、第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子の他方とは異なるため、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子は、第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子とは異なると言える。 Further, in the above embodiment, the first heater electrode 51 is connected to the pair of terminals 53, and the second heater electrode 52 is connected to the pair of terminals 54 different from the pair of terminals 53. Alternatively, one of the pair of terminals connected to the first heater electrode 51 and one of the pair of terminals connected to the second heater electrode 52 may be shared (the same). Even in this case, since the other of the pair of terminals connected to the first heater electrode 51 is different from the other of the pair of terminals connected to the second heater electrode 52, the first heater electrode 51 It can be said that the pair of terminals connected to is different from the pair of terminals connected to the second heater electrode 52.

また、上記実施形態では、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関する２つのゾーン（第１および第２のゾーンＺ１，Ｚ２）に対応する２つのヒータ電極（第１および第２のヒータ電極５１，５２）が設けられているが、３つ以上のゾーンに対応する３つ以上のヒータ電極が設けられるとしてもよい。また、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関し、ゾーン分けが行われないとしてもよい。 In the above embodiment, the two heater electrodes (first and second heater electrodes 51) corresponding to the two zones (first and second zones Z1 and Z2) relating to the temperature control of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 are used. , 52) are provided, but three or more heater electrodes corresponding to three or more zones may be provided. Further, regarding the temperature control of the suction surface S1 of the ceramic plate 10, the zone division may not be performed.

また、上記実施形態では、ダミー部６１（または６２）の線幅はヒータ電極５１（または５２）の線幅より太いとしているが、ダミー部６１（または６２）の線幅は、ヒータ電極５１（または５２）の線幅と同じであってもよいし、ヒータ電極５１（または５２）の線幅より細いとしてもよい。また、上記実施形態では、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一であるとしているが、必ずしも両者が略同一である必要はない。 Further, in the above embodiment, the line width of the dummy part 61 (or 62) is larger than the line width of the heater electrode 51 (or 52), but the line width of the dummy part 61 (or 62) is the heater electrode 51 ( Alternatively, the line width may be the same as that of the heater electrode 51 (or 52) or the line width of the heater electrode 51 (or 52). Further, in the above-described embodiment, the thickness of the dummy part 61 (or 62) is substantially the same as the thickness of the heater electrode 51 (or 52), but they do not necessarily have to be substantially the same.

また、上記実施形態では、冷媒流路２１がベース板２０の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１が、ベース板２０の内部ではなく、ベース板２０の表面（例えばベース板２０と接合層３０との間）に形成されるとしてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板１０の内部に一対の吸着電極４０が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス板１０の内部に１つの吸着電極４０が設けられた単極方式が採用されてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the coolant flow path 21 is formed inside the base plate 20, but the coolant flow path 21 is not inside the base plate 20 but on the surface of the base plate 20 (for example, the base plate 20 and the base plate 20). It may be formed between the bonding layer 30). Further, in the above-described embodiment, the bipolar system in which the pair of adsorption electrodes 40 are provided inside the ceramic plate 10 is adopted, but the monopolar system in which one adsorption electrode 40 is provided inside the ceramic plate 10 is adopted. It may be adopted.

また、上記実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで一例であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、上記実施形態では、セラミックス板１０の形成材料として、アルミナを主成分とするセラミックスが用いられているが、他のセラミックス（例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックス等）やセラミックス以外の絶縁材料（例えば、樹脂材料等）が用いられてもよい。 Further, the material forming each member in the above embodiment is merely an example, and each member may be formed of another material. For example, in the above-described embodiment, although ceramics containing alumina as the main component is used as the material for forming the ceramic plate 10, other ceramics (for example, ceramics containing aluminum nitride (AlN) as the main component) or ceramics. An insulating material other than the above (for example, a resin material or the like) may be used.

また、上記実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、タングステンを含む導電性材料により形成されるとしているが、他の導電性材料（例えば、モリブデンを含む導電性材料等）により形成されるとしてもよい。なお、上記実施形態では、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料により形成されているが、ダミー部６１，６２が、ヒータ電極５１，５２の形成材料とは異なる材料により形成されてもよい。この場合には、ダミー部６１，６２の形成材料が、ヒータ電極５１，５２の形成材料より熱伝導率の高い材料であることが好ましい。このような構成とすれば、ヒータ電極５１，５２からの発熱が、ダミー部６１，６２側に向かう方向により伝わりやすくなるため、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性をより効果的に向上させることができる。 In the above embodiment, the heater electrodes 51, 52 and the dummy parts 61, 62 are made of a conductive material containing tungsten, but other conductive materials (for example, a conductive material containing molybdenum). It may be formed by. In the above embodiment, the dummy parts 61 and 62 are formed of the same material as the heater electrodes 51 and 52, but the dummy parts 61 and 62 are different from the material of the heater electrodes 51 and 52. It may be formed of different materials. In this case, it is preferable that the material forming the dummy parts 61 and 62 has a higher thermal conductivity than the material forming the heater electrodes 51 and 52. With such a configuration, the heat generated from the heater electrodes 51 and 52 is more easily transferred in the direction toward the dummy portions 61 and 62, so that the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 is more effective. Can be improved.

また、上記実施形態における静電チャック１００の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２がスクリーン印刷により形成されるとしているが、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２が、メッキにより形成されたり、エッチングのパターンとして形成されたりしてもよい。 Further, the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the heater electrodes 51 and 52 and the dummy portions 61 and 62 are formed by screen printing, but the heater electrodes 51 and 52 and the dummy portions 61 and 62 are formed by plating or etching. It may be formed as a pattern.

また、本発明は、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、絶縁材料により形成された板状の絶縁体板と、絶縁体板の内部に配置され、抵抗発熱体により形成され、一対の端子に接続されるヒータ電極と、を備え、絶縁体板の表面の上方において対象物を保持する保持装置（例えば、真空チャックやヒータ等）にも適用可能である。例えば、本発明は、ポリイミドにより形成されたポリイミド板と、ポリイミド板の内部に配置されたヒータ電極とを備えるヒータにも適用可能である。なお、このようなヒータに適用される場合において、ウェハＷ等の対象物は、ポリイミド板の表面上に保持されるとしてもよいし、ポリイミド板の上方に積層された他の板状部材（例えばセラミックス板）の表面上に保持されるとしてもよい。 Further, the present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 that holds the wafer W by using electrostatic attraction, and a plate-shaped insulator plate formed of an insulating material and a resistor disposed inside the insulator plate. It is also applicable to a holding device (for example, a vacuum chuck or a heater) that includes a heater electrode that is formed of a heating element and that is connected to a pair of terminals and that holds an object above the surface of an insulator plate. .. For example, the present invention can also be applied to a heater including a polyimide plate formed of polyimide and a heater electrode arranged inside the polyimide plate. Note that when applied to such a heater, the object such as the wafer W may be held on the surface of the polyimide plate, or another plate-shaped member (eg, another member) stacked above the polyimide plate (for example, It may be held on the surface of a ceramic plate).

１０：セラミックス板２０：ベース板２１：冷媒流路３０：接合層４０：吸着電極５１：第１のヒータ電極５２：第２のヒータ電極５３：一対の端子５４：一対の端子６１：第１のダミー部６２：第２のダミー部１００：静電チャック 10: Ceramics plate 20: Base plate 21: Refrigerant flow path 30: Bonding layer 40: Adsorption electrode 51: First heater electrode 52: Second heater electrode 53: Pair of terminals 54: Pair of terminals 61: First Dummy part 62: Second dummy part 100: Electrostatic chuck

Claims

A plate-shaped insulator plate formed of a predetermined insulating material and having a first surface;
A heater electrode disposed inside the insulator plate, formed of a resistance heating element, and connected to a pair of terminals,
A holding device for holding an object above the first surface of the insulator plate, further comprising:
Is disposed between a portion of the heater electrode and another portion of the heater electrode in a direction parallel to the first surface, and is formed of a predetermined material having a thermal conductivity higher than that of the predetermined insulating material. With a dummy part that is connected to the terminal or not connected to the terminal ,
The holding device includes a first heater electrode and a second heater electrode connected to the pair of terminals different from the pair of terminals connected to the first heater electrode,
The dummy part is arranged between a part of the first heater electrode and another part of the first heater electrode in a direction parallel to the first surface, and the first heater electrode is provided. And the second heater electrode is not disposed between the holding device and the second heater electrode .

The holding device according to claim 1,
The holding device, wherein the predetermined material is the same material as the resistance heating element.

The holding device according to claim 1,
The holding device, wherein the predetermined material is a material having a higher thermal conductivity than the resistance heating element.

The holding device according to any one of claims 1 to 3 ,
The heater electrode and the dummy portion are linear patterns when viewed in a direction orthogonal to the first surface,
The holding device, wherein the line width of the dummy portion is thicker than the line width of the heater electrode.

The holding device according to any one of claims 1 to 4 ,
The holding device, wherein the thickness of the dummy portion is substantially the same as the thickness of the heater electrode in a direction orthogonal to the first surface.

The holding device according to any one of claims 1 to 5 , further comprising:
A holding device, comprising: a suction electrode disposed inside the insulator plate between the heater electrode and the dummy portion and the first surface to generate an electrostatic attractive force.