KR102184086B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 처리 공간 내에 기판을 지지하는 지지 유닛; 기판을 처리하기 위한 자성 물질을 포함하는 처리액을 기판 상에 공급하는 공급부; 및 기판 상에 공급된 자성 물질을 회전시키기 위한 회전 자기장을 기판 상에 형성하는 회전 자기장 형성부;를 포함한다.A substrate processing apparatus and a substrate processing method are disclosed. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having a processing space therein; A support unit supporting the substrate in the processing space; A supply unit for supplying a processing liquid containing a magnetic material for processing the substrate onto the substrate; And a rotating magnetic field forming unit that forms a rotating magnetic field on the substrate for rotating the magnetic material supplied on the substrate.

Figure R1020180058131
Figure R1020180058131

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼과 같은 처리액(약액)을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미칼 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 건조 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. 종래의 세정 방법은 기판 상의 파티클에 강한 물리적 충격을 가하지 못하기 때문에, 기판에 부착된 파티클 중 일부가 제거되지 않은채 기판에 잔류하는 문제가 있다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great influence on the characteristics and production yield of semiconductor devices. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed in steps before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, the cleaning of the substrate is a chemical treatment process that removes metallic foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate using a treatment liquid (chemical solution) such as a chemical, and the chemical remaining on the substrate is removed using pure water. A rinsing step to perform and a drying step of drying the substrate using a drying gas or the like. Since the conventional cleaning method does not apply a strong physical impact to the particles on the substrate, there is a problem in that some of the particles attached to the substrate remain on the substrate without being removed.

본 발명은 회전 자기장에 의해 자성 물질을 회전시켜 물리적 충격에 의해 파티클을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing particles by physical impact by rotating a magnetic material by a rotating magnetic field.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 기판을 처리하기 위한 자성 물질을 포함하는 처리액을 상기 기판 상에 공급하는 처리액 공급부; 및 상기 기판 상에 공급된 자성 물질을 회전시키기 위한 회전 자기장을 상기 기판 상에 형성하는 회전 자기장 형성부;를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes a process chamber having a processing space therein; A support unit supporting a substrate in the processing space; A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid containing a magnetic material for processing the substrate onto the substrate; And a rotating magnetic field forming unit that forms a rotating magnetic field on the substrate for rotating the magnetic material supplied on the substrate.

상기 회전 자기장 형성부는, 상기 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 회전하는 회전 자기장을 형성할 수 있다.The rotating magnetic field forming unit may form a rotating magnetic field that rotates about a rotation axis perpendicular to the upper surface of the substrate.

상기 회전 자기장 형성부는, 상기 자기 모멘트의 방향이 상기 기판과 평행하게 배열되는 자성 부재; 및 상기 자성 부재를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 구동부;를 포함할 수 있다.The rotating magnetic field forming unit may include a magnetic member in which a direction of the magnetic moment is arranged parallel to the substrate; And a rotation driving unit that rotates the magnetic member about the rotation axis.

상기 회전 자기장 형성부는, 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 시변 전기장을 발생하는 전기장 발생부;를 포함할 수 있다.The rotating magnetic field forming unit may include an electric field generating unit that generates a time-varying electric field in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate.

상기 자성 물질은 기둥 형상으로 제공될 수 있다.The magnetic material may be provided in a column shape.

상기 자성 물질은 두께에 대한 길이의 비율이 1:2 내지 1:1000 일 수 있다.The magnetic material may have a length to thickness ratio of 1:2 to 1:1000.

상기 자성 물질은 1 nm 이상, 1000 nm 미만의 길이를 가질 수 있다.The magnetic material may have a length of 1 nm or more and less than 1000 nm.

상기 회전 자기장 형성부는, 자성 부재; 상기 기판의 주변을 따라 원형으로 마련되는 레일; 및 상기 자성 부재를 상기 레일 상에서 상기 기판의 주연 방향을 따라 이동시키는 구동부;를 포함할 수 있다.The rotating magnetic field forming unit may include a magnetic member; A rail provided in a circular shape along the periphery of the substrate; And a driving unit for moving the magnetic member along the circumferential direction of the substrate on the rail.

상기 자성 부재는 전자석으로 제공될 수 있다.The magnetic member may be provided as an electromagnet.

상기 기판 처리 장치는 상기 기판 상에 잔류하는 자성 물질을 제거하는 자성 물질 제거부;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a magnetic material removal unit configured to remove a magnetic material remaining on the substrate.

상기 자성 물질 제거부는 전자석으로 제공될 수 있다.The magnetic material removal unit may be provided as an electromagnet.

상기 자성 물질 제거부는 상기 기판의 주변을 둘러싸는 링 형태로 제공될 수 있다.The magnetic material removal unit may be provided in a ring shape surrounding the substrate.

상기 자성 물질 제거부는, 자성체; 상기 기판의 상면에 대향하도록 상기 자성체를 지지하는 지지부; 상기 지지부의 하단에 결합되고, 상기 자성체를 이동시키는 이동 몸체; 및 상기 이동 몸체의 이동을 가이드하는 가이드레일;을 포함할 수 있다.The magnetic material removal unit may include a magnetic material; A support part for supporting the magnetic body to face the upper surface of the substrate; A moving body coupled to the lower end of the support and moving the magnetic body; And a guide rail for guiding the movement of the moving body.

상기 기판 처리 장치는 상기 자성 부재 및 상기 자성 물질 제거부를 승강 구동하는 승강 구동부;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include an elevating driver for elevating and driving the magnetic member and the magnetic material removal unit.

상기 기판 처리 장치는 상기 회전 자기장 형성부, 상기 자성 물질 제거부 및 상기 승강 구동부를 제어하는 제어 유닛;을 더 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 기판 상에서 상기 파티클을 제거하는 세정 공정 동안, 상기 자성 부재가 상기 기판의 상면 높이에 위치되도록, 그리고 상기 세정 공정 후 상기 기판 상에서 상기 처리액을 제거하는 린스 공정 동안, 상기 자성 물질 제거부가 상기 기판의 상면 높이에 위치되도록, 상기 승강 구동부를 제어하고, 상기 세정 공정 동안 상기 자성 물질 제거부로부터 자기장이 발생되지 않도록, 그리고 상기 린스 공정 동안, 상기 자성 부재로부터 자기장이 발생되지 않도록, 상기 자성 물질 제거부 및 상기 자성 부재를 제어할수 있다.The substrate processing apparatus further includes a control unit for controlling the rotating magnetic field forming unit, the magnetic material removing unit, and the lifting driving unit, wherein the control unit includes, during a cleaning process of removing the particles from the substrate, the magnetic Controlling the lifting driver so that the member is positioned at a height of the upper surface of the substrate, and during the rinsing process of removing the processing liquid from the substrate after the cleaning process, the magnetic material removing unit is positioned at a height of the upper surface of the substrate, The magnetic material removing unit and the magnetic member may be controlled so that a magnetic field is not generated from the magnetic material removing unit during the cleaning process and a magnetic field is not generated from the magnetic member during the rinsing process.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 상에 자성 물질을 포함하는 처리액을 공급하는 단계; 및 회전 자기장 형성부에 의해, 상기 기판 상에 공급된 자성 물질을 회전시키기 위한 회전 자기장을 형성하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, the method comprising: supplying a processing liquid containing a magnetic material onto a substrate; And forming a rotating magnetic field for rotating the magnetic material supplied on the substrate by the rotating magnetic field forming unit.

상기 회전 자기장을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 회전하는 회전 자기장을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the rotating magnetic field may include forming a rotating magnetic field rotating about a rotation axis perpendicular to the upper surface of the substrate.

상기 기판 처리 방법은 자성 물질 제거부에 의해, 상기 기판 상에 잔류하는 자성 물질을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include removing the magnetic material remaining on the substrate by a magnetic material removing unit.

상기 기판 처리 방법은 상기 기판 상에서 상기 파티클을 제거하는 세정 공정 동안, 상기 자성 물질 제거부로부터 자기장이 발생되지 않도록 제어하는 단계; 및 상기 세정 공정 후 상기 기판 상에서 상기 처리액을 제거하는 린스 공정 동안, 상기 회전 자기장 형성부로부터 자기장이 발생되지 않도록 제어하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method includes controlling the magnetic field to not be generated from the magnetic material removal unit during a cleaning process of removing the particles on the substrate; And controlling such that a magnetic field is not generated from the rotating magnetic field forming unit during a rinsing process of removing the processing liquid from the substrate after the cleaning process.

본 발명의 실시예에 의하면, 회전 자기장에 의해 자성 물질을 회전시켜 물리적 충격에 의해 파티클을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing particles by physical impact by rotating a magnetic material by a rotating magnetic field may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 6은 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 공정 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 회전 자기장 형성부의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 회전 자기장 형성부의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도이다.
도 11 내지 도 12는 도 10의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작용을 설명하기 위한 개념도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.
도 14는 도 13의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 15는 도 13의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 17은 도 16의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 18은 도 16의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 측면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 20은 도 19의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.1 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
2 to 5 are conceptual diagrams illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view showing a substrate processing apparatus.
7 is a cross-sectional view showing an example of a process module provided in one or more of the process chambers.
8 is a perspective view of a rotating magnetic field forming unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining the operation of the rotating magnetic field forming unit constituting the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is a conceptual diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
11 to 12 are conceptual diagrams for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 10.
13 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
14 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 13.
15 is a diagram for describing an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 13.
16 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
17 is a plan view schematically illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 16.
18 is a side view schematically illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 16.
19 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
20 is a schematic side view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 19.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 흐름도이다. 도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개념도이다.1 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. 2 to 5 are conceptual diagrams illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(W) 상에 부착된 파티클(P)을 제거하기 위하여, 기판(W) 상에 자성 물질(M)을 포함하는 처리액을 공급한다(S10). 처리액은 세정액을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 자성 물질(M)의 회전에 의해 파티클(P)을 기판(W)에서 효과적으로 떼어낼 수 있도록, 자성 물질(M)은 기둥 형상의 나노바(Nano-bar) 형태를 가질 수 있다. 나노바 형태의 자성 물질(M)은 그 길이 방향이 주로 기판의 상면과 나란하도록 배열된다.First, referring to FIGS. 1 and 2, in order to remove the particles P attached to the substrate W, a treatment liquid including a magnetic material M is supplied on the substrate W (S10). . The treatment liquid may contain a cleaning liquid. In one embodiment, the magnetic material M may have a columnar nano-bar shape so that particles P can be effectively removed from the substrate W by the rotation of the magnetic material M. . The nanobar-shaped magnetic material M is arranged so that its longitudinal direction is mainly parallel to the upper surface of the substrate.

일 실시예로, 자성 물질(M)의 회전 모멘트에 의해 파티클(P)에 강한 물리적 충격을 가할 수 있도록, 자성 물질(M)은 평균 두께에 대한 길이의 비율이 약 1:2 내지 1:1000 비율을 가질 수 있다. 자성 물질(M)은 1 nm 이상, 1000 nm 미만의 길이를 가질 수 있다. 이는 자성 물질(M)이 1 nm 미만의 길이를 가지는 경우, 파티클(P)에 강한 충격을 가하기 어려워질 뿐 아니라 기판(W)의 피치(트렌치)에 자성 물질(M)이 유입되어 제거되지 않을 수 있기 때문이다. 자성 물질(M)은 기판(W)의 피치보다 큰 길이를 가질 수 있으며, 자성 물질(M)의 길이는 1000 nm 이상, 수 내지 수백 um 길이를 가질 수도 있다.In one embodiment, the magnetic material M has a ratio of length to average thickness of about 1:2 to 1:1000 so that a strong physical impact can be applied to the particle P by the rotation moment of the magnetic material M. It can have a ratio. The magnetic material M may have a length of 1 nm or more and less than 1000 nm. This is because when the magnetic material (M) has a length of less than 1 nm, it becomes difficult to apply a strong impact to the particles (P), and the magnetic material (M) is introduced into the pitch (trench) of the substrate (W) and cannot be removed. Because it can. The magnetic material M may have a length greater than the pitch of the substrate W, and the length of the magnetic material M may be 1000 nm or more, and may have a length of several to several hundreds um.

자성 물질(M)은 자성을 가지는 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 철(Fe), 코발트(Co), 또는 이들의 산화물 등의 자화 성분을 포함할 수 있다. 처리액은 자성 물질(M)의 분산을 위한 분산제를 포함할 수 있다. 분산제는 예를 들면, 순수, 이소프로필 알코올(IPA) 등의 용제를 포함할 수 있다.The magnetic material M may include a material having magnetism, and may include a magnetizing component such as iron (Fe), cobalt (Co), or oxides thereof. The treatment liquid may contain a dispersant for dispersing the magnetic material (M). The dispersant may contain, for example, pure water or a solvent such as isopropyl alcohol (IPA).

도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(W) 상에 자성 물질(M)을 포함하는 처리액이 공급되면, 회전 자기장 형성부(400)에 의해, 기판(W) 상에 자성 물질(M)을 회전시키기 위한 회전 자기장을 형성하여, 자성 물질(M)이 회전 자기장에 의해 기판(W) 상에서 회전하게 한다(S20). 회전 자기장은 회전하는 자석체 또는 시변 전기장에 의해 형성될 수 있다. 회전 자기장에 의해 자성 물질(M)이 회전하면서, 자성 물질(M)의 회전 관성 모멘트에 의해, 나노바 형태의 자성 물질(M)은 길이 방향이 기판(W)의 상면과 점점 나란해지는 방향으로 배열될 수 있다.1, 3, and 4, when a processing liquid including a magnetic material M is supplied onto the substrate W, the magnetic material is formed on the substrate W by the rotating magnetic field forming unit 400. A rotating magnetic field for rotating (M) is formed, so that the magnetic material (M) rotates on the substrate (W) by the rotating magnetic field (S20). The rotating magnetic field may be formed by a rotating magnetic body or a time-varying electric field. As the magnetic material (M) rotates by the rotating magnetic field, the magnetic material (M) in the form of nanobars is arranged in a direction in which the length direction becomes more parallel with the top surface of the substrate (W) by the rotational moment of inertia of the magnetic material (M) Can be.

회전 자기장에 의해 자성 물질(M)이 회전함에 따라, 자성 물질(M)이 기판(W) 상의 파티클(P)과 충돌하게 되고, 그에 따라 도 4에 도시된 바와 같이, 자성 물질(M)과의 물리적 충돌에 의해 파티클(P)을 기판(W)에서 떨어뜨릴 수 있게 된다. 자성 물질(M)의 회전 속도는 회전 자기장의 자속 변화 속도에 따라 변화될 수 있다.As the magnetic material M rotates by the rotating magnetic field, the magnetic material M collides with the particles P on the substrate W, and thus, as shown in FIG. 4, the magnetic material M and the magnetic material M The particle (P) can be dropped from the substrate (W) by the physical collision of. The rotation speed of the magnetic material M may be changed according to the change speed of the magnetic flux of the rotating magnetic field.

도 1 및 도 5를 참조하면, 회전 자기장에 의해 파티클(P)을 기판(W)에서 떨어뜨린 후, 기판(W) 상에 잔류하는 자성 물질(M), 처리액 및 파티클(P)을 제거하기 위한 린스 공정이 수행될 수 있다(S30). 린스액(R)에 의해 제거되지 않고 기판(W) 상에 자성 물질(M)이 남을 수 있는데, 이와 같이 기판(W) 상에 잔류하는 자성 물질(M)은 자성 물질 제거부(500)에 의해 제거될 수 있다. 자성 물질 제거부(500)는 기판(W) 상에 자기장을 가하여 자성 물질(M)을 제거할 수 있다.1 and 5, after dropping the particles P from the substrate W by a rotating magnetic field, the magnetic material M, processing liquid, and particles P remaining on the substrate W are removed. A rinsing process for doing so may be performed (S30). The magnetic material M may remain on the substrate W without being removed by the rinse liquid R. As such, the magnetic material M remaining on the substrate W is not removed by the magnetic material removal unit 500. Can be removed by The magnetic material removal unit 500 may remove the magnetic material M by applying a magnetic field on the substrate W.

본 발명의 실시예에 의하면, 회전 자기장에 의해 자성 물질(M)을 회전시켜, 자성 물질(W)과의 물리적 충돌에 의해 기판(W) 상에서 파티클(P)을 제거하여 기판(W)을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 나노바 형상의 자성 물질(M)을 회전시킴으로써, 나노바 형태의 자성 물질(M)의 우수한 회전력에 의해 기판(W) 상에 부착된 파티클(P)을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnetic material (M) is rotated by a rotating magnetic field, and particles (P) are removed from the substrate (W) by physical collision with the magnetic material (W), thereby effectively reducing the substrate (W). Can be washed with. In addition, according to an embodiment of the present invention, by rotating the nano-bar-shaped magnetic material (M), particles (P) attached to the substrate (W) more effectively by the excellent rotational force of the nano-bar-shaped magnetic material (M). Can be removed.

이하에서 기판에 대해 세정 등의 처리를 수행하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 도 6은 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus that performs a process such as cleaning on a substrate will be described. 6 is a plan view showing a substrate processing apparatus. Referring to FIG. 6, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10 and a process processing module 20.

인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 배열될 수 있다. 이하에서, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 지면에 나란하고 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.The index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 may be sequentially arranged. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. And a direction parallel to the ground and perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction ( 16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is placed on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a row along the second direction 14. In Figure 1, it is shown that four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20.

캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130) 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 130. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening integrated pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수도 있다.The process processing module 20 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. Some of the process chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are each opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다.The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142.

인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다.The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a.

인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130, and some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20. Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242.

메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다.The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a.

메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. The main arm 244c used when transferring the substrate W from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and the substrate W used when transferring the substrate W from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

각 공정챔버(260) 내에는 기판(W)을 처리액으로 처리하는 공정 모듈이 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내의 공정 모듈은 동일하거나 상이한 구조를 가질 수 있다. 도 7은 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 공정 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 공정 모듈(300)은 컵(320), 지지 부재(340), 승강유닛(360), 분사부재(처리액 공급부)(380), 제어기(390), 회전 자기장 형성부(400) 및 자성 물질 제거부(500)를 가진다.In each process chamber 260, a process module for treating the substrate W with a processing liquid is provided. The process modules in each process chamber 260 may have the same or different structures. 7 is a cross-sectional view showing an example of a process module provided in one or more of the process chambers. Referring to FIG. 7, the process module 300 includes a cup 320, a support member 340, an elevating unit 360, an injection member (processing liquid supply unit) 380, a controller 390, and a rotating magnetic field forming unit ( 400) and a magnetic material removal unit 500.

컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 부재(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.The cup 320 provides a space in which a substrate processing process is performed, and its upper part is opened. The cup 320 has an inner collecting container 322, an intermediate collecting container 324, and an external collecting container 326. Each of the recovery bins 322, 324, and 326 recover different treatment liquids among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support member 340, the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322, and the outer recovery container 326 ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery tank 324.

내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The inner space 322a of the inner recovery tank 322, the space 324a between the inner recovery tank 322 and the intermediate recovery tank 324, and the space between the intermediate recovery tank 324 and the outer recovery tank 326 ( 326a) functions as an inlet through which the treatment liquid is introduced into the internal recovery tank 322, the intermediate recovery tank 324, and the external recovery tank 326, respectively. Recovery lines 322b, 324b, and 326b extending vertically in a direction below the bottom are connected to each of the recovery bins 322, 324, and 326. Each of the recovery lines (322b, 324b, 326b) discharges the treatment liquid introduced through each of the recovery bins (322, 324, 326). The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

지지 부재(340)는 컵(320) 내에 배치된다. 지지 부재(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 부재(340)는 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 위쪽에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정 결합된다.The support member 340 is disposed within the cup 320. The support member 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support member 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has an upper surface that is provided in a generally circular shape when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342.

지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격 되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다.A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate so that the substrate is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342.

척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side portion of the substrate so that the substrate is not laterally separated from the original position when the spin head 340 is rotated.

척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.The chuck pin 346 is provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position farther from the center of the body 342 compared to the support position. When the substrate is loaded or unloaded on the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at a standby position, and when a process is performed on the substrate, the chuck pin 346 is positioned at a support position. In the supporting position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 부재(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다.The lifting unit 360 linearly moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 with respect to the support member 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the cup 320, and a moving shaft 364, which is moved in the vertical direction by a driver 366, is fixedly coupled to the bracket 362.

기판(W)이 지지 부재(340)에 놓이거나, 지지 부재(340)로부터 들어올려 질 때 지지 부재(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다.When the substrate W is placed on the support member 340 or is lifted from the support member 340, the cup 320 is lowered so that the support member 340 protrudes above the cup 320. In addition, when the process is in progress, the height of the cup 320 is adjusted so that the treatment liquid can flow into the preset collection bins 322, 324 and 326 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W.

예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, while the substrate is being processed with the first treatment liquid, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. In addition, during the processing of the substrate with the second treatment liquid and the third treatment liquid, each of the substrates is provided with a space 324a between the internal recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the intermediate recovery container 324 and the outside. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the recovery bin 326. Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the cup 320.

분사부재(380)는 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액은 기판(W) 상에 부착된 파티클을 제거하기 위한 자성 물질과, 자성 물질이 분산되는 분산제를 포함할 수 있다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다.The injection member 380 supplies a processing liquid to the substrate W during a substrate processing process. The processing liquid may include a magnetic material for removing particles attached to the substrate W, and a dispersant in which the magnetic material is dispersed. The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along the third direction 16 in its longitudinal direction, and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The actuator 388 rotates and lifts the support shaft 386.

노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 기판(W)에 처리액을 토출할 수 있도록, 지지 부재(340)의 수직 상방 영역이다. 대기 위치는 노즐(384)이 지지 부재(340)의 수직 상방 영역 외측으로 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 약액, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 제어기(390)는 공정 모듈(300)의 구성을 제어한다.The nozzle support 382 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the actuator 388. The nozzle 384 is installed on the lower end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved to the process position and the standby position by the actuator 388. The process position is an area vertically above the support member 340 so that the nozzle 384 can discharge the processing liquid onto the substrate W. The standby position is a position where the nozzle 384 deviates out of the vertical upper area of the support member 340. One or a plurality of injection members 380 may be provided. When a plurality of injection members 380 are provided, a chemical solution, a rinse solution, or an organic solvent may be provided through different injection members 380. The controller 390 controls the configuration of the process module 300.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 회전 자기장 형성부의 사시도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 회전 자기장 형성부(400)는 몸체(342)의 상부 측 공간에 매립되어, 기판(W) 상에 회전 자기장을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 회전 자기장 형성부(400)는 자성 부재(410)와, 회전 구동부(420)를 포함할 수 있다.8 is a perspective view of a rotating magnetic field forming unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 7 and 8, the rotating magnetic field forming part 400 is buried in the upper side space of the body 342 to form a rotating magnetic field on the substrate W. In one embodiment, the rotating magnetic field forming unit 400 may include a magnetic member 410 and a rotation driving unit 420.

자성 부재(410)는 자기장을 형성하는 자석으로 제공될 수 있다. 기판(W) 상의 전체 면에 회전 자기장을 형성하기 위하여, 자성 부재(410)는 기판(W)의 직경에 대응하는 크기로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 자성 부재(410)는 기판(W)의 직경의 1/2 이상의 길이를 가질 수 있다. 자성 부재(410)는 자기 모멘트의 방향이 기판(W)과 평행하도록 수평 방향으로 배치될 수 있다.The magnetic member 410 may be provided as a magnet forming a magnetic field. In order to form a rotating magnetic field on the entire surface of the substrate W, the magnetic member 410 may be formed to have a size corresponding to the diameter of the substrate W. In one embodiment, the magnetic member 410 may have a length of 1/2 or more of the diameter of the substrate W. The magnetic member 410 may be disposed in a horizontal direction such that the direction of the magnetic moment is parallel to the substrate W.

일 실시예에서, 자성 부재(410)는 공정 모드(세정 또는 린스 등)에 따라 선택적으로 자기장을 발생할 수 있도록 전자석으로 제공될 수 있다. 자성 부재(410)는 자성 물질을 포함하는 처리액이 기판 상에 공급되어 있는 동안에만 자기장을 형성하고, 자성 물질에 의해 기판 세정 후에는 기판 상에서 자성 물질을 용이하게 제거할 수 있도록 자기장을 형성하지 않을 수 있다.In one embodiment, the magnetic member 410 may be provided as an electromagnet so as to selectively generate a magnetic field according to a process mode (such as washing or rinsing). The magnetic member 410 forms a magnetic field only while a processing liquid containing a magnetic material is supplied on the substrate, and does not form a magnetic field so that the magnetic material can be easily removed from the substrate after cleaning the substrate by the magnetic material. May not.

자성 부재(410)의 회전축(412)은 제3 방향(16)으로 형성되어 회전 구동부(420)에 결합될 수 있다. 회전 구동부(420)는 자성 부재(410)를 기판(W)의 평면과 수직인 제3 방향(16)을 중심으로 회전 작동시키도록 구성될 수 있다. 회전 구동부(420)는 예를 들어 구동모터 또는 유압실린더 등의 수단으로 제공될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 자성 부재(410)를 회전시킬 수 있는 다양한 장치가 사용될 수 있다.The rotation shaft 412 of the magnetic member 410 may be formed in the third direction 16 and may be coupled to the rotation driving unit 420. The rotation driver 420 may be configured to rotate the magnetic member 410 about a third direction 16 perpendicular to the plane of the substrate W. The rotation driving unit 420 may be provided by means such as a driving motor or a hydraulic cylinder, but is not limited thereto and various devices capable of rotating the magnetic member 410 may be used.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 회전 자기장 형성부의 작용을 설명하기 위한 도면이다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 회전 자기장 형성부(400)에 의해, 기판(W) 상에 제3 방향(16)을 중심으로 회전하는 자기장(B)이 형성되고, 회전 자기장(B)에 의한 자력(T)에 의해, 기판(W) 상에 공급된 처리액에 포함된 자성 물질(M)이 제3 방향(16)을 중심으로 회전하게 된다. 이에 따라, 자성 물질(M)의 회전에 따른 물리적 충돌에 의해, 기판(W) 상에 부착되어 있는 파티클(P)을 기판(W)에서 효과적으로 떨어뜨릴 수 있다.9 is a view for explaining the operation of the rotating magnetic field forming unit constituting the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 7 to 9, a magnetic field B rotating around a third direction 16 is formed on the substrate W by the rotating magnetic field forming unit 400, and the rotating magnetic field B Due to the magnetic force T, the magnetic material M included in the processing liquid supplied on the substrate W rotates around the third direction 16. Accordingly, particles P attached on the substrate W can be effectively dropped from the substrate W due to a physical collision caused by the rotation of the magnetic material M.

자성 물질 제거부(500)는 기판(W)의 주변 둘레를 따라 배치되어, 기판(W) 상에 잔류하는 자성 물질(M)을 제거할 수 있다. 자성 물질 제거부(500)는 린스액에 의해 린스 공정이 수행되는 동안 기판(W) 상의 잔류 자성 물질(M)을 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 자성 물질 제거부(500)는 전자석으로 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 자성 물질 제거부(500)는 회전 자기장에 의해 자성 물질(M)을 회전시키는 동안에는 자성을 형성하지 않으며, 자성 물질(M)에 의해 파티클(P)이 기판(W)에서 떨어진 후 자성을 형성하여 기판(W) 상에 잔류하는 자성 물질(M)을 자기 인력에 의해 제거한다.The magnetic material removal unit 500 may be disposed along the periphery of the substrate W to remove the magnetic material M remaining on the substrate W. The magnetic material removal unit 500 may remove the residual magnetic material M on the substrate W while the rinsing process is performed by the rinsing liquid. In one embodiment, the magnetic material removal unit 500 may be provided as an electromagnet. In one embodiment, the magnetic material removing unit 500 does not form magnetism while rotating the magnetic material M by a rotating magnetic field, and particles P are separated from the substrate W by the magnetic material M. After that, the magnetic material M remaining on the substrate W is removed by magnetic attraction by forming magnetism.

도시된 예에서, 자성 물질 제거부(500)는 컵(320)의 상부에 기판(W)의 주연부에 인접하여 링 형태로 설치되어 있으나, 컵(320)이 아닌 몸체(342)에 설치되거나 별도의 지지부재에 의해 설치될 수도 있다. 또한, 자성 물질 제거부(500)는 링 형상으로 제공되지 않고, 기판(W)의 일 측에 형성될 수도 있으며, 이 경우 기판(W)을 회전시켜 기판(W) 상의 자성 물질(M)이 자성 물질 제거부(500)에 의해 효과적으로 제거되게 할 수 있다.In the illustrated example, the magnetic material removal unit 500 is installed in a ring shape adjacent to the periphery of the substrate W on the top of the cup 320, but is installed on the body 342 instead of the cup 320 or separately It may be installed by a support member of. In addition, the magnetic material removing unit 500 is not provided in a ring shape and may be formed on one side of the substrate W. In this case, the magnetic material M on the substrate W is rotated by rotating the substrate W. It can be effectively removed by the magnetic material removal unit 500.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도이다. 도 11 내지 도 12는 도 10의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작용을 설명하기 위한 개념도이다. 도 10 내지 도 12의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 실시예와 동일하거나 상응하는 구성요소에 대하여는 중복 설명을 생략한다. 도 10 내지 도 12의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 회전 자기장 형성부(400)가 시변 전기장을 발생하는 전기장 발생부로 구성되는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다.10 is a conceptual diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. 11 to 12 are conceptual diagrams for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 10. In describing the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of FIGS. 10 to 12, redundant descriptions of components that are the same as or corresponding to the above-described exemplary embodiment will be omitted. The substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of FIGS. 10 to 12 is different from the above-described embodiment in that the rotating magnetic field forming unit 400 is configured as an electric field generating unit generating a time-varying electric field.

전기장 발생부는 기판(W)의 상면에 수직한 방향으로 전기장(E), 예를 들어 교류형태의 전기장을 형성할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 상부에는 수직 방향의 전기장(E)을 중심으로 회전하는 형태의 자기장(B)이 형성되고, 전기장(E)의 변화에 따라 자기장(B)의 방향 역시 주기적으로 변화한다. 이에 따라, 자기장(B)에 의한 자기력(T)에 의해, 자기장(B)의 변화 주기에 동기화하여 자성 물질(M)이 회전하게 되고, 자성 물질(M)의 회전에 따른 물리적 충격에 의해 기판(W) 상의 파티클(P)이 제거될 수 있다.The electric field generator may form an electric field E, for example, an alternating current type electric field in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate W. Accordingly, a magnetic field (B) in the form of rotating around an electric field (E) in a vertical direction is formed on the upper portion of the substrate (W), and the direction of the magnetic field (B) periodically changes as the electric field (E) changes. do. Accordingly, the magnetic material (M) rotates in synchronization with the change period of the magnetic field (B) by the magnetic force (T) caused by the magnetic field (B), and the substrate due to a physical impact caused by the rotation of the magnetic material (M) Particles (P) on the (W) can be removed.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다. 도 14는 도 13의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다. 도 15는 도 13의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 13 내지 도 15의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 실시예들과 동일하거나 상응하는 구성요소에 대하여는 중복 설명을 생략한다.13 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. 14 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 13. 15 is a diagram for describing an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 13. In describing the substrate processing apparatus according to the embodiments of FIGS. 13 to 15, redundant descriptions of components that are the same as or corresponding to the above-described embodiments will be omitted.

도 13 내지 도 15의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 회전 자기장 형성부(400)가 기판(W)의 주변을 회전하면서 기판(W) 상에 회전 자기장을 형성하도록 구성되고, 회전 자기장 형성부(400) 및/또는 자성 물질 제거부(500)를 승강 구동시키는 승강 구동부(600)와, 회전 자기장 형성부(400), 자성 물질 제거부(500) 및 승강 구동부(600)를 제어하는 제어 유닛(700)을 더 포함하는 점에서, 앞서 설명한 실시예들과 차이가 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of FIGS. 13 to 15 is configured to form a rotating magnetic field on the substrate W while the rotating magnetic field forming unit 400 rotates around the substrate W, and the rotating magnetic field forming unit ( 400) and/or a control unit that controls the lifting drive 600 for lifting and driving the magnetic material removing part 500, and the rotating magnetic field forming part 400, the magnetic material removing part 500, and the lifting driving part 600 ( 700) is different from the above-described embodiments.

일 실시예에서, 회전 자기장 형성부(400)는 하나 이상의 자성 부재(430)와, 기판(W)의 주변 둘레를 따라 원형으로 마련되는 레일(440) 및 자성 부재(430)를 레일(440) 상에서 기판(W)의 주연 방향을 따라 이동시키는 구동부(도시생략)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 자성 부재(430)는 전자석으로 제공될 수 있으며, 레일(440)은 링 형태의 자성 물질 제거부(500) 상에 마련될 수 있다.In one embodiment, the rotating magnetic field forming unit 400 includes at least one magnetic member 430, a rail 440 and a magnetic member 430 formed in a circular shape along the periphery of the substrate W, and the rail 440 It may include a driving unit (not shown) to move along the peripheral direction of the substrate (W) on the top. In one embodiment, the magnetic member 430 may be provided as an electromagnet, and the rail 440 may be provided on the ring-shaped magnetic material removal unit 500.

승강 구동부(600)는 회전 자기장 형성부(400) 및 자성 물질 제거부(500)를 승강시킬 수 있다. 승강 구동부(600)는 유압 실린더 등의 승강 수단으로 제공될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 승강 구동부(600)는 기판(W) 상에 파티클을 제거하는 동안, 자성 물질의 회전력을 극대화하기 위하여, 기판(W)의 상면에 강한 회전 자기장(B)이 형성될 수 있도록, 도 13의 도시와 같이, 회전 자기장 형성부(400)를 기판(W)의 상면 높이로 구동한다. 이어서, 승강 구동부(600)는 기판 세정 후 기판 상에 잔류하는 자성 물질을 제거하는 동안, 자성 물질의 제거 성능을 극대화하기 위하여, 기판(W)의 상면에 강한 자기장이 형성될 수 있도록, 도 15의 도시와 같이, 자성 물질 제거부(500)를 기판(W)의 상면 높이로 구동한다.The elevating driving unit 600 may elevate the rotating magnetic field forming unit 400 and the magnetic material removing unit 500. The lifting drive 600 may be provided as a lifting means such as a hydraulic cylinder, but is not limited thereto. The lifting driver 600 is shown in FIG. 13 so that a strong rotating magnetic field B can be formed on the upper surface of the substrate W in order to maximize the rotational force of the magnetic material while removing particles on the substrate W. As described above, the rotating magnetic field forming unit 400 is driven to the height of the upper surface of the substrate W. Subsequently, the lifting driver 600 removes the magnetic material remaining on the substrate after cleaning the substrate, so that a strong magnetic field can be formed on the upper surface of the substrate W in order to maximize the removal performance of the magnetic material. As shown in FIG. 2, the magnetic material removal unit 500 is driven to the height of the upper surface of the substrate W.

도 13 내지 도 15의 실시예에 의하면, 승강 구동부(600)에 의해 세정 공정 및 린스 공정 별로 회전 자기장 형성부(400)와 자성 물질 제거부(500)의 높이를 조절함으로써, 세정 공정 시에 자성 물질(M)에 의한 파티클 제거 효과를 극대화하고, 자성 물질(M)에 의한 세정 후의 린스 공정 시에 자성 물질(M)의 제거 효과를 극대화할 수 있다. 즉, 자성 물질의 회전에 의한 파티클 제거 시에는 회전 자기장이 자성 물질에 강하게 작용할 수 있도록, 회전 자기장 형성부(400)의 높이를 제어하여 파티클 제거 성능을 극대화할 수 있으며, 파티클 제거 후 자성 물질 제거 시에는 자성 물질의 제거를 위한 자기력이 강하게 작용할 수 있도록 자성 물질 제거부(500)의 높이를 제어하여 자성 물질 제거 성능을 극대화할 수 있다.According to the embodiments of FIGS. 13 to 15, the height of the rotating magnetic field forming unit 400 and the magnetic material removing unit 500 is adjusted for each cleaning process and the rinsing process by the lifting driving unit 600, The effect of removing particles by the material (M) can be maximized, and the effect of removing the magnetic material (M) can be maximized during the rinsing process after cleaning by the magnetic material (M). That is, when removing particles by rotation of a magnetic material, the height of the rotating magnetic field forming unit 400 can be controlled to maximize the particle removal performance so that the rotating magnetic field can strongly act on the magnetic material, and magnetic material removal after particle removal At the time, the magnetic material removal performance may be maximized by controlling the height of the magnetic material removal unit 500 so that the magnetic force for removing the magnetic material may act strongly.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다. 도 17은 도 16의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 18은 도 16의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 측면도이다. 도 16 내지 도 18의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 실시예들과 동일하거나 상응하는 구성요소에 대하여는 중복 설명을 생략한다. 도 16 내지 도 18의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 회전 자기장 형성부(400)가 대기 위치(도 16에 도시된 위치)와, 공정 위치(도 17 및 도 18에 도시된 위치) 사이에서 이동 가능하게 구성되는 점에서, 앞서 설명한 실시예들과 차이가 있다.16 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention. 17 is a plan view schematically illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 16. 18 is a side view schematically illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 16. In describing the substrate processing apparatus according to the embodiments of FIGS. 16 to 18, redundant descriptions of components that are the same as or corresponding to the above-described embodiments will be omitted. In the substrate processing apparatus according to the embodiments of FIGS. 16 to 18, the rotating magnetic field forming unit 400 moves between a standby position (position shown in FIG. 16) and a process position (position shown in FIGS. 17 and 18 ). In that it is configured to be possible, there is a difference from the above-described embodiments.

일 실시예에서, 회전 자기장 형성부(400)는 자성 부재(450), 회전 구동부(460), 지지대(470) 및 구동부(480)를 포함할 수 있다. 자성 부재(450)는 공정 위치, 즉 기판(W)의 상부 위치에서 자성을 형성하고, 대기 위치, 즉 기판(W)의 주변 위치에서 자성을 형성하지 않도록, 전자석으로 제공될 수 있다.In an embodiment, the rotating magnetic field forming unit 400 may include a magnetic member 450, a rotation driving unit 460, a support 470, and a driving unit 480. The magnetic member 450 may be provided as an electromagnet so as to form magnetism at a process position, that is, a position above the substrate W, and not to form magnetism at a stand-by position, that is, a position around the substrate W.

자성 부재(450)는 지지대(470)에 설치된 회전 구동부(460)에 의해 제3 방향(16)을 중심으로 회전될 수 있다. 지지대(470)의 하단에는 구동부(480)가 결합된다. 지지대(470)는 구동부(480)에 의해 회동될 수 있다. 이에 따라, 자성 부재(450)는 구동부(480)에 의해 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.The magnetic member 450 may be rotated about the third direction 16 by a rotation driving unit 460 installed on the support 470. A driving part 480 is coupled to the lower end of the support 470. The support 470 may be rotated by the driving unit 480. Accordingly, the magnetic member 450 may be moved between the process position and the standby position by the driving unit 480.

도 16 내지 도 18의 실시예에 의하면, 기판(W)을 지지하는 지지유닛의 구조를 크게 변경하지 않고, 기판 처리 장치의 기판(W) 주변부 위치에 회전 자기장 형성부(400)를 설치할 수 있다. 또한, 지지대(470)의 회동을 통해 회전 자기장의 중심축의 위치를 조정하면서, 기판 상의 파티클을 제거할 수 있다.According to the embodiments of FIGS. 16 to 18, it is possible to install the rotational magnetic field forming unit 400 at a position around the substrate W of the substrate processing apparatus without significantly changing the structure of the support unit supporting the substrate W. . In addition, particles on the substrate may be removed while adjusting the position of the central axis of the rotating magnetic field through rotation of the support 470.

도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다. 도 20은 도 19의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다. 도 19 및 도 20의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 실시예들과 동일하거나 상응하는 구성요소에 대하여는 중복 설명을 생략한다. 도 19 및 도 20의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 자성 물질 제거부(500)가 이동 가능하게 구성된 점에서 앞서 설명한 실시예들과 차이가 있다.19 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention. 20 is a schematic side view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 19. In describing the substrate processing apparatus according to the embodiments of FIGS. 19 and 20, redundant descriptions of components that are the same as or corresponding to those of the above-described embodiments are omitted. The substrate processing apparatus according to the embodiments of FIGS. 19 and 20 is different from the above-described embodiments in that the magnetic material removing unit 500 is configured to be movable.

일 실시예에서, 자성 물질 제거부(500)는 자성체(510), 지지부(512), 이동 몸체(520) 및 가이드레일(530)을 포함하여 구성될 수 있다. 자성체(510)는 전자석으로 제공될 수 있다. 자성체(510)는 지지부(512)에 의해 기판(W)의 상면과 대향하도록 배치될 수 있다. 지지부(512)의 하단부는 이동 몸체(520)에 결합된다. 이동 몸체(520)는 가이드레일(530)을 따라 제2 방향(14)으로 이동할 수 있다. 도 19 및 도 20의 실시예에 의하면, 자성체(510)를 기판(W)의 상면을 따라 근접시킨 상태로 이동시키면서 기판(W) 상에 잔류하는 자성 물질(M)을 효과적으로 제거할 수 있다.In one embodiment, the magnetic material removing unit 500 may include a magnetic body 510, a support unit 512, a moving body 520, and a guide rail 530. The magnetic body 510 may be provided as an electromagnet. The magnetic body 510 may be disposed to face the upper surface of the substrate W by the support part 512. The lower end of the support part 512 is coupled to the moving body 520. The moving body 520 may move in the second direction 14 along the guide rail 530. According to the embodiments of FIGS. 19 and 20, the magnetic material M remaining on the substrate W can be effectively removed while the magnetic material 510 is moved in a state close to the top surface of the substrate W.

도 19 및 도 20의 실시예에서, 자성체(510)를 직선 방향으로 이동시키는 예가 도시되어 있으나, 자성체(510)를 기판(W) 상에서 회동시켜 자성 물질(M)을 제거하도록 할 수도 있다. 또한, 자성 물질 제거부(500)는 기판(W)과 자성체(510) 간의 간격을 조절할 수 있도록, 자성체(510)의 높이를 조절하는 승강부(미도시)를 구비할 수도 있다.In the embodiments of FIGS. 19 and 20, an example of moving the magnetic material 510 in a linear direction is shown, but the magnetic material 510 may be rotated on the substrate W to remove the magnetic material M. In addition, the magnetic material removing unit 500 may include an elevating unit (not shown) that adjusts the height of the magnetic body 510 so that the distance between the substrate W and the magnetic body 510 can be adjusted.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

W: 기판 P: 파티클
M: 자성 물질 R: 린스액
B: 회전 자기장 30: 처리액
400: 회전 자기장 형성부 410, 430, 450: 자성 부재
412: 회전축 420, 460: 회전 구동부
440: 레일 470: 지지대
480: 구동부 500: 자성 물질 제거부
510: 자성체 512: 지지부
520: 이동 몸체 530: 가이드레일
600: 승강 구동부 700: 제어 유닛W: Substrate P: Particle
M: Magnetic substance R: Rinse liquid
B: rotating magnetic field 30: processing liquid
400: rotating magnetic field forming portion 410, 430, 450: magnetic member
412: rotation shaft 420, 460: rotation drive unit
440: rail 470: support
480: driving unit 500: magnetic material removal unit
510: magnetic material 512: support
520: moving body 530: guide rail
600: lifting drive 700: control unit

Claims (20)

내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
상기 처리 공간 내에 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 기판을 처리하기 위한 기둥 형상으로 제공되는 자성 물질을 포함하는 처리액을 상기 기판 상에 공급하는 처리액 공급부; 및
상기 기판 상에 공급된 상기 자성 물질의 회전에 의한 물리적 충격에 의해 상기 기판 상의 파티클을 제거하도록, 상기 기판 상에 공급된 상기 자성 물질을 회전시키기 위한 회전 자기장을 상기 기판 상에 형성하는 회전 자기장 형성부;를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber having a processing space therein;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid containing a magnetic material provided in a columnar shape for processing the substrate onto the substrate; And
Formation of a rotating magnetic field for forming a rotating magnetic field on the substrate for rotating the magnetic material supplied on the substrate so as to remove particles on the substrate by a physical impact caused by rotation of the magnetic material supplied on the substrate Substrate processing apparatus including; 제 1 항에 있어서,
상기 회전 자기장 형성부는, 상기 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 회전하는 회전 자기장을 형성하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The rotating magnetic field forming part is a substrate processing apparatus configured to form a rotating magnetic field rotating about a rotation axis perpendicular to an upper surface of the substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 회전 자기장 형성부는,
자기 모멘트의 방향이 상기 기판과 평행하게 배열되는 자성 부재; 및
상기 자성 부재를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 회전 구동부;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The rotating magnetic field forming part,
A magnetic member in which a direction of magnetic moment is arranged parallel to the substrate; And
Substrate processing apparatus comprising a; rotation driving unit for rotating the magnetic member about the rotation axis. 제 1 항에 있어서,
상기 회전 자기장 형성부는,
상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 시변 전기장을 발생하는 전기장 발생부;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The rotating magnetic field forming part,
And an electric field generator that generates a time-varying electric field in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 자성 물질은 두께에 대한 길이의 비율이 1:2 내지 1:1000 인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The magnetic material has a length to thickness ratio of 1:2 to 1:1000. 제 1 항에 있어서,
상기 자성 물질은 1 nm 이상, 1000 nm 미만의 길이를 가지는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The magnetic material is a substrate processing apparatus having a length of 1 nm or more and less than 1000 nm. 제 1 항에 있어서,
상기 회전 자기장 형성부는,
자성 부재;
상기 기판의 주변을 따라 원형으로 마련되는 레일; 및
상기 자성 부재를 상기 레일 상에서 상기 기판의 주연 방향을 따라 이동시키는 구동부;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The rotating magnetic field forming part,
Absence of magnetic;
A rail provided in a circular shape along the periphery of the substrate; And
And a driving unit for moving the magnetic member on the rail along a peripheral direction of the substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 자성 부재는 전자석으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The magnetic member is a substrate processing apparatus provided as an electromagnet. 제 8 항에 있어서,
상기 기판 상에 잔류하는 자성 물질을 제거하는 자성 물질 제거부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
A substrate processing apparatus further comprising a magnetic material removal unit for removing the magnetic material remaining on the substrate. 제 10 항에 있어서,
상기 자성 물질 제거부는 전자석으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
A substrate processing apparatus wherein the magnetic material removal unit is provided as an electromagnet. 제 10 항에 있어서,
상기 자성 물질 제거부는 상기 기판의 주변을 둘러싸는 링 형태로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The magnetic material removal unit is provided in a ring shape surrounding the substrate. 제 10 항에 있어서,
상기 자성 물질 제거부는,
자성체;
상기 기판의 상면에 대향하도록 상기 자성체를 지지하는 지지부;
상기 지지부의 하단에 결합되고, 상기 자성체를 이동시키는 이동 몸체; 및
상기 이동 몸체의 이동을 가이드하는 가이드레일;을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The magnetic material removal unit,
Magnetic material;
A support part for supporting the magnetic body to face the upper surface of the substrate;
A moving body coupled to the lower end of the support and moving the magnetic body; And
A substrate processing apparatus comprising a; guide rail for guiding the movement of the moving body. 제 10 항에 있어서,
상기 자성 부재 및 상기 자성 물질 제거부를 승강 구동하는 승강 구동부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
A substrate processing apparatus further comprising a lift driving unit configured to lift and drive the magnetic member and the magnetic material removal unit. 제 14 항에 있어서,
상기 회전 자기장 형성부, 상기 자성 물질 제거부 및 상기 승강 구동부를 제어하는 제어 유닛;을 더 포함하고,
상기 제어 유닛은,
상기 기판 상에서 상기 파티클을 제거하는 세정 공정 동안, 상기 자성 부재가 상기 기판의 상면 높이에 위치되도록, 그리고 상기 세정 공정 후 상기 기판 상에서 상기 처리액을 제거하는 린스 공정 동안, 상기 자성 물질 제거부가 상기 기판의 상면 높이에 위치되도록, 상기 승강 구동부를 제어하고,
상기 세정 공정 동안 상기 자성 물질 제거부로부터 자기장이 발생되지 않도록, 그리고 상기 린스 공정 동안, 상기 자성 부재로부터 자기장이 발생되지 않도록, 상기 자성 물질 제거부 및 상기 자성 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 14,
A control unit for controlling the rotating magnetic field forming unit, the magnetic material removing unit, and the elevating driving unit; further comprising,
The control unit,
During a cleaning process of removing the particles from the substrate, the magnetic material removal unit may include the magnetic material removal unit during a rinsing process of removing the processing liquid from the substrate so that the magnetic member is positioned at a height of the upper surface of the substrate To be located at the height of the upper surface, and control the lifting drive,
A substrate processing apparatus for controlling the magnetic material removing unit and the magnetic member so that a magnetic field is not generated from the magnetic material removing unit during the cleaning process and a magnetic field is not generated from the magnetic member during the rinsing process. 기판 상에 기둥 형상으로 제공되는 자성 물질을 포함하는 처리액을 공급하는 단계; 및
상기 기판 상에 공급된 상기 자성 물질의 회전에 의한 물리적 충격에 의해 상기 기판 상의 파티클을 제거하도록, 회전 자기장 형성부에 의해, 상기 기판 상에 공급된 상기 자성 물질을 회전시키기 위한 회전 자기장을 형성하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.Supplying a processing liquid containing a magnetic material provided in a columnar shape on a substrate; And
Forming a rotating magnetic field for rotating the magnetic material supplied on the substrate by a rotating magnetic field forming unit to remove particles on the substrate by a physical impact caused by rotation of the magnetic material supplied on the substrate A substrate processing method comprising a; 제 16 항에 있어서,
상기 회전 자기장을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면에 수직한 회전축을 중심으로 회전하는 회전 자기장을 형성하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The forming of the rotating magnetic field includes forming a rotating magnetic field rotating about a rotation axis perpendicular to an upper surface of the substrate. 삭제delete 제 16 항에 있어서,
자성 물질 제거부에 의해, 상기 기판 상에 잔류하는 자성 물질을 제거하는 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
Removing the magnetic material remaining on the substrate by a magnetic material removing unit; a substrate processing method comprising a. 제 19 항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 파티클을 제거하는 세정 공정 동안, 상기 자성 물질 제거부로부터 자기장이 발생되지 않도록 제어하는 단계; 및
상기 세정 공정 후 상기 기판 상에서 상기 처리액을 제거하는 린스 공정 동안, 상기 회전 자기장 형성부로부터 자기장이 발생되지 않도록 제어하는 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 19,
Controlling the magnetic field to not be generated from the magnetic material removal unit during a cleaning process of removing the particles on the substrate; And
The substrate processing method further comprises a step of controlling the magnetic field to not be generated from the rotating magnetic field forming unit during a rinsing process of removing the processing liquid from the substrate after the cleaning process.
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