KR102154687B1 - 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법 - Google Patents

고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102154687B1
KR102154687B1 KR1020190050081A KR20190050081A KR102154687B1 KR 102154687 B1 KR102154687 B1 KR 102154687B1 KR 1020190050081 A KR1020190050081 A KR 1020190050081A KR 20190050081 A KR20190050081 A KR 20190050081A KR 102154687 B1 KR102154687 B1 KR 102154687B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing
pattern
fine metal
light source
metal mask
Prior art date
Application number
KR1020190050081A
Other languages
English (en)
Inventor
김흥환
김광석
임근택
Original Assignee
㈜ 엘에이티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ㈜ 엘에이티 filed Critical ㈜ 엘에이티
Priority to KR1020190050081A priority Critical patent/KR102154687B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102154687B1 publication Critical patent/KR102154687B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/10Moulds; Masks; Masterforms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • H01L51/0011
    • H01L51/56
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 파인 메탈 마스크의 개방된 영역으로 유기물이 쉽고 정확하게 통과하여 TFT가 형성된 글래스상에 균일하게 증착될 수 있는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법에 관한 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법은, 전도성 기판 위에 소정 두께의 감광막을 형성하는 감광막 형성 단계; 상기 감광막 위에 소정 패턴을 가지는 광마스크를 설치하는 광마스크 설치 단계; 상기 전도성 기판을 노광기에 설치한 다음, 상기 노광기를 제어하여 상기 광마스크에 빛을 조사하고, 상기 광마스크를 제거하여 노광처리된 패턴몰드를 제조하는 노광처리 단계; 및 상기 패턴몰드를 현상기를 이용하여 현상액을 분사하고, 이를 통해 노광 처리된 부분을 제거하여 미세 패턴홀을 형성시켜 전주도금 모판을 제조하는 현상 단계를 포함하고, 상기 현상 단계에서는, 상기 패턴몰드와 상기 현상기의 설치 각도를 동시에 조절하여 상기 현상액이 상기 패턴몰드에 잔존하는 시간과 현상액이 침투되는 각도를 조절하는 것을 특징으로 한다.

Description

고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법{Producing Method of Electroforming Mother Plate for High Resolution Fine Metal Mask}
본 발명은 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속판 위에 형성된 감광막에 소정 각도로 테이퍼가 형성된 미세 패턴을 노광 시킨 후 현상기를 이용하여 현상되는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 디스플레이(OLED)를 제조하는 데에 사용되는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)는 일반적으로 인바 압연시트를 사용한 에칭공법으로 제조되는데, 최근 스마트폰 등에 적용되는 디스플레이의 해상도가 높아짐에 따라 두께가 더욱 얇으면서도 패턴의 크기와 간격이 작은 파인 메탈 마스크의 제작이 요구되고 있으나, 기존의 방법은 600ppi 이상의 고해상도 파인 메탈 마스크를 제조하는 데에 기술적인 한계가 있고, 이에 따라 최근에는 전주도금법을 이용한 600ppi 이상의 고해상도 파인 메탈 마스크 개발에 대한 시도가 활발히 진행되고 있다.
이와 같이 전주도금법을 이용한 고해상도 파인 메탈 마스크의 제조방법은, 금속판에 감광막을 형성시킨 다음 감광막 위에 패턴이 형성된 광마스크를 설치하고, 노광기를 이용하여 광마스크의 패턴에 맞추어 감광막에 특정 패턴을 노광시킨 다음 광마스크를 제거하며, 광마스크가 제거된 감광막에 현상액을 분사하여 노광 처리된 감광막의 패턴 부분을 제거하고, 제거된 감광막 패턴 부분에 인바 전주도금 처리한 후, 금속판으로부터 인바 전주도금법으로 형성된 파인 메탈 마스크 시트를 분리시키는 것으로 이루어진다.
상기와 같은 방법으로 제조된 파인 메탈 마스크를 이용하여 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED)가 제조될 때에는 유기물 소스에서 증발된 유기물이 파인 메탈 마스크의 미세 패턴에 의해 개방된 영역을 통과하여 TFT가 형성된 글래스상에 증착되면서 OLED 디스플레이의 R, G, B 화소에 해당되는 소정 패턴이 형성되게 되는데, 이때 유기물이 파인 메탈 마스크의 미세 패턴을 통과하여 글래스상에 균일하게 증착되기 어렵고, 또한 인접한 패턴과의 간섭으로 인해 유기물이 정교하게 증착되지 못하는 문제가 있다.
따라서 전주도금법을 이용한 고해상도 파인 메탈 마스크 제조에 있어서 유기물이 파인 메탈 마스크의 개방된 영역을 통과하여 TFT가 형성된 글래스상에 균일하게 증착될 수 있는 모판 제조방법의 개발이 요구된다.
KR 10-1728532 B1 (2017. 04. 13.) KR 10-1732078 B1 (2017. 04. 25.) KR 10-1907490 B1 (2018. 10. 05.) KR 10-2014-0005464 A (2014. 05. 15.)
본 발명은 상기와 같은 종래의 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판 제조방법이 가지는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 파인 메탈 마스크의 개방된 영역으로 유기물이 쉽고 정확하게 통과하여 글래스상에 증착될 수 있는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법은, 전도성 기판 위에 소정 두께의 감광막을 형성하는 감광막 형성 단계; 상기 감광막 위에 소정 패턴을 가지는 광마스크를 설치하는 광마스크 설치 단계; 상기 전도성 기판을 노광기에 설치한 다음, 상기 노광기를 제어하여 상기 광마스크에 빛을 조사하고, 상기 광마스크를 제거하여 노광된 패턴몰드를 제조하는 노광처리 단계; 및 상기 노광처리된 패턴몰드에 현상기를 이용하여 현상액을 분사하고, 이를 통해 노광 처리된 부분을 제거하여 패턴홀을 형성시켜 전주도금 모판을 제조하는 현상 단계를 포함하고, 상기 현상 단계에서는, 상기 패턴몰드와 상기 현상기의 설치 각도를 동시에 조절하여 상기 현상액이 상기 패턴몰드에 잔존하는 시간과 현상액이 침투되는 각도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
그리고 본 발명은 상기 감광막 형성 단계에 상기 전도성 기판 위에 소정 두께의 그래핀 막을 형성시키는 그래핀 막 형성 단계가 더 포함되는 것을 또 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 현상기는 상기 패턴몰드가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스; 및 상기 회전베이스의 외측에 방사상으로 소정 간격 이격되어 설치되면서 길이를 따라 복수 개의 노즐이 설치되어 상기 회전베이스를 향하여 현상액이 분사되는 복수 개의 노즐유닛를 포함하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
이에 더해 본 발명의 상기 현상기는 상기 패턴몰드가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스 및 상기 회전베이스의 상부에 소정 간격 이격 설치되어 상기 회전베이스와 함께 회전 동작되고, 길이를 따라 복수 개의 노즐이 설치되어 상기 회전베이스를 향하여 현상액이 분사되는 노즐유닛을 포함하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
그리고 본 발명은 상기 노광처리 단계의 상기 노광기가 수평 방향으로 슬라이딩 이동 가능하게 설치되는 워크스테이지; 상기 워크스테이지의 상부에 소정 거리 이격되어 설치되면서 저면을 따라 소정 간격을 두고 복수 개의 LED가 설치되는 광원모듈; 상기 광원모듈의 양단에 연결되어 상기 광원모듈을 회전 가능하게 지지하는 제1, 2 지지대; 상기 제1, 2 지지대 중에서 선택된 어느 하나의 지지대에 설치되어 상기 광원모듈을 소정 각도로 회전 동작시키는 구동장치; 상단이 상기 광원모듈의 저면에 탈착 가능하게 설치되면서 하단이 수직의 하향 길이를 가지는 복수 개의 광차단막; 및 상기 워크스테이지와 상기 구동장치의 동작을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 구동장치의 동작을 제어하여 상기 광차단막의 하단이 상기 워크스테이지의 이동 방향에 맞추어 상기 광원모듈의 설치 각도를 연동 제어하여 상기 광마스크에 소정 각도로 빛이 조사되도록 하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 폭과 각도 조절이 가능한 노광장치를 통해 소정 각도의 경사(테이퍼)를 가지는 미세 패턴홀을 노광시켜 패턴몰드에 쉽게 형성시킬 수 있고, 회전 가능한 구조의 현상기를 이용하여 현상액이 패턴몰드에 침투되는 각도와 현상액의 잔존 시간 등을 조절할 수 있으며, 그 결과 소정 각도로 테이퍼가 형성된 미세 패턴을 고해상도 파인 메탈 마스크를 제조하기 위한 전주도금 모판에 쉽게 형성시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법의 예를 보인 공정 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 감광막 형성 단계의 예를 보인 도면.
도 3은 본 발명에 따른 감광막 형성 단계의 다른 실시예를 보인 도면.
도 4는 본 발명에 따른 광마스크 설치 단계의 예를 보인 도면.
도 5는 본 발명에 따른 노광처리 단계에서 사용되는 노광기의 예를 보인 도면.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 노광기의 광원모듈을 예로 보인 도면.
도 8은 본 발명에 따른 광원모듈의 설치 각도가 조절되는 예를 보인 도면.
도 9(a, b)는 본 발명에 따른 광원모듈이 분리 조립되는 모듈블록으로 구성된 예를 보인 도면.
도 10은 본 발명에 따른 광원모듈이 분리 조립되는 모듈블록으로 구성된 또 다른 예를 보인 도면.
도 11은 본 발명에 따른 광차단막의 예를 보인 도면.
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 노광기를 이용하여 감광막을 노광처리되는 예를 보인 도면.
도 14는 본 발명에 따른 노광처리 단계를 통해 패턴몰드가 제조된 예를 보인 도면.
도 15는 본 발명에 따른 현상기를 이용하여 현상하는 예를 보인 도면.
도 16은 본 발명에 따른 현상기의 다른 실시예를 보인 도면.
도 17은 본 발명에 따른 현상 단계를 통해 전주도금 모판이 제조된 예를 보인 도면.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 도시한 첨부도면에 따라 상세하게 설명한다.
본 발명은 파인 메탈 마스크의 개방된 영역으로 유기물이 쉽고 정확하게 통과하여 TFT가 형성된 글래스상에 균일하게 증착될 수 있는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법을 제공하고자 하는 것으로 이러한 본 발명의 노광장치는 도 1에 도시된 바와 같이 감광막 형성 단계(S10), 광마스크 설치 단계(S20), 노광처리 단계(S30) 및 현상 단계(S40)를 포함한다.
(1) 감광막 형성 단계(S10)
이 단계는 전도성 기판(100) 위에 도 2에 도시된 바와 같이 소정 두께의 감광막(200)을 형성시키는 것으로, 이때 감광막(200)은 소정 두께를 가지는 DFR(dry film resist)을 전도성 기판(100) 위에 안착시킨 다음 열간 압착 롤러를 이용하여 압착시킴으로써 전도성 기판(100)에 감광막(200)이 합착(라미네이팅)되거나, 또는 액상 감광막(liquid photoresist, LPR)이 전도성 기판(100) 위에 소정 두께로 도포되어 형성될 수 있다.
이때 전도성 기판(100)은 스테인리스, 구리, 니켈 등의 다양한 금속판으로 구성될 수 있다.
이에 더해 전도성 기판(100)에 감광막(200)이 형성되기에 앞서 도 3에 도시된 바와 같이 그래핀 막(110)이 형성되고, 이 그래핀 막(110) 위에 감광막(200)이 형성되는 것으로 변경 실시될 수 있는데, 이러한 그래핀 막(110)은 전도성 기판(100) 위에 화학 기상 증착법을 이용하여 직접 형성되거나 또는 미리 제조된 그래핀 시트가 전도성 기판(100) 위에 전사되어 형성될 수 있다.
(2) 광마스크 설치 단계(S20)
이 단계는 감광막(200) 위에 도 4에 도시된 바와 같이 소정 패턴을 가지는 광마스크(photo mask, 300)를 설치하는 것으로, 이러한 광마스크(300)에는 후술되는 노광기(400)를 통해 노광 처리될 부분(빛에 노출될 부분)에 맞추어 홀(도면부호 없음)이 형성된다.
즉, 본 발명에 따른 광마스크(300)는 노광 처리되는 부분이 현상액에 의해 용해되는 포지티브 방식의 광마스크(300)가 사용되고, 이에 의해 홀의 모양(패턴)과 동일한 모양의 패턴홀(210)이 감광막(200)에 형성되게 된다.
(3) 노광처리 단계(S30)
이 단계는 감광막(200) 위에 광마스크(300)가 설치되고 나면, 노광기(400)에 전도성 기판(100)을 안착하여 현상액에 의해 현상될 부분을 노광 처리하는 것으로, 이때 광마스크(300)의 패턴에 맞추어 소정 각도로 테이퍼가 형성된 패턴홀(210)이 감광막(200)에 형성될 수 있도록 각도 조절이 가능한 노광기(400)가 사용된다.
상기와 같은 노광기(400)는 도 5에 도시된 바와 같이 워크스테이지(410), 광원모듈(420), 제1, 2 지지대(430A, 430B), 구동장치(440), 광차단막(450) 및 제어기(460)를 포함하고, 이하에서는 이러한 노광기(400)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다.
워크스테이지(410)는 상면에 소정 크기를 가지는 전도성 기판(100)이 안착되면서 수평 방향으로 소정 거리 이동 가능하게 설치되는 구성으로, 이러한 워크스테이지(10)는 도 5에 도시된 바와 같이 소정 폭을 가지는 슬라이딩판(도면부호 없음)과, 상기 슬라이딩판의 저면에 설치되는 복수 개의 가이드레일(도면부호 없음) 및 상기 가이드레일의 이동블록을 이송시키는 구동장치(도시하지 않음)를 포함하고, 이에 의해 슬라이딩판에 안착된 전도성 기판(100)이 구동장치에 의해 가이드레일을 따라 수평 방향으로 왕복 이동(슬라이딩)되게 된다.
광원모듈(420)은 워크스테이지(410)의 상부에 소정 거리 이격되어 설치되면서 워크스테이지(410)의 상부(슬라이딩판)에 안착되는 감광막(200)에 빛을 조사하여 광마스크(300)의 패턴에 맞추어 특정 부분을 노광 처리하기 위한 구성이다.
이러한 광원모듈(420)은 도 6에 도시된 바와 같이 후술되는 제1, 2 지지대(430A, 430B)에 회전 가능하게 조립되는 한 쌍의 설치블록(421)과, 상기 한 쌍의 설치블록(421) 사이에 설치되면서 저면에 소정 간격을 두고 복수 개의 LED(422A)가 설치되는 모듈블록(422)을 포함한다.
이때 설치블록(421)의 일측면에는 소정 길이를 가지는 회전축(421A)이 구비되고, 모듈블록(422)의 저면에는 도 7에 도시된 바와 같이 후술되는 광차단막(450)이 탈착 가능하도록 소정 간격을 두고 복수 개의 조립공(422B)이 형성된다.
그리고 일측 설치블록(421)의 회전축(421A)은 후술되는 구동장치(440)에 의해 회전 동작되도록 연결되고, 이에 의해 도 8에 도시된 바와 같이 후술되는 제어기(460)가 구동장치(440)를 제어하는 것에 의해 모듈블록(422)의 설치 각도가 조절된다.
한편, 광원모듈(420)의 설치 각도가 조절되는 것에 더하여 노광 처리가 요구되는 대상물의 폭에 따라 광원모듈(420)의 길이를 적절하게 조절하여 빛이 조사되는 폭을 조절하고, 이에 의해 불필요한 광원이 사용되는 것을 방지함으로써 전기에너지를 절약할 수 있도록 구성될 수 있다.
이러한 예로는 광원모듈(420)이 도 9(a, b)에 도시된 바와 같이 사각 블록 모양을 가지면서 외측면을 따라 소정 간격을 두고 끼움홈(H)과 끼움돌기(B)가 형성되는 복수 개의 모듈블록(422')과, 상기 모듈블록(422')과 동일한 사각 블록 모양을 가지는 연결블록(423)으로 구성될 수 있다.
이때 연결블록(423)의 저면에는 LED(422A)가 설치되지 않고, 복수 개의 모듈블록(422')과 연결블록(423)의 끼움홈(H)과 끼움돌기(B)에는 상호 끼움조립에 의해 자연스럽게 서로 접촉되는 접전판(도시하지 않음)이 구비되며, 이에 의해 일단에서 공급되는 전기가 상호 조립된 모듈블록(422')과 연결블록(423)을 통해 타단 쪽으로 공급되면서 복수 개의 모듈블록(422')에 구비된 LED(422A)가 점등되게 된다.
상기와 같은 구성에 의해 노광 처리가 필요한 폭에 맞추어 적절한 개수의 모듈블록(422')과 연결블록(423)이 상호 끼움 조립된 다음 그 양단에 설치블록(421)이 조립되는 것으로 LED(422A)가 구비된 모듈블록(422')의 설치 개수가 적절하게 조절되게 된다.
또 다른 예로는 광원모듈(420)이 도 10에 도시된 바와 같이 대신 육각 블록 모양으로 형성되면서 외측면을 따라 끼움홈(H)과 끼움돌기(B)가 교대로 형성되는 모듈블록(422")으로 구성될 수 있다.
상기와 같은 육각 블록 모양의 모듈블록(422")은 필요에 따라 LED(422A)를 복수 열로 쉽게 배열시킬 수 있고, 그 결과 노광 처리에 필요한 적절한 폭과 넓이를 가지도록 모듈블록(422")이 복수 열로 조립되어 사용되게 된다.
상기와 같은 구성에 의해 사용자가 다양한 제조 환경에 맞추어 광원모듈(420)의 모듈블록(420, 420', 420")을 적절하게 교체 조립하는 것으로 광원의 폭과 넓이 등을 쉽게 조절하여 사용할 수 있게 된다.
제1, 2 지지대(430A, 430B)는 워크스테이지(410)의 상부 쪽에 광원모듈(420)을 소정 거리 이격시켜 회전 가능하게 지지하는 구성이다.
이러한 제1, 2 지지대(430A, 430B)는 도 5에 도시된 바와 같이 상하로 소정 길이를 가지도록 형성되면서 상부 쪽에는 광원모듈(420)의 회전축(421A)이 관통 조립되는 설치공(도면부호 없음)이 형성되고, 하부는 노광장치의 하부(워크스테이지의 고정된 부분) 쪽에 고정된다.
그리고 제1, 2 지지대(430A, 430B) 상에는 스크루축, 액추에이터 및 실린더 등에 의해 상단 높이를 조절하는 높이조절부재(431)가 설치되고, 이에 의해 광원모듈(420)의 설치 높이가 조절된다.
구동장치(440)는 광원모듈(420)의 설치 각도를 조절하는 구성으로, 이러한 구동장치(440)는 도 5에 도시된 바와 같이 소정 기어비를 가지면서 서로 맞물리도록 조립되는 구동기어(도시하지 않음)와 피동기어(도시하지 않음)로 이루어지는 감속유닛(441)과, 상기 감속유닛(441)의 구동기어 쪽에 연결되는 모터(442)를 포함하고, 감속유닛(441)의 피동기어 쪽에는 광원모듈(420)의 회전축(421A)이 연결되어 모터(442)의 회전 동작에 의해 회전축(421A)이 회전되면서 광원모듈(420)의 설치 각도가 조절되도록 구성된다.
광차단막(450)은 광원모듈(420)의 저면에 설치된 LED(422A)에서 조사되는 빛이 분산되어 낭비되거나 빛의 간섭을 방지하는 구성이다.
이러한 광차단막(450)은 도 11에 도시된 바와 같이 상하로 내부가 연통된 육각기둥 모양의 차단막본체(451)와, 상기 차단막본체(451)의 상단 부분에 돌출 형성되는 소정 크기의 조립돌기(452)로 이루어지고, 이러한 광차단막(450)은 모듈블록(422)의 저면에 형성되는 조립공(422B)에 끼움 삽입되어 고정되며, 그 결과 광원모듈(420)의 설치 높이가 조절됨에 따라 적절한 길이를 가지는 광차단막(450)으로 교체 조립될 수 있게 된다.
위에서는 차단막본체(451)가 육각기둥 모양으로 형성되는 것으로만 도시되고 설명되었으나, 이와 달리 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 및 팔각형 등의 다양한 기둥 모양으로 변경 실시될 수 있다.
제어기(460)는 워크스테이지(410)의 수평 슬라이딩 동작과 구동장치(440)의 동작을 제어하는 구성으로서, 이에 의해 워크스테이지(410)의 이동 방향에 따라 광원모듈(420)이 미리 설정된 각도로 연속하여 자동 조절되게 된다.
상기와 같은 노광기(400)의 구성에 의해 도 12에 도시된 바와 같이 워크스테이지(410) 위에 전도성 기판(100)이 안착되어 고정된 상태에서 워크스테이지(410)가 일측으로 수평 이동되게 되면, 광원모듈(420)의 저면에 설치된 광차단막(450)의 하단이 워크스테이지(410)가 이동되는 방향을 추종하도록 소정 각도(예를 들면 30 ~ 60°)로 설치 각도가 조절되고, 이 상태에서 워크스테이지(410)가 수평 이동되어 광원모듈(420)에 의해 전체적으로 노광 처리되도록 1차 스캔된다.
이렇게 일측으로 워크스테이지(410)가 최대 이동되고 나면, 도 13에 도시된 바와 같이 다시 워크스테이지(410)가 반대쪽으로 수평 이동되게 되고, 이와 동시에 광원모듈(420)의 저면에 설치된 광차단막(450)의 하단이 워크스테이지(410)가 이동되는 방향을 추종하도록 재차 소정 각도로 설치 각도가 조절되며, 이 상태에서 워크스테이지(410)가 수평 이동되어 광원모듈(420)에 의해 전체적으로 노광 처리되도록 2차 스캔된다.
이와 같이 워크스테이지(410)가 수평 방향으로 왕복 이동되게 됨으로써 자연스럽게 광마스크(300)의 홀 쪽으로 평행광이 대각선 방향으로 조사되게 되고, 그 결과 패턴홀(210)의 상단 폭이 상대적으로 하단 폭 보다 작도록 경사진 모양을 가지는 패턴몰드(200')가 형성되게 된다.
(4) 현상 단계(S40)
이 단계는 광마스크(300)에 형성된 홀에 맞추어 노광처리에 의해 패턴홀(210)이 형성된 패턴몰드(200')가 제조되고 나면, 광마스크(300)를 제거한 다음 현상액을 분사하여 노광된 패턴홀(210) 부분을 제거시키고, 이를 통해 파인 메탈 마스크(도시하지 않음)를 제조하기 위한 전주도금 모판(200")을 제조하는 것이다.
이를 위한 현상기(500)는 도 15에 도시된 바와 같이 전도성 기판(100)과 패턴몰드(200')가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스(510)와, 상기 회전베이스(510)의 외측에 방사상으로 소정 간격 이격되어 설치되면서 길이를 따라 복수 개의 노즐(521)이 설치되어 회전베이스(510)를 향하여 현상액이 분사되는 복수 개의 노즐유닛(520)을 포함한다.
상기와 같은 현상기(500)의 구성에 의해 회전베이스(510)가 소정 각도로 경사지게 조절된 상태에서 해당 방향에 설치된 노즐유닛(520)을 통해 소정량의 현상액이 패턴몰드(200')를 향해 분사되고, 이렇게 패턴몰드(200')에 분사된 현상액이 경사를 따라 흐르면서 패턴몰드(200')의 노광된 테이퍼 부분으로 침투하게 되며, 그 결과 현상액에 의해 패턴몰드(200')의 노광 처리된 테이퍼 부분까지 정확하게 제거되면서 도 17에 도시된 바와 같이 미세 패턴을 가지는 전주도금 모판(200")이 제조되게 된다.
이때 필요에 따라 현상액이 분사됨과 동시에 회전베이스(510)가 소정 각도 범위 내에서 연속 회전되도록 제어될 수 있다.
한편, 위에서는 현상기(500)의 회전베이스(510)가 회전 동작되는 것으로만 도시되고 설명되었으나, 이와 달리 도 16에 도시된 바와 같이 패턴몰드(200')가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스(510')와, 상기 회전베이스(510')의 상부에 소정 간격 이격 설치되어 회전베이스(510')와 함께 회전 동작되고, 길이를 따라 복수 개의 노즐(521')이 설치되어 회전베이스(510')를 향하여 현상액이 분사되는 노즐유닛(520')으로 변경되어 구성될 수 있고, 이 경우 회전베이스(510')와 노즐유닛(520')이 함께 회전되면서 현상액이 패턴몰드(200')를 따라 흐르는 속도 등이 조절된다.
이와 같이 현상기(500)의 회전베이스(510, 510')의 회전 각도와 회전 속도 등을 조절하게 되면 현상액이 패턴몰드(200')의 표면을 따라 흐르는 각도와 현상액의 잔존 시간 등을 적절하게 조절할 수 있고, 이에 의해 미세패턴을 가지는 전주도금 모판(200")을 더욱 정교하게 제조할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명은 폭과 각도 조절이 가능한 노광장치를 통해 소정 각도의 경사(테이퍼)를 가지는 패턴홀이 패턴몰드에 형성되고, 회전 가능한 구조의 현상기를 통해 현상액이 패턴몰드에 침투되는 각도와 현상액의 잔존 시간 등이 조절되어 미세 패턴을 가지는 전주도금 모판이 정교하게 제조되게 된다.
위에서는 설명의 편의를 위해 바람직한 실시예를 도시한 도면과 도면에 나타난 구성에 도면부호와 명칭을 부여하여 설명하였으나, 이는 본 발명에 따른 하나의 실시예로서 도면상에 나타난 형상과 부여된 명칭에 국한되어 그 권리범위가 해석되어서는 안 될 것이며, 발명의 설명으로부터 예측 가능한 다양한 형상으로의 변경과 동일한 작용을 하는 구성으로의 단순 치환은 통상의 기술자가 용이하게 실시하기 위해 변경 가능한 범위 내에 있음은 지극히 자명하다고 볼 것이다.
100: 전도성 기판 110: 그래핀 막
200: 감광막 200': 패턴몰드
200": 전주도금 모판 210: 패턴홀
300: 광마스크 400: 노광기
410: 워크스테이지 420: 광원모듈
421: 설치블록 421A: 회전축
422, 422', 422": 모듈블록 422A: LED
422B: 조립공 423: 연결블록
430A: 제1 지지대 430B: 제2 지지대
431: 높이조절부재 440: 구동장치
441: 감속유닛 442: 모터
450: 광차단막 451: 차단막본체
452: 조립돌기 460: 제어기
500: 현상기 510, 510': 회전베이스
520, 520': 노즐유닛 521, 521': 노즐
B: 끼움돌기 H: 끼움홈

Claims (5)

  1. 전도성 기판(100) 위에 소정 두께의 감광막(200)을 형성하는 감광막 형성 단계(S10);
    상기 감광막(200) 위에 소정 패턴을 가지는 광마스크(300)를 설치하는 광마스크 설치 단계(S20);
    상기 전도성 기판(100)을 노광기(400)에 설치한 다음, 상기 노광기(400)를 제어하여 상기 광마스크(300)에 빛을 조사하고, 상기 광마스크(300)를 제거하여 패턴몰드(200')를 제조하는 노광처리 단계(S30); 및
    상기 패턴몰드(200')를 현상기(500)를 이용하여 현상액을 분사하여 노광 처리된 부분을 제거하고, 이를 통해 미세 패턴홀(210)을 형성시켜 전주도금 모판(200")을 제조하는 현상 단계(S40);
    를 포함하고,
    상기 현상 단계(S40)에서는,
    상기 패턴몰드(200')와 상기 현상기(500)의 설치 각도를 동시에 조절하여 상기 현상액이 상기 패턴몰드(200')에 잔존하는 시간과 현상액이 침투되는 각도를 조절하는 것을 특징으로 하는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 감광막 형성 단계(S10)는,
    상기 전도성 기판(100) 위에 소정 두께의 그래핀 막(110)을 형성시키는 그래핀 막 형성 단계(S11)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 현상 단계(S40)의 상기 현상기(500)는,
    상기 패턴몰드(200')가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스(510); 및
    상기 회전베이스(510)의 외측에 방사상으로 소정 간격 이격되어 설치되면서 길이를 따라 복수 개의 노즐(521)이 설치되어 상기 회전베이스(510)를 향하여 현상액이 분사되는 복수 개의 노즐유닛(520);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 현상 단계(S40)의 상기 현상기(500)는,
    상기 패턴몰드(200')가 안착되어 고정되면서 360° 회전되도록 구성되는 회전베이스(510') 및
    상기 회전베이스(510')의 상부에 소정 간격 이격 설치되어 상기 회전베이스(510')와 함께 회전 동작되고, 길이를 따라 복수 개의 노즐(521')이 설치되어 상기 회전베이스(510')를 향하여 현상액이 분사되는 노즐유닛(520');
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 노광처리 단계(S30)의 상기 노광기(400)는,
    수평 방향으로 슬라이딩 이동 가능하게 설치되는 워크스테이지(410);
    상기 워크스테이지(410)의 상부에 소정 거리 이격되어 설치되면서 저면을 따라 소정 간격을 두고 복수 개의 LED(421)가 설치되는 광원모듈(420);
    상기 광원모듈(420)의 양단에 연결되어 상기 광원모듈(420)을 회전 가능하게 지지하는 제1, 2 지지대(430A, 430B);
    상기 제1, 2 지지대(430A, 430B) 중에서 선택된 어느 하나의 지지대에 설치되어 상기 광원모듈(420)을 소정 각도로 회전 동작시키는 구동장치(440);
    상단이 상기 광원모듈(420)의 저면에 탈착 가능하게 설치되면서 하단이 수직의 하향 길이를 가지는 복수 개의 광차단막(450); 및
    상기 워크스테이지(410)와 상기 구동장치(440)의 동작을 제어하는 제어기(460);
    를 포함하고,
    상기 제어기(460)는,
    상기 구동장치(440)의 동작을 제어하여 상기 광차단막(450)의 하단이 상기 워크스테이지(410)의 이동 방향에 맞추어 상기 광원모듈(420)의 설치 각도를 연동 제어하여 상기 광마스크(300)에 소정 각도로 빛이 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법.
KR1020190050081A 2019-04-29 2019-04-29 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법 KR102154687B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190050081A KR102154687B1 (ko) 2019-04-29 2019-04-29 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190050081A KR102154687B1 (ko) 2019-04-29 2019-04-29 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102154687B1 true KR102154687B1 (ko) 2020-09-10

Family

ID=72450393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190050081A KR102154687B1 (ko) 2019-04-29 2019-04-29 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102154687B1 (ko)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07238388A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Toppan Printing Co Ltd 金属薄板のパターンエッチング方法
KR20070067538A (ko) * 2005-12-23 2007-06-28 삼성전자주식회사 사입사 조명장치, 노광장비 및 사입사 조명방법
KR20140005464A (ko) 2012-07-04 2014-01-15 엘지이노텍 주식회사 대면적 표시장치용 메탈마스크의 제조방법
KR20160055604A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 한국과학기술연구원 전주 도금용 기판 및 이를 이용한 전주 도금 방법
KR101728532B1 (ko) 2015-11-16 2017-04-19 지에스옵틱스 주식회사 Led 광원을 이용한 스캔 방식의 노광장치
KR20180001666A (ko) * 2016-06-24 2018-01-05 에이피시스템 주식회사 전주도금법을 이용한 미세 금속 마스크 제조방법
KR20180028899A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 주식회사 티지오테크 Oled 화소 형성 마스크의 제조에 사용되는 전주도금 모판
KR101907490B1 (ko) 2017-01-03 2018-10-12 주식회사 티지오테크 모판 및 마스크의 제조방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07238388A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Toppan Printing Co Ltd 金属薄板のパターンエッチング方法
KR20070067538A (ko) * 2005-12-23 2007-06-28 삼성전자주식회사 사입사 조명장치, 노광장비 및 사입사 조명방법
KR20140005464A (ko) 2012-07-04 2014-01-15 엘지이노텍 주식회사 대면적 표시장치용 메탈마스크의 제조방법
KR20160055604A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 한국과학기술연구원 전주 도금용 기판 및 이를 이용한 전주 도금 방법
KR101732078B1 (ko) 2014-11-10 2017-05-02 한국과학기술연구원 전주 도금용 기판 및 이를 이용한 전주 도금 방법
KR101728532B1 (ko) 2015-11-16 2017-04-19 지에스옵틱스 주식회사 Led 광원을 이용한 스캔 방식의 노광장치
KR20180001666A (ko) * 2016-06-24 2018-01-05 에이피시스템 주식회사 전주도금법을 이용한 미세 금속 마스크 제조방법
KR20180028899A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 주식회사 티지오테크 Oled 화소 형성 마스크의 제조에 사용되는 전주도금 모판
KR101907490B1 (ko) 2017-01-03 2018-10-12 주식회사 티지오테크 모판 및 마스크의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105633124B (zh) 用于制造有机电致发光显示器的方法
KR20180001666A (ko) 전주도금법을 이용한 미세 금속 마스크 제조방법
KR102069346B1 (ko) 유기 박막 증착 장치
CN110505762A (zh) 油墨涂布装置及油墨涂布方法
KR102154687B1 (ko) 고해상도 파인 메탈 마스크 제조를 위한 전주도금 모판의 제조방법
CN1997769B (zh) 具有较小的开口尺寸的双层阴影掩模及其制作和使用方法
KR101663818B1 (ko) 미세 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법,그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법
KR102160258B1 (ko) 노광장치 및 이를 이용한 파인 메탈 마스크 제조방법
CN109991819B (zh) 曝光系统及其用于制造显示面板的方法
CN107557731B (zh) 一种掩膜板
JP5320551B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2009282111A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク落下防止方法、及びプロキシミティ露光装置用のマスク
US20190165330A1 (en) Evaporation equipment
JP2007322806A (ja) 露光装置の基板保持機構
JP5052438B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板搬送方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101052227B1 (ko) 선택적 표면 처리 장치, 및 이를 구비한 패턴 형성용 노즐 및 코팅 장치
KR20070058058A (ko) 셰도우 마스크 제조방법
KR101265147B1 (ko) 개선된 인쇄롤 상의 인쇄 패턴 형성 장치 및 방법
JP2009282110A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のチャック高さ調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101298103B1 (ko) 미세 회로 패턴 제조 장치와 방법 및 이에 의해 제조되는 미세 회로 패턴
CN114023798B (zh) 显示面板及其制备方法
JP2013064897A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光量調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP6565321B2 (ja) 積層構造体、これを用いた有機el素子、およびこれらの製造方法
TW201503355A (zh) 製造有機電致發光裝置之方法
US10923687B2 (en) Manufacturing method of display panel and display panel

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant