KR102167485B1

KR102167485B1 - Mask blank manufacturing method and a method of manufacturing mask for transfer

Info

Publication number: KR102167485B1
Application number: KR1020130107210A
Authority: KR
Inventors: 미쯔루 곤도; 유우스께 혼마; 미쯔히로 시라꾸라; 미쯔히사 히라이데; 히로시 시로또리
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2012-09-13
Filing date: 2013-09-06
Publication date: 2020-10-19
Also published as: JP2014074902A; TWI619143B; JP6251524B2; KR20140035253A; TW201419378A

Abstract

형성되는 레지스트막의 면 내의 감도 분포의 불균일성이 작은 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 얻기 위한, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법을 제공한다. 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하는 것을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법이며, 상기 레지스트막의 형성이, 사각 형상의 상기 기판 상에 레지스트 재료 및 용제를 포함하는 레지스트액을 적하하기 위한 적하 공정을 포함하며, 적하 공정에 있어서, 시간 t일 때의 상기 기판의 회전 속도를 R(t)로 하였을 때, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)가 300 내지 2000rpm인, 마스크 블랭크의 제조 방법이다.A method of manufacturing a mask blank and a transfer mask is provided for obtaining a mask blank and a transfer mask having a small non-uniformity in the sensitivity distribution in the surface of a formed resist film. A method for manufacturing a mask blank comprising forming a resist film made of a resist material on a substrate, wherein the formation of the resist film comprises a dropping step for dripping a resist liquid containing a resist material and a solvent onto the square-shaped substrate. In the dropping process, when the rotation speed of the substrate at time t is R(t), the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid is 300 to 2000 rpm It is a manufacturing method of phosphorus, a mask blank.

Description

A manufacturing method of a mask blank and a manufacturing method of a transfer mask TECHNICAL FIELD [MASK BLANK MANUFACTURING METHOD AND A METHOD OF MANUFACTURING MASK FOR TRANSFER}

본 발명은 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하는 것을 포함하는, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 그것을 사용한 반도체 디바이스 제조용의 전사용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask blank and a method of manufacturing a transfer mask. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a mask blank, including forming a resist film made of a resist material on a substrate, and a method for manufacturing a transfer mask for semiconductor device manufacturing using the same.

포토리소그래피법에 의한 전사용 마스크의 제조에는, 유리 기판 등의 기판 상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막(예를 들어 차광막 등)을 갖는 마스크 블랭크가 사용된다. 이 마스크 블랭크를 사용한 전사용 마스크의 제조는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 원하는 패턴 묘화를 실시하는 노광 공정과, 원하는 패턴 묘화에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 레지스트 패턴에 따라 상기 박막을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 갖고 행해지고 있다. 상기 현상 공정에서는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 원하는 패턴 묘화를 실시한 후에 현상액을 공급하여, 현상액에 가용인 레지스트막의 부위를 용해하고, 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 상기 에칭 공정에서는, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 건식 에칭 또는 습식 에칭에 의해 레지스트 패턴이 형성되지 않은 박막이 노출된 부위를 용해하고, 이에 의해 원하는 마스크 패턴을 투광성 기판 상에 형성한다. 이렇게 하여 전사용 마스크가 완성된다.In the manufacture of a transfer mask by a photolithography method, a mask blank having a thin film (for example, a light shielding film) for forming a transfer pattern (mask pattern) on a substrate such as a glass substrate is used. The manufacture of a transfer mask using this mask blank includes an exposure process for drawing a desired pattern on a resist film formed on the mask blank, a developing process for developing the resist film according to the desired pattern drawing to form a resist pattern, and It has an etching process of etching the thin film according to a resist pattern and a process of peeling and removing the remaining resist pattern. In the above developing step, after a desired pattern is drawn on the resist film formed on the mask blank, a developer is supplied to dissolve a portion of the resist film soluble in the developer to form a resist pattern. Further, in the above etching step, the resist pattern is used as a mask to dissolve the exposed portion of the thin film on which the resist pattern is not formed by dry etching or wet etching, thereby forming a desired mask pattern on the light-transmitting substrate. In this way, the transfer mask is completed.

종래, 사각 형상의 기판 상, 또는 이 기판 상에 성막된 박막을 갖는 박막 부착 기판 상에 레지스트막을 형성하여 마스크 블랭크를 제조할 때, 기판을 회전시켜 레지스트액을 도포하는 회전 도포 장치를 이용한 레지스트 회전 도포 방법이 일반적으로 이용되고 있다. 이 회전 도포 방법의 예로서, 특허문헌 1에는 기판 네 코너에 후막이 형성되지 않고 균일한 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 회전 도포 방법이 기재되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1에는 소정의 회전 속도 및 시간으로 기판을 회전시킴으로써, 레지스트의 막 두께를 실질적으로 균일화시키는 균일화 공정과, 균일화 공정에 계속하여 균일화 공정의 설정 회전 속도보다도 낮은 회전 속도로 기판을 회전시켜, 균일화 공정에 의해 얻어진 레지스트 막 두께를 실질적으로 유지하고, 균일화된 레지스트를 건조시키는 건조 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 방법이 기재되어 있다.Conventionally, when manufacturing a mask blank by forming a resist film on a square-shaped substrate or on a thin-film-attached substrate having a thin film deposited on the substrate, the resist is rotated using a rotating coating device that applies a resist solution by rotating the substrate. The application method is generally used. As an example of this rotational coating method, Patent Document 1 describes a resist rotational coating method for forming a uniform resist film without forming a thick film on four corners of the substrate. Specifically, Patent Document 1 discloses a homogenization process in which the film thickness of a resist is substantially uniform by rotating the substrate at a predetermined rotation speed and time, and a substrate at a rotation speed lower than the set rotation speed of the homogenization process following the homogenization process. A resist coating method comprising a drying step of substantially maintaining the thickness of the resist film obtained by the homogenization step by rotating and drying the homogenized resist is disclosed.

또한, 특허문헌 2에는 사각 형상의 기판 상에 레지스트 재료 및 용제를 포함하는 레지스트액을 적하하고, 상기 기판을 회전시켜, 적하된 레지스트액을 상기 기판 상에 확장함과 함께, 상기 기판 상의 레지스트액을 건조시켜, 상기 기판 상에 상기 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트 도포막을 형성하는 공정을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법이며, 상기 레지스트 도포막을 형성하는 공정에 있어서 상기 기판이 회전하고 있는 사이에, 상기 기판의 상면을 따라 기판의 중앙측으로부터 외주 방향으로 기류를 발생시키고, 기판의 회전에 의해 기판 주연부에 형성되는 레지스트액의 액 고임이 기판 중앙 방향으로 이동하는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법이 기재되어 있다.In addition, in Patent Document 2, a resist liquid containing a resist material and a solvent is dropped onto a square-shaped substrate, and the substrate is rotated to expand the dropped resist liquid onto the substrate. A method for manufacturing a mask blank comprising a step of drying to form a resist coating film made of the resist material on the substrate, wherein in the step of forming the resist coating film, while the substrate is rotating, the upper surface of the substrate A method for manufacturing a mask blank, characterized in that airflow is generated from the center of the substrate to the outer circumferential direction along the line, and the liquid reservoir of the resist liquid formed on the peripheral edge of the substrate is prevented from moving toward the center of the substrate by rotation of the substrate. It is described.

특허문헌 3에는 마스크 기판에 레지스트액을 분사하는 분사 단계와, 회전 속도를 변화시키면서 상기 마스크 기판을 회전시켜 상기 레지스트 물질을 상기 마스크 기판 전체에 확산시키는 확산 단계와, 상기 마스크 기판을 회전시켜 레지스트막을 형성하는 막 형성 단계, 및 상기 마스크 기판을 상기 막 형성 단계보다 낮은 회전 속도로 회전시켜, 마스크 기판에 형성된 상기 레지스트막을 건조시키는 건조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크의 제조 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 3에는, 분사 단계에 있어서, 마스크 기판에 레지스트 물질을 분사할 때, 마스크 기판의 회전 속도는 150rpm 이하로 설정되고, 분사 시간은 1 내지 10초의 범위로 설정되는 것도 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 레지스트 물질의 분사가 종료된 시점부터 다음에 이어지는 확산 단계가 개시되는 시점까지 기판의 회전 상태를 유지하는 것이 기재되어 있다.In Patent Document 3, a spraying step of spraying a resist liquid onto a mask substrate, a diffusion step of rotating the mask substrate while changing a rotation speed to diffuse the resist material over the entire mask substrate, and a resist film by rotating the mask substrate A method of manufacturing a blank mask, comprising: forming a film forming step; and a drying step of drying the resist film formed on the mask substrate by rotating the mask substrate at a lower rotational speed than the film forming step. . Patent Document 3 also describes that when spraying a resist material onto the mask substrate in the spraying step, the rotational speed of the mask substrate is set to 150 rpm or less, and the spraying time is set to a range of 1 to 10 seconds. In addition, Patent Literature 3 describes maintaining the rotational state of the substrate from the time when spraying of the resist material is finished to the time when the next diffusion step is started.

[특허문헌][Patent Literature]

특허문헌 1: 일본 특허 공고 평4-29215호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. Hei 4-29215

특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2005-12851호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2005-12851

특허문헌 3: 대한민국 등록 특허 제10-0818674호 공보Patent Document 3: Korean Patent Registration No. 10-0818674 Publication

반도체 웨이퍼의 패턴 치수의 미세화에 수반하여 전사용 마스크의 패턴 치수의 미세화가 점진적으로 진행되고 있다. 전사용 마스크의 제조에 사용하는 마스크 블랭크의 레지스트막의 고감도화도 패턴 미세화를 위하여 요구되는 것 중 하나이다.Along with the miniaturization of the pattern size of the semiconductor wafer, the miniaturization of the pattern size of the transfer mask is gradually progressing. High sensitivity of the resist film of the mask blank used in the manufacture of a transfer mask is one of the requirements for finer patterns.

고감도의 레지스트 재료로서 화학 증폭형 레지스트를 들 수 있다. 화학 증폭형 레지스트는 고감도인 한편, 여러가지 환경의 영향을 받아 감도가 변화하기 쉽다. 예를 들어, 종래의 방법으로 레지스트막을 형성하면, 기판 상에서 레지스트의 감도 분포가 발생하는 경우가 있다. 레지스트의 감도 분포는 노광 조건을 복잡화하여, 패턴 치수의 미세화를 곤란하게 한다.Chemically amplified resists are mentioned as a highly sensitive resist material. While chemically amplified resists are highly sensitive, their sensitivity is liable to change under the influence of various environments. For example, when a resist film is formed by a conventional method, the sensitivity distribution of the resist may occur on the substrate. The sensitivity distribution of the resist complicates the exposure conditions, making it difficult to refine the pattern size.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여, 면 내의 감도 분포의 불균일성이 작은 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 미세화된 패턴 치수를 갖는 전사용 마스크를 얻기 위한 전사용 마스크의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a mask blank having a resist film having a small non-uniformity of the sensitivity distribution in the plane. It is also an object of the present invention to provide a method of manufacturing a transfer mask for obtaining a transfer mask having a fine pattern size.

레지스트 감도의 불균일성이 동일 기판 상에서 발생하는 원인으로서, 레지스트액을 도포할 때의 환경 요소에 의한 작용의 영향을 생각할 수 있다. 환경 요소의 예로서는 레지스트액의 건조 상태나 레지스트 분자에 가해지는 원심력 및 마찰력과 같은 물리적 작용 등을 들 수 있다.As a cause of the non-uniformity of the resist sensitivity on the same substrate, it is possible to consider the influence of the action by environmental factors when the resist liquid is applied. Examples of environmental factors include the dry state of the resist liquid and physical actions such as centrifugal and frictional forces applied to resist molecules.

본 발명자들은, 그들 물리적 작용 중에서 레지스트액을 도포하는 표면(피도포면)에 레지스트액을 적하할 때의 레지스트액의 확산 상태(적하되어 있는 상태에서의 레지스트액의 번짐 상태)에 착안하였다. 그 결과, 레지스트액의 기판에의 확산이 빠를수록 감도 분포의 불균일성이 작아진다고 하는 사실을 얻었다. 또한, 본 발명자들은 여러가지 실험을 행한 바, 레지스트액의 적하 종료시에 기판의 회전 속도를 소정의 값으로 함으로써, 레지스트막의 면 내에서의 감도 분포의 불균일성을 작게 할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명에 이르렀다.Among these physical actions, the present inventors have focused on the diffusion state of the resist liquid (the state of spreading the resist liquid in the dropping state) when the resist liquid is dropped onto the surface to which the resist liquid is applied (the surface to be coated). As a result, it was obtained that the faster the diffusion of the resist liquid onto the substrate, the smaller the non-uniformity in the sensitivity distribution. In addition, the inventors of the present invention have conducted various experiments and found that the non-uniformity of the sensitivity distribution in the surface of the resist film can be reduced by setting the rotation speed of the substrate to a predetermined value at the end of the dropping of the resist liquid. Arrived.

본 발명은 하기 구성 1 내지 11인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법 및 하기 구성 12인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법이다.The present invention is a method of manufacturing a mask blank, characterized by the following configurations 1 to 11, and a method of manufacturing a transfer mask, characterized by the following configuration 12.

(구성 1)(Configuration 1)

본 발명은 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하는 것을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법이며, 상기 레지스트막의 형성이, 사각 형상의 상기 기판 상에 레지스트 재료 및 용제를 포함하는 레지스트액을 적하하기 위한 적하 공정을 포함하며, 적하 공정에 있어서, 시간 t일 때의 상기 기판의 회전 속도를 R(t)로 하였을 때, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)가 300 내지 2000rpm인, 마스크 블랭크의 제조 방법이다.The present invention is a method for manufacturing a mask blank comprising forming a resist film made of a resist material on a substrate, wherein the formation of the resist film is for dripping a resist liquid containing a resist material and a solvent onto the square-shaped substrate. Including a dropping process, and in the dropping process, when the rotation speed of the substrate at time t is R(t), the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid is It is a method of manufacturing a mask blank, which is 300 to 2000 rpm.

적하 종료 시간 t_B에서 기판이 고속 회전하고 있으면, 적하된 레지스트액에 가해지는 물리적 작용(예를 들어, 원심력이나 기판과의 마찰력)이 균일해져 레지스트막의 감도 분포가 발생하기 어려워진다. 시간 t_B에서의 회전 속도가 300rpm을 하회하면, 회전 속도가 충분하지 않아, 적하된 레지스트액에 가해지는 물리적 작용에 불균일이 발생하기 쉬워진다. 2000rpm을 초과하면, 물리적 작용은 균일해지지만, 회전에 의한 기류에 의해 적하된 레지스트가 건조되기 시작하므로 막 두께 분포가 나빠질 우려가 생긴다.If the substrate is rotated at a high speed in the loading end time t _B, it is difficult to physical action exerted on the dropped resist solution (for example, the frictional force and the centrifugal force or the substrate), a uniform resist film becomes sensitivity distribution occurs. Time and results lower than the rotation speed of 300rpm in t _B, because the rotational speed is not enough, and is liable to variation in the physical effect to be applied to the dropped resist solution occurs. When it exceeds 2000 rpm, the physical action becomes uniform, but the resist dropped by the airflow caused by rotation starts to dry, and there arises a fear that the film thickness distribution deteriorates.

(구성 2)(Configuration 2)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)가 500 내지 1000rpm인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank of the present invention, it is preferable that the rotational speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid is 500 to 1000 rpm.

R(t_B)가 500 내지 1000rpm의 사이이면, 막 두께와 감도가 균일화된 마스크 블랭크를 보다 안정화하여 제조할 수 있다.When R(t _B ) is between 500 and 1000 rpm, a mask blank with uniform film thickness and sensitivity can be further stabilized and manufactured.

(구성 3)(Configuration 3)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액의 적하 개시 전에, 상기 기판을 회전시키는 적하 전 회전 공정을 포함하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank of the present invention, it is preferable to include a pre-dropping rotation step of rotating the substrate before starting to drop the resist liquid.

적하 전 회전 공정이 포함됨으로써, 회전에 의한 기판의 기류를 안정화할 수 있다. 기판의 기류가 안정화됨으로써, 적하시의 레지스트액에 가해지는 물리적 작용이 보다 균일해진다. 그 결과, 감도 분포의 불균일성을 보다 해소할 수 있다. 또한, 적하 전 회전 공정이 포함됨으로써, 기판 상에 부착된 이물질을 제거할 수 있다고 하는 부가적 효과도 얻어진다.By including the rotation process before dropping, it is possible to stabilize the airflow of the substrate by rotation. By stabilizing the airflow of the substrate, the physical action applied to the resist liquid at the time of dropping becomes more uniform. As a result, the unevenness of the sensitivity distribution can be further eliminated. In addition, by including the rotation step before dropping, an additional effect of being able to remove foreign matter adhering on the substrate is obtained.

(구성 4)(Configuration 4)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B보다 나중에, 상기 기판의 회전 속도 R(t)를 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 상기 기판의 회전 속도 R(t_B)보다 낮게 하거나, 또는 상기 기판의 회전을 정지하는 건조 정도 조정 공정을 포함하며, 건조 정도 조정 공정 후에, 상기 기판의 회전 속도 R(t)를 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 상기 기판의 회전 속도 R(t_B)보다 높게 하는 균일화 공정을 포함하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a mask blank of the present invention, after the dropping end time t _B of the resist liquid, the rotation speed R(t) of the substrate is adjusted to the rotation speed R(t) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid. _B ) or a drying degree adjustment step of stopping the rotation of the substrate, and after the drying degree adjustment step, the rotation speed R(t) of the substrate is adjusted to the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid. It is preferable to include a homogenization process which makes it higher than the rotational speed R(t _B ) of.

시간 t_B의 시점에서, 기판 상에 공급된 레지스트액은, 고속 회전에 수반하는 원심력에 의해 테두리부에 레지스트액이 고이기 쉬워진다. 시간 t_B에서의 회전 속도보다도 더 고속 회전을 실시함으로써, 테두리부에 고인 잉여의 레지스트액을 기판의 외측 방향으로 비산시킬 수 있다. 이에 의해, 막 두께 변동이 억제되어, 막 두께 변동에 유래하는 감도 분포의 불균일을 억제할 수 있다.At the time point t _B , the resist liquid supplied onto the substrate tends to accumulate in the edge portion due to centrifugal force accompanying high-speed rotation. By performing a faster rotation than the rotation speed at the time t _B, it is the residue of the resist solution accumulated in the edge portion can be scattered in the lateral direction of the substrate. Thereby, the film thickness fluctuation is suppressed, and the variation in the sensitivity distribution resulting from the film thickness fluctuation can be suppressed.

(구성 5)(Configuration 5)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 직후에, 소정 시간 Δt의 사이, 상기 기판의 회전 속도 R(t)(t_B<t≤t_B+Δt)를, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 상기 기판의 회전 속도 R(t_B)와 동일하게 유지하는 적하 후 회전 속도 유지 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank of the present invention, the rotational speed R(t) (t _B <t ≤ t _B +Δt) of the substrate during a predetermined time Δt immediately after the dropping end time t _B of the resist liquid is And a post-dropping rotation speed maintenance step of maintaining the same as the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid.

적하 공정 후에 기판의 고속 회전을 유지함으로써, 기판 상의 레지스트층을 박막화할 수 있다. 레지스트막에 미세한 치수의 패턴을 형성하기 위한 마스크 블랭크를 제조하는 경우에, 본 제조 방법은 특히 바람직하게 적용된다.By maintaining the high-speed rotation of the substrate after the dropping step, the resist layer on the substrate can be thinned. In the case of manufacturing a mask blank for forming a pattern of fine dimensions in a resist film, this manufacturing method is particularly preferably applied.

(구성 6)(Configuration 6)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B보다 나중에, 레지스트액 도포 장치의 내부를 배기하기 위한 배기 수단을 가동시킬 수 있다.In the method for manufacturing a mask blank of the present invention, the exhaust means for exhausting the inside of the resist liquid coating apparatus can be operated after the dropping end time t _{B of the} resist liquid.

레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 시점에서, 기판 상에 형성된 레지스트층은 레지스트액에 포함되는 용매에 의해 유동적 상태이다. 적하 종료 시간 t_B의 시점에서 배기 수단을 가동시킴으로써, 레지스트액 도포조 내의 배기 수단을 향하는 기류가 발생하고, 그에 의해 레지스트층이 균일하게 되므로 막 두께를 균일화할 수 있다.At the time point of the dropping end time t _B of the resist liquid, the resist layer formed on the substrate is in a fluid state by the solvent contained in the resist liquid. By activating the exhaust means at the dropping end time t _B , air flow toward the exhaust means in the resist liquid coating tank is generated, whereby the resist layer becomes uniform, and the film thickness can be made uniform.

(구성 7)(Configuration 7)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 균일화 공정의 적어도 일부에 있어서, 레지스트액 도포 장치의 내부를 배기하기 위한 배기 수단을 가동시킬 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank of the present invention, in at least a part of the homogenization step, the exhaust means for exhausting the inside of the resist liquid coating apparatus can be operated.

배기 수단이 가동되면 레지스트액 도포 장치 내의 기압이 낮아지기 때문에, 레지스트층에 잔존하는 용매 성분의 휘발이 촉진된다. 그로 인해 레지스트층이 신속하게 건조된다. 그 결과, 건조 속도의 분포에 의한 레지스트층의 감도 분포의 억제를 기대할 수 있다.When the exhaust means is actuated, the atmospheric pressure in the resist liquid coating device is lowered, and thus the volatilization of the solvent component remaining in the resist layer is promoted. As a result, the resist layer dries quickly. As a result, suppression of the sensitivity distribution of the resist layer by distribution of the drying rate can be expected.

또한, 배기 수단이 가동하였을 때 레지스트 기판의 주연부를 빠져나가는 기류가 발생하는 위치에 배치되어 있는 경우에는, 스핀 회전에 의해 기판의 주연부에 고인 레지스트액을 기판의 밖을 향하도록 그 기류가 작용한다. 그 결과, 기판의 주연부에 레지스트액이 고이는 액 고임 현상이 해소된다.In addition, when the exhaust means is placed in a position where an airflow exiting the periphery of the resist substrate occurs when the exhaust means is actuated, the airflow acts so that the resist liquid accumulated in the periphery of the substrate is directed out of the substrate by spin rotation. . As a result, the phenomenon that the resist liquid accumulates in the periphery of the substrate is eliminated.

(구성 8)(Configuration 8)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액이 화학 증폭형 레지스트액일 수 있다.In the method for manufacturing a mask blank of the present invention, the resist liquid may be a chemically amplified resist liquid.

화학 증폭형 레지스트액은 고감도이기 때문에 감도 변화도 발생하기 쉽다. 본 제조 방법은 고감도의 화학 증폭형 레지스트를 사용하여 제조하는 마스크 블랭크의 제조 방법에 특히 적합하다.Since the chemically amplified resist liquid is highly sensitive, a change in sensitivity is likely to occur. This manufacturing method is particularly suitable for a manufacturing method of a mask blank manufactured using a highly sensitive chemically amplified resist.

(구성 9)(Configuration 9)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 기판의 레지스트막을 형성하는 표면이 반응성 스퍼터링법에 의해 형성된 박막의 표면이며, 상기 박막이 적어도 Cr, Ta, Si, Mo, Ti, V, Nb 및 W로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원소를 포함할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank of the present invention, the surface forming the resist film of the substrate is a surface of a thin film formed by a reactive sputtering method, and the thin film is at least Cr, Ta, Si, Mo, Ti, V, Nb and W. It may contain one or more elements selected from the group consisting of.

스퍼터링법으로 성막된 상기 물질을 포함하는 박막은 활성이 높다. 이로 인해, 레지스트액은 박막에 접함으로써 감도 변화가 발생하기 쉽다. 본 제조 방법은 레지스트 적하시에 발생하는 감도 분포의 불균일화를 최소한으로 억제할 수 있다. 따라서, 감도 변화가 일어나기 쉬운 구성의 박막이 형성된 기판이라도 감도 분포의 불균일화를 효과적으로 억제할 수 있다.A thin film containing the material deposited by sputtering has high activity. For this reason, when the resist liquid comes into contact with the thin film, a change in sensitivity is likely to occur. This manufacturing method can minimize the unevenness of the sensitivity distribution that occurs when the resist is dropped. Therefore, even a substrate on which a thin film having a structure in which sensitivity change is likely to occur can be effectively suppressed from unevenness in the sensitivity distribution.

(구성 10)(Configuration 10)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 박막이 적어도 Cr을 포함하며, 상기 박막에 포함되는 Cr의 비율이 적어도 50원자％ 이상일 수 있다.In the method of manufacturing a mask blank of the present invention, the thin film may contain at least Cr, and the ratio of Cr contained in the thin film may be at least 50 atomic% or more.

Cr을 포함하는 박막은, 표면에는 Cr과 환경 중의 산소가 결합한 크롬 산화물이 노출된다. Cr 산화물은 표면 에너지가 낮다. Cr의 농도가 원자％를 초과하는 박막은, 표면 에너지가 낮은 Cr 산화물의 노출 비율이 증가하기 때문에 레지스트액과의 습윤성이 나빠진다.On the surface of a thin film containing Cr, chromium oxide in which Cr and oxygen in the environment are bonded is exposed. Cr oxide has low surface energy. In a thin film having a Cr concentration exceeding atomic%, the wettability with the resist liquid deteriorates because the exposure ratio of the Cr oxide having low surface energy increases.

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법은, 이러한 구성의 박막 상에 레지스트층을 형성하는 경우에 있어서, 특히 우수한 효과를 발휘할 수 있다.The manufacturing method of the mask blank of the present invention can exhibit particularly excellent effects when forming a resist layer on a thin film having such a configuration.

(구성 11)(Composition 11)

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에서는, 상기 박막이 적어도 Si를 포함할 수 있다.In the method for manufacturing a mask blank of the present invention, the thin film may contain at least Si.

Si와 다른 원소, 특히 금속 원소로 이루어지는 복합막은 Si와의 복합막이 아닌 경우와 비교하여 표면 에너지가 낮아진다.The composite film made of Si and other elements, particularly metal elements, has a lower surface energy compared to the case where the composite film is not a composite film with Si.

따라서, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법은, 이러한 구성의 박막 상에 레지스트층을 형성하는 경우에 있어서, 특히 우수한 효과를 발휘할 수 있다.Accordingly, the method for manufacturing a mask blank of the present invention can exhibit particularly excellent effects when forming a resist layer on a thin film having such a configuration.

(구성 12)(Composition 12)

본 발명은 구성 1 내지 11 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크의 상기 레지스트막을 패터닝하여 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마스크 패턴을 형성하여 전사용 마스크를 제조하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법이다.In the present invention, a resist pattern is formed by patterning the resist film of a mask blank manufactured by the method for manufacturing a mask blank according to any one of configurations 1 to 11, and a mask pattern is formed using the resist pattern as a mask. It is a method of manufacturing a transfer mask, characterized in that to manufacture.

본 발명에 의해, 면 내의 감도 분포의 불균일성이 작은 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크의 제조 방법을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어진 마스크 블랭크를 사용함으로써, 미세화된 패턴 치수를 갖는 전사용 마스크를 제조하기 위한, 전사용 마스크의 제조 방법을 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a method for manufacturing a mask blank having a resist film having a small non-uniformity in the in-plane sensitivity distribution. Further, by using the mask blank obtained by the method for producing a mask blank of the present invention, a method for producing a transfer mask for producing a transfer mask having a fine pattern size can be obtained.

도 1은 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 시간과 기판의 회전 속도의 관계를 나타내는 도면이다.
도 2는 레지스트 도포 공정의 수순의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 3은 레지스트액 도포 장치(회전 도포 장치)의 일례를 도시하는 측단면 모식도이다.
도 4는 (A) 박막 부착 기판, (B) 마스크 블랭크 및 (C) 전사용 마스크의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5는 기판 상에 차광막 및 에칭 마스크막을 구비한 마스크 블랭크의 일례를 도시하는 단면 모식도이다.1 is a diagram showing the relationship between the time of each step during the resist coating step and the rotational speed of the substrate.
2 is a flowchart showing an example of the procedure of a resist coating process.
3 is a schematic side cross-sectional view showing an example of a resist liquid coating device (rotating coating device).
4 is a schematic diagram showing an example of (A) a substrate with a thin film, (B) a mask blank, and (C) a mask for transfer.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a mask blank provided with a light shielding film and an etching mask film on a substrate.

전사용 마스크의 제조를 위한 마스크 블랭크를 제조할 때, 기판 상, 또는 이 기판 상에 성막된 박막을 갖는 박막 부착 기판 상에 레지스트막을 형성하여 마스크 블랭크를 제조한다. 본 명세서에서는 기판 상, 또는 소정의 박막이 형성된 기판(박막 부착 기판) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정을 「레지스트 도포 공정」이라고 한다. 또한, 본 명세서에서는 박막이 형성되지 않은 기판 및 박막 부착 기판을 총칭하여 간단히 「기판」이라고 하는 경우가 있다.When manufacturing a mask blank for manufacturing a transfer mask, a resist film is formed on a substrate or on a substrate with a thin film having a thin film formed on the substrate to prepare a mask blank. In this specification, a process of forming a resist film by applying a resist liquid on a substrate or on a substrate (a substrate with a thin film) on which a predetermined thin film is formed is referred to as a "resist coating process". In addition, in this specification, a substrate on which a thin film is not formed and a substrate with a thin film are collectively referred to as simply "substrate" in some cases.

본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법은, 레지스트 도포 공정 중, 레지스트액을 적하하기 위한 적하 공정 (S2)에 있어서, 시간 t일 때의 기판의 회전 속도를 R(t)로 하였을 때, 레지스트액의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)를 300 내지 2000rpm으로 하는 데 특징이 있다. 본 발명의 마스크 블랭크의 제조 방법에 따르면, 형성된 레지스트막의 감도 분포의 불균일성을 작게 할 수 있다.In the method of manufacturing a mask blank of the present invention, in the dropping step (S2) for dropping the resist liquid during the resist coating step, when the rotation speed of the substrate at time t is R(t), the resist liquid is It is characterized in that the rotational speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B is set to 300 to 2000 rpm. According to the manufacturing method of the mask blank of the present invention, it is possible to reduce the unevenness of the sensitivity distribution of the formed resist film.

또한, 본 발명에 의해 레지스트막의 감도 분포의 불균일성을 작게 할 수 있는 메커니즘으로서, 다음의 것을 생각할 수 있다. 즉, 소정의 회전 속도로 회전하고 있는 기판 상에 레지스트액을 적하함으로써, 레지스트액에는 거의 균질한 물리적 작용(예를 들어, 레지스트액의 건조 상태, 레지스트 분자에 가해지는 원심력 및 마찰력 등)이 가해진다. 이로 인해, 레지스트 도포 공정에 있어서 형성되는 레지스트막의 감도를 균일하게 할 수 있기 때문에, 형성된 레지스트막의 감도 분포의 불균일성을 작게 할 수 있다고 추측할 수 있다. 단, 본 발명은, 이 추측에 구속되는 것이 아니다.Further, as a mechanism capable of reducing the unevenness of the sensitivity distribution of the resist film according to the present invention, the following can be considered. That is, by dropping the resist liquid onto the substrate rotating at a predetermined rotational speed, a substantially homogeneous physical action (e.g., the dry state of the resist liquid, the centrifugal force applied to the resist molecules, the frictional force, etc.) is applied to the resist liquid. All. For this reason, since the sensitivity of the resist film formed in the resist coating step can be made uniform, it can be assumed that the unevenness of the sensitivity distribution of the formed resist film can be reduced. However, this invention is not limited to this guess.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 우선, 기판(11)의 표면에 소정의 박막(14)이 형성된 박막 부착 기판(15)을 준비한다(도 4의 (A)). 이어서, 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에, 소정의 방법으로 레지스트액(26)을 적하하여 도포하고, 레지스트막(16)을 형성함으로써 본 발명의 마스크 블랭크(10)를 제조할 수 있다(도 4의 (B)). 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 박막(14)에 대하여 소정의 패터닝을 실시함으로써, 피전사체에 전사하기 위한 마스크 패턴(13)을 갖는 전사용 마스크(18)를 제조할 수 있다(도 4의 (C)).In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, first, a substrate 15 with a thin film in which a predetermined thin film 14 is formed on the surface of the substrate 11 is prepared (FIG. 4A). Subsequently, a resist liquid 26 is applied dropwise to the surface of the thin film 14 of the thin film-attached substrate 15 by a predetermined method, and the resist film 16 is formed to prepare the mask blank 10 of the present invention. It can be done (Fig. 4(B)). By performing predetermined patterning on the thin film 14 of the mask blank 10 of the present invention, a transfer mask 18 having a mask pattern 13 for transferring to a transfer object can be manufactured (Fig. 4). (C)).

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 사용하는 기판(11)으로서는, 유리 기판을 사용할 수 있다. 유리 기판으로서는 마스크 블랭크(10)로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 합성 석영 유리, 소다 석회 유리, 알루미노실리케이트 유리, 보로실리케이트 유리, 무알칼리 유리 등을 들 수 있다. 또한, 반사형 마스크 블랭크용(EUV 마스크 블랭크용) 유리 기판의 경우에는, 노광시의 열에 의한 피전사 패턴의 왜곡을 억제하기 위하여, 약 0±1.0×10^-7/℃의 범위 내, 보다 바람직하게는 약 0±0.3×10^-7/℃의 범위 내의 저열팽창 계수를 갖는 유리 재료가 사용된다. 또한, EUV 마스크 블랭크는, 유리 기판 상에 다수의 박막이 형성되기 때문에, 막 응력에 의한 변형을 억제할 수 있는 강성이 높은 유리 재료가 사용된다. 기판(11)으로서는, 특히, 65GPa 이상의 높은 영률을 갖는 유리 재료가 바람직하다. 예를 들어, SiO₂-TiO₂계 유리, 합성 석영 유리 등의 아몰퍼스 유리나, β-석영 고용체를 석출한 결정화 유리가 사용된다.As the substrate 11 used in the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, a glass substrate can be used. The glass substrate is not particularly limited as long as it is used as the mask blank 10. For example, synthetic quartz glass, soda lime glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, alkali-free glass, etc. are mentioned. In the case of a glass substrate for reflective mask blanks (for EUV mask blanks), in order to suppress distortion of the pattern to be transferred due to heat during exposure, within the range of about 0±1.0×10 ^-7 /°C, more preferably Preferably, a glass material having a low coefficient of thermal expansion in the range of about 0±0.3×10 ^-7 /°C is used. In addition, since a large number of thin films are formed on the glass substrate for the EUV mask blank, a glass material having high rigidity capable of suppressing deformation due to film stress is used. As the substrate 11, a glass material having a high Young's modulus of 65 GPa or more is particularly preferable. For example, amorphous glass such as SiO ₂ -TiO _{2 type} glass or synthetic quartz glass, or crystallized glass in which a β-quartz solid solution has been deposited is used.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 사용하는 기판(11)의 형상은 사각 형상인 것이 바람직하다. 일반적으로, 기판(11)의 모서리 부분에 대해서도 균일하게 레지스트액(26)을 도포하는 것은 용이하지 않다. 한편, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 기판(11)의 모서리 부분에 대해서도 균일하게 레지스트액(26)을 도포할 수 있으므로, 면 내의 감도 분포의 불균일성이 작은 레지스트막(16)을 얻을 수 있다.It is preferable that the shape of the substrate 11 used in the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention is a square shape. In general, it is not easy to uniformly apply the resist liquid 26 even to the edge portions of the substrate 11. On the other hand, if the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention is used, the resist liquid 26 can be uniformly applied even to the edge of the substrate 11, so that the resist film ( 16) can be obtained.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 사용하는 박막 부착 기판(15)은, 사각 형상의 기판(11)의 주 표면에 스퍼터링법, 증착법 또는 CVD법 등을 이용하여 박막(14)을 성막함으로써 제조할 수 있다.The thin-film substrate 15 used in the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention is a thin film 14 formed on the main surface of the square-shaped substrate 11 using a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method. It can be manufactured by doing.

박막(14)은 노광광(예를 들어 ArF 엑시머 레이저 등)에 대하여 광학적 변화를 초래하는 것이며, 구체적으로는 노광광을 차광하는 차광막이나, 노광광의 위상을 변화시키는 위상 시프트막(이 위상 시프트막에는 차광 기능 및 위상 시프트 기능을 갖는 하프톤막도 포함함), 반사형 마스크 블랭크에 사용되는 다층 반사막과 흡수체 및 에칭 마스크로 이루어지는 적층 구조의 박막 등을 들 수 있다.The thin film 14 causes an optical change with respect to exposure light (for example, an ArF excimer laser, etc.), and specifically, a light-shielding film that blocks exposure light, or a phase shift film that changes the phase of exposure light (this phase shift film Examples include a halftone film having a light-shielding function and a phase shift function), a multilayer reflective film used for a reflective mask blank, an absorber, and a thin film having a laminated structure comprising an etching mask.

위상 시프트 마스크 블랭크 및 바이너리 마스크 블랭크의 박막(14)은 단층에 한정되지 않고, 상기의 차광막이나 위상 시프트막 외에 에칭 스토퍼층이나 에칭 마스크층 등의 복수의 층을 적층한 적층막을 사용할 수 있다. 박막(14)의 적층막으로서는, 예를 들어 차광막의 적층막 및 위상 시프트막과 차광막을 적층한 적층막 등을 들 수 있다.The thin film 14 of the phase shift mask blank and the binary mask blank is not limited to a single layer, and a laminated film in which a plurality of layers such as an etching stopper layer or an etching mask layer are stacked may be used in addition to the light shielding film and the phase shift film described above. As the laminated film of the thin film 14, for example, a laminated film of a light-shielding film and a laminated film of a phase shift film and a light-shielding film may be mentioned.

다층 반사막은 EUV광에 적용 가능한 다층 반사막이며, Si/Ru 주기 다층막, Be/Mo 주기 다층막, Si 화합물/Mo 화합물 주기 다층막, Si/Nb 주기 다층막, Si/Mo/Ru 주기 다층막, Si/Mo/Ru/Mo 주기 다층막 및 Si/Ru/Mo/Ru 주기 다층막 등을 들 수 있다. 다층 반사막의 표면에는 Ta계 재료 등으로 이루어지는 흡수체층이 형성되고, 또한 그 위에 Cr계 화합물로 이루어지는 에칭 마스크막이 형성된다.Multilayer reflective film is a multilayer reflective film applicable to EUV light, Si/Ru cycle multilayer film, Be/Mo cycle multilayer film, Si compound/Mo compound cycle multilayer film, Si/Nb cycle multilayer film, Si/Mo/Ru cycle multilayer film, Si/Mo/ Ru/Mo periodic multilayer film and Si/Ru/Mo/Ru periodic multilayer film, etc. are mentioned. An absorber layer made of a Ta-based material or the like is formed on the surface of the multilayer reflective film, and an etching mask film made of a Cr-based compound is formed thereon.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 의해 제조할 수 있는 마스크 블랭크(10)로서는, 바이너리 마스크 블랭크, 위상 시프트형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 블랭크를 들 수 있다. 바이너리 마스크 블랭크 및 위상 시프트형 마스크 블랭크의 경우에는, 기판(11)으로서 합성 석영 유리로 이루어지는 투광성 기판이 사용된다. 바이너리 마스크 블랭크로서는 박막(14)으로서 차광막이 형성된 마스크 블랭크를 들 수 있으며, 위상 시프트 마스크 블랭크로서는 박막(14)으로서 위상 시프트막(하프톤막도 포함함)이 형성된 마스크 블랭크를 들 수 있다.As the mask blank 10 which can be manufactured by the manufacturing method of the mask blank 10 of this invention, a binary mask blank, a phase shift type mask blank, and a reflection type mask blank are mentioned. In the case of a binary mask blank and a phase shift type mask blank, a light-transmitting substrate made of synthetic quartz glass is used as the substrate 11. As the binary mask blank, a mask blank in which a light-shielding film is formed as the thin film 14 is exemplified, and as the phase shift mask blank, a mask blank in which a phase shift film (including a halftone film) is formed as the thin film 14 is exemplified.

또한, 반사형 마스크 블랭크의 경우에는, 기판(11)으로서 열팽창 계수가 작은 저열팽창 유리(SiO2-TiO2 유리 등)가 사용되며, 이 기판(11) 상에 광 반사 다층막과, 마스크 패턴(13)이 되는 광 흡수체막을 순차적으로 형성한 것이다. 반사형 마스크 블랭크의 경우에는, 이들 광 반사 다층막, 광 흡수체막 및 에칭 마스크막이 박막(14)이다.In the case of a reflective mask blank, a low thermal expansion glass (SiO2-TiO2 glass, etc.) having a small coefficient of thermal expansion is used as the substrate 11, and on the substrate 11 a light reflective multilayer film and a mask pattern 13 The light absorber film to be formed is sequentially formed. In the case of a reflective mask blank, these light reflective multilayer films, light absorber films, and etching mask films are the thin films 14.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 기판(11)(박막 부착 기판(15)) 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막(16)을 형성하기 위한 레지스트 도포 공정을 포함한다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 기판(11) 상에 직접 레지스트막(16)을 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 일반적으로는 박막 부착 기판(15)의 표면에 레지스트막(16)을 형성하므로, 이하에서는 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에 레지스트액(26)을 도포하는 형태에 대하여 설명한다. 단, 본 명세서에 있어서, 예를 들어 「박막 부착 기판(15)」을 간단히 「기판」이라고 하는 경우도 있다. 특히 「기판의 회전 속도」 및 「박막 부착 기판(15)의 회전 속도」는 어느 쪽도 레지스트액 도포 장치(회전 도포 장치)(20)의 회전 속도를 나타내는 것이므로, 양자는 동일한 의미이다.The manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention includes a resist coating step for forming a resist film 16 made of a resist material on the substrate 11 (substrate 15 with a thin film). Further, in the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, it is possible to form the resist film 16 directly on the substrate 11. However, in general, since the resist film 16 is formed on the surface of the thin film-attached substrate 15, the following describes the form of applying the resist liquid 26 to the surface of the thin film 14 of the thin-film-attached substrate 15. Explain. However, in this specification, for example, the "substrate 15 with a thin film" may be simply referred to as a "substrate". In particular, the "rotation speed of the substrate" and the "rotation speed of the thin-film-attached substrate 15" both represent the rotational speed of the resist liquid coating device (rotation coating device) 20, and therefore both have the same meaning.

도 1에 본 발명의 제조 방법의 레지스트 도포 공정의 각 공정의 시간과, 박막 부착 기판(15)의 회전 속도의 관계를 나타낸다. 또한, 도 2에 본 발명의 제조 방법의 레지스트 도포 공정의 수순의 일례를 나타내는 흐름도를 나타낸다. 또한, 도 3에 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에 레지스트액(26)을 도포하여 레지스트막(16)을 형성하기 위한 레지스트액 도포 장치인 레지스트액 도포 장치(20)의 일례의 측단면 모식도를 도시한다.1 shows the relationship between the time of each step of the resist coating step of the manufacturing method of the present invention and the rotational speed of the thin film-attached substrate 15. In addition, Fig. 2 is a flowchart showing an example of the procedure of the resist coating step of the manufacturing method of the present invention. 3 shows an example of a resist liquid coating device 20, which is a resist liquid coating device for forming a resist film 16 by applying a resist liquid 26 to the surface of the thin film 14 of the thin film 15 It shows a schematic cross-sectional side view.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서의 레지스트 도포 공정에 대하여, 도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서의 레지스트 도포 공정은 적하 공정 (S2)를 포함한다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서의 레지스트 도포 공정은, 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3), 건조 정도 조정 공정 (S4), 균일화 공정 (S5) 및 건조 공정 (S6)을 필요에 따라 포함할 수 있다. 또한, 레지스트 도포 공정은, 적하 공정 (S2) 전에 적하 전 회전 공정 (S1)을 더 포함할 수 있다. 적하 전 회전 공정 (S1)은 가속 단계 (S1a) 및 정속 단계 (S1b)를 필요에 따라 포함할 수 있다.A resist coating step in the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 3. As shown in Fig. 2, the resist application step in the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention includes a dropping step (S2). In addition, the resist coating step in the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention includes a post-dropping rotation speed maintenance step (S3), a drying degree adjustment step (S4), a homogenization step (S5), and a drying step (S6). It can be included as needed. In addition, the resist coating step may further include a rotation step (S1) before dropping before the dropping step (S2). The rotation process before dropping (S1) may include an acceleration step (S1a) and a constant speed step (S1b) as necessary.

도 3에 도시한 바와 같이, 레지스트액 도포 장치(20)는, 사각 형상의 기판(11) 상에 예를 들어 차광막을 형성한 박막 부착 기판(15)을 적재하여 회전 가능하게 유지하는 스피너 척(21)과, 박막 부착 기판(15) 상에 레지스트액(26)을 적하하기 위한 노즐(22)과, 적하된 레지스트액(26)이 박막 부착 기판(15)의 회전에 의해 박막 부착 기판(15) 외측으로 비산한 후, 레지스트액 도포 장치(20)의 주변으로 비산하는 것을 방지하기 위한 컵(23)과, 컵(23)의 상방에, 박막 부착 기판(15) 외측으로 비산한 레지스트액(26)을 컵(23)의 외측 하방으로 유도하는 이너 링(24)과, 박막 부착 기판(15)을 향하는 기류(34)를 생기시키도록 배기를 행하는 배기 수단(30)을 구비하고 있다.As shown in Fig. 3, the resist liquid coating device 20 is a spinner chuck that mounts, for example, a thin-film-attached substrate 15 on which a light-shielding film is formed on a square-shaped substrate 11 to be rotatable. 21), a nozzle 22 for dropping the resist liquid 26 onto the thin film-attached substrate 15, and the dropped resist liquid 26 are rotated by the thin-film-attached substrate 15 ) After scattering to the outside, a cup 23 for preventing scattering around the resist liquid application device 20, and a resist liquid scattered above the cup 23 to the outside of the thin film-attached substrate 15 ( An inner ring 24 for guiding 26 to an outer lower side of the cup 23 and an exhaust means 30 for exhausting air to generate an air flow 34 toward the thin film-attached substrate 15 are provided.

상술한 스피너 척(21)에는 박막 부착 기판(15)을 회전시키기 위한 모터(도시하지 않음)가 접속되어 있으며, 이 모터는 후술하는 회전 조건에 기초하여 스피너 척(21)을 회전시킨다.A motor (not shown) for rotating the thin film-attached substrate 15 is connected to the spinner chuck 21 described above, and this motor rotates the spinner chuck 21 based on a rotation condition described later.

또한, 컵(23)의 하방에는, 배기량을 제어하는 배기량 제어 수단이 구비된 배기 수단(30)과, 회전 중에 박막 부착 기판(15) 외로 비산한 레지스트액(26)을 회수하여 배액하는 배액 수단(도시하지 않음)이 설치되어 있다.Further, below the cup 23, an exhaust means 30 provided with an exhaust amount control means for controlling the exhaust amount, and a draining means for recovering and draining the resist liquid 26 scattered outside the thin film-attached substrate 15 during rotation. (Not shown) is installed.

상기 레지스트액 도포 장치(20)를 사용한 레지스트 도포 공정에서는, 처음에 박막 부착 기판(15)을 기판 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 레지스트액 도포 장치(20)의 스피너 척(21)으로 이송하고, 이 스피너 척(21) 상에 박막 부착 기판(15)을 유지한다.In the resist coating process using the resist liquid coating device 20, the substrate 15 with a thin film is initially transferred to the spinner chuck 21 of the resist liquid coating device 20 by a substrate transfer device (not shown). , The substrate 15 with a thin film is held on the spinner chuck 21.

레지스트 도포 공정은, 이어서 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 사각 형상의 박막 부착 기판(15) 상에 레지스트 재료 및 용제를 포함하는 레지스트액(26)을 적하하기 위한 적하 공정 (S2)를 포함한다. 구체적으로는, 레지스트액(26)은 레지스트액 도포 장치(20)의 노즐(22)로부터 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에 적하된다.The resist coating step is followed by a dropping step (S2) for dropping the resist liquid 26 containing a resist material and a solvent onto the rectangular-shaped thin-film substrate 15 as shown in Figs. 1 and 2. Include. Specifically, the resist liquid 26 is dripped onto the surface of the thin film 14 of the thin film-attached substrate 15 from the nozzle 22 of the resist liquid coating device 20.

적하 공정 (S2)는, 박막 부착 기판(15)의 회전 속도가 가속적으로 변화하는 회전 가속 단계 (S1)을 포함한다. 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 적하 공정 (S2) 시에 모터에 의해 스피너 척(21)을 통하여 박막 부착 기판(15)을 소정의 회전 속도로 회전시켜 레지스트액(26)을 적하한다. 구체적으로는, 본 발명은, 적하 공정 (S2)에 있어서, 시간 t일 때의 기판의 회전 속도를 R(t)로 하였을 때, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)가 300 내지 2000rpm, 바람직하게는 500 내지 1000rpm인 데에 특징이 있다.The dropping step (S2) includes a rotation acceleration step (S1) in which the rotational speed of the thin film-attached substrate 15 rapidly changes. In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist liquid 26 is rotated at a predetermined rotational speed through the spinner chuck 21 by a motor during the dropping step (S2). Dripping. Specifically, in the present invention, in the dropping step (S2), when the rotation speed of the substrate at the time t is R(t), the rotation speed of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid 26 It is characterized in that R(t _B ) is 300 to 2000 rpm, preferably 500 to 1000 rpm.

또한, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B일 때의 기판의 회전 속도가 300rpm을 하회하면, 감도 분포의 불균일성이 발생할 우려가 있다. 또한, 시간 t_B일 때의 기판의 회전 속도가 500rpm 이상이면, 감도 분포의 불균일성을 보다 작게 할 수 있다.In addition, if the rotational speed of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid 26 is less than 300 rpm, there is a concern that non-uniformity in the sensitivity distribution may occur. Further, when the rotation speed of the substrate at the time t _B is 500 rpm or more, the non-uniformity of the sensitivity distribution can be made smaller.

또한, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B일 때의 기판의 회전 속도가 2000rpm 이상이면, 고속 회전에 의해 레지스트액(26)의 용매 성분의 휘발이 촉진되어, 적하 공정 (S2)시에 레지스트액(26)의 일부가 건조되어 버릴 우려가 생긴다. 시간 t_B일 때의 기판의 회전 속도가 1000rpm 이하이면, 레지스트액(26)의 건조 우려를 보다 작게 할 수 있다.In addition, if the rotational speed of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid 26 is 2000 rpm or more, volatilization of the solvent component of the resist liquid 26 is promoted by high-speed rotation, and during the dropping step (S2) There is a fear that a part of the resist liquid 26 will be dried. Time the rotational speed of the substrate when the t _B can be made smaller than the risk of drying is less than 1000rpm, the resist solution 26.

레지스트액(26)의 적하 개시 시간 t_A일 때의 기판의 회전 속도는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 레지스트액(26)의 기판에의 원활한 도포를 실현하기 위해서는, 레지스트액(26)의 적하 개시 시간 t_A일 때의 기판의 회전 속도 R(t_A)와, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)는 R(t_A)≤R(t_B)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 레지스트액(26)의 기판에의 보다 원활한 도포를 실현하기 위해서는, 레지스트액(26)의 적하 개시 시간 t_A부터 적하 종료 시간 t_B까지 동일한 회전 속도를 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 레지스트액(26)의 적하 개시 시간 t_A의 직후, 단시간, 예를 들어 0.1초 이내, 바람직하게는 0.07초 이내에 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)까지 기판의 회전 속도를 가속하고, 그 후 회전 속도 R(t_B)를 유지하는 것이 바람직하다.The rotational speed of the substrate at the dropping start time t _A of the resist liquid 26 is not particularly limited. However, in order to realize smooth application of the resist liquid 26 to the substrate, the rotation speed R(t _A ) of the substrate at the dropping start time t _{A of the} resist liquid 26 and the dripping of the resist liquid 26 It is preferable that the rotational speed R(t _B ) of the substrate at the end time t _B satisfies the relationship of R(t _A )≦R(t _B ). In addition, in order to realize more smooth application of the resist liquid 26 to the substrate, it is desirable to maintain the same rotational speed from the dropping start time t _A of the resist liquid 26 to the dropping end time t _B. Further, immediately after the dropping start time t _A of the resist liquid 26, within a short time, for example, within 0.1 seconds, preferably within 0.07 seconds, the rotational speed R(t) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid 26 _B) accelerate the rotational speed of the substrate up to, and then it is desirable to maintain the rotational speed R (t _B).

또한, 「동일한 회전 속도를 유지하는」이란, 기본적으로는 회전 속도가 동일한 것을 의미한다. 그러나, 「동일한 회전 속도를 유지할」 때에는, 본 발명의 방법에 의한 레지스트액(26)의 도포에 대하여 악영향을 미치지 않을 정도의 회전 속도의 변동, 예를 들어 ±30％의 회전 속도의 변동, 바람직하게는 ±20％의 회전 속도의 변동, 보다 바람직하게는 ±10％의 회전 속도의 변동, 및 더욱 바람직하게는 ±5％의 회전 속도의 변동을 포함할 수 있다.In addition, "maintaining the same rotational speed" means that the rotational speed is basically the same. However, when "maintaining the same rotational speed", fluctuations in rotational speed to a degree that do not adversely affect the application of the resist liquid 26 by the method of the present invention, for example, fluctuations in rotational speed of ±30%, are preferable. Preferably, it may include a variation of the rotational speed of ±20%, more preferably a variation of the rotational speed of ±10%, and more preferably a variation of the rotational speed of ±5%.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서의 레지스트 도포 공정에 대하여, 바람직한 형태에 대하여 설명한다.With reference to Figs. 1 and 2, a preferred embodiment will be described with respect to a resist coating step in the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트 도포 공정이 적하 전 회전 공정 (S1)을 포함할 수 있다. 적하 전 회전 공정 (S1)에서는, 레지스트액(26)의 적하 개시 시간 t_A보다 먼저 박막 부착 기판(15)을 회전하는 공정이다. 적하 전 회전 공정 (S1)은, 정지 상태부터 소정의 회전 속도까지 기판의 회전 속도를 가속하는 가속 단계 (S1a)와, 소정의 회전 속도로 기판의 회전 속도를 유지하는 정속 단계 (S1b)를 포함할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist application step may include a rotation step (S1) before dropping. In the rotation process before dropping (S1), it is a step of rotating the substrate 15 with a thin film before the dropping start time t _A of the resist liquid 26. The rotation process before dropping (S1) includes an acceleration step (S1a) for accelerating the rotational speed of the substrate from a stationary state to a predetermined rotational speed, and a constant speed step (S1b) for maintaining the rotational speed of the substrate at a predetermined rotational speed. can do.

가속 단계 (S1a) 및 정속 단계 (S1b)를 적절하게 포함하는 적하 전 회전 공정 (S1)에 의해, 정지 상태부터 소정의 회전 속도까지 소정의 회전 가속도로 기판의 회전 속도를 가속하면, 회전 개시 초기에 발생하는 기판 근방의 기류(34)의 흐트러짐을 적하 개시 시간 t_A가 되기 전에 경감 또는 해소할 수 있다. 이 결과, 적하 전 회전 공정 (S1)에 이어지는 적하 공정 (S2)에서의 레지스트액(26)의 적하시에, 기류(34)의 흐트러짐에 의한 코팅 얼룩(레지스트액(26) 도포의 불균일성에 기인하는 모양)이 발생하기 어려워진다. 또한, 적하 전 회전 공정 (S1)의 기판의 회전에 의해, 기판 표면에 부착된 이물질을 감소시킬 수도 있다.By accelerating the rotational speed of the substrate with a predetermined rotational acceleration from a stationary state to a predetermined rotational speed by a pre-loading rotation process (S1) that properly includes an acceleration step (S1a) and a constant speed step (S1b), the rotation start is initiated. The disturbance of the airflow 34 in the vicinity of the substrate can be reduced or eliminated before the dropping start time t _A is reached. As a result, in the dropping of the resist liquid 26 in the dropping step (S2) following the pre-dropping rotation step (S1), coating unevenness due to disturbance of the airflow 34 (due to the non-uniformity of the application of the resist liquid 26) Pattern) becomes difficult to occur. Further, by rotation of the substrate in the rotation step S1 before dropping, foreign matter adhering to the substrate surface may be reduced.

가속 단계 (S1a)에서의 회전 가속도는 특별히 한정되지 않는다. 기판 표면에 부착된 이물질을 감소시키는 것을 확실하게 하고, 적하 공정 (S2)에서의 레지스트액(26)의 적하시에 기류(34)의 흐트러짐에 의한 코팅 불균일의 발생을 감소시키는 것을 확실하게 하기 위하여, 가속 단계 (S1a)에서의 회전 가속도는 100 내지 2000rpm/초, 바람직하게는 200 내지 1500rpm/초의 회전 가속도로 할 수 있다. 또한, 정속 단계 (S1b)의 회전 속도는 200 내지 1500rpm, 바람직하게는 500 내지 1000rpm으로 할 수 있다.The rotational acceleration in the acceleration step S1a is not particularly limited. To ensure reduction of foreign matter adhering to the substrate surface and to ensure that the occurrence of coating unevenness due to disturbance of the airflow 34 when the resist liquid 26 is dropped in the dropping step (S2) is reduced. , The rotational acceleration in the acceleration step (S1a) may be 100 to 2000 rpm/sec, preferably 200 to 1500 rpm/sec. In addition, the rotational speed of the constant speed step (S1b) may be 200 to 1500 rpm, preferably 500 to 1000 rpm.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트 도포 공정이, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B의 직후에, 소정 시간 Δt의 사이, 기판의 회전 속도 R(t)(t_B<t≤t_B+Δt)를, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B의 기판의 회전 속도 R(t_B)와 동일하게 유지하는 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)을 더 포함할 수 있다. 레지스트액(26)의 적하 종료 후에도 동일한 기판의 회전 속도를 유지함으로써, 적하 종료 직전에 적하한 레지스트액(26)도 적하 개시 직후의 레지스트액(26)과 마찬가지의 원심력에 의해 기판 표면으로 확장할 수 있다. 그로 인해, 레지스트액(26)을 기판 표면에 충분히 확장할 수 있다. 또한, 소정 시간 Δt는 0.5 내지 10초인 것이 바람직하고, 2 내지 5초인 것이 더욱 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist coating step is performed immediately after the dropping end time t _B of the resist liquid 26, during a predetermined time Δt, the rotational speed R(t)(t _B ) of the substrate. <t≤t _B +Δt) may further include a post-dropping rotational speed maintenance step (S3) for maintaining the same as the rotational speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid 26. have. By maintaining the same rotational speed of the substrate even after the dropping of the resist liquid 26 is finished, the resist liquid 26 dropped immediately before the dropping is also expanded to the substrate surface by the same centrifugal force as the resist liquid 26 immediately after dropping starts. I can. Therefore, the resist liquid 26 can be sufficiently expanded on the surface of the substrate. Further, the predetermined time Δt is preferably 0.5 to 10 seconds, and more preferably 2 to 5 seconds.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트 도포 공정이, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B보다 나중에, 즉 적하 공정 (S2)의 다음에, 또는 적하 공정 (S2)의 다음에 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)이 존재하는 경우에는 그 다음에, 기판의 회전 속도를 낮게 하거나 또는 회전을 정지하는 건조 정도 조정 공정 (S4)를 더 포함할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist coating step is after the dropping end time t _B of the resist liquid 26, that is, after the dropping step (S2), or after the dropping step (S2). If there is a rotational speed maintaining step (S3) after dropping in, then, a drying degree adjusting step (S4) of lowering the rotational speed of the substrate or stopping rotation may be further included.

적하 공정 (S2)에서의 고속 회전으로 적하를 행하면, 적하 공정 (S2) 중에 기판 상에서 습윤되어 있는 레지스트액(26)으로부터 용매 성분이 휘발한다. 그로 인해, 레지스트액(26)이 적하되는 노즐(22)과 대향하는 기판 상의 영역 부근과, 그 주위의 기판 상의 영역에서는 습윤 상태에 차이가 발생한다. 건조 정도 조정 공정 (S4)에 의해 기판의 회전 속도를 감속 또는 정지함으로써, 기판에 도포된 레지스트액(26)에 포함되는 용매 성분의 휘발을 억제시키면서, 기판의 표면 전체를 향하여 비교적 완만하게 레지스트액(26)이 번져 부분적인 건습의 치우침을 방지할 수 있다. 또한, 건조 정도 조정 공정 (S4)를 설치함으로써, 균일화 공정 (S5)에 있어서도 레지스트막(16)의 균질화가 확실하게 진행된다. 또한, 도포된 레지스트액(26)의 건습의 치우침이 건조 정도 조정 공정 (S4)에서 일시적으로 해소되기 때문에, 레지스트액(26)의 건조 속도의 차이에 의한 레지스트막(16)의 감도 변화도 억제할 수 있다.When dropping is performed at high speed rotation in the dropping step (S2), the solvent component volatilizes from the resist liquid 26 moistened on the substrate during the dropping step (S2). Therefore, a difference occurs in the wet state in the vicinity of the region on the substrate facing the nozzle 22 to which the resist liquid 26 is dropped, and in the region on the substrate around it. By reducing or stopping the rotational speed of the substrate by the drying degree adjustment step (S4), the resist liquid is relatively gentle toward the entire surface of the substrate while suppressing the volatilization of the solvent component contained in the resist liquid 26 applied to the substrate. (26) Spreads and can prevent partial wet and dry bias. Further, by providing the drying degree adjustment step (S4), homogenization of the resist film 16 reliably proceeds also in the homogenization step (S5). In addition, since the dry and wet bias of the applied resist liquid 26 is temporarily eliminated in the drying degree adjustment step (S4), the change in sensitivity of the resist film 16 due to the difference in the drying speed of the resist liquid 26 is also suppressed. can do.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트 도포 공정이, 적하 공정 (S2)의 후에, 적하 종료 시간 t_B일 때의 기판의 회전 속도 R(t_B)보다 빠른 기판의 회전 속도로 기판을 회전하는 균일화 공정 (S5)를 포함할 수 있다. 레지스트 도포 공정이 균일화 공정 (S5)를 가짐으로써, 박막 부착 기판(15) 상의 레지스트막(16)의 막 두께를 균일화할 수 있다. 레지스트 도포 공정이 휴지 공정 (S3) 및 예비 회전 공정 (S4 및 S5)를 포함하는 경우에는, 균일화 공정 (S5)는 그들 공정 (S3 내지 S5) 후에 행해진다. 균일화 공정 (S5)에서의 기판의 회전 속도 및 회전 시간은, 레지스트액(26)의 종류에 따라 설정할 수 있다. 일반적으로는, 균일화 공정 (S5)의 기판의 회전 속도는 850 내지 2000rpm이고, 회전 시간은 1 내지 15초인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist application step is, after the dropping step (S2), at a rotation speed of the substrate faster than the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B. It may include a homogenization process (S5) rotating the substrate. When the resist coating process has the uniforming process (S5), the film thickness of the resist film 16 on the thin film-attached substrate 15 can be made uniform. When the resist application process includes the rest process (S3) and the pre-rotation process (S4 and S5), the homogenization process (S5) is performed after those processes (S3 to S5). The rotation speed and rotation time of the substrate in the homogenization step S5 can be set according to the type of the resist liquid 26. In general, it is preferable that the rotation speed of the substrate in the homogenization step (S5) is 850 to 2000 rpm, and the rotation time is 1 to 15 seconds.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 균일화 공정 (S5)에 있어서, 박막 부착 기판(15)을 향하는 기류(34)를 생기시키도록 배기를 행하기 위한 배기 수단(30)을 가동시키는 것을 포함하는 것이 바람직하다. 적하 공정 (S2)에 있어서 도포 환경을 적극적으로 감압하면, 레지스트액(26)이 피도포면에 밀착하기 전에 건조되어 버리는 현상이나, 이물질이 혼입된 상태로 레지스트액(26)이 건조 응집되는 것을 억제할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, in the homogenization step (S5), the exhaust means 30 for evacuating to generate an airflow 34 toward the thin film-attached substrate 15 is operated. It is preferable to include that. When the application environment is actively depressurized in the dropping step (S2), the phenomenon that the resist liquid 26 is dried before it comes into close contact with the surface to be coated, or the resist liquid 26 is dried and agglomerated in a state in which foreign substances are mixed is suppressed. can do.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트 도포 공정이 건조 공정 (S6)을 포함할 수 있다. 건조 공정 (S6)에서는, 균일화 공정 (S5)에서의 회전 속도보다도 낮은 회전 속도로 박막 부착 기판(15)을 회전시킴으로써, 균일화 공정 (S5)에 의해 얻어진 레지스트막(16)의 막 두께의 균일성을 유지하면서 레지스트막(16)을 건조시킬 수 있다. 건조 공정 (S6)에서의 기판의 회전 속도는 500rpm 이하, 바람직하게는 150 내지 350rpm이고, 계속 시간은 특별히 제한이 없으며, 레지스트막(16)이 건조될 때까지 행하는 것이 바람직하다. 건조 공정 (S6)의 계속 시간은, 구체적으로는 5초 이상, 바람직하게는 10 내지 60초일 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist application process may include a drying process (S6). In the drying step (S6), the uniformity of the film thickness of the resist film 16 obtained by the homogenizing step (S5) by rotating the substrate 15 with a thin film at a lower rotation speed than the rotation speed in the homogenizing step (S5) While maintaining the resist film 16 can be dried. The rotational speed of the substrate in the drying step (S6) is 500 rpm or less, preferably 150 to 350 rpm, and the duration is not particularly limited, and is preferably performed until the resist film 16 is dried. The duration of the drying step (S6) may be specifically 5 seconds or more, and preferably 10 to 60 seconds.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 레지스트액(26)의 적하 종료 시간 t_B보다 나중에, 레지스트액 도포 장치의 내부를 배기하기 위한 배기 수단(30)을 가동시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 적하 공정 (S2)의 종료 후, 배기량을 제어하는 배기량 제어 수단이 구비된 배기 수단(30)에 의해, 박막 부착 기판(15)이 회전하고 있는 사이, 박막 부착 기판(15)의 상면을 따라 박막 부착 기판(15)의 중앙측으로부터 외주 방향으로 기류(34)가 흐르도록 기류(34)를 발생시킬 수 있다. 배기 수단(30)을 가동시키면, 레지스트액 도포 장치의 내부에서 배기 수단(30)을 향하여 기류(34)가 발생한다. 레지스트액(26)이 기판 표면의 전체로 확장하기 전에 기류(34)가 발생하면, 기류(34)가 흐르는 개소의 건조가 촉진되어 코팅 얼룩(레지스트액(26) 도포의 불균일성에 기인하는 모양)의 원인이 된다. 따라서, 배기 수단(30)의 가동은, 기판 표면에 레지스트액(26)이 충분히 확장된, 적하 공정 (S2)의 종료 후에 행하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, it is preferable to operate the exhaust means 30 for exhausting the inside of the resist liquid coating apparatus after the dropping end time t _B of the resist liquid 26. Specifically, after the dropping step (S2) is finished, the substrate 15 with the thin film is rotated by the exhaust means 30 provided with the exhaust amount control means for controlling the exhaust amount. The air flow 34 may be generated so that the air flow 34 flows from the center of the thin film-attached substrate 15 along the upper surface in the outer circumferential direction. When the exhaust means 30 is operated, an air flow 34 is generated from the inside of the resist liquid coating device toward the exhaust means 30. If the airflow 34 is generated before the resist liquid 26 extends to the entire surface of the substrate, drying of the location where the airflow 34 flows is accelerated and coating unevenness (a pattern caused by the non-uniformity of the application of the resist liquid 26) Cause of. Therefore, it is preferable to perform the operation of the exhaust means 30 after completion of the dropping step (S2) in which the resist liquid 26 is sufficiently expanded on the substrate surface.

또한, 레지스트액 도포 장치의 내부를 배기하기 위한 배기 수단(30)을 가동시키면, 기류(34)에 의해, 박막 부착 기판(15)의 외주부(기판(11)의 주 표면 단부)에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임을 효과적으로 박막 부착 기판(15) 외로 비산시킬 수 있다. 또한, 박막 부착 기판(15)의 네 코너나 박막 부착 기판(15) 외주부에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임이 박막 부착 기판(15) 중앙부로 되돌려지는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 그 결과, 박막 부착 기판(15)의 네 코너 및 주연부에 형성되는 레지스트막(16)의 후막 영역(막 두께가 두꺼운 영역)을 저감시킬 수 있거나, 혹은 그 영역의 막 두께의 부풀어오름을 저감(후막화를 억제)시킬 수 있다. 구체적으로는, 박막 부착 기판(15)의 상면에 닿는 기류(34)의 속도가 0.5m/초 이상 5m/초 이하가 되도록 배기량을 제어하는 것이 바람직하다.Further, when the exhaust means 30 for exhausting the inside of the resist liquid coating device is operated, the resist generated on the outer periphery of the thin film-attached substrate 15 (the main surface end of the substrate 11) by the air flow 34 The liquid reservoir of the liquid 26 can be effectively scattered out of the thin film-attached substrate 15. Further, it is possible to effectively suppress the liquid accumulation of the resist liquid 26 generated at the four corners of the thin film-attached substrate 15 or the outer circumference of the thin-film-attached substrate 15 from returning to the central portion of the thin-film-attached substrate 15. As a result, it is possible to reduce the thick film regions (regions with a thick film thickness) of the resist film 16 formed at the four corners and the periphery of the thin film-attached substrate 15, or reduce the swelling of the film thickness in the region ( It can suppress thickening). Specifically, it is preferable to control the amount of exhaust so that the velocity of the airflow 34 reaching the upper surface of the thin film-attached substrate 15 is 0.5 m/sec or more and 5 m/sec or less.

또한, 박막 부착 기판(15) 상면과 컵(23) 상방에 설치된 이너 링(24)(개구부(32))까지의 높이(거리)와, 이너 링(24)의 개구 직경을 제어함으로써, 박막 부착 기판(15) 상면으로부터 박막 부착 기판(15) 외주부에 닿는 기류(34)의 유속을 제어할 수 있다. 이 결과, 박막 부착 기판(15) 외주부(기판(11) 주 표면 단부)에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임을 효과적으로 박막 부착 기판(15) 외로 비산시키거나, 또는 박막 부착 기판(15)의 네 코너나 박막 부착 기판(15) 외주부에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임이 박막 부착 기판(15) 중앙부로 되돌려지는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 데 필요한 유속으로 유지하는 것이 가능하다.In addition, by controlling the height (distance) to the inner ring 24 (opening portion 32) provided on the upper surface of the substrate 15 with the thin film and above the cup 23 and the opening diameter of the inner ring 24, thin film adhesion It is possible to control the flow velocity of the airflow 34 from the upper surface of the substrate 15 to the outer peripheral portion of the substrate 15 with a thin film. As a result, the liquid reservoir of the resist liquid 26 generated on the outer periphery of the thin film-attached substrate 15 (the main surface end of the substrate 11) is effectively scattered out of the thin-film-attached substrate 15, or the thin-film-attached substrate 15 It is possible to maintain the flow rate necessary to effectively suppress the liquid accumulation of the resist liquid 26 generated at the four corners of the thin film or the outer circumference of the thin-film-attached substrate 15 from being returned to the central portion of the thin-film-attached substrate 15.

또한, 배기 수단(30)에 의한 기류(34)의 발생은, 균일화 공정 (S5)의 적어도 일부, 바람직하게는 균일화 공정 (S5)의 전부에 있어서, 기판의 소정의 고속 회전 속도와 동기하여 레지스트액 도포 장치의 내부를 배기하기 위한 배기 수단(30)을 가동시키는 것이 바람직하다. 또한, 배기 수단(30)에 의한 기류(34)의 발생은, 균일화 공정 (S5) 뿐만 아니라 다른 공정, 예를 들어 건조 공정 (S6)에 있어서도 행할 수 있다.In addition, the generation of the airflow 34 by the exhaust means 30 is in synchronization with a predetermined high-speed rotation speed of the substrate in at least a part of the homogenization process (S5), preferably all of the homogenization process (S5). It is preferable to operate the exhaust means 30 for exhausting the inside of the liquid application device. In addition, generation of the airflow 34 by the exhaust means 30 can be performed not only in the homogenization step (S5) but also in other steps, for example, the drying step (S6).

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 상술한 건조 공정 (S6) 종료 후에, 박막 부착 기판(15) 상에 형성된 레지스트막(16)에 포함되는 용제를 완전히 증발시키기 위하여, 이 레지스트막(16)을 가열하여 건조 처리하는 가열 건조 처리 공정을 가져도 된다. 이 가열 건조 처리 공정은, 통상, 레지스트막(16)이 형성된 박막 부착 기판(15)을 가열 플레이트에 의해 가열하는 가열 공정과, 레지스트막(16)이 형성된 박막 부착 기판(15)을 냉각 플레이트에 의해 냉각하는 냉각 공정을 포함한다. 이들 가열 공정에서의 가열 온도 및 시간, 냉각 공정에서의 냉각 온도 및 시간은, 레지스트액(26)의 종류에 따라 적절하게 조정할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, in order to completely evaporate the solvent contained in the resist film 16 formed on the thin film-attached substrate 15 after completion of the above-described drying step (S6), this resist film (16) You may have a heat drying process of heating and drying treatment. This heat-drying treatment step is usually a heating step of heating the substrate 15 with the resist film 16 formed thereon by a heating plate, and the substrate 15 with the thin film having the resist film 16 formed on the cooling plate. It includes a cooling process to cool by. The heating temperature and time in these heating steps, and the cooling temperature and time in the cooling step can be appropriately adjusted according to the type of resist liquid 26.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 상기 레지스트액(26)은 특별히 한정되지 않지만, 소정의 감도를 얻을 수 있기 때문에 화학 증폭형 레지스트를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 레지스트액(26)으로서는, 구체적으로는 점도가 10mPaㆍs를 초과하고, 평균 분자량이 10만 이상인 고분자량 수지로 이루어지는 고분자형 레지스트나, 점도가 10mPaㆍs 미만이고, 평균 분자량이 10만 미만인 노볼락 수지와 용해 조해제 등으로 이루어지는 노볼락계 레지스트나, 폴리히드록시스티렌계 수지와 산 발생제 등으로 이루어지는 화학 증폭형 레지스트 등을 사용할 수 있다. 특히, 본 실시 형태에 있어서 효과가 있는 것은 점도가 10mPaㆍs 미만이고, 평균 분자량이 10만 미만인 레지스트이다. 또한, 화학 증폭형 레지스트와 같이 중합체(Polymer)와 PAG(Photo Acid Generator)와 켄처(Quencher)를 포함하는 복수의 구성 물질로 이루어지는 레지스트의 경우, 마스크 블랭크(10) 면 내에서 상기 구성 물질의 면 내 편차가 발생함으로써, 면 내 CD 편차가 발생하기 쉽다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the resist liquid 26 is not particularly limited, but a chemically amplified resist is preferably used because a predetermined sensitivity can be obtained. In addition, as the resist liquid 26, specifically, a polymer-type resist made of a high molecular weight resin having a viscosity exceeding 10 mPa·s and an average molecular weight of 100,000 or more, or a polymer type resist having a viscosity of less than 10 mPa·s and an average molecular weight of 100,000 It is possible to use a novolac-based resist composed of less than a novolac resin and a dissolution decontaminant, or a chemically amplified resist composed of a polyhydroxystyrene-based resin and an acid generator. In particular, what is effective in this embodiment is a resist having a viscosity of less than 10 mPa·s and an average molecular weight of less than 100,000. In addition, in the case of a resist made of a plurality of constituent materials including a polymer, a photo acid generator (PAG), and a quencher, such as a chemically amplified resist, the surface of the constituent material within the surface of the mask blank 10 Due to the occurrence of in-plane deviation, in-plane CD deviation is likely to occur.

예를 들어, 화학 증폭형 레지스트나 노볼락계 레지스트에서는 점도가 낮으므로(10mPaㆍs 이하), 균일화 공정 (S5)에서는 기판의 회전 속도는 850 내지 2000rpm으로, 기판(11)의 회전 시간은 1 내지 10초로 각각 설정되고, 건조 공정 (S6)에서는 기판의 회전 속도는 100 내지 450rpm으로 설정된다. 또한, 고분자형 레지스트에서는 점성이 높으므로(10mPaㆍs 초과), 균일화 공정 (S5)에서는 기판의 회전 속도는 850 내지 2000rpm으로, 기판(11)의 회전 시간은 2 내지 15초로 각각 설정되고, 건조 공정 (S6)에서는 기판(11)의 회전 속도는 50 내지 450rpm으로 설정된다. 건조 공정 (S6)에서의 기판(11)의 회전 시간은, 레지스트막(16)이 완전히 건조될 때 까지(그 이상 건조 회전을 계속하여도 레지스트막(16)의 막 두께가 감소하지 않게 될 때까지) 필요로 하는 시간이 설정된다.For example, since the viscosity of chemically amplified resists or novolac-based resists is low (10 mPa·s or less), in the homogenization process (S5), the rotation speed of the substrate is 850 to 2000 rpm, and the rotation time of the substrate 11 is 1 To 10 seconds, respectively, and in the drying process (S6), the rotation speed of the substrate is set to 100 to 450 rpm. In addition, since the polymer resist has high viscosity (more than 10 mPa·s), in the homogenization process (S5), the rotation speed of the substrate is set to 850 to 2000 rpm, and the rotation time of the substrate 11 is set to 2 to 15 seconds, respectively, and drying. In step (S6), the rotational speed of the substrate 11 is set to 50 to 450 rpm. The rotation time of the substrate 11 in the drying step (S6) is until the resist film 16 is completely dried (when the film thickness of the resist film 16 does not decrease even if the drying rotation is continued for a longer time). Until) the required time is set.

레지스트 도포 공정에서의 레지스트액(26)의 최종적인 토출량은 1.5 내지 8㎖인 것이 바람직하다. 1.5㎖를 하회하면, 레지스트액이 기판 표면에 충분히 널리 퍼지지 않아 성막 상태가 나빠질 우려가 생긴다. 8㎖를 초과하면, 코팅에 사용되지 않고 스핀 회전에 의해 외측으로 비산하는 레지스트액의 양이 많아져, 레지스트액의 소비량이 증대되므로 바람직하지 않다. 또한, 비산한 레지스트액이 도포 장치 내부를 오염시킬 우려가 생긴다.It is preferable that the final discharge amount of the resist liquid 26 in the resist coating step is 1.5 to 8 ml. If it is less than 1.5 ml, there is a fear that the resist liquid does not spread widely enough on the substrate surface and the film-forming state is deteriorated. If it exceeds 8 ml, the amount of the resist liquid not used for coating and scattering outward by spin rotation increases, and the consumption of the resist liquid increases, which is not preferable. In addition, there is a concern that the scattered resist liquid may contaminate the interior of the coating apparatus.

또한, 레지스트액(26)의 토출 속도는 0.5 내지 3㎖/초인 것이 바람직하다. 토출 속도가 0.5㎖/초를 하회하면, 기판 상에 레지스트액을 공급하는 시간이 길어져 버린다고 하는 문제가 생긴다. 토출 속도가 3㎖/초를 초과하면, 레지스트액이 기판에 강하게 접촉하여 반발해 버려, 레지스트액이 기판을 적시지 않고 튕겨져 나와 버릴 우려가 있으므로 바람직하지 않다.In addition, it is preferable that the discharge rate of the resist liquid 26 is 0.5 to 3 ml/sec. If the discharge rate is less than 0.5 ml/sec, there arises a problem that the time for supplying the resist liquid onto the substrate becomes longer. If the discharge rate exceeds 3 ml/sec, the resist liquid strongly contacts the substrate and repels it, which is not preferable because there is a possibility that the resist liquid will be bounced off without wet the substrate.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 박막 부착 기판(15)의 레지스트막(16)을 형성하는 표면이 반응성 스퍼터링법에 의해 형성된 박막(14)의 표면이고, 박막(14)이 적어도 Cr, Ta, Si, Mo, Ti, V, Nb 및 W로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 레지스트액은 이들 원소를 포함하는 박막(14)의 표면과 습윤성이 나쁘기 때문에, 레지스트액(26)을 박막 부착 기판(15)의 표면(박막(14)의 표면)에 적하할 때 레지스트액(26)을 특히 튕기기 쉽다. 레지스트액(26)은 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 박막(14)의 표면에서 레지스트액(26)이 튕겨지는 것을 방지할 수 있으므로, 레지스트액(26)이 박막(14) 표면에 튕겨지는 것에 의한 물리적 충격에 기인하는, 레지스트막(16)의 면 내 감도 분포의 불균일성을 방지할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the surface forming the resist film 16 of the thin film-attached substrate 15 is the surface of the thin film 14 formed by the reactive sputtering method, and the thin film 14 is at least It is preferable to contain at least one element selected from the group consisting of Cr, Ta, Si, Mo, Ti, V, Nb and W. Since the resist liquid has poor wettability with the surface of the thin film 14 containing these elements, when the resist liquid 26 is dropped onto the surface of the thin film-attached substrate 15 (the surface of the thin film 14), the resist liquid 26 ) Is particularly easy to bounce. The resist liquid 26 can prevent the resist liquid 26 from being bounced off the surface of the thin film 14 by using the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, so that the resist liquid 26 14) It is possible to prevent non-uniformity of the in-plane sensitivity distribution of the resist film 16 due to a physical impact caused by being bounced on the surface.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 레지스트막(16)을 형성하는 표면(피도포면)을 갖는 박막(14)이 적어도 Cr을 포함하고, 박막(14)에 포함되는 Cr의 비율이 적어도 50원자％ 이상인 것이 바람직하다. 피도포면이 Cr을 포함하는 박막, 예를 들어 CrN, CrON, CrOC 및 CrOCN 등인 경우에는, 피도포면의 레지스트액(26)에 대한 습윤성이 나쁘기 때문에, 박막(14)의 표면에서 초기에 적하된 레지스트액(26)이 액적으로서 튕겨지기(튀어 오르기) 쉽다. 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 피도포면이 Cr을 포함하는 박막인 경우에도, 레지스트액(26)이 박막(14)의 표면에 튕겨지는 것에 의한 물리적 충격에 기인하는, 레지스트막(16)의 면 내 감도 분포의 불균일성을 방지할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the thin film 14 having a surface (coated surface) forming the resist film 16 contains at least Cr, and the ratio of Cr contained in the thin film 14 is It is preferably at least 50 atomic% or more. When the surface to be coated is a thin film containing Cr, for example, CrN, CrON, CrOC, CrOCN, etc., since the wettability of the surface to be coated with respect to the resist liquid 26 is poor, the resist initially dropped on the surface of the thin film 14 The liquid 26 is easy to bounce (bounce) as a droplet. When the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention is used, even when the surface to be coated is a thin film containing Cr, the resist liquid 26 is caused by physical impact due to being bounced on the surface of the thin film 14, Non-uniformity in the in-plane sensitivity distribution of the resist film 16 can be prevented.

또한, 도 5에 도시한 바와 같이, Cr을 포함하는 박막은, 차광막(2)의 상면의 에칭 마스크막(3)으로서 설치되는 경우가 있다. 이 에칭 마스크막(3)은 크롬에 질소, 산소 중 적어도 어느 하나의 성분을 포함하며, 이 에칭 마스크막(3) 중의 크롬의 함유량이 50원자％ 이상이다. 이러한 마스크 블랭크(10)는, 도 5에 도시한 바와 같이 투광성 기판(11) 상에 차광막(2)을 구비하고, 또한 이 차광막(2) 상에 에칭 마스크막(3)을 구비한 마스크 블랭크(10)일 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, the thin film containing Cr is provided as the etching mask film 3 on the upper surface of the light-shielding film 2 in some cases. The etching mask film 3 contains at least one component of nitrogen and oxygen in chromium, and the chromium content in the etching mask film 3 is 50 atomic% or more. As shown in FIG. 5, such a mask blank 10 includes a light-shielding film 2 on a light-transmitting substrate 11, and a mask blank provided with an etching mask film 3 on the light-shielding film 2 ( 10) can be.

도 5에 도시하는 예에 있어서는, 상기 에칭 마스크막(3)은, 전사 패턴을 형성하기 위한 패터닝시의 건식 에칭에 대하여 차광막(2)과의 에칭 선택성을 확보할 수 있도록, 예를 들어 크롬에 질소, 산소 중 적어도 어느 하나의 성분을 포함하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 에칭 마스크막(3)을 차광막(2) 상에 설치함으로써, 마스크 블랭크(10) 상에 형성하는 레지스트막(16)의 박막화를 도모할 수 있다. 또한, 에칭 마스크막(3) 중에 탄소 등의 성분을 더 포함하여도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 CrN, CrON, CrOC, CrOCN 등의 재료를 들 수 있다.In the example shown in Fig. 5, the etching mask film 3 is made of, for example, chromium so as to ensure etching selectivity with the light-shielding film 2 for dry etching during patterning for forming a transfer pattern. It is preferable to use a material containing at least one of nitrogen and oxygen. By providing such an etching mask film 3 on the light shielding film 2, the resist film 16 formed on the mask blank 10 can be thinned. Further, a component such as carbon may be further included in the etching mask film 3. Specifically, materials, such as CrN, CrON, CrOC, and CrOCN, are mentioned, for example.

최근, 레지스트막(16)에 전자선 묘화 노광용 레지스트를 적용하고, 전자선을 조사하여 묘화(전자선 노광 묘화)함으로써 설계 패턴을 노광하는 방법이 사용되고 있다. 이 전자선 묘화 노광에서는, 묘화 위치 정밀도나 차지 업의 관점에서, 차광막(2) 및 에칭 마스크막(3) 중 적어도 어느 한쪽에는, 어느 정도 이상의 도전성이 필요하게 된다. 즉, 차광막(2) 및 에칭 마스크막(3) 중 적어도 한쪽 막에는, 시트 저항값이 1.0×10⁶Ω/□ 이하인 것이 요망되고 있다.In recent years, a method of exposing a design pattern by applying an electron beam drawing exposure resist to the resist film 16 and irradiating an electron beam to draw (electron beam exposure drawing) has been used. In this electron beam drawing exposure, at least one of the light shielding film 2 and the etching mask film 3 needs a certain degree of conductivity from the viewpoint of drawing position accuracy and charge-up. That is, it is desired that at least one of the light-shielding film 2 and the etching mask film 3 has a sheet resistance value of 1.0×10 ⁶ Ω/□ or less.

차광막(2)의 시트 저항값이 1.0×10⁶Ω/□ 이하인 경우, 에칭 마스크막(3)은 시트 저항값이 높아도 차지 업을 일으키지 않고 전자선 묘화할 수 있다. 레지스트막(16)의 박막화에는, 에칭 마스크막(3)의 염소와 산소의 혼합 가스에 대한 건식 에칭의 에칭 레이트를 향상시키는 것이 보다 바람직하다. 그를 위해서는, 금속 성분(크롬)의 함유량을 50원자％ 미만, 바람직하게는 45원자％ 이하, 나아가 40원자％ 이하로 하는 것이 바람직하다.When the sheet resistance value of the light shielding film 2 is 1.0×10 ⁶ Ω/□ or less, the etching mask film 3 can draw electron beams without causing charge-up even if the sheet resistance value is high. For thinning of the resist film 16, it is more preferable to improve the etching rate of the dry etching of the etching mask film 3 with a mixed gas of chlorine and oxygen. For that purpose, the content of the metal component (chromium) is preferably less than 50 atomic%, preferably 45 atomic% or less, and further preferably 40 atomic% or less.

한편, 차광막(2)의 시트 저항값이 1.0×10⁶Ω/□보다 큰 경우, 에칭 마스크막(3)의 시트 저항값을 1.0×10⁶Ω/□ 이하로 할 필요가 있다. 이 경우, 에칭 마스크막(3)이 단층 구조인 경우에는, 에칭 마스크막(3) 중의 크롬 함유량은 50원자％ 이상인 것이 바람직하고, 60원자％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에칭 마스크막(3)이 복수층의 적층 구조인 경우에는, 적어도 레지스트막(16)에 접하는 측의 층의 크롬 함유량은 50원자％ 이상(바람직하게는 60원자％ 이상)으로 하고, 차광막(2)측의 층의 크롬 함유량은 50원자％ 미만(바람직하게는 45원자％ 이하, 나아가 40원자％ 이하)으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 에칭 마스크막(3)은, 차광막(2)측으로부터 레지스트막(16)에 접하는 측(단, 표면 산화에 의한 크롬 함유량의 저하를 피할 수 없는 레지스트막(16)에 접하는 표층은 제외함)을 향하여 크롬 함유량이 증가해 가는 조성 경사 구조로 하여도 된다. 이 경우, 에칭 마스크막(3)의 크롬 함유량이 가장 적은 곳에서는 50원자％ 미만(바람직하게는 45원자％ 이하, 나아가 40원자％ 이하)이며, 크롬 함유량이 가장 많은 곳에서는 50원자％ 이상(바람직하게는 60원자％ 이상)인 것이 바람직하다.On the other hand, when the sheet resistance value of the light-shielding film 2 is greater than 1.0×10 ⁶ Ω/□, the sheet resistance value of the etching mask film 3 needs to be 1.0×10 ⁶ Ω/□ or less. In this case, when the etching mask film 3 has a single layer structure, the chromium content in the etching mask film 3 is preferably 50 atomic% or more, and more preferably 60 atomic% or more. In the case where the etching mask film 3 has a multilayered structure, at least the chromium content of the layer on the side in contact with the resist film 16 is 50 atomic% or more (preferably 60 atomic% or more), and the light shielding film The chromium content of the layer on the side (2) is preferably less than 50 atomic% (preferably 45 atomic% or less, further 40 atomic% or less). In addition, the etching mask film 3 is a side in contact with the resist film 16 from the light-shielding film 2 side (however, except for the surface layer in contact with the resist film 16 in which a decrease in chromium content due to surface oxidation cannot be avoided). A composition gradient structure in which the chromium content increases toward) may be used. In this case, it is less than 50 atomic% (preferably 45 atomic% or less, further 40 atomic% or less) where the chromium content of the etching mask film 3 is the lowest, and 50 atomic% or more ( It is preferably 60 atomic% or more).

또한, 상기 에칭 마스크막(3)은, 막 두께가 5nm 이상 20nm 이하인 것이 바람직하다. 막 두께가 5nm 미만이면, 에칭 마스크막(3) 패턴을 마스크로 하여 차광막(2)에 대한 건식 에칭이 완료되기 전에 에칭 마스크막(3)의 패턴 에지 방향의 막 감소가 진행되어 버려, 차광막(2)에 전사된 패턴의 설계 패턴에 대한 CD 정밀도가 대폭 저하되어 버릴 우려가 있다. 한편, 막 두께가 20nm보다 두꺼우면, 에칭 마스크막(3)에 설계 패턴을 전사할 때 필요한 레지스트막(16)의 막 두께가 두꺼워져 버려, 미세 패턴을 에칭 마스크막(3)에 고정밀도로 전사하는 것이 곤란하게 된다.Further, it is preferable that the etching mask film 3 has a thickness of 5 nm or more and 20 nm or less. If the film thickness is less than 5 nm, film reduction in the pattern edge direction of the etching mask film 3 proceeds before dry etching of the light shielding film 2 is completed using the etching mask film 3 pattern as a mask, and the light shielding film ( There is a fear that the CD accuracy of the pattern transferred to 2) with respect to the design pattern may be significantly reduced. On the other hand, if the film thickness is thicker than 20 nm, the film thickness of the resist film 16 required for transferring the design pattern to the etching mask film 3 becomes thick, and the fine pattern is transferred to the etching mask film 3 with high precision. It becomes difficult to do.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 피도포면이, 상술한 바와 같은 레지스트액(26)과 습윤성이 나쁜 Cr을 포함하는 에칭 마스크막(3)인 경우에도, 레지스트액(26)의 액적의 튕김(튀어 오르기)에 의한 물리적 충격에 기인하는, 레지스트막(16)의 면 내 감도 분포의 불균일성을 방지할 수 있다.When the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention is used, even when the surface to be coated is the resist liquid 26 as described above and the etching mask film 3 containing Cr having poor wettability, the resist liquid 26 ), it is possible to prevent non-uniformity in the in-plane sensitivity distribution of the resist film 16 due to a physical impact caused by bounce (bounce) of droplets of ).

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 피도포면을 갖는 박막(14)이 적어도 Si를 포함하는 것이 바람직하다. Si를 포함하는 박막(14)의 표면의 표면 에너지는, Cr을 포함하는 박막의 표면의 표면 에너지보다 낮기 때문에, 레지스트액(26)을 박막 부착 기판(15)의 표면(박막(14)의 표면)에 적하할 때 레지스트액(26)을 특히 튕기기 쉽다. 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 규소가 포함되어 있는 박막(14)이 피도포면인 경우에도, 박막(14)의 표면에서 레지스트액(26)이 튕겨지는 것을 방지할 수 있으므로, 바람직한 레지스트막(16)을 형성할 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, it is preferable that the thin film 14 having a surface to be coated contains at least Si. Since the surface energy of the surface of the thin film 14 containing Si is lower than the surface energy of the surface of the thin film containing Cr, the resist liquid 26 is applied to the surface of the substrate 15 with a thin film (the surface of the thin film 14). ), it is particularly easy to repel the resist liquid 26 when it is dropped on. Using the method of manufacturing the mask blank 10 of the present invention, even when the thin film 14 containing silicon is the surface to be coated, the resist liquid 26 can be prevented from being bounced off the surface of the thin film 14. Therefore, a desirable resist film 16 can be formed.

Si를 포함하는 박막(14)의 재료로서, 예를 들어 MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiON, Si 단체, SiO, SiN, SiON, WSi 및 TaSi 등을 들 수 있다.As the material of the thin film 14 containing Si, for example, MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiON, Si alone, SiO, SiN, SiON, WSi, TaSi, and the like can be mentioned.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에서는, 피도포면을 갖는 박막(14)이, 불소계 건식 에칭으로 에칭 가능한 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 차광막(2)과, 차광막(2)과의 소정의 에칭 선택비를 갖는 재료의 에칭 마스크막(3)과의 적층막일 수 있다.In the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention, the thin film 14 having the surface to be coated is formed by predetermined etching with the light shielding film 2 made of a metal or metal compound that can be etched by fluorine-based dry etching, and the light shielding film 2 It may be a laminated film with the etching mask film 3 made of a material having a selectivity.

불소계 건식 에칭으로 에칭 가능한 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 차광막(2)으로서, 예를 들어 규소 함유 재료를 들 수 있다. 그 경우, 이 차광막(2)과의 소정의 에칭 선택비를 갖는 재료로서 크롬을 포함하는 재료를 들 수 있다. 크롬을 포함하는 재료로서는, 예를 들어 크롬 단체, 또는 크롬과, 산소, 질소 및 탄소로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 크롬 화합물을 들 수 있다. 또한, 그 재료는 규소를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 크롬 화합물로서 크롬 산화물, 크롬 질화물, 크롬 산질화물, 크롬 산화 탄화물, 크롬 질화 탄화물 또는 크롬 산질화 탄화물 등을 들 수 있다. 이들 재료는 불소계 건식 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는 것이 알려져 있다.As the light shielding film 2 made of a metal or a metal compound that can be etched by fluorine-based dry etching, a silicon-containing material can be mentioned, for example. In that case, a material containing chromium may be mentioned as a material having a predetermined etching selectivity with the light shielding film 2. Examples of the chromium-containing material include chromium alone or a chromium compound containing chromium and at least one selected from oxygen, nitrogen and carbon. In addition, it is preferable that the material does not contain silicon. Specifically, examples of the chromium compound include chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride, chromium oxide carbide, chromium nitride carbide, or chromium oxynitride carbide. It is known that these materials have high resistance to fluorine-based dry etching.

크롬을 포함하는 재료의 크롬 함유율이 50원자％ 이상, 특히 60원자％ 이상인 경우에는, 불소계 건식 에칭 내성이 좋고, 차광막(2) 및/또는 투명 기판(11)에 충분한 에칭 선택성을 제공할 수 있음과 동시에, 에칭 마스크막(3)을, 염소와 산소를 함유하는 건식 에칭 조건에서 건식 에칭하여 패턴을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.When the chromium content of the chromium-containing material is 50 atomic% or more, particularly 60 atomic% or more, the fluorine-based dry etching resistance is good, and sufficient etching selectivity can be provided for the light shielding film 2 and/or the transparent substrate 11 At the same time, it is preferable because the pattern can be formed by dry etching the etching mask film 3 under dry etching conditions containing chlorine and oxygen.

크롬을 포함하는 재료로서는, 예를 들어 크롬이 50원자％ 이상 100원자％ 이하, 특히 60원자％ 이상 100원자％ 이하, 산소가 0원자％ 이상 50원자％ 이하, 특히 0원자％ 이상 40원자％ 이하, 질소가 0원자％ 이상 50원자％ 이하, 특히 0원자％ 이상 40원자％ 이하, 탄소가 0원자％ 이상 20원자％ 이하, 특히 0원자％ 이상 10원자％ 이하로 함으로써, 에칭 마스크막(3)으로서 차광막(2) 및/또는 투명 기판에 충분한 에칭 선택성을 제공하는 박막(14)으로 할 수 있다.As a material containing chromium, for example, chromium is 50 atomic% or more and 100 atomic% or less, particularly 60 atomic% or more and 100 atomic% or less, oxygen is 0 atomic% or more and 50 atomic% or less, particularly 0 atomic% or more and 40 atomic% Hereinafter, when nitrogen is 0 atomic% or more and 50 atomic% or less, particularly 0 atomic% or more and 40 atomic% or less, and carbon is 0 atomic% or more and 20 atomic% or less, particularly 0 atomic% or more and 10 atomic% or less, the etching mask film ( As 3), the light shielding film 2 and/or the thin film 14 providing sufficient etching selectivity to the transparent substrate can be used.

본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 이용하면, 피도포면이, 상술한 바와 같은 레지스트액(26)의 습윤성이 나쁜 Cr을 포함하는 에칭 마스크막(3)인 경우에도, 레지스트액(26)의 액적의 튕김(튀어 오르기)에 의한 물리적 충격에 기인하는, 레지스트막(16)의 면 내 감도 분포의 불균일성을 방지할 수 있다.When the method for manufacturing the mask blank 10 of the present invention is used, even when the surface to be coated is the etching mask film 3 containing Cr having poor wettability of the resist liquid 26 as described above, the resist liquid 26 ), it is possible to prevent non-uniformity in the in-plane sensitivity distribution of the resist film 16 due to a physical impact caused by bounce (bounce) of droplets of ).

상술한 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법은, 사각 형상의 기판(11)의 주 표면에, 피전사체에 전사하기 위한 마스크 패턴(13)이 되는 박막(14)을 스퍼터링법이나 증착법, CVD법 등을 이용하여 성막하고, 이 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에 레지스트 도포 공정에 의해 레지스트막(16)을 형성하여 마스크 블랭크(10)를 제조한다.As described above, the manufacturing method of the mask blank 10 of the present invention is a sputtering method of the thin film 14 serving as the mask pattern 13 for transferring to the object to be transferred on the main surface of the square-shaped substrate 11 A film is formed using a vapor deposition method, a CVD method, or the like, and a resist film 16 is formed on the surface of the thin film 14 of the thin film-attached substrate 15 by a resist coating process to manufacture the mask blank 10.

또한, 마스크 블랭크(10)에는, 박막 부착 기판(15)의 박막(14)에서의 중심부 영역에 마스크 패턴 형성 영역을 갖는다. 이 마스크 패턴 형성 영역은, 박막 부착 기판(15)을 패터닝하여 전사용 마스크(18)로 하였을 때, 반도체 기판 등의 피전사체의 회로 패턴을 전사하여 형성하기 위한 마스크 패턴(13)이 형성되게 되는 영역이다. 이 마스크 패턴 형성 영역은, 마스크 블랭크(10)의 크기 등에 따라 상이하지만, 예를 들어 마스크 블랭크(10)가 152mm×152mm의 크기인 경우에는, 박막 부착 기판(15)의 박막(14)에서의 중심부의 132mm×132mm의 영역이다.Further, the mask blank 10 has a mask pattern formation region in the center region of the thin film 14 of the thin film-attached substrate 15. In this mask pattern formation region, when the thin film-attached substrate 15 is patterned to form a transfer mask 18, a mask pattern 13 for transferring and forming a circuit pattern of a transfer object such as a semiconductor substrate is formed. Area. This mask pattern formation region differs depending on the size of the mask blank 10, but for example, when the mask blank 10 has a size of 152 mm x 152 mm, the thin film 14 of the thin film substrate 15 is It is an area of 132mm x 132mm in the center.

본 발명은, 상술한 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크(10)의 레지스트막(16)을 패터닝하여 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마스크 패턴(13)을 형성하여 전사용 마스크(18)를 제조하는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크(18)의 제조 방법이다.In the present invention, the resist film 16 of the mask blank 10 manufactured by the manufacturing method of the mask blank 10 is patterned to form a resist pattern, and the mask pattern 13 is formed using the resist pattern as a mask. It is a method of manufacturing the transfer mask 18, characterized in that the transfer mask 18 is formed by forming.

상술한 레지스트 도포 공정을 실시함으로써, 도 4의 (A)에 도시하는 박막 부착 기판(15)의 박막(14)의 표면에 레지스트막(16)을 형성하여, 도 4의 (B)에 도시하는 마스크 블랭크(10)를 제작할 수 있다. 이 마스크 블랭크(10)의 레지스트막(16)에 소정 패턴을 묘화ㆍ현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 박막(14)(예를 들어 차광막)을 건식 에칭하여 마스크 패턴(13)(도 4의 (C))을 형성하여 전사용 마스크(18)를 제작할 수 있다.By performing the above-described resist coating process, a resist film 16 is formed on the surface of the thin film 14 of the thin film-attached substrate 15 shown in Fig. 4A, and the resist film 16 is formed as shown in Fig. 4B. The mask blank 10 can be manufactured. A predetermined pattern is drawn and developed on the resist film 16 of the mask blank 10 to form a resist pattern. Using this resist pattern as a mask, the thin film 14 (for example, a light-shielding film) is dry etched to form a mask pattern. (13) (FIG. 4C) can be formed to fabricate the transfer mask 18.

이상, 본 발명을 상기 실시 형태에 기초하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 따라서는, 사각 형상의 기판(11)의 주 표면에 직접 레지스트막(16)을 형성하여 마스크 블랭크(10)를 제조하는 경우도 있다. 그 경우에도 사각 형상의 기판(11)의 주 표면에 직접 레지스트막(16)을 형성하기 위하여, 상술한 레지스트 도포 공정을 포함하는 본 발명의 제조 방법을 바람직하게 이용할 수 있다.As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the said embodiment, this invention is not limited to this. For example, depending on the manufacturing method of the mask blank 10, the mask blank 10 may be manufactured by directly forming the resist film 16 on the main surface of the square-shaped substrate 11. Even in that case, in order to directly form the resist film 16 on the main surface of the square-shaped substrate 11, the manufacturing method of the present invention including the above-described resist coating step can be preferably used.

<실시예><Example>

이어서, 마스크 블랭크(10)의 제조 방법 및 전사용 마스크(18)의 제조 방법에 대하여, 실시예에 기초하여 구체적으로 설명한다.Next, the manufacturing method of the mask blank 10 and the manufacturing method of the transfer mask 18 are demonstrated concretely based on an Example.

(실시예 1)(Example 1)

크기가 152.4mm×152.4mm인 합성 석영 유리 기판 상에, 스퍼터링법에 의해 MoSiN막(차광층) 및 MoSiN막(표면 반사 방지층)으로 이루어지는 차광막(2)과, 에칭 마스크막(3)을 순차적으로 형성하여 박막 부착 기판(15)을 얻었다. 차광막(2) 및 에칭 마스크막(3)의 형성은, 구체적으로는 다음과 같이 행하였다. 또한, 실시예 2 내지 4, 비교예 1의 마스크 블랭크(10)에서도 마찬가지의 박막(14)을 형성하였다.On a synthetic quartz glass substrate having a size of 152.4 mm x 152.4 mm, a light shielding film 2 made of a MoSiN film (light shielding layer) and a MoSiN film (surface anti-reflection layer) and an etching mask film 3 were sequentially formed by sputtering. It formed and obtained the substrate 15 with a thin film. The formation of the light shielding film 2 and the etching mask film 3 was specifically performed as follows. In addition, the same thin film 14 was formed in the mask blank 10 of Examples 2 to 4 and Comparative Example 1.

합성 석영 유리로 이루어지는 투광성 기판(11) 상에, 낱장식 스퍼터링 장치를 사용하고, 스퍼터링 타겟에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo:Si=13:87)을 사용하여, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해 MoSiN막(하층(차광층))을 막 두께 47nm로 성막하고, 계속해서 Mo/Si 타깃(원자％비 Mo:Si=13:87)을 사용하여, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, MoSiN막(상층(표면 반사 방지층))을 막 두께 13nm로 성막함으로써, 하층(막 조성비 Mo: 9.9원자％, Si: 66.1원자％, N: 24.0원자％)과 상층(막 조성비 Mo: 7.5원자％, Si: 50.5원자％, N: 42.0원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm)용 차광막(2)(총 막 두께 60nm)을 형성하였다. 또한, 차광막(2)의 각 층의 원소 분석은 러더포드 후방 산란 분석법을 이용하였다.On the translucent substrate 11 made of synthetic quartz glass, a single-piece sputtering device is used, and a mixed target of molybdenum (Mo) and silicon (Si) (atomic% ratio Mo:Si=13:87) is used as a sputtering target. Then, in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen, a MoSiN film (lower layer (light shielding layer)) is formed to have a thickness of 47 nm by reactive sputtering (DC sputtering), and then a Mo/Si target (atomic% ratio Mo:Si= 13:87), in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen, a MoSiN film (upper layer (surface anti-reflection layer)) was formed to have a thickness of 13 nm to form a lower layer (film composition ratio Mo: 9.9 atomic%, Si: 66.1 atomic%) , N: 24.0 atomic %) and the upper layer (film composition ratio Mo: 7.5 atomic %, Si: 50.5 atomic %, N: 42.0 atomic %) for ArF excimer laser (wavelength 193 nm) light shielding film 2 (total film thickness 60nm) was formed. In addition, the elemental analysis of each layer of the light-shielding film 2 used the Rutherford backscattering analysis method.

이어서, 이 차광막(2)을 구비하고 박막 부착 기판(15)에 대하여 450℃에서 30분간 가열 처리(어닐링 처리)를 행하여, 차광막(2)의 막 응력을 저감시키는 처리를 행하였다.Next, the light shielding film 2 was provided and the substrate 15 with a thin film was subjected to a heat treatment (annealing treatment) at 450 DEG C for 30 minutes to reduce the film stress of the light shielding film 2.

이어서, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)을 형성하였다. 구체적으로는, 낱장식 스퍼터링 장치에서, 크롬(Cr) 타깃을 사용하여, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해 CrN막(막 조성비 Cr: 75.3원자％, N: 24.7원자％)을 막 두께 5nm로 성막하였다. 또한, 에칭 마스크막(3)(CrN막)을 차광막(2)의 어닐링 처리보다도 낮은 온도에서 어닐링함으로써, 차광막(2)의 막 응력에 영향을 주지 않고 에칭 마스크막(3)의 응력을 최대한 낮게(바람직하게는 막 응력이 실질 제로로) 되도록 조정하였다. 이상의 수순에 의해, 실시예 1의 박막 부착 기판(15)을 얻었다.Subsequently, an etching mask film 3 was formed on the upper surface of the light shielding film 2. Specifically, in a single-sheet sputtering apparatus, a CrN film (film composition ratio Cr: 75.3 atomic%, N: 24.7) by reactive sputtering (DC sputtering) in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen using a chromium (Cr) target. Atomic%) was formed into a film with a thickness of 5 nm. Further, by annealing the etching mask film 3 (CrN film) at a temperature lower than that of the annealing treatment of the light shielding film 2, the stress of the etching mask film 3 is as low as possible without affecting the film stress of the light shielding film 2 It was adjusted so that (preferably, the film stress was substantially zero). By the above procedure, the substrate 15 with a thin film of Example 1 was obtained.

이어서, 박막 부착 기판(15) 상에 레지스트 도포 공정에 의해 레지스트액(26)을 회전 도포하여, 박막(14)의 표면에 레지스트막(16)을 형성하였다. 레지스트액(26)에 포함되는 레지스트 및 용제는, 하기의 것을 사용하였다.Subsequently, the resist liquid 26 was rotated onto the thin film-attached substrate 15 by a resist coating process to form a resist film 16 on the surface of the thin film 14. As the resist and solvent contained in the resist liquid 26, the following ones were used.

레지스트: 포지티브형 화학 증폭형 레지스트 WHT-015 1700Å(후지 필름 일렉트로닉스 머티리얼즈사제)Resist: Positive chemical amplification resist WHT-015 1700Å (manufactured by Fujifilm Electronics Materials)

용제: PGMEA와 PGME의 혼합 용제Solvent: Mixed solvent of PGMEA and PGME

실시예 1의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 1에 나타낸다. 표 1의 「개시 시간」 및 「종료 시간」은, 적하 공정 (S2)에 있어서 레지스트액(26)의 적하를 개시하였을 때를 0초로 하여 나타내고 있다. 또한, 「계속 시간」은, 각각의 공정의 개시 시간부터 종료 시간까지의 시간을 나타낸다. 또한, 레지스트액(26)의 적하의 개시 시간 및 개시 시간은, 각각 도 1의 시간 t_A 및 시간 t_B에 대응한다. 적하 전 회전 공정 (S1)(「S1a.가속 단계」)의 개시 시간은, 도 1의 시간 t_X에 대응한다. 「S2.적하 공정」의 개시 시간 및 종료 시간은, 도 1의 시간 t_Y 및 시간 t_Z에 대응한다. 또한, 모든 실시예 및 비교예에 있어서, 적하 공정 (S2)의 전체에 걸쳐 레지스트액(26)을 적하하였다. 따라서, 적하 공정 (S2)의 개시 시간 및 종료 시간은, 시간 t_A(=시간 t_Y) 및 시간 t_B(=시간 t_Z)이다. 표 2 내지 표 5에 대해서도 마찬가지이다.Table 1 shows the rotational speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 1. The "start time" and "end time" in Table 1 are shown as 0 seconds when the dropping of the resist liquid 26 is started in the dropping step (S2). In addition, "continuation time" represents the time from the start time to the end time of each process. In addition, the start time and start time of dripping of the resist liquid 26 correspond to the time t _A and the time t _B in FIG. 1, respectively. The start time of dropping before the rotation process (S1) ( "S1a. Accelerating step") corresponds to the time t _X of Figure 1; The start time and end time of "S2. dropping process" correspond to the time t _Y and the time t _Z in FIG. 1. In addition, in all Examples and Comparative Examples, the resist liquid 26 was dripped over the entire dropping step (S2). Therefore, the start time and end time of the dropping step (S2) are time t _A (= time t _Y ) and time t _B (= time t _Z ). The same applies to Tables 2 to 5.

또한, 표 1에는 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)의 기판의 회전 속도 1000rpm으로부터, 건조 정도 조정 공정 (S4)의 기판의 회전 속도 500rpm으로의 변화에 대해서는 기재되어 있지 않다. 회전 속도의 변화 시간은 0.05초 정도의 단시간이었기 때문에 기재를 생략하였다. 건조 정도 조정 공정 (S4)로부터 균일화 공정 (S5)로의 회전 속도의 변화, 균일화 공정 (S5)로부터 건조 공정 (S6)으로의 회전 속도의 변화에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 실시예 2 내지 4 및 비교예 1에 있어서도 마찬가지이다.In addition, Table 1 does not describe the change from the rotation speed of the substrate of 1000 rpm in the rotational speed maintaining step (S3) after dropping to the rotational speed of the substrate in the drying degree adjustment step (S4) of 500 rpm. Since the change time of the rotational speed was a short time of about 0.05 seconds, the description was omitted. The same applies to the change in the rotation speed from the drying degree adjustment step (S4) to the homogenization step (S5) and the change in the rotation speed from the homogenization step (S5) to the drying step (S6). In addition, the same is true for Examples 2 to 4 and Comparative Example 1.

또한, 균일화 공정 (S5) 및 건조 공정 (S6)에 있어서, 박막 부착 기판(15)이 회전하고 있는 사이, 항상 연속하여 강제 배기를 행하여, 박막 부착 기판(15)의 상면을 따라 박막 부착 기판(15)의 중앙측으로부터 외주 방향으로 기류(34)가 흐르도록 기류(34)를 발생시켰다. 그로 인해, 박막 부착 기판(15)의 회전에 의해 박막 부착 기판(15)의 외주부(기판(11)의 주 표면 단부)에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임을 효과적으로 박막 부착 기판(15) 외로 비산시킬 수 있었다. 또한, 박막 부착 기판(15)의 네 코너나 박막 부착 기판(15)의 외주부에 발생하는 레지스트액(26)의 액 고임이 박막 부착 기판(15)의 중앙부로 되돌려지는 것을 효과적으로 억제시킬 수 있었다. 그 결과, 박막 부착 기판(15)의 네 코너 및 주연부에 형성되는 레지스트막(16)의 후막 영역을 저감시킬 수 있거나, 혹은 그 영역의 막 두께의 부풀어오름을 저감(후막화를 억제)시킬 수 있었다.Further, in the homogenizing step (S5) and the drying step (S6), while the thin film-attached substrate 15 is rotating, forced exhaust is always continuously performed, and the thin-film-attached substrate ( The air flow 34 was generated so that the air flow 34 flows from the center of 15) in the outer circumferential direction. Therefore, the thin film-attached substrate 15 effectively collects the liquid of the resist liquid 26 generated on the outer circumferential portion (the main surface end of the substrate 11) of the thin-film-attached substrate 15 by rotation of the thin-film-attached substrate 15. It could be scattered outside In addition, it was possible to effectively suppress the liquid accumulation of the resist liquid 26 generated in the four corners of the thin-film-attached substrate 15 or the outer circumferential portion of the thin-film-attached substrate 15 from returning to the central portion of the thin-film-attached substrate 15. As a result, it is possible to reduce the thick film regions of the resist film 16 formed at the four corners and the periphery of the thin film-attached substrate 15, or to reduce the swelling of the film thickness in the region (to suppress thickening). there was.

이어서, 가열 건조 장치 및 냉각 장치에 레지스트막(16)이 형성된 박막 부착 기판(15)을 반송하고, 소정의 가열 건조 처리를 행하여 레지스트막(16)을 건조시켜 마스크 블랭크(10)를 제작하였다.Subsequently, the substrate 15 with the thin film on which the resist film 16 was formed was transferred to a heat drying device and a cooling device, and a predetermined heat drying treatment was performed to dry the resist film 16 to prepare a mask blank 10.

(실시예 2)(Example 2)

레지스트 도포 공정 중에 적하 전 공정을 행하지 않고, 균일화 공정 (S5)에서의 회전 속도를 1400rpm으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2의 마스크 블랭크(10)를 제작하였다. 실시예 2의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 2에 나타낸다.The mask blank 10 of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1, except that the step before dropping was not performed during the resist coating step and the rotation speed in the homogenizing step (S5) was 1400 rpm. Table 2 shows the rotation speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 2.

(실시예 3)(Example 3)

레지스트 도포 공정 중의 균일화 공정 (S5)에서의 회전 속도를 1600rpm으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3의 마스크 블랭크(10)를 제작하였다. 실시예 3의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 3에 나타낸다.The mask blank 10 of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1, except that the rotational speed in the homogenization step (S5) during the resist coating step was set to 1600 rpm. Table 3 shows the rotational speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 3.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 4에서는 레지스트 도포 공정 중의 적하 전 회전 공정에 있어서, 가속 단계 (S1a)에서의 가속을 250rpm/초로 2초간으로 하고, 정속 단계 (S1b)는 행하지 않고, 적하 공정 (S2)에서 레지스트액(26)을 적하하였다. 또한, 실시예 4에서는 건조 정도 조정 공정 (S4)를 행하지 않고, 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3) 종료 후, 즉시 균일화 공정 (S5)를 실시하였다. 실시예 4의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 4에 나타낸다.In Example 4, in the rotation step before dropping during the resist coating step, the acceleration in the acceleration step (S1a) was set at 250 rpm/sec for 2 seconds, the constant speed step (S1b) was not performed, and the resist liquid ( 26) was dripped. In addition, in Example 4, the drying degree adjustment process (S4) was not performed, and the homogenization process (S5) was performed immediately after completion|finish of the rotational speed maintenance process (S3) after dripping. Table 4 shows the rotational speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 4.

(실시예 5)(Example 5)

본 실시예에서는 적하 전 공정 (S1b)의 회전 속도를 300rpm, 적하 공정 (S2)의 회전 속도로부터 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)을 400rpm으로 4.5초로 하고, 건조 정도 조정 공정 (S4)를 200rpm으로 8초, 레지스트 도포 공정 중의 균일화 공정 (S5)에서의 회전 속도를 1600rpm으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5의 마스크 블랭크(10)를 제작하였다. 실시예 5의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 5에 나타낸다.In this embodiment, the rotation speed of the pre-dropping step (S1b) is set to 300 rpm, the rotational speed maintenance step (S3) after dropping from the rotation speed of the dropping step (S2) is set to 400 rpm for 4.5 seconds, and the drying degree adjustment step (S4) is set to 200 rpm. For 8 seconds, the mask blank 10 of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1, except that the rotation speed in the homogenization step (S5) during the resist coating step was set to 1600 rpm. Table 5 shows the rotational speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 5.

(실시예 6)(Example 6)

본 실시예에서는 적하 전 공정 (S1b), 적하 공정 (S2), 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)에서의 회전 속도를 1800rpm으로 하고, 건조 정도 조정 공정 (S4)를 1000rpm으로 하고, 레지스트 도포 공정 중의 균일화 공정 (S5)에서의 회전 속도를 1600rpm으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6의 마스크 블랭크(10)를 제작하였다. 실시예 6의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도 및 시간을 표 5에 나타낸다.In this embodiment, the rotation speed in the pre-dropping step (S1b), the dropping step (S2), and the post-dropping rotation speed maintenance step (S3) is set to 1800 rpm, the drying degree adjustment step (S4) is set to 1000 rpm, and the resist coating step The mask blank 10 of Example 6 was produced in the same manner as in Example 1, except that the rotational speed in the homogenization step (S5) in the middle was set to 1600 rpm. Table 5 shows the rotational speed and time of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Example 6.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1에서는 적하 전 회전 공정은 행하지 않으며, 적하 공정 (S2)는 박막 부착 기판(15)의 회전이 정지한 상태에서 레지스트를 적하하였다. 그 후, 비교예 1에서는 적하 후 회전 속도 유지 공정 (S3)으로서 0rpm으로 유지하고, 회전 속도 300rpm의 건조 정도 조정 공정 (S4), 회전 속도 1700rpm의 균일화 공정 (S5)를 행하였다. 비교예 1의 건조 공정 (S6)은 실시예 1과 동일하다. 비교예 1의 레지스트 도포 공정 중의 각 공정의 박막 부착 기판(15)의 회전 속도를 표 5에 나타낸다.In Comparative Example 1, the rotation step before dropping was not performed, and in the dropping step (S2), the resist was dropped while the rotation of the thin film-attached substrate 15 was stopped. Thereafter, in Comparative Example 1, it was maintained at 0 rpm as the rotational speed maintaining step (S3) after dripping, and the drying degree adjustment step (S4) at a rotational speed of 300 rpm, and a homogenization step (S5) at a rotational speed of 1700 rpm were performed. The drying step (S6) of Comparative Example 1 is the same as that of Example 1. Table 5 shows the rotational speed of the thin film-attached substrate 15 in each step during the resist coating step of Comparative Example 1.

<평가><Evaluation>

상술한 바와 같이 하여 제조한 실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 마스크 블랭크(10)의 막 두께 균일성, 감도 및 결함수를 측정하였다.The film thickness uniformity, sensitivity, and number of defects of the mask blanks 10 of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 prepared as described above were measured.

(1) 막 두께 측정(1) film thickness measurement

실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 마스크 블랭크(10)의 레지스트막(16)의 막 두께를 다음과 같이 하여 측정하였다. 막 두께 측정 장치는 High speed mapping elipsometer ME-210(포토닉 라티스사제)을 사용하였다. 막 두께의 측정은, 박막 부착 기판(15)의 중심 좌표를 (0mm, 0mm)로 하여 좌표 (-72mm, -72mm)부터 좌표 (72mm, 72mm)까지 4mm 간격으로 1369포인트 측정하였다. 이들 측정 결과로부터, 막 두께의 균일성으로서 막 두께의 최대값으로부터 최소값을 차감한 값을 구하였다. 또한, 막 두께의 편차로서 측정값의 3σ(σ: 표준 편차)를 구하였다. 이상과 같이 하여 구한 막 두께의 균일성 및 막 두께의 측정값의 3σ를 표 6에 나타낸다.The film thickness of the resist film 16 of the mask blank 10 of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was measured as follows. As a film thickness measuring device, a High speed mapping elipsometer ME-210 (manufactured by Photonic Latis) was used. In the measurement of the film thickness, 1,369 points were measured from the coordinates (-72mm, -72mm) to the coordinates (72mm, 72mm) with the center coordinates of the thin film-attached substrate 15 as (0mm, 0mm) at 4mm intervals. From these measurement results, a value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the film thickness as the uniformity of the film thickness was obtained. In addition, 3σ (σ: standard deviation) of the measured value was obtained as a deviation in the film thickness. Table 6 shows the uniformity of the film thickness obtained as described above and 3σ of the measured value of the film thickness.

(2) 감도 측정(2) Sensitivity measurement

실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 마스크 블랭크(10)를 사용하여 L/S의 스페이스부의 폭의 설계 치수를 130nm로 한 L/S 패턴을, 이하의 장치 및 조건에서 제작(묘화)하였다. 또한, 묘화 후에 남은 라인 폭은 80nm이었다.Using the mask blank 10 of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1, an L/S pattern in which the design dimension of the width of the L/S space portion was 130 nm was produced (drawn) under the following apparatus and conditions. In addition, the line width remaining after drawing was 80 nm.

ㆍ 묘화 장치: 닛본 덴시 JBX-3030, Dose=22, η=0.5ㆍ Drawing device: Nippon Denshi JBX-3030, Dose=22, η=0.5

ㆍ PEB(노광 후 열처리): 110℃에서 10분간의 열처리를 행하였다.-PEB (heat treatment after exposure): Heat treatment was performed at 110°C for 10 minutes.

ㆍ현상기: CLEAN TRACK ACT(등록 상표) M(도쿄 일렉트론 가부시끼가이샤제)ㆍDeveloper: CLEAN TRACK ACT (registered trademark) M (made by Tokyo Electron Co., Ltd.)

ㆍ현상액: TMAH(테트라메틸암모늄히드라이드) 2.38％ 용액ㆍDeveloper: TMAH (tetramethylammonium hydride) 2.38% solution

ㆍ평가 장치: CD-SEM(critical dimension SEM) LWM9045(아밴티스트사제)ㆍEvaluation device: CD-SEM (critical dimension SEM) LWM9045 (manufactured by Aventist)

ㆍ평가 방법: CDU(Critical Dimension Uniformity)를 측정하였다. 구체적으로는 동일 톤 동일 치수를 가지며 마스크 상에서 중요시되고 있는 형상 부분의 마스크 상에서의 실제 치수의 3σ 편차(단위: nm)를 측정하였다.ㆍEvaluation method: CDU (Critical Dimension Uniformity) was measured. Specifically, the 3σ deviation (unit: nm) of the actual dimension on the mask of the shape portion that has the same tone and the same dimension as important on the mask was measured.

감도 측정의 결과로부터, 이하와 같이 합격 여부를 판정하였다. 이상과 같이 하여 구한 감도의 합격 여부 판정 결과를 표 6에 나타낸다.From the result of the sensitivity measurement, the pass or not was judged as follows. Table 6 shows the results of determining the pass or not of the sensitivity obtained as described above.

ㆍ합격 여부 판정:ㆍDetermining whether or not to pass:

◎: 3σ<1.5nm(2014년 목표값의 1.5nm를 달성 가능)◎: 3σ<1.5nm (Can achieve 1.5nm of target value in 2014)

○: 1.5nm≤3σ<2.0nm(2013년 목표값의 1.9nm를 달성 가능)○: 1.5nm≤3σ<2.0nm (Achieve 1.9nm of target value in 2013)

△: 2.0nm≤3σ<2.5nm△: 2.0nm≤3σ<2.5nm

×: 2.5nm≤3σ×: 2.5nm≤3σ

(3) 결함 평가(3) defect evaluation

실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 마스크 블랭크(10)의 결함 검사를 행하였다. 구체적으로는, 제조한 마스크 블랭크(10)의 표면에 대하여, 레이저 간섭 공초점 광학계에 의한 60nm 감도의 결함 검사 장치(레이저텍사제 M6640)를 사용하여 결함 검사를 행하였다. 결함 검사의 결과에 기초하여, 이하와 같이 하여 결함 평가의 합격 여부 판정을 행하였다. 결함 평가의 합격 여부 판정 결과를 표 6에 나타낸다.The mask blank 10 of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was inspected for defects. Specifically, the surface of the manufactured mask blank 10 was inspected for defects using a defect inspection apparatus (M6640 manufactured by LaserTek) with a sensitivity of 60 nm using a laser interference confocal optical system. Based on the result of the defect inspection, it was judged whether or not the defect evaluation was passed as follows. Table 6 shows the results of the defect evaluation pass or not.

ㆍ합격 여부 판정ㆍJudge whether or not to pass

0.2μ 이상의 크기를 명확한 이물질로 판정하여, 이하의 지표로 하였다.A size of 0.2 mu or more was determined as a clear foreign matter, and was set as the following index.

◎: 0.2㎛ 이상의 이물질이 없음◎: No foreign matter over 0.2㎛

○: 최대 결함이 0.2㎛ 이상 0.3㎛ 미만이고, 그 범위에 들어가는 결함이 2 이하임○: The maximum defect is 0.2 μm or more and less than 0.3 μm, and the defect that falls within the range is 2 or less.

△: 최대 결함이 0.5㎛ 미만이고, 0.2㎛ 이상의 크기의 결함이 3 이하임△: The maximum defect is less than 0.5 μm, and the size of 0.2 μm or more is 3 or less

×: 0.2㎛ 이상의 결함이 4 이상임×: 0.2 μm or more defects are 4 or more

(결과의 고찰)(Consideration of results)

실시예 1 내지 6은 막 두께 균일성도 모두 3.0nm 이하, 레지스트막 내의 막 두께 편차 3σ가 1.0nm 이하라고 하는 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 실시예 1 내지 4의 레지스트막의 감도 균일성 평가에 관해서도, 레지스트막 내의 편차 3σ가 패턴 치수 2.0nm 이하로 양호하였다. 또한, 실시예 1 내지 3, 6의 결함 평가에서는 면 내의 0.2㎛ 이상의 결함은 검출되지 않았다.In Examples 1 to 6, favorable results were obtained that both the film thickness uniformity was 3.0 nm or less, and the film thickness deviation 3σ in the resist film was 1.0 nm or less. In addition, regarding the evaluation of the sensitivity uniformity of the resist films of Examples 1 to 4, the variation 3? in the resist film was good at a pattern size of 2.0 nm or less. In addition, in the defect evaluation of Examples 1 to 3 and 6, defects of 0.2 µm or more in the plane were not detected.

적하 공정 (S2)에서의 스핀 회전 속도가 1000rpm인 실시예 1 내지 3, 6은, 특히 결함 평가의 점에서 우수하였다. 적하 공정 (S2)에서는 피도포면이 충분히 습윤된 상태이며, 그 상황하에서 고속 회전을 실시하고 있기 때문에, 레지스트액(26)의 적하에 의해 부착된 이물질이 코트층 중에 정착하기 전에 빠르게 외측으로 배출(비상)된 것이라고 생각된다.Examples 1 to 3 and 6 in which the spin rotation speed in the dropping step (S2) was 1000 rpm were particularly excellent in terms of defect evaluation. In the dropping step (S2), since the surface to be coated is sufficiently wetted, and high-speed rotation is performed under that situation, foreign matter adhered by the dropping of the resist liquid 26 is quickly discharged to the outside before settling in the coat layer ( I think it has become an emergency.

실시예 4는 적하 공정 (S2)에 있어서 500rpm의 회전 속도를 지속한 것이다. 실시예 4는 막 두께 균일성 및 막 두께 편차는 양호하였다. 그러나, 실시예 4의 결함 평가에 있어서 0.2㎛ 이상의 결함이 검출되었다. 이것은 적하 공정 (S2)가 500rpm이라고 하는 비교적 낮은 회전 속도이었기 때문에, 막 두께 균일성이 얻어지기 전에 건조가 약간 진행되었던 것과, 원심력에 의한 이물질의 면외 배제의 진행이 충분하지 않았던 것에 따른 것이라고 추정된다.In Example 4, the rotational speed of 500 rpm was maintained in the dropping step (S2). In Example 4, film thickness uniformity and film thickness variation were good. However, in the defect evaluation of Example 4, defects of 0.2 µm or more were detected. This is presumed to be due to the fact that the dripping step (S2) was a relatively low rotational speed of 500 rpm, so drying was slightly advanced before film thickness uniformity was obtained, and that the progress of out-of-plane exclusion of foreign matter by centrifugal force was not sufficient. .

실시예 5도 마찬가지의 이유로 결함이 검출된 것이라고 생각된다. 또한, 실시예 5에서는 1.5nm 이상의 감도 변화가 있었다. 이것은 레지스트액(26)이 젖어 확장될 때의 마찰 등의 물리적 자극이 도포 영역에 따라 편차가 발생한 것에 기인하는 것이라고 추정된다.It is considered that the defect was detected for the same reason in Example 5 as well. In addition, in Example 5, there was a change in sensitivity of 1.5 nm or more. This is presumed to be due to the occurrence of variations in physical stimulation such as friction when the resist liquid 26 is wet and expands depending on the coating area.

비교예 1은 정지 상태에서 레지스트액(26)의 적하를 행하였다. 비교예 1에서는 균일화 공정 (S5)에 있어서 고속 회전을 실시하고 있기 때문에, 실시예 1 내지 4에는 미치지 못하지만 막 두께 균일성은 나쁘지 않았다. 그러나, 감도 균일성에 착안하면, 패턴 치수 평가의 편차를 나타내는 3σ값이 2nm를 초과하는 값이었다. 또한, 결함 평가에서는 0.2㎛ 이상 크기의 결함이 3 이상 검출되었다. 이로부터 정지 상태에서의 레지스트액(26)의 적하에서는 감도 균일성이나 결함 발생의 점에서는 바람직하지 않은 것이 명확하게 되었다.In Comparative Example 1, the resist liquid 26 was dropped in a stationary state. In Comparative Example 1, since high-speed rotation was performed in the homogenization step (S5), the film thickness uniformity was not bad although it did not reach Examples 1 to 4. However, paying attention to the sensitivity uniformity, the 3? value representing the variation in pattern size evaluation was a value exceeding 2 nm. In addition, in defect evaluation, 3 or more defects having a size of 0.2 μm or more were detected. From this, it became clear that the dropping of the resist liquid 26 in a stationary state is not preferable in terms of sensitivity uniformity and defect generation.

이들 결과로부터, 레지스트 감도의 면 내 편차를 억제하기 위해서는, 적어도 500rpm 이상의 분위기에서 레지스트액(26)을 적하하는 도포 방법이 유효한 것을 알 수 있었다.From these results, it was found that in order to suppress the in-plane variation in resist sensitivity, a coating method in which the resist liquid 26 is dropped in an atmosphere of at least 500 rpm or higher is effective.

2: 차광막
3: 에칭 마스크막
10: 마스크 블랭크
11: 기판
12: 패턴 라인
13: 마스크 패턴
14: 박막
15: 박막 부착 기판
16: 레지스트막
18: 전사용 마스크
20: 레지스트액 도포 장치
21: 스피너 척
22: 노즐
23: 컵
24: 이너 링
26: 레지스트액
30: 배기 수단
32: 개구부
34: 기류2: shading screen
3: etching mask film
10: mask blank
11: substrate
12: pattern line
13: mask pattern
14: thin film
15: substrate with thin film
16: resist film
18: transcription mask
20: resist liquid coating device
21: spinner chuck
22: nozzle
23: cup
24: inner ring
26: resist liquid
30: exhaust means
32: opening
34: airflow

Claims

A method for manufacturing a mask blank comprising forming a resist film made of a resist material on a substrate,
The formation of the resist film,
And a dropping step for dropping a resist liquid containing a resist material and a solvent on the square-shaped substrate,
In the dropping process, when the rotation speed of the substrate at time t is R(t), the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid is 300 to 2000 rpm,
After the dropping end time t _B of the resist liquid, the rotational speed R(t) of the substrate is lower than the rotational speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid, or Including a drying degree adjustment process to stop rotation,
After the drying degree adjustment step, a method for manufacturing a mask blank comprising a homogenizing step of making the rotation speed R(t) of the substrate faster than the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid .

The method for manufacturing a mask blank according to claim 1, wherein the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid is 500 to 1000 rpm.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 1 or 2, comprising a pre-dropping rotation step of rotating the substrate before starting to drop the resist liquid.

delete

The rotational speed R(t) (t _B <t ≤ t _B +Δt) of the substrate according to claim 1 or 2, immediately after the dropping end time t _B of the resist liquid, for a predetermined time Δt. And a post-dropping rotation speed maintenance step of maintaining the same as the rotation speed R(t _B ) of the substrate at the dropping end time t _B of the resist liquid.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 1 or 2, wherein an exhaust means for exhausting the inside of the resist liquid coating device is actuated after the dropping end time t _{B of the} resist liquid.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 1 or 2, wherein in the homogenizing step, an exhaust means for exhausting the inside of the resist liquid coating device is actuated.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 1 or 2, wherein the resist liquid is a chemically amplified resist liquid.

The method according to claim 1 or 2, wherein the surface forming the resist film of the substrate is a surface of a thin film formed by a reactive sputtering method, and the thin film is made of at least Cr, Ta, Si, Mo, Ti, V, Nb and W. A method for producing a mask blank containing at least one element selected from the group consisting of.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 9, wherein the thin film contains at least Cr, and the ratio of Cr contained in the thin film is at least 50 atomic% or more.

The method for manufacturing a mask blank according to claim 9, wherein the thin film contains at least Si.

Forming a resist pattern by patterning the resist film of the mask blank manufactured by the method for manufacturing a mask blank according to claim 1 or 2, and forming a mask pattern using the resist pattern as a mask to prepare a transfer mask. A method of manufacturing a transfer mask, characterized in that.