KR102182655B1 - 질소산화물의 선택성 증대한 마이크로웨이브 플라즈마 장치 및 이를 이용한 질소산화물 함유 수 제조 방법 - Google Patents
질소산화물의 선택성 증대한 마이크로웨이브 플라즈마 장치 및 이를 이용한 질소산화물 함유 수 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
마이크로웨이브 플라즈마 장치는 속이 비어 있으며, 마이크로웨이브가 조사되는 중공형 관, 중공형 관의 하단부에 위치하고, 스월가스(swirl gas)가 주입되는 스월가스 주입구, 중공형 관의 하단부를 관통하고, 축방향 가스(axial gas)가 주입되는 축방향 가스 주입구, 그리고 중공형 관 내부에 위치하고, 스월가스가 주입되는 부근에 위치하고, 중공형 관의 길이 방향으로 연장되어 있는 스월가스 격막을 포함하고, 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 간극(g)이 형성되어 있고, 그리고 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 중공형 관의 내부에서 질소산화물이 생성된다.
Description
질소산화물의 선택성 증대한 마이크로웨이브 플라즈마 장치 및 이를 이용한 질소산화물 함유 수(水) 제조 방법이 제공된다.
질소산화물 중 일산화질소(NO)가 살아있는 세포 속에서 신호 분자로서의 역할을 한다는 것을 발견한 R. F. Furchgott, L. J. Ignarro, 와 F. Murad가 1998 년 노벨상을 받은 이후, 일산화질소에 대한 관심이 학계에 급속히 퍼져 현재는 동식물에서 일산화질소의 이로운 점이 많이 발견되었다.
특히 일산화질소는 세포를 활성화 하는 능력이 있으므로, 일산화질소 함유 물이 주기적으로 상처 부위에 적용되는 경우, 상처 발생 부위를 빨리 재생시켜 상처가 치유될 수 있다. 예를 들어, 상처 부위에 일산화질소 함유 물이 접하면, 상처 표면이 세척되고, 상처 표면에 붙어 있거나 기생하는 미생물이 살균된다. 또한, 실핏줄이 확장되어 혈액순환이 잘되고 세포 증식이 활발해지며 단백질 증식이 잘 된다. 그래서 상처부위에 대식 세포가 많이 증가하고 섬유아세포가 빨리 증식하여 빠른 상처 치유가 가능하다.
이러한 일산화질소와 같은 질소산화물 함유 물을 제조하기 위하여, 질소산화물을 적절히 발생시키고 제어할 수 있는 기술에 대한 연구들이 진행되고 있다.
종래에 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용하여 질소산화물을 생성하는 연구가 진행되었다. 그러나 종래의 장치는 일산화질소, 또는 이산화질소와 같은 질소산화물에 대한 선택성이 낮다. 특히, 유전체관(중공형 관) 벽면으로 축방향 가스(axial direction gas)의 난류로 인하여, 축방향 가스의 질소산화물 전환율이 낮다. 또한, 에어로졸이나 질량이 큰 입자인 경우, 난류 발생이 더 심해질 수 있다.
일 실시예는 질소산화물의 선택성이 큰 마이크로웨이브 플라즈마 노즐을 갖는 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 본 발명에 따른 실시예가 사용될 수 있다.
일 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치는, 마이크로웨이브 플라즈마 장치는 속이 비어 있으며, 마이크로웨이브가 조사되는 중공형 관, 중공형 관의 하단부에 위치하고, 스월가스(swirl gas)가 주입되는 스월가스 주입구, 중공형 관의 하단부를 관통하고, 축방향 가스(axial gas)가 주입되는 축방향 가스 주입구, 그리고 중공형 관 내부에 위치하고, 스월가스가 주입되는 부근에 위치하고, 중공형 관의 길이 방향으로 연장되어 있는 스월가스 격막을 포함하고, 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 간극(g)이 형성되어 있고, 그리고 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 중공형 관의 내부에서 질소산화물이 생성된다.
스월가스가 간극(g)을 통과하여 중공형 관의 내부로 공급될 수 있다.
스월가스는 산소 또는 질소일 수 있다.
스월가스가 산소인 경우 축방향 가스는 질소일 수 있고, 스월가스가 질소인 경우 축방향 가스는 산소일 수 있다.
일 실시예에 따른 질소산화물 제조 방법은, 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 주입된 스월가스가 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계, 축방향 가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계, 그리고 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따른 질소산화물 함유 수 제조 방법은, 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 주입된 스월가스가 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계, 축방향 가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계, 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계, 그리고 생성된 질소산화물 가스를 증류수에 플라즈마 처리하여 질소산화물 함유 수를 생성하는 단계를 포함한다.
질소산화물 함유 수 제조 방법은, 질소산화물 함유 수에서 용존 기체인 산소를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
질소산화물 함유 수 제조 방법은, 질소산화물 함유 수를 냉각시켜 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 질소산화물의 선택성이 높을 수 있으며, 축방향 가스의 질소산화물 전환율이 높을 수 있다.
도 1은 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 2는 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 스월가스 주입구를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 마이크로웨이브 플라즈마 장치 내부의 플라즈마의 원주 속도(circumferential velocity, /ms-1)의 크기를 나타내는 그래프이다.
도 4는 도 3의 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)(좌측) 및 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)(우측)의 중공형 관 내부의 아르곤 질량 분율을 나타내는 그래프이다.
도 5는 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 중공형 관 내부의 단면 방향에 대한 압력 프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 6은 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 나타내는 그래프이다.
도 7은 스월가스로 질소, 축방향 가스로 산소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 산소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
도 8은 스월가스로 산소, 축방향 가스로 질소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 질소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
도 2는 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 스월가스 주입구를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 마이크로웨이브 플라즈마 장치 내부의 플라즈마의 원주 속도(circumferential velocity, /ms-1)의 크기를 나타내는 그래프이다.
도 4는 도 3의 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)(좌측) 및 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)(우측)의 중공형 관 내부의 아르곤 질량 분율을 나타내는 그래프이다.
도 5는 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 중공형 관 내부의 단면 방향에 대한 압력 프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 6은 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 나타내는 그래프이다.
도 7은 스월가스로 질소, 축방향 가스로 산소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 산소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
도 8은 스월가스로 산소, 축방향 가스로 질소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 질소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그러면 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 개략적으로 나타내는 측면도이며, 도 2는 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 스월가스 주입구를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 마이크로웨이브 플라즈마 장치는 중공형 관(10), 스월가스 주입구(20), 축방향 가스 주입구(30), 그리고 스월가스 격막(40)을 포함한다.
여기서, 마이크로웨이브 플라즈마 장치는 상압(대기압)에서 플라즈마를 발생시킨다. 상압(대기압) 플라즈마는 다양한 전극구조와 구동 주파수 및 조건들로 그 특성이 매우 다르게 나타나며 고온뿐만 아니라 저온 처리, 높은 활성종의 밀도, 빠른 처리시간 등 여러 장점을 갖고 있다.
중공형 관(10)은 속이 비어 있는 원통형이며, 마이크로웨이브가 조사된다. 중공형 관(10) 내부로 마이크로웨이브를 조사하면, 중공형 관(10) 내부로 주입된 스월가스와 축방향 가스를 소스 가스로 하는 플라즈마가 발생된다. 예를 들어, 중공형 관(10)은 석영으로 만들어질 수 있다.
스월가스 주입구(20)는 중공형 관(10)의 하단부에 위치하고 1 개 이상의 복수개일 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참고하면, 스월가스 주입구(20)는 4 개이며, 중공형 관(10)의 원주를 따라 약 90 도의 각을 이루며 형성되어 있다. 스월가스 주입구(20)를 통해 스월가스가 중공형 관(10) 내부로 나선형으로 주입된다. 예를 들어, 스월가스로 산소, 질소 등이 사용될 수 있다.
스월가스 주입구(20)의 개수와 형상은 도 3 및 도 4에 나타난 실험에 의해 최적화될 수 있다.
도 3은 7 가지 종류의 마이크로웨이브 플라즈마 장치 내부의 플라즈마의 원주 속도(circumferential velocity, /ms-1)의 크기를 나타내는 그래프이다. 좌측부터, 스월가스 주입구가 1 개(s-1), 2 개(s-2), 그리고 4 개(s-4)인 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 차례대로 나타냈다. 예를 들어, 두 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-2)의 2 개의 스월가스 주입구는 원주 상에서 서로 180 도의 각도를 이룬다. 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)의 4 개의 스월가스 주입구는 원주 상에서 서로 90 도의 각도를 이룬다. 네 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4_45)는 스월가스 주입구가 4 개이며, 4 개 모두 축 방향으로부터 45도 각도로 기울어져 있다. 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)는 스월가스 주입구가 8 개이며 원주 상에서 서로 45 도의 각도를 이루며, 여섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8_45)는 스월가스 주입구가 8 개이며, 8 개 모두 축 방향으로부터 45도 각도로 기울어져 있다. 일곱 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-12)는 스월가스 주입구가 12 개이며, 원주 상에서 서로 30 도의 각도를 이룬다.
도 3을 참고하면, 플라즈마 흐름 필드(flow field)의 안정성에서의 동축 흐름(coaxial co-flow)의 효과를 측정하기 위해, 중공형 관 내부의 원주 속도가 측정된다. 중공형 관 벽에서 가장 안정적이며, 중공형 관의 중심 근처에서 가장 덜 안정적이다. 이에 따라, 중공형 관 벽들이 보호될 수 있으며, 전구체(precursor)/캐리어(carrier) 가스가 시스 가스(sheath gas)에 의해 방해 받지 않고 진행될 수 있다.
도 3의 7 가지의 플라즈마 장치에서, 가장 우수한 스월 흐름을 갖는 것은 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(스월가스 주입구 4 개)(s-4)및 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(스월가스 주입구 8 개)(s-8)이다. 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)에서 스월가스 주입구 4개는 중공형 관 벽 근처에서 높은 원주 속도를 갖는 우수한 스핀 흐름을 만들 수 있지만, 네 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4_45)에서 4 개의 스월가스 주입구가 축방향으로부터 45도 기울어 있는 구성은 훨씬 낮은 원주 속도를 갖는 아래 방향으로의 스핀을 제공한다. 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)에서 8 개의 스월가스 주입구 8 개는 중공형 관 벽에서 높은 원주 속도를 나타내므로, 동축 흐름 가스(co-flow gas)가 우수한 스월(well-swirled)을 갖는다.
도 4는 도 3의 세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)(좌측) 및 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)(우측)의 중공형 관 내부의 아르곤 질량 분율을 나타내는 그래프이다.
세 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-4)의 원주 속도가 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)보다 더 높기 때문에, 캐리어 가스가 더 많이 분산된다. 그러나, 다섯 번째 마이크로웨이브 플라즈마 장치(s-8)는 캐리어 가스로부터의 중공형 관 벽의 보호 효과가 더 우수하기 때문에, 가장 바람직한 설계일 수 있다.
축방향 가스 주입구(30)는 중공형 관(10)의 하단부 중앙을 관통하도록 형성되어 있다. 축방향 가스 주입구(30)를 통해 축방향 가스가 중공형 관(10) 내부로 주입된다. 예를 들어, 축방향 가스로 산소, 질소 등이 사용될 수 있다.
마이크로웨이브 플라즈마 장치로 질소산화물을 생성하기 위하여, 스월가스로 질소와 산소 혼합 가스, 또는 건조 공기를 주입할 수 있다. 또한, 스월가스로 질소가 사용되고, 축방향 가스로 산소가 사용될 수 있다. 또는 스월가스로 산소가 사용되고, 축방향 가스로 질소가 사용될 수 있다.
스월가스 격막(40)은 중공형 관(10)의 하부의 스월가스가 주입되는 부근에 형성되어 있으며, 중공형 관(10)의 길이 방향으로 연장되어 있다. 스월가스 격막(40)과 중공형 관(10) 내벽 사이의 간극(g)을 형성한다. 스월가스 주입구(20)로 주입된 스월가스는 간극(g)을 통과하여 중공형 관(10) 내부로 유입된다. 이러한 간극(g)으로 인하여, 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 질소 선택성이 증대될 수 있다.
예를 들어, 스월가스 격막(40)과 중공형 관(10)의 내벽 사이의 간극(g)과 스월가스 주입구(20)의 직경(D)의 비율은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
[수학식 1]
0.1 ≤ g/D ≤ 1.5
스월가스 격막(40)과 중공형 관(10)의 내벽 사이의 간극(g)과 스월가스 주입구(20)의 직경(D)의 비율이 1.5보다 큰 경우, 스월가스의 주입이 오프-탄젠셜(off-tangential)되어버리기 때문에, 스월 흐름(swirl flow)이 깨져, 터뷸런트 흐름(turbulent flow)으로 될 수 있다. 또한, 스월가스 격막(40)과 중공형 관(10) 사이의 간극(g)과 스월가스 주입구(20)의 직경(D)의 비율이 0.1 보다 작은 경우, 기계적 가공의 한계가 발생할 수 있다.
도 5는 스월격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 중공형 관 내부의 단면 방향에 대한 압력 프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 5를 참고하면, 마이크로웨이브 플라즈마 장치의 중심(Radial position 0 mm)에서 멀어질수록 플라즈마 흐름으로 인한 내부 압력이 감소하다가, 5 mm 지점을 지나면서 급격히 증가한다. 특히, 스월격막이 있는 경우(with barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서의 압력 구배(pressure gradient)가 스월격막이 없는 경우(without barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서의 압력 구배보다 큰 것을 알 수 있다.
도 6은 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 나타내는 그래프이다.
도 6을 참고하면, 스월격막이 있는 경우(with barrier, "w")의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서의 질소산화물 NO와 NO2의 생성 농도가 스월격막이 없는 경우(without barrier, "w/o")의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서보다 높은 것을 알 수 있다. 여기서 NOx의 생성 농도는 NO와 NO2의 생성 농도의 합이다. 실험 조건에서, g/D는 1.0이고, 마이크로웨이브 출력은 500 W이고, 스월가스로 질소가 분당 15 L, 축방향 가스로 산소가 분당 0.2 L가 사용된다.
도 7은 스월가스로 질소, 축방향 가스로 산소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 산소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
도 7을 참고하면, 스월격막이 있는 경우(with barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서의 질소산화물 NO와 NO2의 생성 농도가 스월격막이 없는 경우(without barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서보다 높은 것을 알 수 있다. 또한, 산소의 양을 제어함으로써 질소산화물의 선택성을 높일 수 있다. 발생된 질소산화물 가스를 물에 통과시키면, 고농도의 질소산화물 가스만 얻을 수 있다. 실험 조건에서 g/D는 1.0이고, 마이크로웨이브 출력은 500 W이고, 스월가스로 질소 15 LPM이 사용되고, 축방향 가스로 산소 0-1000 sccm이 사용된다.
도 8은 스월가스로 산소, 축방향 가스로 질소를 사용하는 경우, 스월가스 격막의 유무에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서 생성되는 질소산화물의 농도를 질소의 유속의 변화에 대해 나타내는 그래프이다.
도 8을 참고하면, 스월격막이 있는 경우(with barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서의 질소산화물 NO와 NO2의 생성 농도가 스월격막이 없는 경우(without barrier)의 마이크로웨이브 플라즈마 장치에서보다 높은 것을 알 수 있다. 또한, 질소의 양을 제어함으로써 질소산화물의 선택성을 높일 수 있다. 발생된 질소산화물 가스를 물에 통과시키면, 고농도의 질소산화물 가스만 얻을 수 있다. 실험 조건에서 g/D는 1.0이고, 마이크로웨이브 출력은 500 W이고, 스월가스로 산소 15 LPM이 사용되고, 축방향 가스로 질소 0-1000 sccm이 사용된다.
그러면, 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 질소산화물 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
질소산화물 제조 방법은, 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 주입된 스월가스가 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계, 축방향 가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계, 그리고 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계를 포함한다.
그러면, 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 이용한 질소산화물 함유 수(水) 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
질소산화물 함유 수 제조 방법은, 질소산화물 가스를 생성하는 단계, 질소산화물 수를 생성하는 단계, 용존 기체인 산소를 제거하는 단계, 그리고 질소산화물 수를 저장하는 단계를 포함한다.
질소산화물 가스를 생성하는 단계는 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 장치에 의해 질소산화물을 생성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 질소산화물의 선택성이 증대된다.
예를 들어, 질소산화물 가스를 생성하는 단계는 질소산화물 제조 방법은, 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 주입된 스월가스가 스월가스 격막과 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계, 축방향 가스를 중공형 관으로 주입하는 단계, 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계, 그리고 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계를 포함한다.
여기서, 마이크로웨이브 플라즈마 장치는 상압(대기압)에서 플라즈마를 발생시킨다. 상압(대기압) 플라즈마는 다양한 전극구조와 구동 주파수 및 조건들로 그 특성이 매우 다르게 나타나며 고온뿐만 아니라 저온 처리, 높은 활성종의 밀도, 빠른 처리시간 등 여러 장점을 갖고 있다.
또한 상압 플라즈마의 적용 분야는 매우 다양하며, 특히 강한 산화력 또는 높은 반응성을 갖는 종들을 이용한 건식처리가 가능함에 따라 식품 살균, 바이오 필름 제거, 유기막 제거 등 생/의학 분야 및 식품 산업에서 사용될 수 있다.
질소산화물 수를 생성하는 단계는 생성된 질소산화물 가스를 증류수에 플라즈마 처리하여 질소산화물 함유 수를 생성하는 단계를 포함한다.
종래에는 플라즈마가 폐수처리 및 COD, BOD 감소, 탈색, 탈취 등 후처리 공정에 사용되었던 것과 달리, 플라즈마로 처리된 증류수나 용액이 선처리 공정에 이용될 수 있다. 플라즈마로 처리된 증류수의 경우 플라즈마 처리수라 불리며 오존수를 대신하여 살균수로서 그 역할을 대신 할 수 있을 정도의 좋은 살균력을 가지고 있다. 일명 "플라즈마 처리수"는 증류수에 대기압 플라즈마를 직접적으로 혹은 간접적으로 노출시켜 생성될 수 있다.
상압 플라즈마는 헬륨, 아르곤, 질소 등 여러 방전 기체로 방전이 이루어지지만 생성하고자 하는 플라즈마 처리수가 함유하는 화학종은 방전 기체에 따라 결정된다. 예를 들어 살균력이 높은 오존이나 산소 활성종(reactive species)들은 방전 기체로 산소나 산소 및 다른 기체의 혼합기체를 사용하여 생성될 수 있다. 또한, 플라즈마 처리수에 녹아서 존재하는 화학종들이 방치 시간에 따라 변화한다. 예를 들어, 육제품 제조 시 필수적으로 필요한 합성 아질산염은 플라즈마 처리수로 대체될 수 있다. 이때 플라즈마 처리수에 함유되어 있는 아질산 이온(Nitrite ion, NO2 -)과 질산 이온(Nitrate ion, NO3 -)은 중요하게 사용되지만, 방치 시간에 따라 아질산 이온이 감소하기 때문에 플라즈마 처리수가 적절하게 제어될 수 있다.
[반응식 1] 2NO(g) + O2(g) → 2NO2(g)
[반응식 2] NO + NO2 + H20 → 2NO2-+ 2H+
[반응식 3] 2NO2 + H2O → NO2-+ NO3-+ 2H+
[반응식 4] 3NO2(g) + H20(ℓ) → 2HNO3(aq) + NO(g)
[반응식 5] 4NO2(g) + O2(g)H2O(ℓ) → 4HNO3(aq)
[반응식 6] NO + OH + M → HNO2 + M
[반응식 7] NO2 + OH + M → HNO3 + M
플라즈마 처리된 증류수에 용해되어 있는 아질산은 pK 값이 3.37로 pH 3.37의 용액에서 50%가 해리되어 아질산염 이온이 생성되며 pH 5.5 이상의 용액에서는 99% 해리되어 아질산염 이온으로 대부분 해리된다(반응식 8).
[반응식 8] HONO + H2O ↔ H3O++ NO2 -
반응식 2와 반응식 3이 결합된 화학양론적 반응식에 의해 아질산은 중간 화학반응들을 거쳐 최종적으로 일산화질소, 질산염 이온, 수소 이온, 그리고 물이 생성되는 불균화 반응(disproportionation)이 일어난다. 즉, 아질산은 시간이 흐름에 따라 분해되어 농도가 줄어들며 그 분해 속도는 용액의 온도와 아질산의 초기농도에 의해 결정된다. 아질산의 초기농도가 높을수록, 용액의 온도가 높을수록 분해율(decomposition rate)은 증가한다. 이에 따라 처리수의 방치 시간이 지날수록 아질산은 감소하는 동시에 질산 이온이 증가는 아질산의 불균화 반응이 원인이며, 그 반응식은 하기와 같다.
3HNO2 → 2NO + NO3 -+ H+ + H2O
용존 기체인 산소를 제거하는 단계는 제조된 질소산화물 함유 수에서 산소가 제거된다. 예를 들어, 용존 산소의 제거는 진공법, 질소블로우(nitrogen blowing)법, 또는 이들 모두에 의해 수행될 수 있다. 진공법은 진공펌프를 이용해서 공기를 감압시키는 방법이다. 질소블로우법은 기상 중에 질소를 블로우해서 수중의 산소를 제거하는 방법이다.
저장기간에 따른 각 화학종들의 농도가 변화한다. 예를 들어, 제조된 질소산화물 함유 수에서, 아질산 이온을 비롯하여 NO의 농도가 줄어드는 반면, 질산 이온은 증가한다. 제조된 질소산화물 함유 수에서 존재하는 산소 농도에 따른 아질산과 아질산 이온의 합의 저장기간에 따라 감소한다. 예를 들어, 용존 산소의 농도가 높을수록, 저장기간이 지남에 따라 아질산과 아질산 이온의 감소하는 속도가 빠르다. 질소산화물 함유 수 안의 용존산소의 농도를 감소시켜 보관하는 경우, 용존산소에 의한 일산화질소의 감소를 막아 아질산 이온의 감소율을 줄일 수 있다. 저온 플라즈마(DBD, corona 등)를 사용할 경우, 용존 오존도 제거해야 한다.
질소산화물 수를 저장하는 단계는 질소산화물 함유 수를 냉각시켜 저장하는 단계를 포함한다.
냉각시키는 온도는 섭씨 영하 80 도 내지 섭씨 20 도일 수 있으며, 바람직하게는 섭씨 영하 80 도 내지 섭씨 0 도의 온도에서 질소산화물 수가 냉각된다. 아질산의 분해 속도는 온도에 비례하기 때문에 질소산화물 수의 온도를 낮춰서 보관할 경우, 아질산과 아질산 이온의 분해 속도를 줄일 수 있다.
질소산화물 함유 수에서 아질산 이온과 아질산은 용액의 pH에 따라 특정 비율로 존재하며, 이에 따라 pH의 증가(4.5-13)가 필요하다. 아질산은 불균화 반응에 의해 최종적으로 일산화질소, 질산염 이온, 수소 이온, 물로 분해되며, 이에 따라, pH의 증가(4.5-13)가 필요하다. 분해 속도는 아질산의 초기농도, 용액의 보관 온도, 용존 산소 및 용존 오존의 농도에 따라 결정되며, 이에 따라 용존된 산소종들의 제거가 필요하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (8)
- 속이 비어 있으며, 마이크로웨이브가 조사되는 중공형 관,
상기 중공형 관의 하단부에 위치하고, 스월가스(swirl gas)가 주입되는 스월가스 주입구,
상기 중공형 관의 하단부를 관통하고, 축방향 가스(axial gas)가 주입되는 축방향 가스 주입구, 그리고
상기 중공형 관 내부에 위치하고, 상기 스월가스가 주입되는 부근에 위치하고, 상기 중공형 관의 길이 방향으로 연장되어 있는 스월가스 격막
을 포함하고,
상기 스월가스 격막과 상기 중공형 관의 사이에 간극(g)이 형성되어 있고, 그리고
상기 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 상기 중공형 관의 내부에서 질소산화물이 생성되는, 마이크로웨이브 플라즈마 장치.
- 제1항에서,
상기 스월가스가 상기 간극(g)을 통과하여 상기 중공형 관의 내부로 공급되는, 마이크로웨이브 플라즈마 장치.
- 제2항에서,
상기 스월가스는 산소 또는 질소인, 마이크로웨이브 플라즈마 장치.
- 제3항에서,
상기 스월가스가 산소인 경우 상기 축방향 가스는 질소이고, 상기 스월가스가 질소인 경우 상기 축방향 가스는 산소인, 마이크로웨이브 플라즈마 장치.
- 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계,
주입된 스월가스가 스월가스 격막과 상기 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계,
축방향 가스를 상기 중공형 관으로 주입하는 단계,
상기 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계, 그리고
상기 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계
를 포함하는, 질소산화물 제조 방법.
- 스월가스를 중공형 관으로 주입하는 단계,
주입된 스월가스가 스월가스 격막과 상기 중공형 관의 사이에 형성되어 있는 간극을 통과하는 단계,
축방향 가스를 상기 중공형 관으로 주입하는 단계,
상기 중공형 관으로 마이크로웨이브를 조사하는 단계,
상기 중공형 관의 내부에서 플라즈마가 발생하고, 질소산화물 가스를 생성하는 단계, 그리고
생성된 상기 질소산화물 가스를 증류수에 플라즈마 처리하여 질소산화물 함유 수를 생성하는 단계
를 포함하는, 질소산화물 함유 수(水) 제조 방법.
- 제6항에서,
상기 질소산화물 함유 수에서 용존 기체인 산소를 제거하는 단계를 더 포함하는, 질소산화물 함유 수(水) 제조 방법.
- 제7항에서,
상기 질소산화물 함유 수를 냉각시켜 저장하는 단계를 더 포함하는, 질소산화물 함유 수(水) 제조 방법.
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