CN107557731B - 一种掩膜板 - Google Patents
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- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 66
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical group [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种掩膜板，该掩膜板包括对位区，该对位区用于在一定强度光照下获得预设反射率以进行对位；对对位区进行反射处理，以使得掩膜板具有与该预设反射率相同范围的反射率。通过这种反射处理，使得不同类型的掩膜板在对位时，不需要调整光源强度或画面对比度也能获得相同且适合相应掩膜板的画面清晰度，减少了人工作业，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器具有自主发光、厚度薄、重量轻、响应速度快、视角广、色彩丰富以及高亮度、低功耗、耐高低温等优点，广泛应用于手机、手表、电脑、电视机等产品中。有机发光二极管的制作一般采用真空真镀技术，即在真空环境中加热有机/金属材料，材料受热升华，通过具有特殊图案的掩膜板，在基板表面形成具有一定形状的有机\金属薄膜，经历多种材料的连续沉积成膜，即可形成具有多层薄膜的OLED结构，最终形成OLED显示器。在这一过程中，需要先对掩膜板和基板进行对位以保证形成的图案符合工艺精度的要求，一般采用光照射掩膜板上的对位区，然后由真镀机台的对位系统获取对位区上的对位标记的画面清晰度以对掩膜板进行对位，在对位过程中，掩膜板对光照的反射率决定了对位标记的画面清晰度，进一步决定了对位标记的获取准确性。
在生产OLED显示器的过程中，对于不同分辨率的OLED显示器需要使用不同类型的掩膜板，而在同一生产线生产不同分辨率的OLED显示器时，就需要根据OLED显示器分辨率的不同切换对应的掩膜板，进而需要对切换后的掩膜板进行对位。
现有技术中，在同一生产线中，对于不同类型的掩膜板在切换之后进行对位的过程中，由于不同类型的掩膜板的材质不同，对光的反射率也不同，为了保证对位精确，需要根据不同的反射率人为的调整光源强度或画面对比度，以便获取适合每一类型掩膜板相应的对位标记的画面清晰度，增加了人力调整作业，降低了生产效率。
发明内容
本发明主要提供一种掩膜板，旨在解决同一生产线中，不同类型的掩膜板在切换之后进行对位时需要调整光源强度或画面对比度而增加人力调整作业、降低生产效率的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜板，该掩膜板包括对位区，所述对位区用于在一定强度光照下获得预设反射率以进行对位；对所述对位区进行反射处理，以使得所述掩膜板具有与所述预设反射率相同范围的反射率。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过对掩膜板的对位区进行反射处理，使得掩膜板具有与预设反射率相同范围的反射率，进而使得不同类型的掩膜板在对位时，不需要调整光源强度或画面对比度也能获得相同且适合相应掩膜板的画面清晰度，减少了人工调整作业，提高了生产效率。
附图说明
图1是本发明提供的掩膜板实施例的结构示意图；
图2是图1中掩膜板在对位时对位区的示意图；
图3是图1中第一类掩膜板反射处理后的截面示意图；
图4是图1中第二类掩膜板反射处理后的截面示意图；
图5是图1中第三类掩膜板反射处理后的截面示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型所提供的一种掩膜板做进一步详细描述。
参阅图1，本发明提供的掩膜板实施例包括对位区101。
具体地，掩膜板包括掩膜板本体10，以金属掩膜板为例，掩膜板本体10为金属薄片，固定于金属框架11上，掩膜板本体10上设有四个对位区101，且每个对位区101设有对位标记102，进一步地，掩膜板本体10上还设有图案开口区103。
可选的，对位标记102为圆形通孔。
参阅图2，在使用光学对掩膜板进行对位时，通过光源发射的光照射对位区101并由对位系统获取对位区101上的对位标记102及基板上的对位标记104，在合适的画面清晰度下由对位系统获取这些对位标记以对掩膜板进行对位。
其中，本实施例中的对位区101用于在光照下获得预设反射率以进行对位。
具体地，对对位区101进行反射处理，以使得掩膜板具有与预设反射率相同范围的反射率。
其中，预设反射率为在一定强度光照下特定材料的反射率，也就是说本实施例中的掩膜板的对位101在光照下获得的反射率范围与特定材料的反射率范围相同。
可选的，特定材料为铁镍合金。
共同参阅图3至图5，对不同类型掩膜板的对位区进行反射处理的方式不同，本实施例以三类掩膜板为例进行说明。
如图3所示，第一类掩膜板为单层结构的金属掩膜板，包括第一图案层20，第一图案层20上设有对位区201，对位区201上设有对位标记202，进一步地，第一图案层20还设有多个图案开口区203；其中，该第一类掩膜板的对位区201进行反射处理的方式具体为：使用特定材料形成第一图案层20，对位区201在如图所示的光照下获得的反射率即为特定材料的反射率，即可保证了该类掩膜板在光照下获得与特定材料反射率相同范围的反射率。
可选的，第一类掩膜板为可用于制备低分辨率的OLED显示器的蚀刻法精密金属掩膜板，蚀刻法精密金属掩膜板是以金属薄片为本体，经历化学药剂蚀刻之后，在金属薄片表面形成图案以形成掩膜板，一般的，该金属薄片的材料为铁镍合金，即第一图案层20为铁镍合金层，对位区201在光照下获得的反射率即为铁镍合金的反射率，也即特定材料的反射率。
如图4所示，第二类掩膜板为多层结构的金属掩膜板，包括第二图案层30，第二图案层30设有对位区301，对位区301上设有对位标记302，进一步地，第一图案层30还设有多个图案开口区303；其中，该第二类掩膜板的对位区201进行反射处理的方式具体为：在第二图案层30上形成覆盖对位区301的第一材料层304，以使得对位区301在光照下获得与预设反射率相同范围的反射率。
具体地，该方式可包括两种，第一种为：使用特定材料在第二图案层30上形成覆盖对位区301的第一材料层304，即第一材料层304为特定材料层，对位区301在如图所示的光照下获得的反射率即为特定材料的反射率，其中，第一材料层304的覆盖方式可以是仅覆盖对位区301相应的位置，也可以是覆盖对位区301且与第二图案层30相对应的一层材料层；第二种为：当第二图案层30的反射率大于特定材料的反射率时，使用氮化硅材料在第二图案层30上形成覆盖对位区301的第一材料层304，即第一材料层304为氮化硅层，以使得对位区301在光照下获得第二图案层30与氮化硅层的混合反射率，其中，本实施例中氮化硅具有半透明特性，在光照下能够降低第二图案层30的反射率，可根据实际情况，通过控制氮化硅层的厚度来确定第二图案层30的反射率降低的程度，使得降低后的反射率与预设反射率的范围相同，因此，对位区301获得的混合反射率与预设反射率的范围相同。
可选的，第二类掩膜板为可制备中高分辨率的OLED显示器的电铸法精密金属掩膜，电铸法精密金属掩膜板以金属薄片为本体，通过光阻涂布、曝光及显影，并在化学药剂槽中将金属薄片通电后，在金属薄片表面形成图案以形成掩膜板，一般的，该金属薄片的材料为镍钴合金，也即第二图案层30为镍钴合金层，以铁镍合金为特定材料，可在镍钴合金层上形成覆盖对位区301的铁镍合金层，且形成的铁镍合金层的成分比例与特定材料的铁镍合金的成分比例相同，则对位区在光照下获得的反射率即为铁镍合金的反射率；而且由于镍钴合金的反射率大于铁镍合金，因此，还可以如上述的在镍钴合金层上形成一层氮化硅层，以降低镍钴合金层的反射率，使得对位区301在光照下获得的反射率与预设反射率范围相同。
可选的，氮化硅层的厚度为10埃～9000纳米。
如图5所示，第三类掩膜板包括依次层叠第三图案层40及第二材料层41，第二材料层41上设有对位区401，对位区401设有对位标记402，还设有图案开口区403，其中，该第三类掩膜板的对位区401进行反射处理的方式具体为：使用特定材料形成第三图案层40，并去除对位区401相应位置的第二材料层41以露出第三图案层40，即去除图5中虚线所示的部分，对位区401在光照下获得的反射率即为第三图案层40的反射率，也即特定材料的反射率。
可选的，第三类掩膜板为混合型精密金属掩膜板，混合型精密金属掩膜板可用于制备中高分辨率的OLED显示器，混合型精密金属掩膜板通过在金属薄片上形成聚合物薄膜，在通过化学或激光开孔在金属薄片及聚合物薄膜上形成图案以形成掩膜板，本实施例中，以铁镍合金为特定材料，混合型精密金属掩膜板的金属薄片可使用铁镍合金，也即第三图案层40为铁镍合金层，聚合物薄膜即为第二材料层41，在去除了对位区401相应位置的聚合物薄膜后，对位区401在光照下获得的反射率即为铁镍合金的反射率，也即特定材料的反射率。
在具体应用中，同一生产线制备不同分辨率的OLED显示器，需要使用的不同类型的掩膜板以上述三类的蚀刻法精密金属掩膜板、电铸法精密金属掩膜板及混合型精密金属掩膜板为例，可以以蚀刻法精密金属掩膜板的第一图案层为特定材料层，即铁镍合金层，在对位时，根据铁镍合金的反射率调整光源强度以获得合适的画面清晰度，进一步地，通过上述的方式对电铸法精密金属掩膜板及混合型精密金属掩膜板进行反射处理，在需要切换至电铸法精密金属掩膜板或混合型精密金属掩膜板时，即可获得与蚀刻法精密金属掩膜板相同的画面清晰度，进而获得适合电铸法精密金属掩膜板及混合型精密金属掩膜板的对位区的画面清晰度。
区别于现有技术，本发明通过对掩膜板的对位区进行反射处理，使得掩膜板具有与预设反射率相同范围的反射率，进而使得不同类型的掩膜板在对位时，不需要调整光源强度或画面对比度也能获得相同且适合相应掩膜板的画面清晰度，减少了人工作业，提高了生产效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括对位区，所述对位区用于在一定强度光照下获得预设反射率以进行对位；
对所述对位区进行反射处理，以使得所述掩膜板具有与所述预设反射率相同范围的反射率，所述掩膜板为多层结构的金属掩膜板，所述掩膜板包括第二图案层，所述第二图案层设有所述对位区，所述对所述对位区进行反射处理，以使得所述掩膜板具有与所述预设反射率相同范围的反射率包括：
在所述第二图案层上形成覆盖所述对位区的第一材料层，以使得所述对位区在所述光照下获得与所述预设反射率相同范围的反射率。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述预设反射率为在所述一定强度光照下特定材料的反射率。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述特定材料为铁镍合金。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述在所述第二图案层上形成覆盖所述对位区的第一材料层，以使得所述对位区在所述光照下获得与所述预设反射率相同范围的反射率包括：
使用所述特定材料在所述第二图案层上形成覆盖所述对位区的第一材料层，以使得所述对位区在所述光照下获得所述特定材料的反射率。
5.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二图案层的反射率大于所述特定材料的反射率，所述在所述第二图案层上形成覆盖所述对位区的第一材料层，以使得所述对位区在所述光照下获得与所述预设反射率相同范围的反射率包括：
使用氮化硅材料在所述第二图案层上形成覆盖所述对位区的第一材料层，以使得所述对位区在所述光照下获得所述第二图案层与所述氮化硅层的混合反射率。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第二图案层为镍钴合金层。
7.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括依次层叠的第三图案层及第二材料层，所述第二材料层设有所述对位区，所述对所述对位区进行反射处理，以使得所述掩膜板具有与所述预设反射率相同范围的反射率包括：
使用所述特定材料形成所述第三图案层，并去除所述对位区相应位置的所述第二材料层以露出所述第三图案层，进而使得所述对位区在所述光照下获得所述特定材料的反射率。
8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第二材料层为聚合物薄膜层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710649786.3A CN107557731B (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种掩膜板 |
| US15/736,329 US20190044068A1 (en) | 2017-08-01 | 2017-09-21 | Mask plate |
| PCT/CN2017/102584 WO2019024193A1 (zh) | 2017-08-01 | 2017-09-21 | 一种掩膜板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710649786.3A CN107557731B (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种掩膜板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107557731A CN107557731A (zh) | 2018-01-09 |
| CN107557731B true CN107557731B (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=60973926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710649786.3A Active CN107557731B (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种掩膜板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107557731B (zh) |
| WO (1) | WO2019024193A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111636048B (zh) * | 2020-05-12 | 2021-05-07 | 清华大学 | 一种掩膜及其制造方法、二维材料薄膜图案制造方法 |
| CN115135799B (zh) * | 2020-12-22 | 2023-08-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3236596B2 (ja) * | 1991-03-19 | 2001-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2000238447A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-05 | Canon Inc | 印刷凹版、印刷凹版の製造方法及び記憶媒体 |
| JP2006077297A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Seiko Epson Corp | マスク、成膜方法、有機ｅｌ装置の製造方法 |
| CN101458443A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩模版及其制作方法、图形化的方法 |
| CN103488063B (zh) * | 2012-06-11 | 2016-01-20 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种对位标记及其制作方法 |
| CN103966546B (zh) * | 2014-04-29 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种金属掩膜板 |
| JP6424521B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-11-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
| CN104503203A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法和显示面板中封框胶的固化方法 |
| CN104865789A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-08-26 | 中国科学院微电子研究所 | 掩模版和光刻方法 |
-
2017
- 2017-08-01 CN CN201710649786.3A patent/CN107557731B/zh active Active
- 2017-09-21 WO PCT/CN2017/102584 patent/WO2019024193A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019024193A1 (zh) | 2019-02-07 |
| CN107557731A (zh) | 2018-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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