KR102163605B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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가즈나리 사카타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판의 처리 능력을 유지하면서, 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 한다.
[해결수단] 진공 분위기 하에서 기판을 처리하는 기판 처리부와, 상기 기판 처리부에 접속되고, 대기 분위기 하에서 상기 기판을 반송하는 기판 반송부와, 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송부의 사이에 배치되어, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하는 로드 로크부를 갖고, 상기 로드 로크부의 적어도 일부가 상기 기판 반송부의 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 대하여 성막, 에칭 등의 진공 처리를 행하는 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼의 생산성을 높이기 위해서, 진공 분위기 하에서 웨이퍼를 처리하는 복수의 처리실을 구비하는 처리 모듈이 설치되어 있다. 또한, 처리 모듈에는, 대기 분위기 하에서 기판을 반송하는 반송 모듈이 접속되어 있고, 또한 처리 모듈과 반송 모듈과의 사이에는 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하는 복수의 로드 로크 챔버를 갖는 로드 로크 모듈이 설치되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 진공 하에서 동작하는 복수의 처리 챔버를 구비하는 처리 클러스터와, 복수의 처리 챔버에 웨이퍼를 공급하는 장치 프론트 엔드 모듈(EFEM)과, 처리 클러스터와 EFEM의 사이에 설치된 2개의 로드 로크를 구비하는 반도체 처리 장치가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2014-68009호 공보, 도 1
그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판의 처리 능력은 높아지지만, 처리 모듈 등의 각 모듈의 대형화에 의해, 기판 처리 장치의 설치 면적이 커지는 문제가 있다(도 8 내지 도 14 참조).
본 발명의 목적은, 기판의 처리 능력을 유지하면서, 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에서는, 진공 분위기 하에서 기판을 처리하는 기판 처리부와, 상기 기판 처리부에 접속되고, 대기 분위기 하에서 상기 기판을 반송하는 기판 반송부와, 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송부의 사이에 배치되어, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하는 로드 로크부를 갖고, 상기 로드 로크부의 적어도 일부가, 상기 기판 반송부의 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 처리 능력을 유지하면서, 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면도이다.
도 3의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 4의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 5의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 6의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 7의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 8은 종래의 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이다.
도 9는 도 8의 B-B 단면도이다.
도 10의 (A)는 종래의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 11의 (A)는 종래의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 12의 (A)는 종래의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 13의 (A)는 종래의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
도 14의 (A)는 종래의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, (B)는 (A)의 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서, 각 도면에서 공통되는 부분에 대해서는, 동일한 부호 또는 대응하는 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이며, 도 2는, 도 1의 A-A 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)는, 반송 모듈(10), 처리 유닛(20) 및 로드 로크 모듈(30)을 구비하고 있다. 또한, 반송 모듈(10), 처리 유닛(20) 및 로드 로크 모듈(30)은, 기판 처리 장치를 구성하는 기판 반송부, 기판 처리부, 로드 로크부의 일례이다.
반송 모듈(10)은, 처리 유닛(20)의 전방면(또는 상류)에 배치된 EFEM(Equipment Front End Module)을 구성하고, 처리 유닛(20)에 접속되어 있다. 반송 모듈(10)은, 복수매의 기판(웨이퍼)(W)을 수용한 반송 용기를 구성하는 캐리어(12)가 각각 적재되는 3개의 로드 포트(11)와, 로드 포트(11)와 개폐 가능하게 연통해서 웨이퍼(W)가 반송되는 반송실(13)을 구비한다.
반송실(13)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 로드 포트(11)측의 측벽면에 개구되어, 로드 포트(11)와 반송실(13)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입이 행하여지는 입출구(16)가 설치되어 있다. 또한, 입출구(16)에는, 입출구(16)의 개폐를 행하는 도시하지 않은 개폐 도어가 설치되어 있다. 반송실(13)의 상면측에는, 도시하지 않은 팬 필터 유닛이 설치되고, 반송실(13) 내는 양압의 청정 공기 분위기(대기 분위기)의 공간으로 되어 있다. 또한, 반송 모듈(10)의 반송실(13) 내의 분위기는, 질소 분위기이어도 된다.
도 1로 돌아가서, 반송실(13) 내에는 로봇(15)이 배치되어 있다. 로봇(15)은, 굴신 및 회전 가능한 관절 아암(15B)과, 관절 아암(15B)의 선단에서 웨이퍼(W)를 유지하는 핸드(15A)를 갖는다. 이에 의해, 로봇(15)은, 캐리어(12) 내에 진입해서 웨이퍼(W)를 취출하고, 처리 유닛(20)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행한다. 로봇(15)은, 제1 반송 기구의 일례이다.
처리 유닛(20)은, 진공 반송실(21), 아암 기구(23) 및 프로세스 모듈(24)을 갖는다. 진공 반송실(21)은, 반송 모듈(10)로부터 로드 로크 모듈(30)을 통해서 수취한 웨이퍼(W)를 진공 분위기 하에서 복수의 프로세스 모듈(24)에 반송한다. 아암 기구(23)는, 제2 반송 기구의 일례이다.
진공 반송실(21) 내에는, 진공 반송실(21)의 길이 방향에 대향하는 한쪽 측면에, 로드 로크 모듈(30)을 통해서 반송 모듈(10)이 접속된다.
진공 반송실(21)은, 로드 로크 챔버(31)에 대하여 개폐 도어(게이트 밸브)(36)에 의해 기밀하게 접속되어 있다. 진공 반송실(21)의 길이 방향의 양측면에 복수의 프로세스 모듈(24)이 게이트 밸브(26)에 의해 기밀하게 접속되어 있다. 프로세스 모듈(24)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 성막 등의 진공 처리를 행할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(24)에서 실시되는 처리의 종류는, 성막에 한정되는 것은 아니며, 에칭, 애싱, 어닐 등의 처리를 행할 수 있다.
프로세스 모듈(24)에는, 처리 대상의 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대나, 프로세스 모듈(24) 내에 성막용 처리 가스의 공급을 행하는 도시하지 않은 각 처리 가스 공급부나, 플라스마를 이용한 성막을 행하는 경우의 도시하지 않은 플라스마 발생 기구 등이 설치되어 있다.
진공 반송실(21)의 저부에는, 길이 방향으로 이동 가능한 도시하지 않은 이동 기구가 설치되어 있다. 또한, 이동 기구에는, 도시하지 않은 지주부가 설치되고, 이 지주부를 따라 승강 가능하게 구성된 아암 기구(23)가 설치되어 있다.
아암 기구(23)는, 반송 시에 웨이퍼(W)를 적재하는 핸드(23A) 및 아암(23B)을 갖는다(도 1, 도 3 참조). 아암 기구(23)의 구성은, 한정되지 않고, 예를 들어 신축, 회전 가능한 1개 또는 복수개의 관절 아암을 주행 레일을 따라 이동 가능, 지주부를 따라 승강 가능하게 설치해도 된다.
로드 로크 모듈(30)은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 반송 모듈(10)과 처리 유닛(20)의 진공 반송실(21)과의 사이에 배치되어, 로드 로크 챔버(31) 내를 대기 분위기와 진공 분위기로 전환한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)를 대기측의 반송 모듈(10)로부터 진공 반송실(21)에 반송하거나, 진공 반송실(21)로부터 대기측의 반송 모듈(10)에 반송하거나 한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 진공 반송실(21)의 상류에는 3개의 로드 로크 모듈(30)이 배치되어 있다. 또한, 로드 로크 모듈(30)의 개수는, 한정되는 것은 아니라, 하나 이상으로 구성할 수 있다.
3개의 로드 로크 모듈(30)은, 수평 방향으로 나란히 배치되어 있다. 본 예에서는, 3개의 로드 로크 모듈(30)은, 처리 유닛(20)에 대하여 방사상으로 배치되어 있지만, 로드 로크 모듈(30)의 배치 형태는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 로드 로크 모듈(30)은, 각각 로드 로크 챔버(31)를 갖고, 각 로드 로크 챔버(31)는,개폐 도어(36)의 개폐에 의해 게이트(35)를 통해서 진공 반송실(21)에 개폐 가능하게 연통하고 있다. 로드 로크 챔버(31)와 진공 반송실(21)과의 사이에서는, 진공 반송실(21)의 아암 기구(23)에 의해, 웨이퍼(W)의 수수가 행하여진다.
기판 처리 장치의 작용에 대해서 설명한다. 기판 처리 장치(100)에서는, 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(12)가 반송 모듈(10)의 로드 포트(11)에 적재되면, 반송 모듈(10)의 로봇(15)의 핸드(15A)에 의해 캐리어(12)로부터 웨이퍼(W)가 취출되어, 로드 로크 모듈(30)을 통해서, 진공 반송실(21)의 아암 기구(23)에 반송된다. 웨이퍼(W)가 진공 반송실(21)의 아암 기구(23)에 전달되면, 웨이퍼(W)에 대하여 성막을 행하는 프로세스 모듈(24)측까지 아암 기구(23)를 이동시킨다. 그리고, 아암 기구(23)를 프로세스 모듈(24)측을 향하게 한다.
한편, 프로세스 모듈(24)측에서는, 프로세스 모듈(24)의 게이트 밸브(26)를 개방하고, 게이트(25)를 개방한다. 아암 기구(23)의 관절 아암을 프로세스 챔버에 진입시켜, 웨이퍼(W)를 적재대 상에 이동한다. 프로세스 챔버의 적재대에 있는 도시하지 않은 리프터를 상승시켜, 관절 아암의 포크로부터 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 관절 아암을 퇴피시켜서 게이트 밸브(26)를 폐쇄하고, 리프터를 하강시켜서 웨이퍼(W)를 적재대 상에 적재한다.
그리고, 프로세스 모듈(24) 내에서 웨이퍼(W)의 성막을 실시한다. 또한, 웨이퍼(W)의 수수 동작에 선행해서, 프로세스 모듈(24) 내에서의 성막이 종료된 웨이퍼(W)를 진공 반송실(21) 내의 아암 기구(23)에 수수하는 동작을 실시해도 된다.
소정의 프로세스 모듈(24)에 웨이퍼(W)를 수수한 진공 반송실(21) 내의 아암 기구(23)는, 다른 웨이퍼(W)에 대하여 성막을 행하는 프로세스 모듈(24)의 배치 위치로 순차 이동해서 웨이퍼(W)의 수수를 행한다. 이 동작에 의해, 기판 처리 장치에 설치되어 있는 복수의 프로세스 모듈(24)에서 병행해서 웨이퍼(W)에 대한 성막을 행할 수 있다.
프로세스 모듈(24)에서의 성막이 종료되면, 진공 반송실(21) 내의 아암 기구(23)를 이동시킨다. 아암 기구(23)는, 프로세스 모듈(24)로부터 성막 후의 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 진공 반송실(21) 내의 아암 기구(23)가 로드 로크 모듈(30)을 통해서 웨이퍼(W)를 반송 모듈(10)에 반송하고, 반입 시와는 반대의 경로로, 성막 후의 웨이퍼(W)를 원래의 캐리어(12)로 되돌린다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리가 완료된다.
본 실시 형태에서는, 로드 로크 모듈(30)의 적어도 일부가, 반송 모듈(10) 내에 배치되어 있다. 로드 로크 모듈(30)의 적어도 일부란, 로드 로크 모듈(30)의 전부가 반송 모듈(10) 내에 배치되어 있는 것을 허용하는 의미이다. 구체적으로는, 도 1, 2에 도시한 바와 같이, 반송 모듈(10)의 반송실(13) 내에 배치되어 있는 수평 방향으로 배열하는 3개의 로드 로크 챔버(31)의 일부가 반송 모듈(10) 내에 배치되어 있다. 즉, 모든(3개) 로드 로크 챔버(31)는, 모두 일부가 반송 모듈(10) 내에 배치되어 있다.
구체적으로는, 로드 로크 모듈(30)은, 진공 반송실(21)과 거의 동일한 높이에서 진공 반송실(21)과 연통되도록, 반송 모듈(10)의 진공 반송실(21)측의 측벽을 관통하여, 반송 모듈(10)의 내부에 침입하는 구조로 되어 있다. 도 2에 도 1의 A-A 단면을 나타내는 바와 같이, 중앙의 로드 로크 모듈(30)은, 전부가 반송 모듈(10) 내에 들어 있다. 게이트(33)에는, 게이트(33)를 개폐하는 개폐 도어(34)가 설치되어 있다. 개폐 도어(34)의 형상은, 게이트(33)를 덮는 치수라면 특별히 한정되지 않는다. 본 예에서는, 개폐 도어(34)의 형상은, 게이트(33)의 개구 형상에 맞춰서 원형으로 되어 있다. 게이트(33)는, 웨이퍼(W)가 로드 로크 모듈(30)의 상부로부터 로드 로크 챔버(31)의 내부에 반송 가능하도록, 웨이퍼(W)의 직경(예를 들어, 300mm)보다도 약간 큰 직경을 갖는다. 즉, 본 실시 형태에서는, 중앙의 로드 로크 모듈(30)은, 반송 모듈(10)의 측벽으로부터 300mm 이상 내부로 침입하고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도 1에 도시하는 좌우의 로드 로크 모듈(30)은, 반송 모듈(10)에 대하여 비스듬히 배치되어, 좌우의 로드 로크 모듈(30)의 적어도 일부가, 반송 모듈(10) 내에 배치되어 있다.
이상과 같이, 로드 로크 모듈(30)의 일부 또는 전부가, 반송 모듈(10)의 내부에 침입하는 구성으로 함으로써, 기판 처리 장치(100)의 풋프린트를 작게 할 수 있다. 또한, 반송 모듈(10)의 내부에 로드 로크 모듈(30)을 넣음으로써, 반송 모듈(10)의 내부에서 웨이퍼(W)를 반송하여, 반송 모듈(10)의 내부에 있는 게이트(33)를 지나서, 웨이퍼(W)를 로드 로크 모듈(30) 내에 반입할 수 있다.
단, 로드 로크 모듈(30)이 침입하는 반송 모듈(10)의 측벽 근방을 진공 반송실(21)측에 돌출시켜, 개폐 도어(34)가, 반송 모듈(10)의 돌출 부분에 형성된 공간에서 상하로 개폐 가능한 구성으로 해도 된다. 이렇게 반송 모듈(10)의 측벽에 돌출부를 형성함으로써, 로드 로크 모듈(30)의 반송 모듈(10)로의 침입을, 웨이퍼(W)의 직경 미만(예를 들어, 300mm 미만)으로 할 수 있다.
이와 같이 하여, 3개의 로드 로크 모듈(30) 중 적어도 하나는 위에서부터 웨이퍼(W)를 반입 및 반출한다. 또한, 다른 로드 로크 모듈(30)은, 로드 로크 모듈(30)의 옆에서부터 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하도록 해도 된다.
이상의 구성에 의해, 본 실시 형태에서는, 로드 로크 모듈(30)의 일부 또는 전부를 반송 모듈(10) 내에 침입시킬 수 있다. 이에 의해, 로드 로크 모듈(30)이 침입한 치수 분만큼 기판 처리 장치(100)의 치수가 작아진다. 즉, 프로세스 모듈(24)의 수를 유지하고, 로드 로크 모듈(30)의 수도 유지하면서, 기판 처리 장치(100)의 설치 치수를 작게 할 수 있다. 그 때문에, 본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼의 처리 능력(생산성)을 유지하면서, 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있다.
이에 반해, 반송 모듈(10)의 외부이며, 반송 모듈(10)의 천장면에 로드 로크 모듈을 배치함으로써도 장치의 풋프린트를 작게 할 수 있다.
그러나, 이 경우에는, 로드 로크 모듈이 반송 모듈(10)의 천장면 상에 있기 때문에, 본 실시 형태에 비해서, 캐리어(12)로부터 반출한 웨이퍼(W)를, 로드 로크 모듈의 게이트(33)로부터 로드 로크 챔버(31) 내에 반송할 때까지의 반송 경로가 길어져, 반송에 시간이 걸린다. 따라서, 반송 모듈(10)의 천장면 상에 로드 로크 모듈을 배치하는 경우에는, 본 실시 형태와 비교해서 반송 시간이 길어짐으로써, 스루풋이 저하되는 경우가 있다.
이상으로, 본 실시 형태와 같이, 로드 로크 모듈(30)의 일부 또는 전부가, 반송 모듈(10)의 내부에 침입하는 구성으로 하면, 캐리어(12)로부터 반출한 웨이퍼(W)를, 로드 로크 모듈의 게이트(33)로부터 로드 로크 챔버(31) 내에 반송할 때까지의 반송 경로가 짧아지고, 이에 의해, 풋프린트를 작게 하면서, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
입출구(16)에 대하여 웨이퍼(W)를 수수하는 높이 방향의 수수 범위(R1)의 상한 높이가, 로드 로크 모듈(30)의 저부보다도 하방에 배치되어 있다. 구체적으로는, 도 2에 도시한 바와 같이, 반송 모듈(10)의 입출구(16)에 대하여 웨이퍼(W)를 수수하는 높이 방향의 수수 범위(R1)의 상한 높이가, 로드 로크 모듈(30)에 대하여 웨이퍼(W)를 수수하는 높이 방향의 수수 범위(R2)의 하한 높이보다도 낮게 되어 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 수수 범위(R1)는, 입출구(16)의 높이 방향의 개구에 대응하고 있다. 또한, 수수 범위(R2)는, 로드 로크 챔버(31)의 게이트(33)의 개폐 도어(34)가 상하로 이동하는 범위에 대응한다. 이때, R1>R2가 성립한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 도 2에 도시하는 처리 유닛(20)과 로드 로크 모듈(30)과의 사이에서 행하는 웨이퍼(W)의 반송 라인(L1)의 높이(H1)가, 도 9에 도시하는 종래의 기판 처리 장치(100)에서의 처리 유닛(20)과 로드 로크 모듈(30)과의 사이의 반송 라인(L2)의 높이(H2)보다도 높은 위치로 되어 있어, H1>H2가 성립한다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 진공 반송실(21) 내의 반송 라인(L1)은, 종래의 반송 라인(L2)보다도 높은 위치에 설치되어 있기 때문에, 진공 반송실(21)의 하부에 침입하기 위한 스페이스를 확보할 수 있다. 그 때문에, 진공 반송실(21)의 하부로부터의 메인터넌스, 프로세스 챔버의 하부의 프로세스 챔버 주변기기에 진공 반송실(21)의 하부로부터 메인터넌스를 행하는 것이 용이해진다.
이어서, 로드 로크 모듈의 구조에 대해서 설명한다. 도 3 내지 도 7은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈(30)의 위치 관계를 모식적으로 도시하는 것이다. 도 3의 (A) 내지 도 7의 (A)는 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 웨이퍼와 로드 로크 모듈의 위치 관계를 모식적으로 도시한 평면도이며, 도 3의 (B) 내지 도 7의 (B)는, 도 3의 (A) 내지 도 7의 (A)의 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 로드 로크 모듈(30)의 로드 로크 챔버(31)는, 내부에 웨이퍼(W)가 적재되는 공간을 형성하고, 반송 모듈(10)과 개폐 가능하게 연통하는 게이트(33)(제1 개구부)와, 진공 반송실(21)과 개폐 가능하게 연통하는 제2 개구부(게이트(35))를 갖는다.
게이트(33)는, 로드 로크 챔버(31)의 상벽부(31B)에 형성되어 로드 로크 챔버(31)의 상방에 개구되고, 게이트(33)의 개구 폭은, 수평 방향으로 웨이퍼(W)의 직경 방향의 폭 치수보다도 큰 치수를 갖는다. 게이트(33)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 본 예에서는 웨이퍼(W)의 형상에 맞춰서 원형으로 되어 있다.
게이트(33)를 개폐하는 개폐 도어(34)는, 상하 방향으로 이동 가능하게 배치되고, 게이트(33)의 개폐를 행할 수 있다. 또한, 개폐 도어(34)의 구동 방법은 특별히 한정되지 않는다.
게이트(35)는, 로드 로크 챔버(31)의 측방에 개구되고, 게이트(35)의 개구 폭은, 수평 방향으로 웨이퍼(W)의 직경 방향의 폭 치수보다도 크고, 후술하는 아암 기구(23)(핸드(23A))가 웨이퍼(W)를 유지해서 게이트(35)를 출입할 수 있는 높이 치수를 갖는다.
게이트(35)에는, 게이트(35)를 개폐하는 개폐 도어(36)가 설치되어 있다. 개폐 도어(36)의 구동 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 구동 기구(36A)를 구동함으로써 개폐할 수 있다. 개폐 도어(36)의 형상은, 게이트(35)를 덮는 치수라면 특별히 한정되지 않는다. 본 예에서는, 개폐 도어(36)의 형상은, 게이트(35)의 개구 형상에 맞춰서 직사각형으로 되어 있다.
또한, 로드 로크 챔버(31)의 저벽부(31A)에는 관통 구멍(37)이 형성되어 있고, 이 관통 구멍(37)을 삽입 관통 가능한 승강 기구(리프터 핀(38))가 배치되어 있다. 리프터 핀(38)은, 로드 로크 챔버(31) 내를 수직 방향으로 승강하여, 게이트(33)의 상방에서 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 또한, 관통 구멍(37)과 리프터 핀(38)의 사이에는, 리프터 핀(38)을 승강 가능한 도시하지 않은 시일 부재가 설치되어 있어, 로드 로크 챔버(31) 내의 밀폐가 유지되어 있다.
이 밖에, 본 예의 기판 처리 장치에는, 도시하지 않은 제어부가 설치되어 있다. 제어부는, 예를 들어 CPU(Central Processing Unit)와 기억부를 구비한 컴퓨터로 구성할 수 있다. 이 제어부에서는, 기억부에, 반송 모듈(10), 처리 유닛(20), 로드 로크 모듈(30)의 각 동작을 제어하는 스텝(명령)군이 내장된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 거기로부터 컴퓨터에 인스톨할 수 있다.
로드 로크 모듈의 동작에 대해서, 도 3 내지 도 7을 사용해서 설명한다. 먼저, 도 3은, 웨이퍼(W)가 로드 로크 모듈(30)에 반송되기 전의 상태를 나타낸다. 도 3에서는, 로드 로크 모듈(30)의 게이트(33) 및 게이트(35)는, 개폐 도어(34) 및 개폐 도어(36)에 의해 폐쇄되어 있다. 이때, 리프터 핀(38)은, 선단(38A)이 저벽부(31A) 내에 강하한 상태로 배치되어 있다.
이어서, 도 4는, 웨이퍼(W)가 반송 모듈(10)로부터 로드 로크 모듈(30)에 반송될 때의 상태를 나타낸다. 도 2에 도시한 바와 같이, 로봇(15)은, 캐리어(12)에 수용되어 있는 복수매의 웨이퍼(W) 중 어느 것을 수취하여, 반송 모듈(10)의 내부에 반입한다. 이 상태에서, 로봇(15)은, 핸드(15A)에 웨이퍼(W)를 유지하고, 핸드(15A) 및 관절 아암(15B)을 사용해서 수평 방향의 회전과 상승을 행하여, 도 3의 (A) 및 도 3의 (B)에 도시한 바와 같이, 로드 로크 챔버(31)의 상부 근방까지 웨이퍼(W)를 반송한다.
웨이퍼(W)의 반송에 앞서, 로드 로크 챔버(31) 내를 대기 분위기로 하고, 개폐 도어(34)를 상승시켜, 도 3의 (B)에 나타내는 폐쇄 상태에서 도 4의 (B)에 나타내는 개방 상태로 하여, 로드 로크 챔버(31)의 게이트(33)를 개방한 상태로 해 둔다.
로드 로크 챔버(31)의 상부 근방에 위치하는 로봇(15)의 관절 아암(15B)이 수평 방향으로 회전하여, 도 4의 (A) 및 (B)에 도시한 바와 같이, 핸드(15A)에 유지된 웨이퍼(W)가 로드 로크 챔버(31)의 게이트(33)의 상부이며, 개폐 도어(34)와 게이트(33)와의 사이까지 반송되면, 리프터 핀(38)이 상승하여, 리프터 핀(38)의 선단(38A)이 웨이퍼(W)를 지지한다. 도 4의 (B)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 핸드(15A)로부터 이격될 때까지 리프터 핀(38)을 상승시킨 후, 로봇(15)은 수평 방향의 회전에 의해, 핸드(15A)를 개폐 도어(34)와 게이트(33)와의 사이에서 빼내고, 수평 방향의 회전과 하강을 하여, 반송 모듈(10)의 원래 위치로 복귀된다.
도 5는, 웨이퍼(W)가 게이트(33)로부터 로드 로크 챔버(31)의 내부에 반송된 후, 개폐 도어(34)가 하강하고, 게이트(33)가 폐쇄되어, 로드 로크 챔버(31) 내가 폐쇄 상태로 된 상태를 나타낸다.
로드 로크 챔버(31)의 내부에 반입된 웨이퍼(W)는, 또한 리프터 핀(38)을 하강시킴으로써, 게이트(35)로부터 반출되는 위치까지 하강한다. 로드 로크 챔버(31)에는 도시하지 않은 급배 기관이 설치되어 있어, 로드 로크 챔버(31) 내는 대기 분위기에서 진공 분위기로 전환할 수 있다.
도 6은, 웨이퍼(W)가 로드 로크 모듈(30)로부터 진공 반송실(21)에 반송될 때의 상태를 나타낸다. 도 5에서, 로드 로크 챔버(31) 내는 대기 분위기에서 진공 분위기로 전환되면, 개폐 도어(36)가 강하해서 로드 로크 챔버(31)의 게이트(35)가 개방된다. 그리고, 진공 반송실(21)의 아암 기구(23)의 핸드(23A)가 수평 방향으로 직진하면서, 로드 로크 챔버(31) 내에 삽입된다.
아암 기구(23)의 핸드(23A)가 웨이퍼(W)의 하면으로 이동하면, 리프터 핀(38)이 강하하고(선단(38A)이 저벽부(31A)의 관통 구멍(37) 내에 복귀되고), 웨이퍼(W)는 핸드(23A)에 적재된다.
도 7은, 웨이퍼(W)가 로드 로크 모듈(30)로부터 반출된 후의 상태를 나타낸다. 도 7에서는, 핸드(23A)가 웨이퍼(W)를 적재한 상태에서 게이트(35)로부터 반출되어, 진공 반송실(21)에 반송된다. 개폐 도어(36)가 원래의 위치로 상승하고, 로드 로크 챔버(31)의 게이트(35)가 폐쇄된다. 이와 같이 하여, 반송 모듈(10)로부터 진공 반송실(21)까지의 웨이퍼(W)의 반송이 완료된다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 반송 모듈(10) 내에 로드 로크 모듈(30)의 적어도 일부가 배치된다. 이러한 배치가 가능해진 것은, 웨이퍼(W)를 로드 로크 모듈(30)의 상부에서 개구되는 게이트(33)로부터 로드 로크 챔버(31) 내에 반입하고, 로드 로크 모듈(30)의 측부에서 개구되는 게이트(35)로부터 반출하는 구성으로 했기 때문이다. 이에 의해, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 처리 능력을 유지하면서, 기판 처리 장치(100)의 설치 면적을 작게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 게이트(33)의 형상이, 웨이퍼(W)의 형상에 맞춰서 원형으로 되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 로드 로크 모듈(30)에 반송할 때의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 리프터 핀(38)에 의해, 웨이퍼(W)의 위치를 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 로드 로크 모듈(30)의 수직 방향으로부터 수평 방향으로 반송하는 제어 또는 수평 방향으로부터 수직 방향으로 반송하는 제어를 용이하게 행할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.
100 : 기판 처리 장치 10 : 반송 모듈
11 : 로드 포트 15 : 로봇
16 : 입출구 20 : 처리 유닛
21 : 진공 반송실 23 : 아암 기구
30 : 로드 로크 모듈 31 : 로드 로크 챔버
33 : 게이트 35 : 게이트
38 : 리프터 핀 W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 진공 분위기 하에서 기판을 처리하는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리부에 접속되고, 대기 분위기 하에서 상기 기판을 반송하고, 상기 기판을 로드 포트를 통해 상기 기판 처리부로 로드하거나 상기 기판 처리부로부터 언로드하는, 기판 반송부와,
    상기 기판 처리부와 상기 기판 반송부의 사이에 배치되어, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환하는 로드 로크부를 갖고,
    상기 기판 반송부는 그 측벽에 형성되고 상기 로드 포트에 연결된 입출구를 포함하고,
    상기 로드 로크부의 적어도 일부가 상기 기판 반송부의 내부에 배치되고,
    상기 로드 로크부는 수평으로 배열하는 복수의 로드 로크 챔버를 갖고,
    상기 각 로드 로크 챔버의 적어도 일부가 상기 기판 반송부 내에 배치되고,
    상기 로드 로크 챔버는, 상기 기판 반송부와 개폐 가능하게 연통하는 제1 개구부와, 상기 기판 처리부와 개폐 가능하게 연통하는 제2 개구부를 갖고,
    상기 제1 개구부는, 상기 기판 반송부의 내부에서 상기 로드 로크 챔버의 상방에 개구되고
    상기 제2 개구부는 상기 로드 로크 챔버의 측방에 개구되고,
    상기 기판 처리부와 상기 로드 로크 챔버의 사이에서 제2 개구를 통하여 상기 기판이 반송되는 제1 높이와, 상기 기판 반송부와 상기 로드 포트 사이에서 상기 입출구를 통하여 상기 기판이 반송되는 제2 높이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 직경이 300mm보다도 큰 원형인, 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 로드 로크부는, 상기 로드 로크 챔버 내를 수직 방향으로 승강하여, 상기 제1 개구부의 상방에서 상기 기판을 지지하는 승강 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판 반송부의 내부에서, 캐리어와 상기 로드 로크부와의 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송 기구와,
    상기 로드 로크부와 상기 기판 처리부와의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 기구를 갖고,
    상기 승강 기구는, 상기 로드 로크부의 내부에서, 상기 제1 반송 기구와 상기 제2 반송 기구와의 사이에서 기판을 수수하는, 기판 처리 장치.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102577199B1 (ko) * 2017-03-15 2023-09-08 램 리써치 코포레이션 선형 진공 이송 모듈을 갖는 감소된 풋프린트 플랫폼 아키텍처 (Footprint Platform Architecture)
JP7210960B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び基板搬送方法
JP7154986B2 (ja) * 2018-12-11 2022-10-18 平田機工株式会社 基板搬送装置及び基板搬送システム
CN111430268B (zh) * 2019-01-10 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 处理装置
JP7105751B2 (ja) * 2019-01-10 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US11581203B2 (en) * 2020-09-02 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Systems for integrating load locks into a factory interface footprint space
JP2022056064A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、搬送機構及び基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140271048A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High Throughput, Low Volume Clamshell Load Lock
US20150311102A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Applied Materials, Inc. Load lock door assembly, load lock apparatus, electronic device processing systems, and methods
JP2016225592A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 アドバンスト マイクロ−ファブリケイション エクイップメント インコーポレイテッド， シャンハイ プロセスチャンバ、プロセスチャンバとロードロックの複合体、及び基板加工システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3874525A (en) * 1973-06-29 1975-04-01 Ibm Method and apparatus for handling workpieces
US3968885A (en) * 1973-06-29 1976-07-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for handling workpieces
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
US5944857A (en) * 1997-05-08 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US8313277B2 (en) * 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
JP4478440B2 (ja) * 2003-12-02 2010-06-09 キヤノン株式会社 ロードロック装置および方法
JP4907077B2 (ja) * 2004-11-30 2012-03-28 株式会社Ｓｅｎ ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9293317B2 (en) 2012-09-12 2016-03-22 Lam Research Corporation Method and system related to semiconductor processing equipment
US9669552B2 (en) * 2013-05-20 2017-06-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for quick-swap of multiple substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140271048A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High Throughput, Low Volume Clamshell Load Lock
US20150311102A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Applied Materials, Inc. Load lock door assembly, load lock apparatus, electronic device processing systems, and methods
JP2016225592A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 アドバンスト マイクロ−ファブリケイション エクイップメント インコーポレイテッド， シャンハイ プロセスチャンバ、プロセスチャンバとロードロックの複合体、及び基板加工システム

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